JPH11168258A - Optical amplifier - Google Patents
Optical amplifierInfo
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- JPH11168258A JPH11168258A JP9332881A JP33288197A JPH11168258A JP H11168258 A JPH11168258 A JP H11168258A JP 9332881 A JP9332881 A JP 9332881A JP 33288197 A JP33288197 A JP 33288197A JP H11168258 A JPH11168258 A JP H11168258A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体光増幅器における信号波形歪みが補償さ
れた光信号を出力することができる光増幅装置を提供す
ることを目的とする。
【解決手段】半導体光増幅器1と、半導体光増幅器1の
出力光が入力される可飽和吸収体2と、可飽和吸収体2
からの出力光を制御する光出力制御手段3とを備える。
(57) Abstract: An object of the present invention is to provide an optical amplifier capable of outputting an optical signal in which signal waveform distortion in a semiconductor optical amplifier has been compensated. A semiconductor optical amplifier, a saturable absorber to which output light of the semiconductor optical amplifier is input, and a saturable absorber.
Light output control means 3 for controlling the output light from the light source.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信システムで
用いられる光増幅装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical amplifier used in an optical communication system.
【0002】[0002]
【従来の技術】光通信システムの従来の光増幅装置にお
いては、入力された信号光の光強度を増幅して出力する
半導体光増幅器が用いられる。半導体光増幅器は、小型
かつ他の光回路との集積化が可能という特色を持ってい
る。2. Description of the Related Art In a conventional optical amplifying device of an optical communication system, a semiconductor optical amplifier for amplifying and outputting the light intensity of input signal light is used. The semiconductor optical amplifier has a feature that it is small and can be integrated with other optical circuits.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の光増幅装置においては、通常半導体光増幅器に強い
光強度の信号光を入力すると、誘導放出により増幅器内
のキャリア密度が減少し、これに伴って増幅利得が減少
する。信号光が強度変調されていれば、光強度オンのと
きにキャリア密度小、光強度オフのときキャリア密度大
となるが、キャリア密度は光強度の変化に瞬時に応答す
るわけではなく、所定の時定数をもって変化する。However, in such a conventional optical amplifying device, when a signal light having a high light intensity is usually input to a semiconductor optical amplifier, the carrier density in the amplifier is reduced due to stimulated emission. As a result, the amplification gain decreases. If the signal light is intensity-modulated, the carrier density is low when the light intensity is on and the carrier density is high when the light intensity is off, but the carrier density does not respond instantaneously to a change in the light intensity. It changes with a time constant.
【0004】例えば、単一パルスの信号光が半導体光増
幅器に入力される場合について図8を参照して説明す
る。半導体光増幅器のキャリア密度が大の状態で入力さ
れる信号光の先頭部は高い利得を受け、光強度オンの状
態が続くとキャリア密度は所定の定常値に向かって減少
していく。すなわち、半導体光増幅器の出力光パルス波
形は、矩形の入力光パルス波形とは異なった形となる。
このようなメカニズムにより、強度変調信号光を強い光
強度で半導体光増幅器に入力すると信号波形歪みが生じ
るという問題がある。For example, a case where a single-pulse signal light is input to a semiconductor optical amplifier will be described with reference to FIG. The head of the signal light that is input when the carrier density of the semiconductor optical amplifier is high receives a high gain, and the carrier density decreases toward a predetermined steady-state value when the light intensity is on. That is, the output optical pulse waveform of the semiconductor optical amplifier has a different shape from the rectangular input optical pulse waveform.
Due to such a mechanism, there is a problem that signal waveform distortion occurs when the intensity-modulated signal light is input to the semiconductor optical amplifier at a high light intensity.
【0005】本発明は上述の課題を解決するためになさ
れたもので、半導体光増幅器における信号波形歪みが補
償された光信号を出力することができる光増幅装置を提
供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and has as its object to provide an optical amplifier capable of outputting an optical signal in which signal waveform distortion in a semiconductor optical amplifier has been compensated.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明においては、半導体光増幅器と、上記半導体
光増幅器の出力光が入力される可飽和吸収体と、上記可
飽和吸収体からの出力光を制御する光出力制御手段とを
備える。In order to achieve this object, the present invention provides a semiconductor optical amplifier, a saturable absorber to which the output light of the semiconductor optical amplifier is input, and a saturable absorber from the saturable absorber. Light output control means for controlling output light.
【0007】また、上記可飽和吸収体と上記半導体光増
幅器とは同一の構造とし、上記光出力制御手段に、上記
可飽和吸収体の活性層に注入される電流を、媒質が損失
媒質として作用する値に制御、設定する手段を備える。The saturable absorber and the semiconductor optical amplifier have the same structure, and the optical output control means receives a current injected into the active layer of the saturable absorber, and the medium acts as a loss medium. Means for controlling and setting the value to be performed.
【0008】また、上記可飽和吸収体と上記半導体光増
幅器とは同一の構造とし、上記光出力制御手段に、上記
可飽和吸収体への注入電流を、上記可飽和吸収体の前段
にある上記半導体光増幅器への入力光強度に応じて制御
する手段を備える。Further, the saturable absorber and the semiconductor optical amplifier have the same structure, and the light output control means supplies an injection current to the saturable absorber with the above-mentioned saturable absorber at a stage preceding the saturable absorber. There is provided means for controlling according to the input light intensity to the semiconductor optical amplifier.
【0009】また、上記可飽和吸収体と上記半導体光増
幅器とは同一の構造とし、上記光出力制御手段に、上記
可飽和吸収体への注入電流を、上記可飽和吸収体の前段
にある上記半導体光増幅器の活性層の端子間電圧に応じ
て制御する手段を備える。The saturable absorber and the semiconductor optical amplifier have the same structure. The semiconductor optical amplifier includes means for controlling according to a voltage between terminals of the active layer of the semiconductor optical amplifier.
【0010】また、上記半導体光増幅器と上記可飽和吸
収体とを同一基板上に集積化する。The semiconductor optical amplifier and the saturable absorber are integrated on the same substrate.
【0011】[0011]
【発明の実施の形態】図1は本発明に係る光増幅装置の
第1の実施形態を示す図である。図に示すように、半導
体光増幅器1の後段に半導体可飽和吸収体2と光出力制
御手段3が備えられた構成となっている。FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of an optical amplifying device according to the present invention. As shown in the figure, a semiconductor saturable absorber 2 and an optical output control means 3 are provided at the subsequent stage of the semiconductor optical amplifier 1.
【0012】半導体可飽和吸収体2は、素子構造として
は半導体光増幅器1と同一である。但し、半導体活性層
への流入電流量が異なる。半導体光増幅器1の場合には
高電流が注入される。これにより、キャリア反転分布が
形成され、入力光に対し利得を与える。一方、半導体可
飽和吸収体2においてはゼロまたは小さい電流量が注入
される。このようにすると、下の準位にキャリアが多く
存在し、入力された光は吸収されることになる。(な
お、厳密には、下準位のキャリア・ホールであって、下
準位のキャリアという言い方はおかしいのだが、通常の
レーザ理論との対応付け及び説明のしやすさという観点
からこのように表現する。)光が吸収されると、その分
キャリアは上準位へ励起される。入力光強度が小さい場
合は、励起されるキャリア数も少ないが、入力光強度が
大きいと励起キャリア数が多くなり、入力光強度が大き
い時の方が入力光強度が小さい時に比べて、上準位のキ
ャリア密度が大きくなる。ところで、光が受ける吸収率
はキャリア分布状態に依存する。下準位のキャリア密度
が大きいと吸収率は大きく、上準位のキャリア密度が大
きいと吸収率は小さい。したがって、入力光強度が小さ
いと吸収率は大きく、入力光強度が大きいと吸収率は小
さい。このように、半導体可飽和吸収体2の活性層に注
入される電流を、光出力制御手段3により制御し、半導
体可飽和吸収体2の媒質の吸収率を増大させて、損失媒
質として作用する電流値に設定する手段が設けられる。The semiconductor saturable absorber 2 has the same element structure as the semiconductor optical amplifier 1. However, the amount of current flowing into the semiconductor active layer is different. In the case of the semiconductor optical amplifier 1, a high current is injected. As a result, a carrier inversion distribution is formed, and a gain is given to the input light. On the other hand, zero or a small amount of current is injected into the semiconductor saturable absorber 2. In this case, many carriers exist in the lower level, and the input light is absorbed. (Strictly speaking, it is a lower-level carrier hole, and the term “lower-level carrier” is strange, but from the viewpoint of easy association with ordinary laser theory and easy explanation, When the light is absorbed, the carriers are excited to the upper level. When the input light intensity is low, the number of carriers to be excited is small, but when the input light intensity is high, the number of excited carriers increases, and the upper input light intensity is higher than the lower input light intensity. Carrier density is higher. Incidentally, the absorptance of light depends on the carrier distribution state. When the carrier density of the lower level is large, the absorptance is large, and when the carrier density of the upper level is large, the absorptivity is small. Therefore, when the input light intensity is small, the absorption rate is large, and when the input light intensity is large, the absorption rate is small. Thus, the current injected into the active layer of the semiconductor saturable absorber 2 is controlled by the optical output control means 3 to increase the absorptivity of the medium of the semiconductor saturable absorber 2 and act as a loss medium. Means for setting the current value is provided.
【0013】図2は、発明者が実際に行った入力強度対
透過率の実験結果である。図に示すように、入力光強度
を大きくするにつれて吸収率減少すなわち透過率増加と
なっているのがわかる。なお、入力光強度を強くしてい
った極限では上準位と下準位のキャリア密度が等しくな
り、吸収率ゼロすなわち媒質は入力光に対し透明という
状態になる。FIG. 2 shows the results of experiments on input intensity versus transmittance actually performed by the inventor. As shown in the figure, it can be seen that as the input light intensity increases, the absorptance decreases, that is, the transmittance increases. In the limit where the input light intensity is increased, the carrier density of the upper level becomes equal to the carrier density of the lower level, and the absorptivity is zero, that is, the medium is transparent to the input light.
【0014】以上は、半導体可飽和吸収体2の静的特性
である。入力光強度が時間的に変化する場合には、キャ
リア密度は瞬時に反応することができず、所定の時定数
で定常値へと変化していくことになる。例えば、単一パ
ルス入力に対する出力は図3のようになる。パルスの先
頭部ではキャリアが充分励起されていないため、吸収率
大すなわち透過率小であるが、時間とともにキャリアが
励起され、透過率大の定常値へと移行する。ここで、変
化の時定数はおおむねキャリア寿命時間で決められる。The above is the static characteristics of the semiconductor saturable absorber 2. When the input light intensity changes with time, the carrier density cannot respond instantaneously, but changes to a steady value with a predetermined time constant. For example, the output for a single pulse input is as shown in FIG. Since the carrier is not sufficiently excited at the leading part of the pulse, the absorption is large, that is, the transmittance is small. However, the carrier is excited with time and shifts to a steady value of large transmittance. Here, the time constant of the change is generally determined by the carrier lifetime.
【0015】この半導体可飽和吸収体2の時間応答特性
を利用すると、半導体光増幅器1で生じる信号波形歪み
を補償することができる。図8に示すように半導体光増
幅器1における波形歪みは、パルスの先頭部で出力レベ
ルが大きく、それが低レベルへ緩和していく形になって
いる。一方、半導体可飽和吸収体2のパルス応答は低レ
ベルから高レベルの定常値へ緩和していく形であり、半
導体光増幅器1とは逆の特性となっている。さらに両者
の緩和速度はキャリア寿命時間で決まるものであり、ほ
ぼ等しい。従って図1のように、半導体可飽和吸収体2
を半導体光増幅器1の後段に置き、光出力制御手段3を
備える構成をとることにより、両者の動的特性が相補っ
て図4のように波形歪みの少ない信号光を得ることがで
きる。By utilizing the time response characteristic of the semiconductor saturable absorber 2, it is possible to compensate for the signal waveform distortion generated in the semiconductor optical amplifier 1. As shown in FIG. 8, the waveform distortion in the semiconductor optical amplifier 1 is such that the output level is large at the beginning of the pulse and the output level is reduced to a low level. On the other hand, the pulse response of the semiconductor saturable absorber 2 is reduced from a low level to a high level steady value, and has characteristics opposite to those of the semiconductor optical amplifier 1. Furthermore, the relaxation rates of both are determined by the carrier lifetime and are almost equal. Therefore, as shown in FIG.
Is provided at the subsequent stage of the semiconductor optical amplifier 1 and the optical output control means 3 is provided, so that the signal light with less waveform distortion can be obtained as shown in FIG.
【0016】なお、半導体可飽和吸収体2における吸収
率の変化の仕方は入力光強度に依存するので、半導体光
増幅器1で生じる波形歪みを補償する入出力特性を得る
ために、必要に応じて半導体光増幅器1と半導体可飽和
吸収体2との間に光強度を調節する手段を挿入してもよ
い。Since the manner in which the absorptance of the semiconductor saturable absorber 2 changes depends on the intensity of the input light, it is necessary to obtain input / output characteristics for compensating waveform distortion generated in the semiconductor optical amplifier 1. Means for adjusting the light intensity may be inserted between the semiconductor optical amplifier 1 and the semiconductor saturable absorber 2.
【0017】半導体光増幅器1における波形の歪み具合
は入力光強度に依存する。したがって、これを補償する
半導体可飽和吸収体2の動的特性にも、半導体光増幅器
1への入力光強度に依存した最適値が存在する。半導体
可飽和吸収体2の動的特性は活性層への注入電流によっ
て制御可能である。そこで、半導体光増幅器1への入力
光強度に応じて半導体可飽和吸収体2への注入電流を制
御すれば、常に最適な状態で波形歪みを補償することが
できる。The degree of waveform distortion in the semiconductor optical amplifier 1 depends on the input light intensity. Therefore, the dynamic characteristic of the semiconductor saturable absorber 2 that compensates for this has an optimum value depending on the intensity of the input light to the semiconductor optical amplifier 1. The dynamic characteristics of the semiconductor saturable absorber 2 can be controlled by the current injected into the active layer. Therefore, if the injection current to the semiconductor saturable absorber 2 is controlled according to the intensity of the input light to the semiconductor optical amplifier 1, the waveform distortion can be always compensated in an optimum state.
【0018】図5は本発明に係る光増幅装置の第2の実
施形態を示す図である。図に示すように、基本的構成及
びその動作原理は図1と同様であるが、前段の半導体光
増幅器1への入力光の一部を光分岐用ミラー3cにより
分岐し、その強度を光検出器3bで検出し、検出された
光強度に応じて半導体可飽和吸収体2への注入電流を制
御する制御回路3aを有しており、制御回路3a、光検
出器3b、光分岐用ミラー3cで光出力制御手段が構成
されている。これにより、常に最適な状態で波形歪みを
補償することができる。FIG. 5 is a diagram showing a second embodiment of the optical amplifying device according to the present invention. As shown in the figure, the basic configuration and the operation principle are the same as those in FIG. 1, but a part of the input light to the preceding semiconductor optical amplifier 1 is split by the optical splitting mirror 3c and the intensity is detected by light. And a control circuit 3a for controlling an injection current to the semiconductor saturable absorber 2 according to the detected light intensity detected by the detector 3b. The control circuit 3a, the photodetector 3b, the light splitting mirror 3c Constitute the light output control means. This makes it possible to always compensate for the waveform distortion in an optimum state.
【0019】半導体光増幅器1における波形の歪み具合
が入力光強度に依存するのは、入力光強度によって利得
飽和の状態が異なるためである。つまり、波形歪みは利
得飽和状態に依存すると言い替えることができる。した
がって、利得飽和状態を検出し、それに応じて半導体可
飽和吸収体2への注入電流を制御すれば、常に最適補償
状態を実現することができる。The reason why the waveform distortion in the semiconductor optical amplifier 1 depends on the input light intensity is that the state of gain saturation differs depending on the input light intensity. In other words, it can be rephrased that the waveform distortion depends on the gain saturation state. Therefore, if the gain saturation state is detected and the injection current to the semiconductor saturable absorber 2 is controlled accordingly, the optimum compensation state can always be realized.
【0020】図6は本発明に係る光増幅装置の第3の実
施形態を示す図である。図に示すように、基本的構成及
びその動作原理は図1と同様であるが、前段の半導体光
増幅器1の活性層の端子間電圧を検出する端子間電圧モ
ニター3eを設け、その端子間電圧値に応じて半導体可
飽和吸収体2への注入電流を制御する制御回路3dを有
しており、制御回路3d、端子間電圧モニター3eで光
出力制御手段が構成されている。半導体光増幅器1の利
得飽和は、活性層内の上準位のキャリア密度が減少する
ことにより生じる。このキャリア密度の減少度は、活性
層の端子間電圧によりモニターすることができる。した
がって、図6の構成により半導体可飽和吸収体2による
波形補償動作を最適化することができる。FIG. 6 is a view showing a third embodiment of the optical amplifying device according to the present invention. As shown in the figure, the basic configuration and the operation principle are the same as those in FIG. 1, except that an inter-terminal voltage monitor 3e for detecting the inter-terminal voltage of the active layer of the preceding semiconductor optical amplifier 1 is provided. It has a control circuit 3d for controlling the injection current to the semiconductor saturable absorber 2 according to the value, and the control circuit 3d and the inter-terminal voltage monitor 3e constitute an optical output control means. The gain saturation of the semiconductor optical amplifier 1 is caused by a decrease in the upper-level carrier density in the active layer. The degree of decrease in the carrier density can be monitored by the voltage between terminals of the active layer. Therefore, the waveform compensation operation by the semiconductor saturable absorber 2 can be optimized by the configuration of FIG.
【0021】上述の実施の形態では半導体光増幅器1と
半導体可飽和吸収体2を個別の素子として説明したが、
両者を同一素子として構成することも可能である。図7
にその構成例を示す。ひとつの基板5上に、半導体光増
幅器1と半導体可飽和吸収体2を集積化し、それぞれの
上に2つの電流印加電極4a、4bを設け、それぞれ独
立に電流が注入されるものとする。そして、一方の電流
印加電極4aに高電流を、他方の電流印加電極4bに低
電流を注入すれば、前者を光増幅領域、後者を可飽和吸
収領域とすることができ、第1の実施形態で説明した構
成を同一基板上で実現することができる。In the above embodiment, the semiconductor optical amplifier 1 and the semiconductor saturable absorber 2 have been described as separate elements.
Both can be configured as the same element. FIG.
FIG. The semiconductor optical amplifier 1 and the semiconductor saturable absorber 2 are integrated on one substrate 5, and two current applying electrodes 4a and 4b are provided on each of them, and currents are independently injected. If a high current is injected into one current application electrode 4a and a low current is injected into the other current application electrode 4b, the former can be an optical amplification region and the latter can be a saturable absorption region. Can be realized on the same substrate.
【0022】第2、第3の実施の形態についても、ガラ
スやプラスチックの導波路上に半導体素子を搭載するハ
イブリッド集積化技術を用いることにより、同一基板上
にその実施構成を実現することが可能である。Also in the second and third embodiments, it is possible to realize the embodiment on the same substrate by using the hybrid integration technology of mounting a semiconductor element on a glass or plastic waveguide. It is.
【0023】上述のような各種実施の形態を用いること
により、半導体光増幅器の信号波形歪みを補償すること
が可能となる。By using the various embodiments described above, it is possible to compensate for the signal waveform distortion of the semiconductor optical amplifier.
【0024】[0024]
【発明の効果】以上述べたように、本発明に係る光増幅
装置においては、半導体光増幅器における信号波形歪み
が補償された光信号を出力することができ、良好な光通
信システムを構成することができる。As described above, the optical amplifying device according to the present invention can output an optical signal in which the signal waveform distortion in the semiconductor optical amplifier has been compensated, and constitute a good optical communication system. Can be.
【図1】本発明に係る光増幅装置の第1の実施形態を示
す図である。FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of an optical amplifying device according to the present invention.
【図2】半導体可飽和吸収体の入力強度対透過率の実験
結果である。FIG. 2 is an experimental result of input intensity versus transmittance of a semiconductor saturable absorber.
【図3】半導体可飽和吸収体のパルス出力波形である。FIG. 3 is a pulse output waveform of a semiconductor saturable absorber.
【図4】半導体可飽和吸収体を半導体光増幅器の後段に
備えた構成におけるパルス出力波形である。FIG. 4 is a pulse output waveform in a configuration in which a semiconductor saturable absorber is provided at a stage subsequent to a semiconductor optical amplifier.
【図5】本発明に係る光増幅装置の第2の実施形態を示
す図である。FIG. 5 is a diagram showing a second embodiment of the optical amplifying device according to the present invention.
【図6】本発明に係る光増幅装置の第3の実施形態を示
す図である。FIG. 6 is a diagram showing a third embodiment of the optical amplifying device according to the present invention.
【図7】半導体光増幅器と半導体可飽和吸収体を同一基
板上に構成する例である。FIG. 7 is an example in which a semiconductor optical amplifier and a semiconductor saturable absorber are formed on the same substrate.
【図8】従来の半導体光増幅器におけるパルス出力波形
である。FIG. 8 is a pulse output waveform in a conventional semiconductor optical amplifier.
1 半導体光増幅器 2 半導体可飽和吸収体 3 光出力制御手段 3a 制御回路 3b 光検出器 3c 光分岐用ミラー 3d 制御回路 3e 端子間電圧モニタ 4a 電流印加電極 4b 電流印加電極 5 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor optical amplifier 2 Semiconductor saturable absorber 3 Optical output control means 3a Control circuit 3b Photodetector 3c Optical branching mirror 3d Control circuit 3e Voltage monitor between terminals 4a Current application electrode 4b Current application electrode 5 Substrate
Claims (5)
出力光が入力される可飽和吸収体と、上記可飽和吸収体
からの出力光を制御する光出力制御手段とを備えている
ことを特徴とする光増幅装置。1. A semiconductor optical amplifier comprising: a semiconductor optical amplifier; a saturable absorber to which output light of the semiconductor optical amplifier is input; and optical output control means for controlling output light from the saturable absorber. Characteristic optical amplifier.
同一の構造を有し、上記光出力制御手段に、上記可飽和
吸収体の活性層に注入される電流を、媒質が損失媒質と
して作用する値に制御、設定する手段を備えることを特
徴とする請求項1に記載の光増幅装置。2. The saturable absorber has the same structure as that of the semiconductor optical amplifier. A current injected into an active layer of the saturable absorber is supplied to the optical output control means by using a medium as a loss medium. 2. The optical amplifying device according to claim 1, further comprising means for controlling and setting the value to act on.
同一の構造を有し、上記光出力制御手段に、上記可飽和
吸収体への注入電流を、上記可飽和吸収体の前段にある
上記半導体光増幅器への入力光強度に応じて制御する手
段を備えることを特徴とする請求項1に記載の光増幅装
置。3. The saturable absorber has the same structure as that of the semiconductor optical amplifier, and the optical output control means supplies an injection current to the saturable absorber before the saturable absorber. 2. The optical amplifying device according to claim 1, further comprising means for controlling according to the intensity of the input light to the semiconductor optical amplifier.
同一の構造を有し、上記光出力制御手段に、上記可飽和
吸収体への注入電流を、上記可飽和吸収体の前段にある
上記半導体光増幅器の活性層の端子間電圧に応じて制御
する手段を備えることを特徴とする請求項1に記載の光
増幅装置。4. The saturable absorber has the same structure as the semiconductor optical amplifier, and the light output control means supplies an injection current to the saturable absorber before the saturable absorber. 2. The optical amplifying device according to claim 1, further comprising means for controlling according to a voltage between terminals of an active layer of the semiconductor optical amplifier.
同一基板上に集積化されていることを特徴とする請求項
1乃至4のいずれかに記載の光増幅装置。5. The optical amplifying device according to claim 1, wherein said semiconductor optical amplifier and said saturable absorber are integrated on the same substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9332881A JPH11168258A (en) | 1997-12-03 | 1997-12-03 | Optical amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9332881A JPH11168258A (en) | 1997-12-03 | 1997-12-03 | Optical amplifier |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11168258A true JPH11168258A (en) | 1999-06-22 |
Family
ID=18259849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9332881A Pending JPH11168258A (en) | 1997-12-03 | 1997-12-03 | Optical amplifier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11168258A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6147435A (en) * | 1998-05-22 | 2000-11-14 | Central Gikenkogyo Corporation | Mechanism for driving a screw rod by supersonic vibration |
| US6674569B2 (en) * | 2000-11-20 | 2004-01-06 | Alcatel | Optical power equalizer |
-
1997
- 1997-12-03 JP JP9332881A patent/JPH11168258A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6147435A (en) * | 1998-05-22 | 2000-11-14 | Central Gikenkogyo Corporation | Mechanism for driving a screw rod by supersonic vibration |
| US6674569B2 (en) * | 2000-11-20 | 2004-01-06 | Alcatel | Optical power equalizer |
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