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JPH11204623A - Substrate detection device - Google Patents

Substrate detection device

Info

Publication number
JPH11204623A
JPH11204623A JP2021198A JP2021198A JPH11204623A JP H11204623 A JPH11204623 A JP H11204623A JP 2021198 A JP2021198 A JP 2021198A JP 2021198 A JP2021198 A JP 2021198A JP H11204623 A JPH11204623 A JP H11204623A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
sensor
substrate
light
detecting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2021198A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tsutomu Takeuchi
努 武内
Hitoshi Nakagawa
均 中川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Denki Electric Inc
Original Assignee
Kokusai Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kokusai Electric Co Ltd filed Critical Kokusai Electric Co Ltd
Priority to JP2021198A priority Critical patent/JPH11204623A/en
Publication of JPH11204623A publication Critical patent/JPH11204623A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】構造が簡潔且調整が容易であり、ウェーハ等基
板の検出が正確に行える基板検出装置を提供する。 【解決手段】基板搬送プレート16に受載される基板5
に対峙させて静電容量式センサ32を設け、該静電容量
式センサが静電容量の変化量を検出することにより前記
基板搬送プレート上の基板の有無を検出する。
(57) [Summary] To provide a substrate detecting apparatus which has a simple structure and can be easily adjusted, and can accurately detect a substrate such as a wafer. A substrate 5 received on a substrate transport plate 16 is provided.
The capacitance sensor 32 is provided so as to face the substrate, and the capacitance sensor detects the amount of change in capacitance to detect the presence or absence of a substrate on the substrate transport plate.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
於いてウェーハ等被処理基板を移載する基板移載機に具
備される基板検出装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate detecting device provided in a substrate transfer machine for transferring a substrate to be processed such as a wafer in a semiconductor manufacturing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造装置内部での被処理基板の移
載は基板移載機によって行われる。該基板移載機では一
度に複数の被処理基板の移載ができる様に基板搬送プレ
ートが複数段設けられ、該基板搬送プレート上の被処理
基板の有無を検出する目的で各基板搬送プレートに対し
て基板検出装置が設けられている。
2. Description of the Related Art A substrate to be processed is transferred inside a semiconductor manufacturing apparatus by a substrate transfer machine. In the substrate transfer machine, a plurality of substrate transfer plates are provided so that a plurality of substrates to be transferred can be transferred at a time, and each substrate transfer plate is provided for detecting the presence or absence of the substrate to be processed on the substrate transfer plate. On the other hand, a substrate detection device is provided.

【0003】先ず、図3に於いて、ウェーハ移載機を具
備する半導体製造装置の概略を説明する。
First, referring to FIG. 3, an outline of a semiconductor manufacturing apparatus including a wafer transfer machine will be described.

【0004】筐体1内の後方上部位置には反応炉2が設
けられ、該反応炉2の内部には反応管3が設けられてい
る。前記反応炉2の下方にはボートエレベータ4が設け
られ、該ボートエレベータ4により被処理基板であるウ
ェーハ5が装填されたボート6が前記反応管3内部に装
入、引出し可能となっている。
[0004] A reaction furnace 2 is provided at an upper rear position in the housing 1, and a reaction tube 3 is provided inside the reaction furnace 2. A boat elevator 4 is provided below the reaction furnace 2, and a boat 6 loaded with a wafer 5 as a substrate to be processed can be loaded and unloaded into the reaction tube 3 by the boat elevator 4.

【0005】前記筐体1の前部にはウェーハカセット授
受部(図示せず)が設けられ、該ウェーハカセット授受
部の後方にはカセット搬送機7が設けられ、該カセット
搬送機7の後方には上からバッファカセット棚8、カセ
ット棚9が2段で設けられている。前記反応炉2と前記
バッファカセット棚8の間には第1エアクリーンユニッ
ト10が設けられ、該第1エアクリーンユニット10の
下方には第2エアクリーンユニット11が設けられてい
る。前記カセット棚9と前記ボートエレベータ4の間に
はウェーハ移載機12が設けられている。
A wafer cassette transfer section (not shown) is provided at a front portion of the housing 1, and a cassette transfer device 7 is provided behind the wafer cassette transfer portion. Is provided with a buffer cassette shelf 8 and a cassette shelf 9 in two stages from the top. A first air clean unit 10 is provided between the reaction furnace 2 and the buffer cassette shelf 8, and a second air clean unit 11 is provided below the first air clean unit 10. A wafer transfer device 12 is provided between the cassette shelf 9 and the boat elevator 4.

【0006】前記ウェーハ5はウェーハカセット13に
装填された状態で半導体製造装置と外部との間の搬送が
行われる。前記ウェーハカセット13は前記ウェーハカ
セット授受部(図示せず)で中継され、前記カセット搬
送機7により前記バッファカセット棚8、カセット棚9
に収納される。前記ウェーハ移載機12は前記カセット
棚9に収納された前記ウェーハカセット13と下降状態
にある前記ボート6間で前記ウェーハ5の移載をする。
前記ボートエレベータ4は前記ボート6を前記反応管3
内に装入し、前記ウェーハ5への成膜が完了すると前記
ボート6を前記反応管3より引出す。
The wafer 5 is transported between the semiconductor manufacturing apparatus and the outside while being loaded in the wafer cassette 13. The wafer cassette 13 is relayed by the wafer cassette transfer section (not shown), and the buffer cassette shelf 8 and the cassette shelf 9 are
Is stored in. The wafer transfer machine 12 transfers the wafers 5 between the wafer cassette 13 stored in the cassette shelf 9 and the boat 6 in a lowered state.
The boat elevator 4 connects the boat 6 to the reaction tube 3.
When the film formation on the wafer 5 is completed, the boat 6 is pulled out from the reaction tube 3.

【0007】処理後の前記ウェーハ5は半導体製造装置
外部から前記ボート6への移載の手順の逆を行うこと
で、前記ボート6から前記カセット棚9の前記ウェーハ
カセット13への移載が行われ、更に、ウェーハカセッ
ト13は半導体製造装置外部に搬出される。
The wafer 5 after processing is transferred from the outside of the semiconductor manufacturing apparatus to the boat 6 by reversing the procedure of transferring the wafer 5 from the outside of the semiconductor manufacturing apparatus to the wafer cassette 13 on the cassette shelf 9. Further, the wafer cassette 13 is carried out of the semiconductor manufacturing apparatus.

【0008】次に、図3〜図6に於いて、従来の基板検
出装置を具備した前記ウェーハ移載機12を説明する。
Next, referring to FIGS. 3 to 6, a description will be given of the wafer transfer machine 12 provided with a conventional substrate detecting device.

【0009】該ウェーハ移載機12は昇降可能且回転可
能な進退機構部14を有し、該進退機構部14には水平
方向に進退可能にチャッキングヘッド15が設けられて
いる。該チャッキングヘッド15の正面にはウェーハ搬
送プレート16が鉛直方向に所要段(図示では5段)取
付けられている。
The wafer transfer unit 12 has a vertically movable and rotatable advance / retreat mechanism 14, and a chucking head 15 is provided on the advance / retreat mechanism 14 so as to be able to advance and retract in the horizontal direction. At the front of the chucking head 15, a wafer transfer plate 16 is mounted vertically (five steps in the figure) in the vertical direction.

【0010】該ウェーハ搬送プレート16は先端が凹形
状をした短冊状を成し、該ウェーハ搬送プレート16の
上面には前記ウェーハ5が嵌込まれる凹部17が形成さ
れている。
The wafer transfer plate 16 has a rectangular shape with a concave end, and a concave portion 17 into which the wafer 5 is fitted is formed on the upper surface of the wafer transfer plate 16.

【0011】前記チャッキングヘッド15の正面には前
記ウェーハ搬送プレート16の長手方向と平行に支持ア
ーム18が突設されている。該支持アーム18の先端に
は載置される前記ウェーハ5の接線方向にへの字状に屈
曲したセンサホルダ19が固着されている。該センサホ
ルダ19には棒状の投光用センサ20と受光用センサ2
1で一対を成すウェーハ検出センサ、図では透過型ファ
イバーセンサがそれぞれ前記ウェーハ搬送プレート16
を挟んで上下に平行に所要対(図示では5対)設けられ
ている。前記投光用センサ20、受光用センサ21は相
互の干渉を避ける為、上段側のセンサ対に対して下段側
のセンサ対を水平方向に平行にずらした配列となってい
る。前記各投光用センサ20の先端部にはそれぞれ投光
器22が内設され、前記各受光用センサ21の先端部に
はそれぞれ受光器23が内設され、各対を成す前記投光
器22と受光器23のそれぞれの光軸24は合致してい
る。
At the front of the chucking head 15, a support arm 18 is provided so as to project in parallel with the longitudinal direction of the wafer transfer plate 16. At the tip of the support arm 18, a sensor holder 19 which is bent in a tangential direction of the wafer 5 mounted thereon is fixed. The sensor holder 19 has a rod-shaped light emitting sensor 20 and a light receiving sensor 2.
A pair of wafer detection sensors, a transmission type fiber sensor in FIG.
The required pairs (five pairs in the figure) are provided in parallel up and down with. The light emitting sensor 20 and the light receiving sensor 21 are arranged in such a manner that the lower sensor pair is shifted in parallel in the horizontal direction with respect to the upper sensor pair in order to avoid mutual interference. A light emitter 22 is provided at the tip of each of the light emitting sensors 20, and a light receiver 23 is provided at the tip of each of the light receiving sensors 21. Each pair of the light emitter 22 and the light receiver The optical axes 24 of each of the 23 coincide.

【0012】又、前記投光用センサ20、受光用センサ
21の軸心は前記ウェーハ搬送プレート16に受載され
た前記ウェーハ5の中心を指し、先端は前記ウェーハ搬
送プレート16の側縁より離反して位置し、更に、前記
光軸24は前記ウェーハ搬送プレート16に受載される
前記ウェーハ5の外形線より内側に位置している。
The axes of the light projecting sensor 20 and the light receiving sensor 21 point to the center of the wafer 5 received on the wafer transfer plate 16, and the tip is separated from the side edge of the wafer transfer plate 16. Further, the optical axis 24 is located inside the outline of the wafer 5 received on the wafer transfer plate 16.

【0013】前記ウェーハ搬送プレート16が5段設け
られている場合、図5に示す様に、最上段のウェーハ5
検出用の投光用センサ20aが最上段のセンサホルダ1
9に設けられ、上から2段目のセンサホルダ19には前
記最上段のウェーハ5検出用の受光用センサ21aと上
から2段目のウェーハ5検出用の投光用センサ20b、
上から3段目のウェーハホルダ19には前記上から2段
目のウェーハ5検出用の受光用センサ21bと上から3
段目のウェーハ5検出用の投光用センサ20c、上から
4段目のウェーハホルダ19には前記上から3段目のウ
ェーハ5検出用の受光用センサ21cと上から4段目の
ウェーハ5検出用の投光用センサ20d、上から5段目
のウェーハホルダ19には前記上から4段目のウェーハ
5検出用の受光用センサ21dと最下段のウェーハ5検
出用の投光用センサ20e、最下段のウェーハホルダ1
9には前記最下段のウェーハ5検出用の受光用センサ2
1eがそれぞれ設けられている。
When five wafer transfer plates 16 are provided, as shown in FIG.
The light emitting sensor 20a for detection is the uppermost sensor holder 1
9, a light receiving sensor 21a for detecting the uppermost wafer 5 and a light emitting sensor 20b for detecting the second wafer 5 from the top,
The light receiving sensor 21b for detecting the wafer 5 in the second stage from the top and the light receiving sensor 21b in the third stage from the top
The light projecting sensor 20c for detecting the wafer 5 in the third stage, the light receiving sensor 21c for detecting the wafer 5 in the third stage from the top, and the wafer 5 The light emitting sensor 20d for detection, the light receiving sensor 21d for detecting the wafer 5 at the fourth stage from the top, and the light emitting sensor 20e for detecting the wafer 5 at the lowest stage are provided on the wafer holder 19 at the fifth stage from the top. , Lowermost wafer holder 1
9 is a light receiving sensor 2 for detecting the lowermost wafer 5.
1e are provided.

【0014】以下、前記ウェーハ5の移載作業、例え
ば、該ウェーハ5を水平姿勢で多段に装填した前記ウェ
ーハカセット13から前記ウェーハ5を抜取る場合につ
いて説明する。
Hereinafter, a description will be given of a transfer operation of the wafer 5, for example, a case where the wafer 5 is extracted from the wafer cassette 13 in which the wafer 5 is loaded in multiple stages in a horizontal posture.

【0015】前記ウェーハ移載機12を前記ウェーハカ
セット13に対峙させ、前記チャッキングヘッド15を
前進させ、前記ウェーハ搬送プレート16を前記ウェー
ハカセット13内に装入し、前記ウェーハ5を前記ウェ
ーハ搬送プレート16の前記凹部17上に受載する。前
記ウェーハ5の検知は前記ウェーハ搬送プレート16に
前記ウェーハ5が受載された状態で行われる。
The wafer transfer machine 12 is opposed to the wafer cassette 13, the chucking head 15 is advanced, the wafer transfer plate 16 is loaded into the wafer cassette 13, and the wafer 5 is transferred to the wafer cassette 13. It is received on the recess 17 of the plate 16. The detection of the wafer 5 is performed in a state where the wafer 5 is received on the wafer transfer plate 16.

【0016】前記ウェーハ搬送プレート16上の前記ウ
ェーハ5の有無は前記投光器22から射出された検出光
が前記ウェーハ5に遮られたかどうかにより判断され
る。即ち、検出光が前記受光器23に検出されなければ
前記ウェーハ5有りの判定がなされ、検出光が前記受光
器23に検出されれば前記ウェーハ5無しの判定がなさ
れる。
The presence or absence of the wafer 5 on the wafer transfer plate 16 is determined by whether or not the detection light emitted from the light projector 22 is blocked by the wafer 5. That is, if the detection light is not detected by the light receiver 23, the presence of the wafer 5 is determined, and if the detection light is detected by the light receiver 23, the absence of the wafer 5 is determined.

【0017】[0017]

【発明が解決しようとする課題】上記した従来の基板検
出装置では、前記投光用センサ20と受光用センサ21
とで1対を成し、前記投光器22と受光器23の光軸2
4を合致させる必要がある為、前記投光用センサ20、
受光用センサ21の配設位置等の調整が難しく、調整に
長時間を要していた。
In the above-described conventional substrate detecting device, the light emitting sensor 20 and the light receiving sensor 21 are used.
And the optical axis 2 of the light projector 22 and the light receiver 23
4 need to be matched, so that the light emitting sensor 20,
It is difficult to adjust the position of the light receiving sensor 21 and the like, and it takes a long time to adjust.

【0018】又、前記投光用センサ20、受光用センサ
21は相互の干渉を避ける為、上段側のセンサ対に対し
て下段側のセンサ対を水平方向に平行にずらした配列と
する必要がある。従って、前記センサホルダ19の構造
が複雑となり、又、形状が大きくなる為、該センサホル
ダ19が前記ウェーハカセット13に干渉する虞れがあ
る。
In order to avoid mutual interference, the light emitting sensor 20 and the light receiving sensor 21 need to be arranged so that the lower sensor pair is shifted in parallel with the upper sensor pair in the horizontal direction. is there. Accordingly, the structure of the sensor holder 19 becomes complicated and the shape thereof becomes large, so that the sensor holder 19 may interfere with the wafer cassette 13.

【0019】更に、1段の前記ウェーハ搬送プレート1
6に対して上下に1対の前記投光用センサ20と受光用
センサ21が必要な為、前記ウェーハカセット13の天
板25の形状によっては前記最上段の投光器22からの
検出光が前記天板25に遮られ、前記ウェーハ5の検出
が行えない虞れがある。
Further, one stage of the wafer transport plate 1
6, a pair of the light emitting sensor 20 and the light receiving sensor 21 are required above and below, and depending on the shape of the top plate 25 of the wafer cassette 13, the detection light from the uppermost projector 22 is not There is a possibility that the wafer 5 may not be detected due to being blocked by the plate 25.

【0020】更に又、上記問題を解決する為、1枚の前
記ウェーハ搬送プレート16に対し1個の反射型センサ
を前記ウェーハ搬送プレート16に受載される前記ウェ
ーハ5の下方直近に配設することがある。前記反射型セ
ンサは1個のセンサに前記投光器22と受光器23が共
に内設されたものであり、前記投光器22からの検出光
が前記受光器23に検出されれば、検出光が前記ウェー
ハ5に反射して前記受光器23に入射されたとみなして
ウェーハ有りの判定をし、検出光が前記受光器23に検
出されなければウェーハ無しの判定を行う。
Further, in order to solve the above-mentioned problem, one reflection type sensor is provided for one wafer transfer plate 16 immediately below the wafer 5 received on the wafer transfer plate 16. Sometimes. The reflection-type sensor has the light-emitting device 22 and the light-receiving device 23 provided inside a single sensor. If the detection light from the light-emitting device 22 is detected by the light-receiving device 23, the detection light is transmitted to the wafer. It is determined that there is a wafer assuming that the light is reflected on the light receiving device 5 and the light is incident on the light receiving device 23.

【0021】ところが斯かる場合には、前記ウェーハ搬
送プレート16に前記ウェーハ5が受載されていても、
該ウェーハ5の表面状態によっては、検出光が前記受光
器23に入射せず、誤ってウェーハ無しの判定がなされ
る虞れがあるといった問題があった。
However, in such a case, even if the wafer 5 is received on the wafer transfer plate 16,
Depending on the surface condition of the wafer 5, there is a problem that the detection light does not enter the light receiver 23, and there is a possibility that the determination of the absence of the wafer may be erroneously made.

【0022】本発明は斯かる実情に鑑み、構造が簡潔且
調整が容易であり、ウェーハ等基板の検出が正確に行え
る基板検出装置を提供するものである。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a substrate detecting apparatus which has a simple structure, is easily adjusted, and can accurately detect a substrate such as a wafer.

【0023】[0023]

【課題を解決するための手段】本発明は、基板搬送プレ
ートに受載される基板と対峙させて静電容量式センサを
設けた基板検出装置に係り、前記静電容量式センサが静
電容量の変化量を検出することにより前記基板搬送プレ
ート上の基板の有無を検出する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a substrate detecting apparatus provided with a capacitance type sensor facing a substrate received on a substrate carrying plate, wherein the capacitance type sensor has a capacitance type. The presence / absence of a substrate on the substrate transport plate is detected by detecting the amount of change.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】以下、図1、図2を参照しつつ本
発明の実施の形態を説明する。尚、従来と同等のものに
は同符号を付し説明は省略する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. Note that the same components as those in the related art are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

【0025】複数段のウェーハ搬送プレート16の基端
部の一幅端面には、該各ウェーハ搬送プレート16の長
手方向と直角を成す様にそれぞれセンサホルダ31が水
平に突設されている。
On one width end surface of the base end of the plurality of wafer transfer plates 16, sensor holders 31 are horizontally protruded so as to be perpendicular to the longitudinal direction of each wafer transfer plate 16.

【0026】該センサホルダ31にはそれぞれ静電容量
式センサ32が着脱可能に挾持され、該静電容量式セン
サ32は前記ウェーハ搬送プレート16の長手方向と平
行を成している。前記静電容量式センサ32の先端部は
該ウェーハ搬送プレート16に受載されるウェーハ5の
下方直近に位置すると共に前記先端部の所要長さ分は前
記ウェーハ5と重合する様になっている。前記静電容量
式センサ32の厚みは1mm程度であり、主要部分は金属
汚染のない材質、例えばアルミナ製であり、耐熱性を有
している。又、前記静電容量式センサ32は図示しない
電源装置により正又は負の電荷に帯電されている。
Each of the sensor holders 31 has a capacitance type sensor 32 detachably held therebetween, and the capacitance type sensor 32 is parallel to the longitudinal direction of the wafer transfer plate 16. The tip end of the capacitance type sensor 32 is located immediately below the wafer 5 received on the wafer transfer plate 16, and the required length of the tip end overlaps with the wafer 5. . The thickness of the capacitance type sensor 32 is about 1 mm, and the main part is made of a material free from metal contamination, for example, alumina, and has heat resistance. The capacitance type sensor 32 is charged to a positive or negative charge by a power supply (not shown).

【0027】前記ウェーハ搬送プレート16が5段設け
られている場合、前記センサホルダ31には図2に示す
様に、上から順に最上段のウェーハ5検出用の静電容量
式センサ32a、上から2段目のウェーハ5検出用の静
電容量式センサ32b、上から3段目のウェーハ5検出
用の静電容量式センサ32c、上から4段目のウェーハ
5検出用の静電容量式センサ32d、最下段のウェーハ
5検出用の静電容量式センサ32eがそれぞれ設けられ
ている。
When five wafer transfer plates 16 are provided, as shown in FIG. 2, the sensor holder 31 has a capacitive sensor 32a for detecting the uppermost wafer 5 in order from the top, as shown in FIG. A capacitive sensor 32b for detecting the second-stage wafer 5, a capacitive sensor 32c for detecting the third-stage wafer 5 from the top, and a capacitive sensor for detecting the fourth-stage wafer 5 from the top 32d, and a capacitive sensor 32e for detecting the lowermost wafer 5 are provided.

【0028】以下、前記静電容量式センサ32の作動を
説明する。
The operation of the capacitance type sensor 32 will be described below.

【0029】前記ウェーハ搬送プレート16上のウェー
ハ5の有無は、前記各静電容量式センサ32a,32
b,32c,32d,32eが静電容量の変化量を検出
することにより判断される。即ち、前記静電容量式セン
サ32の検出する静電容量が所定値を越えた場合には、
ウェーハ有りの判定がなされ、前記静電容量式センサ3
2の検出する静電容量が所定値以下となった場合には、
ウェーハ無しの判定がなされる。
The presence or absence of the wafer 5 on the wafer transfer plate 16 is determined by the capacitance type sensors 32a, 32
b, 32c, 32d, and 32e are determined by detecting the amount of change in the capacitance. That is, when the capacitance detected by the capacitance type sensor 32 exceeds a predetermined value,
It is determined that there is a wafer, and the capacitance type sensor 3
When the capacitance detected by No. 2 becomes equal to or less than a predetermined value,
A determination is made that there is no wafer.

【0030】ウェーハの有無に対応する静電容量の変化
の値は前記静電容量式センサ32の先端部とウェーハ5
との重合長さにより主に決定される。従って、静電容量
の変化の値は前記静電容量式センサ32自体の姿勢等に
は大きく影響を受けることはなく、又、位置合せのバラ
ツキに起因する静電容量の変化も、ウェーハの有無に起
因する変化に比べれば充分小さいので、該静電容量式セ
ンサ32の先端の位置合せも、光学式センサに於ける光
軸合せの調整に比べれば容易である。
The value of the change in capacitance corresponding to the presence or absence of a wafer is determined by comparing the tip of the capacitance type sensor 32 with the wafer 5.
Mainly determined by the polymerization length. Therefore, the value of the change in the capacitance is not greatly affected by the posture of the capacitance type sensor 32 itself, and the change in the capacitance due to the variation in the alignment is caused by the presence or absence of the wafer. Since the change is sufficiently small as compared with the change caused by the above, the positioning of the tip of the capacitance type sensor 32 is easier than the adjustment of the optical axis alignment in the optical type sensor.

【0031】尚、上記実施の形態に於いては、前記静電
容量式センサ32を前記センサホルダ31を介して前記
ウェーハ搬送プレート16に固定させているが、前記静
電容量式センサ32を前記ウェーハ搬送プレート16に
直接埋設してもよい。
In the above embodiment, the capacitance type sensor 32 is fixed to the wafer transfer plate 16 via the sensor holder 31. It may be directly embedded in the wafer transfer plate 16.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、検出媒
体として光を使用することがないのでセンサも対で有る
必要がなく、透過型センサの様に基板を挟んで上下に設
ける必要がない為、基板検出で基板カセットの天板が障
害になることがない。又、センサの位置決めは検出する
基板に対して行えばよく、更に静電容量の変化を検出す
るので、光学的センサに比べラフでよく、位置合せ作業
は著しく簡単である。更に、センサを基板搬送プレート
の板厚の範囲で設けることができると共に上下で水平方
向にずらした配列とする必要もないので、設置空間の大
幅な節約が可能となる等種々の優れた効果を発揮する。
As described above, according to the present invention, since light is not used as a detection medium, there is no need to form a pair of sensors. Since there is no board, the top plate of the board cassette does not hinder the board detection. The positioning of the sensor may be performed with respect to the substrate to be detected. Further, since the change in capacitance is detected, the positioning may be rougher than that of the optical sensor, and the positioning operation is extremely simple. Furthermore, since the sensors can be provided within the range of the thickness of the substrate transport plate and there is no need to arrange them vertically and horizontally, various excellent effects such as a great saving of installation space can be achieved. Demonstrate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of the present invention.

【図2】図1のA−A矢視図である。FIG. 2 is a view as viewed in the direction of arrows AA in FIG. 1;

【図3】半導体製造装置の概略を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory view schematically showing a semiconductor manufacturing apparatus.

【図4】従来例を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a conventional example.

【図5】図4のB−B矢視図である。FIG. 5 is a view taken in the direction of arrows BB in FIG. 4;

【図6】図4のC−C矢視図である。6 is a view taken in the direction of the arrows CC in FIG. 4;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

12 ウェーハ移載機 16 ウェーハ搬送プレート 31 センサホルダ 32 静電容量式センサ 12 Wafer transfer machine 16 Wafer transfer plate 31 Sensor holder 32 Capacitance sensor

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板搬送プレートに受載される基板に対
峙させて静電容量式センサを設けたことを特徴とする基
板検出装置。
1. A substrate detecting apparatus, wherein a capacitance type sensor is provided so as to face a substrate received on a substrate transport plate.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7193423B1 (en) 2005-12-12 2007-03-20 International Business Machines Corporation Wafer-to-wafer alignments
JP7705508B1 (en) * 2024-03-27 2025-07-09 株式会社Kokusai Electric TRANSFER MACHINE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

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