JPH11251236A - 露光方法及び露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スループットを短縮するとともに、露光精度
を向上することである。 【解決手段】 ウエハを搬送してウエハホルダに吸着保
持させる基板搬送装置により搬送中のウエハの温度を計
測し（ＳＴ１）、該ホルダの温度を計測し（ＳＴ２）、
計測されたホルダの温度とウエハの温度との温度差が予
め設定された許容範囲に入った後に（ＳＴ３，４）、該
ウエハを該ホルダに吸着保持させて（ＳＴ５）、露光処
理を行う（ＳＴ６）。ウエハの温度が十分安定したと推
定される時間を一律に待つ必用がなく、ウエハとホルダ
の実際の温度差が実質的になくなった後にホルダにウエ
ハを保持させて露光するから、露光処理中にウエハが伸
縮することはほとんどなくなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッド、
半導体集積回路、液晶ディスプレイ等のマイクロデバイ
スの製造に使用される露光方法及び露光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造工程の一つである
フォトリソグラフィ工程においては、マスク（レチクル
を含む）に形成されているパターンをフォトレジストが
塗布された基板上に転写するための露光装置として、パ
ターンの像を基板上のショット領域に縮小投影するステ
ッパーが多く用いられている。

【０００３】ステッパーとしては、パターンを基板上の
ショット領域に一括転写し、順次基板を移動して他のシ
ョット領域に対して一括転写を繰り返すステップ・アン
ド・リピート方式のもの、あるいは最近では露光範囲の
拡大や露光性能の向上等の観点から、マスクと基板とを
同期移動して、矩形その他の形状のスリット光で走査・
照明して基板上のショット領域にパターンを逐次転写
し、順次基板を移動して他のショット領域に対して走査
・露光を繰り返すステップ・アンド・スキャン方式のも
のも開発され、実用に供されるようになっている。

【０００４】この種の露光装置においては、露光対象と
しての基板は、基板搬送装置により基板ホルダの近傍の
受け渡し位置（待機位置）まで搬送され、該基板搬送装
置の搬送アームにより基板ホルダ上に載置され、基板ホ
ルダに吸着保持される。この状態で基板ホルダが載置さ
れたステージにより基板がステップ移動されつつ、各シ
ョット領域に対して転写露光が繰り返される。

【０００５】全てのショット領域に対する露光処理が終
了した基板は、現像、エッチング、ドーピング等の工程
を経た後、再度フォトレジストが塗布され、他のマスク
を用いた露光処理を含む同様の工程が順次繰り返され、
該基板上に種々の素子が形成されることになる。なお、
本願明細書中においては、基板に対する最初の露光処理
をファースト露光といい、基板に対する２回目以後の露
光処理をセカンド露光ということがある。

【０００６】ところで、露光装置の設置環境（クリーン
ルーム内）や装置を覆っているチャンバ内の温度管理は
できる限り厳密になされてはいるが、技術的にあるいは
コスト等の観点から制限がある。また、照明光のエネル
ギによる基板の発熱等もある。このため基板の経時的な
温度変化に伴う伸縮（膨張又は収縮）による露光精度の
悪化という問題が生じる。この問題は同一基板の最初の
ショット領域から最後のショット領域に至る露光処理中
の基板の温度変化によっても生じるし、あるいはファー
スト露光時とセカンド露光時の基板等の温度差や温度変
化傾向の相違によっても生じる。

【０００７】特に、ハードディスク装置等に使用される
薄膜磁気ヘッドを製造する場合には、基板としてセラミ
ックス基板を使用するため、通常のＩＣを製造する場合
のシリコン基板と比較して熱膨張率（収縮率）が高いと
ともに、温度変化に伴う伸縮力が大きく、上述の温度変
化による問題が顕著である。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】このため従来は、基板
をクリーンルームに入れた後に基板温度が安定するまで
十分に放置した後、チャンバ内に入れて同様に十分に安
定するまで待ち、さらに基板ホルダに吸着保持させた後
に同様に十分に安定するまで待った上で、即ち、基板の
温度が十分安定したと推定される時間の経過を一律に待
った後に、露光処理を行わなければならず、スループッ
トの低下を招くという問題がった。一方、待ち時間を単
に短くすると、基板の伸縮により精度の高いパターン転
写が行えない。また、クリーンルームやチャンバ内は温
度管理がなされているとはいっても、例えば、±１°Ｃ
程度のバラツキがあるから、基板が基板ホルダに吸着保
持された状態で、両者に温度差がある場合があり、この
温度差に基づく基板の伸縮も露光精度に悪影響を与える
ことがある。

【０００９】一方、熱膨張率の小さい材質の基板を用い
れば、該待ち時間を短くすることができ、スループット
や精度を向上させることができるが、このような対策で
は、基板の材質の選択の自由度が小さくなり、設計上の
制約になるとともに、コストの上昇等を招いてしまう。

【００１０】さらに、ファースト露光時とセカンド露光
時の基板の伸縮傾向が異なると、ファースト露光時に基
板上に形成されたパターンとセカンド露光時に形成され
たパターンの重ね合わせ精度が劣化し、このことは特に
薄膜磁気ヘッドを製造する場合に、各ショット間でのチ
ップ配列の直進性を悪化させ、歩留まりを低下させる原
因になる。

【００１１】本発明はこのような従来技術の問題点に鑑
みてなされたものであり、その目的とするところは、ス
ループットを短縮するとともに、露光精度を向上するこ
とである。また、本発明の他の目的は、パターンの重ね
合わせ精度を向上することである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】以下、この項に示す説明
では、理解の容易化のため、本発明の各構成要件に実施
形態の図に示す参照符号を付して説明するが、本発明の
各構成要件は、これら参照符号によって限定されるもの
ではない。

【００１３】１．上記目的を達成するために、請求項１
記載の本発明の露光方法は、感光基板（Ｗ）の温度を計
測し、計測された温度又は該温度の変化率が予め設定さ
れた許容範囲に入った後に、該感光基板に対する露光処
理を行うことを特徴とする。

【００１４】この請求項１記載の本発明の露光方法によ
ると、実際の感光基板の温度又はその変化率が露光精度
から見て許容される状態となった時点で、露光処理を行
うようにしたから、従来のように感光基板の温度が十分
安定したと推定される時間を一律に待つものと比較し
て、感光基板の温度が実際に安定した後に無駄に費やさ
れる待ち時間を削減でき、スループットを向上すること
ができる。また、感光基板の温度は十分に安定している
から、露光処理中に感光基板が伸縮することが少なくな
り、露光精度を高くすることができる。

【００１５】前記許容範囲としては、例えば、露光装置
のチャンバ内の温度制御の目標温度を中心として、ある
いは感光基板を着脱自在に保持する基板ホルダの温度を
該チャンバ内の温度制御の目標温度との関係で予め実測
しておきその平均温度を中心として、精度上許容できる
範囲とすることができる。

【００１６】請求項２記載の本発明の露光方法は、感光
基板（Ｗ）の温度を計測し、該感光基板を着脱自在に保
持する基板ホルダ（ＷＨ）の温度を計測し、計測された
前記基板ホルダの温度と前記感光基板の温度との温度差
が予め設定された許容範囲に入った後に、該感光基板に
対する露光処理を行うことを特徴とする。

【００１７】この請求項２記載の本発明の露光方法によ
ると、感光基板と基板ホルダの温度差が予め設定された
許容範囲内に入った後に露光処理を行うようにしたか
ら、従来のように感光基板の温度が十分安定したと推定
される時間を一律に待つものと比較して、感光基板と基
板ホルダの実際の温度差が実質的になくなった後に無駄
に費やされる待ち時間を削減でき、スループットを向上
することができる。

【００１８】また、感光基板の伸縮は基板ホルダに保持
された時点でのこれらの相対温度差に大きく影響を受け
るが、この露光方法では感光基板と基板ホルダの実際の
温度差が実質的になくなった後に露光処理が行われるこ
とになるから、露光処理中に感光基板が伸縮することは
ほとんどなくなり、従って、高い露光精度を実現するこ
とが可能である。

【００１９】請求項３記載の本発明の露光方法は、感光
基板（Ｗ）を基板ホルダ（ＷＨ）との受け渡し位置まで
搬送する基板搬送装置（３８）により搬送中の感光基板
の温度を計測し、計測された温度又は該温度の変化率が
予め設定された許容範囲に入った後に、該感光基板を該
基板ホルダに保持させて露光処理を行うことを特徴とす
る。

【００２０】この請求項３記載の本発明の露光方法によ
ると、基板ホルダに向けて搬送中の感光基板の温度又は
その変化率が予め設定された許容範囲内に入った後に感
光基板を基板ホルダに保持させて露光処理を行うように
したから、従来のように感光基板の温度が十分安定した
と推定される時間を一律に待つものと比較して、感光基
板の温度が実際に安定した後に無駄に費やされる待ち時
間を削減でき、スループットを向上することができる。

【００２１】また、感光基板の伸縮は基板ホルダに保持
された時点でのこれらの相対温度差に大きく影響を受け
るが、例えば、前記許容範囲を、露光装置のチャンバ内
の温度制御の目標温度を中心として、あるいは基板ホル
ダの温度を該チャンバ内の温度制御の目標温度との関係
で予め実測しておきその平均温度を中心として、精度上
許容できる範囲とすれば、基板ホルダと感光基板の温度
差が実質的になくなった後に、感光基板が基板ホルダに
保持されるから、その後の露光処理中に感光基板が伸縮
することはほとんどなくなり、従って、高い露光精度を
実現することが可能である。

【００２２】請求項４記載の本発明の露光方法は、感光
基板（Ｗ）を着脱自在に保持する基板ホルダ（ＷＨ）の
温度を計測し、感光基板を搬送して該基板ホルダに保持
させる基板搬送装置（３８）により搬送中の感光基板の
温度を計測し、計測された前記基板ホルダの温度と前記
感光基板の温度との温度差が予め設定された許容範囲に
入った後に、該感光基板を該基板ホルダに保持させて露
光処理を行うことを特徴とする。

【００２３】この請求項４記載の本発明の露光方法によ
ると、感光基板と基板ホルダの温度差が予め設定された
許容範囲内に入った後に感光基板を基板ホルダに保持さ
せて露光処理を行うようにしたから、従来のように感光
基板の温度が十分安定したと推定される時間を一律に待
つものと比較して、感光基板と基板ホルダの実際の温度
差が実質的になくなった後に無駄に費やされる待ち時間
を削減でき、スループットを向上することができる。

【００２４】また、感光基板の伸縮は基板ホルダに保持
された時点でのこれらの相対温度差に大きく影響を受け
るが、感光基板と基板ホルダの実際の温度差が実質的に
なくなった後に基板ホルダに感光基板を保持させて、そ
の後に露光処理を行うから、露光処理中に感光基板が伸
縮することはほとんどなくなり、従って、高い露光精度
を実現することが可能である。

【００２５】２．請求項５記載の本発明の露光方法は、
感光基板（Ｗ）をステップ移動させつつ、照明されたマ
スク（６４Ａ）からのパターンの像を該感光基板上に投
影することにより、該感光基板上にマトリックス状に配
列される複数のショット領域に対してパターンを転写す
るようにした露光方法において、前記各ショット領域に
対する露光処理を、該各ショット領域のうちの概略中心
に位置するショット領域から開始して、該開始ショット
領域を取り囲むショット領域に対して行い、さらに露光
処理後のショット領域を取り囲むショット領域に対して
以下同様に行うことを特徴とする。

【００２６】また、請求項６記載の本発明の露光方法
は、請求項５記載の露光方法において、前記各ショット
領域に対する露光処理は、露光処理直後のショット領域
に隣り合わない未露光のショット領域がある場合には、
該隣り合わないショット領域に対して行うことを特徴と
する。

【００２７】これら請求項５又は６記載の本発明の露光
方法によると、各ショット領域の露光処理の順序を、概
略中央に位置するショット領域から開始して、概略同心
円状に順次外側に向かって処理するようにしたから、最
初のショット領域から最後のショット領域に至るまでの
一連の露光処理中に感光基板が温度変化によって伸縮し
た場合であっても、各ショット領域の配列（ショット配
列）を全体として均等に分散させることができる。

【００２８】３．請求項７記載の本発明の露光方法は、
感光基板（Ｗ）をステップ移動させつつ、照明されたマ
スク（６４Ａ）からのパターンの像を該感光基板上に投
影することにより、該感光基板上の複数のショット領域
に対してパターンを転写するようにした露光方法におい
て、前記各ショット領域に対して順次行われる露光処理
により前記感光基板が受けるエネルギによる該感光基板
の膨張特性を予め求め、前記感光基板の各ショット領域
に対する１回目の露光時（ファースト露光時）に、該膨
張特性に基づき各ショット領域に対する像倍率を補正し
つつ露光処理を行うととともに、該感光基板上の各ショ
ット領域に対して基準マークを転写し、前記感光基板の
各ショット領域に対する２回目以後の露光時（セカンド
露光時）に、前記基準マークの位置を計測し、該計測結
果に基づき各ショット領域の大きさの変化量を求め、該
変化量に基づき各ショット領域に対する像倍率を補正し
つつ露光処理を行うことを特徴とする。

【００２９】感光基板は照明光のエネルギを吸収するこ
とにより温度が上昇し膨張するから、照明光の累積照射
時間と感光基板の膨張の関係を示す膨張特性を予め理論
的な計算によりあるいは実測により求めておき、ファー
スト露光時に各ショット領域について露光処理を行う際
に、最初のショット領域についての露光処理からそれま
での感光基板の累積照明時間と感光基板の前記膨張特性
に基づき像倍率を補正（拡大）しつつ順次露光処理を行
うことにより、感光基板の照明による膨張にかかわら
ず、各ショット領域間で相互の大きさを実質的に等しく
することができる。

【００３０】これに加えて、ファースト露光時に基準マ
ークを転写して、セカンド露光時にこれらの基準マーク
の位置を計測して像倍率を補正（拡大又は縮小）しつつ
各ショット領域に対して順次露光処理（セカンド露光）
を行うようにしたから、ファースト露光時とセカンド露
光時の各ショット領域の大きさが実質的に等しくなり、
パターンの重ね合わせ精度を高くすることができる。

【００３１】４．請求項８記載の本発明の露光方法は、
感光基板（Ｗ）をステップ移動させつつ、照明されたマ
スク（６４Ａ）からのパターンの像を該感光基板上に投
影することにより、該感光基板上の複数のショット領域
に対してパターンを転写するようにした露光方法におい
て、前記感光基板の各ショット領域に対する１回目の露
光時（ファースト露光時）に、該感光基板上の各ショッ
ト領域に対して、互いに離間する少なくとも２点の基準
マークを転写し、前記感光基板の各ショット領域に対す
る２回目以後の露光時（セカンド露光時）に、前記各シ
ョット領域のうちの複数のショット領域について前記基
準マークの位置を計測し、該計測結果に基づき該基準マ
ークの計測を行ったショット領域の大きさ及び位置の変
化量の少なくとも一方であるショット情報を求めるとと
もに、該基準マークの計測を行わないショット領域のシ
ョット情報を該基準マークの計測を行ったショット領域
のショット情報に基づき補間してこれらを補正データと
し、該補正データに基づき前記感光基板の各ショット領
域に対する像倍率及び像位置の少なくとも一方を補正し
つつ露光処理を行うことを特徴とする。

【００３２】ファースト露光時に基準マークを転写し
て、セカンド露光時にこれらの基準マークの位置を計測
して像倍率及び／又は像位置を補正しつつ各ショット領
域に対して順次露光処理（セカンド露光）を行うように
したから、ファースト露光時とセカンド露光時のショッ
ト領域の大きさ及び／又はショット領域の位置（配列）
が実質的に等しくなり、パターンの重ね合わせ精度を高
くすることができる。

【００３３】ここで、セカンド露光時における基準マー
クの計測は、全てのショット領域について行うことも可
能であるが、全てのショット領域について行うと処理時
間がその分だけ遅くなり全体としてスループットを低下
させることになる。このため、本発明では基準マークの
計測を必要に応じて間欠的に行うようにでき、基準マー
クの計測を行ったショット領域については該計測結果に
基づき、基準マークの計測を行わないショット領域につ
いては計測を行ったショット領域についての計測結果に
基づき補間して求めたショット情報に基づき像倍率及び
／又は像位置を補正するようにできる。これにより、ス
ループットの低下を抑えつつパターンの重ね合わせ精度
を向上することができる。

【００３４】５．請求項９記載の本発明の露光方法は、
請求項１乃至８のいずれかに記載の露光方法において、
磁気ヘッド製造用の露光装置に適用されることを特徴と
する。

【００３５】また、請求項１０記載の本発明の磁気ヘッ
ド製造用の露光装置は、請求項１乃至８のいずれかに記
載の露光方法が適用されたことを特徴とする。

【００３６】磁気ヘッド製造用の露光装置においては、
感光基板として、通常のＩＣ製造用の基板、例えばシリ
コン基板と比較して板厚が厚く、熱膨張率や熱膨張力が
大きい、例えばセラミックス基板が使用され、セラミッ
クス基板は基板ホルダに保持された後も温度変化に伴い
その保持力に打ち勝って伸縮するため、温度変化に伴う
露光精度の低下がシリコン基板の場合と比較して顕著と
なる。このため、本発明方法は特に磁気ヘッド製造用の
露光装置に適用するとその効果が顕著である。

【００３７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。

【００３８】全体構成 図１は本発明の実施形態に係る露光装置の平面断面図、
図２は図１に示すＡ−Ａ線に沿う断面図、図３は図１に
示すＢ部の詳細を示す図、図４は図３に示すＣ−Ｃ線に
沿う断面図、図５は図１に示す保管棚のＤ方向から見た
矢視図、図６は図５に示すＥ−Ｅ線に沿う断面図、図７
は図３に示すＦ−Ｆ線に沿う断面図、図８は図１に示す
調整台付近のセンサの他の例を示す拡大平面図、図９は
図１に示すウエハステージの近傍の拡大平面図である。

【００３９】図１及び図２に示すように、本実施形態に
係る露光装置１００は薄膜磁気ヘッド製造用の縮小投影
型露光装置であり、装置本体は複数の系に分割されてお
り、各系毎に、独立チャンバ３１，３２，３３内に収納
してある。

【００４０】第１の独立チャンバ３１内には、３つの互
いに独立に動作する空調ユニットよりなる空調装置３４
を設置してある。空調装置３４内の第１の空調ユニット
で温度調整された空気は、第１の配管３５Ａ及び第２の
独立チャンバ３２の天井に設置された塵除去用のＨＥＰ
Ａフィルタ５９Ａを介してその独立チャンバ３２内に吹
き出す。独立チャンバ３２の床には、図２に示すよう
に、リターン６０Ａが装着してあるので、独立チャンバ
３２内に吹き出した清浄な空気は、図２に示すリターン
６０Ａ及び図１に示す第１の配管３６Ａを介してその第
１の空調ユニットに戻るようになっている。

【００４１】また、空調装置３４内の第２及び第３の空
調ユニットで温度調整された空気は、それぞれ第２の配
管３５Ｂ及び第３の配管３５Ｃを介して、図２に示す第
３の独立チャンバ３３の下部チャンバ３３Ａの天井に設
置されたＨＥＰＡフィルタ５９Ｃ、及び上部チャンバ３
３Ｂの天井に設置されたＨＥＰＡフィルタ５９Ｂに導か
れる。そして、ＨＥＰＡフィルタ５９Ｃから下部チャン
バ３３Ａにダウンフローしてリターン６０Ｃに達した空
気、及びＨＥＰＡフィルタ５９Ｂから上部チャンバ３３
Ｂにダウンフローしてリターン６０Ｂに達した空気は、
それぞれ第２の配管３６Ｂ及び第３の配管３６Ｃを介し
て第２及び第３の空調ユニットに戻るようになってい
る。

【００４２】なお、図示していないが、露光装置本体及
びウエハローダ系等を設置する独立チャンバ３２、３３
Ａ、３３Ｂ内に存在するイオン（例えばＮＨ₄ ⁺ 、ＳＯ
₄ ^2- ）、二酸化硫黄（ＳＯ₂ ）等の進入を防止するケミ
カルフィルタをＨＥＰＡフィルタ５９Ａ〜５９Ｃと一緒
に設けることが好ましい。これにより、硫酸アンモニウ
ム（（ＮＨ₄ ）₂ ＳＯ₄ ）等が生成されることがなくな
り、これが照明光学系を構成する光学素子に付着してそ
の反射率又は透過率を低下させる現象、及びレジストパ
ターンの断面形状がＴ字状なる現象の発生を防止でき
る。このケミカルフィルタは、３つのＨＥＰＡフィルタ
５９Ａ〜５９Ｃの各々に対応して設ければよい。ただ
し、少なくとも照明光学系のためのＨＥＰＡフィルタ５
９Ａにはケミカルフィルタを設けるようにして、他のＨ
ＥＰＡフィルタ５９Ｂ、５９Ｃにはケミカルフィルタを
設けないようにしてもよい。

【００４３】図２に示すように、第２の独立チャンバ３
２内には露光装置本体の光学系を設置する。すなわち、
独立チャンバ３２の床上には防振パッド３７ａ及び３７
ｂを介して防振台３７を設置し、防振台３７上にウエハ
ステージ１０を設置し、露光時にはウエハステージ１０
上にフォトレジストが塗布されたウエハＷをロードす
る。防振台３７上にコラム６２を装着し、コラム６２の
中段に投影光学系６３を固定し、コラム６２の上端部の
レチクルホルダ上に、レチクル６４Ａを載置する。

【００４４】図１に示すように、ウエハステージ１０
は、ベース９Ｂ、Ｙステージ９Ｙ、Ｘステージ９Ｘ等か
ら構成され、Ｘステージ９Ｘ上にはウエハホルダＷＨが
真空吸着により保持されている。露光対象としてのセラ
ミックス基板であるウエハＷはウエハホルダＷＨ上に真
空吸着により保持される。ウエハＷの円形の外周の一部
にオリエンテーションフラット（又はノッチ）と呼ばれ
る切欠き部が形成してあり、この切欠き部が所定の方向
を向くように、かつウエハＷの中心がウエハホルダＷＨ
に対して所定の位置関係になるように、ウエハホルダＷ
Ｈ上にウエハＷをロードする。本実施形態では、そのウ
エハホルダＷＨ上への搬入（ロード）、及びそのウエハ
ホルダＷＨからのウエハ搬出（アンロード）を行うため
のウエハローダ系３８を、第３の独立チャンバ３３の下
部チャンバ３３Ａ（図２参照）内の床上に設置する。

【００４５】ウエハローダ系３８のガイド部を、Ｘ方向
に延びた横スライダ本体３９、及びＹ方向に延びた縦ス
ライダ本体４８より構成し、横スライダ本体３９上にＸ
方向に摺動自在にスカラー型ロボットハンド４７を配置
する。スカラー型ロボットハンド４７は、横スライダ本
体３９に沿ってＸ方向に移動するＸ軸移動部４１、この
Ｘ軸移動部４１上でＸＹ平面に垂直なＺ方向に伸縮する
Ｚ軸移動部４２、このＺ軸移動部４２の中心４２ａを軸
として回転するθ軸回転部４３、このθ軸回転部４３の
先端に回転自在に設けられたＲ軸回転部４４、このＲ軸
回転部４４の先端に回転自在に設けられたハンド部４５
より構成し、ハンド部４５の先端部に真空吸着部４６を
取り付ける。θ軸回転部４３を中心４２ａを軸として回
転することにより、ハンド部４５はθ方向に回転し、Ｒ
軸回転部４４及びハンド部４５の回転角を組み合わせる
ことにより、ハンド部４５の中心４２ａから半径方向
（Ｒ方向）への位置を調整できる。

【００４６】また、横スライダ本体３９の側面部に設置
された設置台２１Ａ及び５４上にそれぞれウエハＷを保
管するための保管棚２２Ａ及び５５を固定し、さらにウ
エハＷを一次的に載置するための仮置き台５６Ａ及び５
６Ｂを設置する。仮置き台５６Ａ及び５６Ｂ上には、ウ
エハ載置用の複数個（図１では４個）のピンを装着す
る。保管棚２２Ａ及び５５の近傍、並びに仮置き台５６
Ａ及び５６Ｂの近傍の独立チャンバ３３の側面には、そ
れぞれ外部から保管棚等を交換するための開口３３ｄ及
び３３ｅを設ける。これら開口には、図示省略してある
開閉扉が装着された扉枠ユニットが装着される。

【００４７】スカラー型ロボットハンド４７のハンド部
４５を独立チャンバ３３の左側面の開口３３ｃから突き
出すことにより、外部装置（外部のフォトレジストのコ
ータ、又は現像装置等）に対するウエハＷの受け渡しを
行うことができ、別の位置Ｑ１でもウエハＷの受け渡し
を行うことができる。さらに、スカラー型ロボットハン
ド４７を位置Ｑ７に移動させて、独立チャンバ３３の右
側面の開口３３ｆからハンド部を突き出すことにより、
外部装置とウエハＷの受け渡しを行うことができ、別の
位置Ｑ８でもウエハＷの受け渡しを行うことができる。
同様に、スカラー型ロボットハンド４７を位置Ｑ３、Ｑ
５又はＱ６に移動させることにより、それぞれの保管棚
５５、仮置き台５６Ａ又は仮置き台５６Ｂに対するウエ
ハＷの受け渡しを行うことができる。

【００４８】また、縦スライダ本体４８は、独立チャン
バ３２の側面の開口３２ａ及び独立チャンバ３３の下部
３３Ａの側面の開口３３ｂを通して独立チャンバ３２内
に突き出しており、縦スライダ本体４８の側面に長手方
向に摺動自在に、ウエハＷの接触部がコの字型の２個の
スライダ（搬送アーム）４９Ａ及び４９Ｂが取り付けて
ある。これらの２個のスライダ４９Ａ及び４９Ｂは、そ
れぞれの真空吸着部によりウエハＷを保持した状態で、
独立チャンバ３２内と下部チャンバ３３Ａ内との間を独
立に移動する。そして、スカラー型ロボットハンド４７
は例えば保管棚５５からウエハＷを取り出した後、位置
Ｑ４において、上下動可能なターンテーブル５２を介し
てスライダ４９Ａ又は４９ＢにウエハＷを渡す。その
後、スライダ４９Ａ又は４９Ｂから露光後のウエハＷを
同様にターンテーブル５２の上下動を介して受け取った
スカラー型ロボットハンド４７は、そのウエハＷを例え
ば保管棚５５に戻す。

【００４９】また、スカラー型ロボットハンド４７のハ
ンド部４５、スライダ４９Ａ、スライダ４９Ｂのように
ウエハＷと接触する部分は、表面が緻密な導電性セラミ
ック等で形成する。ただし、そのウエハＷとの接触部の
表面に緻密な導電性セラミックをコーティング等により
被着してもよい。

【００５０】横スライダ本体３９と縦スライダ本体４８
とが交差する領域付近、すなわち位置Ｑ４の近傍に、セ
ンサ台５０を設置し、このセンサ台５０にウエハＷの中
心位置を検出するための中心位置センサ（後述）が配置
してある。センサ台５０の上側に調節台５１を配置し、
調節台５１の上部にＸＹ方面に垂直な軸を中心として回
転する導電性セラミック製のターンテーブル５２を設
け、この調節台５１上でかつターンテーブル５２とセン
サ台５０との間の位置に、ウエハＷの外周部の直線状の
切欠き部（オリエンテーションフラット）の位置を検出
するための切欠き検出センサの投光部５３、及び１次元
ＣＣＤ等からなるラインセンサ７５（図２参照）が配置
してある。投光部５３は、ウエハＷ上のフォトレジスト
に対して非感光性のスリット状の光ビームをラインセン
サ７５に照射し、ラインセンサ７５は、そのスリット状
の光ビームの内の遮光された部分の長さを検出し、検出
結果を図示省略してある制御系に出力する。

【００５１】図３は、図１中のＢ部の拡大図であり、こ
の図３において、スカラー型ロボットハンド４７からタ
ーンテーブル５２上にウエハＷを渡すときに、ウエハＷ
は、まずセンサ台５０の中を通過する。図３のＣ−Ｃ線
に沿う断面図である図４に示すように、センサ台５０の
上部に４個の投光部７６Ａ〜７６Ｄを設置し、センサ台
５０の下部には投光部に対向するように４個の受光部７
８Ａ〜７８Ｄを設置しておき、ウエハＷを、それらの投
光部７６Ａ〜７６Ｄと受光部７８Ａ〜７８Ｄとの間を通
過させる。投光部７６Ａ〜７６Ｄからは、ウエハＷ上の
フォトレジストに対して非感光性のビーム状の照明光が
射出される。

【００５２】この場合、図３に示すように、ウエハＷは
ほぼ円形であるため、ウエハＷのターンテーブル５２方
向への位置と、図４の受光部７８Ａ〜７８Ｄのそれぞれ
でウエハＷにより光が遮光されてから再び光が受光され
るまでのタイミングとの関係から、不図示の制御系によ
りウエハＷの中心位置を求める。そして、スカラー型ロ
ボットハンド４７は、ウエハＷの中心位置がターンテー
ブル５２の回転中心に合致するように、ターンテーブル
５２上にウエハＷを載置する。この際にウエハＷの裏面
にスライダ４９Ａを移動させておく。また、前記中心位
置情報に基づいて、スカラー型ロボットハンド４７のＲ
軸の制御及びθ軸（あるいはＸ軸）の制御を行うことに
より、ウエハＷは中心が合致するようにターンテーブル
５２上に載置される。ターンテーブル５２上でウエハＷ
は真空吸着される。このような位置決め方式により、ほ
ぼ±０．２ｍｍ程度の精度でターンテーブル５２の中心
に対してウエハＷの中心が位置決めされる。

【００５３】その状態でターンテーブル５２を回転させ
ると、ウエハＷの周縁部が切欠き検出センサの投光部５
３とラインセンサ７５（図２参照）との間で回転し、ウ
エハＷの切欠き部（オリエンテーションフラット又はノ
ッチ）がラインセンサ７５上を通過する際に遮光部の長
さが減少することから、不図示の制御系がそのウエハＷ
の切欠き部の位置を検出する。この検出結果に応じて、
ウエハＷの切欠き部が、例えば横スライダ本体３９に対
向する位置でターンテーブル５２の回転を停止させる。
その後、ターンテーブル５２によるウエハＷの吸着を解
除し、ターンテーブル５２が下降して、スライダ４９Ａ
の上面にウエハＷを真空吸着して、そのスライダ４９Ａ
を縦スライダ本体４８に沿って図１の独立チャンバ３２
側に移動させ、不図示のウエハ受渡し手段によりそのス
ライダ４９ＡからウエハホルダＷＨ上にウエハＷを移
す。この際に、ウエハＷの中心及び切欠き部の位置が正
確に所定の状態になってウエハＷがウエハホルダＷＨの
上に載置される。

【００５４】さらに、ウエハホルダＷＨ上には一般に同
心円状の凸部があり、これらの同心円状の凸部上にウエ
ハＷが載置される。そこで、スカラー型ロボットハンド
４７、及びスライダ４９Ａ、４９Ｂにおけるそのウエハ
Ｗとの接触部は、そのウエハホルダＷＨ上での接触部と
異ならしめることが望ましい。即ち、スカラー型ロボッ
トハンド４７、及びスライダ４９Ａ、４９Ｂと接触する
ウエハ裏面の位置と、ウエハホルダＷＨの凸部と接触す
るウエハ裏面の位置とを異ならしめる。このとき、ウエ
ハホルダＷＨの凸部の形状に応じて、スカラー型ロボッ
トハンド４７、及びスライダ４９Ａ、４９ＢのウエハＷ
との接触部の位置、面積を決めればよい。これにより、
ウエハホルダＷＨ上でウエハＷの平面度を良好に維持で
きる。これはウエハＷの裏面にスカラー型ロボットハン
ド４７、及びスライダ４９Ａ、４９Ｂとの接触によって
異物が付着しても、その異物がウエハホルダＷＨの凸部
とウエハＷとの間に挟み込まれることがないためであ
る。

【００５５】なお、図２のラインセンサ７５の代わり
に、シリンドリカルレンズと１個の受光素子（例えばフ
ォトダイオード）とを組み合わせたアナログセンサを使
用してもよい。このアナログセンサを使用すると、ウエ
ハＷによる遮光部の長さに応じてその受光素子の受光量
が変化することから、その遮光部の長さを検出できる。
また、ウエハＷの円周方向の２箇所に、投光部５３とア
ナログセンサとの組合わせを２組配置し、２個のアナロ
グセンサの出力信号のバランスが取れるようにサーボ方
式でターンテーブル５２の回転位置を固定することによ
って、ウエハＷの切欠き部（オリエンテーションフラッ
ト又はノッチ）の位置決めを行ってもよい。

【００５６】図３に示すように、調整台５１の上方に
は、レチクルを照明するための露光光の一部を分離して
得られた光を導く光ガイド７７を配置してある。図７
は、図３のＦ−Ｆ線に沿う断面図であり、この図７に示
すように、光ガイド７７の射出端７７ａをコの字型の移
動台８５の上端部に取り付け、移動台８５の下端部にそ
の射出端７７ａに対向するように１次元ＣＣＤよりなる
ラインセンサ８４を固定し、移動台８５の底面に固定さ
れたスライダ８５ａを、調整台５１に固定された支持台
８６の上のガイド部に設置する。支持台８６には駆動モ
ータ８７を固定し、移動台８５の側面部にスライダ８５
ａの摺動方向と平行に送りねじ８８を螺合し、駆動モー
タ８７の回転軸カップリング８９を介してその送りねじ
８８を結合する。移動台８５の移動方向は、ターンテー
ブル５２を中心とした半径方向であり、駆動モータ８７
を駆動することにより移動台８５をその半径方向に沿っ
て移動させることができる。

【００５７】そして、いわゆる周縁露光時には、光ガイ
ド７７の射出端７７ａから、ターンテーブル５２上に吸
着されているウエハＷの周縁部に、ウエハＷ上に塗布さ
れたフォトレジストを感光させるスリット状の露光光を
照射し、ラインセンサ８４では、その露光光の遮光部の
長さを検出し、この検出結果を不図示の制御系に供給す
る。周縁露光とは、ウエハＷの周縁部からの発塵を防止
するために、ウエハＷの周縁部のフォトレジストのみを
感光させることを言う。この場合、本実施形態では、タ
ーンテーブル５２の回転中心とウエハＷの中心とがほぼ
正確に合致しているため、移動台８５の位置を調整して
射出端７７ａから露光光を射出させることにより、ウエ
ハＷの周縁露光の幅を所望の値に正確に設定できる。ま
た、ウエハＷの切欠き位置が既知のため、ターンテーブ
ル５２にエンコーダ付モータ又はステッピングモータを
採用して、ウエハＷの切欠き部が射出端７７ａとライン
センサ８４との間に達したときには、周縁露光の幅が一
定になるように移動台８５の位置を調整することによ
り、ウエハＷの切欠き部でも一定の幅で周縁露光を行う
ことができる。

【００５８】図２に示すように、独立チャンバ３３の上
部のチャンバ３３Ｂ内のリターン６０Ｂ上にはレチクル
ローダ系６５が設置してある。レチクルローダ系６５の
ガイド部は独立チャンバ３２の開口３２ｂ及び上部チャ
ンバ３３Ｂの開口３３ｇを通して独立チャンバ３２内に
突き出た縦スライダ本体７２より構成され、縦スライダ
本体７２に沿って摺動自在に２つのスライダ７３Ａ及び
７３Ｂが取り付けてある。そして、縦スライダ本体７２
の支持台の近傍に、ベース６６と、このベース６６上で
ＸＹ平面に垂直なＺ方向に伸縮するＺ軸移動部６７と、
このＺ軸移動部６７の中心を軸として回転するθ軸回転
部６８と、このθ軸回転部６８の先端に回転自在に設け
られたＲ軸回転部６９と、このＲ軸回転部６９の先端に
回転自在に設けられたハンド部７０よりなるスカラー型
ロボットハンドとを設置する。

【００５９】また、そのレチクル用のスカラー型ロボッ
トハンドの近傍にレチクル用保管棚７４を設置し、保管
棚７４からそのスカラー型ロボットハンドのハンド部７
０で真空吸着によりレチクルを取り出し、このように取
り出したレチクルを縦スライダ本体のスライダ７３Ａ又
は７３Ｂに渡す。その後、スライダ７３Ａ又は７３Ｂ
は、レチクルを真空吸着により保持した状態で、縦スラ
イダ本体７２に沿って独立チャンバ３２内に移動し、不
図示のレチクル受渡し手段を介して露光装置本体のコラ
ム６２上のレチクルホルダ上にそのレチクルを設置す
る。また、レチクルを交換する際には、そのレチクルホ
ルダから取り出されたレチクルが、スライダ７３Ａ又は
７３Ｂ、及びレチクル用のスカラー型ロボットハンドを
介して保管棚７４に戻される。このようにレチクルの搬
送時にもスカラー型ロボットハンドが使用されているた
め、レチクルローダ系６５が簡略化されている。

【００６０】さらに、図２において、第２の独立チャン
バ３２、第３の独立チャンバ３３の下部チャンバ３３
Ａ、及び上部チャンバ３３Ｂ内にはそれぞれ真空ポンプ
６１Ａ、６１Ｃ及び６１Ｂが設置してある。真空ポンプ
６１Ａは、独立チャンバ３２内の露光用光学系でのウエ
ハＷに対する真空吸着用の負圧を供給し、真空ポンプ６
１Ｃは、チャンバ３３Ａ内のウエハローダ系３８でのウ
エハＷに対する真空吸着用の負圧を供給し、真空ポンプ
６１Ｂは、チャンバ３３Ｂ内のレチクルローダ系６５で
のレチクルに対する真空吸着用の負圧を供給する。この
ように、本実施形態では、露光装置本体での真空吸着、
ウエハローダ系３８での真空吸着、及びレチクルローダ
系６５での真空吸着が独立に行われるため、互いにウエ
ハＷの吸着又は離説時の影響が伝わらない利点がある。
また、独立チャンバ３２内の露光用光学系のウエハホル
ダＷＨ上に吸着されたウエハＷにレチクルパターンを転
写している間に、ウエハローダ系３８、またレチクルロ
ーダ系６５で真空吸着のオン又はオフを行っても、ウエ
ハホルダＷＨ側では、圧力変動がないため、ウエハＷが
位置ずれしないという利点もある。

【００６１】次に、図１中の保管棚５５の構成につき図
５及び図６を参照して詳細に説明する。図５は、図１の
矢印Ｄ方向から見た矢視図であり、この図５に示すよう
に、保管棚５５は、導電性材料からなる箱体であり、前
後が抜けた構造となっている。また、その箱体の天板と
底板７９_N との間に、順に導電性材料からなる仕切り板
７９₁ ，７９₂ ，・・・がその箱体と一体に配置されて
いる。これにより、保管棚５５内にはＮ枚のウエハＷを
格納でき、Ｎ枚の一例は１以上の整数ｎを用いて、（２
５×ｎ＋１）枚、すなわち、２６枚、５１枚、７６枚等
である。あるいはｎ＝０の場合は、Ｎ枚は１枚である。

【００６２】また、保管棚５５は、設置台５４上にねじ
止めにより固定し、保管棚５５内の仕切り板７９₁ 上に
は、３個の導電性セラミックスのピン８０Ａ、８１Ａ、
８２Ａが植設してある。同様に、他の仕切り板７９₂ ，
７９₃ ，・・・及び底板７９_N 上にもそれぞれ３個の導
電性セラミックス製のピンを植設する。例えば１ロット
のウエハＷへの露光を行う際には、７９₁ ，７９₂ ，・
・・及び底板７９_N 上にはそれぞれウエハＷ₁ 、Ｗ₂ ・
・・、Ｗ_N が設置されている。そして、例えばウエハＷ
₁ を保管棚５５から搬出する際には、図５のＥ−Ｅ線に
沿う断面図である図６に示すように、スカラー型ロボッ
トハンド４７のハンド部４５をウエハＷ ₁ の裏面と仕切
り板７９₁ との間に差し込んで、そのウエハＷ₁ を取り
出す。

【００６３】この場合、本実施形態では、通常の露光時
の１ロットのウエハの枚数は２５×ｎ枚であるため、本
実施形態の保管棚５５にはさらに１枚多いウエハを保管
できる。ただし、余分に保管できる枚数を複数枚にして
もよい。その余分に保管できる部分には、例えばウエハ
ホルダＷＨ（図１参照）上の平面度計測用に高平面精度
の基準ウエハ、装置の自己計測用のマスタウエハ、又は
ウエハの接触部清掃用のウエハ等を保管する。本実施形
態では、このように余分に収納できる空間を保管棚５５
の一部に確保しているが、例えば図１の仮置き台５６
Ａ、５６Ｂのような独立した台を用いてもよい。

【００６４】次に、本実施形態の保管棚５５は、前後が
抜けているため、前後からの検査用の光を通過させるこ
とができる。そこで、図１に示すように、チャンバ内側
面に保管棚５５を挟むように投光器５７及び受光器５８
を配置する。そして、保管棚５５内にウエハＷが無いと
きには、投光器５７から射出された光ビームが保管棚５
５内を通過して受光器５８で受光され、ウエハＷがある
ときにはその光ビームが遮光されるようにする。これに
より、保管棚５５内のウエハＷの有無をチェックでき
る。さらに保管棚５５の後方に壁があっても透明体であ
れば本機能は達成できる。

【００６５】なお、図５に示すように、設置台５４上に
はねじ止めにより保管棚５５を固定しているが、開閉自
在なロック機構によりその保管棚５５を固定してもよ
い。このようにロック機構を持つことにより、設置台５
５上には従来のプロセスウエハ用の保管棚２２Ａ（図１
参照）をも固定できる。また、上述した実施形態では、
図３に示すように、ウエハＷの中心位置、及び切欠き部
（オリエンテーションフラット又はノッチ）の位置をそ
れぞれ、センサ台５０中の検出器、及び投光部５３を含
む切欠きセンサにより検出していた。しかしながら、図
８に示すように、調整台５１の上方の４箇所にスリット
状の光ビームを下方に照射する投光部９０Ａ〜９０Ｄを
固定し、これらの投光部９０Ａ〜９０Ｄに対向し、かつ
ウエハＷの周縁部を挟むようにラインセンサを配置して
もよい。この場合、ウエハＷのエッジ部が各ラインセン
サ上で所定位置にくるように、サーボ方式でスカラー型
ロボットハンドのハンド部４５の位置をＲ方向、θ方
向、あるいはＸ方向に駆動して位置決めすることによ
り、ウエハＷの中心位置を概略にターンテーブル５２の
中心位置に位置決めできる。

【００６６】また、それら４組の投光部及びラインセン
サの組合せの例えば投光部９０Ａと、これと対向するラ
インセンサとを用いることにより、ウエハＷの切欠き部
（オリエンテーションフラット又はノッチ）の検出を行
うこともできる。この場合、ウエハＷ上の切欠き部がど
の方向を向いても、ラインセンサが４個設けてあるた
め、ウエハＷを最大で９０゜程度回転するだけでその切
欠き部の位置を検出できる。なお、投光部及びラインセ
ンサの組合わせは２組以上あれば同様の位置決めが可能
である。

【００６７】図９は図１のウエハステージ近傍を拡大し
た平面図である。ウエハステージ１０（Ｘステージ９
Ｘ）上に吸着保持されたウエハホルダＷＨには、該ウエ
ハホルダＷＨの温度を検出する第１温度センサ１１１が
取り付けられている。また、縦スライダ本体４８の２個
のスライダ４９Ａ，４９Ｂのうちのローディング用のス
ライダ（ここでは、４９Ａをローディング（搬入）用、
４９Ｂをアンローディング用（搬出）とする）には、該
スライダ４９Ａに吸着保持されたウエハＷの温度を検出
する第２温度センサ１１２が取り付けられている。ま
た、図３に示されるように、ターンテーブル５２にはこ
れに吸着保持されたウエハＷの温度を検出する第３温度
センサ１１３が、図６に示されるように、スカラー型ロ
ボットハンド４７のハンド部４５にはこれに吸着保持さ
れたウエハＷの温度を検出する第４温度センサ１１４
が、詳細な図示は省略するが、保管棚２２Ａ，５５には
これらに収納されたウエハＷのそれぞれの温度を検出す
る第５温度センサ（１１５）がそれぞれ取り付けられて
いる。第１〜第５温度センサ１１１〜１１５としては各
種のものを採用することができるが、例えば、測温抵抗
体、サーミスタ、熱電対等を採用することができる。な
お、これらの第１〜第５温度センサ１１１〜１１５は、
後述する処理の内容に応じて選択的に設けることができ
る。

【００６８】制御系 図１０はこの露光装置の制御系の要部構成を示すブロッ
ク図である。この制御系１２０は、全体的な制御を行う
主制御部１２１、各種のデータを記憶保持するメモリ１
２２、オペレータ等が必用に応じて各種のデータを入力
するための入力部１２３、ウエハローダ系３８によるウ
エハＷの搬送を制御するウエハローダ制御部１２４、レ
チクルローダ系６５によるレチクルの搬送を制御するレ
チクルローダ制御部１２５を備えている。また、制御系
１２０は、ウエハステージ１０やレチクルステージの移
動制御、照明光学系の点灯や光量制御、アライメント処
理、レベリング処理、その他の処理を含む露光処理を制
御する露光制御部１２６を備えている。第１〜第５温度
センサ１１１〜１１５の検出信号は主制御部１２１に入
力される。

【００６９】メモリ１２２には、温度及び温度の変化率
についての許容範囲を示すデータを記憶するための領域
が確保されている。オペレータは入力部（例えば、キー
ボード）を用いて該許容範囲を示すデータ（許容範囲デ
ータ）を必用に応じて任意に書き換えることができるよ
うになっている。これらの許容範囲データは、空調装置
３４によるチャンバ３２，３３内の目標温度及びそのバ
ラツキ等との関係で予め決められて設定される。ここで
は、温度についての許容範囲データとして、２０±０．
２°Ｃが、温度の変化率についての許容範囲データとし
て、±０．２°Ｃ／ｓｅｃが、ウエハホルダＷＨとウエ
ハＷの温度差についての許容範囲データとして、±０．
２°Ｃが、それぞれ予め設定されているものとする。

【００７０】１．ウエハの温度検出等に関する処理 次に、制御系１２０によるウエハの温度の検出、ウエハ
の搬送、露光タイミング等に関する処理について、フロ
ーチャートを参照して説明する。以下に複数の処理（第
１〜第６処理）を説明するが、その採用は択一的であ
り、いずれか一が固定的に採用されるものとする。但
し、全てのあるいは複数の処理を行えるようにし、必用
とされる精度等に応じてオペレータ等が任意に選択でき
るようにしてもよい。また、これらの処理は、ファース
ト露光及びセカンド露光の双方について適用できる。

【００７１】（１）第１処理 図１１は制御系による第１処理を示すフローチャートで
あり、スライダ４９ＡがウエハＷを吸着保持してから、
露光処理が実施されるまでの処理が示されている。な
お、この第１処理を採用する場合には、第１温度センサ
１１１及び第２温度センサ１１２のみが必須であり、第
３、第４及び第５温度センサ１１３，１１４，１１５は
必須ではない。

【００７２】まず、スカラー型ロボットハンド４７のハ
ンド部４５により吸着保持されて搬送されてきたウエハ
Ｗは、ターンテーブル５２等によりプリアライメント等
が行われ、その後、スライダ４９Ａは該ウエハＷを吸着
保持する。この状態であるいはスライダ４９Ａをウエハ
ホルダＷＨに向けて移動しつつ、第２温度センサ１１２
により、吸着保持されているウエハＷの現在の温度を検
出する（ＳＴ１）。これと前後してあるいは同時に、第
１温度センサ１１１により、ウエハホルダＷＨの温度を
検出する（ＳＴ２）。

【００７３】次いで、メモリ１２２に記憶保持されてい
る温度差についての許容範囲データを読み込み（ＳＴ
３）、第１温度センサ１１１により検出された温度と第
２温度センサ１１２により検出された温度の温度差を算
出して、この温度差が該許容範囲データが示す許容範囲
内にあるか否かを判断する（ＳＴ４）。

【００７４】ＳＴ４において、ウエハＷとウエハホルダ
ＷＨの温度差が許容範囲内に無いと判断した場合には、
ＳＴ１に戻り、該温度差が許容範囲内に有ると判断した
場合には、ウエハＷをウエハホルダＷＨの近傍の受け渡
し位置まで搬送し、ウエハホルダＷＨに渡して、該ウエ
ハホルダＷＨに吸着保持させる（ＳＴ５）。その後、ウ
エハステージ１０によりウエハＷの各ショット領域を投
影光学系によるパターンの投影位置に順次設定しつつ、
露光処理を行う（ＳＴ６）。

【００７５】この第１処理によると、ウエハホルダＷＨ
に吸着保持される直前のウエハＷとウエハホルダＷＨの
温度差が予め設定された許容範囲内に入った後にウエハ
ＷをウエハホルダＷＨに保持させて露光処理を行うよう
にしたから、ウエハＷとウエハホルダＷＨの実際の温度
差が実質的になくなった後にウエハＷがウエハホルダＷ
Ｈに吸着保持されることになり、ウエハＷとウエハホル
ダＷＨの温度はほぼ一致しているから、ウエハＷが露光
処理中に伸縮することがなくなる。従って、各ショット
領域間でその大きさが異なることやショット配列が歪む
ことが少なくなり、高い露光精度を実現することができ
るようになる。

【００７６】（２）第２処理 図１２は制御系による第２処理を示すフローチャートで
あり、スライダ４９ＡがウエハＷを吸着保持してから、
露光処理が実施されるまでの処理が示されている。な
お、この第２処理を採用する場合には、第１温度センサ
１１１のみが必須であり、第２、第３、第４及び第５温
度センサ１１２，１１３，１１４，１１５は必須ではな
い。

【００７７】まず、スカラー型ロボットハンド４７のハ
ンド部４５により吸着保持されて搬送されてきたウエハ
Ｗは、ターンテーブル５２等によりプリアライメント等
が行われ、その後、スライダ４９Ａは該ウエハＷを吸着
保持する。次いで、スライダ４９ＡをウエハホルダＷＨ
に向けて移動し、ウエハテーブル１０の近傍の受け渡し
位置に位置させるとともに、該ウエハＷをウエハホルダ
ＷＨに渡し、ウエハホルダＷＨにより該ウエハＷを吸着
保持させる（ＳＴ１）。その後、第１温度センサ１１１
により、ウエハホルダＷＨの温度又は所定時間当たりの
温度の変化率を検出する（ＳＴ２）。

【００７８】次いで、メモリ１２２に記憶保持されてい
る温度についての許容範囲データ又は所定時間当たりの
温度の変化率についての許容範囲データを読み込み（Ｓ
Ｔ３）、第１温度センサ１１１により検出された温度又
は温度の変化率が、これに対応する許容範囲データが示
す許容範囲内にあるか否かを判断する（ＳＴ４）。

【００７９】ＳＴ４において、第１温度センサ１１１に
より検出された温度又は温度の変化率が対応する許容範
囲内に無いと判断した場合には、ＳＴ２に戻り、該温度
又は温度の変化率が対応する許容範囲内に有ると判断し
た場合には、ウエハステージ１０によりウエハＷの各シ
ョット領域を投影光学系によるパターンの投影位置に順
次設定しつつ、露光処理を行う（ＳＴ５）。

【００８０】図１３はこの第２処理を行う場合のウエハ
ＷがウエハホルダＷＨに吸着保持される前後のウエハホ
ルダＷＨの温度（第１温度センサによる検出温度）の変
化を示す図である。ウエハホルダＷＨに吸着保持される
直前のウエハＷとウエハホルダＷＨの温度に温度差（ウ
エハＷの温度が高いものとする）があると、ウエハＷが
ウエハホルダＷＨに吸着保持された直後にウエハホルダ
ＷＨの温度は急激に上昇し、ピークを経て徐々に低下す
る。この温度が所定の許容範囲（Ｔ±ΔＴｅ：この実施
形態では、２０±０．２°Ｃ）に入ったならば、露光処
理を開始する。

【００８１】この第２処理によると、ウエハＷを吸着保
持したウエハホルダＷＨの温度又は温度の変化率が予め
設定された許容範囲内に入った後に露光処理を行うよう
にしたから、ウエハＷ及びウエハホルダＷＨの温度が十
分に安定した後に露光処理を行うことができ、ウエハＷ
の温度変化が少ないから、ウエハＷが露光処理中に伸縮
することが少なくなる。従って、各ショット領域間でそ
の大きさが異なることやショット配列が歪むことが少な
くなり、高い露光精度を実現することができるようにな
る。

【００８２】（３）第３処理 図１４は制御系による第３処理を示すフローチャートで
あり、スライダ４９ＡがウエハＷを吸着保持してから、
露光処理が実施されるまでの処理が示されている。な
お、この第３処理を採用する場合には、第２温度センサ
１１２のみが必須であり、第１、第３、第４及び第５温
度センサ１１１，１１３，１１４，１１５は必須ではな
い。

【００８３】まず、スカラー型ロボットハンド４７のハ
ンド部４５により吸着保持されて搬送されてきたウエハ
Ｗは、ターンテーブル５２等によりプリアライメント等
が行われ、その後、スライダ４９Ａは該ウエハＷを吸着
保持する。この状態であるいはスライダ４９Ａをウエハ
ホルダＷＨに向けて移動しつつ、第２温度センサ１１２
により、吸着保持されているウエハＷの温度又は所定時
間当たりの温度の変化率を検出する（ＳＴ１）。

【００８４】次いで、メモリ１２２に記憶保持されてい
る温度についての許容範囲データ又は所定時間当たりの
温度の変化率についての許容範囲データを読み込み（Ｓ
Ｔ２）、第２温度センサ１１２により検出された温度又
は温度の変化率が、これに対応する許容範囲データが示
す許容範囲内にあるか否かを判断する（ＳＴ３）。

【００８５】ＳＴ３において、第２温度センサ１１２に
より検出された温度又は温度の変化率が対応する許容範
囲内に無いと判断した場合には、ＳＴ１に戻り、該温度
又は温度の変化率が対応する許容範囲内に有ると判断し
た場合には、ウエハＷをウエハホルダＷＨの近傍の受け
渡し位置まで搬送し（ＳＴ４）、ウエハホルダＷＨに渡
して、該ウエハホルダＷＨに吸着保持させる（ＳＴ
５）。その後、ウエハステージ１０によりウエハＷの各
ショット領域を投影光学系によるパターンの投影位置に
順次設定しつつ、露光処理を行う（ＳＴ６）。

【００８６】この第３処理によると、ウエハホルダＷＨ
に吸着保持される直前のウエハＷの温度又は温度の変化
率が予め設定された許容範囲内に入った後にウエハＷを
ウエハホルダＷＨに吸着保持させて露光処理を行うよう
にしたから、ウエハホルダＷＨに吸着保持された時点で
のウエハＷとウエハホルダＷＨの温度差が少なく、かつ
安定しており、ウエハＷが露光処理中に伸縮することが
少なくなる。従って、各ショット領域間でその大きさが
異なることやショット配列が歪むことが少なくなり、高
い露光精度を実現することができるようになる。

【００８７】（４）第４処理 上述した第３処理では、スライダ４９Ａに吸着保持され
たウエハＷの温度又は温度の変化率を検出して、これに
基づき処理を行うようにしているが、この第４処理は、
ターンテーブル５２に吸着保持されたウエハＷの温度又
は温度の変化率を、ターンテーブル５２に取り付けられ
た第３温度センサ１１３により検出して、所定の許容範
囲内に入った後に、その後の搬送等の処理を行うように
したものである。その他は上述の第３処理と同じなので
その説明は省略する。なお、この第４処理を採用する場
合には、第３温度センサ１１３のみが必須であり、第
１、第２、第４及び第５温度センサ１１１，１１２，１
１４，１１５は必須ではない。

【００８８】この第４処理によると、搬送中のウエハＷ
の温度又は温度の変化率が予め設定された許容範囲内に
入った後に、その後の搬送を行うようにしたから、ウエ
ハＷをウエハホルダＷＨに吸着保持させた時点で、ウエ
ハＷとウエハホルダＷＨの温度差が少なく、かつ十分に
安定しており、ウエハＷが露光処理中に伸縮することが
少なくなる。従って、各ショット領域間でその大きさが
異なることやショット配列が歪むことが少なくなり、高
い露光精度を実現することができるようになる。

【００８９】なお、この第４処理を採用する場合の温度
等の許容範囲としては、ウエハＷをその温度を検出した
位置からウエハホルダＷＨまで搬送等するのに要する時
間を考慮して、前記第１〜第３処理を採用する場合の許
容範囲よりも緩く設定することができる。

【００９０】（５）第５処理 上述した第３処理では、スライダ４９Ａに吸着保持され
たウエハＷの温度又は温度の変化率を検出して、これに
基づき処理を行うようにしているが、この第５処理は、
スカラー型ロボットハンド４７の吸着部４６に吸着保持
されたウエハＷの温度又は温度の変化率を、ハンド部４
５（吸着不４６）に取り付けられた第４温度センサ１１
４により検出して、所定の許容範囲内に入った後に、そ
の後の搬送等の処理を行うようにしたものである。その
他は上述の第３処理と同じなのでその説明は省略する。
なお、この第５処理を採用する場合には、第４温度セン
サ１１４のみが必須であり、第１、第２、第３及び第５
温度センサ１１１，１１２，１１３，１１５は必須では
ない。

【００９１】この第５処理によると、搬送中のウエハＷ
の温度又は温度の変化率が予め設定された許容範囲内に
入った後に、その後の搬送を行うようにしたから、ウエ
ハＷをウエハホルダＷＨに吸着保持させた時点で、ウエ
ハＷとウエハホルダＷＨの温度差が少なく、かつ十分に
安定しており、ウエハＷが露光処理中に伸縮することが
少なくなる。従って、各ショット領域間でその大きさが
異なることやショット配列が歪むことが少なくなり、高
い露光精度を実現することができるようになる。

【００９２】なお、この第５処理を採用する場合の温度
等の許容範囲としては、ウエハＷをその温度を検出した
位置からウエハホルダＷＨまで搬送等するのに要する時
間を考慮して、前記第１〜第４処理を採用する場合の許
容範囲よりも緩く設定することができる。

【００９３】（６）第６処理 上述した第３処理では、スライダ４９Ａに吸着保持され
たウエハＷの温度又は温度の変化率を検出して、これに
基づき処理を行うようにしているが、この第６処理は、
保管棚２２Ａ又は５５に保管されたウエハＷの温度又は
温度の変化率を、該保管棚２２Ａ又は５５に取り付けら
れた第５温度センサ（１１５）により検出して、所定の
許容範囲内に入った後に、その後の搬送等の処理を行う
ようにしたものである。その他は上述の第３処理と同じ
なのでその説明は省略する。なお、この第６処理を採用
する場合には、第５温度センサ１１５のみが必須であ
り、第１、第２、第３及び第４温度センサ１１１，１１
２，１１３，１１４は必須ではない。

【００９４】この第６処理によると、保管棚２２Ａ又は
５５に保管中のウエハＷの温度又は温度の変化率が予め
設定された許容範囲内に入った後に、該保管棚２２Ａ又
は５５からの搬出を行うようにしたから、ウエハＷをウ
エハホルダＷＨに吸着保持させた時点で、ウエハＷとウ
エハホルダＷＨの温度差が少なく、かつ十分に安定して
おり、ウエハＷが露光処理中に伸縮することが少なくな
る。従って、各ショット領域間でその大きさが異なるこ
とやショット配列が歪むことが少なくなり、高い露光精
度を実現することができるようになる。

【００９５】なお、この第６処理を採用する場合の温度
等の許容範囲としては、ウエハＷをその温度を検出した
位置からウエハホルダＷＨまで搬送等するのに要する時
間を考慮して、前記第１〜第５処理を採用する場合の許
容範囲よりも緩く設定することができる。

【００９６】２．ショット領域の露光順序に関する処理 この処理は、露光制御部１２６による露光処理の一部で
あり、ウエハＷ上の各ショット領域に対して順次行われ
る一連の露光処理についての順序に関するものである。
上述の第１〜第６処理のうちの一と併用することがで
き、あるいは全く独立に行うこともできる。なお、この
処理は、ファースト露光及びセカンド露光の双方に適用
することができる。

【００９７】図１５は各ショット領域に対する露光順序
を示す図であり、（ａ）は従来の露光順序を、（ｂ）は
本発明による露光順序を示している。なお、この図にお
いて、ショット領域Ｓ内に付されている番号は、露光順
序を示している。これらの各ショット領域Ｓはマトリッ
クス状に配列されるが、従来は、同図（ａ）に示されて
いるように、隅のショット領域（１）から開始して、行
方向（横方向）に順次隣り合うショット領域（２，３）
に対して露光し、一行が終了したならば、隣り合う行に
移って、逆向きに露光し（４，５，６）、以下同様に露
光する（７，８，９）。しかし、このような露光順序で
は、温度変化によりウエハＷが伸縮した場合に、ショッ
ト配列の歪みが大きいとともに、ショット領域が全体的
に均等に分散しない。

【００９８】そこで、同図（ｂ）に示されているよう
に、この実施形態では、各ショット領域Ｓに対する露光
処理を、該各ショット領域のうちの概略中心に位置する
ショット領域（１）から開始して、該開始ショット領域
を取り囲むショット領域（２〜９）に対して行い、さら
に露光処理後のショット領域（２〜９）を取り囲むショ
ット領域（図示せず）に対して以下同様に行うようにし
た。即ち、中心から略同心円を描くように露光してい
く。この場合において、各ショット領域Ｓに対する露光
処理は、露光処理直後のショット領域に隣り合わない未
露光のショット領域がある場合には、該隣り合わないシ
ョット領域に対して行うことができ、中心のショット領
域（１）に対してなるべく点対称となるような位置にあ
るショット領域（例えば、（２）と（３）、（３）と
（４）、（４）と（５）の如し）に対して順次行うこと
ができる。なお、中心のショット領域（１）から開始し
て、渦巻状となるように順次外側に移行しつつ露光処理
を行ってもよい。

【００９９】このように、各ショット領域の露光処理の
順序を、概略中央に位置するショット領域から開始し
て、概略同心円状に順次外側に向かって処理するように
したから、最初のショット領域から最後のショット領域
に至るまでの一連の露光処理中にウエハＷが温度変化に
よって伸縮した場合であっても、ショット配列の歪みが
小さいとともに、ショット領域を均等に分散させること
ができ、全体として露光精度を高くすることが可能であ
る。

【０１００】３．ウエハの照明による熱膨張に対する処
理 この処理は露光制御部１２６による露光処理の一部であ
り、照明によるウエハＷの膨張に対する補正に関するも
のであり、上述の第１〜第６処理のうちの一と併用する
ことができ、あるいは全く独立に行うこともできる。な
お、この処理は、ファースト露光及びセカンド露光の双
方に適用することができる。

【０１０１】ウエハＷは各ショット領域に対する露光中
に照明光により照明されることによってそのエネルギの
一部を吸収し、その熱により膨張する。従って、最初に
露光したショット領域から最後に露光したショット領域
に至る各ショット領域の大きさは徐々に縮小し、ショッ
ト位置も隣接するショット領域間でその間隔が狭まる傾
向を有する。

【０１０２】ここで、ウエハＷが照明光から受けるエネ
ルギによる膨張量は、理論的な計算により、あるいは実
際にウエハＷに照明光を照射してその伸びを実測するこ
とにより求めることができるから、この値を照明時間と
の関係で補正データとして記憶保持しておき、この補正
データにより投影光学系による像倍率及び／又は像位置
を補正しつつ、各ショット領域に対して露光処理を行
う。即ち、露光済みのショット領域の数が増大するにつ
れて、像倍率及び／又はショット領域間の間隔を大きく
する。これにより、最初のショット領域から最後のショ
ット領域に至る全てのショット領域の大きさをほぼ均一
にでき、各ショット領域も均等に分散しショット配列も
歪みのない適正なものとなり、露光精度を高くすること
ができる。

【０１０３】４．重ね合わせ精度の向上に関する処理 以下の処理は、ファースト露光時とセカンド露光時の各
ショット領域の重ね合わせ精度を向上するための処理で
ある。上述のウエハの照明による熱膨張に対する処理及
びウエハの温度検出等に関する処理の一方又は双方と併
用することができる。

【０１０４】図１６に示されているように、ファースト
露光時に、ウエハＷ上の各ショット領域Ｓに対して２点
の基準マーク（例えば、回折格子マーク）ＷＭ１，ＷＭ
２を転写する。この基準マークＷＭ１，ＷＭ２は、レチ
クルのパターンに付随して形成された基準マスクパター
ンの像の転写により形成される。この基準マークＷＭ
１，ＷＭ２は特別に形成することなく、通常のアライメ
ントマークと兼用することができる。なお、ファースト
露光時に転写する基準マークの点数は、２点に限られ
ず、３点以上でもよい。特に、高精度が要求される場合
には、Ｘ方向に２点及びＹ方向に２点の計４点とするこ
とができる。

【０１０５】図１８は制御系によるセカンド露光時の処
理を示すフローチャートであり、スライダ４９Ａがウエ
ハＷを吸着保持してから、露光処理が終了されるまでの
処理が示されている。

【０１０６】まず、スカラー型ロボットハンド４７のハ
ンド部４５により吸着保持されて搬送されてきたウエハ
Ｗは、ターンテーブル５２等によりプリアライメント等
が行われ、その後、スライダ４９Ａは該ウエハＷを吸着
保持する。次いで、スライダ４９ＡをウエハホルダＷＨ
に向けて移動し、ウエハテーブル１０の近傍の受け渡し
位置に位置させるとともに、該ウエハＷをウエハホルダ
ＷＨに渡し、ウエハホルダＷＨにより該ウエハＷを吸着
保持させる（ＳＴ１）。

【０１０７】次いで、サーチアライメントを行い、その
後各ショット領域Ｓ毎に該基準マークＷＭ１，ＷＭ２の
計測を行う（ＳＴ２）。この計測は、通常のアライメン
トマークの計測と同様に行う。即ち、図示は省略する
が、この露光装置は、ＬＩＡ方式（レーザ干渉アライメ
ント方式）のアライメント系及びオフ・アクシス方式の
アライメント系等を備えており、これらにより基準マー
クＷＭ１，ＷＭ２の位置が検出される。ここで、ＬＩＡ
方式とは、ウエハＷ上の回折格子マークに対して可干渉
な２光束を照射して、その回折格子マークから同一方向
に発生する一対の回折光よりなる干渉光の位相に基づい
て位置検出を行う方式である。また、オフ・アクシス方
式とは、投影光学系から一定距離だけ離して設けた顕微
鏡によりウエハＷ上のマークを検出する方式であり、Ｌ
ＩＡ方式の前記の２光束とウエハＷ上の回折格子マーク
との位置決めのためにも使用される。なお、基準マーク
ＷＭ１，ＷＭ２は回折格子マークに限られず、その計測
方式も上記の方式に限られることはなく、他の方式でも
よい。

【０１０８】基準マークＷＭ１，ＷＭ２の位置の計測
は、全てのショット領域Ｓについて行うこともできる
が、スループットの低下を防止する観点から、全てのシ
ョット領域Ｓから全体を代表できるような数ショットを
選択し、選択したショット領域についてのみ計測を行う
ようにするとよい。例えば、図１６に示されるように、
全てのショット領域（１〜９）のうち（１，５，９）を
選択して計測を行う。

【０１０９】次に、計測した基準マークＷＭ１，ＷＭ２
間の距離に基づき、該ショット領域についてのショット
倍率（スケーリング値）を計算する（ＳＴ３）。その
後、図１７に示されるように、基準マークの計測を行わ
なかったショット領域（２，３，４，６，７，８）につ
いてのショット倍率を、計測を行ったショット領域
（１，５，９）のショット倍率に基づいて、補間するこ
とにより求める（ＳＴ４）。なお、補間方法は、一次近
似を用いることができるが、二次以上の近似でもよい。
これらの各ショット領域に対するショット倍率を補正デ
ータとして、メモリ（１２２）に記憶保持する（ＳＴ
５）。

【０１１０】その後、露光を行うショット領域に対応す
る補正データを取り出し、該補正データに基づき、ファ
ースト露光時のショット領域の大きさと実質的に同一の
大きさとなるように像倍率を補正し（ＳＴ６）、露光処
理を開始する（ＳＴ７）。一のショット領域に対する露
光処理が終了したならば、最後のショット領域まで露光
処理が終了したか否かを判断し（ＳＴ８）、終了してい
ない場合には、対応する補正データに従って補正を行い
つつ、露光処理を繰り返す（ＳＴ６，７，８）。

【０１１１】なお、上述の説明では像倍率についてのみ
補正を行うものとして説明しているが、これに加えて又
は単独で、計測した基準マークＷＭ１，ＷＭ２の位置に
基づき、各ショット領域のファースト露光時のショット
位置とのずれを算出して、これを補正データとして記憶
保持し、セカンド露光時に露光を行うショット領域に対
応する補正データを取り出し、該補正データに基づき、
ファースト露光時のショット位置と実質的に同一のショ
ット位置となるように像位置を補正して露光処理を行う
ことができる。

【０１１２】上述したように、この実施形態によると、
ファースト露光時とセカンド露光時のショット領域の大
きさや位置が実質的に等しくなり、パターンの重ね合わ
せ精度を高くすることができる。

【０１１３】なお、このような各ショット領域について
の補正処理は、ＥＧＡ（エンハンスド・グローバル・ア
ライメント）方式に基づく処理と併用することができ、
この場合には、前記基準マークＷＭ１，ＷＭ２を特別に
ウエハＷ上に形成することに代えて、ＥＧＡ方式を適用
するためにウエハＷ上に形成されるアライメントマーク
を用いることにするとともに、ＥＧＡ方式の適用の必用
のために間欠的に計測されたアライメントマークの位置
に基づいて、各ショット領域のショット倍率等を補間計
算するようにすれば、スループットの低下を極力抑える
ことができる。

【０１１４】ここで、ＥＧＡ方式とは、ウエハＷ上の複
数のショット領域に付随したアライメントマークの位置
を間欠的に計測した後、ウエハＷの中心位置のオフセッ
ト、ウエハＷの伸縮度、ウエハＷの残存回転量、及びシ
ョット領域の配列の直交度の計６つのパラメータを、マ
ークの設定位置とマークの計測位置との差に基づいて統
計的な手法で決定するもので、決定されたパラメータの
値に基づいて、重ね合わせ露光すべきショット領域の位
置を設定位置から補正して順次ウエハステージをステッ
ピングさせていく方式である。

【０１１５】なお、本発明は、上述した実施形態に限定
されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変する
ことができる。例えば、チャンバの中に収納される装置
本体としては、薄膜磁気ヘッド用の縮小投影露光装置に
限らず、角形のガラスプレートに液晶表示素子パターン
を露光する液晶露光装置、その他の露光装置であっても
良い。

【０１１６】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明による
と、スループットを短縮できるとともに、露光精度を向
上することができる。また、パターンの重ね合わせ精度
を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施形態に係る露光装置の平面断面
図である。

【図２】 図１に示すＡ−Ａ線に沿う断面図である。

【図３】 図１に示すＢ部の詳細を示す図である。

【図４】 図３に示すＣ−Ｃ線に沿う断面図である。

【図５】 図１に示す保管棚のＤ方向から見た矢視図で
ある。

【図６】 図５に示すＥ−Ｅ線に沿う断面図である。

【図７】 図３に示すＦ−Ｆ線に沿う断面図である。

【図８】 図１に示す調整台付近のセンサの他の例を示
す拡大平面図である。

【図９】 図１に示すウエハステージの近傍の拡大平面
図である。

【図１０】 本発明の実施形態の制御系の構成を示すブ
ロック図である。

【図１１】 本発明の実施形態の制御系による第１処理
を示すフローチャートである。

【図１２】 本発明の実施形態の制御系による第２処理
を示すフローチャートである。

【図１３】 本発明の実施形態のウエハ吸着前後におけ
るウエハホルダの温度変化を示す図である。

【図１４】 本発明の実施形態の制御系による第３処理
を示すフローチャートである。

【図１５】 ウエハの各ショット領域の露光順序を示す
図であり、（ａ）は従来の露光順序を、（ｂ）は本発明
の実施形態の露光順序を示している。

【図１６】 本発明の実施形態の基準マークの計測を行
うショット領域の一例を示す図である。

【図１７】 本発明の実施形態の基準マークの計測を行
わないショット領域のショット倍率の補間方法を説明す
るための図である。

【図１８】 本発明の実施形態の制御系による重ね合わ
せ精度を向上するための処理を示すフローチャートであ
る。

【符号の説明】 Ｗ… ウエハ（感光基板） ＷＨ…ウエハホルダ（基板ホルダ） １０… ウエハステージ ２２Ａ，５５… 保管棚 ３１，３２，３３… 独立チャンバ ３８… ウエハローダ系 ４７… スカラー型ロボットハンド、 ４８… 縦スライダ本体 ４９Ａ，４９Ｂ… スライダ（搬送アーム） ５２… ターンテーブル １００… 露光装置 １１１〜１１５… 温度センサ １２０… 制御系

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 感光基板の温度を計測し、計測された温
   度又は該温度の変化率が予め設定された許容範囲に入っ
   た後に、該感光基板に対する露光処理を行うことを特徴
   とする露光方法。
2. 【請求項２】 感光基板の温度を計測し、該感光基板を
   着脱自在に保持する基板ホルダの温度を計測し、計測さ
   れた前記基板ホルダの温度と前記感光基板の温度との温
   度差が予め設定された許容範囲に入った後に、該感光基
   板に対する露光処理を行うことを特徴とする露光方法。
3. 【請求項３】 感光基板を基板ホルダとの受け渡し位置
   まで搬送する基板搬送装置により搬送中の感光基板の温
   度を計測し、計測された温度又は該温度の変化率が予め
   設定された許容範囲に入った後に、該感光基板を該基板
   ホルダに保持させて露光処理を行うことを特徴とする露
   光方法。
4. 【請求項４】 感光基板を着脱自在に保持する基板ホル
   ダの温度を計測し、感光基板を搬送して該基板ホルダに
   保持させる基板搬送装置により搬送中の感光基板の温度
   を計測し、計測された前記基板ホルダの温度と前記感光
   基板の温度との温度差が予め設定された許容範囲に入っ
   た後に、該感光基板を該基板ホルダに保持させて露光処
   理を行うことを特徴とする露光方法。
5. 【請求項５】 感光基板をステップ移動させつつ、照明
   されたマスクからのパターンの像を該感光基板上に投影
   することにより、該感光基板上にマトリックス状に配列
   される複数のショット領域に対してパターンを転写する
   ようにした露光方法において、 前記各ショット領域に対する露光処理を、該各ショット
   領域のうちの概略中心に位置するショット領域から開始
   して、該開始ショット領域を取り囲むショット領域に対
   して行い、さらに露光処理後のショット領域を取り囲む
   ショット領域に対して以下同様に行うことを特徴とする
   露光方法。
6. 【請求項６】 前記各ショット領域に対する露光処理
   は、露光処理直後のショット領域に隣り合わない未露光
   のショット領域がある場合には、該隣り合わないショッ
   ト領域に対して行うことを特徴とする請求項５記載の露
   光方法。
7. 【請求項７】 感光基板をステップ移動させつつ、照明
   されたマスクからのパターンの像を該感光基板上に投影
   することにより、該感光基板上の複数のショット領域に
   対してパターンを転写するようにした露光方法におい
   て、 前記各ショット領域に対して順次行われる露光処理によ
   り前記感光基板が受けるエネルギによる該感光基板の膨
   張特性を予め求め、 前記感光基板の各ショット領域に対する１回目の露光時
   に、該膨張特性に基づき各ショット領域に対する像倍率
   を補正しつつ露光処理を行うととともに、該感光基板上
   の各ショット領域に対して基準マークを転写し、 前記感光基板の各ショット領域に対する２回目以後の露
   光時に、前記基準マークの位置を計測し、該計測結果に
   基づき各ショット領域の大きさの変化量を求め、該変化
   量に基づき各ショット領域に対する像倍率を補正しつつ
   露光処理を行うことを特徴とする露光方法。
8. 【請求項８】 感光基板をステップ移動させつつ、照明
   されたマスクからのパターンの像を該感光基板上に投影
   することにより、該感光基板上の複数のショット領域に
   対してパターンを転写するようにした露光方法におい
   て、 前記感光基板の各ショット領域に対する１回目の露光時
   に、該感光基板上の各ショット領域に対して、互いに離
   間する少なくとも２点の基準マークを転写し、 前記感光基板の各ショット領域に対する２回目以後の露
   光時に、前記各ショット領域のうちの複数のショット領
   域について前記基準マークの位置を計測し、該計測結果
   に基づき該基準マークの計測を行ったショット領域の大
   きさ及び位置の変化量の少なくとも一方であるショット
   情報を求めるとともに、該基準マークの計測を行わない
   ショット領域のショット情報を該基準マークの計測を行
   ったショット領域のショット情報に基づき補間してこれ
   らを補正データとし、該補正データに基づき前記感光基
   板の各ショット領域に対する像倍率及び像位置の少なく
   とも一方を補正しつつ露光処理を行うことを特徴とする
   露光方法。
9. 【請求項９】 磁気ヘッド製造用の露光装置に適用され
   ることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の
   露光方法。
10. 【請求項１０】 請求項１乃至８のいずれかに記載の露
    光方法が適用されたことを特徴とする磁気ヘッド製造用
    の露光装置。