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JPH11251619A - Photo interrupter manufacturing method - Google Patents

Photo interrupter manufacturing method

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Publication number
JPH11251619A
JPH11251619A JP5048698A JP5048698A JPH11251619A JP H11251619 A JPH11251619 A JP H11251619A JP 5048698 A JP5048698 A JP 5048698A JP 5048698 A JP5048698 A JP 5048698A JP H11251619 A JPH11251619 A JP H11251619A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
slit
photointerrupter
manufacturing
receiving element
Prior art date
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Granted
Application number
JP5048698A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3486335B2 (en
Inventor
Akishi Yamaguchi
陽史 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP05048698A priority Critical patent/JP3486335B2/en
Publication of JPH11251619A publication Critical patent/JPH11251619A/en
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  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、フォトインタラプタの光通路用ス
リット形成時に、高額な金型を必要とせずにスリットの
サイズ変更が可能で、発光素子及び受光素子を破壊する
ことなく、高分解能のフォトインタラプタが製造可能な
フォトインタラプタの製造方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】 リードフレーム4に発光素子1及び受光
素子2を搭載して内部結線し、その周囲を透光性樹脂5
によりモールドした後、透光性樹脂5の表面を遮光性材
料により被覆し、該遮光性材料の一部を除去して光通路
用スリット5aを形成するフォトインタラプタの製造方
法において、光通路用スリット5a形成工程では、遮光
性材料として光硬化性材料6を用い、マスク7による露
光により光通路用スリット5aの形成を行う。
(57) [Problem] To provide a light-emitting element and a light-receiving element without breaking a light-emitting element and a light-receiving element when forming a slit for an optical path of a photo-interrupter without requiring an expensive mold. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a photointerrupter capable of manufacturing a high-resolution photointerrupter. SOLUTION: A light emitting element 1 and a light receiving element 2 are mounted on a lead frame 4 and internally connected to each other.
In the method for manufacturing a photointerrupter in which the surface of the light-transmitting resin 5 is covered with a light-blocking material and a part of the light-blocking material is removed to form the light-path slit 5a, In the step of forming 5a, a light-curable material 6 is used as a light-shielding material, and a light path slit 5a is formed by exposure with a mask 7.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、被検査物の有無を
非接触、無接点で検出できるフォトインタラプタの製造
方法に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a method for manufacturing a photointerrupter capable of detecting the presence or absence of an inspection object in a non-contact and non-contact manner.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の透過型のフォトインタラプタの製
造方法について、図5を用いて説明する。なお、図5に
おいて、(a)は平面図、(b)は正面図、(c)は側
面図、(d)は(b)の切断線A−A’における断面図
である。図5に示すように、このフォトインタラプタ
は、発光素子1及び受光素子が、リードフレーム4に搭
載され、金線3により内部結線され、透光性樹脂25に
よりモールドされる。そして、光の出入りする部分(光
通路用スリット)25aを露出するように、その周囲を
遮光性樹脂26で覆うように一体成形されているもので
ある。
2. Description of the Related Art A conventional method for manufacturing a transmission type photointerrupter will be described with reference to FIG. 5A is a plan view, FIG. 5B is a front view, FIG. 5C is a side view, and FIG. 5D is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. As shown in FIG. 5, in this photo interrupter, a light emitting element 1 and a light receiving element are mounted on a lead frame 4, internally connected by gold wires 3, and molded with a light transmitting resin 25. The light-shielding resin 26 is integrally formed so as to expose a portion (a slit for light passage) 25a through which light enters and exits.

【0003】このとき、スリット25aの幅は、透光性
樹脂25用の金型による成形で決定されるため、金型加
工の精度及び成形時の寸法精度によって大きく変化す
る。
At this time, since the width of the slit 25a is determined by molding using a mold for the translucent resin 25, the width greatly changes depending on the precision of the mold processing and the dimensional accuracy at the time of molding.

【0004】次に、従来の反射型のフォトインタラプタ
の製造方法について、図6を用いて説明する。なお、図
6において、(a)は正面図、(b)は底面図、(c)
は(a)の切断線A−A’における断面図である。図6
に示すように、このフォトインタラプタは、発光素子1
及び受光素子が、リードフレーム4に搭載され、金線3
により内部結線され、それぞれ独立して透光性樹脂35
によりモールドされる。そして、その周囲の表面を、塗
料等を含む樹脂36で所定の厚さ被覆する。
Next, a method for manufacturing a conventional reflection type photointerrupter will be described with reference to FIG. 6A is a front view, FIG. 6B is a bottom view, and FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view taken along a cutting line AA ′ in FIG. FIG.
As shown in FIG.
And the light receiving element are mounted on the lead frame 4 and the gold wire 3
And the light-transmitting resin 35 is independently connected to each other.
Is molded. Then, the surrounding surface is coated with a resin 36 containing a paint or the like to a predetermined thickness.

【0005】それから、光の出入りする部分(光通路用
スリット)35aを形成するために、樹脂36のスリッ
ト35aを形成する部分をレーザで焼き切ってその部分
を露出させる。
[0005] Then, in order to form a portion (slit for light passage) 35a through which light enters and exits, a portion of the resin 36 where the slit 35a is formed is burned off with a laser to expose that portion.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来のフォトインタラプタの製造方法では、以下のよう
な課題があった。
However, the above-described conventional method for manufacturing a photointerrupter has the following problems.

【0007】まず、図5に示した透過型のものでは、ス
リット25aの幅が、透光性樹脂25成形時の金型によ
り決定される。ところが、スリット25aの幅は、金型
加工上及び成形プロセス上、0.15mm程度が限界で
あり、これより狭い幅のスリット幅の形成は困難であっ
た。また、フォトインタラプタ製造上、スリット幅を変
更する場合、その都度高額な成形用金型が必要となって
いた。
First, in the case of the transmission type shown in FIG. 5, the width of the slit 25a is determined by the mold used for molding the translucent resin 25. However, the width of the slit 25a is limited to about 0.15 mm in terms of a mold processing and a molding process, and it is difficult to form a narrower slit width than this. In addition, in the case of changing the slit width in manufacturing the photointerrupter, an expensive molding die is required each time.

【0008】また、図6に示した反射型のものでは、ス
リット35aを形成するのに、樹脂8をレーザで焼き切
る瞬間に、レーザ光が透光性樹脂35を透過してその内
部の発光素子1又は受光素子2にまで到達して、それら
の素子を破壊してしまうという問題があった。
In the reflection type shown in FIG. 6, when forming the slit 35a, the laser beam is transmitted through the translucent resin 35 at the moment when the resin 8 is burned off by a laser, and the light emitting element inside the resin 8 is formed. 1 or the light receiving element 2, and there is a problem that those elements are destroyed.

【0009】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたものであって、フォトインタラプタの光通
路用スリット形成時に、高額な金型を必要とせずにスリ
ットのサイズ変更が可能で、発光素子及び受光素子を破
壊することなく、高分解能のフォトインタラプタが製造
可能なフォトインタラプタの製造方法を提供することを
目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is possible to change the size of a slit without forming an expensive mold when forming a slit for a light path of a photo-interrupter. It is another object of the present invention to provide a method of manufacturing a photointerrupter capable of manufacturing a high-resolution photointerrupter without breaking a light emitting element and a light receiving element.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項1に記載の発明では、リードフレームに発光
素子及び受光素子を搭載して内部結線し、その周囲を透
光性樹脂によりモールドした後、その透光性樹脂の表面
を遮光性材料により被覆し、その遮光性材料の一部を除
去して光通路用スリットを形成するフォトインタラプタ
の製造方法において、光通路用スリット形成工程では、
遮光性材料として光硬化性材料を用い、マスクによる露
光により光通路用スリットの形成を行うこととしてい
る。
According to the first aspect of the present invention, a light emitting element and a light receiving element are mounted on a lead frame and internally connected to each other, and the periphery of the light emitting element and the light receiving element is made of a transparent resin. After molding, the light-transmitting resin is coated on its surface with a light-shielding material, and a part of the light-shielding material is removed to form an optical-path slit. Then
A light-curable material is used as the light-shielding material, and the slit for the light path is formed by exposure using a mask.

【0011】請求項1に記載の発明によれば、光通路用
スリット形成工程において、遮光性材料として光硬化性
材料を用い、マスクによる露光により光通路用スリット
の形成を行うので、高額な金型を必要とせずにスリット
のサイズ変更が可能で、発光素子及び受光素子を破壊す
ることなく、高分解能のフォトインタラプタを製造する
ことが可能となる。
According to the first aspect of the present invention, in the light path slit forming step, a light curable material is used as a light shielding material, and the light path slit is formed by exposure using a mask, so that expensive gold is used. The size of the slit can be changed without using a mold, and a high-resolution photointerrupter can be manufactured without destroying the light emitting element and the light receiving element.

【0012】さらに、請求項2に記載の発明では、請求
項1に記載のフォトインタラプタの製造方法において、
透光性樹脂によりモールド工程では、発光素子部分と受
光素子部分とを独立して、かつ同一フレームにより接続
されるように透光性樹脂によりモールドし、光通路用ス
リット形成工程の後に、発光素子部分と受光素子部分と
を接続するフレームを折り曲げて、発光素子側の光通路
用スリットと受光素子側の光通路用スリットを対向させ
ることとしている。
Further, according to the invention described in claim 2, in the method for manufacturing a photointerrupter described in claim 1,
In the step of molding with a light-transmitting resin, the light-emitting element portion and the light-receiving element portion are molded with a light-transmitting resin independently and connected by the same frame. The frame connecting the portion and the light receiving element is bent so that the light path slit on the light emitting element side and the light path slit on the light receiving element side face each other.

【0013】請求項2に記載の発明によれば、透光性樹
脂によりモールド工程において、発光素子部分と受光素
子部分とを独立して、かつ同一フレームにより接続され
るように透光性樹脂によりモールドし、光通路用スリッ
ト形成工程の後に、発光素子部分と受光素子部分とを接
続するフレームを折り曲げて、発光素子側の光通路用ス
リットと受光素子側の光通路用スリットを対向させるよ
うにしているので、透過型においても、高額な金型を必
要とせずにスリットのサイズ変更が可能で、発光素子及
び受光素子を破壊することなく、高分解能のフォトイン
タラプタを製造することが可能となる。
According to the second aspect of the present invention, in the molding step using the light-transmitting resin, the light-emitting element portion and the light-receiving element portion are formed independently by the light-transmitting resin so as to be connected by the same frame. After molding and forming the slit for the light path, the frame connecting the light emitting element part and the light receiving element part is bent so that the light path slit on the light emitting element side and the light path slit on the light receiving element side face each other. Therefore, even in the transmission type, the size of the slit can be changed without requiring an expensive mold, and a high-resolution photointerrupter can be manufactured without breaking the light emitting element and the light receiving element. .

【0014】さらに、請求項3に記載の発明では、請求
項1又は2に記載のフォトインタラプタの製造方法にお
いて、光硬化性材料から成る遮光性材料被膜の厚さを約
50μmとすることとしている。
According to a third aspect of the present invention, in the method for manufacturing a photointerrupter according to the first or second aspect, the thickness of the light-shielding material film made of a photocurable material is set to about 50 μm. .

【0015】請求項3に記載の発明によれば、光硬化性
材料から成る遮光性材料被膜の厚さを約50μmとし
て、その膜厚を遮光効果やプロセスを考慮して最適化し
ているので、充分にその役割を果たし、プロセス上負担
とならず、コストを抑えて、光硬化性樹脂を遮光性材料
被膜に用いることができる。
According to the third aspect of the present invention, the thickness of the light-shielding material film made of a photocurable material is set to about 50 μm, and the film thickness is optimized in consideration of the light-shielding effect and the process. The photocurable resin can be used for the light-shielding material coating while sufficiently fulfilling its role, not burdening the process, and reducing the cost.

【0016】さらに、請求項4に記載の発明では、請求
項1、2、又は3に記載のフォトインタラプタの製造方
法において、光通路用スリットの幅を50〜100μm
とすることとしている。
According to a fourth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a photointerrupter according to the first, second, or third aspect, the width of the slit for the optical path is 50 to 100 μm.
It is decided to be.

【0017】請求項4に記載の発明によれば、光通路用
スリットの幅を50〜100μmとして、従来の金型成
形では限界であった0.15mm程度より狭い光通路用
スリット幅を、従来のレーザ焼き付けによるスリット形
成を用いずに実現可能となるので、発光素子及び受光素
子を破壊することなく、高分解能のフォトインタラプタ
を製造することが可能となる。
According to the fourth aspect of the present invention, the width of the slit for the optical path is set to 50 to 100 μm, and the width of the slit for the optical path, which is narrower than the limit of about 0.15 mm in the conventional molding, is reduced. Therefore, it is possible to manufacture a high-resolution photointerrupter without destroying the light emitting element and the light receiving element without using a slit formed by laser baking.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。なお、以下の説明におい
て、前述の従来技術と同じ構成には、同一符号を用い
る。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following description, the same reference numerals are used for the same components as those of the above-described conventional technology.

【0019】第1の実施形態として、反射型のフォトイ
ンタラプタの製造方法について、その要部断面図である
図1を用いて説明する。まず、リードフレーム4に発光
素子1と受光素子2とを搭載し金線3により内部結線す
る。そして、発光素子1を含む部分と受光素子2を含む
部分とが独立するように、透光性樹脂5によりモールド
(1次モールド)する(図1(a))。その後、モール
ド樹脂(透光性樹脂)5の表面に、光硬化性材料6を約
50μmの厚さで塗布し仮硬化する(図1(b))。
As a first embodiment, a method of manufacturing a reflection type photointerrupter will be described with reference to FIG. First, the light emitting element 1 and the light receiving element 2 are mounted on the lead frame 4 and are internally connected by the gold wire 3. Then, molding (primary molding) is performed with the translucent resin 5 so that the portion including the light emitting element 1 and the portion including the light receiving element 2 are independent (FIG. 1A). Thereafter, a photo-curable material 6 is applied to the surface of the mold resin (translucent resin) 5 at a thickness of about 50 μm and is temporarily cured (FIG. 1B).

【0020】なお、仮硬化とは、塗布した液状のフォト
レジストを固化するものであり、例えば、オーブンで数
十分程度熱処理を施すものである。また、本実施形態で
は、光硬化性材料6として、紫外線硬化材料であるネガ
タイプのフォトレジストを用いた。
The temporary curing is to solidify the applied liquid photoresist, for example, to perform a heat treatment for about tens of minutes in an oven. In the present embodiment, a negative type photoresist which is an ultraviolet curable material is used as the photocurable material 6.

【0021】次に、光通過用スリット5aを形成する領
域のみ、紫外線が照射されないマスクを、光通過用スリ
ット5a形成面に配置し、紫外線の露光を行う。する
と、本実施形態では、光硬化性材料6としてネガタイプ
のフォトレジストを用いたので、紫外線が照射された箇
所はレジストが完全硬化する(図1(c))。
Next, a mask which is not irradiated with ultraviolet rays only on the area where the light passing slits 5a are to be formed is arranged on the surface where the light passing slits 5a are formed, and is exposed to ultraviolet rays. Then, in the present embodiment, since the negative type photoresist is used as the photocurable material 6, the resist is completely cured at the portion irradiated with the ultraviolet rays (FIG. 1C).

【0022】次に、これをエッチング液に浸漬して、紫
外線が照射されなかった部分のレジストを除去すること
により、光通過用スリット5aを形成する(図1
(d))。
Next, this is immersed in an etching solution to remove a portion of the resist that has not been irradiated with ultraviolet rays, thereby forming a slit 5a for passing light (FIG. 1).
(D)).

【0023】その後、リードカットフォーミング(外部
のリードフレームに対する切断、折り曲げ等による形状
加工)を施すことにより、図2の斜視図に示すような反
射型のフォトインタラプタを製造することができる。
Thereafter, by performing lead cut forming (shape processing by cutting, bending or the like on an external lead frame), a reflection type photo interrupter as shown in the perspective view of FIG. 2 can be manufactured.

【0024】第2の実施形態として、透過型のフォトイ
ンタラプタの製造方法について、図3を用いて説明す
る。なお、図3において、(a)は平面図、(b)は正
面図、(c)は右側面図、(d)は斜視図である。
As a second embodiment, a method of manufacturing a transmission type photointerrupter will be described with reference to FIG. 3, (a) is a plan view, (b) is a front view, (c) is a right side view, and (d) is a perspective view.

【0025】この透過型のフォトインタラプタは、図1
及び図2に示した第1の実施形態とほぼ同様にして製造
させるものである。本実施形態において、上記第1の実
施形態と異なる点は、上記第1の実施形態のリードフレ
ーム4(図1,2参照)を、図3に示すような、接続用
フレームであるリードフレーム4’に変更した点であ
る。すなわち、本実施形態では、リードカットフォーミ
ングのときに、発光素子1側の光通路用スリット5aと
受光素子2側の光通路用スリット5aが対向するよう
に、リードフレーム4’に対して折り曲げ加工を施すこ
とにより、図3に示すような透過型のフォトインタラプ
タを製造するものである。
This transmission type photo interrupter is shown in FIG.
And it is manufactured in substantially the same manner as the first embodiment shown in FIG. The present embodiment is different from the first embodiment in that the lead frame 4 (see FIGS. 1 and 2) of the first embodiment is replaced with a lead frame 4 which is a connection frame as shown in FIG. Is changed to '. That is, in the present embodiment, at the time of lead cut forming, the lead frame 4 'is bent so that the light path slit 5a on the light emitting element 1 side and the light path slit 5a on the light receiving element 2 face each other. Is applied to produce a transmission type photo interrupter as shown in FIG.

【0026】なお、上記第1の実施形態及び第2の実施
形態いずれにおいても、光通過用スリット5aの幅を5
0〜100μmとして、容易に形成することができた。
In both the first embodiment and the second embodiment, the width of the light passing slit 5a is set to 5 mm.
It could be easily formed with a thickness of 0 to 100 μm.

【0027】上記第1の実施形態及び第2の実施形態に
よれば、光通路用スリット形成工程において、遮光性材
料として紫外線硬化性材料を用い、マスクを用いた紫外
線硬化性材料照射により光通路用スリットの形成を行っ
たので、高額な金型を必要とせずにスリットのサイズ変
更が可能で、発光素子及び受光素子を破壊することな
く、高分解能のフォトインタラプタを製造することがで
きた。さらに、紫外線硬化性材料の膜厚を約50μmと
し、その膜厚を遮光効果やプロセスを考慮して最適化し
たので、充分にその役割を果たし、プロセス上負担とな
らず、コストを抑えて、光硬化性樹脂を遮光性材料被膜
に用いることができた。
According to the first and second embodiments, in the step of forming the slit for the light path, an ultraviolet curable material is used as the light-shielding material, and the light path is irradiated by irradiating the ultraviolet light curable material using a mask. Since the slits were formed, the size of the slits could be changed without requiring an expensive mold, and a high-resolution photointerrupter could be manufactured without destroying the light emitting element and the light receiving element. Furthermore, the thickness of the ultraviolet curable material is set to about 50 μm, and the thickness is optimized in consideration of the light-shielding effect and the process. The photocurable resin could be used for the light-shielding material film.

【0028】また、第2の実施形態によれば、透光性樹
脂によりモールド工程において、発光素子部分と受光素
子部分とを独立して、かつ同一フレームにより接続され
るように透光性樹脂によりモールドし、光通路用スリッ
ト形成工程の後に、発光素子部分と受光素子部分とを接
続するフレームを折り曲げて、発光素子側の光通路用ス
リットと受光素子側の光通路用スリットを対向させるよ
うにしたので、透過型においても、高額な金型を必要と
せずにスリットのサイズ変更が可能で、発光素子及び受
光素子を破壊することなく、高分解能のフォトインタラ
プタを製造することができた。
Further, according to the second embodiment, in the molding step using the light-transmitting resin, the light-emitting element portion and the light-receiving element portion are formed with the light-transmitting resin so as to be connected independently and by the same frame. After the molding and the slit forming step for the light path, the frame connecting the light emitting element part and the light receiving element part is bent so that the light path slit on the light emitting element side and the light path slit on the light receiving element face each other. Therefore, even in the transmission type, the size of the slit can be changed without requiring an expensive mold, and a high-resolution photointerrupter can be manufactured without breaking the light emitting element and the light receiving element.

【0029】次に、上記第1,2の実施形態のように、
フォトインタラプタの光通過用スリット幅を50〜10
0μmにできることの有効性について説明する。現在の
パーソナルコンピュータにおいては、その周辺機器とし
てCD−ROM装置を使用することが一般化している。
フォトインタラプタは、そのCD−ROM装置に用いら
れている。CD−ROM装置の基本構成について、その
概略構成図である図4を用いて説明する。
Next, as in the first and second embodiments,
The slit width for light passage of the photo interrupter is 50 to 10
The effectiveness of being able to be 0 μm will be described. In personal computers at present, it is common to use a CD-ROM device as a peripheral device.
The photo interrupter is used in the CD-ROM device. The basic configuration of a CD-ROM device will be described with reference to FIG.

【0030】図4に示したCD−ROM装置は、CD−
ROMディスク11からの情報を読み取る光ピックアッ
プ12と、スクリュー状の溝を備えて回転により光ピッ
クアップ12を前後に移動させるシャフト13と、シャ
フト13に接続されそれに動力を伝達するギア14と、
ギア14を介してシャフト13に動力を付与するモータ
15と、モータ15に連結されその回転数を検出するた
めにスリットが設けられた回転ディスク16とを備えて
構成されるものである。
The CD-ROM device shown in FIG.
An optical pickup 12 for reading information from the ROM disk 11, a shaft 13 having a screw-shaped groove for moving the optical pickup 12 back and forth by rotation, a gear 14 connected to the shaft 13 and transmitting power thereto,
It comprises a motor 15 for applying power to the shaft 13 via a gear 14, and a rotating disk 16 connected to the motor 15 and provided with a slit for detecting the number of rotations.

【0031】そして、回転ディスク16の回転数の検出
に、フォトインタラプタ17が用いられ、その検出結果
に応じて、光ピックアップ12の位置を制御している。
したがって、このような構成では、CD−ROMのアク
セスタイムを向上させようとすると、光ピックアップ1
2の位置をできるだけ高精度に制御する必要がある。そ
のためには、フォトインタラプタ17の光通過用スリッ
トの幅を小さくできればよい。具体的には、現時点で
は、100μm程度のスリット幅が必要であるといわれ
ている。
A photo interrupter 17 is used to detect the number of rotations of the rotary disk 16, and the position of the optical pickup 12 is controlled according to the detection result.
Therefore, in such a configuration, if an attempt is made to improve the access time of the CD-ROM, the optical pickup 1
It is necessary to control the position 2 as accurately as possible. For that purpose, the width of the light passing slit of the photo interrupter 17 may be reduced. Specifically, at present, it is said that a slit width of about 100 μm is required.

【0032】さらに、将来的には、書き換え型の光ディ
スクが、コンピュータの周辺機器ばかりでなく、映像記
録用機器等、様々な情報記録への応用が期待されてい
る。そのようなときには、さらに、幅の狭い光通過用ス
リットを備えたフォトインタラプタが必要となってく
る。
Further, in the future, rewritable optical disks are expected to be applied not only to peripheral devices of computers but also to various information recording devices such as video recording devices. In such a case, a photo-interrupter having a narrow slit for light passage is required.

【0033】したがって、上記第1,2の実施形態のフ
ォトインタラプタのように、光通過用スリットの幅を5
0〜100μmに狭くできるということは、上記の現在
ばかりか将来的に期待されている光ディスク装置におい
て、高精度な光ピックアップの位置制御を可能にすると
いう効果をもたらすものである。
Therefore, like the photointerrupters of the first and second embodiments, the width of the slit for passing light is 5
The fact that the width can be narrowed to 0 to 100 μm has the effect of enabling high-precision optical pickup position control in the above-described present and future optical disk devices.

【0034】[0034]

【発明の効果】以上のように、請求項1に記載の発明に
よれば、光通路用スリット形成工程において、遮光性材
料として光硬化性材料を用い、マスクによる露光により
光通路用スリットの形成を行うので、高額な金型を必要
とせずにスリットのサイズ変更が可能で、発光素子及び
受光素子を破壊することなく、高分解能のフォトインタ
ラプタを製造することが可能となる。
As described above, according to the first aspect of the present invention, in the light path slit forming step, a light curable material is used as the light shielding material, and the light path slit is formed by exposure using a mask. Therefore, the size of the slit can be changed without requiring an expensive mold, and a high-resolution photointerrupter can be manufactured without breaking the light emitting element and the light receiving element.

【0035】さらに、請求項2に記載の発明によれば、
透光性樹脂によりモールド工程において、発光素子部分
と受光素子部分とを独立して、かつ同一フレームにより
接続されるように透光性樹脂によりモールドし、光通路
用スリット形成工程の後に、発光素子部分と受光素子部
分とを接続するフレームを折り曲げて、発光素子側の光
通路用スリットと受光素子側の光通路用スリットを対向
させるようにしているので、透過型においても、高額な
金型を必要とせずにスリットのサイズ変更が可能で、発
光素子及び受光素子を破壊することなく、高分解能のフ
ォトインタラプタを製造することが可能となる。
Further, according to the second aspect of the present invention,
In the molding step with the light-transmitting resin, the light-emitting element portion and the light-receiving element portion are molded with the light-transmitting resin so as to be connected independently and by the same frame. The frame connecting the part and the light receiving element is bent so that the light path slit on the light emitting element side and the light path slit on the light receiving element face each other. The size of the slit can be changed without the necessity, and a high-resolution photointerrupter can be manufactured without breaking the light emitting element and the light receiving element.

【0036】さらに、請求項3に記載の発明によれば、
光硬化性材料から成る遮光性材料被膜の厚さを約50μ
mとして、その膜厚を遮光効果やプロセスを考慮して最
適化しているので、充分にその役割を果たし、プロセス
上負担とならず、コストを抑えて、光硬化性樹脂を遮光
性材料被膜に用いることができる。
Further, according to the third aspect of the present invention,
The thickness of the light-shielding material film made of a photocurable material is about 50 μm.
As m, the film thickness is optimized in consideration of the light-shielding effect and the process, so it plays a sufficient role, does not impose a burden on the process, suppresses the cost, and converts the photocurable resin into a light-shielding material film. Can be used.

【0037】さらに、請求項4に記載の発明によれば、
光通路用スリットの幅を50〜100μmとして、従来
の金型成形では限界であった0.15mm程度より狭い
光通路用スリット幅を、従来のレーザ焼き付けによるス
リット形成を用いずに実現可能となるので、発光素子及
び受光素子を破壊することなく、高分解能のフォトイン
タラプタを製造することが可能となる。
Further, according to the invention described in claim 4,
By setting the width of the slit for the optical path to 50 to 100 μm, a slit width for the optical path that is narrower than the limit of about 0.15 mm in the conventional mold molding can be realized without using the conventional slitting by laser printing. Therefore, a high-resolution photointerrupter can be manufactured without breaking the light emitting element and the light receiving element.

【0038】また、光通過用スリットの幅を50〜10
0μmに狭くできるということは、CD−ROM装置を
はじめとし、様々な情報記録に用いられる光ディスク装
置において、高精度な光ピックアップの位置制御を可能
にする。
Further, the width of the light passing slit is set to 50 to 10
The fact that the width can be reduced to 0 μm enables highly accurate position control of an optical pickup in an optical disk device used for various information recording such as a CD-ROM device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態の反射型フォトインタ
ラプタの製造方法を説明するための要部断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a main part for describing a method for manufacturing a reflective photointerrupter according to a first embodiment of the present invention.

【図2】第1の実施形態により製造された反射型フォト
インタラプタの概略構造を示す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing a schematic structure of a reflective photointerrupter manufactured according to the first embodiment.

【図3】第2の実施形態の透過型フォトインタラプタの
概略構造を示す図であり、(a)は平面図、(b)は正
面図、(c)は右側面図、(d)は斜視図である。
3A and 3B are diagrams illustrating a schematic structure of a transmission type photointerrupter according to a second embodiment, wherein FIG. 3A is a plan view, FIG. 3B is a front view, FIG. 3C is a right side view, and FIG. FIG.

【図4】CD−ROM装置の基本構成を示す概略構成図
である。
FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing a basic configuration of a CD-ROM device.

【図5】従来の透過型フォトインタラプタの概略構造を
示す図あり、(a)は平面図、(b)は正面図、(c)
は側面図、(d)は(b)の切断線A−A’における断
面図である。
5A and 5B are diagrams showing a schematic structure of a conventional transmission type photointerrupter, wherein FIG. 5A is a plan view, FIG. 5B is a front view, and FIG.
Is a side view, and (d) is a cross-sectional view taken along a cutting line AA ′ in (b).

【図6】従来の反射型フォトインタラプタの概略構造を
示す図あり、(a)は正面図、(b)は底面図、(c)
は(a)の切断線A−A’における断面図である。
6A and 6B are diagrams showing a schematic structure of a conventional reflective photointerrupter, wherein FIG. 6A is a front view, FIG. 6B is a bottom view, and FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view taken along a cutting line AA ′ in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 発光素子 2 受光素子 4,4’ リードフレーム 5 透光性樹脂 5a 光通過用スリット 6 光硬化性材料 7 マスク DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Light emitting element 2 Light receiving element 4, 4 'Lead frame 5 Translucent resin 5a Light slit 6 Light curable material 7 Mask

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 リードフレームに発光素子及び受光素子
を搭載して内部結線し、その周囲を透光性樹脂によりモ
ールドした後、該透光性樹脂の表面を遮光性材料により
被覆し、該遮光性材料の一部を除去して光通路用スリッ
トを形成するフォトインタラプタの製造方法において、 前記光通路用スリット形成工程では、遮光性材料として
光硬化性材料を用い、マスクによる露光により光通路用
スリットの形成を行うことを特徴とフォトインタラプタ
の製造方法。
1. A light-emitting element and a light-receiving element are mounted on a lead frame and internally connected to each other, and the periphery thereof is molded with a light-transmitting resin. In the method of manufacturing a photointerrupter for forming a slit for an optical path by removing a part of a light-transmitting material, the step of forming a slit for an optical path includes using a photocurable material as a light-shielding material, and exposing the optical path by a mask. Forming a slit, and a method for manufacturing a photo interrupter.
【請求項2】 請求項1に記載のフォトインタラプタの
製造方法において、 前記透光性樹脂によりモールド工程では、発光素子部分
と受光素子部分とを独立して、かつ同一フレームにより
接続されるように透光性樹脂によりモールドし、 前記光通路用スリット形成工程の後に、前記発光素子部
分と受光素子部分とを接続するフレームを折り曲げて、
発光素子側の光通路用スリットと受光素子側の光通路用
スリットを対向させることを特徴とするフォトインタラ
プタの製造方法。
2. The method for manufacturing a photointerrupter according to claim 1, wherein in the molding step using the translucent resin, the light emitting element portion and the light receiving element portion are connected independently and by the same frame. Molded with a light-transmitting resin, after the light path slit forming step, bending a frame connecting the light emitting element portion and the light receiving element portion,
A method for manufacturing a photointerrupter, wherein a light path slit on a light emitting element side and a light path slit on a light receiving element side are opposed to each other.
【請求項3】 請求項1又は2に記載のフォトインタラ
プタの製造方法において、光硬化性材料から成る遮光性
材料被膜の厚さを約50μmとすることを特徴とするフ
ォトインタラプタの製造方法。
3. The method for manufacturing a photointerrupter according to claim 1, wherein the thickness of the light-shielding material film made of a photocurable material is about 50 μm.
【請求項4】 請求項1、2、又は3に記載のフォトイ
ンタラプタの製造方法において、光通路用スリットの幅
を50〜100μmとすることを特徴とするフォトイン
タラプタの製造方法。
4. The method for manufacturing a photointerrupter according to claim 1, wherein the width of the slit for an optical path is 50 to 100 μm.
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