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JPH11260780A - Spin cleaning apparatus and spin cleaning method - Google Patents

Spin cleaning apparatus and spin cleaning method

Info

Publication number
JPH11260780A
JPH11260780A JP33906798A JP33906798A JPH11260780A JP H11260780 A JPH11260780 A JP H11260780A JP 33906798 A JP33906798 A JP 33906798A JP 33906798 A JP33906798 A JP 33906798A JP H11260780 A JPH11260780 A JP H11260780A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
lid
cleaning
spin
spin cleaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP33906798A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tadahiro Omi
忠弘 大見
Takehisa Nitta
雄久 新田
Mitsunori Nakamori
光則 中森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ULTLA CLEAN TECHNOLOGY KAIHATSU KENKYUSHO KK
Original Assignee
ULTLA CLEAN TECHNOLOGY KAIHATSU KENKYUSHO KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ULTLA CLEAN TECHNOLOGY KAIHATSU KENKYUSHO KK filed Critical ULTLA CLEAN TECHNOLOGY KAIHATSU KENKYUSHO KK
Priority to JP33906798A priority Critical patent/JPH11260780A/en
Publication of JPH11260780A publication Critical patent/JPH11260780A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 洗浄槽内壁への洗浄液の跳ね返りがなく基板
の汚染を防止できるスピン洗浄装置及びスピン洗浄方法
を提供すること。ガスの導入が容易なスピン洗浄装置及
びスピン洗浄方法を提供すること。基板中心を絶えず濡
らすことができるスピン洗浄装置及びスピン洗浄方法を
提供すること。 【解決手段】 洗浄槽8内に基板1を回転可能に保持す
る手段11と、洗浄液を供給するノズル4を有して、基
板1上方に蓋2を設けているスピン洗浄装置において、
基板1に対して揺動可能に蓋2に設け、かつ蓋2に洗浄
液を供給するノズル4が設けられており、蓋2の下面か
らノズル4の先が出ていることを特徴とする。
(57) [Problem] To provide a spin cleaning apparatus and a spin cleaning method capable of preventing contamination of a substrate without splashing of a cleaning liquid onto an inner wall of a cleaning tank. To provide a spin cleaning device and a spin cleaning method in which gas can be easily introduced. To provide a spin cleaning apparatus and a spin cleaning method capable of constantly wetting the center of a substrate. SOLUTION: In a spin cleaning apparatus having a means 11 for rotatably holding a substrate 1 in a cleaning tank 8 and a nozzle 4 for supplying a cleaning liquid, wherein a lid 2 is provided above the substrate 1.
A nozzle 4 is provided on the cover 2 so as to be swingable with respect to the substrate 1 and a nozzle 4 for supplying a cleaning liquid to the cover 2, and the tip of the nozzle 4 protrudes from the lower surface of the cover 2.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体デバイスや液晶デ
ィスプレイデバイスなどを作成する工程においてデバイ
ス作成用の基板(シリコウェハやガラス)を洗浄するため
の洗浄装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cleaning apparatus for cleaning a substrate (silicon wafer or glass) for producing a device in a process for producing a semiconductor device or a liquid crystal display device.

【0002】[0002]

【発明の背景】半導体基板上に形成される半導体装置は
サブミクロンのレベルに高密度化、微細化している。高
密度化を達成するためには、基板の表面は超高清浄な状
態に保たれていなければならない。すなわち、基板全域
から有機物、金属、各種パーティクル、酸化物(酸化
膜)は除去されていなければならない。そのため、基板
洗浄が行われる。
BACKGROUND OF THE INVENTION Semiconductor devices formed on semiconductor substrates are becoming denser and smaller to submicron levels. In order to achieve high densification, the surface of the substrate must be kept ultra-clean. That is, organic substances, metals, various particles, and oxides (oxide films) must be removed from the entire substrate. Therefore, substrate cleaning is performed.

【0003】基板の大口径化に伴い、従来主流であった
複数枚の基板を洗浄液を貯留した洗浄槽内に浸して洗浄
を行うバッチ式洗浄装置から、一枚の基板を回転可能な
ホルダに搭載して基板を回転させると共に洗浄液を上か
ら垂らす枚葉式スピン洗浄装置への転換が図られてい
る。
[0003] With the increase in the diameter of the substrate, a batch-type cleaning apparatus that immerses a plurality of substrates in a cleaning tank storing a cleaning liquid to perform cleaning from a conventional mainstream substrate to a holder that can rotate one substrate. The conversion to a single-wafer spin cleaning apparatus in which a substrate is rotated by mounting and a cleaning liquid is dropped from above is attempted.

【0004】前者は複数枚処理のため大面積を占め、基
板の大口径化に伴い装置もさらに大型化する。リンスに
用いる純水使用量も多い。後者は装置面積が小さく純水
使用量を大幅に低減できる。クリーンルームのレイアウ
ト、ユーティリテイへの負担からも後者が望ましい。
[0004] The former occupies a large area for processing a plurality of sheets, and the apparatus is further increased in size as the diameter of the substrate increases. A large amount of pure water is used for rinsing. The latter has a small device area and can greatly reduce the amount of pure water used. The latter is desirable in view of the layout of the clean room and the burden on utilities.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】スピン洗浄装置におい
て、スピンにより基板外にとばされた洗浄液の中には、
洗浄槽の内壁にぶつかり跳ね返ってくるものがある。そ
れにより基板への汚染が生じる。これを避けるためには
チャンバー内壁との距離を大きく取ることが有効ではあ
るが、これでは装置面積が大きくなる。そのための手段
の一つが、基板上方に蓋を設けることであるが、洗浄液
を供給すること、ガスを導入することがが困難になる。
SUMMARY OF THE INVENTION In a spin cleaning apparatus, the cleaning liquid blown out of the substrate by spinning includes:
Some objects hit the inner wall of the washing tank and bounce off. This causes contamination of the substrate. In order to avoid this, it is effective to increase the distance from the inner wall of the chamber, but this increases the device area. One of the means for this is to provide a lid above the substrate, but it becomes difficult to supply a cleaning liquid and introduce a gas.

【0006】また、蓋を設けた場合、蓋の下面に液滴が
付着し基板上に落ちてくる場合がある。
When a lid is provided, a droplet may adhere to the lower surface of the lid and drop on the substrate.

【0007】本発明は、洗浄槽内壁への洗浄液の跳ね返
りがなく基板の汚染を防止できるスピン洗浄装置及びス
ピン洗浄方法を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a spin cleaning apparatus and a spin cleaning method capable of preventing the cleaning liquid from splashing onto the inner wall of the cleaning tank and preventing contamination of the substrate.

【0008】本発明は、ガスの導入が容易なスピン洗浄
装置及びスピン洗浄方法を提供することを目的とする。
An object of the present invention is to provide a spin cleaning apparatus and a spin cleaning method that can easily introduce a gas.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明のスピン洗浄装置
は、洗浄槽内に基板を回転可能に保持する手段と、洗浄
液を供給するノズルを有して、基板上方に蓋を設けてい
るスピン洗浄装置において、基板に対して揺動可能に蓋
に設け、かつ蓋に洗浄液を供給するノズルが設けられて
おり、蓋の下面からノズルの先が出ていることを特徴と
する。
According to the present invention, there is provided a spin cleaning apparatus comprising a means for rotatably holding a substrate in a cleaning tank, a nozzle for supplying a cleaning liquid, and a lid provided above the substrate. In the cleaning apparatus, a nozzle is provided on the lid so as to be swingable with respect to the substrate, and a nozzle for supplying a cleaning liquid to the lid is provided, and a tip of the nozzle protrudes from a lower surface of the lid.

【0010】本発明のスピン洗浄方法は、洗浄槽内に基
板を回転可能に保持する手段と、洗浄液を供給するノズ
ルを有して、基板上方に蓋を設けているスピン洗浄装置
を用いて、基板を回転させるとともに該洗浄液を基板の
表面に供給して洗浄を行うスピン洗浄方法において、ノ
ズルから洗浄液を供給中に蓋を揺動させることを特徴と
する。蓋にヒーターが設けられていることが好ましい。
The spin cleaning method of the present invention uses a spin cleaning apparatus having a means for rotatably holding a substrate in a cleaning tank, a nozzle for supplying a cleaning liquid, and a lid provided above the substrate. In a spin cleaning method for performing cleaning by rotating a substrate and supplying the cleaning liquid to the surface of the substrate, the lid is swung while the cleaning liquid is supplied from a nozzle. Preferably, the lid is provided with a heater.

【0011】なお、本スピン洗浄装置においては、蓋に
基板表面にガスを噴出させるためのガス導入口が設ける
いることが好ましい。
In the present spin cleaning apparatus, it is preferable that the lid is provided with a gas inlet for ejecting gas to the substrate surface.

【0012】また、蓋を揺動させた場合に、蓋が基板か
らはみ出さない大きさであることが好ましい。
Further, it is preferable that the size of the cover does not protrude from the substrate when the cover is swung.

【0013】さらに、洗浄中に蓋をヒーターで加熱する
ことが好ましい。
Further, it is preferable to heat the lid with a heater during the cleaning.

【0014】蓋に設けられたガス導入口から基板表面に
ガスを噴出させることが好ましい。
It is preferable that a gas is ejected from the gas inlet provided on the lid to the substrate surface.

【0015】蓋を揺動させた場合に、蓋が基板からはみ
出さずに洗浄を行うことが好ましい。
When the lid is swung, it is preferable to perform cleaning without the lid protruding from the substrate.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】図1に実施の形態例に係るスピン
洗浄装置を示す。
FIG. 1 shows a spin cleaning apparatus according to an embodiment.

【0017】洗浄槽8内に基板1を回転可能に保持する
手段11と、洗浄液を供給するノズル4を有して、基板
1上方に蓋2を設けてあり、基板1に対して揺動可能に
蓋2に設け、かつ蓋2に洗浄液を供給するノズル4が設
けられており、蓋2の下面からノズル4の先が出てい
る。
A means 11 for rotatably holding the substrate 1 in the cleaning tank 8 and a nozzle 4 for supplying a cleaning liquid are provided. A lid 2 is provided above the substrate 1 so that it can swing with respect to the substrate 1. A nozzle 4 is provided on the lid 2 and supplies the cleaning liquid to the lid 2, and the tip of the nozzle 4 protrudes from the lower surface of the lid 2.

【0018】本例では、基板1を保持する手段は、回転
軸12と回転軸に取り付けられたサセプタ13とからな
る。
In this embodiment, the means for holding the substrate 1 includes a rotating shaft 12 and a susceptor 13 attached to the rotating shaft.

【0019】また、蓋2は、バー6を介して回転軸10
に取り付けられており、回転軸10の回転にともない蓋
2は揺動する。
The lid 2 is connected to a rotating shaft 10 via a bar 6.
, And the lid 2 swings with the rotation of the rotating shaft 10.

【0020】なお、14はガス供給ラインである。Reference numeral 14 denotes a gas supply line.

【0021】また、蓋2は、揺動した際にも基板1から
はみださないように配置されている。
The lid 2 is arranged so as not to protrude from the substrate 1 even when it swings.

【0022】さらに、蓋2の上部にはヒーター3が設け
られている。
Further, a heater 3 is provided above the lid 2.

【0023】次に洗浄方法について説明する。Next, a cleaning method will be described.

【0024】まず、四角形のガラス基板や石英基板ある
いは円形のシリコンウェハなどを洗浄槽内の基板ホルダ
ー上に固定する。
First, a square glass substrate, a quartz substrate, a circular silicon wafer, or the like is fixed on a substrate holder in a cleaning tank.

【0025】基板を回転させる。The substrate is rotated.

【0026】蓋に設けられたノズルから洗浄液を供給す
る。蓋ごと走査し、ノズルからでた洗浄液が基板全域に
直接照射される。その時、蓋から基板ははみ出さない。
The cleaning liquid is supplied from a nozzle provided on the lid. The entire lid is scanned, and the cleaning liquid from the nozzle is directly irradiated on the entire substrate. At that time, the substrate does not protrude from the lid.

【0027】乾燥工程中にはガス導入口より清浄な乾燥
窒素を吹き付ける。
During the drying step, clean dry nitrogen is blown from the gas inlet.

【0028】本発明に用いられる洗浄液としては、純
水、超純水、オゾン添加超純水、フッ化水素酸、過酸化
水素水、水酸化アンモニウム、硫酸、塩酸、イソプロピ
ルアルコール等から選択された少なくとも1つや、これ
らから選択される少なくとも2つの混合液が挙げられ
る。
The washing liquid used in the present invention is selected from pure water, ultrapure water, ozone-added ultrapure water, hydrofluoric acid, aqueous hydrogen peroxide, ammonium hydroxide, sulfuric acid, hydrochloric acid, isopropyl alcohol and the like. At least one or at least two mixed liquids selected from these are exemplified.

【0029】また、いくつかの洗浄液による洗浄工程を
時系列に行ってもよい。さらには、メガソニック振動を
与えることも好ましい。より好ましくは、オゾン添加純
水、フッ酸、過酸化水素水、界面活性剤、純水を用意し
て、オゾン添加純水での洗浄工程、フッ酸と過酸化水素
水と界面活性剤を含む純水での洗浄工程と、オゾン添加
純水での洗浄工程と、希釈フッ酸での洗浄工程と、純水
での洗浄工程とを順次行えるようにするとよい。
Further, the washing steps with some washing liquids may be performed in time series. Further, it is also preferable to apply megasonic vibration. More preferably, ozone-added pure water, hydrofluoric acid, a hydrogen peroxide solution, a surfactant, a pure water is prepared, a washing step with ozone-added pure water, including hydrofluoric acid, a hydrogen peroxide solution, and a surfactant It is preferable that the washing step with pure water, the washing step with ozone-added pure water, the washing step with diluted hydrofluoric acid, and the washing step with pure water can be sequentially performed.

【0030】この洗浄方法は室温であっても効果的であ
り、従来のRCA洗浄のように100度前後に加熱する必要が
ない。
This cleaning method is effective even at room temperature, and does not need to be heated to about 100 degrees unlike the conventional RCA cleaning.

【0031】[0031]

【実施例】本実施例はスピン洗浄装置を用いて8インチ
サイズのシリコンウェハを洗浄した結果である。
EXAMPLE This example is a result of cleaning an 8-inch silicon wafer by using a spin cleaning apparatus.

【0032】洗浄はスピン洗浄方法により行った。The cleaning was performed by a spin cleaning method.

【0033】基板全域をアルミナ粒子で汚染した。この
シリコン基板を1.5MHzの周波数の振動を与えなが
ら、0.5wt%と、H22と50ppmの界面活性剤
とを含有する超純水による洗浄を行った。その時、超純
水によるリンスを行った。
The entire substrate was contaminated with alumina particles. The silicon substrate was cleaned with ultrapure water containing 0.5 wt%, H 2 O 2 and 50 ppm of a surfactant while applying vibration at a frequency of 1.5 MHz. At that time, rinsing with ultrapure water was performed.

【0034】従来例として蓋がない場合、実施例として
基板上方に蓋がある場合である。
The conventional example has no lid, and the embodiment has a lid above the substrate.

【0035】このときの回転数は500,1000,3
000rpmである。
The rotation speed at this time is 500, 1000, 3
000 rpm.

【0036】洗浄後の基板粒子数を表面異物検査装置で
測定し、微粒子除去率を計算した結果を表1に示す。評
価微粒子径は0.20μm以上である。洗浄時間は30
秒である。
Table 1 shows the results of counting the number of substrate particles after cleaning with a surface foreign matter inspection device and calculating the fine particle removal rate. The evaluation fine particle diameter is 0.20 μm or more. Cleaning time is 30
Seconds.

【0037】[0037]

【表1】 従来例では、1000、3000rpmの回転数で洗浄
した結果、チャンバ内壁からの跳ね返りによる再汚染が
見られる。実施例では、跳ね返りによる再汚染が防止さ
れており、洗浄が完了している。
[Table 1] In the conventional example, as a result of cleaning at a rotation speed of 1000 or 3000 rpm, recontamination due to rebound from the inner wall of the chamber is observed. In the embodiment, recontamination due to bounce is prevented, and the cleaning is completed.

【0038】洗浄中、乾燥中に蓋下面から液滴が落ちる
場合があった。
During washing and drying, droplets sometimes fall from the lower surface of the lid.

【0039】蓋に設けられたヒーターで蓋を加熱するこ
とにより、蓋下面からの液滴落下が確実になくなった。
By heating the lid with the heater provided on the lid, the drop of the liquid droplet from the lower surface of the lid was reliably eliminated.

【0040】乾燥中にガスを導入しない場合、1000
rpm,15秒では基板中心に液滴が残っているのが目
視で確認できた。乾燥窒素を導入することにより同じ条
件でも液滴が残らないことが確認できた。
When no gas is introduced during drying, 1000
At 15 rpm and 15 seconds, it was visually confirmed that a droplet remained at the center of the substrate. It was confirmed that no droplets remained under the same conditions by introducing dry nitrogen.

【0041】[0041]

【発明の効果】本発明の効果は以下の通りである。The effects of the present invention are as follows.

【0042】 基板上部に蓋を設けることにより、ス
ピンにより飛び散った洗浄液のチャンバー内壁からの基
板への跳ね返りを抑制できる。
By providing the lid on the substrate, it is possible to prevent the cleaning liquid splashed by the spin from rebounding from the inner wall of the chamber to the substrate.

【0043】 洗浄液が蓋上部に付着しても、ヒータ
ープレートで加熱することにより滴下しない。
Even if the cleaning liquid adheres to the upper part of the lid, the cleaning liquid does not drop by heating with the heater plate.

【0044】 蓋に設けているガス導入口により乾燥
工程中に清浄な乾燥窒素を吹き付けて乾燥する。
Drying is performed by blowing clean dry nitrogen through a gas inlet provided in the lid during the drying process.

【0045】蓋の揺動にともないノズルが揺動するた
め基板中心が乾かず、洗浄液供給系、それを保持する系
を新たに設ける必要がない。
Since the nozzle swings with the swing of the lid, the center of the substrate does not dry, and there is no need to newly provide a cleaning liquid supply system and a system for holding the same.

【0046】 基板中心が乾かないために複雑な可動
系を設ける必要がない。
Since the center of the substrate does not dry, there is no need to provide a complicated movable system.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】基板をスピン洗浄機の上面図(a)と側面図
(b)である。
FIG. 1 is a top view (a) and a side view (b) of a spin cleaning machine for a substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 被洗浄基板、 2 蓋、 3 ヒーター、 4 ノズル、 5 ガス導入口、 6 バー、 8 洗浄槽、 10 回転軸、 11 保持する手段、 12 回転軸、 13 サセプタ、 14 ガス供給ライン。 1 substrate to be cleaned, 2 lids, 3 heaters, 4 nozzles, 5 gas inlets, 6 bars, 8 cleaning tanks, 10 rotation shafts, 11 holding means, 12 rotation shafts, 13 susceptors, 14 gas supply lines.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新田 雄久 東京都文京区本郷4丁目1番4号株式会社 ウルトラクリーンテクノロジー開発研究所 内 (72)発明者 中森 光則 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉(無番地) 東北大学内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Yuhisa Nitta 4-1-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo Ultra Clean Technology Development Laboratory Co., Ltd. (72) Inventor Mitsunori Nakamori Aramaki Aoba-ku, Aoba-ku, Sendai, Miyagi Prefecture Aoba (unnumbered) Tohoku University

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 洗浄槽内に基板を回転可能に保持する手
段と、洗浄液を供給するノズルを有して、基板上方に蓋
を設けているスピン洗浄装置において、 基板に対して揺動可能に蓋に設け、かつ蓋に洗浄液を供
給するノズルが設けられており、蓋の下面からノズルの
先が出ていることを特徴とするスピン洗浄装置。
In a spin cleaning apparatus having a means for rotatably holding a substrate in a cleaning tank and a nozzle for supplying a cleaning liquid, and a lid provided above the substrate, the spin cleaning apparatus can swing with respect to the substrate. A spin cleaning device comprising: a nozzle provided on a lid; and a nozzle for supplying a cleaning liquid to the lid, wherein a tip of the nozzle projects from a lower surface of the lid.
【請求項2】 蓋にヒーターが設けられていることを特
徴とする請求項1に記載のスピン洗浄装置。
2. The spin cleaning apparatus according to claim 1, wherein the lid is provided with a heater.
【請求項3】 蓋に基板表面にガスを噴出させるための
ガス導入口が設けられていることを特徴とする請求項1
又は2に記載のスピン洗浄装置。
3. The apparatus according to claim 1, wherein the cover is provided with a gas inlet for ejecting gas to the surface of the substrate.
Or the spin cleaning device according to 2.
【請求項4】 蓋を揺動させた場合に、蓋が基板からは
み出さない大きさであることを特徴とする請求項1ない
し3のいづれか一つに記載のスピン洗浄装置。
4. The spin cleaning apparatus according to claim 1, wherein the lid has a size that does not protrude from the substrate when the lid is swung.
【請求項5】 洗浄槽内に基板を回転可能に保持する手
段と、洗浄液を供給するノズルを有して、基板上方に蓋
を設けているスピン洗浄装置を用いて、基板を回転させ
るとともに該洗浄液を基板の表面に供給して洗浄を行う
スピン洗浄方法において、 ノズルから洗浄液を供給中に蓋が揺動することを特徴と
するスピン洗浄方法。
5. A spin cleaning apparatus having a means for rotatably holding a substrate in a cleaning tank and a nozzle for supplying a cleaning liquid, and a spin cleaning apparatus provided with a lid above the substrate to rotate the substrate. A spin cleaning method for supplying a cleaning liquid to a surface of a substrate for cleaning, wherein the lid is swung while the cleaning liquid is supplied from a nozzle.
【請求項6】 洗浄中に蓋をヒーターで加熱することを
特徴とする請求項5に記載のスピン洗浄方法。
6. The spin cleaning method according to claim 5, wherein the lid is heated by a heater during the cleaning.
【請求項7】 蓋に設けられたガス導入口から基板表面
にガスを噴出させることを特徴とする請求項5又は6に
記載のスピン洗浄装置。
7. The spin cleaning apparatus according to claim 5, wherein a gas is jetted from a gas inlet provided in the lid to a surface of the substrate.
【請求項8】 蓋を揺動させた場合に、蓋が基板からは
み出さずに洗浄を行うことを特徴とする請求項5ないし
7のいづれか一つに記載のスピン洗浄装置。
8. The spin cleaning apparatus according to claim 5, wherein when the lid is swung, the cleaning is performed without the lid protruding from the substrate.
JP33906798A 1997-12-02 1998-11-30 Spin cleaning apparatus and spin cleaning method Pending JPH11260780A (en)

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JP9-332238 1997-12-02
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10199231B2 (en) 2013-09-27 2019-02-05 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method

Cited By (3)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10199231B2 (en) 2013-09-27 2019-02-05 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US10720333B2 (en) 2013-09-27 2020-07-21 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
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