JPH11283729A - Hot plate unit - Google Patents
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Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Surface Heating Bodies (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、有底状のケーシン
グとヒータとを備えるホットプレートユニットに関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a hot plate unit having a bottomed casing and a heater.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体製造プロセスにおいては、シリコ
ンウェハ上に感光性樹脂をエッチングレジストとして形
成した状態で、エッチャントを用いてそのシリコンウェ
ハをエッチングするという工程が実施される。感光性樹
脂のシリコンウェハへの塗布は、スピンコータ等の塗布
装置を用いて行われる。その場合、塗布された感光性樹
脂は液状かつ未硬化状態であるので、まず乾燥工程を行
なってある程度流動性を低下させてから、次の露光・現
像工程に付される必要がある。2. Description of the Related Art In a semiconductor manufacturing process, a step of etching a silicon wafer using an etchant while a photosensitive resin is formed as an etching resist on the silicon wafer is performed. The application of the photosensitive resin to the silicon wafer is performed using a coating device such as a spin coater. In this case, since the applied photosensitive resin is in a liquid and uncured state, it is necessary to first perform a drying step to reduce the fluidity to some extent, and then to perform the next exposure and development steps.
【０００３】塗布工程を経たシリコンウェハを乾燥させ
るための装置としては、裏面に発熱体が配線されたアル
ミニウム板からなる金属製ヒータを用いたホットプレー
トユニットが従来より使用されていた。しかしながら、
従来では熱膨張による歪みの発生を防止するために金属
製ヒータを肉厚にせざるを得なく、どうしても温度制御
性の点で劣っていた。[0003] As an apparatus for drying a silicon wafer having undergone a coating process, a hot plate unit using a metal heater made of an aluminum plate having a heating element wired on the back surface has been conventionally used. However,
Conventionally, in order to prevent the occurrence of distortion due to thermal expansion, the thickness of the metal heater must be increased, and the temperature controllability is inferior.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】また、ヒータを加熱す
ると、ヒータの裏面側が発する輻射熱によってケーシン
グが加熱され、その温度が上昇する。即ち、本来ヒータ
の加熱に用いられるべき熱エネルギーの一部が結果とし
てケーシングの加熱にも用いられ、これが熱エネルギー
のロスとなるからである。従って、ヒータを設定温度ま
で昇温させるのに要する時間が長くなることで乾燥工程
全体の所要時間も長くなり、これにより生産性の向上が
妨げられるおそれがある。加えて、ケーシング用金属材
料の耐熱温度を超えて同ケーシングが加熱されること
は、好ましい事態であるとはいいがたい。Further, when the heater is heated, the casing is heated by the radiant heat generated from the back side of the heater, and the temperature rises. That is, a part of the heat energy that should be used for heating the heater is also used for heating the casing as a result, which results in a loss of heat energy. Therefore, the time required to raise the temperature of the heater to the set temperature becomes longer, so that the time required for the entire drying process becomes longer, which may hinder improvement in productivity. In addition, it is not preferable that the casing is heated above the heat-resistant temperature of the casing metal material.
【０００５】上記の問題を解消しうる対策としては、ヒ
ータとケーシングとの間に例えばガラス繊維等の断熱材
を充填することで、輻射熱を遮断するという方法が考え
られる。しかし、これではケーシングの過度の温度上昇
を回避できたとしても、断熱材が塵埃を発生させる原因
となり、周囲の環境を汚染する結果となる。従って、高
い清浄度が要求される半導体製造分野に適さない装置と
なってしまう。As a countermeasure that can solve the above-mentioned problem, a method of blocking radiant heat by filling a heat insulating material such as glass fiber between the heater and the casing can be considered. However, even if an excessive rise in the temperature of the casing can be avoided, the heat insulating material causes dust to be generated, and the surrounding environment is contaminated. Therefore, the device is not suitable for the semiconductor manufacturing field requiring high cleanliness.
【０００６】本発明は上記の課題を解決するためなされ
たものであり、その目的は、ヒータ昇温時間が短くてし
かも発塵の心配がないホットプレートユニットを提供す
ることにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a hot plate unit which has a short heater heating time and does not cause dust generation.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１に記載の発明では、有底状のケーシング
と、セラミックからなる板状体に発熱体を設けてなりか
つ前記ケーシングの開口部に配置されるヒータとを備え
るホットプレートユニットであって、前記ケーシングと
前記ヒータとの間に輻射熱の反射体が設けられているこ
とを特徴とするホットプレートユニットをその要旨とす
る。In order to solve the above-mentioned problems, the invention according to the first aspect is characterized in that a heating element is provided on a bottomed casing and a plate-like body made of ceramic and the casing is provided with a heating element. A hot plate unit comprising: a heater disposed at the opening of the hot plate unit, wherein a reflector for radiant heat is provided between the casing and the heater.
【０００８】請求項２に記載の発明は、請求項１におい
て、前記板状体は、窒化物セラミックまたは炭化物セラ
ミックからなる円盤状の板状体であるとしている。以
下、本発明の「作用」を説明する。According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the plate is a disk-shaped plate made of a nitride ceramic or a carbide ceramic. Hereinafter, the “action” of the present invention will be described.
【０００９】請求項１に記載の発明によると、ヒータの
発した輻射熱は、反射体により反射され、ヒータ側に戻
される。従って、熱エネルギーのロスが極めて少なくて
済み、ヒータが効率よく昇温する。逆にケーシング側に
到達する輻射熱の量は減少するので、ケーシングの過度
の温度上昇が回避される。また、反射体とヒータとはじ
かに接触していないため、伝導熱による反射体の温度上
昇も同様に回避される。さらに、ヒータとケーシングと
の間に必ずしも輻射熱遮断用の断熱材を充填する必要が
なくなるため、塵埃を発生させる心配もなくなる。According to the first aspect of the present invention, the radiant heat generated by the heater is reflected by the reflector and returned to the heater. Therefore, the heat energy loss is extremely small, and the temperature of the heater rises efficiently. Conversely, the amount of radiant heat reaching the casing side is reduced, so that an excessive rise in the temperature of the casing is avoided. Further, since the reflector and the heater are not in direct contact with each other, a rise in the temperature of the reflector due to conduction heat is also avoided. Furthermore, since it is not always necessary to fill a heat insulating material for shielding radiant heat between the heater and the casing, there is no need to worry about generating dust.
【００１０】請求項２に記載の発明によると、窒化物セ
ラミックや炭化物セラミックは耐熱性に優れるため、設
定温度を高くすることができ、しかもその設定温度に昇
温するまでの時間を短縮することができる。また、窒化
物セラミックや炭化物セラミックは熱膨張係数が金属よ
りも小さいため、肉薄にしたときでも、加熱による反り
や歪みが生じない。ゆえに、肉薄かつ軽量のヒータを得
ることができる。さらに、窒化物セラミックや炭化物セ
ラミックは熱伝導率が高いため、発熱体の温度変化に対
してヒータの表面温度が迅速に追従する。即ち、電圧や
電流の量を変更して発熱体の温度を変化させることによ
り、ヒータの表面温度を比較的容易に制御することがで
きる。According to the second aspect of the present invention, since the nitride ceramic and the carbide ceramic are excellent in heat resistance, the set temperature can be increased, and the time until the temperature is raised to the set temperature is shortened. Can be. In addition, since nitride ceramics and carbide ceramics have a smaller coefficient of thermal expansion than metals, even when the thickness is reduced, warpage or distortion due to heating does not occur. Therefore, a thin and lightweight heater can be obtained. Further, since the nitride ceramic and the carbide ceramic have high thermal conductivity, the surface temperature of the heater quickly follows the temperature change of the heating element. That is, the surface temperature of the heater can be controlled relatively easily by changing the amount of voltage or current to change the temperature of the heating element.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した一実施
形態のホットプレートユニット１を図１〜図５に基づき
詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A hot plate unit 1 according to one embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to FIGS.
【００１２】図１に示されるように、このホットプレー
トユニット１は、ケーシング２、ヒータ３及び板状反射
体としてのステンレス板４をその主要な構成要素として
いる。As shown in FIG. 1, the hot plate unit 1 includes a casing 2, a heater 3, and a stainless steel plate 4 as a plate-like reflector as main components.
【００１３】ケーシング２は有底状の金属製部材（ここ
ではアルミニウム製部材）であって、断面円形状の開口
部５をその上部側に備えている。このケーシング２の底
部２ａの中心部には、図示しないウェハ支持ピンを挿通
するためのピン挿通孔６が３つ形成されている。ピン挿
通孔６に挿通されたウェハ支持ピンを上下させれば、ウ
ェハを搬送機に受け渡したり、ウェハを搬送機から受け
取ったりすることができる。また、底部２ａの外周部に
はリード線引出用孔７がいくつか形成されている。この
孔７にはヒータ３に電流を供給するためのリード線８が
挿通される。The casing 2 is a bottomed metal member (in this case, an aluminum member), and has an opening 5 having a circular cross section on an upper side thereof. Three pin insertion holes 6 for inserting wafer support pins (not shown) are formed in the center of the bottom 2 a of the casing 2. If the wafer support pins inserted into the pin insertion holes 6 are moved up and down, the wafer can be transferred to the transfer device or the wafer can be received from the transfer device. Also, several lead wire drawing holes 7 are formed in the outer peripheral portion of the bottom portion 2a. A lead wire 8 for supplying a current to the heater 3 is inserted through the hole 7.
【００１４】本実施形態のヒータ３は、感光性樹脂が塗
布されたシリコンウェハを高温（５００℃以上）で乾燥
させるための高温用ヒータ３である。このヒータ３は、
セラミックからなる板状体９に、発熱体としての発熱配
線層１０を設けることで構成され、ケーシング２の開口
部５に配置されるようになっている。The heater 3 of the present embodiment is a high-temperature heater 3 for drying a silicon wafer coated with a photosensitive resin at a high temperature (500 ° C. or higher). This heater 3
It is configured by providing a heating wiring layer 10 as a heating element on a plate-like body 9 made of ceramic, and is arranged in the opening 5 of the casing 2.
【００１５】ヒータ３を構成する板状体９は円形状であ
って、ケーシング２の開口部５とほぼ同径となるように
設計されている。板状体９は多層構造であり、発熱配線
層１０は各層の層間に埋設されている。即ち、ここでは
発熱配線層１０はヒータ３の外表面からは全く露出して
いない。The plate-like body 9 constituting the heater 3 has a circular shape and is designed to have substantially the same diameter as the opening 5 of the casing 2. The plate-like body 9 has a multilayer structure, and the heating wiring layer 10 is embedded between the layers. That is, the heating wiring layer 10 is not exposed at all from the outer surface of the heater 3 here.
【００１６】板状体９を構成するセラミック材料として
は、具体的には窒化物セラミックまたは炭化物セラミッ
クが用いられることが好ましい。その理由は、以下のと
おりである。窒化物セラミックや炭化物セラミックは耐
熱性に優れるため、設定温度を高くすることができ、し
かもその設定温度に昇温するまでの時間を短縮すること
ができるからである。また、窒化物セラミックや炭化物
セラミックは熱膨張係数が金属よりも小さいため、肉薄
にしたときでも加熱による反りや歪みが生じない。ゆえ
に、ヒータ３の肉薄化や軽量化に好都合だからである。
さらに、窒化物セラミックや炭化物セラミックは熱伝導
率が高いため、発熱配線層１０の温度変化に対してヒー
タ３の表面温度が迅速に追従するからである。As the ceramic material constituting the plate-like body 9, specifically, it is preferable to use a nitride ceramic or a carbide ceramic. The reason is as follows. This is because nitride ceramics and carbide ceramics have excellent heat resistance, so that the set temperature can be increased, and the time until the temperature is raised to the set temperature can be shortened. In addition, since nitride ceramics and carbide ceramics have a smaller coefficient of thermal expansion than metal, they do not cause warping or distortion due to heating even when they are thin. Therefore, it is convenient for making the heater 3 thinner and lighter.
Furthermore, since the nitride ceramic and the carbide ceramic have high thermal conductivity, the surface temperature of the heater 3 quickly follows the temperature change of the heating wiring layer 10.
【００１７】窒化物セラミックとしては、例えば、窒化
アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタン等
のような金属窒化物セラミックが望ましい。炭化物セラ
ミックとしては、例えば、炭化ケイ素、炭化ジルコニウ
ム、炭化チタン、炭化タンタル、炭化タングステン等の
ような金属炭化物セラミックが望ましい。以上列挙した
セラミックの中では、特に窒化アルミニウムが好適であ
る。熱伝導率が１８０Ｗ／ｍ・Ｋであって最も高いから
である。As the nitride ceramic, for example, a metal nitride ceramic such as aluminum nitride, silicon nitride, boron nitride, titanium nitride or the like is desirable. As the carbide ceramic, for example, a metal carbide ceramic such as silicon carbide, zirconium carbide, titanium carbide, tantalum carbide, tungsten carbide, or the like is desirable. Among the ceramics listed above, aluminum nitride is particularly preferred. This is because the thermal conductivity is 180 W / m · K, which is the highest.
【００１８】ここで、ヒータ３を構成する板状体９の厚
さは０．５mm〜５mm程度、さらには１mm〜３mm程度であ
ることがよい。これが薄すぎると破損しやすくなり、厚
すぎると大型化や高コスト化につながるおそれがあるか
らである。Here, the thickness of the plate-like body 9 constituting the heater 3 is preferably about 0.5 mm to 5 mm, more preferably about 1 mm to 3 mm. If it is too thin, it is easily broken, and if it is too thick, it may lead to an increase in size and cost.
【００１９】図１に示されるように、ヒータ３の中心部
には、前記ピン挿通孔６に対応する３つの箇所に同じく
ピン挿通孔１１が形成されている。また、ヒータ３の裏
側面には２種のピン（端子ピン１２及びダミーピン１
３）がそれぞれ複数本ずつ立設されている。As shown in FIG. 1, a pin insertion hole 11 is formed at the center of the heater 3 at three places corresponding to the pin insertion hole 6. Also, two types of pins (terminal pin 12 and dummy pin 1) are provided on the back side surface of the heater 3.
3) is erected in plurals.
【００２０】発熱配線層１０との導通に関与する端子ピ
ン１２は、ヒータ３の中心部から外周部に向かって２列
配置されている。これらの端子ピン１２の基端部は、板
状体９の裏面側に形成されたスルーホール１４のランド
にロウ付け等により接合されている。その結果、端子ピ
ン１２と発熱配線層１０との電気的な導通が図られてい
る。なお、端子ピン１２の基端部はスルーホール１４内
に直接嵌挿されてもよい。端子ピン１２の先端部には、
リード線８の金属部分がロウ付け等によって接合されて
いる。従って、リード線８及び端子ピン１２を介して発
熱配線層１０に電流が供給される結果、発熱配線層１０
の温度が上昇して、ヒータ３が加熱される。なお、端子
ピン１２は導電性を有している必要があることから、そ
の形成材料としてコバールや４２アロイ等の導電金属材
料が使用されている。もっとも、本実施形態では導電性
の要らないダミーピン１３についても同様の材料を用い
ている。The terminal pins 12 involved in conduction with the heating wiring layer 10 are arranged in two rows from the center of the heater 3 to the outer periphery. The base ends of the terminal pins 12 are joined to the lands of the through holes 14 formed on the back surface of the plate-like body 9 by brazing or the like. As a result, electrical continuity between the terminal pin 12 and the heating wiring layer 10 is achieved. Note that the base end of the terminal pin 12 may be directly inserted into the through hole 14. At the tip of the terminal pin 12,
The metal part of the lead wire 8 is joined by brazing or the like. Therefore, a current is supplied to the heating wiring layer 10 through the lead wire 8 and the terminal pin 12, and as a result, the heating wiring layer 10
Is increased, and the heater 3 is heated. Since the terminal pins 12 need to have conductivity, a conductive metal material such as Kovar or 42 alloy is used as a material for forming the terminal pins 12. However, in the present embodiment, the same material is used for the dummy pins 13 that do not require conductivity.
【００２１】発熱配線層１０との導通に関与しないダミ
ーピン１３は、ヒータ３の外周部における複数の箇所に
設けられていて、リード線８とは接続されてはいない。
本実施形態の各ダミーピン１３は、いずれも各端子ピン
１２よりも長めに形成されている。本実施形態ではダミ
ーピン１３を３０mm、端子ピン１２を１７mmに設定して
いる。従って、ヒータ３をケーシング２の開口部５に設
置した場合、各ダミーピン１３の先端部のみがケーシン
グ２の底部２ａの内面外周部に当接する。即ち、ヒータ
３は各ダミーピン１３によって水平状態に支持された状
態となる。このとき、ヒータ３の裏面側外周部とケーシ
ング２の開口部５上面との間には、ある程度の隙間１５
が確保されることがよい。このような非接触状態でヒー
タ３を設置しておけば、ヒータ３からの伝導熱によりケ
ーシング２の温度が上昇してしまうことが回避できるか
らである。Dummy pins 13 which are not involved in conduction with the heat generating wiring layer 10 are provided at a plurality of locations on the outer peripheral portion of the heater 3 and are not connected to the lead wires 8.
Each of the dummy pins 13 of the present embodiment is formed longer than each of the terminal pins 12. In the present embodiment, the dummy pin 13 is set to 30 mm, and the terminal pin 12 is set to 17 mm. Therefore, when the heater 3 is installed in the opening 5 of the casing 2, only the tip of each dummy pin 13 comes into contact with the inner peripheral portion of the bottom 2 a of the casing 2. That is, the heater 3 is in a state of being supported by the dummy pins 13 in a horizontal state. At this time, a certain gap 15 is provided between the outer peripheral portion on the back side of the heater 3 and the upper surface of the opening 5 of the casing 2.
Should be secured. If the heater 3 is installed in such a non-contact state, it is possible to avoid an increase in the temperature of the casing 2 due to conduction heat from the heater 3.
【００２２】なお、上記のヒータ３には、必要に応じて
熱電対を埋め込んでおくことも可能である。熱電対によ
りヒータ３の温度を測定し、そのデータをもとに電圧値
や電流値を変えて、ヒータ３の温度を制御することがで
きるからである。It is to be noted that a thermocouple can be embedded in the heater 3 as needed. This is because the temperature of the heater 3 can be controlled by measuring the temperature of the heater 3 with a thermocouple and changing the voltage value or the current value based on the data.
【００２３】図２に概略的に示されるように、ヒータ３
において層間に形成された発熱配線層１０は、略同心円
状のパターンになっている。このような形状を採用した
のは、ヒータ３の全領域を均一に加熱することで、ヒー
タ３内の温度差を、ひいては被加熱物であるシリコンウ
ェハの温度差を極力少なくするためである。発熱配線層
１０は、導電ペースト中に含まれる金属粒子を焼結させ
ることによって形成されたものである。As schematically shown in FIG.
The heating wiring layer 10 formed between the layers has a substantially concentric pattern. The reason why such a shape is adopted is to uniformly heat the entire region of the heater 3 so as to minimize the temperature difference in the heater 3 and, consequently, the temperature difference of the silicon wafer to be heated. The heat generating wiring layer 10 is formed by sintering metal particles contained in the conductive paste.
【００２４】発熱配線層１０の厚さは１μm 〜２０μｍ
であることが望ましく、幅は０．５mm〜５mmであること
が望ましい。発熱配線層１０の抵抗値は厚さや幅の変更
によって変化させることができ、その場合において前記
範囲内が最も実用的だからである。The thickness of the heating wiring layer 10 is 1 μm to 20 μm.
And the width is desirably 0.5 mm to 5 mm. This is because the resistance value of the heating wiring layer 10 can be changed by changing the thickness or width, and in that case, the above range is most practical.
【００２５】導電ペーストとしては、金属粒子、樹脂、
溶剤、増粘剤などを含むものが一般的に使用される。導
電性ペーストに使用される好適な金属粒子としては、例
えば、金、銀、白金、パラジウム、鉛、タングステン、
ニッケル等が挙げられる。これらの金属は高温に晒され
ても比較的酸化しにくく、通電により発熱させるにあた
って充分な抵抗値を有するからである。金属粒子の粒径
は、０．１μm 〜１００μｍであることが望ましい。金
属粒子の粒径が小さすぎると、酸化しやすくなるからで
ある。逆にこれが大きすぎると、焼結しにくくなり抵抗
値が大きくなるからである。As the conductive paste, metal particles, resin,
Those containing a solvent, a thickener and the like are generally used. Suitable metal particles used in the conductive paste include, for example, gold, silver, platinum, palladium, lead, tungsten,
Nickel and the like can be mentioned. This is because these metals are relatively unlikely to be oxidized even when exposed to a high temperature, and have a sufficient resistance value to generate heat when energized. The particle size of the metal particles is desirably 0.1 μm to 100 μm. If the particle size of the metal particles is too small, the metal particles are easily oxidized. Conversely, if it is too large, sintering becomes difficult and the resistance value increases.
【００２６】導電ペーストに使用される好適な樹脂とし
ては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などが挙
げられる。同様に好適な溶剤としてはイソプロピルアル
コールなどがあり、好適な増粘剤としてはセルロースな
どがある。Suitable resins used for the conductive paste include, for example, epoxy resins and phenol resins. Similarly, suitable solvents include isopropyl alcohol, and suitable thickeners include cellulose.
【００２７】前記導電ペーストには、金属粒子等に加え
て金属酸化物が含有されていることがよい。その理由
は、セラミックからなる板状体９と金属からなる発熱配
線層１０とを確実に密着させ、層間における剥離の発生
を防止するためである。The conductive paste preferably contains a metal oxide in addition to the metal particles and the like. The reason is to ensure that the plate-shaped body 9 made of ceramic and the heat-generating wiring layer 10 made of metal are brought into close contact with each other, and that separation between layers is prevented.
【００２８】金属酸化物としては、例えば、酸化鉛、酸
化亜鉛、シリカ、酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3 ）、アルミナ、
イットリア、チタニア等が使用されることがよい。これ
らの酸化物は、発熱体の抵抗値を増大させることなく、
金属−セラミック間の密着性を改善することができるか
らである。Examples of the metal oxide include lead oxide, zinc oxide, silica, boron oxide (B 2 O 3 ), alumina,
Yttria, titania and the like are preferably used. These oxides, without increasing the resistance of the heating element,
This is because adhesion between metal and ceramic can be improved.
【００２９】図１，図３に示されるように、反射体とし
ては、輻射熱の反射面Ｓ1 を有する板状円形のステンレ
ス板４が用いられている。このステンレス板４は、ケー
シング２の開口部５やヒータ３よりもひとまわり小径と
なるように設計されている。ステンレス板４の中心部に
は、前記ピン挿通孔６に対応する３つの箇所に同じくピ
ン挿通孔１６が形成されている。また、前記ステンレス
板４には、端子ピン１２及びダミーピン１３を挿通させ
るためのピン挿通孔１７も形成されている。装置の組み
付けに際して、各端子ピン１２はスリーブ１８に挿通さ
れた状態でステンレス板４のピン挿通孔１７に挿通され
る。スリーブ１８は耐熱性及び絶縁性を有するセラミッ
ク材料（例えばアルミナ等）からなるものであって、端
子ピン１２とステンレス板４との接触を回避する役割を
果たしている。As shown in FIGS. 1 and 3, a plate-shaped circular stainless steel plate 4 having a radiant heat reflection surface S1 is used as a reflector. The stainless plate 4 is designed to have a diameter slightly smaller than the opening 5 of the casing 2 and the heater 3. In the center of the stainless steel plate 4, pin insertion holes 16 are also formed at three places corresponding to the pin insertion holes 6. The stainless steel plate 4 also has a pin insertion hole 17 through which the terminal pin 12 and the dummy pin 13 are inserted. When assembling the device, each terminal pin 12 is inserted into the pin insertion hole 17 of the stainless steel plate 4 while being inserted into the sleeve 18. The sleeve 18 is made of a heat-resistant and insulating ceramic material (for example, alumina or the like) and plays a role of avoiding contact between the terminal pin 12 and the stainless steel plate 4.
【００３０】ステンレス板４は少なくともその片面に輻
射熱の反射面Ｓ1 を有している必要がある。ここでいう
反射面とは、ある方向からの輻射熱が反射される物体表
面のことをいい、吸収・透過面に対する概念である。特
に本実施形態では、このような反射面Ｓ1 をその両面に
持つステンレス板４を使用している。The stainless steel plate 4 must have a radiant heat reflecting surface S1 on at least one side thereof. The reflection surface here refers to an object surface on which radiant heat from a certain direction is reflected, and is a concept for an absorption / transmission surface. In particular, in this embodiment, a stainless steel plate 4 having such a reflection surface S1 on both surfaces is used.
【００３１】反射面Ｓ1 を有するステンレス板４は、例
えば圧延ステンレス鋼の両面を所定の表面粗さとなるよ
うに研磨加工（例えばバフ研磨等）をすることにより作
製されることができる。The stainless steel plate 4 having the reflection surface S1 can be manufactured by polishing (for example, buffing or the like) the both surfaces of rolled stainless steel to have a predetermined surface roughness.
【００３２】上記のようなステンレス板４は、ケーシン
グ２とヒータ３との間において同ヒータ３の裏側面と所
定間隔Ｌ1 を隔てた状態かつ平行状態で配置される。そ
の所定間隔Ｌ1 とは３mm〜２０mmであることがよく、さ
らには５mm〜１０mmであることがよい。本実施形態では
その間隔Ｌ1 を８．５mmに設定している。The stainless steel plate 4 as described above is disposed between the casing 2 and the heater 3 in a state of being separated from the rear side surface of the heater 3 by a predetermined distance L1 and in a parallel state. The predetermined interval L1 is preferably 3 mm to 20 mm, and more preferably 5 mm to 10 mm. In this embodiment, the distance L1 is set to 8.5 mm.
【００３３】その際、反射面Ｓ1 は少なくともヒータ３
の裏側面に対面するように配置されている必要がある。
その理由は、ヒータ３の発する輻射熱を反射して再びヒ
ータ３に戻すことで、熱エネルギーのロスを低減するた
めである。両面に反射面Ｓ1がある本実施形態はこの条
件を満たしている。なお、本実施形態においては、ケー
シング２の底部２ａの内面とステンレス板４との間にも
一定の間隔が確保されている。At this time, the reflecting surface S1 is at least
Must be arranged so as to face the back side of the camera.
The reason is to reduce the loss of thermal energy by reflecting the radiant heat generated by the heater 3 and returning it to the heater 3 again. The present embodiment having the reflecting surfaces S1 on both surfaces satisfies this condition. In the present embodiment, a constant interval is also provided between the inner surface of the bottom 2 a of the casing 2 and the stainless steel plate 4.
【００３４】ステンレス板４の上面とヒータ３の裏側面
との間には、耐熱性を有するセラミック等の材料からな
るスペーサ（図示略）が介在されていてもよい。このよ
うなスペーサがあると、互いに所定間隔Ｌ1 を保ちつつ
ステンレス板４とヒータ３とを平行状態に維持できるか
らである。このようなスペーサは、ステンレス板４及び
ヒータ３に対して耐熱性接着剤等により接合されている
ことがよい。A spacer (not shown) made of a heat-resistant material such as ceramic may be interposed between the upper surface of the stainless steel plate 4 and the back surface of the heater 3. With such a spacer, the stainless plate 4 and the heater 3 can be maintained in a parallel state while maintaining a predetermined distance L1 from each other. Such a spacer is preferably bonded to the stainless steel plate 4 and the heater 3 with a heat-resistant adhesive or the like.
【００３５】次に、上記のホットプレートユニット１を
製造する手順の一例を説明する。炭化物または窒化物セ
ラミックの粉体に、必要に応じてイットリアなどの焼結
助剤やバインダー等を添加してなる混合物を作製し、こ
れを３本ロール等により均一に混練する。この混練物を
材料として、シート状かつ略正方形状の生成形体（いわ
ゆるグリーンシート）をドクターブレード装置を用いて
作製する。このようなシート成形法のみならず、下記の
ようなプレス形成法を採用することも可能である。即
ち、前記混合物をスプレードライ等の方法により顆粒状
にし、得られた顆粒を金型などに入れて加圧すること
で、板状かつ略正方形状の生成形体を作製してもよい。
具体的にいうと本実施形態では、窒化アルミニウム粉末
（平均粒径１．１μｍ）１００重量部、イットリア（酸
化イットリウムのこと 平均粒径０．４μｍ）４重量
部、アクリルバインダー１２重量部及びアルコールから
なる混練物を材料としてシート成形を行なった。Next, an example of a procedure for manufacturing the hot plate unit 1 will be described. A mixture is prepared by adding a sintering aid such as yttria, a binder, or the like, as needed, to a powder of carbide or nitride ceramic, and the mixture is uniformly kneaded with a three-roll mill or the like. Using this kneaded material as a material, a sheet-shaped and substantially square shaped formed body (so-called green sheet) is produced using a doctor blade device. Not only the sheet forming method but also the following press forming method can be employed. That is, the mixture may be formed into granules by a method such as spray drying, and the obtained granules may be placed in a mold or the like and pressurized to produce a plate-like and substantially square shaped product.
More specifically, in this embodiment, 100 parts by weight of aluminum nitride powder (average particle diameter 1.1 μm), 4 parts by weight of yttria (yttrium oxide, average particle diameter 0.4 μm), 12 parts by weight of acrylic binder and alcohol A sheet was formed using the resulting kneaded material as a material.
【００３６】必要な層数の数だけ生成形体を作製した
後、その生成形体にパンチングまたはドリリングを行う
ことにより、スルーホール形成用孔及びピン挿通孔１１
を形成する。さらに、あらかじめ調製しておいた導電ペ
ーストを印刷してスルーホール形成用孔内に導電ペース
トを充填することにより、所定箇所にスルーホールを形
成する。この後、生成形体に導電ペーストをスクリーン
印刷することにより、後に発熱配線層１０となるパター
ンを形成する。この状態で導電ペーストを乾燥する工程
を行なって、ペースト中に含まれている溶剤やバインダ
等を除去させることがよい。本実施形態において具体的
には、タングステンを含むものを発熱配線層１０の形成
用の導電ペーストとして使用した。After the required number of layers are formed, the formed bodies are punched or drilled to form through-hole forming holes and pin insertion holes 11.
To form Further, a through hole is formed at a predetermined location by printing a conductive paste prepared in advance and filling the through hole forming hole with the conductive paste. Thereafter, a pattern to be the heat generating wiring layer 10 later is formed by screen-printing a conductive paste on the formed body. In this state, a step of drying the conductive paste is preferably performed to remove a solvent, a binder, and the like contained in the paste. In the present embodiment, specifically, a material containing tungsten is used as a conductive paste for forming the heat generating wiring layer 10.
【００３７】次に、印刷工程を経た生成形体を複数枚積
層した後、所定温度・所定時間で乾燥、仮焼成及び本焼
成の各工程を実施し、生成形体及び導電ペーストを同時
にかつ完全に焼結させる。その結果、発熱配線層１０を
内層に備えるセラミック製の板状体９を得ることができ
る。焼成工程はＨＩＰ装置によって行われることがよ
く、窒化物セラミックまたは炭化物セラミックを用いた
場合にその温度は１５００℃〜２５００℃程度に設定さ
れることがよい。具体的にいうと、窒化アルミニウム生
成形体を用いた本実施形態では、１８００℃、圧力２３
０ｋｇ／ｃｍ2 でＨＩＰを行い、厚さ３mmの焼結体（板
状体９）を得ている。Next, after laminating a plurality of formed products having undergone the printing step, drying, preliminary firing and main firing are performed at a predetermined temperature and for a predetermined time, and the formed products and the conductive paste are simultaneously and completely fired. Tie. As a result, it is possible to obtain the ceramic plate-like body 9 including the heat generation wiring layer 10 in the inner layer. The sintering step is preferably performed by a HIP apparatus. When a nitride ceramic or a carbide ceramic is used, the temperature is preferably set to about 1500 ° C. to 2500 ° C. More specifically, in the present embodiment using the aluminum nitride forming form, the temperature is 1800 ° C. and the pressure is 23.
HIP was performed at 0 kg / cm 2 to obtain a sintered body (plate-like body 9) having a thickness of 3 mm.
【００３８】続いて、前記板状体９を所定径（本実施形
態では２３０mmφ）かつ円形状に切り出した後、バフ研
磨装置等を用いて表面研削加工を行う。そして、スルー
ホール１４のランドにピン１２，１３をはんだ付けを行
うことにより、ヒータ３が完成する。Subsequently, the plate-like body 9 is cut out into a circular shape having a predetermined diameter (230 mmφ in this embodiment) and then subjected to surface grinding using a buffing apparatus or the like. Then, by soldering the pins 12 and 13 to the lands of the through holes 14, the heater 3 is completed.
【００３９】このようにして得られたヒータ３の各ピン
１２，１３を、あらかじめ作製しておいたステンレス板
４の各ピン挿通孔１７に挿通させる。各端子ピン１２は
さらにスリーブ１８に挿通され、かつこの状態で先端部
にリード線８がはんだ付けされる。そして、裏面側にス
テンレス板４を備えるヒータ３をケーシング２の開口部
５に設置すれば、ホットプレートユニット１の組み付け
が完了する。The pins 12 and 13 of the heater 3 thus obtained are inserted into the respective pin insertion holes 17 of the stainless plate 4 which has been prepared in advance. Each terminal pin 12 is further inserted into a sleeve 18, and in this state, the lead wire 8 is soldered to the tip. Then, if the heater 3 having the stainless steel plate 4 on the back side is installed in the opening 5 of the casing 2, the assembly of the hot plate unit 1 is completed.
【００４０】次に、このようにして製造されたホットプ
レートユニット１の性能試験の方法及び結果を説明す
る。この性能試験は、ヒータ３の加熱時における昇温・
降温特性を調査するためになされたものである。試験に
際して、ヒータ３の表側面中心部にヒータ側熱電対を設
置し、ステンレス板４の裏側面中心部に反射体側熱電対
を設置して、それぞれの温度を経時的に測定した。な
お、ヒータ３への通電は２４分とし、その後はヒータ３
の加熱を止めて自然に冷却した。ヒータ３の設定温度は
約５５０℃とし、設定温度でホールドする時間を２０分
に設定することとした。その結果を図４に示す。Next, the performance test method and results of the hot plate unit 1 thus manufactured will be described. In this performance test, the temperature rise during heating of the heater 3 was measured.
This was done to investigate the cooling characteristics. During the test, a heater-side thermocouple was installed at the center of the front surface of the heater 3, and a reflector-side thermocouple was installed at the center of the back surface of the stainless steel plate 4, and the respective temperatures were measured over time. The power supply to the heater 3 is performed for 24 minutes.
The heating was stopped and the mixture was cooled down naturally. The set temperature of the heater 3 was set to about 550 ° C., and the holding time at the set temperature was set to 20 minutes. FIG. 4 shows the results.
【００４１】図４において縦軸は温度（℃）を示し、横
軸は経過時間（分）を示している。曲線Ｃ1 はヒータ３
の表側面の温度変化曲線であり、それよりも下方にある
曲線Ｃ2 はステンレス板４の裏側面の温度変化曲線であ
る。In FIG. 4, the vertical axis indicates temperature (° C.), and the horizontal axis indicates elapsed time (minutes). Curve C1 is heater 3
Is a temperature change curve on the front side surface, and a curve C2 below it is a temperature change curve on the back side surface of the stainless steel plate 4.
【００４２】ヒータ３への通電を開始すると、ヒータ３
の表側面の温度は急激に上昇して、４〜５分後には設定
温度である５５０℃近くまで到達する。ヒータ３の温度
は、開始から２４分経過後まではほぼ一定となる。一
方、ステンレス板４の裏側面の温度の上昇は比較的緩や
かであり、開始から５分経過後の時点ではまだ１２０℃
〜１３０℃である。この温度は開始から２４分が経過し
た時点においても、約２３０℃という低い値に抑えられ
る。従って、両者の温度差はおよそ３２０℃と極めて大
きいものとなる。ヒータ３への通電を停止すると、ヒー
タ３の表側面の温度は下降し始め、約１５分以上経過し
た後に常温に復帰する。ステンレス板４の裏面側温度
も、これと同様の経過を辿る。以上のように本実施形態
では、トータル約４０分で一連の工程が終了することが
わかる。When energization of the heater 3 is started, the heater 3
The temperature on the front side surface rapidly rises and reaches nearly the set temperature of 550 ° C. after 4 to 5 minutes. The temperature of the heater 3 is substantially constant until 24 minutes have passed since the start. On the other hand, the temperature on the back side of the stainless steel plate 4 rises relatively slowly, and is still 120 ° C. after 5 minutes from the start.
~ 130 ° C. This temperature is kept at a low value of about 230 ° C. even after 24 minutes from the start. Therefore, the temperature difference between the two is extremely large, approximately 320 ° C. When the power supply to the heater 3 is stopped, the temperature of the front surface of the heater 3 starts to decrease, and returns to the normal temperature after about 15 minutes or more. The back side temperature of the stainless steel plate 4 follows the same course. As described above, in the present embodiment, it is understood that a series of steps is completed in about 40 minutes in total.
【００４３】以上の結果からすると、ステンレス板４の
裏側面の温度でさえ約２３０℃以下に抑えられることか
ら、ケーシング２についてはそれよりもさらに低い温度
に抑えられることがわかる。従って、ステンレス板４の
有効性が実証されるものとなった。From the above results, it can be seen that the temperature of the back surface of the stainless steel plate 4 can be suppressed to about 230 ° C. or less, so that the temperature of the casing 2 can be further reduced. Therefore, the effectiveness of the stainless steel plate 4 was proved.
【００４４】さて、以下に本実施形態において特徴的な
作用効果を列挙する。 （イ）この実施形態では、ケーシング２とヒータ３との
間に、反射面Ｓ1 を有するステンレス板４を同ヒータ３
から所定間隔Ｌ1 を隔てて設けている。従って、ヒータ
３の発した輻射熱は、前記ステンレス板４の反射面Ｓ1
により反射され、ヒータ３側に戻される。従って、実質
的にヒータ３から逃げる熱エネルギーの量が減少し、熱
エネルギーのロスが極めて少なくて済む。ゆえに、反射
体を備えていない従来装置に比べ、ヒータ３を効率よく
昇温することができる。Now, the characteristic effects of the present embodiment will be enumerated below. (A) In this embodiment, a stainless steel plate 4 having a reflection surface S1 is provided between the casing 2 and the heater 3 by the heater 3
Are spaced apart from each other by a predetermined distance L1. Therefore, the radiant heat generated by the heater 3 is reflected on the reflection surface S1 of the stainless steel plate 4.
And is returned to the heater 3 side. Therefore, the amount of heat energy that escapes from the heater 3 is substantially reduced, and the heat energy loss is extremely small. Therefore, the temperature of the heater 3 can be increased more efficiently than in a conventional device having no reflector.
【００４５】逆にステンレス板４があることにより、ケ
ーシング２側に到達する輻射熱の量は確実に減少するの
で、ケーシング２の過度の温度上昇を回避することがで
きる。また、ステンレス板４とヒータ３とはじかに接触
していないため、伝導熱によるステンレス板４の温度上
昇も同様に回避される。Conversely, the presence of the stainless steel plate 4 reliably reduces the amount of radiant heat reaching the casing 2 side, so that an excessive rise in the temperature of the casing 2 can be avoided. Further, since the stainless steel plate 4 and the heater 3 are not in direct contact with each other, a rise in the temperature of the stainless steel plate 4 due to conduction heat is also avoided.
【００４６】以上のことからすると、本実施形態によれ
ばヒータ昇温時間の短いホットプレートユニット１を実
現することができる。これによりウェハ乾燥工程全体の
所要時間が短縮化され、半導体の生産性を向上すること
ができる。また、ケーシング用金属材料の耐熱温度を超
えてケーシング２が加熱されることも回避できる。As described above, according to the present embodiment, the hot plate unit 1 with a short heater heating time can be realized. As a result, the time required for the entire wafer drying process can be shortened, and the productivity of semiconductors can be improved. Further, it is possible to prevent the casing 2 from being heated beyond the heat-resistant temperature of the casing metal material.
【００４７】（ロ）この実施形態によると、ステンレス
板４の設置により反射作用が得られることから、ヒータ
３とケーシング２との間に必ずしも輻射熱遮断用の断熱
材を充填する必要がなくなる。そのため、塵埃を発生さ
せる心配もなくなり、高い清浄度が要求される半導体製
造分野での使用に適したホットプレートユニット１とす
ることができる。(B) According to this embodiment, since the reflection action is obtained by installing the stainless steel plate 4, it is not always necessary to fill the space between the heater 3 and the casing 2 with a heat insulating material for shielding radiant heat. Therefore, there is no fear of generating dust, and the hot plate unit 1 suitable for use in the semiconductor manufacturing field where high cleanliness is required can be obtained.
【００４８】（ハ）この実施形態のヒータ３は、耐熱性
に優れ、熱膨張係数が金属よりも小さく、かつ熱伝導率
が高い窒化物セラミックからなる円盤状の板状体９を用
いて構成されている。従って、肉薄かつ軽量で温度制御
性に優れたものとすることができる。(C) The heater 3 of this embodiment is constituted by using a disk-shaped plate 9 made of a nitride ceramic having excellent heat resistance, a smaller coefficient of thermal expansion than metal, and a high thermal conductivity. Have been. Therefore, it can be made thin and lightweight and excellent in temperature controllability.
【００４９】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ことはなく、例えば次のような形態に変更することが可
能である。 ◎ 図６に示される別例のホットプレートユニット２１
のように、板状反射体であるステンレス板４を複数枚
（同図では２枚）設けてもよい。このようにすると１枚
のみとしたときよりも輻射熱遮断作用が高くなるので、
ヒータ昇温時間をより短くすることができる。It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be changed to, for example, the following forms. ◎ Another example of the hot plate unit 21 shown in FIG.
, A plurality of (two in the figure) stainless steel plates 4 as plate-like reflectors may be provided. In this case, the radiation heat blocking effect is higher than when only one sheet is used,
The heater heating time can be further reduced.
【００５０】◎ 実施形態にて示したステンレス板４に
代えて、反射面Ｓ1 を有する銅板やニッケル板等を用い
てもよい。 ◎ 図７に示される別例のホットプレートユニット３１
のように、反射体を箔状のもの、例えばアルミホイル３
２等のような金属箔等に変更してもよい。この場合にお
いても、アルミホイル３２の少なくとも片側面には反射
面Ｓ1 が形成されている必要がある。アルミニウム以外
の金属、例えば金、銀、ニッケル等を用いた金属箔であ
っても勿論よい。なお、実施形態の板状反射体と図７の
箔状反射体とを組み合わせて反射を図ってもよい。In place of the stainless steel plate 4 shown in the embodiment, a copper plate or a nickel plate having the reflection surface S1 may be used. ◎ Another example of the hot plate unit 31 shown in FIG.
The reflector is a foil, for example, aluminum foil 3
You may change to metal foil like 2 etc. Also in this case, it is necessary that the reflecting surface S1 be formed on at least one side surface of the aluminum foil 32. Of course, a metal foil using a metal other than aluminum, for example, gold, silver, nickel or the like may be used. The reflection may be achieved by combining the plate-shaped reflector of the embodiment and the foil-shaped reflector of FIG.
【００５１】◎ 図８に示される別例のホットプレート
ユニット４１のように、反射体を層状のもの、例えば銅
めっき層４２等のようなめっき層とし、そのめっき層を
ケーシング２の内壁面に形成してもよい。かかるめっき
層は、銅以外の金属、例えば金、白金、銀、アルミニウ
ム、クロム、ニッケル、コバルト等のような金属を用い
たものでもよい。この場合においてめっき層の表面粗さ
は、反射面Ｓ1 となるような範囲に設定される必要があ
る。ただし、輻射熱を遮断する作用については、反射体
がケーシング２からも離間している実施形態及び図７の
別例の構成のほうが勝っている。As in another example of a hot plate unit 41 shown in FIG. 8, the reflector is formed in a layered form, for example, a plating layer such as a copper plating layer 42, and the plating layer is formed on the inner wall surface of the casing 2. It may be formed. Such a plating layer may be formed using a metal other than copper, for example, a metal such as gold, platinum, silver, aluminum, chromium, nickel, or cobalt. In this case, the surface roughness of the plating layer needs to be set in a range so as to be the reflection surface S1. However, the effect of blocking the radiant heat is better in the embodiment in which the reflector is also separated from the casing 2 and in the configuration of another example in FIG.
【００５２】◎ 本発明は、発熱配線層１０がヒータ３
の層間に埋設されているもの（いわゆる高温用ヒータ）
に限られず、ヒータ３が板状体９の外表面に焼き付けら
れているもの（いわゆる低温用ヒータ）にも適用される
ことが可能である。その際において発熱配線層１０の表
面は、酸化防止のために金属層で被覆されていることが
望ましい。In the present invention, the heat generating wiring layer 10 has the heater 3
Embedded between layers (so-called high-temperature heaters)
The present invention is not limited to this, and can be applied to a heater in which the heater 3 is baked on the outer surface of the plate-like body 9 (a so-called low-temperature heater). At this time, it is desirable that the surface of the heat generating wiring layer 10 be covered with a metal layer to prevent oxidation.
【００５３】ここで、特許請求の範囲に記載された技術
的思想のほかに、前述した実施形態によって把握される
技術的思想をその効果とともに以下に列挙する。 （１） 請求項１，２において、前記反射体は前記ヒー
タの裏側面から所定間隔を隔てた状態で同面と平行関係
に配置された板状反射体であるホットプレートユニッ
ト。Here, in addition to the technical ideas described in the claims, the technical ideas grasped by the above-described embodiments are listed below together with their effects. (1) The hot plate unit according to claim 1 or 2, wherein the reflector is a plate-like reflector arranged in parallel with the heater at a predetermined distance from a rear side surface of the heater.
【００５４】（２） 技術的思想１において、前記板状
反射体は複数枚設けられているホットプレートユニッ
ト。この構成であると、ヒータ昇温時間をより短くでき
る。 （３） 技術的思想１または２において、前記板状反射
体はその両面に前記反射面を備えるホットプレートユニ
ット。(2) In the technical concept 1, a hot plate unit provided with a plurality of the plate-like reflectors. With this configuration, the heater heating time can be further reduced. (3) The hot plate unit according to the technical concept 1 or 2, wherein the plate-shaped reflector has the reflection surfaces on both surfaces thereof.
【００５５】（４） 請求項１，２において、前記反射
体は前記ケーシングの内壁面に形成された層状反射体
（例えばめっき層）であるホットプレートユニット。 （５） 請求項，２において、前記反射体は箔状反射体
（例えば金属箔等）であるホットプレートユニット。(4) The hot plate unit according to claim 1, wherein the reflector is a layered reflector (for example, a plating layer) formed on an inner wall surface of the casing. (5) The hot plate unit according to (2), wherein the reflector is a foil reflector (for example, a metal foil).
【００５６】（６） 請求項１，２、技術的思想１乃至
５のいずれか１つにおいて、前記ケーシングの開口縁上
面と前記ヒータの裏側面外周部との間には隙間が確保さ
れるホットプレートユニット。この構成であると、非接
触状態となるためヒータからの伝導熱によるケーシング
温度の上昇が回避できる。(6) In any one of the first and second aspects and the technical ideas (1) to (5), a hot space is provided between the upper surface of the opening edge of the casing and the outer peripheral portion of the back side surface of the heater. Plate unit. With this configuration, the casing is in a non-contact state, so that an increase in the casing temperature due to conduction heat from the heater can be avoided.
【００５７】（７） 請求項１，２、技術的思想１乃至
６のいずれか１つにおいて、前記ヒータは、前記発熱体
との導電に関与する複数の端子ピンと、前記端子ピンよ
りも長くて前記発熱体との導電に関与しない複数のダミ
ーピンとを備えるホットプレートユニット。この構成で
あると、端子ピンとケーシングとの接触を回避しつつ、
ヒータをケーシングの開口部に水平状態で支持させるこ
とができる。(7) The heater according to any one of claims 1 and 2, and the technical ideas 1 to 6, wherein the heater has a plurality of terminal pins involved in conduction with the heating element, and the heater is longer than the terminal pins. A hot plate unit comprising: a plurality of dummy pins not involved in conduction with the heating element. With this configuration, while avoiding contact between the terminal pin and the casing,
The heater can be supported horizontally in the opening of the casing.
【００５８】（８） 技術的思想７において、前記端子
ピンは耐熱性及び絶縁性を有する材料からなるスリーブ
に挿通されているホットプレートユニット。この構成で
あると、端子ピンが保護されるため反射体との接触が回
避される。(8) In the technical concept 7, the terminal plate is a hot plate unit inserted through a sleeve made of a material having heat resistance and insulating properties. With this configuration, since the terminal pins are protected, contact with the reflector is avoided.
【００５９】（９） 請求項１，２、技術的思想１乃至
８のいずれか１つにおいて、前記ヒータは多層構造であ
り、前記発熱体は層間に埋設されているホットプレート
ユニット。この構成であると、発熱体が露出しないため
高温用のヒータとすることができる。(9) The hot plate unit according to any one of (1) and (2) and the technical ideas (1) to (8), wherein the heater has a multilayer structure, and the heating element is embedded between layers. With this configuration, since the heating element is not exposed, a high-temperature heater can be provided.
【００６０】[0060]
【発明の効果】以上詳述したように、請求項１，２に記
載の発明によれば、ヒータ昇温時間が短くてしかも発塵
の心配がないホットプレートユニットを提供することが
できる。As described above in detail, according to the first and second aspects of the present invention, it is possible to provide a hot plate unit which has a short heater heating time and is free from dust generation.
【００６１】特に、請求項２に記載の発明によれば、肉
薄かつ軽量で温度制御性に優れたものとすることができ
る。In particular, according to the second aspect of the present invention, it is possible to obtain a thin, lightweight and excellent temperature controllability.
【図１】本発明を具体化した一実施形態のホットプレー
トユニットの分解斜視図。FIG. 1 is an exploded perspective view of a hot plate unit according to an embodiment of the present invention.
【図２】前記ホットプレートユニットを構成するヒータ
の発熱配線層のパターン概略図。FIG. 2 is a schematic pattern diagram of a heating wiring layer of a heater constituting the hot plate unit.
【図３】前記ホットプレートユニットを構成するステン
レス板の平面図。FIG. 3 is a plan view of a stainless plate constituting the hot plate unit.
【図４】性能試験の結果を示すグラフ。FIG. 4 is a graph showing the results of a performance test.
【図５】前記ホットプレートユニットの部分断面図。FIG. 5 is a partial sectional view of the hot plate unit.
【図６】別例のホットプレートユニットの部分断面図。FIG. 6 is a partial cross-sectional view of another example of a hot plate unit.
【図７】別例のホットプレートユニットの部分断面図。FIG. 7 is a partial cross-sectional view of another example of a hot plate unit.
【図８】別例のホットプレートユニットの部分断面図。FIG. 8 is a partial cross-sectional view of another example of the hot plate unit.
【符号の説明】 １，２１，３１，４１…ホットプレートユニット、２…
ケーシング、３…ヒータ、４…（板状）反射体としての
ステンレス板、９…板状体、１０…発熱体としての発熱
配線層、３２…（箔状）反射体としてのアルミホイル、
４２…（層状）反射体としての銅めっき層、Ｓ1 …反射
面、Ｌ1 …間隔。[Description of symbols] 1,21,31,41 ... hot plate unit, 2 ...
Casing, 3 ... heater, 4 ... stainless plate as (plate-like) reflector, 9 ... plate-like body, 10 ... heating wiring layer as heating element, 32 ... aluminum foil as (foil-like) reflector,
42 ... (layered) copper plating layer as reflector, S1 ... reflecting surface, L1 ... interval.
Claims (2)
る板状体に発熱体を設けてなりかつ前記ケーシングの開
口部に配置されるヒータとを備えるホットプレートユニ
ットであって、前記ケーシングと前記ヒータとの間に輻
射熱の反射体が設けられていることを特徴とするホット
プレートユニット。1. A hot plate unit comprising: a bottomed casing; and a heater having a heating element provided on a plate-like body made of ceramic and disposed at an opening of the casing. A hot plate unit, wherein a radiant heat reflector is provided between the heater and the heater.
化物セラミックからなる円盤状の板状体であることを特
徴とする請求項１に記載のホットプレートユニット。2. The hot plate unit according to claim 1, wherein said plate is a disk-shaped plate made of nitride ceramic or carbide ceramic.
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|---|---|---|---|
| JP8098798A JPH11283729A (en) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | Hot plate unit |
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