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JPH1155099A - Digital circuit - Google Patents

Digital circuit

Info

Publication number
JPH1155099A
JPH1155099A JP9203005A JP20300597A JPH1155099A JP H1155099 A JPH1155099 A JP H1155099A JP 9203005 A JP9203005 A JP 9203005A JP 20300597 A JP20300597 A JP 20300597A JP H1155099 A JPH1155099 A JP H1155099A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
potential
transistor
power supply
input
gate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP9203005A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuusuke Yoshida
有佐 吉田
Kazuhiro Sugita
一弘 杉田
Masashi Horie
昌司 堀江
Naokazu Kuzuno
直和 葛野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Device Solutions Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Microelectronics Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP9203005A priority Critical patent/JPH1155099A/en
Publication of JPH1155099A publication Critical patent/JPH1155099A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Electronic Switches (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】特性の変動が比較的小さく、低消費電力でかつ
比較的大きなノイズを発生しないディジタル回路を提供
することを目的としている。 【解決手段】本発明はグランドと電源の間に直列に接続
されたNchTrN1、PchTrP 1と、入力電位INに
応じてNchTrN1を駆動する電位を出力する端子点A
と、PchTrP1を駆動する電位を出力する端子点Bと
を有し、ゲートに出力電位OUT4が供給されて電流通路が
点Aと電源VCC との間に直列に接続されたPchTrP
6,P4 と、ゲートに出力電位OUT4が供給されて電流通路
が点Bとグランドとの間に直列に接続されたNchTr
N6,N4 とを有するスルーレート回路Inv4,Inv5 を備え、
入力電位INの変化に応じて出力電位OUT4が変化する際、
入力電位の変化に伴ってPchTrP4、NchTrN4が
導通状態になり、出力電位OUT4の電位の変化に伴ってP
chTrP6、NchTrN6が導通状態になる。
(57) Abstract: An object of the present invention is to provide a digital circuit that has relatively small characteristic fluctuation, consumes low power, and does not generate relatively large noise. The present invention relates to an NchTrN1 and a PchTrP1 connected in series between a ground and a power supply, and a terminal point A for outputting a potential for driving the NchTrN1 according to an input potential IN.
And a terminal point B for outputting a potential for driving the PchTrP1. An output potential OUT4 is supplied to the gate, and a current path is connected in series between the point A and the power supply VCC.
6, P4 and an NchTr in which the output potential OUT4 is supplied to the gate and the current path is connected in series between the point B and the ground.
N6, N4 and having a slew rate circuit Inv4, Inv5,
When the output potential OUT4 changes according to the change of the input potential IN,
PchTrP4 and NchTrN4 become conductive with the change in the input potential, and PchTrP4 and NchTrN4 change with the change in the potential of the output potential OUT4.
chTrP6 and NchTrN6 become conductive.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、ディジタル回路
に係り、特に大電流、高速スイッチ用の回路の改良に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a digital circuit and, more particularly, to an improvement in a circuit for a high current and high speed switch.

【0002】[0002]

【従来の技術】図4(a)は、従来のディジタル回路の
構成を示す図で、図4(b)は、その回路の各部の電位
の変化を示す図である。図4(c)は、別の従来のディ
ジタル回路の構成を示す図で、図4(d)(e)はその
回路の各部の電位の変化を示す図である。
2. Description of the Related Art FIG. 4A is a diagram showing a configuration of a conventional digital circuit, and FIG. 4B is a diagram showing a change in potential of each part of the circuit. FIG. 4C is a diagram showing a configuration of another conventional digital circuit, and FIGS. 4D and 4E are diagrams showing a change in potential of each part of the circuit.

【0003】図4(a)のように、スルーレート回路で
ある反転回路(以下、インバータと記す)INV1には
入力電位INが入力されている。インバータINV1の
出力電位はバッファ回路BUFFを構成するNチャネル
トランジスタ(以下、NchTrと記す)N1、Pチャ
ネルトランジスタ(以下、PchTrと記す)P1の各
ゲートに供給される。このNchTrN1のソース・ド
レイン間(以下、電流通路と記す)とPchTrP1の
電流通路は、グランドの電位VGNDと電源の電位VC
Cとの間に直列に接続されている。そして、上記両トラ
ンジスタのドレインが供に接続されて出力端子となって
いる。尚、出力端子とグランドとの間には、バッファ回
路BUFFの出力で駆動される負荷容量C1が接続され
ている。尚、インバータINV1を構成するPchT
r、NchTrのチャネルのソース端からドレイン端ま
での長さであるチャネル長Lは小さくされている。
As shown in FIG. 4A, an input potential IN is input to an inverting circuit (hereinafter referred to as an inverter) INV1 which is a slew rate circuit. The output potential of the inverter INV1 is supplied to each gate of an N-channel transistor (hereinafter, referred to as NchTr) N1 and a P-channel transistor (hereinafter, referred to as PchTr) P1 which constitute the buffer circuit BUFF. The source-drain (hereinafter referred to as a current path) of the NchTrN1 and the current path of the PchTrP1 are connected between a ground potential VGND and a power supply potential VC.
C and connected in series. The drains of the two transistors are connected together to form an output terminal. Note that a load capacitor C1 driven by the output of the buffer circuit BUFF is connected between the output terminal and the ground. The PchT constituting the inverter INV1
The channel length L, which is the length from the source end to the drain end of the channel of r and NchTr, is reduced.

【0004】上記のように構成されたディジタル回路に
おいて、図4(b)に示すように、入力電位INが例え
ば電源の電位VCCからグランドの電位VGNDに変化
した場合、出力電位OUT1はその入力電位INの変化
に対応して電源の電位VCCからグランドの電位VGN
Dに変化する。また、図4(b)には、貫通電流I1の
波形も合わせて示している。この貫通電流は回路に流れ
る電流であり、その大部分はPchTrP1、NchT
rN1に流れる電流である。図から明らかなように、入
力電位INに対する出力電位OUT1のディレイtd1
は小さく、貫通電流I1のピーク値I1aは大きい。
In the digital circuit configured as described above, as shown in FIG. 4B, when the input potential IN changes from, for example, the power supply potential VCC to the ground potential VGND, the output potential OUT1 becomes the input potential. In response to the change of IN, the power supply potential VCC is changed to the ground potential VGN.
Change to D. FIG. 4B also shows the waveform of the through current I1. This through current is a current flowing through the circuit, and most of the through current flows through the PchTrP1, the NchT
This is the current flowing through rN1. As is apparent from the figure, the delay td1 of the output potential OUT1 with respect to the input potential IN.
Is small, and the peak value I1a of the through current I1 is large.

【0005】図4(c)に示す別の従来回路では、バッ
ファ回路BUFFは上述した図4(a)の回路構成と同
様にされているが、スルーレート回路1の構成が異なっ
ている。すなわち、このスルーレート回路1は、入力電
位INが入力される二つのインバータINV2、INV
3で構成される。上記インバータINV2、INV3の
出力電位はそれぞれバッファ回路BUFF内の二つのN
chTrN1、PchTrP1のゲートに供給される。
尚、インバータINV2の出力段に含まれるPchTr
とインバータINV3の出力段に含まれるNchTrの
チャネル長Lは供に大きくされている。
In another conventional circuit shown in FIG. 4C, the buffer circuit BUFF has the same configuration as that of FIG. 4A, but the configuration of the slew rate circuit 1 is different. That is, the slew rate circuit 1 includes two inverters INV2 and INV2 to which the input potential IN is input.
3 The output potentials of the inverters INV2 and INV3 are equal to two N in the buffer circuit BUFF.
It is supplied to the gates of chTrN1 and PchTrP1.
The PchTr included in the output stage of the inverter INV2
The channel length L of the NchTr included in the output stage of the inverter INV3 is also increased.

【0006】図4(c)に示す従来回路において、入力
電位INが例えば電源の電位VCCからグランドの電位
VGNDに変化して再び電位VCCになる場合、後述す
るNchTrN1、PchTrP1のゲートの電位の変
化に応じて、図4(d)に示すように、出力端子の出力
電位OUT2のディレイ量td2は大きく、バッファ回
路BUFFにおける貫通電流I2のピークI2aは小さ
い。
In the conventional circuit shown in FIG. 4C, when the input potential IN changes from, for example, the power supply potential VCC to the ground potential VGND and returns to the potential VCC, a change in the potential of the gates of NchTrN1 and PchTrP1 described later. 4D, the delay amount td2 of the output potential OUT2 of the output terminal is large, and the peak I2a of the through current I2 in the buffer circuit BUFF is small.

【0007】また、図4(e)に示すように、入力電位
INが電位VCCからグランドの電位VGNDになる
際、インバータINV2の出力段に含まれるPchTr
がオフ状態からオン状態へ変化する速度は比較的遅く、
NchTrN1のゲートのノード(以下、点Aと記す)
の電位V1はゆっくりと上昇する。一方、上記インバー
タINV3によってPchTrP1のゲートのノード
(以下、点Bと記す)の電位V2は急激に上昇する。同
じように、入力電位INがグランドの電位VGNDから
電源の電位VCCになる際、上記インバータINV2に
よって点Aの電位V1は急激に下降する。また、上記イ
ンバータINV3の出力段のNchTrがオフ状態から
オン状態へ変化する速度は比較的遅く、点Bの電位V2
はゆっくりと下降する。
Further, as shown in FIG. 4E, when the input potential IN changes from the potential VCC to the ground potential VGND, the PchTr included in the output stage of the inverter INV2.
Is relatively slow to change from off to on,
Node of NchTrN1 gate (hereinafter referred to as point A)
Potential V1 slowly rises. On the other hand, the potential V2 of the gate node of the PchTrP1 (hereinafter referred to as a point B) sharply rises by the inverter INV3. Similarly, when the input potential IN changes from the ground potential VGND to the power supply potential VCC, the potential V1 at the point A sharply drops by the inverter INV2. Further, the speed at which the NchTr of the output stage of the inverter INV3 changes from the off state to the on state is relatively slow, and the potential V2 at the point B is relatively low.
Descends slowly.

【0008】図5(a)は、上述した図4(c)の回路
の詳細な構成を示す図である。図5(b)は入力電位I
N、出力端子の出力電位OUT3の変化及び貫通電流I
3を示す図であり、図5(c)はインバータINV2、
INV3のそれぞれの回路の出力電位の変化つまり点
A、点Bの電位V3、V4の変化を示す図である。
FIG. 5A is a diagram showing a detailed configuration of the circuit shown in FIG. 4C. FIG. 5B shows the input potential I.
N, the change of the output potential OUT3 of the output terminal and the through current I
FIG. 5C shows an inverter INV2,
FIG. 9 is a diagram illustrating a change in the output potential of each circuit of INV3, that is, a change in potentials V3 and V4 at points A and B.

【0009】上記インバータINV2は電源の電位VC
Cとグランドの電位VGNDとの間に電流通路が直列に
接続されたNchTrN3、PchTrP4、NchT
rN2と、NchTrN3及びPchTrP4の電流通
路の直列回路に対して電流通路が並列に接続されたPc
hTrP5とからなる。PchTrP4、P5、Nch
TrN2のゲートに入力電位INが供給され、そして、
PchTrP4、P5、NchTrN2の共通接続点が
インバータINV2の出力端子つまり点Aとなる。Nc
hTrN3のゲート及びドレインが接続され、ダイオー
ド接続されている。
The inverter INV2 has a power supply potential VC.
NchTrN3, PchTrP4, NchT with current paths connected in series between C and ground potential VGND
rN2 and Pc whose current paths are connected in parallel to a series circuit of current paths of NchTrN3 and PchTrP4
hTrP5. PchTrP4, P5, Nch
The input potential IN is supplied to the gate of TrN2, and
The common connection point of PchTrP4, P5 and NchTrN2 is the output terminal of inverter INV2, that is, point A. Nc
The gate and drain of hTrN3 are connected, and are diode-connected.

【0010】上記インバータINV3は電源の電位VC
Cとグランドの電位VGNDとの間に電流通路が直列に
接続されたPchTrP2、NchTrN4、PchT
rP3と、NchTrN4及びPchTrP3の電流通
路の直列回路に対して電流通路が並列に接続されたNc
hTrN5とからなる。PchTrP2、NchTrN
4、N5のゲートに入力電位INが供給され、そして、
PchTrP2、NchTrN4、N5の共通接続点が
インバータINV3の出力端子つまり点Bとなる。Pc
hTrP3はダイオード接続されている。
The inverter INV3 has a power supply potential VC.
PchTrP2, NchTrN4, PchT with current paths connected in series between C and ground potential VGND
rP3 and Nc whose current paths are connected in parallel to a series circuit of current paths of NchTrN4 and PchTrP3
hTrN5. PchTrP2, NchTrN
4, the input potential IN is supplied to the gate of N5, and
The common connection point of PchTrP2, NchTrN4, and N5 is the output terminal of inverter INV3, that is, point B. Pc
hTrP3 is diode-connected.

【0011】次に、この回路の動作を説明する。図5
(b)に示すように、まず、入力電位INが1レベル
(例えば電源の電位VCC)から0レベル(例えばグラ
ンドの電位VGND)に変化した場合を説明する。
Next, the operation of this circuit will be described. FIG.
As shown in (b), the case where the input potential IN changes from 1 level (for example, the power supply potential VCC) to 0 level (for example, the ground potential VGND) will be described.

【0012】インバータINV2内のNchTrN3の
ドレインには電源の電位VCCが供給されており、Nc
hTrN3がオン状態の場合のゲート、ソース間の電圧
をVthNとすると、そのソース(PchTrP4側)
は入力電位に関係なく電位(VCCーVthN)より大
きくならない。入力電位INが1レベルから0レベルに
変化すると、PchTrP5がオフ状態からオン状態に
なる。この際、チャネル長Lが大きく、オン抵抗が大き
いPchTrP5と同時に、PchTrP4もオン状態
となり、PchTrP5と並列に接続されるため、電源
VCCと点Aとの間の抵抗は小さくなる。従って、図5
(c)に示すように、点Aの電位V3は電源の電位VC
Cとグランドの電位VGNDとの間の中間の電位VCC
1(以下、中間電位VCC1と記す)程度の電位V3a
までは比較的速く上昇する。中間電位VCC1は、例え
ば電源の電位VCCとグランドの電位VGNDの和の1
/2の電位である。
The power supply potential VCC is supplied to the drain of the NchTrN3 in the inverter INV2.
Assuming that the voltage between the gate and the source when hTrN3 is on is VthN, the source (PchTrP4 side)
Does not become higher than the potential (VCC-VthN) regardless of the input potential. When the input potential IN changes from the 1 level to the 0 level, the PchTrP5 changes from the off state to the on state. At this time, simultaneously with PchTrP5 having a large channel length L and large on-resistance, PchTrP4 is also turned on and connected in parallel with PchTrP5, so that the resistance between power supply VCC and point A is reduced. Therefore, FIG.
As shown in (c), the potential V3 at the point A is equal to the potential VC of the power supply.
Intermediate potential VCC between C and ground potential VGND
A potential V3a of about 1 (hereinafter referred to as an intermediate potential VCC1)
Until relatively fast rise. The intermediate potential VCC1 is, for example, one of the sum of the power supply potential VCC and the ground potential VGND.
/ 2 potential.

【0013】上述したようにNchTrN3のソースは
電位(VCCーVthN)より大きくならないため、P
chTrP4に流れる電流にリミットがかかる。そのリ
ミットがかかり始め、点Aの電位が電位V3aを越える
と、点Aの電位はゆっくりと電源の電位VCCまで上昇
する。PchTrP5のチャネル長Lが大きいため、結
局、図5(c)に示すように、そのドレイン電位V3は
比較的ゆっくりと電源の電位VCCに達する。従って、
バッファ回路BUFF内のNchTrN1のゲート電位
は電源の電位VCCまでゆっくりと到達し、この結果、
そのNchTrN1は比較的ゆっくりオフ状態からオン
状態に変化する。
As described above, the source of the NchTrN3 does not become higher than the potential (VCC-VthN).
The current flowing through chTrP4 is limited. When the limit starts to be applied and the potential at the point A exceeds the potential V3a, the potential at the point A slowly rises to the potential VCC of the power supply. Since the channel length L of the PchTrP5 is large, the drain potential V3 eventually reaches the power supply potential VCC relatively slowly as shown in FIG. 5C. Therefore,
The gate potential of the NchTrN1 in the buffer circuit BUFF slowly reaches the power supply potential VCC, and as a result,
The NchTrN1 changes from the off state to the on state relatively slowly.

【0014】一方、インバータINV3内のPchTr
P2は、入力電位が1レベルから0レベルに変化すると
オン状態となり、点Bの電位は1レベルとなる。そし
て、1レベルの電位VCCが入力されたバッファ回路B
UFFのPchTrP1はオフ状態となる。つまり、P
chTrP2のチャネル長Lは小さく、チャネル幅Wが
大きいため、PchTrP2がオフ状態からオン状態へ
変化するスイッチング速度は速く、ゆえにPchTrP
1がオフ状態になる速度は速い。
On the other hand, the PchTr in the inverter INV3
P2 is turned on when the input potential changes from the 1 level to the 0 level, and the potential at the point B becomes 1 level. The buffer circuit B to which the one-level potential VCC is input
The PchTrP1 of the UFF is turned off. That is, P
Since the channel length L of the chTrP2 is small and the channel width W is large, the switching speed at which the PchTrP2 changes from the off state to the on state is high.
The speed at which 1 is turned off is fast.

【0015】次に、入力電位が0レベルから1レベルに
変化した場合を説明する。インバータINV2内のNc
hTrN2は比較的速くオン状態となり、点Aの電位は
比較的速く0レベルに到達する。また、この点Aの電位
が入力されるバッファ回路BUFF内のNchTrN1
も比較的速くオフ状態となる。
Next, the case where the input potential changes from 0 level to 1 level will be described. Nc in inverter INV2
hTrN2 is turned on relatively quickly, and the potential at point A reaches the 0 level relatively quickly. The NchTrN1 in the buffer circuit BUFF to which the potential at the point A is input.
Also turns off relatively quickly.

【0016】一方、インバータINV3のPchTrP
3はゲートにグランドの電位VGNDが供給され、オン
状態になっており、このオン状態のときのゲート、ソー
ス間の電圧をVthPとすると、そのソース(NchT
rN4側)は入力電位に関係なく(VGND+Vth
P)の電位より小さくはならない。入力電位が0レベル
から1レベルに変化して、チャネル長Lが大きくオン抵
抗が大きいNchTrN5と同時に、NchTrN4が
オン状態となり、グランドVGNDと点Bとの間の抵抗
は小さくなり、点Bの電位V4は図5(c)に示すよう
に、中間電位VCC1程度の電位V4aまでは比較的速
く下降する。
On the other hand, the PchTrP of the inverter INV3
3 has a gate supplied with a ground potential VGND, and is in an on state. When a voltage between the gate and the source in this on state is VthP, the source (NchT
(rN4 side) is (VGND + Vth) regardless of the input potential.
It does not become lower than the potential of P). The input potential changes from the 0 level to the 1 level, the NchTrN4 is turned on at the same time as the NchTrN5 having a large channel length L and a large on-resistance, and the resistance between the ground VGND and the point B is reduced. As shown in FIG. 5C, V4 drops relatively quickly to a potential V4a of about the intermediate potential VCC1.

【0017】上述したようにPchTrP3のソースは
電位(VGND+VthP)より小さくならないため、
NchTrN4に流れる電流にリミットがかかる。その
リミットがかかり始め、電位V4aより下がると、点B
の電位はゆっくりとグランドの電位VGNDに向かって
変化する。NchTrN5のチャネル長Lが大きいた
め、結局、図5(c)に示すように、点Bの電位V4は
比較的ゆっくりとグランドの電位VGNDに達する。従
って、バッファ回路BUFF内のPchTrP1のゲー
ト電位の変化も遅いので、このPchTrP1はオフ状
態からオン状態に比較的ゆっくり変化する。
As described above, since the source of PchTrP3 does not become lower than the potential (VGND + VthP),
The current flowing through NchTrN4 is limited. When the limit starts to be applied and drops below the potential V4a, the point B
Changes slowly toward the ground potential VGND. Since the channel length L of the NchTrN5 is large, the potential V4 at the point B eventually reaches the ground potential VGND relatively slowly as shown in FIG. 5C. Accordingly, since the change in the gate potential of the PchTrP1 in the buffer circuit BUFF is also slow, the PchTrP1 changes relatively slowly from the off state to the on state.

【0018】[0018]

【発明が解決しようとする課題】上述したように、図5
(a)に示す従来回路ではバッファ回路BUFFを駆動
するインバータINV2、INV3内のNchTrN
2、PchTrP2のチャネル長Lを小さくチャネル幅
Wを大きくすることによって、NchTrN2、Pch
TrP2をオフ状態から速くオン状態へ変化させ、それ
ぞれバッファ回路BUFF内のNchTrN1、Pch
TrP1をオン状態からオフ状態に速く変化させるよう
にしている。及び、バッファ回路BUFFのNchTr
N1、PchTrP1をオフ状態からオン状態にゆっく
り変化させる。従って、PchTrP1、NchTrN
1の貫通電流I3のピーク値I3aをある程度抑えて、
かつ、入力電位INに対する出力電位OUT3のディレ
イ量td3を抑えている。
As described above, FIG.
In the conventional circuit shown in (a), NchTrN in inverters INV2 and INV3 for driving buffer circuit BUFF.
2. By reducing the channel length L of the PchTrP2 and increasing the channel width W, the NchTrN2, Pch
The TrP2 is quickly changed from the OFF state to the ON state, and the Nch TrN1 and Pch
The TrP1 is quickly changed from the ON state to the OFF state. And the NchTr of the buffer circuit BUFF
N1 and PchTrP1 are slowly changed from the off state to the on state. Therefore, PchTrP1, NchTrN
1 to suppress the peak value I3a of the through current I3 to some extent,
Further, the delay amount td3 of the output potential OUT3 with respect to the input potential IN is suppressed.

【0019】しかしながら、上記のような構成では、下
記のような問題がある。この回路の問題点は、この回路
のオン状態、オフ状態のしきい値電位は、PchTrP
3とNchTrN3のソースのそれぞれの電位(VCC
ーVth)、(VGND+Vth)の影響を受け、従っ
て、出力電位の変化の特性はそれぞれのトランジスタの
Vthから大きな影響を受ける点である。つまり、Vt
hの変動によって電流がリミットされる電位が変化し、
出力電位OUT3の変化の際の特性が大きく変動するこ
とが問題であった。また、バッファ回路BUFFのPc
hTrP1、NchTrN1のそれぞれのオフ状態及び
オン状態から中間電位VCC1の近傍までの変化はほぼ
同時であるため、貫通電流はあまり減少しないという問
題があった。つまり、大きな貫通電流は電源VCC、グ
ランドVGNDの配線ノイズを発生させることから、配
線ノイズが小さくならず、また、消費電力が小さくなら
ないという問題があった。この発明の目的は、特性の変
動が比較的小さく、低消費電力でかつ比較的大きなノイ
ズを発生しないディジタル回路を提供することにある。
However, the above configuration has the following problems. The problem with this circuit is that the threshold potential of the ON / OFF state of this circuit is PchTrP
3 and the potential of each of the sources of NchTrN3 (VCC
−Vth) and (VGND + Vth), and therefore, the characteristic of the change of the output potential is greatly influenced by the Vth of each transistor. That is, Vt
The potential at which the current is limited changes due to the change in h,
There is a problem that characteristics when the output potential OUT3 changes greatly fluctuate. Also, Pc of the buffer circuit BUFF
Since the changes from the off state and the on state of hTrP1 and NchTrN1 to the vicinity of the intermediate potential VCC1 are almost the same, there is a problem that the through current does not decrease much. That is, since a large through current generates wiring noise of the power supply VCC and the ground VGND, there is a problem that the wiring noise is not reduced and the power consumption is not reduced. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a digital circuit which has relatively small fluctuations in characteristics, consumes low power, and does not generate relatively large noise.

【0020】[0020]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、この発明のディジタル回路においては
以下の手段を講じた。 (1)請求項1に記載した本発明のディジタル回路は、
入力端子及び出力端子と、電流通路が上記出力端子と第
1の電源電位との間に接続された第1チャネルの第1ト
ランジスタと、電流通路が上記出力端子と第2の電源電
位との間に接続された第2チャネルの第2トランジスタ
とを具備している。それぞれ上記入力端子に供給される
入力信号に応じて上記第1、第2トランジスタの各ゲー
トを駆動する信号を出力する第1、第2端子と、ゲート
に上記出力端子の信号が供給された第2チャネルの第3
トランジスタと、上記第3トランジスタの電流通路と供
に上記第2の電源電位と上記第1端子との間に直列に接
続され、ゲートに上記入力信号が供給された少なくとも
一つの第4トランジスタとを有し、上記入力信号に応じ
て上記第2端子が上記第2電源電位になって上記第2ト
ランジスタが不通状態になり及び上記第1トランジスタ
が導通状態になって、上記出力端子の信号が第1の電源
電位に変化する際に、上記入力信号に応じて上記第4ト
ランジスタが導通状態になり、かつ、上記出力端子の信
号の変化に伴って上記第3トランジスタのゲートが導通
状態になるスルーレート回路とを具備している。
In order to solve the above-mentioned problems and achieve the object, the digital circuit of the present invention employs the following means. (1) The digital circuit of the present invention described in claim 1 is:
An input terminal, an output terminal, a first transistor of a first channel having a current path connected between the output terminal and the first power supply potential, and a current path between the output terminal and the second power supply potential. And a second transistor of a second channel connected to the second transistor. First and second terminals for outputting signals for driving the gates of the first and second transistors in response to input signals supplied to the input terminals, respectively, and a first terminal for supplying a signal of the output terminal to a gate. Third of two channels
A transistor, and at least one fourth transistor connected in series between the second power supply potential and the first terminal together with a current path of the third transistor and having the gate supplied with the input signal; The second terminal is brought to the second power supply potential in response to the input signal, the second transistor is turned off, and the first transistor is turned on, and the signal of the output terminal is turned on. When the power supply potential changes to 1, the fourth transistor is turned on in response to the input signal, and the gate of the third transistor is turned on in response to a change in the signal at the output terminal. A rate circuit.

【0021】上記本発明のディジタル回路においては、
上記入力信号に応じて上記第4トランジスタが導通状態
となり、前記出力端子の信号に応じて第3トランジスタ
が導通状態となることによって出力端子の電位が正帰還
されるので、出力端子の電位が変化する際、第1トラン
ジスタのゲートの電位が適切な値になり、貫通電流が小
さくなり、低消費電力で、比較的大きなノイズを発生す
ることがない。
In the above digital circuit of the present invention,
Since the fourth transistor is turned on in response to the input signal and the third transistor is turned on in response to the signal from the output terminal, the potential of the output terminal is positively fed back, so that the potential of the output terminal changes. In this case, the potential of the gate of the first transistor becomes an appropriate value, the through current is reduced, the power consumption is low, and relatively large noise is not generated.

【0022】請求項2に記載された本発明のディジタル
回路は、入力端子及び出力端子と、電流通路が上記出力
端子と第1の電源電位との間に接続された第1チャネル
の第1トランジスタと、電流通路が上記出力端子と第2
の電源電位との間に接続された第2チャネルの第2トラ
ンジスタとを具備している。上記入力端子に供給される
入力信号に応じて上記第1トランジスタのゲートを駆動
する信号を出力する接続端子と、ゲートに上記出力端子
の信号が供給され電流通路の一端が上記第2の電源電位
に接続された第2チャネルの第3トランジスタと、ゲー
トに上記入力信号が供給され電流通路が上記接続端子と
上記第3トランジスタの電流通路の他端に接続された第
2チャネルの第4トランジスタと、ゲートに上記入力信
号が供給され電流通路が第2の電源電位と上記接続端子
との間に接続された第2チャネルの第5トランジスタ
と、ゲートに上記入力信号が供給され電流通路が上記第
1の電源電位と上記接続端子との間に接続された第1チ
ャネルの第6トランジスタとを有する第1の反転回路を
具備している。上記入力端子に供給される入力信号とは
逆の論理レベルの信号を上記第2トランジスタのゲート
に供給して駆動する第2の反転回路を具備している。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a digital circuit, comprising: an input terminal, an output terminal, and a first transistor of a first channel having a current path connected between the output terminal and a first power supply potential. And a current path between the output terminal and the second
And a second transistor of a second channel connected between the power supply potential and the second power supply potential. A connection terminal for outputting a signal for driving the gate of the first transistor in response to an input signal supplied to the input terminal; a signal supplied from the output terminal to the gate and one end of a current path connected to the second power supply potential; A third transistor of the second channel connected to the second transistor, a fourth transistor of the second channel connected to the connection terminal and the other end of the current path of the third transistor having the gate supplied with the input signal. A fifth transistor of a second channel whose gate is supplied with the input signal and whose current path is connected between the second power supply potential and the connection terminal, and whose gate is supplied with the input signal and whose current path is the third transistor. A first inversion circuit having a sixth transistor of a first channel connected between the first power supply potential and the connection terminal. A second inverting circuit is provided which supplies a signal having a logic level opposite to that of the input signal supplied to the input terminal to the gate of the second transistor to drive the second transistor.

【0023】上記本発明のディジタル回路においては、
前記出力端子の信号が第3、第4トランジスタを介して
正帰還されるので、出力端子の電位が変化する際、第1
トランジスタのゲートの電位が適切な値になり、貫通電
流が小さくなり、低消費電力で、比較的大きなノイズを
発生することがない。さらに、第3トランジスタの導通
状態はそのソース、ドレイン間の電圧の影響を受けない
ので、出力電位の変化の際の特性の変動が小さい。
In the above digital circuit of the present invention,
Since the signal at the output terminal is positively fed back through the third and fourth transistors, when the potential at the output terminal changes, the first
The potential of the gate of the transistor becomes an appropriate value, the through current is reduced, power consumption is low, and relatively large noise is not generated. Further, the conduction state of the third transistor is not affected by the voltage between the source and the drain, so that the variation in characteristics when the output potential changes is small.

【0024】請求項3に記載した本発明のディジタル回
路は、複数の入力端子及び出力端子と、電流通路が上記
出力端子と第1の電源電位との間に接続された第1チャ
ネルの第1トランジスタと、電流通路が上記出力端子と
第2の電源電位との間に接続された第2チャネルの第2
トランジスタとを具備している。上記複数の入力端子に
供給される入力信号に応じて上記第1トランジスタのゲ
ートを駆動する信号を出力する接続端子と、各ゲートに
上記出力端子の信号がそれぞれ供給され電流通路の各一
端が上記第2の電源電位接続端子に接続された第2チャ
ネルの複数の第3トランジスタと、各ゲートに上記複数
の入力信号がそれぞれ供給され各電流通路が上記接続端
子と上記複数の第3トランジスタの各電流通路の他端に
接続された第2チャネルの複数の第4トランジスタと、
各ゲートに上記複数の各入力信号がそれぞれ供給され各
電流通路が上記第2の電源電位と上記接続端子との間に
それぞれ接続された第2チャネルの複数の第5トランジ
スタと、各ゲートに上記複数の入力信号がそれぞれ供給
され電流通路が第1の電源電位と上記接続端子との間に
直列に接続された第1チャネルの複数の第6トランジス
タとを有する第1の論理回路を具備している。上記複数
の入力信号が供給され、上記各入力信号に応じて、上記
第1の論理回路と同じ論理レベルの信号を上記第2トラ
ンジスタのゲートに供給して駆動する第2の論理回路を
具備している。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a digital circuit according to the first aspect, wherein a plurality of input terminals and an output terminal, and a current path is connected between the output terminal and the first power supply potential. A second transistor of a second channel having a transistor and a current path connected between the output terminal and a second power supply potential;
A transistor. A connection terminal for outputting a signal for driving the gate of the first transistor in response to an input signal supplied to the plurality of input terminals; A plurality of third transistors of a second channel connected to a second power supply potential connection terminal; and a plurality of input signals supplied to respective gates, and each current path includes a respective one of the connection terminal and the plurality of third transistors. A plurality of fourth transistors of a second channel connected to the other end of the current path;
A plurality of fifth transistors of a second channel, wherein each of the plurality of input signals is respectively supplied to each gate and each current path is connected between the second power supply potential and the connection terminal; A first logic circuit including a plurality of sixth transistors of a first channel, each of which is supplied with a plurality of input signals and whose current path is connected in series between the first power supply potential and the connection terminal; I have. A second logic circuit to which the plurality of input signals are supplied and which supplies a signal of the same logic level as that of the first logic circuit to the gate of the second transistor and drives the gate in accordance with each of the input signals; ing.

【0025】上記本発明のディジタル回路においては、
上記第1の論理回路がNAND回路またはNOR回路の
動作をする際、前記出力端子の電位が第3、第4トラン
ジスタを介して正帰還されるので、第1トランジスタの
ゲートの電位が適切な値となり、貫通電流が小さくな
り、低消費電力で、比較的大きなノイズを発生すること
がない。さらに、前記第3トランジスタのオン状態のソ
ース、ドレイン間電圧の影響がなく、出力電位の変化の
際の特性の変動が小さい。
In the above digital circuit of the present invention,
When the first logic circuit operates as a NAND circuit or a NOR circuit, the potential of the output terminal is positively fed back through the third and fourth transistors, so that the potential of the gate of the first transistor has an appropriate value. Thus, the through current becomes small, the power consumption is low, and no relatively large noise is generated. Furthermore, there is no influence of the voltage between the source and the drain in the ON state of the third transistor, and the variation in the characteristics when the output potential changes is small.

【0026】請求項4に記載した本発明のディジタル回
路は、複数の入力端子及び出力端子と、電流通路が上記
出力端子と第1の電源電位との間に接続された第1チャ
ネルの第1トランジスタと、電流通路が上記出力端子と
第2の電源電位との間に接続された第2チャネルの第2
トランジスタとを具備している。上記複数の入力端子に
供給される入力信号に応じて上記第2トランジスタのゲ
ートを駆動する信号を出力する接続端子と、ゲートに上
記出力端子の信号が供給され電流通路の一端が上記第1
の電源電位に接続された第1チャネルの第3トランジス
タと、各ゲートに上記複数の入力信号がそれぞれ供給さ
れ、各電流通路が直列に接続されて第1直列回路が構成
され、この第1直列回路が上記接続端子と上記第3トラ
ンジスタの他端との間に接続された第1チャネルの複数
の第4トランジスタと、各ゲートに上記複数の入力信号
がそれぞれ供給され、各電流通路が直列に接続されて第
2直列回路が構成され、この第2直列回路が上記接続端
子と第1の電源電位との間に接続された第1チャネルの
複数の第5トランジスタと、各ゲートに上記複数の入力
信号がそれぞれ供給され電流通路が第2の電源電位と上
記接続端子との間に並列に接続された第2チャネルの複
数の第6トランジスタとを有する第1の論理回路を具備
している。上記複数の入力信号が供給され、上記各入力
信号に応じて、上記第1の論理回路と同じ論理レベルの
信号を上記第1トランジスタのゲートに供給して駆動す
る第2の論理回路を具備している。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a digital circuit, comprising: a plurality of input terminals and an output terminal; and a first channel of a first channel having a current path connected between the output terminal and a first power supply potential. A second transistor of a second channel having a transistor and a current path connected between the output terminal and a second power supply potential;
A transistor. A connection terminal for outputting a signal for driving a gate of the second transistor in response to an input signal supplied to the plurality of input terminals, a signal supplied from the output terminal to a gate, and one end of a current path connected to the first terminal;
A plurality of input signals are supplied to the third transistor of the first channel connected to the power supply potential of the first channel and the respective gates, and the respective current paths are connected in series to form a first series circuit. A plurality of fourth transistors of a first channel connected between the connection terminal and the other end of the third transistor; a plurality of input signals supplied to each gate; Connected to form a second series circuit, the second series circuit comprising a plurality of fifth transistors of a first channel connected between the connection terminal and a first power supply potential; A first logic circuit having a plurality of sixth-channel transistors of a second channel connected in parallel between a second power supply potential and the connection terminal, to which an input signal is supplied, respectively, is provided. A second logic circuit that is supplied with the plurality of input signals and that supplies a signal having the same logic level as that of the first logic circuit to the gate of the first transistor in accordance with each of the input signals to drive the gate; ing.

【0027】上記本発明のディジタル回路においては、
上記第1の論理回路がNAND回路またはNOR回路の
動作をする際、前記出力端子の電位が第3、第4トラン
ジスタを介して正帰還されるので、第2トランジスタの
ゲートの電位が適切な値となり、貫通電流が小さくな
り、低消費電力で、比較的大きなノイズを発生すること
がない。さらに、前記第3トランジスタのオン状態のソ
ース、ドレイン間電圧の影響がなく、出力電位の変化の
際の特性の変動が小さい。
In the above digital circuit of the present invention,
When the first logic circuit operates as a NAND circuit or a NOR circuit, the potential of the output terminal is positively fed back through the third and fourth transistors, so that the potential of the gate of the second transistor has an appropriate value. Thus, the through current becomes small, the power consumption is low, and no relatively large noise is generated. Furthermore, there is no influence of the voltage between the source and the drain in the ON state of the third transistor, and the variation in the characteristics when the output potential changes is small.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。 (第1の実施の形態)図1(a)は、本発明の第1の実
施の形態に係るディジタル回路の構成を示す図であり、
図1(b)は図1(a)の回路の入力電位IN、出力電
位OUT4の変化と、貫通電流I4を示す図である。ま
た、図1(c)は図1(a)の回路の動作を説明するた
めの各ノードの電位の変化を示す図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. (First Embodiment) FIG. 1A is a diagram showing a configuration of a digital circuit according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 1B is a diagram showing changes in the input potential IN and the output potential OUT4 of the circuit in FIG. 1A and the through current I4. FIG. 1C is a diagram showing a change in potential of each node for explaining the operation of the circuit of FIG. 1A.

【0029】この実施の形態におけるディジタル回路
は、PchTrP1とNchTrN1とからなるバッフ
ァ回路BUFFと、このバッファ回路BUFF内のPc
hTrP1、NchTrN1のゲートを駆動する反転回
路(以下、インバータと記す)INV4、INV5とか
ら構成されたスルーレート回路を備えている。上記バッ
ファBUFFの構成は図5(a)に示した従来回路と同
じであるのでその説明は省略し、インバータINV4、
INV5については図5(a)と異なる部分についての
み説明する。
The digital circuit of this embodiment includes a buffer circuit BUFF composed of PchTrP1 and NchTrN1, and a Pc in this buffer circuit BUFF.
It has a slew rate circuit composed of inverting circuits (hereinafter referred to as inverters) INV4 and INV5 for driving the gates of hTrP1 and NchTrN1. The configuration of the buffer BUFF is the same as that of the conventional circuit shown in FIG.
As for INV5, only the parts different from FIG. 5A will be described.

【0030】一方のインバータINV4では、前記Nc
hTrN3に替えてPchTrP6が設けられている。
すなわち、このPchTrP6の電流通路が電源VCC
とPchTrP4との間に接続され、そのゲートがバッ
ファ回路BUFFの出力端子に接続されている。
In one inverter INV4, the Nc
PchTrP6 is provided instead of hTrN3.
That is, the current path of this PchTrP6 is
And PchTrP4, and the gate thereof is connected to the output terminal of the buffer circuit BUFF.

【0031】他方のインバータINV5では、前記Pc
hTrP3に替えてNchTrN6が設けられている。
すなわち、このNchTrN6の電流通路がグランドと
NchTrN4との間に接続され、そのゲートがバッフ
ァ回路BUFFの出力端子に接続されている。
In the other inverter INV5, Pc
NchTrN6 is provided instead of hTrP3.
That is, the current path of the NchTrN6 is connected between the ground and the NchTrN4, and the gate is connected to the output terminal of the buffer circuit BUFF.

【0032】次に、上記のように構成された回路の動作
を説明する。まず、図1(b)に示すように、入力電位
INが例えば電源の電位VCCからグランドの電位VG
NDに変化する場合について説明する。
Next, the operation of the circuit configured as described above will be described. First, as shown in FIG. 1B, the input potential IN is changed from the power supply potential VCC to the ground potential VG, for example.
The case of changing to ND will be described.

【0033】入力電位INが電源の電位VCCのとき
(初期状態)、インバータINV4内のNchTrN2
がオン状態、PchTrP4、P5、P6はそれぞれオ
フ状態であり、点Aの電位V5はグランドの電位VGN
Dとなり、バッファ回路BUFF内のNchTrN1は
オフ状態である。他方、インバータINV5内のNch
TrN4、N5、N6がオン状態、PchTrP2がオ
フ状態であり、点Bの電位V6もグランドの電位VGN
Dとなり、バッファ回路BUFF内のPchTrP1は
オン状態である。従って、バッファ回路BUFFの出力
電位OUT4は電源の電位VCCとなっている。
When the input potential IN is the power supply potential VCC (initial state), the NchTrN2 in the inverter INV4
Is on, PchTrs P4, P5, and P6 are off, and the potential V5 at point A is the ground potential VGN.
D, and the NchTrN1 in the buffer circuit BUFF is off. On the other hand, Nch in the inverter INV5
TrN4, N5, and N6 are on, PchTrP2 is off, and the potential V6 at the point B is also the ground potential VGN.
D, and PchTrP1 in the buffer circuit BUFF is in the ON state. Therefore, the output potential OUT4 of the buffer circuit BUFF is the power supply potential VCC.

【0034】入力電位INが電源の電位VCCからグラ
ンドの電位VGNDに変化すると、インバータINV5
内のPchTrP2がオン状態となることによって、点
Bの電位V6がグランドの電位VGNDから電源の電位
VCCに向かって急激に上昇し、バッファ回路BUFF
内のPchTrP1は比較的速くオフ状態になる。
When the input potential IN changes from the power supply potential VCC to the ground potential VGND, the inverter INV5
Is turned on, the potential V6 at the point B sharply increases from the ground potential VGND toward the power supply potential VCC, and the buffer circuit BUFF
PchTrP1 is turned off relatively quickly.

【0035】一方、入力電位INがグランドの電位VG
NDに変化した後は、インバータINV4内のNchT
rN2がオフ状態となり、PchTrP4、P5がオン
状態となる。このとき、PchTrP6はまだオフ状態
である。従って、点Aの充電に寄与するトランジスタは
PchTrP5のみとなり、電位V5は比較的ゆっくり
とグランドの電位VGNDから電源の電位VCCに向か
って上昇する。電位V5がバッファ回路BUFF内のN
chTrN1のしきい値電圧例えば電位V5aを越える
と、このNchTrN1がオン状態となり、出力電位O
UT4が電源の電位VCCからグランドの電位VGND
に向かって低下し始める。出力電位OUT4が電位VC
C1の近傍の値である電位OUT4aよりも低下する
と、インバータINV4内のPchTrP6がオン状態
となる。つまり、PchTrP6、P4による直列回路
とそれに並列に接続されオン状態であるPchTrP5
との合成抵抗を介した充電によって点Aの電位の上昇が
始まる。従って、この後、電位V5は急激に上昇し、バ
ッファ回路BUFF内のNchTrN1は十分にオン状
態となり、その後、出力電位OUT4は急峻にグランド
の電位VGNDに向かって低下する。
On the other hand, when the input potential IN is the ground potential VG
After changing to ND, NchT in inverter INV4
rN2 is turned off, and PchTrP4, P5 are turned on. At this time, PchTrP6 is still off. Therefore, the only transistor that contributes to the charging of the point A is the PchTrP5, and the potential V5 relatively slowly increases from the ground potential VGND toward the power supply potential VCC. The potential V5 is N in the buffer circuit BUFF.
When the voltage exceeds the threshold voltage of chTrN1, for example, the potential V5a, the NchTrN1 is turned on and the output potential O
UT4 is shifted from the power supply potential VCC to the ground potential VGND.
Begins to fall towards. The output potential OUT4 is the potential VC
When the potential falls below the potential OUT4a near C1, the PchTrP6 in the inverter INV4 is turned on. That is, a series circuit of PchTrP6 and P4 and an on-state PchTrP5 connected in parallel with it.
The potential at the point A starts to rise due to the charging through the combined resistance with. Therefore, thereafter, the potential V5 rises sharply, the NchTrN1 in the buffer circuit BUFF is sufficiently turned on, and thereafter, the output potential OUT4 drops sharply toward the ground potential VGND.

【0036】つまり、入力電位INが電源の電位VCC
からグランドの電位VGNDに変化するとき、バッファ
回路BUFFの出力電位OUT4がインバータINV4
内のPchTrP6、P4を介してバッファ回路BUF
Fに正帰還される。
That is, the input potential IN is equal to the power supply potential VCC.
When the output potential OUT4 of the buffer circuit BUFF changes from the inverter INV4 to the ground potential VGND.
Buffer circuit BUF via PchTr P6 and P4 in
It is fed back to F.

【0037】尚、出力電位OUT4がグランドの電位V
GNDに低下している最中に、インバータINV5内の
NchTrN6はオン状態からオフ状態に変化する。出
力電位OUT4が電位OUT4aを越える際、PchT
rP6がオン状態に変化するため、入力電位INと出力
電位OUT4の入出力特性は比較的急峻に変化する特性
となる。従って、出力電位OUT4が電位OUT4aに
達するまでの時間は図4(c)の従来の回路と同程度と
なる。しかし、その後はOUT4がグランドの電位VG
NDに達するまでの時間が短くなり図4(a)の従来の
回路と同程度となる。従って、トータルの遅延時間td
4は従来のtd2よりも小さくなる。また、PchTr
P1はただちにオフ状態となり、NchTrN1は始め
は十分にオン状態とならない。NchTrN1が十分に
オン状態となるときPchTrP1はほぼ完全にオフ状
態となっている。従って、貫通電流I4のピーク値I4
aは小さくなる。
The output potential OUT4 is equal to the ground potential V.
While the voltage drops to GND, the NchTrN6 in the inverter INV5 changes from the on state to the off state. When the output potential OUT4 exceeds the potential OUT4a, PchT
Since rP6 changes to the on state, the input / output characteristics of the input potential IN and the output potential OUT4 change relatively steeply. Therefore, the time required for the output potential OUT4 to reach the potential OUT4a is substantially the same as that of the conventional circuit shown in FIG. However, after that, OUT4 becomes the ground potential VG.
The time required to reach ND is shortened, which is almost the same as that of the conventional circuit shown in FIG. Therefore, the total delay time td
4 is smaller than the conventional td2. In addition, PchTr
P1 is immediately turned off, and NchTrN1 is not sufficiently turned on at first. When NchTrN1 is sufficiently turned on, PchTrP1 is almost completely turned off. Therefore, the peak value I4 of the through current I4
a becomes smaller.

【0038】次に、入力電位INが例えばグランドの電
位VGNDから電源の電位VCCに変化する場合につい
て説明する。上記のように入力電位INが変化すると、
インバータINV4内のNchTrN2がオン状態とな
ることによって、点Aの電位V5が電源の電位VCCか
らグランドの電位VGNDに向かって急激に下降する。
そして、バッファ回路BUFFのNchTrN1は比較
的速くオフ状態となる。
Next, a case where the input potential IN changes from, for example, the ground potential VGND to the power supply potential VCC will be described. When the input potential IN changes as described above,
When the NchTrN2 in the inverter INV4 is turned on, the potential V5 at the point A sharply drops from the power supply potential VCC to the ground potential VGND.
Then, the NchTrN1 of the buffer circuit BUFF is turned off relatively quickly.

【0039】一方、入力電位INが電源の電位VCCに
変化した後は、インバータINV5内のPchTrP2
がオフ状態となり、NchTrN4、N5がオン状態と
なる。このとき、NchTrN6はまだオフ状態であ
る。従って、点Bの放電に寄与するトランジスタはNc
hTrN5のみとなり、電位V6は比較的ゆっくりと電
源の電位VCCからグランドの電位VGNDに向かって
低下する。電位V6がバッファ回路BUFF内のPch
TrP1のしきい値電圧例えば電位V6aを越えると、
このPchTrP1がオン状態となり、出力電位OUT
4がグランドの電位VGNDから電源の電位VCCに向
かって上昇し始める。出力電位OUT4が電位VCC1
の近傍の値である電位OUT4bよりも上昇すると、イ
ンバータINV5内のNchTrN6がオン状態とな
り、NchTrN6、N4による直列回路とそれに並列
に接続されオン状態であるNchTrN5との合成抵抗
を介した放電によって点Bの電位の低下が始まる。従っ
て、この後、電位V6は急激に低下し、バッファ回路B
UFF内のPchTrP1は十分にオン状態となり、そ
の後、出力電位OUT4は急峻に電源の電位VCCに向
かって上昇する。
On the other hand, after the input potential IN changes to the power supply potential VCC, the PchTrP2 in the inverter INV5
Are turned off, and NchTrs N4 and N5 are turned on. At this time, NchTrN6 is still off. Therefore, the transistor contributing to the discharge at point B is Nc
Only hTrN5 is present, and the potential V6 decreases relatively slowly from the power supply potential VCC to the ground potential VGND. The potential V6 is equal to Pch in the buffer circuit BUFF.
When the voltage exceeds the threshold voltage of TrP1, for example, the potential V6a,
This PchTrP1 is turned on, and the output potential OUT
4 starts to rise from the ground potential VGND toward the power supply potential VCC. The output potential OUT4 is equal to the potential VCC1.
Is higher than the potential OUT4b, which is a value close to the NchTrN6 in the inverter INV5, and the NchTrN6 in the inverter INV5 is turned on. The potential of B starts to decrease. Therefore, thereafter, the potential V6 drops sharply, and the buffer circuit B
The PchTrP1 in the UFF is sufficiently turned on, and thereafter, the output potential OUT4 sharply increases toward the power supply potential VCC.

【0040】つまり、入力電位INがグランドの電位V
GNDから電源の電位VCCに変化するとき、バッファ
回路BUFFの出力電位OUT4がインバータINV5
内のNchTrN6、N4を介してバッファ回路BUF
Fに正帰還される。
That is, when the input potential IN is the ground potential V
When the potential changes from GND to the power supply potential VCC, the output potential OUT4 of the buffer circuit BUFF changes to the inverter INV5.
Buffer circuit BUF via NchTr N6 and N4
It is fed back to F.

【0041】尚、出力電位OUT4が電源の電位VCC
に上昇している最中に、インバータINV4内のPch
TrP6はオン状態からオフ状態に変化する。出力電位
OUT4が電位OUT4bを越える際、NchTrN6
がオン状態に変化するため、入力電位INと出力電位O
UT4の入出力特性は比較的急峻に変化する特性とな
る。従って、出力電位OUT4がOUT4bに達するま
での時間は図4(c)の従来の回路と同程度となる。し
かし、その後はOUT4が電源の電位VCCに達するま
での時間が短くなり図4(a)の従来の回路と同程度と
なる。従って、トータルの遅延時間td4は従来のtd
2よりも小さくなる。また、NchTrN1はただちに
オフ状態となり、PchTrP1は始めは十分にオン状
態とならない。PchTrP1が十分にオン状態となる
ときNchTrN1はほぼ完全にオフ状態となってい
る。従って、貫通電流I4のピーク値I4aは小さくな
る。
The output potential OUT4 is equal to the power supply potential VCC.
While rising, the Pch in inverter INV4
TrP6 changes from the on state to the off state. When the output potential OUT4 exceeds the potential OUT4b, NchTrN6
Changes to the ON state, the input potential IN and the output potential O
The input / output characteristics of the UT 4 change relatively steeply. Therefore, the time required for the output potential OUT4 to reach OUT4b is substantially the same as that of the conventional circuit shown in FIG. However, thereafter, the time required for OUT4 to reach the potential VCC of the power supply is shortened, and is substantially the same as that of the conventional circuit of FIG. Therefore, the total delay time td4 is equal to the conventional delay time td4.
It becomes smaller than 2. Further, the NchTrN1 is immediately turned off, and the PchTrP1 is not sufficiently turned on at first. When PchTrP1 is sufficiently turned on, NchTrN1 is almost completely turned off. Therefore, the peak value I4a of the through current I4 decreases.

【0042】また、例えば、上記のように、入力電位I
N、つまり、電源の電位VCCに対応する1レベル、及
び、グランドの電位VGNDに対応する0レベルの相互
間の電位の変化である入力信号が印加される場合、イン
バータINV4はバッファ回路BUFFの出力信号OU
T4が1レベルから0レベルに低下する際に、入力信号
に対する遅延時間td4を大きくせず、貫通電流I4の
ピーク値I4aを小さくしている。インバータINV5
はバッファ回路BUFFの出力信号OUT4が0レベル
から1レベルに上昇する際に、入力信号に対する遅延時
間td4を大きくせず、貫通電流I4のピーク値I4a
を小さくしている。従って、入力信号INの立上がり、
立ち下がりのいずれか一方のときにのみ遅延時間を大き
くせず貫通電流の値を小さくする要求がある場合にはイ
ンバータINV4、INV5のいずれか一方を設け、他
方は図5(a)に示されるような従来のものを使用する
こともできる。
For example, as described above, the input potential I
When an input signal of N, that is, a change in potential between 1 level corresponding to the power supply potential VCC and 0 level corresponding to the ground potential VGND, is applied, the inverter INV4 outputs the output of the buffer circuit BUFF. Signal OU
When T4 drops from 1 level to 0 level, the delay time td4 for the input signal is not increased, and the peak value I4a of the through current I4 is reduced. Inverter INV5
Does not increase the delay time td4 with respect to the input signal when the output signal OUT4 of the buffer circuit BUFF rises from the 0 level to the 1 level, and increases the peak value I4a of the through current I4.
Is smaller. Therefore, the rise of the input signal IN,
If there is a demand to reduce the value of the through current without increasing the delay time only at one of the falling edges, one of the inverters INV4 and INV5 is provided, and the other is shown in FIG. Such conventional ones can also be used.

【0043】上記の実施の形態においては、PchTr
P6、P4、または、NchTrN6、N4を介して出
力電位OUT4を正帰還することによって、PchTr
P5とPchTrP4、または、NchTrN5とNc
hTrN4によってトランジスタNchTrN1、Pc
hTrP1のゲートの電位を適切な値にする。従って、
バッファ回路BUFFの出力電位OUT4の変化点での
PchTrP1、NchTrN1のいずれかのドレイン
電流が小さくなり、貫通電流I4のピーク値I4aが小
さくなる。従って、比較的大きなノイズが生じず、低消
費電力となる。また、出力電位OUT4が変化する際、
電位OUT4a、またはOUT4bを越えると、出力電
位OUT4が急激に変化するので、入力電位INの変化
から出力電位OUT4の変化までのディレイ量td4は
大きくならない。さらに、PchTrP6、NchTr
N6のオン状態は出力電位OUT4によって決まるの
で、そのトランジスタのVthの影響がなく、出力電位
OUT4の変化の際の特性の変動が小さい。 (第2の実施の形態)図2は、第2の実施の形態に係る
回路構成を示す図で、第1の実施の形態のスルーレート
回路を構成しているインバータINV4、INV5を論
理回路の例であるNAND回路NAND1、NAND2
に置き換えた場合である。尚、バッファ回路BUFFは
同じであり、以下、NAND回路NAND1、NAND
2の構成を説明する。
In the above embodiment, the PchTr
By positively feeding back the output potential OUT4 via P6, P4 or NchTr N6, N4, PchTr
P5 and PchTrP4, or NchTrN5 and Nc
Transistors NchTrN1, Pc by hTrN4
The potential of the gate of hTrP1 is set to an appropriate value. Therefore,
The drain current of either PchTrP1 or NchTrN1 at the point where the output potential OUT4 of the buffer circuit BUFF changes becomes smaller, and the peak value I4a of the through current I4 becomes smaller. Therefore, relatively large noise does not occur and power consumption is reduced. When the output potential OUT4 changes,
When the potential exceeds the potential OUT4a or OUT4b, the output potential OUT4 changes rapidly, so that the delay amount td4 from the change in the input potential IN to the change in the output potential OUT4 does not increase. Furthermore, PchTrP6, NchTr
Since the ON state of N6 is determined by the output potential OUT4, there is no influence of Vth of the transistor, and a change in characteristics when the output potential OUT4 changes is small. (Second Embodiment) FIG. 2 is a diagram showing a circuit configuration according to a second embodiment. Inverters INV4 and INV5 constituting the slew rate circuit of the first embodiment are connected to logic circuits. Example NAND circuits NAND1, NAND2
Is replaced with Note that the buffer circuits BUFF are the same, and hereinafter, NAND circuits NAND1, NAND1
2 will be described.

【0044】NAND回路NAND1は、電源に順に直
列に電流通路が接続されたPchTrP7、P8、Nc
hTrN7、N8、及び、PchTrP8、P7に並列
に電流通路が接続されたPchTrP9を有している。
また、電源の電位VCCとNchTrN1のゲートとの
間に電流通路が直列に接続されたPchTrP10、P
11、及び、それらに並列に電流通路が接続されたPc
hTrP12からなる。一方の入力電位IN1はNch
TrN8、PchTrP11、P12のゲートに供給さ
れる。他方の入力電位IN2はPchTrP8、P9、
NchTrN7のゲートに供給される。PchTrP
8、P9、P11、P12、NchTrN7の共通接続
点がNAND回路NAND1の出力端子つまり点Aであ
る。PchTrP7、P10のゲートにはバッファ回路
BUFFから出力電位OUT5が供給される。
The NAND circuit NAND1 has Pch Trs P7, P8, Nc whose current paths are connected in series to the power supply in order.
It has hTrN7, N8, and PchTrP9 whose current path is connected in parallel with PchTrP8, P7.
Further, PchTrP10, PchTrP10 whose current paths are connected in series between the power supply potential VCC and the gate of NchTrN1.
11 and Pc having a current path connected to them in parallel.
It consists of hTrP12. One input potential IN1 is Nch
It is supplied to the gates of TrN8, PchTrP11 and P12. The other input potential IN2 is PchTrP8, P9,
It is supplied to the gate of NchTrN7. PchTrP
The common connection point of 8, P9, P11, P12 and NchTrN7 is the output terminal of the NAND circuit NAND1, that is, point A. The output potential OUT5 is supplied to the gates of the PchTrs P7 and P10 from the buffer circuit BUFF.

【0045】NAND回路NAND2は電源に順に直列
に電流通路が接続されたPchTrN13、NchTr
N9、N10、N11を有している。さらに、電源に順
に直列に電流通路が接続されたPchTrP14、Nc
hTrN12、N13からなる。一方の入力電位IN1
はPchTrP14、NchTrN10、N13のゲー
トに供給される。他方の入力電位IN2はPchTrP
13、NchTrN9、N12のゲートに供給される。
PchTrP13、P14、NchTrN9、N12の
共通接続点がNAND回路NAND2の出力端子つまり
点Bである。NchTrN11のゲートにはバッファ回
路BUFFから出力電位OUT5が供給される。
The NAND circuit NAND2 includes a PchTr N13 and an NchTr whose current paths are connected in series to a power supply in series.
N9, N10 and N11 are provided. Further, PchTrP14, Nc
hTrN12 and hTr13. One input potential IN1
Is supplied to the gates of PchTrP14, NchTrN10 and N13. The other input potential IN2 is PchTrP
13, is supplied to the gates of NchTr N9 and N12.
The common connection point of PchTrP13, P14, NchTrN9, N12 is the output terminal of NAND circuit NAND2, that is, point B. The output potential OUT5 is supplied from the buffer circuit BUFF to the gate of the NchTrN11.

【0046】尚、第1の実施の形態と同様に、NAND
回路NAND1、NAND2のいずれか一方のみが上記
の第2の実施の形態に係る回路構成で、他方が従来の回
路構成であってもよい。
Incidentally, as in the first embodiment, the NAND
Only one of the circuits NAND1 and NAND2 may have the circuit configuration according to the second embodiment, and the other may have the conventional circuit configuration.

【0047】上記の第2に実施の形態においては、第1
の実施の形態と同様に、PchTrP7、P8、また
は、PchTrP10、P11、または、NchTrN
11、N10、N9を介して出力電位OUT5を正帰還
しているので、バッファ回路BUFF内のPchTrP
1、NchTrN1のゲートの電位を適切な値にでき、
貫通電流が少なくなる。従って、比較的大きなノイズが
生じず、低消費電力となる。また、出力電位OUT5が
中間電位VCC1程度の電位を越えると急激に変化する
ので、入力電位INの変化から出力電位OUT5の変化
までのディレイ量は大きくならない。さらに、PchT
rP7、PchTrP10、NchTrN11のオン状
態は出力電位OUT5によって決まるので、そのトラン
ジスタのVthの影響がなく、出力電位OUT5の変化
の際の特性の変動が小さい。 (第3の実施の形態)図3は、第3の実施の形態に係る
ディジタル回路の構成を示す図で、第1の実施の形態の
スルーレート回路を構成するインバータINV4、IN
V5を論理回路の例であるNOR回路NOR1、NOR
2に置き換えた場合である。尚、バッファ回路BUFF
は同じであり、以下、論理回路であるNOR回路NOR
1、NOR2の構成を説明する。
In the second embodiment, the first
PchTrP7, P8, or PchTrP10, P11, or NchTrN
11, N10 and N9, the output potential OUT5 is positively fed back, so that the PchTrP in the buffer circuit BUFF
1. The potential of the gate of NchTrN1 can be set to an appropriate value,
The through current is reduced. Therefore, relatively large noise does not occur and power consumption is reduced. Further, when the output potential OUT5 exceeds a potential of about the intermediate potential VCC1, the output potential OUT1 changes rapidly, so that the delay amount from the change in the input potential IN to the change in the output potential OUT5 does not increase. Furthermore, PchT
Since the on-states of rP7, PchTrP10, and NchTrN11 are determined by the output potential OUT5, there is no influence of Vth of the transistor, and the variation in characteristics when the output potential OUT5 changes is small. (Third Embodiment) FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a digital circuit according to a third embodiment. Inverters INV4 and INV constituting a slew rate circuit of the first embodiment are shown in FIG.
V5 is a NOR circuit NOR1, NOR which is an example of a logic circuit.
2 is replaced. The buffer circuit BUFF
Are the same, and hereinafter, a NOR circuit NOR which is a logic circuit
1. The configuration of NOR2 will be described.

【0048】NOR回路NOR1は電源に順に直列に電
流通路が接続されたPchTrP15、P16、P1
7、NchTrN14を有している。さらに、電源に順
に直列に電流通路が接続されたPchTrP18、P1
9、NchTrN15からなる。一方の入力電位IN1
はPchTrP16、P18、NchTrN15のゲー
トに供給される。他方の入力電位IN2はPchTrP
17、P19、NchTrN14のゲートに供給され
る。PchTrP17、P19、NchTrN14、N
15の共通接続点がNOR回路NOR1の出力端子つま
り点Aである。PchTrP15のゲートにはバッファ
回路BUFFから出力電位OUT6が供給される。
The NOR circuit NOR1 includes Pch Trs P15, P16, and P1 having current paths connected in series to a power supply in order.
7, has NchTrN14. Further, PchTrP18, P1 whose current paths are connected in series to the power source in order.
9, NchTrN15. One input potential IN1
Are supplied to the gates of PchTrP16, P18 and NchTrN15. The other input potential IN2 is PchTrP
17, P19, and supplied to the gate of NchTrN14. PchTrP17, P19, NchTrN14, N
The 15 common connection points are output terminals of the NOR circuit NOR1, that is, point A. The output potential OUT6 is supplied from the buffer circuit BUFF to the gate of the PchTrP15.

【0049】NOR回路NOR2は電源に順に直列に電
流通路が接続されたPchTrP20、P21、Nch
TrN16、N17、及び、NchTrN16、N17
に並列に電流通路が接続されたNchTrN18を有し
ている。さらに、PchTrP1のゲートとグランドと
の間に電流通路が直列に接続されたNchTrN19、
N20、及び、それらに並列に接続されたNchTrN
21からなる。一方の入力電位IN1はPchTrP2
1、NchTrN16、N18のゲートに供給される。
他方の入力電位IN2はPchTrP20、NchTr
N19、N21のゲートに供給される。PchTrP2
1、NchTrN16、N18、N19、N21の共通
接続点がNOR回路NOR2の出力端子つまり点Bであ
る。NchTrN17、N20のゲートにはバッファ回
路BUFFから出力電位OUT6が供給される。
The NOR circuit NOR2 includes Pch Trs P20, P21, and Nch whose current paths are connected in series to the power supply in order.
TrN16, N17 and NchTrN16, N17
And an NchTrN18 having a current path connected in parallel. Further, an NchTrN19 having a current path connected in series between the gate of the PchTrP1 and the ground,
N20 and NchTrN connected in parallel to them
21. One input potential IN1 is PchTrP2
1, supplied to the gates of NchTrs N16 and N18.
The other input potential IN2 is PchTrP20, NchTr
It is supplied to the gates of N19 and N21. PchTrP2
1, the common connection point of NchTrs N16, N18, N19, and N21 is the output terminal of NOR circuit NOR2, that is, point B. The output potential OUT6 is supplied to the gates of the NchTrs N17 and N20 from the buffer circuit BUFF.

【0050】尚、第1の実施の形態と同様に、NOR回
路NOR1、NOR2のいずれか一方のみが上記の第3
の実施の形態に係る回路構成で、他方が従来の回路構成
であってもよい。
As in the first embodiment, only one of the NOR circuits NOR1 and NOR2 is connected to the third circuit.
In the circuit configuration according to the embodiment, the other may be a conventional circuit configuration.

【0051】上記の第3に実施の形態においては、第1
の実施の形態と同様に、PchTrP15、P16、P
17、または、NchTrN17、N16、または、N
chTrN20、N19を介して出力電位OUT6を正
帰還しているので、バッファ回路BUFF内のPchT
rP1、NchTrN1のゲートの電位を適切な値にで
き、貫通電流が少なくなる。従って、比較的大きなノイ
ズが生じず、低消費電力となる。また、出力電位OUT
6が中間電位VCC1程度の電位を越えると急激に変化
するので、入力電位INの変化から出力電位OUT6の
変化までのディレイ量は大きくならない。さらに、Pc
hTrP15、NchTrN17、NchTrN20の
オン状態は出力電位OUT6によって決まるので、その
トランジスタのVthの影響がなく、出力電位OUT5
の変化の際の特性の変動が小さい。
In the third embodiment, the first embodiment
PchTrP15, P16, PchTrP
17, or NchTrN17, N16, or N
Since the output potential OUT6 is positively fed back via the chTrN20 and N19, the PchT in the buffer circuit BUFF is
The potentials of the gates of rP1 and NchTrN1 can be set to appropriate values, and the through current decreases. Therefore, relatively large noise does not occur and power consumption is reduced. Also, the output potential OUT
6 changes rapidly when the potential exceeds about the intermediate potential VCC1, the delay amount from the change in the input potential IN to the change in the output potential OUT6 does not increase. Furthermore, Pc
Since the on-state of hTrP15, NchTrN17 and NchTrN20 is determined by the output potential OUT6, there is no influence of Vth of the transistor, and the output potential OUT5
The change in the characteristic when the change in the value is small.

【0052】[0052]

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、特性の変動が比較的小さく、低消費電力でかつ比較
的大きなノイズを発生しないディジタル回路を提供でき
る。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a digital circuit which has a relatively small variation in characteristics, low power consumption and does not generate relatively large noise.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態に係るディジタル回
路を説明する図。
FIG. 1 is a diagram illustrating a digital circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施の形態に係るディジタル回
路の回路構成を示す図。
FIG. 2 is a diagram showing a circuit configuration of a digital circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第3の実施の形態に係るディジタル回
路の回路構成を示す図。
FIG. 3 is a diagram showing a circuit configuration of a digital circuit according to a third embodiment of the present invention.

【図4】従来のディジタル回路の例を説明する図。FIG. 4 illustrates an example of a conventional digital circuit.

【図5】従来のディジタル回路の例を説明する図。FIG. 5 illustrates an example of a conventional digital circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

P1〜P21…Pチャネルトランジスタ、 N1〜N21…Nチャネルトランジスタ、 INV1〜INV5…インバータ(スルーレート回
路)、 NAND1、NAND2…NAND回路(スルーレート
回路)、 NOR1、NOR2…NOR回路(スルーレート回
路)、 IN…入力電位、 V1、V3、V5…点Aの電位、 V2、V4、V6…点Bの電位、 OUT1〜OUT6…出力電位。
P1 to P21: P-channel transistor, N1 to N21: N-channel transistor, INV1 to INV5: Inverter (slew rate circuit), NAND1, NAND2: NAND circuit (slew rate circuit), NOR1, NOR2 ... NOR circuit (slew rate circuit) IN: input potential; V1, V3, V5: potential at point A; V2, V4, V6: potential at point B; OUT1 to OUT6: output potential.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀江 昌司 神奈川県川崎市川崎区駅前本町25番地1 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 葛野 直和 神奈川県川崎市川崎区駅前本町25番地1 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Shoji Horie 25-1, Ekimae Honcho, Kawasaki-ku, Kawasaki, Kanagawa Prefecture Inside Toshiba Microelectronics Co., Ltd. Toshiba Microelectronics Corporation

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】入力端子及び出力端子と、 電流通路が上記出力端子と第1の電源電位との間に接続
された第1チャネルの第1トランジスタと、 電流通路が上記出力端子と第2の電源電位との間に接続
された第2チャネルの第2トランジスタと、 それぞれ上記入力端子に供給される入力信号に応じて上
記第1、第2トランジスタの各ゲートを駆動する信号を
出力する第1、第2端子と、ゲートに上記出力端子の信
号が供給された第2チャネルの第3トランジスタと、上
記第3トランジスタの電流通路と供に上記第2の電源電
位と上記第1端子との間に直列に接続され、ゲートに上
記入力信号が供給された少なくとも一つの第4トランジ
スタとを有し、上記入力信号に応じて上記第2端子が上
記第2の電源電位になって上記第2トランジスタが不通
状態になり及び上記第1トランジスタが導通状態になっ
て、上記出力端子の信号が第1の電源電位に変化する際
に、上記入力信号に応じて上記第4トランジスタが導通
状態になり、かつ、上記出力端子の信号の変化に伴って
上記第3トランジスタのゲートが導通状態になるスルー
レート回路とを具備したことを特徴とするディジタル回
路。
An input terminal and an output terminal; a current path connected between the output terminal and a first power supply potential; a first transistor of a first channel connected between the output terminal and a first power supply potential; A second transistor of a second channel connected between the power supply potential and a first transistor for outputting a signal for driving each gate of the first and second transistors according to an input signal supplied to the input terminal; , A second terminal, a third transistor of a second channel having a gate supplied with the signal of the output terminal, and a current path between the second power supply potential and the first terminal together with a current path of the third transistor. And at least one fourth transistor, the gate of which is supplied with the input signal, wherein the second terminal is brought to the second power supply potential in response to the input signal. Is not And when the first transistor is turned on and the signal at the output terminal changes to the first power supply potential, the fourth transistor is turned on in response to the input signal, and A digital circuit, comprising: a slew rate circuit that turns on a gate of the third transistor in accordance with a change in a signal at the output terminal.
【請求項2】入力端子及び出力端子と、 電流通路が上記出力端子と第1の電源電位との間に接続
された第1チャネルの第1トランジスタと、 電流通路が上記出力端子と第2の電源電位との間に接続
された第2チャネルの第2トランジスタと、 上記入力端子に供給される入力信号に応じて上記第1ト
ランジスタのゲートを駆動する信号を出力する接続端子
と、ゲートに上記出力端子の信号が供給され電流通路の
一端が上記第2の電源電位に接続された第2チャネルの
第3トランジスタと、ゲートに上記入力信号が供給され
電流通路が上記接続端子と上記第3トランジスタの電流
通路の他端に接続された第2チャネルの第4トランジス
タと、ゲートに上記入力信号が供給され電流通路が第2
の電源電位と上記接続端子との間に接続された第2チャ
ネルの第5トランジスタと、ゲートに上記入力信号が供
給され電流通路が上記第1の電源電位と上記接続端子と
の間に接続された第1チャネルの第6トランジスタとを
有する第1の反転回路と、 上記入力端子に供給される入力信号とは逆の論理レベル
の信号を上記第2トランジスタのゲートに供給して駆動
する第2の反転回路とを具備したことを特徴とするディ
ジタル回路。
2. An input terminal and an output terminal; a first transistor of a first channel having a current path connected between the output terminal and a first power supply potential; and a current path having a current path between the output terminal and a second power supply potential. A second transistor of a second channel connected to a power supply potential; a connection terminal for outputting a signal for driving a gate of the first transistor in response to an input signal supplied to the input terminal; A third transistor of a second channel, to which a signal from an output terminal is supplied and one end of a current path is connected to the second power supply potential, a gate to which the input signal is supplied and the current path is connected to the connection terminal and the third transistor A fourth transistor of a second channel connected to the other end of the current path of the second channel;
A fifth transistor of a second channel connected between the power supply potential of the second channel and the connection terminal; a gate to which the input signal is supplied; and a current path connected between the first power supply potential and the connection terminal. A first inverting circuit having a sixth transistor of the first channel, and a second driving circuit that supplies a signal of a logic level opposite to the input signal supplied to the input terminal to the gate of the second transistor to drive the signal. And a reversing circuit.
【請求項3】複数の入力端子及び出力端子と、 電流通路が上記出力端子と第1の電源電位との間に接続
された第1チャネルの第1トランジスタと、 電流通路が上記出力端子と第2の電源電位との間に接続
された第2チャネルの第2トランジスタと、 上記複数の入力端子に供給される入力信号に応じて上記
第1トランジスタのゲートを駆動する信号を出力する接
続端子と、各ゲートに上記出力端子の信号がそれぞれ供
給され電流通路の各一端が上記第2の電源電位に接続さ
れた第2チャネルの複数の第3トランジスタと、各ゲー
トに上記複数の入力信号がそれぞれ供給され各電流通路
が上記接続端子と上記複数の第3トランジスタの各電流
通路の他端に接続された第2チャネルの複数の第4トラ
ンジスタと、各ゲートに上記複数の各入力信号がそれぞ
れ供給され各電流通路が第2の電源電位と上記接続端子
との間にそれぞれ接続された第2チャネルの複数の第5
トランジスタと、各ゲートに上記複数の入力信号がそれ
ぞれ供給され電流通路が第1の電源電位と上記接続端子
との間に直列に接続された第1チャネルの複数の第6ト
ランジスタとを有する第1の論理回路と、 上記複数の入力信号が供給され、上記各入力信号に応じ
て、上記第1の論理回路と同じ論理レベルの信号を上記
第2トランジスタのゲートに供給して駆動する第2の論
理回路とを具備したことを特徴とするディジタル回路。
3. A first transistor of a first channel having a plurality of input terminals and an output terminal, a current path connected between the output terminal and a first power supply potential, and a current path connected to the output terminal. A second transistor of a second channel connected between the second power supply potential and a connection terminal for outputting a signal for driving a gate of the first transistor in accordance with an input signal supplied to the plurality of input terminals; A plurality of third transistors of a second channel, each of which receives a signal of the output terminal at each gate and one end of a current path is connected to the second power supply potential; and a plurality of input signals at each gate. A plurality of fourth transistors of a second channel connected to the connection terminal and the other end of each of the plurality of current paths of the plurality of third transistors; and a plurality of input signals to each gate. Fifth plurality of second channels respectively connected between each current path are supplied respectively to the second power supply potential and the connection terminal
A first transistor comprising: a transistor; and a plurality of sixth transistors of a first channel, each of which has the plurality of input signals supplied to its gate, and a current path connected in series between the first power supply potential and the connection terminal. A plurality of input signals are supplied, and in response to each of the input signals, a signal of the same logic level as that of the first logic circuit is supplied to the gate of the second transistor to drive the second transistor. A digital circuit, comprising: a logic circuit.
【請求項4】複数の入力端子及び出力端子と、 電流通路が上記出力端子と第1の電源電位との間に接続
された第1チャネルの第1トランジスタと、 電流通路が上記出力端子と第2の電源電位との間に接続
された第2チャネルの第2トランジスタと、 上記複数の入力端子に供給される入力信号に応じて上記
第2トランジスタのゲートを駆動する信号を出力する接
続端子と、ゲートに上記出力端子の信号が供給され電流
通路の一端が上記第1の電源電位に接続された第1チャ
ネルの第3トランジスタと、各ゲートに上記複数の入力
信号がそれぞれ供給され、各電流通路が直列に接続され
て第1直列回路が構成され、この第1直列回路が上記接
続端子と上記第3トランジスタの他端との間に接続され
た第1チャネルの複数の第4トランジスタと、各ゲート
に上記複数の入力信号がそれぞれ供給され、各電流通路
が直列に接続されて第2直列回路が構成され、この第2
直列回路が上記接続端子と第1の電源電位との間に接続
された第1チャネルの複数の第5トランジスタと、各ゲ
ートに上記複数の入力信号がそれぞれ供給され電流通路
が第2の電源電位と上記接続端子との間に並列に接続さ
れた第2チャネルの複数の第6トランジスタとを有する
第1の論理回路と、 上記複数の入力信号が供給され、上記各入力信号に応じ
て、上記第1の論理回路と同じ論理レベルの信号を上記
第1トランジスタのゲートに供給して駆動する第2の論
理回路とを具備したことを特徴とするディジタル回路。
4. A first transistor of a first channel having a plurality of input terminals and an output terminal, a current path connected between the output terminal and a first power supply potential, and a current path connected to the output terminal and the first transistor. A second transistor connected between the second power supply potential and a second power supply potential; a connection terminal for outputting a signal for driving a gate of the second transistor in accordance with an input signal supplied to the plurality of input terminals; A third transistor of a first channel having a gate to which the signal of the output terminal is supplied and one end of a current path connected to the first power supply potential; A plurality of fourth transistors of a first channel connected between the connection terminal and the other end of the third transistor, the paths being connected in series to form a first series circuit; Said plurality of input signals are respectively supplied to the gate, the second series circuit is formed each current path are connected in series, the second
A plurality of fifth transistors of a first channel connected in series between the connection terminal and the first power supply potential; a plurality of input signals supplied to respective gates; A first logic circuit having a plurality of sixth transistors of a second channel connected in parallel between the first input terminal and the connection terminal; and the plurality of input signals being supplied. A second logic circuit for supplying a signal of the same logic level as the first logic circuit to the gate of the first transistor to drive the same.
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