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JPS59215725A - Semiconductor manufacturing device - Google Patents

Semiconductor manufacturing device

Info

Publication number
JPS59215725A
JPS59215725A JP9028683A JP9028683A JPS59215725A JP S59215725 A JPS59215725 A JP S59215725A JP 9028683 A JP9028683 A JP 9028683A JP 9028683 A JP9028683 A JP 9028683A JP S59215725 A JPS59215725 A JP S59215725A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nozzle
sprayer
spraying
substrate
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9028683A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuhiro Arata
荒田 和洋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP9028683A priority Critical patent/JPS59215725A/en
Publication of JPS59215725A publication Critical patent/JPS59215725A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE:To prevent a substrate from adhesion of the degenerated solutions of developers by a method wherein the plane positions of nozzles are arranged at the side of the development objective substrate up to directly after starting of spraying of the developer fed from the nozzle and after directly before finishing of spraying, and the nozzles are made to perform reciprocating transference on the substrate performing spraying. CONSTITUTION:A first developer is sprayed from nozzle 25 stopping at the position A through a solution line 27 at the same time with starting of the rotation of a head 12 holding a substrate 11, an arm 31 is swinged between the positions A, A', and the nozzle 25 passes the upper part of the center of the substrate 11. After the prescribed hours of starting of motion of a sprayer 23, a sprayer 24 is fed with a second developer from a solution line 28 during stopping at the position B, and sprays from a nozzle 26. When the sprayer 26 stops at the position A, the sprayer 24 reciprocates between the positions B, B' spraying as it is, and after the prescribed hours, stops at the position B, and spraying of the nozzle 26 is also stopped. The head 12 continues the rotation to dry the substrate 11. According to this construction, a degenerated solution is not adhered to the substrate at spraying time from the nozzle, and moreover spraying condition can be stabilized.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は半導体製造装置に係り、竹にマスク合せ後に
露光が施されたウェハを現像するウェハ現像装置に関す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, to a wafer developing device that develops a wafer that has been exposed to light after a mask is placed on a bamboo.

〔発明の技術的背景とその間匙点〕[Technical background of the invention and points in between]

この樺の半導体製造装置には、第1図に示すように、マ
スク合せ後Kf)3光が施されたフェノ1即ち現像対象
ウェハ11を保持するウェハ保持台(以下、スピンヘッ
ドと称する)12.現像処理用溶液を噴霧する例えは2
台の噴霧器13114、および噴霧器13.14のノズ
ル15.16から噴霧された温液を集める溶液受は部(
以下、カップと称する)17なとが主として設けられて
いる。現像対象クエへ″11がスピンヘッド12に保持
された状態におけるクエノ111に対するノズル15.
16の平面的な位置関係は第2図に示す通りである。即
ち、一般に噴霧器13は、少なくとも、ノズル15.1
6がワエへ11の上方部に位置する位置に固定配置され
ている。なお、18はカッf17の開口縁を示す。
As shown in FIG. 1, this birch semiconductor manufacturing apparatus includes a wafer holding table (hereinafter referred to as a spin head) 12 that holds a phenol 1, that is, a wafer 11 to be developed, on which Kf)3 light has been applied after mask alignment. .. An example of spraying a developing solution is 2.
The atomizer 13114 on the stand and the solution receiver that collects the hot liquid sprayed from the nozzle 15.16 of the atomizer 13.14 are located in the section (
17 (hereinafter referred to as cups) are mainly provided. Nozzle 15.
The planar positional relationship of 16 is as shown in FIG. That is, the atomizer 13 generally includes at least one nozzle 15.1.
6 is fixedly arranged at a position above the side 11. Note that 18 indicates the opening edge of the cup f17.

上述の半導体製造装置では、現像対象ワエへ11がスピ
ンヘッド12に保持され、当該スピンヘッド12がモー
タ等の駆動機構(図示せず)により図示矢印a方向に回
転を開始すると。
In the above-described semiconductor manufacturing apparatus, the workpiece 11 to be developed is held by the spin head 12, and when the spin head 12 starts rotating in the direction of arrow a in the figure by a drive mechanism (not shown) such as a motor.

例えば噴霧器13のノズル15から第1の現像処理用溶
液がワエへ11上に噴霧される。ノズル15からの噴霧
が終了すると、噴霧器14のノズル16から第2の現像
処理用溶液がクエへ1ノ上に噴霧される。そして、ノズ
ル16からの噴霧が終了し、所定時間が経過するとスピ
ンヘッド12の回転が停止し、現像サイクルが終了する
For example, the first developing solution is sprayed onto the wafer 11 from the nozzle 15 of the sprayer 13 . When the spraying from the nozzle 15 is completed, the second developing solution is sprayed from the nozzle 16 of the sprayer 14 onto the square. Then, when the spraying from the nozzle 16 is finished and a predetermined time has elapsed, the rotation of the spin head 12 is stopped, and the development cycle is completed.

このような半導体製造装置には以下に示す3つの欠点が
あり問題であった。
Such semiconductor manufacturing equipment has the following three drawbacks.

■ ノズルからの噴霧終了時、液の切れが悪い場合には
、液がノズルから現像済みのフェノ1上。
■ When the nozzle finishes spraying, if the liquid does not drain easily, spray the liquid from the nozzle onto the developed Pheno 1.

に垂れ落ち、レソストパターンが変形する恐れがある。There is a risk that the resin may drip and deform the Resost pattern.

■ ノズルの先端部に溜っている液に堅気中の塵が吸着
することがあり、この紐がノズルからの溶液噴霧時にワ
エハに吹き付けられることによりノ4メーン不良を招く
恐れがある。これは。
■ Dust in the air may be adsorbed to the liquid collected at the tip of the nozzle, and this string may be sprayed onto the wafer when the solution is sprayed from the nozzle, resulting in a four-main failure. this is.

噴霧間隔が長くなった場合に特に顕著となる。This is particularly noticeable when the spray interval becomes long.

■ ノズルからの噴霧状態において、その噴霧領域内で
の噴霧強度が一様でないため、ウェハ内でレジストパタ
ーン寸法にほらつきが発生する。
(2) In the spray state from the nozzle, the spray intensity within the spray area is not uniform, which causes variations in resist pattern dimensions within the wafer.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

この発明は上記事情に鑑みてなされたものでその目的は
、ノズルから液が垂れ落ちてもクエハに影響を及ぼす恐
れのない半導体製造装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus in which there is no fear that even if liquid drips from a nozzle, it will affect the wafer.

この発明の他の目的は1.ノズルからの噴霧時に変質溶
液がクエへに付着することを防止でき、かつ噴霧状態の
安定化が図れる半導体製造装置を提供することにある。
Other objects of this invention are 1. It is an object of the present invention to provide a semiconductor manufacturing apparatus that can prevent a degraded solution from adhering to a square during spraying from a nozzle, and can stabilize the spray state.

この発明の更に他の目的は、ワエへ上での噴霧強度を一
様にすることができ、もってウェハ内におけるレジスト
パターン寸法のばらつきを小さくできる半導体製造装置
を提供することにある。
Still another object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus that can make the spray intensity uniform over the wafer, thereby reducing variations in resist pattern dimensions within the wafer.

〔発明のa要〕[A essential point of the invention]

この発明は、ノズルからの現像処理用溶液の噴霧開始直
後までと噴霧終了直前以降において。
This invention applies immediately after the start of spraying of the developing solution from the nozzle and immediately after the end of spraying.

当該ノズルの平面的な位置が現像対象クエへの外側に位
置するようにすると共に、上記ノズルが噴霧状態のまま
で現像対象ウェハ上を横切って繰り返し往復移動するよ
うにしている。
The planar position of the nozzle is located outside the wafer to be developed, and the nozzle is repeatedly moved back and forth across the wafer to be developed while remaining in a spraying state.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

第3図はこの発明の一実施例に係る2工八現像装置の一
部を断面して示す側面図であり、第1図と同一部分には
同一符号が付されている。
FIG. 3 is a partially sectional side view of a two-way developing device according to an embodiment of the present invention, and the same parts as in FIG. 1 are given the same reference numerals.

同図において符号23.24で示される噴霧器は、溶液
噴霧用のノズル25.26を有している。噴霧器;! 
J 、 24には、溶液ライン27゜28を介して異な
る種類の有機溶剤でおる第1゜第2の現像処理用溶液が
供給され、加圧ライン29.30を介して例えばNt(
窒素)ガスが供給されるようになっている。噴霧器23
゜24はアーム31.32の一端部に取着されている。
The atomizer, designated 23.24 in the figure, has a nozzle 25.26 for spraying the solution. Sprayer;!
J, 24 are supplied with first and second developing solutions of different types of organic solvents via solution lines 27 and 28, and are supplied with, for example, Nt(
Nitrogen) gas is supplied. Sprayer 23
24 is attached to one end of the arm 31,32.

アーム31.32の他端部はモータ等の駆動機構(第2
駆動機構) 、? J 、 34の回転軸(図示せず)
に連結されている。しかしてアーム31 、 、V 2
は、駆動機構33 、 J 4により、スピンヘッド1
2に保持される現像封板9工八11に水平な方向に回動
する。噴霧器23゜24は初期状態においてその平面的
な位置が現像対象クエへ11とカップ17の開口縁18
との間に位置している。噴霧器23.24の噴霧タイミ
ング制卸は図示せぬ制御機構によって行なわれる。この
制御機構は駆動機構33,34゜更にはスピンヘッド1
2を回転させる駆動機構(図示せず)をも制御す、る。
The other end of the arm 31.32 is connected to a drive mechanism such as a motor (second
drive mechanism),? J, 34 rotation axis (not shown)
is connected to. However, arm 31 , , V 2
The spin head 1 is driven by the drive mechanism 33 and J4.
The developer sealing plate 9 held by 2 rotates in a horizontal direction to 11. In the initial state, the sprayers 23 and 24 have their planar positions aligned with the area 11 of the object to be developed and the opening edge 18 of the cup 17.
It is located between. The spray timing of the sprayers 23, 24 is controlled by a control mechanism (not shown). This control mechanism includes drive mechanisms 33, 34° and a spin head 1.
It also controls a drive mechanism (not shown) that rotates 2.

次に、この発明の一実施例の動作を第4図の平面図、第
、5図のフローチャート′ff−参照して説明する。第
4図は第3図に示すワエハ現像装fi、jの要部の平面
図であり、主として現像対象ウェハ1ノに対する噴霧器
z J 、 24の平面的な位置関係を示している。ま
た、第5図のフローチャートは図示せぬ制御!flI機
構の制御による現像サイクルのシーケンスを示している
。噴霧器23.24は、初期状態において、その平面的
な位置が第4図に示す如く現像対象ウェハ1ノとカンf
17の開口縁18との間の所定位% A 、 Bに停止
している。
Next, the operation of one embodiment of the present invention will be described with reference to the plan view of FIG. 4 and the flowcharts 'ff-' of FIGS. FIG. 4 is a plan view of essential parts of the wafer developing device fi, j shown in FIG. 3, mainly showing the planar positional relationship of the sprayers z J, 24 with respect to the wafer 1 to be developed. Also, the flowchart in FIG. 5 is for control not shown! 3 shows the sequence of development cycles under the control of the flI mechanism. In the initial state, the sprayers 23 and 24 have their planar positions aligned with the wafer 1 to be developed, as shown in FIG.
It is stopped at a predetermined position %A, B between the opening edge 18 of the opening 17 and the opening edge 18 of the opening 17.

現像サイクルの開始時においては、第5図のフローチャ
ートに示されるように、まず現像対象ウェハ11がスピ
ンヘッド12の台座に例えは真空吸着等により保持され
る(ステップ100)。次にカップ17が第3図に矢印
すで示す方向に上昇する(ステップ10))。なお、第
3図にはカップ17がすでに上昇している状態が示され
ている。次にスピンヘッド12が回転を開始すると共に
、噴霧器23が第4図に符q−Aで示す位置に停止した
状態でノズル26からの1Itt称がυIJ始されるに
ステップノθ2)。ノズル25からの噴霧は、加圧ライ
ン29を介してN2ガスが供給されることにより可能と
なるもので、これにより溶液ライン27を介して供給さ
れる第1の現像処理用溶液かノズル26から噴霧される
At the start of the development cycle, as shown in the flowchart of FIG. 5, the wafer 11 to be developed is first held on the pedestal of the spin head 12 by vacuum suction or the like (step 100). Next, the cup 17 rises in the direction indicated by the arrow in FIG. 3 (step 10). Note that FIG. 3 shows a state in which the cup 17 has already been raised. Next, the spin head 12 starts rotating, and with the atomizer 23 stopped at the position shown by the symbol q-A in FIG. 4, the 1Itt name from the nozzle 26 starts υIJ (step θ2). Spraying from the nozzle 25 is made possible by supplying N2 gas through the pressure line 29, so that the first developing solution supplied through the solution line 27 is sprayed from the nozzle 26. Sprayed.

次に駆動機構33か作動し、噴賃器23が噴霧状態のま
まで第4図に符号Aで示す位置と符号A′で示す位置と
の間を矢印C方向に繰り返し往復移動、すなわちスイン
グ(SWING)する如く、アーム3211i往復回動
する(ステップ103)。このとき、噴霧器23は現像
対象クエへ11の中心付近の上方部を通過するようにな
っている。噴霧器23がスイングを開始した後、予め設
定されている時間が経過したことが検出される(ステッ
プ1θ4,1os)と、噴霧器24が位fiiB(第4
図診照)Ic停止した状態でノズル26からの噴霧が開
始される(ステップ106)。ノズル26からの噴霧は
、加圧ライン30を介してN2ガスが供給されることに
より可能となるもので、これにより浴液う1ン28を介
して供給される第2の現像処理用溶液がノズル26から
噴霧される。
Next, the drive mechanism 33 is activated, and the spray device 23 moves repeatedly in the direction of arrow C between the position indicated by the symbol A and the position indicated by the symbol A' in FIG. The arm 3211i reciprocates as if swinging (SWING) (step 103). At this time, the sprayer 23 passes through the upper part near the center of the cube 11 to be developed. After the sprayer 23 starts swinging, when it is detected that a preset time has elapsed (step 1θ4, 1os), the sprayer 24 moves to position fiiB (fourth
(See figure) Spraying from the nozzle 26 is started with Ic stopped (step 106). Spraying from the nozzle 26 is made possible by supplying N2 gas through the pressure line 30, which causes the second developing solution supplied through the bath tank 28 to It is sprayed from the nozzle 26.

次に噴霧器23のスイング動作が停止され。Next, the swinging motion of the sprayer 23 is stopped.

駆動機構33により噴霧器23が元の位置Aに停止され
る。同時に駆動機構34が作動し、噴霧器24は噴霧状
態のままで第4図に符号Bで示す位置と符号B′で示す
位置との間を矢印d方向に繰り返しスイングする(ステ
ラf107)。
The drive mechanism 33 stops the sprayer 23 at the original position A. At the same time, the drive mechanism 34 is operated, and the sprayer 24 repeatedly swings in the direction of arrow d between the position indicated by the symbol B and the position indicated by the symbol B' in FIG. 4 while maintaining the spraying state (Stella f107).

続いてノズル25からの噴霧か停止される(ステップ1
08)。そして、予め設定されている時間が経過したこ
とが検出される(ステップxo9.11o)と、噴霧器
24のスイング動作が停止され、駆動機構33により噴
霧器24が元の位置Bに停止される(ステラfl J 
J )。
Subsequently, the spray from the nozzle 25 is stopped (step 1
08). Then, when it is detected that the preset time has elapsed (step fl J
J).

続いてノズル26からの噴霧が停止される(ステップ1
12)。そしてスピンヘッド12の回転だけが継続され
、ワエへ11の乾燥が行なわれる。しかしてスピンヘッ
ド12の回転が停止され(ステップ113)、しかる後
カップ17が第3図に矢印eで示す方向に下降する(ス
テップ114)。次にウェハ11が保持状態から解放す
れ、スピンヘッド12から取り出される(ステップ11
5)。− なお、前記実施例では、噴霧器は、初期状態においてそ
の平面的な位置が現像対象ウエノ1の外にあるものとし
て説明したが、これに限るものではな、<、少なくとも
噴霧器のノズル先端の平面的な位置が現像対象ウニへの
外にあればよい。
Subsequently, spraying from the nozzle 26 is stopped (step 1
12). Then, only the rotation of the spin head 12 is continued, and the drying of the wafer 11 is performed. The rotation of the spin head 12 is then stopped (step 113), and then the cup 17 is lowered in the direction indicated by arrow e in FIG. 3 (step 114). Next, the wafer 11 is released from the holding state and taken out from the spin head 12 (step 11
5). - In the above embodiment, the sprayer was explained as having a planar position outside the wafer to be developed 1 in the initial state, but this is not limited to this. It is sufficient that the target position is outside the sea urchin to be developed.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上詳述したようにこの発明によれは、次に列挙する作
用効果を奏することができる。
As described in detail above, the present invention can achieve the following effects.

■ ノズルからの噴霧が終了する直前に、少なくともノ
ズル先端がワエハ外゛に位置するように噴霧器が移動さ
れるため、噴霧終了時などにたとえノズルから現像処理
用溶液が垂れ落ちても当該溶液が現像済みのクエ・ハ上
に゛落下することはない。したがってレジストパターン
が変形することはない。
■ Immediately before the nozzle finishes spraying, the sprayer is moved so that at least the nozzle tip is positioned outside the wafer, so even if the developing solution drips from the nozzle at the end of spraying, the solution will not leak. It will not fall on the developed surface. Therefore, the resist pattern is not deformed.

■ ノズルからの噴霧開始時には、少なくともノズル先
端がウニへ外に位置しているため、噴霧時間間隔が長く
なった場合などにおいてノズル先端部に溜っている溶液
に空気中の塵が吸着し、当該塵を含む溶液(変質溶液)
が噴霧されたとしても、現1象対象ワエハにはイ「1」
ら影響しない。したがってパターン不良を招(ことはな
い。
■ When spraying from the nozzle starts, at least the tip of the nozzle is located outside the sea urchin, so if the spray time interval becomes long, dust in the air will adsorb to the solution accumulated at the tip of the nozzle, causing the problem Solution containing dust (altered solution)
Even if it is sprayed, the current target Waeha is
It has no effect. Therefore, pattern defects will not occur.

■ 噴霧状態の不安定な噴霧開始時と噴霧終了時には少
なくともノズル先端がワエハ外に位置するため、現蝕処
理用溶液が不安定な噴診状態でクエへに噴霧される恐れ
はない。
■ Unstable spray state At least the nozzle tip is located outside the wafer at the start and end of spraying, so there is no risk of the corrosion treatment solution being sprayed onto the wafer in an unstable spray state.

■ 噴霧器がウェハ上を楡切って繰り返し往復移動しが
がら溶液の噴柚が行なわれるため、+7エハ上での噴霧
強度を一様にすることができ。
■ Since the solution is sprayed while the sprayer repeatedly moves back and forth across the wafer, the spray intensity on the +7 wafer can be made uniform.

ワエハ内におけるレジストパターン寸法のほらつきを小
さくできる。
Variations in resist pattern dimensions within the wafer can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来のウェハ現像装置の一部を断面して示す側
面図、第2図は第1図に示すノズルのウェハに対する平
面的な位置関係を示す図。 泥3図はこの発明の一部211!!B′uに係るウエノ
1現イ専装置の一部をUT面して示す側面図、第4図は
第3図に示す噴紬器のワエノ)K対する平面的な位置関
係を示す図%第5図は現像す1クルのフローチャートで
ある。 11・・・現像対象ウェハ、12・・・フェノ1保持台
(スピンヘッド)、、73.24・・・噴W%器、25
.26・・・ノズル、31 、32・・・アーム、33
゜34・・・駆動機構。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1 図 第3図 第4図
FIG. 1 is a side view showing a part of a conventional wafer developing apparatus in cross section, and FIG. 2 is a diagram showing the planar positional relationship of the nozzle shown in FIG. 1 with respect to the wafer. Mud 3 figure is part of this invention 211! ! Fig. 4 is a side view showing a part of the current Ueno 1 specialized equipment related to B'u from the UT side; FIG. 5 is a flowchart of one cycle of development. DESCRIPTION OF SYMBOLS 11...Wafer to be developed, 12...Feno 1 holding stand (spin head), 73.24...Spray W% device, 25
.. 26... Nozzle, 31, 32... Arm, 33
゜34... Drive mechanism. Applicant's agent Patent attorney Takehiko Suzue Figure 1 Figure 3 Figure 4

Claims (1)

【特許請求の範囲】 現像対象クエへを保持するウェハ保持台と。 このウェハ保持台を回転させる第1駆動様構と。 現像処理用溶液を噴にするノズルを何し、初期状態にお
いて少なくとも当該ノズルの先端が上記ウェハ保持台の
回転中心を円中心とする上記クエへとほぼ同一半径の円
領域をその垂直方向に延長してなる空間領域の外に位置
する噴霧器と、この噴霧器を支持するアームと、このア
ームを回動させる第2ffi動機構と、上記第1および
第2駆動機構を制御すると共に上記噴霧器の噴霧メイミ
ング制御を行なう制御機構とを具備し、この制御機構は
、上記ノズルからの噴霧開始後に上記噴霧器か上記9エ
ム保持台に保持される上記現像対象ウニへ上を横切って
繰り返し往復移動し、所定時間経過後に元の位置で停止
するように上記第2駆動機構を制(財)する手段と。 上記噴霧器が元の位置で停止し、た後に上記ノズルから
の噴鮪が終了するように上記噴霧器を制御する手段とを
有していることをも徴とする半導体製造装置。
[Scope of Claims] A wafer holding stand that holds a wafer to be developed. a first driving mechanism for rotating the wafer holding table; What kind of nozzle is used to spray the developing processing solution? In the initial state, at least the tip of the nozzle extends in the vertical direction a circular area having approximately the same radius as the above-mentioned square with the rotation center of the above-mentioned wafer holding table as the center of the circle. a sprayer located outside the spatial region formed by the sprayer, an arm that supports the sprayer, a second ffi movement mechanism that rotates the arm, and a spray aiming mechanism that controls the first and second drive mechanisms and controls the sprayer. and a control mechanism that performs control, and after the start of spraying from the nozzle, the control mechanism repeatedly moves back and forth across the sprayer or the sea urchin to be developed held on the 9M holding table for a predetermined period of time. and means for controlling the second drive mechanism so as to stop at the original position after the elapse of time. and means for controlling the sprayer so that the sprayer stops at the original position and then the spraying from the nozzle ends.
JP9028683A 1983-05-23 1983-05-23 Semiconductor manufacturing device Pending JPS59215725A (en)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9028683A JPS59215725A (en) 1983-05-23 1983-05-23 Semiconductor manufacturing device

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9028683A JPS59215725A (en) 1983-05-23 1983-05-23 Semiconductor manufacturing device

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Publication Number Publication Date
JPS59215725A true JPS59215725A (en) 1984-12-05

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ID=13994276

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JP9028683A Pending JPS59215725A (en) 1983-05-23 1983-05-23 Semiconductor manufacturing device

Country Status (1)

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JP (1) JPS59215725A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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