JPS5961952A - 半導体用部品の製造方法 - Google Patents
半導体用部品の製造方法Info
- Publication number
- JPS5961952A JPS5961952A JP17266082A JP17266082A JPS5961952A JP S5961952 A JPS5961952 A JP S5961952A JP 17266082 A JP17266082 A JP 17266082A JP 17266082 A JP17266082 A JP 17266082A JP S5961952 A JPS5961952 A JP S5961952A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- recession
- nickel
- lead rod
- lead bar
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 4
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 abstract description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 241000237858 Gastropoda Species 0.000 description 1
- 240000002834 Paulownia tomentosa Species 0.000 description 1
- GXDVEXJTVGRLNW-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Cu] Chemical compound [Cr].[Cu] GXDVEXJTVGRLNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明け、半導体素子の構成部品に関￥るものである
。
。
タングステン、モリブデン等の高融点金属でつくらｎた
１対のチップ（スラグ）の間ＶＣ／ｌ）コンウニハケ介
装し、上記チップの外側端ＨＩ５にはそれぞれ金属リー
ド棒を接合したダイオードが知ら一１ｔている。上記チ
ップとリード棒とを接合してなる２１′導体用；ｓｌｊ
品の製造に際して従来採用されてきた接合方法１４、チ
ップの端面にリード棒を突き合わせてスポット溶接する
方法であったので、両者の接合強度が低く、使用中にリ
ード棒が脱落しやすいという大きな欠点があった。
１対のチップ（スラグ）の間ＶＣ／ｌ）コンウニハケ介
装し、上記チップの外側端ＨＩ５にはそれぞれ金属リー
ド棒を接合したダイオードが知ら一１ｔている。上記チ
ップとリード棒とを接合してなる２１′導体用；ｓｌｊ
品の製造に際して従来採用されてきた接合方法１４、チ
ップの端面にリード棒を突き合わせてスポット溶接する
方法であったので、両者の接合強度が低く、使用中にリ
ード棒が脱落しやすいという大きな欠点があった。
この発明に上記事情に鑑みてなさノ１．たもので、チッ
プとり一ド棒とが強固に接合さ才″Ｌだ半導体用部品を
提供するものであり、こフ１．について以Ｔ’［説明す
る。
プとり一ド棒とが強固に接合さ才″Ｌだ半導体用部品を
提供するものであり、こフ１．について以Ｔ’［説明す
る。
不発明にかかる半導体用部品に、芯部に凹部を形成した
高融点金属チップに、表面にニッケル層をそなえた金属
リード棒を嵌合し２．加熱処理を施してリード棒の表面
層のニッケルをチップの凹部内面に拡散させ、リード棒
とチップと全一体化したことを特徴としている０以下、
図面にあられさｆｌ、た実施例について説明する。
高融点金属チップに、表面にニッケル層をそなえた金属
リード棒を嵌合し２．加熱処理を施してリード棒の表面
層のニッケルをチップの凹部内面に拡散させ、リード棒
とチップと全一体化したことを特徴としている０以下、
図面にあられさｆｌ、た実施例について説明する。
この半導体用部品１は、タングステン、モリブデン等の
高融点金属材料でつくられたチップ２と、金属製のり一
ド棒３を接合一体化してなる。チップ２に、第１図に示
す如く、芯部（で軸方向の四部４をそなえた円柱体とし
て形成さ１．でいる。このようなチップ２は、例えば原
オ・１であるモリブデンＡ、（Ｈの金属粉末を自ｎＵｒ
プレス機等で加圧成形し、遠足雰囲気中またはｒ＋、空
中で焼結する方法等で製造することができる。このよう
に粉末成形時に金型て凹ＴｒｌｌＳ４を成形する場合は
、該凹部に金型抜取り用の抜きテーバがつき、開［］側
が孔底側よりもわずかに径が大きくなるのが酋通である
。なお、凹部４は焼結後に穿設してもよく、チップ２自
体を塑性加工により成形してもよい。図示例では、凹？
”？１５４がめくら穴として形成さ几ているが、これを
貫通孔として形成してもよい。
高融点金属材料でつくられたチップ２と、金属製のり一
ド棒３を接合一体化してなる。チップ２に、第１図に示
す如く、芯部（で軸方向の四部４をそなえた円柱体とし
て形成さ１．でいる。このようなチップ２は、例えば原
オ・１であるモリブデンＡ、（Ｈの金属粉末を自ｎＵｒ
プレス機等で加圧成形し、遠足雰囲気中またはｒ＋、空
中で焼結する方法等で製造することができる。このよう
に粉末成形時に金型て凹ＴｒｌｌＳ４を成形する場合は
、該凹部に金型抜取り用の抜きテーバがつき、開［］側
が孔底側よりもわずかに径が大きくなるのが酋通である
。なお、凹部４は焼結後に穿設してもよく、チップ２自
体を塑性加工により成形してもよい。図示例では、凹？
”？１５４がめくら穴として形成さ几ているが、これを
貫通孔として形成してもよい。
リード棒３は、銅、銅合金（例えば、銅−ジルコン、銅
−クロム）その他の金属桐刺てつくら几た棒体３ａの表
面にニッケル層３ｂを形成してなる。このようなニッケ
ル層３１〕ｉｄ、例えば公知のニッケルメッキ法によっ
て容易に形成することができる。ニッケル層３ ｌ）の
厚みに、５ミクロン（１１？＋＋、 ）以−ヒとするの
が好捷しく、１５〜２０ミクロンとするのが史に好捷し
い。なお、リード棒３としてニッケル棒を使用する場合
は、上記ニッケルメッキは不要である。
−クロム）その他の金属桐刺てつくら几た棒体３ａの表
面にニッケル層３ｂを形成してなる。このようなニッケ
ル層３１〕ｉｄ、例えば公知のニッケルメッキ法によっ
て容易に形成することができる。ニッケル層３ ｌ）の
厚みに、５ミクロン（１１？＋＋、 ）以−ヒとするの
が好捷しく、１５〜２０ミクロンとするのが史に好捷し
い。なお、リード棒３としてニッケル棒を使用する場合
は、上記ニッケルメッキは不要である。
上記リ−トイ木３の先端部をチップ２の凹部４に挿入し
、加熱処理を施す。チップ２の四部４とリード棒３との
ハメアイは、リード棒３の外周部が凹部内面に密着する
ようなものとする必要があり、リード杯３不−上記凹部
４に圧入才るのが好捷し因。
、加熱処理を施す。チップ２の四部４とリード棒３との
ハメアイは、リード棒３の外周部が凹部内面に密着する
ようなものとする必要があり、リード杯３不−上記凹部
４に圧入才るのが好捷し因。
第３図は、リード棒３の径よりも大径の凹部４を形成し
、その開口縁部に内側に突出−「るバリ状の突出部５を
形成して、リード棒３の先端ｏ１ｓ ｆ凹部４内に据え
込んだ例をあられす。このような突出ｉηＩｓ ５ ｆ
ｌ、例えばチップ２をバレル研磨（ともずり）すること
によって形成￥ることかできる。このように、リード棒
３をチップの四部４内に据え込むこととｆｆ′Ｌは、チ
ップ２とリード棒３の接合強度はきわめて強固なものと
なる。
、その開口縁部に内側に突出−「るバリ状の突出部５を
形成して、リード棒３の先端ｏ１ｓ ｆ凹部４内に据え
込んだ例をあられす。このような突出ｉηＩｓ ５ ｆ
ｌ、例えばチップ２をバレル研磨（ともずり）すること
によって形成￥ることかできる。このように、リード棒
３をチップの四部４内に据え込むこととｆｆ′Ｌは、チ
ップ２とリード棒３の接合強度はきわめて強固なものと
なる。
つき゛に、リード棒３を挿入したチップに加熱処理を施
す。この加熱処理に、リード棒表面層のニッケルをチッ
プ２の凹部４内υ１て部すこ拡散させるためのものであ
り、力［１熱温度は７００〜１０００℃、より好寸しく
に７５０〜８００℃とするのがよい。
す。この加熱処理に、リード棒表面層のニッケルをチッ
プ２の凹部４内υ１て部すこ拡散させるためのものであ
り、力［１熱温度は７００〜１０００℃、より好寸しく
に７５０〜８００℃とするのがよい。
また、チップ２の酸化を防止するため、この加熱を水素
ガス、不活性ガス等の雰囲気中、丑たは真空中で行なう
必要がある。加熱時間は３０分以上とするのが望せしい
。
ガス、不活性ガス等の雰囲気中、丑たは真空中で行なう
必要がある。加熱時間は３０分以上とするのが望せしい
。
上配加熱処岬によって、第２図に示すような半導体用部
品１が得られる。得ら′ｉ１．た半導体用部品１ば、チ
ップ２の凹部４内にリード棒３の先端部がきつく嵌合し
、しかもリード棒３から拡散したツブ２との接合強度が
きわめて高いものとなっている。
品１が得られる。得ら′ｉ１．た半導体用部品１ば、チ
ップ２の凹部４内にリード棒３の先端部がきつく嵌合し
、しかもリード棒３から拡散したツブ２との接合強度が
きわめて高いものとなっている。
このようにして製造した１対の半導体用部品１．１を第
４図に示すようにシリコンウニ”６ｆｆｉ挾んで互いに
突き合わせ、そのまわりにガラスモールド７を設けるこ
とにより、半導体であるガラスモールドダイオード９が
得ら几るのである。
４図に示すようにシリコンウニ”６ｆｆｉ挾んで互いに
突き合わせ、そのまわりにガラスモールド７を設けるこ
とにより、半導体であるガラスモールドダイオード９が
得ら几るのである。
平均粒度３．０ミクロンのモ味ブデン粉末を用いて公知
の粉末ヤ金法によ！ｌｌ第１図に示すような有孔円柱状
のチップ２を製造した０図図において、Ｄ ＝ １．
５ ｍｍ、 ｌ＝ ２． ０ ｍｍ、ｄｏ＝ ０．
８ ７ ｍｍ 、 （＋、 ＝０、７６ ｍｍ 、
ｔ ＝ １．０ ｍｍであった。これにバレル研磨を
施して凹部４の開口縁部に片側の突出量が０、０５ ｍ
ｍの突出部５を形成した。このため、開口縁部の内径ｄ
１は０．７５ ｍｍとなった。
の粉末ヤ金法によ！ｌｌ第１図に示すような有孔円柱状
のチップ２を製造した０図図において、Ｄ ＝ １．
５ ｍｍ、 ｌ＝ ２． ０ ｍｍ、ｄｏ＝ ０．
８ ７ ｍｍ 、 （＋、 ＝０、７６ ｍｍ 、
ｔ ＝ １．０ ｍｍであった。これにバレル研磨を
施して凹部４の開口縁部に片側の突出量が０、０５ ｍ
ｍの突出部５を形成した。このため、開口縁部の内径ｄ
１は０．７５ ｍｍとなった。
このチップ２に外径ｄｇ−０７５ｍｍ ％長さＬ−３０
咽のり一ド棒（銅棒に厚さ１５ミクロンのニッケルメッ
キを施したもの）３を据え込み、第３図のような状態と
したのち、加熱処理（７５０℃ｘ３０分、 Ｉｌ、中）
を施して、チップとり一ド棒とが接合された半導体用部
品？得た。
咽のり一ド棒（銅棒に厚さ１５ミクロンのニッケルメッ
キを施したもの）３を据え込み、第３図のような状態と
したのち、加熱処理（７５０℃ｘ３０分、 Ｉｌ、中）
を施して、チップとり一ド棒とが接合された半導体用部
品？得た。
得られた半導体用部品の接合強度′ｆｃ調べるため引張
り試験を行なった結果は、リード棒を凹部に据え込んだ
だけのものが５〜６にりで接合部が破断（リード棒が抜
き取られた）したのに対し、加熱処理を施してニッケル
を拡散させたものは、８〜１１Ｋｇで破断した。なお、
チップに凹部を設けず、単にリード棒を端面に突き合わ
せて接合しただけの従来製品の接合強度ｎ ２ Ｋｑ以
下であっｔＯ寸だ、従来品に曲げ方向の力や衝撃力に対
して弱かったが、不発明品ケり一ド棒が凹部内に挿入さ
れているため、曲げ方向の力や衝′撃力ＶＣ７ｊシてす
ぐれた抵抗力を示した。
り試験を行なった結果は、リード棒を凹部に据え込んだ
だけのものが５〜６にりで接合部が破断（リード棒が抜
き取られた）したのに対し、加熱処理を施してニッケル
を拡散させたものは、８〜１１Ｋｇで破断した。なお、
チップに凹部を設けず、単にリード棒を端面に突き合わ
せて接合しただけの従来製品の接合強度ｎ ２ Ｋｑ以
下であっｔＯ寸だ、従来品に曲げ方向の力や衝撃力に対
して弱かったが、不発明品ケり一ド棒が凹部内に挿入さ
れているため、曲げ方向の力や衝′撃力ＶＣ７ｊシてす
ぐれた抵抗力を示した。
以トに説明したように、不発明にかっ・ろ半導体用部品
は、リード棒とチップの接合強度がきわめて高いすぐｆ
′したものである。
は、リード棒とチップの接合強度がきわめて高いすぐｆ
′したものである。
第１図はチップとリード棒の一部断面側面図、第２図に
：半導体用部品の一部断面図、第３図は据え込み状態を
あられｆ説明図、第４図は半導体の側面図である。図は
いずれも実施例をあられす。 ■・・半導体用π１ｓ品、２・・・チップ、３・・リー
ド棒、４・・・凹！’？＋５．５・・・突出刃ＳＯ特許
出願人 東邦金属味式会社 代 理 人 弁理士菅原弘志 第１図
：半導体用部品の一部断面図、第３図は据え込み状態を
あられｆ説明図、第４図は半導体の側面図である。図は
いずれも実施例をあられす。 ■・・半導体用π１ｓ品、２・・・チップ、３・・リー
ド棒、４・・・凹！’？＋５．５・・・突出刃ＳＯ特許
出願人 東邦金属味式会社 代 理 人 弁理士菅原弘志 第１図
Claims (1)
- （］） ｒ’ｃ１．雪ηｌｉ［凹部を形成した高融点
金属チップに、表面にニッケル層をそなえた金属リード
棒全嵌合し、加熱処Ｊ′！Ｔ！ｉ施してリード棒の表面
層のニッケルをチップの凹部内面に拡散さぜ、リード棒
とチップとを一体化したことを特徴とする半導体用部品
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17266082A JPS5961952A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 半導体用部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17266082A JPS5961952A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 半導体用部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5961952A true JPS5961952A (ja) | 1984-04-09 |
| JPS637027B2 JPS637027B2 (ja) | 1988-02-15 |
Family
ID=15946010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17266082A Granted JPS5961952A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 半導体用部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5961952A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0792463A4 (en) * | 1994-11-15 | 1998-06-24 | Formfactor Inc | ASSEMBLY OF SPRING ELEMENTS ON SEMICONDUCTOR COMPONENTS AND WAFERTEST PROCEDURE |
| EP0859686A4 (en) * | 1995-05-26 | 1998-11-11 | Formfactor Inc | PRODUCTION OF CONNECTIONS AND FITTINGS WITH THE USE OF SACRED SUBSTRATE |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5420666U (ja) * | 1977-07-14 | 1979-02-09 | ||
| JPS5550647A (en) * | 1978-10-03 | 1980-04-12 | Aaru Jii Toomasu Corp | Semiconductor member and method of assembling same |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP17266082A patent/JPS5961952A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5420666U (ja) * | 1977-07-14 | 1979-02-09 | ||
| JPS5550647A (en) * | 1978-10-03 | 1980-04-12 | Aaru Jii Toomasu Corp | Semiconductor member and method of assembling same |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0792463A4 (en) * | 1994-11-15 | 1998-06-24 | Formfactor Inc | ASSEMBLY OF SPRING ELEMENTS ON SEMICONDUCTOR COMPONENTS AND WAFERTEST PROCEDURE |
| EP0859686A4 (en) * | 1995-05-26 | 1998-11-11 | Formfactor Inc | PRODUCTION OF CONNECTIONS AND FITTINGS WITH THE USE OF SACRED SUBSTRATE |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS637027B2 (ja) | 1988-02-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4806070B2 (ja) | セラミック・ヒーター用電力端子およびその製造方法 | |
| US4778097A (en) | Ultrasonic wire bonding tool | |
| CN208111215U (zh) | 线圈部件 | |
| JPS6018275B2 (ja) | 抵抗溶接用電極とその製法 | |
| JPS5961952A (ja) | 半導体用部品の製造方法 | |
| EP0986078B1 (en) | Aluminum electrolytic capacitor and its manufacturing method | |
| FR2470436A1 (fr) | Procede de fabrication de contacts electriques composites et contacts electriques composites realises suivant ce procede | |
| US4943687A (en) | Current collecting unit | |
| CN108115267B (zh) | 焊接劈刀 | |
| JP2696395B2 (ja) | 電極の製造方法 | |
| KR200248885Y1 (ko) | 커터 | |
| US3768342A (en) | Connecting metal elements and products thereof | |
| JP7723732B2 (ja) | ワイヤ・ボンディング・キャピラリ | |
| KR100306493B1 (ko) | 초경재료의 확산 접합 방법 | |
| JPS60169534A (ja) | 非鉄金属入りＣｕ箔付Ｃｕ−Ｃ繊維複合材料 | |
| JPS643012B2 (ja) | ||
| JPS60218861A (ja) | セラミツクスレイヤ−パツケ−ジ用端子 | |
| JPH09320425A (ja) | 温度ヒューズおよびその製造方法 | |
| JP4090021B2 (ja) | 固体電解コンデンサにおけるコンデンサ素子及びこのコンデンサ素子の製造方法並びにこのコンデンサ素子を用いた固体電解コンデンサ | |
| JP4141450B2 (ja) | 非接触データ伝送用のチップカードおよびその製造方法 | |
| JPH0435850B2 (ja) | ||
| JP4194317B2 (ja) | リードフレーム加工用コイニングポンチ、及びコイニングポンチの製造方法 | |
| KR20010096370A (ko) | 초경재료와 고속도강의 접합 방법 | |
| CN116529898A (zh) | 将导电突片附接到电极的方法及其中的组件 | |
| JPS637028B2 (ja) |