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JPS61266567A - 保護膜成造方法 - Google Patents

保護膜成造方法

Info

Publication number
JPS61266567A
JPS61266567A JP11082985A JP11082985A JPS61266567A JP S61266567 A JPS61266567 A JP S61266567A JP 11082985 A JP11082985 A JP 11082985A JP 11082985 A JP11082985 A JP 11082985A JP S61266567 A JPS61266567 A JP S61266567A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrodes
protective film
film
plasma
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11082985A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideo Yasutomi
英雄 保富
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Minolta Co Ltd
Original Assignee
Minolta Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Minolta Co Ltd filed Critical Minolta Co Ltd
Priority to JP11082985A priority Critical patent/JPS61266567A/ja
Publication of JPS61266567A publication Critical patent/JPS61266567A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12Organic material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、電子写真感光体のオーバーコート膜等の他、
各種デバイス用の保護膜の作製方法に関する。
(従来の技術および発明の解決すべき問題点)電子写真
または電子写真プリンタに使用する有機感光体には、銅
フタロシアニン(とヒドラゾン系電荷輪材)をバインダ
樹脂中に分散せしめたものがある。
この有機感光体の一つの問題点は、(もちろん、これ以
外の無機・有機顔染料をバインダー中に分散せしめた単
層感光体や、電荷発生層と電荷輸送層をそれぞれ形成し
て成る機能分離型積層感光体も同様であるが、)複写を
繰返すと、クリーナー、現像剤、紙との接触により、感
光体が物理的ストレスを受け、削られたり、キズを受け
たりすることである。
そこで、感光体層の上に保護膜を作製する必要がある。
この保護膜は、硬く、接着性が良く、ピンホールや凹凸
がなく、かつ、透光性(可視吸収がないこと)の良いこ
とが望ましい。
そこで、従来から種々の方法で保護膜が作製されている
が、これらの方法には、種々の欠点もある。たとえば、
スプレー法では、膜質がスプレー条件に大きく依存し、
乾燥ムラや、焼付は時に溶剤が飛びピンホールが出来易
い。ディップ、リング方式では、塗膜の均一性がない。
スパック蒸着法では、絶縁物のスパッタができないし、
真空蒸着法では、熱分解工程が必要である。イオンブレ
ーティング法やクラスタイオンビーム法では、膜が高温
になる。プラズマCVD法では、高い基板温度(200
〜300℃)が必要である。光CVD法では、材料と励
起光の波長とのマツチングが困難である。
本発明の目的は、良質の保護膜を作製できる保護膜成造
法を搗供することである。
(問題点を解決するだめの手段) 本発明に係る保護膜成造方法は、保護膜を被着すべき物
体を、反応槽内の一対の電極の一方に接して、または、
両電極の間かあるいは直接電極として配置し、反応槽内
にモノマーガスを導入し、両電極に高周波電界を印加す
ることにより、上記の物体の保護膜として、上記のモノ
マーガスのプラズマ重合膜を成膜することを特徴とする
(作 用) プラズマ重合による膜は、次のような特徴を有する。(
1)均一に、かつ、ピンホールのない薄膜がどんな固体
表面にも低温で形成できる。(2)非晶質あるいは高度
に架橋、分枝した分子からなり、溶媒には不溶で、熱的
に安定であり、接着性が良く硬度もある程度硬い。(3
)特異な重合機構をもつので、重合可能構造をもたない
分子やモノマーでも放電条件次第で、単に混合して反応
さ仕るだけで共重合する。本発明は、このプラズマ重合
膜の特徴を生かして、保護膜を被着するものである。
(実施例) 以下、添付の図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図に概略を示すような装置において、プレート状感
光体2にプラズマ重合により保護膜が形成される。パイ
レックスガラス製のペルジャー4とステンレス製の台6
とで構成される真空槽(反応槽)8の中に、電極to、
+2を並行に配置し、一方の電極10に、プレート状感
光体2の基板を固定する。
プラズマ重合のためのモノマーガスは、バルブv2から
真空槽8内に供給される。真空槽8は、まず、バルブv
3を開き、 ロータリポンプで約10−3Torr以上
に排気される。次に、バルブV2を開き、モノマーガス
をコンマ数Torr〜数T。
rrの真空度になるまで流入させる。閉管法の場合には
、このまま、バルブv2を閉じ、また、開管法の場合に
は、その時のガス圧を維持できるようにモノマーガスを
流す。
両電極10.12には、マツチングボックス14を介し
てRF電源16が接続されている。さらに、第2図に示
すように、電流モニター18と電源用ダイオード20.
20が接続される。放電に際しては、電流モニター18
の指示値を放電電流とする。両電極10.12に高周波
(たとえば、数kHz−13、56MHz)の電界を印
加すると、グロー放電によるプラズマが両電極10.1
2間に発生し、導入したモノマーはプラズマ重合を行い
、プレート状感光体2の表面を重合膜で被膜する。
次に、プラズマ重合について具体的に説明する。
試料として用いたプレート状感光体2は、アルマイト処
理を施したアルミニウム基板上に、α型銅フタロシアニ
ン(東洋インキ製)とn−エチルカルバゾール−3−ア
ルデヒドメチルフェニルヒドラゾンとを熱硬化性アクリ
ル酸で結着した有機感光体である。感光体2は単層であ
り、膜厚は約15μm程度であり、面積は2x 5 c
m’である。なお、感光体2の表面を研磨すると、接着
性は向上する。
保護膜形成用のモノマーとしては、スチレン22を用い
た。スチレン22は、ガラス容器中にあり、ドライアイ
スで冷されたアルコール24で冷される。これは、スチ
レン22が真空下で沸騰するので(1気圧で沸点は14
5.2℃)、冷却して、沸騰を抑えるためである。バル
ブV2を開き、冷却されたモノマーを真空槽8内に導入
する。なお、バルブV2の後に液体窒素のトラップ26
を設け、排気物が排気系へ流出しないようにする。
放電条件は、次の通りである。放電パワー密度は(5〜
150 )x 10−” (W/cm’)で電極12と
感光体2との距離は0.5〜5 cm、放電時間は、数
十秒〜数分である。
高周波電界を印加すると、第3図に示すように両電極間
に点描で示すプラズマ28が発生し、スチレン重合膜が
感光体2を被覆するように成膜される。なお、グロー放
電により生じた電子やイオンによるシースが両極間にD
C的電界を形成する(密度の差による)ので、電極10
.12のどちらかを接地すべきかにより成膜速度や膜質
(色相、硬度、重合度、電気抵抗、表面粗さ等)が大き
く異なってくる。また、モノマ一種、気相中のラジカル
やイオンの種類、モノマーの蒸気圧、基板温度、周波数
、電極一基板距離、放電電流や流量(開管法の場合)も
、成膜速度に大きく影響する。これらの因子とプラズマ
重合との関係は、明確でない場合が多い。実験により、
これらの条件を定める。
モノマ一種としては、スチレン以外にも、重合しやすい
ものが用いられる(たとえば、添付の表を参照)。一般
に、プラズマ重合法の場合、気化できるほとんどの有機
物は重合を行う。しかし、重合膜はある程度の硬度を必
要とする。また、感光体の保護膜としては、可視光の吸
収の少ないものが好ましい。そこで、たとえば、ブタジ
ェン、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチルなどが好
ましい。特に、ブタン重合膜やフッ素高分子は、摩耗性
、硬度にすぐれている。
なお更に、高硬度膜が要求される場合は、メタンやエチ
レンガス等で被蒸着物を高温(2006C〜800℃程
度)に加熱してグロー放電を行うと凝ダイヤモンド膜(
いわゆる1−c)が形成され非常に硬いオーバーコート
膜が出来る。ただしこの場合は、基板材、感光材が著し
く限られる。
本実施例(銅フタロシアニン感光体にスチレンプラズマ
重合膜で被覆)の場合、被覆層の接着性が良く、実機で
実写しても白・黒斑点やその他のノイズがほとんど無く
、繰返し使用しても被覆膜は破損しないので、感光体を
保護できる。被覆を施しても、感光体の分光感度、白色
光感度、暗減衰、帯電能等の静電特性や実写による画像
特性はほとんど変化しない。
また、ドライプロセスであるので、乾燥、焼付は等の被
覆後の後処理が不要である。
表 モノマ一種 アクリル酸 アクリルアミド アゾビスイソブチロニトリル アクリロニトリル ブタジェン 過酸化ベンゾイル ジ−t−ブチルペルオキシオキザラートジーt−ブチル
ペルオキシド ジシクロへキンルカルボジイミド ノクミルペルオキシド ジビニルベンゼン エチレンオキシド ヘキサメヂレンジイソシアナート イソブチルビニルエーテル イソプレン アクリル酸メチル メタクリル酸 メタクリロニトリル フルオロカルボン酸 フルオロアクリル酸 テトラフルオロエチレン、 無水マレイン酸、 メチレンビス(4−フェニルイソシアナート)メタクリ
ル酸メチル メチルスチレン(α−メチレンスチレン)N−カルボキ
ン−α−アミノ酸無水物 アクリル酸イソプロビル フェニルビニルケI・ン スチレン 2.4−)リレンジイソシアナート (2,4−ジイソシアナ)・トルエン)S4 以上に説明した例では、プレート状の感光体2に被覆膜
を形成した。ドラム状の感光体30の場合は、たとえば
、真空蒸着部分を第4図に示すようにすればよい。プラ
ズマ重合の際には、感光体30は、モーター32で回転
される。また、平行な平板電極の間に感光体30を配置
してもよい。
また、プラズマ重合の際に電極12側にも重合膜(絶縁
物)が形成される。したがって、・膜厚が増加するにし
たがって放電状態が変化し、表面に蓄積した電荷により
部分的に異常放電が起こりやすくなる。特に、放電周波
数が数MHz以下の場合は顕著に起こる。そこで、電極
12についても、たとえば第5図(a)〜(C)に示す
ように、円筒化することにより安定な成膜を行うことが
できる。(なお、電極12側の膜厚がある程度以上にな
る場合も上記の現象が発生する。この場合、この現象の
発生までに成膜を完成させる。)第5図(a)に示す場
合は、電極12としてドラム型電極34を設け、回転さ
せる。第5図(b)に示す場合は、無端ベルト型電極3
6を設け、回転させる。第5図(C)は、同心円の円筒
型電極38を設ける。
本発明に係るプラズマ重合膜は、単に感光体の(物理的
、電気的)保護膜としてだけではなく、大面積センサー
等の各種のデバイスの保護膜としても利用できる。
光(@気)メモリーディスク、オーディオディスク、ビ
デオディスク等のディスク状の記録デバイスの保護膜ま
たは、静電容量方式のビデオ用、文書画像ファイル用デ
ィスクの絶縁層を作製する場合などには、第6図に示す
ように、ディスク状の電極40をディスク状の記録デバ
イス42に対向して配置して、モーター44.46によ
り相互に回転させればよい。(ただし、基板に導電性が
ない場合には、直接アースを取れないので、プラズマ部
28に電気的に浮いた状態で設置し、いわゆる間接プラ
ズマ重合法を利用する。ただしこの場合は放電周波数を
数MHz以上の方が良い。)(発明の効果) 本発明により、被着物の形状(ドラム状、プレート状、
ディスク状等)に関係なく、また、被着物の導電性の有
無に関係なく、均一でありピンホールのない保護膜を作
成できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、プラズマ重合装置の概略を示す断面図である
。 第2図は、電源の回路図である。 第3図は、プラズマ重合装置の部分斜視図であ第4図は
、感光体ドラム用のプラズマ重合装置の部分断面図であ
る。 第5図(a)〜(c)は、それぞれ、電極を回転させる
方式のプラズマ重合装置の部分斜視図である。 第6図は、ディスク状被着物用のプラズマ重合装置の斜
視図である。 2・・・感光体、8・・・真空槽、10.12・・・電
極、I6・・・RF電源、   22・・・スチレン、
28・・・プラズマ層、 3o・・・感光体、v2・・
・モノマー導入用バルブ。 特許出願人   ミノルタカメラ株式会社代  理  
人 弁理士 前出 葆 ほか2名!11図 第3図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)保護膜を被着すべき物体を、反応槽内の一対の電
    極の一方に接して、または、両電極の間、または直接電
    極として配置し、 反応槽内にモノマーガスを導入し、両電極に高周波電界
    を印加することにより、 上記の物体の保護膜として、上記のモノマーガスのプラ
    ズマ重合膜を成膜することを特徴とする保護膜成造方法
JP11082985A 1985-05-22 1985-05-22 保護膜成造方法 Pending JPS61266567A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63305365A (ja) * 1987-06-05 1988-12-13 Stanley Electric Co Ltd 電子写真用感光体
JPH01138563A (ja) * 1987-11-26 1989-05-31 Minolta Camera Co Ltd 感光体
JPH01191857A (ja) * 1988-01-28 1989-08-01 Stanley Electric Co Ltd 電子写真用感光体
US5168023A (en) * 1990-07-04 1992-12-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Photosensitive element used in electrophotography
US5346578A (en) * 1992-11-04 1994-09-13 Novellus Systems, Inc. Induction plasma source
US6225744B1 (en) 1992-11-04 2001-05-01 Novellus Systems, Inc. Plasma process apparatus for integrated circuit fabrication having dome-shaped induction coil

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5020728A (ja) * 1973-06-20 1975-03-05
JPS5146130A (en) * 1974-10-18 1976-04-20 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Denshishashinkankoban
JPS60221766A (ja) * 1984-04-18 1985-11-06 Stanley Electric Co Ltd 電子写真用感光体

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5020728A (ja) * 1973-06-20 1975-03-05
JPS5146130A (en) * 1974-10-18 1976-04-20 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Denshishashinkankoban
JPS60221766A (ja) * 1984-04-18 1985-11-06 Stanley Electric Co Ltd 電子写真用感光体

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63305365A (ja) * 1987-06-05 1988-12-13 Stanley Electric Co Ltd 電子写真用感光体
JPH01138563A (ja) * 1987-11-26 1989-05-31 Minolta Camera Co Ltd 感光体
JPH01191857A (ja) * 1988-01-28 1989-08-01 Stanley Electric Co Ltd 電子写真用感光体
US5168023A (en) * 1990-07-04 1992-12-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Photosensitive element used in electrophotography
US5346578A (en) * 1992-11-04 1994-09-13 Novellus Systems, Inc. Induction plasma source
US5405480A (en) * 1992-11-04 1995-04-11 Novellus Systems, Inc. Induction plasma source
US5605599A (en) * 1992-11-04 1997-02-25 Novellus Systems, Inc. Method of generating plasma having high ion density for substrate processing operation
US6225744B1 (en) 1992-11-04 2001-05-01 Novellus Systems, Inc. Plasma process apparatus for integrated circuit fabrication having dome-shaped induction coil

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