JPS62109385A - Semiconductor laser - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は半導体レーザ装置に関し、特に光通信システム
の光源にイ1用な電子冷Jul素子を内蔵した半導体レ
ーザ装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor laser device, and more particularly to a semiconductor laser device incorporating an electrocooled Jul element for use as a light source in an optical communication system.
従来技術
一般に、半導体レーザは閾値デバイスであるため、温度
上背にともなって光出力の低下や劣化が加速される。又
、周囲温度の変化は光通信システムにおいても有害な雑
音源の原因となり、例えばモードホッピングや中心波長
の温度シフト等があげられる。BACKGROUND OF THE INVENTION In general, since semiconductor lasers are threshold devices, a decrease in optical output and deterioration are accelerated as the temperature increases. Changes in ambient temperature also cause harmful noise sources in optical communication systems, such as mode hopping and temperature shifts in the center wavelength.
このため、温度変化に影響されずに安定動作が可能な半
導体レーザ装置が要求されており、従来小形な温度調節
器を使用して半導体レーザ素子の温度を一定に保つ方法
が提案されている。For this reason, there is a need for a semiconductor laser device that can operate stably without being affected by temperature changes, and conventional methods have been proposed to keep the temperature of a semiconductor laser element constant using a small temperature regulator.
−例として、青木氏他の発表による「電子冷却素子内蔵
形単−モード光ファイバレーザダイオードモジュールの
信頼度試験」 (昭和59年度電子通信学会、光・電波
部門全国大会No、333)があり、第4図にその基本
構造を示す。図に示す如く、半導体レーザ索子1と、レ
ーリ“出力モニタ素子2と、光ファイバ10への第1の
光フアイバ結合レンズ8と、温度計測用サーミスタ3と
をブロック4に装着し、このブロック4を電子冷L1素
子5を介して気密パッケージ7の側板6に固着するよう
になっている。- For example, there is a presentation by Mr. Aoki et al. entitled "Reliability Test of Single-mode Optical Fiber Laser Diode Module with Built-in Thermoelectric Cooling Element" (IEICE, 1985, National Conference of Optical and Radio Division No. 333). Figure 4 shows its basic structure. As shown in the figure, a semiconductor laser probe 1, a Rayleigh output monitor element 2, a first optical fiber coupling lens 8 to an optical fiber 10, and a temperature measurement thermistor 3 are mounted on a block 4, and the block 4 is fixed to the side plate 6 of the airtight package 7 via the electronic cooling L1 element 5.
又、光ファイバ10を内包する端末部材11と第2の光
フアイバ結合レンズ9とは気密パッケージ7内に気密に
固着されている。尚、図において12はリード線、13
〜16は固着剤を夫々示している。Further, the terminal member 11 containing the optical fiber 10 and the second optical fiber coupling lens 9 are hermetically fixed in the airtight package 7. In the figure, 12 is a lead wire, and 13 is a lead wire.
1 to 16 each indicate a fixing agent.
光ファイバ10が単一モードファイバの場合、半導体レ
ーザ素子1と、第1の光フアイバ結合レンズ8と、第2
の光フアイバ結合レンズ9と、光ファイバ10との組立
精度は各々数μmオーダーが要求されるとともに、組立
機もその精度を維持しなければならない。When the optical fiber 10 is a single mode fiber, the semiconductor laser element 1, the first optical fiber coupling lens 8, and the second
The assembly precision of the optical fiber coupling lens 9 and the optical fiber 10 is required to be on the order of several μm, and the assembly machine must also maintain this precision.
しかしながら、第4図に示した従来例の構造は上記要求
に対しては適切とはいえず、次の欠点を有している。第
1に、電子冷却素子5を介してブロック4を固定するこ
とから片端支持であり、大きな振動や衝撃に対して不安
定である。However, the conventional structure shown in FIG. 4 is not suitable for meeting the above requirements and has the following drawbacks. First, since the block 4 is fixed via the electronic cooling element 5, it is supported at one end, and is unstable against large vibrations and shocks.
第2に、電子冷却素子5としてベルチェ素子を使用して
いるが、ベルチェ素子からなる電子冷却素子5の耐熱温
度は高々120°C程度と低い。Second, although a Beltier element is used as the electronic cooling element 5, the heat resistance temperature of the electronic cooling element 5 made of the Beltier element is as low as about 120°C.
即ち、これは使用する固着剤13及び16の固着温度を
120°C以下としなければならないことを意味してお
り、固着剤自身の耐熱温度によって半導体レーザ装置の
使用温度が制約されることになる。In other words, this means that the fixing temperature of the fixing agents 13 and 16 used must be 120°C or less, and the operating temperature of the semiconductor laser device is restricted by the heat resistance temperature of the fixing agents themselves. .
第3に固着剤として、レンズに曇り等を与える有害なガ
スの発生を防止する必要性から、無機質なものが望まし
い。例えば、120°C以下の低融点ハンダが適してい
る。しかし、この場合でも可能な使用温度範囲を広くし
て安定に半導体レーザ装置を動作させるためには、融点
を120’Cに穫力近づけたハンダ材料とする必要があ
る。その一方で、溶融温度のコントロールが非常に困難
になるという問題があった。Thirdly, as a fixing agent, an inorganic one is preferable since it is necessary to prevent the generation of harmful gases that cause clouding of the lens. For example, a low melting point solder of 120° C. or lower is suitable. However, even in this case, in order to widen the usable temperature range and operate the semiconductor laser device stably, it is necessary to use a solder material with a melting point close to 120'C. On the other hand, there was a problem in that it became very difficult to control the melting temperature.
発明の目的
本発明の目的は、機械的に安定しかつ組立ても容易な半
導体レーザv装置を提供することである。OBJECTS OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a semiconductor laser v device that is mechanically stable and easy to assemble.
本発明の他の目的は、電子冷却素子の耐熱温度に制限を
受けることなく高い融点の接着剤にて強固に固着可能な
半導体レーザ装置を提供することである。Another object of the present invention is to provide a semiconductor laser device that can be firmly fixed using a high melting point adhesive without being limited by the temperature limit of the electronic cooling element.
発明の構成
本発明によれば、半導体レーザ素子と、この半導体レー
ザ素子を固着搭載した搭載用ブロックと、この搭載用ブ
ロックを気密パッケージ内に固定すべく前記ブロックの
1つの面と前記パッケージの1壁面との間に設けられた
電子冷却素子とを含む半導体レーザ装置であって、前記
ブロックの他の面と前記パッケージの弛壁面との間に熱
伝導率の低いブロック保持用部材を設け、このブロック
保持用部材により前記ブロックとパッケージ間を密着固
定してなることを特徴とする半導体レーザ装置が得られ
る。Structure of the Invention According to the present invention, a semiconductor laser device, a mounting block on which the semiconductor laser device is firmly mounted, and one surface of the block and one surface of the package for fixing the mounting block in an airtight package. A semiconductor laser device including a thermoelectric cooling element provided between the block and a wall surface, wherein a block holding member with low thermal conductivity is provided between the other surface of the block and the loose wall surface of the package, There is obtained a semiconductor laser device characterized in that the block and the package are closely fixed by a block holding member.
実施例
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。Embodiments Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例の横断面図であり、第2図は
その部分斜視図であり、第4図と同舌部分は同一符号に
より示す。半導体レーザ素子1とレーザ光モニタ素子1
9と光ファイバ10への光フアイバ結合レンズ8と温度
計測用サーミスタ3は、従来例同様ブロック4の所定の
位置に配置されて装着されている。ベルチェ素子からな
る電子冷却素子5はブロック4の側面部20と気密パッ
ケージ7の壁面部22との間に配置されお互いに密着固
定されている。又、ブロック4の底面部21と気密パッ
ケージ7の底面部23との間には、低熱伝導性で剛体か
らなるブロック保持用部材17が配置され、両者間がこ
のブロック保持部材17によってハンダ合金等により堅
牢に固着されている。FIG. 1 is a cross-sectional view of one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a partial perspective view thereof, and the same tongue portions as in FIG. 4 are designated by the same reference numerals. Semiconductor laser element 1 and laser light monitor element 1
9, an optical fiber coupling lens 8 to an optical fiber 10, and a thermistor 3 for temperature measurement are arranged and mounted at predetermined positions on the block 4, as in the conventional example. The electronic cooling element 5 made of a Bertier element is arranged between the side surface 20 of the block 4 and the wall surface 22 of the airtight package 7, and are tightly fixed to each other. Further, a block holding member 17 made of a rigid body with low thermal conductivity is arranged between the bottom surface portion 21 of the block 4 and the bottom surface portion 23 of the airtight package 7. It is firmly fixed.
このブロック保持部材17はブロック24を保持すると
ともに、電子冷fil素子5の冷IJ1効果を高める必
要性から熱伝導率が小さくかつパッケージとの接触面を
極力小さくしたものであり、本実施例では、例えば熱伝
導率5.5W−m−1・K −1のソーダガラス等の円
柱状部材の両端面に金属皮膜を蒸着したものを複数配置
し、ブロック4の底面部21とパッケージ7の底面部3
0との各接合面に融点120’C以上のハンダ合金から
なる固着剤18.24で夫々固定しである。This block holding member 17 holds the block 24 and has a low thermal conductivity and has a contact surface with the package as small as possible in order to improve the cold IJ1 effect of the electronic cold fil element 5. For example, a plurality of cylindrical members such as soda glass having a thermal conductivity of 5.5 W-m-1·K-1 with metal films deposited on both end surfaces are arranged, and the bottom surface 21 of the block 4 and the bottom surface of the package 7 are arranged. Part 3
0 and 0 with adhesives 18 and 24 made of a solder alloy having a melting point of 120'C or higher, respectively.
リード12は半導体レーザ素子1等から電極を取り出す
ためのものである。The lead 12 is for taking out an electrode from the semiconductor laser element 1 or the like.
このような構造とすることにより、−40”0〜65°
Cの温度範囲で光軸ずれはほとんど発生せず、通常の室
温状態の光出力を保証できることがわかった。使用した
半導体レーザ素子1は、発S波長1fi 1 、3 μ
m、 Ti流流値値20mA(at25°V)であり、
光ファイバ10は単一モードファイバを使用し、光フア
イバ結合レンズ8に集束性ロッドレンズを使用した。又
、電子冷却素子5の動作電圧は1.4V (0,6A/
65°C)である。With this structure, -40"0 to 65°
It was found that almost no optical axis deviation occurred in the temperature range of C, and that the optical output under normal room temperature conditions could be guaranteed. The semiconductor laser device 1 used has an emission S wavelength of 1fi 1 and 3 μ
m, Ti current value value 20 mA (at 25 ° V),
A single mode fiber was used as the optical fiber 10, and a focusing rod lens was used as the optical fiber coupling lens 8. Moreover, the operating voltage of the electronic cooling element 5 is 1.4V (0.6A/
65°C).
尚、ブロック保持部材17の材質にセラミック(熱伝導
率30W−m−1・K−1以下)を使用した場合も同等
の特性を得ることができる。Note that the same characteristics can be obtained when ceramic (thermal conductivity of 30 W-m-1·K-1 or less) is used as the material of the block holding member 17.
半導体レーザ素子1等を装着したブロック4の側面部2
2に電子冷却素子5を配置し、かつブロック4の底面部
21にブロック保持部材17を取付けて気密パッケージ
7に密着固定したことにより、ブロック4が気密パッケ
ージ7に対して入方向から保持され、撮動・衝撃に対し
安定した構造となる。Side part 2 of block 4 equipped with semiconductor laser element 1 etc.
By arranging the electronic cooling element 5 at 2 and attaching the block holding member 17 to the bottom surface 21 of the block 4 and tightly fixing it to the airtight package 7, the block 4 is held from the entrance direction to the airtight package 7, The structure is stable against shooting and impact.
又、気密パッケージ7への取付けを電子冷却素子5とブ
ロック保持部材17とで分離したことから、電子冷却素
子5を取付ける前にブロック4を気密パッケージ7に組
込むことができる。即ち、電子冷却素子5の耐熱温度に
制限を受けることなく、より高い融点のハンダ合金等を
使用でき、半導体レーザ装置としての使用温度を高める
ことができる。又、ハンダ合金の融着温度のコントロー
ル精度が緩和されることにもなる。Further, since the electronic cooling element 5 and the block holding member 17 are separately attached to the airtight package 7, the block 4 can be assembled into the airtight package 7 before the electronic cooling element 5 is attached. That is, a solder alloy or the like having a higher melting point can be used without being limited by the heat resistance temperature of the electronic cooling element 5, and the temperature at which the semiconductor laser device can be used can be increased. Furthermore, the precision in controlling the melting temperature of the solder alloy is relaxed.
又、電子冷却素子5の高さ寸法により、結合レンズ8と
光ファイバ10との焦点距離が定まり、ブロック保持部
材17の高さ寸法により光軸と直交方向の位置決めを容
易にすることができることから、気密パッケージ7への
組込み作業性の向上が期待できる。Furthermore, the height of the thermoelectric cooling element 5 determines the focal distance between the coupling lens 8 and the optical fiber 10, and the height of the block holding member 17 facilitates positioning in the direction perpendicular to the optical axis. , it is expected that the workability of assembling into the airtight package 7 will be improved.
ブロック保持部材17を熱伝導率の小さな材料とし、ブ
ロック4又は気密パッケージ7との接触面積を小さくし
ていることから、ブロック4と気密パッケージ7との直
接の熱伝導を小さくでき、従来例に比して冷却効果を損
うことはない。Since the block holding member 17 is made of a material with low thermal conductivity and the contact area with the block 4 or the airtight package 7 is small, direct heat conduction between the block 4 and the airtight package 7 can be reduced, which is different from the conventional example. Compared to this, the cooling effect is not impaired.
又、本実施例に示すブロック保持部材17を円柱状とし
たが、第3図に示す如くブロック保持部材25の形状を
板状とした形状の変形も可能であり、またその材質をテ
フロンやポリマー等の高分子材料やセラミックやアモル
ファス(非結晶質)、更にはインバー等に置き換えるこ
とも可能である。Further, although the block holding member 17 shown in this embodiment is cylindrical, it is also possible to change the shape of the block holding member 25 to a plate-like shape as shown in FIG. It is also possible to replace it with polymer materials such as , ceramics, amorphous (non-crystalline), and even invar.
発明の効果
付ける様な構造としたので、機械的にも安定どなり、組
立て精度も向上するという効果がある。また、ブロック
の電子冷却素子を取付ける面とは異なる他の取付は面を
先にパッケージに取付は得るので、融点の高い接着剤を
用いることができ、半導体レーザとしての使用温度を高
めることが可能となる。Since the structure is designed to have the effects of the invention, it is mechanically stable and has the effect of improving assembly accuracy. In addition, since the surface of the block that is different from the surface on which the electronic cooling element is mounted is attached to the package first, it is possible to use an adhesive with a high melting point, making it possible to increase the temperature at which it can be used as a semiconductor laser. becomes.
第1図は本発明の実施例の横断面図、第2図は第1図の
部分斜視図、第3図は本発明の変形例の1部の斜視図、
第4図は従来例の構造を示す横断面図である。
主要部分の符号の説明
1・・・・・・半導体レーザ素子
4・・・・・・ブロック
5・・・・・・電子冷却素子
7・・・・・・気密パッケージ
10・・・・・・光ファイバFIG. 1 is a cross-sectional view of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a partial perspective view of FIG. 1, and FIG. 3 is a perspective view of a portion of a modification of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional example. Explanation of symbols of main parts 1...Semiconductor laser element 4...Block 5...Electronic cooling element 7...Airtight package 10... optical fiber
Claims (1)
した搭載用ブロックと、この搭載用ブロックを気密パッ
ケージ内に固定すべく前記ブロックの1つの面と前記パ
ッケージの1壁面との間に設けられた電子冷却素子とを
含む半導体レーザ装置であって、前記ブロックの他の面
と前記パッケージの他壁面との間に熱伝導率の低いブロ
ック保持用部材を設け、このブロック保持用部材により
前記ブロックとパッケージ間を密着固定してなることを
特徴とする半導体レーザ装置。A semiconductor laser device, a mounting block on which the semiconductor laser device is firmly mounted, and an electronic device provided between one surface of the block and one wall surface of the package to fix the mounting block inside the airtight package. A semiconductor laser device including a cooling element, wherein a block holding member with low thermal conductivity is provided between the other surface of the block and the other wall surface of the package, and the block holding member allows the block and the package to be cooled. A semiconductor laser device characterized in that the semiconductor laser device is formed by closely fixing the space between the semiconductor laser and the semiconductor laser.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24952285A JPS62109385A (en) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | Semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24952285A JPS62109385A (en) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | Semiconductor laser |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62109385A true JPS62109385A (en) | 1987-05-20 |
Family
ID=17194225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24952285A Pending JPS62109385A (en) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | Semiconductor laser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62109385A (en) |
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