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JPS62239325A - optical information recording device - Google Patents

optical information recording device

Info

Publication number
JPS62239325A
JPS62239325A JP61079943A JP7994386A JPS62239325A JP S62239325 A JPS62239325 A JP S62239325A JP 61079943 A JP61079943 A JP 61079943A JP 7994386 A JP7994386 A JP 7994386A JP S62239325 A JPS62239325 A JP S62239325A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
alloy
recording
light
recording device
information recording
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61079943A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Sasaki
宏 佐々木
Atsumi Watabe
渡部 篤美
Yoshio Sato
佐藤 美雄
Satoshi Shimada
智 嶋田
Nobuyoshi Tsuboi
坪井 信義
Norifumi Miyamoto
詔文 宮本
Hiroaki Koyanagi
小柳 広明
Hiroyuki Minemura
浩行 峯邑
Hideki Nihei
秀樹 二瓶
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP61079943A priority Critical patent/JPS62239325A/en
Publication of JPS62239325A publication Critical patent/JPS62239325A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Recording Or Reproduction (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光学的手段により情報を記憶する光情報記憶装
置に係り、特に記録・再生・消去の行える光情報記憶装
置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an optical information storage device that stores information by optical means, and particularly to an optical information storage device that can perform recording, reproduction, and erasing.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

近年、情報記能の高密度化、デジタル化が進むにつれて
種々の情報記録再生方式の開発が進められている。特に
レーザの光エネルギを情報の記録消去、再生に利用した
光ディスクは工業レアメタルNci80 、1983 
(光ディスクと材料)に記載されているように磁気ディ
スクに比べ、高い記録密度が可能であり、今後の情報記
憶装置の有力な方式である。このうち、レーザによる再
生装置はコンパクト・ディスク(’CD)として実用化
されている。
In recent years, as information storage becomes more dense and digital, various information recording and reproducing methods are being developed. In particular, optical discs that use laser light energy for recording, erasing, and reproducing information are industrial rare metals Nci80, 1983.
As described in (Optical Disks and Materials), higher recording densities are possible than magnetic disks, and this will be a promising method for future information storage devices. Among these, a reproduction device using a laser has been put into practical use as a compact disc ('CD).

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

近年、書き換え可能な光ディスクの情報記録。 In recent years, information recording on rewritable optical discs has become popular.

消去、再生等の機能を高めることが要求されている。There is a demand for enhanced functions such as erasing and reproduction.

本発明の目的は、書き換え可能な光ディスクの記録、及
び消去感度を向上し、しかも再生時のS/Nを高めるこ
とにある。
An object of the present invention is to improve the recording and erasing sensitivity of a rewritable optical disc, and to increase the S/N during reproduction.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明では、光ディスクの記録、及び消去感度を向上す
るために、レーザ光以外に高周波誘導加熱など、レーザ
光以外の加熱手段で光ディスクを補助的に加熱し、情報
の記録、消去、再生はレーザ光によって行うものである
In the present invention, in order to improve the recording and erasing sensitivity of the optical disc, the optical disc is heated auxiliaryly by heating means other than laser light, such as high-frequency induction heating, and information is recorded, erased, and reproduced using the laser. It is done using light.

しかし、レーザ光で再生時にも上記の補助的な加熱が行
われると、再生時のレーザ光照射量を減少しなければ、
誤って、記録したり、あるいは消去するなどの不具合を
生じるおそれがある。
However, if the above-mentioned auxiliary heating is performed during playback using laser light, unless the amount of laser light irradiation during playback is reduced,
There is a risk of problems such as erroneous recording or erasing.

情報再生時のレーザ光照射量を減少すると、情報を読み
出すS/Nが低下する問題がある。
If the amount of laser light irradiation during information reproduction is reduced, there is a problem in that the S/N for reading information decreases.

本発明では、レーザ光以外による光ディスクの補助的加
熱手段を記録時と消去時に限定し、再生時にはレーザ光
のみを照射して行うものである。
In the present invention, auxiliary heating means for the optical disk other than laser light is limited to recording and erasing, and reproduction is performed by irradiating only laser light.

〔作用〕[Effect]

本発明によれば、情報再生時のレーザ光照射量を高めら
れるので、情報再生時のS/Nが向上する。また、記録
時、及び消去時には光ディスクを補助的に加熱するので
、記録、消去の応答速度を向上できる。
According to the present invention, since the amount of laser light irradiation during information reproduction can be increased, the S/N ratio during information reproduction is improved. Furthermore, since the optical disk is auxiliary heated during recording and erasing, the response speed of recording and erasing can be improved.

〔実施例〕〔Example〕

第1図に本発明の実施例を示す。 FIG. 1 shows an embodiment of the present invention.

同図の各部の信号とその動作について以下に説明する。The signals and operations of each part in the figure will be explained below.

1は光源となるレーザダイオードである。1 is a laser diode serving as a light source.

2はコリメーションレンズで、レーザダイオード1の光
束を平衡光にする。3は偏光ビームスプリッタ(以下P
BSと略称する)で、コリメーションレンズ2の出力光
を透過するとともに、つぎに述べるλ/4板4からのも
どり光を屈折する。λ/4板4はPBS3で入射光と反
射光の識別を容易にするために光の位相偏光に用いる。
A collimation lens 2 makes the light beam of the laser diode 1 a balanced light. 3 is a polarizing beam splitter (hereinafter P
BS) transmits the output light from the collimation lens 2 and refracts the returning light from the λ/4 plate 4, which will be described below. The λ/4 plate 4 is used for phase polarization of light in order to facilitate discrimination between incident light and reflected light in the PBS 3.

5は対物レンズであり、入射光L4を集光するために用
いられる。6はカップリングレンズで、PBS3がらの
光束を受けてこれを集光させる。カップリングレンズ6
は例えば直交された2つのかまぼこ形レンズで構成され
ている。7は光検知器である。
Reference numeral 5 denotes an objective lens, which is used to condense the incident light L4. A coupling lens 6 receives the light beam from the PBS 3 and condenses it. coupling lens 6
is composed of, for example, two semicylindrical lenses orthogonal to each other. 7 is a photodetector.

光検知器7はカップリングレンズ6からの入射光L6の
光スポツト形状を検知することによって対物レンズ5か
らの出力光L5の光スポツト形状を間接的に検知する。
The photodetector 7 indirectly detects the shape of the light spot of the output light L5 from the objective lens 5 by detecting the shape of the light spot of the incident light L6 from the coupling lens 6.

8はアクチュエータであり、アクチュエータ8は光検知
器7の出力に従い、対物レンズ5の出力光L 5の焦点
位置をi!ll!!1する。
8 is an actuator, and the actuator 8 changes the focal position of the output light L5 of the objective lens 5 to i! according to the output of the photodetector 7. ll! ! Do 1.

81はレンズ駆動部であり、アクチュエータ8からの駆
動制御出力によって、対物レンズ5の位置を調整する。
Reference numeral 81 denotes a lens drive unit, which adjusts the position of the objective lens 5 based on the drive control output from the actuator 8.

9は情報を光学的に記録、再生、消去等が可能なディス
クであり、その一部を示す。
9 is a disk on which information can be optically recorded, reproduced, erased, etc., and a portion thereof is shown.

ディスク9は対物レンズ5からの出力光L5がディスク
面上に所望の光スポットを照射されることによって、情
報の記録、再生を可能にしている。
The disk 9 enables information to be recorded and reproduced by irradiating a desired light spot onto the disk surface with the output light L5 from the objective lens 5.

10はモータであり、ディスク9はモーター10により
駆動される。30は磁極である。これは。
10 is a motor, and the disk 9 is driven by the motor 10. 30 is a magnetic pole. this is.

電磁波による余熱手段として、高周波誘導加熱源を使用
する実施例である。磁t430からはディスク9を通過
する磁力線が発生される。ディスク9は、記録媒体を付
加した光情報記録用のディスクである。30′は磁極で
あり、磁極30と同様のものでもよいが、磁極30から
の磁力線を受は入れる磁性材料を用いた鉄心であっても
よい6m力線Bがディスク9を通過することによってデ
ィスク9の一部にうず電流を生じ、それによって、ディ
スク9の一部が発熱する。このときの発熱量は。
This is an embodiment in which a high frequency induction heating source is used as a preheating means using electromagnetic waves. Magnetic lines of force passing through the disk 9 are generated from the magnet t430. The disc 9 is a disc for optical information recording to which a recording medium is added. 30' is a magnetic pole, which may be the same as the magnetic pole 30, but may also be an iron core made of a magnetic material that receives the magnetic lines of force from the magnetic pole 30. When the 6m force lines B pass through the disk 9, the disk An eddy current is generated in a portion of the disk 9, thereby causing a portion of the disk 9 to generate heat. What is the amount of heat generated at this time?

ディスク9の材質、うず電流の大きさ、磁力線の自1加
継続時間、ディスク9の移動(たとえばディスク9の回
転数)などによってコントロールできるので、記録媒体
の加熱による結晶の相変化を起す特性に応じて、記録、
消去等の機能のための熱を与えることができる。上記高
周波誘導加熱方式によるディスク9の発熱量をコントロ
ールすることによって、記録、または、消去作用が行わ
れる。
This can be controlled by the material of the disk 9, the magnitude of the eddy current, the duration of the magnetic field line's self-addition, the movement of the disk 9 (for example, the number of rotations of the disk 9), etc., so that the characteristics that cause a crystal phase change due to heating of the recording medium can be controlled. Record accordingly,
Can provide heat for functions such as erasing. Recording or erasing is performed by controlling the amount of heat generated by the disk 9 using the high-frequency induction heating method.

下限以下に設定することによって記録、消去等にさらに
必要な熱量を、第1図の光g1から発生した光量をもと
にディスク9に焦点を合せた出力光L5によって与える
ことにより、記録、消去作用に必要な光源1のパワーを
減少でき、ディスク9の加熱スピードも速めることがで
きる。ただし。
By setting the value below the lower limit, the amount of heat necessary for recording, erasing, etc. is further provided by the output light L5 focused on the disk 9 based on the amount of light generated from the light g1 in FIG. The power of the light source 1 required for operation can be reduced, and the heating speed of the disk 9 can also be increased. however.

再生時には、光源1から発生した光量をもとにディスク
9で反射して得た入射光L6の値を光検知器7によって
情報記録内容、たとえば反射光があらかじめ定めたレベ
ルよりも大のとき情報“1”。
During playback, the value of the incident light L6 reflected by the disk 9 based on the amount of light generated from the light source 1 is detected by the photodetector 7 to record information, for example, when the reflected light is greater than a predetermined level, the value of the incident light L6 is determined by the photodetector 7. “1”.

低くいとき′0″と2値信号の判定を行うことができる
。そのため、S/N (信号対雑音比)を大きくとるこ
とが効果的であるので、再生時の入射光L6を可能な限
り大きくなるようにすればよい。
When the signal is low, it can be determined as '0'' and a binary signal. Therefore, it is effective to increase the S/N (signal-to-noise ratio), so the incident light L6 during playback should be minimized as much as possible. Just make it bigger.

このため、再生時には磁極30及び30′によって生じ
る磁力線Bによるうず電流の発生を阻止した方がよい。
Therefore, during reproduction, it is better to prevent the generation of eddy currents due to the lines of magnetic force B generated by the magnetic poles 30 and 30'.

つぎに、ディスク9に用い得る記録媒体について説明す
る。記録媒体は固体状態で少なくとも2種類の結晶構造
を有し、一方の温度領域での結晶構造を他方の温度領域
で保持し、及び/又は結晶状態で互いに異なった体積変
化を生じる金属又は合金からなることを特徴とするもの
である。なお、結晶変化が生じなくても凹凸の変化を生
じる合金であれば使用可能である。一方、記録可能な方
式には追記型と書き換え可能型の大きく2つに分けられ
る。前者は1回の書き込みのみが可能であり、消去はで
きない、後者はくり返しの返記録、消去が可能な方式で
ある。追記型、の記録方法はレーザ光により記録部分の
媒体を破壊あるいは成形して凹凸をつけ、再生にはこの
凹凸部分でのレーザ光の干渉による光反射量の変化を利
用する。この記録媒体にはTeやその合金を利用して、
その溶解。
Next, a recording medium that can be used for the disc 9 will be explained. The recording medium is made of a metal or alloy that has at least two types of crystal structures in a solid state, retains the crystal structure in one temperature range in the other temperature range, and/or exhibits different volume changes in the crystal state. It is characterized by: Note that any alloy that causes a change in unevenness can be used even if no crystal change occurs. On the other hand, recordable methods can be broadly divided into two types: write-once type and rewritable type. The former allows writing only once and cannot be erased, while the latter allows repeated recording and erasing. In the write-once recording method, a laser beam is used to destroy or shape the medium in the recording area to create unevenness, and for reproduction, a change in the amount of light reflected due to the interference of the laser beam at the uneven area is used for reproduction. This recording medium uses Te and its alloys,
Its dissolution.

昇華による凹凸の成形が一般的に知られている。Forming unevenness by sublimation is generally known.

この種の媒体では毒性などの若干の問題を含んでいる。This type of media involves some problems such as toxicity.

書き換え可能型の記録媒体としては光磁気材料が主流で
ある。この方法は光エネルギを利用してキュリ一点ある
いは補償点温度付近で媒体の局部的な磁気異方性を反転
させ記録し、その部分での偏光入射光の磁気ファラデー
効果及び磁気カー効果による偏光面の回転量にて再生す
る。この方法は書き換え可能性の最も有望なものとして
研究開発が進められている。その他の書き換え可能型方
式として記録媒体の非晶質と結晶質の可逆的相変化によ
る反射率変化を利用したものがある。
Magneto-optical materials are the mainstream for rewritable recording media. This method uses optical energy to invert and record the local magnetic anisotropy of the medium near the Curie point or the compensation point temperature, and the polarization plane of the polarized incident light at that part is caused by the magnetic Faraday effect and magnetic Kerr effect. Play with the amount of rotation. This method is being researched and developed as the most promising method for rewriting. Other rewritable systems utilize reflectance changes due to reversible phase changes between amorphous and crystalline recording media.

例えばナショナル テクニカル レポート 第29巻第
5号(National Tachnical Rep
ort Vo129、N[15)  (1983)に記
載されたTeOxに少量の08およびSnを添加した材
料がある。
For example, National Technical Report Vol. 29, No. 5 (National Technical Rep.
There is a material in which a small amount of 08 and Sn are added to TeOx described in Ort Vo129, N[15] (1983).

合金例としては、Cu−A(1合金、Cu−Zn合金、
 Cu −A Q  Z n合金、Cu−AM−Ni合
金、 Cu −A Q −M n合金、 Cu −A 
lt −F a−Cr合金、Cu−Ga合金、Cu−A
Q Ga合金、Cu−In合金、 Cu −A Q  
I n合金。
Examples of alloys include Cu-A (1 alloy, Cu-Zn alloy,
Cu-AQZn alloy, Cu-AM-Ni alloy, Cu-AQ-Mn alloy, Cu-A
lt-F a-Cr alloy, Cu-Ga alloy, Cu-A
Q Ga alloy, Cu-In alloy, Cu-A Q
I n alloy.

Cu −G n合金、Cu−AM−Ga合金、Cu−S
n合金、Cu−Ta合金+Cu−Ti合金。
Cu-G n alloy, Cu-AM-Ga alloy, Cu-S
n alloy, Cu-Ta alloy + Cu-Ti alloy.

Cu −A Q −S n合金、Cu−Zn合金、Cu
−9i合金* Cu−8b合金、Cu−Ba合金。
Cu-A Q-S n alloy, Cu-Zn alloy, Cu
-9i alloy*Cu-8b alloy, Cu-Ba alloy.

Cu −B a1合金、Cu−Mn合金、Cu−Pd合
金、Cu−Pt合金、Ag  Zn合金# A g −
AQ合金、Ag−Cd金合金 A g−I n合金。
Cu-B a1 alloy, Cu-Mn alloy, Cu-Pd alloy, Cu-Pt alloy, Ag Zn alloy # A g -
AQ alloy, Ag-Cd gold alloy Ag-I n alloy.

Ag−Ga合金、Ag−AQ−Au金合金 A !!:
 −A Q −Cn合金、 A g−A Q −A u
 −Cn合金。
Ag-Ga alloy, Ag-AQ-Au gold alloy A! ! :
-A Q -Cn alloy, A g-A Q -A u
-Cn alloy.

Ag−An−Cd合金、AK−Pt金合金 A g −
8合金、Ag−8n合金、 A g−T e合金、Ag
−Ti合金、Ag−Zr合金、A g −A n合金。
Ag-An-Cd alloy, AK-Pt gold alloy A g -
8 alloy, Ag-8n alloy, Ag-Te alloy, Ag
-Ti alloy, Ag-Zr alloy, Ag-An alloy.

A g −A n合金、Ag−Be金合金 A g  
M g合金、 A g −L n合金、Ag−Mn合金
、AQ−Fe合金、ΔQ−Mg合金、AM−Mn合金。
A g -A n alloy, Ag-Be gold alloy A g
Mg alloy, Ag-Ln alloy, Ag-Mn alloy, AQ-Fe alloy, ΔQ-Mg alloy, AM-Mn alloy.

AQ−Pd合金、 A Q −T a合金、 A 11
−T n合金、AQ−Zn合金、AQ−Zr合金、 N
i −sb金合金Ni−8i合金、Ni−9n合金。
AQ-Pd alloy, AQ-Ta alloy, A11
-T n alloy, AQ-Zn alloy, AQ-Zr alloy, N
i-sb gold alloy Ni-8i alloy, Ni-9n alloy.

N i −G a合金、Mn−Ge合金、Ni−Ga合
金、Ni−Mn合金、Ni−5合金、Ni−Ti合金、
Fa−As合金、As−8合金、 A 5−Zn合金、
Fa−Ba合金、Fe−Ni合金。
Ni-Ga alloy, Mn-Ge alloy, Ni-Ga alloy, Ni-Mn alloy, Ni-5 alloy, Ni-Ti alloy,
Fa-As alloy, As-8 alloy, A5-Zn alloy,
Fa-Ba alloy, Fe-Ni alloy.

Fa−Cr合金、Fa−P合金、Mn−Pd合金。Fa-Cr alloy, Fa-P alloy, Mn-Pd alloy.

M n −P を合金、Mn−8b合金、Mn−8i合
金、Au−Ca合金p A u  A n合金、Au−
In合金、Au−Ga合金、Au−Cd合金。
Mn-P alloy, Mn-8b alloy, Mn-8i alloy, Au-Ca alloy p Au An alloy, Au-
In alloy, Au-Ga alloy, Au-Cd alloy.

A u −Cn合金、 A u −F n合金、Au−
Mn合金、Au−Zn合金、’Ba−Ca合金、Bi−
pb合金、Bi−TQn合金Ti−Ni合金。
Au-Cn alloy, Au-Fn alloy, Au-
Mn alloy, Au-Zn alloy, 'Ba-Ca alloy, Bi-
pb alloy, Bi-TQn alloy Ti-Ni alloy.

N1−V合金、Ni−Zn合金、Cd−Li合金。N1-V alloy, Ni-Zn alloy, Cd-Li alloy.

Cd−Mg合金、Cd−Pb合金、Cd−8b合金、5
b−In合金、Sb −In−8s合金。
Cd-Mg alloy, Cd-Pb alloy, Cd-8b alloy, 5
b-In alloy, Sb-In-8s alloy.

M g −Ca合金、Go−Cr合金、 Co−G e
合金、Co−Mn合金、Go−Sb合金、Go−V合金
、In−Mg合金、In−Mn合金、In−Ni合金、
In−8n合金、In−TQ合金。
Mg-Ca alloy, Go-Cr alloy, Co-Ge
alloy, Co-Mn alloy, Go-Sb alloy, Go-V alloy, In-Mg alloy, In-Mn alloy, In-Ni alloy,
In-8n alloy, In-TQ alloy.

Li−Zn合金、Mn−Zn合金、Pb−T1合金、p
b−s合金、pb−sb金合金Pd−Zn合金、5n−
Sb合金、Tfi−8b合金、5b−Zn合金、Ti−
Sb合金、TQ−3n合金。
Li-Zn alloy, Mn-Zn alloy, Pb-T1 alloy, p
b-s alloy, pb-sb gold alloy Pd-Zn alloy, 5n-
Sb alloy, Tfi-8b alloy, 5b-Zn alloy, Ti-
Sb alloy, TQ-3n alloy.

Z r −S n合金、Zr−Th合金、Ti−Zn合
金、Ti−Zr合金などがある。
Examples include Zr-Sn alloy, Zr-Th alloy, Ti-Zn alloy, and Ti-Zr alloy.

合金例として、重量組成で次のものが好ましい。As examples of alloys, the following are preferred in terms of weight composition.

Agに30〜46%Zn、6〜lO%AQ、40〜60
%Cd、20〜30%In、13〜23%Gaを単独、
Cuに10〜20%Al、20〜30%Ga、20〜4
0%In、20〜30%Ga、15〜35%Sn、10
〜60%Zn。
Ag with 30-46% Zn, 6-10% AQ, 40-60
%Cd, 20-30% In, 13-23% Ga alone,
Cu with 10-20% Al, 20-30% Ga, 20-4
0% In, 20-30% Ga, 15-35% Sn, 10
~60% Zn.

5〜10%Si、4〜15%Bo、30〜45%sbを
単独、Auに15〜25%In、10〜15%Ga、5
〜25%Zn、20〜55%Cd。
5-10% Si, 4-15% Bo, 30-45% sb alone, Au with 15-25% In, 10-15% Ga, 5
~25% Zn, 20-55% Cd.

2.5〜5%AQを単独、Niに55〜60%AQ、4
0〜50%Tiを単独で加えた合金、In−25〜35
%′1゛a合金、Faに55%以下のptを加えた合金
、M n −5〜50%Cu合金、5o15〜25%−
In30〜40%−sb合金。
2.5-5% AQ alone, 55-60% AQ on Ni, 4
Alloys containing 0-50% Ti alone, In-25-35
%'1'a alloy, alloy with 55% or less of pt added to Fa, Mn-5~50%Cu alloy, 5o15~25%-
In30-40%-sb alloy.

これらの合金に対し更に第3成分、第4成分。A third component and a fourth component are further added to these alloys.

第5成分等として第2成分以外の次の元素を加えること
ができる。
The following elements other than the second component can be added as the fifth component and the like.

I a、n a、fVa、Van VIa*■a、■。Ia, na, fVa, Van VIa*■a,■.

Ib−Vb、希土類元素の1種又は2種以上の合計で1
5重量%以下である。
Ib-Vb, the total of one or more rare earth elements is 1
It is 5% by weight or less.

具体的には、Ia族はLi、■a族はM g eCa、
fVa族はT x * Z r t Hf、Va族はV
Specifically, the Ia group is Li, the a group is M g eCa,
fVa group is T x * Z r t Hf, Va group is V
.

Nb、Ta、■a族はCr、Mo、W、■a族はM n
 、■族はCo、Rh、Ir、Fa、Ru。
Nb, Ta, ■a group is Cr, Mo, W, ■a group is M n
, ■groups are Co, Rh, Ir, Fa, and Ru.

Os、Ni、Pd、Pt、I b族はCu、Ag。Os, Ni, Pd, Pt, Ib group is Cu, Ag.

A u 、■b族はZn、Cd、mb族はB、All。A u , ■b group is Zn, Cd, mb group is B, All.

Ga、In、lVb族はC,Si、Go、Sn。Ga, In, and lVb groups include C, Si, Go, and Sn.

pb、vb族はP、Sb、Bi、希土類元素はY。The pb and vb groups are P, Sb, and Bi, and the rare earth elements are Y.

La、Ca、Sm、Gd、Tb、D)’* Luが好ま
しい、特に、0.1〜5重量%が好ましい。
La, Ca, Sm, Gd, Tb, D)'*Lu is preferred, and 0.1 to 5% by weight is particularly preferred.

以上の記録媒体とは、固体状態で室温より高い第1の温
度(高温)と該第1の温度より低い第2の温度(低温)
とで異なった結晶構造を有する合金において、該合金は
その表面の少なくとも一部が前記高温からの急冷によっ
て1前記低温における非急冷による結晶構造と異なる結
晶構造を形成する合金組成を有する。
The above recording medium has a first temperature (high temperature) higher than room temperature in a solid state and a second temperature (low temperature) lower than the first temperature.
In an alloy having different crystal structures, the alloy has an alloy composition in which at least a portion of its surface forms a crystal structure different from that obtained by non-quenching at the low temperature by rapid cooling from the high temperature.

この合金は固相状態での加熱冷却処理により、同一温度
で少なくとも2種の分光反射率を有し、可逆的に分光反
射率を変えることのできるものである。すなわち、本発
明に係る合金は固相状態で少なくとも2つの温度領域で
結晶構造の異なった相を有し、それらの内、高温相を急
冷した状態と非急冷の標準状態の低温和状態とで分光反
射率が異なり、高温和温度領域での加熱急冷と低温和温
度領域での加熱冷却により分光反射率が可逆的に変化す
るものである。
This alloy has at least two types of spectral reflectance at the same temperature by heating and cooling treatment in a solid state, and the spectral reflectance can be changed reversibly. That is, the alloy according to the present invention has phases with different crystal structures in at least two temperature ranges in a solid state, and among these, the high-temperature phase is quenched and the non-quenched standard state is a low-temperature state. The spectral reflectance is different, and the spectral reflectance changes reversibly by heating and cooling in a high sum temperature range and heating and cooling in a low sum temperature range.

この記録合金の可逆的反射率の変化についてその原理を
第2図を用いて説明する。図はX−Y二元系合金の状態
図でありa固溶体とす、c金属間化合物が存在する。A
Bに組成の合金を例にとると、この合金は固相状態にお
いて、b単相、(b+ c )相及び(a+c)相があ
る。結晶構造はa。
The principle of this reversible change in reflectance of the recording alloy will be explained with reference to FIG. The figure is a phase diagram of an X-Y binary alloy, in which a solid solution exists and c an intermetallic compound. A
Taking an alloy having the composition B as an example, this alloy has a single b phase, a (b+c) phase, and an (a+c) phase in a solid state. The crystal structure is a.

b、cのそれぞれ単相状態で異なり、これら単独及び混
合相においてそれぞれ光学的性質、たとえば分光反射率
は異なる。このような合金はTI湿温度一般的に室温で
あるが、(a+c)相が安定である。これをT4温度ま
で加熱急冷するとb相がTI湿温度で急冷する。このb
相が急冷時に新たな相(たとえばb’)に変態してもよ
い、この状態は(a+c)相とは異なるため、分光反射
率も異なってくる。この急冷す相(又はb′相)合金を
Ta温度以下T2温度まで加熱し冷却すると(a + 
c )相に変態し1分光反射率は最初の状態に戻る。こ
のような2つの加熱冷却処理を繰返すことにより1分光
反射率を可逆的に変化させることが可能である。
Each of b and c is different in a single phase state, and the optical properties, such as spectral reflectance, are different in each of these single phase and mixed phase. Although the TI humidity temperature of such alloys is generally room temperature, the (a+c) phase is stable. When this is heated and rapidly cooled to the T4 temperature, the b phase is rapidly cooled to the TI humidity temperature. This b
The phase may transform into a new phase (for example b') during quenching, and since this state is different from the (a+c) phase, the spectral reflectance will also be different. When this rapidly cooled phase (or b' phase) alloy is heated to T2 temperature below Ta temperature and cooled, (a +
c) It transforms into a phase and the 1-spectral reflectance returns to its initial state. By repeating such two heating and cooling processes, it is possible to reversibly change the 1-spectral reflectance.

(合金組成) 記録合金は、高温及び低温状態で異なった結晶構造を有
するもので、高温からの急冷によってその急冷された結
晶構造が形成されるものでなければならない、更に、こ
の急冷されて形成された相は所定の温度での加熱によっ
て低温状態での結晶構造に変化するものでなければなら
ない、このように高温からの急冷によって低温での結晶
構造と異なった結晶構造を得るための冷却速度として1
0”C/秒以上又は108℃/秒以上で、このような結
晶構造の変化が生じるものが好ましい。
(Alloy composition) The recording alloy must have a different crystal structure at high and low temperatures, and the rapidly cooled crystal structure must be formed by rapid cooling from a high temperature. The resulting phase must be able to change to a crystalline structure at a low temperature by heating at a predetermined temperature.In this way, the cooling rate is required to obtain a crystalline structure different from that at a low temperature by rapid cooling from a high temperature. as 1
It is preferable that such a change in crystal structure occurs at a temperature of 0''C/sec or higher or 108°C/sec or higher.

記録合金は1周期律表のIb族元素の少なくとも1種と
ub族、nib族、IV b族及びvb族元素から選ば
れた少なくとも1種との合金からなるものが好ましい。
The recording alloy is preferably made of an alloy of at least one element selected from group Ib elements of the periodic table and at least one element selected from group elements ub group, nib group, IVb group, and Vb group.

(製造法) 記録合金は反射率の可変性を得るために材料の加熱急冷
によって過冷相を形成できるものが必要である。高速で
情報の製作及び記憶させるには材料の急熱急冷効果の高
い熱容量の小さいノンバルクが望ましい、即ち、所望の
微小面積に対して投入されたエネルギーによって実質的
に所望の面積部分だけが深さ全体にわたって基準となる
結晶構造と異なる結晶構造に変り得る容積を持つノンバ
ルクであることが望ましい、従って、所望の微小面積に
よって高密度の情報を製作するには、熱容量の小さいノ
ンバルクである箔、@、銅細線るいは粉末等が望ましい
、記録密度として、20メガビット/aJ以上となるよ
うな微小面積での情報の製作には0.01〜0.2μm
の膜厚とするのがよい、一般に金属間化合物は塑性加工
が難しい、従って1.115.11!I、細線あるいは
粉末にする手法として材料を気相あるいは液相から直接
急冷固化させて所定の形状にすることが有効である。こ
れらの方法にはPVD法(蒸着、スパッタリング法等)
(Manufacturing method) In order to obtain reflectance variability, the recording alloy must be capable of forming a supercooled phase by heating and rapidly cooling the material. In order to create and store information at high speed, it is desirable to use a non-bulk material with a high rapid heating and cooling effect and a small heat capacity.In other words, the energy applied to a desired minute area allows the depth of only the desired area to be reduced. It is desirable that the foil is non-bulk and has a volume that can change to a crystal structure different from the standard crystal structure throughout. Therefore, in order to produce high-density information in a desired micro area, a non-bulk foil with a small heat capacity @ , fine copper wire or powder is preferable, and for producing information in a minute area with a recording density of 20 megabits/aJ or more, 0.01 to 0.2 μm.
Generally, intermetallic compounds are difficult to plastically work, so it is best to have a film thickness of 1.115.11! I. As a method for forming thin wires or powder, it is effective to directly rapidly cool and solidify the material from the gas or liquid phase to form it into a predetermined shape. These methods include PVD method (vapor deposition, sputtering method, etc.)
.

CVD法、溶湯を高速回転する高熱伝導性を有する部材
からなる、特に金属ロール円周面上に注湯して急冷凝固
させる溶湯急冷法、ft電気メッキ化学メッキ法等があ
る。膜あるいは粉末状の材料を利用する場合、基板上に
直接形成するか、塗布して基板上に接着することが効果
的である。塗布する場合、粉末を加熱しても反応などを
起こさないバインダーがよい、また、加熱による材料の
酸化等を防止するため、材料表面、基板上に形成した膜
あるいは塗布層表面をコーティングすることも有効であ
る。
There are CVD methods, molten metal quenching methods in which molten metal is rotated at high speed and made of a member with high thermal conductivity, especially by pouring the molten metal onto the circumferential surface of a metal roll and rapidly solidifying it, and ft electroplating chemical plating methods. When using a film or powder material, it is effective to form it directly on the substrate or to apply it and adhere it to the substrate. When coating, it is best to use a binder that does not cause a reaction even when the powder is heated.Also, to prevent oxidation of the material due to heating, it is also possible to coat the surface of the material, the film formed on the substrate, or the surface of the coating layer. It is valid.

箔又は細線は溶湯急冷法によって形成するのが好ましく
、厚さ又は直徨0 、1  膳以下が好ましい。
The foil or thin wire is preferably formed by a molten metal quenching method, and preferably has a thickness or straightness of 0.1 mm or less.

特に0.1 μm以下の結晶粒径の箔又は細線を製造す
るには0.05閣以下の厚さ又は直径が好ましい。
In particular, in order to produce foil or fine wire with a crystal grain size of 0.1 μm or less, a thickness or diameter of 0.05 μm or less is preferable.

粉末は、溶湯を気体又は液体の冷媒とともに噴霧させて
水中に投入させて急冷するアトマイズ法によって形成さ
せることが好ましい、その粒径は0.1−以下が好まし
く、特に粒径1μm以下の超微粉が好ましい。
The powder is preferably formed by an atomization method in which molten metal is sprayed with a gaseous or liquid refrigerant and then poured into water to be rapidly cooled.The particle size is preferably 0.1 μm or less, particularly ultrafine powder with a particle size of 1 μm or less. is preferred.

膜は前述の如く蒸着、スパッタリング、CVD電気メッ
キ、化学メッキ等によって形成できる。
The film can be formed by vapor deposition, sputtering, CVD electroplating, chemical plating, etc., as described above.

特に、0.1 μm以下の膜厚を形成するにはスパッタ
リングが好ましい、スパッタリングは目標の合金組成の
コントロールが容易にできる。
In particular, sputtering is preferable to form a film with a thickness of 0.1 μm or less, and sputtering allows easy control of the target alloy composition.

(組織) 記録合金は、高温及び低温において異なる結晶構造を有
し、高温からの急冷によって高温における結晶構造を低
温で保持される過冷相の組成を有するものでなければな
らない、高温では不規則格子の結晶構造を有するが、過
冷相は一例としてC5−CQ型あるいはDOs型の規則
格子を有する金属間化合物が好ましい、光学的性質を大
きく変化させることのできるものとして本発明合金はこ
の金属間化合物を主に形成する合金が好ましく。
(Structure) The recording alloy must have a different crystal structure at high and low temperatures, and must have a supercooled phase composition in which the crystal structure at high temperatures is maintained at low temperatures by rapid cooling from high temperatures; The supercooled phase is preferably an intermetallic compound having a C5-CQ type or DOs type ordered lattice, as an example, and the alloy of the present invention has a crystal structure of a lattice. Alloys that mainly form intermediate compounds are preferred.

特に合金全体が金属間化合物を形成する組成が好ましい
、この金属間化合物は電子化合物と呼ばれ、特に3/2
電子化合物(平均外殻電子濃度o / aが3/2)の
合金組成付近のものが良好である。
In particular, a composition in which the entire alloy forms an intermetallic compound is preferred. This intermetallic compound is called an electronic compound, and especially 3/2
Electron compounds (average outer shell electron concentration o/a of 3/2) have good alloy compositions.

また、記録合金は同相変態、たとえば共析炭層又は包析
変態を有する合金組成が好ましく、その合金は高温から
の急冷と非急冷によって分光反射率の差の大きいものが
得られる。
Further, the recording alloy preferably has an alloy composition having an in-phase transformation, for example, a eutectoid carbon layer or an encapsulated transformation, and an alloy having a large difference in spectral reflectance can be obtained by quenching from a high temperature and non-quenching.

光記録合金は超微細結晶粒を有する合金が好しく、特に
結晶粒径は0.1  μm以下が好ましい。
The optical recording alloy is preferably an alloy having ultrafine crystal grains, and the crystal grain size is particularly preferably 0.1 μm or less.

即ち、結晶粒は可視光領域の波長の値より小さいのが好
ましいが、半導体レーザ光の波長の値より小さいもので
もよい。
That is, the crystal grains are preferably smaller than the wavelength of visible light, but may be smaller than the wavelength of semiconductor laser light.

(特性) 記録材料は、可視光領域における分光反射率を同一温度
で少なくとも2種類形成させることができる。即ち、高
温からの急冷によって形成された結晶構造(組織)を有
するものの分光反射率が非急冷によって形成された結晶
構造(組織)を有するものの分光反射率と異なっている
ことが必要である。
(Characteristics) The recording material can be formed to have at least two types of spectral reflectance in the visible light region at the same temperature. That is, it is necessary that the spectral reflectance of a material having a crystal structure (structure) formed by rapid cooling from a high temperature is different from that of a material having a crystal structure (structure) formed by non-quenching.

また、急冷と非急冷によって得られるものの分光反射率
の差は5%以上が好ましく、特に10%以上有すること
が好ましい0分光反射率の差が大きければ、目視による
色の識別が容易であり、後で記載する各種用途において
顕著な効果がある。
In addition, the difference in spectral reflectance obtained by quenching and non-quenching is preferably 5% or more, particularly preferably 10% or more.0 If the difference in spectral reflectance is large, it is easy to visually identify the color, It has remarkable effects in various applications described later.

分光反射させる光源として、電磁波であれば可視光以外
でも使用可能であり、赤外線、紫外線なども使共用可能
である。
As a light source for spectrally reflecting, electromagnetic waves other than visible light can be used, and infrared rays, ultraviolet rays, etc. can also be used.

記録合金のその他の特性として、電気抵抗率。Other properties of recording alloys include electrical resistivity.

光の屈折率、光の偏光率、光の透過率なども分光反射率
と同様に可逆的に変えることができ、各種情報の記録、
記録された情報を再生することに利用することができる
The refractive index of light, the polarization rate of light, the transmittance of light, etc. can be changed reversibly in the same way as the spectral reflectance, making it possible to record various information,
It can be used to reproduce recorded information.

分光反射率は合金の表面あらさ状態に関係するので、前
述のように少なくとも可視光領域において10%以上有
するように少なくとも目的とする部分において鏡面にな
っているのが好ましい。
Since the spectral reflectance is related to the surface roughness of the alloy, it is preferable that at least the intended portion has a mirror surface so as to have 10% or more in the visible light region as described above.

記録合金は、加熱急冷によって部分的又は全体に結晶構
造の変化によるam波の分光反射率、電気抵抗率、屈折
率、偏光率、透過率等の物理的又は電気的特性を変化さ
せ、これらの特性の変化を利用して情報の記録用素子に
使用することができる。
When the recording alloy is heated and rapidly cooled, its physical or electrical properties such as AM wave spectral reflectance, electrical resistivity, refractive index, polarization rate, and transmittance are changed by partially or entirely changing the crystal structure. It can be used as an information recording element by utilizing the change in characteristics.

情報の記録の手段として、電圧及び電流の形での電気エ
ネルギー、電磁波(可視光、輻射熱、赤外線、紫外線、
真写用閃光ランプの光、電子ビーム、陽子atアルゴン
レーザ、半導体レーザ等のレーザ光線、高電圧火花放電
等)を用いることができ、特にその照射による分光反射
率の変化を利用して光の記録媒体に利用するのが好まし
い。記録台゛金を光ディスクの記録媒体を使用すること
により再生専用型、追加記録型、書換型ディスク装置に
それぞれ使用でき、特に書換型ディスク装置においてき
わめて有効である。記録方法はエネルギーを継続的にパ
ルス的に与えるやり方又は連続的に与えるやり方のいず
れでもよい、前者ではディジタル信号として記録できる
As a means of recording information, electrical energy in the form of voltage and current, electromagnetic waves (visible light, radiant heat, infrared, ultraviolet,
Light from photographic flash lamps, electron beams, laser beams from proton at argon lasers, semiconductor lasers, high-voltage spark discharges, etc.) can be used, and in particular, changes in spectral reflectance caused by the irradiation can be used to emit light. It is preferable to use it as a recording medium. By using an optical disc recording medium as a recording platform, it can be used for read-only type, additional recording type, and rewritable type disc devices, and is particularly effective in rewritable type disc devices. The recording method may be either a method of continuously applying energy in a pulsed manner or a method of applying energy continuously; in the former case, it is possible to record as a digital signal.

記録合金を光ディスクの記録媒体に使用した場合の記録
及び再生の原理の例は次の通りである。
An example of the principle of recording and reproduction when the recording alloy is used in the recording medium of an optical disk is as follows.

先ず、記録媒体を局部的に加熱し該加熱後の急冷によっ
て高温度領域での結晶構造を低温度領域で保持させて所
定の情報を記録し、又は高温相をベースとして、局部的
に加熱して高温和中に局部的に低温相先こよって記録し
、記録部分に光を照射して加熱部分と非加熱部分の光学
的特性の差を検出して情報を再生することができる。更
に情報として記録された部分を記録時の加熱温度より低
い温度で加熱し記録された情報を消去することができる
。光はレーザ光線の場合は短波長レーザが好ましい。本
発明の加熱部分と非加熱部分との反射率が500nm又
は800nm付近の波長において大きいので、このよう
な波長を有するレーザ光を再生に用いるのが好ましい、
記録、再生には同じレーザ源が用いられ、消去に、記録
のものよりエネルギー密度を小さくした他のレーザ光を
照射する。
First, the recording medium is locally heated and then rapidly cooled to maintain the crystal structure in the high temperature region in the low temperature region to record predetermined information, or the high temperature phase is used as a base to locally heat the recording medium. During high-temperature curing, information can be recorded locally by heating a low-temperature phase, and by irradiating the recorded portion with light and detecting the difference in optical characteristics between the heated portion and the non-heated portion, information can be reproduced. Furthermore, the recorded information can be erased by heating the portion recorded as information at a temperature lower than the heating temperature at the time of recording. When the light is a laser beam, a short wavelength laser is preferred. Since the reflectance of the heated portion and the non-heated portion of the present invention is large at wavelengths around 500 nm or 800 nm, it is preferable to use laser light having such wavelengths for reproduction.
The same laser source is used for recording and reproducing, and for erasing, another laser beam with a lower energy density than that used for recording is irradiated.

また、記録合金を記録媒体に用いるディスクは情報が記
録されているか否かが目視で判別できる大きなメリット
がある。
Further, a disk using a recording alloy as a recording medium has a great advantage in that it can be visually determined whether information is recorded or not.

すなわち、この記録合金は、第3図(B)に示すような
基板91上に薄膜状態にした記録媒体90として形成さ
れ、第3図(A)に示すパルス幅で1のような瞬間的で
高い熱エネルギーを与えることにより第2の相に変態し
、第4図に示すように反射率が1から2に変化する0次
に、パルス幅18をもつような比較的長い低熱エネルギ
ーを与えることにより、第1相に可逆的に変態し、この
時反射率は2から1に変化する。この反射率変化は、第
3図(A)に示した相変態に寄与しない低熱エネルギー
P+tの光ビームL5を記録媒体1でスポット耶射しそ
の反射光を電気的に検出する第1図に示した光検知鼎7
で感知することができる、光学ヘッドでは第2相の相変
化を与えるに必要な、短時間、高熱プロファイルを第2
の温度プロファイルを記録用、これより長時間、低熱プ
ロファイルを与え、第1相への変化を生じしめる第1の
温度プロファイルを消去用そして、相変化に直接寄与し
ない熱エネルギーを照射することによる温度プロファイ
ルを読出し用の光エネルギーとして配分する。
That is, this recording alloy is formed as a thin film recording medium 90 on a substrate 91 as shown in FIG. By applying high thermal energy, it transforms into the second phase, and the reflectance changes from 1 to 2 as shown in Figure 4. To the 0th order, apply relatively long low thermal energy with a pulse width of 18. As a result, it reversibly transforms into the first phase, and the reflectance changes from 2 to 1 at this time. This reflectance change is shown in FIG. 1, in which a light beam L5 with low thermal energy P+t that does not contribute to the phase transformation shown in FIG. 3(A) is spot-radiated onto the recording medium 1, and the reflected light is electrically detected. Light detection method 7
The optical head generates a short, high thermal profile necessary to effect a second phase change.
for recording the temperature profile of , giving a lower thermal profile for a longer time than this, for erasing the first temperature profile that causes the change to the first phase, and for increasing the temperature by irradiating with thermal energy that does not directly contribute to the phase change. Allocate the profile as optical energy for reading.

相変態型の記録合金の記録特性は0.1  μSオーダ
ーのパルス幅で書込みが可能であることが明らかになり
、従来の方式と比較しても従来のピッド方式にない書換
え機能がある。また、4I換え機能を有するアモルファ
ス・結晶変態型に比べ、記録寿命が長い、という特性が
ある故1、高密度記録材料として有望である。
It has been revealed that the recording characteristics of the phase transformation type recording alloy allow writing with a pulse width on the order of 0.1 μS, and compared to conventional systems, it has a rewriting function that is not found in conventional pit systems. In addition, it is promising as a high-density recording material because it has a longer recording life than the amorphous/crystalline modified type that has a 4I conversion function.

相変態型記録合金は従来の材料に比べ、機械的強度が高
く、伸び量が多い故、フレキシビリティ−に富んでおり
、薄肉のディスク、テープ、カード等に蒸着やスパッタ
リングして使用する場合に特に好都合である。このよう
な各種情報担当に対する情報の記録・消去方式は必要と
する情報量や装置イメージ等から決める必要があり、特
に、材料の特性に基づいた方式を採用する必要がある。
Phase change recording alloys have higher mechanical strength and elongation than conventional materials, so they are highly flexible and can be used by vapor deposition or sputtering on thin-walled disks, tapes, cards, etc. This is especially convenient. The method for recording and erasing information for each of these types of information needs to be determined based on the amount of information required, the image of the device, etc., and in particular, it is necessary to adopt a method based on the characteristics of the material.

この点、記録合金は熱伝導率が大きいため、記録に際し
て、短時間、高熱エネルギーのパルスを投入し、微少面
積へ記録することが有効であり、これによって高速書込
を達成することができる。
In this regard, since recording alloys have high thermal conductivity, it is effective to apply a pulse of high thermal energy for a short time to record on a minute area during recording, thereby achieving high-speed writing.

消去に際しては、発振波長830nmの半導体レーザで
第3図(A)に示すパルス幅τEの光エネルギーを投入
すると2の記録状層から1の消去状態に反射率が減少す
る。この瞬間に光記録合金膜を施した記録媒体91への
入熱量は大きくなるので、第2の温度プロファイルまで
昇温すると再書込みのおそれがある。故に、このような
光エネルギーによる消去方法は必ずしも最適ではない。
During erasing, when light energy with a pulse width τE shown in FIG. 3A is applied using a semiconductor laser with an oscillation wavelength of 830 nm, the reflectance decreases from the recorded layer 2 to the erased state 1. At this moment, the amount of heat input to the recording medium 91 coated with the optical recording alloy film increases, so if the temperature rises to the second temperature profile, there is a risk of rewriting. Therefore, such an erasing method using light energy is not necessarily optimal.

この点、波長35gr1m付近のAr÷レーザを用いる
場合は2の記録状態から1の消去状態になる場合は反射
率が増加する故、上記の問題は回避できる。しかし、A
r+レーザは半導体レーザに比べて大形で、高価であり
、装置化の点で不利である。
In this regard, when using an Ar/laser with a wavelength of around 35gr1m, the reflectance increases when changing from the recording state of 2 to the erasing state of 1, so the above problem can be avoided. However, A
R+ lasers are larger and more expensive than semiconductor lasers, and are disadvantageous in terms of equipment.

本発明は記録媒体に高周波のうず電流を生じせしめ、発
熱させることにより、上記の半導体レーザの光源を小容
量化することにある。
The present invention aims to reduce the capacity of the above-mentioned semiconductor laser light source by generating high-frequency eddy current in a recording medium and generating heat.

第5図は高周波誘導加熱を原理とするディスク9の発熱
の作用と構造実施例を説明するものである。第5図(A
)において、9はディスクの一部を示す、90は先に述
べた記録合金類を用いた記録媒体である。91は基板で
あり、ガラスやプラスチック、あるいはコアを用いても
よい、320は電源コントローラであり、ディスク9に
うず電流を発生しめるための発熱量と発生継続時間や、
発生のタイミングなどを決定し、次段の電源321の出
力をコントロールするためのものである。
FIG. 5 explains the heat generation effect of the disk 9 and a structural example based on the principle of high-frequency induction heating. Figure 5 (A
), 9 indicates a part of the disk, and 90 is a recording medium using the above-mentioned recording alloys. 91 is a substrate, which may be made of glass, plastic, or a core; 320 is a power controller, which controls the amount of heat generated and the duration of generation for generating eddy current in the disk 9;
This is to determine the timing of generation, etc., and to control the output of the power supply 321 at the next stage.

322はtttsであり電IW321の出力電流をコイ
ル311,312,313および314に通電するため
のものである。コイル311,312は上部コア301
の片脚に、コイル313,314は他の片脚に巻いた例
である。コイル311 、312゜313及び314に
高周波の電流をtl[321を供給することによって、
磁力線Bを生じる。上部コア301.下部コア302は
共に透磁率の大きい磁性材料、たとえばフェライトコア
などを用いればよい、また、上部コア301と同様に下
部コア302を構成することによって、磁力線Bが、両
コア間で加算されるように組合せてもよい、第5図(A
)上部コア301.下部コア302及びコイル311,
312,313,314は第1図の磁極30及び30′
に相当するものである0以上により、磁力、I&Bがデ
ィスク9を往復する形で貫通するので合金で作られた記
録媒体90にはうず電流が発生する。第5図(B)はデ
ィスク9を高周波の磁力線Bが通過したときに記録媒体
に発生するうず電流の概要を示す、磁力線Bはディスク
の上面から下面に通る磁力線をBn、逆に下面から上面
に通る磁力線をBSとして示しである。
322 is ttts for passing the output current of the electric IW 321 to the coils 311, 312, 313 and 314. Coils 311 and 312 are part of the upper core 301
In this example, the coils 313 and 314 are wound around one leg of the body. By supplying high frequency current tl[321 to the coils 311, 312, 313 and 314,
Generates magnetic field lines B. Upper core 301. Both lower cores 302 may be made of a magnetic material with high magnetic permeability, such as a ferrite core. Also, by configuring the lower core 302 in the same manner as the upper core 301, the lines of magnetic force B can be added between both cores. Figure 5 (A
) Upper core 301. lower core 302 and coil 311,
312, 313, 314 are magnetic poles 30 and 30' in FIG.
Since the magnetic force, I&B, penetrates the disk 9 in a reciprocating manner, an eddy current is generated in the recording medium 90 made of an alloy. FIG. 5(B) shows an outline of the eddy current generated in the recording medium when high-frequency magnetic lines of force B pass through the disk 9. The lines of magnetic force B are the lines of magnetic force that pass from the top surface of the disk to the bottom surface Bn, and conversely from the bottom surface to the top surface. The lines of magnetic force passing through are shown as BS.

磁力線BNによりうず電流Iaoが発生し、磁力線Bg
によってうず電流Iao’ を生じる。
Eddy current Iao is generated by magnetic field line BN, and magnetic field line Bg
This causes an eddy current Iao'.

うず電流IaoとIao’はそれぞれビオサバールの右
ねじの法則によって生じたものであるから、両者は同図
の矢印方向になり、両磁力線の中間点がうず電流の発生
量も大きくなる。Wpで示した部分が主たる発熱部であ
る0発熱部Wpに生じるジュール熱は、記録媒体90の
抵抗とうず電流の値に従うものであり、記録媒体90の
比抵抗が前に述べた合金材料を用いると10−6〜10
−6Ω1であり、厚さが0.1  μm、照射スポット
面積1μm×10μmとすると、 この範囲での抵抗Rは0.1 〜1Ωになる。
Since the eddy currents Iao and Iao' are generated by Biot-Savart's right-handed screw law, they are in the direction of the arrow in the figure, and the amount of eddy current generated is large at the midpoint between the two lines of magnetic force. The Joule heat generated in the zero heat generating part Wp, where the part indicated by Wp is the main heat generating part, depends on the resistance and eddy current values of the recording medium 90. 10-6 to 10 when used
-6Ω1, the thickness is 0.1 μm, and the irradiation spot area is 1 μm×10 μm, then the resistance R in this range is 0.1 to 1Ω.

この抵抗を記録合金の第2相から第1相への変態温度(
消去温度)150℃に加熱するには実験的に約3mWの
電力が必要なので、必要な電流工は となる。
This resistance is measured at the transformation temperature of the recording alloy from the second phase to the first phase (
Since approximately 3 mW of power is experimentally required to heat the erase temperature to 150°C, the required electric current is as follows.

第6図は、記録媒体90を透明な導電保護膜の基板91
.91’でコーディングし、その上下面に設置した磁極
30.30’ により1合金の厚さ方向に第5図と同様
に磁力線Bを通じることによって発熱させる構造である
。このような構造の記録担体は全体の厚みをミクロンオ
ーダーと極めて薄くできるので記録合金ディスクのほか
、カード及びテープを実現できる。このような方法で光
記録合金の記録媒体90を発熱させ前述した第1相と第
2相間の変態を行わせることができる。321は高周波
の電流を発生する電源であって、電源321の出力電流
によって磁極30.30’に磁力線Bを発生するのは第
5図の説明と同様のことである。9はディスクである。
FIG. 6 shows a recording medium 90 connected to a transparent conductive protective film substrate 91.
.. It has a structure in which heat is generated by passing the lines of magnetic force B in the thickness direction of the alloy 1 through magnetic poles 30 and 30', which are coded with 91' and placed on the upper and lower surfaces thereof, as in FIG. 5. Since the overall thickness of a record carrier having such a structure can be made extremely thin on the order of microns, it is possible to realize not only recording alloy disks but also cards and tapes. By such a method, the recording medium 90 made of an optical recording alloy can be heated to undergo the above-described transformation between the first phase and the second phase. 321 is a power source that generates a high frequency current, and the output current of the power source 321 generates magnetic lines of force B at the magnetic poles 30 and 30' in the same manner as described in FIG. 9 is a disk.

第7図は第5図に示した電源コントローラ320と電源
321の構成についての実施例を示す。
FIG. 7 shows an embodiment of the configuration of the power supply controller 320 and power supply 321 shown in FIG.

320が電源コントローラ部分であるa Pw、 PE
はそれぞれ記録指令、及び消去指令パルスであり、第1
図に示した出力光L5も記録指令と消去指令は上記の指
令パルスPw、PEと同時に行われるものである。ただ
し第1図の光源1の制御については図示していない。O
Rはオアゲートであり、指令パルスPw、あるいはP[
が発生したときのみ出力ONが動作許容出力となる。E
Hは高周波発振器であり、高周波電源のクロックとして
用いる。
320 is the power controller part a Pw, PE
are the recording command pulse and the erasure command pulse, respectively, and the first
In the output light L5 shown in the figure, the recording command and erasing command are performed simultaneously with the above-mentioned command pulses Pw and PE. However, the control of the light source 1 in FIG. 1 is not illustrated. O
R is an OR gate, and command pulse Pw or P[
The output ON becomes the operation permissible output only when this occurs. E
H is a high frequency oscillator, which is used as a clock for the high frequency power supply.

FFはフリップフロップであり、その出力Qと一ζ−が
高周波発振器Esの発生するクロックに従い、交互に出
力が発生する。ただし、オアゲートORの出力ONが動
作許容の場合、つまり、記録もしくは消去を行う場合の
み出力Q、もしくはτが生じる。321は第5図の電源
部分となる高周波インバータであり、Eoが高周波電流
を発生するための直流電源である。Csはコンデンサで
あり。
FF is a flip-flop, and its outputs Q and ζ- are alternately generated in accordance with a clock generated by a high frequency oscillator Es. However, the output Q or τ is generated only when the output of the OR gate OR is ON to allow operation, that is, when recording or erasing is performed. 321 is a high frequency inverter serving as a power source portion in FIG. 5, and Eo is a DC power source for generating a high frequency current. Cs is a capacitor.

直流電源EDの電圧が一定になるように、高調波を吸収
し、直流出力電圧の安定化を図るものであるe T R
1e T Rzは半導体バルブであり、たとえば(トン
ランジスタウ静電型サイリスタなどである。フリップフ
ロップFFの出力Q及び百によって半導体バルブT R
z * T Rzは、どちらか片方ずつ導通、不導通の
関係をもつスイッチング回路を構成する。DI 、Di
はダイオードであり。
It absorbs harmonics and stabilizes the DC output voltage so that the voltage of the DC power supply ED remains constant.
1e T Rz is a semiconductor valve, for example (such as a Trangistau electrostatic thyristor).
z*T Rz constitutes a switching circuit in which either one of them is conductive or non-conductive. D.I., D.I.
is a diode.

半導体バルブT Rt t T Raのサージアブソー
バ−としての保護素子に用いたものである。TFは絶縁
トランスであり、tttwXに対して負荷となる磁極3
0を絶縁するとともに、負荷電流I′Lのレベルをマツ
チングするのに用いる。負荷電流ILのマツチングは絶
縁トランスTFの巻数比を変えることによって実施でき
る。C1は、負荷電流ILの波形をコントロールするた
めのコンデンサである。コンデンサC2の容量を可変し
、磁極の誘導性負荷インピーダンスとの共振をとること
により、負荷電流I2を増大することもできる。負荷機
料ILを磁極30に通電することによって所望のうず電
流を記録媒体に生じせしめることができる。
This was used as a protection element as a surge absorber for a semiconductor valve T Rt t T Ra. TF is an isolation transformer, and magnetic pole 3 serves as a load for tttwX.
0 and is used to match the level of load current I'L. Matching of the load current IL can be performed by changing the turns ratio of the isolation transformer TF. C1 is a capacitor for controlling the waveform of load current IL. It is also possible to increase the load current I2 by varying the capacitance of the capacitor C2 and achieving resonance with the inductive load impedance of the magnetic pole. By energizing the load device IL to the magnetic pole 30, a desired eddy current can be generated in the recording medium.

また1本発明では、記録媒体を回転型ディスクを対象に
施したものとして説明したが、光記録媒体を用いたテー
プ、あるいはカードであってもよい。
Furthermore, in the present invention, the recording medium has been described as being applied to a rotating disk, but it may also be a tape or a card using an optical recording medium.

また、記録媒体の抵抗が大きいものについては高周波M
fl!加熱を応用してもよく、この場合には本実施例で
説明した磁極について、高周波の電波を生じるものであ
ればよい。
In addition, for recording media with high resistance, high frequency M
Fl! Heating may be applied, and in this case, the magnetic poles described in this embodiment may be of any type as long as they generate high-frequency radio waves.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上1本発明によれば、記録、消去時に記録媒体をうず
電流の発生によって発熱させることができ、光源の容量
を小さくすることができる。
According to the present invention, the recording medium can be heated by generating eddy current during recording and erasing, and the capacity of the light source can be reduced.

また、再生時には光源の照射のみによって情報を読みと
るので、S/Nを高くできる。
Furthermore, since information is read only by irradiation with a light source during reproduction, the S/N ratio can be increased.

また、うず電流を発生するために用いる高周波電源とし
て、半導体バルブを用いることによって装置を静止化で
き、しかも小型、軽量化できる。
Further, by using a semiconductor valve as a high frequency power source used to generate eddy current, the device can be made stationary, and moreover, it can be made smaller and lighter.

また、信頼度も高められるなどの効果がある。It also has the effect of increasing reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の全体説明図である。第2図は記録媒体
の温度特性を示す、第3図は記録媒体に対する記録、消
去作用の照射パワーを示す、第4図は記録媒体の分光反
射率の例を示す、第5図は記録媒体のうず電流発生概要
を示す、第6図はディスクの構造例を示す、第7図は高
周波電流を発生する電源構成を示す。 1・・・光源、9・・・ディスク、30・・・磁極、3
21・・・第1図 第Z 図 第3図 (A) t(sec) ζF5) 第4 図 (A) 3#  Jを (ytyyL) Ay−35Zy’L (3a5’c) (F3) ;f  J  どfi7PL) 与−J扉(325℃ 纂4コ 三1!   九−と ど− (:Lt−1dAJ!  −4N〕(グZ5’C)第6
FIG. 1 is an overall explanatory diagram of the present invention. Figure 2 shows the temperature characteristics of the recording medium. Figure 3 shows the irradiation power for recording and erasing the recording medium. Figure 4 shows an example of the spectral reflectance of the recording medium. Figure 5 shows the recording medium. FIG. 6 shows an example of the structure of a disk, and FIG. 7 shows a power supply configuration for generating high-frequency current. 1...Light source, 9...Disk, 30...Magnetic pole, 3
21...Figure 1 Z Figure 3 (A) t (sec) ζF5) Figure 4 (A) 3# J (ytyyL) Ay-35Zy'L (3a5'c) (F3); f J dofi7PL) Yo-J door (325℃ 纂4KO31! 9-to-do- (:Lt-1dAJ! -4N) (GuZ5'C) No. 6
d

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、光学的エネルギーを照射することにより、情報の記
録、再生、あるいは消去等を行う記録媒体を備えた光情
報記録装置において、少なくとも、再生時を除き、電磁
波による予熱を行うことを特徴とする光情報記録装置。 2、第1項記載の光情報記録装置において、光学的エネ
ルギーを照射する手段として、半導体レーザを光源に用
い、電磁波による予熱のために、高周波誘導加熱あるい
は高周波誘電加熱を行うことを特徴とする光情報記録装
置。 3、第1項記載の光情報記録装置の記録媒体として、記
録の有無により、結晶の相変化が、結晶から他結晶状態
に変化する材料を用いることを特徴とする光情報記録装
置。 4、第2項記載の光情報記録装置における電磁波による
予熱のための手段として、半導体バルブを備えたことを
特徴とする光情報記録装置。
[Claims] 1. In an optical information recording device equipped with a recording medium that records, reproduces, or erases information by irradiating it with optical energy, preheating by electromagnetic waves is not performed at least during reproduction. An optical information recording device characterized by: 2. In the optical information recording device according to item 1, a semiconductor laser is used as a light source as a means for irradiating optical energy, and high-frequency induction heating or high-frequency dielectric heating is performed for preheating by electromagnetic waves. Optical information recording device. 3. An optical information recording device according to item 1, characterized in that the recording medium of the optical information recording device uses a material whose crystal phase changes from a crystalline state to another crystalline state depending on the presence or absence of recording. 4. An optical information recording device according to item 2, further comprising a semiconductor bulb as a means for preheating using electromagnetic waves.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0273526A (en) * 1988-09-09 1990-03-13 Nec Corp Optical disk device
US6570833B2 (en) 1997-09-24 2003-05-27 Lg Electronics Inc. Method for crystallizing optical data storage media using joule heat and apparatus therefor
US7972990B2 (en) 2006-09-07 2011-07-05 Lintec Corporation Process for recording into rewritable recording medium of non-contact type

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