JPS636890A - Semiconductor laser optical system - Google Patents
Semiconductor laser optical systemInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の分野)
本発明は半導体レーザを備えた半導体レーザ光源装置に
関し、特に詳細には発振された光を広い出力範囲に亘っ
て小さなスポット径に集束させることの可能な半導体レ
ーザ光学系に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of the Invention) The present invention relates to a semiconductor laser light source device equipped with a semiconductor laser, and more particularly to a semiconductor laser light source device that is capable of focusing oscillated light into a small spot diameter over a wide output range. This invention relates to a semiconductor laser optical system.
(発明の技術的昔日および先行技術)
従来より半導体チップを有してなる半導体レーザは、各
種走査記録装置および走査読取装置における走査光発生
手段等として用いられている。この半導体レーザは、ガ
スレーザ等に比べて小型、安価で消費電力も少なく、ま
た駆動電流をコントロールすることによって出力を変化
させる、いわゆるアナログ直接変調が可能である等、種
々の長所を有している。特にこの半導体レーザを前記走
査記録装置において用いた場合には画像情報に応じて発
せられる信号により上記直接変調を行なえばよいので、
極めて便利である。(Technical Past and Prior Art of the Invention) Semiconductor lasers having semiconductor chips have conventionally been used as scanning light generating means in various scanning recording devices and scanning reading devices. This semiconductor laser has various advantages compared to gas lasers, etc., such as being smaller, cheaper, and consumes less power, as well as being capable of so-called analog direct modulation, which changes the output by controlling the drive current. . In particular, when this semiconductor laser is used in the scanning recording device, the above-mentioned direct modulation can be performed using a signal emitted according to image information.
Extremely convenient.
ところで、上記半導体レーザから発せられる光には、レ
ーザ発振光と自然発光fi域の光の2つがあることが知
られている。以下第5図を参照して半導体レーザに印加
される電流とレーザ発振光および自然発光領域の光の関
係について説明する。By the way, it is known that there are two types of light emitted from the semiconductor laser: laser oscillation light and spontaneous light emission in the fi range. The relationship between the current applied to the semiconductor laser, the laser oscillation light, and the light from the spontaneous light emitting region will be described below with reference to FIG.
図示のグラフのうち、線aは駆動電流と自然発光#A域
の光(以下、自然発光光と称する)の出力の関係を示し
、線すは駆動電流とレーザ発振光の出力の関係を示すも
のである。グラフに不されるように、半導体レーザに電
流を印加した場合に、電流が閾値電流IOを越えるまで
はレーザ発振光は出力されず、自然発光光のみが出力す
る。自然発光光は駆動電流が増加するにつれて少しずつ
その出力を増していくが、電流が閾値I。を越えてレー
ザ発振光が出力され、レーザ発振光の出力が大きくなる
と発光光全体に占める割合はわずかとなり、実質的にレ
ーザ発振光のみが出力されるようになる。自然発光光と
レーザ発振光を合わせた、半導体レーザから発せられる
総光岱と電流の量の関係は曲線Cで表わされる。In the graph shown, line a shows the relationship between the drive current and the output of light in the spontaneous emission #A region (hereinafter referred to as spontaneous emission light), and line a shows the relationship between the drive current and the output of laser oscillation light. It is something. As shown in the graph, when a current is applied to the semiconductor laser, no laser oscillation light is output until the current exceeds the threshold current IO, and only spontaneous luminescence light is output. The output of naturally emitted light increases little by little as the driving current increases, but when the current reaches the threshold I. When the output of the laser oscillation light exceeds 1, and the output of the laser oscillation light increases, its proportion to the total emitted light becomes small, and substantially only the laser oscillation light is output. A curve C represents the relationship between the total amount of light emitted from the semiconductor laser, which is a combination of naturally emitted light and laser oscillation light, and the amount of current.
ところで、本出願人により既に提案されている、蓄積性
蛍光体シートを利用して放射線画像情報の記録、読取り
、再生を行なう放射線画像情報記録再生システム(特開
昭55−12429号、同55−116340号、同5
5−163472号、同 56−11395号、同56
−104645号など)においては、再生すべき画像情
報の濃度の高低の幅が広いため、この画像情報を記録材
料に再生する記録光はi:100〜1000という広い
ダイナミックレンジで変調される必要がある。By the way, the present applicant has already proposed a radiation image information recording and reproducing system for recording, reading, and reproducing radiation image information using a stimulable phosphor sheet (Japanese Patent Application Laid-open No. 12429/1983, 55- No. 116340, same 5
No. 5-163472, No. 56-11395, No. 56
-104645, etc.), the density of the image information to be reproduced varies widely, so the recording light for reproducing this image information onto the recording material must be modulated over a wide dynamic range of i:100 to 1000. be.
このため、上記放射線画像を再生する記録装置の上記記
録光の光源等として半導体レーザをアナログ直接変調し
て用いる場合には、自然発光光の影響の大きい低出力領
域の光も使用する必要が生じる。しかしながら、上記自
然発光光はレーザ発振光に比べ種々の角度成分が混在し
ている等の問題もあるため、集束レンズにより集束した
際に、レーザ発振光はど小さなスポット径に集束させる
ことができないという不都合がある。このためレーザ発
振光が支配的な高出力領域の光とともに、自然発光光が
支配的な低出力領域の光も用いた場合には、走査の空間
分解能が損われてしまうといつた問題が生じる。Therefore, when directly modulating a semiconductor laser and using it as a light source for the recording light of a recording device that reproduces the radiographic image, it is necessary to also use light in a low-output region that is greatly affected by naturally emitted light. . However, compared to laser oscillation light, the naturally emitted light has problems such as a mixture of various angular components, so when focused by a focusing lens, laser oscillation light cannot be focused to a small spot diameter. There is this inconvenience. For this reason, when using light in a low power range where naturally emitted light is dominant as well as light in a high power range where laser oscillation light is dominant, problems arise such as the spatial resolution of scanning being impaired. .
また、上記半導体レーザを備えてなる半導体レーザ光l
I!装置には、通常コリメータレンズや集束レンズ等の
レンズが設けられているが、例え(J縦マルチモードの
半導体レーザの場合でレーザ発振光がそのスペクトル成
分が2rvの範囲であるのに対し、自然発光光は約4Q
nmに亘るスペクトル成分を有していることにより、上
記レンズの色収差の影響を受は易く、高精度に色収差補
正された高価なレンズを用いない場合には小さなスポッ
ト径に集束させることが一層困難になるという問題もあ
る。Further, a semiconductor laser light l provided with the above-mentioned semiconductor laser may be used.
I! The device is usually equipped with lenses such as collimator lenses and focusing lenses. Emitted light is approximately 4Q
Because it has spectral components spanning nm, it is easily affected by the chromatic aberration of the lens mentioned above, and it is more difficult to focus it into a small spot diameter unless an expensive lens with highly accurate chromatic aberration correction is used. There is also the problem of becoming.
(発明の目的)
本発明は上記のような問題点に鑑みてなされたものであ
り、半導体レーザを備えてなる光学系において、自然発
光光の影響を低減させて、レーザ発振光の影響の大きい
光出力領域を広げ、またレンズの色収差の影響を回避し
て、低出力領域においても集束された光のスポット径を
小さくすることのできる半導体レーザ発振光iI!装買
を提供することを目的とするものである。(Object of the Invention) The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and is an object of the present invention to reduce the influence of naturally emitted light in an optical system equipped with a semiconductor laser, and to reduce the influence of naturally emitted light to reduce the influence of laser oscillation light. Semiconductor laser oscillation light iI! can expand the light output range, avoid the effects of chromatic aberration of the lens, and reduce the spot diameter of the focused light even in the low output range! The purpose is to provide purchasing equipment.
(発明の構成)
本発明の半導体レーザ光源装置は、レーザ発振光および
自然発光光を発する半導体レーザと、該半導体レーザか
ら射出された光の光路上に設けられた集束レンズ、およ
びレーザ発振光の波長領域を含む該波長領域近辺の波長
の光のみを選択的に透過させる干渉フィルタからなるこ
とを特徴とするものである。(Structure of the Invention) The semiconductor laser light source device of the present invention includes a semiconductor laser that emits laser oscillation light and spontaneous emission light, a focusing lens provided on the optical path of the light emitted from the semiconductor laser, and a condenser lens that emits the laser oscillation light. It is characterized by comprising an interference filter that selectively transmits only light having wavelengths in the vicinity of the wavelength range including the wavelength range.
すなわち、半導体レーザから発せられた光の光路上に上
記のような特性を有する干渉フィルタを設けたことによ
り、レーザ発振光はほぼ全て透過されるが、自然発光光
はその多くがカットされる。That is, by providing an interference filter having the above characteristics on the optical path of the light emitted from the semiconductor laser, almost all of the laser oscillation light is transmitted, but most of the spontaneously emitted light is cut off.
このため、干渉フィルタにレーザ発振光と自然発光光の
両方が入射した場合には、干渉フィルタを通過すること
により自然発光光の多くがカットされ、レーザ発振光の
相対的な割合が増加する。従って従来よりより低い光出
力領域までレーザ発振光が支配的となり、低出力領域の
光を用いてもスポット径を十分小さくすることができる
ようになる。Therefore, when both the laser oscillation light and the naturally emitted light enter the interference filter, most of the naturally emitted light is cut off by passing through the interference filter, and the relative proportion of the laser oscillation light increases. Therefore, laser oscillation light becomes dominant even in a light output region lower than that of the conventional method, and the spot diameter can be made sufficiently small even when using light in a low power region.
さらに干渉フィルタを通過した自然発光光はその波長が
レーザ発振光の波長領域近辺にある光のみとなるので、
集束レンズの色収差の影響をほとんど受けなくなり、特
別な色収差補正のなされていない比較的安価なレンズを
用いても、集束位置におけるスポット径を十分小さくす
ることができる。Furthermore, the spontaneously emitted light that passes through the interference filter is only light whose wavelength is near the wavelength range of the laser oscillation light.
It is almost unaffected by the chromatic aberration of the focusing lens, and the spot diameter at the focusing position can be made sufficiently small even if a relatively inexpensive lens without special chromatic aberration correction is used.
(実 施 態 様)
以下、図面を参照して本発明の実施態様について説明す
る。(Embodiments) Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施態様による半導体レーザ光学系
を示す側面図である。FIG. 1 is a side view showing a semiconductor laser optical system according to one embodiment of the present invention.
半導体レーザ1は、電流を印加されることにより、この
電流量に応じた発光量の光を発し、半導体レーザ1から
発振された光は光路上に設けられたコリメータレンズ2
に入射して平行光とされた後、特定の波長の光のみを選
択的に透過させる干渉フィルタ3に入射する。When a current is applied to the semiconductor laser 1, the semiconductor laser 1 emits light with an amount of light corresponding to the amount of current, and the light oscillated from the semiconductor laser 1 passes through a collimator lens 2 provided on the optical path.
After being made into parallel light, the light enters an interference filter 3 that selectively transmits only light of a specific wavelength.
前記半導体レーザ1は、印加される電流に応じて前述し
たレーザ発振光と自然発光光の2種項の光を発し、これ
らの光の発光スペクトルは第2図に示すようになってい
る。すなわら、レーザ発振光は、線dで示されるように
その発光スペクトルが785 nlll前後の約20r
Qの範囲にあるが、前記自然発光光は、曲線eで示され
るようにその発光スペクトルが約40nmの範囲に亘っ
ている。上記のような波長特性を有するレーザ発振光お
よび自然発光光が入射する前記干渉フィルタ3の分光透
過率特性は、第2図中−点鎖線で示すようになっている
。すなわち、干渉フィルタ3はレーザ発振光の波長領域
を含む該波長領域近辺の光を選択的に透過させるものと
なっており、レーザ発振光はこの干渉フィルタ3をほぼ
100%透過する。−方自然発光光はレーザ発振光の波
長に近い波長領域の光のみが干渉フィルタ3を透過する
が、その他の波長の光は干渉フィルタ3によりカットさ
れる。The semiconductor laser 1 emits two types of light, the above-mentioned laser oscillation light and spontaneous light emission, depending on the applied current, and the emission spectra of these lights are as shown in FIG. In other words, the laser oscillation light has an emission spectrum of about 20 r around 785 nll as shown by line d.
However, the emission spectrum of the spontaneously emitted light extends over a range of about 40 nm, as shown by the curve e. The spectral transmittance characteristics of the interference filter 3, into which the laser oscillation light having the above-mentioned wavelength characteristics and the naturally emitted light are incident, are as shown by the dashed line in FIG. That is, the interference filter 3 selectively transmits light in the vicinity of the wavelength range including the wavelength range of the laser oscillation light, and almost 100% of the laser oscillation light passes through the interference filter 3. -On the spontaneously emitted light, only light in a wavelength range close to the wavelength of the laser oscillation light passes through the interference filter 3, but light of other wavelengths is cut by the interference filter 3.
従って干渉フィルタ3に入射する前の光の光量POと、
干渉フィルタを通過した後の光の光量Pとの関係はPa
>Pとなる。半導体レーザに印加される電流量と光m
P aおよび光IPの関係は第3図のグラフに示すとお
りである。Therefore, the amount of light PO before entering the interference filter 3 is
The relationship between the amount of light P after passing through the interference filter is Pa
>P. Amount of current applied to the semiconductor laser and light m
The relationship between P a and optical IP is as shown in the graph of FIG.
図中実線は光量Pa、図中−点鎖線は光量Pの電流値に
応じた変化を示す。干渉フィルタ3は前述のように自然
発光光を選択的にカットする作用をするものであるため
、駆動電流がレーザ発振光発掘の閾値電流1oを下回る
間はPの値はPaを大きく下回る。また、電流値がIo
を越えてレーザ発振光が出力を開始してから自然発光光
の影響がほとんどなくなる発光正に至る間(第3図中円
で囲む範囲内)はレーザ発振光の自然発光光に対する相
対的な割合が増加する。従って干渉フィルタを通過した
後の光を用いた場合には、干渉フィルタを通さない光を
用いた場合に比べ、レーザ発振光が支配的な発光領域が
より低発光領域にまで及ぶことになる。干渉フィルタ3
を通過した光は、第1図に示すように集束レンズ4に入
射して集束位置Pにおいて集束せしめられる。本実施態
様の光源装置においては、上記のように干渉フィルタ3
により自然発光光の影響を低減させたことにより、従来
は集束位置Pにおいて十分に集束したビームスポットを
得られなかった低発光領域の光についても収束位置Aに
おいて十分に集束させることができる。The solid line in the figure shows the amount of light Pa, and the dashed line in the figure shows the change in the amount of light P according to the current value. Since the interference filter 3 acts to selectively cut off naturally emitted light as described above, the value of P is significantly lower than Pa while the drive current is below the threshold current 1o for excavating laser oscillation light. Also, the current value is Io
The period from when the laser oscillation light starts outputting beyond 100 mA to when the light emission becomes positive where the influence of the spontaneous emission light is almost gone (within the range surrounded by the circle in the middle of Figure 3) is the relative ratio of the laser oscillation light to the natural emission light. increases. Therefore, when using light that has passed through an interference filter, the light emitting region where laser oscillation light is dominant extends to a lower light emitting region than when using light that has not passed through the interference filter. Interference filter 3
The light that has passed through the lens enters the focusing lens 4 and is focused at a focusing position P, as shown in FIG. In the light source device of this embodiment, as described above, the interference filter 3
By reducing the influence of naturally emitted light, it is possible to sufficiently focus light in a low luminescence region at the convergence position A, even though conventionally it was not possible to obtain a sufficiently focused beam spot at the convergence position P.
ところで上記光学系には、前記コリメータレンズ2およ
び集束レンズ4といったレンズが用いられており、この
レンズは一般的に色収差があることが知られている。こ
のため、これらのレンズに広い波長領域の光が入射する
と、集束位置においてビームスポットが大きなものにな
ってしまうという不都合が生じるが、本実施態様の装置
においては前記干渉フィルタ3により所定の波長の光の
みを取り出したことにより、レンズの色収差の影響を回
避することができる。従って本装置によれば、特別に色
収差補正のなされた高価なレンズ系を用いることなしに
、集束位置におけるスポット径を一層小さくすることが
できる。Incidentally, the above optical system uses lenses such as the collimator lens 2 and the condensing lens 4, and it is known that these lenses generally have chromatic aberration. For this reason, when light in a wide wavelength range is incident on these lenses, there will be a problem that the beam spot will become large at the convergence position. By extracting only light, it is possible to avoid the effects of chromatic aberration of the lens. Therefore, according to this apparatus, the spot diameter at the focusing position can be further reduced without using an expensive lens system that is specially corrected for chromatic aberration.
上述したように、自然発光光の一部をカットしてレーザ
発振光の影響を大きい出力範囲を広げ、またこのように
自然発光光の一部をカットしたことより使用される波長
#4域を限定した本実施態様の装置を用いて、集束位置
Pにおいて得られた集束光のスポット径と干渉フィルタ
透過後の発光2の関係を調べたところ、第4図に実線で
示す結果が1qられた。また第4図中の一点鎖線は、上
記光源装置から干渉フィルタを外した場合を比較例とし
て示したものである。As mentioned above, by cutting a part of the naturally emitted light, the influence of the laser oscillation light is increased and the output range is expanded, and by cutting a part of the naturally emitted light in this way, the wavelength #4 region used is Using the limited device of this embodiment, we investigated the relationship between the spot diameter of the focused light obtained at the focusing position P and the light emission 2 after passing through the interference filter, and the results shown by the solid line in FIG. 4 were 1q. . Moreover, the dashed-dotted line in FIG. 4 shows the case where the interference filter is removed from the light source device as a comparative example.
第4図のグラフに示すスポット径は、干渉フィルタの有
無にかかわらず、レーザ発振光の出力が十分大きくなり
、スポット径が十分小さく集束する出力範囲のスポット
径を1.0とした相対集束スポット径を示すものであり
、上記干渉フィルタが設けられた場合には、干渉フィル
タが設けられていない場合に比べ、低発光領域の集束ス
ポット径を小さく抑えることができることがわかった。The spot diameter shown in the graph of Figure 4 is a relative focused spot with the spot diameter in the output range where the laser oscillation light output is sufficiently large and the spot diameter is focused sufficiently small, regardless of the presence or absence of an interference filter, as 1.0. It has been found that when the interference filter is provided, the focused spot diameter in the low light emission region can be kept smaller than when no interference filter is provided.
なお、第4図に示す結果は、干渉フィルタとして第2図
に示すようにその半値幅が5ns程度のものを使用した
場合であり、このレーザ発振光の波長を中心とする半値
幅が小さい程低発光領域のスポット径を小さくすること
ができる。従って干渉フィルタの半値幅は、干渉フィル
タの製造コスト、使用される発光領域、および使用され
る光のスポット径の大小の許容範囲等に応じて適宜調整
すればよい。The results shown in Fig. 4 are obtained when an interference filter with a half-width of about 5 ns is used as shown in Fig. 2, and the smaller the half-width centered around the wavelength of the laser oscillation light, The spot diameter of the low light emission region can be made small. Therefore, the half-width of the interference filter may be adjusted as appropriate depending on the manufacturing cost of the interference filter, the light emitting region used, the tolerance range of the spot diameter of the light used, and the like.
なお、上述した実施態様では干渉フィルタをコリメータ
レンズと集束レンズの間に設けたが、干渉フィルタは半
導体レーザとコリメータレンズの間または集束レンズの
後に設けるようにしてもよいことは勿論である。In the embodiment described above, the interference filter is provided between the collimator lens and the focusing lens, but it goes without saying that the interference filter may be provided between the semiconductor laser and the collimating lens or after the focusing lens.
(発明の効果)
以上説明したように、本発明の半導体レーザ光源装置に
よれば、干渉フィルタを設けたことにより、自然発光光
の影響を減少させ、レーザ発振光の影響の大きい出力領
域を低発光領域内に広げることができる。また上記干渉
フィルタにより、使用される自然発光光は準単色化され
たものとなるので装置内のレンズの色収差の影響をほと
んど受けないようにすることができる。従って本発明の
半導体レーザ光源装置によれば、従来よりも広い出力範
囲に亘って発振された光を十分に小さいスポットに集束
させることができ、広いダイナミックレンジで光を変調
し、かつ高精度な走査を行なう必要がある走査記録装置
においても走査光発振手段として好適に用いることがで
きる。(Effects of the Invention) As explained above, according to the semiconductor laser light source device of the present invention, by providing an interference filter, the influence of naturally emitted light is reduced, and the output region where the influence of laser oscillation light is large is reduced. It can be spread within the light emitting area. Furthermore, the interference filter makes the naturally emitted light used quasi-monochromatic, so that it is hardly affected by the chromatic aberration of the lens in the device. Therefore, according to the semiconductor laser light source device of the present invention, it is possible to focus the light emitted over a wider output range than before into a sufficiently small spot, modulate the light in a wide dynamic range, and achieve high precision. It can also be suitably used as a scanning light oscillation means in a scanning recording device that requires scanning.
第1図は本発明の一実施態様による半導体レーザ光源装
置を示す側面図、
第2図はレーザ発振光と自然発光光の発光スペクトルお
よび干渉フィルタの分光透過率特性を示すグラフ、
第3図は干渉フィルタ通過後の光量と半導体レーザの駆
動電流の関係を干渉フィルタ通過前と比較して示すグラ
フ、
第4図は干渉フィルタを設けた場合の発光量と集束スポ
ット径の関係を干渉フィルタが設けられない場合と比較
して示すグラフ、
第5図は半導体レーザの駆動電流と、自然発光光および
レーザ発振光の出力の関係を示すグラフである。
1・・・半導体し〜ザ 2・・・コリメータレンズ
3・・・干渉フィルタ 4・・・集束レンズ第 1
図
第2図
仮伺χ、 785nm
第3図
電比(m A )−4−”
第4図
カフ7 (mW)
第5図
電5屹−すFIG. 1 is a side view showing a semiconductor laser light source device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a graph showing the emission spectra of laser oscillation light and spontaneous emission light, and the spectral transmittance characteristics of an interference filter. A graph showing the relationship between the amount of light after passing through the interference filter and the driving current of the semiconductor laser compared to before passing through the interference filter. Figure 4 shows the relationship between the amount of light emitted when an interference filter is provided and the focused spot diameter when the interference filter is provided. FIG. 5 is a graph showing the relationship between the driving current of a semiconductor laser and the output of spontaneously emitted light and laser oscillation light. 1...Semiconductor 2...Collimator lens 3...Interference filter 4...Focusing lens 1st
Figure 2 Temporary reading χ, 785 nm Figure 3 Electricity ratio (mA) -4-'' Figure 4 Cuff 7 (mW) Figure 5 Electricity ratio (mA) -4-
Claims (1)
発振光を発する半導体レーザと、該半導体レーザから射
出された光の光路上に設けられた集束レンズ、およびレ
ーザ発振光の波長領域を含む該波長領域近辺の波長の光
のみを選択的に透過させる干渉フィルタからなる半導体
レーザ光学系。A semiconductor laser that emits light in a spontaneous emission region and laser oscillation light in response to an applied current; a focusing lens provided on the optical path of the light emitted from the semiconductor laser; A semiconductor laser optical system consisting of an interference filter that selectively transmits only light with wavelengths near the wavelength range.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15022786A JPS636890A (en) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | Semiconductor laser optical system |
| EP87104828A EP0240005B1 (en) | 1986-04-01 | 1987-04-01 | Optical system for semiconductor laser beam |
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| JP15022786A JPS636890A (en) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | Semiconductor laser optical system |
Publications (1)
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|---|---|
| JPS636890A true JPS636890A (en) | 1988-01-12 |
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ID=15492322
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP15022786A Pending JPS636890A (en) | 1986-04-01 | 1986-06-26 | Semiconductor laser optical system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS636890A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004501514A (en) * | 2000-05-29 | 2004-01-15 | フランス テレコム | Single photon light source with selective distribution frequency emission source |
| US7226175B2 (en) | 2001-12-27 | 2007-06-05 | Fujifilm Corporation | Image exposure device and laser exposure device applied thereto |
| US7533822B2 (en) | 2000-10-26 | 2009-05-19 | Datalogic S.P.A. | Laser scanner for reading optical codes |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49104590A (en) * | 1973-02-06 | 1974-10-03 |
-
1986
- 1986-06-26 JP JP15022786A patent/JPS636890A/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49104590A (en) * | 1973-02-06 | 1974-10-03 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004501514A (en) * | 2000-05-29 | 2004-01-15 | フランス テレコム | Single photon light source with selective distribution frequency emission source |
| US7533822B2 (en) | 2000-10-26 | 2009-05-19 | Datalogic S.P.A. | Laser scanner for reading optical codes |
| US7823786B2 (en) | 2000-10-26 | 2010-11-02 | Datalogic S.P.A. | Laser scanner for reading optical codes |
| US7226175B2 (en) | 2001-12-27 | 2007-06-05 | Fujifilm Corporation | Image exposure device and laser exposure device applied thereto |
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