JPS6393562A - Wafer holding method - Google Patents
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Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、ウェハを研磨機に保持させる方法に関する。[Detailed description of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to a method for holding a wafer in a polishing machine.
(従来の技術)
ウェハ、例えば、IC,LSI等の基板に用いられるシ
リコンウェハでは、少なくともその片側の表面には平面
精度の極めて高い鏡面研磨加工が施されていなければな
らない。この鏡面研磨加工に於いては、研磨機の回転す
る治具にウェハを高精度に保持する必要がある。(Prior Art) Wafers, such as silicon wafers used as substrates for ICs, LSIs, etc., must have at least one surface mirror-polished with extremely high flatness accuracy. In this mirror polishing process, it is necessary to hold the wafer with high precision on a rotating jig of a polishing machine.
従来、ウェハを研磨機に保持する方法としては、ワック
ス方式及びワックスレス方式が行われている。Conventionally, a wax method and a waxless method have been used as methods for holding a wafer in a polishing machine.
ワックス方式はウェハ表面を平面精度高く研磨できるの
であるが、ウェハを研磨機に固定するのにワックスを使
用するため、ウェハの着脱に手間が掛かること、研磨後
の洗浄に多大の労力を要すること、残存するワックスに
よってウェハが汚染されること、洗浄時に使用する特殊
な溶剤によって作業環境が悪化すること等の多くの問題
点を有している。The wax method can polish the wafer surface with high flatness accuracy, but since wax is used to secure the wafer to the polisher, it takes time to attach and detach the wafer, and it requires a lot of effort to clean after polishing. However, there are many problems such as contamination of the wafer by residual wax and deterioration of the working environment by the special solvent used during cleaning.
一方、ワックスレス方式は、ウェハの着脱が容易であり
生産効率が高いという利点があるが、研磨後のウェハ表
面の平面精度がワックス方式によるものと比較して劣る
ことが指摘されている。On the other hand, the waxless method has the advantage of easy attachment and removal of the wafer and high production efficiency, but it has been pointed out that the flatness accuracy of the wafer surface after polishing is inferior to that of the wax method.
以下に、従来のワックスレス方式を説明する。The conventional waxless method will be explained below.
従来のワックスレス方式では、第7図(alに例示する
板状のホルダー110が用いられている。このホルダー
110は、表面側にテンブレー目11が、裏面側にバッ
キング材112と補強層113が設けられたものであり
、それらは一体に積層接着されている。補強層113の
裏面には、離型紙121により保護された粘着層122
が設けられている。尚、後述するように、ホルダーが研
磨機のキャリアプレートに保持されるとテンプレートが
下側に位置するので、図面では表面側のテンプレートが
下となるようにホルダーを図示する。In the conventional waxless system, a plate-shaped holder 110 is used as shown in FIG. They are laminated and bonded together.On the back side of the reinforcing layer 113, there is an adhesive layer 122 protected by a release paper 121.
is provided. As will be described later, when the holder is held on the carrier plate of the polishing machine, the template is located on the lower side, so the holder is illustrated in the drawings so that the template on the front side is on the lower side.
このようなホルダー110のテンプレート111には、
研磨すべきウェハ16を収容するための穴114が必要
個数設けられており、バッキング材112と共にウェハ
保持用の凹所115を形成している。研磨時には、ウェ
ハ16はこの凹所115内に配され(第7図(bl参照
)、水等の液体を媒体にして裏面(研磨されない面)が
バンキング材112に取り着けられて、ウェハ16は該
ホルダー110に固着される。The template 111 of such a holder 110 includes
A required number of holes 114 are provided for accommodating the wafer 16 to be polished, and together with the backing material 112, a recess 115 for holding the wafer is formed. During polishing, the wafer 16 is placed in this recess 115 (see FIG. 7 (bl)), and the back surface (the surface that will not be polished) is attached to the banking material 112 using a liquid such as water, and the wafer 16 is It is fixed to the holder 110.
ウェハの研磨に用いられる通常の研磨機は、貝の蓋の如
く上下に移動可能な2個の部分、即ち上方に移動可能な
定盤(キャリアプレー)120、第8図参照))と下方
に移動可能な定盤(プl/−)、不図示)とを備えてい
る。キャリアプレー1−120とプレートの表面は精密
仕上げされている。キャリアプレート120はウェハ保
持のための部材である。第8図に示すようにギヤリアプ
レー1−120の表面には、離型紙121が剥がされた
ホルダー110が粘着N122によって固着される。下
方のプレートには研磨布であるバンドが貼り付けられる
。両プレート間番ごスラリーを供給しながらキャリアプ
レー目20を回転させて、ウェハ16は研磨される。A typical polishing machine used for polishing wafers has two parts that can be moved up and down like the lid of a shell. It is equipped with a movable surface plate (Pl/-), not shown). The surfaces of the carrier play 1-120 and the plate are precisely finished. The carrier plate 120 is a member for holding a wafer. As shown in FIG. 8, the holder 110 from which the release paper 121 has been removed is fixed to the surface of the gear rear plate 1-120 with adhesive N122. A band, which is an abrasive cloth, is attached to the lower plate. The wafer 16 is polished by rotating the carrier plate 20 while supplying slurry between both plates.
このような従来のボルダ−のキャリアプレート120へ
の固着は、例示のようにホルダーの裏面に予め設けられ
た粘着層によるか、又は粘着剤或いは接着剤をホルダー
裏面に塗布することによって行われていた。Such a conventional boulder is fixed to the carrier plate 120 by using an adhesive layer provided in advance on the back surface of the holder, as shown in the example, or by applying an adhesive or an adhesive to the back surface of the holder. Ta.
(発明が解決しようとする問題点)
従来のホルダーのキャリアプレートへの固着の際には、
キャリアプレートとホルダーとの間に気泡や皺が生じた
り、粘着層の膜厚、或いは粘着剤や接着剤の塗布厚が一
定しないため、固着面に凹凸が発生する。これらは、ホ
ルダー110のバッキング材112の表面にあるウェハ
ー16に対して、裏面から影響する。このために、ワッ
クスレス方式によるウェハ研磨では、ウェハ表面の仕上
がり平面精度は一定限度(約5μm)以上には高くなら
ない。更に、粘着層や離型紙を有するホルダーを使用す
る場合には、ホルダーの構造が複雑になり、ホルダーが
高価となる。粘着層を有しないホルダーを使用する場合
には、固着前に粘着剤又は接着剤を塗布する工程が必要
となる。(Problems to be solved by the invention) When fixing a conventional holder to a carrier plate,
Bubbles or wrinkles may occur between the carrier plate and the holder, and the thickness of the adhesive layer or the coating thickness of the adhesive or adhesive may be inconsistent, resulting in unevenness on the fixed surface. These influence the wafer 16 on the front side of the backing material 112 of the holder 110 from the back side. For this reason, in wafer polishing using the waxless method, the finished planar accuracy of the wafer surface cannot exceed a certain limit (approximately 5 μm). Furthermore, if a holder with an adhesive layer or release paper is used, the structure of the holder becomes complicated and the holder becomes expensive. When using a holder without an adhesive layer, a step of applying an adhesive or an adhesive is required before fixing.
尚、平面精度の定義には種々のものがあるが、本明細書
では、TTV(Total Th1ckness Va
riation)、即ち、研磨後のウェハを真空吸引盤
に保持させた時のウェハ表面に存在する凹凸の最高点と
最低点との差をμmで表したものによって示す。There are various definitions of plane accuracy, but in this specification, TTV (Total Th1ckness Va)
riation), that is, the difference in μm between the highest and lowest points of the unevenness existing on the wafer surface when the wafer after polishing is held on a vacuum suction plate.
上述のような問題が起こるのを避けるため、キャリアプ
レートの全面に多数の孔を形成しておき、該孔を介して
ホルダーを減圧吸引し、キャリアプレートにホルダーを
固着させることも考えられる。In order to avoid the above-mentioned problems, it is conceivable to form a large number of holes on the entire surface of the carrier plate, and to vacuum the holder through the holes to fix the holder to the carrier plate.
しかし、この方法に於いては、該孔によってバッキング
材に凹凸が生じることは避けられず、平面精度を高くす
ることはできない。However, in this method, it is inevitable that the holes cause unevenness in the backing material, and it is not possible to improve the planar accuracy.
本発明は、上記従来技術の諸問題点を解決するものであ
り、その目的とするところは、研磨されたウェハの表面
の平面精度が極めて高いものとなるワックスレス方式の
ウェハの保持方法を提供することにある。The present invention solves the problems of the prior art described above, and its purpose is to provide a waxless wafer holding method that allows the surface of a polished wafer to have extremely high flatness accuracy. It's about doing.
(問題点を解決するための手段)
本発明のウェハの保持方法は、ウェハを研磨機に保持さ
せる方法であって、表面に凹所を有する板状ホルダーの
裏面を、該凹所に対応する部分以外に多数の孔が形成さ
れた該研磨機の保持部材に、線孔を介して減圧吸引して
密着させること、及び該凹所内につJ7ハを配して該ウ
ェハを該ホルダー乙こ固着さゼることを包含しており、
そのことによりI−記目的が達成される。(Means for Solving the Problems) The wafer holding method of the present invention is a method for holding a wafer in a polishing machine, in which the back surface of a plate-like holder having a recess on the surface is placed in a position corresponding to the recess. The wafer is attached to the holding member of the polishing machine, which has a large number of holes formed in the polishing machine, through the wire holes by vacuum suction, and a J7 is placed in the recess to hold the wafer in the holder. It includes sticking and hanging,
Thereby, objective I is achieved.
本発明に於いては、ウェハを保持するホルダーの裏面が
研磨機のキャリアプレートに密着させられ、減圧乃〒真
空によってキャリアプレートに固着されろ。In the present invention, the back side of the holder that holds the wafer is brought into close contact with the carrier plate of the polishing machine, and is fixed to the carrier plate by reduced pressure or vacuum.
本発明で使用されるホルダーの1例を第1図に示す。こ
のホルダー10には4個の凹所15が設けられており、
表面にテンプレート11が裏面にバッキング剤12が一
体に積層接着されて構成されている(第5図(a)参照
)。An example of a holder used in the present invention is shown in FIG. This holder 10 is provided with four recesses 15,
It has a template 11 on the front surface and a backing agent 12 on the back surface which are integrally laminated and adhered (see FIG. 5(a)).
また、研磨機の保持部材として用いられるキャリアプレ
ートの1例を第2図及び第3図に示す。Further, an example of a carrier plate used as a holding member of a polishing machine is shown in FIGS. 2 and 3.
このキャリアプレート40の表面には、減圧吸引用の多
数の孔41が穿設されている。しかし、ホルダー10を
キャリアプレートに固着した場合(第4図参照)に該ホ
ルダーの凹所に対応する部分42(第2図に於いて、破
線で示す)には線孔41が設けられておらず、4個の対
応部分42は平坦部とされている。尚、これらの対応部
分42の大きさは、対応するホルダー10の凹所15の
端より若干大きくされるが、凹所15の吸着が損なわれ
ない程度の大きさとされる。該キャリアプレート40面
の該対応部分42以外では、全面にわたって線孔41が
形成されている。これらの孔41の直径は、約0.3乃
至5mm、好ましくは0.5乃至2.5mn+とするの
がよい。線孔41の径が余り小さいと加工が困難であり
、大きすぎるとホルダー30の吸引が困難になる。A large number of holes 41 for vacuum suction are bored on the surface of this carrier plate 40. However, when the holder 10 is fixed to the carrier plate (see FIG. 4), a wire hole 41 is not provided in a portion 42 (indicated by a broken line in FIG. 2) corresponding to the recess of the holder. First, the four corresponding portions 42 are flat portions. The sizes of these corresponding portions 42 are slightly larger than the ends of the corresponding recesses 15 of the holder 10, but are set to a size that does not impair the suction of the recesses 15. A wire hole 41 is formed over the entire surface of the carrier plate 40 other than the corresponding portion 42 . The diameter of these holes 41 is preferably about 0.3 to 5 mm, preferably 0.5 to 2.5 mm+. If the diameter of the wire hole 41 is too small, it will be difficult to process, and if it is too large, it will be difficult to suction the holder 30.
線孔41の分布密度及び減圧の程度は、ホルダー10が
脱落せず、且つ研磨中に確実に保持されるように、凹所
15の数、その大きさ等に応じて適宜に決定される。孔
径が0.3乃至5mm程度であれば、孔ピッチの平均を
1乃至5mmとし、均等分布或いはランダム分布のいず
れによってもよい。The distribution density of the wire holes 41 and the degree of pressure reduction are appropriately determined depending on the number of recesses 15, their sizes, etc. so that the holder 10 does not fall off and is reliably held during polishing. If the hole diameter is approximately 0.3 to 5 mm, the average hole pitch may be 1 to 5 mm, and either uniform distribution or random distribution may be used.
キャリアプレート40は、真空ポンプ等の減圧又は真空
装置(不図示)に接続され、研磨機に装着した状態で減
圧吸引可能な構造とされている。キャリアプレート40
は、それが固設されるキャリアと共に研磨機から取り外
し可能としておくのが好適である。また、ボルダ−10
を固着する時の便宜のために、ホルダー10及びキャリ
アプレートには位置決め用の印31.43をそれぞれ設
けておくのが好ましい。The carrier plate 40 is connected to a decompression or vacuum device (not shown) such as a vacuum pump, and has a structure that allows vacuum suction while attached to the polishing machine. carrier plate 40
is preferably removable from the polishing machine together with the carrier to which it is fixed. Also, Boulder-10
For convenience when fixing the holder 10 and the carrier plate, it is preferable to provide positioning marks 31 and 43 on the holder 10 and the carrier plate, respectively.
本発明で使用するホルダーは、少なくともテンブレー1
〜及びバッキング材を一体に積層接着したものとするの
が好ましい。The holder used in the present invention includes at least one tenbrae.
- and the backing material are preferably laminated and bonded together.
このテンプレートの材質の例としては、ガラス繊維強化
エポキシ樹脂、ベークライト、熱可塑性プラスチックス
、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリザルホン樹
脂、ポリパラフェニレンオキサイド樹脂、硬質ポリウレ
タン樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。Examples of the material of this template include glass fiber reinforced epoxy resin, Bakelite, thermoplastic plastics, polyester resin, polyimide resin, polysulfone resin, polyparaphenylene oxide resin, hard polyurethane resin, and phenol resin.
バッキング材はウェハを保持するための保持材であり、
テンプレートと一体に積層接着されている。ウェハ16
はホルダー10の凹所15内に入れられ、水等の液体の
表面張力やバッキング材12表面の微細気泡の作用によ
って該ホルダー10に固着される(第5図(b)参照)
。また、自己粘着性を有するバッキング材を使用する場
合は、その自己粘着性によりウェハ16はボルダ−に固
着される。The backing material is a holding material for holding the wafer.
It is laminated and glued together with the template. wafer 16
is placed in the recess 15 of the holder 10, and is fixed to the holder 10 by the surface tension of liquid such as water and the action of microbubbles on the surface of the backing material 12 (see FIG. 5(b)).
. Further, when a backing material having self-adhesiveness is used, the wafer 16 is fixed to the boulder due to its self-adhesiveness.
バッキング材としては、ウレタン系ポリマー、熱可塑性
エラストマー、合成ゴム等の発泡フィルム又はシートで
ウェハを吸着保持できるものが使用できる。特に好適な
のは、ウレタン重合体のフオーム状で湿式凝固法により
製造され、且つ表面層が微細発泡構造であり、厚めが5
00μm以下でできるだけ薄手のものである。ウレタン
系のフィルム状ポリマーで粘着性があり、厚さが100
μm以下のものも好適に使用される。As the backing material, a foamed film or sheet made of urethane polymer, thermoplastic elastomer, synthetic rubber, etc. that can adsorb and hold the wafer can be used. Particularly suitable is a foam made of urethane polymer, manufactured by a wet coagulation method, whose surface layer has a fine foam structure, and whose thickness is 5.
It is as thin as possible with a thickness of 00 μm or less. A urethane-based film-like polymer with adhesive properties and a thickness of 100 mm.
Thicknesses smaller than μm are also preferably used.
また、ホルダーとしては、バッキング材の補強と支持の
ために、第6図に示すように、裏面側に補強層13が配
設されたホルダー10aを必要に応じて使用することが
できる。補強層13の材料としては、熱可塑性樹脂(例
えば、エチレン重合体、プロピレン重合体、ポリアミド
樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ
エチレンテレフタレート樹脂、ポリザルホン樹脂、ポリ
イミド樹脂等)、セルロイド等のフィルム又はシート状
のもののなかから、目的に応じて強度、平面性、厚み精
度等を考慮して選択される。補強材の厚さは、研磨時の
取扱い易さ、作業性、仕上がりからみて薄手のものが好
適で、300μm以下とするのが好ましい。100μm
の二軸延伸ポリエステルフィルムを使用するのが好適で
ある。Further, as a holder, a holder 10a having a reinforcing layer 13 disposed on the back side as shown in FIG. 6 can be used as necessary to reinforce and support the backing material. Materials for the reinforcing layer 13 include thermoplastic resins (e.g., ethylene polymers, propylene polymers, polyamide resins, polyester resins, polycarbonate resins, polyethylene terephthalate resins, polysulfone resins, polyimide resins, etc.), films or sheets of celluloid, etc. They are selected from among these, taking into consideration strength, flatness, thickness accuracy, etc., depending on the purpose. The thickness of the reinforcing material is preferably thin in view of ease of handling during polishing, workability, and finish, and is preferably 300 μm or less. 100μm
It is preferred to use a biaxially oriented polyester film.
(実施例) 以下に本発明の実施例について説明する。(Example) Examples of the present invention will be described below.
下記第1表に示すホルダーを用い、同表中の条件でウェ
ハの研磨を行った(実施例1〜4)。また、従来のワン
クスレス方式によってホルダーの保持を行った以・外は
実施例1と同様にしてウェハの研磨を行った(比較例)
。Using the holder shown in Table 1 below, wafers were polished under the conditions shown in the table (Examples 1 to 4). In addition, the wafer was polished in the same manner as in Example 1, except that the holder was held using the conventional wanxless method (comparative example).
.
これらの研磨は、第1表に示すように、−次研磨及び仕
上げ研磨の2段研磨によって行った。尚、これらの−次
及び仕上げ研磨に於いては、それぞれ別の研磨パッド及
びスラリーの組合せが用いられており、研磨バンドの立
上りをよくするため、研磨パッドを予めシーズニングし
た後にウェハの研磨に供した。As shown in Table 1, these polishes were performed in two stages: secondary polishing and final polishing. Note that different combinations of polishing pads and slurries are used for these subsequent and final polishing, and in order to improve the rise of the polishing band, the polishing pads are seasoned beforehand before being used for polishing the wafer. did.
得られた各つエバば乾燥され、その後平面精度の測定を
行った。その結果を第1表に示す。Each of the obtained specimens was evaporated and dried, and then the flatness accuracy was measured. The results are shown in Table 1.
(以下余白)
第1表から判るように、実施例1〜4によって得られた
ウェハの平面精度はいずれも3μm以下であった。これ
に対して、従来法による比較例のものでは5μm以上の
平面精度しか得られなかった。(The following is a margin) As can be seen from Table 1, the flatness accuracy of the wafers obtained in Examples 1 to 4 was all 3 μm or less. On the other hand, in the comparative example using the conventional method, only a flatness accuracy of 5 μm or more was obtained.
(発明の効果)
このように、本発明のウェハの保持方法では、ワックス
、粘着剤、接着剤等を用いることなくホルダーがキャリ
アプレートに固着されるので、気泡や皺が発生すること
がなく、接着剤等の塗布による凹凸も生じない。また、
キャリアプレートのホルダーの凹所に対応する部分には
吸引用の孔が形成されていない。従って、ホルダーはキ
ャリアプレートに密着され、その凹所には凹凸が生じる
ことはない。それ故、本発明方法によって、研磨すべき
ウェハは研磨機に凹凸なく保持されるようになり、極め
て高い平面精度のウェハ研磨を行うことができる。本発
明で使用するホルダーには粘着剤、接着剤等が不要であ
るので、予め粘着層や離型紙が配された高価なホルダー
を用いたり、接着剤を塗布したりする必要がなくなる。(Effects of the Invention) As described above, in the wafer holding method of the present invention, the holder is fixed to the carrier plate without using wax, adhesive, adhesive, etc., so air bubbles and wrinkles are not generated. No unevenness occurs due to application of adhesive or the like. Also,
No suction hole is formed in the portion of the carrier plate that corresponds to the recess of the holder. Therefore, the holder is brought into close contact with the carrier plate, and no unevenness occurs in the recess. Therefore, according to the method of the present invention, the wafer to be polished can be held in the polisher without any unevenness, and the wafer can be polished with extremely high planar accuracy. Since the holder used in the present invention does not require adhesives, adhesives, etc., there is no need to use an expensive holder with an adhesive layer or release paper arranged in advance, or to apply an adhesive.
A−JJ−吐(2)証単奏戎珊−
第1図は本発明で用いられるホルダーの1例の平面図、
第2図はキャリアプレー1・の1例の底面図、第3図は
第2図m−m線に沿う断面図、第4図は本発明方法の説
明図、第5図fa)は本発明で使用するホルダーの1例
の断面図、同図(b)はそのホルダーによってウェハを
保持した場合の断面図、第6図はホルダーの他の例の断
面図、第7図(a)は従来のホルダーの断面図、第7図
(blはそのホルダーによってウェハを保持した場合の
断面図、第8図は従来の保持方法の説明図である。A-JJ-Tsu (2) Testimonials - Figure 1 is a plan view of an example of a holder used in the present invention;
Fig. 2 is a bottom view of an example of carrier play 1, Fig. 3 is a sectional view taken along the line m-m in Fig. 2, Fig. 4 is an explanatory diagram of the method of the present invention, and Fig. 5 fa) is a diagram of the present invention. Fig. 6 is a cross-sectional view of another example of the holder, and Fig. 7 (a) is a sectional view of a conventional holder. FIG. 7 is a cross-sectional view of a holder in which a wafer is held by the holder, and FIG. 8 is an explanatory diagram of a conventional holding method.
10.10a・・・ホルタ−111・・・テンブレー1
−112・・・バッキング材、15・・・凹所、16・
・・ウェハ、40・・・キャリアプレート、41・・・
孔、42・・・凹所に対応する部分基 −ヒ10.10a...Holter-111...Tembray 1
-112... Backing material, 15... Recess, 16.
...Wafer, 40...Carrier plate, 41...
Hole, 42... Partial base corresponding to the recess -H
Claims (1)
凹所を有する板状ホルダーの裏面を、該凹所に対応する
部分以外に多数の孔が形成された該研磨機の保持部材に
、該孔を介して減圧吸引して密着させること、及び該凹
所内にウェハを配して該ウェハを該ホルダーに固着させ
ることを包含するウェハの保持方法。 2、前記ホルダーが、前記凹所を形成する穴を有するテ
ンプレートを表面側に、バッキング材を裏面側に備えた
積層体であり、該凹所内に配されたウェハが該バッキン
グ材に固着される特許請求の範囲第1項に記載の方法。 3、前記研磨機の保持部材が、該研磨機のキャリアプレ
ートである特許請求の範囲第1項又は第2項に記載の方
法。[Claims] 1. A method for holding a wafer in a polishing machine, in which the back surface of a plate-shaped holder having a recess on the surface is held by a polisher having a large number of holes formed in a portion other than the portion corresponding to the recess. A method for holding a wafer, which includes bringing the wafer into close contact with a holding member of a polishing machine by vacuum suction through the hole, and placing the wafer in the recess and fixing the wafer to the holder. 2. The holder is a laminate including a template having a hole forming the recess on the front side and a backing material on the back side, and the wafer placed in the recess is fixed to the backing material. A method according to claim 1. 3. The method according to claim 1 or 2, wherein the holding member of the polisher is a carrier plate of the polisher.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61240767A JPS6393562A (en) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | Wafer holding method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61240767A JPS6393562A (en) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | Wafer holding method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6393562A true JPS6393562A (en) | 1988-04-23 |
| JPH0232112B2 JPH0232112B2 (en) | 1990-07-18 |
Family
ID=17064406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61240767A Granted JPS6393562A (en) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | Wafer holding method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6393562A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01289657A (en) * | 1988-05-13 | 1989-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Surface plate for polishing and polishing method |
| JP2003060014A (en) * | 2001-08-17 | 2003-02-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | Holder for plate-shaped workpieces |
| EP1759810A1 (en) | 2005-08-31 | 2007-03-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Wafer polishing method and polished wafer |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60135174A (en) * | 1983-12-23 | 1985-07-18 | Toppan Printing Co Ltd | Rear surface polishing method |
-
1986
- 1986-10-09 JP JP61240767A patent/JPS6393562A/en active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60135174A (en) * | 1983-12-23 | 1985-07-18 | Toppan Printing Co Ltd | Rear surface polishing method |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01289657A (en) * | 1988-05-13 | 1989-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Surface plate for polishing and polishing method |
| JP2003060014A (en) * | 2001-08-17 | 2003-02-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | Holder for plate-shaped workpieces |
| EP1759810A1 (en) | 2005-08-31 | 2007-03-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Wafer polishing method and polished wafer |
| US7588481B2 (en) | 2005-08-31 | 2009-09-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Wafer polishing method and polished wafer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0232112B2 (en) | 1990-07-18 |
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