JPWO2012133617A1 - Resin composition and semiconductor element substrate - Google Patents
Resin composition and semiconductor element substrate Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2012133617A1 JPWO2012133617A1 JP2013507710A JP2013507710A JPWO2012133617A1 JP WO2012133617 A1 JPWO2012133617 A1 JP WO2012133617A1 JP 2013507710 A JP2013507710 A JP 2013507710A JP 2013507710 A JP2013507710 A JP 2013507710A JP WO2012133617 A1 JPWO2012133617 A1 JP WO2012133617A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- resin
- acid
- ene
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0387—Polyamides or polyimides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/42—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences
- C08G77/452—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences containing nitrogen-containing sequences
- C08G77/455—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences containing nitrogen-containing sequences containing polyamide, polyesteramide or polyimide sequences
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
バインダー樹脂(A)、シラン変性樹脂(B)、及び酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)を含有してなる樹脂組成物であって、前記シラン変性樹脂(B)と、前記酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)との比率が、重量比で、「シラン変性樹脂(B)/酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)」=0.5〜20であることを特徴とする樹脂組成物を提供する。 A resin composition comprising a binder resin (A), a silane-modified resin (B), and a compound (C) having an acidic group or a heat-latent acidic group, the silane-modified resin (B), The ratio with the compound (C) having an acidic group or a thermal latent acidic group is, by weight ratio, “silane-modified resin (B) / compound having an acidic group or thermal latent acidic group (C)” = 0.5 The resin composition is characterized by being ˜20.
Description
本発明は、樹脂組成物およびこの樹脂組成物からなる樹脂膜を備える半導体素子基板に係り、さらに詳しくは、優れた保存安定性を有し、かつ、現像によるパターン形成性及び透明性に優れた樹脂膜を与えることができる樹脂組成物、およびこの樹脂組成物からなる樹脂膜を備える半導体素子基板に関する。 The present invention relates to a resin composition and a semiconductor element substrate provided with a resin film made of the resin composition. More specifically, the present invention has excellent storage stability and is excellent in pattern formability and transparency by development. The present invention relates to a resin composition capable of providing a resin film and a semiconductor element substrate including a resin film made of the resin composition.
有機EL素子や液晶表示素子などの各種表示素子、集積回路素子、固体撮像素子、カラーフィルター、ブラックマトリックス等の電子部品には、その劣化や損傷を防止するための保護膜、素子表面や配線を平坦化するための平坦化膜、電気絶縁性を保つための電気絶縁膜等として種々の樹脂膜が設けられている。また、有機EL素子には、発光体部を分離するために画素分離膜としての樹脂膜が設けられており、さらに、薄膜トランジスタ型液晶用の表示素子や集積回路素子等の素子には、層状に配置される配線の間を絶縁するために層間絶縁膜としての樹脂膜が設けられている。 Various display elements such as organic EL elements and liquid crystal display elements, integrated circuit elements, solid-state imaging elements, color filters, black matrices, and other electronic parts are provided with protective films, element surfaces and wiring to prevent their deterioration and damage. Various resin films are provided as a planarization film for planarization, an electrical insulation film for maintaining electrical insulation, and the like. In addition, the organic EL element is provided with a resin film as a pixel separation film in order to separate the light-emitting body portion. Further, in an element such as a display element for thin film transistor type liquid crystal or an integrated circuit element, the organic EL element is layered. A resin film as an interlayer insulating film is provided to insulate between the arranged wirings.
従来、これらの樹脂膜を形成するための樹脂材料としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂材料が汎用されていた。近年においては、配線やデバイスの高密度化に伴い、これらの樹脂材料にも、低誘電性等の電気特性に優れた新しい樹脂材料の開発が求められている。 Conventionally, thermosetting resin materials such as epoxy resins have been widely used as resin materials for forming these resin films. In recent years, with the increase in the density of wiring and devices, development of new resin materials excellent in electrical characteristics such as low dielectric properties has been demanded for these resin materials.
これらの要求に対応するため、例えば、特許文献1には、樹脂(A)、エポキシ基を有する架橋剤(B)、トリアジン環構造またはグリコールウリル構造を有し、かつイミノ基、メチロール基及びアルコキシブチル基からなる群より選ばれる1種以上の官能基を有する架橋剤(C)、並びに感放射線化合物(D)を含有する感放射線性樹脂組成物が開示されている。しかしながら、この特許文献1に記載の樹脂組成物を用いて得られる樹脂膜は、現像によるパターン形成性、特に、現像密着性(現像パターン幅を細くし、高精細化した場合における、現像パターンの密着性)が必ずしも十分でなく、そのため、現像によるパターン形成性の改善が望まれていた。 In order to meet these requirements, for example, Patent Document 1 discloses a resin (A), a crosslinking agent (B) having an epoxy group, a triazine ring structure or a glycoluril structure, and an imino group, a methylol group and an alkoxy group. A radiation-sensitive resin composition containing a crosslinking agent (C) having at least one functional group selected from the group consisting of butyl groups and a radiation-sensitive compound (D) is disclosed. However, the resin film obtained by using the resin composition described in Patent Document 1 has a pattern formation property by development, in particular, development adhesion (development pattern in the case where the development pattern width is narrowed and the definition is increased). Adhesion) is not always sufficient, and therefore, improvement of pattern formation by development has been desired.
本発明は、優れた保存安定性を有し、かつ、パターン形成性及び透明性に優れた樹脂膜を与えることができる樹脂組成物を提供することを目的とする。また、本発明は、このような樹脂組成物からなる樹脂膜を備える半導体素子基板を提供することも目的とする。 An object of this invention is to provide the resin composition which has the outstanding storage stability and can provide the resin film excellent in pattern formation property and transparency. Another object of the present invention is to provide a semiconductor element substrate having a resin film made of such a resin composition.
本発明者等は、上記目的を達成するために鋭意研究した結果、バインダー樹脂に、シラン変性樹脂と、酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物とを所定の割合で配合してなる樹脂組成物により、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。 As a result of diligent research to achieve the above object, the present inventors have obtained a resin composition comprising a binder resin and a silane-modified resin and a compound having an acidic group or a thermal latent acidic group in a predetermined ratio. The present inventors have found that the above object can be achieved by a product, and have completed the present invention.
すなわち、本発明によれば、バインダー樹脂(A)、シラン変性樹脂(B)、及び酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)を含有してなる樹脂組成物であって、前記シラン変性樹脂(B)と、前記酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)との比率が、重量比で、「シラン変性樹脂(B)/酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)」=0.5〜20であることを特徴とする樹脂組成物が提供される。 That is, according to the present invention, a resin composition comprising a binder resin (A), a silane-modified resin (B), and a compound (C) having an acidic group or a thermal latent acidic group, the silane The ratio of the modified resin (B) and the compound (C) having the acidic group or the thermal latent acidic group is expressed by a weight ratio of “silane modified resin (B) / compound having an acidic group or thermal latent acidic group”. (C) ”= 0.5 to 20 is provided.
好ましくは、前記シラン変性樹脂(B)が、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミック酸、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、及びフェノール樹脂から選択される少なくとも一つの高分子材料と、ケイ素化合物とを化学的に結合してなる化合物である。
好ましくは、前記ケイ素化合物が、下記式で表されるケイ素化合物及び/又は下記式で表されるケイ素化合物の部分加水分解縮合物である。
(R8)r−Si−(OR9)4−r
(上記式中、rは0〜3の整数であり、R8は、炭素原子に直接結合した官能基を有していてもよい炭素数1〜10のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、または炭素数2〜10の不飽和脂肪族基であり、R8が複数である場合には、複数のR8は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。R9は、水素原子、または炭素原子に直接結合した官能基を有していてもよい炭素数1〜10のアルキル基であり、R9が複数である場合には、複数のR9は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。)
好ましくは、前記シラン変性樹脂(B)の含有割合が、前記バインダー樹脂(A)100重量部に対して、1〜100重量部である。
好ましくは、前記バインダー樹脂(A)が、プロトン性極性基を有する環状オレフィン重合体、またはアクリル樹脂である。
好ましくは、本発明の樹脂組成物は、感放射線化合物(D)をさらに含有する。
好ましくは、本発明の樹脂組成物は、架橋剤(E)をさらに含有する。Preferably, the silane-modified resin (B) is a chemical compound of at least one polymer material selected from polyester, polyamide, polyimide, polyamic acid, epoxy resin, acrylic resin, urethane resin, and phenol resin, and a silicon compound. It is a compound formed by binding.
Preferably, the silicon compound is a silicon compound represented by the following formula and / or a partial hydrolysis condensate of the silicon compound represented by the following formula.
(R 8) r -Si- (OR 9) 4-r
(In the above formula, r is an integer of 0 to 3, and R 8 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may have a functional group directly bonded to a carbon atom, or an aryl having 6 to 20 carbon atoms. Or an unsaturated aliphatic group having 2 to 10 carbon atoms, and when R 8 is plural, the plural R 8 may be the same or different from each other, and R 9 is hydrogen. An alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may have an atom or a functional group directly bonded to a carbon atom, and when R 9 is plural, the plural R 9 are the same, May be different.)
Preferably, the content ratio of the silane-modified resin (B) is 1 to 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the binder resin (A).
Preferably, the binder resin (A) is a cyclic olefin polymer having a protic polar group or an acrylic resin.
Preferably, the resin composition of the present invention further contains a radiation sensitive compound (D).
Preferably, the resin composition of the present invention further contains a crosslinking agent (E).
また、本発明によれば、上記いずれかの樹脂組成物からなる樹脂膜を備える半導体素子基板が提供される。 Moreover, according to this invention, a semiconductor element substrate provided with the resin film which consists of one of the said resin compositions is provided.
本発明によれば、優れた保存安定性を有し、かつ、現像によるパターン形成性及び透明性に優れた樹脂膜を与えることができる樹脂組成物、及びこのような樹脂組成物からなる樹脂膜を備える半導体素子基板を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the resin composition which has the outstanding storage stability and can give the resin film excellent in the pattern formation property and transparency by image development, and a resin film consisting of such a resin composition A semiconductor element substrate can be provided.
本発明の樹脂組成物は、バインダー樹脂(A)、シラン変性樹脂(B)、および酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)を含有し、シラン変性樹脂(B)と、酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)との比率が、重量比で、「シラン変性樹脂(B)/酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)」=0.5〜20の範囲にあるものである。 The resin composition of the present invention contains a binder resin (A), a silane-modified resin (B), and a compound (C) having an acidic group or a heat-latent acidic group, the silane-modified resin (B), and an acidic group Or the ratio with the compound (C) which has a thermal latent acidic group is a weight ratio, "silane modified resin (B) / compound (C) which has an acidic group or thermal latent acidic group" = 0.5-20 It is in the range.
(バインダー樹脂(A))
本発明で用いるバインダー樹脂(A)としては、特に限定されないが、プロトン性極性基を有する環状オレフィン重合体(A1)、アクリル樹脂(A2)、カルド樹脂(A3)、ポリシロキサン(A4)またはポリイミド(A5)であることが好ましく、これらの中でも、プロトン性極性基を有する環状オレフィン重合体(A1)が特に好ましい。
これらのバインダー樹脂(A)は、それぞれ単独で用いてもよく、または2種以上を併用してもよい。(Binder resin (A))
Although it does not specifically limit as binder resin (A) used by this invention, Cyclic olefin polymer (A1), acrylic resin (A2), cardo resin (A3), polysiloxane (A4), or polyimide which has a protic polar group (A5) is preferred, and among these, a cyclic olefin polymer (A1) having a protic polar group is particularly preferred.
These binder resins (A) may be used alone or in combination of two or more.
プロトン性極性基を有する環状オレフィン重合体(A1)(以下、単に「環状オレフィン重合体(A1)」とする。)としては、1または2以上の環状オレフィン単量体の重合体、または、1または2以上の環状オレフィン単量体と、これと共重合可能な単量体との共重合体が挙げられるが、本発明においては、環状オレフィン重合体(A1)を形成するための単量体として、少なくともプロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体(a)を用いることが好ましい。 The cyclic olefin polymer (A1) having a protic polar group (hereinafter simply referred to as “cyclic olefin polymer (A1)”) is a polymer of one or more cyclic olefin monomers, or 1 Or a copolymer of two or more cyclic olefin monomers and a monomer copolymerizable therewith. In the present invention, a monomer for forming the cyclic olefin polymer (A1). It is preferable to use a cyclic olefin monomer (a) having at least a protic polar group.
ここで、プロトン性極性基とは、周期律表第15族又は第16族に属する原子に水素原子が直接結合している原子を含む基をいう。周期律表第15族または第16族に属する原子のなかでも、周期律表第15族または第16族の第1または第2周期に属する原子が好ましく、より好ましくは酸素原子、窒素原子又は硫黄原子であり、特に好ましくは酸素原子である。 Here, the protic polar group refers to a group containing an atom in which a hydrogen atom is directly bonded to an atom belonging to Group 15 or 16 of the periodic table. Among atoms belonging to Group 15 or Group 16 of the periodic table, atoms belonging to Group 1 or 2 of Group 15 or Group 16 of the Periodic Table are preferable, and oxygen atoms, nitrogen atoms or sulfur are more preferable. An atom, particularly preferably an oxygen atom.
このようなプロトン性極性基の具体例としては、水酸基、カルボキシ基(ヒドロキシカルボニル基)、スルホン酸基、リン酸基等の酸素原子を有する極性基;第一級アミノ基、第二級アミノ基、第一級アミド基、第二級アミド基(イミド基)等の窒素原子を有する極性基;チオール基等の硫黄原子を有する極性基;等が挙げられる。これらの中でも、酸素原子を有するものが好ましく、より好ましくはカルボキシ基である。
本発明において、プロトン性極性基を有する環状オレフィン樹脂に結合しているプロトン性極性基の数に特に限定はなく、また、相異なる種類のプロトン性極性基が含まれていてもよい。Specific examples of such protic polar groups include polar groups having oxygen atoms such as hydroxyl groups, carboxy groups (hydroxycarbonyl groups), sulfonic acid groups, phosphoric acid groups; primary amino groups, secondary amino groups A polar group having a nitrogen atom such as a primary amide group or a secondary amide group (imide group); a polar group having a sulfur atom such as a thiol group; Among these, those having an oxygen atom are preferable, and a carboxy group is more preferable.
In the present invention, the number of protic polar groups bonded to the cyclic olefin resin having a protic polar group is not particularly limited, and different types of protic polar groups may be included.
プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体(a)(以下、適宜、「単量体(a)」という。)の具体例としては、2−ヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−メチル−2−ヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−カルボキシメチル−2−ヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−ヒドロキシカルボニル−2−メトキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−ヒドロキシカルボニル−2−エトキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−ヒドロキシカルボニル−2−プロポキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−ヒドロキシカルボニル−2−ブトキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−ヒドロキシカルボニル−2−ペンチルオキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−ヒドロキシカルボニル−2−ヘキシルオキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−ヒドロキシカルボニル−2−シクロヘキシルオキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−ヒドロキシカルボニル−2−フェノキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−ヒドロキシカルボニル−2−ナフチルオキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−ヒドロキシカルボニル−2−ビフェニルオキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−ヒドロキシカルボニル−2−ベンジルオキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−ヒドロキシカルボニル−2−ヒドロキシエトキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2,3−ジヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−ヒドロキシカルボニル−3−メトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−ヒドロキシカルボニル−3−エトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−ヒドロキシカルボニル−3−プロポキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−ヒドロキシカルボニル−3−ブトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−ヒドロキシカルボニル−3−ペンチルオキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−ヒドロキシカルボニル−3−ヘキシルオキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−ヒドロキシカルボニル−3−シクロヘキシルオキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−ヒドロキシカルボニル−3−フェノキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−ヒドロキシカルボニル−3−ナフチルオキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−ヒドロキシカルボニル−3−ビフェニルオキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−ヒドロキシカルボニル−3−ベンジルオキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−ヒドロキシカルボニル−3−ヒドロキシエトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−ヒドロキシカルボニル−3−ヒドロキシカルボニルメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、3−メチル−2−ヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、3−ヒドロキシメチル−2−ヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−ヒドロキシカルボニルトリシクロ[5.2.1.02,6]デカ−3,8−ジエン、4−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エン、4−メチル−4−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エン、4,5−ジヒドロキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エン、4−カルボキシメチル−4−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エン、N−(ヒドロキシカルボニルメチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(ヒドロキシカルボニルエチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(ヒドロキシカルボニルペンチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(ジヒドロキシカルボニルエチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(ジヒドロキシカルボニルプロピル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(ヒドロキシカルボニルフェネチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−(4−ヒドロキシフェニル)−1−(ヒドロキシカルボニル)エチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(ヒドロキシカルボニルフェニル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド等のカルボキシ基含有環状オレフィン;2−(4−ヒドロキシフェニル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−メチル−2−(4−ヒドロキシフェニル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、4−(4−ヒドロキシフェニル)テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エン、4−メチル−4−(4−ヒドロキシフェニル)テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エン、2−ヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−ヒドロキシメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−ヒドロキシエチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−メチル−2−ヒドロキシメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2,3−ジヒドロキシメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−(ヒドロキシエトキシカルボニル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−メチル−2−(ヒドロキシエトキシカルボニル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−(1−ヒドロキシ−1−トリフルオロメチル−2,2,2−トリフルオロエチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−(2−ヒドロキシ−2−トリフルオロメチル−3,3,3−トリフルオロプロピル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、3−ヒドロキシトリシクロ[5.2.1.02,6]デカ−4,8−ジエン、3−ヒドロキシメチルトリシクロ[5.2.1.02,6]デカ−4,8−ジエン、4−ヒドロキシテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エン、4−ヒドロキシメチルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エン、4,5−ジヒドロキシメチルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エン、4−(ヒドロキシエトキシカルボニル)テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エン、4−メチル−4−(ヒドロキシエトキシカルボニル)テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エン、N−(ヒドロキシエチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(ヒドロキシフェニル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、等の水酸基含有環状オレフィン等が挙げられる。これらのなかでも、得られる樹脂膜の密着性が高くなるという点より、カルボキシ基含有環状オレフィンが好ましく、4−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エンが特に好ましい。これら単量体(a)は、それぞれ単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。Specific examples of the cyclic olefin monomer (a) having a protic polar group (hereinafter, appropriately referred to as “monomer (a)”) include 2-hydroxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept- 5-ene, 2-methyl-2-hydroxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-carboxymethyl-2-hydroxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2 -Hydroxycarbonyl-2-methoxycarbonylmethylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-hydroxycarbonyl-2-ethoxycarbonylmethylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-hydroxy Carbonyl-2-propoxycarbonylmethylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-hydroxycarbonyl-2-butoxycarbonyl Tyrbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-hydroxycarbonyl-2-pentyloxycarbonylmethyl bicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-hydroxycarbonyl-2-hexyloxycarbonylmethyl Bicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-hydroxycarbonyl-2-cyclohexyloxycarbonylmethylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-hydroxycarbonyl-2-phenoxycarbonylmethylbicyclo [2.2.1] Hept-5-ene, 2-hydroxycarbonyl-2-naphthyloxycarbonylmethylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-hydroxycarbonyl-2-biphenyloxycarbonylmethylbicyclo [2.2.1] Hept-5-ene, 2-hydroxyca Bonyl-2-benzyloxycarbonylmethylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-hydroxycarbonyl-2-hydroxyethoxycarbonylmethylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2,3 -Dihydroxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-hydroxycarbonyl-3-methoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-hydroxycarbonyl-3-ethoxycarbonylbicyclo [2.2.1] Hept-5-ene, 2-hydroxycarbonyl-3-propoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-hydroxycarbonyl-3-butoxycarbonylbicyclo [2.2 .1] Hept-5-ene, 2-hydroxycarbonyl-3-pentyloxycarbonylbi Cyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-hydroxycarbonyl-3-hexyloxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-hydroxycarbonyl-3-cyclohexyloxycarbonylbicyclo [ 2.2.1] Hept-5-ene, 2-hydroxycarbonyl-3-phenoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-hydroxycarbonyl-3-naphthyloxycarbonylbicyclo [2.2 .1] Hept-5-ene, 2-hydroxycarbonyl-3-biphenyloxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-hydroxycarbonyl-3-benzyloxycarbonylbicyclo [2.2.1]. ] Hept-5-ene, 2-hydroxycarbonyl-3-hydroxyethoxycarbonylbi Chlo [2.2.1] hept-5-ene, 2-hydroxycarbonyl-3-hydroxycarbonylmethylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 3-methyl-2-hydroxycarbonylbicyclo [2. 2.1] hept-5-ene, 3-hydroxymethyl-2-hydroxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-hydroxycarbonyltricyclo [5.2.1.0 2,6 ] Deca-3,8-diene, 4-hydroxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene, 4-methyl-4-hydroxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene, 4,5-dihydroxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene, 4-carboxymethyl-4-hydroxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene, N- (hydroxycarbonylmethyl) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (hydroxycarbonylethyl) bicyclo [2 2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (hydroxycarbonylpentyl) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (Dihydroxycarbonylethyl) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (dihydroxycarbonylpropyl) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2, 3-dicarboximide, N- (hydroxycarbonylphenethyl) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (2- ( -Hydroxyphenyl) -1- (hydroxycarbonyl) ethyl) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (hydroxycarbonylphenyl) bicyclo [2.2.1] Carboxy group-containing cyclic olefins such as hept-5-ene-2,3-dicarboximide; 2- (4-hydroxyphenyl) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-methyl-2- ( 4-hydroxyphenyl) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 4- (4-hydroxyphenyl) tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene, 4-methyl-4- (4-hydroxyphenyl) tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene, 2-hydroxybicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-hydroxymethylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-hydroxyethyl Bicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-methyl-2-hydroxymethylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2,3-dihydroxymethylbicyclo [2.2.1] Hept-5-ene, 2- (hydroxyethoxycarbonyl) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-methyl-2- (hydroxyethoxycarbonyl) bicyclo [2.2.1] hept-5 Ene, 2- (1-hydroxy-1-trifluoromethyl-2,2,2-trifluoroethyl) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2- (2-hydroxy-2-trifluoro Mechi 3,3,3-trifluoropropyl) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 3-hydroxy-tricyclo [5.2.1.0 2, 6] deca-4,8-diene, 3-hydroxymethyltricyclo [5.2.1.0 2,6 ] deca-4,8-diene, 4-hydroxytetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene, 4-hydroxymethyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene, 4,5-dihydroxymethyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene, 4- (hydroxyethoxycarbonyl) tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene, 4-methyl-4- (hydroxyethoxycarbonyl) tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene, N- (hydroxyethyl) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (hydroxyphenyl) bicyclo [2.2 .1] Hydroxyl-containing cyclic olefins such as hept-5-ene-2,3-dicarboximide and the like. Among these, a carboxy group-containing cyclic olefin is preferable from the viewpoint that the obtained resin film has high adhesion, and 4-hydroxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene is particularly preferred. These monomers (a) may be used alone or in combination of two or more.
環状オレフィン重合体(A1)中における、単量体(a)の単位の含有割合は、全単量体単位に対して、好ましくは10〜90モル%である。単量体(a)の単位の含有割合が少なすぎると、本発明の樹脂組成物に感放射線性化合物を添加した際における、感放射線性が不十分となったり、現像時に溶解残渣が発生するおそれがあり、多すぎると、環状オレフィン重合体(A1)の極性溶剤への溶解性が不十分となるおそれがある。 The content ratio of the monomer (a) unit in the cyclic olefin polymer (A1) is preferably 10 to 90 mol% with respect to the total monomer units. When the content ratio of the monomer (a) unit is too small, the radiation sensitivity becomes insufficient when a radiation sensitive compound is added to the resin composition of the present invention, or a dissolution residue is generated during development. If the amount is too large, the solubility of the cyclic olefin polymer (A1) in the polar solvent may be insufficient.
なお、単量体(a)の単位の含有割合のより好ましい範囲は、本発明の樹脂組成物により構成する樹脂膜の種類により異なる。具体的には、該樹脂膜が、アクティブマトリックス基板の保護膜や有機EL素子基板の封止膜である場合など、フォトリソグラフィによるパターン化が行なわれる樹脂膜である場合には、単量体(a)の単位の含有割合は、40〜70モル%であることがより好ましく、50〜60モル%であることが特に好ましい。一方、樹脂膜が、アクティブマトリックス基板のゲート絶縁膜や有機EL素子基板の画素分離膜である場合など、フォトリソグラフィによるパターン化が行なわれない樹脂膜である場合には、単量体(a)の単位の含有割合は、20〜80モル%であることがより好ましく、30〜70モル%であることが特に好ましい。 In addition, the more preferable range of the content rate of the unit of a monomer (a) changes with kinds of resin film comprised by the resin composition of this invention. Specifically, when the resin film is a resin film that is patterned by photolithography, such as a protective film of an active matrix substrate or a sealing film of an organic EL element substrate, a monomer ( The content ratio of the unit a) is more preferably 40 to 70 mol%, and particularly preferably 50 to 60 mol%. On the other hand, when the resin film is a resin film that is not patterned by photolithography, such as a gate insulating film of an active matrix substrate or a pixel isolation film of an organic EL element substrate, the monomer (a) The content ratio of the unit is more preferably 20 to 80 mol%, and particularly preferably 30 to 70 mol%.
また、本発明で用いる環状オレフィン重合体(A1)は、プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体(a)と、これと共重合可能な単量体(b)とを共重合して得られる共重合体であってもよい。このような共重合可能な単量体としては、プロトン性極性基以外の極性基を有する環状オレフィン単量体(b1)、極性基を持たない環状オレフィン単量体(b2)、および環状オレフィン以外の単量体(b3)(以下、適宜、「単量体(b1)」、「単量体(b2)」、「単量体(b3)」という。)が挙げられる。 The cyclic olefin polymer (A1) used in the present invention is obtained by copolymerizing a cyclic olefin monomer (a) having a protic polar group and a monomer (b) copolymerizable therewith. It may be a copolymer. Examples of such copolymerizable monomers include cyclic olefin monomers (b1) having polar groups other than protic polar groups, cyclic olefin monomers having no polar groups (b2), and cyclic olefins. Monomer (b3) (hereinafter referred to as “monomer (b1)”, “monomer (b2)”, “monomer (b3)” as appropriate).
プロトン性極性基以外の極性基を有する環状オレフィン単量体(b1)としては、たとえば、N−置換イミド基、エステル基、シアノ基、酸無水物基またはハロゲン原子を有する環状オレフィンが挙げられる。 Examples of the cyclic olefin monomer (b1) having a polar group other than the protic polar group include N-substituted imide groups, ester groups, cyano groups, acid anhydride groups, and cyclic olefins having a halogen atom.
N−置換イミド基を有する環状オレフィンとしては、たとえば、下記式(1)で表される単量体、または下記式(2)で表される単量体が挙げられる。
上記式(1)中において、R1は炭素数1〜16のアルキル基又はアリール基であり、アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基、n−トリデシル基、n−テトラデシル基、n−ペンタデシル基、n−ヘキサデシル基等の直鎖アルキル基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、シクロウンデシル基、シクロドデシル基、ノルボルニル基、ボルニル基、イソボルニル基、デカヒドロナフチル基、トリシクロデカニル基、アダマンチル基等の環状アルキル基;2−プロピル基、2−ブチル基、2−メチル−1−プロピル基、2−メチル−2−プロピル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、1−メチルペンチル基、1−エチルブチル基、2−メチルヘキシル基、2−エチルヘキシル基、4−メチルヘプチル基、1−メチルノニル基、1−メチルトリデシル基、1−メチルテトラデシル基などの分岐状アルキル基;などが挙げられる。また、アリール基の具体例としては、ベンジル基などが挙げられる。これらの中でも、耐熱性および極性溶剤への溶解性により優れることから、炭素数6〜14のアルキル基およびアリール基が好ましく、炭素数6〜10のアルキル基およびアリール基がより好ましい。これらの基の炭素数が小さすぎると極性溶剤への溶解性に劣るおそれがあり、炭素数が大きすぎると耐熱性に劣り、さらに樹脂膜をパターン化した場合に、熱により溶融しパターンを消失してしまうおそれがある。In the above formula (1), R 1 is an alkyl group having 1 to 16 carbon atoms or an aryl group. Specific examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, n -Pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, n-tridecyl group, n-tetradecyl group, n -Linear alkyl groups such as pentadecyl group and n-hexadecyl group; cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cyclononyl group, cyclodecyl group, cycloundecyl group, cyclododecyl group , Norbornyl group, bornyl group, isobornyl group, decahydronaphthyl group, tricyclodecanyl group, adamantyl group, etc. Alkyl group; 2-propyl group, 2-butyl group, 2-methyl-1-propyl group, 2-methyl-2-propyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 1-methylpentyl group, 1-ethylbutyl Groups, branched alkyl groups such as 2-methylhexyl group, 2-ethylhexyl group, 4-methylheptyl group, 1-methylnonyl group, 1-methyltridecyl group, 1-methyltetradecyl group, and the like. Specific examples of the aryl group include a benzyl group. Among these, since it is excellent in heat resistance and solubility in a polar solvent, an alkyl group and an aryl group having 6 to 14 carbon atoms are preferable, and an alkyl group and an aryl group having 6 to 10 carbon atoms are more preferable. If the number of carbons in these groups is too small, the solubility in polar solvents may be poor. If the number of carbons is too large, the heat resistance will be poor, and if the resin film is patterned, it will melt by heat and disappear. There is a risk of it.
上記式(1)で表される単量体の具体例としては、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−フェニル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−エチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−プロピルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−ブチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−シクロヘキシルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−アダマンチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−メチルブチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−メチルブチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−メチルペンチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−メチルペンチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−エチルブチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−エチルブチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−メチルヘキシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−メチルヘキシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(3−メチルヘキシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−ブチルペンチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−ブチルペンチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−メチルヘプチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−メチルヘプチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(3−メチルヘプチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−メチルヘプチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−エチルヘキシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−エチルヘキシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(3−エチルヘキシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−プロピルペンチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−プロピルペンチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−メチルオクチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−メチルオクチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(3−メチルオクチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−メチルオクチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−エチルヘプチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−エチルヘプチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(3−エチルヘプチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−エチルヘプチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−プロピルヘキシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−プロピルヘキシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(3−プロピルヘキシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−メチルノニル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−メチルノニル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(3−メチルノニル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−メチルノニル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(5−メチルノニル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−エチルオクチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−エチルオクチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(3−エチルオクチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(4−エチルオクチル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−メチルデシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−メチルドデシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−メチルウンデシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−メチルドデシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−メチルトリデシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−メチルテトラデシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(1−メチルペンタデシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−フェニル−テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エン−4,5−ジカルボキシイミド、N−(2,4−ジメトキシフェニル)−テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エン−4,5−ジカルボキシイミド等が挙げられる。なお、これらはそれぞれ単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。Specific examples of the monomer represented by the above formula (1) include bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N-phenyl-bicyclo [2.2. 1] Hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N-methylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N-ethylbicyclo [2.2. 1] Hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N-propylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N-butylbicyclo [2.2. 1] Hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N-cyclohexylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N-adamantylbicyclo [2.2. 1] Hept-5-ene-2,3-dicar Ximido, N- (1-methylbutyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (2-methylbutyl) -bicyclo [2.2.1] hept- 5-ene-2,3-dicarboximide, N- (1-methylpentyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (2-methylpentyl) ) -Bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (1-ethylbutyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3- Dicarboximide, N- (2-ethylbutyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (1-methylhexyl) -bicyclo [2.2.1 ] Hept-5-ene-2,3-dicarbo Siimide, N- (2-methylhexyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (3-methylhexyl) -bicyclo [2.2.1] Hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (1-butylpentyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (2- Butylpentyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (1-methylheptyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2 , 3-dicarboximide, N- (2-methylheptyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (3-methylheptyl) -bicyclo [2 2.1] Hept-5-ene-2,3-dica Boxyimide, N- (4-methylheptyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (1-ethylhexyl) -bicyclo [2.2.1] hept -5-ene-2,3-dicarboximide, N- (2-ethylhexyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (3-ethylhexyl) -Bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (1-propylpentyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3- Dicarboximide, N- (2-propylpentyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (1-methyloctyl) -bicyclo [2.2. 1] hept-5-ene-2, 3-dicarboximide, N- (2-methyloctyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (3-methyloctyl) -bicyclo [2. 2.1] Hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (4-methyloctyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N -(1-Ethylheptyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (2-ethylheptyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5 -Ene-2,3-dicarboximide, N- (3-ethylheptyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (4-ethylheptyl) -Bicyclo [2.2.1] hept-5-ene 2,3-dicarboximide, N- (1-propylhexyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (2-propylhexyl) -bicyclo [ 2.2.1] Hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (3-propylhexyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide N- (1-methylnonyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (2-methylnonyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5. -Ene-2,3-dicarboximide, N- (3-methylnonyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (4-methylnonyl) -bicyclo [2.2.1] Hept-5 -2,3-dicarboximide, N- (5-methylnonyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (1-ethyloctyl) -bicyclo [2.2.1] Hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (2-ethyloctyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxy Imido, N- (3-ethyloctyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (4-ethyloctyl) -bicyclo [2.2.1] Hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (1-methyldecyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (1-methyl Dodecyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5 Ene-2,3-dicarboximide, N- (1-methylundecyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (1-methyldodecyl) -Bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (1-methyltridecyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3 -Dicarboximide, N- (1-methyltetradecyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (1-methylpentadecyl) -bicyclo [2 2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N-phenyl-tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene-4,5-dicarboximide, N- (2,4-dimethoxyphenyl) -tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodeca-9-ene-4,5-dicarboximide and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
一方、上記式(2)において、R2は炭素数1〜3のアルキレン基であり、炭素数1〜3のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基およびイソプロピレン基が挙げられる。これらの中でも、重合活性が良好であるため、メチレン基およびエチレン基が好ましい。On the other hand, in the above formula (2), R 2 is an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms, and examples of the alkylene group having 1 to 3 carbon atoms include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, and an isopropylene group. Among these, a methylene group and an ethylene group are preferable because of good polymerization activity.
また、上記式(2)において、R3は、炭素数1〜10のアルキル基または炭素数1〜10のハロゲン化アルキル基である。炭素数1〜10のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ヘキシル基およびシクロヘキシル基などが挙げられる。炭素数1〜10のハロゲン化アルキル基としては、例えば、フルオロメチル基、クロロメチル基、ブロモメチル基、ジフルオロメチル基、ジクロロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基およびパーフルオロペンチル基などが挙げられる。これらの中でも、極性溶剤への溶解性に優れるため、R3としては、メチル基およびエチル基が好ましい。In the above formula (2), R 3 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. Examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, a hexyl group, and a cyclohexyl group. Examples of the halogenated alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include a fluoromethyl group, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a difluoromethyl group, a dichloromethyl group, a difluoromethyl group, a trifluoromethyl group, a trichloromethyl group, and 2,2. , 2-trifluoroethyl group, pentafluoroethyl group, heptafluoropropyl group, perfluorobutyl group and perfluoropentyl group. Among these, because of excellent solubility in polar solvents, as R 3, methyl and ethyl are preferred.
なお、上記式(1)、(2)で表される単量体は、たとえば、対応するアミンと、5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物とのアミド化反応により得ることができる。また、得られた単量体は、アミド化反応の反応液を公知の方法で分離・精製することにより効率よく単離できる。 The monomers represented by the above formulas (1) and (2) can be obtained, for example, by an amidation reaction between a corresponding amine and 5-norbornene-2,3-dicarboxylic acid anhydride. The obtained monomer can be efficiently isolated by separating and purifying the reaction solution of the amidation reaction by a known method.
エステル基を有する環状オレフィンとしては、例えば、2−アセトキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−アセトキシメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−メトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−エトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−プロポキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−ブトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−シクロヘキシルオキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−メチル−2−メトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−メチル−2−エトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−メチル−2−プロポキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−メチル−2−ブトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−メチル−2−シクロヘキシルオキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−(2,2,2−トリフルオロエトキシカルボニル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−メチル−2−(2,2,2−トリフルオロエトキシカルボニル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−メトキシカルボニルトリシクロ[5.2.1.02,6]デカ−8−エン、2−エトキシカルボニルトリシクロ[5.2.1.02,6]デカ−8−エン、2−プロポキシカルボニルトリシクロ[5.2.1.02,6]デカ−8−エン、4−アセトキシテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エン、4−メトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エン、4−エトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エン、4−プロポキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エン、4−ブトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エン、4−メチル−4−メトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エン、4−メチル−4−エトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エン、4−メチル−4−プロポキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エン、4−メチル−4−ブトキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エン、4−(2,2,2−トリフルオロエトキシカルボニル)テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エン、4−メチル−4−(2,2,2−トリフルオロエトキシカルボニル)テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エン等が挙げられる。Examples of the cyclic olefin having an ester group include 2-acetoxybicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-acetoxymethylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, and 2-methoxycarbonyl. Bicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-ethoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-propoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-butoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-cyclohexyloxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-methyl-2-methoxycarbonylbicyclo [2.2 .1] Hept-5-ene, 2-methyl-2-ethoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-methyl-2-propoxyl Nilbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-methyl-2-butoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-methyl-2-cyclohexyloxycarbonylbicyclo [2.2 .1] Hept-5-ene, 2- (2,2,2-trifluoroethoxycarbonyl) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-methyl-2- (2,2,2- Trifluoroethoxycarbonyl) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-methoxycarbonyltricyclo [5.2.1.0 2,6 ] dec-8-ene, 2-ethoxycarbonyltricyclo [ 5.2.1.0 2,6 ] dec-8-ene, 2-propoxycarbonyltricyclo [5.2.1.0 2,6 ] dec-8-ene, 4-acetoxytetracyclo [6.2 .1.1 3, . 0 2,7 ] dodec-9-ene, 4-methoxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene, 4-ethoxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene, 4-propoxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene, 4-butoxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene, 4-methyl-4-methoxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene, 4-methyl-4-ethoxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene, 4-methyl-4-propoxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene, 4-methyl-4-butoxycarbonyltetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene, 4- (2,2,2-trifluoroethoxycarbonyl) tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene, 4-methyl-4- (2,2,2-trifluoroethoxycarbonyl) tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodeca-9-ene and the like.
シアノ基を有する環状オレフィンとしては、例えば、4−シアノテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エン、4−メチル−4−シアノテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エン、4,5−ジシアノテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エン、2−シアノビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−メチル−2−シアノビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2,3−ジシアノビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、等が挙げられる。Examples of the cyclic olefin having a cyano group include 4-cyanotetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene, 4-methyl-4-cyanotetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene, 4,5-dicyanotetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene, 2-cyanobicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-methyl-2-cyanobicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2 , 3-dicyanobicyclo [2.2.1] hept-5-ene, and the like.
酸無水物基を有する環状オレフィンとしては、例えば、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エン−4,5−ジカルボン酸無水物、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボン酸無水物、2−カルボキシメチル−2−ヒドロキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン無水物、等が挙げられる。Examples of the cyclic olefin having an acid anhydride group include, for example, tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene-4,5-dicarboxylic anhydride, bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylic anhydride, 2-carboxymethyl-2- Hydroxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene anhydride, and the like.
ハロゲン原子を有する環状オレフィンとしては、例えば、2−クロロビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−クロロメチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、2−(クロロフェニル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン、4−クロロテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エン、4−メチル−4−クロロテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エン等が挙げられる。Examples of the cyclic olefin having a halogen atom include 2-chlorobicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2-chloromethylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 2- (chlorophenyl). ) Bicyclo [2.2.1] hept-5-ene, 4-chlorotetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-9-ene, 4-methyl-4-chlorotetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodeca-9-ene and the like.
これら単量体(b1)は、それぞれ単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 These monomers (b1) may be used alone or in combination of two or more.
極性基を持たない環状オレフィン単量体(b2)としては、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン(「ノルボルネン」ともいう。)、5−エチル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−ブチル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−エチリデン−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−メチリデン−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−ビニル−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカ−3,8−ジエン(慣用名:ジシクロペンタジエン)、テトラシクロ[10.2.1.02,11.04,9]ペンタデカ−4,6,8,13−テトラエン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン(「テトラシクロドデセン」ともいう。)、9−メチル−テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−エチル−テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−メチリデン−テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−エチリデン−テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−ビニル−テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、9−プロペニル−テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、ペンタシクロ[9.2.1.13,9.02,10.04,8]ペンタデカ−5,12−ジエン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロペンタジエン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロオクタジエン、インデン、3a,5,6,7a−テトラヒドロ−4,7−メタノ−1H−インデン、9−フェニル−テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−4−エン、テトラシクロ[9.2.1.02,10.03,8]テトラデカ−3,5,7,12−テトラエン、ペンタシクロ[9.2.1.13,9.02,10.04,8]ペンタデカ−12−エン等が挙げられる。
これら単量体(b2)は、それぞれ単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。Examples of the cyclic olefin monomer (b2) having no polar group include bicyclo [2.2.1] hept-2-ene (also referred to as “norbornene”), 5-ethyl-bicyclo [2.2.1]. Hept-2-ene, 5-butyl-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-ethylidene-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-methylidene-bicyclo [2. 2.1] hept-2-ene, 5-vinyl-bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] deca-3,8-diene (conventional name: dicyclopentadiene), tetracyclo [10.2.1.0 2,11. 0 4,9 ] pentadeca-4,6,8,13-tetraene, tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene (also referred to as “tetracyclododecene”), 9-methyl-tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-ethyl-tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-methylidene-tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-ethylidene-tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-vinyl-tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, 9-propenyl-tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodec-4-ene, pentacyclo [9.2.1.1 3,9 . 0 2,10 . 0 4,8 ] pentadeca-5,12-diene, cyclobutene, cyclopentene, cyclopentadiene, cyclohexene, cycloheptene, cyclooctene, cyclooctadiene, indene, 3a, 5,6,7a-tetrahydro-4,7-methano-1H -Indene, 9-phenyl-tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7] dodeca-4-ene, tetracyclo [9.2.1.0 2,10. 0 3,8 ] tetradeca-3,5,7,12-tetraene, pentacyclo [9.2.1.1 3,9 . 0 2,10 . 0 4,8 ] pentadeca-12-ene and the like.
These monomers (b2) may be used alone or in combination of two or more.
環状オレフィン以外の単量体(b3)の具体例としては、エチレン;プロピレン、1−ブテン、1−ペンテン、1−ヘキセン、3−メチル−1−ブテン、3−メチル−1−ペンテン、3−エチル−1−ペンテン、4−メチル−1−ペンテン、4−メチル−1−ヘキセン、4,4−ジメチル−1−ヘキセン、4,4−ジメチル−1−ペンテン、4−エチル−1−ヘキセン、3−エチル−1−ヘキセン、1−オクテン、1−デセン、1−ドデセン、1−テトラデセン、1−ヘキサデセン、1−オクタデセン、1−エイコセン等の炭素数2〜20のα−オレフィン;1,4−ヘキサジエン、4−メチル−1,4−ヘキサジエン、5−メチル−1,4−ヘキサジエン、1,7−オクタジエン等の非共役ジエン、及びこれらの誘導体;等が挙げられる。これらの中でも、α−オレフィン、特にエチレンが好ましい。
これら単量体(b3)は、それぞれ単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。Specific examples of the monomer (b3) other than the cyclic olefin include ethylene; propylene, 1-butene, 1-pentene, 1-hexene, 3-methyl-1-butene, 3-methyl-1-pentene, 3- Ethyl-1-pentene, 4-methyl-1-pentene, 4-methyl-1-hexene, 4,4-dimethyl-1-hexene, 4,4-dimethyl-1-pentene, 4-ethyl-1-hexene, Α-olefins having 2 to 20 carbon atoms such as 3-ethyl-1-hexene, 1-octene, 1-decene, 1-dodecene, 1-tetradecene, 1-hexadecene, 1-octadecene, 1-eicocene; -Non-conjugated dienes such as hexadiene, 4-methyl-1,4-hexadiene, 5-methyl-1,4-hexadiene, 1,7-octadiene, and derivatives thereof; Among these, an α-olefin, particularly ethylene is preferable.
These monomers (b3) may be used alone or in combination of two or more.
これら単量体(b1)〜(b3)のなかでも、本発明の効果がより一層顕著となるという観点より、プロトン性極性基以外の極性基を有する環状オレフィン単量体(b1)が好ましく、N−置換イミド基を有する環状オレフィンが特に好ましい。 Among these monomers (b1) to (b3), the cyclic olefin monomer (b1) having a polar group other than the protic polar group is preferable from the viewpoint that the effect of the present invention becomes more remarkable. A cyclic olefin having an N-substituted imide group is particularly preferred.
環状オレフィン重合体(A1)中における、共重合可能な単量体(b)の単位の含有割合は、全単量体単位に対して、好ましくは10〜90モル%である。共重合可能な単量体(b)の単位の含有割合が少なすぎると、環状オレフィン重合体(A1)の極性溶剤への溶解性が不十分となるおそれがあり、多すぎると、本発明の樹脂組成物に感放射線性化合物を添加した際における、感放射線性が不十分となったり、現像時に溶解残渣が発生するおそれがある。 The content ratio of the copolymerizable monomer (b) unit in the cyclic olefin polymer (A1) is preferably 10 to 90 mol% with respect to the total monomer units. If the content ratio of the copolymerizable monomer (b) is too small, the solubility of the cyclic olefin polymer (A1) in the polar solvent may be insufficient. When a radiation sensitive compound is added to the resin composition, the radiation sensitivity may be insufficient, or a dissolution residue may be generated during development.
なお、共重合可能な単量体(b)の単位の含有割合のより好ましい範囲は、本発明の樹脂組成物により構成する樹脂膜の種類により異なる。具体的には、該樹脂膜が、アクティブマトリックス基板の保護膜や有機EL素子基板の封止膜である場合など、フォトリソグラフィによるパターン化が行なわれる樹脂膜である場合には、共重合可能な単量体(b)の単位の含有割合は、30〜60モル%であることがより好ましく、40〜50モル%であることが特に好ましい。一方、樹脂膜が、アクティブマトリックス基板のゲート絶縁膜や有機EL素子基板の画素分離膜である場合など、フォトリソグラフィによるパターン化が行なわれない樹脂膜である場合には、共重合可能な単量体(b)の単位の含有割合は、20〜80モル%であることがより好ましく、30〜70モル%であることが特に好ましい。 In addition, the more preferable range of the content rate of the unit of the monomer (b) which can be copolymerized changes with kinds of resin film comprised by the resin composition of this invention. Specifically, when the resin film is a resin film that is patterned by photolithography, such as a protective film of an active matrix substrate or a sealing film of an organic EL element substrate, copolymerization is possible. As for the content rate of the unit of a monomer (b), it is more preferable that it is 30-60 mol%, and it is especially preferable that it is 40-50 mol%. On the other hand, if the resin film is a resin film that is not patterned by photolithography, such as a gate insulating film of an active matrix substrate or a pixel isolation film of an organic EL element substrate, a copolymerizable single quantity As for the content rate of the unit of a body (b), it is more preferable that it is 20-80 mol%, and it is especially preferable that it is 30-70 mol%.
なお、本発明においては、プロトン性極性基を有しない環状オレフィン系重合体に、公知の変性剤を利用してプロトン性極性基を導入することで、環状オレフィン重合体(A1)としてもよい。
プロトン性極性基を有しない重合体は、上述した単量体(b1)および(b2)のうち少なくとも一種と、必要に応じて単量体(b3)とを任意に組み合わせて重合することによって得ることができる。In addition, in this invention, it is good also as a cyclic olefin polymer (A1) by introduce | transducing a protic polar group into a cyclic olefin polymer which does not have a protic polar group using a well-known modifier.
A polymer having no protic polar group is obtained by polymerizing at least one of the above-described monomers (b1) and (b2) and, optionally, the monomer (b3) in any combination. be able to.
プロトン性極性基を導入するための変性剤としては、通常、一分子内にプロトン性極性基と反応性の炭素−炭素不飽和結合とを有する化合物が用いられる。
このような化合物の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、アンゲリカ酸、チグリン酸、オレイン酸、エライジン酸、エルカ酸、ブラシジン酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸、アトロパ酸、ケイ皮酸等の不飽和カルボン酸;アリルアルコール、メチルビニルメタノール、クロチルアルコール、メタリルアルコール、1−フェニルエテン−1−オール、2−プロペン−1−オール、3−ブテン−1−オール、3−ブテン−2−オール、3−メチル−3−ブテン−1−オール、3−メチル−2−ブテン−1−オール、2−メチル−3−ブテン−2−オール、2−メチル−3−ブテン−1−オール、4−ペンテン−1−オール、4−メチル−4−ぺンテン−1−オール、2−ヘキセン−1−オール等の不飽和アルコール;等が挙げられる。
これら変性剤を用いた重合体の変性反応は、常法に従えばよく、通常、ラジカル発生剤の存在下で行われる。As the modifier for introducing a protic polar group, a compound having a protic polar group and a reactive carbon-carbon unsaturated bond in one molecule is usually used.
Specific examples of such compounds include acrylic acid, methacrylic acid, angelic acid, tiglic acid, oleic acid, elaidic acid, erucic acid, brassic acid, maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, itaconic acid, atropaic acid. Unsaturated carboxylic acids such as acids and cinnamic acids; allyl alcohol, methyl vinyl methanol, crotyl alcohol, methallyl alcohol, 1-phenylethen-1-ol, 2-propen-1-ol, 3-butene-1- All, 3-buten-2-ol, 3-methyl-3-buten-1-ol, 3-methyl-2-buten-1-ol, 2-methyl-3-buten-2-ol, 2-methyl- Saturation of 3-buten-1-ol, 4-penten-1-ol, 4-methyl-4-penten-1-ol, 2-hexen-1-ol, etc. Alcohol; and the like.
The modification reaction of the polymer using these modifiers may be performed according to a conventional method, and is usually performed in the presence of a radical generator.
なお、本発明で用いる環状オレフィン重合体(A1)は、上述した単量体を開環重合させた開環重合体であってもよいし、あるいは、上述した単量体を付加重合させた付加重合体であってもよいが、本発明の効果がより一層顕著になるという点より、開環重合体であることが好ましい。 The cyclic olefin polymer (A1) used in the present invention may be a ring-opening polymer obtained by ring-opening polymerization of the above-described monomer, or an addition polymer obtained by addition polymerization of the above-described monomer. Although it may be a polymer, it is preferably a ring-opening polymer from the viewpoint that the effect of the present invention becomes more remarkable.
開環重合体は、プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体(a)および必要に応じて用いられる共重合可能な単量体(b)を、メタセシス反応触媒の存在下に開環メタセシス重合することにより製造することができる。 The ring-opening polymer comprises a ring-opening metathesis polymerization of a cyclic olefin monomer having a protic polar group (a) and a copolymerizable monomer (b) used as necessary in the presence of a metathesis reaction catalyst. Can be manufactured.
メタセシス反応触媒は、周期表第3〜11族遷移金属化合物であって、プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体(a)を開環メタセシス重合する触媒であればどのようなものでもよい。例えば、メタセシス反応触媒として、Olefin Metathesis and Metathesis Polymerization(K.J.Ivinand J.C.Mol,Academic Press,San Diego 1997)に記載されているようなものが使用できる。 The metathesis reaction catalyst may be any catalyst as long as it is a group 3-11 transition metal compound of the periodic table and performs ring-opening metathesis polymerization of the cyclic olefin monomer (a) having a protic polar group. For example, as a metathesis reaction catalyst, one described in Olefin Metathesis and Metathesis Polymerization (KJ Ivinand JC Mol, Academic Press, San Diego 1997) can be used.
メタセシス反応触媒としては、例えば、周期表第3〜11族遷移金属−カルベン錯体触媒、が挙げられる。これらの中でも、ルテニウムカルベン錯体触媒の使用が好ましい。 As a metathesis reaction catalyst, a periodic table group 3-11 transition metal carbene complex catalyst is mentioned, for example. Among these, use of a ruthenium carbene complex catalyst is preferable.
周期表第3〜11族遷移金属−カルベン錯体触媒としては、例えば、タングステンアルキリデン錯体触媒、モリブデンアルキリデン錯体触媒、レニウムアルキリデン錯体触媒、ルテニウムカルベン錯体触媒等が挙げられる。 Examples of the periodic table Group 3-11 transition metal-carbene complex catalyst include a tungsten alkylidene complex catalyst, a molybdenum alkylidene complex catalyst, a rhenium alkylidene complex catalyst, and a ruthenium carbene complex catalyst.
タングステンアルキリデン錯体触媒の具体例としては、W(N−2,6−Pri 2C6H3)(CHBut)(OBut)2、W(N−2,6−Pri 2C6H3)(CHBut)(OCMe2CF3)2、W(N−2,6−Pri 2C6H3)(CHBut)(OCMe(CF3)2)2、W(N−2,6−Pri 2C6H3)(CHCMe2Ph)(OBut)2W(N−2,6−Pri 2C6H3)(CHCMe2Ph)(OCMe2CF3)2、W(N−2,6−Pri 2C6H3)(CHCMe2Ph)(OCMe(CF3)2)2等が挙げられる。Specific examples of the tungsten alkylidene complex catalysts, W (N-2,6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHBu t) (OBu t) 2, W (N-2,6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHBu t) (OCMe 2 CF 3) 2, W (N-2,6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHBu t) (OCMe (CF 3) 2) 2, W (N-2, 6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHCMe 2 Ph) (OBu t) 2 W (N-2,6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHCMe 2 Ph) (OCMe 2 CF 3) 2, W (N-2,6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHCMe 2 Ph) (OCMe (CF 3) 2) 2 and the like.
モリブデンアルキリデン錯体触媒の具体例としては、Mo(N−2,6−Pri 2C6H3)(CHBut)(OBut)2、Mo(N−2,6−Pri 2C6H3)(CHBut)(OCMe2CF3)2、Mo(N−2,6−Pri 2C6H3)(CHBut)(OCMe(CF3)2)2、Mo(N−2,6−Pri 2C6H3)(CHCMe2Ph)(OBut)2Mo(N−2,6−Pri 2C6H3)(CHCMe2Ph)(OCMe2CF3)2、Mo(N−2,6−Pri 2C6H3)(CHCMe2Ph)(OCMe(CF3)2)2、Mo(N−2,6−Pri 2C6H3)(CHCMe2Ph)(BIPHEN)、Mo(N−2,6−Pri 2C6H3)(CHCMe2Ph)(BINO)(THF)等が挙げられる。Specific examples of molybdenum alkylidene complex catalyst, Mo (N-2,6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHBu t) (OBu t) 2, Mo (N-2,6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHBu t) (OCMe 2 CF 3) 2, Mo (N-2,6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHBu t) (OCMe (CF 3) 2) 2, Mo (N-2, 6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHCMe 2 Ph) (OBu t) 2 Mo (N-2,6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHCMe 2 Ph) (OCMe 2 CF 3) 2, Mo (N-2,6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHCMe 2 Ph) (OCMe (CF 3) 2) 2, Mo (N-2,6-Pr i 2 C 6 H 3) (CHCMe 2 Ph ) (BIPHEN), Mo (N -2,6-Pr i 2 6 H 3) (CHCMe 2 Ph ) (BINO) (THF) , and the like.
レニウムアルキリデン錯体触媒の具体例としては、Re(CBut)(CHBut)(O−2,6−Pri 2C6H3)2、Re(CBut)(CHBut)(O−2−ButC6H4)2、Re(CBut)(CHBut)(OCMe2CF3)2、Re(CBut)(CHBut)(OCMe(CF3)2)2、Re(CBut)(CHBut)(O−2,6−Me2C6H3)2等が挙げられる。Specific examples of rhenium alkylidene complex catalyst, Re (CBu t) (CHBu t) (O-2,6-Pr i 2 C 6 H 3) 2, Re (CBu t) (CHBu t) (O-2- Bu t C 6 H 4) 2 , Re (CBu t) (CHBu t) (OCMe 2 CF 3) 2, Re (CBu t) (CHBu t) (OCMe (CF 3) 2) 2, Re (CBu t) (CHBu t ) (O-2,6-Me 2 C 6 H 3 ) 2 and the like.
上記式中、Priはイソプロピル基を、Butはtert−ブチル基を、Meはメチル基を、Phはフェニル基を、BIPHENは、5,5’,6,6’−テトラメチル−3,3’−ジ−tert−ブチル−1,1’−ビフェニル−2,2’−ジオキシ基を、BINOは、1,1’−ジナフチル−2,2’−ジオキシ基を、THFはテトラヒドロフランをそれぞれ表す。In the above formula, the Pr i isopropyl group, a Bu t is tert- butyl group, Me is a a methyl group, Ph refers to a phenyl group, BIPHEN is 5,5 ', 6,6'-tetramethyl-3, 3′-di-tert-butyl-1,1′-biphenyl-2,2′-dioxy group, BINO represents 1,1′-dinaphthyl-2,2′-dioxy group, and THF represents tetrahydrofuran. .
また、ルテニウムカルベン錯体触媒の具体例としては、下記式(3)または(4)で表される化合物が挙げられる。 Further, specific examples of the ruthenium carbene complex catalyst include compounds represented by the following formula (3) or (4).
上記式(3)および(4)中、=CR4R5、および=C=CR4R5は、反応中心のカルベン炭素を含むカルベン化合物である。R4およびR5は、それぞれ独立して水素原子、またはハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子もしくは珪素原子を含んでもよい炭素数1〜20の炭化水素基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、アミノ基、アシルアミノ基、ジアシルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ホスフィノ基、シリル基を表し、これらのカルベン化合物はヘテロ原子を含有していてもいなくてもよい。L1はヘテロ原子含有カルベン化合物を表し、L2は任意の中性の電子供与性化合物を表す。In the above formulas (3) and (4), ═CR 4 R 5 and ═C═CR 4 R 5 are carbene compounds containing a carbene carbon at the reaction center. R 4 and R 5 are each independently a hydrogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may contain a halogen atom, an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, a phosphorus atom or a silicon atom, an alkoxy group, an aryl Oxy group, acyloxy group, amino group, acylamino group, diacylamino group, alkylthio group, arylthio group, sulfonyl group, sulfinyl group, phosphino group, silyl group, these carbene compounds may or may not contain heteroatoms May be. L 1 represents a hetero atom-containing carbene compound, and L 2 represents any neutral electron donating compound.
ここで、ヘテロ原子含有カルベン化合物とは、カルベン炭素及びヘテロ原子とを含有する化合物をいう。L1およびL2の両方またはL1は、ヘテロ原子含有カルベン化合物であり、これらに含まれるカルベン炭素にはルテニウム金属原子が直接に結合しており、ヘテロ原子を含む基が結合している。Here, the hetero atom-containing carbene compound refers to a compound containing a carbene carbon and a hetero atom. Both L 1 and L 2 or L 1 is a heteroatom-containing carbene compound, and a ruthenium metal atom is directly bonded to the carbene carbon contained therein, and a group containing a heteroatom is bonded.
L3およびL4は、それぞれ独立して任意のアニオン性配位子を示す。また、R4、R5、L1、L2、L3およびL4の2個、3個、4個、5個または6個は、互いに結合して多座キレート化配位子を形成してもよい。また、ヘテロ原子の具体例としては、N、O、P、S、As、Se原子等を挙げることができる。これらの中でも、安定なカルベン化合物が得られる観点から、N、O、P、S原子等が好ましく、N原子が特に好ましい。L 3 and L 4 each independently represent an arbitrary anionic ligand. Also, two, three, four, five or six of R 4 , R 5 , L 1 , L 2 , L 3 and L 4 are bonded to each other to form a multidentate chelating ligand. May be. Specific examples of heteroatoms include N, O, P, S, As, and Se atoms. Among these, from the viewpoint of obtaining a stable carbene compound, N, O, P, S atoms and the like are preferable, and N atom is particularly preferable.
上記式(3)および(4)において、アニオン(陰イオン)性配位子L3、L4は、中心金属から引き離されたときに負の電荷を持つ配位子であり、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子;ジケトネート基、アルコキシ基、アリールオキシ基やカルボキシル基等の酸素を含む炭化水素基;塩化シクロペンタジエニル基等のハロゲン原子で置換された脂環式炭化水素基等を挙げることができる。これらの中でもハロゲン原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。In the above formulas (3) and (4), the anionic (anionic) ligands L 3 and L 4 are ligands having a negative charge when separated from the central metal, for example, fluorine atoms Halogen atoms such as chlorine atom, bromine atom and iodine atom; hydrocarbon groups containing oxygen such as diketonate group, alkoxy group, aryloxy group and carboxyl group; fat substituted with halogen atoms such as cyclopentadienyl chloride Examples thereof include a cyclic hydrocarbon group. Among these, a halogen atom is preferable and a chlorine atom is more preferable.
L2がヘテロ原子含有カルベン化合物以外の中性の電子供与性化合物の場合は、L2は中心金属から引き離されたときに中性の電荷を持つ配位子であればいかなるものでもよい。その具体例としては、カルボニル類、アミン類、ピリジン類、エーテル類、ニトリル類、エステル類、ホスフィン類、チオエーテル類、芳香族化合物、オレフィン類、イソシアニド類、チオシアネート類等が挙げられる。これらの中でも、ホスフィン類やピリジン類が好ましく、トリアルキルホスフィンがより好ましい。また、R4とL2もしくはR5とL2が互いに結合して2座キレート化配位子を形成している場合は、ピリジン類やエーテル類が好ましい。When L 2 is a neutral electron donating compound other than a heteroatom-containing carbene compound, L 2 may be any ligand as long as it has a neutral charge when separated from the central metal. Specific examples thereof include carbonyls, amines, pyridines, ethers, nitriles, esters, phosphines, thioethers, aromatic compounds, olefins, isocyanides, thiocyanates, and the like. Among these, phosphines and pyridines are preferable, and trialkylphosphine is more preferable. Further, when R 4 and L 2 or R 5 and L 2 are bonded to each other to form a bidentate chelating ligand, pyridines and ethers are preferable.
上記式(3)で表されるルテニウム錯体触媒としては、例えば、ベンジリデン(1,3−ジメシチルイミダゾリジン−2−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、(1,3−ジメシチルイミダゾリジン−2−イリデン)(3−メチル−2−ブテン−1−イリデン)(トリシクロペンチルホスフィン)ルテニウムジクロリド、((2−(1−メチルエトキシ)フェニル)メチレン)(1,3−ジメシチルイミダゾリジン−2−イリデン)ルテニウムジクロリド、ベンジリデン(1,3−ジメシチルイミダゾリジン−2−イリデン)ビス(3−ブロモピリジン)ルテニウムジクロリド(3−(2−ピリジニル)プロピリデン)(1,3−ジメシチルイミダゾリジン−2−イリデン)ルテニウムジクロリド、ベンジリデン(1,3−ジメシチル−オクタヒドロベンズイミダゾール−2−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、(3−フェニルインデン−1−イリデン)(1,3−ジメシチル−4−イミダゾリン−2−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、(2−チエニルメチレン)(1,3−ジメシチル−4−イミダゾリン−2−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、(2−チエニルメチレン)(1,3−ジメシチル−4,5−ジメチル−4−イミダゾリン−2−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、(2−チエニルメチレン)(1,3,4−トリフェニル−4,5−ジヒドロ−1H−1,2,4−トリアゾール−5−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、ベンジリデン(1,3−ジメシチル−4−イミダゾリン−2−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、ベンジリデン(1,3−ジメシチル−2,3−ジヒドロベンズイミダゾール−2−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、ベンジリデン(1,3,4−トリフェニル−4,5−ジヒドロ−1H−1,2,4−トリアゾール−5−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、ベンジリデン(4,5−ジクロロ−1,3−ジメシチル−4−イミダゾリン−2−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、ベンジリデン(4,5−ジブロモ−1,3−ジメシチル−4−イミダゾリン−2−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、(3−フェニルインデン−1−イリデン)(1,3−ジメシチルイミダゾリジン−2−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、(3−フェニルインデン−1−イリデン)(1,3−ジメシチルイミダゾリジン−2−イリデン)ビス(ピリジン)ルテニウムジクロリド、((2−(1−アセチルエトキシ)フェニル)メチレン)(1,3−ジメシチルイミダゾリジン−2−イリデン)ルテニウムジクロリド、(フェニルチオメチレン)(1,3−ジメシチルイミダゾリジン−2−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、(フェニルチオメチレン)(1,3−ジメシチル−4−イミダゾリン−2−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、(エチルチオメチレン)(1,3−ジメシチル−4−イミダゾリン−2−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、((1−アザ−2−オキソシクロペンチル)メチレン)(1,3−ジメシチル−4−イミダゾリン−2−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、((カルバゾール−9−イル)メチレン)(1,3−ジメシチル−4−イミダゾリン−2−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、((2−(1−メチルエトキシ)−5−(N,N−ジメチルアミノスルホニル)フェニル)メチレン)(1,3−ジメシチルイミダゾリジン−2−イリデン)ルテニウムジクロリド、((2−(1−メチルエトキシ)−5−(トリフルオロアセトアミノ)フェニル)メチレン)(1,3−ビス(2,6−ジイソプロピルフェニル)イミダゾリジン−2−イリデン)ルテニウムジクロリド、ベンジリデン[1,3−ジ(1−フェニルエチル)−4−イミダゾリン−2−イリデン](トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、(1,3−ジイソプロピルヘキサヒドロピリミジン−2−イリデン)(エトキシメチレン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、ベンジリデン(1,3−ジメシチルヘキサヒドロピリミジン−2−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド等のヘテロ原子含有カルベン化合物と中性の電子供与性化合物が結合したルテニウムカルベン錯体;ベンジリデンビス(1,3−ジシクロヘキシル−4−イミダゾリン−2−イリデン)ルテニウムジクロリド、ベンジリデンビス(1,3−ジイソプロピル−4−イミダゾリン−2−イリデン)ルテニウムジクロリド等の2つのヘテロ原子含有カルベン化合物が結合したルテニウムカルベン錯体;等が挙げられる。 Examples of the ruthenium complex catalyst represented by the above formula (3) include benzylidene (1,3-dimesitymylimidazolidine-2-ylidene) (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, (1,3-dimesitylmimidazole). Lysine-2-ylidene) (3-methyl-2-buten-1-ylidene) (tricyclopentylphosphine) ruthenium dichloride, ((2- (1-methylethoxy) phenyl) methylene) (1,3-dimesitylimidazo Lysine-2-ylidene) ruthenium dichloride, benzylidene (1,3-dimesityrimimidazolidine-2-ylidene) bis (3-bromopyridine) ruthenium dichloride (3- (2-pyridinyl) propylidene) (1,3-di Mesitylimidazolidine-2-ylidene) ruthenium dichloride, benzili (1,3-dimesityl-octahydrobenzimidazol-2-ylidene) (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, (3-phenylindene-1-ylidene) (1,3-dimesityl-4-imidazoline-2-ylidene) (Tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, (2-thienylmethylene) (1,3-dimesityl-4-imidazoline-2-ylidene) (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, (2-thienylmethylene) (1,3-dimesityl- 4,5-dimethyl-4-imidazoline-2-ylidene) (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, (2-thienylmethylene) (1,3,4-triphenyl-4,5-dihydro-1H-1,2, 4-triazole-5-ylide ) (Tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, benzylidene (1,3-dimesityl-4-imidazoline-2-ylidene) (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, benzylidene (1,3-dimesityl-2,3-dihydrobenzimidazole-2) -Ylidene) (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, benzylidene (1,3,4-triphenyl-4,5-dihydro-1H-1,2,4-triazol-5-ylidene) (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, Benzylidene (4,5-dichloro-1,3-dimesityl-4-imidazoline-2-ylidene) (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, benzylidene (4,5-dibromo-1,3-dimesityl-4- Imidazoline-2-ylidene) (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, (3-phenylindene-1-ylidene) (1,3-dimesitylimidazolidine-2-ylidene) (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, (3- Phenylindene-1-ylidene) (1,3-dimesitylimidazolidin-2-ylidene) bis (pyridine) ruthenium dichloride, ((2- (1-acetylethoxy) phenyl) methylene) (1,3-dimesi Tyrimidazolidine-2-ylidene) ruthenium dichloride, (phenylthiomethylene) (1,3-dimesityrylimidazolidine-2-ylidene) (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, (phenylthiomethylene) (1,3-dimesityl) -4-Imidazoline- -Ylidene) (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, (ethylthiomethylene) (1,3-dimesityl-4-imidazoline-2-ylidene) (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, ((1-aza-2-oxocyclopentyl) Methylene) (1,3-dimesityl-4-imidazoline-2-ylidene) (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, ((carbazol-9-yl) methylene) (1,3-dimesityl-4-imidazoline-2-ylidene) (Tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, ((2- (1-methylethoxy) -5- (N, N-dimethylaminosulfonyl) phenyl) methylene) (1,3-dimesitylimidazolidin-2-ylidene) ruthenium Dichloride, (2- (1-methylethoxy) -5- (trifluoroacetoamino) phenyl) methylene) (1,3-bis (2,6-diisopropylphenyl) imidazolidin-2-ylidene) ruthenium dichloride, benzylidene [1, 3-di (1-phenylethyl) -4-imidazoline-2-ylidene] (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, (1,3-diisopropylhexahydropyrimidin-2-ylidene) (ethoxymethylene) (tricyclohexylphosphine) ruthenium A ruthenium carbene complex in which a heteroatom-containing carbene compound such as dichloride, benzylidene (1,3-dimesitylhexahydropyrimidin-2-ylidene) (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride and a neutral electron donating compound are bonded; Two heteroatom-containing carbene compounds such as benzylidenebis (1,3-dicyclohexyl-4-imidazoline-2-ylidene) ruthenium dichloride and benzylidenebis (1,3-diisopropyl-4-imidazoline-2-ylidene) ruthenium dichloride were bonded. Ruthenium carbene complex; and the like.
上記式(4)で表されるルテニウムカルベン錯体触媒としては、例えば、(フェニルビニリデン)(1,3−ジメシチルイミダゾリジン−2−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ルテニウムジクロリド、(t−ブチルビニリデン)(1,3−ジイソプロピル−4−イミダゾリン−2−イリデン)(トリシクロペンチルホスフィン)ルテニウムジクロリド、ビス(1,3−ジシクロヘキシル−4−イミダゾリン−2−イリデン)フェニルビニリデンルテニウムジクロリド等が挙げられる。 Examples of the ruthenium carbene complex catalyst represented by the above formula (4) include (phenylvinylidene) (1,3-dimesityrylimidazolidine-2-ylidene) (tricyclohexylphosphine) ruthenium dichloride, (t-butylvinylidene). ) (1,3-diisopropyl-4-imidazoline-2-ylidene) (tricyclopentylphosphine) ruthenium dichloride, bis (1,3-dicyclohexyl-4-imidazoline-2-ylidene) phenylvinylidene ruthenium dichloride, and the like.
メタセシス反応触媒の使用量は、触媒に対する単量体のモル比で、触媒:単量体=1:100〜1:2,000,000、好ましくは1:500〜1:1,000,000、より好ましくは1:1,000〜1:500,000である。触媒量が多すぎると触媒除去が困難となることがあり、少なすぎると十分な重合活性が得られないことがある。 The amount of the metathesis reaction catalyst used is the molar ratio of monomer to catalyst, catalyst: monomer = 1: 100 to 1: 2,000,000, preferably 1: 500 to 1: 1,000,000, More preferably, it is 1: 1,000-1: 500,000. If the amount of catalyst is too large, it may be difficult to remove the catalyst, and if it is too small, sufficient polymerization activity may not be obtained.
メタセシス反応触媒を用いる開環重合は、溶剤中または無溶剤で行なうことができる。重合反応終了後、生成した重合体を単離することなく、そのまま水素化反応を行う場合は、溶剤中で重合するのが好ましい。 Ring-opening polymerization using a metathesis reaction catalyst can be performed in a solvent or without a solvent. When the hydrogenation reaction is carried out as it is without isolating the produced polymer after completion of the polymerization reaction, the polymerization is preferably carried out in a solvent.
溶剤は生成する重合体を溶解し、かつ重合反応を阻害しない溶剤であれば特に限定されない。用いる溶剤としては、例えば、n−ペンタン、n−ヘキサン、n−ヘプタン等の脂肪族炭化水素;シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、トリメチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジエチルシクロヘキサン、デカヒドロナフタレン、ビシクロヘプタン、トリシクロデカン、ヘキサヒドロインデン、シクロオクタン等の脂環族炭化水素;ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素;ニトロメタン、ニトロベンゼン、アセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル等の含窒素系炭化水素;ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類;アセトン、エチルメチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン類;酢酸メチル、酢酸エチル、プロピオン酸エチル、安息香酸メチル等のエステル類;クロロホルム、ジクロロメタン、1,2−ジクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素;等が挙げられる。これらの中でも、芳香族炭化水素、脂環族炭化水素、エーテル類、ケトン類又はエステル類の使用が好ましい。 The solvent is not particularly limited as long as it dissolves the produced polymer and does not inhibit the polymerization reaction. Examples of the solvent used include aliphatic hydrocarbons such as n-pentane, n-hexane, and n-heptane; cyclopentane, cyclohexane, methylcyclohexane, dimethylcyclohexane, trimethylcyclohexane, ethylcyclohexane, diethylcyclohexane, decahydronaphthalene, and bicyclo Alicyclic hydrocarbons such as heptane, tricyclodecane, hexahydroindene and cyclooctane; aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene and mesitylene; nitrogen-containing compounds such as nitromethane, nitrobenzene, acetonitrile, propionitrile and benzonitrile Hydrocarbons; ethers such as diethyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, etc .; acetone, ethyl methyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, etc. Ketones; methyl acetate, ethyl acetate, ethyl propionate, methyl benzoate, chloroform, dichloromethane, 1,2-dichloroethane, chlorobenzene, dichlorobenzene, halogenated hydrocarbons such as chlorobenzene; and the like. Among these, the use of aromatic hydrocarbons, alicyclic hydrocarbons, ethers, ketones or esters is preferable.
溶剤中の単量体混合物の濃度は、好ましくは1〜50重量%、より好ましくは2〜45重量%、さらに好ましくは5〜40重量%である。単量体混合物の濃度が1重量%未満では重合体の生産性が悪くなることがあり、50重量%を超えると重合後の粘度が高すぎて、その後の水素化等が困難となることがある。 The concentration of the monomer mixture in the solvent is preferably 1 to 50% by weight, more preferably 2 to 45% by weight, and still more preferably 5 to 40% by weight. If the concentration of the monomer mixture is less than 1% by weight, the productivity of the polymer may be deteriorated. If it exceeds 50% by weight, the viscosity after polymerization may be too high, and subsequent hydrogenation and the like may be difficult. is there.
メタセシス反応触媒は溶剤に溶解して反応系に添加してもよいし、溶解させることなくそのまま添加してもよい。触媒溶液を調製する溶剤としては、前記重合反応に用いる溶剤と同様の溶剤が挙げられる。 The metathesis reaction catalyst may be dissolved in a solvent and added to the reaction system, or may be added as it is without being dissolved. Examples of the solvent for preparing the catalyst solution include the same solvents as those used for the polymerization reaction.
また、重合反応においては、重合体の分子量を調整するために分子量調整剤を反応系に添加することができる。分子量調整剤としては、1−ブテン、1−ペンテン、1−ヘキセン、1−オクテン等のα−オレフィン;1,4−ペンタジエン、1,5−ヘキサジエン、1,6−ヘプタジエン等のα,ω−ジオレフィン;スチレン、ビニルトルエン、ジビニルベンゼン等のスチレン類;エチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、アリルグリシジルエーテル等のエーテル類;アリルクロライド等のハロゲン含有ビニル化合物;酢酸アリル、アリルアルコール、グリシジルメタクリレート等酸素含有ビニル化合物;アクリロニトリル、アクリルアミド等の窒素含有ビニル化合物等を用いることができる。プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体(a)を含む単量体混合物に対して、分子量調整剤を0.05〜50モル%使用することにより、所望の分子量を有する重合体を得ることができる。 In the polymerization reaction, a molecular weight modifier can be added to the reaction system in order to adjust the molecular weight of the polymer. Examples of molecular weight modifiers include α-olefins such as 1-butene, 1-pentene, 1-hexene and 1-octene; α, ω- such as 1,4-pentadiene, 1,5-hexadiene and 1,6-heptadiene. Diolefins; Styrenes such as styrene, vinyltoluene and divinylbenzene; Ethers such as ethyl vinyl ether, isobutyl vinyl ether and allyl glycidyl ether; Halogen containing vinyl compounds such as allyl chloride; Oxygen containing vinyl such as allyl acetate, allyl alcohol and glycidyl methacrylate Compound; Nitrogen-containing vinyl compounds such as acrylonitrile and acrylamide can be used. A polymer having a desired molecular weight is obtained by using 0.05 to 50 mol% of a molecular weight modifier with respect to the monomer mixture containing the cyclic olefin monomer (a) having a protic polar group. Can do.
重合温度は特に制限はないが、通常、−100℃〜+200℃、好ましくは−50℃〜+180℃、より好ましくは−30℃〜+160℃、さらに好ましくは0℃〜+140℃である。重合時間は、通常1分から100時間であり、反応の進行状況に応じて適宜調節することができる。 The polymerization temperature is not particularly limited, but is usually −100 ° C. to + 200 ° C., preferably −50 ° C. to + 180 ° C., more preferably −30 ° C. to + 160 ° C., and further preferably 0 ° C. to + 140 ° C. The polymerization time is usually from 1 minute to 100 hours, and can be appropriately adjusted according to the progress of the reaction.
一方、付加重合体は、プロトン性極性基を有する環状オレフィン単量体(a)および必要に応じて用いられる共重合可能な単量体(b)を、公知の付加重合触媒、例えば、チタン、ジルコニウム又はバナジウム化合物と有機アルミニウム化合物とからなる触媒を用いて重合させて得ることができる。これらの重合触媒は、それぞれ単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。重合触媒の量は、重合触媒中の金属化合物:単量体のモル比で、通常、1:100〜1:2,000,000の範囲である。 On the other hand, the addition polymer comprises a cyclic olefin monomer having a protic polar group (a) and a copolymerizable monomer (b) used as required by a known addition polymerization catalyst such as titanium, It can be obtained by polymerization using a catalyst comprising a zirconium or vanadium compound and an organoaluminum compound. These polymerization catalysts can be used alone or in combination of two or more. The amount of the polymerization catalyst is a molar ratio of the metal compound to the monomer in the polymerization catalyst and is usually in the range of 1: 100 to 1: 2,000,000.
また、本発明で用いる環状オレフィン重合体(A1)が、開環重合体である場合には、さらに水素添加反応を行い、主鎖に含まれる炭素−炭素二重結合が水素添加された水素添加物とすることが好ましい。環状オレフィン重合体(A1)が水素添加物である場合における、水素化された炭素−炭素二重結合の割合(水素添加率)は、通常50%以上であり、耐熱性の観点から、70%以上であるのが好ましく、90%以上であるのがより好ましく、95%以上であるのがさらに好ましい。 Further, when the cyclic olefin polymer (A1) used in the present invention is a ring-opening polymer, a hydrogenation reaction is further performed, and hydrogenation in which carbon-carbon double bonds contained in the main chain are hydrogenated is performed. It is preferable to use a product. When the cyclic olefin polymer (A1) is a hydrogenated product, the ratio of hydrogenated carbon-carbon double bonds (hydrogenation rate) is usually 50% or more, and 70% from the viewpoint of heat resistance. Preferably, it is 90% or more, more preferably 95% or more.
水素添加物の水素添加率は、例えば、開環重合体の1H−NMRスペクトルにおける炭素−炭素二重結合に由来するピーク強度と、水素添加物の1H−NMRスペクトルにおける炭素−炭素二重結合に由来するピーク強度とを比較することにより求めることができる。Hydrogenation ratio of the hydrogenated product may, for example, carbon in the 1 H-NMR spectrum of the ring-opening polymer - a peak intensity derived from the carbon-carbon double bond, carbon in the 1 H-NMR spectrum of the hydrogenated product - carbon double It can obtain | require by comparing with the peak intensity derived from coupling | bonding.
水素添加反応は、例えば、水素化触媒の存在下に水素ガスを用いて、開環重合体の主鎖中の炭素−炭素二重結合を飽和単結合に変換することにより行なうことができる。 The hydrogenation reaction can be performed, for example, by converting a carbon-carbon double bond in the main chain of the ring-opening polymer into a saturated single bond using hydrogen gas in the presence of a hydrogenation catalyst.
用いる水素化触媒は、均一系触媒、不均一系触媒等、特に限定されず、オレフィン化合物の水素化に際して一般的に用いられているものを適宜使用することができる。 The hydrogenation catalyst to be used is not particularly limited, such as a homogeneous catalyst and a heterogeneous catalyst, and those generally used for hydrogenation of olefin compounds can be used as appropriate.
均一系触媒としては、例えば、酢酸コバルトとトリエチルアルミニウム、ニッケルアセチルアセトナートとトリイソブチルアルミニウム、チタノセンジクロリドとn−ブチルリチウムの組み合わせ、ジルコノセンジクロリドとsec−ブチルリチウム、テトラブトキシチタネートとジメチルマグネシウム等の遷移金属化合物とアルカリ金属化合物の組み合わせからなるチーグラー系触媒;前記開環メタセシス反応触媒の項で記述したルテニウムカルベン錯体触媒、クロロトリス(トリフェニルホスフィン)ロジウム、特開平7−2929号公報、特開平7−149823号公報、特開平11−109460号公報、特開平11−158256号公報、特開平11−193323号公報、特開平11−109460号公報等に記載されているルテニウム化合物からなる貴金属錯体触媒;等が挙げられる。 Examples of homogeneous catalysts include transitions such as cobalt acetate and triethylaluminum, nickel acetylacetonate and triisobutylaluminum, a combination of titanocene dichloride and n-butyllithium, zirconocene dichloride and sec-butyllithium, tetrabutoxytitanate and dimethylmagnesium, etc. Ziegler catalyst comprising a combination of a metal compound and an alkali metal compound; ruthenium carbene complex catalyst, chlorotris (triphenylphosphine) rhodium described in the above-mentioned ring-opening metathesis reaction catalyst, JP-A-7-2929, JP-A-7- 149823, JP-A-11-109460, JP-A-11-158256, JP-A-11-193323, JP-A-11-109460, etc. Noble metal complex catalyst consisting iodonium compounds; and the like.
不均一系触媒としては、例えば、ニッケル、パラジウム、白金、ロジウム、ルテニウム等の金属を、カーボン、シリカ、ケイソウ土、アルミナ、酸化チタン等の担体に担持させた水素化触媒が挙げられる。より具体的には、例えば、ニッケル/シリカ、ニッケル/ケイソウ土、ニッケル/アルミナ、パラジウム/カーボン、パラジウム/シリカ、パラジウム/ケイソウ土、パラジウム/アルミナ等を用いることができる。これらの水素化触媒は単独で、あるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。 Examples of the heterogeneous catalyst include a hydrogenation catalyst in which a metal such as nickel, palladium, platinum, rhodium, and ruthenium is supported on a carrier such as carbon, silica, diatomaceous earth, alumina, and titanium oxide. More specifically, for example, nickel / silica, nickel / diatomaceous earth, nickel / alumina, palladium / carbon, palladium / silica, palladium / diatomaceous earth, palladium / alumina and the like can be used. These hydrogenation catalysts can be used alone or in combination of two or more.
これらの中でも、開環重合体に含まれる官能基の変性等の副反応を起こすことなく、該重合体中の炭素−炭素二重結合を選択的に水素添加できる点から、ロジウム、ルテニウム等の貴金属錯体触媒およびパラジウム/カーボン等のパラジウム担持触媒の使用が好ましく、ルテニウムカルベン錯体触媒またはパラジウム担持触媒の使用がより好ましい。 Among these, rhodium, ruthenium, and the like from the point that the carbon-carbon double bond in the polymer can be selectively hydrogenated without causing side reactions such as modification of the functional group contained in the ring-opening polymer. The use of a noble metal complex catalyst and a palladium supported catalyst such as palladium / carbon is preferred, and the use of a ruthenium carbene complex catalyst or a palladium supported catalyst is more preferred.
上述したルテニウムカルベン錯体触媒は、開環メタセシス反応触媒および水素添加触媒として使用することができる。この場合には、開環メタセシス反応と水素添加反応を連続的に行なうことができる。 The ruthenium carbene complex catalyst described above can be used as a ring-opening metathesis reaction catalyst and a hydrogenation catalyst. In this case, the ring-opening metathesis reaction and the hydrogenation reaction can be performed continuously.
また、ルテニウムカルベン錯体触媒を使用して開環メタセシス反応と水素添加反応を連続的に行う場合、エチルビニルエーテル等のビニル化合物やα−オレフィン等の触媒改質剤を添加して該触媒を活性化させてから、水素添加反応を開始する方法も好ましく採用される。さらに、トリエチルアミン、N,N−ジメチルアセトアミド等の塩基を添加して活性を向上させる方法を採用するのも好ましい。 When a ring-opening metathesis reaction and a hydrogenation reaction are continuously performed using a ruthenium carbene complex catalyst, a vinyl compound such as ethyl vinyl ether or a catalyst modifier such as an α-olefin is added to activate the catalyst. Then, a method of starting the hydrogenation reaction is preferably employed. Furthermore, it is also preferable to employ a method of improving the activity by adding a base such as triethylamine or N, N-dimethylacetamide.
水素添加反応は、通常、有機溶剤中で行なわれる。有機溶剤としては、生成する水素化物の溶解性により適宜選択することができ、前記重合溶剤と同様の有機溶剤を使用することができる。したがって、重合反応後、溶剤を入れ替えることなく、反応液または該反応液からメタセシス反応触媒をろ別して得られるろ液に水素化触媒を添加して反応させることもできる。 The hydrogenation reaction is usually performed in an organic solvent. As an organic solvent, it can select suitably by the solubility of the hydride to produce | generate, The organic solvent similar to the said polymerization solvent can be used. Therefore, after the polymerization reaction, the hydrogenation catalyst can be added to the reaction solution or the filtrate obtained by filtering the metathesis reaction catalyst from the reaction solution without replacing the solvent.
水素添加反応の条件は、使用する水素化触媒の種類に応じて適宜選択すればよい。水素化触媒の使用量は、開環重合体100重量部に対して,通常0.01〜50重量部、好ましくは0.05〜20重量部、より好ましくは0.1〜10重量部である。反応温度は、通常−10℃〜+250℃、好ましくは0℃〜+240℃、より好ましくは20℃〜+230℃である。この範囲より低い温度では反応速度が遅くなり、逆に高い温度では副反応が起こりやすくなる。水素の圧力は、通常0.01〜10.0MPa、好ましくは0.05〜8.0MPa、より好ましくは0.1〜6.0MPaである。 The conditions for the hydrogenation reaction may be appropriately selected according to the type of hydrogenation catalyst used. The amount of the hydrogenation catalyst used is usually 0.01 to 50 parts by weight, preferably 0.05 to 20 parts by weight, more preferably 0.1 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the ring-opening polymer. . The reaction temperature is generally −10 ° C. to + 250 ° C., preferably 0 ° C. to + 240 ° C., more preferably 20 ° C. to + 230 ° C. At a temperature lower than this range, the reaction rate becomes slow. Conversely, at a high temperature, a side reaction tends to occur. The pressure of hydrogen is usually 0.01 to 10.0 MPa, preferably 0.05 to 8.0 MPa, more preferably 0.1 to 6.0 MPa.
水素添加反応の時間は、水素添加率を制御するために適宜選択される。反応時間は、通常0.1〜50時間の範囲であり、重合体中の主鎖の炭素−炭素二重結合のうち50%以上、好ましくは70%以上、より好ましくは90%以上、最も好ましくは95%以上を水素添加することができる。 The time for the hydrogenation reaction is appropriately selected in order to control the hydrogenation rate. The reaction time is usually in the range of 0.1 to 50 hours, and 50% or more, preferably 70% or more, more preferably 90% or more, most preferably, of the carbon-carbon double bonds of the main chain in the polymer. 95% or more can be hydrogenated.
また、本発明で使用するアクリル樹脂(A2)は、特に限定されないが、アクリル基を有するカルボン酸、アクリル基を有するカルボン酸無水物、またはエポキシ基含有アクリレート化合物およびオキセタン基含有アクリレート化合物から選ばれる少なくとも1つを必須成分とする単独重合体または共重合体が好ましい。なお、「アクリル基」は、置換アクリル基であってもよい。 The acrylic resin (A2) used in the present invention is not particularly limited, but is selected from carboxylic acid having an acrylic group, carboxylic acid anhydride having an acrylic group, or an epoxy group-containing acrylate compound and an oxetane group-containing acrylate compound. A homopolymer or copolymer having at least one essential component is preferred. The “acryl group” may be a substituted acrylic group.
アクリル基を有するカルボン酸の具体例としては、(メタ)アクリル酸〔アクリル酸および/またはメタクリル酸の意。以下、メチル(メタ)アクリレートなども同様。〕、クロトン酸、マイレン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、グルタコン酸、フタル酸モノ−(2−((メタ)アクリロイルオキシ)エチル)、N−(カルボキシフェニル)マレイミド、N−(カルボキシフェニル)(メタ)アクリルアミド等が挙げられる。
アクリル基を有するカルボン酸無水物の具体例としては、無水マレイン酸、シトラコン酸無水物等が挙げられる。
エポキシ基含有アクリレート化合物の具体例としては、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、α−エチルアクリル酸グリシジル、α−n−プロピルアクリル酸グリシジル、α−n−ブチルアクリル酸グリシジル、アクリル酸−3,4−エポキシブチル、メタクリル酸−3,4−エポキシブチル、アクリル酸−6,7−エポキシヘプチル、メタクリル酸−6,7−エポキシヘプチル、α−エチルアクリル酸−6,7−エポキシヘプチル、アクリル酸−3,4−エポキシシクロヘキシルメチル、メタクリル酸−3,4−エポキシシクロヘキシルメチル等が挙げられる。
オキセタン基含有アクリレート化合物の具体例としては、(メタ)アクリル酸(3−メチルオキセタン−3−イル)メチル、(メタ)アクリル酸(3−エチルオキセタン−3−イル)メチル、(メタ)アクリル酸(3−メチルオキセタン−3−イル)エチル、(メタ)アクリル酸(3−エチルオキセタン−3−イル)エチル、(メタ)アクリル酸(3−クロロメチルオキセタン−3−イル)メチル、(メタ)アクリル酸(オキセタン−2−イル)メチル、(メタ)アクリル酸(2−メチルオキセタン−2−イル)メチル、(メタ)アクリル酸(2−エチルオキセタン−2−イル)メチル、(1−メチル−1−オキセタニル−2−フェニル)−3−(メタ)アクリレート、(1−メチル−1−オキセタニル)−2−トリフロロメチル−3−(メタ)アクリレート、及び(1−メチル−1−オキセタニル)−4−トリフロロメチル−2−(メタ)アクリレート等が挙げられる。
これらのうち、(メタ)アクリル酸、無水マレイン酸、(メタ)アクリル酸グリシジル、メタクリル酸−6,7−エポキシヘプチル等が好ましい。Specific examples of the carboxylic acid having an acrylic group include (meth) acrylic acid [meaning acrylic acid and / or methacrylic acid. The same applies to methyl (meth) acrylate. ], Crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, glutaconic acid, phthalic acid mono- (2-((meth) acryloyloxy) ethyl), N- (carboxyphenyl) maleimide, N- (carboxyphenyl) ) (Meth) acrylamide and the like.
Specific examples of the carboxylic acid anhydride having an acrylic group include maleic anhydride and citraconic anhydride.
Specific examples of the epoxy group-containing acrylate compound include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, glycidyl α-ethyl acrylate, glycidyl α-n-propyl acrylate, glycidyl α-n-butyl acrylate, acrylate 3,4. -Epoxybutyl, methacrylic acid-3,4-epoxybutyl, acrylic acid-6,7-epoxyheptyl, methacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, α-ethylacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, acrylic acid- Examples include 3,4-epoxycyclohexylmethyl and 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate.
Specific examples of the oxetane group-containing acrylate compound include (meth) acrylic acid (3-methyloxetane-3-yl) methyl, (meth) acrylic acid (3-ethyloxetane-3-yl) methyl, and (meth) acrylic acid. (3-methyloxetane-3-yl) ethyl, (meth) acrylic acid (3-ethyloxetane-3-yl) ethyl, (meth) acrylic acid (3-chloromethyloxetane-3-yl) methyl, (meth) Acrylic acid (oxetane-2-yl) methyl, (meth) acrylic acid (2-methyloxetane-2-yl) methyl, (meth) acrylic acid (2-ethyloxetane-2-yl) methyl, (1-methyl- 1-oxetanyl-2-phenyl) -3- (meth) acrylate, (1-methyl-1-oxetanyl) -2-trifluoromethyl-3- (me ) Acrylate, and (1-methyl-1-oxetanyl) -4-trifluoromethyl-2- (meth) acrylate.
Of these, (meth) acrylic acid, maleic anhydride, glycidyl (meth) acrylate, methacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, and the like are preferable.
アクリル樹脂(A2)は、不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物およびエポキシ基含有不飽和化合物から選ばれる少なくとも一つと、その他のアクリレート系単量体またはアクリレート以外の共重合可能な単量体との共重合体であってもよい。 The acrylic resin (A2) is composed of at least one selected from unsaturated carboxylic acid, unsaturated carboxylic acid anhydride and epoxy group-containing unsaturated compound, and other acrylate monomers or copolymerizable monomers other than acrylate And a copolymer thereof.
その他のアクリレート系単量体としては、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、イソプロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、t−ブチル(メタ)アクリレート、アミル(メタ)アクリレート、イソアミル(メタ)アクリレート、ヘキシル(メタ)アクリレート、ヘプチル(メタ)アクリレート、オクチル(メタ)アクリレート、イソオクチル(メタ)アクリレート、エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ノニル(メタ)アクリレート、デシル(メタ)アクリレート、イソデシル(メタ)アクリレート、ウンデシル(メタ)アクリレート、ドデシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、イソステアリル(メタ)アクリレート等のアルキル(メタ)アクリレート;ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート等のヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート;フェノキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピル(メタ)アクリレート等のフェノキシアルキル(メタ)アクリレート;2−メトキシエチル(メタ)アクリレート、2−エトキシエチル(メタ)アクリレート、2−プロポキシエチル(メタ)アクリレート、2−ブトキシエチル(メタ)アクリレート、2−メトキシブチル(メタ)アクリレート等のアルコキシアルキル(メタ)アクリレート;ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、エトキシジエチレングリコール(メタ)アクリレート、メトキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、エトキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート、ノニルフェノキシポリプロピレングリコール(メタ)アクリレート等のポリアルキレングリコール(メタ)アクリレート;シクロヘキシル(メタ)アクリレート、2−メチルシクロヘキシル(メタ)アクリレート、4−ブチルシクロヘキシル(メタ)アクリレート、1−アダマンチル(メタ)アクリレート、2−メチル−2−アダマンチル(メタ)アクリレート、2−エチル−2−アダマンチル(メタ)アクリレート、トリシクロ[5.2.1.0 2,6 ]デカン−8−イル(メタ)アクリレート、トリシクロ[5.2.1.0 2,6 ]−3−デセン−8−イル(メタ)アクリレート、トリシクロ[5.2.1.0 2,6 ]−3−デセン−9−イル(メタ)アクリレート、ボルニル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート等のシクロアルキル(メタ)アクリレート;フェニル(メタ)アクリレート、ナフチル(メタ)アクリレート、ビフェニル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、5−テトラヒドロフルフリルオキシカルボニルペンチル( メタ) アクリレート、(メタ)アクリル酸ビニル、(メタ)アクリル酸アリル、(メタ)アクリル酸2−(2−ビニルオキシエトキシ)エチル、2−[トリシクロ[5.2.1.0 2,6 ]デカン−8−イルオキシ]エチル(メタ)アクリレート、2−[トリシクロ[5.2.1.0 2,6 ]−3−デセン−8−イルオキシ]エチル(メタ)アクリレート、2−[トリシクロ[5.2.1.0 2,6 ] −3−デセン−9−イルオキシ]エチル(メタ)アクリレート、γ−ブチロラクトン(メタ)アクリレート、マレイミド、N−メチルマレイミド、N−エチルマレイミド、N−ブチルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド、N−ベンジルマレイミド、N−フェニルマレイミド、N−(2,6−ジエチルフェニル)マレイミド、N−(4−アセチルフェニル) マレイミド、N −(4−ヒドロキシフェニル) マレイミド、N−(4−アセトキシフェニル)マレイミド、N−(4−ジメチルアミノ−3,5−ジニトロフェニル)マレイミド、N−(1−アニリノナフチル−4)マレイミド、N−[4−(2−ベンズオキサゾリル)フェニル]マレイミド、N−(9−アクリジニル マレイミド等;が挙げられる。
これらのなかでも、メチル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、2−メチルシクロヘキシル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、トリシクロ[5.2.1.0 2,6 ]デカン−8−イル(メタ)アクリレート、N−フェニルマレイミドおよびN−シクロヘキシルマレイミド等が好ましい。Other acrylate monomers include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, t-butyl ( (Meth) acrylate, amyl (meth) acrylate, isoamyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, ethylhexyl (meth) acrylate, nonyl (meth) Acrylate, decyl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, stearyl (meta Acrylate, alkyl (meth) acrylate such as isostearyl (meth) acrylate; hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, Hydroxyalkyl (meth) acrylates such as 3-hydroxybutyl (meth) acrylate and 4-hydroxybutyl (meth) acrylate; phenoxyalkyls such as phenoxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxy-3-phenoxypropyl (meth) acrylate ( (Meth) acrylate; 2-methoxyethyl (meth) acrylate, 2-ethoxyethyl (meth) acrylate, 2-propoxyethyl (meth) acrylate, 2-butoxyethyl (meth) Acrylate, alkoxyalkyl (meth) acrylate such as 2-methoxybutyl (meth) acrylate; polyethylene glycol mono (meth) acrylate, ethoxydiethylene glycol (meth) acrylate, methoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, phenoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, Polyalkylene glycol (meth) acrylates such as nonylphenoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) acrylate, methoxypolypropylene glycol (meth) acrylate, ethoxypolypropylene glycol (meth) acrylate, nonylphenoxypolypropylene glycol (meth) acrylate Cyclohexyl (meth) acrylate, 2- Methylcyclohexyl (meth) acrylate, 4-butylcyclohexyl (meth) acrylate, 1-adamantyl (meth) acrylate, 2-methyl-2-adamantyl (meth) acrylate, 2-ethyl-2-adamantyl (meth) acrylate, tricyclo [ 5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl (meth) acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] -3-decen-8-yl (meth) acrylate, tricyclo [5 .2.1.0 2,6 ] -3-decen-9-yl (meth) acrylate, bornyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate and other cycloalkyl (meth) acrylates; phenyl (meth) acrylate, naphthyl (Meth) acrylate, biphenyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acryl , Tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, 5-tetrahydrofurfuryloxycarbonylpentyl (meth) acrylate, vinyl (meth) acrylate, allyl (meth) acrylate, 2- (2-vinyloxy) (meth) acrylate Ethoxy) ethyl, 2- [tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yloxy] ethyl (meth) acrylate, 2- [tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] -3 -Decene-8-yloxy] ethyl (meth) acrylate, 2- [tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] -3-decen-9-yloxy] ethyl (meth) acrylate, γ-butyrolactone (meth) Acrylate, maleimide, N-methylmaleimide, N-ethylmaleimide, N-butylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, -Benzylmaleimide, N-phenylmaleimide, N- (2,6-diethylphenyl) maleimide, N- (4-acetylphenyl) maleimide, N- (4-hydroxyphenyl) maleimide, N- (4-acetoxyphenyl) maleimide N- (4-dimethylamino-3,5-dinitrophenyl) maleimide, N- (1-anilinonaphthyl-4) maleimide, N- [4- (2-benzoxazolyl) phenyl] maleimide, N- (9-acridinyl maleimide and the like).
Among these, methyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, 2-methylcyclohexyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 Decan-8-yl (meth) acrylate, N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide and the like are preferable.
アクリレート以外の共重合可能な単量体としては、上記アクリル基を有するカルボン酸、アクリル基を有するカルボン酸無水物またはエポキシ基含有アクリレート化合物と共重合可能な化合物ならば特に制限はないが、例えば、ビニルベンジルメチルエーテル、ビニルグリシジルエーテル、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、インデン、ビニルナフタレン、ビニルビフェニル、クロロスチレン、ブロモスチレン、クロロメチルスチレン、p−tert−ブトキシスチレン、p−ヒドロキシスチレン、p−ヒドロキシ−α−メチルスチレン、p−アセトキシスチレン、p−カルボキシスチレン、4−ヒドロキシフェニルビニルケトン、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、(メタ)アクリルアミド、1,2−エポキシ−4−ビニルシクロヘキサン、イソブテン、ノルボルネン、ブタジエン、イソプレン等のラジカル重合性化合物が挙げられる。
これらの化合物は、それぞれ単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
上記単量体の重合方法は、常法に従えばよく、例えば、懸濁重合法,乳化重合法,溶液重合法等が採用される。The copolymerizable monomer other than the acrylate is not particularly limited as long as it is a compound copolymerizable with the carboxylic acid having an acrylic group, a carboxylic acid anhydride having an acrylic group, or an epoxy group-containing acrylate compound. , Vinyl benzyl methyl ether, vinyl glycidyl ether, styrene, α-methyl styrene, vinyl toluene, indene, vinyl naphthalene, vinyl biphenyl, chlorostyrene, bromostyrene, chloromethyl styrene, p-tert-butoxystyrene, p-hydroxystyrene, p-hydroxy-α-methylstyrene, p-acetoxystyrene, p-carboxystyrene, 4-hydroxyphenyl vinyl ketone, acrylonitrile, methacrylonitrile, (meth) acrylamide, 1,2-epoxy-4-bi Examples include radically polymerizable compounds such as nylcyclohexane, isobutene, norbornene, butadiene, and isoprene.
These compounds may be used alone or in combination of two or more.
The monomer polymerization method may be in accordance with a conventional method, for example, a suspension polymerization method, an emulsion polymerization method, a solution polymerization method or the like is employed.
本発明で用いるカルド樹脂(A3)は、カルド構造、すなわち、環状構造を構成している4級炭素原子に二つの環状構造が結合した骨格構造、を有する樹脂である。カルド構造の一般的なものはフルオレン環にベンゼン環が結合したものである。
環状構造を構成している4級炭素原子に二つの環状構造が結合した骨格構造の具体例としては、フルオレン骨格、ビスフェノールフルオレン骨格、ビスアミノフェニルフルオレン骨格、エポキシ基を有するフルオレン骨格、アクリル基を有するフルオレン骨格等が挙げられる。
本発明で用いるカルド樹脂(A3)は、このカルド構造を有する骨格がそれに結合している官能基間の反応等により重合して形成される。カルド樹脂(A3)は、主鎖と嵩高い側鎖が一つの元素で繋がれた構造(カルド構造)をもち、主鎖に対してほぼ垂直方向に環状構造を有している。The cardo resin (A3) used in the present invention is a resin having a cardo structure, that is, a skeleton structure in which two cyclic structures are bonded to a quaternary carbon atom constituting the cyclic structure. A common cardo structure is a fluorene ring bonded to a benzene ring.
Specific examples of the skeleton structure in which two cyclic structures are bonded to a quaternary carbon atom constituting the cyclic structure include a fluorene skeleton, a bisphenol fluorene skeleton, a bisaminophenyl fluorene skeleton, a fluorene skeleton having an epoxy group, and an acrylic group. And a fluorene skeleton having the same.
The cardo resin (A3) used in the present invention is formed by polymerizing a skeleton having the cardo structure by a reaction between functional groups bonded thereto. The cardo resin (A3) has a structure (cardo structure) in which the main chain and bulky side chains are connected by one element, and has a ring structure in a direction substantially perpendicular to the main chain.
カルド構造の一例として、官能基としてアクリロイル基が結合したカルド構造の例を、下記式(5)に示す。
カルド構造を有する単量体は、例えば、ビス(グリシジルオキシフェニル)フルオレン型エポキシ樹脂;ビスフェノールフルオレン型エポキシ樹脂とアクリル酸との縮合物;9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)フルオレン等のカルド構造含有ビスフェノ−ル類;9,9−ビス(シアノメチル)フルオレン等の9,9−ビス(シアノアルキル)フルオレン類;9,9−ビス(3−アミノプロピル)フルオレン等の9,9−ビス(アミノアルキル)フルオレン類;等が挙げられる。
カルド樹脂(A3)は、カルド構造を有する単量体を重合して得られる重合体であるが、その他の共重合可能な単量体との共重合体であってもよい。
上記単量体の重合方法は、単量体が有する重合性の官能基の種類に応じて選択すればよく、例えば、開環重合法や付加重合法等が採用される。Monomers having a cardo structure include, for example, bis (glycidyloxyphenyl) fluorene type epoxy resin; condensate of bisphenol fluorene type epoxy resin and acrylic acid; 9,9-bis (4-hydroxyphenyl) fluorene, Cardio structure-containing bisphenols such as 9-bis (4-hydroxy-3-methylphenyl) fluorene; 9,9-bis (cyanoalkyl) fluorenes such as 9,9-bis (cyanomethyl) fluorene; -9,9-bis (aminoalkyl) fluorenes such as bis (3-aminopropyl) fluorene;
The cardo resin (A3) is a polymer obtained by polymerizing a monomer having a cardo structure, but may be a copolymer with other copolymerizable monomers.
The polymerization method of the monomer may be selected according to the type of polymerizable functional group possessed by the monomer. For example, a ring-opening polymerization method or an addition polymerization method is employed.
本発明で用いるポリシロキサン(A4)としては、特に限定されないが、好ましくは下記式(6)で表されるオルガノシランの1種または2種以上を混合、反応させることによって得られる重合体が挙げられる。
(R6)m−Si−(OR7)4−m (6)Although it does not specifically limit as polysiloxane (A4) used by this invention, Preferably the polymer obtained by mixing and making 1 type, or 2 or more types of the organosilane represented by following formula (6) mention is mentioned. It is done.
(R 6) m -Si- (OR 7) 4-m (6)
上記式(6)中、R6は水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数2〜10のアルケニル基、または炭素数6〜15のアリール基であり、複数のR6はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。なお、これらのアルキル基、アルケニル基、アリール基はいずれも置換基を有していてもよく、また置換基を有していない無置換体であってもよく、組成物の特性に応じて選択できる。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基、n−ヘキシル基、n−デシル基、トリフルオロメチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基、3−グリシドキシプロピル基、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基、3−アミノプロピル基、3−メルカプトプロピル基、3−イソシアネートプロピル基が挙げられる。アルケニル基の具体例としては、ビニル基、3−アクリロキシプロピル基、3−メタクリロキシプロピル基が挙げられる。アリール基の具体例としては、フェニル基、トリル基、p−ヒドロキシフェニル基、1−(p−ヒドロキシフェニル)エチル基、2−(p−ヒドロキシフェニル)エチル基、4−ヒドロキシ−5−(p−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ)ペンチル基、ナフチル基が挙げられる。In the above formula (6), R 6 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms or an aryl group having from 6 to 15 carbon atoms, each of a plurality of R 6 are the same Or different. These alkyl groups, alkenyl groups, and aryl groups may all have a substituent or may be an unsubstituted form having no substituent, and are selected according to the characteristics of the composition. it can. Specific examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, t-butyl group, n-hexyl group, n-decyl group, trifluoromethyl group, 2,2 , 2-trifluoroethyl group, 3,3,3-trifluoropropyl group, 3-glycidoxypropyl group, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl group, 3-aminopropyl group, 3-mercaptopropyl Group, 3-isocyanatopropyl group. Specific examples of the alkenyl group include a vinyl group, a 3-acryloxypropyl group, and a 3-methacryloxypropyl group. Specific examples of the aryl group include phenyl group, tolyl group, p-hydroxyphenyl group, 1- (p-hydroxyphenyl) ethyl group, 2- (p-hydroxyphenyl) ethyl group, 4-hydroxy-5- (p -Hydroxyphenylcarbonyloxy) pentyl group and naphthyl group.
また、上記式(6)中、R7は水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアシル基、または炭素数6〜15のアリール基であり、複数のR7はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。なお、これらのアルキル基、アシル基はいずれも置換基を有していてもよく、また置換基を有していない無置換体であってもよく、組成物の特性に応じて選択できる。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基が挙げられる。アシル基の具体例としては、アセチル基が挙げられる。アリール基の具体例としてはフェニル基が挙げられる。In the above formula (6), R 7 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an acyl group having 1 to 6 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 15 carbon atoms, and a plurality of R 7 are Each may be the same or different. In addition, both of these alkyl groups and acyl groups may have a substituent or may be an unsubstituted form having no substituent, and can be selected according to the characteristics of the composition. Specific examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, and an n-butyl group. Specific examples of the acyl group include an acetyl group. Specific examples of the aryl group include a phenyl group.
さらに、上記式(6)中、mは0〜3の整数であり、m=0の場合は4官能性シラン、m=1の場合は3官能性シラン、m=2の場合は2官能性シラン、m=3の場合は1官能性シランとなる。 Further, in the above formula (6), m is an integer of 0 to 3. When m = 0, tetrafunctional silane, when m = 1, trifunctional silane, when m = 2, bifunctional. When silane, m = 3, it is a monofunctional silane.
上記式(6)で表されるオルガノシランの具体例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラアセトキシシラン、テトラフェノキシシランなどの4官能性シラン;メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、メチルトリn−ブトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリn−ブトキシシラン、n−プロピルトリメトキシシラン、n−プロピルトリエトキシシラン、n−ブチルトリメトキシシラン、n−ブチルトリエトキシシラン、n−へキシルトリメトキシシラン、n−へキシルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、p−ヒドロキシフェニルトリメトキシシラン、1−(p−ヒドロキシフェニル)エチルトリメトキシシラン、2−(p−ヒドロキシフェニル)エチルトリメトキシシラン、4−ヒドロキシ−5−(p−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ)ペンチルトリメトキシシラン、トリフルオロメチルトリメトキシシラン、トリフルオロメチルトリエトキシシラン、3,3,3−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシランなどの3官能性シラン;ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジアセトキシシラン、ジn−ブチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシランなどの2官能性シラン;トリメチルメトキシシラン、トリn−ブチルエトキシシランなどの1官能性シラン;が挙げられる。
これらのオルガノシランのうち、得られる樹脂膜の耐クラック性や硬度の点から3官能性シランが好ましく用いられる。これらのオルガノシランは単独で使用しても、2種以上を組み合わせて使用してもよい。Specific examples of the organosilane represented by the above formula (6) include tetrafunctional silanes such as tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetraacetoxysilane, and tetraphenoxysilane; methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyl Triisopropoxysilane, methyltri-n-butoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, ethyltriisopropoxysilane, ethyltrin-butoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, n-propyltriethoxysilane, n-butyl Trimethoxysilane, n-butyltriethoxysilane, n-hexyltrimethoxysilane, n-hexyltriethoxysilane, decyltrimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, 3-methyl Acryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, p-hydroxyphenyltrimethoxysilane, 1- (p-hydroxyphenyl) ) Ethyltrimethoxysilane, 2- (p-hydroxyphenyl) ethyltrimethoxysilane, 4-hydroxy-5- (p-hydroxyphenylcarbonyloxy) pentyltrimethoxysilane, trifluoromethyltrimethoxysilane, trifluoromethyltriethoxy Silane, 3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimeth Trifunctional silanes such as silane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane; dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, dimethyldiacetoxysilane, di-n-butyldimethoxy And bifunctional silanes such as silane and diphenyldimethoxysilane; monofunctional silanes such as trimethylmethoxysilane and tri-n-butylethoxysilane.
Of these organosilanes, trifunctional silanes are preferably used from the viewpoint of crack resistance and hardness of the resulting resin film. These organosilanes may be used alone or in combination of two or more.
本発明で用いるポリシロキサン(A4)は、上述のオルガノシランを加水分解および部分縮合させることにより得られる。加水分解および部分縮合には一般的な方法を用いることができる。例えば、混合物に溶媒、水、必要に応じて触媒を添加し、加熱攪拌する。攪拌中、必要に応じて蒸留によって加水分解副生物(メタノールなどのアルコール)や縮合副生物(水)を留去してもよい。 The polysiloxane (A4) used in the present invention is obtained by hydrolyzing and partially condensing the organosilane described above. A general method can be used for hydrolysis and partial condensation. For example, a solvent, water, and a catalyst as necessary are added to the mixture, and the mixture is heated and stirred. During stirring, if necessary, hydrolysis by-products (alcohols such as methanol) and condensation by-products (water) may be distilled off by distillation.
本発明で用いるポリイミド(A5)は、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを反応させて得たポリイミド前駆体を熱処理することで得ることができる。ポリイミドを得るための前駆体としては、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリイソイミド、ポリアミド酸スルホンアミド等が挙げられる。
ポリイミド(A5)を得るための原料として使用できる酸二無水物としては、具体的には、ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2−ビス[3−[(3,4−ジカルボキシベンゾイル)アミノ]−4−ヒドロキシフェニル]ヘキサフルオロプロパン二無水物、1,1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,5,6−ピリジンテトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物等の芳香族テトラカルボン酸二無水物や、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物等の脂肪族のテトラカルボン酸二無水物等を挙げることができる。これらの酸二無水物は、単独または2種以上を組み合わせて使用できる。The polyimide (A5) used by this invention can be obtained by heat-processing the polyimide precursor obtained by making tetracarboxylic dianhydride and diamine react. Examples of the precursor for obtaining polyimide include polyamic acid, polyamic acid ester, polyisoimide, and polyamic acid sulfonamide.
Specific examples of the acid dianhydride that can be used as a raw material for obtaining the polyimide (A5) include pyromellitic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2 , 3,3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2 ′, 3,3′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride Anhydride, 2,2 ′, 3,3′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2-bis (2,3- Dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2-bis [3-[(3,4-dicarboxybenzoyl) amino] -4-hydroxyphenyl] hexafluoropropane dianhydride, 1,1-bis (3 4-dicarboxyphenyl ) Ethane dianhydride, 1,1-bis (2,3-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) Methane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,5,6-pyridinetetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride, 2 , 2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride and other aromatic tetracarboxylic dianhydrides, 1,2,3,4-butanetetracarboxylic dianhydride, 1,2 , 3 And the like 4-tetracarboxylic acid dianhydride aliphatic cyclopentane tetracarboxylic dianhydride. These acid dianhydrides can be used alone or in combination of two or more.
ポリイミド(A5)を得るための原料として使用できるジアミンの具体的な例としては、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、1,5−ナフタレンジアミン、2,6−ナフタレンジアミン、ビス(4−アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(3−アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス{4−(4−アミノフェノキシ)フェニル}エーテル、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’−ジエチル−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジエチル−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’,3,3’−テトラメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’,4,4’−テトラメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’−ジ(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニル;あるいはこれらの化合物の芳香族環にアルキル基やハロゲン原子で置換した化合物;脂肪族のシクロヘキシルジアミン、メチレンビスシクロヘキシルアミン、ビス[(3−アミノプロピル)ジメチルシリル]エーテル;2,4−ジアミノ安息香酸、2,5−ジアミノ安息香酸、3,5−ジアミノ安息香酸、4,6−ジアミノ−1,3−ベンゼンジカルボン酸、2,5−ジアミノ−1,4−ベンゼンジカルボン酸、ビス(4−アミノ−3−カルボキシフェニル)エーテル、ビス(4−アミノ−3,5−ジカルボキシフェニル)エーテル、ビス(4−アミノ−3−カルボキシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノ−3,5−ジカルボキシフェニル)スルホン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジカルボキシビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジカルボキシ−5,5’−ジメチルビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジカルボキシ−5,5’−ジメトキシビフェニル、1,4−ビス(4−アミノ−3−カルボキシフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノ−3−カルボキシフェノキシ)ベンゼン、ビス[4−(4−アミノ−3−カルボキシフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(4−アミノ−3−カルボキシフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノ−3−カルボキシフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン等のカルボキシル基を有するジアミン化合物;2,4−ジアミノフェノール、3,5−ジアミノフェノール、2,5−ジアミノフェノール、4,6−ジアミノレゾルシノール、2,5−ジアミノハイドロキノン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(4−アミノ−3,5−ジヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(4−アミノ−3,5−ジヒドロキシフェニル)メタン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノ−3,5−ジヒドロキシフェニル)スルホン、イソフタル酸ビス(2−ヒドロキシ−5−アミノアニリド)、2−(4−アミノベンゾイルアミノ)−4−アミノフェノール、2,2−ビス( 3−アミノ− 4−ヒドロキシフェニル) ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス( 4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル) ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3,5−ジヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシ−5,5’−ジメチルビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジヒドロキシ−5,5’−ジメトキシビフェニル、1,4−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、ビス[4−(3−アミノ−4−ヒドロキシフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−(3−アミノ−4−ヒドロキシフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(3−アミノ−4−ヒドロキシフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[N−(2−ヒドロキシ−5−アミノフェニル)ベンズアミド−4−イル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[3−[(3−アミノベンゾイル)アミノ]−4−ヒドロキシフェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[3−[(4−アミノベンゾイル)アミノ]−4−ヒドロキシフェニル]ヘキサフルオロプロパン等のフェノール性ヒドロキシ基を有するジアミン化合物;1,3−ジアミノ−4−メルカプトベンゼン、1,3−ジアミノ−5−メルカプトベンゼン、1,4−ジアミノ−2−メルカプトベンゼン、ビス(4−アミノ−3−メルカプトフェニル)エーテル、2,2−ビス(3−アミノ−4−メルカプトフェニル)ヘキサフルオロプロパン等のチオフェノール基を有するジアミン化合物;1,3−ジアミノベンゼン−4−スルホン酸、1,3−ジアミノベンゼン−5−スルホン酸、1,4−ジアミノベンゼン−2−スルホン酸、ビス(4−アミノベンゼン−3−スルホン酸)エーテル、4,4’−ジアミノビフェニル)3,3’−ジスルホン酸、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメチルビフェニル−6,6’−ジスルホン酸等のスルホン酸基を有するジアミン化合物;等が挙げられる。これらのジアミンは、単独又は2種以上を組み合わせて使用できる。 Specific examples of the diamine that can be used as a raw material for obtaining the polyimide (A5) include 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'- Diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,4'-diaminodiphenylsulfide, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 1,4-bis (4-aminophenoxy) Benzene, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 1,5-naphthalenediamine, 2,6-naphthalenediamine, bis (4-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis (3-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis (4- Aminophenoxy) biphenyl, {4- (4-aminophenoxy) phenyl} ether, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 2,2′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl, 2,2′-diethyl-4 , 4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-diethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2 ', 3,3'-tetramethyl- 4,4′-diaminobiphenyl, 3,3 ′, 4,4′-tetramethyl-4,4′-diaminobiphenyl, 2,2′-di (trifluoromethyl) -4,4′-diaminobiphenyl; or Compounds in which the aromatic ring of these compounds is substituted with an alkyl group or a halogen atom; aliphatic cyclohexyldiamine, methylenebiscyclohexylamine, bis [(3-aminopropyl) di Tylsilyl] ether; 2,4-diaminobenzoic acid, 2,5-diaminobenzoic acid, 3,5-diaminobenzoic acid, 4,6-diamino-1,3-benzenedicarboxylic acid, 2,5-diamino-1, 4-benzenedicarboxylic acid, bis (4-amino-3-carboxyphenyl) ether, bis (4-amino-3,5-dicarboxyphenyl) ether, bis (4-amino-3-carboxyphenyl) sulfone, bis ( 4-amino-3,5-dicarboxyphenyl) sulfone, 4,4′-diamino-3,3′-dicarboxybiphenyl, 4,4′-diamino-3,3′-dicarboxy-5,5′- Dimethylbiphenyl, 4,4′-diamino-3,3′-dicarboxy-5,5′-dimethoxybiphenyl, 1,4-bis (4-amino-3-carboxypheno) Xy) benzene, 1,3-bis (4-amino-3-carboxyphenoxy) benzene, bis [4- (4-amino-3-carboxyphenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (4-amino-3-) Diamine compounds having a carboxyl group such as carboxyphenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (4-amino-3-carboxyphenoxy) phenyl] hexafluoropropane; 2,4-diaminophenol, 3,5- Diaminophenol, 2,5-diaminophenol, 4,6-diaminoresorcinol, 2,5-diaminohydroquinone, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) ether, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) ether, Bis (4-amino-3,5-dihydroxyphenyl) ether, bis ( -Amino-4-hydroxyphenyl) methane, bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) methane, bis (4-amino-3,5-dihydroxyphenyl) methane, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) sulfone Bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) sulfone, bis (4-amino-3,5-dihydroxyphenyl) sulfone, bis (2-hydroxy-5-aminoanilide) isophthalate, 2- (4-aminobenzoyl) Amino) -4-aminophenol, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 2,2- Bis (4-amino-3,5-dihydroxyphenyl) hexafluoropropane, 4,4′- Diamino-3,3′-dihydroxybiphenyl, 4,4′-diamino-3,3′-dihydroxy-5,5′-dimethylbiphenyl, 4,4′-diamino-3,3′-dihydroxy-5,5 ′ -Dimethoxybiphenyl, 1,4-bis (3-amino-4-hydroxyphenoxy) benzene, 1,3-bis (3-amino-4-hydroxyphenoxy) benzene, 1,4-bis (4-amino-3- Hydroxyphenoxy) benzene, 1,3-bis (4-amino-3-hydroxyphenoxy) benzene, bis [4- (3-amino-4-hydroxyphenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-amino-4) -Hydroxyphenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (3-amino-4-hydroxyphenoxy) phenyl] hexafluoropropyl Bread, 2,2-bis [N- (2-hydroxy-5-aminophenyl) benzamido-4-yl] hexafluoropropane, 2,2-bis [3-[(3-aminobenzoyl) amino] -4- Diamine compounds having a phenolic hydroxy group such as hydroxyphenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [3-[(4-aminobenzoyl) amino] -4-hydroxyphenyl] hexafluoropropane; 1,3-diamino- 4-mercaptobenzene, 1,3-diamino-5-mercaptobenzene, 1,4-diamino-2-mercaptobenzene, bis (4-amino-3-mercaptophenyl) ether, 2,2-bis (3-amino- Diamine compounds having a thiophenol group such as 4-mercaptophenyl) hexafluoropropane; 1,3 Diaminobenzene-4-sulfonic acid, 1,3-diaminobenzene-5-sulfonic acid, 1,4-diaminobenzene-2-sulfonic acid, bis (4-aminobenzene-3-sulfonic acid) ether, 4,4 ′ -Diaminobiphenyl) 3,3'-disulfonic acid, diamine compounds having a sulfonic acid group such as 4,4'-diamino-3,3'-dimethylbiphenyl-6,6'-disulfonic acid; and the like. These diamines can be used alone or in combination of two or more.
本発明で用いるポリイミド(A5)は公知の方法によって合成される。すなわち、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを選択的に組み合わせ、これらをN−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホロトリアミド、γ−ブチロラクトン、シクロペンタノン等の極性溶媒中で反応させる等、公知の方法によって合成される。 The polyimide (A5) used in the present invention is synthesized by a known method. That is, a tetracarboxylic dianhydride and a diamine are selectively combined, and these are combined with N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, hexamethylphosphorotriamide, It is synthesized by a known method such as reacting in a polar solvent such as γ-butyrolactone or cyclopentanone.
ジアミンを過剰に用いて重合した際、生成したポリイミド(A5)の末端アミノ基にカルボン酸無水物を反応させ、末端アミノ基を保護することができる。また、テトラカルボン酸無水物を過剰に用いて重合した際、生成したポリイミド(A5)の末端酸無水物基にアミン化合物を反応させ、末端酸無水物基を保護することもできる。 When superposing | polymerizing using diamine excessively, a carboxylic anhydride can be made to react with the terminal amino group of the produced | generated polyimide (A5), and a terminal amino group can be protected. Moreover, when superposing | polymerizing using tetracarboxylic anhydride excessively, an amine compound can be made to react with the terminal acid anhydride group of the produced | generated polyimide (A5), and a terminal acid anhydride group can also be protected.
このようなカルボン酸無水物の例としてはフタル酸無水物、トリメリット酸無水物、無水マレイン酸、ナフタル酸無水物、水素化フタル酸無水物、メチル−5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物、無水イタコン酸、テトラヒドロフタル酸無水物等を、アミン化合物の例としてはアニリン、2−ヒドロキシアニリン、3−ヒドロキシアニリン、4−ヒドロキシアニリン、2−エチニルアニリン、3−エチニルアニリン、4−エチニルアニリン等を挙げることができる。 Examples of such carboxylic anhydrides include phthalic anhydride, trimellitic anhydride, maleic anhydride, naphthalic anhydride, hydrogenated phthalic anhydride, methyl-5-norbornene-2,3-dicarboxylic acid Examples of amine compounds include anhydrides, itaconic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride and the like. Examples of amine compounds include aniline, 2-hydroxyaniline, 3-hydroxyaniline, 4-hydroxyaniline, 2-ethynylaniline, 3-ethynylaniline, 4- And ethynylaniline.
本発明で使用されるバインダー樹脂(A)の重量平均分子量(Mw)は、通常、1,000〜1,000,000、好ましくは1,500〜100,000、より好ましくは2,000〜10,000の範囲である。
また、バインダー樹脂(A)の分子量分布は、重量平均分子量/数平均分子量(Mw/Mn)比で、通常、4以下、好ましくは3以下、より好ましくは2.5以下である。
バインダー樹脂(A)の重量平均分子量(Mw)や分子量分布(Mw/Mn)は、テトラヒドロフラン等の溶媒を溶離液としたゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)により、ポリスチレン換算値として求められる値である。The weight average molecular weight (Mw) of the binder resin (A) used in the present invention is usually 1,000 to 1,000,000, preferably 1,500 to 100,000, more preferably 2,000 to 10. , 000.
The molecular weight distribution of the binder resin (A) is usually 4 or less, preferably 3 or less, and more preferably 2.5 or less, as a weight average molecular weight / number average molecular weight (Mw / Mn) ratio.
The weight average molecular weight (Mw) and the molecular weight distribution (Mw / Mn) of the binder resin (A) are values obtained as polystyrene equivalent values by gel permeation chromatography (GPC) using a solvent such as tetrahydrofuran as an eluent. It is.
(シラン変性樹脂(B))
本発明で用いるシラン変性樹脂(B)は、樹脂部とシラン化合物部とを、これらが互いに化学的に結合された状態で有しているものである。(Silane modified resin (B))
The silane-modified resin (B) used in the present invention has a resin part and a silane compound part in a state where they are chemically bonded to each other.
シラン変性樹脂(B)の樹脂部を構成する材料としては、特に限定されないが、シラン化合物部と化学的に結合可能な官能基を有する高分子材料が好ましい。このような高分子材料としては、特に限定されないが、たとえば、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミック酸、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂などが挙げられる。これらのなかでも、本発明の効果がより一層顕著になるという点より、ポリアミック酸、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、及びフェノール樹脂が好ましい。また、シラン化合物部と結合可能な官能基としては、特に限定されないが、たとえば、水酸基、アミノ基、チオール基、カルボン酸基、酸無水物基、エポキシ基、アミド基、イミド基などが挙げられ、シラン化合物との反応性の観点より、水酸基、カルボン酸基または酸無水物基が好ましい。 Although it does not specifically limit as a material which comprises the resin part of a silane modified resin (B), The polymeric material which has a functional group which can be couple | bonded chemically with a silane compound part is preferable. Such a polymer material is not particularly limited, and examples thereof include polyester, polyamide, polyimide, polyamic acid, epoxy resin, acrylic resin, urethane resin, and phenol resin. Among these, polyamic acid, epoxy resin, acrylic resin, and phenol resin are preferable from the viewpoint that the effect of the present invention becomes more remarkable. The functional group that can be bonded to the silane compound part is not particularly limited, and examples thereof include a hydroxyl group, an amino group, a thiol group, a carboxylic acid group, an acid anhydride group, an epoxy group, an amide group, and an imide group. From the viewpoint of reactivity with the silane compound, a hydroxyl group, a carboxylic acid group or an acid anhydride group is preferred.
シラン変性樹脂(B)のシラン化合物部を構成するケイ素化合物としては、特に限定されないが、たとえば、下記式(7)で表されるケイ素化合物及び/又は下記式(7)で表されるケイ素化合物の部分加水分解縮合物が挙げられ、本発明の効果がより一層顕著になるという点より、特に、式(7)で表されるケイ素化合物を部分加水分解して得ることができる、下記式(8)で表されるケイ素化合物が好ましい。
(R8)r−Si−(OR9)4−r (7)
(R 8) r -Si- (OR 9) 4-r (7)
上記式(7)中、rは0〜3の整数である。R8は、炭素原子に直接結合した官能基を有していてもよい炭素数1〜10のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、または炭素数2〜10の不飽和脂肪族基であり、R8が複数である場合には、複数のR8は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。また、R9は、水素原子、または炭素原子に直接結合した官能基を有していてもよい炭素数1〜10のアルキル基であり、R9が複数である場合には、複数のR9は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。また、R8、R9を構成する、炭素原子に直接結合した官能基としては、水酸基、エポキシ基、ハロゲン基、メルカプト基、カルボキシル基、メタクリロキシ基が挙げられる。
また、上記式(8)中、pは0または1である。qは、2〜10の整数である。In said formula (7), r is an integer of 0-3. R 8 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or an unsaturated aliphatic group having 2 to 10 carbon atoms, which may have a functional group directly bonded to a carbon atom. There, when R 8 is plural, a plurality of R 8 may be different from one another respectively the same. Also, R 9 is a hydrogen atom or a directly bonded to an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may have a functional group to a carbon atom, when R 9 is plural, a plurality of R 9 May be the same or different. Further, examples of the functional group directly constituting R 8 and R 9 and bonded to a carbon atom include a hydroxyl group, an epoxy group, a halogen group, a mercapto group, a carboxyl group, and a methacryloxy group.
In the above formula (8), p is 0 or 1. q is an integer of 2 to 10.
R8、R9を構成する、炭素原子に直接結合した官能基を有していてもよい炭素数1〜10のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、i−ペンチル基、sec−ペンチル基、n−ヘキシル基、i−ヘキシル基、sec−ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、3−クロロプロピル基、3−グリシドキシプロピル基、エポキシプロピル基、3−メタクリルオキシプロピル基、3−メルカプトプロピル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基などが挙げられる。
R8を構成する、炭素原子に直接結合した官能基を有していてもよい炭素数6〜20のアリール基の具体例としては、フェニル基、トルイル基、p−ヒドロキシフェニル基、1−(p−ヒドロキシフェニル)エチル基、2−(p−ヒドロキシフェニル)エチル基、4−ヒドロキシ−5−(p−ヒドロキシフェニルカルボニルオキシ)ペンチル基、ナフチル基などが挙げられる。
また、R8を構成する、炭素原子に直接結合した官能基を有していてもよい炭素数1〜10の不飽和脂肪族基の具体例としては、ビニル基、3−アクリロキシプロピル基、3−メタクリロキシプロピル基などが挙げられる。Specific examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms that may have a functional group directly bonded to a carbon atom constituting R 8 and R 9 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, i -Propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, i-pentyl group, sec-pentyl group, n-hexyl group, i-hexyl group, sec -Hexyl, cyclopentyl, cyclohexyl, cycloheptyl, 3-chloropropyl, 3-glycidoxypropyl, epoxypropyl, 3-methacryloxypropyl, 3-mercaptopropyl, 3,3,3 -A trifluoropropyl group etc. are mentioned.
Specific examples of the aryl group having 6 to 20 carbon atoms which may have a functional group directly bonded to a carbon atom constituting R 8 include a phenyl group, a toluyl group, a p-hydroxyphenyl group, 1- ( Examples include p-hydroxyphenyl) ethyl group, 2- (p-hydroxyphenyl) ethyl group, 4-hydroxy-5- (p-hydroxyphenylcarbonyloxy) pentyl group, naphthyl group and the like.
Specific examples of the unsaturated aliphatic group having 1 to 10 carbon atoms that may have a functional group directly bonded to a carbon atom constituting R 8 include a vinyl group, a 3-acryloxypropyl group, Examples include a 3-methacryloxypropyl group.
このようなケイ素化合物の具体例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラi−プロポキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラi−ブトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、n−プロピルトリメトキシシラン、i−プロピルトリメトキシシラン、3−クロロプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、n−プロピルトリエトキシシラン、i−プロピルトリエトキシシラン、3−クロロプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシラン、メチルトリi−プロポキシシラン、エチルトリi−プロポキシシラン、n−プロピルトリi−プロポキシシラン、i−プロピルトリi−プロポキシシラン、3−クロロプロピルトリi−プロポキシシラン、ビニルトリi−プロポキシシラン、フェニルトリi−プロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、エチルトリブトキシシラン、n−プロピルトリブトキシシラン、i−プロピルトリブトキシシラン、3−クロロプロピルトリブトキシシラン、ビニルトリブトキシシラン、フェニルトリブトキシシラン、3,3,3−トリフルオロトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メチルトリグリシドキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3,4−エポキシシクロヘキシルトリメトキシシラン、3,3,3−トリフルオロトリエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、3,4−エポキシシクロヘキシルトリエトキシシラン、3,3,3−トリフルオロトリi−プロポキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリi−プロポキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリi−プロポキシシラン、3−メルカプトプロピルトリi−プロポキシシラン、3,4−エポキシシクロヘキシルトリi−プロポキシシラン、3,3,3−トリフルオロトリブトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリブトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリブトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリブトキシシラン、3,4−エポキシシクロヘキシルトリブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン等が挙げられ、これらは、部分加水分解縮合物として使用することが好ましい。これらは1種単独で、または2種以上を併用することができる。 Specific examples of such silicon compounds include tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetrapropoxysilane, tetra i-propoxysilane, tetrabutoxysilane, tetra i-butoxysilane, methyltrimethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, n -Propyltrimethoxysilane, i-propyltrimethoxysilane, 3-chloropropyltrimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltriethoxysilane, n-propyltriethoxysilane, i- Propyltriethoxysilane, 3-chloropropyltriethoxysilane, vinyltriethoxysilane, phenyltriethoxysilane, methyltri-i-propoxysilane, ethyltri-i-propoxysilane, n-propyl Pyrtri i-propoxy silane, i-propyl tri i-propoxy silane, 3-chloropropyl tri i-propoxy silane, vinyl tri i-propoxy silane, phenyl tri i-propoxy silane, methyl tributoxy silane, ethyl tributoxy silane, n- Propyltributoxysilane, i-propyltributoxysilane, 3-chloropropyltributoxysilane, vinyltributoxysilane, phenyltributoxysilane, 3,3,3-trifluorotrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, Methyltriglycidoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3,4-epoxycyclohexyltrimethoxysilane, 3,3,3-trifluoro Triethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, 3-mercaptopropyltriethoxysilane, 3,4-epoxycyclohexyltriethoxysilane, 3,3,3-trifluorotrii -Propoxysilane, 3-methacryloxypropyltri-i-propoxysilane, 3-glycidoxypropyltri-i-propoxysilane, 3-mercaptopropyltri-i-propoxysilane, 3,4-epoxycyclohexyltri-i-propoxysilane, 3, , 3,3-trifluorotributoxysilane, 3-methacryloxypropyltributoxysilane, 3-glycidoxypropyltributoxysilane, 3-mercaptopropyltributoxysilane, 3,4-epoxycyclohexyl Ributoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, diethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane and the like can be mentioned, and these are preferably used as a partial hydrolysis condensate. These can be used alone or in combination of two or more.
また、シラン化合物部が、ケイ素化合物の部分加水分解縮合物である場合には、上述したケイ素化合物を部分加水分解して得られる部分縮合物をそのまま用いてもよいし、あるいは、得られた部分縮合物の一部を、エポキシ基、ハロゲン基、メルカプト基、カルボキシル基、またはメタクリロキシ基などの官能基を有するアルコールを用いて、脱アルコール反応を行わせることにより、置換したものを用いてもよい。上述したケイ素化合物を部分加水分解して得られる部分縮合物を、このような官能基を有するアルコールを用いて置換することにより、このような官能基を有する部分加水分解縮合物を簡便に得ることができる。 Further, when the silane compound part is a partial hydrolysis condensate of a silicon compound, the partial condensate obtained by partial hydrolysis of the above-described silicon compound may be used as it is, or the obtained part A part of the condensate may be substituted by causing a dealcoholization reaction using an alcohol having a functional group such as an epoxy group, a halogen group, a mercapto group, a carboxyl group, or a methacryloxy group. . A partial hydrolysis condensate having such a functional group can be easily obtained by substituting the partial condensate obtained by partial hydrolysis of the above-described silicon compound with an alcohol having such a functional group. Can do.
上述した樹脂部とシラン化合物部とを化学的に結合させ、シラン変性樹脂(B)を得る方法としては、特に限定されないが、たとえば、樹脂部に水酸基を有する高分子材料を用い、シラン化合物部のアルコキシル基と脱アルコール反応させることにより、樹脂部とシラン化合物部とを化学的に結合させる方法が挙げられる。あるいは、樹脂部にカルボン酸基または酸無水物基を有する高分子材料を用い、シラン化合物部に、グリシジルオキシ基を有する化合物を用い、これらを付加反応させる方法や、オキシラン環を開環させて、開環エステル化反応を起こさせる方法なども挙げられる。また樹脂部とシラン化合物部とを化学的に結合させた後に、樹脂部を重合させることにより、樹脂部を高分子量化する事もできる。なお、この場合には、シラン化合物部と化学的に結合させる材料として、低分子有機材料を用い、低分子有機材料とシラン化合物部とを化学的に結合させた後に、低分子有機材料を重合して、高分子量化する方法を採用することもできる。 The method of chemically bonding the resin part and the silane compound part to obtain the silane-modified resin (B) is not particularly limited. For example, a polymer material having a hydroxyl group in the resin part is used, and the silane compound part is obtained. A method of chemically bonding the resin part and the silane compound part by subjecting the alkoxyl group to a dealcoholization reaction is mentioned. Alternatively, a polymer material having a carboxylic acid group or an acid anhydride group is used for the resin part, a compound having a glycidyloxy group is used for the silane compound part, and these are subjected to an addition reaction, or the oxirane ring is opened. And a method of causing a ring-opening esterification reaction. Further, after the resin part and the silane compound part are chemically bonded, the resin part can be polymerized to polymerize the resin part. In this case, a low molecular organic material is used as a material to be chemically bonded to the silane compound portion, and after the low molecular organic material and the silane compound portion are chemically bonded, the low molecular organic material is polymerized. Thus, a method of increasing the molecular weight can also be adopted.
たとえば、上記方法のうち、脱アルコール反応によれば、樹脂部を構成する材料と、シラン化合物部を構成する材料とを仕込み、加熱し、生成するアルコールを留去しながらエステル交換反応を行うことにより、シラン変性樹脂(B)を得ることができる。反応温度は、通常、70〜150℃、好ましくは80〜130℃であり、全反応時間は通常2〜15時間である。反応温度が低すぎると、効率的にアルコールを留去できず、また、反応温度が高すぎると、シラン化合物部を構成する材料の硬化縮合が開始されてしまう場合がある。 For example, among the above methods, according to the dealcoholization reaction, the material constituting the resin part and the material constituting the silane compound part are charged, heated, and the transesterification reaction is performed while distilling off the generated alcohol. Thus, a silane-modified resin (B) can be obtained. The reaction temperature is usually 70 to 150 ° C., preferably 80 to 130 ° C., and the total reaction time is usually 2 to 15 hours. If the reaction temperature is too low, the alcohol cannot be distilled off efficiently, and if the reaction temperature is too high, curing condensation of the material constituting the silane compound part may be initiated.
また、上記の脱アルコール反応に際しては、反応促進のために従来公知のエステルと水酸基のエステル交換触媒を使用することができる。エステル交換触媒としては、例えば、酢酸、パラトルエンスルホン酸、安息香酸、プロピオン酸などの有機酸やリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、亜鉛、アルミニウム、チタン、コバルト、ゲルマニウム、錫、鉛、アンチモン、砒素、セリウム、硼素、カドミウム、マンガンのような金属、これらの酸化物、有機酸塩、ハロゲン化物、アルコキシド等があげられる。これらのなかでも、金属の有機酸塩及び有機酸を用いることが好ましく、特に有機錫、有機酸錫が好ましい。具体的には、酢酸、オクチル酸錫、ジブチル錫ジラウレートが好ましい。 In the above dealcoholization reaction, a conventionally known ester-hydroxyl ester exchange catalyst can be used for promoting the reaction. Examples of the transesterification catalyst include organic acids such as acetic acid, p-toluenesulfonic acid, benzoic acid, and propionic acid, lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, magnesium, calcium, barium, strontium, zinc, aluminum, titanium, and cobalt. And metals such as germanium, tin, lead, antimony, arsenic, cerium, boron, cadmium and manganese, oxides thereof, organic acid salts, halides and alkoxides. Of these, metal organic acid salts and organic acids are preferably used, and organic tin and organic acid tin are particularly preferable. Specifically, acetic acid, tin octylate, and dibutyltin dilaurate are preferable.
また、脱アルコール反応は、有機溶剤中でも無溶剤でも行うことができる。有機溶剤としては、樹脂部を構成する材料、及びシラン化合物部を構成する材料を溶解する有機溶剤であれば特に制限はないが、たとえば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ジエチレングリコールメチルエチルエーテルなどの沸点が75℃以上の非プロトン性極性溶媒を用いることが好ましい。 Further, the dealcoholization reaction can be carried out in an organic solvent or without a solvent. The organic solvent is not particularly limited as long as it is a material constituting the resin part and an organic solvent that dissolves the material constituting the silane compound part. For example, dimethylformamide, dimethylacetamide, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, diethylene glycol methyl ethyl ether It is preferable to use an aprotic polar solvent having a boiling point of 75 ° C. or higher.
あるいは、上記方法のうち、開環エステル化反応によれば、樹脂部を構成する材料と、シラン化合物部を構成する材料とを仕込み、加熱することで、開環エステル化反応を起こさせることにより、シラン変性樹脂(B)を得ることができる。反応温度は、通常、40〜130℃、好ましくは70〜110℃であり、全反応時間は通常1〜7時間である。反応温度が低すぎると、反応時間が長くなり、また、反応温度が高すぎると、シラン化合物部を構成する材料の硬化縮合が開始されてしまう場合がある。 Alternatively, among the methods described above, according to the ring-opening esterification reaction, the material constituting the resin part and the material constituting the silane compound part are charged and heated to cause the ring-opening esterification reaction. A silane-modified resin (B) can be obtained. The reaction temperature is usually 40 to 130 ° C., preferably 70 to 110 ° C., and the total reaction time is usually 1 to 7 hours. If the reaction temperature is too low, the reaction time becomes long. If the reaction temperature is too high, curing condensation of the material constituting the silane compound part may be started.
開環エステル化反応においては、反応を促進するための触媒を使用することができる。触媒としては、たとえば、1,8−ジアザ−ビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール等の三級アミン類;2−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、ベンズイミダゾール等のイミダゾール類;トリブチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン、ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィンなどの有機ホスフィン類;テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボーレート、2−エチル−4−メチルイミダゾール・テトラフェニルボーレート、N−メチルモルホリン・テトラフェニルボーレート等のテトラフェニルボロン塩等を挙げることができる。 In the ring-opening esterification reaction, a catalyst for promoting the reaction can be used. Examples of the catalyst include three compounds such as 1,8-diaza-bicyclo [5.4.0] -7-undecene, triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol, and tris (dimethylaminomethyl) phenol. Secondary amines; imidazoles such as 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-heptadecylimidazole, benzimidazole; tributylphosphine, methyldiphenylphosphine, triphenylphosphine, diphenylphosphine, Organic phosphines such as phenylphosphine; tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, 2-ethyl-4-methylimidazole tetraphenylborate, N-methylmorpholine Tetraphenyl boron salts such as La phenyl borate, and the like.
また、開環エステル化反応は、有機溶剤の存在下で行うことが好ましく、有機溶剤としては、樹脂部を構成する材料、及びシラン化合物部を構成する材料を溶解する有機溶剤であれば特に制限はないが、例えば、N−メチル−2−ピロリドンやジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、シクロヘキサノンなどが使用できる。 Further, the ring-opening esterification reaction is preferably performed in the presence of an organic solvent. The organic solvent is not particularly limited as long as it is an organic solvent that dissolves the material constituting the resin part and the material constituting the silane compound part. For example, N-methyl-2-pyrrolidone, dimethylformamide, dimethylacetamide, cyclohexanone and the like can be used.
本発明で用いるシラン変性樹脂(B)の樹脂部とシラン化合物部との比率は、「樹脂部:シラン化合物部」の重量比で、好ましくは1:50〜50:1であり、より好ましくは1:10〜10:1である。樹脂部とシラン化合物部との比率を上記範囲とすることにより、本発明の効果がより一層顕著になるため好ましい。 The ratio of the resin part and the silane compound part of the silane-modified resin (B) used in the present invention is a weight ratio of “resin part: silane compound part”, preferably 1:50 to 50: 1, more preferably. 1:10 to 10: 1. By making the ratio of the resin part and the silane compound part within the above range, the effect of the present invention becomes more remarkable, which is preferable.
本発明の樹脂組成物中におけるシラン変性樹脂(B)の含有量は、後述する酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)の含有量との関係で決定すればよいが、バインダー樹脂(A)100重量部に対して、好ましくは1〜100重量部、より好ましくは2〜50重量部、さらに好ましくは5〜40重量部である。シラン変性樹脂(B)の含有量が少なすぎると、現像によるパターン形成性が低下し、特に、現像パターン幅を細くした場合における、現像パターンの密着性が低下するおそれがある。一方、多すぎると、現像によるパターン形成性、特に、焼成時のホール形状が悪化するおそれがある。 The content of the silane-modified resin (B) in the resin composition of the present invention may be determined in relation to the content of the compound (C) having an acidic group or a thermal latent acidic group, which will be described later. (A) Preferably it is 1-100 weight part with respect to 100 weight part, More preferably, it is 2-50 weight part, More preferably, it is 5-40 weight part. If the content of the silane-modified resin (B) is too small, the pattern formability by development is lowered, and in particular, when the development pattern width is narrowed, the adhesion of the development pattern may be lowered. On the other hand, if it is too much, there is a possibility that the pattern formability by development, particularly the hole shape at the time of firing, is deteriorated.
(酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C))
本発明で用いる酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)は、酸性基または加熱により酸性基を生じる熱潜在性酸性基を有するものであればよく、特に限定されないが、好ましくは脂肪族化合物、芳香族化合物、複素環化合物であり、さらに好ましくは芳香族化合物、複素環化合物である。
これらの酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)は、それぞれ単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。(Compound (C) having an acidic group or a thermal latent acidic group)
The compound (C) having an acidic group or a heat-latent acidic group used in the present invention is not particularly limited as long as it has an acid group or a heat-latent acidic group that generates an acidic group by heating. Group compounds, aromatic compounds and heterocyclic compounds, more preferably aromatic compounds and heterocyclic compounds.
These compounds (C) having an acidic group or a heat-latent acidic group can be used alone or in combination of two or more.
酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)の酸性基及び熱潜在性酸性基の数は、特に限定されないが、合計で2つ以上の酸性基及び/又は熱潜在性酸性基を有するものが好ましい。酸性基は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
酸性基としては、酸性の官能基であればよく、その具体例としては、スルホン酸基、リン酸基等の強酸性基;カルボキシ基、チオール基およびカルボキシメチレンチオ基等の弱酸性基;が挙げられる。これらの中でも、カルボキシ基、チオール基またはカルボキシメチレンチオ基が好ましく、カルボキシ基が特に好ましい。また、これらの酸性基の中でも、酸解離定数pKaが3.5以上5.0以下の範囲にあるものが好ましい。なお、酸性基が2つ以上ある場合は第一解離定数pKa1を酸解離定数とし、第一解離定数pKa1が上記範囲にあるものが好ましい。また、pKaは、希薄水溶液条件下で、酸解離定数Ka=[H3O+][B−]/[BH]を測定し、pKa=−logKaにしたがって、求められる。ここでBHは、有機酸を表し、B−は有機酸の共役塩基を表す。
なお、pKaの測定方法は、例えばpHメータを用いて水素イオン濃度を測定し、該当物質の濃度と水素イオン濃度から算出することができる。
また、熱潜在性酸性基としては、加熱により酸性の官能基を生じる基であればよく、その具体例としては、スルホニウム塩基、ベンゾチアゾリウム塩基、アンモニウム塩基、ホスホニウム塩基、ブロックカルボン酸基等が挙げられる。これらの中でも、ブロックカルボン酸基が好ましい。なお、ブロックカルボン酸基を得るために用いられるカルボキシ基のブロック化剤は特に限定されないが、ビニルエーテル化合物であることが好ましい。The number of acidic groups and thermal latent acidic groups of the compound (C) having an acidic group or thermal latent acidic group is not particularly limited, but it has two or more acidic groups and / or thermal latent acidic groups in total. Those are preferred. The acidic groups may be the same as or different from each other.
The acidic group may be any acidic functional group, and specific examples thereof include strongly acidic groups such as sulfonic acid group and phosphoric acid group; weak acidic groups such as carboxy group, thiol group and carboxymethylenethio group; Can be mentioned. Among these, a carboxy group, a thiol group, or a carboxymethylenethio group is preferable, and a carboxy group is particularly preferable. Among these acidic groups, those having an acid dissociation constant pKa in the range of 3.5 to 5.0 are preferred. When there are two or more acidic groups, it is preferable that the first dissociation constant pKa1 is an acid dissociation constant and the first dissociation constant pKa1 is in the above range. The pKa is determined according to pKa = −logKa by measuring the acid dissociation constant Ka = [H 3 O + ] [B − ] / [BH] under dilute aqueous solution conditions. Here, BH represents an organic acid, and B − represents a conjugate base of the organic acid.
In addition, the measuring method of pKa can calculate hydrogen ion concentration, for example using a pH meter, and can calculate from the density | concentration of a relevant substance, and hydrogen ion concentration.
The heat-latent acidic group may be any group that generates an acidic functional group upon heating. Specific examples thereof include a sulfonium base, a benzothiazolium base, an ammonium base, a phosphonium base, a block carboxylic acid group, and the like. Is mentioned. Among these, a block carboxylic acid group is preferable. The carboxy group blocking agent used to obtain the blocked carboxylic acid group is not particularly limited, but is preferably a vinyl ether compound.
また、酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)は、酸性基及び熱潜在性酸性基以外の置換基を有していてもよい。
このような置換基としては、アルキル基、アリール基等の炭化水素基のほか、ハロゲン原子;アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、ヘテロ環オキシ基;アルキル基又はアリール基又は複素環基で置換されたアミノ基、アシルアミノ基、ウレイド基、スルファモイルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基;アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基;等のプロトンを有しない極性基、これらのプロトンを有しない極性基で置換された炭化水素基、等を挙げることができる。Moreover, the compound (C) which has an acidic group or a thermal latent acidic group may have substituents other than an acidic group and a thermal latent acidic group.
As such substituents, in addition to hydrocarbon groups such as alkyl groups and aryl groups, halogen atoms; alkoxy groups, aryloxy groups, acyloxy groups, heterocyclic oxy groups; substituted with alkyl groups, aryl groups, or heterocyclic groups Polar groups having no proton such as amino group, acylamino group, ureido group, sulfamoylamino group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group; alkylthio group, arylthio group, heterocyclic thio group; Examples thereof include a hydrocarbon group substituted with a polar group having no proton.
このような酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)のうち、酸性基有する化合物の具体例としては、メタン酸、エタン酸、プロパン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、グリコール酸、グリセリン酸、エタン二酸(「シュウ酸」ともいう。)、プロパン二酸(「マロン酸」ともいう。)、ブタン二酸(「コハク酸」ともいう。)、ペンタン二酸、ヘキサン二酸(「アジピン酸」ともいう。)、1、2―シクロヘキサンジカルボン酸、2−オキソプロパン酸、2−ヒドロキシブタン二酸、2−ヒドロキシプロパントリカルボン酸、メルカプトこはく酸、ジメルカプトこはく酸、2,3−ジメルカプト−1−プロパノール、1,2,3−トリメルカプトプロパン、2,3,4−トリメルカプト−1−ブタノール、2,4−ジメルカプト−1,3−ブタンジオール、1,3,4−トリメルカプト−2−ブタノール、3,4−ジメルカプト−1,2−ブタンジオール、1,5−ジメルカプト−3−チアペンタン等の脂肪族化合物; Among the compounds (C) having such an acidic group or thermal latent acidic group, specific examples of the compound having an acidic group include methanoic acid, ethanoic acid, propanoic acid, butanoic acid, pentanoic acid, butanoic acid, and pentanoic acid. , Hexanoic acid, heptanoic acid, octanoic acid, nonanoic acid, decanoic acid, glycolic acid, glyceric acid, ethanedioic acid (also referred to as “oxalic acid”), propanedioic acid (also referred to as “malonic acid”), butane diacid. Acid (also referred to as “succinic acid”), pentanedioic acid, hexanedioic acid (also referred to as “adipic acid”), 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid, 2-oxopropanoic acid, 2-hydroxybutanedioic acid, 2 -Hydroxypropanetricarboxylic acid, mercaptosuccinic acid, dimercaptosuccinic acid, 2,3-dimercapto-1-propanol, 1,2,3-trimercaptopropa 2,3,4-trimercapto-1-butanol, 2,4-dimercapto-1,3-butanediol, 1,3,4-trimercapto-2-butanol, 3,4-dimercapto-1,2- Aliphatic compounds such as butanediol and 1,5-dimercapto-3-thiapentane;
安息香酸、p−ヒドロキシベンゼンカルボン酸、o−ヒドロキシベンゼンカルボン酸、2−ナフタレンカルボン酸、メチル安息香酸、ジメチル安息香酸、トリメチル安息香酸、3−フェニルプロパン酸、ジヒドロキシ安息香酸、ジメトキシ安息香酸、ベンゼン−1,2−ジカルボン酸(「フタル酸」ともいう。)、ベンゼン−1,3−ジカルボン酸(「イソフタル酸」ともいう。)、ベンゼン−1,4−ジカルボン酸(「テレフタル酸」ともいう。)、ベンゼン−1,2,3−トリカルボン酸、ベンゼン−1,2,4−トリカルボン酸、ベンゼン−1,3,5−トリカルボン酸、ベンゼンヘキサカルボン酸、ビフェニル−2,2’−ジカルボン酸、2−(カルボキシメチル)安息香酸、3−(カルボキシメチル)安息香酸、4−(カルボキシメチル)安息香酸、2−(カルボキシカルボニル)安息香酸、3−(カルボキシカルボニル)安息香酸、4−(カルボキシカルボニル)安息香酸、2−メルカプト安息香酸、4−メルカプト安息香酸、ジフェノール酸、2−メルカプト−6−ナフタレンカルボン酸、2−メルカプト−7−ナフタレンカルボン酸、1,2−ジメルカプトベンゼン、1,3−ジメルカプトベンゼン、1,4−ジメルカプトベンゼン、1,4−ナフタレンジチオール、1,5−ナフタレンジチオール、2,6−ナフタレンジチオール、2,7−ナフタレンジチオール、1,2,3−トリメルカプトベンゼン、1,2,4−トリメルカプトベンゼン、1,3,5−トリメルカプトベンゼン、1,2,3−トリス(メルカプトメチル)ベンゼン、1,2,4−トリス(メルカプトメチル)ベンゼン、1,3,5−トリス(メルカプトメチル)ベンゼン、1,2,3−トリス(メルカプトエチル)ベンゼン、1,2,4−トリス(メルカプトエチル)ベンゼン、1,3,5−トリス(メルカプトエチル)ベンゼン等の芳香族化合物; Benzoic acid, p-hydroxybenzenecarboxylic acid, o-hydroxybenzenecarboxylic acid, 2-naphthalenecarboxylic acid, methylbenzoic acid, dimethylbenzoic acid, trimethylbenzoic acid, 3-phenylpropanoic acid, dihydroxybenzoic acid, dimethoxybenzoic acid, benzene -1,2-dicarboxylic acid (also referred to as “phthalic acid”), benzene-1,3-dicarboxylic acid (also referred to as “isophthalic acid”), benzene-1,4-dicarboxylic acid (also referred to as “terephthalic acid”) ), Benzene-1,2,3-tricarboxylic acid, benzene-1,2,4-tricarboxylic acid, benzene-1,3,5-tricarboxylic acid, benzenehexacarboxylic acid, biphenyl-2,2′-dicarboxylic acid 2- (carboxymethyl) benzoic acid, 3- (carboxymethyl) benzoic acid, 4- (carboxymethyl) benzoic acid Benzoic acid, 2- (carboxycarbonyl) benzoic acid, 3- (carboxycarbonyl) benzoic acid, 4- (carboxycarbonyl) benzoic acid, 2-mercaptobenzoic acid, 4-mercaptobenzoic acid, diphenolic acid, 2-mercapto -6-naphthalenecarboxylic acid, 2-mercapto-7-naphthalenecarboxylic acid, 1,2-dimercaptobenzene, 1,3-dimercaptobenzene, 1,4-dimercaptobenzene, 1,4-naphthalenedithiol, 1, 5-naphthalenedithiol, 2,6-naphthalenedithiol, 2,7-naphthalenedithiol, 1,2,3-trimercaptobenzene, 1,2,4-trimercaptobenzene, 1,3,5-trimercaptobenzene, 1 , 2,3-Tris (mercaptomethyl) benzene, 1,2,4-tris (mercaptomethyl) 1,3,5-tris (mercaptomethyl) benzene, 1,2,3-tris (mercaptoethyl) benzene, 1,2,4-tris (mercaptoethyl) benzene, 1,3,5-tris (mercapto) Aromatic compounds such as ethyl) benzene;
ニコチン酸、イソニコチン酸、2−フロ酸、ピロール−2,3−ジカルボン酸、ピロール−2,4−ジカルボン酸、ピロール−2,5−ジカルボン酸、ピロール−3,4−ジカルボン酸、イミダゾール−2,4−ジカルボン酸、イミダゾール−2,5−ジカルボン酸、イミダゾール−4,5−ジカルボン酸、ピラゾール−3,4−ジカルボン酸、ピラゾール−3,5−ジカルボン酸等の窒素原子を含む五員複素環化合物;チオフェン−2,3−ジカルボン酸、チオフェン−2,4−ジカルボン酸、チオフェン−2,5−ジカルボン酸、チオフェン−3,4−ジカルボン酸、チアゾール−2,4−ジカルボン酸、チアゾール−2,5−ジカルボン酸、チアゾール−4,5−ジカルボン酸、イソチアゾール−3,4−ジカルボン酸、イソチアゾール−3,5−ジカルボン酸、1,2,4−チアジアゾール−2,5−ジカルボン酸、1,3,4−チアジアゾール−2,5−ジカルボン酸、3−アミノ−5−メルカプト−1,2,4−チアジアゾール、2−アミノ−5−メルカプト−1,3,4−チアジアゾール、3,5−ジメルカプト−1,2,4−チアジアゾール、2,5−ジメルカプト−1,3,4−チアジアゾール、3−(5−メルカプト−1,2,4−チアジアゾール−3−イルスルファニル)こはく酸、2−(5−メルカプト−1,3,4−チアジアゾール−2−イルスルファニル)こはく酸、(5−メルカプト−1,2,4−チアジアゾール−3−イルチオ)酢酸、(5−メルカプト−1,3,4−チアジアゾール−2−イルチオ)酢酸、3−(5−メルカプト−1,2,4−チアジアゾール−3−イルチオ)プロピオン酸、2−(5−メルカプト−1,3,4−チアジアゾール−2−イルチオ)プロピオン酸、3−(5−メルカプト−1,2,4−チアジアゾール−3−イルチオ)コハク酸、2−(5−メルカプト−1,3,4−チアジアゾール−2−イルチオ)コハク酸、4−(3−メルカプト−1,2,4−チアジアゾール−5−イル)チオブタンスルホン酸、4−(2−ルカプト−1,3,4−チアジアゾール−5−イル)チオブタンスルホン酸等の窒素原子と硫黄原子を含む五員複素環化合物; Nicotinic acid, isonicotinic acid, 2-furoic acid, pyrrole-2,3-dicarboxylic acid, pyrrole-2,4-dicarboxylic acid, pyrrole-2,5-dicarboxylic acid, pyrrole-3,4-dicarboxylic acid, imidazole Five-membered nitrogen atoms such as 2,4-dicarboxylic acid, imidazole-2,5-dicarboxylic acid, imidazole-4,5-dicarboxylic acid, pyrazole-3,4-dicarboxylic acid, pyrazole-3,5-dicarboxylic acid Heterocyclic compounds; thiophene-2,3-dicarboxylic acid, thiophene-2,4-dicarboxylic acid, thiophene-2,5-dicarboxylic acid, thiophene-3,4-dicarboxylic acid, thiazole-2,4-dicarboxylic acid, thiazole -2,5-dicarboxylic acid, thiazole-4,5-dicarboxylic acid, isothiazole-3,4-dicarboxylic acid, isothiazole -3,5-dicarboxylic acid, 1,2,4-thiadiazole-2,5-dicarboxylic acid, 1,3,4-thiadiazole-2,5-dicarboxylic acid, 3-amino-5-mercapto-1,2, 4-thiadiazole, 2-amino-5-mercapto-1,3,4-thiadiazole, 3,5-dimercapto-1,2,4-thiadiazole, 2,5-dimercapto-1,3,4-thiadiazole, 3- (5-mercapto-1,2,4-thiadiazol-3-ylsulfanyl) succinic acid, 2- (5-mercapto-1,3,4-thiadiazol-2-ylsulfanyl) succinic acid, (5-mercapto-1 , 2,4-thiadiazol-3-ylthio) acetic acid, (5-mercapto-1,3,4-thiadiazol-2-ylthio) acetic acid, 3- (5-mercapto-1,2,4) Thiadiazol-3-ylthio) propionic acid, 2- (5-mercapto-1,3,4-thiadiazol-2-ylthio) propionic acid, 3- (5-mercapto-1,2,4-thiadiazol-3-ylthio) Succinic acid, 2- (5-mercapto-1,3,4-thiadiazol-2-ylthio) succinic acid, 4- (3-mercapto-1,2,4-thiadiazol-5-yl) thiobutanesulfonic acid, 4 -5-membered heterocyclic compound containing a nitrogen atom and a sulfur atom such as (2-lcapto-1,3,4-thiadiazol-5-yl) thiobutanesulfonic acid;
ピリジン−2,3−ジカルボン酸、ピリジン−2,4−ジカルボン酸、ピリジン−2,5−ジカルボン酸、ピリジン−2,6−ジカルボン酸、ピリジン−3,4−ジカルボン酸、ピリジン−3,5−ジカルボン酸、ピリダジン−3,4−ジカルボン酸、ピリダジン−3,5−ジカルボン酸、ピリダジン−3,6−ジカルボン酸、ピリダジン−4,5−ジカルボン酸、ピリミジン−2,4−ジカルボン酸、ピリミジン−2,5−ジカルボン酸、ピリミジン−4,5−ジカルボン酸、ピリミジン−4,6−ジカルボン酸、ピラジン−2,3−ジカルボン酸、ピラジン−2,5−ジカルボン酸、ピリジン−2,6−ジカルボン酸、トリアジン−2,4−ジカルボン酸、2−ジエチルアミノ−4,6−ジメルカプト−s−トリアジン、2−ジプロピルアミノ−4,6−ジメルカプト−s−トリアジン、2−ジブチルアミノ−4,6−ジメルカプト−s−トリアジン、2−アニリノ−4,6−ジメルカプト−s−トリアジン、2,4,6−トリメルカプト−s−トリアジン等の窒素原子を含む六員複素環化合物;が挙げられる。
これらの中でも、得られる樹脂膜の密着性をより高めることができるという観点から、酸性基を有する化合物における酸性基の数は、2つ以上であることが好ましく、3つが特に好ましい。Pyridine-2,3-dicarboxylic acid, pyridine-2,4-dicarboxylic acid, pyridine-2,5-dicarboxylic acid, pyridine-2,6-dicarboxylic acid, pyridine-3,4-dicarboxylic acid, pyridine-3,5 -Dicarboxylic acid, pyridazine-3,4-dicarboxylic acid, pyridazine-3,5-dicarboxylic acid, pyridazine-3,6-dicarboxylic acid, pyridazine-4,5-dicarboxylic acid, pyrimidine-2,4-dicarboxylic acid, pyrimidine -2,5-dicarboxylic acid, pyrimidine-4,5-dicarboxylic acid, pyrimidine-4,6-dicarboxylic acid, pyrazine-2,3-dicarboxylic acid, pyrazine-2,5-dicarboxylic acid, pyridine-2,6- Dicarboxylic acid, triazine-2,4-dicarboxylic acid, 2-diethylamino-4,6-dimercapto-s-triazine, 2-dipropyl Mino-4,6-dimercapto-s-triazine, 2-dibutylamino-4,6-dimercapto-s-triazine, 2-anilino-4,6-dimercapto-s-triazine, 2,4,6-trimercapto- 6-membered heterocyclic compounds containing a nitrogen atom such as s-triazine.
Among these, the number of acidic groups in the compound having an acidic group is preferably 2 or more, and particularly preferably 3 from the viewpoint that the adhesion of the resulting resin film can be further improved.
また、酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)のうち、熱潜在性酸性基を有する化合物の具体例としては、前述の酸性基有する化合物の酸性基を熱潜在性酸性基に変換した化合物を挙げられる。例えば、1,2,4−ベンゼントリカルボン酸のカルボキシ基をブロックカルボン酸基に変換して得られる1,2,4−ベンゼントリカルボン酸トリス(1−プロポキシエチル)などを熱潜在性酸性基を有する化合物として用いることができる。得られる樹脂膜の密着性をより高めることができるという観点から、熱潜在性酸性基を有する化合物における熱潜在性酸性基の数は、2つ以上であることが好ましく、3つが特に好ましい。 In addition, as a specific example of the compound having a thermal latent acidic group among the compounds (C) having an acidic group or a thermal latent acidic group, the acidic group of the compound having the acidic group is converted into a thermal latent acidic group. Compound. For example, 1,2,4-benzenetricarboxylic acid tris (1-propoxyethyl) obtained by converting a carboxy group of 1,2,4-benzenetricarboxylic acid into a block carboxylic acid group has a heat latent acidic group. It can be used as a compound. From the viewpoint that the adhesiveness of the resulting resin film can be further improved, the number of heat-latent acidic groups in the compound having a heat-latent acidic group is preferably 2 or more, and particularly preferably 3.
本発明の樹脂組成物においては、シラン変性樹脂(B)と、酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)との比率が、「シラン変性樹脂(B)/酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)」の重量比で、0.5〜20であり、好ましくは0.7〜18、より好ましくは1〜15である。本発明においては、樹脂組成物に、シラン変性樹脂(B)と、酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)とを配合し、これらの比率を上記範囲とすることにより、樹脂組成物を保存安定性に優れたものとしながら、得られる樹脂膜を、パターン形成性及び透明性に優れたものとすることができるものである。シラン変性樹脂(B)の含有比率が少なすぎると、パターン形成性が低下し、特に、特に現像時の残渣が発生しやすくなったり、樹脂組成物の保存安定性が低下してしまう。一方、酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)の含有比率が少なすぎると、パターン形成性、特に、焼成時のホール形状が悪化するおそれがある。 In the resin composition of the present invention, the ratio of the silane-modified resin (B) to the compound (C) having an acidic group or a thermal latent acidic group is “silane modified resin (B) / acidic group or thermal latent. The weight ratio of the compound (C) having an acidic group is 0.5 to 20, preferably 0.7 to 18, and more preferably 1 to 15. In the present invention, the resin composition is blended with the silane-modified resin (B) and the compound (C) having an acidic group or a heat-latent acidic group, and the ratio is within the above range. The resulting resin film can be made excellent in pattern formability and transparency while making the product excellent in storage stability. If the content ratio of the silane-modified resin (B) is too small, the pattern forming property is lowered, and in particular, a residue at the time of development is easily generated, or the storage stability of the resin composition is lowered. On the other hand, when the content ratio of the compound (C) having an acidic group or a heat-latent acidic group is too small, there is a possibility that the pattern forming property, particularly the hole shape at the time of firing, is deteriorated.
また、本発明の樹脂組成物中における酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)の含有量は、上述したようにシラン変性樹脂(B)との関係で決定すればよいが、バインダー樹脂(A)に対して、好ましくは0.05〜200重量部、より好ましくは0.1〜75重量部、さらに好ましくは0.3〜40重量部である。酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)の含有量が少なすぎると、パターン形成性が低下し、特に、パターン幅を細くした場合における、パターンの密着性や焼成時のホール形状が悪化するおそれがある。一方、酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)の含有量が多すぎると、パターン形成性が低下し、特に、特にパターン形成時の残渣が発生しやすくなったり、樹脂組成物の保存安定性が低下してしまう。 Moreover, what is necessary is just to determine content of the compound (C) which has an acidic group or a heat | fever latent acidic group in the resin composition of this invention by relationship with a silane modified resin (B) as mentioned above, but a binder. Preferably it is 0.05-200 weight part with respect to resin (A), More preferably, it is 0.1-75 weight part, More preferably, it is 0.3-40 weight part. If the content of the compound (C) having an acidic group or a heat-latent acidic group is too small, the pattern forming property is lowered. In particular, when the pattern width is narrowed, the adhesion of the pattern and the hole shape at the time of firing are reduced. May get worse. On the other hand, if the content of the compound (C) having an acidic group or a heat-latent acidic group is too large, the pattern forming property is lowered, and in particular, a residue at the time of pattern formation tends to be generated. Storage stability will decrease.
(感放射線化合物(D))
なお、本発明の樹脂組成物は、バインダー樹脂(A)、シラン変性樹脂(B)、及び酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)に加えて、感放射線化合物(D)をさらに含有するものであってもよい。感放射線化合物(D)は、紫外線や電子線等の放射線の照射により、化学反応を引き起こすことのできる化合物である。本発明において感放射線化合物(D)は、樹脂組成物から形成されてなる樹脂膜のアルカリ溶解性を制御できるものが好ましく、特に、光酸発生剤を使用することが好ましい。(Radiation sensitive compound (D))
The resin composition of the present invention further comprises a radiation-sensitive compound (D) in addition to the binder resin (A), the silane-modified resin (B), and the compound (C) having an acidic group or a heat-latent acidic group. It may be contained. The radiation sensitive compound (D) is a compound capable of causing a chemical reaction by irradiation with radiation such as ultraviolet rays or electron beams. In the present invention, the radiation sensitive compound (D) is preferably one that can control the alkali solubility of the resin film formed from the resin composition, and it is particularly preferable to use a photoacid generator.
このような感放射線化合物(D)としては、例えば、アセトフェノン化合物、トリアリールスルホニウム塩、キノンジアジド化合物等のアジド化合物等が挙げられるが、好ましくはアジド化合物、特に好ましくはキノンジアジド化合物である。 Examples of such a radiation sensitive compound (D) include azide compounds such as acetophenone compounds, triarylsulfonium salts, and quinonediazide compounds, with azide compounds being preferred, and quinonediazide compounds being particularly preferred.
キノンジアジド化合物としては、例えば、キノンジアジドスルホン酸ハライドとフェノール性水酸基を有する化合物とのエステル化合物を用いることができる。キノンジアジドスルホン酸ハライドの具体例としては、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロライド、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸クロライド、1,2−ベンゾキノンジアジド−5−スルホン酸クロライド等が挙げられる。フェノール性水酸基を有する化合物の代表例としては、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパン、4,4’−[1−[4−[1−[4−ヒドロキシフェニル]−1−メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェノール等が挙げられる。これら以外のフェノール性水酸基を有する化合物としては、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1,1−トリス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)エタン、1,1,2,2−テトラキス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、ノボラック樹脂のオリゴマー、フェノール性水酸基を1つ以上有する化合物とジシクロペンタジエンとを共重合して得られるオリゴマー等が挙げられる。 As the quinonediazide compound, for example, an ester compound of a quinonediazidesulfonic acid halide and a compound having a phenolic hydroxyl group can be used. Specific examples of the quinone diazide sulfonic acid halide include 1,2-naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid chloride, 1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid chloride, 1,2-benzoquinone diazide-5-sulfonic acid chloride, and the like. Can be mentioned. Typical examples of the compound having a phenolic hydroxyl group include 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane, 4,4 ′-[1- [4- [1. -[4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol and the like. Other compounds having a phenolic hydroxyl group include 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2-bis (4-hydroxyphenyl) propane, tris (4- Hydroxyphenyl) methane, 1,1,1-tris (4-hydroxy-3-methylphenyl) ethane, 1,1,2,2-tetrakis (4-hydroxyphenyl) ethane, novolac resin oligomer, phenolic hydroxyl group Examples thereof include oligomers obtained by copolymerizing one or more compounds and dicyclopentadiene.
また、光酸発生剤としては、キノンジアジド化合物の他、オニウム塩、ハロゲン化有機化合物、α,α’−ビス(スルホニル)ジアゾメタン系化合物、α−カルボニル−α’−スルホニルジアゾメタン系化合物、スルホン化合物、有機酸エステル化合物、有機酸アミド化合物、有機酸イミド化合物等、公知のものを用いることができる。
これらの感放射線化合物は、それぞれ単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。In addition to quinonediazide compounds, photoacid generators include onium salts, halogenated organic compounds, α, α′-bis (sulfonyl) diazomethane compounds, α-carbonyl-α′-sulfonyldiazomethane compounds, sulfone compounds, Known compounds such as organic acid ester compounds, organic acid amide compounds, and organic acid imide compounds can be used.
These radiation-sensitive compounds can be used alone or in combination of two or more.
本発明の樹脂組成物中における感放射線化合物(D)の含有量は、バインダー樹脂(A)100重量部に対して、好ましくは10〜100重量部、より好ましくは15〜70重量部、さらに好ましくは20〜50重量部の範囲である。感放射線化合物(D)の含有量がこの範囲にあれば、樹脂組成物からなる樹脂膜をパターン化する際に、放射線照射部と放射線未照射部との現像液への溶解度差が大きくなり、放射線感度も高くなり、現像によるパターン化が容易であるので好適である。 The content of the radiation sensitive compound (D) in the resin composition of the present invention is preferably 10 to 100 parts by weight, more preferably 15 to 70 parts by weight, and still more preferably 100 parts by weight of the binder resin (A). Is in the range of 20-50 parts by weight. If the content of the radiation sensitive compound (D) is within this range, when patterning the resin film made of the resin composition, the difference in solubility in the developer between the radiation irradiated part and the radiation non-irradiated part becomes large, The radiation sensitivity is also high, and it is preferable because patterning by development is easy.
(架橋剤(E))
また、本発明の樹脂組成物は、さらに架橋剤(E)を含有していてもよい。本発明で用いる架橋剤(E)は、加熱により架橋剤分子間に架橋構造を形成するものや、バインダー樹脂(A)と反応して樹脂分子間に架橋構造を形成するものであり、具体的には、2以上の反応性基を有する化合物が挙げられる。このような反応性基としては、例えば、アミノ基、カルボキシ基、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基が挙げられ、より好ましくはアミノ基、エポキシ基及びイソシアネート基であり、アミノ基及びエポキシ基が特に好ましい。(Crosslinking agent (E))
Moreover, the resin composition of this invention may contain the crosslinking agent (E) further. The crosslinking agent (E) used in the present invention is one that forms a crosslinked structure between crosslinking agent molecules by heating, or one that reacts with the binder resin (A) to form a crosslinked structure between resin molecules. Includes compounds having two or more reactive groups. Examples of such a reactive group include an amino group, a carboxy group, a hydroxyl group, an epoxy group, and an isocyanate group, more preferably an amino group, an epoxy group, and an isocyanate group, and particularly preferably an amino group and an epoxy group. .
架橋剤(E)の分子量は、特に限定されないが、通常、100〜100,000、好ましくは300〜50,000、より好ましくは500〜10,000である。架橋剤は、それぞれ単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。 Although the molecular weight of a crosslinking agent (E) is not specifically limited, Usually, it is 100-100,000, Preferably it is 300-50,000, More preferably, it is 500-10,000. A crosslinking agent can be used individually or in combination of 2 types or more, respectively.
架橋剤(E)の具体例としては、ヘキサメチレンジアミン等の脂肪族ポリアミン類;4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、ジアミノジフェニルスルフォン等の芳香族ポリアミン類;2,6−ビス(4’−アジドベンザル)シクロヘキサノン、4,4’−ジアジドジフェニルスルフォン等のアジド類;ナイロン、ポリヘキサメチレンジアミンテレレフタルアミド、ポリヘキサメチレンイソフタルアミド等のポリアミド類;N,N,N’,N’,N’’,N’’−(ヘキサアルコキシアルキル)メラミン等のメチロール基やイミノ基等を有していてもよいメラミン類(商品名「サイメル303、サイメル325、サイメル370、サイメル232、サイメル235、サイメル272、サイメル212、マイコート506」{以上、サイテックインダストリーズ社製}等のサイメルシリーズ、マイコートシリーズ);N,N’,N’’,N’’’−(テトラアルコキシアルキル)グリコールウリル等のメチロール基やイミノ基等を有していてもよいグリコールウリル類(商品名「サイメル1170」{以上、サイテックインダストリーズ社製}等のサイメルシリーズ);エチレングリコールジ(メタ)アクリレート等のアクリレート化合物;ヘキサメチレンジイソシアネート系ポリイソシアネート、イソホロンジイソシアネート系ポリイソシアネート、トリレンジイソシアネート系ポリイソシアネート、水添ジフェニルメタンジイソシアネート等のイソシアネート系化合物;1,4−ジ−(ヒドロキシメチル)シクロヘキサン、1,4−ジ−(ヒドロキシメチル)ノルボルナン;1,3,4−トリヒドロキシシクロヘキサン;ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ポリフェノール型エポキシ樹脂、環状脂肪族エポキシ樹脂、脂肪族グリシジルエーテル、エポキシアクリレート重合体等のエポキシ化合物;を挙げることができる。 Specific examples of the crosslinking agent (E) include aliphatic polyamines such as hexamethylenediamine; aromatic polyamines such as 4,4′-diaminodiphenyl ether and diaminodiphenylsulfone; 2,6-bis (4′-azidobenzal) Azides such as cyclohexanone and 4,4′-diazidodiphenylsulfone; polyamides such as nylon, polyhexamethylenediamineterephthalamide and polyhexamethyleneisophthalamide; N, N, N ′, N ′, N ″, Melamines which may have a methylol group such as N ″-(hexaalkoxyalkyl) melamine or an imino group (trade names “Cymel 303, Cymel 325, Cymel 370, Cymel 232, Cymel 235, Cymel 272, Cymel 212, My Coat 506 "{End Cymel series, Mycoat series, etc. made by Ndustries Co., Ltd.]; even if it has a methylol group or imino group such as N, N ′, N ″, N ′ ″-(tetraalkoxyalkyl) glycoluril, etc. Good glycolurils (trade name “Cymel 1170” {Cytech series manufactured by Cytec Industries, Inc.}); acrylate compounds such as ethylene glycol di (meth) acrylate; hexamethylene diisocyanate polyisocyanate, isophorone diisocyanate polyisocyanate Isocyanate compounds such as tolylene diisocyanate polyisocyanate, hydrogenated diphenylmethane diisocyanate; 1,4-di- (hydroxymethyl) cyclohexane, 1,4-di- (hydroxymethyl) norbornane; , 4-trihydroxycyclohexane; bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, polyphenol type epoxy resin, cyclic aliphatic epoxy resin, aliphatic glycidyl ether, epoxy acrylate heavy And epoxy compounds such as coalescence;
エポキシ化合物の具体例としては、ジシクロペンタジエンを骨格とする3官能性のエポキシ化合物(商品名「XD−1000」、日本化薬社製)、2,2−ビス(ヒドロキシメチル)1−ブタノールの1,2−エポキシ−4−(2−オキシラニル)シクロヘキサン付加物(シクロヘキサン骨格及び末端エポキシ基を有する15官能性の脂環式エポキシ樹脂、商品名「EHPE3150」、ダイセル化学工業社製)、エポキシ化3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸ビス(3−シクロヘキセニルメチル)修飾ε−カプロラクトン(脂肪族環状3官能性のエポキシ樹脂、商品名「エポリードGT301」、ダイセル化学工業社製)、エポキシ化ブタンテトラカルボン酸テトラキス(3−シクロヘキセニルメチル)修飾ε−カプロラクトン(脂肪族環状4官能性のエポキシ樹脂、商品名「エポリードGT401」、ダイセル化学工業社製)、3,4−エポキシシクロヘキセニルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート(商品名「セロキサイド2021」、ダイセル化学工業社製)、1,2:8,9−ジエポキシリモネン(商品名「セロキサイド3000」、ダイセル化学工業社製)、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(商品名「Z−6043」、東レ・ダウコーニング社製)等の脂環構造を有するエポキシ化合物; Specific examples of the epoxy compound include a trifunctional epoxy compound having a dicyclopentadiene skeleton (trade name “XD-1000”, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), 2,2-bis (hydroxymethyl) 1-butanol. 1,2-epoxy-4- (2-oxiranyl) cyclohexane adduct (15-functional alicyclic epoxy resin having a cyclohexane skeleton and a terminal epoxy group, trade name “EHPE3150”, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.), epoxidation 3-cyclohexene-1,2-dicarboxylate bis (3-cyclohexenylmethyl) modified ε-caprolactone (aliphatic cyclic trifunctional epoxy resin, trade name “Epolide GT301”, manufactured by Daicel Chemical Industries), epoxidized butane Tetracarboxylic acid tetrakis (3-cyclohexenylmethyl) modified ε-caprolactone (fat Aliphatic cyclic tetrafunctional epoxy resin, trade name “Epolide GT401” manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.), 3,4-epoxycyclohexenylmethyl-3 ′, 4′-epoxycyclohexene carboxylate (trade name “Celoxide 2021”) , Manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.), 1,2: 8,9-diepoxy limonene (trade name “Celoxide 3000”, manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.), 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane (product) An epoxy compound having an alicyclic structure such as “Z-6043” (manufactured by Toray Dow Corning);
芳香族アミン型多官能エポキシ化合物(商品名「H−434」、東都化成工業社製)、イソシアヌル酸トリス(2,3−エポキシプロピル)(トリアジン骨格を有する多官能エポキシ化合物、商品名「TEPIC」、日産化学工業社製)、クレゾールノボラック型多官能エポキシ化合物(商品名「EOCN−1020」、日本化薬社製)、フェノールノボラック型多官能エポキシ化合物(エピコート152、154、ジャパンエポキシレジン社製)、ナフタレン骨格を有する多官能エポキシ化合物(商品名EXA−4700、DIC株式会社製)、鎖状アルキル多官能エポキシ化合物(商品名「SR−TMP」、阪本薬品工業株式会社製)、多官能エポキシポリブタジエン(商品名「エポリードPB3600」、ダイセル化学工業社製)、グリセリンのグリシジルポリエーテル化合物(商品名「SR−GLG」、阪本薬品工業株式会社製)、ジグリセリンポリグリシジルエーテル化合物(商品名「SR−DGE」、阪本薬品工業株式会社製、ポリグリセリンポリグリシジルエーテル化合物(商品名「SR−4GL」、阪本薬品工業株式会社製)、グリシドキシプロピルトリメチルシラン(商品名「Z−6040」、東レ・ダウコーニング社製)等の脂環構造を有さないエポキシ化合物;を挙げることができる。 Aromatic amine type polyfunctional epoxy compound (trade name “H-434”, manufactured by Tohto Kasei Kogyo Co., Ltd.), isocyanuric acid tris (2,3-epoxypropyl) (polyfunctional epoxy compound having triazine skeleton, trade name “TEPIC” , Nissan Chemical Industries, Ltd.), cresol novolac type polyfunctional epoxy compound (trade name “EOCN-1020”, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), phenol novolac type polyfunctional epoxy compound (Epicoat 152, 154, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.) , Polyfunctional epoxy compound having a naphthalene skeleton (trade name EXA-4700, manufactured by DIC Corporation), chain alkyl polyfunctional epoxy compound (trade name “SR-TMP”, manufactured by Sakamoto Pharmaceutical Co., Ltd.), polyfunctional epoxy polybutadiene (Product name “Epolide PB3600”, manufactured by Daicel Chemical Industries Ltd.) Serine glycidyl polyether compound (trade name “SR-GLG”, manufactured by Sakamoto Pharmaceutical Co., Ltd.), diglycerin polyglycidyl ether compound (trade name “SR-DGE”, manufactured by Sakamoto Pharmaceutical Co., Ltd., polyglycerin polyglycidyl ether) Epoxy having no alicyclic structure such as a compound (trade name “SR-4GL”, manufactured by Sakamoto Pharmaceutical Co., Ltd.), glycidoxypropyltrimethylsilane (trade name “Z-6040”, manufactured by Toray Dow Corning) A compound;
本発明の樹脂組成物中における架橋剤(E)の含有量は、格別制限されず、本発明の樹脂組成物を用いて得られる樹脂膜に求められる耐熱性の程度を考慮して任意に設定すればよいが、バインダー樹脂(A)100重量部に対して、通常、5〜80重量部、好ましくは7〜75重量部、より好ましくは10〜70重量部である。架橋剤(E)が多すぎても少なすぎても耐熱性が低下する傾向がある。 The content of the crosslinking agent (E) in the resin composition of the present invention is not particularly limited, and is arbitrarily set in consideration of the degree of heat resistance required for the resin film obtained using the resin composition of the present invention. However, the amount is usually 5 to 80 parts by weight, preferably 7 to 75 parts by weight, and more preferably 10 to 70 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the binder resin (A). If the crosslinking agent (E) is too much or too little, the heat resistance tends to decrease.
(その他の配合剤)
本発明の樹脂組成物には、さらに、溶剤が含有されていてもよい。溶剤としては、特に限定されず、樹脂組成物の溶剤として公知のもの、例えばアセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、2−ヘキサノン、3−ヘキサノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、2−オクタノン、3−オクタノン、4−オクタノンなどの直鎖のケトン類;n−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n−ブチルアルコール、シクロヘキサノールなどのアルコール類;エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジオキサンなどのエーテル類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルなどのアルコールエーテル類;ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、酪酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチルなどのエステル類;セロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテートなどのセロソルブエステル類;プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルなどのプロピレングリコール類;ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテルなどのジエチレングリコール類;γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、γ−カプロラクトン、γ−カプリロラクトンなどの飽和γ−ラクトン類;トリクロロエチレンなどのハロゲン化炭化水素類;トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類;ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、N−メチルアセトアミドなどの極性溶媒などが挙げられる。これらの溶剤は、単独でも2種以上を組み合わせて用いてもよい。溶剤の含有量は、バインダー樹脂(A)100重量部に対して、好ましくは10〜10000重量部、より好ましくは50〜5000重量部、さらに好ましくは100〜1000重量部の範囲である。なお、樹脂組成物に溶剤を含有させる場合には、溶剤は、通常、樹脂膜形成後に除去されることとなる。(Other ingredients)
The resin composition of the present invention may further contain a solvent. The solvent is not particularly limited, and is known as a solvent for the resin composition, for example, acetone, methyl ethyl ketone, cyclopentanone, 2-hexanone, 3-hexanone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone, 2- Linear ketones such as octanone, 3-octanone and 4-octanone; alcohols such as n-propyl alcohol, isopropyl alcohol, n-butyl alcohol and cyclohexanol; ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether and dioxane Alcohol alcohols such as ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether; propyl formate, butyl formate, propyl acetate, butyl acetate, methyl propionate, ethyl propionate Esters such as methyl butyrate, ethyl butyrate, methyl lactate and ethyl lactate; cellosolve esters such as cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, propyl cellosolve acetate, butyl cellosolve acetate; propylene glycol, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl Propylene glycols such as ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether; diety such as diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether Glycols; saturated γ-lactones such as γ-butyrolactone, γ-valerolactone, γ-caprolactone, and γ-caprolactone; halogenated hydrocarbons such as trichloroethylene; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; Examples include polar solvents such as dimethylacetamide, dimethylformamide, and N-methylacetamide. These solvents may be used alone or in combination of two or more. The content of the solvent is preferably in the range of 10 to 10,000 parts by weight, more preferably 50 to 5000 parts by weight, and still more preferably 100 to 1000 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the binder resin (A). In addition, when making a resin composition contain a solvent, a solvent will be normally removed after resin film formation.
また、本発明の樹脂組成物は、本発明の効果が阻害されない範囲であれば、所望により、界面活性剤、酸性化合物、カップリング剤またはその誘導体、増感剤、潜在的酸発生剤、酸化防止剤、光安定剤、消泡剤、顔料、染料、フィラー等のその他の配合剤;等を含有していてもよい。 In addition, the resin composition of the present invention is a surfactant, an acidic compound, a coupling agent or a derivative thereof, a sensitizer, a latent acid generator, an oxidation, if desired, as long as the effects of the present invention are not inhibited. It may contain other compounding agents such as an inhibitor, a light stabilizer, an antifoaming agent, a pigment, a dye, and a filler;
界面活性剤は、ストリエーション(塗布筋あと)の防止、現像性の向上等の目的で使用される。界面活性剤の具体例としては、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類;ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアリールエーテル類;ポリオキシエチレンジラウレート、ポリオキシエチレンジステアレート等のポリオキシエチレンジアルキルエステル類等のノニオン系界面活性剤;フッ素系界面活性剤;シリコーン系界面活性剤;メタクリル酸共重合体系界面活性剤;アクリル酸共重合体系界面活性剤;等が挙げられる。 The surfactant is used for the purpose of preventing striation (after application stripes) and improving developability. Specific examples of the surfactant include polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene oleyl ether; polyoxyethylene octyl phenyl ether, polyoxyethylene nonyl phenyl ether, and the like. Polyoxyethylene aryl ethers; Nonionic surfactants such as polyoxyethylene dialkyl esters such as polyoxyethylene dilaurate and polyoxyethylene distearate; Fluorine surfactants; Silicone surfactants; Methacrylic acid copolymer System surfactants; acrylic acid copolymer system surfactants; and the like.
カップリング剤またはその誘導体は、樹脂組成物からなる樹脂膜と、半導体素子基板を構成する半導体層を含む各層との密着性をより高める効果を有する。カップリング剤またはその誘導体としては、ケイ素原子、チタン原子、アルミニウム原子、ジルコニウム原子から選ばれる1つの原子を有し、該原子に結合したヒドロカルビルオキシ基またはヒドロキシ基を有する化合物等が使用できる。 The coupling agent or derivative thereof has an effect of further improving the adhesion between the resin film made of the resin composition and each layer including the semiconductor layer constituting the semiconductor element substrate. As the coupling agent or derivative thereof, a compound having one atom selected from a silicon atom, a titanium atom, an aluminum atom, and a zirconium atom and having a hydrocarbyloxy group or a hydroxy group bonded to the atom can be used.
カップリング剤またはその誘導体としては、例えば、
テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−n−プロポキシシラン、テトラ−i−プロポキシシラン、テトラ−n−ブトキシシランなどのテトラアルコキシシラン類、
メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、n−プロピルトリメトキシシラン、n-プロピルトリエトキシシラン、i−プロピルトリメトキシシラン、i−プロピルトリエトキシシラン、n−ブチルトリメトキシシラン、n−ブチルトリエトキシシラン、n−ペンチルトリメトキシシラン、n−ヘキシルトリメトキシシラン、n−ヘプチルトリメトキシシラン、n−オクチルトリメトキシシラン、n−デシルトリメトキシシラン、p−スチリルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、3−クロロプロピルトリメトキシシラン、3−クロロプロピルトリエトキシシラン、3,3,3−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、3,3,3−トリフルオロプロピルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、2−ヒドロキシエチルトリメトキシシラン、2−ヒドロキシエチルトリエトキシシラン、2−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、2−ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、3−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、3−ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、3−イソシアナートプロピルトリメトキシシラン、3−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシラン、3−(メタ)アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、3−(メタ)アクリルオキシプロピルトリエトキシシラン、3−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、3−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、3−エチル(トリメトキシシリルプロポキシメチル)オキセタン、3−エチル(トリエトキシシリルプロポキシメチル)オキセタン、3−トリエトキシシリル−N−(1,3−ジメチル−ブチリデン)プロピルアミン、ビス(トリエトキシシリルプロピル)テトラスルフィドなどのトリアルコキシシラン類、
ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジ−n−プロピルジメトキシシラン、ジ−n−プロピルジエトキシシラン、ジ−i−プロピルジメトキシシラン、ジ−i−プロピルジエトキシシラン、ジ−n−ブチルジメトキシシラン、ジ−n−ペンチルジメトキシシラン、ジ−n−ペンチルジエトキシシラン、ジ−n−ヘキシルジメトキシシラン、ジ−n−ヘキシルジエトキシシラン、ジ−n−へプチルジメトキシシラン、ジ−n−ヘプチルジエトキシシラン、ジ−n−オクチルジメトキシシラン、ジ−n−オクチルジエトキシシラン、ジ−n−シクロヘキシルジメトキシシラン、ジ−n−シクロヘキシルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−メタクリルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−アクリルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−アクリルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシランなどのジアルコキシシラン類の他、
メチルトリアセチルオキシシラン、ジメチルジアセチルオキシシラン等のケイ素原子含有化合物; As a coupling agent or a derivative thereof, for example,
Tetraalkoxysilanes such as tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetra-i-propoxysilane, tetra-n-butoxysilane,
Methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, n-propyltriethoxysilane, i-propyltrimethoxysilane, i-propyltriethoxysilane, n- Butyltrimethoxysilane, n-butyltriethoxysilane, n-pentyltrimethoxysilane, n-hexyltrimethoxysilane, n-heptyltrimethoxysilane, n-octyltrimethoxysilane, n-decyltrimethoxysilane, p-styryl Trimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, cyclohexyltrimethoxysilane, cyclohexyltrimethoxysilane, cyclohexyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyl Nyltriethoxysilane, 3-chloropropyltrimethoxysilane, 3-chloropropyltriethoxysilane, 3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane, 3,3,3-trifluoropropyltriethoxysilane, 3-amino Propyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, N-2- (aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, 2-hydroxyethyltrimethoxysilane, 2-hydroxyethyltriethoxysilane, 2-hydroxypropyltrimethoxysilane, 2-hydroxypropyltriethoxysilane, 3-hydroxypropyltrimethoxysilane, 3-hydroxypropyltriethoxysilane, 3-mercaptopropyl Limethoxysilane, 3-mercaptopropyltriethoxysilane, 3-isocyanatopropyltrimethoxysilane, 3-isocyanatopropyltriethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltriethoxysilane, 3- (meth) acryloxypropyltrimethoxysilane, 3- (meth) acryloxypropyl Triethoxysilane, 3-ureidopropyltrimethoxysilane, 3-ureidopropyltriethoxysilane, 3-ethyl (trimethoxysilylpropoxymethyl) oxetane, 3-ethyl (triethoxysilylpropoxymethyl) Kisetan, 3-triethoxysilyl-N-(1,3-dimethyl - butylidene) propylamine, trialkoxysilanes such as bis (triethoxysilylpropyl) tetrasulfide,
Dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, diethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane, di-n-propyldimethoxysilane, di-n-propyldiethoxysilane, di-i-propyldimethoxysilane, di-i-propyldiethoxy Silane, di-n-butyldimethoxysilane, di-n-pentyldimethoxysilane, di-n-pentyldiethoxysilane, di-n-hexyldimethoxysilane, di-n-hexyldiethoxysilane, di-n-heptyl Dimethoxysilane, di-n-heptyldiethoxysilane, di-n-octyldimethoxysilane, di-n-octyldiethoxysilane, di-n-cyclohexyldimethoxysilane, di-n-cyclohexyldiethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, Diphenyldie Xysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-acryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-acryloxypropylmethyldiethoxysilane In addition to dialkoxysilanes such as N-2- (aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane,
Silicon atom-containing compounds such as methyltriacetyloxysilane and dimethyldiacetyloxysilane;
(テトラ−i−プロポキシチタン、テトラ−n−ブトキシチタン、テトラキス(2−エチルヘキシルオキシ)チタン、チタニウム−i−プロポキシオクチレングリコレート、ジ−i−プロポキシ・ビス(アセチルアセトナト)チタン、プロパンジオキシチタンビス(エチルアセトアセテート)、トリ−n−ブトキシチタンモノステアレート、ジ−i−プロポキシチタンジステアレート、チタニウムステアレート、ジ−i−プロポキシチタンジイソステアレート、(2−n−ブトキシカルボニルベンゾイルオキシ)トリブトキシチタン、ジ−n−ブトキシ・ビス(トリエタノールアミナト)チタンの他、プレンアクトシリーズ(味の素ファインテクノ株式会社製))等のチタン原子含有化合物;
(アセトアルコキシアルミウムジイソプロピレート)等のアルミニウム原子含有化合物;
(テトラノルマルプロポキシジルコニウム、テトラノルマルブトキシジルコニウム、ジルコニウムテトラアセチルアセトネート、ジルコニウムトリブトキシアセチルアセトネート、ジルコニウムものブトキシアセチルアセトネートビス(エチルアセトアセテート)、ジルコニウムジブトキシビス(エチルアセトアセテート)、ジルコニウムテトラアセチルアセトネート、ジルコニウムトリブトキシステアレート)等のジルコニウム原子含有化合物;が挙げられる。(Tetra-i-propoxytitanium, tetra-n-butoxytitanium, tetrakis (2-ethylhexyloxy) titanium, titanium-i-propoxyoctylene glycolate, di-i-propoxybis (acetylacetonato) titanium, propanedi Oxytitanium bis (ethylacetoacetate), tri-n-butoxytitanium monostearate, di-i-propoxytitanium distearate, titanium stearate, di-i-propoxytitanium diisostearate, (2-n-butoxycarbonyl Titanium atom-containing compounds such as benzoyloxy) tributoxytitanium, di-n-butoxy bis (triethanolaminato) titanium, as well as the preneact series (manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.);
Aluminum atom-containing compounds such as (acetoalkoxyaluminum diisopropylate);
(Tetranormal propoxyzirconium, tetranormalbutoxyzirconium, zirconium tetraacetylacetonate, zirconium tributoxyacetylacetonate, zirconium butoxyacetylacetonate bis (ethylacetoacetate), zirconium dibutoxybis (ethylacetoacetate), zirconium tetraacetyl Zirconium atom-containing compounds such as acetonate and zirconium tributoxy systemate).
増感剤の具体例としては、2H−ピリド−(3,2−b)−1,4−オキサジン−3(4H)−オン類、10H−ピリド−(3,2−b)−1,4−ベンゾチアジン類、ウラゾール類、ヒダントイン類、バルビツール酸類、グリシン無水物類、1−ヒドロキシベンゾトリアゾール類、アロキサン類、マレイミド類等が挙げられる。 Specific examples of the sensitizer include 2H-pyrido- (3,2-b) -1,4-oxazin-3 (4H) -ones, 10H-pyrido- (3,2-b) -1,4. -Benzothiazines, urazoles, hydantoins, barbituric acids, glycine anhydrides, 1-hydroxybenzotriazoles, alloxans, maleimides and the like.
酸化防止剤としては、通常の重合体に使用されている、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤、ラクトン系酸化防止剤等が使用できる。例えば、フェノール類として、2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノール、p−メトキシフェノール、スチレン化フェノール、n−オクタデシル−3−(3’,5’−ジ−t−ブチル−4’−ヒドロキシフェニル)プロピオネート、2,2’−メチレン−ビス(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、2−t−ブチル−6−(3’−t−ブチル−5’−メチル−2’−ヒドロキシベンジル)−4−メチルフェニルアクリレート、4,4’−ブチリデン−ビス−(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4’−チオ−ビス(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、ペンタエリスリトールテトラキス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、アルキル化ビスフェノール等を挙げることができる。リン系酸化防止剤としては、亜リン酸トリフェニル、亜リン酸トリス(ノニルフェニル)、イオウ系としては、チオジプロピオン酸ジラウリル等が挙げられる。 As the antioxidant, there can be used phenolic antioxidants, phosphorus antioxidants, sulfur antioxidants, lactone antioxidants and the like used in ordinary polymers. For example, as phenols, 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol, p-methoxyphenol, styrenated phenol, n-octadecyl-3- (3 ′, 5′-di-t-butyl-4 '-Hydroxyphenyl) propionate, 2,2'-methylene-bis (4-methyl-6-t-butylphenol), 2-t-butyl-6- (3'-t-butyl-5'-methyl-2' -Hydroxybenzyl) -4-methylphenyl acrylate, 4,4'-butylidene-bis- (3-methyl-6-tert-butylphenol), 4,4'-thio-bis (3-methyl-6-tert-butylphenol) ), Pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], alkylated bisphenols, etc. Can. Examples of the phosphorus-based antioxidant include triphenyl phosphite and tris (nonylphenyl) phosphite. Examples of the sulfur-based antioxidant include dilauryl thiodipropionate.
光安定剤としては、ベンゾフェノン系、サリチル酸エステル系、ベンゾトリアゾール系、シアノアクリレート系、金属錯塩系等の紫外線吸収剤、ヒンダ−ドアミン系(HALS)等、光により発生するラジカルを捕捉するもの等のいずれでもよい。これらのなかでも、HALSはピペリジン構造を有する化合物で、樹脂組成物に対し着色が少なく、安定性がよいため好ましい。具体的な化合物としては、ビス(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)セバケート、1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル/トリデシル1,2,3,4−ブタンテトラカルボキシレート、ビス(1−オクチロキシ−2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)セバケート等が挙げられる。 Examples of light stabilizers include ultraviolet absorbers such as benzophenone-based, salicylic acid ester-based, benzotriazole-based, cyanoacrylate-based, and metal complex-based salts, hindered amine-based (HALS), and the like that capture radicals generated by light. Either is acceptable. Among these, HALS is a compound having a piperidine structure and is preferable because it is less colored with respect to the resin composition and has good stability. Specific compounds include bis (2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) sebacate, 1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl / tridecyl 1,2,3,4 -Butanetetracarboxylate, bis (1-octyloxy-2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) sebacate and the like.
本発明の樹脂組成物の調製方法は、特に限定されず、樹脂組成物を構成する各成分を公知の方法により混合すればよい。
混合の方法は特に限定されないが、樹脂組成物を構成する各成分を溶剤に溶解または分散して得られる溶液または分散液を混合するのが好ましい。これにより、樹脂組成物は、溶液または分散液の形態で得られる。The preparation method of the resin composition of this invention is not specifically limited, What is necessary is just to mix each component which comprises a resin composition by a well-known method.
The mixing method is not particularly limited, but it is preferable to mix a solution or dispersion obtained by dissolving or dispersing each component constituting the resin composition in a solvent. Thereby, a resin composition is obtained with the form of a solution or a dispersion liquid.
樹脂組成物を構成する各成分を溶剤に溶解または分散する方法は、常法に従えばよい。具体的には、攪拌子とマグネティックスターラーを使用した攪拌、高速ホモジナイザー、ディスパー、遊星攪拌機、二軸攪拌機、ボールミル、三本ロール等を使用して行なうことができる。また、各成分を溶剤に溶解または分散した後に、例えば、孔径が0.5μm程度のフィルター等を用いて濾過してもよい。 A method for dissolving or dispersing each component constituting the resin composition in a solvent may follow a conventional method. Specifically, stirring using a stirrer and a magnetic stirrer, a high-speed homogenizer, a disper, a planetary stirrer, a twin-screw stirrer, a ball mill, a three-roll, etc. can be used. Further, after each component is dissolved or dispersed in a solvent, it may be filtered using, for example, a filter having a pore size of about 0.5 μm.
本発明の樹脂組成物の固形分濃度は、通常、1〜70重量%、好ましくは5〜60重量%、より好ましくは10〜50重量%である。固形分濃度がこの範囲にあれば、溶解安定性、塗布性や形成される樹脂膜の膜厚均一性、平坦性等が高度にバランスされ得る。 The solid content concentration of the resin composition of the present invention is usually 1 to 70% by weight, preferably 5 to 60% by weight, and more preferably 10 to 50% by weight. If the solid content concentration is within this range, dissolution stability, coating properties, film thickness uniformity of the formed resin film, flatness, and the like can be highly balanced.
(半導体素子基板)
次いで、本発明の半導体素子基板について、説明する。本発明の半導体素子基板は、上述した本発明の樹脂組成物からなる樹脂膜を有する。(Semiconductor element substrate)
Next, the semiconductor element substrate of the present invention will be described. The semiconductor element substrate of the present invention has a resin film made of the above-described resin composition of the present invention.
本発明の半導体素子基板としては、基板上に半導体素子が実装された構成を有するものであればよく、特に限定されないが、アクティブマトリックス基板、有機EL素子基板、集積回路素子基板、および固体撮像素子基板などが挙げられ、上述した本発明の樹脂組成物からなる樹脂膜を形成することによる特性向上効果が特に顕著であるという観点より、アクティブマトリックス基板、および有機EL素子基板が好ましい。 The semiconductor element substrate of the present invention is not particularly limited as long as it has a configuration in which a semiconductor element is mounted on the substrate, but is not limited to an active matrix substrate, an organic EL element substrate, an integrated circuit element substrate, and a solid-state imaging element. An active matrix substrate and an organic EL element substrate are preferable from the viewpoint that the effect of improving the characteristics by forming the resin film made of the resin composition of the present invention described above is particularly remarkable.
本発明の半導体素子基板の一例としてのアクティブマトリックス基板としては、特に限定されないが、基板上に、薄膜トランジスタ(TFT)などのスイッチング素子がマトリックス状に配置されると共に、該スイッチング素子を駆動するためのゲート信号を供給するゲート信号線、および該スイッチング素子に表示信号を供給するためのソース信号線が互いに交差するよう設けられている構成を有するものなどが例示される。また、スイッチング素子の一例としての薄膜トランジスタとしては、基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極、およびドレイン電極を有する構成などが例示される。 The active matrix substrate as an example of the semiconductor element substrate of the present invention is not particularly limited, but switching elements such as thin film transistors (TFTs) are arranged in a matrix on the substrate, and for driving the switching elements. Examples include a configuration in which a gate signal line for supplying a gate signal and a source signal line for supplying a display signal to the switching element are provided so as to cross each other. As a thin film transistor as an example of a switching element, a structure in which a gate electrode, a gate insulating layer, a semiconductor layer, a source electrode, and a drain electrode are provided over a substrate is exemplified.
さらに、本発明の半導体素子基板の一例としての有機EL素子基板としては、たとえば、基板上に、陽極、正孔注入輸送層、半導体層としての有機発光層、電子注入層、および陰極などから構成される発光体部と、該発光体部を分離するために画素分離膜とを有する構成を有するものなどが例示される。 Furthermore, the organic EL element substrate as an example of the semiconductor element substrate of the present invention includes, for example, an anode, a hole injection transport layer, an organic light emitting layer as a semiconductor layer, an electron injection layer, and a cathode on the substrate. Examples include those having a structure having a light emitting body portion and a pixel separation film for separating the light emitting body portion.
そして、本発明の半導体素子基板を構成する樹脂膜としては、上述した樹脂組成物からなり、半導体素子基板に実装されている半導体素子表面、または半導体素子に含まれる半導体層と接触して形成される樹脂膜であることが好ましく、特に限定されないが、本発明の半導体素子基板が、アクティブマトリックス基板、または有機EL素子基板である場合には、次のように構成することができる。すなわち、たとえば、本発明の半導体素子基板が、アクティブマトリックス基板である場合には、上述した本発明の樹脂組成物からなる樹脂膜は、アクティブマトリックス基板の表面に形成される保護膜や、アクティブマトリックス基板を構成する薄膜トランジスタの半導体層(たとえば、アモルファスシリコン層)と接触して形成されるゲート絶縁膜とすることができる。あるいは、本発明の半導体素子基板が、有機EL素子基板である場合には、有機EL素子基板の表面に形成される封止膜や、有機EL素子基板に含まれる発光体部(通常、陽極、正孔注入輸送層、半導体層としての有機発光層、電子注入層、および陰極から構成される。)を分離するための画素分離膜とすることができる。 The resin film constituting the semiconductor element substrate of the present invention is made of the resin composition described above, and is formed in contact with the surface of the semiconductor element mounted on the semiconductor element substrate or the semiconductor layer included in the semiconductor element. The resin film is preferably not particularly limited, but when the semiconductor element substrate of the present invention is an active matrix substrate or an organic EL element substrate, it can be configured as follows. That is, for example, when the semiconductor element substrate of the present invention is an active matrix substrate, the above-described resin film made of the resin composition of the present invention is a protective film or active matrix formed on the surface of the active matrix substrate. A gate insulating film formed in contact with a semiconductor layer (for example, an amorphous silicon layer) of a thin film transistor that forms a substrate can be used. Alternatively, when the semiconductor element substrate of the present invention is an organic EL element substrate, a sealing film formed on the surface of the organic EL element substrate or a light emitter part (usually an anode, A pixel separation film for separating a hole injection transport layer, an organic light emitting layer as a semiconductor layer, an electron injection layer, and a cathode).
本発明の半導体素子基板において、樹脂膜を形成する方法としては、特に限定されず、例えば、塗布法やフィルム積層法等の方法を用いることができる。 In the semiconductor element substrate of the present invention, the method for forming the resin film is not particularly limited, and for example, a coating method, a film lamination method, or the like can be used.
塗布法は、例えば、樹脂組成物を、塗布した後、加熱乾燥して溶剤を除去する方法である。樹脂組成物を塗布する方法としては、例えば、スプレー法、スピンコート法、ロールコート法、ダイコート法、ドクターブレード法、回転塗布法、バー塗布法、スクリーン印刷法等の各種の方法を採用することができる。加熱乾燥条件は、各成分の種類や配合割合に応じて異なるが、通常、30〜150℃、好ましくは60〜120℃で、通常、0.5〜90分間、好ましくは1〜60分間、より好ましくは1〜30分間で行なえばよい。 The application method is, for example, a method of removing a solvent by applying a resin composition and then drying by heating. As a method for applying the resin composition, for example, various methods such as a spray method, a spin coating method, a roll coating method, a die coating method, a doctor blade method, a spin coating method, a bar coating method, and a screen printing method may be adopted. Can do. The heating and drying conditions vary depending on the type and blending ratio of each component, but are usually 30 to 150 ° C., preferably 60 to 120 ° C., usually 0.5 to 90 minutes, preferably 1 to 60 minutes, and more. Preferably it may be performed in 1 to 30 minutes.
フィルム積層法は、樹脂組成物を、樹脂フィルムや金属フィルム等のBステージフィルム形成用基材上に塗布した後に加熱乾燥により溶剤を除去してBステージフィルムを得、次いで、このBステージフィルムを、積層する方法である。加熱乾燥条件は、各成分の種類や配合割合に応じて適宜選択することができるが、加熱温度は、通常、30〜150℃であり、加熱時間は、通常、0.5〜90分間である。フィルム積層は、加圧ラミネータ、プレス、真空ラミネータ、真空プレス、ロールラミネータ等の圧着機を用いて行なうことができる。 In the film lamination method, the resin composition is applied onto a B-stage film-forming substrate such as a resin film or a metal film, and then the solvent is removed by heating and drying to obtain a B-stage film. It is a method of laminating. The heating and drying conditions can be appropriately selected according to the type and mixing ratio of each component, but the heating temperature is usually 30 to 150 ° C., and the heating time is usually 0.5 to 90 minutes. . Film lamination can be performed using a pressure laminator, a press, a vacuum laminator, a vacuum press, a roll laminator or the like.
樹脂膜の厚さとしては、特に限定されず、用途に応じて適宜設定すればよいが、樹脂膜が、アクティブマトリックス基板用の保護膜、または有機EL素子基板用の封止膜である場合には、樹脂膜の厚さは、好ましくは0.1〜100μm、より好ましくは0.5〜50μm、さらに好ましくは0.5〜30μmである。 The thickness of the resin film is not particularly limited and may be appropriately set depending on the application. However, when the resin film is a protective film for an active matrix substrate or a sealing film for an organic EL element substrate. The thickness of the resin film is preferably 0.1 to 100 μm, more preferably 0.5 to 50 μm, and still more preferably 0.5 to 30 μm.
また、本発明の樹脂組成物が、架橋剤(E)を含むものである場合には、上記した塗布法またはフィルム積層法により形成した樹脂膜について、架橋反応を行なうことができる。このような架橋は、架橋剤(E)の種類に応じて適宜方法を選択すればよいが、通常、加熱により行なう。加熱方法は、例えば、ホットプレート、オーブン等を用いて行なうことができる。加熱温度は、通常、180〜250℃であり、加熱時間は、樹脂膜の面積や厚さ、使用機器等により適宜選択され、例えばホットプレートを用いる場合は、通常、5〜60分間、オーブンを用いる場合は、通常、30〜90分間の範囲である。加熱は、必要に応じて不活性ガス雰囲気下で行ってもよい。不活性ガスとしては、酸素を含まず、かつ、樹脂膜を酸化させないものであればよく、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトン等が挙げられる。これらの中でも窒素とアルゴンが好ましく、特に窒素が好ましい。特に、酸素含有量が0.1体積%以下、好ましくは0.01体積%以下の不活性ガス、特に窒素が好適である。これらの不活性ガスは、それぞれ単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。 Moreover, when the resin composition of this invention contains a crosslinking agent (E), a crosslinking reaction can be performed about the resin film formed by the above-mentioned coating method or film lamination method. Such crosslinking may be appropriately selected depending on the type of the crosslinking agent (E), but is usually performed by heating. The heating method can be performed using, for example, a hot plate or an oven. The heating temperature is usually 180 to 250 ° C., and the heating time is appropriately selected according to the area and thickness of the resin film, the equipment used, and the like. For example, when using a hot plate, the oven is usually used for 5 to 60 minutes. When used, it is usually in the range of 30 to 90 minutes. Heating may be performed in an inert gas atmosphere as necessary. Any inert gas may be used as long as it does not contain oxygen and does not oxidize the resin film. Examples thereof include nitrogen, argon, helium, neon, xenon, and krypton. Among these, nitrogen and argon are preferable, and nitrogen is particularly preferable. In particular, an inert gas having an oxygen content of 0.1% by volume or less, preferably 0.01% by volume or less, particularly nitrogen is suitable. These inert gases can be used alone or in combination of two or more.
また、上述した樹脂組成物からなる樹脂膜が、アクティブマトリックス基板用の保護膜、または有機EL素子基板用の封止膜など、所定のパターンで形成されるものである場合には、パターン化してもよい。樹脂膜をパターン化する方法としては、たとえば、樹脂組成物に感放射線化合物(D)を含有させ、感放射線化合物(D)を含有する樹脂組成物を用いて、パターン化前の樹脂膜を形成し、パターン化前の樹脂膜に活性放射線を照射して潜像パターンを形成し、次いで潜像パターンを有する樹脂膜に現像液を接触させることによりパターンを顕在化させる方法などが挙げられる。 In addition, if the resin film made of the resin composition described above is formed in a predetermined pattern, such as a protective film for an active matrix substrate or a sealing film for an organic EL element substrate, it is patterned. Also good. As a method for patterning a resin film, for example, a resin composition is made to contain a radiation sensitive compound (D), and a resin film before patterning is formed using the resin composition containing the radiation sensitive compound (D). In addition, there is a method in which a latent image pattern is formed by irradiating the resin film before patterning with actinic radiation, and then the developer is brought into contact with the resin film having the latent image pattern, thereby revealing the pattern.
活性放射線としては、樹脂組成物に含有させる感放射線化合物(D)を活性化させ、感放射線化合物(D)を含む樹脂組成物のアルカリ可溶性を変化させることができるものであれば特に限定されない。具体的には、紫外線、g線やi線等の単一波長の紫外線、KrFエキシマレーザー光、ArFエキシマレーザー光等の光線;電子線のような粒子線;等を用いることができる。これらの活性放射線を選択的にパターン状に照射して潜像パターンを形成する方法としては、常法に従えばよく、例えば、縮小投影露光装置等により、紫外線、g線、i線、KrFエキシマレーザー光、ArFエキシマレーザー光等の光線を所望のマスクパターンを介して照射する方法、または電子線等の粒子線により描画する方法等を用いることができる。活性放射線として光線を用いる場合は、単一波長光であっても、混合波長光であってもよい。照射条件は、使用する活性放射線に応じて適宜選択されるが、例えば、波長200〜450nmの光線を使用する場合、照射量は、通常10〜1,000mJ/cm2、好ましくは50〜500mJ/cm2の範囲であり、照射時間と照度に応じて決まる。このようにして活性放射線を照射した後、必要に応じ、樹脂膜を60〜130℃程度の温度で1〜2分間程度加熱処理する。The actinic radiation is not particularly limited as long as it can activate the radiation-sensitive compound (D) contained in the resin composition and change the alkali solubility of the resin composition containing the radiation-sensitive compound (D). Specifically, ultraviolet rays, ultraviolet rays having a single wavelength such as g-line or i-line, light rays such as KrF excimer laser light and ArF excimer laser light; particle beams such as electron beams; As a method for selectively irradiating these actinic radiations in a pattern to form a latent image pattern, a conventional method may be used. For example, ultraviolet, g-line, i-line, KrF excimer is used by a reduction projection exposure apparatus or the like. A method of irradiating a light beam such as a laser beam or an ArF excimer laser beam through a desired mask pattern, a method of drawing with a particle beam such as an electron beam, or the like can be used. When light is used as the active radiation, it may be single wavelength light or mixed wavelength light. Irradiation conditions may be appropriately selected depending on the active radiation to be used, for example, when using a light beam of wavelength 200 to 450 nm, the amount of irradiation is usually 10~1,000mJ / cm 2, preferably 50 to 500 mJ / It is a range of cm 2 and is determined according to irradiation time and illuminance. After irradiation with actinic radiation in this manner, the resin film is heat-treated at a temperature of about 60 to 130 ° C. for about 1 to 2 minutes as necessary.
次に、パターン化前の樹脂膜に形成された潜像パターンを現像して顕在化させる。現像液としては、通常、アルカリ性化合物の水性溶液が用いられる。アルカリ性化合物としては、例えば、アルカリ金属塩、アミン、アンモニウム塩を使用することができる。アルカリ性化合物は、無機化合物であっても有機化合物であってもよい。これらの化合物の具体例としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム等のアルカリ金属塩;アンモニア水;エチルアミン、n−プロピルアミン等の第一級アミン;ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン等の第二級アミン;トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三級アミン;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第四級アンモニウム塩;ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン;ピロール、ピペリジン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ−7−エン、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ−5−エン、N−メチルピロリドン等の環状アミン類;等が挙げられる。これらアルカリ性化合物は、それぞれ単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。 Next, the latent image pattern formed on the resin film before patterning is developed and made visible. As the developer, an aqueous solution of an alkaline compound is usually used. As the alkaline compound, for example, an alkali metal salt, an amine, or an ammonium salt can be used. The alkaline compound may be an inorganic compound or an organic compound. Specific examples of these compounds include alkali metal salts such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate and sodium metasilicate; ammonia water; primary amines such as ethylamine and n-propylamine; diethylamine Secondary amines such as di-n-propylamine; tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine; quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide and choline Alcohol alcohols such as dimethylethanolamine and triethanolamine; pyrrole, piperidine, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undec-7-ene, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] nona-5 -En, N-Me Cyclic amines such as Rupiroridon; and the like. These alkaline compounds can be used alone or in combination of two or more.
アルカリ水性溶液の水性媒体としては、水;メタノール、エタノール等の水溶性有機溶剤を使用することができる。アルカリ水性溶液は、界面活性剤等を適当量添加したものであってもよい。
潜像パターンを有する樹脂膜に現像液を接触させる方法としては、例えば、パドル法、スプレー法、ディッピング法等の方法が用いられる。現像は、通常、0〜100℃、好ましくは5〜55℃、より好ましくは10〜30℃の範囲で、通常、30〜180秒間の範囲で適宜選択される。As an aqueous medium of the alkaline aqueous solution, water; water-soluble organic solvents such as methanol and ethanol can be used. The alkaline aqueous solution may have a surfactant added in an appropriate amount.
As a method of bringing the developer into contact with the resin film having the latent image pattern, for example, a paddle method, a spray method, a dipping method, or the like is used. The development is usually appropriately selected in the range of 0 to 100 ° C, preferably 5 to 55 ° C, more preferably 10 to 30 ° C, and usually 30 to 180 seconds.
このようにして目的とするパターンが形成された樹脂膜は、必要に応じて、現像残渣を除去するために、リンス液でリンスすることができる。リンス処理の後、残存しているリンス液を圧縮空気や圧縮窒素により除去する。
さらに、必要に応じて、樹脂組成物に含有させた感放射線化合物(D)を失活させるために、半導体素子基板全面に、活性放射線を照射することもできる。活性放射線の照射には、上記潜像パターンの形成に例示した方法を利用できる。照射と同時に、または照射後に樹脂膜を加熱してもよい。加熱方法としては、例えば、半導体素子基板をホットプレートやオーブン内で加熱する方法が挙げられる。温度は、通常、100〜300℃、好ましくは120〜200℃の範囲である。The resin film on which the target pattern is formed in this manner can be rinsed with a rinsing liquid in order to remove the development residue, if necessary. After the rinse treatment, the remaining rinse liquid is removed with compressed air or compressed nitrogen.
Furthermore, in order to deactivate the radiation-sensitive compound (D) contained in the resin composition as necessary, the entire surface of the semiconductor element substrate can be irradiated with actinic radiation. For irradiation with actinic radiation, the method exemplified in the formation of the latent image pattern can be used. The resin film may be heated simultaneously with irradiation or after irradiation. Examples of the heating method include a method of heating the semiconductor element substrate in a hot plate or an oven. The temperature is usually in the range of 100 to 300 ° C, preferably 120 to 200 ° C.
本発明において、樹脂膜は、パターン化した後に、架橋反応を行なうことができる。架橋は、上述した方法にしたがって行なえばよい。 In the present invention, the resin film can be subjected to a crosslinking reaction after being patterned. Crosslinking may be performed according to the method described above.
本発明の樹脂組成物は、バインダー樹脂(A)に、シラン変性樹脂(B)と、酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)とを特定の比率で配合してなるものであるため、本発明の樹脂組成物は、保存安定性に優れ、また、本発明の樹脂組成物を用いて得られる樹脂膜は、現像によるパターン形成性及び透明性に優れたものである。そして、本発明によれば、このような樹脂膜を、半導体素子基板に適用することにより、半導体素子基板に含まれる樹脂膜を高精度にパターン化することが可能となるため、これにより、高性能化が可能な半導体素子基板を提供することができる。また、本発明の樹脂組成物を用いて得られる樹脂膜は、透明性に優れることから、透明性の要求される用途に好適に用いることができる。 The resin composition of the present invention is obtained by blending the binder resin (A) with the silane-modified resin (B) and the compound (C) having an acidic group or a thermal latent acidic group at a specific ratio. Therefore, the resin composition of the present invention is excellent in storage stability, and the resin film obtained using the resin composition of the present invention is excellent in pattern formability and transparency by development. According to the present invention, by applying such a resin film to a semiconductor element substrate, the resin film included in the semiconductor element substrate can be patterned with high accuracy. A semiconductor element substrate capable of improving performance can be provided. Moreover, since the resin film obtained using the resin composition of this invention is excellent in transparency, it can be used suitably for the use as which transparency is requested | required.
以下に、実施例及び比較例を挙げて、本発明についてより具体的に説明する。各例中の「部」は、特に断りのない限り、重量基準である。
なお、各特性の定義および評価方法は、以下のとおりである。Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples. “Part” in each example is based on weight unless otherwise specified.
In addition, the definition and evaluation method of each characteristic are as follows.
<重合転化率>
重合反応終了後、ガスクロマトグラフィーを用いて反応液中の単量体の残存量を測定し、その値より算出した。<Polymerization conversion>
After completion of the polymerization reaction, the residual amount of the monomer in the reaction solution was measured using gas chromatography and calculated from the value.
<水素添加率>
1H−NMRスペクトルにより、水素添加された炭素−炭素二重結合モル数を水素添加前の炭素−炭素二重結合モル数に対する割合として求めた。水素添加前を基準として、水素添加された炭素−炭素二重結合の割合をモル%として求めた。<Hydrogen addition rate>
From the 1 H-NMR spectrum, the number of moles of carbon-carbon double bonds hydrogenated was determined as a ratio to the number of moles of carbon-carbon double bonds before hydrogenation. Based on the pre-hydrogenation ratio, the ratio of carbon-carbon double bonds that were hydrogenated was determined as mol%.
<重量平均分子量・数平均分子量>
ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(略称GPC、東ソー社製、型版「HLC−8020」、TSKgel SuperH2000、TSKgel SuperH4000、TSKgel SuperH5000の3種類のカラムを組み合わせて使用)を用い、ポリスチレン換算の分子量として算出した。なお、展開溶剤としては、テトラヒドロフランを用いた。<Weight average molecular weight / number average molecular weight>
The molecular weight in terms of polystyrene was calculated using gel permeation chromatography (abbreviation GPC, manufactured by Tosoh Corporation, using a combination of three types of columns: “HLC-8020”, TSKgel SuperH2000, TSKgel SuperH4000, and TSKgel SuperH5000). Tetrahydrofuran was used as the developing solvent.
<現像密着性>
樹脂組成物をシリコンウェハ上にスピンコートした後、ホットプレートを用いて100℃で2分間プリベークして、2.5μm厚の樹脂膜を形成した。次いで、樹脂膜をパターニングするために、光が透過可能な短冊状のスリット(スペースに相当)を平行して10本有し、互いに隣り合うスリット間(ラインに相当)の幅がスリット幅と同じとなっているマスク(すなわち、同じ幅のラインアンドスペースパターンを形成可能なマスク)を介して、365nmにおける光強度が5mW/cm2である紫外線を、所望の時間にて照射した。なお、マスクとしては、スリット幅及び隣り合うスリット間の幅が、それぞれ1μm、2μm、3μm、4μm、5μm、10μm、25μm及び50μmのものの合計8種類を使用した。<Development adhesion>
The resin composition was spin coated on a silicon wafer and then pre-baked at 100 ° C. for 2 minutes using a hot plate to form a 2.5 μm thick resin film. Next, in order to pattern the resin film, there are 10 strip-like slits (corresponding to spaces) that can transmit light in parallel, and the width between adjacent slits (corresponding to lines) is the same as the slit width. Through a mask (that is, a mask capable of forming a line-and-space pattern with the same width), ultraviolet light having a light intensity at 365 nm of 5 mW / cm 2 was irradiated for a desired time. In addition, as the mask, a total of eight types of slit widths and widths between adjacent slits were used: 1 μm, 2 μm, 3 μm, 4 μm, 5 μm, 10 μm, 25 μm, and 50 μm, respectively.
次いで、0.4重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を現像液として用いて、23℃で120秒間、パドル法により現像処理を行ったのち、超純水で30秒間リンスした。なお、パドル法とは、樹脂膜上に現像液を盛り静置する方法である。以上により、ガラス基板上にマスクが転写されたパターン(ラインアンドスペースのパターン)を有する樹脂膜(すなわち、1μm、2μm、3μm、4μm、5μm、10μm、25μm及び50μmのライン幅及びスペース幅を有する8種類の樹脂膜)を作製した。本実施例においては、ポジ型の感放射線能を有する樹脂組成物を用いて樹脂膜を作製しているため、該樹脂膜において、マスクのスリット部にあたる部分は樹脂膜が除去された部分にあたり、これをスペース部と呼び、マスクの隣り合うスリット間にあたる部分は樹脂膜が残っている部分にあたり、これをライン部と呼ぶ。そして、このようなパターンを有する樹脂膜が形成されたガラス基板を密着性測定試料とし、以下の方法により密着性を評価した。 Next, a 0.4 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution was used as a developing solution, and after a development process by a paddle method at 23 ° C. for 120 seconds, rinsing with ultrapure water was performed for 30 seconds. The paddle method is a method in which a developer is placed on a resin film. As described above, a resin film having a pattern (line and space pattern) in which a mask is transferred onto a glass substrate (that is, line width and space width of 1 μm, 2 μm, 3 μm, 4 μm, 5 μm, 10 μm, 25 μm, and 50 μm). Eight types of resin films) were prepared. In this example, since a resin film is produced using a positive-type resin composition having radiation sensitivity, in the resin film, the portion corresponding to the slit portion of the mask corresponds to the portion where the resin film is removed, This is called a space portion, and a portion between adjacent slits of the mask corresponds to a portion where the resin film remains, and this is called a line portion. And the glass substrate in which the resin film which has such a pattern was formed was made into the adhesiveness measurement sample, and the adhesiveness was evaluated with the following method.
すなわち、上記にて得られた密着性測定用試料を、光学顕微鏡を用いて観察することにより、密着性の評価を行った。具体的には、まず、基板から剥がれたライン部の有無を確認した。剥がれたライン部が無ければ密着性が高いと言える。剥がれたライン部が有った場合には、最大で何μm幅のライン部にまで剥がれがあるかを確認し、以下の基準で評価した。ライン部は幅が小さいほど基板から剥がれやすい。従って、基板から剥がれたライン部の幅で最大の幅が小さいほど密着性が高いといえる。
○:剥がれたライン部が存在しない。あるいは、剥がれたライン部が存在していても、剥がれたライン部の最大ライン幅が3μm以下
△:剥がれたライン部の最大ライン幅が4〜5μm
×:剥がれたライン部の最大ライン幅が10μm以上That is, the adhesion was evaluated by observing the adhesion measurement sample obtained above using an optical microscope. Specifically, first, the presence or absence of a line part peeled off from the substrate was confirmed. If there is no peeled line part, it can be said that the adhesiveness is high. When there was a peeled line portion, the maximum width of the line portion was confirmed, and evaluation was performed according to the following criteria. The line portion is more easily peeled off from the substrate as the width is smaller. Accordingly, it can be said that the smaller the maximum width of the line portion peeled from the substrate is, the higher the adhesion is.
○: The peeled line portion does not exist. Or, even if the peeled line part exists, the maximum line width of the peeled line part is 3 μm or less. Δ: The maximum line width of the peeled line part is 4 to 5 μm.
X: The maximum line width of the peeled line part is 10 μm or more.
<現像時残渣>
感放射線性樹脂組成物をシリコンウェハ上にスピンコートした後、ホットプレートを用いて100℃で2分間プリベークして、2.5μm厚の樹脂膜を形成した。次いで、この樹脂膜に、8μm×8μmのホールパターンのマスクを介して、365nmにおける光強度が5mW/cm2である紫外線を、60秒間、空気中で照射した。次いで、0.4重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、23℃、120秒間現像処理を行った後、超純水で30秒間リンスしてコンタクトホールのパターンを形成した。
そして、このようにして得られたコンタクトホールのパターンを有する樹脂膜について、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて、コンタクトホール内における、溶解残渣の有無を確認し、以下の基準で評価した。溶解残渣が観測されない方が、現像によるパターン形成性に優れるため、好ましい。
○:現像残渣が観測されなかった。
×:現像残渣が観測された。<Residue during development>
The radiation sensitive resin composition was spin coated on a silicon wafer and then pre-baked at 100 ° C. for 2 minutes using a hot plate to form a 2.5 μm thick resin film. Next, the resin film was irradiated with ultraviolet rays having a light intensity at 365 nm of 5 mW / cm 2 in the air for 60 seconds through a mask having a hole pattern of 8 μm × 8 μm. Next, development processing was performed at 23 ° C. for 120 seconds using a 0.4 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, followed by rinsing with ultrapure water for 30 seconds to form a contact hole pattern.
And about the resin film which has the pattern of the contact hole obtained in this way, the presence or absence of the melt | dissolution residue in a contact hole was confirmed using the scanning electron microscope (SEM), and the following references | standards evaluated. It is preferable that no dissolution residue is observed because the pattern forming property by development is excellent.
○: No development residue was observed.
X: Development residue was observed.
<焼成時ホール状態>
上述した現像時残渣の評価と同様にして得られたコンタクトホールのパターンを有する樹脂膜に、365nmにおける光強度が5mW/cm2である紫外線を、100秒間、空気中で照射した。そして、得られたパターンの断面を電子顕微鏡で観察して、パターンの下端幅を測定し、これを「ポストベーク前のパターンの下端幅a」とした。次いで、得られたパターンを有する樹脂膜について、オーブンを用いて230℃、1時間ポストベークを行ない、得られたポストベーク後の樹脂膜について、パターンの断面を電子顕微鏡で観察して、パターンの上端の形状を評価するとともに、パターンの下端幅を測定し、これを「ポストベーク後のパターンの下端幅b」とした。そして、ポストベーク前のパターンの下端幅aに対するポストベーク後のパターンの下端幅bの比率(b/a)を求めて、下記の基準で評価を行った。
○:b/aが0.8以上であった。
△:b/aが0.5以上かつ0.8未満であった。
×:b/aが0.5未満、またはコンタクトホールの形状が歪んでいた。<Hall state during firing>
The resin film having the contact hole pattern obtained in the same manner as the evaluation of the residue at the time of development described above was irradiated with ultraviolet rays having a light intensity at 365 nm of 5 mW / cm 2 in the air for 100 seconds. And the cross section of the obtained pattern was observed with the electron microscope, the lower end width of the pattern was measured, and this was made into "the lower end width a of the pattern before post-baking". Next, the resin film having the obtained pattern was post-baked at 230 ° C. for 1 hour using an oven, and the resulting post-baked resin film was observed with a cross section of the pattern with an electron microscope. While evaluating the shape of the upper end, the lower end width of the pattern was measured, and this was defined as “the lower end width b of the post-baked pattern”. And the ratio (b / a) of the lower end width b of the pattern after post-baking to the lower end width a of the pattern before post-baking was calculated | required, and the following reference | standard evaluated.
○: b / a was 0.8 or more.
Δ: b / a was 0.5 or more and less than 0.8.
X: b / a was less than 0.5, or the shape of the contact hole was distorted.
<透明性>
ガラス基板(コーニング社製、「コーニング1737(製品名)」)上に、樹脂組成物をスピンコートしたのち、ホットプレートを用いて100℃で2分間プリベークして、膜厚2.5μmの樹脂膜を形成した。次いで、この樹脂膜について、0.4重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、23℃で120秒間浸漬処理を行ったのち、超純水で30秒間洗浄を行い、次いで、365nmにおける光強度が5mW/cm2である紫外線を、100秒間、空気中で照射した。そして、紫外線を照射した樹脂膜について、オーブンを用いて、230℃で60分間加熱するポストベークを行うことで、樹脂膜が形成されたガラス基板からなる試験用試料を得た。そして、得られた試験用試料について、分光光度計( 日本分光株式会社製、「紫外可視分光光度計V−560(製品名)」を用いて、波長400nmでの透過率の測定を行い、樹脂膜の透明性を、下記の基準で評価した。なお、樹脂膜の透過率は、樹脂膜が付いていないガラス基板をブランクとし、樹脂膜厚が2μmであるとしたときの換算値を算出することにより、求めた。
○:光線透過率が90%以上
△:光線透過率が80%以上かつ90%未満
×:光線透過率が80%未満<Transparency>
A resin composition is spin-coated on a glass substrate (Corning 1737 (product name)) and then pre-baked at 100 ° C. for 2 minutes using a hot plate to give a resin film having a thickness of 2.5 μm. Formed. Next, the resin film was immersed in a 0.4 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 23 ° C. for 120 seconds, washed with ultrapure water for 30 seconds, and then the light intensity at 365 nm. There ultraviolet is 5 mW / cm 2, 100 seconds, was irradiated in air. And about the resin film irradiated with the ultraviolet-ray, the test sample which consists of a glass substrate in which the resin film was formed was obtained by performing the post-baking heated for 60 minutes at 230 degreeC using oven. And about the obtained test sample, the transmittance | permeability in wavelength 400nm is measured using a spectrophotometer (the JASCO Corporation make, "ultraviolet visible spectrophotometer V-560 (product name)", and resin The transparency of the film was evaluated according to the following criteria: The transmittance of the resin film is calculated as a conversion value when a glass substrate without a resin film is used as a blank and the resin film thickness is 2 μm. Sought by.
○: Light transmittance is 90% or more Δ: Light transmittance is 80% or more and less than 90% ×: Light transmittance is less than 80%
<保存安定性>
樹脂組成物を調製した後、23℃、湿度50%の環境で7日間放置し、その後、上述した現像時残渣の評価と同様にして得られたコンタクトホールのパターンを有する樹脂膜に、365nmにおける光強度が5mW/cm2である紫外線を、100秒間、空気中で照射した。そして、得られたパターンの断面を電子顕微鏡で観察して、パターンの下端幅を測定し、これを「7日間放置後の樹脂組成物のポストベーク前のパターンの下端幅a’」とした。そして、上述した焼成時ホール状態の評価にて得られたポストベーク前のパターンの下端幅aに対する7日間放置後の樹脂組成物のポストベーク前のパターンの下端幅a’の比率(a’/a)を求めて、下記の基準で評価を行った。
○:a’/aが0.95以上であり、かつ1.05以下であった。
×:a’/aが0.95未満、あるいは1.05超であった。<Storage stability>
After preparing the resin composition, it was allowed to stand for 7 days in an environment of 23 ° C. and 50% humidity. Thereafter, the resin film having a contact hole pattern obtained in the same manner as the evaluation of the development residue was applied at 365 nm. Ultraviolet rays having a light intensity of 5 mW / cm 2 were irradiated in the air for 100 seconds. And the cross section of the obtained pattern was observed with the electron microscope, the lower end width of the pattern was measured, and this was made into "the lower end width a 'of the pattern before post-baking of the resin composition after being left for 7 days." Then, the ratio of the lower end width a ′ of the pattern before post-baking of the resin composition after standing for 7 days to the lower end width a of the pattern before post-baking obtained by the evaluation of the hole state during firing described above (a ′ / a) was determined and evaluated according to the following criteria.
A: a ′ / a was 0.95 or more and 1.05 or less.
X: a ′ / a was less than 0.95 or more than 1.05.
《合成例1》
<環状オレフィン重合体(A−1)の調製>
N−(2−エチルヘキシル)−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド40モル%、および4−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカ−9−エン60モル%からなる単量体混合物100部、1,5−ヘキサジエン2部、(1,3−ジメシチルイミダゾリン−2−イリデン)(トリシクロヘキシルホスフィン)ベンジリデンルテニウムジクロリド(Org.Lett.,第1巻,953頁,1999年 に記載された方法で合成した)0.02部、及びジエチレングリコールエチルメチルエーテル200部を、窒素置換したガラス製耐圧反応器に仕込み、攪拌しつつ80℃にて4時間反応させて重合反応液を得た。<< Synthesis Example 1 >>
<Preparation of Cyclic Olefin Polymer (A-1)>
N- (2-ethylhexyl) -bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide 40 mol% and 4-hydroxycarbonyltetracyclo [6.2.1.13 , 6 . 100 parts of a monomer mixture consisting of 60 mol% of 0 2,7 ] dodec-9-ene, 2 parts of 1,5-hexadiene, (1,3-dimesityrylimidazoline-2-ylidene) (tricyclohexylphosphine) benzylidene 0.02 part of ruthenium dichloride (synthesized by the method described in Org. Lett., Vol. 1, page 953, 1999) and 200 parts of diethylene glycol ethyl methyl ether were charged into a nitrogen pressure-substituted glass pressure-resistant reactor. The mixture was reacted for 4 hours at 80 ° C. with stirring to obtain a polymerization reaction solution.
そして、得られた重合反応液をオートクレーブに入れて、150℃、水素圧4MPaで、5時間攪拌して水素化反応を行い、環状オレフィン重合体を含む重合体(A−1)溶液を得た。得られた重合体の重合転化率は99.7重量%、ポリスチレン換算重量平均分子量は7,150、数平均分子量は4,690、分子量分布は1.52、水素添加率は99.7%であった。また、得られた環状オレフィン重合体溶液の固形分濃度は34.4重量%であった。 And the obtained polymerization reaction liquid was put into an autoclave, and it stirred at 150 degreeC and the hydrogen pressure of 4 MPa for 5 hours, and performed the hydrogenation reaction, and obtained the polymer (A-1) solution containing a cyclic olefin polymer. . The polymerization conversion rate of the obtained polymer was 99.7% by weight, the polystyrene-equivalent weight average molecular weight was 7,150, the number average molecular weight was 4,690, the molecular weight distribution was 1.52, and the hydrogenation rate was 99.7%. there were. Moreover, the solid content concentration of the obtained cyclic olefin polymer solution was 34.4% by weight.
《合成例2》
<アクリル重合体(A−2)の調製>
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス−(2,4−ジメチルバレロニトリル)7部とジエチレングリコールエチルメチルエーテル200部とを仕込んだ。引き続き、メタクリル酸16部、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルメタクリレート16部、2−メチルシクロヘキシルアクリレート20部、メタクリル酸グリシジル40部、スチレン10部及びα−メチルスチレンダイマー3部を仕込んで窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。次いで、溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を4時間保持することによってアクリル重合体(A−2)を含む重合体溶液を得た。アクリル重合体(A−2)のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は8,000、分子量分布(Mw/Mn)は2.3であった。また、得られたアクリル重合体(A−2)溶液の固形分濃度は34.4重量%であった。<< Synthesis Example 2 >>
<Preparation of acrylic polymer (A-2)>
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts of 2,2′-azobis- (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 16 parts of methacrylic acid, 16 parts of tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl methacrylate, 20 parts of 2-methylcyclohexyl acrylate, 40 parts of glycidyl methacrylate, 10 parts of styrene and α-methyl After 3 parts of styrene dimer was charged and purged with nitrogen, stirring was started gently. Next, the temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 4 hours to obtain a polymer solution containing the acrylic polymer (A-2). The acrylic polymer (A-2) had a polystyrene equivalent weight average molecular weight (Mw) of 8,000 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 2.3. Moreover, solid content concentration of the obtained acrylic polymer (A-2) solution was 34.4 weight%.
《合成例3》
<ポリ(メチルトリメトキシシラン)の調製>
攪拌装置、還流冷却管、及び温度計を取り付けたフラスコにメチルトリメトキシシランを136部、及びメタノール32部を仕込んだ。次いで、これらを常温で攪拌をしながら、イオン交換水13.5部(メチルトリメトキシシランに対して、0.75モル当量)に濃塩酸0.1部を溶かした水溶液を5分間かけて滴下し、4時間反応を続けた。そして、4時間の反応後、還流冷却管を分留管に取り替え、引き続いて、温度80℃、常圧下で30分間低沸点成分の留去を行い、その後、温度100℃、圧力0.3KPaになるまで留去を行うことで、ポリ(メチルトリメトキシシラン)を得た。得られたポリ(メチルトリメトキシシラン)を、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により分析したところ、得られたポリ(メチルトリメトキシシラン)は、重量平均分子量490(ポリスチレン換算)であった。<< Synthesis Example 3 >>
<Preparation of poly (methyltrimethoxysilane)>
A flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, and a thermometer was charged with 136 parts of methyltrimethoxysilane and 32 parts of methanol. Next, an aqueous solution obtained by dissolving 0.1 part of concentrated hydrochloric acid in 13.5 parts of ion-exchanged water (0.75 molar equivalent with respect to methyltrimethoxysilane) was added dropwise over 5 minutes while stirring at room temperature. The reaction was continued for 4 hours. Then, after the reaction for 4 hours, the reflux condenser was replaced with a fractionation tube, followed by distilling off low-boiling components at a temperature of 80 ° C. and normal pressure for 30 minutes. Di (methyltrimethoxysilane) was obtained by performing distillation until it became. When the obtained poly (methyltrimethoxysilane) was analyzed by gel permeation chromatography (GPC), the obtained poly (methyltrimethoxysilane) had a weight average molecular weight of 490 (polystyrene conversion).
《合成例4》
<シラン変性エポキシ樹脂(B−1)溶液の調製>
攪拌機、冷却管、及び温度計を備えた反応装置に、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量480g/eq)800.0部、及びジエチレングリコールジメチルエーテル960.0部を加え、80℃で溶解した。そして、ここに、合成例3で得られたポリ(メチルトリメトキシシラン)605.0部、及び触媒としてのジブチル錫ラウレート2.3部を加え、80℃で5時間、脱メタノール反応させて、シラン変性エポキシ樹脂(B−1)溶液を得た。なお、得られたシラン変性エポキシ樹脂は、有効成分(硬化後)が50重量%、シリカ換算の重量/ビスフェノール型エポキシ樹脂の重量(重量比)が0.51であり、エポキシ当量が1400g/eqであった。また、ポリ(メチルトリメトキシシラン)の、部分縮合物成分のメトキシ基の87モル%が保持されていることが、1H−NMRで確認された。<< Synthesis Example 4 >>
<Preparation of silane-modified epoxy resin (B-1) solution>
800.0 parts of bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent 480 g / eq) and 960.0 parts of diethylene glycol dimethyl ether were added to a reactor equipped with a stirrer, a condenser, and a thermometer, and dissolved at 80 ° C. Then, 605.0 parts of poly (methyltrimethoxysilane) obtained in Synthesis Example 3 and 2.3 parts of dibutyltin laurate as a catalyst were added, and a demethanol reaction was performed at 80 ° C. for 5 hours. A silane-modified epoxy resin (B-1) solution was obtained. The obtained silane-modified epoxy resin has an active ingredient (after curing) of 50% by weight, a silica-equivalent weight / bisphenol-type epoxy resin weight (weight ratio) of 0.51, and an epoxy equivalent of 1400 g / eq. Met. Moreover, it was confirmed by 1 H-NMR that 87 mol% of the methoxy group of the partial condensate component of poly (methyltrimethoxysilane) was retained.
《合成例5》
<シラン変性フェノール樹脂(B−2)の調製>
攪拌機、分水器、温度計及び窒素ガス導入管を備えた反応装置に、ノボラック型フェノール樹脂(荒川化学工業(株)製,商品名タマノル759)800部、合成例3で得られたポリ(メチルトリメトキシシラン)590.3部を加え100℃で溶融混合した。ここに触媒としてのジブチル錫ジラウレート3部を加え、110℃で7時間、脱メタノール反応させ、また、これによりメタノール80部を留去することで、シラン変性フェノール樹脂(B−2)を得た。<< Synthesis Example 5 >>
<Preparation of silane-modified phenol resin (B-2)>
In a reaction apparatus equipped with a stirrer, a water separator, a thermometer, and a nitrogen gas introduction tube, 800 parts of a novolac type phenol resin (manufactured by Arakawa Chemical Industry Co., Ltd., trade name Tamanoru 759), the poly ( 590.3 parts of methyltrimethoxysilane) was added and melt mixed at 100 ° C. Here, 3 parts of dibutyltin dilaurate as a catalyst was added and subjected to a demethanol reaction at 110 ° C. for 7 hours, and 80 parts of methanol was distilled off to obtain a silane-modified phenol resin (B-2). .
《合成例6》
<エポキシ基含有メトキシシラン部分縮合物の製造>
攪拌機、分水器、温度計及び窒素ガス導入管を備えた反応装置に、グリシドール1400部及び合成例3で得られたポリ(メチルトリメトキシシラン)9140部を仕込み、窒素気流下、攪拌しながら90℃に昇温した後、ジブチル錫ジラウレート2.2部を加え反応させた。反応中、分水器を使って生成したメタノールを留去し、その量が約630部に達した時点で冷却した。昇温後冷却までに要した時間は6時間であった。次いで、13kPaで約10分間、系内に残存するメタノール約30部を減圧除去することで、エポキシ基含有アルコキシシラン部分縮合物を得た。<< Synthesis Example 6 >>
<Production of epoxy group-containing methoxysilane partial condensate>
1400 parts of glycidol and 9140 parts of poly (methyltrimethoxysilane) obtained in Synthesis Example 3 were charged into a reaction apparatus equipped with a stirrer, a water separator, a thermometer, and a nitrogen gas introduction tube while stirring under a nitrogen stream. After raising the temperature to 90 ° C., 2.2 parts of dibutyltin dilaurate was added and reacted. During the reaction, methanol produced using a water separator was distilled off, and the reaction was cooled when the amount reached about 630 parts. The time required for cooling after raising the temperature was 6 hours. Next, about 30 parts of methanol remaining in the system was removed under reduced pressure at 13 kPa for about 10 minutes to obtain an epoxy group-containing alkoxysilane partial condensate.
《合成例7》
<シラン変性ポリアミック酸(B−3)の調製>
攪拌機、冷却管、温度計及び窒素ガス導入管を備えた2Lの3ツ口フラスコに、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル112部及びN−メチルピロリドン1170部を加え、室温でよく混合した後、60℃以下に冷却しながら、ピロメリット酸二無水物118部を加え30分攪拌し、ポリアミック酸を合成した。得られたポリアミック酸のポリイミド換算固形残分は15重量%であった。次いで、N−メチルピロリドン500部を加え、80℃まで昇温し、合成例6で得られたエポキシ基含有アルコキシシラン部分縮合物40.2部、及び触媒としての2−メチルイミダゾール0.24部を加え、80℃で4時間反応した。そして、4時間の反応後、室温まで冷却し、硬化残分12重量%のシラン変性ポリアミック酸(B−3)を得た。<< Synthesis Example 7 >>
<Preparation of silane-modified polyamic acid (B-3)>
After adding 112 parts of 4,4′-diaminodiphenyl ether and 1170 parts of N-methylpyrrolidone to a 2 L three-necked flask equipped with a stirrer, a condenser, a thermometer, and a nitrogen gas introduction tube, and mixing well at room temperature, 60 While cooling to below ℃, 118 parts of pyromellitic dianhydride was added and stirred for 30 minutes to synthesize polyamic acid. The resulting polyamic acid had a polyimide-converted solid residue of 15% by weight. Next, 500 parts of N-methylpyrrolidone was added, the temperature was raised to 80 ° C., 40.2 parts of the epoxy group-containing alkoxysilane partial condensate obtained in Synthesis Example 6, and 0.24 part of 2-methylimidazole as a catalyst. And reacted at 80 ° C. for 4 hours. And after the reaction for 4 hours, it cooled to room temperature and obtained the silane modified polyamic acid (B-3) of 12 weight% of hardening residues.
《合成例8》
<グリシジルエーテル基含有テトラメトキシシラン部分縮合物の製造>
攪拌機、分水器、温度計及び窒素ガス導入管を備えた反応装置に、グリシドール1,400部およびテトラメトキシシラン部分縮合物(多摩化学(株)製、商品名「メチルシリケート51」、1分子中のSiの平均個数が4、数平均分子量480)8,957.9部を仕込み、窒素気流下、攪拌しながら、90℃に昇温した後、触媒としてのジブチル錫ジラウレート2.0部を加え、反応させた。反応中、分水器を使って生成したメタノールを留去し、その量が約550部に達した時点で冷却した。昇温後冷却までに要した時間は5時間であった。次いで、13kPaで約10分間、系内に残存するメタノール約68部を減圧除去することで、グリシジルエーテル基含有テトラメトキシシラン部分縮合物を得た。<< Synthesis Example 8 >>
<Production of glycidyl ether group-containing tetramethoxysilane partial condensate>
A reactor equipped with a stirrer, a water separator, a thermometer, and a nitrogen gas inlet tube was used. The average number of Si in the mixture was 4, and the number average molecular weight was 480) 8,957.9 parts, and the temperature was raised to 90 ° C. with stirring in a nitrogen stream. Added and reacted. During the reaction, methanol produced using a water separator was distilled off, and the reaction was cooled when the amount reached about 550 parts. It took 5 hours to cool after raising the temperature. Next, about 68 parts of methanol remaining in the system was removed under reduced pressure at 13 kPa for about 10 minutes to obtain a glycidyl ether group-containing tetramethoxysilane partial condensate.
《合成例9》
<シラン変性アクリル樹脂(B−4)の製造>
攪拌機、冷却管、温度計及びガス導入管を備えた反応装置に、ジエチレングリコールジメチルエーテル1461部を仕込み、窒素気流下で100℃に昇温した後、ブチルメタクリレート417部及びヒドロキシエチルアクリレート83.3部からなる混合モノマー、及びジターシャリーブチルパーオキサイド25部をそれぞれ1時間掛けて滴下し、さらにメチルメタクリレート250部及びメタクリル酸83.3部からなる混合モノマー、及びジターシャリーブチルパーオキサイド10部をそれぞれ1時間で滴下し、更に120℃で3時間反応させて、固形分37重量%のカルボキシル基含有アクリル系ポリマー溶液を得た。得られたカルボキシル基含有アクリル系ポリマーの数平均分子量は50,000、酸価(固形分当り)は65mgKOH/gであった。<< Synthesis Example 9 >>
<Manufacture of silane-modified acrylic resin (B-4)>
A reactor equipped with a stirrer, a cooling pipe, a thermometer and a gas introduction pipe was charged with 1461 parts of diethylene glycol dimethyl ether, heated to 100 ° C. under a nitrogen stream, and then 417 parts of butyl methacrylate and 83.3 parts of hydroxyethyl acrylate. 25 parts of mixed monomer and ditertiary butyl peroxide were added dropwise over 1 hour, and further mixed monomer consisting of 250 parts of methyl methacrylate and 83.3 parts of methacrylic acid and 10 parts of ditertiary butyl peroxide were each 1 hour. And then reacted at 120 ° C. for 3 hours to obtain a carboxyl group-containing acrylic polymer solution having a solid content of 37% by weight. The number average molecular weight of the obtained carboxyl group-containing acrylic polymer was 50,000, and the acid value (per solid content) was 65 mgKOH / g.
そして、上記方法で調製したカルボキシル基含有アクリル系ポリマー溶液700部、合成例8で得られたグリシジルエーテル基含有テトラメトキシシラン部分縮合物152部、及びメタノール30部を同様の反応装置に仕込み、窒素気流下に80℃で6時間反応させることで、硬化残分38.3重量%のシラン変性アクリル樹脂(B−4)を得た。 Then, 700 parts of the carboxyl group-containing acrylic polymer solution prepared by the above method, 152 parts of the glycidyl ether group-containing tetramethoxysilane partial condensate obtained in Synthesis Example 8 and 30 parts of methanol were charged into a similar reactor, and nitrogen was added. By reacting at 80 ° C. for 6 hours under an air stream, a silane-modified acrylic resin (B-4) having a cured residue of 38.3 wt% was obtained.
《実施例1》
<樹脂組成物の調製>
バインダー樹脂(A)として、合成例1で得られた環状オレフィン重合体(A−1)溶液291部(環状オレフィン重合体(A−1)として100部)、溶剤として、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル359部、シラン変性樹脂(B)として、合成例4で得られたシラン変性エポキシ樹脂(B−1)溶液20部(シラン変性エポキシ樹脂(B−1)として10部)、酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)として、1,2,4−ベンゼントリカルボン酸3部、感放射線化合物(D)として、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパン(1モル)と1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロライド(2モル)との縮合物30部、及び、架橋剤(E)として、3,4−エポキシシクロヘキセニルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート30部を混合し、溶解させた後、孔径0.45μmのポリテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過して樹脂組成物を調製した。Example 1
<Preparation of resin composition>
As the binder resin (A), 291 parts of the cyclic olefin polymer (A-1) solution obtained in Synthesis Example 1 (100 parts as the cyclic olefin polymer (A-1)) and 359 parts of diethylene glycol ethyl methyl ether as the solvent As the silane-modified resin (B), 20 parts of the silane-modified epoxy resin (B-1) solution obtained in Synthesis Example 4 (10 parts as the silane-modified epoxy resin (B-1)), acidic group or thermal latent acidity As the compound (C) having a group, 3 parts of 1,2,4-benzenetricarboxylic acid, and as the radiation-sensitive compound (D), 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3 -30 parts of a condensate of phenylpropane (1 mol) and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride (2 mol), and as crosslinking agent (E), 3, - epoxycyclohexenylmethyl 3 ', 4'-epoxy cyclohexene carboxylate 30 parts were mixed and dissolved, was filtered through a polytetrafluoroethylene filter with a pore size of 0.45μm resin composition was prepared.
そして、上記にて得られた樹脂組成物を用いて、現像密着性、現像時残渣、焼成時ホール状態、透明性及び保存安定性の各評価を行った。結果を表1に示す。 And each evaluation of image development adhesiveness, the residue at the time of image development, the hole state at the time of baking, transparency, and storage stability was performed using the resin composition obtained above. The results are shown in Table 1.
《実施例2》
酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)としての1,2,4−ベンゼントリカルボン酸の配合量を3部から10部に変更した以外は、実施例1と同様にして、樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。Example 2
Resin composition in the same manner as in Example 1 except that the amount of 1,2,4-benzenetricarboxylic acid as the compound (C) having an acidic group or a thermal latent acidic group was changed from 3 parts to 10 parts. Things were obtained and evaluated in the same manner. The results are shown in Table 1.
《実施例3》
シラン変性樹脂(B)としてのシラン変性エポキシ樹脂(B−1)溶液の配合量を20部から60部(シラン変性エポキシ樹脂(B−1)として30部)に変更するとともに、酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)としての1,2,4−ベンゼントリカルボン酸の配合量を3部から2部に変更した以外は、実施例1と同様にして、樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。Example 3
While changing the compounding quantity of the silane modified epoxy resin (B-1) solution as a silane modified resin (B) from 20 parts to 60 parts (30 parts as a silane modified epoxy resin (B-1)), an acidic group or heat A resin composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that the amount of 1,2,4-benzenetricarboxylic acid as the compound (C) having a latent acidic group was changed from 3 parts to 2 parts. The same evaluation was performed. The results are shown in Table 1.
《実施例4》
架橋剤(E)として、3,4−エポキシシクロヘキセニルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレートに代えて、N,N,N’,N’,N’’,N’’−(ヘキサメトキシメチル)メラミン系架橋剤10部を使用した以外は、実施例1と同様にして、樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。Example 4
As the crosslinking agent (E), N, N, N ′, N ′, N ″, N ″-(hexa) instead of 3,4-epoxycyclohexenylmethyl-3 ′, 4′-epoxycyclohexenecarboxylate A resin composition was obtained and evaluated in the same manner as in Example 1 except that 10 parts of a methoxymethyl) melamine-based crosslinking agent was used. The results are shown in Table 1.
《実施例5》
架橋剤(E)として、3,4−エポキシシクロヘキセニルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレートに代えて、イソシアヌル酸トリス(2,3−エポキシプロピル)5部を使用した以外は、実施例1と同様にして、樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。Example 5
Implemented except that 5 parts of tris (2,3-epoxypropyl) isocyanurate was used in place of 3,4-epoxycyclohexenylmethyl-3 ′, 4′-epoxycyclohexenecarboxylate as the crosslinking agent (E) In the same manner as in Example 1, a resin composition was obtained and evaluated in the same manner. The results are shown in Table 1.
《実施例6》
シラン変性樹脂(B)として、シラン変性エポキシ樹脂(B−1)の代わりに、合成例5で得られたシラン変性フェノール樹脂(B−2)10部を用いた以外は、実施例5と同様にして、樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。Example 6
As in Example 5, except that 10 parts of the silane-modified phenol resin (B-2) obtained in Synthesis Example 5 was used as the silane-modified resin (B) instead of the silane-modified epoxy resin (B-1). Thus, a resin composition was obtained and evaluated in the same manner. The results are shown in Table 1.
《実施例7》
架橋剤(E)として、イソシアヌル酸トリス(2,3−エポキシプロピル)に代えて、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン20部を使用した以外は、実施例6と同様にして、樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。Example 7
As in Example 6, except that 20 parts of 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane was used as the crosslinking agent (E) instead of tris (2,3-epoxypropyl) isocyanurate. Thus, a resin composition was obtained and evaluated in the same manner. The results are shown in Table 1.
《実施例8》
酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)として、1,2,4−ベンゼントリカルボン酸に代えて、1,2,4−ベンゼントリカルボン酸トリス(1−プロポキシエチル)のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液5部(1,2,4−ベンゼントリカルボン酸トリス(1−プロポキシエチル)として3部)を使用したこと以外は、実施例7と同様にして、樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。Example 8
As the compound (C) having an acidic group or a thermal latent acidic group, propylene glycol monomethyl ether of 1,2,4-benzenetricarboxylic acid tris (1-propoxyethyl) instead of 1,2,4-benzenetricarboxylic acid A resin composition was obtained in the same manner as in Example 7 except that 5 parts of an acetate solution (3 parts as 1,2,4-benzenetricarboxylic acid tris (1-propoxyethyl)) was used, and evaluation was similarly performed. Went. The results are shown in Table 1.
《実施例9》
シラン変性樹脂(B)として、シラン変性エポキシ樹脂(B−1)溶液に代えて、合成例7で得られたシラン変性ポリアミック酸(B−3)溶液83部(シラン変性ポリアミック酸(B−3)として10部)を使用した以外は、実施例1と同様にして、樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。Example 9
As the silane-modified resin (B), instead of the silane-modified epoxy resin (B-1) solution, 83 parts of the silane-modified polyamic acid (B-3) solution obtained in Synthesis Example 7 (silane-modified polyamic acid (B-3)) ) Was used in the same manner as in Example 1 except that 10 parts) were used, and evaluation was performed in the same manner. The results are shown in Table 1.
《実施例10》
シラン変性樹脂(B)として、シラン変性エポキシ樹脂(B−1)溶液に代えて、合成例9で得られたシラン変性アクリル樹脂(B−4)溶液26部(シラン変性アクリル樹脂(B−4)として10部)を使用した以外は、実施例1と同様にして、樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。Example 10
As the silane-modified resin (B), instead of the silane-modified epoxy resin (B-1) solution, 26 parts of the silane-modified acrylic resin (B-4) solution obtained in Synthesis Example 9 (silane-modified acrylic resin (B-4) ) Was used in the same manner as in Example 1 except that 10 parts) were used, and evaluation was performed in the same manner. The results are shown in Table 1.
《実施例11》
バインダー樹脂(A)として、合成例2で得られたアクリル重合体(A−2)溶液291部(アクリル重合体(A−2)として100部)、溶剤として、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル359部、シラン変性樹脂(B)として、合成例4で得られたシラン変性エポキシ樹脂(B−1)溶液20部(シラン変性エポキシ樹脂(B−1)として10部)、酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)として、1,2,4−ベンゼントリカルボン酸トリス(1−プロポキシエチル)のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を5部(1,2,4−ベンゼントリカルボン酸トリス(1−プロポキシエチル)として3部)、感放射線化合物(D)として、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパン(1モル)と1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロライド(2モル)との縮合物30部、及び、架橋剤(E)として、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン10部を混合し、溶解させた後、孔径0.45μmのポリテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過して樹脂組成物を調製した。そして、得られた樹脂組成物について、実施例1と同様に評価を行った。結果を表1に示す。Example 11
As binder resin (A), 291 parts of acrylic polymer (A-2) solution obtained in Synthesis Example 2 (100 parts as acrylic polymer (A-2)), 359 parts of diethylene glycol ethyl methyl ether as solvent, silane As the modified resin (B), 20 parts of the silane-modified epoxy resin (B-1) solution obtained in Synthesis Example 4 (10 parts as the silane-modified epoxy resin (B-1)), an acidic group or a heat latent acidic group As a compound (C), 5 parts of 1,2,4-benzenetricarboxylic acid tris (1-propoxyethyl) in propylene glycol monomethyl ether acetate solution (1,2,4-benzenetricarboxylic acid tris (1-propoxyethyl)) 3 parts), 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphene) as the radiation-sensitive compound (D) 30) part of a condensate of 3-phenylpropane (1 mol) and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride (2 mol) and 2- (3,4) as the crosslinking agent (E) -Epoxycyclohexyl) After mixing and dissolving 10 parts of ethyltrimethoxysilane, the mixture was filtered through a polytetrafluoroethylene filter having a pore diameter of 0.45 µm to prepare a resin composition. The obtained resin composition was evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
《実施例12》
シラン変性樹脂(B)として、シラン変性エポキシ樹脂(B−1)の代わりに、合成例5で得られたシラン変性フェノール樹脂(B−2)10部を用いた以外は、実施例11と同様にして、樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。Example 12
As in Example 11, except that 10 parts of the silane-modified phenol resin (B-2) obtained in Synthesis Example 5 was used as the silane-modified resin (B) instead of the silane-modified epoxy resin (B-1). Thus, a resin composition was obtained and evaluated in the same manner. The results are shown in Table 1.
《比較例1》
酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)としての1,2,4−ベンゼントリカルボン酸を配合しなかった以外は、実施例1と同様にして、樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。<< Comparative Example 1 >>
A resin composition was obtained in the same manner as in Example 1 except that 1,2,4-benzenetricarboxylic acid as the compound (C) having an acidic group or a thermal latent acidic group was not blended. Evaluation was performed. The results are shown in Table 1.
《比較例2》
酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)としての1,2,4−ベンゼントリカルボン酸の配合量を3部から0.3部に変更した以外は、実施例1と同様にして、樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。<< Comparative Example 2 >>
Except having changed the compounding quantity of 1,2,4-benzenetricarboxylic acid as a compound (C) which has an acidic group or a thermal latent acidic group from 3 parts to 0.3 parts, it is the same as that of Example 1, A resin composition was obtained and evaluated in the same manner. The results are shown in Table 1.
《比較例3》
酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)としての1,2,4−ベンゼントリカルボン酸の配合量を3部から30部に変更した以外は、実施例1と同様にして、樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。<< Comparative Example 3 >>
Resin composition in the same manner as in Example 1 except that the compounding amount of 1,2,4-benzenetricarboxylic acid as the compound (C) having an acidic group or a thermal latent acidic group was changed from 3 parts to 30 parts. Things were obtained and evaluated in the same manner. The results are shown in Table 1.
《比較例4》
シラン変性樹脂(B)としてのシラン変性エポキシ樹脂(B−1)溶液を配合しなかった以外は、実施例1と同様にして、樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。<< Comparative Example 4 >>
A resin composition was obtained and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the silane-modified epoxy resin (B-1) solution as the silane-modified resin (B) was not blended. The results are shown in Table 1.
《比較例5》
バインダー樹脂(A)としてのアクリル重合体(A−2)を配合せず、シラン変性樹脂(B)としてのシラン変性フェノール樹脂(B−2)の配合量を100部とした以外は、実施例12と同様にして、樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。結果を表1に示す。<< Comparative Example 5 >>
Example except that the acrylic polymer (A-2) as the binder resin (A) is not blended and the blending amount of the silane-modified phenol resin (B-2) as the silane-modified resin (B) is 100 parts. In the same manner as in No. 12, a resin composition was obtained and evaluated in the same manner. The results are shown in Table 1.
表1に示すように、バインダー樹脂(A)に、シラン変性樹脂(B)と、酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)とを特定の比率で配合してなる樹脂組成物は保存安定性に優れるものであり、しかも、該樹脂組成物を用いて得られる樹脂膜は、現像によるパターン形成性に優れるとともに、高い透明性を有するものであった(実施例1〜12)。 As shown in Table 1, a resin composition obtained by blending a binder resin (A) with a silane-modified resin (B) and a compound (C) having an acidic group or a heat-latent acidic group in a specific ratio is The resin film obtained by using the resin composition was excellent in storage stability, and was excellent in pattern formation by development and had high transparency (Examples 1 to 12).
一方、酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)を配合しなかった場合や、「シラン変性樹脂(B)/酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)」の重量比が、33.3と高すぎる場合には、得られる樹脂膜は、現像密着性及び焼成時ホール状態に劣るものであった(比較例1,2)。
「シラン変性樹脂(B)/酸性基又は熱潜在性酸性基を有する化合物(C)」の重量比が、0.3と低すぎる場合には、得られる樹脂組成物は、保存安定性に劣り、さらに、樹脂膜とした場合には、現像残渣が発生する結果となった(比較例3)。
また、シラン変性樹脂(B)を配合しなかった場合には、現像密着性に劣り、現像パターン幅を細くした場合における、現像パターンの密着性が不十分であった(比較例4)。
さらに、バインダー樹脂(A)を配合しなかった場合には、得られる樹脂組成物は、保存安定性に劣り、さらに、樹脂膜とした場合には、現像残渣、焼成時ホール状態、及び透明性に劣る結果となった(比較例5)。On the other hand, when the compound (C) having an acidic group or a thermal latent acidic group is not blended, or the weight ratio of “silane-modified resin (B) / compound having an acidic group or thermal latent acidic group (C)” However, when it was too high as 33.3, the resin film obtained was inferior in the development adhesion and the hole state during firing (Comparative Examples 1 and 2).
When the weight ratio of “silane-modified resin (B) / compound having acidic group or thermal latent acidic group (C)” is too low at 0.3, the resulting resin composition is inferior in storage stability. Further, when a resin film was used, a development residue was generated (Comparative Example 3).
Further, when the silane-modified resin (B) was not blended, the development adhesion was poor, and the development pattern adhesion when the development pattern width was narrowed was insufficient (Comparative Example 4).
Furthermore, when the binder resin (A) is not blended, the resulting resin composition is inferior in storage stability. Further, when it is formed as a resin film, the development residue, the hole state during firing, and the transparency (Comparative Example 5).
Claims (8)
(R8)r−Si−(OR9)4−r
(上記式中、rは0〜3の整数であり、R8は、炭素原子に直接結合した官能基を有していてもよい炭素数1〜10のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、または炭素数2〜10の不飽和脂肪族基であり、R8が複数である場合には、複数のR8は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。R9は、水素原子、または炭素原子に直接結合した官能基を有していてもよい炭素数1〜10のアルキル基であり、R9が複数である場合には、複数のR9は、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。)The resin composition according to claim 2, wherein the silicon compound is a silicon compound represented by the following formula and / or a partial hydrolysis-condensation product of the silicon compound represented by the following formula.
(R 8) r -Si- (OR 9) 4-r
(In the above formula, r is an integer of 0 to 3, and R 8 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may have a functional group directly bonded to a carbon atom, or an aryl having 6 to 20 carbon atoms. Or an unsaturated aliphatic group having 2 to 10 carbon atoms, and when R 8 is plural, the plural R 8 may be the same or different from each other, and R 9 is hydrogen. An alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may have an atom or a functional group directly bonded to a carbon atom, and when R 9 is plural, the plural R 9 are the same, May be different.)
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011074673 | 2011-03-30 | ||
| JP2011074673 | 2011-03-30 | ||
| PCT/JP2012/058307 WO2012133617A1 (en) | 2011-03-30 | 2012-03-29 | Resin composition and semiconductor element substrate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2012133617A1 true JPWO2012133617A1 (en) | 2014-07-28 |
Family
ID=46931319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013507710A Pending JPWO2012133617A1 (en) | 2011-03-30 | 2012-03-29 | Resin composition and semiconductor element substrate |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPWO2012133617A1 (en) |
| KR (1) | KR20140007405A (en) |
| CN (1) | CN103443707A (en) |
| TW (1) | TWI458759B (en) |
| WO (1) | WO2012133617A1 (en) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8871425B2 (en) * | 2012-02-09 | 2014-10-28 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Low dielectric photoimageable compositions and electronic devices made therefrom |
| WO2013137398A1 (en) * | 2012-03-16 | 2013-09-19 | 日本ゼオン株式会社 | Method for producing ring-opening metathesis polymer hydride, and resin composition |
| JP6380108B2 (en) * | 2012-12-27 | 2018-08-29 | 日立化成株式会社 | Photosensitive resin composition, photosensitive film, and method for forming resist pattern |
| EP3121652B1 (en) * | 2014-03-20 | 2019-09-04 | Zeon Corporation | Radiation-sensitive resin composition and electronic component |
| TWI524141B (en) * | 2014-06-27 | 2016-03-01 | 奇美實業股份有限公司 | Photosensitive resin composition, protective film and element having the same |
| TWI524150B (en) * | 2014-06-27 | 2016-03-01 | 奇美實業股份有限公司 | Photosensitive resin composition, protective film and element having the same |
| KR102329586B1 (en) * | 2014-11-21 | 2021-11-22 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom |
| TWI534131B (en) | 2014-11-27 | 2016-05-21 | 財團法人工業技術研究院 | Catalyst and method for hydrogenation of 4,4'-methylenedianiline |
| CN107207868B (en) * | 2015-02-19 | 2020-11-06 | 日本瑞翁株式会社 | Resin composition, resin film, and electronic component |
| JP6963215B2 (en) * | 2016-07-28 | 2021-11-05 | 日産化学株式会社 | Resin composition |
| KR101815935B1 (en) * | 2016-09-29 | 2018-01-08 | 염한균 | Sheet type heating element composition with excellent heat resistance and manufacturing method thereof |
| KR20190056088A (en) * | 2017-11-16 | 2019-05-24 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | Photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom |
| KR102293308B1 (en) * | 2021-01-15 | 2021-08-23 | 한국전기연구원 | Photo solder resists based on organo-siloxane binder and their manufacturing method |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49123323A (en) * | 1973-03-16 | 1974-11-26 | ||
| JP2000338664A (en) * | 1999-05-27 | 2000-12-08 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | Photosensitive resin composition, production of pattern and electronic parts |
| JP2004051876A (en) * | 2002-07-23 | 2004-02-19 | Jsr Corp | Resin composition and protective film |
| JP2007199606A (en) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Fujifilm Corp | Photosensitive resin composition and method for manufacturing semiconductor device using the same |
| JP2008242438A (en) * | 2007-02-28 | 2008-10-09 | Chisso Corp | Positive photosensitive resin composition |
| JP2009204805A (en) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Nippon Zeon Co Ltd | Photosensitive resin composition, laminate, and method for producing the same, and electronic component |
| WO2009133843A1 (en) * | 2008-04-28 | 2009-11-05 | 日本ゼオン株式会社 | Radiation-sensitive resin composition, laminate and method for producing the same, and semiconductor device |
| JP2011068731A (en) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Fujifilm Corp | Near-infrared absorptive dye-containing curable composition, ink composition, and method for producing near-infrared absorptive filter |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4036644A (en) * | 1973-03-16 | 1977-07-19 | International Business Machines Corporation | Photoresist process and photosensitive O-quinone diazide article with aliphatic carboxylic acid as adhesion promotor |
| WO2001005862A1 (en) * | 1999-07-15 | 2001-01-25 | Arakawa Chemical Industries, Ltd. | Glycidyl ether group-containing partial alkoxysilane condensate, silane-modified resin, compositions of these, and processes for producing these |
| KR100954044B1 (en) * | 2002-05-14 | 2010-04-20 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | Resin Composition and Protective Film |
| JP5407108B2 (en) * | 2005-01-05 | 2014-02-05 | Jsr株式会社 | Thermoplastic resin composition, optical film and film manufacturing method |
| JPWO2008105244A1 (en) * | 2007-02-28 | 2010-06-03 | 日本ゼオン株式会社 | Active matrix substrate, method for manufacturing the same, and flat display device |
-
2012
- 2012-03-29 JP JP2013507710A patent/JPWO2012133617A1/en active Pending
- 2012-03-29 KR KR1020137022608A patent/KR20140007405A/en not_active Withdrawn
- 2012-03-29 CN CN2012800148101A patent/CN103443707A/en active Pending
- 2012-03-29 WO PCT/JP2012/058307 patent/WO2012133617A1/en active Application Filing
- 2012-03-30 TW TW101111264A patent/TWI458759B/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49123323A (en) * | 1973-03-16 | 1974-11-26 | ||
| JP2000338664A (en) * | 1999-05-27 | 2000-12-08 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | Photosensitive resin composition, production of pattern and electronic parts |
| JP2004051876A (en) * | 2002-07-23 | 2004-02-19 | Jsr Corp | Resin composition and protective film |
| JP2007199606A (en) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Fujifilm Corp | Photosensitive resin composition and method for manufacturing semiconductor device using the same |
| JP2008242438A (en) * | 2007-02-28 | 2008-10-09 | Chisso Corp | Positive photosensitive resin composition |
| JP2009204805A (en) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Nippon Zeon Co Ltd | Photosensitive resin composition, laminate, and method for producing the same, and electronic component |
| WO2009133843A1 (en) * | 2008-04-28 | 2009-11-05 | 日本ゼオン株式会社 | Radiation-sensitive resin composition, laminate and method for producing the same, and semiconductor device |
| JP2011068731A (en) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Fujifilm Corp | Near-infrared absorptive dye-containing curable composition, ink composition, and method for producing near-infrared absorptive filter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103443707A (en) | 2013-12-11 |
| TWI458759B (en) | 2014-11-01 |
| TW201307439A (en) | 2013-02-16 |
| KR20140007405A (en) | 2014-01-17 |
| WO2012133617A1 (en) | 2012-10-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5488460B2 (en) | Radiation sensitive resin composition, laminate, method for producing the same, and semiconductor device | |
| WO2012165448A1 (en) | Resin composition and semiconductor element substrate | |
| JPWO2012133617A1 (en) | Resin composition and semiconductor element substrate | |
| JP6947027B2 (en) | Resin compositions, resin films, and electronic components | |
| JP6601394B2 (en) | Radiation-sensitive resin composition, resin film, and electronic component | |
| JP5747908B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor element substrate | |
| JP5640864B2 (en) | Negative photosensitive resin composition and electronic component | |
| JP5589286B2 (en) | THIN FILM TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD, THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE | |
| JP6304044B2 (en) | Radiation sensitive resin composition and electronic component | |
| JP2012049300A (en) | Semiconductor element substrate | |
| JP2013130816A (en) | Resin composition for permanent film and electronic component | |
| JP5682413B2 (en) | Semiconductor device substrate | |
| JP6079277B2 (en) | Radiation sensitive resin composition and electronic component | |
| JP2012171994A (en) | Resin composition and semiconductor device substrate |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140821 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150421 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150908 |