KR100188605B1

KR100188605B1 - The structure of vane of magnetron for harmonic frequency stability

Info

Publication number: KR100188605B1
Application number: KR1019960036999A
Authority: KR
Inventors: 정이교
Original assignee: 전주범; 대우전자주식회사
Priority date: 1996-08-30
Filing date: 1996-08-30
Publication date: 1999-06-01
Anticipated expiration: 2016-08-30
Also published as: KR19980017240A

Abstract

본 발명은 전자레인지의 마그네트론용 베인(3)에 관한 것으로서, 특히 베인(3)의 인덕턴스가 일정하도록 베인(3)의 상,하부면(31,32)이 평탄한 형태로 형성된 것을 그 특징으로 한 것으로서, 베인을 통해 발생되는 공진주파수 변화를 억제하여 양질의 초고주파를 생성할 수 있다.The present invention relates to a magnetron vane (3) for a microwave oven, characterized in that the upper and lower surfaces (31, 32) of the vane (3) are formed in a flat shape so that the inductance of the vane (3) As a result, it is possible to suppress the change in the resonance frequency generated through the vane and produce a high-quality microwave.

Description

Structure of Vane for Magnetron for High Frequency Stability

본 발명은 전자레인지의 마그네트론용 베인에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 공진회로를 이루는 베인의 단면적이 고르게 형성되도록 함으로써, 베인을 통해 발생되는 공진주파수 변화를 억제하여 양질의 초고주파가 생성되도록 한 고주파 안정을 위한 마그네트론용 베인의 구조에 관한 것이다.[0001] The present invention relates to a vane for a magnetron of a microwave oven, and more particularly, to a vane for a magnetron which is formed by uniformly forming a cross-sectional area of a vane constituting a resonant circuit so as to suppress a change in resonance frequency generated through a vane, To a structure of a vane for a magnetron.

일반적으로 마그네트론의 동작은 캐소드 역활을 하는 필라멘트가 가열되면 열전자가 방출되는데, 이 열전자는 전계와 자계의 작용에 의해 베인쪽으로 회전하면서 이끌려간다. 이때 베인선단부는 공진회로 끝단부로서 (+) 또는 (-)전하가 유도되며, 이에따라 작용공간내에서 회전하는 전자들은 바뀌살처럼 모이게 되고 이 바뀌살의 회전각 주파수와 베인들 사이의 공간으로 구성된 공진회로의 공진주파수가 동기가 되면 발진은 안전하게 지속된다.Generally, the operation of a magnetron is such that when a filament acting as a cathode is heated, a hot electron is emitted, which is attracted to the vane by the action of an electric field and a magnetic field. At this time, the (+) or (-) charge is induced at the tip of the vane as the end of the resonance circuit, so that the electrons rotating in the working space converge like a turn, and the resonance frequency When the resonance frequency is synchronized, the oscillation continues safely.

이와같이 발진되어 생성된 고주파의 공진구조를 도시된 제1도의 a, b를 참고로 설명하면 다음과 같다. 실린더(1)와, 상기 실린더(1) 중심축에 열전자를 방출하는 필라멘트(2)와, 상,하부면(31,32) 적소에 받침턱(31b,32b)이 형성된 공간부(31a,32a)를 이루면서 방사상으로 형성된 복수매인 베인(3)과, 상기 베인(3)의 상측에 설치되어 전자기파를 외부로 돌출하는 안테나(4)와, 그리고, 상기 베인(3)의 공간부(31a,32a)로 서로 다른 방향으로 접합된 내,외스트랩링(5,5')이 설치된 구성이다.The resonance structure of the high frequency generated by oscillation will be described with reference to a and b in FIG. 1. A filament 2 for emitting thermoelectrons to the central axis of the cylinder 1 and a space portion 31a and 32a having bases 31b and 32b formed on the upper and lower surfaces 31 and 32, A plurality of vanes 3 radially formed on the vane 3 and an antenna 4 installed on the vane 3 to protrude electromagnetic waves to the outside and the space portions 31a and 32a of the vane 3 The inner and outer strap rings 5, 5 'are joined to each other in different directions.

상술한 구성은 내스트랩링(5')과 외스트랩링(5)간의 공간에 의한 콘덴서(C)와 내,외스트랩링(5,5')과 베인(3)간의 공간에 의한 콘덴서(C), 베인(3) 및 실린더(1) 그 자체에 의한 인덕턱스(L)에 의해 공진회로가 구성되어 () 마그네트론의 발진주파수인 2,450MHZ가 생성된다. 따라서 C, L의 어느 하나 미세한 변화요인은 정확한 발진주파수를 생성하는데 방해를 끼칠수 있는 것이다.The above-described configuration is applicable to the case where the condenser C due to the space between the inner strap ring 5 'and the outer strap ring 5 and the condenser C due to the space between the inner and outer strap rings 5, 5' ), The vane 3 and the inductance L by the cylinder 1 itself constitute a resonant circuit ) The oscillation frequency of the magnetron is 2,450 MHz. Therefore, any one of C and L, which is a slight change factor, can interfere with the generation of an accurate oscillation frequency.

그런데, 종래의 베인의 구조를 살펴보면 도면에 도시된 바와 같이, 필라멘트(2)에 의해 발생하는 고주파 전류가 ①에서 ②로 흐를 경우 베인(3)의 공간부(31a,32a)에 의해 베인의 단면적이 좁아지는 관계로 인덕턱스(L)값이 변하여 종국에는 발진주파수를 변화시켰던 것이다.As shown in the drawing, when the high-frequency current generated by the filament 2 flows from? To? 2, the cross-sectional area of the vane 3 is increased by the space portions 31a and 32a of the vane 3, The value of the inductance L is changed and eventually the oscillation frequency is changed.

본 발명은 마그네트론용 베인구조에 있어서, 베인의 인덕턴스가 일정하도록 베인의 상,하부면이 평탄한 형태로 형성된 특징이 있다.The present invention is characterized in that the upper and lower surfaces of the vane are formed in a flat shape so that the inductance of the vane is constant in the vane structure for the magnetron.

또, 본 발명은 상기 베인의 상,하부면에 내,외스트랩링이 접합되기에 적당한 돌기가 형성된 다른 특징이 있다.Further, the present invention is characterized in that the upper and lower surfaces of the vane are provided with projections suitable for joining the inner and outer strap rings.

제1도는 종래 마그네트론용 베인의 구조를 설명하기 위한 개략도로서,FIG. 1 is a schematic view for explaining the structure of a conventional vane for a magnetron,

a)는 단면도.a) is a sectional view;

b)는 평면도.b) is a plan view;

제2도는 본 발명 마그네트론용 베인의 구조를 설명하기 위한 개략도로서,FIG. 2 is a schematic view for explaining the structure of a vane for a magnetron according to the present invention,

a)는 단면도.a) is a sectional view;

b)는 평면도.b) is a plan view;

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS

3 : 베인 31c,32c : 돌기3: Vanes 31c and 32c: projections

본 발명의 목적으로는, 베인의 공간부를 제거하여 베인의 단면적이 고르게 형성되도록 함으로써 결국 베인에 의한 인덕턴스변화요인이 제거됨에 따라 양질의 고주파가 생성되도록 한 마그네트론용 베인의 구조를 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide a structure of a vane for a magnetron in which a high-frequency high frequency is generated by eliminating a space portion of a vane so that a sectional area of a vane is uniformly formed, thereby eliminating a factor of changing inductance by a vane.

이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 일 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제2도의 a, b는 본 발명 마그네트론용 베인의 구조를 설명하기 위한 개략도이다. 본 발명에 따른 마그네트론용 베인과 동일한 종래기술은 동일부호로써 설명한다.2 (a) and 2 (b) are schematic views for explaining the structure of the vane for the magnetron of the present invention. The same prior art as the vane for the magnetron according to the present invention will be described with the same reference numerals.

본 발명은 실린더(1)와, 상기 실린더(1) 중심축에 열전자를 방출하는 필라멘트(2)와, 상,하부면(31,32)에 베인의 인덕턴스가 일정하도록 평탄한 형태로 형성되는 한편, 내,외스트랩링(5,5')이 접합되기에 적당한 돌기(31c,32c)가 형성되어 구비된 복수개의 베인(3)과, 상기 베인(3)의 상측에 설치되어 전자기파를 외부로 돌출하는 안테나(4)와, 그리고 상기 베인(3)의 돌기(31c,32c)에 서로 다른 방향으로 접합된 내,외스트랩링(5,5')이 설치된 구성이다.A filament (2) for emitting thermoelectrons to a central axis of the cylinder (1), and flat upper and lower surfaces (31, 32) with a constant inductance of the vane, A plurality of vanes 3 provided with protrusions 31c and 32c suitable for bonding the inner and outer strap rings 5 and 5 to each other and a plurality of vanes 3 provided above the vanes 3, And an inner and outer strap rings 5 and 5 'joined to the protrusions 31c and 32c of the vane 3 in different directions are provided.

상기와 같이 구성된 본 발명은 필라멘트(2)에 의해 발생하는 고주파 전류가 ①'(필라멘트)에서 ②'(실린더)로 흐를 경우 종래에는 베인(3)의 공간부(31a,32a)에 의해 그 단면적이 좁아져 인덕턱스(L)값이 변하였던 것을 해결한 것으로서, 즉 제2도에 도시된 바와 같이, 상,하부면(31,32)에 형성된 공간부(31a,32a)를 제거하고, 돌기(31c,32c)에 내,외스트랩링(5,5')을 설치할 때 기존과 동일한 형태로 접합되므로써 결과적으로 베인(3)의 단면적이 고르게 형성된다.In the present invention constructed as described above, when the high frequency current generated by the filament 2 flows from the first filament to the second filament (cylinder), the space portion 31a or 32a of the vane 3 conventionally causes the cross- The space portions 31a and 32a formed on the upper and lower surfaces 31 and 32 are removed as shown in FIG. 2, When the inner and outer strap rings 5 and 5 'are provided on the inner and outer straps 31c and 32c, they are joined in the same manner as the conventional one, and consequently the sectional area of the vane 3 is uniformly formed.

이와같이 고른 단면적을 가진 베인(3)으로 인해 필라멘트(1)에 의해 고주파전류가 흐를 시 임피던스 값을 안정시킬 수 있는 바, 이는 전체적으로 임피던스가 안정됨에 의해 인덕턴스를 크게 잡을 수 있는 이점이 생기게 된다.The impedance can be stabilized when the high-frequency current flows through the filament 1 due to the vane 3 having the uniform cross-sectional area. This is advantageous in that the inductance can be increased by stabilizing the impedance as a whole.

따라서, 인덕턴스가 커지므로 이에 식()에 근거하여 기존보다 공진주파수가 작아지게 되고, 이에 전자레인지에 사용하는 공진주파수를 생성하기 위해서는 베인의 높이를 낮추거나, 또는 두께를 줄이는 등 동의 부피를 감소시킬 수 있는 효과가 유발될 뿐만 아니라, 기존의 베인에 형성된 공간부를 만들기 위한 커팅동작을 피할 수 있으므로 그에 따른 양산효율도 증가시킬 수 있는 효과 등이 발생된다.Therefore, since the inductance becomes large, ), The resonance frequency becomes smaller than the conventional one. In order to generate the resonance frequency to be used for the microwave oven, the effect of reducing the volume of the motion such as lowering the height of the vane or reducing the thickness is caused , The cutting operation for forming the space portion formed in the existing vane can be avoided, and the mass production efficiency can be increased.

이상의 예는 본 발명의 일실시예에 불과하며, 본 발명의 그 구성요지 범위네에서 얼마든지 변경이 가능하다.The foregoing examples are merely illustrative of the present invention and can be modified in various ways within the scope of the present invention.

Claims

The structure of the vane for a magnetron is characterized in that the upper and lower surfaces (31, 32) of the vane (3) are formed in a flat shape so that the inductance of the vane (3) is constant.

The vane according to claim 1, characterized in that protrusions (31c, 32c) suitable for joining the inner and outer strap rings (5, 5 ') to the upper and lower surfaces (31, 32) Structure of Vane for Magnetron.