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KR100218527B1 - Liquid crystal display device and its manufacturing method of in-plane switching mode - Google Patents

Liquid crystal display device and its manufacturing method of in-plane switching mode Download PDF

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KR100218527B1
KR100218527B1 KR1019960023819A KR19960023819A KR100218527B1 KR 100218527 B1 KR100218527 B1 KR 100218527B1 KR 1019960023819 A KR1019960023819 A KR 1019960023819A KR 19960023819 A KR19960023819 A KR 19960023819A KR 100218527 B1 KR100218527 B1 KR 100218527B1
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나병선
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윤종용
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Abstract

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 평면 구동 방식의 액정 표시 장치에 관한 것이다. 본 발명은 배선이 형성되어 있고 제1기판과 그렇지 않은 제2기판 및 그 사이에 삽입되어 있는 액정 물질로 이루어져 있다. 제1기판에는 공통 전압을 인가 받는 공통 전극이 세로로 형성되어 있고, 게이트선이 가로로 형성되어 있으며, 공통 전극 사이에는 세로로 형성되어 있는 화소 전극이 형성되어 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device of a planar driving type. The present invention consists of a liquid crystal material in which a wiring is formed and a second substrate not in contact with the first substrate, and a liquid crystal material interposed therebetween. Common electrodes are vertically formed on the first substrate to receive a common voltage, gate lines are formed laterally, and vertical pixel electrodes are formed between the common electrodes.

공통 전극 위에는 게이트 절연층을 매개로 공통 전극을 따라 데이터선이 형성되어 있으며, 또, 한 단자는 게이트선과 연결되어 있고 다른 한 단자는 데이터선과 연결되어 있으며 나머지 한 단자는 화소 전극과 연결되어 있는 트랜지스터가 형성되어 있다. 이러한 구조를 통하여 본 발명은 시야각을 확장하면서도 개구율을 높인다.A data line is formed on the common electrode along a common electrode through a gate insulating layer. One terminal is connected to the gate line, the other terminal is connected to the data line, and the other terminal is connected to the pixel electrode. Respectively. Through this structure, the present invention increases the aperture ratio while expanding the viewing angle.

Description

평면 구동 방식의 액정 표시 장치 및 그 제조 방법Flat panel driving type liquid crystal display device and manufacturing method thereof

제1a도 및 1b도는 종래의 평면 구동 방식의 액정 표시 장치용 기판을 도시한 평면도.FIGS. 1a and 1b are plan views showing a conventional substrate for a liquid crystal display of a planar driving type.

제2a도 및 2b도는 본 발명의 제1실시예에 따른 평면 구동 방식의 액정 표시 장치용 기판을 도시한 평면도.FIGS. 2A and 2B are plan views illustrating a substrate for a liquid crystal display of a planar driving type according to a first embodiment of the present invention. FIG.

제3도는 제2a도에서 A-A선의 단면도.FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line A-A in FIG.

제4a도 내지 4e도는 본 발명의 제1실시예에 따른 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법을 도시한 평면도.4A to 4E are plan views illustrating a method of manufacturing a substrate for a liquid crystal display according to a first embodiment of the present invention.

제5도는 본 발명의 제2실시예에 따른 평면 구동 방식의 액정 표시 장치용 기판을 도시한 평면도.FIG. 5 is a plan view showing a substrate for a liquid crystal display of a planar driving type according to a second embodiment of the present invention; FIG.

제6도는 제5도에서 B-B선의 단면도.6 is a cross-sectional view taken along line B-B in FIG. 5;

제7도는 본 발명의 제3실시예에 따른 평면 구동 방식의 액정 표시 장치용 기판을 도시한 도면.FIG. 7 is a view showing a substrate for a liquid crystal display of a planar driving type according to a third embodiment of the present invention; FIG.

제8도는 제8도에서 C-C선의 단면도.8 is a cross-sectional view taken along line C-C of FIG. 8;

제9a도 내지 9b도는 본 발명의 제3실시예에 따른 액정 표시 장치용 기판 제조 방법을 도시한 평면도.9A to 9B are plan views showing a method of manufacturing a substrate for a liquid crystal display according to a third embodiment of the present invention.

제10도 및 제11도는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 동작을 설명하기 위한 도면.FIG. 10 and FIG. 11 are diagrams for explaining the operation of the liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention. FIG.

제12도 및 제13도는 본 발명의 실시예에 따라 표시 장치에서의 투과율을 나타낸 그래프이다.FIG. 12 and FIG. 13 are graphs showing transmissivity in a display device according to an embodiment of the present invention. FIG.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS

100 : 기판 110 : 게이트선100: substrate 110: gate line

120 : 공통 전극선 121 : 공통 전극120: common electrode line 121: common electrode

122 : 유지 전극 130 : 데이터선122: sustain electrode 130: data line

140 : 화소 전극 150 : 게이트 절연층140: pixel electrode 150: gate insulating layer

160 : 반도체층 171,172 : 접촉층160: semiconductor layers 171 and 172: contact layer

180 : 소스 전극 190 : 드레인 전극180: source electrode 190: drain electrode

200 : 제1기판 300 : 제2기판200: first substrate 300: second substrate

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 평면 구동 방식(IPS mode : in-plane switching mode)의 액정 표시 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display (LCD), and more particularly, to a liquid crystal display of an in-plane switching mode (IPS mode).

액정 표시 장치는 최근 들어 가장 각광을 받고 있는 평판 표시 장치중 하나로서 액정 물질의 전기 광학적(electro-optical) 효과를 이용한 표시 장치이며, 그 구동 방식은 크게 단순 행렬형(simple matrix type)과 능동 행렬형(active matrix type)으로 나누어진다.2. Description of the Related Art A liquid crystal display (LCD) is one of the most popular flat panel displays in recent years, and is a display device using an electro-optical effect of a liquid crystal material. The driving method thereof includes a simple matrix type and an active matrix (Active matrix type).

능동 행렬형 액정 표시 장치는 행렬의 형태로 배열된 각 화소에 비선형 특성을 가진 스위칭(switching) 소자를 부가하여 각 화소의 동작을 제어하는 것이다. 스위칭 소자로는 3단자형인 박막 트랜지스터(TFT : thin film transistor)가 일반적으로 사용되며, 2단자형인 MIM(metal insulator metal) 따위의 박막 다이오드(TFD : thin film diode)가 사용되기도 한다.The active matrix type liquid crystal display device controls the operation of each pixel by adding a switching element having a non-linear characteristic to each pixel arranged in a matrix form. A three-terminal type thin film transistor (TFT) is generally used as a switching element, and a thin film diode (TFD) such as a metal insulator metal (MIM) having a two-terminal type may be used.

특히 현재 가장 활발하게 연구가 진행되고 있는 박막 트랜지스터 액정 표시 장치는 화소 전극(pixel eledtrode)이 형성되어 있는 한 기판과 공통 전극(common electrode)이 형성되어 있는 다른 기판, 그리고 그 사이에 삽입되어 있는 액정 물질로 이루어져 있다. 이러한 액정 표시 장치에서 액정 분자들을 구동하기 위해서는 화소 전극과 공통 전극에 각각 전압을 인가하는 방식을 취하는 것이 일반적이다. 그리고 이 경우 액정분자들이 한 기판에서부터 다른 기판에 이르기까지 90° 비틀리게 배열되어 있는 비틀린 네마틱 방식(TN: twisted-nematic)이 주로 이용된다.In particular, a thin film transistor liquid crystal display device, which has been actively studied at present, includes a substrate on which a pixel electrode is formed, another substrate on which a common electrode is formed, It is made of material. In order to drive the liquid crystal molecules in such a liquid crystal display device, it is general to apply a voltage to the pixel electrode and the common electrode. In this case, a twisted-nematic (TN) method in which liquid crystal molecules are arranged at 90 ° from one substrate to another is mainly used.

그러나 이러한 액정 표시 장치, 특히 비틀린 네마틱 방식의 액정 물질을 이용하는 액정 표시 장치는 대비(contrast)가 보는 각도에 의존한다. 특히 이러한 대비의 각도 의존성은 상하 방향으로 매우 심하다.However, such a liquid crystal display device, in particular, a liquid crystal display device using a twisted nematic liquid crystal material, depends on the angle of view of contrast. In particular, the angle dependency of the contrast is very high up and down.

뿐만 아니라 화소 전극과 공통 전극을 서로 다른 기판에 형성하여야 하며, 공통 전극에 전압을 인가하기 위하여 두 기판을 단락시켜야 하기 때문에 공정 수가 많다는 문제점이 있다.In addition, since the pixel electrode and the common electrode must be formed on different substrates and the two substrates must be short-circuited in order to apply the voltage to the common electrode, the number of processes is increased.

이러한 문제들을 해결하기 위한 방법으로 평면 구동 방식을 이용한 액정 표시 장치가 제안되고 있다.As a method for solving these problems, a liquid crystal display device using a planar driving method has been proposed.

평면 구동 방식은 한 기판에 화소 전극 및 공통 전극을 모두 형성하여 액정 표시 장치를 구동하는 방식으로서, 두 기판 사이의 전위차를 이용하는 일반적인 방식과는 달리, 한 기판 내에서 전위차를 주어 액정 분자의 반응을 일으키는 것이다. 이의 대표적인 예로는 유럽 특허 출원 출원번호 제93307154.0호를 들 수 있다.In a planar driving method, a liquid crystal display device is driven by forming both a pixel electrode and a common electrode on one substrate. Unlike a general method using a potential difference between two substrates, a liquid crystal molecule reaction It is the cause. A representative example thereof is European Patent Application No. 93307154.0.

그러면, 첨부한 도면을 참고로 하여 종래의 평면 구동 방식의 액정 표시 장치에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a conventional planar driving type liquid crystal display device will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제1a도 및 (b)는 종래의 평면 구동 방식의 액정 표시 장치를 나타낸 것으로서, ASIA D ISPLAY '95 pp. 707-710에 실린 Development of Super-TFT-LCDs with In-Plane Switching Display Mode(M Ohta et al.)라는 제목의 논문에 나온 도면이다.FIGS. 1A and 1B show a conventional planar driving type liquid crystal display device, which is described in ASIA D ISPLAY '95 pp. 707-710, entitled " Development of Super-TFT-LCDs with In-Plane Switching Display Mode " (M Ohta et al.).

먼저 제1a도에 도시된 구조를 설명한다.First, the structure shown in FIG.

게이트선(1)이 가로로 형성되어 있고 이와 직교하는 데이터선(11)이 세로로 형성되어 있다. 또 게이트선(1)과 평행한 대향 전극선(2)이 게이트선(1)과 동일한 물질로 형성되어 있으며, 대향 전극선(2)의 분지(3,4)는, 게이트선(1)을 향하여 벋은 세로부(3)와 게이트선(1) 부근에 위치하고 게이트선(1) 및 대향 전극선(2)과 평행한 가로부(4)로 이루어져 있다. 게이트선(1)과 데이터선(11)의 교차점 부근에는 박막 트랜지스터(TFT)가 형성되어 있는데, 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극은 게이트선(1)의 일부이고, 소스 전극은 데이터선(11)의 일부이다.A gate line 1 is formed laterally and a data line 11 orthogonal to the gate line 1 is vertically formed. The opposing electrode line 2 parallel to the gate line 1 is formed of the same material as the gate line 1 and the branches 3 and 4 of the opposing electrode line 2 extend toward the gate line 1 Is composed of a vertical part 3 and a horizontal part 4 located in the vicinity of the gate line 1 and parallel to the gate line 1 and the opposite electrode line 2. A thin film transistor TFT is formed near the intersection of the gate line 1 and the data line 11. The gate electrode of the thin film transistor TFT is part of the gate line 1 and the source electrode thereof is connected to the data line 11 ).

한편 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(12)은 데이터선(11)과 동일한 물질로 형성되어 있으며, 연장되어 화소 전극(16)이 된다. 화소 전극(16)은, 데이터선(11)과 평행한 두 부분과 수직인 두 부분으로 이루어져 있는 직사각 고리 모양이며, 데이터선(11)에 평행한 한 부분은 데이터선(11)에 인접해 있고, 데이터선(11)과 수직인 두 부분은 대향 전극선(2) 및 그와 평행한 분지(4)와 각각 중첩되어 있다. 그리고, 화소전극(16)의 직사각 고리 모양의 중앙에는 공통 전극선(2)의 분지(3)가 세로로 가로지르고 있다.On the other hand, the drain electrode 12 of the thin film transistor (TFT) is formed of the same material as the data line 11 and extends to become the pixel electrode 16. The pixel electrode 16 is in the form of a rectangular ring having two portions perpendicular to the data line 11 and two portions perpendicular to the data line 11 and one portion parallel to the data line 11 is adjacent to the data line 11 And two portions perpendicular to the data line 11 are overlapped with the counter electrode line 2 and the branch 4 parallel to the counter electrode line 2, respectively. The branch 3 of the common electrode line 2 is vertically crossed at the center of the rectangular pixel electrode 16.

다음에 설명할 것은 제1b도에 도시된 구조로서, 공통 전극선의 분지와 화소 전극의 구조가 제1a도와는 반대이다. 이를 상세히 설명한다.The structure shown in FIG. 1B will now be described. The structure of the branch of the common electrode line and the structure of the pixel electrode is opposite to that of the first embodiment. This will be described in detail.

게이트선(1)이 가로로 형성되어 있고 이와 직교하는 데이터선(11)이 세로로 형성되어 있다. 또 게이트선(1)과 평행한 대향 전극선(2)이 게이트선(1)과 동일한 물질로 형성되어 있다. 대향 전극선(2)의 분지(6)는 데이터선(11)에 평행한 두 부분과 수직인 한 부분으로 이루어져 대향 전극선(2)과 함께 직사각 고리 모양을 이루며, 데이터선(11)에 평행한 한 부분은 데이터선(11)에 인접하여 있다. 게이트선(1)과 데이터선(11)의 교차점 부근에서는 박막 트랜지스터(TFT)가 형성되어 있는데,박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극은 게이트선(1)의 일부이고, 소스 전극은 데이터선(11) 일부이다. 한편 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극은 데이터선(11)과 동일한 물질로 형성되어 있으며 연장되어 화소 전극(13, 14)이 된다. 화소 전극(13, 14)은 데이터선(11)에 평행한 세로부(13)와 수직인 두 가로부(14)로 이루어져 있으며, 두 가로부(14)는 각각 대향 전극선(2) 및 대향 전극선(2)과 평행한 분지와 중첩되어 있다. 화소 전극(13)의 세로부(13)는 공통 전극선(2) 및 공통 전극선(2)의 분지(6)가 이루는 직사각 고리 모양의 중앙을 가로지른다.A gate line 1 is formed laterally and a data line 11 orthogonal to the gate line 1 is vertically formed. The counter electrode line 2, which is parallel to the gate line 1, is formed of the same material as the gate line 1. The branch 6 of the counter electrode line 2 is formed as a portion orthogonal to the two portions parallel to the data line 11 and has a rectangular annular shape together with the counter electrode line 2, Quot; portion " is adjacent to the data line 11. A thin film transistor TFT is formed near the intersection of the gate line 1 and the data line 11. The gate electrode of the thin film transistor TFT is part of the gate line 1 and the source electrode thereof is connected to the data line 11 ). On the other hand, the drain electrode of the thin film transistor (TFT) is formed of the same material as the data line 11 and extends to become the pixel electrodes 13 and 14. The pixel electrodes 13 and 14 are composed of a vertical portion 13 parallel to the data line 11 and two vertical portions 14 perpendicular to the data line 11. The two horizontal portions 14 correspond to the opposite electrode lines 2 and the counter electrode lines 14, (2). ≪ / RTI > The vertical portion 13 of the pixel electrode 13 crosses the rectangular annular center formed by the common electrode line 2 and the branch 6 of the common electrode line 2.

이러한 액정 표시 장치에서는, 공통 전극선(2) 및 그 분지(3, 4; 6)와 화소 전극(16; 13, 14)의 전위 차, 특히 세로 방향의 공통 전극선 분지(3;6)와 이에 평행한 화소 전극(16; 13)을 이용하여 액정 분자의 방향을 변화시키고 이에 따라 나타나는 빛과 투과율 변화를 이용하여 표시 동작을 한다.In such a liquid crystal display device, the potential difference between the common electrode line 2 and the branch lines 3,4 and 6 and the pixel electrodes 16 and 13 and 14, in particular, the common electrode line branch 3 (6) The direction of the liquid crystal molecules is changed by using one pixel electrode 16 (13), and the display operation is performed by using the change of the light and the transmittance.

이러한 액정 표시 장치를 이용하여 시야각 특성을 측정한 결과 종래의 액정 표시 장치에 비하여 우수한 것으로 이 논문에서는 보고하고 있다.As a result of measuring the viewing angle characteristics using such a liquid crystal display device, it is reported in this paper that it is superior to a conventional liquid crystal display device.

그러나, 논문에서는 또한 이러한 평면 구동 방식의 액정 표시 장치에서 고려할 점을 몇 가지 들고 있다.However, the paper also has several points to consider in such a planar driving type liquid crystal display device.

먼저, 액정 분자를 제대로 제어하기 위해서는 데이터선(11)으로부터 발생하는 전기장을 효율적으로 차폐하여야 한다는 점이다.First, in order to properly control the liquid crystal molecules, an electric field generated from the data line 11 must be efficiently shielded.

제1a도에서는 화소 전극(16)이 데이터선(11)과 이웃하고 있고, (b)에서는 대향 전극선(2)의 분지(6)가 데이터선(11)과 이웃하고 있어 둘다 데이터선(11)으로부터 전기장을 차폐하는 역할을 할 수 있다. 그런데, 화소 전극(16; 13, 14)은 신호가 인가되지 않은 동안에는 뜬(floating) 전위를 가지고 있기 때문에, 다른 부분의 전위에 쉽게 영향을 받는데 비하여, 대향 전극선(2) 및 그 분지(3, 4; 6)는 외부의 전원으로부터 전위가 일정하게 공급되기 때문에 영향을 잘 받지 않는다는 점을 고려할 때, 제1b도의 경우가 데이터선(11)으로부터의 전기장의 차폐에 더욱 효과적이라는 사실을 알 수 있다.The pixel electrode 16 is adjacent to the data line 11 and the branch 6 of the counter electrode line 2 is adjacent to the data line 11 in the case of FIG. And shield the electric field from the electric field. Since the pixel electrode 16 (13, 14) has a floating potential while the signal is not applied, the pixel electrode 16 is easily influenced by the potential of the other portion. On the other hand, the opposing electrode line 2 and the branches 3, 4 and 6 are more influential in shielding the electric field from the data line 11 in consideration of the fact that the electric potential is constantly supplied from the external power source and thus are not affected well .

둘째로는 개구율을 고려하여야 한다. 제1a도에서 개구율을 결정하는 것은 표시 영역, 즉 화소 전극(16)의 고리 모양이 둘러싸고 있는 면적이며, 제1b도에서는 공통 전극선(2) 및 그 분지(6)로 만들어지는 고리 모양이 둘러싸고 있는 면적이다. 제1a도와 같은 구조에서는, 화소 전극(11)과 데이터선(16)이 동일한 물질로 이루어지기 때문에 둘 사이의 단락이 일어나지 않도록 하기 위해서는 둘 사이에 어느 정도의 거리가 필요하다. 그러나, 1제도 (b)에서는 화소 전극(13, 14)과 대향 전극선 분지(6) 사이에 절연층이 존재하기 때문에 데이터선(11)과 대향 전극선(2, 6)의 거리가 가까워져도 무관하다. 따라서, 제1b도의 구조의 경우에는 제1a도의 구조의 경우보 표시 면적을 넓힐 수 있으므로, 제1b도의 구조는 제1a도의 구조에 비하여 큰 개구율을 쉽게 얻을 수 있다.Second, the aperture ratio should be considered. In Figure 1a, the aperture ratio is determined by the area of the annular shape of the display area, that is, the pixel electrode 16. In Figure 1b, the common electrode line 2 and the ring- Area. Since the pixel electrode 11 and the data line 16 are made of the same material in the structure of Fig. 1 (a), a certain distance is required between the pixel electrode 11 and the data line 16 in order to prevent a short circuit between the pixel electrode 11 and the data line 16. However, in 1 scheme (b), since the insulating layer exists between the pixel electrodes 13 and 14 and the counter electrode line branch 6, the distance between the data line 11 and the counter electrode lines 2 and 6 may be close to each other . Therefore, in the case of the structure of Fig. 1b, the beam display area can be widened in the case of the structure of Fig. 1a, so that the structure of Fig. 1b can easily obtain a larger aperture ratio than the structure of Fig.

그러나, 이러한 평면 구동 방식을 이용한 종래의 기술에서는 종래보다 시야각이 확장되는 효과가 있으나, 데이터선으로부터의 전기장이 충분히 차폐되지 못하므로 액정 분자들의 움직임이 데이터선으로부터의 전기장에 의하여 쉽게 영향을 받을 수 있다는 문제점이 있다.However, the conventional technology using such a planar driving method has the effect of widening the viewing angle compared to the conventional one, but since the electric field from the data line is not sufficiently shielded, the movement of the liquid crystal molecules is easily affected by the electric field from the data line .

또한 단일 채널 박막 트랜지스터를 이용하므로 온 전류(on current)가 낮다는 문제점이 있을 뿐 아니라, 기생 용량을 화소에 따라 일정하게 만들기 어렵다는 문제점이 있다.In addition, since a single channel thin film transistor is used, there is a problem in that the on current is low, and it is difficult to make the parasitic capacitance constant depending on the pixel.

그뿐 아니라 배선들이 많이 형성되어 있어 개구율이 작다는 문제점이 있다.In addition, a large number of wirings are formed, and the aperture ratio is small.

본 발명의 과제는 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 평면 구동 방식의 장점인 광시야각 특성을 확보하면서도 테이터선으로부터의 전기장을 효과적으로 차폐하고 개구율을 높일 뿐 아니라 일정한 기생 용량을 확보하고 높은 온 전류를 얻을 수 있도록 하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide an organic EL display device capable of effectively shielding an electric field from a data line and increasing an aperture ratio, securing a constant parasitic capacitance, To be able to.

이러한 과제를 해결하기 위한 발명에 따른 액정 표시 장치용 기판은 다음과 같다.A substrate for a liquid crystal display according to the present invention for solving such problems is as follows.

투명한 절연 기판 위에 공통 전압이 인가되는 다수의 공통 전극이 세로로 형성되어 있으며, 가로로는 게이트선이 공통 전극과 분리되어 형성되어 있다. 공통 전극과 게이트선을 게이트 절연층이 덮고 있으며, 그 위에는 공통 전극의 사이에 세로로 화소 전극이 형성되어 있다. 공통 전극 위의 게이트 절연층 위에는 화소 전극과 동일한 물질로 이루어져 있는 데이터선이 공통 전극을 따라 중첩되어 형성되어 있으며 화소 전극과 연결되어 있다.A plurality of common electrodes to which a common voltage is applied are vertically formed on a transparent insulating substrate, and gate lines are formed separately from the common electrode in the horizontal direction. A common electrode and a gate line are covered with a gate insulating layer, and pixel electrodes are vertically formed therebetween. On the gate insulating layer on the common electrode, data lines, which are made of the same material as the pixel electrodes, are formed along the common electrode and connected to the pixel electrodes.

한편, 게이트 절연층 위에는 삼단자 스위칭 소자가 형성되어 있을 수 있는데, 스위칭 소자의 한 단자는 게이트선, 다른 한 단자는 데이터선, 나머지 한 단자는 화소 전극과 연결되어 있어, 화소 전극과 데이터선을 전기적으로 연결한다.On the other hand, a three-terminal switching element may be formed on the gate insulating layer. One terminal of the switching element is connected to the gate line, the other terminal is connected to the data line, and the other terminal is connected to the pixel electrode. Connect electrically.

이 때 데이터선의 폭은 공통 전극의 폭을 넘지 않는 것이 바람직하며, 데이터선과 중첩되는 공통 전극의 중앙에는 개구부가 헝성되어 있을 수도 있다.At this time, it is preferable that the width of the data line does not exceed the width of the common electrode, and the opening portion may be formed at the center of the common electrode overlapping with the data line.

또한, 화소 전극 하부의 게이트 절연층 아래에는 화소 전극을 따라 유지 전극이 형성되어 있을 수 있으며 유지 전극은 게이트선과 연결되어 있다. 이 때, 유지 전극은 투명한 도전 물질로 이루어져 있을 수 있다.In addition, a sustain electrode may be formed along the pixel electrode under the gate insulating layer under the pixel electrode, and the sustain electrode is connected to the gate line. At this time, the sustain electrode may be made of a transparent conductive material.

그리고 공통 전극은 투명한 도전 물질로, 게이트선은 크롬으로 이루어질 수 있다.The common electrode may be made of a transparent conductive material, and the gate line may be made of chromium.

이러한 과제를 달성하기 위한 발명에 따른 또다른 액정 표시 장치용 기판은 다음과 같다.Another substrate for a liquid crystal display according to the present invention for achieving the above object is as follows.

투명한 절연 기판 위에 공통 전압이 인가되는 다수의 공통 전극이 세로로 형성되어 있으며, 가로로는 게이트선이 공통 전극과 분리되어 형성되어 있다. 공통 전극과 게이트선 위에는 게이트 절연층이 형성되어 있으며, 게이트 절연층의 위에는 공통 전극을 따라 데이터선이 형성되어 있고, 공통 전극 사이에는 데이터선과 동일한 물질로 화소 전극이 세로로 형성되어 있다.A plurality of common electrodes to which a common voltage is applied are vertically formed on a transparent insulating substrate, and gate lines are formed separately from the common electrode in the horizontal direction. A gate insulating layer is formed on the common electrode and the gate line. Data lines are formed on the gate insulating layer along the common electrode. Pixel electrodes are vertically formed between the common electrodes and the data lines.

한편, 한 단자는 게이트선과 연결되어 있고 다른 한 단자는 데이터선과 연결되어 있으며 나머지 한 단자는 화소 전극과 연결되어 있는 트랜지스터가 형성되어 있다.On the other hand, a transistor is formed in which one terminal is connected to the gate line, the other terminal is connected to the data line, and the other terminal is connected to the pixel electrode.

여기에서 데이터선의 폭은 공통 전극의 폭을 넘지 않는 것이 바람직하며, 이때 데이터선과 중첩되는 공통 전극의 중앙에는 개구부가 형성되어 있을 수 있다.Here, it is preferable that the width of the data line does not exceed the width of the common electrode, and an opening may be formed at the center of the common electrode overlapping the data line.

게이트 절연층 아래에는 화소 전극과 중첩되어 있는 유지 전극이 형성되어 있을 수 있으며 이 유지 전극은 게이트선과 연결되어 있다. 이때 유지 전극은 투명한 도전 물질로 이루어질 수 있고, 공통 전극 또한 투명한 도전 물질로 이루어질 수 있으며, 게이트선은 크롬으로 이루어질 수 있다.A sustain electrode overlapped with the pixel electrode may be formed under the gate insulating layer, and the sustain electrode is connected to the gate line. At this time, the sustain electrode may be made of a transparent conductive material, the common electrode may also be made of a transparent conductive material, and the gate line may be made of chromium.

이러한 과제를 해결하기 위한 다른 액정 표시 장치용 기판은 다음과 같은 수단을 포함한다.Another substrate for a liquid crystal display device to solve such a problem includes the following means.

투명한 절연 기관 위에 다수의 공통 전극선이 가로로 형성되어 있고, 그 분지인 공통 전극선이 공통 전극선의 상하로 세로로 형성되어 있다. 공통 전극의 사이에 다수의 유지 전극이 세로로 형성되어 있으며, 유지 전극과 전기적으로 연결되어 있는 다수의 게이트선이 공통 전극선 및 공통 전극과 분리되어 아래 위의 공통 전극선의 사이에 가로로 형성되어 있다. 공통 전극선, 공통 전극, 유지 전극 및 게이트선은 게이트 절연층으로 덮여 있고, 게이트 절연층 위에는 유지 전극을 따라 세로로 다수의 화소 전극이 형성되어 있는데, 이 화소 전극은 게이트선과 유지 전극의 교차점에는 형성되어 있지 않다. 또 게이트 절연층 위에 화소 전극과 동일한 물질로 이루어진 데이터선이 공통 전극을 따라 형성되어 있다. 한편, 이러한 액정 표시 장치용 기판에는 또한 이채널 트랜지스터가 형성되어 있는데, 이채널 트랜지스터의 제1단자는 게이트선과, 제2단자는 데이터선과, 제3단자는 게이트선에 대하여 한쪽에 있는 화소 전극과, 제4단자는 게이트선에 대하여 제3단자와 반대쪽에 있는 화소 전극과 연결되어 있다.A plurality of common electrode lines are horizontally formed on a transparent insulating tube, and common electrode lines as branches are formed vertically above and below the common electrode lines. A plurality of sustain electrodes are vertically formed between the common electrodes and a plurality of gate lines electrically connected to the sustain electrodes are formed laterally between the common electrode lines and the common electrode lines below the common electrode lines and the common electrodes . A common electrode line, a common electrode, a sustain electrode, and a gate line are covered with a gate insulating layer, and a plurality of pixel electrodes are formed vertically along the sustain electrode on the gate insulating layer. . On the gate insulating layer, a data line made of the same material as the pixel electrode is formed along the common electrode. On the other hand, in the substrate for a liquid crystal display apparatus, the channel transistor is formed. The first terminal of the channel transistor is connected to the gate line, the second terminal is connected to the data line, and the third terminal is connected to the pixel electrode And the fourth terminal is connected to the pixel electrode opposite to the third terminal with respect to the gate line.

여기에서 유지 전극 및/또는 공통 전극은 투명한 도전 물질로 이루어질수 있으며, 게이트선 또는 화소전극 및 데이터선은 크롬으로 이루어질 수 있다.Here, the sustain electrode and / or the common electrode may be made of a transparent conductive material, and the gate line or the pixel electrode and the data line may be made of chromium.

이러한 과제를 해결하기 위한 액정 표시 장치는 제1기판, 제2기판을 포함한다. 제1기판의 구조는 다음과 같다. 투명한 절연 기관 위에 공통 전압을 인가 받은 공통 전극이 세로로 형성되어 있으며, 이와 분리되어 가로로는 게이트선이 형성되어 있다. 공통 전극과 게이트선은 게이트 절연층으로 덮여 있고, 공통 전극의 사이 게이트 절연층의 위에는 세로로 화소 전극이 형성되어 있으며 공통전극을 따라서는 데이터선이 형성되어 있다. 한편 화소 전극을 스위칭하는 트랜지스터의 한 단자는 게이트선과, 다른 한 단자는 데이터선과, 나머지 한 단자는 화소 전극과 연결되어 있다. 한편, 제2기판은 제1기판과 마주보고 있으며, 투명한 절연 기판 위에 배향막이 형성되어 있는 구조로 되어 있으며 배향막은 수평 배향을 주며 화소 전극의 방향에 대하여 30° 내지 60°의 방향으로 러빙처리되어 있다.A liquid crystal display device for solving such problems includes a first substrate and a second substrate. The structure of the first substrate is as follows. A common electrode having a common voltage applied to a transparent insulating tube is vertically formed, and a gate line is formed laterally. A common electrode and a gate line are covered with a gate insulating layer, and a pixel electrode is formed vertically above the gate insulating layer between the common electrodes, and a data line is formed along the common electrode. On the other hand, one terminal of the transistor for switching the pixel electrode is connected to the gate line, the other terminal is connected to the data line, and the other terminal is connected to the pixel electrode. On the other hand, the second substrate faces the first substrate, has a structure in which an alignment film is formed on a transparent insulating substrate, and the alignment film is rubbed in a direction of 30 to 60 degrees with respect to the direction of the pixel electrode, have.

이 때, 제1기판은 제1기판의 전면에 형성되어 있는 배향막을 더 포함할 수 있으며, 이 때 제1기판의 배향막은 제2기판의 배향막과 동일한 방향으로 러빙처리되어 있는 것이 바람직하다.In this case, the first substrate may further include an alignment layer formed on the entire surface of the first substrate. Preferably, the alignment layer of the first substrate is rubbed in the same direction as the alignment layer of the second substrate.

또한, 제1기판에 부착되어 있는 제1편광자와 제2기판에 부착되어 있는 제2편광자를 더 포함할 수 있으며, 이 때 제1편광자의 편광축이 제1기판의 배향막의 러빙 방향과 일치하거나, 제2편광자 편광축이 제2기판의 배향막의 러빙 방향과 일치할 수 있으며, 두 경우 모두 제1편광자와 제2편광자의 편광축은 서로 직교하는 것이 바람직하다.The first polarizer may further include a first polarizer attached to the first substrate and a second polarizer attached to the second substrate. In this case, the polarization axis of the first polarizer may coincide with the rubbing direction of the orientation film of the first substrate, The polarization axis of the second polarizer may coincide with the rubbing direction of the orientation film of the second substrate, and in both cases, the polarization axes of the first polarizer and the second polarizer are preferably orthogonal to each other.

이러한 액정 표시 장치를 제조하는 방법은 다음과 같다.A method of manufacturing such a liquid crystal display device is as follows.

투명한 절연 기판 위에 세로로 다수의 공통 전극 및 공통 전극과 분리되도록 유지 전극을 형성하고, 공통 전극과 격리되며 유지 전극과는 교차되도록 가로로 게이트선을 형성한다. 게이트 절연층 형성한 다음, 유지 전극과 게이트선의 교차부 위에 반도체층을 형성하고, 유지 전극을 따라 세로로 화소 전극을 형성한다. 마지막으로 공통 전극을 따라 세로로 화소 전극을 형성한다. 마지막으로 공통 전극을 따라 세로로 데이터선을 형성함과 동시에 반도체층 위의 중앙 및 양 쪽에 전극을 형성하되 반도체층 위의 중앙에 형성되는 전극은 데이터선과 연결되도록 한다.A sustain electrode is formed on a transparent insulating substrate so as to be separated from a plurality of common electrodes and a common electrode vertically, and a gate line is formed so as to be isolated from the common electrode and cross the sustain electrode. A gate insulating layer is formed, a semiconductor layer is formed on the intersection of the sustain electrode and the gate line, and a pixel electrode is formed vertically along the sustain electrode. Finally, a pixel electrode is formed vertically along the common electrode. Finally, a data line is formed vertically along the common electrode, and electrodes are formed at the center and both sides of the semiconductor layer, and the electrode formed at the center on the semiconductor layer is connected to the data line.

여기에서 유지 전극 및 화소 전극은 ITO로 형성할 수 있으며, 반도체층과 함께 외인성 반도체층을 형성하는 단계 및 보호막을 형성하는 단계가 더 포함할 수 있다.Here, the sustain electrode and the pixel electrode may be formed of ITO, and may further include a step of forming an extrinsic semiconductor layer together with the semiconductor layer and a step of forming a protective film.

이러한 액정 표시 장치를 제조하는 다른 방법은 다음과 같다.Other methods for manufacturing such a liquid crystal display device are as follows.

투명한 절연 기판 위에 세로로 다수의 공통 전극 및 공통 전극과 분리되도록 유지 전극을 형성하고, 공통 전극과 격리되며 유지 전극과는 교차되도록 가로로 게이트선을 형성한다. 게이트 절연층을 형성한 다음, 유지 전극과 게이트선의 교차부 위에 반도체층을 형성한다. 이어 유지 전극을 따라 세로로 반도체층과 연결되는 화소 전극을 형성함과 동시에 공통 전극을 따라 세로로 반도체 층의 중앙과 연결되도록 데이터선을 형성한다.A sustain electrode is formed on a transparent insulating substrate so as to be separated from a plurality of common electrodes and a common electrode vertically, and a gate line is formed so as to be isolated from the common electrode and cross the sustain electrode. After forming the gate insulating layer, a semiconductor layer is formed on the intersection of the sustain electrode and the gate line. A pixel electrode connected to the semiconductor layer vertically along the sustain electrode and a data line connected to the center of the semiconductor layer vertically along the common electrode are formed.

여기에서 화소 전극은 크롬으로 형성할 수 있다.Here, the pixel electrode can be formed of chromium.

이러한 액정 표시 장치를 제조하는 다른 방법은 다음과 같다.Other methods for manufacturing such a liquid crystal display device are as follows.

투명한 절연 기판 위에 세로로 다수의 공통 전극 및 공통 전극과 분리되도록 유지 전극을 형성하고, 공통 전극과 격리되며 유지 전극과는 교차되도록 가로로 게이트선을 형성한다. 이어 게이트 절연층을 형성하고, 유지 전극과 게이트선의 교차부 위에 반도체층을 형성한다. 그 다음, 공통 전극을 따라 세로로 데이터선을 형성함과 동시에 반도체층 위의 중앙 및 양 쪽에 전극을 형성하되 반도체층 위의 중앙에 형성되는 전극은 데이터선과 연결되도록 한다. 마지막으로 유지 전극을 따라 세로로 화소 전극을 형성하되 화소 전극은 반도체층 양 쪽의 전극과 연결되도록 한다.A sustain electrode is formed on a transparent insulating substrate so as to be separated from a plurality of common electrodes and a common electrode vertically, and a gate line is formed so as to be isolated from the common electrode and cross the sustain electrode. Next, a gate insulating layer is formed, and a semiconductor layer is formed on the intersection of the sustain electrode and the gate line. Then, data lines are formed vertically along the common electrode, and electrodes are formed at the center and both sides of the semiconductor layer, and electrodes formed at the center on the semiconductor layer are connected to the data lines. Finally, a pixel electrode is formed vertically along the sustain electrode, and the pixel electrode is connected to both electrodes of the semiconductor layer.

여기에서 유지 전극 및 화소 전극은 ITO로 형성할 수 있다.Here, the sustain electrode and the pixel electrode may be formed of ITO.

이와 같이 본 발명에 따른 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에서는 화소 전극으로 투명 절연 물질을 사용하여 개구율을 높이거나, 이채널 트랜지스터를 사용하여 온 전류를 높여 트랜지스터의 충전율을 대폭 향상시킬 수 있다. 뿐만 아니라 배선이 형성되어 있지 않은 기판에 부착되어 있는 편광자의 편광축이 기판의 러빙 방향과 평행하게 형성함으로써, 향상된 투과율을 얻을 수 있다.As described above, in the liquid crystal display device and the method of manufacturing the same according to the present invention, the aperture ratio can be increased by using a transparent insulating material as the pixel electrode, or the on current can be increased by using the channel transistor, thereby significantly improving the filling rate of the transistor. In addition, the polarizing axis of the polarizer attached to the substrate on which no wiring is formed is formed in parallel with the rubbing direction of the substrate, whereby an improved transmittance can be obtained.

그러면, 첨부한 도면은 참고로 하여 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 실시예를 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수도 있도록 상세히 설명한다.Hereinafter, the embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, which may be readily implemented by those skilled in the art to which the present invention pertains.

제2a도 및 (b)는 본 발명의 제1실시예에 따른 액정 표시 장치의 한 기판의 배치도이고, 제3도는 제2도에서 A-A선의 단면도이다.2A and 2B are layouts of a substrate of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line A-A in FIG.

먼저, 제2a도 및 2b도를 참고로 하여 본 제1실시예에 따른 액정 표시 장치용 기관의 평면 구조를 설명한다.First, the planar structure of the engine for a liquid crystal display according to the first embodiment will be described with reference to Figs. 2a and 2b.

투명한 유리 기판(100) 위에 ITO(Indium tin oxide)와 같은 투명 도전 물질로 이루어진 공통 전극선(120)이 가로로 형성되어 있고, 그 분지인 공통 전극(121)이 공통 전근선(120)을 중심으로 아래위로 세로로 형성되어 있다. 위 쪽 공통 전극선(120)의 아래 쪽 분지인 공통전극(121)과 아래 쪽 공통 전극선(120)의 위 쪽 분지인 공통 전극(121)은 서로 일정 거리를 두고 있다.A common electrode line 120 made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) is formed horizontally on a transparent glass substrate 100. A common electrode 121 serving as a branch of the common electrode line 120 is formed around the common line 120 And is formed vertically downward. The common electrode 121, which is the lower branch of the upper common electrode line 120, and the common electrode 121, which is the upper branch of the lower common electrode line 120, are spaced apart from each other.

공통 전극(121)의 사이에는 역시 ITO 따위의 투명 도전 물질로 된 유지 전극(122)이 위 쪽 공통 전극선(120) 부근에서 아래쪽 공통 전극선(120) 부근까지 세로로 형성되어 있으며, 공통 전극선(120)과 단락되지 않도록 일정 거리를 두고 있다.A sustain electrode 122 made of a transparent conductive material such as ITO is formed vertically from the vicinity of the upper common electrode line 120 to the vicinity of the lower common electrode line 120 and between the common electrode lines 120 ) In order to prevent short circuit.

제2도에서는 유지 전극(122)이 세로로 길게 형성되어 있는 형태를 도시하였지만 짧게 형성하거나 형성하지 않을 수도 있다.In FIG. 2, the sustain electrodes 122 are formed to be long and long, but they may be formed short or not.

상하의 공통 전극(121) 사이의 공간에 공통 전극(121)과 단락되지 일정한 거리를 두고 가로로 형성되어 있는 게이트선(110)은 유지 전극(122)과 교차하며 연결되어 있다.The gate line 110, which is formed in a space between the upper and lower common electrodes 121 and is spaced apart from the common electrode 121 by a predetermined distance, is connected to the sustain electrode 122 so as to intersect with each other.

앞에서 설명한 공통 전극선(120), 공통 전극(121), 유지 전극(122) 및 게이트선(110)의 위에는 전면적으로 게이트 절연층(제3도의 도면 부호150)이 덮여 있다.A gate insulating layer (reference numeral 150 in FIG. 3) is covered over the common electrode line 120, the common electrode 121, the sustain electrode 122, and the gate line 110 described above.

게이트 절연층 위에는 화소 전극(122)에 대응하는 위치에 화소 전극(140)이 형성되어 있으며 게이트선(110)을 경계로 두 화소전극(140)이 서로 분리되어 있다.A pixel electrode 140 is formed on the gate insulating layer at a position corresponding to the pixel electrode 122 and two pixel electrodes 140 are separated from each other with the gate line 110 as a boundary.

또, 게이트 절연층 위에는 데이터선(130)이 세로로 길게 형성되어 있는데, 공통 전극(121)과 중첩되며 공통 전극(121)보다 폭이 작다. 이 때 데이터선(130)을 따라 흐르는 신호가 공통 전극(121)으로부터의 신호에 의하여 교란되는 것을 줄이기 위하여, 제2b도에 도시한 것처럼, 공통 전극(121)중 데이터선(130)과 중첩되는 부분의 중앙에 개구부(a)를 형성할 수도 있다. 데이터선(130)은 게이트선(110)과는 게이트 절연층을 매개로 교차하고 있으며, 데이터선(130)과 게이트선(110)의 교차점에서 데이터선(130)으로부터 갈라져 나온 분지 게이트선(110)을 따라 좌우로 연장되다가 유지 전극(122)과의 교차점에서 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극을 이룬다.In addition, the data line 130 is formed on the gate insulating layer so as to be longer than the common electrode 121, and is narrower than the common electrode 121. In order to reduce the disturbance of the signal flowing along the data line 130 by the signal from the common electrode 121 at this time, as shown in FIG. 2B, the data line 130 of the common electrode 121 The opening (a) may be formed at the center of the portion. The data line 130 intersects the gate line 110 through a gate insulating layer and is connected to the branch gate line 110 separated from the data line 130 at the intersection of the data line 130 and the gate line 110 And forms a source electrode of the thin film transistor TFT at an intersection with the sustain electrode 122. [

여기에서 데이터선(130)은 공통 전극(121)의 위에 형성되어 있기 때문에 데이터선(130)으로부터 발생하는 전기장은 대부분 공통 전극(121)쪽으로 향하고 그 좌우로는 영향을 거의 미치지 않는다. 특히 공통 전극(121)의 폭이 더 큰 경우에는 더욱 그러하다.Since the data line 130 is formed on the common electrode 121, most of the electric field generated from the data line 130 is directed toward the common electrode 121 and has little influence on the left and right. Especially when the width of the common electrode 121 is larger.

그러면, 박막 트랜지스터의 구조를 제3도를 참고로 하여 상세히 설명한다.The structure of the thin film transistor will now be described in detail with reference to FIG.

본 실시예에서 박막 트랜지스터는 이채널(two-channel) 구조를 택하며, 박막 트랜지스터의 게이트 전극(110)은 게이트선(110)의 일부이다. 게이트 전극(110)의 위에는 질화규소 따위의 물질로 이루어져 있는 게이트 절연층(150)이 형성되어 있다. 게이트 절연층(150)의 위에는 비정질 따위의 물질로 이루어진 반도체층(160)이 형성되어 있으며 그 위에는 n+ 비정질 규소 따위의 물질로 이루어진 접촉층(171, 172)이 형성되어 있다. 그런데 여기에서는 이채널 구조를 택하고 있으므로 접촉층(171, 172)은 반도체층(160)위의 세 부분, 즉 중앙과 양 끝 부분에 분리되어 위치한다. 이 접촉층(171, 172) 위에는 소스 전극(180) 및 드레인 전극(190)이 형성되어 있으며, 중앙부의 접촉층(171) 위에 형성되어 있는 소스 전극(180)은 데이터선(130)의 분지이고, 양끝의 접촉층(172) 위에 형성되어 있는 드레인 전극(190)은 화소 전극(140)과 연결되어 있다.In this embodiment, the thin film transistor has a two-channel structure, and the gate electrode 110 of the thin film transistor is part of the gate line 110. On the gate electrode 110, a gate insulating layer 150 made of a material such as silicon nitride is formed. On the gate insulating layer 150, a semiconductor layer 160 made of an amorphous material is formed, and contact layers 171 and 172 made of a material such as n + amorphous silicon are formed thereon. However, since the channel structure is adopted here, the contact layers 171 and 172 are separately located at three portions, that is, the center and the both ends, on the semiconductor layer 160. A source electrode 180 and a drain electrode 190 are formed on the contact layers 171 and 172 and a source electrode 180 formed on the contact layer 171 at the center is a branch of the data line 130 And the drain electrode 190 formed on the contact layer 172 at both ends are connected to the pixel electrode 140.

이러한 이채널 박막 트랜지스터를 사용하면, 높은 온 전류를 얻을 수 있어 박막 트랜지스터의 충전율이 대폭 향상된다.By using such a channel thin film transistor, a high ON current can be obtained, and the filling rate of the thin film transistor is greatly improved.

이와 같이 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 게이트선(110) 데이터선(130) 및 공통 전극선(120)등에 대하여 대칭인 구조를 이루고 있으며, 게이트선(110) 및 데이터선(130)이 화소의 중앙 부분에서 교차하고 있는 구조가 된다. 따라서 상하로 오정렬이 되더라도 게이트선(110) 및 데이터선(130) 또는 드레인 전극(190)이 중첩되는 면적은 동일하므로 기생 용량이 항상 일정하게 되어 표시 품질이 안정화된다.The liquid crystal display according to the embodiment of the present invention has a symmetrical structure with respect to the gate line 110 and the common electrode line 120 and the gate line 110 and the data line 130 The structure intersects the central portion of the pixel. Therefore, even if the pixels are vertically misaligned, the overlapping area of the gate line 110 and the data line 130 or the drain electrode 190 is the same, so that the parasitic capacitance is always constant and the display quality is stabilized.

또한, 공통 전극선(120) 및 공통 전극(121), 화소 전극(140), 유지전극(122) 등이 ITO로 중첩되어 형성되어 있고 이채널 트랜지스터를 채용하고 있으며, 구조가 간단하여 배선이 차지하는 면적이 줄기 때문에 제1a도 및 (b)에 도시한 구조에 비하여 개구율이 높아진다.In addition, the common electrode line 120, the common electrode 121, the pixel electrode 140, the sustain electrode 122, and the like are formed so as to overlap with ITO, and this channel transistor is adopted. Because of this streak, the aperture ratio is higher than the structure shown in Figs. 1a and 1b.

그러면, 이러한 구조의 액정 표시 장치를 제조하는 방법을 제4a도내지 (f)를 참고로 하여 상세히 설명한다.A method of manufacturing a liquid crystal display device having such a structure will be described in detail with reference to Fig. 4 (a).

먼저 제4a도에 도시한 바와 같이, ITO와 같은 투명한 도전 물질을 적층하고 식각하여 공통 전극선(120) 및 그 분지인 공통 전극(121)과 유지 전극(122)을 형성한다. 여기에서 공통 전극선(120)은 가로로 형성하고, 공통 전극(121)은 공통 전극선(120)의 상하로 대칭으로 길게 형성하며, 유지 전극(122)은 공통 전극선(120) 및 공통 전극(122)과 만나지 않도록 공통 전극(122)의 사이에 세로로 길게 형성한다.First, as shown in FIG. 4A, a transparent conductive material such as ITO is stacked and etched to form a common electrode line 120 and a common electrode 121 and a sustain electrode 122, which are branches thereof. The common electrode line 120 is formed horizontally and the common electrode 121 is formed symmetrically to the upper and lower sides of the common electrode line 120 such that the sustain electrode 122 is connected to the common electrode line 120 and the common electrode 122, The common electrodes 122 are formed to be vertically long.

다음, 제4b도에 도시한 바와 같이 크롬 따위의 도전 물질을 적층하고 패터닝하여 아래위의 공통 전극(121) 사이에 가로로 게이트선(110)을 형성한다. 이 때 게이트선(110)은 세로로 형성되어 있는 유지 전극(122)과 접속된다.Next, as shown in FIG. 4B, a conductive material such as chromium is stacked and patterned to form a gate line 110 laterally between the lower common electrodes 121. At this time, the gate line 110 is connected to the sustain electrode 122 formed vertically.

다음, 제 4c도에 도시한 것처럼, 질화규소, 비정질 규소, n+ 비정질 규소를 차례로 적층하고, 위의 두 층을 식각하여 접촉층(제3도의 171, 172) 및 반도체층(제3도의 160)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 4C, silicon nitride, amorphous silicon and n + amorphous silicon are sequentially stacked and the two layers are etched to form contact layers (171 and 172 in FIG. 3) and semiconductor layers (160 in FIG. 3) .

이어, 제4d도에 나타낸 것처럼, IPO 따위의 투명한 도전 물질을 패터닝하여 유지 전극(122)과 중첩되는 화소 전극(140)을 형성한다. 이때 화소 전극(140)은 앞에서 형성한 접촉층 및 반도체층과는 중첩되지 않도록 한다.Then, as shown in FIG. 4D, a transparent conductive material such as an IPO is patterned to form a pixel electrode 140 overlapping with the sustain electrode 122. At this time, the pixel electrode 140 is not overlapped with the contact layer and the semiconductor layer formed previously.

다음, 제4e도에 나타낸 바와 같이, 크롬 따위의 도전 물질을 적층하고 패터닝하여 데이터선(130)을 형성한다. 이 때 데이터선(130)은 세로로 공통 전극(121)과 중첩되도록 형성하되, 공통 전극(121)보다는 폭이 좁게 형성한다. 그리고 데이터선(130)과 게이트선(110)과의 교차점에서 데이터선(130)의 분지를 좌우로 벋어 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(제3도의 180)이 되게 하고, 이와 분리되어 상하로 화소(140)과 연결된 드레인 전극(제3도의 190)을 함께 형성한다. 그리고 이를 마스크로 하여 접촉층(제3도의 171, 172)을 식각한다.Next, as shown in FIG. 4E, a conductive material such as chromium is stacked and patterned to form a data line 130. At this time, the data line 130 is vertically formed so as to overlap with the common electrode 121, but narrower than the common electrode 121. At the intersection of the data line 130 and the gate line 110, the branch of the data line 130 is left and right so as to become the source electrode (180 in FIG. 3) of the thin film transistor TFT, A drain electrode (190 in FIG. 3) connected to the pixel 140 is formed together. Then, the contact layer (171, 172 in FIG. 3) is etched by using this as a mask.

마지막으로 전면에 보호막을 형성하면 본 실시예에 따른 액정 표시 장치용 기판 하나가 완성된다.Finally, when a protective film is formed on the front surface, a substrate for a liquid crystal display according to the present embodiment is completed.

다음으로 제2실시예를 설명한다.Next, a second embodiment will be described.

제5도는 본 발명의 제2실시예에 따른 액정 표시 장치의 한 기판의 배치도이고, 제6도는 제5도에서 B-B선의 단면도이다.FIG. 5 is a layout view of a substrate of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line B-B in FIG.

제5도에 도시한 바와 같이 본 실시예에 따른 액정 표시 장치용 기판은 화소 전극(140)이 데이터선(130), 소스 전극 및 드레인 전극(140)과 동일한 물질로 이루어져 있다는 점이 제1실시예와 다르다.5, in the substrate for a liquid crystal display according to the present embodiment, the pixel electrode 140 is formed of the same material as the data line 130, the source electrode, and the drain electrode 140, .

이는 제6도에 도시한 본 실시예에 따라 박막 트랜지스터의 단면도를 보면 더욱 명확히 드러난다.This is more clearly shown in the cross-sectional view of the thin film transistor according to this embodiment shown in FIG.

제6도에서 보면, 제3도의 구조와는 달리 화소 전극층이 따로 형성되어 있지 않고 소스 및 드레인 전극(180, 190)과 동일한 물질로 그리고 동일한 층으로 형성되어 있음을 알 수 있다.Referring to FIG. 6, it can be seen that the pixel electrode layer is not formed separately from the structure of FIG. 3 but is formed of the same material and the same layer as the source and drain electrodes 180 and 190.

그러면, 이러한 구조의 그리고 액정 표시 장치를 제조하는 방법을 상세히 설명한다.Then, a method of manufacturing such a structure and a liquid crystal display device will be described in detail.

먼저 제1실시예를 설명하느 도면인 제4a도 내지 4c도에 도시한 바와 동일하게, 공통 전극선(120) 및 그 분지인 공통 전극(121)과 유지 전극(122), 게이트선(110), 그리고 접촉층(제6도의 171, 172) 및 반도체층(제6도의 160)을 형성한다.4A to 4C, the common electrode line 120 and the common electrode 121 and the storage electrode 122, the gate line 110, and the sustain electrode 122, which are branches of the common electrode line 120, And a contact layer (171, 172 in FIG. 6) and a semiconductor layer (160 in FIG. 6) are formed.

이어, 제5도에 나타낸 것처럼, 크롬 따위의 도전 물질로 화소 전극(140) 및 데이터선(130), 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(제6도의 180) 및 드레인 전극(제6도의 190)을 동시에 형성한다. 그리고 이를 마스크로 하여 접촉층(제6도의 171, 172)을 식각한다.5, the pixel electrode 140 and the data line 130, the source electrode (180 in FIG. 6) and the drain electrode (190 in FIG. 6) of the thin film transistor (TFT) Are simultaneously formed. Then, the contact layer (171, 172 in FIG. 6) is etched by using this as a mask.

다음, 제4b도에 도시한 바와 같이 ITO 따위의 투명한 도전 물질을 패터닝하여 유지 전극(122)과 중첩되며 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(제9도의 190)과 연결되는 화소 전극(140)을 형성한다. 이 때 화소 전극(140)은 앞에서 형성한 접촉층 및 반도체층과는 중첩되지 않도록 하는 것이 바람직하다.Next, as shown in FIG. 4B, a transparent conductive material such as ITO is patterned to form a pixel electrode 140 overlapping with the sustain electrode 122 and connected to the drain electrode (190 in FIG. 9) of the thin film transistor TFT . At this time, it is preferable that the pixel electrode 140 is not overlapped with the contact layer and the semiconductor layer formed previously.

마지막으로 전면에 보호막을 형성하면 본 실시예에 따른 액정 표시 장치용 기판 하나가 완성된다.Finally, when a protective film is formed on the front surface, a substrate for a liquid crystal display according to the present embodiment is completed.

편의상 이와 같이 배선이 형성되어 있는 기판을 제1기판이라 하고 판을 제2기판이라 하자.For the sake of convenience, the substrate on which the wiring is formed is referred to as a first substrate and the substrate is referred to as a second substrate.

이처럼 제1기판에 모든 배선이 형성되어 있으므로 제2기판에는 배선을 형성하지 않는다.Since all wirings are formed on the first substrate, the wirings are not formed on the second substrate.

다음, 두 기판에 배향막(도시하지 않음)을 코팅하고, 제1기판의 화소 전극 또는 공통 전극에 대하여 45°의 방향으로 각각 러빙을 실시한 다음, 유전율 이방성이 양인 순수한 네마틱 액정 물질을 삽입하여 액정 셀을 제작한다. 다음 편광축이 서로 직교하도록 두 기판에 각각 편광판을 부착한다. 이 때, 한 편광판의 편광축은 러빙 방향과 평행한 방향이 되도록 한다.Next, an alignment film (not shown) is coated on the two substrates, rubbing is performed on the pixel electrodes or the common electrode of the first substrate in the direction of 45 DEG, and then a pure nematic liquid crystal material having a positive dielectric anisotropy is inserted, Cells are fabricated. A polarizing plate is attached to each of the two substrates so that the next polarization axes are orthogonal to each other. At this time, the polarizing axis of one polarizing plate is set to be parallel to the rubbing direction.

그러면, 이와 같이 만들어진 액정 표시 장치에서 액정 분자들의 움직임을 제10도 및 제11도를 참고로 하여 설명한다.The movement of the liquid crystal molecules in the liquid crystal display device thus constructed will now be described with reference to FIGS. 10 and 11.

제10도는 화소 전극(121)과 공통 전극(140) 사이에 전기장이 형성되지 않는 경우의 액정 분자를 나타내 도면이다.FIG. 10 shows liquid crystal molecules in the case where no electric field is formed between the pixel electrode 121 and the common electrode 140.

제10도에 나타낸 바와 같이 전기장이 생성되지 않은 경우에는 액정 분자들이 초기 위치, 즉 화소 전극(121)의 길이 방향에 대하여 45°의 각도를 이루고 있다.As shown in FIG. 10, when no electric field is generated, the liquid crystal molecules form an angle of 45 ° with respect to the initial position, that is, the longitudinal direction of the pixel electrode 121.

그러나, 화소 전극(121)과 공통 전극(140)의 사이에 전기장이 생성된 경우에는 액정 분자들의 방향이 변화한다. 즉, 제11도에 도시한 바와 같이 두 기판의 중간에 위치하는 분자들은 배향력의 영향은 거의 없고 전기장 영향만 받으므로 전기장의 방향을 따라 배열한다. 그러나 두 기판의 표면 부근의 액정 분자들은 가해진 전기장에 의한 힘의 크기보다 배향력이 강하므로 그 방향이 변화하지 않고 그대로 유지된다. 결국 한기판의 표면으로부터 두 기판 사이의 중앙에 이르기까지 액정 분자들은 점차로 그 방향을 전기장의 방향과 평행하게 배열한다.However, when an electric field is generated between the pixel electrode 121 and the common electrode 140, the directions of the liquid crystal molecules change. That is, as shown in FIG. 11, the molecules located in the middle of the two substrates are arranged along the direction of the electric field because they are almost not affected by the orientation force and are only affected by the electric field. However, the liquid crystal molecules in the vicinity of the surface of the two substrates are stronger in orientation than the magnitude of the force due to the applied electric field, so that the orientation remains unchanged. Eventually, from the surface of the plate to the center between the two substrates, the liquid crystal molecules gradually arrange the direction parallel to the direction of the electric field.

이러한 액정 표시 장치의 액정 분자의 위치 및 투과율을 시능내기(simulation)를 통하여 실험한 결과를 제12도 및 제13도에 도시하였다. 여기에서, 제12도는 배선이 형성되어 있는 하부 기판에 부착된 편광판의 편광축이 기판의 러빙 방향과 평행한 경우이고, 제13도는 수직인 경우이다.The results of experiments of the position and transmittance of the liquid crystal molecules of such a liquid crystal display device through simulations are shown in FIGS. 12 and 13. 12 shows a case where the polarization axis of the polarizing plate attached to the lower substrate on which the wirings are formed is parallel to the rubbing direction of the substrate, and FIG. 13 shows the case where the polarization axis is vertical.

제12도 및 제13도에서, 가로축은 제1기판을 거리에 따라 도시한 것으로서 단위는 ㎛이며, 세로축은 두 기판 사이의 거리를 나타낸 것으로서 단위는 역시 ㎛이다.12 and 13, the horizontal axis shows the first substrate along the distance, and the unit is μm, and the vertical axis shows the distance between two substrates, and the unit is also μm.

왼쪽으로부터 데이터선(130) 및 그 하부의 공통 전극 (121), 화소 전극(140), 공통 전극(121), 화소 전극(140)의 순서로 하부 기판에 형성되어 있는 상태에서, 데이터선(130) 및 화소 전극(140)에 7.00 V의 전압을 인가하고, 공통 전극(121)에는 0 V의 전압을 인가하였다.The data line 130 is formed on the lower substrate in the order of the data line 130 and the lower common electrode 121, the pixel electrode 140, the common electrode 121 and the pixel electrode 140 And the pixel electrode 140 were applied with a voltage of 7.00 V and a voltage of 0 V was applied to the common electrode 121, respectively.

그 결과 나타난 액정 분자들의 위치는 원 또는 타원형으로 나타내었고, 등전위선은 실선으로, 투과율은 점선으로 나타내었다. 투과율은 제12도와 제13도에서 약간의 다른 분포를 나타내고 있는데, 하부 기판에 부착된 편광판의 편광축이 기판의 러빙 방향과 평행한 제12도의 경우에는 최대 투과율이 0.840이고, 수직인 제13도의 경우에는 0.849로 제13도의 경우가 더 투과율이 좋은 것으로 나타났다.The position of the resulting liquid crystal molecules is represented by a circle or an ellipse, the equipotential line is represented by a solid line, and the transmittance is represented by a dotted line. The transmittance shows a slightly different distribution in FIGS. 12 and 13. The maximum transmittance is 0.840 in the case of FIG. 12 where the polarizing axis of the polarizing plate attached to the lower substrate is parallel to the rubbing direction of the substrate, And the transmittance of the 13th degree is better.

이와 같이 본 발명에 따른 평면 구동 방식의 액정 표시 장치에서는 종래의 평면 구동 방식이 가지는 장점인 광시야각을 확보하면서도 데이터선으로부터의 전기장을 효과적으로 차례하고 개구율을 높이는 효과가 있다.As described above, the liquid crystal display device of the planar driving type according to the present invention has an effect of increasing the aperture ratio by efficiently effecting the electric field from the data line while securing a wide viewing angle which is an advantage of the conventional planar driving method.

Claims (39)

투명한 절연 기판, 공통 전압이 인가되며 상기 기판 위에 세로로 형성되어 있는 다수의 공통 전극, 상기 공통 전극과 분리되어 있으며 상기 기판 위에 가로로 형성되어 있는 게이트선, 상기 공통 전극과 상기 게이트선을 덮고 있는 게이트 절연층, 상기 공통 전극의 사이에 세로로 형성되어 있는 화소 전극, 그리고 상기 화소 전극과 동일한 물질로 이루어져 있으며 상기 게이트 절연층 위에 상기 공통 전극과 중첩되어 형성되어 있으며 상기 화소 전극과 연결되어 있는 데이터선를 포함하는 액정 표시 장치용 기판.A plurality of common electrodes vertically formed on the substrate to which a common voltage is applied; a gate line which is separated from the common electrode and is formed laterally on the substrate; a gate electrode which covers the common electrode and the gate line A pixel electrode formed vertically between the common electrodes, and a gate insulating layer formed on the gate insulating layer so as to overlap with the common electrode and connected to the pixel electrode, Wherein the substrate is a substrate. 제1항에서, 한 단자는 상기 게이트선과 연결되어 있고 다른 한 단자는 상기 데이터선과 연결 되어 있으며 나머지 한 단자는 상기 화소 전극과 연결되어 있는 삼단자 스위칭 소자를 더 포함하며, 상기 화소 전극은 상기 스위칭 소자를 통하여 상기 데이터선과 연결되는 액정 표시 장치용 기판.The liquid crystal display device according to claim 1, further comprising a three-terminal switching element having one terminal connected to the gate line, the other terminal connected to the data line and the other terminal connected to the pixel electrode, And connected to the data line through a device. 제1항 또는 제2항에서, 상기 데이터선의 폭은 상기 공통 전극의 폭을 넘지 않는 액정 표시 장치용 기판.The liquid crystal display device substrate according to claim 1 or 2, wherein the width of the data line is not larger than the width of the common electrode. 제3항에서, 상기 데이터선과 중첩되는 상기 공통 전극의 중앙부에는 개구부가 형성되어 있는 액정 표시 장치용 기판.The substrate for a liquid crystal display apparatus according to claim 3, wherein an opening is formed in a central portion of the common electrode overlapping with the data line. 제1항 또는 제2항에서, 상기 게이트 절연층 아래에 상기 화소 전극과 중첩되도록 형성되어 있으며 상기 게이트선과 연결되어 있는 유지 전극을 더 포함하는 액정 표시 장치용 기판.The substrate for a liquid crystal display according to claim 1 or 2, further comprising a sustain electrode formed below the gate insulating layer so as to overlap with the pixel electrode and connected to the gate line. 제5항에서, 상기 유지 전극은 투명한 도전 물질로 이루어진 액정 표시 장치용 기판.The substrate for a liquid crystal display according to claim 5, wherein the sustain electrode is made of a transparent conductive material. 제1항 또는 제2항에서, 상기 공통 전극은 투명한 도전 물질로 이루어진 액정 표시 장치용 기판.3. The substrate for a liquid crystal display according to claim 1 or 2, wherein the common electrode is made of a transparent conductive material. 제1항 또는 제2항에서, 상기 게이트선은 크롬으로 이루어진 액정 표시 장치용 기판.3. The substrate for a liquid crystal display according to claim 1 or 2, wherein the gate line is made of chromium. 투명한 절연 기판, 공통 전압이 인가되며 상기 기판 위에 세로로 형성되어 있는 다수의 공통 전극, 상기 공통 전극과 분리되어 있으며 상기 기판 위에 가로로 형성되어 있는 게이트선, 상기 공통 전극과 상기 게이트선을 덮고 있는 게이트 절연층, 상기 공통 전극의 사이에 세로로 형성되어 있는 화소 전극, 그리고 상기 데이터선과 동일한 물질로 이루어져 있으며 상기 게이트 절연층 위에 상기 공통 전극과 중첩되어 형성되어 있으며 상기 화소 전극과 연결되어 있는 데이터선를 포함하는 액정 표시 장치용 기판.A plurality of common electrodes vertically formed on the substrate to which a common voltage is applied; a gate line which is separated from the common electrode and is formed laterally on the substrate; a gate electrode which covers the common electrode and the gate line A gate electrode, a gate insulating layer, a pixel electrode vertically formed between the common electrodes, and a data line formed of the same material as the data line and overlapped with the common electrode on the gate insulating layer, And a second substrate. 제9항에서, 한 단자는 상기 게이트선과 연결되어 있고 다른 한 단자는 상기 데이터선과 연결되어 있으며 나머지 단자는 상기 화소 전극과 연결되어 있는 삼단자 스위칭 소자를 더 포함하여, 상기 화소 전극은 상기 스위칭 소자를 통하여 상기 데이터선과 연결되는 액정 표시 장치용 기판.The liquid crystal display device according to claim 9, further comprising a three-terminal switching element having one terminal connected to the gate line, the other terminal connected to the data line and the other terminal connected to the pixel electrode, And the data line is connected to the data line. 제9항 또는 제10항에서, 상기 데이터선의 폭은 상기 공통 전극의 폭을 넘지 않는 액정 표시 장치용 기판.11. The substrate for a liquid crystal display apparatus according to claim 9 or 10, wherein a width of the data line does not exceed a width of the common electrode. 제11항에서, 상기 데이터선과 중첩되는 상기 공통 전극의 중앙부에는 개구부가 형성되어 있는 액정 표시 장치용 기판.12. The substrate for a liquid crystal display apparatus according to claim 11, wherein an opening is formed in a central portion of the common electrode overlapping with the data line. 제9항 또는 제10항에서, 상기 게이트 절연층 아래에 상기 화소 전극과 중첩되도록 형성되어 있으며 상기 게이트선과 연결되어 있는 유지 전극을 더 포함하는 액정 표시 장치용 기판.11. The substrate for a liquid crystal display according to claim 9 or 10, further comprising a sustain electrode formed below the gate insulating layer so as to overlap with the pixel electrode and connected to the gate line. 제13항에서, 상기 유지 전극은 투명한 도전 물질로 이루어진 액정 표시 장치용 기판.14. The substrate for a liquid crystal display according to claim 13, wherein the sustain electrode is made of a transparent conductive material. 제9항 또는 제10항에서, 상기 공통 전극은 투명한 도전 물질로 이루어진 액정 표시 장치용 기판.11. The substrate for a liquid crystal display according to claim 9 or 10, wherein the common electrode is made of a transparent conductive material. 제9항 또는 제10항에서, 상기 게이트선은 크롬으로 이루어진 액정 표시 장치용 기판.11. The substrate for a liquid crystal display device according to claim 9 or 10, wherein the gate line is made of chromium. 투명한 절연 기판, 상기 기판 위에 가로로 형성되어 있는 다수의 공통 전극선, 상기 공통 전극선의 분지로서 상기 공통 전극선의 상하로 세로로 형성되어 있는 다수의 공통 전극, 상기 공통 전극의 사이에 세로로 형성되어 있는 다수의 유지 전극, 상기 공통 전극선 및 상기 공통 전극과 분리되어 있고 아래 위의 상기 공통 전극선의 사이에 가로로 형성되어 있으며 상기 유지 전극과 전기적으로 연결되면서 교차하는 다수의 게이트선, 상기 공통 전극선, 상기 공통 전극, 상기 유지 전극 및 상기 게이트선을 덮고 있는 게이트 절연층, 상기 게이트 절연층 위에 상기 유지 전극을 따라 세로로 형성되어 있으며 상기 게이트선과 상기 유지 전극의 교차점에는 형성되어 있지 않은 다수의 화소 전극, 상기 게이트 절연충 위해 상기 공통 전극과 중첩되어 상기 화소 전극과 동일한 물질로 형성되어 있는 데이터선, 그리고 제1단자는 상기 게이트선과 연결되어 있고 제2단자는 상기 데이터선과 연결되어 있고 제3단자는 상기 게이트선에 대하여 한 쪽에 있는 상기 화소 전극과 연결되어 있으며, 제4단자는 상기 게이트선에 대하여 상기 제3단자와 반대 쪽에 있는 상기 화소 전극과 연결되어 있는 이채널 트랜지스터를 포함하는 액정 표시 장치용 기판.A plurality of common electrode lines formed horizontally on the substrate, a plurality of common electrodes formed vertically above and below the common electrode lines as a branch of the common electrode lines, A common electrode line, a common electrode line, a common electrode line, and a common electrode line, which are separated from the common electrode and are formed laterally between the common electrode lines and are electrically connected to the common electrode line, A plurality of pixel electrodes formed vertically along the sustain electrodes on the gate insulating layer and not formed at the intersections of the gate lines and the sustain electrodes, The gate electrode is overlapped with the common electrode for gate insulation, A first terminal connected to the gate line, a second terminal connected to the data line, and a third terminal connected to the pixel electrode on one side with respect to the gate line, And the fourth terminal is connected to the pixel electrode opposite to the third terminal with respect to the gate line. 제17항에서, 상기 유지 전극은 투명한 도전 물질로 이루어진 액정 표시 장치용 기판.18. The substrate for a liquid crystal display according to claim 17, wherein the sustain electrode is made of a transparent conductive material. 제 17항 또는 제18항에서, 상기 공통 전극은 투명하 도전 물질로 이루어진 액정 표시 장치용 기판.19. The substrate for a liquid crystal display according to claim 17 or 18, wherein the common electrode is made of a transparent conductive material. 제17항에서, 상기 게이트선은 크롬으로 이루어진 액정 표시 장치용 기판.18. The substrate for a liquid crystal display according to claim 17, wherein the gate line is made of chromium. 제17항에서, 상기 화소 전극 및 데이터선은 크롬으로 이루어진 액정 표시 장치용 기판.The liquid crystal display according to claim 17, wherein the pixel electrode and the data line are made of chromium. 제17항에서, 상기 데이터선과 중첩되는 상기 공통 전극의 중앙부에는 개구부가 형성되어 있는 액정 표시 장치용 기판.18. The substrate for a liquid crystal display apparatus according to claim 17, wherein an opening is formed in a central portion of the common electrode overlapping with the data line. 투명한 절연 기판, 공통 전압을 인가 받으며 세로로 형성되어 있는 공통 전극, 상기 공통 전극과 분리되어 있으며 가로로 형성되어 있는 게이트선, 상기 공통 전극과 상기 게이트선을 덮고 있는 게이트 절연층, 상기 공통 전극의 사이 상기 게이트 절연층의 위에 세로로 형성되어 있는 화소 전극, 상기 게이트 절연층 위에 상기 공통 전극과 중첩되어 형성되어 있으며 상기 화소 전극과 연결되어 있는 데이터선를 포함하는 제1기판 그리고 투명한 절연 기판, 상기 절연 기판 위에 형성되어 있으며 수평 배향을 주며 상기 화소 전극의 방향에 대하여 30° 내지 60°의 방향으로 러빙처리되어 있는 배향막을 포함하며 상기 제1기판과 마주 보고 있는 제2기판을 포함하는 액정 표시 장치.A gate insulating layer covering the common electrode and the gate line, a gate insulating layer covering the common electrode and the common electrode, a gate insulating layer covering the common electrode and the gate line, A first substrate including a pixel electrode vertically formed on the gate insulating layer, a first substrate formed on the gate insulating layer and overlapped with the common electrode, and including a data line connected to the pixel electrode, a transparent insulating substrate, And a second substrate formed on the substrate and having an alignment film which is horizontally aligned and rubbed in a direction of 30 ° to 60 ° with respect to the direction of the pixel electrode, the second substrate facing the first substrate. 제23항에서, 한 단자는 상기 게이트선과 연결되어 있고 다른 한 단자는 상기 데이터선과 연결되어 있으며 나머지 한 단자는 상기 화소 전극과 연결되어 있는 트랜지스터를 더 포함하여 상기 화소 전극은 상기 트랜지스터를 통하여 상기 데이터선과 연결되는 액정 표시 장치.The liquid crystal display of claim 23, further comprising a transistor having one terminal connected to the gate line and the other terminal connected to the data line and the other terminal connected to the pixel electrode, A liquid crystal display device connected to a line. 제23항 또는 제24항에서, 상기 제1기판은 상기 제1기판의 전면에 형성되어 있는 배향막을 더 포함하는 액정 표시 장치.The liquid crystal display device of claim 23 or 24, wherein the first substrate further comprises an alignment layer formed on a front surface of the first substrate. 제25항에서, 상기 제1기판의 배향막은 상기 제2기판의 배향막과 동일한 방향으로 러빙처리되어 있는 액정 표시 장치.The liquid crystal display device according to claim 25, wherein the orientation film of the first substrate is rubbed in the same direction as the orientation film of the second substrate. 제26항에서, 상기 제1기판에 부착되어 있는 제1편광자와 제2기판에 부착되어 있는 제2편광자를 더 포함하는 액정 표시 장치.27. The liquid crystal display of claim 26, further comprising a first polarizer attached to the first substrate and a second polarizer attached to the second substrate. 제27항에서, 상기 제1편광자의 편광축은 상기 제1기판의 배향막의 러빙 방향과 일치하는 액정 표시 장치.28. The liquid crystal display of claim 27, wherein a polarization axis of the first polarizer coincides with a rubbing direction of an orientation film of the first substrate. 제27항에서, 상기 제2편광자의 편광축은 상기 제2기판의 배향막의 러빙 방향과 일치하는 액정 표시 장치.28. The liquid crystal display of claim 27, wherein a polarization axis of the second polarizer coincides with a rubbing direction of an orientation film of the second substrate. 제28항 또는 제 29항에서, 상기 제1편광자와 제2편광자의 편광축은 서로 직교하는 액정 표시 장치.The liquid crystal display of claim 28 or 29, wherein the polarization axes of the first polarizer and the second polarizer are orthogonal to each other. 투명한 절연 기판 위에 세로로 다수의 공통 전극 및 상기 공통 전극과 분리 되는 유지 전극을 형성하는 단계, 상기 공통 전극과 격리되며 상기 유지 전극과는 교차되도록 가로로 게이트선을 형성하는 단계, 게이트 절연층을 형성하는 단계, 상기 유지 전극과 상기 게이트선의 교차부 위에 반도체층을 형성하는 단계, 상기 유지 전극을 따라 세로로 화소 전극을 형성하는 단계, 그리고 상기 공통 전극을 따라 세로로 데이터선을 형성함과 동시에 상기 반도체층 위의 중앙 및 양 쪽에 전극을 형성하되 상기 반도체층 위의 중앙에 형성되는 전극은 상기 데이터선과 연결되도록 하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.Forming a plurality of common electrodes vertically on a transparent insulating substrate and a sustain electrode separated from the common electrode, forming gate lines laterally isolated from the common electrode and intersecting the sustain electrodes, Forming a semiconductor layer on the intersection of the sustain electrode and the gate line, vertically forming a pixel electrode along the sustain electrode, forming a data line vertically along the common electrode, And forming an electrode at the center and both sides of the semiconductor layer, wherein an electrode formed at the center of the semiconductor layer is connected to the data line. 제31항에서, 상기 유지 전극 및 화소 전극은 ITO로 형성하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.32. The method of manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to claim 31, wherein the sustain electrode and the pixel electrode are formed of ITO. 제31항에서, 상기 유지 전극과 상기 게이트선의 교차부 위에 상기 반도체층을 형성할 때 외인성 반도체층을 함께 형성하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.A manufacturing method of a substrate for a liquid crystal display device according to claim 31, wherein an extrinsic semiconductor layer is formed together when the semiconductor layer is formed on the intersection of the sustain electrode and the gate line. 제31항에서, 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.32. The method of manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to claim 31, further comprising forming a protective film. 투명한 절연 기판 위에 세로로 다수의 공통 전극 및 상기 공통 전극과 분리된 유지 전극을 형성하는 단계, 상기 공통 전극과 격리되며 상기 유지 전극과는 교차되도록 가로로 게이트선을 형성하는 단계, 게이트 절연층을 형성하는 단계, 상기 유지 전극과 상기 게이트선의 교차부 위에 반도체층을 형성하는 단계, 그리고 상기 유지 전극을 세로로 상기 반도체층과 연결되는 화소 전극을 형성함과 동시에 상기 공통 전극을 따라 세로로 상기 반도체층의 중앙과 연결되도록 데이터선을 형성하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.Forming a plurality of common electrodes vertically on a transparent insulating substrate and a sustain electrode separated from the common electrode, forming gate lines laterally isolated from the common electrode and crossing the sustain electrodes, Forming a sustain electrode on the semiconductor layer, forming a semiconductor layer on the intersection of the sustain electrode and the gate line, and forming a pixel electrode vertically connected to the semiconductor layer, And forming a data line to be connected to the center of the layer. 제35항에서, 상기 화소 전극은 크롬으로 형성하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.The method of manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to claim 35, wherein the pixel electrode is formed of chromium. 투명한 절연 기판 위에 세로로 다수의 공통 전극 및 상기 공통 전극과 분리 되도록 유지 전극을 형성하는 단계, 상기 공통 전극과 격리되며 상기 유지 전극과는 교차되도록 가로로 게이트선을 형성하는 단계, 게이트 절연층을 형성하는 단계, 상기 유지 전극과 상기 게이트선의 교차부 위에 반도체층을 형성하는 단계, 상기 공통 전극을 따라 세로로 데이터선을 형성함과 동시에 상기 반도체층 위의 중앙 및 양 쪽에 전극을 형성하되 상기 반도체층 위의 중앙에 형성되는 전극은 상기 데이터선과 연결되도록 하는 단계, 그리고 상기 유지 전극을 따라 세로로 화소 전극을 형성하되 상기 화소 전극은 반도체층 양 쪽의 전극과 연결되도록 하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.Forming a plurality of common electrodes vertically on a transparent insulating substrate and a sustain electrode to be separated from the common electrode, forming gate lines laterally isolated from the common electrode and crossing the sustain electrodes, Forming a semiconductor layer on the intersection of the sustain electrode and the gate line, forming a data line vertically along the common electrode, and forming an electrode at the center and both sides of the semiconductor layer, And forming a pixel electrode vertically along the sustain electrode, wherein the pixel electrode is connected to the electrodes on both sides of the semiconductor layer. The liquid crystal display according to claim 1, A method for manufacturing a substrate for an apparatus. 37항에서, 상기 유지 전극 및 화소 전극은 ITO로 형성하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.37. The method for manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to claim 37, wherein the sustain electrode and the pixel electrode are formed of ITO. 제38항에서, 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.39. The method of manufacturing a substrate for a liquid crystal display device according to claim 38, further comprising forming a protective film.
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