KR100231183B1

KR100231183B1 - FED device with low reflective black matrix and method of making same

Info

Publication number: KR100231183B1
Application number: KR1019960042170A
Authority: KR
Inventors: 김태곤
Original assignee: 김영남; 오리온전기주식회사
Priority date: 1996-09-24
Filing date: 1996-09-24
Publication date: 1999-11-15
Anticipated expiration: 2016-09-24
Also published as: KR19980022883A

Abstract

본 발명은 특히 애노우드 전극상의 픽셀사이에 블랙매트릭스층의 높은 반사율을 해결하기 위한 저반사 블랙매트릭스 갖는 FED장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 애노우드 기판(10)상에 저반사용 크롬 산화물류 박막(13)을 증착하는 단계와, 저반사용 크롬 산화물류 박막(13)위에 블랙매트릭스(12)를 증착하고 패턴하는 단계와, 패턴된 블랙매트릭스(12)상에 ITO층(15)을 코팅하는 단계와, ITO층(15)에빛을 발광하는 형광체층(14)을 코팅하는 단계로 구성되어 있어 전위차의 균일도 향상에 의해 고해상도의 화질을 얻을 수 있는 효과가 있다.In particular, the present invention relates to an FED apparatus having a low reflection black matrix for solving high reflectance of a black matrix layer between pixels on an anode electrode, and a method of manufacturing the same. Depositing and patterning a black matrix 12 on the chromium oxide thin film 13 for low-use use, and coating the ITO layer 15 on the patterned black matrix 12 And a phosphor layer 14 that emits light to the ITO layer 15, thereby improving the uniformity of the potential difference, thereby achieving high-resolution image quality.

Description

FED device with low reflective black matrix and method of making same

본 발명은 FED(FIELD-EMISSION DISPLAY)에 관한 것으로서, 특히 애노우드 전극상의 픽셀사이에 블랙매트릭스층의 높은 반사율을 해결하기 위한 저반사 블랙매트릭스를 갖는 FED장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.FIELD-EMISSION DISPLAY FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a field emission display (FED), and more particularly, to an FED apparatus having a low reflection black matrix for solving high reflectance of a black matrix layer between pixels on an anode electrode and a method of manufacturing the same.

일반적으로 블랙매트릭스는 패널 내면에 도트(dot) 또는 스트라이프(stripe)형으로 연속적으로 반복된 칼라패턴 사이에 반복적으로 형성되어 있는 흑색라인으로서 방사된 전자빔의 미스랜딩(miss landing)된 외광을 흠수함으로써, 화면의 콘트라스트(contrast)와 색순도를 향상시키는 역할을 한다.In general, a black matrix is a black line formed repeatedly between color patterns continuously and repeatedly arranged in a dot or stripe pattern on the inner surface of a panel, thereby deflecting mis-landed external light of an electron beam emitted as a black line , And enhances the contrast and color purity of the screen.

이러한 블랙매트릭스는 이른바, 블랙 코팅(black coating)공정에 의하여 형성되며, 블랙 코팅 공정은 감광성 물질을 패널 내면에 고르게 도포하고, 이를 노과장치에서 스트라이프 또는 도트형으로 감광시키고, 여기에 흑연 조합액을 도포한후, 에칭시켜 노광된 부분의 감광성 물질을 제거하여 현상시키는 공정으로 이루어져 있다.Such a black matrix is formed by a so-called black coating process. In the black coating process, the photosensitive material is evenly applied to the inner surface of the panel, and the black matrix is sensitized in stripe or dot form in the kneading machine. And a step of removing the photosensitive material of the exposed portion by etching and then developing the exposed photosensitive material.

종래의 FED장치용 블랙매트릭스는 도 1 에 도시된 바와 같이 기판(1)상에 애노우드 전극용 ITO층(5)이 형성되어 있고, 상기 ITO층(5)상에 형성되는 형광체층(4a)과 형광체층(4b)사이에 카본 블랙 매트릭스(carbon black matrix)(6)를 형성하고 있었다.1, an ITO layer 5 for an anode electrode is formed on a substrate 1, and a phosphor layer 4a formed on the ITO layer 5 is formed on the substrate 1, A carbon black matrix 6 is formed between the phosphor layer 4b and the phosphor layer 4b.

상기와 같이 형성된 종래의 카본 블랙매트릭스(6)에 캐소우드 구동의 경우 애노우드 기판(10)의 전면에 ITO층(5)이 층착되어 있으므로, 상기 고저항 물질인 ITO층(5) 박막에 의한 전위차 강하로 전계분포의 균일도에 문제가 있었다.The ITO layer 5 is deposited on the entire surface of the anode substrate 10 in the case of cathode driving in the conventional carbon black matrix 6 formed as described above. There is a problem in the uniformity of the electric field distribution due to the drop of the potential difference.

또한, 미세 패턴이 어려운 카본을 블랙매트릭스(6)층으로 사용하여 왔기 때문에 고해상도의 FED장치를 제작하는데 많은 여려움이 따르고 있다.In addition, since carbon having a fine pattern is difficult to use as a black matrix layer 6, there is a great deal of fear in manufacturing a high-resolution FED device.

따라서, 본 고안은 상기와 같은 문제점을 감안하여 창출된 것으로, 본 발명의 목적은 고저항 ITO층에서 발생하는 전위차에 의한 불균일을 없애고 블랙매트릭스패턴의 구현을 용이하게 할 수 있는 저반사 블랙매트릭스를 갖는 FED장치 및 그의제조방법을 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made keeping in mind the above problems occurring in the prior art, and it is an object of the present invention to provide a low-reflection black matrix capable of eliminating unevenness due to a potential difference generated in a high-resistance ITO layer and facilitating the implementation of a black matrix pattern And a method of manufacturing the same.

도 1 은 종래의 FED장치에 블랙매트릭스가 형성되어 있는 것을 나타내는 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a view showing a black matrix formed on a conventional FED apparatus. Fig.

도 2 는 FED장치에 블랙매트릭스가 형성되어 있는 것을 나타내는 개략도.2 is a schematic view showing that a black matrix is formed on an FED device;

도 3 은 본 발명의 저반사 블랙매트릭스를 갖는 FED장치의 단면도.3 is a cross-sectional view of an FED device with a low reflection black matrix of the present invention.

＜도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＞Description of the Related Art

10: 기판 12: 블랙매트릭스10: substrate 12: black matrix

13: 저반사용 크롬 산화물류 박막 14: 형과체층13: Chromium Oxide Logic Thin Film for Low Stage Use 14:

15: ITO층15: ITO layer

따라서, 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 저반사 블랙매트릭스 갖는 FED장치는 애노우드 기판상에 저반사용 크롬 산화물류 박막을 깔고 그위에 형성된 블랙매트릭스층과, 상기 블랙매트릭스층의 상부측에 형성된 ITO층과, 상기 ITO층상에 빛을 발광하는 형광체층이 형성된 구성을 갖고 있으며 제조방법은 애노우드 기판상에 저반사용 크롬 산화물류 박막을 증착하는 단계와, 저반사용 크롬 산화물류 박막위에 블랙매트릭스를 증착하고 패턴하는 단계와, 패턴된 블랙매트릭스상에 ITO층을 코팅하는 단계와, ITO층에빛을 발광하는 형광체층을 코팅하는 단계되어 있는 것이 특징이다.In order to achieve the above object, the FED apparatus having a low reflection black matrix according to the present invention comprises a black matrix layer on which a chromium oxide thin film for low use is laid on an anode substrate, a black matrix layer formed thereon, And a phosphor layer for emitting light is formed on the ITO layer. The manufacturing method includes the steps of: depositing a thin chromium oxide oxide thin film for use on an anode substrate; depositing a thin chromium oxide thin film on a thin chromium oxide thin film Depositing and patterning the matrix, coating the ITO layer on the patterned black matrix, and coating the phosphor layer that emits light to the ITO layer.

상기와 같이 구성된 본 발명의 저반사 블랙매트릭스 갖는 FED장치 및 그의제조방법을 첨부된 도면에 의거하여 상세하게 설명한다.The FED apparatus having the low reflection black matrix of the present invention constructed as described above and the method of manufacturing the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2 는 FED장치에 블랙매트릭스가 형성되어 있는 것을 나타내는 개략도이고, 도 3 은 본 발명의 저반사 블랙매트릭스를 갖는 FED장치의 단면도이다.Fig. 2 is a schematic view showing that a black matrix is formed on the FED device, and Fig. 3 is a sectional view of the FED device having the low reflection black matrix of the present invention.

애노우드 기판(10)상에 저반사용 크롬 산화물류 박막(13)을 증착하여 형성한다.Is formed by depositing a chrome oxide thin film (13) on the anode substrate (10).

상기 저반사용 크롬 산화물류 박막(13)위에 증착하고 패턴하여 블랙매트릭스(12)를 형성한후 패턴된 블랙매트릭스(12)상에 ITO층(15)을 코팅한다.A black matrix 12 is formed by vapor deposition on the chromium oxide thin film 13 for low-use use and patterning, and then an ITO layer 15 is coated on the patterned black matrix 12.

그리고, 상기 ITO층(15)에빛을 발광하는 형광체층(14)을 코팅하여 저반사용 블랙매트릭스를 갖는 FED장치를 완성한다.Then, the phosphor layer 14 that emits light of the ITO layer 15 is coated to complete an FED device having a black matrix for low-consumption use.

상기와 같은 제조방법으로 이루진 저반사용 블랙매트릭스를 갖는 FED장치의 구성은 애노우드 기판(10)상에 저반사용 크롬 산화물류 박막(13)을 깔고 그위에 형성된 블랙매트릭스(12)층과, 상기 블랙매트릭스(12)층의 상부측에 형성된 ITO층(15)과, 상기 ITO층(15)상에 빛을 발광하는 형광체층(14)이 형성되어 있다.The structure of the FED device having the lower-use black matrix formed by the above-described manufacturing method comprises a black matrix 12 layer formed on the anode substrate 10 on which a thin chromium oxide oxide thin film 13 for low- An ITO layer 15 formed on the upper side of the black matrix layer 12 and a phosphor layer 14 for emitting light on the ITO layer 15 are formed.

상기 픽셀사이에 형성되는 블랙매트릭스(12)를 금속막(Cr)으로 증착하므로 블랙매트릭스 역할을 하므로 전위차를 없애고, 블랙매트릭스(12)의 하부측에 저반사용 크롬 산화물류 박막을 선증착이 되어 있으므로 금속층의 고반사를 없앨수 있었다.Since the black matrix 12 formed between the pixels is deposited with the metal film Cr to serve as a black matrix, the potential difference is eliminated and the thin chromium oxide oxide thin film for bottom use is deposited on the lower side of the black matrix 12 High reflection of the metal layer could be eliminated.

본 발명은 화면의 크기가 증가할수록 전위차의 균일도를 같게 하므로 화질개선뿐만아니라 미세한 패턴의 구현에 용이하므로 고해상도를 갖는 FED장치를 제조할 수 있는 특징이 있다.As the size of the screen increases, the uniformity of the potential difference is the same, so that it is possible to fabricate an FED device having a high resolution because it is easy to realize a fine pattern as well as an improvement in image quality.

Claims

A black matrix 12 layer formed on the anode substrate 10 with a chrome oxide thin film 13 of a lower thickness used thereon and an ITO layer 15 formed on the upper side of the black matrix layer 12, Characterized in that a phosphor layer (14) which emits light is formed on the ITO layer (15).

Depositing a chrome oxide thin film (13) for low use on the anode substrate (10)

Depositing and patterning a black matrix (12) on the low-use chromium oxide logistic thin film (13)

Coating an ITO layer (15) on the patterned black matrix (12)

And coating a phosphor layer (14) that emits emit light from the ITO layer (15). &Lt; RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI >