KR100248989B1 - 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법이 개시되어 있다. 상기 장치는 M×N (M, N은 정수)개의 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스와 상기 액티브 매트릭스의 상부에 형성된 액츄에이터를 포함한다. 상기 액티브 매트릭스는, 상기 액티브 매트릭스의 상부에 형성되며 드레인 패드를 포함하는 제1 금속층, 상기 제1 금속층의 상부에 형성된 제1 보호층, 상기 제1 보호층의 상부에 형성되고 상기 드레인 패드의 상부를 둘러싸는 고리 형상의 개방부를 가지는 제2 금속층, 그리고 상기 제2 금속층의 상부에 형성된 제2 보호층을 포함한다. 상기 액츄에이터는, 상기 제2 보호층의 상부에 지지부를 갖고 형성된 지지층, 상기 지지층의 상부에 형성된 하부 전극, 상기 하부 전극의 상부에 형성된 변형층, 상기 변형층의 상부에 형성된 상부 전극, 상기 개방부 내부의 제2 금속층을 통하여 상기 하부 전극으로부터 상기 드레인 패드까지 수직하게 형성된 비어 홀, 그리고 상기 비어 홀의 내부에 상기 하부 전극과 드레인 패드를 연결하도록 형성된 비어 컨택을 포함한다. 액츄에이터의 지지부 중 비어 컨택이 형성되는 부분의 지지부와 비어 컨택이 형성되지 않는 부분의 지지부가 모두 제2 금속층의 상부에 위치하므로, 지지부를 형성하기 위한 식각 공정을 용이하게 진행할 수 있다.

Description

박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법

본 발명은 액츄에이티드 미러 어레이(Actuated Mirror array; AMA)를 이용한 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 액츄에이터의 지지부를 형성하기 위한 식각 공정을 용이하게 할 수 있는 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

광학 에너지(optical energy)를 스크린 상에 투영하기 위한 광로 조절 장치 또는 공간적 광 변조기(spatial light modulator)는 광통신, 화상 처리, 및 정보 디스플레이 장치와 같은 다양한 분야에 응용될 수 있다. 통상적으로 이러한 장치들은 광학 에너지를 스크린 상에 표시하는 방법에 따라 직시형 화상 표시 장치(direct-view image display device)와 투사형 화상 표시 장치(projection-type image display device)로 구분된다.

직시형 화상 표시 장치의 예로서는 CRT(Cathode Ray Tube)를 들 수 있는데, 이러한 CRT 장치는 소위 브라운관으로 불리는 것으로서 화질은 우수하나 화면의 대형화에 따라 그 중량과 용적이 증가하여 제조 비용이 상승하게 되는 문제가 있다. 투사형 화상 표시 장치로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display : LCD), 디포머블 미러 어레이(Deformable Mirror Device; DMD) 및 AMA를 들 수 있다. 이러한 투사형 화상 표시 장치는 다시 그들의 광학적 특성에 따라 2개의 그룹으로 나뉠 수 있다. 즉, LCD와 같은 장치는 전송 광 변조기(transmissive spatial light modulators)로 분류될 수 있는데 반하여, DMD 및 AMA는 반사 광 변조기(reflective spatial light modulators)로 분류될 수 있다.

LCD와 같은 전송 광 변조기는 광학적 구조가 매우 간단하므로, 얇게 형성하여 중량을 가볍게 할 수 있으며 용적을 줄이는 것이 가능하다. 그러나, 빛의 극성으로 인하여 광 효율이 낮으며, 액정 재료에 고유하게 존재하는 문제, 예를 들면 응답 속도가 느리고 그 내부가 과열되기 쉬운 단점이 있다. 또한, 현존하는 전송 광 변조기의 최대 광 효율은 1 내지 2 % 범위로 한정되며, 수용 가능한 디스플레이 품질을 제공하기 위해서 암실 조건을 필요로 한다. 따라서, 상술한 문제점들을 해결하기 위하여 DMD 및 AMA와 같은 광 변조기가 개발되었다.

DMD는 5％ 정도의 비교적 양호한 광 효율을 나타내지만, DMD에 채용된 힌지 구조물에 의해서 심각한 피로 문제가 발생할 뿐만 아니라, 매우 복잡하고 값비싼 구동 회로가 요구된다는 단점이 있다. AMA는 그 내부에 설치된 각각의 거울들이 광원으로부터 입사되는 빛을 소정의 각도로 반사하고, 상기 반사된 빛이 슬릿(slit)이나 핀홀(pinhole)과 같은 개구(aperture)를 통과하여 스크린에 투영되어 화상을 맺도록 광속을 조절할 수 있는 장치이다. 따라서, 그 구조와 동작 원리가 간단하며, LCD나 DMD에 비해 높은 광 효율(10% 이상의 광 효율)을 얻을 수 있다. 또한, 콘트라스트(contrast)가 향상되어 밝고 선명한 화상을 얻을 수 있다.

AMA의 각 액츄에이터는 인가되는 전기적인 제1 신호(화상 신호) 및 제2 신호(바이어스 신호)에 의하여 발생되는 전기장에 따라 변형을 일으킨다. 상기 액츄에이터가 변형을 일으킬 때 그 상부에 장착된 각각의 거울들이 경사지게 된다. 따라서, 상기 경사진 거울들은 광원으로부터 입사된 빛을 소정의 각도로 반사시켜 스크린 상에 화상을 맺을 수 있도록 한다. 상기 각각의 거울들을 구동하는 액츄에이터로서 PZT (Pb(Zr, Ti)O₃), 또는 PLZT ((Pb, La)(Zr, Ti)O₃) 등의 압전 물질이 이용된다. 또한, PMN (Pb(Mg, Nb)O₃) 등의 전왜 물질로서 상기 액츄에이터를 구성할 수도 있다.

이러한 AMA 장치는 크게 벌크형(bulk type)과 박막형(thin film type)으로 구분된다. 상기 벌크형 광로 조절 장치는 Gregory Um 등에게 허여된 미합중국 특허 제 5,085,497호에 개시되어 있다. 벌크형 광로 조절 장치는 다층 세라믹을 얇게 절단하여 내부에 금속 전극이 형성된 세라믹 웨이퍼를 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스(active matrix)에 장착한 후, 쏘잉 밥법으로 가공하고 그 상부에 거울을 설치함으로써 이루어진다. 그러나, 벌크형 광로 조절 장치는 설계 및 제조에 있어서 매우 높은 정밀도가 요구되며, 변형부의 응답이 느리다는 단점이 있다.

이에 따라, 반도체 제조 공정을 이용하여 제조할 수 있는 박막형 광로 조절 장치가 개발되었다. 상기 박막형 광로 조절 장치는 본 출원인이 1997년 3월 28일 대한민국 특허청에 특허 출원한 특허 출원 제97-11058호(발명의 명칭: 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법)에 개시되어 있다.

도 1은 상기 선행 출원에 기재된 박막형 광로 조절 장치의 평면도이고, 도 2는 상기 장치를 A-A' 선으로 자른 단면도이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 박막형 광로 조절 장치는 액티브 매트릭스(10)와 액티브 매트릭스(10)의 상부에 형성된 액츄에이터(40)를 포함한다.

상기 액티브 매트릭스(10)는, M×N개의 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스(10)의 상부에 적층된 제1 금속층(15), 상기 제1 금속층의 상부에 적층된 제1 보호층(20), 상기 제1 보호층의 상부에 적층된 제2 금속층(25), 상기 제2 금속층의 상부에 적층된 제2 보호층(30), 상기 제2 보호층의 상부에 적층된 식각 방지층(35)을 포함한다. 상기 제1 금속층(15)은 제1 신호를 전달하기 위한 드레인 패드를 포함한다. 상기 제2 금속층(25)은 티타늄(Ti)으로 이루어진 제1층(25a) 및 질화티타늄(TiN)으로 이루어진 제2층(25b)을 포함한다.

상기 액츄에이터(40)는 상기 식각 방지층(35) 중 아래에 드레인 패드가 형성된 부분에 일측이 접촉되며 타측이 에어 갭(80)을 개재하여 식각 방지층(35)과 평행하도록 적층된 지지층(45), 상기 지지층(45)의 상부에 적층된 하부 전극(50), 상기 하부 전극(50)의 상부에 적층된 변형층(55), 상기 변형층(55)의 일측 상부에 적층된 상부 전극(60), 상기 하부 전극(50)의 타측으로부터 하부 전극(50), 지지층(45), 식각 방지층(35), 제2 보호층(30), 및 제1 보호층(20)을 통하여 상기 드레인 패드까지 수직하게 형성된 비어 홀(70), 그리고 상기 비어 홀(70)의 내부에 형성된 비어 컨택(75)을 포함한다. 상기 상부 전극(60)의 중앙부에는 상부 전극(60)을 균일하게 작동시켜 입사되는 빛의 난반사를 방지하기 위한 스트라이프(65)가 형성된다.

이하, 상기 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 도 3a 내지 3d를 참조하여 설명한다. 도 3a 내지 도 3d에 있어서, 도 2와 동일한 부재들에 대해서는 동일한 참조 번호를 사용한다.

도 3a를 참조하면, 내부에 M×N(M, N은 정수)개의 MOS(Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스(10)의 상부에 제1 금속층(15)을 형성한다. 이어서, 상기 제1 금속층(15)을 패터닝하여 그 아래의 MOS 트랜지스터의 게이트(11) 부위를 노출시킨다. 따라서, 상기 제1 금속층(15)은 MOS 트랜지스터의 드레인(12) 및 소오스(13)와 연결된다. 상기 액티브 매트릭스(10)는 실리콘 등의 반도체로 이루어지거나 유리, 또는 알루미나(alumina)(Al₂O₃) 등의 절연 물질로 구성된다. 상기 제1 금속층(15)은 텅스텐(W)으로 구성되며, 후에 형성되는 지지층(45)의 일측까지 연장되는 드레인 패드를 포함한다.

이어서, 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스(10)를 보호하기 위하여 상기 제1 금속층(15)의 상부에 제1 보호층(20)을 형성한다. 상기 제1 보호층(20)은 인 실리케이트 유리(PSG)를 화학 기상 증착(chemical vapor deposition; CVD) 방법을 이용하여 8000Å 정도의 두께로 증착함으로써 형성한다. 상기 제1 보호층(20)은 후속하는 공정 동안 액티브 매트릭스(10)에 내장된 트랜지스터가 손상을 입게 되는 것을 방지한다.

상기 제1 보호층(20)의 상부에는 제2 금속층(25)을 형성한다. 상기 제2 금속층(25)을 형성하기 위하여, 먼저 티타늄(Ti) 금속을 스퍼터링하여 300Å 정도의 두께로 제1층(25a)을 형성한다. 이어서, 상기 제1층(25a)의 상부에 질화티타늄(TiN)을 물리 기상 증착 방법을 사용하여 적층하여 제2층(25b)을 형성한다. 상기 제2 금속층(25)은 광원으로부터 입사되는 빛이 반사층인 상부 전극(60) 뿐만 아니라 상부 전극(60)이 형성된 부분을 제외한 부분에도 입사됨으로 인하여, 액티브 매트릭스(10)에 광 누설 전류(photo leakage current)가 흐르게 되는 것을 방지한다. 이어서, 상기 제2 금속층(25) 중 후속 공정에서 비어 컨택(75)이 형성될 부분을 식각하여 패터닝한다.

상기 제2 금속층(25)의 상부에는 제2 보호층(30)을 적층한다. 상기 제2 보호층(30)은 인 실리케이트 유리(PSG)를 사용하여 2000Å 정도의 두께로 형성한다. 상기 제2 보호층(30) 역시 후속하는 공정 동안 액티브 매트릭스(10)에 내장된 트랜지스터가 손상을 입게 되는 것을 방지한다.

상기 제2 보호층(30)의 상부에는 식각 방지층(35)이 적층된다. 식각 방지층(35)은 질화물을 저압 화학 기상 증착(low pressure CVD; LPCVD) 방법을 이용하여 1000∼2000Å 정도의 두께로 증착함으로써 형성한다. 상기 식각 방지층(35)은 액티브 매트릭스(10) 및 제2 보호층(30)이 후속되는 식각 공정으로 인하여 식각되는 것을 방지한다.

상기 식각 방지층(35)의 상부에는 희생층(37)이 적층된다. 상기 희생층(37)은 인 실리케이트 유리(PSG)를 대기압 화학 기상 증착(APCVD) 방법으로 2.0∼3.3㎛ 정도의 두께로 증착하여 형성한다. 이 경우, 상기 희생층(37)은 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스(10)의 상부를 덮고 있으므로 그 표면의 평탄도가 매우 불량하다. 따라서, 스핀 온 글래스(SOG)를 사용하는 방법 또는 화학 기계적 연마(chemical mechanical polishing; CMP) 방법을 이용하여 상기 희생층(37)이 1.6㎛ 정도의 두께가 되도록 희생층(37)의 표면을 갈아냄으로써 평탄화시킨다. 이어서, 상기 희생층(37) 중 아래에 제2 금속층(25)이 패터닝된 부분에 인접한 부분을 식각하여 상기 식각 방지층(35)의 일부를 노출시킴으로써, 액츄에이터의 지지부(38)를 형성한다.

도 3b를 참조하면, 지지층(45)은 상기 노출된 식각 방지층(35)의 상부 및 희생층(37)의 상부에 적층된다. 상기 지지층(45)은 질화물을 저압 화학 기상 증착(LPCVD) 방법을 이용하여 1000∼3000Å 정도의 두께로 증착하여 형성한다.

이어서, 하부 전극(50)을 상기 지지층(45)의 상부에 적층한다. 상기 하부 전극(50)은 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 또는 백금-탄탈륨(Pt-Ta) 등의 금속을 스퍼터링하여2000∼4000Å 정도의 두께를 갖도록 형성한다. 상기 하부 전극(50)에는 외부로부터 인가된 제1 신호가 액티브 매트릭스(10)에 내장된 트랜지스터, 제1 금속층(15)의 드레인 패드를 통하여 인가된다. 이어서, 상기 하부 전극(50)을 소정의 화소 형상으로 패터니아여 각 화소들에 독자적인 신호가 인가되도록 한다(Iso-cutting 공정).

상기 하부 전극(50)의 상부에는 PZT, 또는 PLZT로 구성된 변형층(55)이 적층된다. 상기 변형층(55)은 졸-겔(sol-gel)법, 스퍼터링 방법, 또는 화학 기상 증착 방법을 이용하여 4000∼6000Å, 바람직하게는 4000Å 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 그리고, 상기 변형층(55)을 급속 열처리(RTA) 방법으로 열처리하여 상변이시킨다. 상기 변형층(55)은 상부 전극(60)과 하부 전극(50) 사이에 발생하는 전기장에 의하여 변형을 일으킨다.

상부 전극(60)은 상기 변형층(55)의 일측 상부에 적층된다. 상기 상부 전극(60)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 또는 백금(Pt) 등의 금속을 스퍼터링하여 2000∼6000Å 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 상기 상부 전극(60)은 공통 전극으로부터 제2 신호가 인가된다. 상기 상부 전극(60)은 전기 전도성 및 반사 특성이 우수하므로 바이어스 전극의 기능뿐만 아니라 입사되는 빛을 반사하는 거울의 기능도 함께 수행한다.

계속하여, 상기 상부 전극(60)의 상부로부터 순차적으로 상부 전극(60), 변형층(55), 그리고 하부 전극(50)을 소정의 화소 형상으로 식각하여 패터닝한다. 이 때, 상기 상부 전극(60)의 중앙부에는 상부 전극(60)의 작동을 균일하게 하여 광원으로부터 입사되는 빛의 난반사를 방지하는 스트라이프(65)가 형성된다.

도 3c를 참조하면, 상기 변형층(55)의 타측으로부터 변형층(55), 하부 전극(50), 지지층(45), 식각 방지층(35), 제2 보호층(30) 및 제1 보호층(20)을 차례로 식각하여 비어 홀(70)을 형성한다. 따라서, 상기 비어 홀(70)은 상기 변형층(55)의 타측으로부터 상기 제1 금속층(15) 중 드레인 패드까지 형성된다. 이어서, 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 또는 티타늄(Ti) 등의 전기 전도성이 우수한 금속을 스퍼터링 방법을 이용하여 적층한 후 패터닝하여 비어 컨택(75)을 형성한다. 상기 비어 컨택(75)은 상기 제1 금속층(15)의 드레인 패드 및 하부 전극(50)을 전기적으로 연결한다. 그러므로, 외부로부터 인가된 제1 신호는 액티브 매트릭스(10)에 내장된 트랜지스터, 드레인 패드 및 비어 컨택(75)을 통하여 하부 전극(50)에 인가된다. 이어서, 상기 지지층(45)을 소정의 화소 형상으로 식각하여 패터닝한다.

도 3d를 참조하면, 상기 희생층(37)을 플루오르화 수소(HF) 증기를 사용하여 식각하여 에어 갭(80)을 형성한 후, 세정 및 건조하여 액츄에이터(40)를 완성한다.

상술한 박막형 광로 조절 장치에 있어서, 외부로부터 인가된 제1 신호는 액티브 매트릭스(10)에 내장된 MOS 트랜지스터, 드레인 패드와 비어 컨택(75)을 통하여 하부 전극(50)에 인가된다. 또한, 공통 전극인 상부 전극(60)에는 제2 신호가 인가되어 상부 전극(60)과 하부 전극(50) 사이에 전기장이 발생한다. 이 전기장에 의하여 상부 전극(60)과 하부 전극(50) 사이에 적층되어 있는 변형층(55)이 변형을 일으킨다. 상기 변형층(55)은 전기장에 대하여 수직인 방향으로 수축하며, 변형층(55)을 포함하는 액츄에이터(40)는 상방으로 휘어진다. 따라서, 액츄에이터(40) 상부의 상부 전극(60)도 같은 방향으로 경사진다. 광원으로부터 입사되는 빛은 상부 전극(60)에 의해 소정의 각도로 반사된 후, 스크린에 투영되어 화상을 맺는다.

그러나, 상술한 박막형 광로 조절 장치에서는 도 1에 도시된 바와 같이 액츄에이터의 양측 지지부(38a, 38b) 중에서 하부 전극(50)과 드레인 패드를 연결시키는 비어 컨택(75)이 형성되는 부분에만 제2 금속층(25)이 오픈된다 (빗금친 영역 참조). 즉, 상기 비어 컨택(75)이 형성되는 지지부(38a)의 제2 금속층(25)에는 상기 비어 컨택(75)보다 큰 사각형의 구멍(hole)(25c)이 형성된다.

이에 따라, 비어 컨택(75)이 형성되는 지지부(38a)의 하부에는 제2 금속층(25)이 존재하지 않는 반면, 비어 컨택(75)이 형성되지 않는 지지부(38b)의 하부에는 제2 금속층(25)이 존재하게 된다. 따라서, 박막들이 적층된 형상이 양측 지지부(38a, 38b) 간에 동일하지 않게 되어 단차가 형성되는데, 지지부를 형성하기 위한 식각 공정시 상기한 단차로 인하여 식각 종료(etch stop)가 달라지게 된다. 즉, 지지부를 형성하기 위해 희생층을 식각할 때, 단차가 낮은 부분(비어 컨택(75)이 형성되는 부분)의 희생층이 단차가 높은 부분(비어 컨택(75)이 형성되지 않는 부분)의 희생층보다 먼저 식각됨으로써, 액츄에이터의 양측 지지부(38a, 38b)의 기울기(slope)가 달라지게 된다. 그러므로, 박막들을 균일하게 형성하기가 어렵게 된다.

본 발명의 목적은 서로 인접하는 액츄에이터 지지부의 단차를 제거함으로써, 액츄에이터의 지지부를 형성하기 위한 식각 공정을 용이하게 할 수 있는 박막형 광로 조절 장치를 제공하는데 있다.

본 발명의 다른 목적은 상기 박막형 광로 조절 장치를 제조하는데 특히 적합한 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 제공하는데 있다.

도 1은 본 출원인의 선행 출원에 기재된 박막형 광로 조절 장치의 평면도이다.

도 2는 도 1에 도시한 장치를 A-A' 선으로 자른 단면도이다.

도 3a 내지 도 3d는 도 2에 도시한 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 4는 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 평면도이다.

도 5는 도 4에 도시한 장치를 B-B' 선으로 자른 단면도이다.

도 6a 내지 도 6f는 도 4에 도시한 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 7은 도 4에 도시한 장치를 C-C' 선으로 자른 단면도로서, 지지부를 형성하는 단계를 도시한다.

＜도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명＞

100 : 액티브 매트릭스155 : 제1 금속층

160 : 제1 보호층165 : 제2 금속층

170 : 제2 보호층175 : 식각 방지층

180 : 희생층185 : 지지층

190 : 하부 전극195 : 변형층

200 : 상부 전극205 : 액츄에이터

210 : 비어 홀215 : 비어 컨택

220 : 스트라이프225 : 에어 갭

상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치는, M×N (M, N은 정수)개의 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스와 상기 액티브 매트릭스의 상부에 형성된 액츄에이터를 포함한다. 상기 액티브 매트릭스는, 상기 액티브 매트릭스의 상부에 형성되며 드레인 패드를 포함하는 제1 금속층, 상기 제1 금속층의 상부에 형성된 제1 보호층, 상기 제1 보호층의 상부에 형성되고 상기 드레인 패드의 상부를 둘러싸는 고리 형상의 개방부를 가지는 제2 금속층, 그리고 상기 제2 금속층의 상부에 형성된 제2 보호층을 포함한다. 상기 액츄에이터는, 상기 제2 보호층의 상부에 지지부를 갖고 형성된 지지층, 상기 지지층의 상부에 형성된 하부 전극, 상기 하부 전극의 상부에 형성된 변형층, 상기 변형층의 상부에 형성된 상부 전극, 상기 개방부 내부의 제2 금속층을 통하여 상기 하부 전극으로부터 상기 드레인 패드까지 수직하게 형성된 비어 홀, 그리고 상기 비어 홀의 내부에 상기 하부 전극과 드레인 패드를 연결하도록 형성된 비어 컨택을 포함한다.

또한, 상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법은, M×N (M, N은 정수)개의 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스의 상부에 드레인 패드를 포함하는 제1 금속층을 형성하는 단계, 상기 제1 금속층의 상부에 제1 보호층을 형성하는 단계, 상기 제1 보호층의 상부에 제2 금속층을 형성한 후 상기 드레인 패드를 둘러싸는 개방부를 형성하는 단계, 상기 제2 금속층의 상부에 제2 보호층을 형성하는 단계, 그리고 상기 제2 보호층의 상부에 액츄에이터를 형성하는 단계를 포함한다. 상기 액츄에이터를 형성하는 단계는, 상기 제2 보호층의 상부에 지지층을 형성하는 단계, 상기 지지층의 상부에 하부 전극을 형성하는 단계, 상기 하부 전극의 상부에 변형층을 형성하는 단계, 상기 변형층의 상부에 상부 전극을 형성하는 단계, 상기 개방부 내부의 제2 금속층을 통하여 상기 하부 전극으로부터 상기 드레인 패드까지 수직하게 비어 홀을 형성하는 단계, 및 상기 비어 홀의 내부에 상기 하부 전극과 드레인 패드를 연결하는 비어 컨택을 형성하는 단계를 포함한다.

본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치에 있어서, 제1 신호는 액티브 매트릭스에 내장된 트랜지스터, 제1 금속층의 드레인 패드 및 비어 컨택을 통하여 신호 전극인 하부 전극에 인가된다. 동시에, 공통 전극인 상부 전극에는 제2 신호가 인가되어 상기 상부 전극과 하부 전극 사이에 전기장이 발생하게 된다. 이 전기장에 의하여 상부 전극과 하부 전극 사이의 변형층이 변형을 일으킨다. 상기 변형층은 발생한 전기장에 대하여 수직한 방향으로 수축하게 되며, 이에 따라 상기 액츄에이터는 소정의 각도로 휘게 된다. 빛을 반사하는 거울의 기능도 수행하는 상부 전극은 액츄에이터의 상부에 형성되어 있으므로 액츄에이터와 함께 경사진다. 이에 따라서, 상부 전극은 광원으로부터 입사되는 빛을 소정의 각도로 반사하며, 반사된 빛은 슬릿을 통과하여 스크린에 화상을 맺게 된다.

또한, 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치는, 액츄에이터의 양측 지지부 중에서 비어 컨택이 형성되는 지지부의 하부에서 제2 금속층이 아래의 드레인 패드 상부를 둘러싸는 고리 형상의 개방부를 가진다. 이렇게 되면, 비어 컨택이 형성되는 부분의 지지부와 비어 컨택이 형성되지 않는 부분의 지지부가 모두 제2 금속층의 상부에 위치하게 된다. 따라서, 상기 양측 지지부들은 동일한 막 구성과 동일한 두께를 가지게 되므로, 지지부를 형성하기 위한 식각 공정을 용이하게 진행할 수 있다. 더욱이, 종래의 박막형 광로 조절 장치에서는 비어 컨택이 형성되는 지지부의 하부에 있는 제2 금속층이 사각형의 개방부를 가졌으나, 본 발명에서는 상기 제2 금속층이 아래의 드레인 패드를 둘러싸는 고리 형상의 개방부를 가지도록 패터닝하기 때문에 제2 금속층의 오픈 면적이 줄어들게 된다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하고자 한다.

도 4는 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 평면도이며, 도 5는 도 4에 도시한 장치를 B-B' 선으로 자른 단면도이다.

도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 상기 박막형 광로 조절 장치는 액티브 매트릭스(100)와 액티브 매트릭스(100)의 상부에 형성된 액츄에이터(205)를 포함한다.

상기 액티브 매트릭스(100)는, M×N개의 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스(100)의 상부에 적층되며 드레인 패드를 포함하는 제1 금속층(155), 상기 제1 금속층의 상부에 적층된 제1 보호층(160), 상기 제1 보호층의 상부에 적층된 제2 금속층(165), 상기 제2 금속층의 상부에 적층된 제2 보호층(170), 상기 제2 보호층의 상부에 적층된 식각 방지층(175)을 포함한다. 여기서, 참조 부호 120은 액티브 매트릭스(100)에 액티브 영역을 정의하기 위한 소자 분리막을 나타내며, 참조 부호 125는 MOS 트랜지스터의 게이트(115)를 그 위에 적층되는 제1 금속층(155)으로부터 절연시키기 위한 절연층을 나타낸다.

상기 제2 금속층(165)은 티타늄(Ti) 금속을 사용하여 적층한 제1층(165a) 및 질화티타늄(TiN)을 사용하여 적층한 제2층(165b)을 포함한다. 상기 제2 금속층(165)은 이후에 형성될 액츄에이터의 양측 지지부(182a, 182b) 중에서 비어 컨택(215)이 형성될 지지부(182a)의 하부에 고리 형상의 개방부(165c)를 가지도록 패터닝된다. 따라서, 상기 비어 컨택(215)이 형성되는 부분의 지지부(182a)와 비어 컨택(215)이 형성되지 않는 부분의 지지부(182b)가 모두 상기 제2 금속층(165)의 상부에 위치하게 된다.

상기 액츄에이터(205)는 상기 식각 방지층(175) 중 아래에 제1 금속층(155)의 드레인 패드가 형성된 부분에 일측이 접촉되며 타측이 에어 갭(225)을 개재하여 식각 방지층(175)과 평행하도록 적층된 지지층(supporting layer)(185), 상기 지지층(185)의 상부에 적층된 하부 전극(190), 상기 하부 전극(190)의 상부에 적층된 변형층(195), 상기 변형층(195)의 일측 상부에 적층된 상부 전극(200), 상기 하부 전극(190)의 타측으로부터 하부 전극(190), 지지층(185), 식각 방지층(175), 제2 보호층(170), 상기 고리 형상의 개방부(165c) 내부의 제2 금속층(165) 및 제1 보호층(160)을 통하여 상기 드레인 패드까지 수직하게 형성된 비어 홀(210), 그리고 비어 홀(210)의 내부에 형성된 비어 컨택(215)을 포함한다. 여기서, 상기 비어 홀(210)은 제2 금속층(165)을 통과하여 형성되는데, 이 부위의 제2 금속층(165)은 사각형의 고리 형상의 개방부(165c)를 가지므로 상기 비어 홀(210)은 제2 금속층(165)에 접촉되지 않고 제1 금속층(155)의 드레인 패드와 연결되어 드레인 패드를 통하여 전달된 제1 신호(화상 신호)는 상기 제2 금속층(165)에는 인가되지 않는다.

또한, 도 4를 참조하면 상기 지지층(185)의 일측은 그 중앙부에 사각형 형상의 오목한 부분을 가지며, 이러한 오목한 부분이 양쪽 가장자리로 갈수록 계단형으로 넓어지는 형상으로 형성된다. 상기 지지층(185)의 타측은 상기 오목한 부분에 대응하여 중앙부로 갈수록 계단형으로 좁아지는 사각형 형상의 돌출부를 가진다. 그러므로, 상기 지지층(185)의 오목한 부분에 인접한 액츄에이터의 지지층의 돌출된 부분이 끼워지고, 상기 사각형 형상의 돌출부가 인접한 지지층의 오목한 부분에 끼워지게 된다. 상기 상부 전극(200)의 중앙부에는 상부 전극(200)을 균일하게 작동시켜 입사되는 광속의 난반사를 방지하기 위한 스트라이프(stripe)(220)가 형성된다.

이하, 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.

도 6a 내지 도 6f는 도 5에 도시한 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 6a 내지 도 6f에 있어서, 도 5와 동일한 부재들에 대해서는 동일한 참조 번호를 사용한다.

도 6a를 참조하면, 내부에 M×N(M, N은 정수)개의 MOS 트랜지스터(도시되지 않음)가 내장된 액티브 매트릭스(100)의 상부에 제1 금속층(155)을 형성한다. 상기 액티브 매트릭스(100)는 실리콘(Si) 등의 반도체로 이루어지거나 유리, 또는 알루미나(Al₂O₃) 등의 절연 물질로 구성된다. 상기 제1 금속층(155)은 액티브 매트릭스(100)의 일측에 형성되어 이후에 형성될 액츄에이터(205)의 지지부까지 연장된 드레인 패드를 포함한다. 외부로부터 인가된 제1 신호는 액티브 매트릭스(100)에 내장된 MOS 트랜지스터 및 드레인 패드를 통하여 하부 전극(190)에 전달된다.

도 6b를 참조하면, 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스(100)를 보호하기 위하여 상기 제1 금속층(155)의 상부에 제1 보호층(160)을 형성한다. 상기 제1 보호층(160)은 인 실리케이트 유리(PSG)를 화학 기상 증착(CVD) 방법을 이용하여 8000Å 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 상기 제1 보호층(160)은 후속하는 공정 동안 액티브 매트릭스(100)에 내장된 트랜지스터가 손상을 입게 되는 것을 방지한다.

상기 제1 보호층(160)의 상부에는 제2 금속층(165)을 형성한다. 상기 제2 금속층(165)을 형성하기 위하여, 먼저 티타늄(Ti)을 스퍼터링하여 300Å 정도의 두께로 제1층(165a)을 형성한다. 이어서, 상기 제1층(165a)의 상부에 질화티타늄(TiN)을 물리 기상 증착(PVD) 방법을 사용하여 적층하여 제2층(165b)을 형성한다. 상기 제2 금속층(165)은 광원으로부터 입사되는 광속이 반사층인 상부 전극(200) 뿐만 아니라, 상부 전극(200)이 형성된 부분을 제외한 부분에도 입사됨으로 인하여, 액티브 매트릭스(100)에 광 누설 전류가 흐르게 되는 것을 방지한다. 이어서, 상기 제2 금속층(165)을 후속 공정에서 형성될 액츄에이터의 양측 지지부(182a, 182b) 중에서 비어 컨택(215)이 형성되는 지지부(182a)의 하부에서 사각형의 고리 형상의 개방부(165c)를 가지도록 패터닝한다.

도 6c를 참조하면, 상기 제2 금속층(165)의 상부에 제2 보호층(170)을 형성한다. 상기 제2 보호층(170)은 인 실리케이트 유리(PSG)를 사용하여 2000Å 정도의 두께로 형성한다. 상기 제2 보호층(170) 역시 후속하는 공정 동안 액티브 매트릭스(100)에 내장된 트랜지스터가 손상을 입게 되는 것을 방지한다.

이어서, 상기 제2 보호층(170)의 상부에 식각 방지층(175)을 형성한다. 상기 식각 방지층(175)은 상기 액티브 매트릭스(100) 및 제2 보호층(170)이 후속되는 식각 공정으로 인하여 식각되는 것을 방지한다. 상기 식각 방지층(175)은 질화물(Si₃N₄)을 저압 화학 기상 증착(LPCVD) 방법으로 증착하여 1000∼2000Å 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 상기 식각 방지층(175)은 액티브 매트릭스(100) 및 제2 보호층(170)이 후속되는 식각 공정으로 인하여 식각되는 것을 방지한다.

이어서, 상기 식각 방지층(175)의 상부에 희생층(sacrificial layer)(180)을 형성한다. 희생층(180)은 인 실리케이트 유리(PSG)를 대기압 화학 기상 증착(APCVD) 방법을 이용하여 2.0∼3.3㎛ 정도의 두께로 증착하여 형성한다. 이 경우, 희생층(180)은 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스(100)의 상부를 덮고 있으므로 그 표면의 평탄도가 매우 불량하다. 따라서, 스핀 온 글래스(SOG)를 사용하는 방법, 또는 화학 기계적 연마(CMP) 방법을 이용하여 상기 희생층(180)이 1.1㎛ 정도의 두께가 되도록 상기 희생층(180)의 표면을 갈아냄으로써 평탄화시킨다. 이어서, 상기 희생층(180) 중 아래에 드레인 패드가 형성된 부분을 식각하여 상기 식각 방지층(175)의 일부를 노출시킴으로써, 액츄에이터의 지지부(182a, 182b)를 형성한다.

도 7은 도 4에 도시한 장치를 C-C' 선으로 자른 단면도로서, 상기 지지부(182a, 182b)들이 형성된 구조를 도시하고 있다.

도 7을 참조하면, 액츄에이터의 양측 지지부(182a, 182b) 중에서 비어 컨택(215)이 형성될 지지부(182a)의 하부에서 상기 제2 금속층(165)이 사각형의 고리 형상의 개방부(165c)를 가진다. 이렇게 되면, 상기 비어 컨택(215)이 형성되는 부분의 지지부(182a)와 비어 컨택(215)이 형성되지 않는 부분의 지지부(182b)가 모두 상기 제2 금속층(165)의 상부에 위치하게 된다. 따라서, 상기 양측 지지부(182a, 182b)들은 동일한 막 구성과 동일한 두께를 가지게 되므로, 지지부를 형성하기 위한 식각 공정을 용이하게 진행할 수 있다. 더욱이, 종래의 박막형 광로 조절 장치에서는 비어 컨택이 형성되는 지지부의 하부에서 제2 금속층이 사각형의 개방부를 가졌으나, 본 발명에서는 상기 제2 금속층(165)이 사각형의 고리 형상의 개방부(165c)를 갖기 때문에 제2 금속층의 오픈 면적이 줄어든다는 장점이 있다.

이어서 도 6d를 참조하면, 지지층(185)을 상기 노출된 식각 방지층(175)의 상부 및 희생층(180)의 상부에 형성한다. 상기 지지층(185)은 질화물을 저압 화학 기상 증착(LPCVD) 방법을 이용하여 1000∼5000Å 정도의 두께를 가지도록 형성한다.

이어서, 하부 전극(190)을 상기 지지층(185)의 상부에 형성한다. 상기 하부 전극(190)은 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 또는 백금-탄탈륨(Pt-Ta) 등의 금속을 스퍼터링하여 1000∼4000Å 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 이와 동시에, 하부 전극(190)을 소정의 화소 형상으로 패터닝함으로써 각 화소들에 독자적인 신호가 인가되도록 한다 (Iso-cutting 공정). 상기 하부 전극(190)에는 액티브 매트릭스(100)에 내장된 트랜지스터로부터 발생한 제1 신호가 인가된다.

이어서, 상기 하부 전극(190)의 상부에 PZT, 또는 PLZT로 구성된 변형층(195)을 형성한다. 상기 변형층(195)은 졸-겔법, 스퍼터링 방법, 또는 화학 기상 증착 방법을 이용하여 3000∼6000Å, 바람직하게는 4000Å 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 그리고, 상기 변형층(190)을 급속 열처리(RTA) 방법으로 열처리하여 상변이시킨다. 상기 변형층(190)은 상부 전극(200)과 하부 전극(190) 사이에 발생하는 전기장에 의하여 변형을 일으킨다.

이어서, 상부 전극(200)을 상기 변형층(190)의 일측 상부에 형성한다. 상기 상부 전극(200)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 또는 백금(Pt) 등의 금속을 스퍼터링하여 500∼6000Å 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 상기 상부 전극(200)은 공통 전극으로부터 제2 신호가 인가된다. 상기 상부 전극(200)은 전기 전도성 및 반사 특성이 우수하므로 바이어스 전극의 기능뿐만 아니라 입사되는 빛을 반사하는 거울의 기능도 함께 수행한다.

계속하여, 상기 상부 전극(200)의 상부로부터 순차적으로 상부 전극(200), 변형층(195), 그리고 하부 전극(190)을 소정의 화소 형상으로 식각하여 패터닝한다. 이때, 상기 상부 전극(200)의 중앙부에는 상부 전극(200)의 작동을 균일하게 하여 광원으로부터 입사되는 광속의 난반사를 방지하는 스트라이프(220)가 형성된다.

도 6e를 참조하면, 상기 변형층(195)의 타측으로부터 변형층(195), 하부 전극(190), 지지층(185), 식각 방지층(175), 제2 보호층(170), 제2 금속층(165) 및 제1 보호층(160)을 차례로 식각하여 비어 홀(210)을 형성한다. 따라서, 상기 비어 홀(210)은 상기 변형층(195)의 타측으로부터 상기 제1 금속층(155) 중 상기 드레인 패드까지 형성된다. 상기 비어 홀(210)은 제2 금속층(165)을 통하여 형성되는데, 이 부위의 제2 금속층(165)은 사각형의 고리 형상의 개방부(165c)를 가지므로 상기 비어 홀(210)은 제2 금속층(165)에 접촉되지 않고 제1 금속층(155)의 드레인 패드와 연결되어 드레인 패드를 통하여 전달된 제1 신호(화상 신호)는 상기 제2 금속층(165)에는 인가되지 않는다.

이어서, 텅스텐(W), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 또는 티타늄(Ti) 등의 전기 전도성이 우수한 금속을 스퍼터링 방법을 이용하여 적층한 후 패터닝하여 비어 컨택(215)을 형성한다. 상기 비어 컨택(215)은 상기 제1 금속층(155) 중 드레인 패드와 하부 전극(190)을 전기적으로 연결한다. 그러므로, 외부로부터 인가된 제1 신호는 액티브 매트릭스(100)에 내장된 트랜지스터, 드레인 패드 및 비어 컨택(215)을 통하여 하부 전극(190)에 인가된다. 이어서, 상기 지지층(185)을 소정의 화소 형상으로 패터닝한다.

도 6f를 참조하면, 상기 희생층(180)을 플루오르화 수소(HF) 증기를 사용하여 식각하여 에어 갭(225)을 형성한 후, 세정 및 건조하여 액츄에이터(205)를 완성한다. 이어서, 남아 있는 식각 용액을 제거하기 위하여 헹굼 및 건조(rinse and dry) 처리를 수행하여 AMA 소자를 완성한다.

상술한 바와 같이 M×N개의 박막형 AMA 소자를 완성한 후, 크롬(Cr), 니켈(Ni), 또는 금(Au) 등의 금속을 스퍼터링 방법, 또는 증착(evaporation) 방법을 이용하여 액티브 매트릭스(100)의 하단에 증착시켜 저항 컨택(ohmic contact)(도시하지 않음)을 형성한다. 그리고, 후속하는 공통 전극인 상부 전극(200)에 제2 신호를 인가하고 신호 전극인 하부 전극(190)에 제1 신호를 인가하기 위한 TCP(Tape Carrier Package)(도시하지 않음) 본딩(bonding)을 대비하여 통상의 포토리쏘그래피 방법을 이용하여 액티브 매트릭스(100)를 소정의 두께까지 자른다. 계속하여, TCP 본딩을 대비해 AMA 패널의 패드(도시하지 않음)가 충분한 높이를 가지기 위하여 AMA 패널의 패드 상부에 포토 레지스트층(도시하지 않음)을 형성한다. 이어서, 상기 포토 레지스트층 중 아래에 패드가 형성되어 있는 부분을 패터닝하여 AMA 패널의 패드를 노출시킨다. 이어서, 상기 포토 레지스트층을 건식 식각 방법, 또는 습식 식각 방법을 이용하여 식각하고, 액티브 매트릭스(100)를 소정의 형상으로 완전히 잘라낸 후, AMA 패널의 패드와 TCP의 패드를 ACF(Anisotropic Conductive Film)(도시하지 않음)로 연결하여 박막형 AMA 모듈(module)의 제조를 완성한다.

상술한 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치에 있어서, TCP의 패드 및 AMA 패널의 패드를 통하여 전달된 제1 신호는 액티브 매트릭스(100)에 내장된 트랜지스터, 드레인 패드 및 비어 컨택(215)을 통해 신호 전극인 하부 전극(190)에 인가된다. 동시에, 공통 전극인 상부 전극(200)에는 제2 신호가 인가되어 상기 상부 전극(200)과 하부 전극(190) 사이에 전기장이 발생하게 된다. 이 전기장에 의하여 상부 전극(200)과 하부 전극(190) 사이의 변형층(195)이 변형을 일으킨다. 상기 변형층(195)은 발생한 전기장에 대하여 수직한 방향으로 수축하게 되며, 이에 따라 상기 액츄에이터(205)는 소정의 각도로 휘게 된다. 빛을 반사하는 거울의 기능도 수행하는 상부 전극(200)은 액츄에이터(205)의 상부에 형성되어 있으므로 액츄에이터(205)와 함께 경사진다. 이에 따라서, 상부 전극(200)은 광원으로부터 입사되는 빛을 소정의 각도로 반사하며, 반사된 빛은 슬릿을 통과하여 스크린에 화상을 맺게 된다.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치에 의하면, 액츄에이터의 양측 지지부 중에서 비어 컨택이 위치하는 지지부의 하부에서 제2 금속층이 사각형의 고리 형상의 개방부를 가진다. 이렇게 되면, 비어 컨택이 형성되는 부분의 지지부와 비어 컨택이 형성되지 않는 부분의 지지부가 모두 제2 금속층의 상부에 위치하게 된다. 따라서, 상기 양측 지지부들은 동일한 막 구성과 동일한 두께를 가지게 되므로, 지지부를 형성하기 위한 식각 공정을 용이하게 진행할 수 있다. 더욱이, 종래의 박막형 광로 조절 장치에서는 비어 컨택이 형성되는 지지부의 하부에서 제2 금속층이 사각형의 개방부를 가졌으나, 본 발명에서는 상기 제2 금속층이 사각형의 고리 형상의 개방부를 갖기 때문에 제2 금속층의 오픈 면적이 줄어들게 된다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (7)

1. M×N (M, N은 정수)개의 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스(100);

   상기 액티브 매트릭스의 상부에 형성되며 드레인 패드를 포함하는 제1 금속층(155);

   상기 제1 금속층의 상부에 형성된 제1 보호층(160);

   상기 제1 보호층의 상부에 형성되고 상기 드레인 패드의 상부를 둘러싸는 고리 형상의 개방부(165c)를 가지는 제2 금속층(165);

   상기 제2 금속층의 상부에 형성된 제2 보호층(170); 그리고

   i) 상기 제2 보호층의 상부에 지지부(182a, 182b)를 갖고 형성된 지지층(185), ⅱ) 상기 지지층의 상부에 형성된 하부 전극(190), ⅲ) 상기 하부 전극의 상부에 형성된 변형층(195), ⅳ) 상기 변형층의 상부에 형성된 상부 전극(200), v) 상기 개방부(165c) 내부의 제2 금속층(165)을 통하여 상기 하부 전극(190)으로부터 상기 드레인 패드까지 수직하게 형성된 비어 홀(210), 및 vi) 상기 비어 홀의 내부에 상기 하부 전극(190)과 드레인 패드를 연결하도록 형성된 비어 컨택(215)을 갖는 액츄에이터(205)를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 비어 컨택(215)이 형성되는 지지부(182a)와 비어 컨택(215)이 형성되지 않는 지지부(182b)는 모두 상기 제2 금속층(165)의 상부에 위치하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치.
3. 제1항에 있어서, 상기 액티브 매트릭스(100)는 상기 제2 보호층(170)의 상부에 형성된 식각 방지층(175)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치.
4. 제1항에 있어서, 상기 제2 금속층(165)은 티타늄(Ti)으로 구성된 제1층(165a) 및 질화티타늄(TiN)으로 구성된 제2층(165b)을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치.
5. M×N (M, N은 정수)개의 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스의 상부에 드레인 패드를 포함하는 제1 금속층을 형성하는 단계;

   상기 제1 금속층의 상부에 제1 보호층을 형성하는 단계;

   상기 제1 보호층의 상부에 제2 금속층을 형성한 후 상기 드레인 패드를 둘러싸는 개방부를 형성하는 단계;

   상기 제2 금속층의 상부에 제2 보호층을 형성하는 단계; 그리고

   i) 상기 제2 보호층의 상부에 지지층을 형성하는 단계, ⅱ) 상기 지지층의 상부에 하부 전극을 형성하는 단계, ⅲ) 상기 하부 전극의 상부에 변형층을 형성하는 단계, ⅳ) 상기 변형층의 상부에 상부 전극을 형성하는 단계, v) 상기 개방부 내부의 제2 금속층을 통하여 상기 하부 전극으로부터 상기 드레인 패드까지 수직하게 비어 홀을 형성하는 단계, 및 vi) 상기 비어 홀의 내부에 상기 하부 전극과 드레인 패드를 연결하는 비어 컨택을 형성하는 단계를 포함하는 액츄에이터를 형성하는 단계를 포함하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
6. 제5항에 있어서, 상기 제2 보호층을 형성하는 단계는, 상기 제2 보호층의 상부에 식각 방지층을 형성하는 단계, 상기 식각 방지층의 상부에 희생층을 형성하는 단계, 및 상기 희생층 중 아래에 상기 제1 금속층의 드레인 패드가 형성된 부분을 식각하여 상기 식각 방지층의 일부를 노출시킴으로써 액츄에이터의 지지부를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
7. 제5항에 있어서, 상기 제2 금속층을 형성하는 단계는, i) 상기 제1 보호층의 상부에 티타늄을 사용하여 제1층을 형성하는 단계, 및 ⅱ) 상기 제1층의 상부에 질화티타늄을 사용하여 제2층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.

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