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KR100251645B1 - 반도체 공정용 가스 평가장치에 결합되는 샘플가스 분배 장치 및 구동방법 - Google Patents

반도체 공정용 가스 평가장치에 결합되는 샘플가스 분배 장치 및 구동방법 Download PDF

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KR100251645B1
KR100251645B1 KR1019970009876A KR19970009876A KR100251645B1 KR 100251645 B1 KR100251645 B1 KR 100251645B1 KR 1019970009876 A KR1019970009876 A KR 1019970009876A KR 19970009876 A KR19970009876 A KR 19970009876A KR 100251645 B1 KR100251645 B1 KR 100251645B1
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이석호
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윤종용
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Abstract

반도체 공정용 가스를 샘플가스로 하여 평가장치들로 공급함에 있어서 하나의 분배 장치를 이용하여 서로 다른 공급 특성을 요구하는 평가장치들 중 어느 하나로 샘플가스를 공급하는 반도체 공정용 가스 평가장치에 결합되는 샘플가스 분배 장치 및 구동 방법에 관한 것이다.
본 발명은, 소정 공급원으로부터 샘플가스가 유입되고, 상기 샘플가스를 소정 압력으로 충전시킨 후 배출하는 제 1 경로, 상기 제 1 경로의 배출부분에 상기 제 1 경로에 충전된 샘플가스를 특정 목적의 분석을 위한 평가장치로 배출하도록 연결되는 제 2 경로 및 상기 제 1 경로의 유입부분에 상기 제 1 경로와 제 2 경로의 잔류가스 및 이물질을 클리닝하기 위한 클리닝 가스를 공급하도록 연결되는 제 3 경로를 구비하여 이루어진다.
따라서, 반도체 공정에 이용되는 가스가 범용의 분배 장치를 이용하여 모든 평가장치의 특성에 맞춰서 공급될 수 있어서 평가능력이 극대화되는 효과가 있다.

Description

반도체 공정용 가스 평가장치에 결합되는 샘플가스 분배 장치 및 구동 방법
본 발명은 반도체 공정용 가스 평가장치에 결합되는 샘플가스 분배 장치 및 구동 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 공정용 가스를 샘플가스로 하여 평가장치들로 공급함에 있어서 하나의 분배 장치를 이용하여 서로 다른 공급 특성을 요구하는 평가장치들 중 어느 하나로 샘플가스를 공급하는 반도체 공정용 가스 평가장치에 결합되는 샘플가스 분배 장치 및 구동 방법에 관한 것이다.
통상적으로, 반도체장치는 확산, 산화, 사진식각 또는 이온주입 등과 같은 공정을 순서적 또는 반복적으로 거쳐서 제조되며, 전술한 공정을 수행하기 위해서는 공정별로 증착, 식각 또는 퍼지 등의 용도로 구분되어서 소정 가스가 공급되어야 한다.
반도체장치는 공정별 조건설정상태 등에 의해서 수율이 좌우되지만 가스의 농도나 불순물 포함상태에 의해서도 치명적인 영향을 받는다. 그러므로, 반도체 공정에 이용되는 가스에 대해서 불순물 평가가 수행되고 있으며, 그 평가된 결과를 참조하여 공정관리가 이루어진다.
반도체 공정에 이용되는 가스는 가스 크로마토그래피 디스차지 이오닉 디텍터(Gas Chromatography Discharge Ionic Detector : 이하 'GC-DID'라 함), 가스 크로마토그래피 써멀 컨덕티비티 디텍터(Gas Chromatography Thermal Conductivity Detector : 이하 'GC-TCD'라 함), 가스 크로마토그래피 플레이머블 이오닉 디텍터(Gas Chromatography Flammable Ionic Detector : 이하 'GC-FID'라 함), 상압이온질량분석기(Atmospheric Pressure Ionization Mass Spectrometer : 이하 'API-MS'라 함), 전자이온질량분석기(Electronic Ionization Mass Spectrometer : 이하 'EI-MS'라 함) 또는 습기분석기 등을 이용하여 평가가 이루어지고 있다.
전술한 각 평가장치를 이용하여 특정 샘플가스의 불순물을 평가하기 위해서는 각 평가장치별로 공급장치를 세팅하고, 샘플가스의 공급특성을 평가장치별로 다르게 설정하여야 한다.
그러나, 종래의 평가장치는 평가하기 위한 샘플가스의 특성별로 시스템을 구성하여야 했기 때문에 가스평가를 위한 시스템은 평가특성을 고려하여 밸브의 커팅(Cutting), 벤딩(Vending) 및 웰딩(Welding)과 같은 과정을 거쳐서 세팅되었다. 그러므로 시스템 구성을 위하여 소요되는 시간이 많이 요구되어 작업성이 저하되었고, 시스템 특성 변형을 위한 시간이 많이 소요되어서 분석능력이 저하되는 문제점이 있었다.
또한, 종래의 평가장치에 샘플가스를 공급하기 위한 분배장치는 평가장치별로 범용으로 적용되기 어려워서 활용성이 극히 제한되는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은, 반도체 공정에 이용되는 가스의 평가를 위한 시스템 세팅이 용이하고 분석능력을 향상시키기 위한 반도체 공정용 가스 평가장치에 결합되는 샘플가스 분배 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 하나의 분배장치를 통하여 여러 평가장치에 각종 샘플가스를 공급할 수 있는 범용의 반도체 공정용 가스 평가장치에 결합되는 샘플가스 분배 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 또다른 목적은, 하나의 분배장치를 통하여 평가장치로 원활히 샘플가스를 공급하고 최소한 하나 이상의 평가장치에 적용될 수 있도록 샘플가스를 공급하기 위한 반도체 공정용 가스 평가장치에 결합되는 샘플가스 분배 장치의 구동 방법을 제공하는 데 있다.
도1은 본 발명에 따른 반도체 공정용 가스 평가장치에 결합되는 샘플가스 분배 장치의 실시예를 나타내는 블록도이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10, 14∼28, 32∼36 : 밸브 12 : 압력 레귤레이터
30, 38 : 체크 밸브 40 : 진공펌프
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 공정용 가스 평가장치에 결합되는 샘플가스 분배 장치는, 소정 공급원으로부터 샘플가스가 유입되고, 상기 샘플가스를 소정 압력으로 충전시킨 후 배출하는 제 1 경로, 상기 제 1 경로의 배출부분에 상기 제 1 경로에 충전된 샘플가스를 특정 목적의 분석을 위한 평가장치로 배출하도록 연결되는 제 2 경로 및 상기 제 1 경로의 유입부분에 상기 제 1 경로와 제 2 경로의 잔류가스 및 이물질을 클리닝하기 위한 클리닝 가스를 공급하도록 연결되는 제 3 경로를 구비하여 상기 공급원과 상기 평가장치 사이에 설치된다.
그리고, 여기에 상기 제 1 경로의 유출부분에 연결되는 제 4 경로 및 상기 제 4 경로를 통하여 상기 제 1 경로 내의 잔류가스 및 이물질을 펌핑해내는 진공펌프가 더 구비됨이 바람직하다.
그리고, 상기 제 4 경로는, 상기 진공펌프의 동작여부에 따라 개폐되는 제 1 밸브 및 제 1 체크밸브가 순서대로 배관상에 설치되어 구성될 수 있으며, 상기 진공펌프는 상기 제 3 경로 내의 잔류가스 및 이물질을 펌핑하도록 추가적으로 연결될 수 있다.
그리고, 상기 제 1 경로 및 제 2 경로의 잔류가스 및 이물질을 클리닝 하기 위하여 상기 제 3 경로에서 제공되는 클리닝가스보다 고압으로 상기 제 1 경로의 유입부분에 클리닝가스를 공급하도록 제 5 경로가 더 연결될 수 있다.
또한, 제 1 경로는 제 2 밸브, 압력 레귤레이터 및 제 3 밸브가 배관 상에 순서대로 설치되고, 상기 제 2 밸브를 통하여 샘플가스가 유입되어 상기 압력 레귤레이터(Regulator) 전단까지의 상기 배관에 충전되며, 상기 압력 레귤레이터에서 정하는 압력에 따라 상기 제 3 밸브를 통하여 상기 샘플가스가 배출되도록 구성됨이 바람직하다.
그리고, 상기 제 2 경로는, 상기 제 1 경로로부터 배출되는 샘플가스의 충격을 완화시키는 제 4 밸브 및 상기 제 4 밸브에서 완충되어 공급된 샘플가스를 상기 평가장치로 공급하기 위하여 온-오프되는 제 5 밸브로 구성되는 배관이 최소한 하나 이상 상기 제 1 경로에 대하여 병렬로 구성됨이 바람직하다.
그리고, 상기 제 3 경로는 상기 클리닝가스가 유입되는 압력을 완충하는 제 6 밸브, 상기 완충되어 유입되는 상기 클리닝가스를 온-오프로 통과시키는 제 7 밸브, 제 2 체크밸브, 제 8 밸브 및 제 9 밸브가 순서대로 배관상에 설치되어 개폐됨으로써 상기 클리닝가스를 상기 제 1 경로로 공급하도록 구성됨이 바람직하다.
본 발명에 따른 반도체 공정용 가스 평가장치에 결합되는 샘플가스 분배 장치의 구동 방법은, 샘플가스를 충전하는 제 1 경로에 충전된 샘플가스를 평가장치로 공급하는 제 2 경로가 연결되고, 상기 제 1 경로의 샘플가스 초입부분에 제 1 압력과 상기 제 1 압력보다 높은 제 2 압력을 갖는 각각의 클리닝가스를 상기 제 1 경로의 초입부분에 공급하도록 제 3 및 제 4 경로가 구성되는 반도체 공정용 가스 평가 장치에 결합되는 샘플가스 분배 장치의 구동 방법에 있어서; 상기 제 1 압력을 갖는 클리닝가스를 제 1 경로와 제 2 경로로 흘려서 클리닝을 수행하는 제 1 단계, 상기 제 1 경로로의 가스유입이 차단된 상태에서 상기 샘플가스를 공급하기 위한 어셈블리를 연결하는 제 2 단계, 상기 제 1 경로 내부의 클리닝가스를 배출시키는 제 3 단계, 상기 제 1 경로의 상기 제 2 경로와 연통됨이 차단된 상태에서 상기 어셈블리를 통하여 상기 클리닝가스가 배출된 상기 제 1 경로에 상기 샘플가스를 충전시키는 제 4 단계 및 상기 제 4 단계에서 충전된 샘플가스를 상기 샘플가스의 유입이 차단된 상태에서 소정 압력으로 상기 제 2 경로를 통하여 상기 평가장치로 공급하는 제 5 단계를 구비하여 이루어진다.
그리고, 상기 제 2 단계의 어셈블리가 설치되기 전 상기 제 1 단계의 초입부분과 상기 어셈블리가 설치되는 경로로 상기 제 2 압력을 갖는 클리닝가스를 공급하여 불순물을 제거하는 제 6 단계를 더 구비함이 바람직하다. 또한, 상기 제 2 단계 수행 후 상기 제 2 압력을 갖는 클리닝가스를 상기 어셈블리 쪽으로 공급하여 리크의 유무를 검사하는 제 7 단계를 더 구비할 수 있다.
그리고, 상기 제 5 단계 수행 후 상기 제 2 경로의 상기 평가장치 결합단부 및 상기 제 1 경로의 유입부분이 차단된 상태에서 진공펌프를 이용하여 경로 내부의 잔류가스를 펌핑하여 제거하는 제 8 단계 및 상기 제 1 경로와 상기 제 2 경로로 상기 제 2 압력을 갖는 클리닝가스를 공급하여 미세한 잔류물을 제거시키는 제 9 단계를 더 구비함이 바람직하다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도1을 참조하면, 본 발명에 따른 실시예는 밸브(10)와 압력 레귤레이터(Regulator)(12) 및 밸브(14)가 순서대로 설치된 배관으로 형성된 경로로 샘플가스가 공급되도록 구성되어 있다.
그리고, 밸브(14)의 유출부에 샘플가스를 평가장치1(도시되지 않음)로 공급하는 경로와 평가장치2(도시되지 않음)로 공급하는 경로가 형성되어 있다. 평가장치1로 샘플가스를 공급하는 경로를 형성하는 배관에는 밸브(16)와 밸브(18)가 순서대로 설치되어 있으며, 평가장치2로 샘플가스를 공급하는 경로를 형성하는 배관에는 밸브(20)와 밸브(22)가 순서대로 설치되어 있다.
여기에서 밸브(16)와 밸브(20)는 밸브(14)가 개방되어서 샘플가스가 소정압을 가지고 순간적으로 온-오프 밸브인 밸브(18)과 밸브(22)에 직접적인 충격을 주는 것을 방지하기 위하여 완충용으로 구성된 것이다.
한편, 실시예는 샘플가스가 밸브(10)로 초입되는 부분에 분기연결된 배관에 설치된 밸브(24)를 통하여 고압 헬륨가스가 유입되도록 경로가 구성되어 있으며, 또한 밸브(10)의 샘플가스 초입 부분에 밸브(26), 밸브(30), 체크밸브(32), 밸브(32) 및 밸브(34)가 순서대로 설치된 배관이 연결되어 저압 헬륨가스가 유입되도록 경로가 구성되어 있다. 결국 샘플가스의 유입경로, 저압헬륨의 유입경로 및 고압 헬륨의 유입경로가 교합되어서 밸브(10)에 연결된다.
또한편, 밸브(14)를 통하여 샘플가스가 배출되는 부분에 밸브(36)와 체크밸브(38)가 순서대로 설치된 배관이 진공펌프(40)에 연결되도록 구성되어 있으며, 진공펌프(40)의 펌핑유입부분은 체크밸브(30)의 유출부분과 배관으로 연결되어 있다.
그리고, 도1에서 밸브(14), 밸브(18), 밸브(22) 및 밸브(28)는 온-오프 밸브이고, 나머지 구성되는 밸브는 벨로우즈 밸브로 구성될 수 있다.
전술한 바와 같이 구성된 본 발명에 따른 실시예는 평가장치1과 평가장치2과 같이 한정된 수의 평가장치에 적용되지 않고, 제작자의 의도에 따라 더 많은 수의 평가장치를 설치하여 샘플가스를 평가할 수 있다.
평가장치로는 GC-DID, GC-TCD, GC-FID, API-MS, EI-MS 또는 습기분석기와 같은 것들이 구성될 수 있다.
그리고, 추가되는 평가장치를 이용한 평가는 밸브(14)의 유출부분에 평가장치1과 평가장치2로 샘플가스를 공급하기 위한 경로와 같은 경로를 기설치된 경로와 병렬로 더 구성함으로써 이루어질 수 있다.
또한, 실시예에서 각 경로를 이루는 배관은 내벽이 전기적 연마(Electric Polishing)된 것으로 구성되어서 폭발성 가스나 부석성 가스에 대하여 강성을 갖도록 구성되어야 한다.
실시예에 의한 샘플가스의 평가장치로의 공급에 대하여 설명한다.
샘플가스 평가 이전에 실시예에는 밸브(24)만 닫혀있고 나머지 전 밸브들은 개방된 상태에서 저압 헬륨이 유입된다. 저압 헬륨은 평가장치2로 가스 평가를 수행하려면 밸브(26), 밸브(28), 체크밸브(30), 밸브(32), 밸브(34), 밸브(10), 압력 레귤레이터(12), 밸브(14), 밸브(20) 및 밸브(22)가 설치된 경로와 밸브(14)에 연결된 밸브(36), 체크밸브(38) 및 진공펌프(40)의 경로를 통하여 흐르면서 전 배관 내부가 청정한 상태가 유지될 수 있도록 클리닝한다. 평가장치1로 가스평가를 수행하려면, 밸브(20)와 밸브(22)의 경로 대신에 밸브(16)와 밸브(18)가 설치된 경로로 저압 헬륨이 유입됨으로써 클리닝이 수행될 수 있다.
전술한 배관 내부를 클리닝하기 위한 저압 헬륨 가스를 이용한 퍼지는 샘플가스를 공급하기 위한 어셈블리(Assembly)(도시되지 않음)가 세팅될 때까지 계속된다.
평가하고자 하는 샘플가스를 공급하기 위한 어셈블리가 밸브(10)의 샘플가스 유입부분에 부착되기 전, 밸브(10)와 밸브(34)가 닫힌 상태에서 밸브(24)가 열리고, 고압 헬륨 가스가 유입되어서 상기 어셈블리가 결합될 부분으로 배출된다. 이는 밸브(10)와 밸브(34)의 사이 배관 그리고 상기 어셈블리가 결합되는 부분까지의 배관에 잔류된 불순물을 강제제거하기 위한 것이다.
그리고, 샘플가스를 공급하는 어셈블리가 밸브(10)의 샘플가스 유입부분에 결합되고, 어셈블리가 결합된 상태에서 밸브(24)를 통하여 유입되는 고압 헬륨가스로 리크(Leak)가 검사된다.
리크의 검사는 공정의 안전성을 보장하기 위해서 필수적으로 수행되어야 하며, 리크 검사에 의해서 독성이나 폭발성을 갖는 가스가 누설되어서 발생될 수 있는 화재나 폭발 같은 사고가 미연에 방지될 수 있다.
리크 검사가 종료된 후 밸브(24)가 닫히고, 샘플이 유입되는 밸브(10)부터 평가를 수행하기 위한 특정 평가장치 사이의 경로에 잔류된 헬륨가스가 배출된다. 이 때 밸브(10)는 닫혀있는 상태이고, 밸브(10)와 특정 평가장치 사이에 잔류된 헬륨가스는 펌핑에 의하여 배출되며, 배출되는 상태는 압력 레귤레이터(12)를 통하여 확인될 수 있다. 통상적으로, 압력 레귤레이터(12)에는 압력 게이지가 설치되어 있으므로, 현재 압력의 확인이 가능하다.
그런 후, 밸브(10)가 열려서 샘플가스가 압력 레귤레이터(12) 전단까지 유입된다. 샘플가스는 평가장치의 특성 별로 소정 압력으로 유입되어 밸브(10)와 압력 레귤레이터(12) 사이에 충전되며, 구체적인 예로써 습기분석기의 경우 최고 20분간 분석을 위하여 샘플가스가 공급되어야 하므로 공급될 유량을 환산하여 압력 레귤레이터(12)에서 체크할 압력이 설정됨이 바람직하다. 그리고, 소정 압력 수준으로 샘플가스가 충전완료되면, 밸브(10)가 닫힌다.
그리고, 밸브(10)가 닫힌 상태에서 압력 레귤레이터(12)의 공급 압력 조절에 따라서 특정 평가장치로 샘플가스가 공급된다. 만약 평가장치2로 샘플가스를 공급하기 위해서는 밸브(16)와 밸브(18)가 닫히고 밸브(20)와 밸브(22)가 열린 상태이며, 전술한 상태에서 밸브(14)가 열리면서 압력 레귤레이터(12)에 설정된 압력에 따라 밸브(20)와 밸브(22)가 설치된 경로를 따라 평가장치2로 샘플가스가 공급된다.
샘플가스가 평가장치2로 공급됨에 따라 평가장치2에서는 샘플가스에 대한 불순물 평가가 수행된다.
공급되는 불순물에 대한 평가가 평가장치2에서 완료된 후 밸브(32), 밸브(28) 및 밸브(26)가 닫히고, 밸브(20)와 밸브(22)가 닫힌다. 그리고, 진공펌프(40)를 이용하여 밸브가 열려있는 경로에 잔류된 가스가 퍼지된다. 결국 퍼지는 밸브(10), 밸브(28), 밸브(30), 밸브(16) 및 밸브(20)가 닫힌 상태에서 수행되며, 이들 사이의 배관의 잔류가스가 진공펌프(40)로 펌핑된다.
소정 시간 펌핑 후 진공펌프(40)가 정지되고 밸브(36)가 닫히며, 그 후 고압 헬륨을 밸브(24)를 통하여 유입시켜서 개방된 경로 내부의 미세 잔류물을 배출시킨다. 즉, 밸브(24), 밸브(10), 압력 레귤레이터(12) 및 밸브(14), 밸브(20) 및 밸브(22)가 설치된 경로 중의 진공펌프(40)를 이용한 퍼지에서 제거되지 않은 미세한 잔류물이 고압의 헬륨에 의하여 강제 배출된다.
그리고, 밸브(24)와 밸브(20)를 서서히 닫으면서 잔류가스가 외부로 배출될 수 있도록 한다. 잔류 가스가 완전히 배출된 후 밸브(10)를 닫고 밸브(24)가 열린 상태에서 샘플을 공급하는 어셈블리를 탈착하고, 상기 어셈블리가 결합되었던 배관단부는 통상의 캡(Cap)으로 밀봉한다.
그리고, 배관단부를 캠으로 밀봉한 후 전술한 저압 헬륨 공급이 재개되며, 다음 샘플가스에 대한 평가가 이루어지기 전까지 배관 내가 저압 헬륨가스의 흐름으로 클리닝된다.
본 발명에 따른 실시예에 GC-DID, GC-FID, GC-TCD, API-MS, EI-MS 또는 습기분석기 등 다양한 평가장치가 연결되어서 최소한 하나 이상으로 연결된 상태에서, 평가를 원하는 샘플가스는 실시예를 통하여 특정 평가장치로 공급되어 평가가 수행될 수 있으며, 분석장치에 대한 특성은 새로운 시스템의 세팅필요없이 공급시간과 밸브의 개폐시간 조절로 맞춰질 수 있어서 평가를 위한 준비작업 시간이 최소로 줄어든다.
그리고, 하나의 분배장치가 범용으로 모든 평가장치에 적용될 수 있어서 활용성이 향상되며, 실시예에 의하여 평가능력이 배가됨으로써 질적인 면에서 안정적인 가스가 반도체 공정에 충분히 공급될 수 있다.
그리고, 실시예는 입고된 가스를 모니터링하기 위한 랜덤 모니터링 시스템(Random Monitoring System)에 적용될 수 있다.
따라서, 본 발명에 의하면 반도체 공정에 이용되는 가스가 범용의 분배 장치를 이용하여 모든 평가장치의 특성에 맞춰서 공급될 수 있어서 평가능력이 극대화되는 효과가 있다.
그리고, 평가시스템을 구성함에 있어서 모든 종류의 가스 평가에 대하여 샘플가스의 공급이 손쉽게 이루어지므로 시스템의 활용도가 향상되는 효과가 있다.
그리고, 실시예를 이용함으로써 공급량이 안정적으로 확보되어 반도체 생산성이 향상되는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (12)

  1. 소정 공급원으로부터 샘플가스가 유입되고, 상기 샘플가스를 소정 압력으로 충전시킨 후 배출하는 제 1 경로;
    상기 제 1 경로의 배출부분에 상기 제 1 경로에 충전된 샘플가스를 특정 목적의 분석을 위한 평가장치로 배출하도록 연결되는 제 2 경로; 및
    상기 제 1 경로의 유입부분에 상기 제 1 경로와 제 2 경로의 잔류가스 및 이물질을 클리닝하기 위한 클리닝 가스를 공급하도록 연결되는 제 3 경로;
    를 구비하여 이루어지는 반도체 공정용 가스 평가장치에 결합되는 샘플가스 분배 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 경로의 유출부분에 연결되는 제 4 경로; 및
    상기 제 4 경로를 통하여 상기 제 1 경로 내의 잔류가스 및 이물질을 펌핑해내는 진공펌프;
    를 더 구비함을 특징으로 하는 상기 반도체 공정용 가스 평가장치에 결합되는 샘플가스 분배 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제 4 경로는;
    상기 진공펌프의 동작여부에 따라 개폐되는 제 1 밸브 및 제 1 체크밸브가 순서대로 배관상에 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도체 공정용 가스 평가장치에 결합되는 샘플가스 분배 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 진공펌프는 상기 제 3 경로 내의 잔류가스 및 이물질을 펌핑하도록 추가적으로 연결됨을 특징으로 하는 상기 반도체 공정용 가스 평가 장치에 결합되는 샘플가스 분배 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 경로 및 제 2 경로의 잔류가스 및 이물질을 클리닝 하기 위하여 상기 제 3 경로에서 제공되는 클리닝가스보다 고압으로 상기 제 1 경로의 유입부분에 클리닝가스를 공급하도록 제 5 경로가 더 연결됨을 특징으로 하는 상기 반도체 공정용 가스 평가장치에 결합되는 샘플가스 분배 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    제 2 밸브, 압력 레귤레이터(Regulator) 및 제 3 밸브가 배관 상에 순서대로 설치되고, 상기 제 2 밸브를 통하여 샘플가스가 유입되어 상기 압력 레귤레이터(Regulator) 전단까지의 상기 배관에 충전되며, 상기 압력 레귤레이터에서 정하는 압력에 따라 상기 제 3 밸브를 통하여 상기 샘플가스가 배출되도록 구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체 공정용 가스 평가장치에 결합되는 샘플가스 분배 장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 경로는;
    상기 제 1 경로로부터 배출되는 샘플가스의 충격을 완화시키는 제 4 밸브 및 상기 제 4 밸브에서 완충되어 공급된 샘플가스를 상기 평가장치로 공급하기 위하여 온-오프되는 제 5 밸브로 구성되는 배관이 최소한 하나 이상 상기 제 1 경로에 대하여 병렬로 구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체 공정용 가스 평가장치에 결합되는 샘플가스 분배 장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 제 3 경로는;
    상기 클리닝가스가 유입되는 압력을 완충하는 제 6 밸브, 상기 완충되어 유입되는 상기 클리닝가스를 온-오프로 통과시키는 제 7 밸브, 제 2 체크밸브, 제 8 밸브 및 제 9 밸브가 순서대로 배관상에 설치되어 개폐됨으로써 상기 클리닝가스를 상기 제 1 경로로 공급하도록 구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체 공정용 가스 평가장치에 결합되는 샘플가스 분배장치.
  9. 샘플가스를 충전하는 제 1 경로에 충전된 샘플가스를 평가장치로 공급하는 제 2 경로가 연결되고, 상기 제 1 경로의 샘플가스 초입부분에 제 1 압력과 상기 제 1 압력보다 높은 제 2 압력을 갖는 각각의 클리닝가스를 상기 제 1 경로의 초입부분에 공급하도록 제 3 및 제 4 경로가 구성되는 반도체 공정용 가스 평가 장치에 결합되는 샘플가스 분배 장치의 구동 방법에 있어서;
    상기 제 1 압력을 갖는 클리닝가스를 제 1 경로와 제 2 경로로 흘려서 클리닝을 수행하는 제 1 단계;
    상기 제 1 경로로의 가스유입이 차단된 상태에서 상기 샘플가스를 공급하기 위한 어셈블리를 연결하는 제 2 단계;
    상기 제 1 경로 내부의 클리닝가스를 배출시키는 제 3 단계;
    상기 제 1 경로의 상기 제 2 경로와 연통됨이 차단된 상태에서 상기 어셈블리를 통하여 상기 클리닝가스가 배출된 상기 제 1 경로에 상기 샘플가스를 충전시키는 제 4 단계; 및
    상기 제 4 단계에서 충전된 샘플가스를 상기 샘플가스의 유입이 차단된 상태에서 소정 압력으로 상기 제 2 경로를 통하여 상기 평가장치로 공급하는 제 5 단계;
    를 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 공정용 가스 평가장치에 결합되는 샘플가스 분배 장치의 구동 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 단계의 어셈블리가 설치되기 전 상기 제 1 단계의 초입부분과 상기 어셈블리가 설치되는 경로로 상기 제 2 압력을 갖는 클리닝가스를 공급하여 불순물을 제거하는 제 6 단계를 더 구비함을 특징으로 하는 상기 반도체 공정용 가스 평가장치에 결합되는 샘플가스 분배 장치의 구동 방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 단계 수행 후 상기 제 2 압력을 갖는 클리닝가스를 상기 어셈블리 쪽으로 공급하여 리크의 유무를 검사하는 제 7 단계를 더 구비함을 특징으로 하는 상기 반도체 공정용 가스 평가장치에 결합되는 샘플가스 분배 장치의 구동 방법.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 5 단계 수행 후 상기 제 2 경로의 상기 평가장치 결합단부 및 상기 제 1 경로의 유입부분이 차단된 상태에서 진공펌프를 이용하여 경로 내부의 잔류가스를 펌핑하여 제거하는 제 8 단계; 및
    상기 제 1 경로와 상기 제 2 경로로 상기 제 2 압력을 갖는 클리닝가스를 공급하여 미세한 잔류물을 제거시키는 제 9 단계;
    를 더 구비함을 특징으로 하는 상기 반도체 공정용 가스 평가장치에 결합되는 샘플가스 분배 장치의 구동 방법.
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