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KR100284559B1 - 처리방법 및 처리장치 - Google Patents

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KR100284559B1
KR100284559B1 KR1019950007866A KR19950007866A KR100284559B1 KR 100284559 B1 KR100284559 B1 KR 100284559B1 KR 1019950007866 A KR1019950007866 A KR 1019950007866A KR 19950007866 A KR19950007866 A KR 19950007866A KR 100284559 B1 KR100284559 B1 KR 100284559B1
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resist
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다케노부 마쓰오
가즈키 덴폭
기요히사 다테야마
기미오 모토다
다쓰야 이와사키
에이지 야마구치
Original Assignee
다카시마 히로시
도오교오 에레구토론 큐우슈우 가부시키가이샤
히가시 데쓰로
동경 엘렉트론 주식회사
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Priority claimed from JP06174797A external-priority patent/JP3114084B2/ja
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Abstract

직사각형기판의 레지스트처리방법은, 기판을 스핀 회전시키면서 기판에 레지스트액을 공급하고, 기판의 적어도 한쪽면에 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포공정과, 레지스트를 용해할 수 있는 제거액을 기판양면의 둘레영역에 분사하고, 기판양면의 둘레영역으로 부터 레지스트막을 제거하는 레지스트 제거공정을 가진다.

Description

처리방법 및 처리장치
제1도는 도포현상 시스템의 전체개요사시도.
제2도는 처리유니트를 꺼내었을 때의 도포현상 시스템으로 나타낸 전체개요사시도.
제3도는 처리장치의 개요를 나타낸 평면도.
제4도는 본 발명의 제 1 실시예에 관계된 처리장치를 나타낸 종단면도.
제5도는 제 1 실시예의 처리장치의 일부를 나타낸 부분확대 종단면도.
제6도는 제 1 실시예의 처리장치의 일부를 나타낸 부분확대 종단면도.
제7도는 처리장치의 둘레부 제거기구를 나타낸 내부투시도.
제8도는 제거노즐의 일부를 절결하여 내부를 나타낸 부분단면도.
제9도는 제거노즐의 배치를 나타낸 개략사시도.
제10도는 보조 세정노즐의 배치 레이아웃 및 가스 공급회로를 나타낸 구성블록도.
제11도는 변형예의 보조 세정노즐을 나타낸 평면레이아웃도.
제12도는 변형예의 보조 세정노즐을 나타낸 평면레이아웃도.
제13도는 보조 세정노즐의 다른 형태의 일부를 단면으로 나타낸 측면도 및 세정의 구체예의 설명도.
제14도는 기판 및 제거노즐을 나타낸 평면도.
제15도는 변형예의 보조 세정노즐을 나타낸 사시도.
제16도는 기판의 반송기구를 나타낸 구성블록도.
제17(a)도∼제17(e)도는 처리방법의 순서를 설명하기 위하여 각각 처리장치를 나타낸 평면도.
제18도는 메인아암의 구동기구를 나타낸 투시측면도.
제19도는 메인아암의 요부를 나타낸 사시도.
제20도는 도포현상 시스템에서의 세정장치의 개요을 나타낸 내부투시도.
제21도는 세정장치를 나타낸 평면도.
제22도는 도포현상 시스템에 있어서의 프로세스부를 나타낸 내부사시도.
제23도는 변형예의 둘레부 제거기구를 나타낸 개략평면도.
제24도는 변형예의 제거노즐의 일부를 절결하여 나타낸 단면도.
제25도는 본 발명의 제 2 실시예에 관계되는 처리장치를 나타낸 종단면도.
제26도는 처리장치의 요부를 나타낸 평면도.
제27도는 변형예의 처리장치를 나타낸 부분단면도.
제28도는 바깥공기 도입통로를 나타낸 종단면도.
제29(a)도∼제29(c)도는 처리방법의 순서를 설명하기 위하여 각각 처리장치를 나타낸 평면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 레지스트 도포기구 1a : 노즐
2 : 레지스트 처리기구 3 : 반송기구
10 : 스핀척 12 : 회전컵
12b : 바닥부 12c : 바깥둘레벽
12d : 플랜지 12e : 바깥면(테이퍼면)
14 : 드레인컵 14a : 고리형상 통로
14b : 칸막이벽(외측벽) 14c : 칸막이벽(내측벽)
14d : 바닥부 14e : 드레인구멍
14f : 드레인관 14g : 배액관
14h : 테이퍼면 16 : 뚜껑
18 : 팽창머리부 18a : 걸림홈
20 : 처리실 21 : 서보모우터
22 : 회전축 23 : 승강실린더
24 : 고정칼라 26a : 내통
26b : 외통 27 : 축받이
28a,28b : 종동풀리 29a,29b : 벨트
30 : 배큠시일부 33 : 라비린스 시일
34A : 급기구멍 34B : 방해판
35 : 배기구멍 36 : 배기구
37 : 배기통로 38a : 브라켓트
38b : 죠인트 40 : 로보트아암
41 : 걸림핀 42 : 세정노즐
43 : 브라켓트 44 : 세정액 공급관
50 : 얹어놓는 대 51 : 노즐
51a : 표면세정용 노즐 51b : 뒷면세정용 노즐
51c∼51f : 보조 세정노즐 52 : 구동장치
53 : 분사머리 53a : 상부수평편
53b : 하부수평편 53c,53d : 용제공급로
53e : 수직부 53f : 배기구
54 : 배기관 55 : 위치조정기구
56 : 상하이동기구 57 : 좌우이동기구
58a,58b : 부착부재 59 : 에어실린더
59a : 실린더체 59b : 신축로드
60a : 외측 스토퍼 60b : 내측 스토퍼
61 : 지지부재 70 : 반송아암
71 : 가이드 레일 80 : 메인아암
80a : 메인아암기구 81a,81b : 아암체
81c : 유지손톱 82 : 외측 리니어 가이드
83 : 외측프레임 84 : 제 1 구동 모우터
85 : 외측 풀리 85a : 전달풀리
86 : 내측 리니어 가이드 87 : 내측 프레임
88 : 제 2 모우터 89a : 내측 풀리
90 : 로드/언로드부 91 : 제 1 처리부
92 : 제 2 처리부 93 : 중계부
93a : 지지핀 93b : 받아넘김대
93c : 케이싱체 93d : 캐스터
94 : 인터페이스부(받아넘김부) 95 : 노광장치
96 : 로드용 카세트 97 : 언로드용 카세트
98 : 카세트 스테이션 99 : 옮겨싣는 장치
102 : 중앙통로 105 : 어드히젼처리 유니트
106 : 냉각처리 유니트 107,108 : 도포/제거 유니트
109 : 가열처리 유니트 111 : 카세트
112 : 반송용 핀셋 120 : 블러시 세정장치
121 : 기판반송아암 122,123 : 세정블러시
124 : 기판유지기구 130 : 제트수 세정장치
131 : 배액구 132 : 용기
133 : 기판유지기구 134 : 디스크 스테이지
135 : 린스액 공급노즐 136 : 세정수 공급노즐
137 : 유지부재 140 : 커버
141 : 덕트 142 : 연통로
143 : 흡인팬 144 : 필터
145 : 배기통로 146 : 배기팬
151A∼151D : 제거노즐 151g : 끝단면 세정용 노즐
153 : 분사머리 154,155 : 가스분사노즐
156 : 배기관 157A,158A : 건조용 가스노즐
159 : 얹어놓는 대 210 : 도포노즐
220 : 스핀척 220a : 창구멍
220b : 프레임 220c : 지지피스
221a : 구동축 221b,221c : 구동톱니부착 풀리
221d,221e : 클러치 222 : 회전축
223 : 승강실린더 224 : 고정통체
225a,225b : 베어링 226a,226b : 종동톱니부착 풀리
227a : 톱니부착 228 : 배큠시일부
229 : 회동통체 230 : 회전컵
230b : 컵바닥부 231 : 처리실
232 : 상부개구 233 : 뚜껑
233a : 팽창머리부 233b : 걸림홈
234 : 축부 235 : 내부통로
236 : 배기구멍 237 : 배플판
240 : 드레인컵 242 : 배기구
243 : 고리형상 통로 243a : 외측벽
243b : 내측벽 243c : 드레인컵 하부
250 : 로봇아암 251 : 걸림핀
G : 기판
본 발명은, 각형상의 피처리기판에 도포액을 도포하는 처리방법 및 처리장치에 관한 것이다.
액정표시 디스플레이(LCD)장치의 제조공정에 있어서는 유리기판 상에 ITO(Indium Tin OxIde)의 박막이나 전극패턴 등을 형성하기 위하여, 반도체 디바이스의 제조공정에 있어서 이용되는 것과 현실적으로 같은 포트 리소그라피기술 및 현상이 이용되고 있다. 패턴전사후의 LCD기판에는 또한 세정, 어드히젼, 냉각, 레지스트도포, 베이킹, 노광, 현상, 린스세정 등의 일련의 처리가 행하여진다.
그런데, 레지스트의 막두께는 도포완료로부터 시간의 경과와 함께 기판 둘레영역이 기판중앙영역보다도 두꺼워져서, 전체적으로 불균일하게 된다. 특히, 대형 LCD기판에서는 레지스트막두께의 불균일이 현저하게 나타난다. LCD기판의 둘레부에 두꺼운 레지스트막의 일부가 남아 있기 쉽다. 또한, 레지스트액이 기판의 뒷면측으로 돌아들어가고, 뒷면둘레부에 부착한 레지스트는 제거되지 않고 잔존한다. 이들 잔존레지스트는 반송중에 벗겨져서 LCD기판을 이탈하여, 파티클이 된다. 이와 같은 파티클은 기판을 오염시킨다.
레지스트에 기인하는 파티클의 발생을 방지하기 위하여, 레지스트 도포후에, 기판둘레부의 레지스트막을 제거하고 있다. 이 도포막 제거공정에 있어서는 노즐로부터 기판둘레부를 향하여 용제 등을 뿜어 부착시킨다.
그러나, 기판둘레부로부터 도포막을 제거하는데는 기판의 각변마다 노즐등을 상대이동시켜야 하기 때문에, 많은 시각과 노력을 요한다.
또한, 기판을 고속스핀회전시켜서 잉여의 도포액을 원심분리제거할 때에, 기판을 일단 이탈한 레지스트액이 다시 기판에 부착하는 경우가 있다. 레지스트액의 재부착은, LCD기판의 형상이 직사각형인 것에 기인하여, 기판의 코너부에 발생한다. 이와 같은 재부착 레지스트는 파티클발생의 원인이 된다.
또한, 도포막 제거기구를 도포/현상처리 시스템 안에 조릴하면, 도포/현상처리시스템이 대형화할 뿐만 아니라, 수율의 저하를 초래한다.
그런데, 종래의 스핀코팅법이나 스프레이법에서는 레지스트 막두께를 제어하기 위하여, 처리용기의 배기량의 조정, 처리용기의 회전력 조정 또는 레지스트액의 공급량조정 등이 행하여진다.
그러나, LCD기판의 레지스트도포에 있어서는 회전시의 기판근방의 난류발생이나, 안전용매(용재)의 사용요구의 증가 등으로부터, 장치구동조건이나 사용용제의 차이에 의해서, 도포막두께의 균일성 콘트롤이 어려운 상태에 있다. 예를 들면, 용제의 증기압이 높은 것은 건조하기 쉽고, ECA계(에틸렌 글리콜 모노에틸 에텔 아세테이트)와 PGMEA계(프로필렌 글리콜 모노메틸 에텔 아세테이트)에서는 서로의 막두께분포는 다르다. 이 때문에, 막두께의 균일성 제어는 매우 어렵다.
또한, 도포처리중에 있어서는 처리용기내에 레지스트 잔류미스트가 발생하고, 이 레지스트 잔류미스트가 건조하면 파티클에 변화한다. 이 때문에, 레지스트 도포처리후는 처리용기를 크린룸에 개방하기 전에 용기내부를 가스치환할 필요가 있다.
본 발명의 목적은, 기판둘레부에 부착한 레지스트막을 용이하게 제거할 수 있고, 도포/현상처리의 수율을 향상시킬 수 있으며, 또한, 장치를 소형화할 수 있는 레지스트 처리방법 및 처리장치를 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 한가지 목적은, 레지스트 막두께의 제어를 할 수 있음과 동시에, 처리용기내의 분위기를 제어할 수 있는 레지스트 처리방법 및 처리장치를 제공하는 데 있다.
본 발명은 직사각형의 LCD용 기판에 레지스트를 도포하고, 도포한 레지스트의 일부를 제거하는 레지스트 처리방법에 있어서, 기판을 스핀회전시키면서 기판에 레지스트액을 공급하고, 기판의 적어도 한쪽면에 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포공정과, 상기 레지스트 도포공정을 실행한 곳으로부터 떨어진 장소에 기판을 반송하는 반송공정과, 적어도 기판의 둘레부로부터 바깥방향을 향하는 기류가 발생하도록 기판의 둘레부의 근방영역을 배기하면서 레지스트를 용해할 수 있는 제거액을 기판양면의 둘레부에 분사하고, 기판양면의 둘레부로부터 레지스트막을 제거하는 레지스트 제거공정을 가지는 것을 특징으로 한다.
또한, 레지스트 제거공정에서는 기판의 4변에 제거액을 동시 진행적으로 뿜어 부착하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 기판양면의 둘레영역으로부터 레지스트막을 한 가지 공정에서 제거할 수 있고, 수율이 향상한다. 또한, 기판의 2변에 제거액을 뿜어 부착한 후에, 다른 2변에 제거액을 뿜어 부착하도록 하여도 좋다. 레지스트 제거폭은 기판의 바깥둘레 끝단면으로부터 5∼10mm로 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 직사각형 기판의 레지스트 처리장치는 기판을 스핀 회전시켜서 기판에 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포수단과, 이 레지스트 도포수단으로부터 간격을 두고 설치되어, 도포된 레지스트를 기판에서 제거하는 레지스트 제거수단과, 상기 레지스트 도포수단과 레지스트 제거수단의 사이에서 기판을 반송하기 위한 반송수단을 구비하고, 상기 레지스트 제거수단은, 레지스트를 용해할 수 있는 제거액을 기판의 둘레부에 뿜어대는 노즐수단과, 이 노즐수단을 기판의 둘레부를 따라서 이동시키는 이동수단과, 기판의 둘레부로부터 기판의 외부로의 기류가 형성되도록 기판의 둘레부로 공기를 방출하기 위하여 상기 레지스트 제거수단과 연이어 통하는 배기수단을 포함하며, 상기 노즐수단으로부터 뿜어내진 제거액이 기판의 둘레부의 레지스트를 벗겨내고 상기 기류에 의하여 그 레지스트를 기판의 외부로 배출하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 직사각형의 LCD용 기판에 레지스트를 도포하는 레지스트 처리 방법에 있어서, 기판을 유지하여 회전시키는 스핀척과, 이 스핀척을 둘러싸는 회전가능한 회전컵과, 이 회전컵의 적어도 바깥둘레를 둘러싸는 드레인컵을 구비하며, 상기 스핀척으로 기판을 유지하고, 기판을 상기 스핀척에 의해 회전시킴과 동시에 상기 회전컵을 회전시켜 상기 회전컵내의 기판을 향하여 레지스트액을 공급하며, 상기 회전컵내를 배기함과 동시에 외기를 상기 회전컵내에 도입함으로써 레지스트 도포중인 기판의 주위에 기판의 둘레부로부터 기판의 바깥방향으로 향하는 기류를 발생시켜 이 기류에 의해 상기 회전컵내에 부유하는 레지스트를 상기 회전컵내로부터 드레인컵쪽으로 배출하고, 레지스트 도포 종료후에 상기 회전컵내의 분위기를 외기와 치환하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 직사각형 기판의 레지스트 처리장치는 기판을 유지 및 회전하기 위한 스핀척과; 스핀척상의 기판에 레지스트액을 공급하기 위한 공급수단과; 스핀척상의 기판을 수납하도록 회전가능하게 배치되며, 기판으로부터 레지스트액을 원심력에 의하여 제거되도록 방출하고 상부보다 하부에서의 외경이 더 크게 형성되는 방출구를 가지며, 이 방출구는 회전컵의 하부에 형성되는 회전컵과; 방출구를 통하여 회전컵으로부터 배출된 레지스트액을 수납하기 위하여 회전컵의 방출둘레를 둘러싸는 드레인컵과, 드레인컵을 방출하기 위하여 상기 드레인컵에 접속된 배기수단과, 회전컵내로 외기를 도입하기 위하여 회전컵의 상부에 마련되는 수단을 포함하여 구성되며, 기판의 중앙으로부터 바깥둘레로 향하여 레지스트 도포된 기판의 위쪽에서 흐르고 회전컵으로부터 드레인컵으로 회전컵내에서 흐르는 레지스트를 배출하는 기류를 형성하기 위하여 외기를 회전컵의 내부로 도입하면서 회전컵이 배기되는 것을 특징으로 한다.
또한, 바깥공기 도입수단의 유로는 통상의 파이프형상 외에 스파이어럴 홈형상 또는 나사홈형상으로 하여도 좋다.
이하, 첨부한 도면을 참조하면서 본 발명의 레지스트 처리장치를 LCD기판의 레지스트 처리시스템에 사용한 예에 대하여 설명한다.
제1도에 나타낸 바와 같이, 레지스트 처리시스템은 로드/언로드부(90), 제 1 처리부(91), 제 2 처리부(92), 중계부(93), 인터페이스부(94)를 구비하고 있다. 이 시스템은 인터페이스부(94)를 통해서 노광장치(95)(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 제2도에 나타낸 바와 같이, 중계부(93)의 케이싱체(93c)의 바닥면에는 캐스터(93d)가 설치되고, 필요에 따라서 제 1 처리부(91) 및 제 2 처리부(92)의 사이로부터 중계부(93)를 바깥으로 인출할 수 있게 되어 있다. 중계부(93)의 상부에는 받아넘김대(93b)가 설치되어 있다. 받아넘김대(93b)는 기판(G)을 지지하기 위한 여러개의 지지핀(93a)을 가지고 있다. 로드/언로드부(90)는 카세트 스테이션(98) 및 옮겨싣는 장치(99)를 구비하고 있다. 카세트 스테이션(98)에는 로드용 카세트(96) 및 언로드용 카세트(97)가 2개씩 얹어놓여 있다. 각 카세트(96,97)에는 여러 매의 LCD기판(G)이 수용되어 있다.
제 1 처리부(91) 및 제 2 처리부(92)는 모두 중앙통로를 가지며, 중앙통로의 양측에 다수의 처리유니트가 배열되어 있다. 제 1 처리부(91) 및 제 2 처리부(92)는 중계부(93)를 통해서 연결되어 있다. 받아넘김부(94)가 제 2 처리부(92)의 뒷부분에 연결되어 있다. 받아넘김부(94)는 기판(G)을 일시 대기시키기 위한 카세트(111)와, 이 카세트(111)와의 사이에서 기판(G)의 출입을 행하는 반송용 핀셋(112)과, 기판(G)의 받아넘김대(113)를 구비하고 있다.
제22도에 나타낸 바와 같이, 제 1 처리부(91) 및 제 2 처리부(92)는 커버(140)로 덮히고, 윗쪽으로부터 아래쪽을 향하여 청정화된 크린에어가 공급되게되어 있다. 커버(140)의 상부에는 덕트(141)가 설치되고, 이 덕트(141)과 처리부내를 연이어 통하는 연통로(142)내에 흡인팬(143)과 필터(144)가 배열 설치되고 청정화된 공기가 처리부내에 공급되게 되어 있다. 제 1 처리부(91) 쪽을 대표하여 설명하면, 중앙통로의 바닥부에는 배기통로(145)가 설치되어 있다. 이 배기통로(145)내에 배기팬(146)이 설치되어 있다. 크린에어는 중앙통로(102), 냉각처리유니트 (106), 어드히젼처리 유니트(105), 스크라빙 유니트(120,130) 및 레지스트 도포/제거 유니트(107,108)를 통과한 후에, 아래쪽의 바닥부를 통해서 배기되도록 되어 있다. 중앙통로(102)에는 메인아암기구(80a)가 X축, Y축, Z축,0 회전의 각 방향으로 이동이 가능하게 설치되어 있다.
한편, 제 2 처리부(92)의 중앙통로에도 마찬가지의 메인아암기구(80a)가 설치되어 있다. 중앙통로(102a)의 한 쪽측에는 기판(G)을 프리베이크 또는 포스트베이크하는 가열처리 유니트(109)가 배치되고, 통로(102a)의 다른 쪽측에는 현상유니트(110)가 배치되어 있다.
다음으로, 제3도를 참조하면서 레지스트 도포/제거 유니트(107)를 대표하여 설명한다.
레지스트 도포/제거 유니트(107)내에는 레지스트 도포기구(1), 반송기구(3),레지스트 제거기구(2)가 설치되어 있다 반송기구(3)의 가이드레일(71)은 레지스트도포기구(1)로부터 레지스트 제거기구(2)까지 설치되어 있다. 반송기구(3)는 1쌍의 아암(70)을 가지며, 가이드레일(71) 위를 주행하게 되어 있다.
레지스트 도포기구(1)는 노즐(la)을 구비하고, 노즐(1)로부터 LCD기판(G)의 표면에 레지스트액을 토출하게 되어 있다. 레지스트 도포기구(1)의 처리실(20)내에는 기판(G)을 흡착 유지함과 동시에 θ 회전시키는 스핀척(10)이 설치되어 있다.
레지스트 제거기구(2)는 1쌍의 노즐(51)과 회전이 가능한 스테이지(50)를 구비하고 있다. 1쌍의 노즐(51)의 통로는 제거액 공급원(도시하지 않음)에 연이어 통하여 있다. 제거액 공급원에는 신나와 같은 레지스트막을 용해할 수 있는 액이 저장되어 있다. 또한, 레지스트 도포/제거 유니트(107)내에는 분위기가 제어되게 되어 있다.
기판(G)의 블러시세정에 대하여 설명한다.
제21도에 나타낸 바와 같이, 기판반송아암(121)에 의해서 기판(G)을 표면세정 블러시(122)와 뒷면세정 블러시(123)와의 사이에 반송하고, 이들 블러시 (122,123)를 회전시키면서 린스액으로서 순수한 물을 분사시킨다. 그리고, 아암 구동모우터(도시하지 않음)를 서로 정회전 및 역회전시키고, 기판(G)을 전후로 이동시켜서 기판(G)의 세정을 행한다. 다음으로, 기판(G)을 제트수 세정장치(130)에 반송하여 기판유지기구(133)를 통해서 디스크 스테이지(134) 위에 기판(G)을 받아넘긴 후, 세정수 공급노즐(136)을 기판(G)의 윗쪽에 이동시키고, 고압 제트수류를 기판(G)에 분사하여 세정처리를 한다. 이 때, 기판(G)을 저속회전시키면서 세정처리를 한다. 다음으로, 세정수 공급노즐(135)을 후퇴시키고, 대신에 린스액 공급노즐 (135)을 기판(G) 위로 이동하고, 린스액 공급노즐(135)로부터 린스액 예를 들면 순수한 물을 분사하여 린스하면 좋다.
다음으로, 제4도 및 제5도를 참조하면서 레지스트 도포/제거 유니트(107)내의 레지스트 도포기구(1)에 대하여 설명한다.
레지스트 도포기구(1)의 스핀척(10)은 회전컵(12)에 의해서 둘러싸여 있다. 회전컵(12)은 윗부가 개구한 바닥있는 원통형상을 이루고 있다. 회전컵(12)에는 뚜껑(16)이 덮이고, 윗쪽개구가 폐쇄되게 되어 있다. 또한, 회전컵(12)의 바깥둘레부를 둘러싸도록 중공링형상의 드레인컵(14)이 설치되어 있다. 드레인컵(14)의 내부는 배기되도록 되어 있다.
스핀척(10)은 회전축(22)에 의해서 지지되고, 회전축(22)은 벨트기구 (28a,29a)를 통해서 모우터(21)의 구동축에 연결되어 있다. 회전축(22)은 중공으로 되어 있고, 이 중공통로는 진공펌프(도시하지 않음)에 연이어 통하여 있다. 한편, 회전축(22)의 중공통로는 스핀척(10)의 윗면에서 개구하고 있다. 이와 같은 스핀척(10)의 윗면에 LCD기판(G)을 얹어놓으면, 기판(G)은 이것에 진공흡착되도록 되어 있다 또한, 부호 30은 배큠시일부이다. 또한, 스핀척(10)의 전체는 승강실린더(23)에 의해서 승강이 가능하게 지지되어 있다.
회전축(22)은 스프라인 축받이(27)에 미끄러져 움직임이 가능하게 부착되어 있으므로, 회전축(22)을 실린더(23)로 승강시킬 수 있다. 스프라인 축받이(27)의 외통(26b)은 부재(31)를 통해서 회전컵(12)에 연결되어 있다. 또한, 이 외통(26b) 에는 풀리(28b)가 끼워 넣어지고, 풀리(28b)에는 벨트(29b)가 걸려 있다. 스프라인 축받이(27)에는 내통(26a)이 끼워져 있고, 내통(26a)에는 베어링(25a)을 통해서 고정칼라(24)가 회전이 가능하게 부착되어 있다. 또한, 외통(26b)과 고정칼라(24)과의 사이에는 베어링(25b)이 설치되어 있다. 이와 같은 기구에 의해서 회전컵(12)은 스핀척(10)과는 개별 독립적으로 회전구동된다.
한편, 회전컵의 바닥부(12b)는 연결통(31)을 통해서 외통(26b)의 상단부에 고정되어 있다. 회전컵의 바닥부(12b)와 스핀척(10)의 아래면과의 사이에는 시일기능을 가지는 베어링(32)이 설치되어 있다. 종동풀리(28b)와 구동풀리(21b)에 벨트(29b)가 놓여있고, 모우터(21)에 의해서 회전구동력이 회전컵(12)에 전달되게 되어 있다. 이 경우에, 종동풀리(28b)의 직경은 종동풀리(28a)의 직경과 같고, 공통의 모우터(21)에 벨트(29a,29b)가 놓여 있으므로, 회전컵(12)과 스핀척(10)과는 동기회전한다. 또한, 이 경우에, 한 쪽의 종동풀리(28a)를 다른 쪽의 종동풀리(28b)의 직경과 달리하여, 스핀척(10)과 회전컵(20)을 다른 회전수로 회전시키도록 하여도 좋다.
제6도에 나타낸 바와 같이, 고정칼라(24)와 내통(26a) 및 외통(26b)과의 대향면에는 라비린스 시일(33)이 형성되어 있다. 이 라비린스 시일(33)에 의해서 하부의 구동계로부터 회전컵(12)내에 먼지가 침입하는 것을 방지하고 있다.
제5도에 나타낸 바와 같이, 회전컵(12)은 상부직경보다도 하부직경 쪽을 크게 하고 있다. 회전컵의 바깥둘레벽(12c)은 경사져 있고, 그 바깥면(12e)과 링부재 (14h)의 내면파의 사이에 비스듬히 아래쪽으로 향하는 배기통로(S)가 형성되어 있다. 안으로 향하는 플랜치(12d)에는 다수의 급기구멍(34)이 뚫려 설치되어 있다. 다수의 급기구멍(34)은 둘레방향으로 적절한 간격을 두고 배열되어 있다. 또한, 바깥둘레벽(12c)의 하부측 둘레방향의 적절한 장소에는 배기구멍(35)이 뚫려 설치되어 있다.
이와 같은 급기구멍(34) 및 배기구멍(35)의 조합에 의해서, 처리실(20)내의 가스 등이 배기구멍(35)을 통해서 외부로 배출되는 한편, 급기구멍(34)으로부터 처리실(20)내로 에어가 흘러 들어간다. 이 때문에, 회전컵(12)의 회전축에 있어서는 처리실(20)내가 필요이상으로 부압되는 것이 방지되고, 또한, 처리후에 있어서는 회전컵(12)으로부터 뚜껑(16)을 용이하게 뗄 수 있다.
또한, 급기구멍(34)을 회전컵(12)의 중심부 즉 뚜껑(16)의 중앙에 설치하여도 좋다. 예를 들면, 제4도에 나타낸 바와 같이, 팽창머리부(18)의 하단부 주위에, 개구면적의 총합이 급기구멍(34)의 총합과 같아지도록, 급기구멍(34A)을 여러개 설치한다. 또한, 뚜껑(16)과 기판(G)과의 사이에, 기판(G)보다도 대면적의 방해판 (34B)을 배치하여도 좋다. 유입에어는 방해판(34B)에 의해서 처리스페이스(20)의 둘레영역으로 향하게 된다.
제5도에 나타낸 바와 같이, 드레인컵(14)의 내부에는 고리형상 통로(14a)가 설치되어 있고, 이 고리형상 통로(14a)의 바깥둘레벽의 적절한 장소(예를 들면 둘레방향의 4개소)에는 배기장치(도시하지 않음)에 연이어 통하는 배기구(36)가 설치되어 있다.
제4도 및 제6도에 나타낸 바와 같이, 드레인컵(14)의 안둘레측 윗부에는 배기구(36)와 연이어 통하는 방사형상의 배기통로(37)가 형성되어 있다. 컵(20)을 회전시키면, 처리스페이스(20)내에서는 미스트형상의 레지스트가 원심력에 의해서 비산하고, 이 미스트는 배기구멍(35)을 통하여 드레인컵(14)내로 흘러 들어간다. 이와 같이 하여 미스트가 회전컵(12)의 상부측으로 날아 올라가는 것이 방지되고, 배기구(36)로부터 외부로 배출된다.
또한, 고리형상통로(14a)는 드레인컵(14)의 바닥부로부터 기립하는 외측벽 (14b)과 드레인컵(14)의 천정부로부터 늘어뜨리는 내측벽(14c)로 칸막이되어 있다. 이들 칸막이벽(14b,14c)에 의해서 배기류가 컵(14)의 전체에 균등하게 배분되게 되어 있다. 또한, 내외벽(l4B,14C)의 아래쪽 바닥부(14d)에는 여러개의 드레인관 (14f)이 설치되고, 드레인구멍(14c)을 통하여 폐액이 배출되게 되어 있다.
제5도에 나타낸 바와 같이, 드레인관(141)은 죠인트(38b)에 끼우고 떼는 것이 가능하게 부착되어 있다. 이 죠인트(38b)의 하부는 배액관(14g)에 연결되어 있다. 또한, 죠인트(38b)는 드레인컵(14)을 지지하는 지지기등(38)에 부착된 브라켓트(38a)에 유지되어 있다.
회전컵(12)의 테이퍼면(12e)과 드레인컵(14)의 테이퍼면(14h)과의 사이에는 미세한 간극(5)이 형성되어 있다. 미세한 간극(5)의 상부와 하부와의 사이에서 발생하는 둘레속도차로부터 압력차가 발생하고, 이 압력차가 미세한 간극(5)의 상측으로부터 하측으로 향하는 기류를 조장한다. 이 때문에, 드레인컵(14)내의 배기미스트가 미세한 간극(5)을 통하여 회전컵(12) 밖으로 비산이 방지된다.
윗뚜껑(16)은 회전컵(12)과 함께 회전된다. 이 때문에, 회전컵(12)의 상부에 돌출하는 고정핀(도시하지 않음)과, 이 고정핀에 끼워맞춤하는 끼워맞춤 오목부(도시하지 않음)를 서로 끼워 맞추게 하여 뚜껑(16)을 회전컵(12)에 고정한다.
제4도 중에 상상선으로 나타낸 바와 같이, 뚜껑(16)을 개폐하는 경우에는 팽창머리부(18)의 아래에 로보트아암(40)을 삽입하고, 팽창머리부(18)에 설치된 걸림홈(18a)에 로보트아암(40)으로부터 돌출하는 걸림핀(41)을 걸어맞춘 후에, 로보트아암(40)을 상하로 이동시킨다. 또한, 뚜껑(16)을 열 때의 팽창머리부(18)의 걸림홈(18a)과 로보트아암(40)의 걸림핀(41)과의 위치맞춤 및 뚜껑(16)을 닫을 때의 고정핀과 끼워맞춤 오목부의 위치맞춤은, 서보모우터(21)의 회전제어에 의해서 행한다.
또한, 기판(G)에 레지스트액을 도포하는 경우, 배기구멍(35)을 설치하지 않으면, 기판(G)로부터 흩뿌려진 레지스트액이 처리실(20)내의 주변부에 체류하므로, 처리실(20)내에서 도포액이 건조하기 어려워지고, 레지스트의 막두께가 불균일하게 될 우려가 있다.
본 실시예예서는 회전컵(27)의 회전속도를 500∼2000rpm으로 하고, 직경 4mm의 배기구멍(35)을 둘레방향에 24개 배열함으로써, 레지스트의 건조 및 처리 스페이스(20)의 분위기 콘트롤을 행한다.
또한, 제5도에 나타낸 바와 같이, 처리실(20)의 높이(H)를 10∼50mm, 간격(A)을 2∼10mm, 간격(B)을 30∼50mm, 간격(5)을 1∼10mm로 하고 있다.
또한, 연결통(31)내에 컵세정 노즐(42)을 배열 설치하고, 컵세정노즐(42)에 의해서 회전컵(12) 및 뚜껑(16)의 내면을 세정할 수 있다. 즉, 브라켓트(43)로 컵세정노즐(42)을 유지하고, 세정액 공급관(44)을 고정칼라(24)의 내부통로(도시하지 않음)를 통해서 외부의 도시하지 않은 세정액 공급원에 접속한다. 이에 의해서, 제6도에 상상선으로 나타낸 바와 같이, 스핀척(10)을 상승시키고, 스핀척(10)과 회전컵(12)의 바닥부와의 사이로부터 컵세정 노즐(42)을 항하여, 회전하는 회전컵 (12) 및 뚜껑(16)의 내면에 세정액을 분사할 수 있다.
제3도 및 제7도에 나타낸 바와 같이, 레지스트 제거기구(2)는 얹어놓는 대(50)와 한 쌍의 노즐(51)을 가진다. 얹어놓는 대(50)는 기판흡착 유지기능을 가지며, 회전이 가능하게 지지되어 있다. 1쌍의 노즐(51)은, 얹어놓는 대(50)위의 기판(G)의 대향하는 2변 둘레부의 양면에 레지스트 용해액(제거액)을 분사하도록 배치되어 있다.
얹어놓는 대(50)는 모우터(도시하지 않음) 및 실린더(도시하지 않음) 또는 볼나사(도시하지 않음)를 구비한 구동장치(52)에 의해서 지지되어 있다. 이 구동장치(52)의 모우터에 의해서 얹어놓는 대(50)는 회전되고, 기판(G) 2조의 대향하는 2변이 제거노즐(51)의 바로 아래에 위치되게 되어 있다. 또한, 승강실린더 또는 볼나사에 의해서 얹어놓는 대(50)는 승강되고, 기판(G)의 받아넘김 레벨과, 도포막의 제거처리레벨과, 대기레벨에 높이위치가 변경되게 되어 있다.
제8도 및 제9도에 나타낸 바와 같이, 제거노즐 어셈블리(51)는 분사머리 (53)와, 용제공급로(53c)와, 용제공급로(53d)와, 표면세정용 노즐(51a)과, 뒷면세정용 노즐(51b)을 구비하고 있다. 분사머리(53)는 상부수평편(53a) 및 하부수평편 (53b)으로 이루어지고, 기판양면의 둘레부를 덮는 단면 대략 ㄷ 자형상을 이루는 것이다. 노즐(51a)과 용제공급로(53c)는 기판표면(윗면)의 레지스트막 제거용으로, 상부수평편(53a) 및 하부수평편(53b)의 각각에 설치되어 있다.
노즐(51a)과 용제공급로(53d)는 기판뒷면(아래면)의 레지스트막 제거용으로, 상부수평편(53a) 및 하부수평편(53b)의 각각에 설치되어 있다.
노즐(51a)의 토출구는 아래쪽을 향하고, 노즐(51b)의 토출구는 윗쪽을 향하고 있다. 또한, 윗노즐(51a,)의 토출구와 아래노즐(51b)의 토출구는 서로 어긋난 위치에 설치되고, 상하노즐(51a,51b)로부터 토출된 제거액(용제)이 서로 간섭하지 않도록 하고 있다. 토출된 제거액이 충돌하면, 용제가 비산하고, 기판표면에 형성된 레지스트막의 막두께를 불균일하게 해버리기 때문이다.
제9도에 나타낸 바와 같이, 윗노즐(51a)끼리의 배치간격을 아래노즐(51b)끼리의 배치간격보다 작게 하고 있다. 분사머리(53)의 수직부(53e)에는 배기구(53f)가 설치되어 있고, 이 배기구(53f)에 배기장치(도시하지 않음)에 연이어 통하는 배기관(54)이 접속되어 있다. 이 배기관(54)을 통해서 잉여의 용제가 외부로 배출되게 되어 있다.
또한, 제8도에 2점쇄선(가상선)으로 나타낸 바와 같이, 윗노즐(51a)의 토출구를 바깥측을 향하여 기울여 설치하여도 좋다. 이와 같이 토출구의 토출방위를 기울임으로써, 윗노즐(51a)로부터의 토출액은 기판(G)으로부터 먼 곳으로 떨어지게 되므로, 기판중앙영역의 레지스트막에 제거액이 부착하지 않게 된다. 또한, 아래노즐(51b)에 대하여도 마찬가지라고 말할 수 있다.
1쌍의 제거노즐(51)은, 위치조정기구(55)에 의해서 기판(G)의 대향하는 제 1 변(장변) 및 제 2 변(단변)의 각각에 위치조정이 가능하게 배치되어 있다.
또한, 제거노즐(51)은, 상하이동기구(56)에 의해서 기판(G)의 둘레부의 레지스트막 제거위치와 대기위치에 상하이동됨과 동시에, 좌우이동기구(57)에 의해서 기판(G)의 둘레부를 따라서 이동되게 되어 있다. 이 경우에, 여러쌍의 제거노즐 (51)을 이동방향으로 소정피치간격으로 배열하여도 좋다.
위치조정기구(55)는 실린더체(59a)와, 신축로드(59b)와, 에어실린더(59)와, 외측 스토퍼(60a)와, 내측 스토퍼(60b)를 가진다. 실린더체(59a)는 한 쪽의 제거노즐(51)의 분사머리(53)에 부착부재(58a)를 통해서 연결되어 있다. 에어실린더(59)의 실린더체(59a)는 미끄러져 움직임이 자유롭게 장착되어 있다. 외측스토퍼(60a)는 신축로드(59b)가 신장하였을 때에 양 부착부재(58a,58b)가 충돌하여 제거노즐 (51)의 기판(G) 장변측의 제거위치를 위치결정하게 되어 있다. 내측 스토퍼(60b)는 에어 실린더(59)의 신축로드(59b)가 수축하였을 때에 양 부착부재(58a,58b)가 충돌하여 제거노즐(51)의 기판(G) 단변측의 제거위치를 위치 결정하게 되어 있다. 또한, 양 제거노즐(51)파 함께 실린더체(59a)를 부착하는 지지부재(61)에 의해서 지지되어 있다.
다음으로, 제17(a)∼제17(i)도를 참조하면서 상기의 레지스트 처리장치를 사용하여 기판(G)에 레지스트를 도포하고, 레지스트를 부분제거하는 방법에 대하여 설명한다.
기판(G)을 도포기구(1)에 반입하고, 스핀척(10) 위에 얹어놓고, 또한, 흡착유지한다 제17(a)도에 나타낸 바와 같이, 기판(G)의 표면에 레지스트액을 떨어뜨린 후에, 윗뚜껑(16)을 닫고, 스핀척(10)파 회전컵(12)을 동시에 스핀회전 시킨다. 이 결과, 레지스트액은 기판표면의 전체에 퍼져, 실질적으로 균일한 막두께의 레지시트막이 형성된다.
다음으로, 제17(b)도에 나타낸 바와 같이, 반송기구(3)에 의해서 기판(G)을 둘레부 제거기구(2)에 반송하고, 얹어놓는 대(50) 위에 얹어놓고, 또한 흡착유지 한다.
제17(c)도에 나타낸 바와 같이, 반송아암(70)을 후퇴시키고, 각 제거노즐 (51)을 기판(G) 단변을 사이에 끼우는 양 코너부에 각각 세트한다. 그리고, 각 제거노즐(51)을 긴 변을 따라서 이동시키고, 용제(신나)를 기판양면의 장변부를 향하여 토출한다(제 1 레지스트 제거공정). 이 경우에, 용제를 기판(G)의 끝단부로부터 약 5mm정도의 폭으로 토출한다. 이 사이에 도포기구(1)로 다음 기판(G)을 레지스트 도포처리한다. 기판(G) 장변의 불필요한 레지스트막을 제거한 후에, 얹어놓는 대(50)를 시계방향으로 90도 회전시키고, 기판(G)의 단변측을 제거노즐(51)이 있는 곳에 위치시킨다. 또한, 90도 회전 외에, 270도나 450도의 회전이어도 좋고, 또한, 얹어놓는 대(50)는 반시계방향으로 회전시켜도 좋다.
또한, 이 때, 제17(d)도에 나타낸 바와 같이, 위치조정기구(55)의 에어 실린더(59)를 신장하여 제거노즐(51)을 기판(G)의 단변을 사이에 끼는 코너부에 각각 세트한다. 그리고, 제17(e)도에 나타낸 바와 같이, 제거노즐(51)을 기판(G) 단변을 따라서 이동시키면서 용제를 기판(G) 단변의 둘레부 양면에 분사하여 기판(G) 단변의 레지스트막을 제거한다(제 2 레지스트 제거공정). 이 경우에도, 용제를 기판(G)의 끝단부로부터 약 5mm정도의 폭으로 토출한다. 이 후, 기판(G)을 반출하고, 다음의 공정으로 반송한다. 상기와 같이, 레지스트막을 도포형성후, 바로 기판(G)를 반송하여 둘레부 레지스트를 제거할 수 있다.
또한, 제 1 또는 제 2 레지스트 제거공정중, 또는 이들 제거공정의 전후중 어느 한 시점에서, 보조세정노즐(51a,51c∼51f)으로부터 용제를 각각 토출함으로써 기판(G)의 뒷면 둘레부에 부착한 레지스트막을 용이하게 제거할 수 있다.
예를 들면 제14도에 나타낸 바와 같이, 기판(G)의 각 부 뒷면에 부착한 레지스트액(R1,R2)을 제거하는 경우는 다음과 같이 하여 보조세정노즐(51c∼51f)로부터의 액토출을 제어한다.
1쌍의 제거노즐(51)을 처음에 기판(G)의 장변(GL)을 따라서 이동시키는 경우에 있어서 먼저 제14도 중에서 우측에 위치하는 제거노즐(51)에 대하여 설명한다.
레지스트액(R1)이, 단변(Gs)측에 거리(LS1)까지, 장변(GL)측에 거리(LL1)까지 삼각형상의 영역에 부착하여 있는 경우에, 노즐이 단변(GS)의 둘레부근에 위치할 때에는 거리(LS1)까지 충분히 세정이 가능하도록 표면 세정노즐(51a), 뒷면 세정노즐(51b)파 함께 보조 세정노즐(51c∼51f)의 전부로부터 용제를 토출한다. 그리고, 제거노즐(51)이 이동함에 따라서, 부착영역(R1)의 폭은 LS1보다 좁아지므로, 순차적으로 보조 세정노즐(5lf,51e,5ld)의 용제분사를 정지시킨다. 노즐이 장변 (GL)을 따라서 거리(LL1)부근까지 이동하면, 부착영역(R1)의 뒷면부착은 없어지므로, 보조 세정노즐(51c)의 용제분사도 정지시키고, 이 후, 뒷면측은 뒷면세정노즐 (51b)만을 분사시킨 상태에서, 제거노즐(51)은 장변(GL)을 따라서 이동한다.
제14도에 나타낸 바와 같이, 좌측의 제거노즐(51)은, 이동하기 시작하였을 때, 기판(G)의 각부 뒷면에는 레지스트액은 부착하지 않으므로, 표면 세정노즐 (51a)과 뒷면세정노즐(51b)로부터 용제를 분사시키고, 보조 세정노즐(51c∼51f)로부터의 용제분사는 정지시켜 둔다.
제거노즐(51)이 단변(GS)으로부터 거리(LL2)에 근접하면, 보조 세정노즐 (51c)로부터 먼저 용제를 분사시킨다. 레지스트액(R1)과 마찬가지로, 부착영역(R2)도 부착하고 있는 경우에, 순차적으로, 보조 세정노즐(5ld,51e,51f)로부터 용제를 분사시키고, 거리(LS2)의 부분까지 제거한다.
그리고, 좌우의 제거노즐(51)에 의해서 장변(GL)측의 레지스트제거가 종료하면, 각 노즐로부터의 용제분사를 정지하고, 좌우의 제거노즐(51)을 기판(G)의 회전에 지장을 주지 않도록 퇴피시킨다. 다음으로, 기판(G)을 좌 또는 우측방향으로 90도 회전시키고, 단변(GS)측의 레지스트액 제거를 한다. 이 경우, 각 부 뒷면에 부착한 레지스트액(R1,R2)은 이미 제거되어 있으므로, 표면 세정노즐(51a) 및 뒷면 세정노즐(51b)로부터만 용제를 분사시키면 된다.
이와 같이, 뒷면측에 부착한 레지스트액의 부착장소나 영역에 대응하여 미리 결정된 범위에서 보조 세정노즐(51c-5lf)의 용제분사를 제어할 수 있고, 필요최소한의 용제사용량에 의해서 불필요한 레지스트를 용해제거할 수 있다.
다음으로, 제18도 및 제19도를 참조하여 기판반송용 메인아암(80)에 대하여 설명한다.
메인아암(80)은, 각각 독립하여 수평방향으로 진퇴이동이 가능한 상하 2단의 ㄷ 자형상 아암체(81a,81b)를 구비하고 있다. 즉, 대향하여 배치되는 외측 리니어 가이드(82)를 따라서 미끄러져 움직임이 가능한 1쌍의 외측 프레임(83)에 의해서 상부아암체(81a)는 양측이 지지되고 있다. 그리고, 제 1 구동모우터(84)에 전달풀리(85a)를 통해서 구동되도록, 타이밍 벨트(도시하지 않음)가 외측풀리(85)와 전달풀리(85a)에 놓여져 있다. 제 1 구동모우터(84)의 정역회전에 의해서 상부아암체 (81a)는 진퇴이동되게 되어 있다. 또한, 한 쌍의 내측 리니어 가이드(86)는 외측 리니어 가이드(82)의 내측에 설치되고, 이들 한 쌍의 내측 리니어 가이드(86)를 따라서 내측 프레임(87)은 이동할 수 있도록 되어 있다. 하부아암체(81b)는 내측 프레임(87)으로 지지되어 있다. 또한, 제 2 모우터(88)의 구동풀리와 내측풀리(89a)와의 사이에 타이밍 벨트(도시하지 않음)가 놓여져 있다. 제2 모우터(88)의 정역회전에 의해서 하부아암체(81b)는 진퇴이동된다. 또한, 아암체(81a,81b)에는 기판(G)을 유지하는 유지손톱(81c)이 세워 설치되어 있다. 또한, 제18도에 나타낸 바와 같이, 아암체(81a,81b)의 근방에 센서(150)가 설치되고, 센서(150)에 의해서 아암체(81a,81b) 위의 기판(G)의 유무가 검출되게 되어있다.
제20도 및 제21도에 나타낸 바와 같이, 블러시 세정장치(120)는 기판 반송아암(121)을 구비하고 있고, 이에 의해서 기판(G)을 걸어서 직선적(도면 중 좌우방향)으로 반송하도록 되어 있다. 기판(G)의 반송로를 윗쪽 및 아래쪽에는 다수의 세정블러시(122,123)와 린스노즐(도시하지 않음)이 설치되어 있다. 또한, 기판(G)의 반송위치에는 기판유지기구(124)가 설치되어 있다. 기판반송아암(121)의 반송기구는 반송기구(3)와 같은 것이다.
한편, 제트수 세정장치(130)는 배액구(131)를 가지는 용기(132)와, 기판 유지기구(133)과 디스크 스테이지(134)와, 린스액 공급노즐(135)과, 세정수 공급노즐 (136)을 구비하고 있다. 디스크 스테이지(134) 위에는 기판(G)의 끝단면에 맞닿는 유지부재(137)가 설치되어 있다.
블러시 세정장치(120)와 제트수 세정장치(130)에 의해서 기판(G)의 세정을 행하는 경우에 대하여 설명한다. 기판(G)을 표면 세정블러시(122)와 뒷면 세정블러시(123)와의 사이에 반송하고, 이들 블러시(122,123)를 회전시키면서 린스액(순수한 물)을 기판(G)을 향하여 토출시킨다. 다음으로, 기판(G)을 제트수 세정장치 (130)에 반송하고, 디스크 스테이지(134) 위에 기판(G)을 받아넘긴 후에, 세정수 공급노즐(136)을 기판(G)의 윗쪽에 이동시키고, 고압제트수류를 기판(G)에 분사하여 세정처리한다. 이 때, 기판(G)을 저속회전시키면서 세정처리한다.
다음으로, 노즐(136)을 후퇴시키어, 교대로 노즐(135)을 기판(G) 위에 이동하고, 린스액 공급노즐(135)로부터 린스액을 분사하여 린스하면 된다.
또한, 레지스트 도포장치(107) 및 레지스트 제거장치(108)를 2조이상 설치하여도 놓다. 이 경우에, 레지스트 제거장치(108)를 레지스트 도포장치(107)의 옆에 배열하여도 좋고, 레지스트 제거장치(108)를 레지스트 도포장치(107)의 위에 적재하여도 좋다
제23도에 나타낸 바와 같이, 4개의 제거노즐(151A,151B,151C,151D)에 의해서 기판(G)의 4변을 동시처리하게 하여도 좋다. 이 경우에, 제거노즐 (151A,151B, 151C,151D)은, 동기하여 이동시켜도 좋고, 각각을 개별적으로 독립하여 이동시키도록 하여도 좋다.
이하, 제거노즐(151A)을 대표하여 설명한다.
제거노즐(151A)은 기판(G)의 장변(A)을 따라서 이동이 가능하게 설치되어 있다. 즉, 제거노즐(151A)은 가이드레일(152A)에 미끄러져 움직이는 것이 가능하게 부착된 슬라이드부재(153A)에 부착되어 있다. 이 슬라이드부재(153A)는 와이어, 체인, 벨트, 볼나사나 스테핑 모우터, 에어 실린더, 초음파 모우터, 초전도 리니어 모우터 등을 사용한 이동기구(도시하지 않음)에 의해서, Y축방향으로 왕복이동이 가능하게 되어 있다.
또한, 제24도에 나타낸 바와 같이, 제거노즐(151A)은, 표면 세정용 노즐(151a) 및 뒷면 세정용의 노즐(151b) 외에, 기판(G)의 끝단면(측면)부를 세정하기 위한 끝단면 세정용의 노즐(151g)이 내부에 설치되어 있다. 각 노즐 (151a,151b)은 용재의 각 공급로에 삽입된 개폐밸브(도시하치 않음)에 의해서, 독립하여 용제공급의 단속, 공급량이 제어가 가능하게 되어 있다.
또한, 분사머리(153)의 기판(G) 측끝단부의 앞쪽위치에는 기판(G) 윗면측에 가스분사노즐(154)이, 기판(G) 아래면측에는 가스분사노즐(155)이, 그 분사 방향이 분사머리(153)방향, 즉 기판(G)의 주변외측방향으로 되도록 배치되어 있다. 그리고, 분사된 가스는 분사머리(153)내를 통하고, 배기관(156)으로부터 배기된다.
또한, 제23도에 나타낸 바와 잘이, 제거노즐(151A)의 양측에는 기판(G) 장변(A)의 기판(G) 중심방향으로부터 윗면주변부를 향하여 가스를 분사하는 건조용 가스분출노즐(157A,158A)이 제거노즐(151A)과 함께 Y 방향으로 이동이 가능하도록 부착부재(도시하지 않음)에 의해서 설치되어 있다. 또한, 건조용 가스노즐 (157A,158A)은 기판(G)의 외측에 나타나 있으나, 기판(G)의 반입·반출에 지장을 초래하지 않는 임의의 위치에 배치할 수 있다.
다른 제거노즐(151B,151C,151D)에 대하여는 제거노즐(151A)과 구성은 실질적으로 같다. 각 노즐(151B,151C,151D)은, 각각 기판(G)의 단변(B), 장변(C), 단변(D)에 배치되어 있다.
다음으로, 기판둘레부의 레지스트 제거순서에 대하여 설명한다.
레지스트막의 형성 후, 기판(G)을, 장변이 Y방향과 평행하게, 단변이 X방향과 평행하게 되도록, 둘레부 제거기구(2A)의 얹어놓는 대(159)에 얹어놓고, 흡착유지한다. 반송아암(70)을 퇴출시키고, 각제거노즐(151A,151B,151C,151D)을 기판 4변의 둘레부에 각각 세트하고, 각 변을 따라서 동시에 이동하면서 레지스트용제를 둘레부에 분사하고, 기판 4변의 둘레부로부터 레지스트막을 제거한다.
이 제거시에, 세정용의 각 노즐로부터의 용제의 분사는 기판(G)의 끝단부의 레지스트 부착상황에 대응하여 제어하여도 좋다. 예를 들면, 기판(G)의 끝단면 및 뒷면주변부의 레지스트의 부착이 없고, 용해제거할 필요가 없는 경우에는 표면 세정용의 노즐(151a)만 용제를 분사시킨다.
끝단면에도 레지스트가 부착하고 있는 경우에는 끝단면 세정용의 노즐 (151g)로부터도 용제를 분사시키고, 또한, 뒷면주변부에도 레지스트가 부착하고 있는 경우에는 뒷면 세정용의 노즐(151b)로부터도 용제를 분사시킨다.
또한, 기판(G) 끝단면, 뒷면주변부에 부착해 있는 레지스트막의 부착장소를 이미 알고 있는 경우에는 제거노즐(151A)이 이 장소부근을 이동할 때에, 끝단면 세정용 노즐(151g)이나 뒷면 세정용 노즐(151b)로부터 용제를 분사하도록 제어하여도 좋다. 이에 의해서, 용제의 소비량을 절감시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 기판표면의 레지스트막두께의 변동도 막을 수 있다.
또한, 레지스트막의 제거중에 있어서는 가스 분사노즐(154,155)로부터 질소(N2)가스를 분사시키면, 기판(G)의 주변을 향하여 분사머리(153)내에 흡인되는 N2가스의 흐름이 존재하므로, 레지스트 비말(飛沫)은 분사머리(153)측을 향하여 배출되고, 기판(G)의 표면에 부착하는 것을 방지할 수 있다. 이에 의해서, 표면세정용의 노즐(151a), 끝단면 세정용의 노즐(151g), 뒷면 세정용의 노즐(151b)로부터 분사된 용제나 발생한 기포 등이 기판(G)의 중앙영역에 부착하지 않게 된다.
또한, 건조용 가스노즐(157A)로부터 가열한 N2가스를, 제거노즐(151A)에서의 용해에 의한 용해제거에 앞서서, 기판(G) 주변부의 레지스트막을 향하여 분산한고, 건조시켜 둔다. 이에 의해서 용해제거후의 레지스트막의 모서리부분에서의 레지스트의 쌓여오름을 억제할 수도 있다.
또한, 건조용 가스노즐(158A)로부터 가열한 N2가스를, 레지스트막이 용해제거된 후의 기판(G)의 주변부분에 분사됨으로써, 기판(G) 및 레지스트막을 건조한다. 이 건조에 의해서, 용제는 곧 증발하고, 레지스트막의 모서리부분이 건조하므로, 불필요한 용해도 없고, 모서리부분의 레지스트막도 안정된다.
또한, 제거노즐(151A,151C)을 공통의 기구에 부착함과 동시에, (151B)와 (151D)를 공통의 기구에 부착하여도 좋다. 또한, 제거노즐(151A,151B,151C,151D)의 전부를 공통의 1개의 이동기구에 부착하여도 좋다. 또한, 독립이동기구의 경우에, 각 제거노즐의 이동속도를 각 변의 레지스트의 부착상황에 따라서 억제하여도 좋다.
또한, 기판(G)의 단변이 Y축방향과 평행하게 되도록 기판(G)을 유지하고, 각 제거노즐(151A,151B,151C,151D)을 기판(G)의 각 변에 대응하여 배치하도록 하여도 좋다.
또한, 기판(G), 용제, N2가스를 용해에 최적한 온도로 제어하고, 레지스트막의 용해제거를 촉진시켜도 좋다. 기판(G)의 온도제어에는 예를 들면, 기판(G)의 주위의 분위기온도를 제어하거나, 기판(G) 윗면측에 온도조절한 가스를 공급하거나, 기판(G)의 뒷면측에 온도조절한 백가스를 공급하거나, 얹어놓는 대(159)를 온도조절하거나, 적외선, 마이트로파 등에 의해서 온도조절하거나 한다.
다음으로, 제25도∼제29(c)도를 참조하면서 본 발명의 제 2 실시예에 관계되는 레지스트 처리장치에 대하여 설명한다. 또한, 이 제 2 실시예가 상기 제 1 실시예와 공통하는 부분에 대하여는 설명을 생략한다.
제25도에 나타낸 바와 칼이, 제 2 실시예의 레지스트 처리장치는 도포노즐(210)과, 스핀척(220)과, 회전컵(230)과, 뚜껑(233)과, 드레인컵(240)을 구비하고 있다. 도포노즐(210)은, 유량제어 및 압력제어장치를 구비한 레지스트액공급원(도시하지 않음)에 연이어 통하여 있다. 또한, 도포노즐(210)은 반송장치(도시하지 않음)에 이동이 가능하게 지지되어 있다. 스핀척(220)은 실질적으로 상기 제 1 실시예의 것과 같다. 회전컵(230)은 스핀척(220)의 상부 및 바깥둘레부를 둘러싸고 있다. 회전컵(230)에 뚜껑(233)을 덮으면, 상부개구(232)가 뚜껑(233)으로 닫히고 처리스페이스(231)가 형성되게 되어 있다. 뚜껑(233)의 형상은 회전컵(230)의 상단에 끼워 넣는 형상으로 되어 있다. 드레인 컵(240)은 회전컵(239)의 하부 및 바깥둘레부를 둘러싸도록 설치되어 있다.
제26도에 나타낸 바와 같이, 스핀척(220)의 주요부는 대략 직사각형상의 프레임(220b)으로 이루어지고, 프레임(220b)의 각 주변부에는 창구멍(220a)이 각각 개구하여 있다. 프레임(220b)의 4개의 구석부의 근방에 각각 1쌍의 지지피스(220c)가 부착되어 있다. 각 지지피스(220c)는 회전이 가능한 로울러형상의 것으로 이루어지고, 그 바깥둘레가 기판(G)의 각 변에 맞닿도록 되어 있다.
제25도에 나타낸 바와 같이, 스핀척(220)의 회전축(222)은, 고정통체(224)에 베어링(225a)을 통해서 상하방향으로 미끄러져 움직임이 가능하게 장착되어 있다. 종동톱니부착 풀리(226a)가 회전축(222)에 장착되고, 구동톱니부착 풀리(221b)가 모우터(2221)의 구동축(221a)에 장착되어 있다. 종동톱니부착 풀리(226a)와 구동톱니부착 풀리(221b)에 톱니부착 벨트(227a)가 놓여져 있다. 또한, 회전축(222)의 하부는 도시하지 않은 통체내에 있어서 배큠시일부(228)를 통해서 승강실린더(223)에 연결되어 있다. 이 승강실린더(223)에 의해서 회전축(222)은 상하방향으로 이동되게 되어있다.
회전컵(230)은, 고정통체(224)의 바깥둘레면에 베어링(225b)을 통해서 장착되는 회전통체(229)를 통해서 부착되어 있다. 컵바닥부(230b)와 스핀척(220)의 아래면과의 사이에는 시일기능을 가지는 베어링(도시하지 않음)이 설치되어 있다.
이 경우에, 종동톱니부착 풀리(226b)의 직경을 종동톱너부착 풀리(226a)의 직경과 같게 하고 있으므로, 회전컵(230)과 스핀척(220)은 같은 회전수로 동기회전하게 되어 있다. 또한, 구동톱니부착 풀리(221b,221c)는 각각 클러치(221d,221e)를 통해서 구동축(221a)에 장착되어 있고, 클러치(221d,221e)의 작동에 의해서 구동톱니부착 풀리(221b,221c)가 독립구동되게 되어 있다.
제25도에 나타낸 바와 같이 뚜껑(233)의 중앙부로부터 윗쪽을 향하여 축부(234)가 이어져 나와 있다. 축부(234)에는 내부통로(235)가 형성되고, 이 내부통로(235)는 처리스페이스(231)에 연이어 통하고 있다. 컵측벽(230b)의 하부에는 배기구멍(36)이 뚫려 설치되어 있다. 또한, 뚜껑(233)과 기판(G)과의 중간위치에는 배플판(237)이 배치되어 있다. 배플판(237)은, 기판(G)보다도 크게, 다수의 구멍이 형성되어 있다. 또한, 바깥공기 도입통로(235)의 처리스페이스(231)측의 개구부 근방에는 필터기능을 가지는 보조배플판(237a)이 배열 설치되어 있다.
한편, 드레인컵(240) 바닥부의 바깥둘레측에는 배액구(241)가 설치되고, 이 배액구(241)의 안쪽에는 진공펌프(도시하지 않음)에 연이어 통하는 배기구(242)가 설치되어 있다.
상기 장치의 동작에 대하여 설명한다. 모우터(221)를 구동시키면, 회전컵 (230)이 회전하고, 이 회전컵(230)의 회전에 의해서 바깥공기가 통로(235)를 통하여 처리스페이스(231)내로 흘러 들어오고, 또한 배기구멍(236)으로부터 배기구 (242)를 향하여 흐른다.
제27도에 나타낸 바와 같이, 중공링형상의 드레인컵(240A)을 회전컵(230)의 바깥둘레측에 배치하여도 좋다. 이 드레인 컵(240)내부에는 고리형상 통로(243)가 형성되어 있다. 이 고리형상 통로(243)는 4개의 배기구(242)를 통해서 진공배기펌프(도시하지 않음)에 연이어 통하고 있다. 4개의 배기구(242)는 배기가 같도록 드레인 컵(240A)의 바깥둘레벽에 각각 배치되어 있다. 또한, 드레인컵(240A)의 안둘레측 윗쪽부에 배기구(242)와 연이어 통하는 방사형상의 배기통로(244)를 형성하여도 좋다.
레지스트액의 미스트는 처리 스페이스(231)내에서 배기구멍(236)을 통하여 드레인컵(240)내에 흘러 들어가, 배기구(242)로 부터 외부로 배출된다. 이에 의해 미스트가 회전컵(230)의 상부측으로 날아 올라가는 것을 방지할 수 있다.
고리형상통로(243)는 외측벽(243a)과 내측벽(243b)으로 지그재그로 칸막이되어 있다. 드레인컵 하부(243c)에 부착된 배액관(241)이, 외측벽(243a)및 내측벽 (243b)의 사이에 설치되어 있다.
처리중에 있어서, 덮개(233)는 회전컵(230)과 일체로 회전된다. 덮개(233)를 개폐하는 경우는 덮개(233)의 윗면에 뚫어 설치된 팽창머리부(233a)의 아래에 로보트아암(250)을 배설하고, 걸림홈(233b)에 로보트아암(250)의 걸림핀(251)을 걸어맞춘다. 한편, 덮개(233)를 여는 경우의 걸림홈(233b)과 걸림핀(251)과의 위치맞춤 및 덮개(233)를 닫을 경우의 고정핀과 끼워 맞춤 오목부의 위치맞춤은, 서보모터(221)의 회전각을 제어하므로써 행한다.
제28도에 나타내듯이, 외기도입통로(235)의 형상은 나사홈이다. 이와 같은 나사홈의 통로(235)를 채용하므로써 처리 스페이스(231)내에 외기를 다량으로 수납할 수 있다. 한편, 외기도입통로(235)는 스파이럴홈이나 홈없이 해도 좋다.
다음에, 제29(a)도∼제29(c)도를 참조하면서 상기 실시예의 장치를 이용하여 기판(G)에 레지스트를 도포하는 방법에 관하여 설명한다.
제29(a)도에 나타낸 바와 같이, 덮개(233)를 연 상태에서, 스핀척(220)위의 기판(G)에 노즐 (210)로 부터 규정량의 레지스트액을 적하한다. 레지스트액은 온도 및 조성이 컨트롤되고 있다. 노즐(210)을 퇴거시키고, 덮개(233)를 회전컵(230)에 덮고, 개구부(232)를 막는다.
제29(b)도에 나타낸 바와 같이, 스핀척(220)과 함께 회전컵(230)을 회전시켜, 레지스트를 기판(G)의 면상에서 넓힌다. 이 때, 통로(235)를 통하여 외기가 처리스페이스(231)내에 도입된다. 이 도입에어는 기판(G)의 중심부로 부터 바깥 둘레부를 향하여 흐르고, 배기구멍(236)을 통하여 배기구(242)에 흐른다. 이와 같이 레지스트액의 미스트가 기판(G)쪽으로 향하지 않게 되므로 기판(G)이 오염 되지않으며, 도포를 한 레지스트는 청정하게 유지되어, 균일한 레지스트 막두께를 얻을 수 있다.
제29(c)도에 나타낸 바와 같이, 레지스트 도포후, 스핀척(220)의 회전을 정지시켜서, 회전컵(230)만을 회전시킨다. 이 때, 외기 도입통로(235)를 통하여 처리스페이스(231)내에 회기를 도입하고, 체류하는 레지스트 미스트를 처리스페이스 (231)내로 부터 배출한다. 레지스트 미스트의 일부는 배액구(241)를 통하여 외부에 배출되고, 레지스트 미스트의 다른 일부는 배기구(242)를 통하여 외부에 배출된다. 회전컵(230)만을 소정시간 회전시키면, 도포처리는 완료한다.
상기 실시예의 방법에 의하면, 레지스트 도포중에 외기를 처리스페이스내에 도입하므로, 레지스트 미스트의 기판에의 부착을 막을 수 있음과 동시에, 도포 레지스트를 균일하게 건조할 수 있다. 그러므로 균일한 막두께의 레지스트막을 얻을 수 있다.
또, 상기 실시예의 방법에 의하면, 도포공정 종료후에 있어서도 처리스페이스내에 외기를 도입하고, 처리 스페이스내를 외기와 치환하고 있으므로, 처리스페이스내에 잔존하는 레지스트 미스트가 실질적으로 없어지며, 파티클의 발생을 방지할 수 있다.
또, 상기 실시예의 장치에 의하면, 회전컵의 회전에 따라서 처리스페이스내에 외기를 도입할 수 있으므로, 레지스트 도포중에 있어서 미스트의 기판에의 부착을 방지할 수 있어, 막두께의 균일한 레지스트막을 형성할 수 있다.

Claims (15)

  1. 직사각형의 LCD용 기판에 레지스트를 도포하고, 도포한 레지스트의 일부를 제거하는 레지스트 처리방법에 있어서, 기판을 스핀회전시키면서 기판에 레지스트액을 공급하고, 기판의 적어도 한쪽면에 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포공정과, 상기 레지스트 도포공정을 실행한 곳으로부터 떨어진 장소에 기판을 반송하는 반송공정과, 적어도 기판의 둘레부로부터 바깥방향을 향하는 기류가 발생하도록 기판의 둘레부의 근방영역을 배기하면서 레지스트를 용해할 수 있는 제거액을 기판양면의 둘레부에 분사하고, 기판양면의 둘레부로부터 레지스트막을 제거하는 레지스트 제거공정을 가지는 것을 특징으로 하는 직사각형 기판의 레지스트 처리방법.
  2. 제1항에 있어서, 레지스트 제거공정에서는 기판의 4변 근방의 양면으로부터 동시 진행적으로 레지스트막을 제거하는 것을 특징으로 하는 처리방법.
  3. 제1항에 있어서, 레지스트 제거공정은, 기판의 마주보는 2변 근방의 양면으로부터 동시 진행적으로 레지스트막을 제거하는 제 1 제거공정과, 기판의 다른 2변 근방의 양면으로부터 동시 진행적으로 레지스트막을 제거하는 제 2 제거공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 처리방법.
  4. 제1항에 있어서, 레지스트 제거공정은 보조 세정공정을 더욱 포함하며, 이 보조 세정공정에서, 기판 코너부의 뒷면을 향하여 레지스트를 용해할 수 있는 제거액을 뿜어대고, 기판 코너부의 이면으로 부터 레지스트막을 제거하는 것을 특징으로 하는 처리방법.
  5. 제1항에 있어서, 레지스트 제거공정에서는 기판의 표면측보다도 기판의 이면측 쪽을 폭넓게 레지스트막을 제거하는 것을 특징으로 하는 처리방법.
  6. 제1항에 있어서, 레지스트 제거롱정에서는 기판의 모서리 끝단부로부터 5∼ 10mm 의 영역으로부터 레지스트막을 제거하는 것을 특징으로 하는 처리방법.
  7. 제1항에 있어서, 레지스트 제거공정에서는 제거액으로서 신나를 이용하는 것을 특징으로 하는 처리방법.
  8. 기판을 스핀 회전시켜서 기판에 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포수단과, 이 레지스트 도포수단으로부터 간격을 두고 설치되어, 도포된 레지스트를 기판에서 제거하는 레지스트 제거수단과, 상기 레지스트 도포수단과 레지스트 제거수단의 사이에서 기판을 반송하기 위한 반송수단을 구비하고, 상기 레지스트 제거수단은, 레지스트를 용해할 수 있는 제거액을 기판의 둘레부에 뿜어대는 노즐수단과, 이 노즐수단을 기판의 둘레부를 따라서 이동시키는 이동수단과, 기판의 둘레부로부터 기판의 외부로의 기류가 형성되도록 기판의 둘레부로 공기를 방출하기 위하여 상기 레지스트 제거수단과 연이어 통하는 배기수단을 포함하며, 상기 노즐수단으로부터 뿜어내진 제거액이 기판의 둘레부의 레지스트를 벗겨내고 상기 기류에 의하여 그 레지스트를 기판의 외부로 배출하는 것을 특징으로 하는 직사각형 기판의 레지스트 처리장치.
  9. 제8항에 있어서, 레지스트 제거수단은, 기판을 유지하는 유지수단과, 이 유지수단을 기판과 함께 회전시키는 회전수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로하는 처 리장치.
  10. 제8항에 있어서, 노즐수단은, 기판의 둘레부를 따라서 이동가능하게 설치되고, 기판양면의 둘레부에 제거액을 뿜어대는 주 세정노즐과, 기판뒷면의 코너부에 제거액을 뿜어대는 보조세정 노즐을 갖는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  11. 제10항에 있어서, 주 세정노즐은, 둘레부에서 기판의 표면측 및 뒷면측에 대면하도록 배치된 다수개의 노즐부재를 포함하며, 상기 노즐부재들은 각 노즐부재들로부터 분사된 제거액이 다른 노즐부재와 간섭하지 않도록 그들 사이에 간격을 두고 어긋나게 배치되는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  12. 직사각형의 LCD용 기판에 레지스트를 도포하는 레지스트 처리방법에 있어서, 기판을 유지하여 회전시키는 스핀척과, 이 스핀척을 둘러싸는 회전가능한 회전컵과, 이 회전컵의 적어도 바깥둘레를 둘러싸는 드레인컵을 구비하며, 상기 스핀척으로 기판을 유지하고, 기판을 상기 스핀척에 의해 회전시킴과 동시에 상기 회전컵을 회전시켜 상기 회전컵내의 기판을 향하여 레지스트액을 공급하며, 상기 회전컵내를 배기함과 동시에 외기를 상기 회전컵내에 도입함으로써 레지스트 도포중인 기판의 주위에 기판의 둘레부로부터 기판의 바깥방향으로 향하는 기류를 발생시켜 이 기류에 의해 상기 회전컵내에 부유하는 레지스트를 상기 회전컵내로부터 드레인컵쪽으로 배출하고, 레지스트 도포 종료후에 상기 회전컵내의 분위기를 외기와 치환하는 것을 특징으로 하는 직사각형 기판의 레지스트 처리방법.
  13. 기판을 유지 및 회전하기 위한 스핀척과; 스핀척상의 기판에 레지스트액을 공급하기 위한 공급수단과; 스핀척상의 기판을 수납하도록 회전가능하게 배치되며, 기판으로부터 레지스트액을 원심력에 의하여 제거되도록 방출하고 상부보다 하부에서의 외경이 더 크게 형성되는 방출구를 가지며, 이 방출구는 회전컵의 하부에 형성되는 회전컵과; 방출구를 통하여 회전컵으로부터 배출된 레지스트액을 수납하기 위하여 회전컵의 방출둘레를 둘러싸는 드레인컵과, 드레인컵을 방출하기 위하여 상기 드레인컵에 접속된 배기수단과, 회전컵내로 외기를 도입하기 위하여 회전컵의 상부에 마련되는 수단을 포함하여 구성되며, 기판의 중앙으로부터 바깥둘레로 향하여 레지스트 도포된 기판의 위쪽에서 흐르고 회전컵으로부터 드레인컵으로 회전컵내에서 흐르는 레지스트를 배출하는 기류를 형성하기 위하여 외기를 회전컵의 내부로 도입하면서 회전컵이 배기되는 것을 특징으로 하는 직사각형 기판의 레지스트 처리장치.
  14. 제13항에 있어서, 회전컵의 상부에, 이 회전컵의 회전에 따라서 회전컵내에 외기를 도입하는 나사홈 형상 또는 나선형상의 바깥공기 도입통로를 설치하고 있는 것을 특징으로 하는 처리장치.
  15. 제8항에 있어서, 상기 노즐수단은 제거액으로서 신나를 기판의 둘레부에 뿜어대는 것을 특징으로 하는 처리장치.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100341009B1 (ko) * 1996-04-09 2002-11-29 동경 엘렉트론 주식회사 기판의레지스트처리장치및레지스트처리방법
KR100740239B1 (ko) * 1999-10-19 2007-07-18 동경 엘렉트론 주식회사 도포처리장치 및 도포처리방법
KR101042666B1 (ko) 2006-06-16 2011-06-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액 처리 장치 및 액 처리 방법
KR101062253B1 (ko) * 2006-06-16 2011-09-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액 처리 장치

Families Citing this family (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3069945B2 (ja) * 1995-07-28 2000-07-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US6350319B1 (en) 1998-03-13 2002-02-26 Semitool, Inc. Micro-environment reactor for processing a workpiece
US6413436B1 (en) 1999-01-27 2002-07-02 Semitool, Inc. Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece
US6264752B1 (en) * 1998-03-13 2001-07-24 Gary L. Curtis Reactor for processing a microelectronic workpiece
US5993552A (en) * 1996-08-08 1999-11-30 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus
JP3202929B2 (ja) * 1996-09-13 2001-08-27 東京エレクトロン株式会社 処理システム
TW357389B (en) * 1996-12-27 1999-05-01 Tokyo Electric Ltd Apparatus and method for supplying process solution to surface of substrate to be processed
JP3300624B2 (ja) * 1997-01-24 2002-07-08 東京エレクトロン株式会社 基板端面の洗浄方法
JP3336898B2 (ja) * 1997-02-28 2002-10-21 三菱電機株式会社 シリコンウエハ表面の不純物回収方法およびその装置
US6355397B1 (en) * 1997-04-11 2002-03-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method and apparatus for improving resist pattern developing
TW419716B (en) * 1997-04-28 2001-01-21 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus
JP3265237B2 (ja) * 1997-08-01 2002-03-11 東京エレクトロン株式会社 基板縁部の薄膜除去装置
TW442336B (en) * 1997-08-19 2001-06-23 Tokyo Electron Ltd Film forming method
TW385489B (en) 1997-08-26 2000-03-21 Tokyo Electron Ltd Method for processing substrate and device of processing device
TW459266B (en) * 1997-08-27 2001-10-11 Tokyo Electron Ltd Substrate processing method
TW418452B (en) 1997-10-31 2001-01-11 Tokyo Electron Ltd Coating process
TW392226B (en) 1997-11-05 2000-06-01 Tokyo Electron Ltd Apparatus for processing substrate
JP3320648B2 (ja) * 1997-12-04 2002-09-03 東京エレクトロン株式会社 レジスト膜の形成方法及びレジスト膜の形成装置
US6423642B1 (en) * 1998-03-13 2002-07-23 Semitool, Inc. Reactor for processing a semiconductor wafer
US6318385B1 (en) 1998-03-13 2001-11-20 Semitool, Inc. Micro-environment chamber and system for rinsing and drying a semiconductor workpiece
TW452828B (en) * 1998-03-13 2001-09-01 Semitool Inc Micro-environment reactor for processing a microelectronic workpiece
US20050217707A1 (en) * 1998-03-13 2005-10-06 Aegerter Brian K Selective processing of microelectronic workpiece surfaces
US6632292B1 (en) * 1998-03-13 2003-10-14 Semitool, Inc. Selective treatment of microelectronic workpiece surfaces
JPH11283950A (ja) * 1998-03-30 1999-10-15 Ebara Corp 基板洗浄装置
KR100271768B1 (ko) 1998-06-26 2001-02-01 윤종용 반도체 포토레지스트제거용 용제조성물, 이를 이용한 반도체장치 제조용 웨이퍼의 리워크방법 및 반도체장치의 제조방법
US6497801B1 (en) * 1998-07-10 2002-12-24 Semitool Inc Electroplating apparatus with segmented anode array
TWM249206U (en) 1998-07-31 2004-11-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus
US6361600B1 (en) * 1998-08-04 2002-03-26 Tokyo Electron Limited Film forming apparatus and film forming method
KR100529872B1 (ko) * 1998-09-09 2005-11-22 동경 엘렉트론 주식회사 현상방법 및 현상장치
US6680253B2 (en) 1999-01-22 2004-01-20 Semitool, Inc. Apparatus for processing a workpiece
US6492284B2 (en) 1999-01-22 2002-12-10 Semitool, Inc. Reactor for processing a workpiece using sonic energy
US6548411B2 (en) 1999-01-22 2003-04-15 Semitool, Inc. Apparatus and methods for processing a workpiece
US6511914B2 (en) 1999-01-22 2003-01-28 Semitool, Inc. Reactor for processing a workpiece using sonic energy
US7217325B2 (en) * 1999-01-22 2007-05-15 Semitool, Inc. System for processing a workpiece
US6916412B2 (en) * 1999-04-13 2005-07-12 Semitool, Inc. Adaptable electrochemical processing chamber
EP1192298A4 (en) * 1999-04-13 2006-08-23 Semitool Inc APPENDIX FOR THE ELECTROCHEMICAL TREATMENT OF A WORKPIECE
US7438788B2 (en) * 1999-04-13 2008-10-21 Semitool, Inc. Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces
US7189318B2 (en) * 1999-04-13 2007-03-13 Semitool, Inc. Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece
US7160421B2 (en) * 1999-04-13 2007-01-09 Semitool, Inc. Turning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece
US20030038035A1 (en) * 2001-05-30 2003-02-27 Wilson Gregory J. Methods and systems for controlling current in electrochemical processing of microelectronic workpieces
US7020537B2 (en) * 1999-04-13 2006-03-28 Semitool, Inc. Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece
US7264698B2 (en) * 1999-04-13 2007-09-04 Semitool, Inc. Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces
US6170494B1 (en) * 1999-11-12 2001-01-09 Advanced Micro Devices, Inc. Method for automatically cleaning resist nozzle
US6565656B2 (en) 1999-12-20 2003-05-20 Toyko Electron Limited Coating processing apparatus
US6497241B1 (en) * 1999-12-23 2002-12-24 Lam Research Corporation Hollow core spindle and spin, rinse, and dry module including the same
US6286231B1 (en) 2000-01-12 2001-09-11 Semitool, Inc. Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying
US20050183959A1 (en) * 2000-04-13 2005-08-25 Wilson Gregory J. Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectric workpiece
AU2001282879A1 (en) * 2000-07-08 2002-01-21 Semitool, Inc. Methods and apparatus for processing microelectronic workpieces using metrology
KR100436361B1 (ko) * 2000-12-15 2004-06-18 (주)케이.씨.텍 기판 가장자리를 세정하기 위한 장치
US20050061676A1 (en) * 2001-03-12 2005-03-24 Wilson Gregory J. System for electrochemically processing a workpiece
JP4025030B2 (ja) * 2001-04-17 2007-12-19 東京エレクトロン株式会社 基板の処理装置及び搬送アーム
US6823880B2 (en) * 2001-04-25 2004-11-30 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho High pressure processing apparatus and high pressure processing method
EP1481114A4 (en) * 2001-08-31 2005-06-22 Semitool Inc DEVICE AND METHOD FOR ELECTROCHEMICAL PROCESSING OF MICROELECTRONIC WORKPIECES
US20030136431A1 (en) * 2002-01-24 2003-07-24 Semitool, Inc. Method and apparatus for cleaning of microelectronic workpieces after chemical-mechanical planarization
US6716285B1 (en) * 2002-10-23 2004-04-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Spin coating of substrate with chemical
US20040108212A1 (en) * 2002-12-06 2004-06-10 Lyndon Graham Apparatus and methods for transferring heat during chemical processing of microelectronic workpieces
JP3890025B2 (ja) * 2003-03-10 2007-03-07 東京エレクトロン株式会社 塗布処理装置及び塗布処理方法
EP1609172B1 (en) * 2003-03-20 2009-01-14 Sez Ag Device and method for wet treatment of disc-shaped articles
US7247209B2 (en) * 2003-06-12 2007-07-24 National Semiconductor Corporation Dual outlet nozzle for the combined edge bead removal and backside wash of spin coated wafers
US7748392B2 (en) * 2004-02-17 2010-07-06 Appleton Papers Inc. Edge cleaner device for coating process
DE102004019731A1 (de) * 2004-04-20 2005-11-10 Sse Sister Semiconductor Equipment Gmbh Vorrichtung zum Drehbelacken von Substraten
KR100568873B1 (ko) * 2004-11-30 2006-04-10 삼성전자주식회사 웨이퍼의 에지 비드 스트립용 노즐장치
EP1848025B1 (en) * 2006-04-18 2009-12-02 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus
US20070254098A1 (en) * 2006-04-28 2007-11-01 Applied Materials, Inc. Apparatus for single-substrate processing with multiple chemicals and method of use
JP4521056B2 (ja) * 2006-05-15 2010-08-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置および記録媒体
US8091504B2 (en) * 2006-09-19 2012-01-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for cleaning spin coater
US7741583B2 (en) * 2007-03-22 2010-06-22 Tokyo Electron Limited Bake plate lid cleaner and cleaning method
DE102007033226A1 (de) * 2007-07-17 2009-01-22 Kosub, Johann Aerodynamisches Schleuderverfahren zum Auftragen von flüssigen Schichten
JP4825178B2 (ja) * 2007-07-31 2011-11-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
DE102008044753A1 (de) * 2007-08-29 2009-03-05 Tokyo Electron Limited Substratbearbeitungsvorrichtung und Verfahren
DE102009007260B3 (de) * 2009-02-03 2010-06-10 Suss Microtec Lithography Gmbh Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats
CN103492089B (zh) * 2011-04-26 2015-11-25 龙云株式会社 除膜方法、除膜用喷嘴和除膜装置
JP5789546B2 (ja) 2011-04-26 2015-10-07 東京エレクトロン株式会社 塗布処理装置、塗布現像処理システム、並びに塗布処理方法及びその塗布処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
TWM418398U (en) * 2011-08-10 2011-12-11 Manz Taiwan Ltd Elevation Conveying type Chemical bath deposition apparatus
JP6239893B2 (ja) * 2013-08-07 2017-11-29 株式会社荏原製作所 ウェット処理装置及びこれを備えた基板処理装置
JP6032189B2 (ja) * 2013-12-03 2016-11-24 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、記憶媒体
CN104808446B (zh) * 2015-05-07 2021-02-02 合肥京东方光电科技有限公司 一种涂布机
WO2016179818A1 (en) * 2015-05-14 2016-11-17 Acm Research (Shanghai) Inc. Apparatus for substrate bevel and backside protection
CN111524847A (zh) * 2020-05-06 2020-08-11 杭州众硅电子科技有限公司 一种晶圆传输装置、传输方法及cmp设备清洗模块
NL2025916B1 (en) * 2020-06-25 2022-02-21 Suss Microtec Lithography Gmbh Wet Process Module and Method of Operation
NL2028766B1 (en) * 2021-07-16 2023-01-23 Dd Innovations B V Medicine unit container for use in a medicine unit

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5217813A (en) * 1975-07-29 1977-02-10 Fuji Photo Film Co Ltd Photographic light sensitive material and method of spin coating to provide the same
JPS6028385B2 (ja) * 1980-04-26 1985-07-04 呉船産業株式会社 洗浄乾燥装置
JPS61296724A (ja) * 1985-06-26 1986-12-27 Hitachi Ltd 高圧ジエツトスクラバ洗浄装置
JPH0680695B2 (ja) * 1987-07-03 1994-10-12 日本電気株式会社 半導体装置
JPH01296724A (ja) * 1988-05-24 1989-11-30 Nec Corp 衛星交換制御方式
JPH0290523A (ja) * 1988-09-28 1990-03-30 Hitachi Ltd 基板洗浄装置
JPH0628223Y2 (ja) * 1989-06-14 1994-08-03 大日本スクリーン製造株式会社 回転塗布装置
JPH0322428A (ja) * 1989-06-19 1991-01-30 Nec Kyushu Ltd 半導体装置の製造装置
JP2655455B2 (ja) * 1991-05-27 1997-09-17 日本電気株式会社 遠心脱水機
JPH04363022A (ja) * 1991-06-06 1992-12-15 Enya Syst:Kk 貼付板洗浄装置
JP3011806B2 (ja) * 1991-10-22 2000-02-21 東京エレクトロン株式会社 角状被処理体のフォトレジスト除去装置
JPH05200350A (ja) * 1992-01-27 1993-08-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板端縁洗浄装置
US5439519A (en) * 1992-04-28 1995-08-08 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Solution applying apparatus
JP2654314B2 (ja) * 1992-06-04 1997-09-17 東京応化工業株式会社 裏面洗浄装置
NL9201825A (nl) * 1992-10-21 1994-05-16 Od & Me Bv Inrichting voor het vervaardigen van een matrijs voor een schijfvormige registratiedrager.
US5371046A (en) * 1993-07-22 1994-12-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method to solve sog non-uniformity in the VLSI process
US5454371A (en) * 1993-11-29 1995-10-03 London Health Association Method and system for constructing and displaying three-dimensional images
JP3022428U (ja) 1995-09-06 1996-03-26 羅 新新 底端に凹状部を設けたカップ

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100341009B1 (ko) * 1996-04-09 2002-11-29 동경 엘렉트론 주식회사 기판의레지스트처리장치및레지스트처리방법
KR100740239B1 (ko) * 1999-10-19 2007-07-18 동경 엘렉트론 주식회사 도포처리장치 및 도포처리방법
KR101042666B1 (ko) 2006-06-16 2011-06-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액 처리 장치 및 액 처리 방법
KR101062253B1 (ko) * 2006-06-16 2011-09-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액 처리 장치

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