KR100298457B1 - Duty cycle correction circuit - Google Patents
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Abstract
본 발명은 클럭발생기에 관한 것으로 출력클럭을 보정부에 피드백시켜 인에이블 트랜지스터에 흐르는 정전류를 방지하여 안정된 50%의 듀티비를 갖는 듀티사일클에 적당한 듀티사이클 보정회로에 관한 것으로, 입력클럭을 반전시키는 제1 CMOS인버터, 상기 제1 CMOS인버터의 출력클럭을 반전시키는 제2 CMOS인버터, 상기 제2 CMOS인버터의 출력클럭을 입력받아 제1,제2 보정전압(Vcp,Vcn)을 발생시키는 보정전압발생부, 상기 제2 CMOS인버터의 피드백 신호와 제1 보정전압을 각각 게이트신호로 제공받아 상기 제1 CMOS인버터의 출력클럭에 대한 듀티비를 선택적으로 보정하는 제1 보정부, 상기 제2 CMOS인버터의 피드백 신호와 제2 보정전압을 각각 게이트신호로 제공받아 상기 제1 CMOS인버터의 출력클럭에 대한 듀티비를 선택적으로 보정하는 제2 보정부를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a clock generator. The present invention relates to a duty cycle correction circuit suitable for a duty cycle having a stable 50% duty ratio by feeding an output clock back to a correction unit to prevent a constant current flowing through an enable transistor. A correction voltage for generating first and second correction voltages (Vcp, Vcn) by receiving a first CMOS inverter, a second CMOS inverter for inverting the output clock of the first CMOS inverter, and an output clock of the second CMOS inverter. A first compensator for selectively correcting a duty ratio for an output clock of the first CMOS inverter by receiving a feedback signal and a first correction voltage of the second CMOS inverter as a gate signal, respectively, of the second CMOS inverter And a second correction unit configured to receive a feedback signal and a second correction voltage as a gate signal to selectively correct a duty ratio for an output clock of the first CMOS inverter. It is characterized by loosening.
Description
본 발명은 클럭발생회로에 관한 것으로 특히, 50% 의 듀티비를 갖는 듀티사이클이 안정된 보정범위에서 동작하는데 적당한 듀티사이클 보정회로에 관한 것이다.The present invention relates to a clock generation circuit, and more particularly, to a duty cycle correction circuit suitable for a duty cycle having a duty ratio of 50% to operate in a stable correction range.
일반적으로 PLL(Phase locked loop)과 DLL(Delay locked loop)은 온칩 클럭 버퍼링 딜레이를 없애고 입출력 타이밍 마진을 향상시키기 위해 사용되며, DLL은 지터(jitter)특성이 좋고 스테이블하여 비교적 간단하기 때문에 클럭합성이 불필요한 경우 PLL대신 사용된다.In general, phase locked loops (PLLs) and delay locked loops (DLLs) are used to eliminate on-chip clock buffering delays and improve I / O timing margins. If this is unnecessary, it is used instead of PLL.
또한 DLL은 아날로그방식 또는 디지탈방식으로 구현할 수 있는데 아날로그방식이 일반적으로 지터(jitter)특성이 더 좋고 레이아웃면적과 전력소비가 더 적은 반면, 디지탈방식은 더 간단하므로 쉽게 설계할 수 있으며 전원전압이 더 낮아도 되는 차이가 있다.In addition, the DLL can be implemented in an analog or digital manner. The analog method generally has better jitter characteristics, has a lower layout area and power consumption, while the digital method is simpler and easier to design. There is a difference that can be low.
그리고 디지탈클럭 신호는 전원전압(Vdd)과 접지전압(Vss) 사이의 전압값을 갖는 펄스의 순차적 발생으로써 펄스의 폭(W) 및 주기(T)를 가지며 비율 W/T는 듀티비를 나타내고 클럭신호는 상승천이와 하강천이의 두가지 경우를 가질 수 있다.The digital clock signal is a sequential generation of a pulse having a voltage value between the power supply voltage (Vdd) and the ground voltage (Vss), and has a width (W) and a period (T) of a pulse, and a ratio W / T represents a duty ratio and a clock. The signal can have two cases of rising and falling transitions.
한편 디지탈클럭의 듀티사이클은 일반적으로 퍼센티지(%)로 나타내며 하이 (high)와 로우(low) 포션(portion)이 같은 파형 즉 50% 듀티비를 갖는 듀티사이클이 요구된다.On the other hand, the duty cycle of the digital clock is generally expressed as a percentage, and a duty cycle with the same high and low potion, that is, 50% duty ratio, is required.
이하 첨부된 도면을 참조하여 종래 듀티사이클 보정회로에 관하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a conventional duty cycle correction circuit will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1 은 종래의 디지탈 DLL을 나타낸 블럭도로서, 위상 스플리터(phase-splitter), 제1, 제2 딜레이체인(delay chain)(11a,11b), EOCD(end of cycle dete- ctor), 카운터/상태제어로직 및 셀렉션 로직부, 듀얼 제1 멀티플렉서 및 듀티사이클 보정회로(12a), 블렌더 회로(blender circuit), 제2 멀티플렉서 및 듀티사이클보정회로(12b), 필터(filter), 위상검출기(phase detector), 듀티사이클 에러 검출부로 구성된다.1 is a block diagram illustrating a conventional digital DLL, including phase-splitter, first and second delay chains 11a and 11b, end of cycle deterctor, EOCD, and counter / State control logic and selection logic, dual first multiplexer and duty cycle correction circuit 12a, blender circuit, second multiplexer and duty cycle correction circuit 12b, filter, phase detector ), And a duty cycle error detection unit.
여기서 종래의 디지탈 DLL은 CMOS인버터로 이루어진 제1,제2 딜레이체인 (11a,11b)을 이용하는데 이러한 딜레이 체인(11a,11b)은 클럭 신호가 인버터단을 거침에 따라 듀티비가 가변하므로 듀티사이클 보정회로(12a,12b)가 필요하다.Here, the conventional digital DLL uses the first and second delay chains 11a and 11b made of CMOS inverters. The delay chains 11a and 11b have a duty cycle correction because the duty ratio varies as the clock signal passes through the inverter stage. Circuits 12a and 12b are needed.
도 2 는 종래의 듀티사이클 보정회로를 나타낸 회로도로서, 입력클럭을 반전시키는 제1 CMOS인버터(21)와, 상기 제1 CMOS인버터(21)의 출력을 반전시키는 제2 CMOS인버터(22)와, 게이트단자에 제1 보정전압(Vcp)이 인가되고 소스단자에 전원전압(Vdd)이 공급되며 드레인단자에 상기 제1 CMOS인버터(21)의 출력단이 연결된 PMOS(23)와, 게이트단자에 제2 보정전압(Vcn)이 인가되고 소스단자에 접지단이 연결되며 드레인단자에 상기 제1 CMOS인버터(21)의 출력단이 연결된 NMOS(24)와, 상기 제2 CMOS인버터(22)의 출력클럭을 입력받아 제1,제2 보정전압을 발생하는 보정전압발생부(25)로 구성된다.2 is a circuit diagram showing a conventional duty cycle correction circuit, comprising: a first CMOS inverter 21 for inverting an input clock, a second CMOS inverter 22 for inverting the output of the first CMOS inverter 21, The first correction voltage Vcp is applied to the gate terminal, the power supply voltage Vdd is supplied to the source terminal, and the PMOS 23 connected to the output terminal of the first CMOS inverter 21 is connected to the drain terminal, and the second terminal is connected to the gate terminal. Input the NMOS 24 and the output clock of the second CMOS inverter 22, the correction voltage Vcn is applied, the ground terminal is connected to the source terminal, and the output terminal of the first CMOS inverter 21 is connected to the drain terminal. And a correction voltage generator 25 that generates the first and second correction voltages.
상기와 같이 구성된 종래의 듀티사이클 보정회로의 동작에 대해 첨부도면 도 3a 내지 도 3c 를 참조하여 설명하면 다음과 같다.The operation of the conventional duty cycle correction circuit configured as described above will be described with reference to FIGS. 3A to 3C.
도 3a 에 도시된 바와 같이 입력클럭(clk_in)의 듀티비가 50% 일 때는 제1 보정전압은 Vdd에 이르는 값이 되고 제2 보정전압(Vcn)은 Vss에 근사되어 NMOS(24)와 PMOS(23)가 차단되므로 출력클럭은 50% 듀티비를 유지한다.As shown in FIG. 3A, when the duty ratio of the input clock clk_in is 50%, the first correction voltage becomes a value reaching Vdd and the second correction voltage Vcn is approximated to Vss so that the NMOS 24 and the PMOS 23 are approximated. ), The output clock maintains 50% duty ratio.
도 3b 에 도시된 바와 같이, 입력클럭의 듀티비가 50% 이하일 때는 제2 보정전압이 Vss에서 상승하고 제1 보정전압이 Vdd에 근사된 값을 유지하므로 PMOS(23)는 차단되며 NMOS(24)는 턴온된다.As shown in FIG. 3B, when the duty ratio of the input clock is 50% or less, since the second correction voltage rises at Vss and the first correction voltage maintains a value close to Vdd, the PMOS 23 is blocked and the NMOS 24 is blocked. Is turned on.
이어 입력클럭이 하이에서 로우로 천이할 때 제1 CMOS인버터(21)는 출력을 로우에서 하이로 천이시키려고 하지만 NMOS(24)가 노드 X 를 로우상태로 유지하고 있으므로 상승천이 딜레이구간(31)이 길어지게 된다.Subsequently, when the input clock transitions from high to low, the first CMOS inverter 21 attempts to shift the output from low to high, but since the NMOS 24 keeps the node X low, the rising transition delay period 31 It will be longer.
한편 입력클럭의 듀티비가 50% 이상일 때는 제1 보정전압이 Vdd에서 하강하고 제2 보정전압이 Vss에 근사하므로 NMOS(24)는 차단되며 PMOS(23)는 턴온된다.On the other hand, when the duty ratio of the input clock is 50% or more, since the first correction voltage drops at Vdd and the second correction voltage is close to Vss, the NMOS 24 is blocked and the PMOS 23 is turned on.
이어 입력클럭이 로우에서 하이로 천이할 때 제1 CMOS인버터(21)는 출력을 하이에서 로우로 천이시키려고 하지만 PMOS(23)가 노드 X 를 하이상태로 유지하고 있으므로 하강천이 딜레이구간(32)이 길어지게 된다.Subsequently, when the input clock transitions from low to high, the first CMOS inverter 21 attempts to shift the output from high to low, but since the PMOS 23 keeps the node X high, the falling delay delay section 32 It will be longer.
즉 노드 X 의 상승천이 구간(31)과 하강천이 구간(32)이 턴온된 트랜지스터로 인해 더 딜레이되어 출력클럭에 대한 듀티비가 50%로 보정된다.That is, due to the transistors having the rising transition section 31 and the falling transition section 32 of the node X turned on, the delay ratio of the output clock is corrected to 50%.
여기서 상기 항상 턴온되는 트랜지스터로 인해 전원전압에서 접지단자로 정전류가 흐르게 되고, 상기 정전류에 의해 발생되는 전압은 출력클럭의 △V만큼의 진폭을 감소시킨다.In this case, a constant current flows from the power supply voltage to the ground terminal due to the transistor that is always turned on, and the voltage generated by the constant current decreases the amplitude by ΔV of the output clock.
그러나 상기와 같은 종래의 듀티사이클 보정회로는 듀티비 50% 를 벗어났을 때 매사이클의 반주기동안 턴온된 트랜지스터에 정전류가 계속 흐르게 되는 문제점이 있다.However, the conventional duty cycle correction circuit as described above has a problem in that a constant current flows continuously through the transistor turned on for every half period of the cycle when the duty ratio is 50%.
또한 입력클럭의 듀티비 50% 에서 많이 차이가나면 그만큼 제1 보정전압이나 제2 보정전압이 변동하여 노드 X 의 레벨이 일정하지 않기 때문에 출력클럭이 불안정하게 동작하고 듀티사이클 보정 범위가 넒지 않다.In addition, if the difference between the 50% duty cycle of the input clock is significantly different, the first correction voltage or the second correction voltage fluctuates so that the level of the node X is not constant, so the output clock operates unstable and the duty cycle correction range is not short.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 출력클럭을 보정부에 피드백시켜 턴온되는 트랜지스터에 흐르는 정전류를 방지하여 듀티비 50%를 갖는 안정된 듀티사이클을 발생하는데 적당한 듀티사이클 보정회로를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and provides a duty cycle correction circuit suitable for generating a stable duty cycle having a duty ratio of 50% by feeding an output clock back to the correction unit to prevent a constant current flowing through the transistor turned on. Its purpose is to.
도 1 은 일반적인 디지탈 DLL을 나타낸 구성 블럭도1 is a block diagram showing a general digital DLL
도 2 는 종래의 듀티사이클 보정회로를 나타낸 회로도2 is a circuit diagram showing a conventional duty cycle correction circuit.
도 3a 내지 도 3c 는 도 2 의 동작을 나타낸 파형도3A to 3C are waveform diagrams showing the operation of FIG.
도 4 는 본 발명에 따른 듀티사이클 보정회로를 나타낸 회로도4 is a circuit diagram showing a duty cycle correction circuit according to the present invention.
도 5a 내지 도 5c는 도 4 의 동작을 나타낸 파형도5A to 5C are waveform diagrams showing the operation of FIG.
도 6 은 도 4 의 보정전압범위를 나타낸 도면6 is a diagram illustrating a correction voltage range of FIG. 4.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
30 : 제1 CMOS인버터 40 : 제2 CMOS인버터30: first CMOS inverter 40: second CMOS inverter
50 : 보정전압발생부 60 : 제1 보정부50: correction voltage generator 60: first correction unit
70 : 제2 보정부70: second correction unit
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 듀티사이클 보정회로는 입력클럭을 반전시키는 제1 CMOS인버터와, 상기 제1 CMOS인버터의 출력클럭을 반전시키는 제2 CMOS인버터와, 상기 제2 CMOS인버터의 출력클럭에 의해 제1 보정전압, 제2 보정전압을 발생시키는 보정전압발생부와, 상기 제2 CMOS인버터의 피드백 신호와 제1 보정전압을 입력받아 상기 제1 CMOS인버터의 출력클럭에 대한 듀티비를 선택적으로 보정하는 제1 보정부와, 상기 제2 CMOS인버터의 피드백 신호와 제2 보정전압을 입력받아 상기 제1 CMOS인버터의 출력클럭에 대한 듀티비를 선택적으로 보정하는 제2 보정부를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.A duty cycle correction circuit according to the present invention for achieving the above object includes a first CMOS inverter for inverting the input clock, a second CMOS inverter for inverting the output clock of the first CMOS inverter, and the second CMOS inverter. A duty ratio for the output clock of the first CMOS inverter by receiving a correction voltage generator for generating a first correction voltage and a second correction voltage by an output clock, a feedback signal of the second CMOS inverter, and a first correction voltage. A first compensator for selectively correcting the voltage and a second compensator for selectively correcting a duty ratio of an output clock of the first CMOS inverter by receiving a feedback signal and a second correction voltage of the second CMOS inverter; Characterized in that configured.
이하 본 발명에 따른 듀티사이클 보정회로에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a duty cycle correction circuit according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 4 는 본 발명에 따른 듀티사이클 보정회로를 나타낸 회로도이고 도 5a 내지 도 5b는 도 4의 동작을 나타낸 파형도이며, 도 6은 도 4의 보정전압의 범위를 나타낸 도면이다.4 is a circuit diagram illustrating a duty cycle correction circuit according to the present invention, and FIGS. 5A to 5B are waveform diagrams illustrating the operation of FIG. 4, and FIG. 6 is a diagram illustrating a range of the correction voltage of FIG. 4.
먼저 본 발명에 따른 듀티사이클 보정회로는 입력클럭(CLK_IN)을 반전시키는제1 CMOS인버터(30)와, 상기 제1 CMOS인버터(30)의 출력신호(Y)를 반전시키는 제2 CMOS인버터(40)와, 상기 제2 CMOS인버터(40)의 출력클럭(CLK_OUT)에 의해 제1 보정전압(Vcp), 제2 보정전압(Vcn)을 발생시키는 보정전압발생부(50)와, 상기 제2 CMOS인버터(40)의 출력클럭의 피드백 신호(Z)와 제1 보정전압을 입력받아 상기 제1 CMOS인버터(30)의 출력클럭에 대한 듀티비를 선택적으로 보정하는 제1 보정부(60)와, 상기 제2 CMOS인버터(40)의 출력클럭의 피드백 신호(Z)와 제2 보정전압을 입력받아 상기 제1 CMOS인버터(30)의 출력클럭에 대한 듀티비를 선택적으로 보정하는 제2 보정부(70)로 구성된다.First, the duty cycle correction circuit according to the present invention includes a first CMOS inverter 30 for inverting the input clock CLK_IN and a second CMOS inverter 40 for inverting the output signal Y of the first CMOS inverter 30. ), A correction voltage generator 50 for generating a first correction voltage Vcp and a second correction voltage Vcn by the output clock CLK_OUT of the second CMOS inverter 40, and the second CMOS. A first corrector 60 which receives a feedback signal Z of the output clock of the inverter 40 and a first correction voltage and selectively corrects the duty ratio of the output clock of the first CMOS inverter 30; A second corrector configured to receive a feedback signal Z of the output clock of the second CMOS inverter 40 and a second correction voltage to selectively correct the duty ratio of the output clock of the first CMOS inverter 30 ( 70).
여기서 상기 제1 보정부(60)는 상기 제1 CMOS인버터(30)의 출력단(Y)에 드레인단자가 연결되고 게이트단자에 제1 보정전압이 입력되는 제1 PMOS(61)와, 상기 제1 PMOS(61)의 소스단자에 드레인단자가 연결되고 소스단자에 Vdd가 공급되며 게이트단자에 상기 제2 CMOS인버터(40)의 출력클럭(Z)이 피드백되어 인가되는 제2 PMOS(62)로 구성된다.The first compensator 60 includes a first PMOS 61 having a drain terminal connected to an output terminal Y of the first CMOS inverter 30 and a first correction voltage input to a gate terminal, It consists of a second PMOS 62 which is connected to the drain terminal of the PMOS 61, the Vdd is supplied to the source terminal, and the output clock Z of the second CMOS inverter 40 is fed back to the gate terminal. do.
그리고 상기 제2 보정부(70)는 상기 제1 CMOS인버터(30)의 출력단(Y)에 드레인단자가 연결되고 게이트단자에 제2 보정전압이 입력되는 제1 NMOS(71)와, 상기 제1 NMOS(71)의 소스단자에 드레인단자가 연결되고 접지단에 소스단자가 연결되며 게이트단자에 상기 제2 CMOS인버터(40)의 출력클럭(C)이 피드백되어 인가되는 제2 NMOS(72)로 구성된다.The second compensator 70 includes a first NMOS 71 having a drain terminal connected to an output terminal Y of the first CMOS inverter 30 and a second correction voltage input to a gate terminal, and the first NMOS 71 being connected to the gate terminal. The drain terminal is connected to the source terminal of the NMOS 71 and the source terminal is connected to the ground terminal, and the output clock C of the second CMOS inverter 40 is fed back to the gate terminal to the second NMOS 72. It is composed.
상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 듀티사이클 보정회로의 동작에 대하여 첨부도면 도 5a 내지 도 5c, 도 6 을 참조하여 설명하면 다음과 같다.The operation of the duty cycle correction circuit according to the present invention configured as described above will be described with reference to FIGS. 5A to 5C and 6.
도 5a 에 도시된 바와 같이, 입력클럭(CLK_IN)의 듀티비가 50% 일 때 제1 보정전압은 Vdd-Vtp에 이르고 제2 보정전압은 Vtn에 근사한 값을 가지므로 제1 PMOS(61), 제1 NMOS(71)가 차단 상태를 유지하게 되어 출력클럭(CLK_OUT)에 대한 듀티비 50% 를 유지한다.As shown in FIG. 5A, when the duty ratio of the input clock CLK_IN is 50%, the first correction voltage reaches Vdd-Vtp and the second correction voltage has a value close to Vtn. 1 NMOS 71 remains blocked to maintain a 50% duty ratio for output clock CLK_OUT.
여기서 Vtp는 제1 PMOS(61)의 문턱전압이고, Vtn은 제1 NMOS(71)의 문턱전압이며 Vdd는 제1 PMOS(61)의 소스단자에 공급되는 전원전압을 나타낸다.Where Vtp is the threshold voltage of the first PMOS 61, Vtn is the threshold voltage of the first NMOS 71, and Vdd is the power supply voltage supplied to the source terminal of the first PMOS 61.
도 5b 에 도시된 바와 같이, 입력클럭의 듀티비가 50% 이하일 때 제1 보정전압이 Vdd까지 듀티비차이만큼 상승하므로 제1 PMOS(61)는 차단되고 제2 보정전압이 Vtn에서 상승하므로 제1 NMOS(71)는 턴온된다.As shown in FIG. 5B, when the duty ratio of the input clock is 50% or less, since the first correction voltage rises by the duty ratio difference up to Vdd, the first PMOS 61 is blocked and the second correction voltage rises at Vtn, so that the first NMOS 71 is turned on.
이어 입력클럭이 하이에서 로우로 천이할 때 상기 제1 CMOS인버터(31)는 클럭을 로우에서 하이로 천이시키려고 하지만 제1 NMOS(71)와 제2 NMOS(72)가 노드 Y를 로우상태로 유지하고 있으므로 상승천이 딜레이 구간(51)이 길어지게 된다.Subsequently, when the input clock transitions from high to low, the first CMOS inverter 31 attempts to shift the clock from low to high, but the first NMOS 71 and the second NMOS 72 keep the node Y low. As a result, the rising transition delay section 51 becomes long.
이어 제2 CMOS인버터(32)는 상기 노드 Y 에서 보정된 클럭을 하이에서 로우로 천이하고, 출력클럭을 제2 NMOS(72)의 게이트단자에 피드백시켜 상기 제2 NMOS (72)를 차단시키므로써 접지단으로의 전류 패스가 단락되므로 턴온된 제1 NMOS(71)에 정전류가 흐르지 않는다.The second CMOS inverter 32 then transitions the clock corrected at the node Y from high to low and feeds the output clock back to the gate terminal of the second NMOS 72 to block the second NMOS 72. Since the current path to the ground terminal is shorted, no constant current flows through the turned-on first NMOS 71.
여기서 노드 Y 에서의 상승천이 딜레이 구간(51)이 커지게 되므로 제2 CMOS인버터(40)의 출력클럭의 하이 구간이 늘어나 듀티비 50% 로 보정되고, 출력클럭의 피드백신호에 의해 노드 Y 가 Vdd까지 빠르게 상승하므로 출력클럭의 천이구간이 완만해지는 것을 방지한다.Here, since the rising transition delay node 51 in the node Y becomes large, the high period of the output clock of the second CMOS inverter 40 is increased to compensate for the duty ratio of 50%, and the node Y is Vdd by the feedback signal of the output clock. It rises quickly until it prevents the transition section of the output clock from slowing down.
도 5c 에 도시된 바와 같이, 입력클럭의 듀티비가 50% 이상일 때 제1 보정전압이 Vdd-Vtp에서 듀티비 차이만큼 내려가고 제2 보정전압이 Vss까지 하강하므로 제1 PMOS(61)는 턴온되고 제1 NMOS(71)는 차단된다.As shown in FIG. 5C, when the duty ratio of the input clock is 50% or more, the first PMOS 61 is turned on because the first correction voltage is lowered by the duty ratio difference from Vdd-Vtp and the second correction voltage is lowered to Vss. The first NMOS 71 is cut off.
이어 입력클럭이 로우에서 하이로 천이할 때 상기 제1 CMOS인버터(30)는 클럭을 하이에서 로우로 천이시키려고 하지만 제1 PMOS(61)와 제2 PMOS(62)가 노드 Y를 하이상태로 유지하고 있으므로 하강천이 딜레이구간(52)이 길어지게 된다.Subsequently, when the input clock transitions from low to high, the first CMOS inverter 30 attempts to shift the clock from high to low, but the first PMOS 61 and the second PMOS 62 keep node Y high. Since the descending stream delay section 52 is long.
이어 제2 CMOS인버터(40)는 노드 Y 에서 보정된 클럭을 로우에서 하이로 천이시키고 상기 제2 CMOS인버터(40)의 출력클럭을 제2 PMOS(62)의 게이트단자에 피드백시켜 상기 제2 PMOS(62)를 차단시키므로 턴온된 제1 PMOS(61)에 정전류가 흐르지 않는다.Subsequently, the second CMOS inverter 40 shifts the clock corrected at the node Y from low to high and feeds the output clock of the second CMOS inverter 40 back to the gate terminal of the second PMOS 62 to supply the second PMOS. Since 62 is blocked, no constant current flows through the turned-on first PMOS 61.
여기서 노드 Y 에서의 하강천이 딜레이 구간(52)이 커지게 되므로 제2 CMOS인버터(40)의 출력클럭의 하이 구간이 늘어나 듀티비 50% 로 보정되고 상기 제2 CMOS인버터의 피드백신호에 의해 노드 Y가 빠르게 Vss까지 하강하므로 천이구간이 완만해지는 것을 방지한다.In this case, since the descending stream of the node Y increases in the delay period 52, the high period of the output clock of the second CMOS inverter 40 is increased to be corrected to a duty ratio of 50%, and the node Y is driven by the feedback signal of the second CMOS inverter. Quickly descends to Vss, thus preventing the transition section from slowing down.
도 6에 도시된 바와 같이, 제1 보정전압은 듀티비 50%일 때 Vdd-Vtp에 근사되는 값을 갖고 50%이하일 때 Vdd-Vtp에서 Vdd까지 상승하며, 50%이상일 때 Vdd-Vtp에서 듀티비 차이만큼 하강한다.As shown in FIG. 6, the first correction voltage has a value approximating Vdd-Vtp when the duty ratio is 50% and rises from Vdd-Vtp to Vdd when 50% or less, and the duty at Vdd-Vtp when 50% or more. Descend by a non-difference.
또한 제2 보정전압은 듀티비 50%일 때 Vtn에 근사되는 값을 갖고 50%이하일 때 Vtn에서 듀티비 차이만큼 상승하며, 50%이상일 때 Vtn에서 Vss까지 하강한다.In addition, the second correction voltage has a value approximating Vtn when the duty ratio is 50%, increases by the duty ratio difference from Vtn when 50% or less, and drops from Vtn to Vss when 50% or more.
이상에서 상술한 바와같이 본 발명에 따른 듀티사이클 보정회로는 듀티비가 50% 에서 많이 차이날 경우 듀티비 보정범위를 넓게함으로써 안정적으로 동작을 할 수 있으며, 또한 출력클럭을 피드백시켜 턴온된 트랜지스터에 흐르는 정전류의 경로를 차단하므로써 전력소모를 감소시킬 수 있는 효과가 있다.As described above, the duty cycle correction circuit according to the present invention can operate stably by widening the duty ratio correction range when the duty ratio is significantly different from 50%, and also feeds the output clock back to the turned-on transistor. By cutting off the constant current path, power consumption can be reduced.
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