KR100339315B1 - 에코보상원리에 따른 u-인터페이스용 펄스 트랜스포머 및 u-인터페이스용 펄스 트랜스포머에 포함된 링형 권자심의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 에코 보상 원리에 따른 U-인터페이스용 펄스 트랜스포머에 관한 것이다. ISDN-통신 시스템에서 디지털 로컬 중계소와 네트워크 종점 사이의 연결은 공공의 2중 와이어 라인에 의해 이루어지며, 상기 2중 와이어 라인의 단부에서는 소위 U-트랜스포머가 배치된다. 네트워크 종점이 최종 참가자에 유도되면, 트랜스포머 사이의 라인 길이가 8 km에 까지 이르는 U_k0-트랜스포머에 대해 언급한다. 전송될 펄스의 비트 에러율은 ＜ 10^-7이어야 하며, 펄스에 최종 참가자에 전력을 공급하기 위한, 80 mA에 까지 달할 수 있는 직류가 중첩된다. 본 발명은 이러한 U_k0-트랜스포머용으로 비정질의 자기 변형이 없는 연자기 합금으로 이루어진 링형 권자심을 제안한다. 제조된 링형 권자심은 자기장 내에서 열처리되고, 상기 열처리는 보호 가스 분위기 하에서 이루어진다.

Description

에코 보상 원리에 따른 U-인터페이스용 펄스 트랜스포머 및 U-인터페이스용 펄스 트랜스포머에 포함된 링형 권자심의 제조 방법 {PULSE TRANSFORMER FOR LINE INTERFACES OPERATING ACCORDING TO THE ECHO COMPENSATION PRINCIPLE AND METHOD FOR PRODUCING A TOROIDAL TAPE CORE COMPRISED IN PULSE A TRANSFORMER FOR LINE INTERFACES}

디지털 통신 시스템, 특히 ISDN-통신 시스템에서 디지털 로컬 중계소와 네트워크 종단(network termination) 사이의 연결은 공공의 2중 와이어 라인에 의해 이루어지며, 2중 와이어 라인의 단부에는 소위 U_K0-트랜스포머 또는 U_HDSL-트랜스포머가 배치된다. 이러한 ISDN-통신 시스템의 개략도는 도 1에 도시된다. 이 경우 이러한 ISDN-통신 시스템은 네트워크 종점(NTBA1), ISDN-로컬 중계소(2), U_K0-트랜스포머(3), 전류 보상 2중 코일(4), 예컨대 IEC PEB 2090와 같은 집적 회로(5) 및 DC/DC-변환기를 갖는 전력 공급기(power supply; 6)로 이루어질 수 있다.

U_K0-인터페이스에서는 코딩(coding) 및 펄스 반복 주파수(puls repetition rate)(f₀)에 따라 4B3T-시스템과 2B1Q-시스템이 구분된다. 4B3T-시스템은 60kHz의 펄스 반복 주파수(f₀) 및 3원(ternary symbol) 4비트 코딩을 갖는다. 이에 반해, 2B1Q-시스템은 40kHz의 펄스 반복 주파수(f₀) 및 4상(quaternary status) 2비트 코딩을 갖는다. 이러한 차이점은 U_K0-트랜스포머의 자기화 전류의 스펙트럼 분포에 영향을 미친다. 자기화 전류의 스펙트럼 분포에 대한 영향은 도 2에 도시된다. 도 2에 도시된 것 처럼 2B1Q-코드의 스펙트럼에서는 전류 진폭이 큰 저주파 성분이 대부분을 차지하는 반면, 4B3T-코드에서는 고주파 성분이 지배적이다. U_K0-4B3T-인터페이스의 경우 트랜스포머 사이의 라인 길이는 5km에 까지 이른다. U_K0-2B1Q-인터페이스 및 U_HDSL-인터페이스에서 트랜스포머 사이의 라인 길이는 통상적으로 더 짧다. 전송되는 cos²형태의 펄스의 에러율은 10^-7보다 항상 작아야 한다.

이는 상기 시스템(4B3T, 2B1Q)에서 80 mA까지 이르고, HDSL에서는 그 이상이다. 복잡한 요인으로서, 단말 가입자에게 원격 (전류) 공급을 위한 직류 전류가 정보 펄스에 중첩되는데, 상기 공급 전류는 인터페이스 트랜스포머 자기 코어의 DC 바이어스(H_dc)를 유발하며, 상기 DC 바이어스의 레벨은 트랜스포머 자기 코어 형상 및 사용된 자기 코어 재료에 의해 결정된다. 이에 대한 기본적인 조건은, 예를 들어 펄스 및 임피던스 마스크(impedance mask)와 같은 관련 표준에 정해진 통신 기술의 특성이 각각 최대의 가능한 조건이나 DC 바이어스 변화하에서도 유지되어야 하는 것이다.

구간의 양 측에 사용된 인터페이스 트랜스포머에서는 하기와 같은 요구 사항이 있다:

a) 최소의 구조물 체적,

b) 하기의 전송 코드 시스템에 대한 적합성,

- 4B3T - U_K0(FZT 1 TR 220 및 ETSI-표준 ETR 80; 60 kHz, 120 kBaud 참조),

- 2B1Q - U_K0(ANSI - T1.601 및 ETSI-표준 ETR 80; 40kHz, 80 Baud 참조),

- 2B1Q 및 CAP - HDSL(ETSI-표준 ETR 152; 2Mbit/sec 참조),

c) 결선된 집적 회로에 따른 1 내지 80 mH의 주인덕턴스,

d) - 4B3T-인터페이스 트랜스포머에서 0 내지 60 mA,

- 2B1Q-인터페이스 트랜스포머에서 0 내지 80 mA(자기력-표준에 따라 결정됨)의 원격 (전류) 공급의 직류 중첩,

e) 트랜스포머 커버리지(coverage) ＞ 800 km(4B3T에서) 또는 ANSI에 따른 15 루프(2B1Q에서),

f) 작은 코어 중량 및 SMD(Surface Mounted Device)-능력.

트랜스포머 코어의 재료로는 지금 까지 페라이트(ferrite), 특히 페라이트 재료 N27 및 N28로 이루어진 페라이트가 사용되었다. 이 경우 요구되는 DC 바이어스 특성은 페라이트 링형 코어의 슬릿(slit)에 의한 시어링(shearing)에 의해 얻어진다. 자기 회로의 이러한 강한 시어링에 의해 원래 비선형인 페라이트 재료의 BH-루프는 선형화되어, 트랜스포머는 요구된 커버리지 또는 비트 에러율을 충족한다. 이 경우 단점은, 시어링이 효과적으로 작용하는 투자율을 200까지 감소시키는 것이다. 1 내지 80 mH의 요구되는 주인덕턴스를 얻기 위해 페라이트 링형 코어의 구조에 있어서 체적이 매우 크게 설계되어야 한다.

또한 페라이트 링형 코어의 사용 시의 단점으로는 많은 1차 및 2차측 권선수가 요구되어 저항 손실 및 용량에 있어서의 장해 작용을 유발할 수 있는 것이다.또한 유럽 특허 출원 제 0 378 823 A2호에는, 25000와 95000 사이의 투자율을 갖는 비정질 코발트 기본 합금으로 이루어진 자기 코어를 포함하는, S₀-인터페이스용 인터페이스 트랜스포머가 공지되어 있다.유럽 특허 출원 제 0 378 823 A2호에 공지된 자기 코어는 10 mA범위 내의 DC 바이어스 및 150 m까지의 전송 커버리지를 갖는 인터페이스에만 적합하다.

본 발명은 에코 보상 원리에 따른 U-인터페이스용 펄스 트랜스포머 및 U-인터페이스용 펄스 트랜스포머에 포함된 링형 권자심의 제조 방법에 관한 것이다.

도 1은 ISDN-통신 시스템의 개략도이며,

도 2는 자기화 전류의 스펙트럼 분포를 도시하고

도 3은 BH-루프를 도시하며,

도 4는 U_k0-트랜스포머용으로 개발된 상이한 비정질 재료에 대한 중첩 자기장 세기(H_dc)와 투자율의 관계를 도시하며,

도 5a는 낮은 레벨 제어를 위해 상이한 표면 특성을 갖는 코어 재료로 이루어진 2개의 4B3T-트랜스포머에 대한 관계를 도시하며,

도 5b는 낮은 레벨 제어를 위해 상이한 표면 특성을 갖는 코어 재료로 이루어진 2개의 2B1Q-트랜스포머에 대한 관계를 도시한다.

본 발명의 목적은, 가능한 작은 구조물 체적을 가지며, 간단한 권선 구조 및 적은 권선수를 가지고, 에러가 없는 전송 커버리지, 특히 8 Km 이상의 전송 커버리지를 보장하는, DC 바이어스를 가할 수 있는, 디지털 전송 시스템용 인터페이스 트랜스포머를 제공하는 것이다.

상기 목적은 본 발명에 따라, 1차 및 2차 권선을 지닌 자기 코어를 구비하고, 2 내지 80 mH의 주인덕턴스 및 낮은 커플링 커패시턴스를 가지며, DC 바이어스를 가할 수 있는 디지털 전송 시스템용 인터페이스 트랜스포머에 의해 달성되며, 여기서 상기 자기 코어는 평평한 선형 BH-루프를 지닌 적어도 70% 까지의 비정질 연자기 합금으로 이루어지며, 상기 합금은 일반식,

Co_a(Fe_1-cMn_c)_bNi_dM_eSi_xB_yC_z

으로 구성된 조성물을 갖는다: 상기 일반식에서 M이 V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Ge, P 중 하나 또는 다수의 원소이고, 인덱스(index)(a 내지 z)는 원자%로 주어지며 하기의 조건:

40 ≤ a ≤ 82 0 ≤ e ≤ 5

3 ≤ b ≤ 10 0 ≤ x ≤ 15

0 ≤ c ≤ 1 8 ≤ y ≤ 26

0 ≤ d ≤ 30 0 ≤ z ≤ 3

및 15 ＜ e + x + y + z ＜ 30을 충족시킨다.

비정질의 페로마그네틱 재료를 사용함으로써, 매우 작은 체적을 특징으로 하는 인터페이스 트랜스포머용 자기 코어가 제조될 수 있다. 또한 상기 금속 자기 코어에서는 권선수가 많지 않아도 되므로, 중요한 저항 손실 및 용량성 노이즈 효과를 일으키지 않는다. 그리고

50 ≤ a ≤ 28 e ≤ 3

c ≤ 0.5 x ≥ 1

d ≤ 20 y ≤ 20

및 18 ＜ e + x + y + z ＜ 25의 조건에 따른 전술한 조성물을 갖는 합금이 매우 적합하다는 것이 증명되었다.

본 발명의 바람직한 실시예에서는 자기 코어로 링형 코어, 특히 링형 권자심(링형 테이프 코어; toroidal tape core)이 제공된다. 금속 합금의 전술한 특별한 특성 때문에 상기 링형 권자심은 슬릿을 가져서는 안된다. 따라서, 바람직한 실시예에서 링형 권자심은 슬릿을 갖지 않는 링형 권자심이다.

링형 권자심(링형 테이프 코어)의 테이프는 본 발명에 따라 바람직하게도 테이프 두께의 8%보다 작은 테이프 상부면 및 하부면의 평균 표면 거칠기(R_a)를 갖는다.

본 발명은, 인터페이스 트랜스포머의 특성이 자기 변형이 거의 없는 비정질 코발트 합금에 의해 최상으로 얻어진다는 인식을 기본으로 하며, 코발트 합금은 적어도 0.7 Tesla, 바람직하게 0.8 Tesla 이상의 포화 인덕턴스 및 BH-루프를 가지며, 적어도 1 A/cm, 바람직하게 2 A/cm 이상의 전기장 세기까지 선형 파형을 갖는다. 이러한 BH-루프는 도 3에 도시된다. 이러한 선형 BH-루프는, 예를 들어 하기에 설명되는 제조 방법의 단계에 의해 얻어진다.

비정질의 페로 마그네틱 테이프가 용융물로부터 급속 응결법에 의해 주조되며, 조성은 전술한 바와 같이 선택된다. 급속 응결법 또는 급속 응결이 있는 연속적 주조 방법은 널리 공지되어 있다. 이 때 사용하는 기본적인 방법 단계 및 장치는 예를 들어 독일 특허 제 37 31 781 C1호에 상세히 설명되어 있다. 상기 문서의 내용은 본 명세서에 참조되어 포함된다.

그 후에, 연자기 비정질 테이프는 특정 기계에서 변형 없이(장력을 받지 않고) 링형 코어에 감긴다. 자기 특성의 세팅(setting), 즉 자기 코어의 평평한 선형 BH-루프의 세팅은 링형 권자심의 회전 대칭축에 평행한, 즉 테이프 방향에 수직인 자기장에서 특별한 열처리에 의해 이루어진다.

열처리는, 열처리 동안 포화 자기 변형값(magnetostriction; λ_S)이 합금 조성에 따른 값으로 ｜λ_S｜ ＜ 0.5 ppm, 바람직하게는 ｜λ_S｜ ＜ 0.1 ppm의 범위에 있을 때까지 양의 방향으로 변하도록 이루어진다. 이것은 표 2에 나타난것 처럼, λ_S의 값이 테이프의 담금질된(quenching) 상태에서 분명히 상기 값 위에 있을 때 얻어질 수 있다. 이 경우 사용된 합금에 따라 자기 코어를 공기, 환원성 또는 불활성 보호 기체로 세척하는 것이 중요하며, 따라서 테이프 표면에 산화 및 다른 반응은 일어나지 않는다. 사용된 합금 조성에 따라서, 코어는 인가된 자기장에서 1 내지 10 K/min의 비율로 220℃ 내지 400℃의 온도로 가열되며, 상기 온도 간격의 자기장 내에서 0.5 내지 48 시간 유지되고, 그 후 0.1 내지 5 K/min으로 다시 냉각된다.

그 다음, 코어는 표면이 패시베이션되거나, 코팅되거나, 회전 소결되거나 또는 함지(vat)에서 캡슐화되며, 각각 1차 및 2차 권선이 제공되고, 경우에 따라서 구조물 부재 하우징 내에 접착되거나 주조된다.

주어진 주인덕턴스 및 직류 부하 수용 능력에 대하여 본 발명으로 얻을 수 있는 코어 치수는 하기의 표 1과 같다.

[표 1]

트랜스포머의 인덕턴스에는 하기의 관계식이 성립한다:

L = N²μ_oμ_rA_fe/l_fe‥‥‥ (1)

N = 권선수

μ₀= 진공 투자율

μ_r= 재료의 투자율

A_fe= 코어의 철심 단면적

l_fe= 코어의 철심 길이

관계식(1)에서, 주어진 최소 구조물 체적에 대하여 요구되는 인덕턴스는 권선수, 투자율, 코어 단면적 및 철심 길이가 서로 매칭될 때만 얻어질 수 있다는 것을 알 수 있다. 우수한 링형 구조 외에, 코어 재료의 투자율은 트랜스포머에 있어 최적의 컴포넌트 크기를 결정하는 중요한 파라미터이다. 고려 대상에 있는 주어진 합금에서, μ_r은 실행된 교차 자기장 열처리에 따라 500과 5000 사이에 있다. μ_r= 100 - 400 인 슬릿을 갖는 페라이트 코어에 비교할 때, 선택된 링형 코어 구조에 의해서 500의 낮은 μ값일 때에도 조건적으로 체적에 대한 장점이 많이 생긴다.

전송될 정보 신호에 가입자 장치로의 원격 (전류) 공급을 위한 직류 전류가 중첩되는 것에 의해서 코어 재료의 선택에 있어 기본적인 제한 사항이 발생한다; 이는 4B3T-트랜스포머에서 통상적으로 I_dc= 60 mA에 까지 이른다. 상기 직류 전류는 DC 바이어스,

H_dc= I_dcN/ l_fe‥‥‥ (2)

로 유도되며, 상기 바이어스하에서 투자율은 매우 경미하게 감소한다. 이러한 이유 때문에, U_k0-트랜스포머용으로 개발된 다양한 비정질 재료에 대하여 도 4에서 예제로 도시된 μ(H_dc)-특성 곡선에 따라 재료의 판단이 이루어진다.

이것에 의해 트랜스포머가 에코 보상 방법으로 얻어진 커버리지를 표준에 맞게 유지할 수 있기 위해서, μ(Hdc)-특성 곡선은 충분히 일정하게 진행해야 한다. 이 경우, μ(Hdc)-특성 곡선의 어느 영역 및 어느 형태를 기초로 하는 지는 전송될 신호의 진폭에 달려있다.

도 2에 도시된 것과 같이 4B3T-스펙트럼의 저주파 성분은 작게 나타난다. 그 결과 고주파 유효 신호의 동작점 위치는 높은 진폭의 저주파 지터(Jitter)에 의해 약하게 영향을 받는다. 그 대신 DC 바이어스 외에도 저주파 회로 내부의 장애, 예를 들어 대부분의 사용자 회로내에 존재하는 DC-DC-변환기(도 1 참조)의 클럭 주파수가 μ(Hdc)-특성 곡선 상의 신호 동작점의 위치 및 그것의 지터를 결정한다. 도 5a에는 낮은 레벨의 변조를 위해 상이한 표면 특성을 갖는 코어 재료로 이루어진 2개의 4B3T-트랜스포머에 대한 특성이 도시되어 있다. 저주파 노이즈 신호의 진폭이 비교적 작기 때문에, 작은 전기장 영역의 특성은 작은 레벨의 변조에 속하는 μ(Hdc)-특성 곡선의 형태에 중요한 역할을 한다. 상기 곡선 형태는 비정질의 코어에서 하기의 조건 하에서 실제로 수평으로 진행한다.

- 테이프가 충분히 매끄러움(도 5a의 실선으로 도시된 곡선),

- 테이프가 제어되지 않은 방식으로 결정화되지 않음,

- 교차 자기장 열처리에 의해 형성된 횡방향 이방성이 코어축에 정확히 평행하게 생김,

- 포화 자기 변형이 사라짐,

- 코어가 변형 없이(장력을 받지 않고) 코일로 감김.

이와 반대로 언급한 조건들이 불충분하게 충족되면, 자기 효과의 결과로(도 5a의 점선 곡선으로 도시된 곡선) 특성 곡선에 리세스(recess)가 성장하며, 상기 리세스는 이상적인 상태로부터 벗어나면서 점점 더 깊어진다. 저주파 노이즈 신호에 의한 동작점의 변조는 전송될 코드의 변형을 초래하며, 그 결과 에코 보상의 장애에 의해 비트 에러가 발생한다.

2B1Q-코드의 특성은 도 5b에 도시되어 있다. 트랜스포머의 상당히 큰 레벨 변조 때문에 도 5a(점선 곡선)에 따른 작은 전기장 영역에서의 휜 곡선이 평균값을 취하며 의미를 상실한다. 그 대신 도 5b에 따른, 큰 레벨 변조에 적용되는 특성 곡선의 진행은 전송 특성을 결정한다. 이 경우 제조 조건 및 재료 특성의 영향은 전술한 방식으로 특성 곡선에 수용된다. 동작점이 도 5b의 특성 곡선의 경사 영역에 위치하면, 신호 전송(40 - 60 kHz)에 대한 관계는 표면 성질에 따라 저주파 신호 성분에 의해 형성된 지터에 의해 어느 정도 영향을 받는다.

트랜스포머의 커버리지를 최종적으로 결정하는 충분히 우수한 비트 에러율은 하기의 조건에서 얻어진다:

1) 열처리된 자기 코어 또는 테이프의 포화 자기 변형값(λ_S)이 적어도 0.5 * 10^-6보다 작고(바람직하게는 ＜ 0.1*10^-6), 코어는 변형 없이(장력을 받지 않고) 코일로 감긴다.

2) 테이프의 상부면 및 하부면의 공통 평균 거칠기(R_a)(DIN 4762에 따라)가 적어도 테이프 두께의 8%, 바람직하게는 2.5%보다 작다.

3) DSC(가열 비율 10 K/min)에 의해 측정된 결정화 온도가 410℃, 바람직하게는 430℃ 이상이다.

4) 도 5a의 4B3T 코드에 대한 특성 곡선의 리세스는 계획적인 과변조(overmodulation)에 의해 평평해고, 이것은 코어 체적을 가능한 작게 설계함으로써 의해 가능하다. 이에 반해 2B1Q 코드에서는, 도 5b의 특성 곡선의 경사 부분의 영향을 약화시키기 위하여 코어 체적이 가능한 큰 것이 바람직하다.

5) 전기장 열처리에서 방사형 누설 자기장(radial stray field)의 장애 작용이 가능한 작게 유지된다. 이에 대한 대책으로는, 자기장 방향으로의 충분히 긴 코어 스택(stack)의 형성, 외부 전기장에 대한 차폐, 전기장 대칭축에 대한 코어 스택 축의 뒤틀림 방지가 있다.

6) 비정질 합금에 일반적인 자유 체적(free volumn)을 특별한 열처리 실행에 의해 감소시킴으로써 자기 효과 및 높은 레벨 변조시에 생기는 장애 작용을 감소시킨다.

7) 가능한 높은 이방성 에너지(K_u)를 감소시킴으로써 자기 효과의 작용 및 높은 레벨 변조시에 생기는 장애 작용을 감소시킨다.

이용할 수 있는 μ(H_dc)-특성 곡선의 일정한 동작 범위는 도 4에 따라 이방성 전기장 세기,

H_a= B_s/ (μ₀* μ_r) ‥‥‥ (4)

에 달려있기 때문에 합금 조성이 교차 자기장 열처리와 결합하여, 한편으로 포화 인덕턴스가 가능한 높게, 다른 한편으로 투자율이 가능한 낮도록 결정된다. 그러나, 관계식 (1)에 따라서, 특히 낮은 투자율은 권선수(N)의 증가로 보상되어야 하기 때문에 합금의 선택 및 열처리시 강한 이방성 전기장 세기 및 충분히 높은 투자율로부터 절충점을 찾을 수 있다.

본 발명에 따른 합금 시스템으로 전술한 조건의 충족 하에 특별히 선형의 히스테리시스 루프를 가지며 표준에 맞는 특성을 지닌 트랜스포머 코어가 제조될 수 있다. 특히 우수한 특성을 갖는 코어는, 합금이 가능한 적은 Mn을 함유하고, 예를 들어 Ni 같은 제 2 페로 마그네틱 성분을 가지며 및/또는 (DSC로 측정하여 가열율 10 K/min) 430℃ 이상의 결정화 온도를 가질 때 얻어진다.

예: 전술한 요구 사항 및 합금 범위는 적합한 열처리 후에, 예를 들어 표 2에 나타난 합금 또는 표 3에 나타난 합금 및 코어 조합에 의해 충족된다.

[표 2]

[표 3]

본 발명에 의해, 가능한 작은 구조물 체적을 가지며, 간단한 권선 구조 및 적은 권선수를 가지고, 에러가 없는 전송 커버리지, 특히 8 km 이상의 전송 커버리지를 보장하는, DC 바이어스를 가할 수 있는 디지털 전송 시스템용 인터페이스 트랜스포머가 제공되었다.

Claims (10)

1. 디지털 전송 시스템용 인터페이스 트랜스포머로서,

   2 내지 80 mH의 주인덕턴스를 가지며, DC 바이어스를 가할 수 있고, 1차 및 2차 권선을 갖는 자기 코어를 포함하며;

   상기 자기 코어는 평평하고 실질적으로 선형인 BH-루프를 가지며, 적어도 70%까지의 비정질 연자기 합금으로 이루어지고, 하기의 일반식에 따른 조성을 포함하며;

   Co_a(Fe_1-cMn_c)_bNi_dM_eSi_xB_yC_z

   상기 식에서 M은 V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Ce, P 중 하나 또는 다수의 원소이며, 인덱스(a 내지 z)는 원자 %로 주어지고, 하기와 같은 조건;

   40 ≤ a ≤ 82 0 ≤ e ≤ 5

   3 ≤ b ≤ 10 0 ≤ x ≤ 15

   0 ≤ c ≤ 1 8 ≤ y ≤ 26

   0 ≤ d ≤ 30 0 ≤ z ≤ 3

   및 15 ＜ e + x + y + z ＜ 30을 충족하고; 그리고

   상기 자기 코어는 링형 권자심이며, 상기 링형 권자심의 테이프는 테이프 두께의 8%보다 작은 테이프 상부면 및 하부면의 평균 표면 거칠기(Ra)를 갖는 것을 특징으로 하는 인터페이스 트랜스포머.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 합금의 조성이 하기의 조건,

   50 ≤ a ≤ 82 e ≤ 3

   c ≤ 0.5 x ≥ 1

   d ≤ 20 y ≤ 20

   및 15 ＜ e + x + y + z ＜ 30을 충족하는 것을 특징으로 하는 인터페이스 트랜스포머.
3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,

   상기 링형 권자심은 슬릿을 갖지 않는 것을 특징으로 하는 인터페이스 트랜스포머.
4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,

   상기 링형 권자심의 외부 치수는 20 mm × 12.5 mm × 10 mm보다 작은 것을 특징으로 하는 인터페이스 트랜스포머.
5. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,

   상기 테이프는 테이프 두께의 2.5%보다 작은 테이프 상부면 및 하부면의 평균 표면 거칠기(R_a)를 갖는 것을 특징으로 하는 인터페이스 트랜스포머.
6. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,

   상기 인터페이스 트랜스포머는 포화 자기 변형 ｜λ_S｜ ＜ 0.5 ppm을 갖는 것을 특징으로 하는 인터페이스 트랜스포머.
7. 제 6항에 있어서,

   상기 인터페이스 트랜스포머는 포화 자기 변형 ｜λ_S｜ ＜ 0.1 ppm을 갖는 것을 특징으로 하는 인터페이스 트랜스포머.
8. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,

   상기 합금은 결정화 온도가 410℃ 이상인 것을 특징으로 하는 인터페이스 트랜스포머.
9. a) 적어도 70% 까지의 비정질 연자기 테이프를 용융물로부터 급속 응결에 의해 주조하는 단계;

   b) 테이프를 변형 없이 링형 권자심으로 감는 단계;

   c) 상기 링형 권자심을 자기장내에서 링형 권자심의 회전 대칭축에 평행하게 보호 가스 분위기로 열처리하며, 그리고 나서 링형 권자심을 0.1 내지 5 K/min으로 다시 냉각하는 단계를 포함하는 제 6항에 따른, DC 바이어스를 가할 수 있는 인터페이스 트랜스포머의 링형 권자심 제조 방법에 있어서,

   1 내지 10 K/min의 비율을 갖는 링형 권자심을 220℃ ≤ T ≤ 400℃ 의 온도로 가열하고, 0.5 ≤t ≤48 의 열처리 시간 동안 상기 온도 범위에서 유지시키는 것을 특징으로 하는 링형 권자심 제조 방법.
10. 제 9항에 있어서,

    후속해서 링형 권자심의 표면을 패시베이트하고 및/또는 코팅하고 및/또는 회전 소결하고 및/또는 캡슐화하는 것을 특징으로 하는 링형 권자심 제조 방법.