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KR100330130B1 - 열처리 방법 및 그 장치 - Google Patents

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KR100330130B1
KR100330130B1 KR1019940015836A KR19940015836A KR100330130B1 KR 100330130 B1 KR100330130 B1 KR 100330130B1 KR 1019940015836 A KR1019940015836 A KR 1019940015836A KR 19940015836 A KR19940015836 A KR 19940015836A KR 100330130 B1 KR100330130 B1 KR 100330130B1
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유이치미카타
아키히토야마모토
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동경 엘렉트론 주식회사
가부시끼가이샤 도시바
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Abstract

내관 및 외관에 의해 이루어진 이중관구조의 반응관을 갖는 종형 열처리장치를 이용하여, 이 열처리장치에 배열 설치된 제1가스공급관 및 배기관에 의해, 예컨대 SiH2Cl2가스와 NH3가스로 이루어진 반응가스를 내관의 내측으로부터 외측으로 흘리면서 반응관내를 소정의 감압상태로 유지하고, 예컨대 780℃의 가열온도하에서 피처리체인 웨이퍼의 표면에 Si3N4막을 형성한다.
이어서, 반응관 내를 예컨대 1000℃ 근처까지 온도를 올리고, 제 2가스공급관 및 배기관에 의해 예컨대 H2O가스와 HCl가스로 이루어진 반응가스를 내관의 외측에서 내측으로 흘리고, 상압 상태에서 웨이퍼 표면에 형성된 Si3N4막의 표면을 산화하여 SiO2막을 형성한다. 이와 같이 합병로에 있어서 피처리체를 반응관에서 취출하지 않고서 성막처리와 산화 또는 확산처리를 실시할 수 있기 때문에, 예컨대 DRAM의 다층절연막으로서 이용되는 SiO2/Si3N4막등의 박막중에 자연산화막의 개재와 미립자가 혼입하는 것을 방지할 수 있다.

Description

열처리방법 및 그 장치
본 발명은 열처리 방법 및 그 장치에 관한 것이다.
반도체 장치는 DRAM으로 대표되는 바와 같이 그 집적도가 점점 높아지고, 장치의 구조, 제조방법에 여러종류의 연구가 이루어지고 있다. 예컨대, DRAM의 캐패시터 절연막에 대해서는 트렌치(trench)의 코너의 절연 내압을 확보하면서 공정의 저온화를 도모하기 위하여 SiO2/Si3N4/SiO2막이나, SiO2/Si3N4막이라고 하는 다층막이 검토되고 있다.
그리고, 이들 장치에 대해서 높은 신뢰성을 얻기 위해서는 박막의 막질 개선이 지금까지 보다 이상으로 요구되어, 예컨대 Si3N4 막중에 산소가 취입되면 유전율이 저하되어, 장기적 신뢰성도 열화된다. 따라서, 이와 같은 다층절연막을 형성함에 있어서는 열처리 노(爐)내로의 공기의 흡입이 적은 종형(縱型) 열처리장치를 사용하는 것이 적합하다.
여기서 종래에는, 예컨대 SiO2/Si3N4막을 형성하는 경우, 제 14도에 나타낸 공정이 실시되고 있다. 즉, 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」로 칭함)를 하나의 열처리 스테이션의 감압 CVD(Chemical Vapor Deposition) 노내에 유지구(웨이퍼보트)에 실어 반입시키고, 예컨대 SiH2Cl2가스와 NH3가스를 성막가스로서 이용하여, 노내를 소정의 진공도로 유지하여 웨이퍼의 표면에 Si3N4막을 형성한다. 이 후, 노내에서 웨이퍼를 반출시켜 유지구로부터 취출한다. 이어서, 별도의 열처리 스테이션까지 웨이퍼 캐리어에 수납시켜 웨이퍼 반송하고, 산화노내에서 유지구에 실어 반입하여, 예컨대 산소가스나 산소가스와 염화수소가스와의 혼합가스등에 의해 상압(常壓)하에서 웨이퍼의 표면에 SiO2막을 형성하고, 그 후 노내에서 웨이퍼를 반출한다.
그러나, 상기한 처리방법에서는 Si3N4막이 형성된 웨이퍼를 감압 CVD로에서 반출시켜 별도의 열처리 스테이션에 반송하고 있기 때문에, Si3N4막의 위에 자연산화막이 형성되어 버린다. 특히, 감압 CVD노내에서 성막을 수행한 후, 노 하단(下端)의 캡(cap)을 열었을 때에는 대기가 약간 휩쓸려 들어오는 것을 피할 수 없고, 고온하에서 Si3N4막의 표면이 대기에 접촉되기 때문에, 불균일한 두꺼운 자연산화막이 형성되어, 다음의 산화공정의 전에 세정시켜도 균일하게 자연산화막을 제거하는 것은 곤란하다. 또한, 산화로(酸化爐)의 아래에서 웨이퍼를 유지구에 이재(移載)할 때에도 매우 높은 온도하에서 웨이퍼가 대기에 드러나기 때문에 자연산화막의 성장이 촉진되어, 이 상황 그대로 산화로내에서 소정의 SiO2막이 형성된다. 따라서, 웨이퍼의 다층절연막 중으로 막질(膜質)에 나쁜 산화막이 취입되기 때문에 장치, 예컨대 DRAM의 신뢰성이 저하된다.
더욱이, 종래의 처리방법에서는 감압 CVD로에서 웨이퍼를 반출하고, 캐리어에 수납하여 별도의 열처리 스테이션까지 반송하여, 산화로 내에 반입하는 동안 웨이퍼의 이재의 회수가 많기 때문에 미립자가 부착되기 쉽다. 또한, 상기 다층 절연막은 매우 얇아 이후 DRAM의 고집적화에 수반하여 한층 얇아지는 상황이기 때문에, 약간의 미립자의 부착이 있어도 절연막의 성능을 악화시킨다. 이상 설명한 문제점은 SiO2막의 위에 Si3N4막을 형성하는 경우에도 동일하다.
이로부터 종래의 열처리 방법에서는 SiO2/Si3N4막이나, SiO2/Si3N4/SiO2막등에 있어서의 막질의 양호한 다층 절연막을 얻는 것이 곤란하여, DRAM등의 장치의 고집적화를 저해하는 하나의 원인이 되고 있다.
또, 감압 CVD를 수행하는 경우, 복수 종류의 처리에 대응할수 있도록 스텐레스스틸제의 매니폴드(manifold)가 이용되고 있기 때문에, 내식성은 있으나, 그 처리온도가 매우 높아지면, 부식성이 큰 가스를 이용한 경우에는 부식이 촉진되어 버린다. 이 때문에 고온하에 있어서는 사용되는 가스의 종류가 제한된다고 하는 문제점이 있었다.
또한, 본 발명자등은 산화 ·확산처리와 감압 CVD를 공통의 노에서 수행할 수 있는 종형 열처리장치를 제안하고 있는데(제 1실시예 참조), 산화처리를 수행함에 있어서, HCl(염화수소)을 처리가스 중에 혼입시키게 된다. 이 HCl은 불순물을 외부로 제거하고, 양질의 막을 얻는 이점이 있지만, H2O가 존재하면 매우 강한 부식성을 나타내게 되어, 스테인레스스틸제의 매니폴드의 내주면이 부식되어, 미립자나중금속의 오염원이 되어 버린다. 또한, 매니폴드를 석영으로 구성하면 부식성이라는 문제는 해소되나, 그의 제작이 곤란하여 고가격으로 되어 외부 배관과 흡배기 포트와의 접합이 곤란하다.
본 발명은 상기한 점을 감안하여 발명된 것으로, 합병로(合倂爐)를 이용하여 성막처리(成膜處理)와 산화 또는 확산처리중 어느 한쪽의 처리를 수행한 후, 다른쪽의 처리를 수행하는 경우에, 박막중으로의 자연산화막의 개재(介在)나 미립자등의 불순물의 혼입을 방지할수 있는 열처리방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 내관 및 외관으로 이루어진 이중관구조의 반응관을 구비하면서 내관의 내측에 각각 개구되는 제 1가스공급관 및 제 2배기관과, 내관 및 외관의 사이의 공간에 각각 개구되는 제 2가스 공급관 및 제 1배기관을 배열 설치한 종형 열처리장치를 이용하여 피처리체를 열처리하는 방법에 있어서, 상기 제 1가스공급관 및 제 1배기관을 이용하여 처리가스를 상기 내관의 내측으로부터 상기 내관과 외관의 사이의 공간으로 흐르게 하고, 가열하면서 감압분위기하에서 피처리체의 표면에 성막처리를 수행하는 제 1공정과, 이어서, 상기 제 2가스 공급관 및 상기 제 2배기관을 이용하여 처리 가스를 상기 내관과 외관의 사이의 공간으로부터 상기 내관의 내측으로 흐르게 하고, 가열하면서 상압분위기에서 피처리체의 표면에 산화 또는 확산처리를 수행하는 제 2공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명의 열처리방법에 의하면, 공통(단일)의 반응관을 이용하여 성막처리와 산화 또는 확산처리를 연속해서 실행할 수 있고, 이 처리의 동안에 피처리체의반응관에 대한 로드(load), 언로드(unload)나 피처리체의 반송공정을 수행하지 않게 된다. 따라서, 예컨대, 성막된 박막과 산화막의 사이의 자연산화막의 개재나 미립자의 혼입을 방지할 수 있다. 그리고, DRAM등에 이용되는 질화실리콘막과 산화실리콘막을 적층시킨 다층절연막에 대해서는 매우 양질의 박막이 얻어지므로 장치의 고집적화를 도모하는데 유효하다.
본 발명은 이와 같은 석영 매니폴드가 갖는 사정이 근거가 된 것으로, 처리의 자유도가 큰 종형 열처리장치를 제공함에 그 목적이 있다.
본 발명은 종형의 반응관의 하부측면에 가스 공급관 및 배기관이 접속된 금속제의 매니폴드가 설치되고, 다수의 피처리체를 유지구에 탑재하여 매니폴드의 하단 개구부에서 반응관 내로 반입하는 종형 열처리장치에 있어서, 매니폴드의 내주면을 덮도록 설치된 내열재로 이루어진 커버와, 이 커버와 매니폴드의 내주면과의 사이의 간격에 불활성 가스를 도입하기 위한 불활성 가스 도입수단을 구비한 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명을 실시예에 의거 상세히 설명하면 다음과 같다.
제 1실시예
제 1도는 본 발명의 열처리방법을 실시하기 위한 종형 열처리장치(1)의 일례를 나타냈다. 제 1도에 있어서 참조부호 2는 반응관이고, 이 반응관(2)은 양단이 개구됨과 함께 수직방향으로 배열 설치된 내열재료, 예컨대 석영으로 이루어진 내관(2a)과, 이 내관(2a)을 에워싸도록 소정의 간격을 매개로 동심 원상으로 배치된 밑바닥이 있는 통형상의, 예컨대 석영으로 이루어진 외관(2b)을 구비한 2중관 구조로서 구성되어 있다.
반응관(2)의 외측에는 프레임(23a)에 의해 지지되는 단열체(21)의 내측에 저항 발열선으로 이루어진 히터(22)를 장착하여 구성한 가열로(23)가 반응관(2)을 에워싸도록 배열 설치되어 있다. 반응관(2)은 베이스플레이트(30)에 고정된 매니폴드 (3)에 O-링(32a)을 매개로 하여 유지되어 있고, 이 매니폴드(3)는, 예컨대 테프론코팅에 의해 표면이 내식처리(耐食處理)된 스테인레스스틸로 구성되어 있다. 이 매니폴드(3)의 하단 개구부에는 매니폴드(3)와 동일한 형태의 내식처리가 된, 예컨대 스테인레스스틸로 된 캡부(31)가 보트 엘리베이터(33)의 승강에 의해 개폐가 자유롭게 설치되어 있으며, 닫힐 때에는 O-링(32)을 매개로 하여 매니폴드(3)의 개구부를 기밀 밀봉한다.
이 캡부(31)는, 예컨대 볼나사에 의해 승강되는 보트엘리베이터(33) 위에 탑재되며, 캡부(31)의 위에는 보온통(34)을 매개로 하여, 예컨대 석영으로 이루어진 웨이퍼보트(35)가 탑재되어 있다. 이 웨이퍼보트(35)는 다수매의 웨이퍼(W)를 각각 수평 상태에서 상하로 적층시켜 유지하도록 되어 있다.
더욱이, 매니폴드(3)의 측면에는 내관(2a)의 내측의 영역에 처리가스를 공급하기 위한 1개 이상의 제 1가스공급관(4)과, 내관(2a)과 외관(2b) 사이의 간격으로부터 처리가스를 배기하기 위한 제 1배기관(5)이 기밀하게 접속되어 있다. 이를 제 1가스공급관(4) 및 제 1배기관(5)은 감압 CVD를 위해 이용되는 배관계로서, 가스공급관(4)의 그 내단측은 예컨대 위쪽을 향해 굴곡되어 있음과 더불어 외단측은 밸브(V1)를 매개로 도시되지 않은 가스공급원에 접속되어 있다. 또한, 제1배기관(5)의 외단측은 밸브(V2)를 매개로 진공 펌프(51)에 접속되어 있다.
더욱이, 매니폴드(3)의 측면에는 감압 CVD를 위한 배관계와는 별개로, 내관(2a)과 외관(2b) 사이의 간격에 처리가스를 공급하기 위한 제 2가스공급관(6)과, 내관(2a)의 내측의 영역으로부터 처리가스를 배기하기 위한 제 2배기관(7)이 기밀하게 접속되어 있다. 이 제 2가스공급관(6) 및 배기관(7)은 산화처리를 위해 이용되는 배관계로, 가스공급관(6)의 외단측은 밸브(V3)를 매개로 도시되지 않은 가스 공급원에 접속됨과 더불어 배기관(7)의 외단측은 밸브(4)와 별개의 진공 펌프(71)를 매개로 하여 처리가스중의 HCl을 물에 의해 희염산(希捻酸)으로서 제거하는 스크래버가 접속되어 있다.
가스공급관(4,6) 및 배기관(5)은, 예컨대 스텐레스스틸에 의해 구성되고, 표면이 예컨대, 테프론 피복에 의해 내식처리되어 있다. 배기관(7)은 내부에 내열재료, 예컨대 석영의 슬리브를 배치한 스텐레스스틸관으로 구성되어 있다.
그리고, 이 상술된 열처리장치는 제어부(20)을 갖추고 있고, 이 제어부(20)는 소정의 시퀸스 프로그램 및 제 1배기관(5)에 설치된 압력계(52)의 압력검출치에 기초하여 밸브(V1 ∼ V4)의 개폐 제어를 하는 기능이나, 온도검출수단(22a)의 온도검출치에 기초하여 히터(22)의 전력량을 제어하는 기능등을 갖추고 있다.
또한, 제 2도에 나타낸 바와 같이, 제 2가스공급관(6)과 제 2배기관(7)을 생략하고, 처리 가스원(4a, 4b)으로부터 밸브(V5, V6)를 매개로 하여 각각 처리가스, 예컨대 SiH2Cl2과 NH3를 별도로 공급하고, 제 1배기관(5)에서만 배기하도록 해도 된다. 이것과 동일하게 하여 산화처리 가스를 동일방향으로 보내도 된다.
다음에, 상기한 열처리장치(1)를 이용하여 수행하는 본 발명의 열처리방법의 실시예에 대해 설명한다.
먼저, 히터(22)에 의해 반응관(2) 안을, 예컨대 780℃의 균일한 열상태로 가열하고, 피처리체인 웨이퍼(W)를, 예컨대 50매 수평 선반형상으로 웨이퍼보트(35)에 유지시켜, 보트엘리베이터(33)에 의해 반응관(2)내로 로드한다. 이어서, 밸브(V2)를 열고, 진공펌프(51)에 의해 제 1배기관(5)을 매개로 하여 반응관(2) 안을, 예컨대 10-3토르(Torr)의 오더(order)의 감압상태까지 진공배기시킨 후, 밸브(V1)를 열어서 별도의 제 1가스공급관(4)을 통하여 처리가스, 예컨대 암모니아(NH3) 가스와 디클로로실란(SiH2Cl2) 가스를 각각, 예컨대 매분 0.06리터 및 0.02리터의 유량으로 내관(2a)의 내측의 영역에 공급한다. 여기서, 반응관(2) 안을, 예컨대 1토르의 감압상태로 유지하도록 제어부(20)에 의해 압력제어하면서 내관(2a) 및 외관(2b) 사이의 간격으로부터 배기관(5)을 통해 배기하여, 예컨대 40분간 웨이퍼(W)의 표면에 성막을 수행한다.
여기서, 제 3A도는 이와 같은 감압 CVD에 있어서의 처리가스의 흐름을 나타낸 것으로, 처리가스가 반응하여 반응관(2)의 벽부(壁部)에 성막되는 양을 억제하기 위한 처리가스는 내관(2a)의 내측에 공급되고, 상승하여 내관(2a)의 외측으로부터 배기되고 있다. 이와 같이 하여 제 4A도에 나타낸, 예컨대, 폴리실리콘층(81)의 표면에는 NH3와 SiH2Cl2와의 기상반응에 의해 제 4B도에 나타낸 바와 같이 Si3N4막(82)이 형성된다.
그 후, 반응관(2) 안의 분위기를, 예컨대 질소가스에 의해 치환함과 더불어 히터(22)의 전력량을 제어부에 의해 제어하여, 예컨대 50℃/분의 고속승온 속도로 반응관(2) 안의 온도를 약 1000℃ 부근까지 승온한다. 질소가스에 의한 반응관(2) 안의 치환은, 예컨대 제 1가스 공급관(4)과 마찬가지로 매니폴드(3)에 설치된 도시되지 않은 가스공급관으로부터 질소가스를 내관(2a)의 내측에 공급하면서 제 1배기관(5)에 의해 진공배기를 수행하는 것에 의해 수행된다. 그리고, 제어부(20)의 제어신호에 기초하여 질소가스의 가스 공급관의 밸브 및 제 1배기관(5)의 밸브(V2)를 닫고, 이어서 제 2가스공급관(6)의 밸브(V3) 및 제 2배기관(7)의 밸브(V4)를 열고, 내관(2a)과 외관(2b)과의 사이에, 예컨대 H2O와 HCl을 각각 매분 유량 10리터 및 1리터로 한 혼합가스를 공급함과 더불어 내관(2a)의 내측으로부터 제 2배기관(7)을 통해 배기시켜 반응관(2) 안을 상압(常壓) 상태로 한다.
여기서, 제 3B도는 산화처리에 있어서의 처리가스의 흐름을 나타낸 것으로, 처리가스 웨이퍼(W)의 표면에 도달하기 전에 소정의 온도로 확실하게 가열되도록 처리가스는 내관(2a)과 외관(2b)과의 사이로부터 공급되어 강하되어 내관(2a)의 내측으로부터 배기된다.
이와 같이 하여, 제 4C도에 나타낸 바와 같이 Si3N4막(82)의 표면이 산화되어 SiO2막(83)이 형성된다. 이 경우, HCl은 SiO2막(83)중에 취입되는 불순물을 제거하는 역할을 하는데, 산화처리의 가스로서는 HCl이 함유되지 않은 것도 되고, 또한 O2가스를 이용해도 된다.
이와 같은 실시예에 의하면, Si3N4막(82)을 형성한 후, 반응관(2)의 외부로 웨이펴(W)를 반출하지 않고, 반응관(2)내에서 온도 및 압력을 변화시키면서 처리가스 및 그 흐름을 절환하여 계속해서 SiO2막(83)을 형성하도록 하고 있기 때문에, Si3N4막(82)및 SiO2막(83) 사이에 불필요한 산화막이 형성되지 않아 수분(水分)등의 불순물이 혼입되는 일이 없다. 또한, 웨이퍼(W)의 이재나 반응관(2)에 대한 반입, 반출을 처리 마다 수행하지 않기 때문에 미립자가 취입되지 않는다. 따라서, 양질의 다층절연막을 얻을 수 있고, 이 후 장치의 고집적화에 수반하여 다층절연막의 박막화, 양질화가 한층 요구되는 것으로부터 상기 공정은 매우 유효하다.
또한, 성막처리 및 산화처리를 공통(단일)의 반응관(2)을 이용하여 수행하고 있기 때문에, 종래와 같이 별도의 장치로 처리한 경우에 비하여, 드로우풋이 현저히 향상되는것 외에, 장치의 점유공간을 줄일 수 있고, 또 웨이퍼의 이재에 수반하여 웨이퍼의 파손의 우려도 없다.
이상에 있어서 본 발명의 열처리방법은 산화처리 후, 감압 CVD를 수행하여도 되고, 산화처리, 감압 CDV를 반복하여 실행하여도 되며, 예컨대 SiO2/Si3N4/SiO2막을 형성하는 경우에 적용하여도 된다. 또한, 다층절연막 이외의 박막의 형성공정에 적용하여도 되고, 산화처리 대신 확산처리를 수행하여도 되고, 예컨대 폴리실리콘의 표면에 포스핀 가스를 사용하여 인층을 CVD에 의해 형성하고, 이어서 이 인층을 확산처리에 의해 확산시켜 인의 확산층을 형성하여도 된다.
그리고, 또한 상기한 실시예에 있어서의 산화처리와 같이 HCl등의 할로겐화 가스를 1000℃ 부근의 고온하에서 이용하는 경우에는 HCl의 부식성이 특히 커지기 때문에, 스테인레스스틸제의 매니폴드(3)를 사용함에 있어서 이 표면을 내식처리 하는 것이 바람직하다. 그러나, 스테인레스스틸을 사용하는 대신에 흡기 포트 및 배기 포트도 포함하여서 매니폴드(3) 자체를 석영(石英)으로 구성하도록 하여도 된다. 또, 성막처리용의 배관계와 산화처리용의 배관계에 대해서는, 예컨대, 제 1가스공급관과 제 2배기관을 매니폴드 부분에 있어서 공용하도록 해도 된다.
제 2실시예
본 발명의 제 2실시예의 종형열처리장치(합병로)(100)는 제5도에 나타낸 바와 같이 반응관(102)이, 그의 양단이 개구됨과 더불어 수직방향으로 배열 설치된 내열재료, 예컨대 석영등으로 이루어진 내관(102a)과, 그 내관(102a)을 에워싸도록 소정의 간격을 매개로 동심원상으로 배치된 밑바닥을 갖춘 통형상의, 예컨대 석영으로 이루어진 외관(102b)을 구비한 2중관 구조로 구성되어 있다.
반응관(102)의 외측에는 단열체(121)의 내측에 저항 발열선으로 이루어진 히터(122)를 부착하여 구성된 가열로(123)가 반응관(102)을 에워싸도록 배열설치되어 있다. 반응관(102)은, 베이스플레이트(130)에 고정된 매니폴드(103)에 유지되어 있고, 이 매니폴드(103)는 예컨대 스텐레스스틸에 의해 구성되어 있다. 이 매니폴드(103)의 하단개구부에는, 예컨대 스텐레스스틸로 이루어진 캡부(131)가 보트엘리베이터(124)의 승강에 의해 개폐가 자유롭게 설치되어 있고, 닫힐 때에는 O-링(131a)을 매개로 개구부를 기밀 밀봉한다.
이 캡부(131)는, 예컨대 볼나사에 의해 승강되는 보트엘리베이터(124)위에 배치되어 있고, 캡부(131)의 위에는 보온통(125)을 매개로, 예컨대 석영으로 이루어진 웨이퍼보트(126)가 탑재되어 있다. 이 웨이퍼보트(126)는 다수매의 웨이퍼(W)를 각각 수평 상태에서 상하로 적층시켜 유지하기 위한 것이다. 다만, 제 6도의 실시예에서는 보트엘리베이터(124)에 회전축(127)을 구비한 회전기구(128)가 장착되고, 보온통(125)은 회전축(127)에 의해 회전하는 회전대(129)위에 탑재되어 있다.
매니폴드(103)의 내측에는 제 5도와 제 6도에 나타낸 바와 같이 매니폴드(103)의 내주면을 덮도록 내열재, 예컨대 석영으로 이루어진 커버(104)가 설치되어 있다. 이 커버(104)는 상부측의 구경보다도 하부측의 구경이 작게 제작되어 있고, 그 가운데의 단차부(段差部)가 매니폴드(103)의 내주면에 형성된 환상돌편(132; 環狀突片)에 접합됨과 더불어 커버(104)의 상단 외연(外緣)이 매니폴드(103)의 상단 내연(內緣)에 걸어 맞추어져 있다.
또한, 캡부(131)의 상면에는 내열재, 예컨대 석영으로 이루어진 링부재(133)가 캡부(131)에 대해 동심원상으로 매설되어 있다. 이 링부재(133)의 외연부 및 내연부는 상방측에 굴곡 기립된 기립편(起立片)(134,135)(제6도 참조)을 이루고 있다. 그리고, 커버(104)의 하단부는 링부재(133)의 외연측의 기립편(134)과 일정의 간격(0.05∼0.7cm)을 유지한 상태로 유지되어 있다. 또한, 보온통(125)의 저부(底部)에는 환상으로 각부(125a; 脚部)가 형성되어 있고, 보온통(125)은 그의 각부(125a)가 링부재(133)의 내연측의 기립편(135)의 외측과 일정의 간격(0.05∼0.7cm)을 유지한 상태로 유지되어 있다.
매니폴드(103)의 측면에는 내관(102a)의 내측의 영역에 처리가스를 공급하기 위한 제 1가스공급관(105)과, 내관(102a) 및 외관(102b)의 사이의 간격으로부터 처리가스를 배기하기 위한 제 1배기관(106)이 접속되어 있다. 이 가스공급관(105) 및 배기관(106)은 감압 CVD를 위해 이용되는 배관계(配管系)로서, 가스공급관(105) 및 배기관(106)의 외측에는 각각 도시하지 않는 가스공급원 및 진공펌프가 접속되어 있다.
더욱이, 매니폴드(103)의 측면에는 감압 CVD를 위한 배관계와는 별도로 내관(102a) 및 외관(102b)의 사이의 간격에 처리가스를 공급하기 위한 제 2 가스공급관(107)과, 내관(102a)의 내측의 영역으로부터 처리가스를 배기하기 위한 제 2배기관(108)이 접속되어 있다. 이 제 2가스공급관(107) 및 배기관(108)은 산화처리를 위해 이용되는 배관계이고, 가스공급관(107) 및 배기관(108)의 외단측에는 각각 도시되지 않은 가스공급관 및 배기펌프가 접속되어 있다.
여기서, 이들 배관계와 커버(104)와의 접속구조에 대해 제 6도와 제 7도를 참조하면서 설명한다. 예컨대, 제 1가스공급관(105)에 있어서, 흡기 포트(151)로부터 매니폴드(103)에 걸친 내단부분은 석영관(152)에 의해 구성됨과 더불어 그 석영관(152)의 내단은 상방측으로 굴곡되어 있고, 흡기포트(151)로부터 외측은 스테인레스관(153)으로 구성되어 있다.
한편, 커버(104)의 측주면(側周面)에는 제 1가스공급관(105)에 대응하는 원형의 관통구멍(141, 제 7도 참조)이 형성되어 있고, 이 관통구멍(141) 내에는, 관통구멍(141)에 적합한 형상이면서 관통구멍(141)을 가로막을 수 있는 충분한 두께를 갖춘 평면을 형성하는 석영판(154; 본 예에서는 제 7도로 부터 알 수 있는 바와 같이 링형태로 구성되어 있다)이 끼워 맞추어지면서 용착되어 있다. 석영판(154)에는 배관 끼워맞춤용 구멍(155; 제 7도 참조)이 형성되어 있고, 내단측면에 머리부(156)가 형성되면서 내경이 석영관(152)의 관직경에 적합한 석영으로 이루어진 통형체(157)가 석영판의 구멍(155) 내에 끼워 맞추어짐과 더불어 머리부(156)의 내면이 석영판(154)의 내면에 면접촉 되어 있다. 구멍(155)은 통형체(157)의 외경보다 4mm 정도 크게 되어 있고, 매니폴드(103)와 커버(104)의 축오차를 흡수할 수 있는 구조로 되어 있다. 더욱이, 통형체(157)의 중에 석영관(152)이 삽입되어 있고, 이와 같이 하여, 예컨대 석영관(152)이 통형체(157)를 매개로 석영판(154)의 배관 끼워맞춤용 구멍(155)에 끼워 맞추어져 있다.
그리고, 제 2가스공급관(107) 및 배기관(108)에 대해서도 마찬가지로 커버(104)에 접속되어 있다. 본 예에서는 제 1배기관(106)에 대해서는 통형체를 이용하지 않는 점에서 다른 배관의 접속구조와 다르게 되어 있다. 즉, 제 1배기관(106)에 있어서 석영관의 내단부의 관벽(管壁)이 외측으로부터 깍아내려 직경이 감축되어 있고, 그 감축직경 부분(106a)이 석영판(164)의 관통구멍(165)에 끼워 맞추어짐과 더불어 관벽의 단차부(106b)가 석영판(164)의 내주면에 접해져 있다.
또한, 제 6도와 제 7도에 있어서, 참조부호 142∼144는 관통구멍, 참조부호 161,181은 배기포트, 참조부호 171은 흡기포트, 참조부호 162,172,182는 석영관, 참조부호 163,173,183은 스테인레스스틸관, 참조부호 164,174,184는 커버(104)에용착된 석영판, 참조부호 165,175,185는 배관 끼워맞춤용 구멍, 참조부호 176,186은 머리부, 참조부호 177,187은 석영으로 이루어진 통형체이다.
그리고, 매니폴드(103)의 상부측 및 하부측에는 매니폴드(103)의 내주면과 커버(104)와의 사이의 간격(S)에 불활성가스, 예컨대 N2가스를 도입하여 처리가스의 침입을 저지하기 위한 불활성가스 도입수단, 예컨대, 가스공급관(140a,140b)이 각각 접속되어 있다.
또한, 캡부(131)에는 제 6도에 나타낸 바와 같이, 캡부(131)와 보온통(125)과의 사이의 간격에 N2가스를 도입하기 위한 가스공급관(140c)이 접속되어 있다.
이어서, 상기한 제 2실시예의 작용에 대해 설명한다. 먼저, 히터(122)에 의해 반응관(102) 안을, 예컨대 780℃의 균일한 열상태로 가열하고, 피처리체인 웨이퍼(W)를, 예컨대 50매 수평 선반형상으로 웨이퍼보트(135)에 유지시켜, 보트엘리베이터(133)에 의해 반응관(102) 안에 로드(load) 한다. 이어서, 도시되지 않은 진공펌프에 의해 제 1배기관(106)을 매개로 반응관(102)안을, 예컨대 10-3토르의 오더의 감압상태까지 진공배기한 후, 제 1가스공급관(105)을 통해 처리가스, 예컨대 암모니아(NH3) 가스와 시클로로실란(SiH2Cl2) 가스를 각각, 예컨대 0.03리터 및 0.03리터의 유량으로 흐르게 한 혼합가스를 내관(1022a)의 내측의 영역에 공급한다.
그리고, 반응관(102) 안을, 예컨대 1토르의 감압상태로 유지하도록 압력 제어하면서 내관(102a) 및 외관(102b) 사이의 간격으로부터 배기관(106)을 통해 배기하여, 웨이퍼(W)의 표면에 Si3N4막이 형성된다. 이 때, 가스공급관(140a∼l40c)에 의해 커버(104)와 매니폴드(103)와의 간격(S) 및, 캡부(131)와 보온통(125)과의 간격내에 N2가스를 공급하여, 처리가스가 간격내에 침입하는 것을 방지한다. 본 제 2실시예에서는 커버(104)는 매니폴드(103) 안에 탑재되어 있고, 보온통(125)은 캡부(131)위에 설치되어 있을 뿐이기 때문에 이들 사이에 간격이 있고, N2가스(질소가스)의 일부는 그의 간격으로부터 커버(104) 보다도 노의 안쪽방향측으로 유출됨과 더불어 다른 일부는 배기관(106)에 있어서 배기포트(161)와 석영관(162)과의 간극으로부터 스테인레스스틸관(163)내로 흡입된다.
그 후, 반응관(102)내의 분위기를, 예컨대 N2가스에 의해 치환함과 더불어, 예컨대 50℃/분의 승온속도로 반응관(102)내의 온도를 약 1000℃ 부근까지 승온한다. N2가스에 의한 치환은, 예컨대 제 1가스공급관(104)과 마찬가지로 매니폴드 (103)에 설치된 도시되지 않은 가스공급관으로부터 N2가스를 내관(102a)의 내측에 공급하면서 제 1배기관(106)에 의해 진공 배기를 수행하는 것에 의해 수행된다.
그리고, 진공배기를 정지한 후, 제 2가스공급관(106)에 의해 내관(102a)과 외관(102b)과의 사이에, 예컨대 H2O와 HCl을 각각 유량이 매분 10리터 및 1리터로 흐르게 한 혼합가스를 공급함과 더불어 내관(102a)의 내측에서 제 2 배기관(108)을 통해 배기시켜, 반응관(102)내를 상압상태로 한다. 이와 같이 하여 Si3N4막의 표면이 산화되어 SiO2막이 형성된다. 이 산화처리중에 있어서도 가스공급관(140)에서 N2가스를 간격(S)으로 보낸다.
상기한 제 2실시예에 의하면, 매니폴드의 내주면을 석영으로 이루어진 커버(104)로 덮고, 커버(104)와 매니폴드(103)와의 사이의 간격(S)에 N2가스를 공급시켜 보내고 있기 때문에, 이 N2가스에 의해 매니폴드(103)와 처리가스 분위기가 차단되어, 고온하에서 부식성이 강한 가스를 사용하여도 매니폴드(103)의 부식이 방지된다. 따라서, 예컨대 HCl가스를 함유한 산화처리용 가스를 사용하여 1000℃ 이상의 고온에서 산화처리를 행하여도 매니폴드(103)의 부식이 진행되지 않기 때문에, CVD와 산화처리를 공용할 수 있는 장치로 사용할 수 있다.
그리고, 커버(104)의 외주면에 관통구멍(141∼144)을 형성시켜, 이 중에 석영판(154,164,174,184)을 끼워 맞추고, 상기한 바와 같은 가스배관(105∼108)의 접속구조를 채용하면, 가스배관(105∼108)과 커버(104) 사이의 간격을 매우 적게 할 수 있음과 더불어 관통구멍(141,144)의 위치 정밀도가 낮아지므로서 제작이 용이하다. 즉, 석영관(152,162,172,182)을 커버(104)에 일체화하는 경우에는 매니폴드(103)의 흡기 포트나 배기 포트의 각각의 높은 위치 및 둘레방향위치가 다르기 때문에, 이에 대응하여 석영관(152,162,172,182)을 설치하는 것은 매우 곤란하지만, 상기한 바와 같이 예컨대 통형체(157)를 이용하여 이 중에 석영관(152)을 약간의 여유를 갖고 삽입하면 머리부(156)와 석영판(174)과의 일치에 의해 흡기 포트 또는 배기 포트와 관통구멍과의 위치 어긋남이 흡수됨과 더불어 머리부(156)와석영판(174)이 면접촉하기 때문에 간격을 작게할 수 있다.
또한, 제 1배기관(106)의 경우와 같이, 석영관(162)의 내단(內端)에 단차부(106b)를 형성하여 석영판(164) 내에 약간의 여유를 갖고 삽입시킨 경우에도 단차부(106b)와 석영판(164)과의 일치에 의해 마찬가지로 위치 어긋남이 흡수될 수 있다. 이 경우, 각 석영관(152,162,172,182)을 흡기포트(또는 배기포트)의 직경보다도 약간 작게하여 두는 것에 의해, 상기 위치 어긋남을 충분히 흡수할 수 있게 된다. 그리고, 또 캡부(131)에 있어서도, 석영의 링 부재(133)에 의해 보온통(125)과 커버(104)와의 사이를 덮고 있기 때문에 처리가스에 의한 부식이 억제된다.
더욱이, 성막처리 및 산화처리를 공통의 반응관(102)을 이용하여 수행하고 있기 때문에, 종래와 같이 별도의 장치에서 처리하는 경우와 비교하여, 드로우풋이 현격히 향상됨과 더불어 장치의 점유공간을 줄일 수가 있고, 또 웨이퍼(W)의 이재에 수반하여 웨이퍼(W)의 파손의 염려도 없고, 또한 Si3N4막을 형성한 후, 웨이퍼(W)를 반응관(102)으로부터 반출함이 없이 계속해서 SiO2막을 형성하고 있기 때문에, 이들 박막 사이에 불필요한 산화막이 형성되는 것도 없고, 수분등의 불순물이 혼입되는 것도 없다.
이상에 있어서, 가스배관(105∼108)과 커버(104)와의 접속구조는 상기한 실시예 이외의 구조이어도 되고, 예컨대 제 8도에 나타낸 바와 같이 가스공급관(109)에 있어서 석영으로 이루어진 내단부분에 머리부(191)를 일체적으로 형성한다. 한편, 매니폴드(104)의 배관 끼워맞춤용 구멍(145)의 주위를 평면부(146)로 하고, 머리부(191)가 평면부(146)의 내면 또는 외면에 면접촉하도록 내단 부분을 구멍(145)에 삽입하는 구조로 하여도 된다. 또한, 이와 같은 구조는 배기관을 매니폴드에 설치한 경우를 적용하여도 된다. 커버(104)의 재질로서는 석영으로 한정되는 것은 아니고, 또한 커버(104)와 매니폴드(103)와의 사이의 간격(S)에 공급하는 불활성가스로서는 N2가스 이외의 가스이어도 된다.
제 3실시예
종형 열처리장치를 이용하여 웨이퍼의 열처리를 행하는 경우에는, 주지한 바와 같이, 먼저 다수매의 미처리 웨이퍼를 웨이퍼보트에 탑재하고, 이를 승강수단을 이용하여 상승시킴에 의해 처리용기내로 그 아래쪽에서 반입시키고, 처리용기 개방부를 캡부에 의해 닫는다.
이 경우, 웨이퍼의 반입에 따라 미립자나 산소를 함유한 대기도 용기내로 들어오게 되어, 그대로 열처리를 행하면 대기중의 미립자가 결함을 발생시킬 수 있거나 또는 산소가 불필요한 자연산화막을 형성하여 버린다.
이 때문에, 웨이퍼 반입후는 용기내 상부의 가스노즐로부터 불활성가스, 예컨대 질소가스를 분출하여 용기내의 기체를 추출하여 질소가스와 치환하는 것이 수행된다.
그런데, 이 치환조작은 처리용기에 의해서도 달리되는데, 예컨대 산소농도, 수증기농도, 탄화물농도등이 일정의 수준 이하, 예컨대 산소농도에 관하여서는 약 10PPM 이하로 될 때까지 행하게 되지만, 통상 그 치환조작은 질소 가스를 흘린 상태에서 30∼60분 정도 수행된다.
이 때문에, 치환조작에 많은 시간이 필요로 되어 버려 드로우풋이 저하될 뿐만 아니라 불활성가스도 다량으로 사용하기 때문에 실행비용도 상승된다는 문제점이 있었다.
특히, 최근에 있어서는 산출량을 향상시키기 위하여, 열용량을 작게하면서 히터용량을 크게 하는 것에 의해 승온속도가 약 100℃/분으로 크게 된, 소위 고속 상압 열처리장치도 개발되어는 있지만, 상기한 바와 같은 가스치환 조작이 애로사항으로 되어 많은 시간을 필요로 하여 충분한 성과를 달성할 수 없다고 하는 문제점도 있었다.
본 발명의 제 3실시예는 이상에 의한 문제점에 주목하여, 이를 유효하게 해결하도록 창안되어 있다. 본 발명의 목적은 진공배기가스 치환을 가능하게 하기 위하여 내열 내압 밀봉성을 향상시킨 상압 고온처리장치 및 그 기체 치환방법을 제공하는데 있다.
제 9도에 나타낸 바와 같이 본 발명의 제 3실시예의 상압 고온처리장치(합병로)(230)의 가열로(202)는 하단이 개방되어서 기립(起立)된 천정이 있는 내부식성재료, 예컨대 석영제의 처리용기(204)를 갖추고, 그 외주에는 예컨대, 저항성의 가열히터(206)가 감겨져 설치되어 있다. 또한, 이 처리 용기(204)는 도시되지 않은 석영제의 내관과 이것으로부터 소정의 간격만큼 떨어져 동심형으로 된 외관으로 주로 구성된다.
이 처리용기(204)내에는 예컨대 석영제의 피처리체 수용보트(웨이퍼보트)(208)가 그의 아래방향에서 삽입탈착이 가능하게 수용되어 있다. 이 보트(208)에 그 길이 방향을 따라 소정의 피치로 다수의 피처리체(반도체웨이퍼)(W)가 수용되는 것으로 된다.
처리용기(204)의 하단의 개발부에는 엘리베이터등의 승강수단(210)의 암(212)에 장착된 스테인레스스틸제의 캡부(214)가 개폐가능하게 장착되어 있고, 이 캡부(214)에 석영제의 보온통(216)을 개재하여 웨이퍼보트(208)가 탑재되는 것으로 된다.
이 경우, 웨이퍼(W)에 대한 성막등의 면내(面內) 균일성을 확보하기 위하여 처리시에 웨이퍼보트(208)를 회전시켜 처리가스에 균일하게 쪼일 필요가 있다. 이를 위하여 제 10도에 나타낸 바와 같이 캡부(214)에는 마그네트커플링(218)으로 지지된 회전축(218A)을 설치하고, 이 상단측에 보온통(216)을 지지시켜 이를 회전시키도록 되어 있다. 이 마그네트커플링(218)의 대기압 측에는 풀리(219)가 설치되고, 이 풀리(219)에는 도시되지 않은 모터로부터 전달 벨트가 걸쳐 있다. 이 스테인레스스틸제의 캡부(214)의 상면, 즉 처리용기(204)측의 면에는 내부식성 재료, 예컨대 석영으로 이루어진 보호층(222)이 형성되어 있고, 부식성의 가스, 예컨대 염화수소(HCl)의 사용에 대해서도 충분히 견딜 수 있도록 되어 있다.
또한, 제 10도에 나타낸 바와 같이, 그 처리용기(204)의 하단 플랜지부 (204A)와 캡부(214)의 주연부와의 접합부분에는 웨이퍼 처리온도 약 1000℃, 1기압의 압력차에 견딜 수 있는 제 1고온내열 밀봉수단(232)이 설치되어 있어, 진공 배기가스 치환조작 및 고온처리를 가능하게 하고 있다.
구체적으로는 이 고온내열 밀봉수단(232)은, 캡부(214)의 주연부에 링형상으로 홈부(234)를 형성하고 여기에 불소고무등으로 이루어진 O-링(236)을 배치하여 구성되어 있다. 이 O-링(236)은 밀봉성은 높지만, 내열성이 약하여, 이 O-링(236)의 하부에는 캡부(204)의 둘레방향으로 중공(中空)링 형상으로 성형된 제 1냉각수로(238)가 형성됨과 더불어 처리용기(204)의 하단 플랜지부(204A)를 유지하는 유지부재(24))에 중공 링 형상으로 성형된 제 2냉각수로(242)가 형성되어 있다. 처리시에, 이들 수로(水路)(240,242)에 냉각수를 흐르게 함으로써 이 O-링(236)을 효율적으로 냉각시키도록 되어 있다.
그리고, 처리용기(204)의 하부측벽에는 제 9도에 나타낸 바와 같이, 용기 (204)내로 처리가스등을 도입하는 가스도입 포트(224) 및 용기내 가스를 배출하는 가스배출 포트(226)가 형성되면서 이 가스도입 포트(224)에는 용기(204) 내를 상방향을 향하여 뻗은 가스노즐(228)이 접속된다.
이 가스도입 포트(224)에는 제 12도에도 나타낸 바와 같이 볼조인트(244)를 매개로 가스공급계(246)가 접속되어 있고, 처리가스나 기체치환시에 필요로 되는 불활성가스, 예컨대 질소가스(N2가스)를 공급할 수 있도록 구성된다.
또한, 제 9도에 나타낸 바와 같이, 가스공급계(246)에는 그 도중에 외부 연소통(248)이 설치되어 있으며, 필요에 따라 산소와 수소를 연소시킴에 의해서 용기(204)내로 수증기를 도입할 수 있도록 구성되어 있다.
이 가스공급계(246)의 배관으로서는, 예컨대 석영제의 파이프를 이용하지만,장착시의 자유도를 얻기 위해 접속부에는 제 12도에 나타낸 바와 같은 볼조인트 (244)를 사용한다. 이 조인트(244)는 내부에 통로를 갖는 구체상(球體狀)의 조인트 본체(248)와 이를 수용하는 깔대기 형상의 수용부(250)로 주로 구성되어 있다. 이들 사이에는, 예컨대 테프론 피복된 O-링(252)이 개재되어 있고, 통상의 상압로(常壓爐)의 경우와는 달리 내열성 및 내밀봉성을 대폭 향상시키고 있다. 이 조인트 본체(248) 및 수용부(250)에는 각각 크램프플레이트(254,256)가 고정 설치되어 있다. 이 크램프플레이트(254,256) 사이를 스프링(258)을 개재시킨 조임볼트(260)에 의해 조여 고정하는 것에 의해, 내부재(254,256)를 어느 정도의 자유로운 각도에서도 기밀하게 연결하도록 되어 있다. 도시된 예에서는 이 볼조인트(244)가 2개 직렬로 배치되어 있다.
한편, 제 9도에 도시된 바와 같이 가스 배기포트(226)에는, 제 2고온 내열 밀봉수단(262)을 매개로 배기계(264)가 접속되어 있고, 이 가스 배기포트(226)에는 밀봉수단으로서의 금속가스켓(262A)을 매개로, 예컨대 스텐레스스틸제의 플랙시블튜브(266)가 접속되어 있다. 더욱이, 이 튜브(266)는 마찬가지인 금속가스켓(262B)을 매개로 석영파이프(268)에 접속되고, 이 석영파이프(268)는 테프론파이프(270)에 접속되어 있다.
이들 금속가스켓(262A,262B)의 단면은 제 11도에 확대되어 도시되어 있다. 이들 금속가스켓(262A,262B)은 예컨대 파스테로이로 이루어진 단면 S자 형상의 금속 링형상으로 성형하는 것에 의해 구성되어 있고, 이 양단의 밀봉면(272)을 보드 (226), 튜브(266) 사이 및 튜브(266), 석영파이프(268) 사이에 눌러 접속시켜, 낮은 접착력이라도 높은 밀봉성능을 확보함과 동시에 예컨대 400℃ 정도의 고온에서도 견뎌낼 수 있도록 구성되어 있다. 이 금속가스켓(262A,262B) 대신 밀봉성능이 높은 불소고무의 O-링을 이용하면 접착 상대가 석영등이므로 충분한 밀봉성능을 확보하는 접착력을 얻을 수가 없다.
또, 상기 금속가스켓(262A,262B) 대신, 여기에 밀봉성능을 유지하는 O-링을 설치함과 더불어 이 O-링을 열로부터 보호하기 위해서 냉각수로등으로 이루어진 냉각기구를 함께 설치하도록 하여 내열성을 갖도록 해도 된다.
그리고, 테프론파이프(270)는 기체 치환시에 사용하는 진공 배기계(270A)와 통상의 열처리시에 사용하는 상압 배기계(270B)에 의해 2개로 분기되어 있다. 이 진공배기계(270A)에는 계내의 소정의 압력을 검지해서 스위치를 온(ON), 오프(OFF) 하는 내부식성의 압력스위치(274)와, 진공측 개폐밸브(276), 기체치환용 진공펌프 (278) 및, 역류방지밸브(279)가 순차적으로 설치되어 있다. 이 압력스위치(274)가 상압, 예컨대 대기압을 검출한 때에 스위치를 넣어, 예컨대 N2가스도입관에 설치된 N2용 개폐밸브(280)를 닫아서 N2가스의 공급을 정지하도록 되어 있다.
또한, 상압 배기계(270B)에서는 제 1상압측개폐밸브(282A)와, 배기압 콘트롤러(284) 및, 핸드밸브(286)가 순차 설치됨과 더불어 그 하류측은 앞의 진공배기계 (270A)의 하류측과 합류되어 있다. 또한, 그 상압배기계(270B)는 제 1상압측개폐밸브(282A)의 상류측에서 분기되어 배출로(288)가 형성되어 있고, 그 배출로(288)에는 제 1상압측개폐밸브(282A)와 연동하는 제 2상압측 개폐밸브(282B)와, 역류를 방지하는 배압방지트랩(290) 및, 핸드밸브(292)가 순차 설치되어 있어 필요에 따라 배기계내의 배출 수(水)를 배출할 수 있도록 구성되어 있다.
다음에, 이상과 같이 구성된 상압 고온처리장치를 기초로 본 발명의 제 3 실시예에 따른 기체 치환방법에 대해 설명한다.
제 13도는 처리용기내의 기체를 치환하는 타임 차트(time chart)를 나타낸 그래프로서, 본 실시예에서는 2회의 기체 치환장치를 취급하고 있다.
예컨대, 처리온도를 약 1000℃라고 하면, 제 9도에 도시한 가열히터(206)에 의해 처리용기(204)를 그 보다도 낮은 온도, 예컨대 약 600℃까지 가열하여 두고, 그 용기(204) 내로 웨이퍼보트(208)에 탑재된 웨이퍼(W)를 로드시킨다. 이 로드에 관해서 용기(204)내에는 웨이퍼(W)간에 체류하고 있는 청정실(Clean Room)내의 대기가 유입되어 버린다. 이 때문에, 유입된 대기를 소정 수준까지 배출하기 위하여 용기(204)내의 기체치환을 상압 열처리에 선행하여 수행한다.
이를 위하여, 먼저 승강수단(110)을 구동하는 것에 의해 다수매의 웨이퍼(W)가 탑재된 웨이퍼보트(208)를 처리용기(204) 내에서 상승시켜 이를 로드시키고, 캡부(214)에 의해 처리용기(204)의 하단개방부를 닫는다. 이때, 이 개방부는 O-링 (236)을 갖춘 제 1고온내열 밀봉수단(232)에 의해 밀봉되기 때문에 기밀성이 양호하게 된다.
그리고, N2용 개폐밸브(280), 제 1 및 제 2상압측개폐밸브(282A, 282B)를 닫은 상태로 하면서 진공배기계(270A)의 진공측개폐밸브(276)를 연상태로 한다.
그리고, 이 상태에서 제 13도에 도시된 점(P1)에서 기체치환용 진공펌프 (278)를 구동시켜서 처리용기(204)내를 진공배기하여 간다. 이 펌프(278)는 급격한 감압을 피하기 위해 제 13도의 (E)에 진공펌프 회전수로 나타낸 바와 같이, 점차 그 회전수를 높여 약 30초 걸려 전속운전으로 하여 급격한 감압으로부터 야기되는 충격에 의해 웨이퍼등이 파손되는 것을 방지한다.
이와 같이 하여 약 90초 정도, 진공펌프(278)를 구동하여, 처리용기(204) 내를 10∼0.1토르 정도의 고진공으로 하게 되면, 점(P2)에서 진공펌프(278)의 구동을 유지한 상태에서 N2용 개폐밸브(280)를 연 상태로 하여, 처리용기(204)내에 치환 질소가스를 도입하여 가스치환을 하게 된다.
이 경우, 캡부(214)는 링(236)을 갖춘 제 1고온 내열밀봉수단(232)에 의해 밀봉된다. 또, 배기계(264)는 특수한 금속가스켓(262A,262B)을 이용한 제 2고온 내열밀봉수단(262)에 의해 밀봉된다. 이 때문에, 밀봉성능을 높게 유지할 수가 있어, 효율적인 가스치환이 이루어 질 수가 있다.
그리고, 어느 정도의 시간, 예컨대 15초 정도만 N2가스를 처리용기(204) 내에 흘리고, 점(P3)에서 진공측개폐밸브(276)를 닫은 상태로 하여 진공배기를 정지함과 동시에, 또는 이 보다는 근소하게 지연시켜 진공펌프(278)의 회전수를 서서히 낮춘다. 그리고, 이 시점에서는 N2가스의 공급은 계속하여 간다.
따라서, 처리용기(204)내의 압력은 상압을 향해 증가하여 가고, 이것이 상압, 즉 대기압에 이르면 점(P4)에서 진공배기계(270A)에 설치된 압력스위치(274)가이를 감지하여 N2가스용 개폐밸브(280)를 닫은 상태로 하여 N2가스의 공급을 정지시키고, 또한 진공펌프(278)의 회전수도 제로(zero)로 한다.
이 시점에서 처리용기(204)내의 기체는 거의 질소가스로 되어 기체치환이 효율적으로 이루어져 1회째의 기체치환작업이 완료되게 된다.
그리고, 그 후 상기한 조작을 다시 반복 수행하여 2회째의 기체치환조작을 수행한다.
이와 같이 하여, 처리용기(204)내를 일단 진공으로 하고, 그 후 불활성가스를 흐르도록 하였기 때문에 처리용기(204)내부의 수증기, 산소, 미립자를 신속히 배제시켜, 일정 레벨 이하로 설정하는 것이 가능하며, 단시간에 가스치환을 수행할 수 있게 된다.
또한, 앞의 실시예에 있어서는 가스치환조작을 2회 연속하여 반복 수행하였지만, 1회의 가스치환조작에 의해 산소농도등을 소정 레벨 이하로 할 수 있으면, 2회를 수행할 필요도 없고, 또한 레벨 설정이 세밀할 때에는 3회 또는 그 이상 반복하여 치환작업을 수행하여도 되는 것은 물론이다.
또한, 점(P2)부터 점(P3)에 있어서 진공펌프(278)를 구동하여 진공을 수행하면서 질소가스를 공급하는 이유는 다음과 같다. 즉, 금속가스켓(262A, 262B)을 사용한 제 2고온 내열밀봉수단(262)의 밀봉성능이 높다고 하더라도 외기의 누설도 근소하게 있기 때문에, 진공펌프(278)를 이 시점에서 완전히 정지하면 누출된 외기가 역류하여 처리용기(204)내에 유입되는 것으로 되어 가스치환효율이 저하되어 버리기 때문이다. 따라서, 상기한 바와 같이 진공펌프(278)를 구동시켜 두는 것에 의해 외기가 배기계(264)내로 유입되어도 그 누설기체를 처리용기(204)내로 역류시키지 않고 곧바로 진공펌프(278) 측에 배기시킬 수가 있다.
이와 같이 가스치환조작을 완료하게 되면, 통상의 상압 열처리조작으로 이행할 제1,2상압측 개폐밸브(282A,282B)를 열어 놓은 상태로 하여 상압배기계(270B) 및 배출로(288)를 오픈시키게 된다.
이와 동시에 가열히터(266)의 전력을 상승시켜 600℃의 처리용기(204)를 공정온도, 예컨대 1000℃까지 승온시키고 가스공급계(246)을 개방시켜 처리 가스를 공급하여 통상의 상압고온처리를 수행한다.
이때, 캡부(214) 및 가스배기포트(226)등도 상당히 고온으로 되지만, 캡부(214)의 O-링(236)은 이 상하에 설치된 제 2냉각수로(242) 및 제 1냉각수로 (238)에 냉각수를 흐르게 하는 것에 의해 냉각된다. 이 때문에, 상기 O-링(236)이 대미지를 받지 않고서 밀봉성이 충분히 확보되어 다음의 진공 가스치환조작을 반복 수행할 수 있게 된다.
또한, 마찬가지로 가스배기포트(226)와 배기계(264)에 설치된 금속가스켓 (262A,262B)도 고온에 쪼여져도 밀봉성이 저하되지 않기 때문에, 다음의 진공 가스치환조작시에 결함을 발생시키는 것은 없다.
또한, 점(P2)가 아니라 점(P3)에 있어서 약 30토르 정도까지 용기(204)내 압력이 상승된 시점에서 진공측개폐밸브(276)를 닫는 것으로 한 이유는, 용기내 압력을 상승시켜 외기가 밀봉부를 누출하여 유입되어 가는 양을 감소시키기 위한 것이다. 배기계에 누설이 있는 경우, 이때의 압력 30토르는 높으면 높을수록 바람직하고, 대기압 근방에 도달할 때까지 진공펌프는 구동하고 있는 것이 누설량을 감소시키기 위해서는 유리하다.
이상과 같은 가스 치환조작을 한 바, 용기(204)내의 산소농도를 20%부터 10PPM 이하까지 감소시키는데 약 6분 30초 정도로 된다. 종래 장치에 비교해서 큰 폭으로 가스 치환조작에 필요한 시간을 단축하는 것이 가능하고, 신속하게 통상의 열처리공정으로 이행하는 것이 가능하여, 드로우풋을 큰 폭으로 향상시키는 것이 가능하였다. 아울러 종래의 구조에 있어서 통과 N2을 20리터/분으로 10PPM 이하로 하기 위해서는 30분 이상 필요하였다.
이와 같이 종래의 상압 고온처리장치에 내열 밀봉구조를 실시하는 것에 의해 처리용기내의 기체를 강제적으로 배기하는 것이 가능하기 때문에 단시간으로 기체 치환조작을 수행하는 것이 가능하게 된다.
또한, 이와 같이 단시간으로 기체치환조작이 완료하게 되는 것으로부터 사용하는 N2가스량도 적어 실행비용도 삭감할 수 있다.
더욱이, 상기 실시예에 있어서는 불활성가스로서 저가의 질소가스를 이용하였지만, 이에 한정된 것은 아니고, 다른 불활성가스를 이용할 수 있는 것은 물론이다.
제 1도는 본 발명의 제 1실시예의 열처리방법을 실시하기 위한 종형 열처리장치의 종단면도,
제 2도는 제 1도에 나타낸 종형 열처리장치의 변형예의 종단면도,
제 3A도 및 제 3B도는 본 발명의 제 1실시예의 열처리방법에 있어서의 처리가스의 흐름을 나타내는 설명도,
제 4A도 내지 제 4C도는 본 발명의 제 1실시예의 열처리방법에 있어서의 박막의 형성을 단계적으로 나타내는 설명도,
제 5도는 본 발명의 제 2실시예의 종형 열처리장치의 종단면도,
제 6도는 제 5도에 나타낸 종형 열처리장치의 주요부를 나타낸 종단면도,
제 7도는 제 5도에 나타낸 종형 열처리장치의 주요부의 분해사시도,
제 8도는 제 7도에 나타낸 종형 열처리장치의 주요부의 일부분의 분해사시도,
제 9도는 본 발명의 제 3실시예의 상압 고온처리 장치의 일례의 구성도,
제 10도는 제 9도에 표시된 상압 고온처리 장치의 캡부의 밀봉 구조의 확대부분 종단면도,
제 11도는 제 9도에 나타낸 상압 고온처리 장치의 배기 포트와 배기계의 밀봉 구조의 확대부분 종단면도,
제 12도는 제 9도에 나타낸 상압 고온처리 장치의 가스 공급계의 볼조인트를 이용한 밀봉 구조의 확대도,
제 13도는 제 9도에 표시된 상압 고온처리 장치에 있어서의 처리용기 내의 기체를 치환할 때의 타임챠트,
제 14도는 종래의 열처리 방법의 각 단계의 설명도이다.
1---종형열처리장치 2---반응관
2a---내관 2b---외관
3---매니폴드 4---제 1가스공급관
4a, 4b---가스 공급원 5---제 2배기관
6---제 2가스공급관
7---제 2배기관 20---제어부
21---단열체 22---히터
22a---온도검출수단 23---가열로
23a---프레임 30---베이스플레이트
31---캡부 32, 32a---O-링
33---보트엘리베이터 34---보온통
35---웨이퍼보트 51---진공펌프
52---압력계 81---폴리실리콘층
82---Si3N4막 83---SiO2막
100---종합열처리장치(합병로) 102---반응관
102a---내관 102b---외관
103---매니폴드 104---커버
105---제 1가스공급관 106---제 1배기관
106a---감축직경부분 106b---단차부
107---제 2가스공급관 108---제 2배기관
121---단열체 122---히터
123---가열로 124---보트엘리베이터
125---보온통 125a---각부
126---웨이퍼보트 127---회전축
128---회전기구 129---회전대
130---베이스플레이트 131---캡부
133---링부재 134,135---기립편
140a, 140b, 140c---가스공급관 141 내지 145---관통구멍
146---평면부 151---흡기포트
152,162,172,182---석영관 161,181---배기포트
153,163,173,183---스텐레스스틸관 154,164,174,184---석영판
155,165,175,185---배관맞춤용 구멍 156,176,186,191---머리부
157,177,187---통형체 202---가열로
204---처리용기 204A---플랜지부
206---가열히터 208---웨이퍼보트
210---승강수단 212---암
214---캡부 218---마그네트커플링
219---풀리 222---보호층
224---가스도입포트 226---배기포트
228---가스노즐 230---고온처리장치
232---밀봉수단 240,242---수로
244---볼조인트 246---가스공급계
248---외부연소통 250---수용부
252---O-링 254,256---크램프플레이트
258---스프링 260---조임볼트
262---밀봉수단 262A,262B---금속가스켓
264---배기계 266---플랙시블튜브
268---석영파이프 270---테프론파이프
270A,270B---진공배기계 272---밀봉면
274---압력스위치 276--진공측 개폐밸브
278---진공펌프 279---역류방지밸브
280---개폐밸브 282A,282B---측개폐막
284---배기압콘트롤러 286,292---핸드밸브
288---배출로 290---배압방지트랙

Claims (6)

  1. 내관 및 외관으로 이루어진 이중관구조의 반응관을 구비하면서 내관의 내측에 각각 개구되는 제 1가스공급관 및 제 2배기관과, 내관 및 외관의 사이의 공간에 각각 개구되는 제 2가스 공급관 및 제 1배기관을 배열 설치한 종형 열처리장치를 이용하여 피처리체를 열처리하는 방법에 있어서,
    상기 제 1가스공급관 및 제 1배기관을 이용하여 처리가스를 상기 내관의 내측으로부터 상기 내관과 외관의 사이의 공간으로 흐르게 하고, 가열하면서 감압분위기하에서 피처리체의 표면에 성막처리를 수행하는 제 1공정과,
    이어서, 상기 제 2가스 공급관 및 상기 제 2배기관을 이용하여 처리 가스를 상기 내관과 외관의 사이의 공간으로부터 상기 내관의 내측으로 흐르게 하고, 가열하면서 상압분위기에서 피처리체의 표면에 산화 또는 확산 처리를 수행하는 제 2공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 열처리방법.
  2. 내관 및 외관으로 이루어진 이중관구조의 반응관을 구비하면서 내관의 내측에 각각 개구되는 제 1가스 공급관 및 제 2배기관과, 내관 및 외관의 사이의 공간에 각각 개구되는 제 2가스 공급관 및 제 1배기관을 배열 설치한 종형 열처리장치를 이용하여 피처리체를 열처리하는 방법에 있어서,
    상기 제 2가스 공급관 및 상기 제 2배기관을 이용하여 처리 가스를 상기 내관과 외관의 사이의 공간으로부터 상기 내관의 내측으로 흐르게 하고, 가열하면서상압분위기에서 피처리체의 표면에 산화 또는 확산처리를 수행하는 제 2공정과,
    이어서, 상기 제 1가스공급관 및 상기 제 1배기관을 이용하여 처리가스를 상기 내관의 내측으로부터 내관과 외관의 사이의 공간으로 흐르게 하고, 가열하면서 감압분위기 하에서 피처리체의 표면에 성막처리를 수행하는 제 1공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 열처리방법.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 제 1공정이 질화실리콘막을 형성하는 공정이고, 상기 제 2공정이 형성된 질화실리콘막의 표면을 산화시켜 산화실리콘막을 형성하는 공정인 것을 특징으로 하는 열처리방법.
  4. 종형의 반응관의 하부측에 가스 공급관 및 배기관이 접속된 금속제의 매니폴드가 설치되고, 다수의 피처리체를 유지구에 탑재하여 매니폴드의 하단 개구부에서 반응관 내로 반입하는 종형 열처리장치에 있어서,
    상기 매니폴드의 내주면을 뒤덮게 설치된 내열재로 이루어진 커버와,
    이 커버와 매니폴드의 내주면과의 사이의 간격에 불활성가스를 도입하기 위한 불활성가스 도입수단을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 종형열처리장치.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 커버를 석영으로 구성하고, 이 커버의 측주면에 배관 끼워맞춤용 구멍을 형성함과 더불어 이 배관 끼워맞춤용 구멍의 주위를 평면부로 하며, 가스공급관 또는 배기관의 내단 부분을 석영으로 구성하여 상기 배관 끼워맞춤용 구멍에 끼워 맞추는 것을 특징으로 하는 종형 열처리장치.
  6. 제 5항에 있어서, 머리부를 구비한 석영으로 이루어진 통형체를, 이 머리부가 배관 끼워맞춤용 구멍 주위의 평면부의 내면 또는 외면에 면접촉하도록 배관 끼워맞춤용 구멍에 끼워 맞춤과 더불어 상기 가스 공급관 또는 배기관의 내단 부분을 상기 통형체 내에 삽입시킨 것을 특징으로 하는 종형 열처리장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100699993B1 (ko) * 2004-08-30 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열전사 방법

Families Citing this family (401)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5578132A (en) * 1993-07-07 1996-11-26 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Apparatus for heat treating semiconductors at normal pressure and low pressure
JPH08186081A (ja) * 1994-12-29 1996-07-16 F T L:Kk 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
TW506620U (en) * 1996-03-15 2002-10-11 Asahi Glass Co Ltd Low pressure CVD apparatus
JP3270730B2 (ja) 1997-03-21 2002-04-02 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び基板処理方法
KR100293141B1 (ko) 1997-04-16 2001-06-15 아사무라 타카싯 피막특성과 자기특성이 우수한 일방향성 전자강판과 그 제조방법및그제조방법에사용되는탈탄소둔설비
EP0883162A3 (en) 1997-06-05 2001-04-18 Sizary Limited Semiconductor wafer cleaning apparatus
US6294455B1 (en) 1997-08-20 2001-09-25 Micron Technology, Inc. Conductive lines, coaxial lines, integrated circuitry, and methods of forming conductive lines, coaxial lines, and integrated circuitry
US6187677B1 (en) 1997-08-22 2001-02-13 Micron Technology, Inc. Integrated circuitry and methods of forming integrated circuitry
US6143616A (en) * 1997-08-22 2000-11-07 Micron Technology, Inc. Methods of forming coaxial integrated circuitry interconnect lines
US6566281B1 (en) * 1997-10-15 2003-05-20 International Business Machines Corporation Nitrogen-rich barrier layer and structures formed
KR100253089B1 (ko) * 1997-10-29 2000-05-01 윤종용 반도체소자 제조용 화학기상증착장치 및 이의 구동방법, 그 공정챔버 세정공정 레시피 최적화방법
US6171982B1 (en) 1997-12-26 2001-01-09 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for heat-treating an SOI substrate and method of preparing an SOI substrate by using the same
US6413874B1 (en) 1997-12-26 2002-07-02 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for etching a semiconductor article and method of preparing a semiconductor article by using the same
JPH11288893A (ja) 1998-04-03 1999-10-19 Nec Corp 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
JP3472482B2 (ja) * 1998-06-30 2003-12-02 富士通株式会社 半導体装置の製造方法と製造装置
JP3396431B2 (ja) * 1998-08-10 2003-04-14 東京エレクトロン株式会社 酸化処理方法および酸化処理装置
US6176198B1 (en) * 1998-11-02 2001-01-23 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for depositing low K dielectric materials
JP2000183037A (ja) 1998-12-11 2000-06-30 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置
JP3119641B2 (ja) * 1999-01-19 2000-12-25 九州日本電気株式会社 縦型熱処理装置
JP2000243747A (ja) * 1999-02-18 2000-09-08 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置
US6194030B1 (en) * 1999-03-18 2001-02-27 International Business Machines Corporation Chemical vapor deposition velocity control apparatus
DE19919326A1 (de) * 1999-04-28 2000-11-02 Leybold Systems Gmbh Kammer für eine chemische Dampfbeschichtung
KR100417469B1 (ko) * 1999-09-20 2004-02-11 주성엔지니어링(주) 2중 챔버벽을 구비한 반도체 소자 제조장치
JP3543949B2 (ja) * 1999-11-09 2004-07-21 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
WO2001034871A1 (en) * 1999-11-12 2001-05-17 Far West Electrochemical, Inc. Apparatus and method for performing simple chemical vapor deposition
US6503330B1 (en) 1999-12-22 2003-01-07 Genus, Inc. Apparatus and method to achieve continuous interface and ultrathin film during atomic layer deposition
US6551399B1 (en) 2000-01-10 2003-04-22 Genus Inc. Fully integrated process for MIM capacitors using atomic layer deposition
JP2001351871A (ja) * 2000-06-09 2001-12-21 Asm Japan Kk 半導体製造装置
US6617173B1 (en) 2000-10-11 2003-09-09 Genus, Inc. Integration of ferromagnetic films with ultrathin insulating film using atomic layer deposition
US20030190424A1 (en) * 2000-10-20 2003-10-09 Ofer Sneh Process for tungsten silicide atomic layer deposition
JP3872952B2 (ja) * 2000-10-27 2007-01-24 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
US6844273B2 (en) * 2001-02-07 2005-01-18 Tokyo Electron Limited Precleaning method of precleaning a silicon nitride film forming system
WO2002079080A1 (fr) * 2001-03-29 2002-10-10 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Dispositif et procede de production d'une structure a base de silicium
JP3403181B2 (ja) * 2001-03-30 2003-05-06 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
JP2003031050A (ja) * 2001-07-16 2003-01-31 Nec Corp 水銀を含む銅酸化物超伝導体薄膜、その製造装置およびその製造方法
JP2003031564A (ja) * 2001-07-19 2003-01-31 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US6858186B2 (en) * 2001-12-24 2005-02-22 Agilent Technologies, Inc. Chambers for storing arrays
WO2003065424A2 (en) * 2002-01-25 2003-08-07 Applied Materials, Inc. Apparatus for cyclical deposition of thin films
JP3985899B2 (ja) * 2002-03-28 2007-10-03 株式会社日立国際電気 基板処理装置
KR20030081144A (ko) * 2002-04-11 2003-10-17 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 종형 반도체 제조 장치
US6837253B1 (en) * 2002-04-22 2005-01-04 Imtec Acculine, Inc. Processing tank with improved quick dump valve
DE10245553A1 (de) * 2002-09-30 2004-04-08 Infineon Technologies Ag Verfahren und Ofen zur Gasphasenabscheidung von Komponenten auf Halbleitersubstrate mit veränderbarer Hauptstromrichtung des Prozessgases
US20040060519A1 (en) * 2002-10-01 2004-04-01 Seh America Inc. Quartz to quartz seal using expanded PTFE gasket material
JP4113755B2 (ja) * 2002-10-03 2008-07-09 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP4411215B2 (ja) * 2002-11-11 2010-02-10 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
KR100498467B1 (ko) * 2002-12-05 2005-07-01 삼성전자주식회사 배기 경로에서의 파우더 생성을 방지할 수 있는 원자층증착 장비
KR100482373B1 (ko) * 2002-12-11 2005-04-14 삼성전자주식회사 반도체장치 제조설비의 열처리장치 및 그 공정방법
KR100481874B1 (ko) * 2003-02-05 2005-04-11 삼성전자주식회사 집적회로 제조에 사용되는 확산로 및 확산로의 냉각방법
US7390535B2 (en) * 2003-07-03 2008-06-24 Aeromet Technologies, Inc. Simple chemical vapor deposition system and methods for depositing multiple-metal aluminide coatings
JP3913723B2 (ja) * 2003-08-15 2007-05-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法
CN101429649B (zh) * 2003-09-19 2012-06-13 株式会社日立国际电气 半导体装置的制造方法及衬底处理装置
KR100541559B1 (ko) * 2004-01-29 2006-01-11 삼성전자주식회사 글랜드부를 갖는 배치형 증착 장비
KR100582036B1 (ko) * 2004-04-12 2006-05-22 주식회사 테라세미콘 반도체 제조공법 및 반도체 제조장치의 기판홀더
US6834664B1 (en) * 2004-04-13 2004-12-28 Kogaku Technology Inc. Device making use of heated fluid to reduce dust products in waste gas pipeline
US20060021571A1 (en) * 2004-07-28 2006-02-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Vacuum pump line with nickel-chromium heater layer
JP2007005381A (ja) * 2005-06-21 2007-01-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマエッチング方法、及びプラズマエッチング装置
JP4652408B2 (ja) * 2005-07-26 2011-03-16 株式会社日立国際電気 基板処理装置、反応管、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
US7857947B2 (en) * 2005-07-27 2010-12-28 Applied Materials, Inc. Unique passivation technique for a CVD blocker plate to prevent particle formation
US7726953B2 (en) * 2005-08-30 2010-06-01 United Microelectronics Corp. Pump ring
KR100706790B1 (ko) * 2005-12-01 2007-04-12 삼성전자주식회사 산화 처리 장치 및 방법
US20070187386A1 (en) * 2006-02-10 2007-08-16 Poongsan Microtec Corporation Methods and apparatuses for high pressure gas annealing
US7699957B2 (en) * 2006-03-03 2010-04-20 Advanced Display Process Engineering Co., Ltd. Plasma processing apparatus
JP5051875B2 (ja) * 2006-12-25 2012-10-17 東京エレクトロン株式会社 成膜装置および成膜方法
JP4961381B2 (ja) * 2008-04-14 2012-06-27 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
JP4582816B2 (ja) * 2008-06-27 2010-11-17 キヤノンアネルバ株式会社 真空加熱装置
JP5188326B2 (ja) * 2008-08-28 2013-04-24 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、及び基板処理装置
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP5520552B2 (ja) * 2009-09-11 2014-06-11 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
US9222173B2 (en) * 2010-06-04 2015-12-29 Evatec Advanced Technologies Ag Vacuum processing device
JP2012195565A (ja) * 2011-02-28 2012-10-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
JP5645718B2 (ja) * 2011-03-07 2014-12-24 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9196471B1 (en) 2012-06-01 2015-11-24 Yen Fui Choo Scanner for wafers, method for using the scanner, and components of the scanner
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
JP6167673B2 (ja) * 2013-05-31 2017-07-26 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
KR102162366B1 (ko) * 2014-01-21 2020-10-06 우범제 퓸 제거 장치
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9920425B2 (en) * 2014-08-13 2018-03-20 Toshiba Memory Corporation Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
JP6820793B2 (ja) * 2017-04-27 2021-01-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、排気管のコーティング方法及び基板処理方法
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10366909B2 (en) * 2017-07-27 2019-07-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thermal chamber exhaust structure and method
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
JP6916766B2 (ja) 2018-08-27 2021-08-11 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
JP6749954B2 (ja) * 2018-02-20 2020-09-02 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
KR102854019B1 (ko) 2018-06-27 2025-09-02 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
US10998205B2 (en) * 2018-09-14 2021-05-04 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
JP7603377B2 (ja) 2019-02-20 2024-12-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
US11289326B2 (en) 2019-05-07 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Method for reforming amorphous carbon polymer film
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200141931A (ko) 2019-06-10 2020-12-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TWI851767B (zh) 2019-07-29 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
CN112342526A (zh) 2019-08-09 2021-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 包括冷却装置的加热器组件及其使用方法
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN120432376A (zh) 2019-11-29 2025-08-05 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
JP7636892B2 (ja) 2020-01-06 2025-02-27 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20210103956A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
KR20210103953A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
CN113410160A (zh) 2020-02-28 2021-09-17 Asm Ip私人控股有限公司 专用于零件清洁的系统
KR20210113043A (ko) 2020-03-04 2021-09-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210130646A (ko) 2020-04-21 2021-11-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 방법
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
JP2021172585A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー バナジウム化合物を安定化するための方法および装置
TWI884193B (zh) 2020-04-24 2025-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210137395A (ko) 2020-05-07 2021-11-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 불소계 라디칼을 이용하여 반응 챔버의 인시츄 식각을 수행하기 위한 장치 및 방법
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12322591B2 (en) 2020-07-27 2025-06-03 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition process
KR20220021863A (ko) 2020-08-14 2022-02-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202228863A (zh) 2020-08-25 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
TWI874701B (zh) 2020-08-26 2025-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
TW202217045A (zh) 2020-09-10 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202232565A (zh) 2020-10-15 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 製造半導體裝置之方法及使用乙太網路控制自動化技術之基板處理裝置
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TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
JP7317083B2 (ja) * 2021-09-01 2023-07-28 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム及び基板処理方法
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN113821066B (zh) * 2021-10-19 2022-07-15 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种减小动态保护性气体对热处理过程温度控制影响的装置及方法
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover
WO2023126462A1 (en) * 2021-12-31 2023-07-06 Luxembourg Institute Of Science And Technology (List) Connector with pressurized sealing chamber for process tube of a process furnace

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0252420A (ja) * 1988-08-16 1990-02-22 Tel Sagami Ltd 処理装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5016567A (en) * 1988-08-26 1991-05-21 Tel Sagami Limited Apparatus for treatment using gas
JP3023982B2 (ja) * 1990-11-30 2000-03-21 東京エレクトロン株式会社 成膜方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0252420A (ja) * 1988-08-16 1990-02-22 Tel Sagami Ltd 処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100699993B1 (ko) * 2004-08-30 2007-03-26 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열전사 방법
US8809084B2 (en) 2004-08-30 2014-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Laser induced thermal imaging method and a method of fabricating organic light emitting display

Also Published As

Publication number Publication date
US5484484A (en) 1996-01-16
KR950004451A (ko) 1995-02-18
US5750436A (en) 1998-05-12

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