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KR100402760B1 - Microstrip antenna using piezoelectric element - Google Patents

Microstrip antenna using piezoelectric element Download PDF

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KR100402760B1
KR100402760B1 KR10-2001-0039527A KR20010039527A KR100402760B1 KR 100402760 B1 KR100402760 B1 KR 100402760B1 KR 20010039527 A KR20010039527 A KR 20010039527A KR 100402760 B1 KR100402760 B1 KR 100402760B1
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piezoelectric element
patch
microstrip antenna
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ground plate
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송준태
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학교법인 성균관대학
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Abstract

본 발명은 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나에 관한 것으로, 보다 상세하게는 그 일측면에 접지판(100)이 형성되고, 일정두께를 갖는 하부기판(110);그 일측면에 패치(120)가 형성되고, 일정두께를 갖는 상부기판(130); 및 주파수 조정을 위해서, 상기 접지판(100)과 패치(120)의 간격을 조정할 수 있도록 상기 접지판(100)과 패치(120)가 대향되는 위치에 형성되고, 외부전계를 가하면 기계적 변형이 되는 압전소자(140);를 포함하여 구성됨으로써, 안테나에 물리적인 변형을 가하지 않고 실시간으로 주파수대역을 간편하게 조정,이동할 수 있는 이점이 있다.The present invention relates to a microstrip antenna using a piezoelectric element, and more particularly, a ground plate 100 is formed on one side thereof, and a lower substrate 110 having a predetermined thickness; and a patch 120 on one side thereof. An upper substrate 130 having a predetermined thickness; And for frequency adjustment, the ground plate 100 and the patch 120 is formed in a position where the ground plate 100 and the patch 120 so as to adjust the interval, the mechanical deformation is applied to the external electric field The piezoelectric element 140 is configured to include, and thus, there is an advantage in that the frequency band can be easily adjusted and moved in real time without applying physical deformation to the antenna.

Description

압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나{MICROSTRIP ANTENNA USING PIEZOELECTRIC ELEMENT}Microstrip antenna using piezoelectric element {MICROSTRIP ANTENNA USING PIEZOELECTRIC ELEMENT}

본 발명은 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나에 관한 것으로, 보다 상세하게는 안테나에 물리적인 변형을 가하지 않고 외부전계를 가하면 기계적 변형이 되는 압전소자를 기판에 형성하여 외부전계를 가해줌으로써, 실시간으로 주파수대역을 간편하게 조정,이동할 수 있는 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나에관한 것이다.The present invention relates to a microstrip antenna using a piezoelectric element, and more particularly, by forming a piezoelectric element that becomes mechanically deformed on a substrate by applying an external electric field without applying a physical deformation to the antenna, and applying an external electric field to generate a frequency in real time. It is about a microstrip antenna using a piezoelectric element that can easily adjust and move the band.

일반적으로, 안테나는 셀룰러 방식의 이동통신 기지국에서 셀 반경내의 가입자들에게 필요한 전계강도의 신호를 송수신하는데 이용되며, 또 가입자가 휴대한 단말기에 채용되어 기지국과 송수신신호를 주고받는 에어 인터페이스 수단으로 이용되고 있다. 또한, 지하주차장, 지하철, 고층빌딩내의 사무실 등과 같은 전파음영지역의 경우 중계기의 에어 인터페이스에 이용되고 있다.In general, an antenna is used to transmit and receive a signal of electric field strength required by subscribers within a cell radius in a cellular mobile communication base station, and is used as an air interface means used to transmit and receive signals to and from a base station. It is becoming. In addition, radio shade areas such as underground parking lots, subways, and offices in high-rise buildings are used for air interfaces of repeaters.

상기와 같이 이동통신 혹은 무선통신에는 다이폴 안테나, 야기안테나, 마이크로스트립 안테나 등이 주로 쓰이고 있다.As described above, a dipole antenna, a yagi antenna, and a microstrip antenna are mainly used in mobile communication or wireless communication.

상기 다이폴 안테나는 반파장 길이의 공진형 안테나로서 도우넛 형태의 전방향 복사특성을 지니고 있어 셀룰러 통신의 가입자 단말기용 안테나와 소형 중계기의 서비스 안테나로 주로 사용된다.The dipole antenna is a half-wavelength resonant antenna having a donut-type omnidirectional radiation characteristic and is mainly used as a subscriber antenna of cellular communication and a service antenna of a small repeater.

또한, 상기 야기 안테나는 다이폴 안테나를 길이방향으로 여러개 중첩시켜 지향성을 높인 예로서, 소형 중계기의 조너 안테나에 주로 사용된다.In addition, the Yagi antenna is an example of improving directivity by overlapping a plurality of dipole antennas in a longitudinal direction, and is mainly used for a zonal antenna of a small repeater.

그리고, 상기 마이크로스트립 안테나는 셀룰러폰 및 PCS(Personal Communication Service)를 포함하는 개인휴대통신 서비스, 무선 가입자망 서비스(Wireless Local Looped), 플림스(Future Public Land Mobile Telecommunication System) 및 위성통신 등을 포함하는 무선통신에 사용되어 기지국과 사용자가 휴대한 단말기 상호간의 신호를 송수신하는 데에 주로 사용되고 있다.The microstrip antenna includes a personal mobile communication service including a cellular phone and a personal communication service (PCS), a wireless local looped service, a future public land mobile telecommunication system, and satellite communication. It is used in the wireless communication is mainly used for transmitting and receiving signals between the base station and the user terminal.

도 1(A)는 종래의 마이크로스트립 패치 안테나의 구조를 나타낸 도면이다.1 (A) is a diagram showing the structure of a conventional microstrip patch antenna.

도 1에서 참조번호 1은 예컨대 테프론(Tefron)이나, 렉솔라이트(Rexolite), PTFE(Polytetrafluoroethylene) 등의 유전체로 이루어진 유전체 기판으로서, 이 유전체 기판(1)의 상면에는 소정의 도전 금속으로 이루어진 방사 패치(2)가 설치되고, 이 패치(2)와 대향되는 유전체 기판(1)의 하면에는 도전 금속으로 이루어진 접지판(3)이 설치되어 있다.In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a dielectric substrate made of a dielectric such as Tefron, Rexolite, or Polytetrafluoroethylene (PTFE). (2) is provided, and a ground plate (3) made of a conductive metal is provided on the lower surface of the dielectric substrate (1) facing the patch (2).

그리고, 상기 패치(2)에는 그 일측면에 소정의 전원을 공급함과 더불어 그 임피던스 매칭을 통해 소정의 수신신호를 입력하기 위한 피드점(Feed point : 21)이 설치되면서, 이 피드점(21)과 상기 패치(2)는 피드라인(22)을 통해서 전기적으로 결합되어 있다.In addition, the patch 2 is provided with a feed point 21 for supplying predetermined power to one side thereof and inputting a predetermined reception signal through impedance matching, and the feed point 21 is provided. And the patch 2 are electrically coupled via a feed line 22.

상기 구성에 있어서, 피드점(21)에 대해 소정의 전원을 가하게 되면, z방향으로 Quasi-TEM 모드가 진행되게 되고, 여기서 상기 패치(2)의 길이(L)를 λ0/2 로 하게 되면 도 2(B)에 나타낸 바와 같은 누설전계가 발생하게 된다. 또한, 이 때 상기 누설전계는 패치(2)로부터 접지판(3)으로의 방향과 접지판(3)으로부터 패치(2)로의 방향을 갖는 것이 상호 존재하여 서로 상쇄되고, 수평성분은 서로 동위상이 되어 도 1(C)에 나타낸 바와 같이 2개의 슬롯(23, 24)이 소정의 거리, L만큼 떨어져 있는 경우와 같아지게 된다.In the above configuration, when a predetermined power is applied to the feed point 21, the Quasi-TEM mode proceeds in the z direction, where the length L of the patch 2 is λ0 / 2. A leakage electric field as shown in 2 (B) is generated. At this time, the leakage electric fields are mutually offset from each other having a direction from the patch 2 to the ground plate 3 and a direction from the ground plate 3 to the patch 2, and the horizontal components are in phase with each other. As shown in Fig. 1C, the two slots 23 and 24 are separated from each other by a predetermined distance, L.

그리고, 상기 양 슬롯(23,24) 사이의 복사전계에 의해 외부로부터 인가되는 고주파신호를 수신하게 된다.Then, a high frequency signal is applied from the outside by the radiated electric field between the slots 23 and 24.

즉, 상술한 종래의 마이크로스트립 패치 안테나에 의하면, 소정 크기의 유전체 기판상에 안테나를 실현할 수 있게 되므로 이동체 등에 설치하여 사용할 수 있게 된다.That is, according to the conventional microstrip patch antenna described above, the antenna can be realized on a dielectric substrate having a predetermined size, so that the antenna can be installed on a moving body or the like.

상기 마이크로스트립 패치 안테나는 원래 1~2% 정도의 임피던스 대역폭을 가지며, 지금까지 대역폭을 증가시키기 위한 많은 방법들이 제안되었다. 그러한 방법은 주로 파라스틱 소자를 패치와 동일한 평면이나 또는 다른 층에 적층으로 위치시키거나패치를 형태를 변형시키는 방법을 사용한다.The microstrip patch antenna originally has an impedance bandwidth of about 1 to 2%, and many methods for increasing the bandwidth have been proposed. Such methods primarily use a method of placing a parasitic element in a stack on the same plane or another layer as the patch or modifying the patch shape.

미국특허등록번호 제 5,565,875 호와, 미국특허등록번호 제 5,680,144 호는 은 패치의 모양을 루프 형태 또는 C자 형태로 변형시키고 파라스틱을 적층시키는 방법에 의해서 대역폭을 증가시키는 안테나를 명시하였으나, 안테나의 두께가 높고 매우 복잡하여 실용적으로 사용하기가 어려운 단점이 있다. 이러한 이유로 일반적인 개인휴대통신 중계기용 안테나, 무선통신 장비등에 내장이 어려운 문제가 발생하였으며, 부피가 커짐에 따라 지하철, 빌딩지하 및 전파음영지역의 복도나 벽면등에 부착하기가 어려운 문제점이 발생하였다.U.S. Pat.No. 5,565,875 and U.S. Pat.No. 5,680,144 specify antennas that increase bandwidth by modifying the shape of the silver patches into loops or C-shapes and stacking parasitics. There is a disadvantage in that the thickness is very high and it is very difficult to use practically. For this reason, it is difficult to embed in general personal mobile communication repeater antennas and wireless communication equipments, and as the volume increases, it is difficult to attach to corridors or walls of subways, underground buildings, and radio shade areas.

즉, 종래의 마이크로스트립 안테나는 외형의 변형, 제작에 따라서 고정된 주파수 범위만 허용하는 불편한 점이 있었다.That is, the conventional microstrip antenna has a disadvantage in that only a fixed frequency range is allowed according to the deformation and manufacture of the appearance.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서 본 발명의 목적은 안테나에 물리적인 변형을 가하지 않고 외부전계를 가하면 기계적 변형이 되는 압전소자를 기판에 형성하여 외부전계를 가해줌으로써, 실시간으로 주파수대역을 간편하게 조정,이동할 수 있는 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나를제공하는데 있다.The present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention is to form a piezoelectric element that is mechanically deformed by applying an external electric field to the antenna without applying a physical deformation to the antenna to apply an external electric field in real time, The present invention provides a microstrip antenna using a piezoelectric element that can easily adjust and move a frequency band.

도 1(A) 내지 도 1(C)는 종래의 마이크로스트립 안테나를 도시한 사시도1 (A) to 1 (C) are perspective views showing a conventional microstrip antenna

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나를 도시한 분리사시도Figure 2 is an exploded perspective view showing a microstrip antenna using a piezoelectric element according to an embodiment of the present invention

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나를 도시한 결합단면도3 is a cross-sectional view illustrating a microstrip antenna using a piezoelectric element according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나의 특성을 측정하기 위한 시스템을 나타낸 도면4 is a diagram illustrating a system for measuring characteristics of a microstrip antenna using piezoelectric elements according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나의 DC 바이어스에 대한 주파수의 변화를 나타낸 그래프5 is a graph showing a change in frequency with respect to the DC bias of the microstrip antenna using a piezoelectric element according to an embodiment of the present invention

도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나의 AC 바이어스에 대한 주파수의 변화를 나타낸 그래프6 is a graph showing a change in frequency with respect to the AC bias of the microstrip antenna using a piezoelectric element according to an embodiment of the present invention

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나를 도시한 분리사시도Figure 7 is an exploded perspective view showing a microstrip antenna using a piezoelectric element according to another embodiment of the present invention

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나를 도시한 결합단면도8 is a cross-sectional view illustrating a microstrip antenna using a piezoelectric element according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나의 특성을 측정하기 위한 시스템을 나타낸 도면9 is a diagram illustrating a system for measuring characteristics of a microstrip antenna using piezoelectric elements according to another embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나의 DC 바이어스에 대한 주파수의 변화를 나타낸 그래프10 is a graph showing a change in frequency with respect to the DC bias of the microstrip antenna using a piezoelectric element according to another embodiment of the present invention

* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 접지판 110 : 하부기판100: ground plate 110: lower substrate

120 : 패치 130 : 상부기판120: patch 130: upper substrate

140 : 압전소자 150 : 공기층140: piezoelectric element 150: air layer

160 : 전압원과 함수발생기(LG FG8002, Fluke 5100D ; 170)160: voltage source and function generator (LG FG8002, Fluke 5100D; 170)

170 : 백터 네트워크 분석기(HP 8722D)170: vector network analyzer (HP 8722D)

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 그 일측면에 접지판이 형성되고, 일정두께를 갖는 하부기판; 그 일측면에 패치가 형성되고, 일정두께를 갖는 상부기판; 및 주파수 조정을 위해서, 상기 접지판과 패치의 간격을 조정할 수 있도록 상기 접지판과 패치가 대향되는 위치에 형성되고, 외부전계를 가하면 기계적 변형이 되는 압전소자;를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention is a ground plate is formed on one side, the lower substrate having a predetermined thickness; A patch formed on one side thereof, the upper substrate having a predetermined thickness; And a piezoelectric element formed at a position where the ground plate and the patch are opposed to each other so as to adjust the gap between the ground plate and the patch and applying an external electric field to adjust the frequency.

이때, 상기 패치와 접지판 사이에는 일정한 간격으로 이격되어 공기층을 형성하도록 함이 바람직하다.In this case, it is preferable to form an air layer spaced apart at regular intervals between the patch and the ground plate.

또한, 상기 공기층은 0.4∼0.6㎜의 두께를 갖는 것이 바람직하다.In addition, the air layer preferably has a thickness of 0.4 to 0.6 mm.

또한, 상기 상부기판 및 하부기판은 4∼6㎜의 두께를 갖고, 직사각형상으로 이루어짐이 바람직하다.In addition, the upper substrate and the lower substrate has a thickness of 4 ~ 6mm, preferably made of a rectangular shape.

또한, 상기 패치는 25×20∼35×30㎜의 크기로 하고, 그 일측에 급전선이 전기적으로 연결되는 것이 바람직하다.In addition, the patch is a size of 25 × 20 ~ 35 × 30 mm, it is preferable that the feed line is electrically connected to one side.

또한, 상기 압전소자는 Pb(Zr, Ti)O3로 이루어짐이 바람직하다.In addition, the piezoelectric element is preferably made of Pb (Zr, Ti) O 3 .

또한, 상기 압전소자는 20∼30㎜의 직경과 0.18∼0.38㎜의 두께를 갖고, 원판형상으로 이루어짐이 바람직하다.In addition, the piezoelectric element has a diameter of 20 to 30 mm and a thickness of 0.18 to 0.38 mm, preferably in the shape of a disc.

그리고, 패치와 접지판 사이에 형성된 기판을 포함하여 이루어진 마이크로스트립 안테나에 있어서, 상기 기판은 그 일측면에는 패치가 형성되고, 그 타측면에는 접지판이 형성되며, 주파수 조정을 위해 상기 접지판과 패치의 간격을 조정할 수 있도록 외부전계를 가하면 기계적 변형이 되는 압전소자기판인 것을 특징으로 한다.And, in the microstrip antenna comprising a substrate formed between the patch and the ground plate, the substrate is a patch is formed on one side, the ground plate is formed on the other side, the ground plate and the patch for frequency adjustment It is characterized in that the piezoelectric element substrate is mechanically deformed when an external electric field is applied to adjust the spacing of the.

이때, 상기 압전소자기판은 LiNbO3로 이루어짐이 바람직하다.At this time, the piezoelectric element substrate is preferably made of LiNbO 3 .

또한, 상기 압전소자기판은 70∼80㎜의 직경과 0.4∼0.6㎜의 두께를 갖고, 원판형상으로 이루어짐이 바람직하다.In addition, the piezoelectric element substrate has a diameter of 70 to 80 mm and a thickness of 0.4 to 0.6 mm, and preferably has a disc shape.

또한, 상기 패치는 20×19∼20×29㎜의 크기를 갖고, 직사각형상으로 이루어짐이 바람직하다.In addition, the patch has a size of 20 × 19 ~ 20 × 29 mm, preferably made of a rectangular shape.

이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 본 실시예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것은 아니고, 단지 예시로 제시된 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. This embodiment is not intended to limit the scope of the invention, but is presented by way of example only.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나를 도시한 분리사시도이고, 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나를 도시한 결합단면도로서, 본 발명의 일실시예에 따른 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나는 그 상면에 접지판(100)이 형성되고, 일정두께를 갖는 하부기판(110); 그 저면에 패치(120)가 형성되고, 일정두께를 갖는 상부기판(130); 및 상기 상부기판(130)과 하부기판(110)사이에 설치되고, 외부 전계를 가하면 기계적 변형이 되는 다수의 압전소자(140);를 포함하여 구성된다.Figure 2 is an exploded perspective view showing a microstrip antenna using a piezoelectric element according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is a combined cross-sectional view showing a microstrip antenna using a piezoelectric element according to an embodiment of the present invention, Microstrip antenna using a piezoelectric element according to an embodiment of the present invention is the ground plate 100 is formed on the upper surface, the lower substrate 110 having a predetermined thickness; Patch 120 is formed on the bottom surface, the upper substrate 130 having a predetermined thickness; And a plurality of piezoelectric elements 140 installed between the upper substrate 130 and the lower substrate 110 to be mechanically deformed by applying an external electric field.

이때, 상기 패치(120) 및 접지판(100)은 얇은 동판으로 이루어져 있으며, 상기 패치(120)와 접지판(100) 사이에는 일정한 간격으로 이격되어 공기층(150)이 형성된다.In this case, the patch 120 and the ground plate 100 is made of a thin copper plate, the air layer 150 is formed by being spaced apart at regular intervals between the patch 120 and the ground plate 100.

여기서, 상기 공기층은 0.4∼0.6㎜의 두께를 갖는 것이 바람직하다.Herein, the air layer preferably has a thickness of 0.4 to 0.6 mm.

그리고, 상기 패치(120)는 25×20∼35×30㎜의 크기로 하고, 그 일측에 급전선(도시 않됨)이 전기적으로 결합되어 있다.The patch 120 has a size of 25 × 20 to 35 × 30 mm, and a feed line (not shown) is electrically coupled to one side thereof.

그리고, 상기 상부기판(130) 및 하부기판(110)은 4∼6㎜의 두께를 갖고, 직사각형상으로 이루어져 있다.The upper substrate 130 and the lower substrate 110 have a thickness of 4 to 6 mm and have a rectangular shape.

그리고, 상기 압전소자(140)는 Pb(Zr, Ti)O3(이하, PZT로 언급함)로 이루어짐이 바람직하다.The piezoelectric element 140 is preferably made of Pb (Zr, Ti) O 3 (hereinafter referred to as PZT).

또한, 상기 압전소자(PZT ; 140)는 20∼30㎜의 직경과 0.18∼0.38㎜의 두께를 갖고, 상ㆍ하부에 전극(145)이 형성되며, 원판형상으로 이루어짐이 바람직하다.In addition, the piezoelectric element PZT 140 has a diameter of 20 to 30 mm and a thickness of 0.18 to 0.38 mm, and an electrode 145 is formed on the upper and lower portions thereof, and preferably has a disc shape.

상기와 같은 본 발명의 일실시예에 따른 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나의 특성을 측정하기 위한 시스템을 나타낸 도면으로, 도 4에 도시된 바와 같이 전압원과 함수발생기(Fluke 5100D, LG FG8002 ; 160)에 의해 DC와 AC 바이어스를 적용한 벡터 네트워크 분석기(HP 8722D ; 170)에 의해 측정되어졌다.A diagram illustrating a system for measuring characteristics of a microstrip antenna using a piezoelectric element according to an embodiment of the present invention as shown in FIG. 4, as shown in FIG. 4, a voltage source and a function generator (Fluke 5100D, LG FG8002; 160). It was measured by a vector network analyzer (HP 8722D; 170) applying DC and AC bias.

즉, 상기 전압원과 함수발생기(160)의 출력포트(161)로부터 압전소자(PZT ; 140)에 각각 연결하고, 상기 패치(120)에 전기적으로 연결된 급전선으로부터 벡터 네트워크 분석기(HP 8722D ; 170)의 입력포트(171)에 연결하여 상기 압전소자(PZT ; 140)에 DC와 AC 바이어스를 가함으로써, 외부전계에 대한 주파수의 이동을 측정하게 된다.That is, the vector network analyzer HP 8722D; 170 is connected to the piezoelectric element PZT 140 from the voltage source and the output port 161 of the function generator 160, and is electrically connected to the patch 120. By connecting DC and AC bias to the piezoelectric element PZT 140 by connecting to the input port 171, the movement of the frequency with respect to the external electric field is measured.

도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나의 DC 바이어스에 대한 주파수의 변화를 나타낸 그래프로서, DC 나 AC 바이어스에 대한 공진주파수의 이동 특성이 관측되었다.는 특정한 전계에서 공진주파수와 영전계에서 공진주파수 사이에 주파수의 차와 같이 정의되었다. 즉,는 특정한 AC 바이어스 전압에서 최대 공진주파수와 최소 공진주파수 사이에 주파수의 차와 같이 정의되었다. 여기서, 화살표는 적용된 전계의 증가/감소 방향을 지시한다. 이 그래프는 “나비곡선”을 보여준다. 상기 압전소자(PZT ; 140)는 강유전성의 물질이기 때문에 이력(履歷)현상을 나타낸다. 이 현상은 압전소자(PZT ; 140) 평판의 이력효과로부터 발생된다. 외부전계에 대하여는 1.90 ㎒-㎝/㎸이다.FIG. 5 is a graph illustrating a change in frequency with respect to the DC bias of a microstrip antenna using a piezoelectric element according to an embodiment of the present invention, in which resonance characteristics of the resonance frequency are shifted with respect to DC or AC bias. Is defined as the difference in frequency between the resonant frequency in a particular electric field and the resonant frequency in a zero electric field. In other words, Is defined as the difference in frequency between the maximum resonant frequency and the minimum resonant frequency at a specific AC bias voltage. Here, the arrow indicates the increase / decrease direction of the applied electric field. This graph shows the "butterfly curve". The piezoelectric element PZT 140 exhibits hysteresis because it is a ferroelectric material. This phenomenon arises from the hysteresis effect of the piezoelectric element (PZT) plate. External electric field Is 1.90 MHz-cm / Hz.

이때, 압전 방정식으로부터, 스트레인(Strain)과 전계(E)의 관계는 다음의 (식 1)과 같다.At this time, from the piezoelectric equation, the relationship between strain and electric field E is as follows.

. --------------------------(식 1) . -------------------------- (Equation 1)

여기서, dt는 압전 상수이다.Where dt is a piezoelectric constant.

즉, 패치 안테나의 공진주파수는 근사값에 의해 다음의 (식 2)와 같이 계산되어졌다.That is, the resonant frequency of the patch antenna was calculated as shown in the following equation (2) based on the approximation value.

--------(식 2) -------- (Equation 2)

여기서,,,은 각각 압전소자의 길이, 두께, 상대적인 유전체 상수와 공진주파수들이다. 이론상의 방정식은 실험 결과값과 잘 일치됨을 알 수가 있었다.here, , , Wow Are the length, thickness, relative dielectric constant and resonant frequencies of the piezoelectric element, respectively. The theoretical equation is in good agreement with the experimental results.

이 그래프에서 인가전계 -12[kV/cm]부터 -2[kV/cm]까지는 감소하다가, 인가전계 -2[kV/cm]부터 12[kV/cm]까지는 안테나의 공진 주파수가 지속적으로 증가함을 볼 수 있다. 또, 12[kV/cm]부터 2[kV/cm]까지는 감소하다가, 인가전계 2[kV/cm]부터 -12[kV/cm]까지는 안테나의 공진주파수가 지속적으로 증가함을 볼 수 있다.In this graph, the resonant frequency of the antenna decreases from -12 [kV / cm] to -2 [kV / cm] and then continuously increases from -2 [kV / cm] to 12 [kV / cm]. Can be seen. In addition, it can be seen that the resonance frequency of the antenna is continuously increased from 12 [kV / cm] to 2 [kV / cm] and from 2 [kV / cm] to -12 [kV / cm].

즉, ±2[kV/cm]를 인가했을 때 가장 낮은 주파수임을 알 수 있다. 이 그래프는 일반적인 압전체의 스트레인(Strain) 곡선과 유사한 것을 알 수 있다. 두 피크치 간의 전압차는 강유전체의 이력곡선(hysteresis loop)에 의해 발생하며, 또한 주파수 변화는 항전계 내에가 가장 크게 일어남을 알 수 있다.That is, it can be seen that the lowest frequency when ± 2 [kV / cm] is applied. This graph is similar to the strain curve of a general piezoelectric body. The voltage difference between the two peaks is generated by the hysteresis loop of the ferroelectric, and it can be seen that the frequency change is the largest in the electrostatic field.

도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나의 AC 바이어스 전계에 대한 주파수의 변화를 나타낸 그래프로서, 외부전계에 대한는 6.12 ㎒-㎝/㎸ 라는 것을 보여준다.보다 3배 더 크다. 외부전계에 대한는 선형관계를 나타낸다.6 is a graph illustrating a change in frequency of an AC bias electric field of a microstrip antenna using a piezoelectric element according to an embodiment of the present invention. Shows 6.12 MHz-cm / ㎸. Is 3 times larger than For external electric field Represents a linear relationship.

즉, 상기 압전소자(PZT ; 140)는 AC 바이어스가 임의의 극성 보다 더 컸을 때 이력현상을 보여주지 않는다.That is, the piezoelectric element PZT 140 does not show hysteresis when the AC bias is greater than an arbitrary polarity.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나를 도시한 분리사시도이고, 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나를 도시한 결합단면도로서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나는 일정두께를 갖고, 외부전계를 가하면 기계적 변형이 되는 압전소자기판(200); 상기 압전소자기판(200)의 상면에 형성되는 패치(210); 및 상기 압전소자기판(200)의 저면에 형성되는 접지판(220);을포함하여 구성된다.7 is an exploded perspective view showing a microstrip antenna using a piezoelectric element according to another embodiment of the present invention, Figure 8 is a cross-sectional view showing a microstrip antenna using a piezoelectric element according to another embodiment of the present invention, Microstrip antenna using a piezoelectric element according to another embodiment of the present invention has a predetermined thickness, the piezoelectric element substrate 200 is a mechanical deformation when an external electric field is applied; A patch 210 formed on an upper surface of the piezoelectric element substrate 200; And a ground plate 220 formed on the bottom surface of the piezoelectric element substrate 200.

이때, 상기 압전소자기판(200)은 LiNbO3로 이루어짐이 바람직하다.At this time, the piezoelectric element substrate 200 is preferably made of LiNbO 3 .

또한, 상기 압전소자기판(200)은 70∼80㎜의 직경과 0.4㎜∼0.6㎜의 두께를 갖고, 원판형상으로 이루어짐이 바람직하다.In addition, the piezoelectric element substrate 200 preferably has a diameter of 70 to 80 mm and a thickness of 0.4 mm to 0.6 mm, and has a disc shape.

또한, 상기 패치(210)는 20×19∼30×29㎜의 크기를 갖고, 그 일측면에 급전선(도시 않됨)이 전기적으로 결합되어 있으며, 직사각형상으로 이루어짐이 바람직하다.In addition, the patch 210 has a size of 20 × 19 ~ 30 × 29 mm, a feed line (not shown) is electrically coupled to one side thereof, preferably made of a rectangular shape.

그리고, 상기 압전소자기판(LiNbO3; 200)은 표면으로부터 유기적인 물질을 제거하기 위하여 10분 동안 아세톤(Acetone)을 사용하여 초음파 세척기에 의해 세척되어졌다. 그리고 나서 10분 동안 메탈 알코올(Methyl Alcohol)과 이온이 제거된 물로 세척되었다. 그것이 니트로젠 가스(Nitrogen Gas)를 사용하여 건조된 후에, 뜨거운 증기를 사용하여 은 전극이 표면 위에 침전되었다.In addition, the piezoelectric element substrate (LiNbO 3 ; 200) was washed with an ultrasonic cleaner using acetone for 10 minutes to remove organic substances from the surface. It was then washed with metal alcohol and deionized water for 10 minutes. After it was dried using Nitrogen Gas, a silver electrode was deposited on the surface using hot steam.

상기와 같은 본 발명의 다른 실시예에 따른 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나의 특성을 측정하기 위한 특성 측정 시스템을 나타낸 도면으로, 도 9에 도시된 바와 같이 전압원과 함수발생기(Fluke 5100D, LG FG8002 ; 160)에 의해 DC나 AC 바이어스를 적용한 벡터 네트워크 분석기(HP 8722D ; 170)에 의해 측정되어졌다.FIG. 9 is a diagram illustrating a characteristic measurement system for measuring characteristics of a microstrip antenna using piezoelectric elements according to another exemplary embodiment of the present invention. The voltage source and the function generator (Fluke 5100D, LG FG8002; 160) and a vector network analyzer (HP 8722D; 170) with DC or AC bias applied.

즉, 상기 압전소자기판(LiNbO3; 200)에 장착된 바이어스티(Bias-T 5530A, Picosecond ; 230)로부터 전압원과 함수발생기(160)의 출력포트(161)와 벡터 네트워크 분석기(HP 8722D ; 170)의 입력포트(171)에 연결하여 마이크로스트립 안테나에 DC 바이어스를 가함으로써, 외부전계에 대한 주파수의 이동을 측정하게 된다. 이때, 상기 바이어스티(Bias-T 5530A, Picosecond ; 230)는 도시되지 않은 상기 압전소자기판(LiNbO3; 200)의 상면에 형성된 패치(210)와 전기적으로 연결되어 있다.That is, the voltage source and the output port 161 of the function generator 160 and the vector network analyzer (HP 8722D; 170) from the bias (Bias-T 5530A, Picosecond; 230) mounted on the piezoelectric element substrate (LiNbO 3 ; 200). By applying a DC bias to the microstrip antenna by connecting to the input port 171 of), the movement of the frequency with respect to the external electric field is measured. In this case, the bias tee (Bias-T 5530A, Picosecond; 230) is electrically connected to the patch 210 formed on the top surface of the piezoelectric element substrate (LiNbO 3 ; 200), which is not shown.

한편, AC 바이어스는 바이어스티(Bias-T 5530A, Picosecond ; 230)의 한계 때문에 공급될 수 없었다.On the other hand, the AC bias could not be supplied due to the limitation of bias (Tias-T 5530A, Picosecond; 230).

도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나의 DC 바이어스 전계에 대한 주파수의 변화를 나타낸 그래프로서, DC 바이어스에 대한 공진주파수의 이동 특성이 관측되었다.FIG. 5 is a graph illustrating a change in frequency with respect to a DC bias electric field of a microstrip antenna using a piezoelectric element according to an exemplary embodiment of the present invention, in which a shift characteristic of a resonance frequency with respect to a DC bias is observed.

상기 압전소자기판(LiNbO3; 200)를 이용한 마이크로스트립 패치 안테나의 공진주파수는 5.67 ㎓이다. 상기 압전소자기판(LiNbO3; 200)의 강제적인 자계가 극도로 높기 때문에, 그것의 압전 방향은 5 ㎸/㎝의 범위에서 변화하지 않는다.The resonance frequency of the microstrip patch antenna using the piezoelectric element substrate (LiNbO 3 ; 200) is 5.67 GHz. Since the forced magnetic field of the piezoelectric element substrate (LiNbO 3 ; 200) is extremely high, its piezoelectric direction does not change in the range of 5 mA / cm.

결과적으로,의 관계는 선형이다. 외부 전계에 대한는 5.57 ㎒-㎝/㎸ 이다. AC 바이어스에 대한의 특성은 바이어스-티 한계 때문에 측정될 수 없다.As a result, The relationship of is linear. For external electric field Is 5.57 MHz-cm / Hz. For AC bias Cannot be measured because of the bias-tee limit.

따라서, 본 발명은 마이크로스트립 패치 안테나의 공진주파수는 압전소자기판으로서 사용되었을 때, 외부전계에 의해서 제어되어질 수 있다라는 것을 보여준다.Thus, the present invention shows that the resonant frequency of the microstrip patch antenna can be controlled by an external electric field when used as a piezoelectric element substrate.

즉, 외부전계에 대한 공진주파수는 상기 압전소자(PZT ; 100)를 이용한 마이크로스트립 안테나일 경우, DC 바이어스에서 1.90 ㎒-㎝/㎸이고, AC 바이어스에서 6.12 ㎒-㎝/㎸이다.That is, the resonant frequency with respect to the external electric field is 1.90 MHz-cm / kV with DC bias and 6.12 MHz-cm / kW with AC bias in the case of the microstrip antenna using the piezoelectric element (PZT; 100).

또한, 상기 압전소자기판(LiNbO3; 200)를 이용한 마이크로스트립 안테나일 경우, DC 바이어스에서 5.57 ㎒-㎝/㎸이다. 비록 이 결과들은 주파수 이동들이 비교적으로 적다라는 것을 보여줄지라도, 그들은 우리가 전자계 성분이 큰 압전소자를 이용할 때 더 커질 것이고, 마이크로스트립 안테나의 회로기판으로서 사용되기에 적당하다.In addition, in the case of the microstrip antenna using the piezoelectric element substrate (LiNbO 3 ; 200), it is 5.57 MHz-cm / kV under DC bias. Although these results show that the frequency shifts are relatively small, they will be larger when we use piezoelectric elements with large electromagnetic components, and are suitable for use as circuit boards for microstrip antennas.

본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 많은 변형이 가능함은 명백할 것이다.The present invention is not limited to the above-described embodiment, and it will be apparent that many modifications are possible by those skilled in the art within the technical spirit of the present invention.

따라서, 상기한 바와 같이 본 발명은 안테나에 물리적인 변형을 가하지 않고 외부전계를 가하면 기계적 변형이 되는 압전소자를 기판에 형성하여 외부전계를 가해줌으로써, 실시간으로 주파수대역을 간편하게 조정,이동할 수 있는 이점이 있다.Therefore, as described above, the present invention provides a piezoelectric element that is mechanically deformed by applying an external electric field without applying a physical deformation to the antenna, thereby applying an external electric field, thereby easily adjusting and moving a frequency band in real time. There is this.

Claims (11)

그 일측면에 접지판(100)이 형성되고, 일정두께를 갖는 하부기판(110);A ground plate 100 formed on one side thereof, the lower substrate 110 having a predetermined thickness; 그 일측면에 패치(120)가 형성되고, 일정두께를 갖는 상부기판(130); 및Patch 120 is formed on one side, the upper substrate 130 having a predetermined thickness; And 주파수 조정을 위해서, 상기 접지판(100)과 패치(120)의 간격을 조정할 수 있도록 상기 접지판(100)과 패치(120)가 대향되는 위치에 형성되고, 외부전계를 가하면 기계적 변형이 되는 압전소자(140);를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나.In order to adjust the frequency, the ground plate 100 and the patch 120 are formed in a position opposite to each other so that the gap between the ground plate 100 and the patch 120 can be adjusted. Element 140; Microstrip antenna using a piezoelectric element, characterized in that comprises a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 패치(120)와 접지판(100) 사이에는 일정한 간격으로 이격되어 공기층(150)을 형성하도록 함을 특징으로 하는 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나.Microstrip antenna using a piezoelectric element, characterized in that to form an air layer 150 is spaced apart at regular intervals between the patch 120 and the ground plate (100). 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 공기층(150)은 0.4∼0.6㎜의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나.The air layer 150 is a microstrip antenna using a piezoelectric element, characterized in that having a thickness of 0.4 ~ 0.6㎜. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 상부기판(130) 및 하부기판(110)은 4∼6㎜의 두께를 갖고, 직사각형상으로 이루어짐을 특징으로 하는 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나.The upper substrate 130 and the lower substrate 110 has a thickness of 4 ~ 6mm, the microstrip antenna using a piezoelectric element, characterized in that formed in a rectangular shape. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 패치(120)는 25×20∼35×30㎜의 크기로 하고, 그 일측에 급전선이 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나.The patch 120 has a size of 25 × 20 to 35 × 30 mm, and a microstrip antenna using a piezoelectric element, characterized in that a feed line is electrically connected to one side thereof. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 압전소자(140)는 Pb(Zr, Ti)O3로 이루어짐을 특징으로 하는 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나.The piezoelectric element 140 is a microstrip antenna using a piezoelectric element, characterized in that consisting of Pb (Zr, Ti) O 3 . 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 압전소자(140)는 20∼30㎜의 직경과 0.18∼0.38㎜의 두께를 갖고, 원판형상으로 이루어짐을 특징으로 하는 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나.The piezoelectric element 140 has a diameter of 20 to 30 mm and a thickness of 0.18 to 0.38 mm, and has a disc shape, and has a microstrip antenna using a piezoelectric element. 패치와 접지판 사이에 형성된 기판을 포함하여 이루어진 마이크로스트립 안테나에 있어서,In the microstrip antenna comprising a substrate formed between the patch and the ground plate, 상기 기판은 그 일측면에는 패치(210)가 형성되고, 그 타측면에는 접지판(220)이 형성되며, 주파수 조정을 위해 상기 접지판(100)과 패치(120)의 간격을 조정할 수 있도록 외부전계를 가하면 기계적 변형이 되는 압전소자기판(200)인 것을 특징으로 하는 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나.The substrate has a patch 210 formed on one side thereof, a ground plate 220 formed on the other side thereof, and an outer side of the substrate to adjust a gap between the ground plate 100 and the patch 120 for frequency adjustment. Microstrip antenna using a piezoelectric element, characterized in that the piezoelectric element substrate 200 is mechanical deformation when an electric field is applied. 제 8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 압전소자기판(200)은 LiNbO3로 이루어짐을 특징으로 하는 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나.The piezoelectric element substrate 200 is a microstrip antenna using a piezoelectric element, characterized in that consisting of LiNbO 3 . 제 8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 압전소자기판(200)은 70∼80㎜의 직경과 0.4∼0.6㎜의 두께를 갖고, 원판형상으로 이루어짐을 특징으로 하는 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나.The piezoelectric element substrate 200 has a diameter of 70 to 80 mm and a thickness of 0.4 to 0.6 mm, and has a disc shape, and has a piezoelectric element. 제 8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 패치(210)는 20×19∼20×29㎜의 크기를 갖고, 직사각형상으로 이루어짐을 특징으로 하는 압전소자를 이용한 마이크로스트립 안테나.The patch 210 has a size of 20 × 19 ~ 20 × 29 mm, and a microstrip antenna using a piezoelectric element, characterized in that formed in a rectangular shape.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5367308A (en) * 1992-05-29 1994-11-22 Iowa State University Research Foundation, Inc. Thin film resonating device
JPH10209741A (en) * 1997-01-28 1998-08-07 Matsushita Electric Works Ltd Microstrip antenna
JP2001077622A (en) * 1999-09-09 2001-03-23 Hitachi Cable Ltd Broadband antenna

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5367308A (en) * 1992-05-29 1994-11-22 Iowa State University Research Foundation, Inc. Thin film resonating device
JPH10209741A (en) * 1997-01-28 1998-08-07 Matsushita Electric Works Ltd Microstrip antenna
JP2001077622A (en) * 1999-09-09 2001-03-23 Hitachi Cable Ltd Broadband antenna

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100976721B1 (en) 2008-05-26 2010-08-18 성균관대학교산학협력단 Insertion defibrillator power supply and insertion defibrillator using piezoelectric elements

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