KR100441275B1 - Testing method for lead of semiconductor package - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 패키지의 리드를 검사하는 방법에 관한 것으로, 촬영영상으로부터 각 리드(12)의 자유단과 반도체 패키지 무게중심(G)의 좌표를 측정하고, 리드(12)들의 자유단 좌표중에서 Z축 좌표를 상호 비교하여 이의 Z축 좌표가 가장 큰 리드를 제1기준리드(LD1)로 취한 후, 반도체 패키지 무게중심(G)을 고려하여 가상평면 및/또는 반도체 패키지(10)를 적절하게 회전시켜서 메인보드에 해당하는 가상평면(P3')을 체계적으로 추적하고, 메인보드에 해당하는 가상평면(P3')과 리드(12)들간의 수직거리를 측정하여, 이 측정값(Hmax)을 매개로 제품불량 여부를 판별하는 방법으로 되어 있어서, 리드(12)의 성형불량검사가 효율적으로 이루어지므로, 리드 검사를 위한 연산량이 대폭 감소되고, 검사속도가 크게 단축된다.The present invention relates to a method for inspecting a lead of a semiconductor package, and measures the coordinates of the free end of each lead 12 and the center of gravity (G) of the semiconductor package from a photographed image, and the Z axis in the free end coordinates of the leads 12. Comparing the coordinates to each other, the lead having the largest Z-axis coordinate is taken as the first reference lead LD1, and then the virtual plane and / or the semiconductor package 10 is properly rotated in consideration of the semiconductor package center of gravity G. The virtual plane P3 'corresponding to the motherboard is systematically tracked, and the vertical distance between the virtual plane P3' corresponding to the motherboard and the leads 12 is measured, and the measured value Hmax is used as a medium. Since it is a method for discriminating whether there is a product defect, the molding defect inspection of the lid 12 is performed efficiently, and the amount of calculation for the lid inspection is greatly reduced, and the inspection speed is greatly reduced.
Description
본 발명은 반도체 패키지의 리드를 검사하는 방법에 관한 것으로, 특히 반도체 패키지의 평면과 양쪽 측면 및/또는 전후면을 촬영한 후, 촬영영상으로부터 간접적으로 리드의 성형 불량을 검사하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of inspecting a lead of a semiconductor package, and more particularly, to a method of inspecting a molding defect of a lead indirectly from a photographed image after photographing a plane, both sides, and / or a front and back surface of the semiconductor package.
주지된 바와 같이, 반도체 패키지는 리드프레임에 반도체 칩이 탑재되어진 것과, 인쇄회로기판에 반도체 칩이 탑재되어진 것으로 크게 구분된다.As is well known, semiconductor packages are largely classified into that a semiconductor chip is mounted on a lead frame and that a semiconductor chip is mounted on a printed circuit board.
이중, 리드프레임을 이용한 반도체 패키지의 제조공정을 개략적으로 설명해 보면, 몰딩장치를 매개로 반도체 칩이 탑재되어진 리드프레임을 몰딩하고, 트리밍장치를 매개로 리드프레임의 정크(Junk)와 댐바(Dambar)를 제거하며, 포밍장치를 매개로 리드프레임의 리드를 절단 및 굴곡한 후, 싱귤레이션장치를 매개로 반도체패키지와 리드프레임의 연결부를 절단하여 반도체 패키지를 리드프레임 본체로부터 분리시킨다. 리드프레임 본체로부터 분리되어진 반도체 패키지는, 몰딩된 패키지 본체의 외부로 리드들이 돌출되어진 구조를 이루게 되며, 상기 각 제조공정의 전·후 또는 중간단계에서는 불량검출을 위한 검사장치들이 설치된다.In detail, a manufacturing process of a semiconductor package using a lead frame is described in detail. A lead frame in which a semiconductor chip is mounted is molded through a molding apparatus, and a junk and a dambar of the lead frame are processed through a trimming apparatus. After removing and cutting and bending the lead of the lead frame through the forming apparatus, the semiconductor package is separated from the lead frame body by cutting the connection between the semiconductor package and the lead frame through the singulation apparatus. The semiconductor package separated from the lead frame main body has a structure in which leads are protruded to the outside of the molded package main body, and inspection apparatuses for detecting defects are installed before, during or after each manufacturing process.
한편, 리드의 성형 불량검사는 반도체 패키지가 완성되어진 후에 이루어지는 것이 일반적이며, 리드의 성형이 제대로 이루어지지 못하면, 반도체 패키지를 메인보드에 탑재할 때 다수의 리드들이 메인보드로부터 허용 간격 이상으로 들뜨게 되어서 이의 용접이 제대로 이루어지지 못하게 되는 문제가 발생되므로, 리드의 성형 불량검사도 매우 중요한 검사공정중 하나라고 할 수 있다. 따라서, 리드의 성형 불량 검사는, 반도체 패키지가 메인보드에 얹혀져 지지된 상태에서, 각 리드들과 메인보드와의 수직방향으로의 이격거리를 측정하여 이들간의 이격거리가 설정기준값(허용치)을 초과하는지를 판별하기 위한 것이 주목적이다.On the other hand, defect inspection of the lead is generally performed after the semiconductor package is completed. If the lead is not formed properly, when the semiconductor package is mounted on the main board, a number of leads are lifted from the main board by more than the allowable distance. Since a problem arises that the welding thereof is not properly performed, defect inspection of the lead is also one of the very important inspection process. Therefore, in the defect inspection of the lead, in the state that the semiconductor package is mounted on the main board and supported, the separation distance between the leads and the main board in the vertical direction is measured, and the separation distance between them exceeds the set reference value (allowed value). The main purpose is to determine whether or not.
종래, 반도체 패키지의 리드 검사방법은, 물리적인 방법과 가상 평면을 이용하는 방법으로 크게 구분된다.Conventionally, a lead inspection method of a semiconductor package is largely classified into a physical method and a method using a virtual plane.
우선, 물리적인 방법은, 메인보드에 해당하는 평판형태의 베이스에 반도체 패키지를 실제로 올려놓은 후에, 베이스로부터 각 리드들간의 수직방향으로의 이격거리를 측정하는 방식을 취하고 있는데, 이러한 방식은 반도체 패키지가 메인보드에 실장되는 환경을 그대로 재현한 상태에서 리드들의 들뜸 정도를 측정하는 방식이므로 가장 이상적이라고 할 수 있지만, 리드 검사를 위해서 베이스에 반도체 패키지를 올려놓는 과정에서 외부로부터의 간섭에 의해 리드 변형이 초래될 수 있고, 이를 방지하기 위해서는 메카니즘적으로 정밀도가 높은 실험장치가 요구되며, 리드 검사를 위한 작업시간이 많이 소요된다는 문제로 인해, 현재는 거의 이용되지 않고 있다.First, the physical method is to actually place the semiconductor package on the base of the flat plate corresponding to the motherboard, and then to measure the separation distance in the vertical direction between the leads from the base, which is a semiconductor package Is the most ideal because it measures the lift of the leads while reproducing the environment mounted on the main board. However, the lead deformation is caused by external interference during the process of placing the semiconductor package on the base for the lead inspection. This may be caused, and in order to prevent this, an experimental device with high precision is required, and due to a problem that a lot of work time is required for lead inspection, it is rarely used at present.
한편, 상기 종래 가상 평면을 이용하는 방법은, 반도체 패키지의 평면과 양쪽 측면 및/또는 전후면을 촬영한 상태에서, 다음과 같은 단계를 순차적으로 수행하는 방식을 취하고 있다.On the other hand, the conventional virtual plane is a method of sequentially performing the following steps in the state of photographing the plane, both sides and / or front and rear surfaces of the semiconductor package.
제1단계 ; 촬영영상으로부터 각 리드의 자유단과 반도체 패키지의 무게중심의 좌표를 측정하여 이를 저장하는 단계.First step; Measuring the coordinates of the free end of each lead and the center of gravity of the semiconductor package from the captured image and storing it.
제2단계 : 리드들중 Z축 좌표값이 가장 큰 리드(리드 길이가 가장 긴 리드) 순으로 3개의 리드를 취하여 이들을 각각 기준리드로 저장하는 단계.The second step is to take three leads in order of leads having the largest Z-axis coordinate values (leads having the longest lead length) and storing them as reference leads.
제3단계 ; 3개의 기준리드들을 지나는 기준평면상에, 반도체 패키지의 무게 중심을 투영하여, 투영된 반도체 패키지의 무게중심이 3개의 기준리드들의 자유단을 연결한 삼각면에 위치하는가를 판별하고, 3개의 기준리드들을 제외한 나머지 리드들 중에서 이의 자유단이 기준평면보다 하방에 위치되는가를 판별하여, 이들 조건이 모두 만족되는 경우에는 제5단계를 수행하고, 이들 조건이 모두 만족되지 않는 경우에는 제4단계를 수행하는 단계.Third step; On the reference plane passing through the three reference leads, the center of gravity of the semiconductor package is projected to determine whether the center of gravity of the projected semiconductor package is located on a triangular plane connecting the free ends of the three reference leads. From the other leads except the leads, it is determined whether the free end thereof is located below the reference plane. If all of these conditions are satisfied, the fifth step is performed. If all these conditions are not satisfied, the fourth step is performed. Steps to perform.
제4단계 ; 반도체 패키지의 리드들중 3개의 리드들을 순차적으로 취하여 이들 3개의 리드들을 기준리드로 저장한 후에 제3단계로 복귀하는 단계.4th step; Taking three of the leads of the semiconductor package sequentially and storing the three leads as reference leads and then returning to the third step.
제5단계 ; 3개의 기준리드들을 제외한 리드들의 자유단으로부터 3개의 기준리드들을 지나는 기준평면까지의 수직거리를 측정하고, 이 측정값들을 설정기준값(허용치)과 비교하여, 측정값들 중에서 적어도 하나 이상의 측정값이 설정기준값을 초과하는 경우에는 제품불량으로 판정하고, 측정값들이 모두 설정기준값을 초과하지 않는 경우에는 제품정상으로 판정하는 단계.Fifth step; Measure the vertical distance from the free end of the leads, excluding the three reference leads, to the reference plane across the three reference leads, and compare these measurements with the set reference values (allowed values), so that at least one of the measured values If the set reference value is exceeded, the product is determined to be defective. If all of the measured values do not exceed the set reference value, the product is judged to be normal.
이러한 가상평면을 이용하는 방법은, 반도체 패키지의 평면과 양쪽 좌우면 및/또는 전후면을 촬영하여, 촬영영상으로부터 각 리드들의 자유단 좌표값을 측정한 후, 가상평면상에 반도체 패키지를 얹어놓거나, 반도체 패키지의 리드 자유단에 가상평면을 접촉시켜서, 리드들의 들뜸 정도를 검사하는 방식이므로, 리드 검사작업시 리드들에 어떠한 물리적인 힘도 가해지지 않게 되어 이의 변형이 방지되고, 실험장비 또한 소형화가 가능하다는 장점이 있지만, 가상평면을 설정하는 작업이 체계적이지 못하여 검사속도가 떨어지고, 이로 인해 검사 작업시간의 단축이 제약되는 문제가 발생된다.In the method using the virtual plane, the plane and both left and right and / or front and rear surfaces of the semiconductor package are photographed, the free end coordinate values of the leads are measured from the photographed image, and then the semiconductor package is placed on the virtual plane. Since a virtual plane is brought into contact with the lead free end of the semiconductor package to check the lift of the leads, no physical force is applied to the leads during the lead inspection operation, thereby preventing their deformation and miniaturizing the experimental equipment. Although there is an advantage in that it is possible, the task of setting the virtual plane is not systematic and the inspection speed is lowered, which causes a problem of shortening the inspection work time.
이에 대해서 보다 상세히 설명해 보면, 종래 가상평면을 이용하는 방법은, 최초 설정된 3개의 기준리드(리드 길이가 가장 긴 리드)가 2개의 조건을 모두 만족하지 않으면, 반도체 패키지의 리드들중 임의의 3개의 리드들을 순차적으로 기준리드로 취한 후, 임의로 선택된 3개의 기준리드를 지나는 평면을 기준평면으로 하여 상기 2개의 조건에 부합되는지 판별해야 하므로, 연산처리수가 크게 증가되어 검사속도가 크게 떨어진다.In more detail, in the conventional method using the virtual plane, if any of the first three reference leads (the lead with the longest lead length) set up does not satisfy both conditions, any three leads of the semiconductor package may be used. After sequentially taking these as the reference lead, it is necessary to determine whether the two conditions are satisfied by using a plane passing through three arbitrarily selected reference leads as the reference plane, so that the number of calculation operations is greatly increased and the inspection speed is greatly reduced.
일예로, 반도체 패키지의 리드의 갯수가 40개인 경우, 이들중 3개씩 임의로 취할 수 있는 경우의 수는 9360(수학식 1 참고)이므로, 임의로 선택되어진 3개의 기준리드의 자유단을 지나는 평면에, 3개의 기준리드가 접해진 상태에서 상기 2개의 조건을 판별하는 작업을 9360번 반복해야 된다.For example, when the number of leads of the semiconductor package is 40, the number of cases where three of them can be arbitrarily taken is 9360 (see Equation 1), so that the plane passing through the free ends of the three reference leads arbitrarily selected, It is necessary to repeat the operation of determining the two conditions 9360 times while the three reference leads are in contact.
여기서, X는 경우의 수, n은 리드의 갯수, r은 선택의 수이다.Where X is the number of cases, n is the number of reads, and r is the number of choices.
이에 본 발명은 상기와 같은 문제를 해소하기 위해 발명된 것으로, 실제로 메인보드에 얹혀져 지지되는 3개의 리드들을 체계적으로 추적하여, 리드 검사를 위한 연산량이 크게 감소되고, 이에 의해서 검사속도가 상당히 단축되도록 하는 반도체 패키지의 리드 검사방법을 제공함에 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been invented to solve the above problems, and actually tracks three leads supported on the main board systematically, so that the calculation amount for the lead inspection is greatly reduced, thereby significantly reducing the inspection speed. It is an object of the present invention to provide a method for inspecting a lead of a semiconductor package.
도 1은 촬영영상으로부터 기준 좌표계를 설정하여 리드들의 자유단 좌표를 측정하는 단계를 설명하기 위한 도면,1 is a view for explaining a step of measuring the free end coordinates of the leads by setting a reference coordinate system from the photographed image,
도 2a 및 도 2b는 리드길이가 가장 긴 리드를 제1기준리드로 선택하는 단계를 설명하기 위한 도면,2A and 2B are views for explaining a step of selecting a lead having the longest lead length as a first reference lead;
도 3a 내지 도 3c는 제2기준리드를 선택하는 단계를 설명하기 위한 도면,3A to 3C are diagrams for explaining a step of selecting a second reference lead;
도 4a 및 도 4b는 제3기준리드를 선택하는 단계를 설명하기 위한 도면,4A and 4B are views for explaining a step of selecting a third reference lead;
도 5a 및 도 5b는 선택되어진 제1·2·3기준리드들이 실제 메인보드상에 지지되는 리드들인가를 판별하는 단계를 설명하기 위한 도면,5A and 5B are diagrams for explaining a step of determining whether selected first, second, and third reference leads are actually leads supported on a main board;
도 6a 및 도 6b는 기준리드들을 재선택하는 단계를 설명하기 위한 도면,6A and 6B are diagrams for describing a step of reselecting reference leads;
도 7a 및 도 7b는 재선택되어진 제1·2·3기준리드들이 실제 메인보드상에 지지되는 리드들인가를 판별하는 단계를 설명하기 위한 도면,7A and 7B are diagrams for explaining a step of determining whether the reselected first, second, and third reference leads are actually leads supported on the main board;
도 8은 반도체 패키지의 제품불량 여부를 판별하는 단계를 설명하기 위한 도면이다.8 is a view for explaining a step of determining whether a semiconductor package product defects.
- 첨부도면의 주요 부분에 대한 용어 설명 --Explanation of terms for the main parts of the accompanying drawings-
10 ; 반도체 패키지, 11 ; 본체,10; Semiconductor package 11; main body,
12 ; 리드, G ; 무게중심,12; Lead, G; Weight,
G',G" ; 제3기준평면상에 수직으로 투영된 무게중심,G ', G "; center of gravity projected perpendicular to the third reference plane,
Hx ; 리드의 자유단으로부터 제3기준평면까지의 수직거리,Hx; Vertical distance from the free end of the lead to the third reference plane,
L0 ; 임시기준선, L1,L1' ; 제1기준선,L0; Temporary baseline, L1, L1 '; First Baseline,
L2,L2' ; 제2기준선, L3,L3' ; 제3기준선,L2, L2 '; Second baseline, L3, L3 '; Third Baseline,
La ; 리드의 자유단을 지나면서 임시기준선과 상호 90°의 각을 이루며 교차되는 직선,La; A straight line intersecting the free end of the lead at an angle of 90 ° to the temporary reference line,
Lb ; 리드의 자유단을 지나면서 제1기준선과 상호 90°의 각을 이루며 교차되는 직선,Lb; A straight line crossing the free end of the lead at an angle of 90 ° to the first reference line,
Lg ; 제1기준리드의 자유단과 무게중심을 지나는 직선,Lg; A straight line passing through the free end of the first reference lead and the center of gravity,
LD1,LD1' ; 제1기준리드, LD2,LD2' ; 제2기준리드,LD1, LD1 '; First reference lead, LD2, LD2 '; 2nd standard lead,
LD3,LD3' ; 제3기준리드,LD3, LD3 '; 3rd standard lead,
Lc ; 제3기준평면상의 삼각면 내부에 위치된 임의의 점과, 투영된 무게중심을 연결한 직선,Lc; A straight line connecting any point located inside the triangular plane on the third reference plane and the projected center of gravity,
P1 ; 제1기준평면, P2,P2' ; 제2기준평면,P1; First reference plane, P2, P2 '; Second reference plane,
P3,P3' ; 제3기준평면,P3, P3 '; Third reference plane,
Pt ; 제3기준평면상의 삼각면 내부에 위치된 임의의 점,Pt; Any point located inside a triangular plane on the third reference plane,
Pxy ; X축과 Y축으로 이루어진 평면,Pxy; A plane consisting of the X and Y axes,
T,T' ; 제1·2·3기준선으로 이루어진 제3기준평면상의 삼각면,T, T '; A triangular plane on a third reference plane consisting of first, second and third reference lines,
θ1 ; 리드의 자유단을 지나면서 임시기준선과 상호 90°의 각을 이루며 교차되는 직선과, 제1기준평면과의 경사각,θ1; A straight line intersecting the free end of the lead at an angle of 90 ° with the temporary reference line, the inclination angle with the first reference plane,
θ2,θ2' ; 리드의 자유단을 지나면서 제1기준선과 상호 90°의 각을 이루며 교차되는 직선과, 제2기준평면과의 경사각,θ2, θ2 '; A straight line intersecting at an angle of 90 ° with the first reference line while passing through the free end of the lead, the inclination angle with the second reference plane,
θ3 ; 제3기준평면과 XY축 평면이 이루는 경사각.θ3; The angle of inclination between the third reference plane and the XY axis plane.
상기와 같은 목적을 이루기 위한 본 발명은, 촬영영상으로부터 각 리드의 자유단과 반도체 패키지 무게중심의 좌표를 측정하고, 리드들의 자유단 좌표중에서 Z축 좌표를 상호 비교하여 이의 Z축 좌표가 가장 큰 리드를 제1기준리드로 취한 후, 반도체 패키지 무게중심을 고려하여 가상평면 및/또는 반도체 패키지를 적절하게회전시켜서 메인보드에 해당하는 가상평면을 체계적으로 추적하고, 메인보드에 해당하는 가상평면과 리드들간의 수직거리를 측정한 후, 이 측정값을 매개로 제품불량 여부를 판별하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 리드 검사방법으로 되어 있다.In order to achieve the above object, the present invention measures the coordinates of the free end of each lead and the center of gravity of a semiconductor package from a photographed image, and compares the Z-axis coordinates among the free end coordinates of the leads to have the largest Z-axis coordinate. Is taken as the first reference lead, then the virtual plane and / or the semiconductor package are properly rotated in consideration of the semiconductor package center of gravity to systematically track the virtual plane corresponding to the motherboard, and the virtual plane and lead corresponding to the motherboard After measuring the vertical distance between them, it is a lead inspection method of a semiconductor package characterized by determining whether or not a product defect is made through this measured value.
이하 본 발명을 첨부된 예시도면을 참고로 하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명에 따른 반도체 패키지의 리드 검사방법은 다음과 같은 7개의 순차적인 단계로 이루어진다.The lead inspection method of a semiconductor package according to the present invention consists of the following seven sequential steps.
제1단계(도 1 참조) ; 촬영영상으로부터 각 리드(12)의 자유단과 반도체 패키지 무게중심(G)의 좌표(x,y,z)를 측정하여 이를 저장하는 단계. 상기 촬영영상으로는 반도체 패키지(10)의 평면과 양쪽 좌우면 및/또는 전후면을 촬영한 것을 이용하고, 반도체 패키지 본체(11)의 저면 모서리 꼭지점을 XYZ축 좌표의 원점으로 취하는 것이 일반적이며, 본 실시예의 경우에는 반도체 패키지 본체(11)의 가로방향과 세로방향을 X축과 Y축으로, 반도체 패키지 본체(11)의 폭방향을 Z축으로 취하였다. 본 단계를 설명하기 위한 도 1은 반도체 패키지를 도시한 사시도이다.First step (see FIG. 1); Measuring and storing the coordinates (x, y, z) of the free end of each lead 12 and the center of gravity (G) of the semiconductor package from the captured image. As the photographed image, it is common to use a photograph of a plane, both left and right and / or front and rear surfaces of the semiconductor package 10, and take the vertex of the bottom surface of the semiconductor package main body 11 as the origin of the XYZ axis coordinates. In the present embodiment, the horizontal and vertical directions of the semiconductor package main body 11 are taken as the X axis and the Y axis, and the width direction of the semiconductor package main body 11 is taken as the Z axis. 1 is a perspective view showing a semiconductor package for explaining this step.
제2단계(도 2a 및 도 2b 참조) ; 리드(12)들의 자유단 좌표중에서 Z축 좌표를 상호 비교하여 이의 Z축 좌표가 가장 큰 리드를 제1기준리드(LD1)로 저장하는 단계. 기준 좌표계를 참고해 보면, Z축 좌표가 가장 큰 리드(절대값이 가장 큰 리드)가 반도체 패키지 본체(11)로부터 가장 긴 리드(12)임을 알 수 있으므로, Z축 좌표를 상호 비교해서 Z축 좌표가 가장 큰 리드(12)를 제1기준리드(LD1)로 저장한다. 본 단계를 설명하기 위한 도 2a는 반도체 패키지의 정면도이고, 도 2b는 반도체 패키지의 평면도이다.Second step (see FIGS. 2A and 2B); Comparing the Z axis coordinates among the free end coordinates of the leads 12 and storing the lead having the largest Z axis coordinate as the first reference lead LD1. Referring to the reference coordinate system, since the lead with the largest Z-axis coordinate (the lead with the largest absolute value) is the longest lead 12 from the semiconductor package body 11, the Z-axis coordinates are compared with each other. Stores the largest lead 12 as the first reference lead LD1. 2A is a front view of the semiconductor package, and FIG. 2B is a plan view of the semiconductor package.
제3단계(도 3a 내지 도 3c 참조) ; 제1기준리드(LD1)의 자유단을 지나면서, XY축 평면(Pxy)과 평행한 평면을 제1기준평면(P1)으로 저장하고 ; 제1기준리드(LD1)의 자유단을 지나면서, 제1기준리드(LD1)의 자유단 및 무게중심(G)을 지나는 직선(Lg)과 상호 90°의 각을 이루며 교차되는 제1기준평면(P1)상의 직선을 임시기준선(L0)으로 저장하여 ; 리드(12)의 자유단을 지나면서 임시기준선(L0)과 상호 90°의 각을 이루며 교차되는 직선(La)들과, 제1기준평면(P1)과의 경사각을 측정한 후 ; 이의 경사각(θ1)이 가장 작은 값을 갖는 리드를 제2기준리드(LD2)로 저장하는 단계. 여기서, 상기 임시기준선(L0)을 기준으로 무게중심(G)의 반대쪽에 위치된 리드(12)와, 제1기준리드(LD1)는, 이에 해당하는 직선(La)과 제1기준평면(P1)과의 경사각(θ1)을 측정할 필요가 없다. 본 단계를 설명하기 위한 도 3a는 반도체 패키지를 도시한 사시도이고, 도 3b는 반도체 패키지의 평면도이며, 도 3c는 제1기준리드(LD1)와 제2기준리드(LD2)간의 배치상태를 도시한 도면으로서, 임시기준선(L0)의 우측에서 바라본 상태도이다.Third step (see FIGS. 3A-3C); Passing a free end of the first reference lead LD1, and storing a plane parallel to the XY axis plane Pxy as the first reference plane P1; A first reference plane that crosses the free end of the first reference lead LD1 at an angle of 90 ° with a straight line Lg passing through the free end of the first reference lead LD1 and the center of gravity G. Storing the straight line on (P1) as a temporary reference line (L0); After measuring the inclination angle between the straight line La and the first reference plane (P1) intersecting the temporary reference line (L0) at an angle of 90 ° while passing through the free end of the lead (12); Storing the lead having the smallest angle of inclination θ1 as the second reference lead LD2. Here, the lead 12 and the first reference lead LD1 positioned on the opposite side of the center of gravity G with respect to the temporary reference line L0 may include a straight line La and a first reference plane P1 corresponding thereto. It is not necessary to measure the inclination angle θ1 with). 3A is a perspective view illustrating a semiconductor package, FIG. 3B is a plan view of the semiconductor package, and FIG. 3C illustrates an arrangement state between the first reference lead LD1 and the second reference lead LD2. As a figure, it is a state figure seen from the right side of the temporary reference line L0.
제4단계(도 4a 및 도 4b 참조) ; 제1기준리드(LD1)의 자유단과 제2기준리드(LD2)의 자유단을 지나는 직선을 제1기준선(L1)으로 저장하고 ; 이 제1기준선(L1)을 지나면서, 제1기준선(L1)과 제1기준평면(P1)이 이루는 경사각(θ1)과 동일한 각을 이루면서 제1기준평면(P1)과 상호 교차되는 평면을 제2기준평면(P2)으로 저장하여 ; 리드의 자유단을 지나면서 제1기준선(L1)과 상호 90°의 각을 이루며 교차되는 직선(Lb)과, 제2기준평면(P2)과의 경사각을 측정한 후 ; 이의 경사각(θ2)이 가장 작은 값을 갖는 리드를 제3기준리드(LD3)로 저장하는 단계. 여기서, 상기 제1기준선(L1)을 기준으로 무게중심(G)의 반대쪽에 위치된 리드(12)와, 제1·2기준리드(LD1,LD2)는, 이에 해당하는 직선(Lb)과 제2기준평면(P2)과의 경사각(θ2)을 측정할 필요가 없다. 본 단계를 설명하기 위한 도 4a는 반도체 패키지를 도시한 사시도이고, 도 4b는 제3기준리드(LD3)의 배치상태를 도시한 도면으로서, 제1기준선(L1)의 우측에서 바라본 상태도이다.Fourth step (see FIGS. 4A and 4B); Storing a straight line passing through the free end of the first reference lead LD1 and the free end of the second reference lead LD2 as the first reference line L1; The plane crossing the first reference plane P1 while passing through the first reference line L1 forms an angle equal to the inclination angle θ1 formed by the first reference line L1 and the first reference plane P1. 2 Save as reference plane (P2); After measuring the inclination angle between the straight line (Lb) and the second reference plane (P2) intersecting the first reference line (L1) at an angle of 90 ° while passing through the free end of the lead; Storing the lead having the smallest angle of inclination θ2 as the third reference lead LD3. Here, the lead 12 and the first and second reference leads LD1 and LD2 positioned opposite to the center of gravity G with respect to the first reference line L1 may correspond to the straight lines Lb and the corresponding lines. It is not necessary to measure the inclination angle θ2 with the two reference planes P2. 4A is a perspective view illustrating a semiconductor package, and FIG. 4B is a diagram illustrating an arrangement state of the third reference lead LD3, and is a state diagram seen from the right side of the first reference line L1.
제5단계(도 5a 및 도 5b 참조) ; 제2기준리드(LD2)의 자유단과 제3기준리드(LD3)의 자유단을 지나는 직선을 제2기준선(L2)으로 저장하고 ; 제1기준리드(LD1)의 자유단과 제3기준리드(LD3)의 자유단을 지나는 직선을 제3기준선(L3)으로 저장하며 ; 제1·2·3기준리드(LD1,LD2,LD3)의 자유단을 지나는 평면을 제3기준평면(P3)으로 저장한 후 ; 반도체 패키지의 무게중심(G)을 제2기준평면(P2)에 90°의 각으로 투영하고, 투영된 무게중심(G')이 제1·2·3기준선(L1,L2,L3)으로 이루어진 제3기준평면(P3)상의 삼각면(T) 내부에 위치되는가를 판별하여, 투영된 무게중심(G')이 삼각면(T) 내부에 위치된 경우에는 제7단계를 수행하고, 투영된 무게중심(G')이 삼각면(T) 내부에 위치되지 않은 경우에는 제6단계를 수행하는 단계. 본 단계는, 제1·2·3기준리드들(LD1,LD2,LD3)이 실제 메인보드상에 지지되는 리드들인가를 판별하는 단계로서, 제3기준평면(P3)을 메인보드로 가정하여, 투영된 무게중심(G')이 삼각면(T) 내부에 위치되면, 반도체 패키지(10)가 제1·2·3기준리드들(LD1,LD2,LD3)을 매개로 제3기준평면(P3)상에안정적으로 얹혀져 지지되는 것으로 간주하고, 투영된 무게중심(G')이 삼각면(T) 내부에 위치되지 않으면, 투영된 무게중심(G')쪽으로 반도체 패키지(10)가 회전되는 것으로 간주한다. 본 단계를 설명하기 위한 도 5a는 반도체 패키지를 도시한 사시도이고, 도 5b는 도 5a의 평면도이다.A fifth step (see FIGS. 5A and 5B); Storing a straight line passing through the free end of the second reference lead LD2 and the free end of the third reference lead LD3 as the second reference line L2; Storing a straight line passing through the free end of the first reference lead LD1 and the free end of the third reference lead LD3 as the third reference line L3; After storing the plane passing through the free ends of the first, second, and third reference leads LD1, LD2, and LD3 as the third reference plane P3; The center of gravity G of the semiconductor package is projected on the second reference plane P2 at an angle of 90 °, and the projected center of gravity G 'is formed of the first, second and third reference lines L1, L2 and L3. If the projected center of gravity G 'is positioned inside the triangular plane T, it is determined whether it is located inside the triangular plane T on the third reference plane P3. If the center of gravity (G ') is not located inside the triangular plane (T) performing a sixth step. This step is to determine whether the first, second and third reference leads LD1, LD2, and LD3 are actually supported leads on the main board, assuming the third reference plane P3 as the main board. When the projected center of gravity G ′ is positioned inside the triangular plane T, the semiconductor package 10 may pass through the third reference plane 3 through the first, second and third reference leads LD1, LD2, and LD3. If the projected center of gravity G 'is not positioned inside the triangular plane T, the semiconductor package 10 is rotated toward the projected center of gravity G'. To be considered. 5A is a perspective view illustrating a semiconductor package, and FIG. 5B is a plan view of FIG. 5A.
제6단계(도 6a 및 도 6b 참조) ; 제1·2·3기준선(L1,L2,L3)으로 이루어진 제3기준평면(P3)상의 삼각면(T) 내부에 위치된 임의의 점(Pt)과, 투영된 무게중심(G')을 직선 연결하여, 삼각면(T)을 이루는 기준선(L1,L2,L3)중에서 이 연결선(Lc)과 교차되는 어느 한 기준선(L2)을 제1기준선(L1')으로 변경하고 ; 변경된 제1기준선(L1')의 양쪽 끝점을 이루는 해당 리드들을 제1·2기준리드(LD1',LD2')로 변경하며 ; 제3기준평면(P3)을 제2기준평면(P2')으로 변경하여 ; 리드(12)의 자유단을 지나면서 제1기준선(L1')과 상호 90°의 각을 이루며 교차되는 직선(Lb)과, 제2기준평면(P2')과의 경사각을 측정하고 ; 이의 경사각(θ2')이 가장 작은 값을 갖는 리드를 제3기준리드(LD3')로 저장한 후 ; 제5단계로 복귀하는 단계. 여기서, 상기 제1기준선(L1')을 기준으로 무게중심(G)의 반대쪽에 위치된 리드(12)와, 제1·2기준리드(LD1',LD2')는, 이에 해당하는 직선(Lb')과 제2기준평면(P2')과의 경사각(θ2')을 측정할 필요가 없다. 본 단계를 설명하기 위한 도 6a는 무게중심(G)과 투영된 무게중심(G) 및 삼각면(T)을 제3기준평면(P3)의 수직방향으로 바라본 도면이고, 도 6b는 반도체 패키지를 도시한 사시도로서, 선들간의 구별을 위해서 일부 리드들을 생략한 도면이다.Sixth step (see FIGS. 6A and 6B); Arbitrary point Pt located inside the triangular plane T on the 3rd reference plane P3 which consists of 1st, 2nd, 3rd reference lines L1, L2, L3, and the projected center of gravity G ' Connecting any one of the reference lines L2 intersecting the connecting line Lc among the reference lines L1, L2, L3 constituting the triangular plane T by the straight line connection to the first reference line L1 '; Changing the corresponding leads forming both ends of the changed first reference line L1 'into first and second reference leads LD1' and LD2 '; Changing the third reference plane P3 to the second reference plane P2 '; Measuring the inclination angle between the straight line Lb intersecting the first reference line L1 'at an angle of 90 ° while passing through the free end of the lead 12, and the second reference plane P2'; After storing the lead having the smallest value of the inclination angle θ2 'as the third reference lead LD3'; Returning to the fifth step. Here, the lead 12 positioned on the opposite side of the center of gravity G from the first reference line L1 'and the first and second reference leads LD1' and LD2 'correspond to straight lines Lb. It is not necessary to measure the inclination angle θ2 'between') and the second reference plane P2 '. 6A is a view illustrating the center of gravity G, the projected center of gravity G, and the triangular plane T in the vertical direction of the third reference plane P3, and FIG. 6B illustrates the semiconductor package. In the perspective view shown, some leads are omitted for the purpose of differentiation between lines.
참고로, 상기 제5단계로 복귀된 이후에는, 도 7a와 도 7b에 도시된 바와 같이, 제1·2·3기준리드(LD1',LD2',LD3')를 지나는 제3기준평면(P3')에 무게중심(G")을 수직으로 투영한 후, 투영된 무게중심(G")이 제1·2·3기준선(L1',L2',L3')으로 이루어진 제3기준평면(P3')상의 삼각면(T') 내부에 위치되는가를 재판별하게 된다. 상기 도 7a는 반도체 패키지를 도시한 사시도로서, 선들간의 구별을 위해서 일부 리드들을 생략한 도면이고, 도 7b는 도 7a의 평면도이다.For reference, after returning to the fifth step, as shown in FIGS. 7A and 7B, the third reference plane P3 passing through the first, second and third reference leads LD1 ′, LD2 ′ and LD3 ′ may be used. After projecting the center of gravity G ″ perpendicularly to '), the projected center of gravity G ″ consists of the first, second and third reference lines L1', L2 ', L3' and the third reference plane P3. It is judged whether it is located inside the triangular plane (T ') on'). FIG. 7A is a perspective view of a semiconductor package, in which some leads are omitted to distinguish lines, and FIG. 7B is a plan view of FIG. 7A.
제7단계(도 8 참조) ; 리드(12)의 자유단으로부터 제3기준평면(P3')까지의 수직거리를 측정하고, 이 측정값(Hx)들을 설정기준값(Hmax)과 비교하여, 측정값(Hx)들중에서 적어도 하나 이상의 측정값(Hx)이 설정기준값(Hmax)을 초과하는 경우에는 제품불량으로 판정하고, 측정값(Hx)들이 모두 설정기준값(Hmax)을 초과하지 않는 경우에는 제품정상으로 판정하는 단계. 여기서, 상기 리드(12)들 중에서 제1·2·3기준리드(LD1',LD2',LD3')의 경우에는 제3기준평면(P3')에 접하므로, 이에 대한 수직거리를 측정할 필요가 없다. 본 단계를 설명하기 위한 도 8은 기준리드들(LD1',LD2',LD3')과 제3기준평면(P3')이 상호 접해진 상태를 정면에서 바라본 도면으로서, XY축 평면(Pxy)을 기준으로 제3기준평면(P3')이 회동되어 접해진 상태를 도시하고 있다.Seventh step (see Fig. 8); The vertical distance from the free end of the lead 12 to the third reference plane P3 'is measured, and the measured values Hx are compared with the set reference value Hmax, and at least one of the measured values Hx. If the measured value (Hx) exceeds the set reference value (Hmax) is determined to be a product defect, and if all the measured values (Hx) do not exceed the set reference value (Hmax) to determine the product normal. Here, in the case of the first, second and third reference leads LD1 ′, LD2 ′ and LD3 ′ among the leads 12, the third reference plane P3 ′ contacts the third reference plane P3 ′, and thus a vertical distance thereof needs to be measured. There is no. 8 is a front view illustrating a state where the reference leads LD1 ', LD2', LD3 'and the third reference plane P3' are in contact with each other, and the XY axis plane Pxy is shown. As a reference, the third reference plane P3 'is rotated and brought into contact with each other.
본 발명에 따르면, 반도체 패키지 무게중심을 고려하여 가상평면 및/또는 반도체 패키지를 적절하게 회전시켜서 메인보드에 해당하는 가상평면을 체계적으로 추적하고, 메인보드에 해당하는 가상평면과 리드들간의 수직거리를 측정한 후, 이측정값을 매개로 제품불량 여부를 판별하는 방식을 취하고 있으므로, 반도체 패키지의 리드들이 이룰수 있는 모든 가상평면들을 조건비교하는 종래 방식에 비해서, 리드 검사를 위한 연산량이 대폭 감소되고, 검사속도가 크게 단축된다.According to the present invention, the virtual plane and / or the semiconductor package is properly rotated in consideration of the semiconductor package center of gravity to systematically track the virtual plane corresponding to the main board, and the vertical distance between the virtual plane corresponding to the main board and the leads After measuring, the method determines whether the product is defective based on this measurement value, and compared with the conventional method of conditionally comparing all virtual planes that the leads of the semiconductor package can achieve, the amount of calculation for the lead inspection is greatly reduced. The inspection speed is greatly reduced.
한편, 상기 측정값(Hx)들이 모두 설정기준값(Hmax)을 초과하지 않더라도, 제3기준평면(P3')과 XY축 평면(Pxy)이 이루는 경사각(θ3)이 설정기준값(θmax)을 초과하는 경우에는, 즉 메인보드상에 탑재되어진 반도체 패키지(10)가 허용치 이상으로 기울어지게 되면, 반도체 패키지가 손상되거나 이의 기능이 저하될 위험이 발생된다.On the other hand, even if the measured values Hx do not all exceed the set reference value Hmax, the inclination angle θ3 formed between the third reference plane P3 'and the XY axis plane Pxy exceeds the set reference value θmax. In this case, that is, if the semiconductor package 10 mounted on the motherboard is tilted more than the allowable value, there is a risk that the semiconductor package is damaged or its function is degraded.
따라서, 제3기준평면(P3')과 XY축 평면(Pxy)이 이루는 경사각(θ3)이 설정기준값(θmax)을 초과하는 경우에는 제품불량으로 판정하고, 이 경사각(θ3)이 설정기준값(θmax)을 초과하지 않는 경우에는 제품정상으로 판정하는 단계를, 상기 제7단계 전에, 혹은 제7단계 후에 수행하여, 과도하게 기울어진 반도체 패키지를 제품불량으로 처리하는 것이 바람직하다(도 8 참조).Therefore, when the inclination angle θ3 formed between the third reference plane P3 'and the XY axis plane Pxy exceeds the set reference value θmax, it is determined that the product is defective, and the inclination angle θ3 is the set reference value θmax. ), It is preferable to perform the step of determining that the product is normal before the seventh step or after the seventh step to treat the excessively inclined semiconductor package as a product defect (see FIG. 8).
이상 상기한 바와 같은 본 발명에 따르면, 촬영영상으로부터 각 리드의 자유단과 반도체 패키지 무게중심의 좌표를 측정하고, 리드들의 자유단 좌표중에서 Z축 좌표를 상호 비교하여 이의 Z축 좌표가 가장 큰 리드를 제1기준리드로 취한 후, 반도체 패키지 무게중심을 고려하여 가상평면 및/또는 반도체 패키지를 적절하게 회전시켜서 메인보드에 해당하는 가상평면을 체계적으로 추적하고, 메인보드에 해당하는 가상평면과 리드들간의 수직거리를 측정하여, 이 측정값을 매개로 제품불량 여부를 판별하는 방법으로 되어 있어서, 리드의 성형불량검사가 효율적으로 이루어지므로, 리드 검사를 위한 연산량이 대폭 감소되고, 검사속도가 크게 단축되는 효과가 있다.According to the present invention as described above, the coordinates of the free end of each lead and the center of gravity of the semiconductor package are measured from the photographed image, and the Z-axis coordinates of the lead having the largest Z-axis coordinate are compared by comparing the Z-axis coordinates among the free end coordinates of the leads. After taking the first reference lead, the virtual plane and / or the semiconductor package is properly rotated in consideration of the center of gravity of the semiconductor package to systematically track the virtual plane corresponding to the main board, and between the virtual plane and the lead corresponding to the main board. It is a method to determine whether there is a product defect by measuring the vertical distance of the product, and the molding defect inspection of the lead is carried out efficiently, so that the calculation amount for the lead inspection is greatly reduced, and the inspection speed is greatly reduced. It is effective.
본 발명은 상기한 바와 같은 실시예에 한정되지 않고, 이하의 청구범위를 벗어나지 않는 한도내에서, 보다 다양하게 변형 실시될 수 있음은 물론이다.The present invention is not limited to the embodiment as described above, and of course, various modifications can be made without departing from the scope of the following claims.
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| PR1001 | Payment of annual fee |
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