[go: up one dir, main page]

KR100552964B1 - 평판표시소자용 도너필름 및 그를 이용한유기전계발광소자의 제조방법 - Google Patents

평판표시소자용 도너필름 및 그를 이용한유기전계발광소자의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100552964B1
KR100552964B1 KR1020030060002A KR20030060002A KR100552964B1 KR 100552964 B1 KR100552964 B1 KR 100552964B1 KR 1020030060002 A KR1020030060002 A KR 1020030060002A KR 20030060002 A KR20030060002 A KR 20030060002A KR 100552964 B1 KR100552964 B1 KR 100552964B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
layer
organic
light
donor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1020030060002A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050023001A (ko
Inventor
김무현
진병두
서민철
양남철
이성택
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020030060002A priority Critical patent/KR100552964B1/ko
Priority to JP2004015543A priority patent/JP2005079087A/ja
Priority to US10/829,992 priority patent/US7361416B2/en
Priority to CNA200410058745XA priority patent/CN1592524A/zh
Publication of KR20050023001A publication Critical patent/KR20050023001A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100552964B1 publication Critical patent/KR100552964B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
    • B41M5/40—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used characterised by the base backcoat, intermediate, or covering layers, e.g. for thermal transfer dye-donor or dye-receiver sheets; Heat, radiation filtering or absorbing means or layers; combined with other image registration layers or compositions; Special originals for reproduction by thermography
    • B41M5/41—Base layers supports or substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
    • B41M5/40—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used characterised by the base backcoat, intermediate, or covering layers, e.g. for thermal transfer dye-donor or dye-receiver sheets; Heat, radiation filtering or absorbing means or layers; combined with other image registration layers or compositions; Special originals for reproduction by thermography
    • B41M5/42—Intermediate, backcoat, or covering layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M2205/00—Printing methods or features related to printing methods; Location or type of the layers
    • B41M2205/02—Dye diffusion thermal transfer printing (D2T2)
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M2205/00—Printing methods or features related to printing methods; Location or type of the layers
    • B41M2205/38—Intermediate layers; Layers between substrate and imaging layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
    • B41M5/40—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used characterised by the base backcoat, intermediate, or covering layers, e.g. for thermal transfer dye-donor or dye-receiver sheets; Heat, radiation filtering or absorbing means or layers; combined with other image registration layers or compositions; Special originals for reproduction by thermography
    • B41M5/42—Intermediate, backcoat, or covering layers
    • B41M5/426—Intermediate, backcoat, or covering layers characterised by inorganic compounds, e.g. metals, metal salts, metal complexes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
    • B41M5/40—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used characterised by the base backcoat, intermediate, or covering layers, e.g. for thermal transfer dye-donor or dye-receiver sheets; Heat, radiation filtering or absorbing means or layers; combined with other image registration layers or compositions; Special originals for reproduction by thermography
    • B41M5/42—Intermediate, backcoat, or covering layers
    • B41M5/44—Intermediate, backcoat, or covering layers characterised by the macromolecular compounds
    • B41M5/443—Silicon-containing polymers, e.g. silicones, siloxanes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/913—Material designed to be responsive to temperature, light, moisture
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/914—Transfer or decalcomania
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917—Electroluminescent
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652—Of asbestos
    • Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

평판표시소자용 도너필름 및 그를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법을 제공한다. 상기 도너필름은 기재필름(base film), 상기 기재필름 상에 위치한 광-열 변환층(LTHC), 상기 광-열 변환층 상에 위치한 전사층(transfer layer), 및 상기 광-열 변환층과 상기 전사층 사이에 개재되고, 유리전이온도(Tg)가 25℃ 이하인 물질을 갖는 완충막을 구비한다. 평판표시소자용 도너필름을 제조함에 있어 광-열 변환층과 전사층 사이에 완충막을 도입함으로써, 상기 전사층의 도너기판에 대한 접착력을 개선시킬 수 있다. 결과적으로, 상기 도너필름을 사용하여 억셉터기판 상에 상기 전사층을 전사시켜 유기막 패턴을 형성함에 있어 불량패턴이 없는 양호한 패턴을 형성할 수 있다.
LITI, 도너필름, 유기막, 전사특성

Description

평판표시소자용 도너필름 및 그를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법{donor film for flat panel display device and method of fabricating OLED using the same}
도 1a 및 도 1b는 LITI에 의한 일반적인 유기막의 전사과정에 있어서 전사 메카니즘을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 평판표시소자용 도너필름 및 그의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 4는 실험예 1 또는 2에 따라 제조된 도너필름을 사용하여 억셉터기판 상에 발광층 패턴을 형성한 것을 나타낸 그림이다.
도 5a 및 도 5b는 비교예 1 및 2 에 따라 제조된 도너필름들을 사용하여 억셉터기판 상에 발광층 패턴을 형성한 것을 각각 나타낸 그림들이다.
(도면의 주요 부위에 대한 부호의 설명)
55 : 광-열 변환층 60 : 층간삽입층
65 : 완충막 70 : 전사층
본 발명은 평판표시소자의 도너필름 및 그를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전사층과의 접착력을 개선한 도너필름 및 그를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 평판표시소자인 유기전계발광소자는 애노드와 캐소드 그리고, 상기 애노드와 캐소드 사이에 개재된 유기막들을 포함한다. 상기 유기막들은 최소한 발광층을 포함하며, 상기 발광층외에도 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층, 전자주입층을 더욱 포함할 수 있다. 이러한 유기전계발광소자는 상기 유기막 특히, 상기 발광층을 이루는 물질에 따라서 고분자 유기전계발광소자와 저분자 유기전계발광소자로 나뉘어진다.
이러한 유기전계발광소자에 있어 풀칼라화를 구현하기 위해서는 상기 발광층을 패터닝해야 하는데, 상기 발광층을 패터닝하기 위한 방법으로 저분자 유기전계발광소자의 경우 섀도우 마스크(shadow mask)를 사용하는 방법이 있고, 고분자 유기전계발광소자의 경우 잉크-젯 프린팅(ink-jet printing) 또는 레이저에 의한 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging; 이하 LITI라 한다)이 있다. 이 중에서 상기 LITI는 상기 유기막을 미세하게 패터닝할 수 있는 장점이 있을 뿐 아니라, 상기 잉크-젯 프린팅이 습식공정인데 반해 이는 건식공정이라는 장점이 있다.
이러한 LITI에 의한 고분자 유기막의 패턴 형성방법은 적어도 광원, 유기전계발광소자 기판 즉, 억셉터기판 그리고 도너 필름을 필요로 하는데, 상기 도너 필 름은 기재 필름, 광-열 변환층 및 유기막으로 이루어진 전사층으로 구성된다. 상기 억셉터기판 상에 유기막을 패터닝하는 것은 상기 광원에서 나온 빛이 상기 도너 필름의 광-열 변환층에 흡수되어 열에너지로 변환되고, 상기 열에너지에 의해 상기 전사층을 이루는 유기막이 상기 억셉터기판 상으로 전사되면서 수행된다. 이는 한국특허출원 제 1998-51844호 및 미국 특허 제 5,998,085호, 6,214,520호 및 6,114,088호에 게시되어 있다.
도 1a 및 도 1b는 LITI에 의한 일반적인 유기막의 전사과정에 있어서 전사 메카니즘을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1a를 참고하면, 기재 필름(S1a)과 광-열 변환층(S1b)으로 이루어진 도너 기판(S1)에 유기막(S2)이 상기 도너 기판(S1)과 상기 유기막(S2)사이의 제 1 접착력(adhesion; W12)에 의해 붙어 있다. 상기 도너 기판(S1) 하부에는 억셉터기판(S3)이 위치한다.
도 1b를 참고하면, 상기 기재 필름(S1a) 상의 제 2 영역(R2)을 제외한 제 1 영역(R1)에 레이저에 의한 빛이 조사된다. 상기 기재 필름(S1a)을 통과한 빛은 상기 광-열 변환층(S1b)에서 열로 변환되고, 상기 열은 상기 제 1 영역(R1)의 제 1 접착력(adhesion; W12)에 변화를 유발하여 상기 유기막(S2)을 상기 억셉터 기판(S3 )으로 전사시킨다. 이러한 전사과정에서 상기 유기막(S2)의 전사특성을 좌우하는 인 자는 상기 제 2 영역(R2)의 도너 기판(S1)과 상기 유기막(S2)사이의 제 1 접착력(adhesion; W12), 상기 유기막(S2) 내의 점착력(cohesion; W22) 및 상기 유기막(S2)과 상기 억셉터 기판(S3)과의 제 2 접착력(adhesion; W23)이다. 특히, 상기 제 1 접착력(W12)이 작은 경우는 상기 유기막(S2)이 상기 도너 기판(S1)으로부터 너무 쉽게 떨어져 나와, 상기 레이저에 의해 빛이 조사되지 않은 제 2 영역(R2)의 유기막(S2) 즉, 전사되지 않아야 할 부분의 유기막(S2)까지 전사되는 불량을 유발할 수 있다. 이는 상기 유기막(S2)이 저분자 물질을 포함하는 경우에 있어 더욱 그러하다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 전사층과의 접착특성이 개선된 평판표시소자용 도너필름 및 그를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 평판표시소자용 도너필름을 제공한다. 상기 도너필름은 기재필름(base film); 상기 기재필름 상에 위치한 광-열 변환층(LTHC); 상기 광-열 변환층 상에 위치한 전사층(transfer layer); 및 상기 광-열 변환층과 상기 전사층 사이에 개재되고, 유리전이온도(Tg)가 25℃ 이하인 물질을 갖는 완충막을 포함한다.
상기 유리전이온도가 25℃ 이하인 물질은 실리콘 고분자(silicone polymer)인 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 완충막은 액상 실리콘 고분자를 상기 광-열 변환층 상에 형성하고; 자외선경화, 25℃경화, 저온경화, 촉매경화로 이루어지는 군에서 선택되는 하나를 사용하여 경화함으로써 형성하는 것이 바람직하다.
상기 완충막은 20um이하의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 상기 완충막은 5um이하의 두께를 갖는다.
상기 전사층은 전계발광성 유기막, 정공주입성 유기막, 정공전달성 유기막, 전자전달성 유기막, 전자주입성 유기막으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 단층막 또는 하나 이상의 다층막으로 이루어질 수 있다. 바람직하게는 상기 유기막들은 각각 저분자 물질을 포함한다.
상기 도너필름은 상기 광-열 변환층과 상기 완충막 사이에 개재된 층간삽입층(interlayer)를 더욱 포함하는 것이 바람직하다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 상기 도너필름을 사용한 유기전계발광소자의 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 화소전극이 형성된 억셉터 기판을 제공하고; 상기 기판으로부터 이격된 위치에 기재필름, 상기 기재필름 상에 광-열 변환층, 유리전이온도(Tg)가 25℃ 이하인 물질을 갖는 완충막 및 유기막인 전사층을 차례로 적층하여 제조한 도너필름을 상기 전사층이 상기 기판을 향하도록 배치하고; 상기 도너필름의 소정영역에 레이저를 조사하여 상기 전사층을 상기 화소전극 상으로 전사함으로써, 상기 화소전극 상에 유기막 패턴을 형성하는 것을 포함한다.
상기 유리전이온도가 25℃ 이하인 물질은 실리콘 고분자(silicone polymer)인 것이 바람직하다.
상기 유기막 패턴은 전계발광성 유기막, 정공주입성 유기막, 정공전달성 유기막, 전자전달성 유기막, 전자주입성 유기막으로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 단층막 또는 2종 이상의 다층막일 수 있다. 바람직하게는 상기 유기막들은 각각 저분자 물질을 포함한다.
이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 평판표시소자용 도너필름 및 그의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2를 참고하면, 기재필름(50)을 제공하고, 상기 기재필름(50) 상에 광-열 변환층(Light-To-Heat Conversion layer; LTHC, 55)을 형성한다.
상기 기재필름(50)은 투명성 고분자로 이루어져 있는데, 이러한 고분자로는 폴레에틸렌 테레프탈레이트와 같은 폴리에스테르, 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌, 폴리스티렌 등을 사용한다. 그 중에서 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름을 주로 사용한다. 상기 기재 필름(50)은 지지필름으로서 적당한 광학적 성질과 충분한 기계적 안정성을 가져야 한다. 상기 기재 필름(50)의 두께는 10 내지 500 ㎛인 것이 바람직하다.
상기 광-열 변환층(55)은 적외선-가시광선 영역의 빛을 흡수하여 상기 빛의 일부를 열로 변환시키는 층으로, 적당한 광학밀도(optical density)를 가져야 하 고, 광흡수성 물질을 포함한다. 상기 광-열 변환층(55)은 예를 들어, 알루미늄 산화물 또는 알루미늄 황화물을 상기 광흡수성 물질로 포함하는 금속막, 카본 블랙, 흑연이나 적외선 염료를 상기 광흡수성 물질로 포함하는 고분자 유기막이 있다. 이때, 상기 금속막의 경우는 진공 증착법, 전자빔 증착법 또는 스퍼터링을 이용하여 100 내지 5,000 Å 두께로 형성하는 것이 바람직하며, 상기 유기막의 경우는 일반적인 필름코팅 방법인 롤코팅(roll coating), 그라비아 (gravure), 압출(extrusion), 스핀(spin), 및 나이프(knife) 코팅 방법을 이용하여 0.1 내지 10㎛ 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
이어서, 상기 광-열 변환층(55) 상에 층간삽입층(interlayer; 60)을 형성할 수 있다. 상기 층간삽입층(60)은 상기 광-열 변환층(55)에 포함된 상기 광흡수성 물질 예를 들어, 카본 블랙이 후속하는 공정에서 형성되는 전사층을 오염시키는 것을 방지하는 역할을 한다. 상기 층간삽입층(60)은 아크릴 수지(acrylic resin) 또는 알키드 수지(alkyd resin)로 형성할 수 있다. 상기 층간삽입층(60)의 형성은 용매 코팅등의 일반적인 코팅과정과 자외선 경화과정등의 경화과정을 거쳐 수행되며, 1 내지 2㎛의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
이어서, 상기 광-열 변환층(55) 상에 또는 상기 층간삽입층(60)이 형성된 경우는 상기 층간삽입층(60) 상에 유리전이온도(Tg)가 25℃ 이하인 물질을 갖는 완충막(65)을 형성한다. 상기 기재 필름(50) 상에 상기 광-열 변환층(55) 및 상기 완충막(65)을 차례로 형성한 결과물 또는 상기 기재 필름(50) 상에 상기 광-열 변환층(55), 상기 층간삽입층(60) 및 상기 완충막(65)을 차례로 형성한 결과물을 도너 기판(70)으로 정의한다. 이어서, 상기 도너 기판(70), 즉 상기 완충막(65) 상에 전사층(75)을 형성함으로써 도너 필름(80)을 완성한다.
일반적으로 고분자 물질은 상기 유리전이온도(Tg) 이하에서는 분자의 미크로 브라운 운동을 동결하여 유리상태가 되나, 유리전이온도 이상에서는 유연하고 굴곡성이나 탄성이 풍부하므로 접착강도가 높다. 따라서, 통상적으로 25℃ 이상에서 진행되는 LITI에 의한 전사과정에 있어, 상기 유리전이온도가 25℃이하인 물질을 갖는 완충막(65)은 상기 도너 기판(70)과 상기 전사층(75)과의 접착력 즉, 도 1의 제 1 접착력(W12)을 향상시키는 결과를 가져올 수 있다. 이는 도 1에서 설명한 바와 같이, 상기 전사층(75)을 전사하는 과정에서 상기 전사층(75)이 상기 도너 기판(70)으로부터 너무 쉽게 떨어져 나와 억셉터기판 상에 전사되지 않아야 할 부분까지 전사되는 패터닝 불량을 방지할 수 있게 한다. 결과적으로 상기 완충막(65)의 도입으로 인해 상기 전사층(75)의 전사특성을 개선할 수 있다. 또한, 상기 완충막(65)은 상기 전사과정에 있어, 상기 억셉터기판에 대해 완충역할을 하여 패터닝 불량을 줄일 수 있다.
상기 완충막(65)은 스핀코팅, 롤코팅, 딥코팅, 그라비아 코팅, 증착등과 같은 방법으로 형성되며, 그 두께는 20um이하로 형성하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 상기 완충막은 5um이하의 두께를 갖도록 형성한다. 이는 상기 도너 기판(70)으로부터 상기 전사층(75)을 전사받는 억셉터기판의 피전사부위가 평탄화된 경우는 상기 완충막(65)의 두께는 20um이하로 형성하는 것이 바람직하나, 상기 피 전사부위가 평탄화되지 않고 리세스된 경우는 패터닝불량을 방지하기 위해 상기 리세스된 피전사부위의 모서리 부분까지 도너필름이 밀착되어야하므로 상기 완충막은 5um이하의 두께를 갖도록 형성한다.
상기 완충막(65)은 실리콘 고분자(silicone polymer)로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 실리콘 고분자는 분자내 실록산 결합(Si-O)을 갖는 폴리머로 내열성, 화학적 안정성 등이 우수할 뿐 아니라, 유리전이온도가 25℃ 이하인 물질이다. 상기 완충막(65)을 실리콘 고분자로 형성하는 것은 상기 광-열 변환층(55) 또는 상기 층간삽입층(60) 상에 액상 실리콘 고분자를 스핀코팅, 롤코팅, 딥코팅, 그라비아코팅과 같은 코팅법으로 코팅한 후, 경화하는 과정을 거쳐 실시할 수 있다. 상기 경화는 자외선경화, 25℃경화, 저온경화, 촉매경화로 이루어지는 군에서 선택되는 하나를 사용하여 실시한다.
상기 전사층(75)은 전계발광성 유기막, 정공주입성 유기막, 정공전달성 유기막, 전자전달성 유기막, 전자주입성 유기막으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 단층막 또는 하나 이상의 다층막으로 형성할 수 있다. 바람직하게는 상기 유기막들은 각각 저분자 물질을 포함하는 유기막들이다. 상기 저분자 물질을 포함하는 유기막은 일반적으로 접착력(도 1의 W12)이 양호하지 않으므로, 상기 완충막(65)의 도입으로 인해 전사특성 개선의 정도가 클 수 있기 때문이다. 또한, 상기 저분자 물질 중에는 열적 안정성이 낮은 경우가 있어 상기 저분자 물질을 포함하는 전사층(75)의 경우, LITI에 의한 전사과정에서 상기 광-열변환층(55)에서 발생되는 열에 의해 상기 전사층(75)이 손상되는 현상이 있을 수 있으나, 상기 완충막(65)은 상기 열을 조절할 수 있으므로 이러한 열손상을 방지할 수 있다.
상기 전계발광성 유기막, 정공주입성 유기막, 정공전달성 유기막, 전자전달성 유기막, 전자주입성 유기막는 일반적으로 사용되는 재료이면 모두 가능하다. 바람직하게는 상기 전계발광성 유기막으로는 적색발광재료인 Alq3(호스트)/DCJTB(형광도판트), Alq3(호스트)/DCM(형광도판트), CBP(호스트)/PtOEP(인광 유기금속 착체) 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자등의 고분자물질을 사용할 수 있으며, 녹색발광재료인 Alq3, Alq3(호스트)/C545t(도판트), CBP(호스트)/IrPPy(인광 유기금속 착체) 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자등의 고분자물질을 사용할 수 있다. 또한, 청색발광재료인 DPVBi, 스피로-DPVBi, 스피로-6P, 디스틸벤제(DSB), 디스티릴아릴렌(DSA) 등의 저분자 물질과 PFO계 고분자, PPV계 고분자등의 고분자물질을 사용할 수 있다. 상기 정공주입성 유기막으로는 CuPc, TNATA, TCTA, TDAPB와 같은 저분자와 PANI, PEDOT와 같은 고분자물질을 사용할 수 있으며, 정공전달성 유기막으로는 아릴아민계 저분자, 히드라존계 저분자, 스틸벤계 저분자 스타버스트계 저분자로 NPB, TPD, s-TAD, MTADATA등의 저분자와 카바졸계 고분자, 아릴아민계 고분자, 페릴렌계 및 피롤계 고분자로 PVK와 같은 고분자물질을 사용할 수 있다. 상기 전자전달성 유기막으로는 PBD, TAZ, spiro-PBD와 같은 고분자와 Alq3, BAlq, SAlq와 같은 저분자 물질을 사용할 수 있다. 또한 상기 전자주입성 유기막으로는 Alq3, 갈륨 혼합물(Ga complex), PBD와 같은 저분자 물질이나 옥사디아졸계 고분자 물질을 사용할 수 있다.
상기 전사층(75)의 형성은 일반적인 코팅 방법인 압출, 스핀, 나이프 코팅 방법, 진공 증착법, CVD 등의 방법을 이용하여 100 내지 50,000 Å 두께로 코팅한다.
도 3는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3을 참고하면, 화소전극(200)이 형성된 억셉터기판(100)을 제공한다. 한편, 기재필름(50) 상에 광-열 변환층(55), 유리전이온도가 25℃ 이하인 물질을 갖는 완충막(65), 유기막인 전사층(75)을 차례로 적층하여 도너필름(80)을 제조한다. 상기 완충막(65)을 적층하기 전에 상기 광-열 변환층(55) 상에는 층간삽입층(60)이 더욱 적층될 수 있다. 상기 도너필름(80)의 제조방법은 상기 제 1 실시예에 개시된 바와 같다.
이어서, 상기 도너필름(80)을 상기 억셉터기판(100)으로부터 일정 간격 이격된 위치에 상기 전사층(75)이 상기 억셉터기판(100)을 향하도록 배치하고, 상기 도너필름의 소정영역에 레이저(300)를 조사하여 상기 전사층을 상기 화소전극(200) 상으로 전사함으로써, 상기 화소전극(200) 상에 유기막 패턴(250)을 형성한다.
상기 유기막 패턴(250)은 전계발광성 유기막, 정공주입성 유기막, 정공전달성 유기막, 전자전달성 유기막, 전자주입성 유기막으로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 단층막 또는 2종 이상의 다층막으로 형성될 수 있다. 상기 유기막들은 각각 저분자물질로 이루어진 것이 바람직하다. 한편, 상기 유기막에 대한 예시는 상기 제 1 실시예에 기술된 바와 같다.
상기 화소전극(200) 애노드이고, 상기 도너필름(80)을 사용하여 상기 화소전극(200) 상에 전계발광성 유기막 패턴(250) 즉, 발광층을 형성하는 경우, 상기 발광층을 형성하기 전에 상기 화소전극(200) 상에 정공주입층 및/또는 정공전달층을 스핀코팅 또는 진공증착을 사용하여 형성할 수 있다. 이어서, 상기 발광층 상에 전자전달층 및/또는 전자주입층을 LITI, 진공증착 또는 스핀코팅을 사용하여 형성할 수 있다. 이어서, 상기 전자전달층 및/또는 전자주입층 상에 캐소드인 공통전극(미도시)을 형성함으로써 유기전계발광소자를 완성한다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위해 바람직한 실험예(example)를 제시한다. 다만, 하기의 실험예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐, 본 발명이 하기의 실험예에 의해 한정되는 것은 아니다.
<실험예 1>
100㎛의 두께를 갖고, 폴레에틸렌 테레프탈레이트로 이루어진 기재 필름을 제공하였다. 상기 기재 필름 상에 광흡수성 물질인 카본 블랙을 포함하는 광-열 변환층을 4㎛의 두께로 형성하였다. 이어서, 상기 광-열 변환층 상에 층간삽입층을 아크릴 수지로 형성하되, 1㎛의 두께로 형성하였다. 상기 층간삽입층 상에 액상 실리콘 고분자인 2577(Dow Corning사)을 1㎛의 두께로 스핀코팅하고, 상기 코팅된 2577(Dow Corning사)을 25℃에서 10분동안 건조시킨 후, 80℃에서 10분 동안 열처리하고 25℃에서 6시간 이상 방치함으로써 완충막을 형성하였다. 상기 액상 실리콘 고분자 2577(Dow Corning사)은 25℃에서 수분과 반응하여 경화되는 고분자로, 80℃에서의 열처리는 경화시간을 단축시키는 효과가 있다. 상기 완충막 상에 전계발광 성 저분자중 청색발광재료인 IDE105(Idemitsu사)가 7중량%로 포함된 IDE140(Idemitsu사)을 전면으로 진공 증착하여 전사층을 형성함으로써, 도너필름을 제조하였다.
<실험예 2>
상기 층간삽입층 상에 액상 실리콘 고분자인 UVHC3000(General Electric사)을 1㎛의 두께로 스핀코팅하고, 상기 코팅된 UVHC3000(General Electric사)을 25℃에서 10분동안 건조시킨 후, 80℃에서 10분 동안 열처리하고 UV 램프(최대파장 254nm)를 사용하여 15분 동안 경화시킴으로써, 완충막을 형성하였다. 이를 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 도너필름을 제조하였다.
<비교예 1>
상기 층간삽입층 상에 유리전이온도가 25℃ 이상(약 100℃)인 자외선 경화형 실란트 68 (Norland사)을 5um의 두께로 코팅한 후, 80℃에서 10분 동안 열처리하고 UV 램프(최대파장 254nm)를 사용하여 15분 동안 경화시킴으로써, 완충막을 형성하였다. 이를 제외하고는 상기 실험예 1 과 동일한 방법으로 도너필름을 제조하였다.
<비교예 1>
상기 완충막을 형성하지 않은 것을 제외하고 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 도너필름을 제조하였다.
한편, 화소전극이 형성된 억셉터기판을 준비하였다. 이어서, 상기 실험예 1, 2, 상기 비교예 1 및 2에 따라 제조된 각각의 도너필름을 상기 기판 상에 위치시키고, 일반적인 LITI법으로 상기 전사층을 상기 기판 상에 전사시킴으로써 상기 기판 상에 발광층 패턴을 형성하였다.
도 4는 상기 실험예 1 또는 2에 따라 제조된 도너필름을 사용하여 상기 기판 상에 발광층 패턴을 형성한 것을 나타낸 그림이다. 또한, 도 5a 및 도 5b는 상기 비교예 1 및 2 에 따라 제조된 도너필름들을 사용하여 상기 기판 상에 발광층 패턴을 형성한 것을 각각 나타낸 그림이다.
도 4, 도 5a 및 도 5b를 참고하면, 도 5a 및 도 5b에 나타난 발광층 패턴(P)은 상기 전사층으로부터 전사되지 않아야 할 부분까지 기판위에 묻어난 불량패턴(Q)을 포함한다. 그러나 도 4에 나타난 발광층 패턴(P)은 상기 불량패턴이 없고, 전사하고자 한 부분만이 전사된 양호한 패턴을 보여준다. 이는 상기 도너필름의 제조과정에 있어, 상기 완충막을 도입함으로써 상기 전사층의 도너기판에 대한 접착력을 향상시킨 결과이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 평판표시소자용 도너필름을 제조함에 있어 광-열 변환층과 전사층 사이에 완충막을 도입함으로써, 상기 전사층의 도너기판에 대한 접착력을 개선시킬 수 있다. 결과적으로, 상기 도너필름을 사용하여 기판상에 상기 전사층을 전사시켜 유기막 패턴을 형성함에 있어 불량패턴이 없는 양호한 패턴을 형성할 수 있다.

Claims (12)

  1. 기재필름(base film);
    상기 기재필름 상에 위치한 광-열 변환층(LTHC);
    상기 광-열 변환층 상에 위치한 전사층(transfer layer); 및
    상기 광-열 변환층과 상기 전사층 사이에 개재되고, 유리전이온도(Tg)가 25℃ 이하인 물질을 갖는 완충막을 포함하는 평판표시소자용 도너필름.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 유리전이온도가 25℃ 이하인 물질은 실리콘 고분자(silicone polymer)인 평판표시소자용 도너필름.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 완충막은 액상 실리콘 고분자를 상기 광-열 변환층 상에 형성하고; 자외선경화, 25℃경화, 저온경화, 촉매경화로 이루어지는 군에서 선택되는 하나를 사용하여 경화함으로써 형성하는 평판표시소자용 도너필름.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 완충막은 20um이하의 두께를 갖는 평판표시소자용 도너필름.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 완충막은 5um이하의 두께를 갖는 평판표시소자용 도너필름.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 전사층은
    전계발광성 유기막, 정공주입성 유기막, 정공전달성 유기막, 전자전달성 유기막, 전자주입성 유기막으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 단층막 또는 하나 이상의 다층막으로 이루어진 평판표시소자용 도너필름.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 유기막들은 각각 저분자 물질을 포함하는 유기막들인 평판표시소자용 도너필름.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 광-열 변환층과 상기 완충막 사이에 개재된 층간삽입층(interlayer)를 더욱 포함하는 평판표시소자용 도너필름.
  9. 화소전극이 형성된 억셉터 기판을 제공하고;
    상기 기판으로부터 이격된 위치에 기재필름, 상기 기재필름 상에 광-열 변환층, 유리전이온도(Tg)가 25℃ 이하인 물질을 갖는 완충막 및 유기막인 전사층을 차례로 적층하여 제조한 도너필름을 상기 전사층이 상기 기판을 향하도록 배치하고;
    상기 도너필름의 소정영역에 레이저를 조사하여 상기 전사층을 상기 화소전극 상으로 전사함으로써, 상기 화소전극 상에 유기막 패턴을 형성하는 것을 포함하는 유기전계발광소의 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 유리전이온도가 25℃ 이하인 물질은 실리콘 고분자(silicone polymer)인 유기전계발광소자 제조방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 유기막 패턴은 전계발광성 유기막, 정공주입성 유기막, 정공전달성 유기막, 전자전달성 유기막, 전자주입성 유기막으로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 단층막 또는 2종 이상의 다층막인 유기전계발광소자 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 유기막들은 각각 저분자 물질을 포함하는 유기막들인 유기전계발광소자 제조방법.
KR1020030060002A 2003-08-28 2003-08-28 평판표시소자용 도너필름 및 그를 이용한유기전계발광소자의 제조방법 Expired - Fee Related KR100552964B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030060002A KR100552964B1 (ko) 2003-08-28 2003-08-28 평판표시소자용 도너필름 및 그를 이용한유기전계발광소자의 제조방법
JP2004015543A JP2005079087A (ja) 2003-08-28 2004-01-23 平板表示素子用ドナーフィルム及びそれを利用した有機電界発光素子製造方法
US10/829,992 US7361416B2 (en) 2003-08-28 2004-04-23 Donor film for flat panel display and method of fabricating OLED using the same
CNA200410058745XA CN1592524A (zh) 2003-08-28 2004-07-28 平面显示器的施体薄膜及利用其制造oled的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030060002A KR100552964B1 (ko) 2003-08-28 2003-08-28 평판표시소자용 도너필름 및 그를 이용한유기전계발광소자의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050023001A KR20050023001A (ko) 2005-03-09
KR100552964B1 true KR100552964B1 (ko) 2006-02-15

Family

ID=34214736

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030060002A Expired - Fee Related KR100552964B1 (ko) 2003-08-28 2003-08-28 평판표시소자용 도너필름 및 그를 이용한유기전계발광소자의 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7361416B2 (ko)
JP (1) JP2005079087A (ko)
KR (1) KR100552964B1 (ko)
CN (1) CN1592524A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8999806B2 (en) 2013-04-30 2015-04-07 Samsung Display Co., Ltd. Thermal transfer method and method of manufacturing an organic light emitting display device using the same
KR20190035984A (ko) * 2017-09-25 2019-04-04 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
US10811463B2 (en) 2017-03-08 2020-10-20 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting display device

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100543000B1 (ko) * 2003-08-18 2006-01-20 삼성에스디아이 주식회사 풀칼라 유기 전계 발광 소자용 도너 필름, 도너 필름의제조 방법 및 이 도너 필름을 사용한 풀칼라 유기 전계발광 소자
JP4238822B2 (ja) * 2004-12-03 2009-03-18 セイコーエプソン株式会社 パターン形成基板、電気光学装置、パターン形成基板の製造方法及び電気光学装置の製造方法
US20060181203A1 (en) * 2005-02-16 2006-08-17 Hsin-Fei Meng Voltage-tuning multi-layer full-color conjugated polymer LED
KR100645534B1 (ko) * 2005-08-12 2006-11-14 삼성에스디아이 주식회사 레이저 열전사용 마스크 및 그를 이용한 유기 전계 발광소자의 제조방법
US7817175B2 (en) 2005-08-30 2010-10-19 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Laser induced thermal imaging apparatus and fabricating method of organic light emitting diode using the same
US8613989B2 (en) * 2005-08-30 2013-12-24 Samsung Display Co., Ltd. Film donor device for laser induced thermal imaging
JP2007062354A (ja) * 2005-08-30 2007-03-15 Samsung Sdi Co Ltd レーザ熱転写ドナーフィルム、レーザ熱転写装置、レーザ熱転写法及び有機発光素子の製造方法
KR100673758B1 (ko) * 2005-09-13 2007-01-24 삼성에스디아이 주식회사 탈가스 포집부가 구비된 도너 필름 및 이의 제조방법
KR100786291B1 (ko) * 2005-10-24 2007-12-18 삼성에스디아이 주식회사 전면발광형 유기전계발광소자
JP2007128844A (ja) * 2005-11-04 2007-05-24 Samsung Sdi Co Ltd レーザ熱転写装置及びレーザ熱転写方法そしてこれを利用した有機発光表示素子
JP2007128845A (ja) * 2005-11-04 2007-05-24 Samsung Sdi Co Ltd レーザ熱転写装置及びレーザ熱転写方法
KR100731748B1 (ko) * 2005-11-30 2007-06-22 삼성에스디아이 주식회사 평판표시소자용 도너기판 및 그를 이용한유기전계발광소자의 제조방법
TWI333803B (en) * 2006-01-13 2010-11-21 Au Optronics Corp Organic electro-luminescence device
WO2007117698A2 (en) * 2006-04-07 2007-10-18 Qd Vision, Inc. Composition including material, methods of depositing material, articles including same and systems for depositing material
WO2007120877A2 (en) * 2006-04-14 2007-10-25 Qd Vision, Inc. Transfer surface for manufacturing a light emitting device
KR100731755B1 (ko) * 2006-05-03 2007-06-22 삼성에스디아이 주식회사 평판표시소자용 도너 기판 및 그를 이용한유기전계발광소자의 제조방법
WO2008111947A1 (en) * 2006-06-24 2008-09-18 Qd Vision, Inc. Methods and articles including nanomaterial
KR100770271B1 (ko) * 2006-07-04 2007-10-26 삼성에스디아이 주식회사 레이저 전사용 도너기판, 그의 제조방법 및 그를 이용한유기전계발광소자의 제조방법
KR100731766B1 (ko) * 2006-07-04 2007-06-22 삼성에스디아이 주식회사 도너 기판 및 그를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법
WO2008023716A1 (fr) * 2006-08-25 2008-02-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Substrat de transfert pour dispositif d'affichage à électroluminescence organique
WO2008033388A2 (en) * 2006-09-12 2008-03-20 Qd Vision, Inc. A composite including nanoparticles, methods, and products including a composite
US7419757B2 (en) * 2006-10-20 2008-09-02 3M Innovative Properties Company Structured thermal transfer donors
US7604916B2 (en) 2006-11-06 2009-10-20 3M Innovative Properties Company Donor films with pattern-directing layers
US9397308B2 (en) * 2006-12-04 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
KR101689519B1 (ko) * 2007-12-26 2016-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 증착용 기판, 증착용 기판의 제조방법, 및 발광장치의 제조방법
JP5416987B2 (ja) * 2008-02-29 2014-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法及び発光装置の作製方法
JP5292263B2 (ja) * 2008-12-05 2013-09-18 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法及び発光素子の作製方法
KR101073559B1 (ko) * 2009-10-13 2011-10-17 삼성모바일디스플레이주식회사 도너 기판 및 그를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법
US20110209749A1 (en) * 2010-01-07 2011-09-01 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Pattern transfer method and apparatus, flexible display panel, flexible solar cell, electronic book, thin film transistor, electromagnetic-shielding sheet, and flexible printed circuit board applying thereof
CN103620810B (zh) * 2011-06-15 2016-04-13 可隆工业株式会社 Liti施体膜
KR102050029B1 (ko) 2011-08-26 2019-11-29 삼성디스플레이 주식회사 도너 기판, 도너 기판의 제조 방법, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101525999B1 (ko) 2011-12-16 2015-06-04 제일모직주식회사 열전사 필름
KR20130081531A (ko) 2012-01-09 2013-07-17 삼성디스플레이 주식회사 도너 필름 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 유기 발광 표시 장치
KR20140000565A (ko) * 2012-06-25 2014-01-03 삼성디스플레이 주식회사 도너 기판, 도너 기판을 이용한 레이저 열전사 방법 및 도너 기판을 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR20140139853A (ko) * 2013-05-28 2014-12-08 삼성디스플레이 주식회사 도너기판 및 이를 이용한 전사패턴 형성방법
KR20140142026A (ko) * 2013-06-03 2014-12-11 삼성디스플레이 주식회사 기판 합착용 하부 필름, 기판 밀봉체 및 이들을 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102680045B1 (ko) * 2019-12-09 2024-06-28 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 접착 필름

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4869903A (en) 1987-05-29 1989-09-26 Genelabs Incorporated Method of selectively inhibiting HIV
US5256506A (en) * 1990-10-04 1993-10-26 Graphics Technology International Inc. Ablation-transfer imaging/recording
US5220348A (en) * 1991-08-23 1993-06-15 Eastman Kodak Company Electronic drive circuit for multi-laser thermal printer
US5257796A (en) 1992-03-26 1993-11-02 Holland Hitch Company Integrated cam lever/handle lock fifth wheel
US5278023A (en) * 1992-11-16 1994-01-11 Minnesota Mining And Manufacturing Company Propellant-containing thermal transfer donor elements
US5308737A (en) * 1993-03-18 1994-05-03 Minnesota Mining And Manufacturing Company Laser propulsion transfer using black metal coated substrates
US5725989A (en) * 1996-04-15 1998-03-10 Chang; Jeffrey C. Laser addressable thermal transfer imaging element with an interlayer
US5998085A (en) * 1996-07-23 1999-12-07 3M Innovative Properties Process for preparing high resolution emissive arrays and corresponding articles
JP2000118144A (ja) 1998-10-16 2000-04-25 Konica Corp レーザー熱転写画像形成方法、レーザー熱転写画像形成用インクシートおよびレーザー熱転写画像形成用受像シート
KR20000034508A (ko) 1998-11-30 2000-06-26 전주범 텔레비젼 수상기의 자동이득제어 전압 조절장치
US6114088A (en) * 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
US6228555B1 (en) 1999-12-28 2001-05-08 3M Innovative Properties Company Thermal mass transfer donor element
US6242152B1 (en) 2000-05-03 2001-06-05 3M Innovative Properties Thermal transfer of crosslinked materials from a donor to a receptor
US6852355B2 (en) 2001-03-01 2005-02-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thermal imaging processes and products of electroactive organic material
US6699597B2 (en) * 2001-08-16 2004-03-02 3M Innovative Properties Company Method and materials for patterning of an amorphous, non-polymeric, organic matrix with electrically active material disposed therein
JP2003100454A (ja) 2001-09-25 2003-04-04 Dainippon Printing Co Ltd 転写シート
JP4479381B2 (ja) * 2003-09-24 2010-06-09 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8999806B2 (en) 2013-04-30 2015-04-07 Samsung Display Co., Ltd. Thermal transfer method and method of manufacturing an organic light emitting display device using the same
US10811463B2 (en) 2017-03-08 2020-10-20 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting display device
KR20190035984A (ko) * 2017-09-25 2019-04-04 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
US10461133B2 (en) 2017-09-25 2019-10-29 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting display device including an infrared ray light emitting diode
KR102330203B1 (ko) 2017-09-25 2021-11-23 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20050048295A1 (en) 2005-03-03
US7361416B2 (en) 2008-04-22
CN1592524A (zh) 2005-03-09
KR20050023001A (ko) 2005-03-09
JP2005079087A (ja) 2005-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100552964B1 (ko) 평판표시소자용 도너필름 및 그를 이용한유기전계발광소자의 제조방법
KR100731755B1 (ko) 평판표시소자용 도너 기판 및 그를 이용한유기전계발광소자의 제조방법
KR101073559B1 (ko) 도너 기판 및 그를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법
JP6143278B2 (ja) ドナーフィルム及びこれを用いた有機発光表示装置の製造方法、並びにこれを用いて製造された有機発光表示装置
KR100848339B1 (ko) 도너기판 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법
KR100731766B1 (ko) 도너 기판 및 그를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법
KR100793358B1 (ko) 유기전계발광소자의 제조방법
JP2005063977A (ja) フルカラー有機電界発光素子用ドナーフィルム、ドナーフィルムの製造方法及びこのドナーフィルムを用いたフルカラー有機電界発光素子
KR100527192B1 (ko) 풀칼라 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR100635057B1 (ko) 평판 표시 소자용 도너 필름의 제조 방법 및 이를 이용한유기 전계 발광 소자의 제조 방법
KR100685413B1 (ko) 레이저 전사용 도너 기판 및 이를 이용한 유기 전계 발광소자의 제조 방법
KR100796594B1 (ko) 도너기판, 그의 제조방법 및 그를 이용한유기전계발광소자의 제조방법
KR100635058B1 (ko) 평판 표시 소자용 도너 필름의 제조 방법 및 이를 이용한유기 전계 발광 소자의 제조 방법
KR100776473B1 (ko) 유기 전계 발광표시장치의 제조방법
KR100731767B1 (ko) 도너 기판 및 그를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법
KR100796605B1 (ko) 도너 기판 및 그를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법
KR20140065147A (ko) 도너 기판 및 이를 이용한 유기 발광 소자의 제조 방법
KR100611745B1 (ko) 평판 표시 소자용 도너 필름의 제조 방법 및 이를 이용한유기 전계 발광 소자의 제조 방법
KR100731768B1 (ko) 도너 기판 및 그를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법
KR100786296B1 (ko) 레이저 전사용 도너 기판, 그의 제조 방법 및 이를 이용한유기전계발광소자의 제조 방법
KR100770271B1 (ko) 레이저 전사용 도너기판, 그의 제조방법 및 그를 이용한유기전계발광소자의 제조방법
KR100752375B1 (ko) 레이저 전사용 도너 기판과 그의 제조 방법 및 그를 이용한유기전계발광소자의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

D13-X000 Search requested

St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000

D14-X000 Search report completed

St.27 status event code: A-1-2-D10-D14-srh-X000

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R14-asn-PN2301

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R14-asn-PN2301

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130205

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140129

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 9

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150130

Year of fee payment: 10

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 10

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

Not in force date: 20160210

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20160210

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000