KR100602080B1

KR100602080B1 - How to Clean Etch Chamber

Info

Publication number: KR100602080B1
Application number: KR1020030101851A
Authority: KR
Inventors: 김재승
Original assignee: 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date: 2003-12-31
Filing date: 2003-12-31
Publication date: 2006-07-14
Anticipated expiration: 2023-12-31
Also published as: KR20050069612A

Abstract

식각 공정을 진행하던 중에 챔버 내부의 벽 등에 증착되는 부산물을 세정하기 위한 식각 챔버의 세정 방법에 관한 것으로, 본 발명의 세정 방법은, 상기 식각 챔버의 내부를 30∼60mTorr로 유지하고, 150∼300W의 RF 파워(power)와 100G의 자기장을 사용하며, 챔버 벽의 온도는 50∼70℃로 유지한 상태에서 50∼150sccm의 NF₃와 10∼50sccm의 O₂를 포함하는 세정 가스를 식각 챔버의 내부에 공급하여 챔버 내부의 부산물을 제거하는 세정 단계; 및 상기 식각 챔버의 내부를 100∼250mTorr로 유지한 상태에서 나머지 조건들을 세정 단계와 동일하게 유지하면서 실시하는 워밍업 단계;를 포함한다. 또한, 세정 단계와 워밍업 단계 사이의 압력 제어를 용이하게 함과 동시에 과도한 RF 파워로 인한 손상을 방지하기 위한 안정화 단계를 더욱 구비한다.The present invention relates to a method of cleaning an etching chamber for cleaning a by-product deposited on a wall or the like during an etching process. The cleaning method of the present invention maintains the interior of the etching chamber at 30 to 60 mTorr, and is 150 to 300 W. A cleaning gas containing 50 to 150 sccm of NF ₃ and 10 to 50 sccm of O ₂ is applied to the etch chamber while using RF power of 100 G and a magnetic field of 100 G. The chamber wall is maintained at 50 to 70 ° C. A cleaning step of supplying the inside to remove by-products inside the chamber; And a warm-up step of maintaining the inside of the etching chamber at 100 to 250 mTorr while maintaining the same conditions as the cleaning step. In addition, there is further provided a stabilization step for facilitating pressure control between the cleaning step and the warming up step, while at the same time preventing damage due to excessive RF power.

플라즈마, 건식, 식각, 부산물, 세정, 산소, NF3 Plasma, Dry, Etch, By-Product, Clean, Oxygen, NF3

Description

CLEANING METHOD OF ETCHING CHAMBER

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 식각 챔버의 세정 방법을 나타내는 블럭도이다.1 is a block diagram illustrating a cleaning method of an etching chamber according to an exemplary embodiment of the present invention.

본 발명은 반도체 소자 제조용 건식 식각장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 식각 공정을 진행하던 중에 챔버 내부의 벽 등에 증착되는 부산물을 세정하기 위한 식각 챔버의 세정 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dry etching apparatus for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a method of cleaning an etching chamber for cleaning a by-product deposited on a wall inside a chamber during an etching process.

일반적으로, 반도체 제품을 생산하기 위해서는 매우 정밀한 반도체 제조 공정은 물론, 반도체 제조 공정을 수행하는 반도체 제조 설비를 필요로 한다.In general, the production of semiconductor products requires a highly precise semiconductor manufacturing process, as well as a semiconductor manufacturing equipment that performs the semiconductor manufacturing process.

이들 반도체 제조 설비는 크게 선행 반도체 제조 설비와 후속 반도체 제조 설비로 구분할 수 있는 바, 선행 반도체 제조 설비는 순수 실리콘 웨이퍼에 반도체 박막 패턴을 형성하기 위한 선행 공정인 포토레지스트 도포 공정-노광 공정-현상 공정을 복합적으로 수행하고, 후속 반도체 제조 설비는 웨이퍼에 패터닝된 포토레지스트 박막을 매개로 웨이퍼에 소정의 특성을 갖는 불순물을 주입하는 이온 주입 공정, 이미 형성된 반도체 박막을 식각하여 패터닝하는 식각 공정, 웨이퍼에 소정 박막을 부가하는 증착 공정, 미세 박막 회로 패턴을 연결하는 메탈 공정 등을 수행한다.These semiconductor manufacturing equipment can be classified into the preceding semiconductor manufacturing equipment and the subsequent semiconductor manufacturing equipment. The prior semiconductor manufacturing equipment is a photoresist coating process, an exposure process, and a development process, which is a preceding process for forming a semiconductor thin film pattern on a pure silicon wafer. And a subsequent semiconductor manufacturing facility is an ion implantation process for injecting impurities having predetermined characteristics into the wafer through a photoresist thin film patterned on the wafer, an etching process for etching and patterning a previously formed semiconductor thin film, and a wafer A deposition process for adding a predetermined thin film, a metal process for connecting a fine thin film circuit pattern, and the like are performed.

이 중에서, 식각 공정을 수행하는 반도체 제조 설비는 습식 식각 설비와 건식 식각 설비로 나눌 수 있으며, 건식 식각 설비로는 플라즈마 가스를 사용하는 플라즈마 처리장치가 있다.Among these, the semiconductor manufacturing equipment that performs the etching process may be divided into a wet etching equipment and a dry etching equipment, and the dry etching equipment includes a plasma processing apparatus using plasma gas.

통상적으로, 상기한 플라즈마 처리장치는 식각 챔버와, 식각 챔버 내부에 설치되어 플라즈마 가스를 생성하는데 필요한 소스 가스를 식각 챔버 내부로 공급하는 가스 공급 유닛과, 웨이퍼가 안착됨과 동시에 전극 역할을 하는 전극 유닛과, 가스 공급 유닛으로부터 공급된 소스 가스를 웨이퍼를 향해 균일하게 분사하는 가스 분배 수단을 포함한다.In general, the plasma processing apparatus includes an etching chamber, a gas supply unit installed in the etching chamber and supplying a source gas necessary to generate plasma gas into the etching chamber, and an electrode unit that serves as an electrode while the wafer is seated. And gas distribution means for uniformly injecting the source gas supplied from the gas supply unit toward the wafer.

그런데, 상기한 플라즈마 처리장치를 이용하여 식각 공정을 진행하는 동안에는 에천트 잔류물 등의 부산물이 식각 챔버의 내벽 또는 다른 구성요소의 표면에 증착된다. 상기한 부산물의 조성은 식각 가스의 증발된 종들, 식각되는 재료, 및 기판상의 마스크층의 화학적 조성에 의존한다. 예를 들어, 텅스텐 실리사이드, 폴리실리콘 또는 다른 실리콘 함유층이 식각될 때, 실리콘 함유 가스 종들은 기판으로부터 증발되거나 스퍼터링되고, 마찬가지로, 금속층의 식각이 금속 종들의 증발을 초래한다.By the way, by-products such as etchant residues are deposited on the inner wall of the etching chamber or the surface of other components during the etching process using the plasma processing apparatus. The composition of the by-products depends on the chemical composition of the evaporated species of the etching gas, the material being etched, and the mask layer on the substrate. For example, when tungsten silicide, polysilicon or other silicon containing layers are etched, the silicon containing gas species are evaporated or sputtered from the substrate, and likewise, the etching of the metal layer results in the evaporation of the metal species.

또한, 기판상의 마스크층도 식각 가스에 의해 증발되어 가스 탄화수소 또는 산소 종들이 형성된다. 증발된 가스 종들은 농축되어, 레지스트로부터 나온 탄화수소 종들로 이루어진 중합체 부산물, 불소, 산소, 또는 질소 등의 가스 원소, 및 식각되는 기판의 조성에 따라 원소 실리콘 또는 금속 종들을 함유하는 에천트 잔류물이 형성된다.In addition, the mask layer on the substrate is also evaporated by the etching gas to form gaseous hydrocarbons or oxygen species. The evaporated gas species are concentrated to produce an etchant residue containing elemental silicon or metal species, depending on the composition of the substrate being etched, polymer by-products of hydrocarbon species from the resist, fluorine, oxygen, or nitrogen Is formed.

식각 챔버의 표면상에 형성된 상기한 부산물들은 기판의 오염을 방지하기 위해 주기적으로 세정되어야 한다. 통상, 대략 25개의 웨이퍼를 처리한 후에, 인시튜 플라즈마 건식 세정 공정을 빈 식각 챔버 내에서 행하여 챔버를 세정한다.The by-products formed on the surface of the etching chamber should be cleaned periodically to prevent contamination of the substrate. Typically, after processing approximately 25 wafers, an in-situ plasma dry cleaning process is performed in an empty etching chamber to clean the chamber.

그러나, 활성이 큰 플라즈마 종들은 급속히 챔버 벽 및 챔버 구성 요소를 부식시키며, 이러한 부품 및 구성 요소를 교체하는 것은 많은 비용이 든다. 또한, 챔버 표면의 부식은 하나의 웨이퍼로부터 다른 웨이퍼로의 식각 공정의 불안정성을 초래한다. 또한, 상대적으로 얇고 조성적으로 상이한 부산물들은 모든 부산물들이 제거된 후 즉시 인시튜 플라즈마 세정 공정을 중단시키는 것이 어려워서 아래 있는 챔버 표면의 부식을 초래하게 된다.However, high activity plasma species rapidly corrode chamber walls and chamber components, and replacing these components and components is expensive. In addition, corrosion of the chamber surface results in instability of the etching process from one wafer to another. In addition, relatively thin and compositionally different by-products make it difficult to stop the in-situ plasma cleaning process immediately after all by-products have been removed, resulting in corrosion of the underlying chamber surface.

상기와 같이, 조성적으로 상이한 부산물들을 균일하게 식각하는 세정 플라즈마를 형성하는 것은 어렵다. 따라서, 약 100 또는 300개의 웨이퍼를 식각한 후에, 식각 챔버를 대기에 개방한 상태에서 습식 세정 공정으로 챔버를 세정하고 있으며, 이 경우 작업자는 챔버 벽에 증착된 부산물들을 제거하고 용해시키기 위해 산 또는 용제를 사용한다.As above, it is difficult to form a cleaning plasma that uniformly etches compositionally different byproducts. Thus, after etching about 100 or 300 wafers, the chamber is cleaned by a wet cleaning process with the etching chamber open to the atmosphere, in which case the operator removes acid or solvent to remove and dissolve by-products deposited on the chamber walls. Use a solvent.

일관된 챔버 특성을 제공하기 위해, 습식 세정 단계 후에, 챔버 및 그 내부 표면은 장기간 동안에 챔버를 펌핑 다운(pumping down)한다. 펌핑 다운 공정에서, 챔버는 2 내지 3시간 동안 고진공 환경으로 펌핑 다운되어 습식 세정 공정동안 챔버 내에 가두어진 습기 및 다른 휘발성 종들을 배기시킨다. 그 후, 더미 웨이퍼 상에서 일련의 식각 공정이 수행되어 시즈닝된다(seasoned).To provide consistent chamber characteristics, after the wet clean step, the chamber and its inner surface pump down the chamber for a long time. In the pump down process, the chamber is pumped down to a high vacuum environment for 2-3 hours to evacuate moisture and other volatile species confined within the chamber during the wet clean process. Thereafter, a series of etching processes are performed and seasoned on the dummy wafer.

경쟁적인 반도체 산업에서, 건식 또는 습식 세정 및 시즈닝 공정 단계 동안의 식각 챔버의 중단 시간으로부터 초래되는 기판당 증가된 비용은 바람직하지 않다. 통상, 건식 세정 공정 단계에 대해 5 내지 10분이 소요되고, 습식 세정 공정을 완성하는 데에는 2 내지 3시간이 소요된다. 또한, 습식 세정 및 시즈닝 공정은 흔히 일관되지 않고 가변적인 식각 특성을 제공한다. 특히, 습식 세정 공정은 작업자에 의해 수동으로 실행되기 때문에, 흔히 세션마다 변하여 챔버 표면 특성의 변화와 식각 공정의 낮은 재현성을 초래한다.In the competitive semiconductor industry, the increased cost per substrate resulting from the down time of the etch chamber during dry or wet clean and season process steps is undesirable. Typically, 5 to 10 minutes are required for the dry cleaning process step, and 2-3 hours are required to complete the wet cleaning process. In addition, wet cleaning and seasoning processes often provide inconsistent and variable etching characteristics. In particular, since the wet cleaning process is performed manually by an operator, it often changes from session to session, resulting in changes in chamber surface properties and low reproducibility of the etching process.

이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 식각 공정 진행중 또는 진행 후에 단시간 내에 효과적으로 부산물을 세정할 수 있는 식각 챔버의 세정 방법을 제공함에 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a cleaning method of an etching chamber capable of effectively cleaning by-products within a short time during or after the etching process.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,The present invention to achieve the above object,

식각 공정이 진행되는 식각 챔버 내부의 부산물을 제거하기 위한 식각 챔버의 세정 방법에 있어서,In the cleaning method of the etching chamber for removing by-products in the etching chamber in which the etching process is performed,

상기 식각 챔버의 내부를 30∼60mTorr로 유지하고, 150∼300W의 RF 파워(power)와 100G의 자기장을 사용하며, 챔버 벽의 온도는 50∼70℃로 유지한 상태에서 50∼150sccm의 NF₃와 10∼50sccm의 O₂를 포함하는 세정 가스를 식각 챔버의 내부에 공급하여 챔버 내부의 부산물을 제거하는 세정 단계; 및The inside of the etching chamber is maintained at 30 to 60 mTorr, using an RF power of 150 to 300 W and a magnetic field of 100 G. The temperature of the chamber wall is maintained at 50 to 70 ° C., NF ₃ of 50 to 150 sccm. And a cleaning step of supplying a cleaning gas including ₁₀ to 50 sccm of O ₂ to the inside of the etching chamber to remove by-products inside the chamber; And

상기 식각 챔버의 내부를 100∼250mTorr로 유지한 상태에서 나머지 조건들을 세정 단계와 동일하게 유지하면서 실시하는 워밍업 단계;A warm-up step of maintaining the inside of the etching chamber at 100 to 250 mTorr while maintaining the same conditions as the cleaning step;

를 포함한다.It includes.

본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 세정 단계와 워밍업 단계 사이의 압력 제어를 용이하게 함과 동시에 과도한 RF 파워로 인한 손상을 방지하기 위한 안정화 단계를 더욱 구비하며, 이 경우, 상기 안정화 단계는 30∼100초 동안 실시하는 것이 바람직하다.According to a preferred embodiment of the present invention, at the same time to facilitate the pressure control between the cleaning step and the warm-up step, further comprising a stabilization step to prevent damage due to excessive RF power, in this case, the stabilization step is 30 ~ It is preferable to carry out for 100 seconds.

그리고, 상기 세정 단계 및 워밍업 단계를 진행할 때, 반도체 기판이 안착되는 제2 전극의 온도를 40∼60℃로 유지하며, 상기 제2 전극과 반도체 기판 사이의 HE 냉각 압력을 6∼10mTorr로 유지한다. 또한, 상기한 세정 단계를 150∼300초 동안 실시한다.When the cleaning step and the warm-up step are performed, the temperature of the second electrode on which the semiconductor substrate is seated is maintained at 40 to 60 ° C., and the HE cooling pressure between the second electrode and the semiconductor substrate is maintained at 6 to 10 mTorr. . In addition, the above washing step is carried out for 150 to 300 seconds.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

플라즈마 식각을 진행하는 식각장치는 반도체 기판을 처리하기 위한 공정 지역을 한정하는 식각 챔버를 구비한다. 상기 챔버는 금속, 세라믹, 유리, 폴리머 및 복합 재료를 포함하는 다양한 재료중 하나로부터 제조된 측벽 및 바닥벽을 가진다. 여기에서, 상기 식각 챔버는 평평하거나, 직사각형, 아치형, 원뿔형, 돔형 등의 천정을 구비한다.An etching apparatus for performing plasma etching includes an etching chamber that defines a process area for processing a semiconductor substrate. The chamber has side walls and bottom walls made from one of a variety of materials including metals, ceramics, glass, polymers and composite materials. Here, the etching chamber has a flat, rectangular, arched, conical, domed, or the like ceiling.

공정 가스는 가스 흐름 제어 시스템 및 공정 가스 공급기를 포함하는 가스 분배 시스템을 통해 챔버 내로 도입된다. 상기 가스 분배 시스템은 반도체 기판 주위에 배치된 가스 배출구를 구비하거나, 챔버의 천정에 탑재되며 내부에 배출구를 갖는 샤워 헤드를 구비할 수 있다.Process gas is introduced into the chamber through a gas distribution system comprising a gas flow control system and a process gas supply. The gas distribution system may have a gas outlet disposed around the semiconductor substrate, or may be provided with a shower head mounted on the ceiling of the chamber and having an outlet therein.

그리고, 전자기장을 챔버의 공정 지역 내의 가스로 커플링하는 플라즈마 발생기를 사용하여, 챔버내로 도입된 공정 가스로부터 플라즈마가 발생된다. 선택적으로, 공정 가스는 원거리의 챔버 내에서 에너자이징되거나 활성화될 수 있고, 이 에너자이징되거나 활성화된 공정 가스는 원거리의 챔버로부터 챔버 내로 도입될 수 있다. 적당한 플라즈마 발생기는, 공정 챔버의 중심을 통해 연장하는 종방향 수직축과 일치하고 기판의 평면에 수직인 중심축에 원형의 대칭성인 하나 이상의 인덕터 코일로 이루어진 인덕터 안테나를 구비한다.Then, plasma is generated from the process gas introduced into the chamber, using a plasma generator that couples the electromagnetic field to the gas in the process area of the chamber. Optionally, the process gas can be energized or activated in a remote chamber, and the energized or activated process gas can be introduced into the chamber from the remote chamber. Suitable plasma generators have an inductor antenna consisting of one or more inductor coils that are circularly symmetrical to a central axis perpendicular to the longitudinal vertical axis extending through the center of the process chamber and perpendicular to the plane of the substrate.

또한, 플라즈마 지역 내에 형성된 플라즈마는 자기적으로 강화된 반응기를 사용하여 강화할 수 있으며, 이 반응기 내에서 플라즈마 지역 내에서 자기장을 인가하여 플라즈마의 밀도 및 균일성을 증가시키도록 영구자석 또는 전자기 코일 등의 자기장 발생기를 사용한다. 챔버 내의 자기장은 플라즈마 내에 형성되는 이온의 밀도를 증가시키기에 충분히 강해야 하고, 씨모스(CMOS) 게이트 등의 구조물들에 차아지업 손상(charge-up damage)을 감소시키기에 충분히 균일하여야 한다.In addition, the plasma formed in the plasma region may be intensified by using a magnetically enhanced reactor, such as a permanent magnet or an electromagnetic coil to increase the density and uniformity of the plasma by applying a magnetic field in the plasma region. Use a magnetic field generator. The magnetic field in the chamber must be strong enough to increase the density of ions formed in the plasma and uniform enough to reduce charge-up damage to structures such as CMOS gates.

인덕터 안테나에 더하여, 식각 챔버 내의 플라즈마 이온을 가속시키거나 에너자이징하기 위해 하나 이상의 공정 전극을 사용할 수 있다. 이 공정 전극은 챔버의 천정 또는 측벽 등의 식각 챔버의 벽을 형성하는 제1 전극을 포함한다. 제1 전극은 반도체 기판 아래의 제2 전극과 용량적으로 커플링한다. 예컨대, 상기 제2 전극은 정전기 척으로 이루어질 수 있다. 전극 전원은 상기 제1 및 제2 전극을 서로 다른 전위에 유지시키는 RF 전위를 공급한다. In addition to the inductor antenna, one or more process electrodes may be used to accelerate or energize plasma ions in the etching chamber. This process electrode includes a first electrode forming a wall of an etching chamber, such as a ceiling or sidewall of the chamber. The first electrode is capacitively coupled with the second electrode under the semiconductor substrate. For example, the second electrode may be formed of an electrostatic chuck. An electrode power source supplies an RF potential that holds the first and second electrodes at different potentials.

상기한 구성의 식각장치를 사용하여 식각 공정을 진행하는 경우, 위에서 언급한 바와 같이 챔버 내부의 구성 요소, 예컨대 챔버의 측벽 및 바닥벽 등에는 식각 공정시 발생된 부산물이 증착된다.When the etching process is performed using the etching apparatus of the above configuration, by-products generated during the etching process are deposited on the components inside the chamber, for example, sidewalls and bottom walls of the chamber, as described above.

상기한 부산물을 제거하기 위해, 본 발명은 세정 가스를 공급하여 세정 공정을 진행하는 식각 챔버의 세정 방법을 제공한다.In order to remove the by-products, the present invention provides a cleaning method of an etching chamber in which a cleaning gas is supplied to a cleaning process.

본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 본 발명의 세정 방법은 크게 2단계로 이루어진다. 첫 번째 단계는 세정 단계이며, 두 번째 단계는 세정 후 공정 조건을 잡기 위한 워밍업 단계이다. 그리고, 상기 세정 단계와 워밍업 단계 사이에 안정화 단계를 더욱 구비할 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the cleaning method of the present invention is largely composed of two steps. The first step is the cleaning step and the second step is the warming up step to set the process conditions after cleaning. In addition, a stabilization step may be further provided between the cleaning step and the warm-up step.

우선, 첫 번째 단계에 대해 설명하면, 챔버 내부의 부산물을 제거하기 위한 세정 가스로 50∼150sccm의 NF₃와 10∼50sccm의 O₂를 사용한다.First, the first step will be described, using 50 to 150 sccm of NF ₃ and 10 to 50 sccm of O ₂ as a cleaning gas to remove the by-products in the chamber.

그리고, 세정 작업시 식각 챔버의 내부는 30∼60mTorr로 유지하고, 150∼300W의 RF 파워(power)를 사용하며, 또한 100G의 자기장을 이용한다. 이때, 챔버 벽의 온도는 50∼70℃로 유지하고, 제2 전극의 온도는 40∼60℃로 유지하며, 제2 전극과 웨이퍼 사이의 HE 냉각 압력은 6∼10mTorr를 유지하는 것이 바람직하다.During the cleaning operation, the inside of the etching chamber is maintained at 30 to 60 mTorr, uses 150 to 300 W of RF power, and uses a 100 G magnetic field. At this time, it is preferable that the temperature of the chamber wall is maintained at 50 to 70 ° C., the temperature of the second electrode is maintained at 40 to 60 ° C., and the HE cooling pressure between the second electrode and the wafer is maintained at 6 to 10 mTorr.

또한, 상기한 첫 번째 단계는 대략 150∼300초 정도 진행한다.In addition, the first step described above is approximately 150 to 300 seconds.

상기한 공정 조건을 이용하여 세정 작업을 실시한 후에는 워밍업 단계를 진행하는데, 상기 워밍업 단계는 식각 챔버의 내부 압력을 100∼250mTorr로 유지하는 것을 제외하고는 세정 단계와 동일한 공정 조건을 이용한다.After the cleaning operation is performed using the above process conditions, the warm-up step is performed. The warm-up step uses the same process conditions as the cleaning step except that the internal pressure of the etching chamber is maintained at 100 to 250 mTorr.

그리고, 세정 후 워밍업 단계로 진행하기 전, 양 단계 사이의 압력 제어를 용이하게 함과 동시에 과도한 RF 파워로 인한 손상을 방지하기 위하여 대략 30∼100초 정도의 안정화 단계를 더욱 구비할 수 있다.Further, before proceeding to the warm-up step after washing, a stabilization step of about 30 to 100 seconds may be further provided to facilitate pressure control between the two steps and to prevent damage due to excessive RF power.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명하였지만 본 발명은 상기한 실시예로 제한되지 않으며, 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. In addition, it is natural that it belongs to the scope of the present invention.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 실시예에 따른 식각 챔버의 세정 방법에 의하면, 식각 공정을 진행하는 동안 또는 식각 공정 후 챔버 내부를 단시간내에 효과적으로 세정할 수 있는 효과가 있다.According to the cleaning method of the etching chamber according to the embodiment of the present invention as described above, there is an effect that can effectively clean the inside of the chamber during the etching process or after the etching process in a short time.

Claims

In the cleaning method of the etching chamber for removing by-products in the etching chamber in which the etching process is performed,

The inside of the etching chamber is maintained at 30 to 60 mTorr, using an RF power of 150 to 300 W and a magnetic field of 100 G. The temperature of the chamber wall is maintained at 50 to 70 ° C., NF ₃ of 50 to 150 sccm. And a cleaning step of supplying a cleaning gas including ₁₀ to 50 sccm of O ₂ to the inside of the etching chamber to remove by-products inside the chamber; And

A warm-up step of maintaining the inside of the etching chamber at 100 to 250 mTorr while maintaining the same conditions as the cleaning step;

Cleaning method of the etching chamber comprising a.

The method of claim 1,

A method of cleaning an etch chamber, further comprising a stabilization step to facilitate pressure control between the cleaning step and the warm-up step, while at the same time preventing damage due to excessive RF power.

The method of claim 2,

The stabilizing step is a cleaning method of the etching chamber, characterized in that carried out for 30 to 100 seconds.

The method according to any one of claims 1 to 3,

When the cleaning step and the warm-up step are performed, the cleaning method of the etching chamber, characterized in that to maintain the temperature of the second electrode on which the semiconductor substrate is seated at 40 ~ 60 ℃.

The method of claim 4, wherein

When the cleaning step and the warm-up step are performed, the HE cooling pressure between the second electrode and the semiconductor substrate placed on the second electrode is maintained at 6-10 mTorr.

The method of claim 5,

The cleaning method of the etching chamber, characterized in that for performing the cleaning step for 150 to 300 seconds.