KR100610316B1

KR100610316B1 - Indium gas supply device for semiconductor wafer ion implantation device

Info

Publication number: KR100610316B1
Application number: KR1020040114245A
Authority: KR
Inventors: 김민주
Original assignee: 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date: 2004-12-28
Filing date: 2004-12-28
Publication date: 2006-08-09
Anticipated expiration: 2024-12-28
Also published as: KR20060075455A

Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼 이온 주입 장치용 인듐 가스 공급 장치에 관한 것으로서, 내부에 고체상의 인듐을 저장하기 위한 챔버를 갖는 가스 보틀; 상기 가스 보틀의 외주부에 방사상으로 다수개가 설치되는 히터를 포함하는 것을 특징으로 하는 인듐 가스 공급 장치를 제공한다.The present invention relates to an indium gas supply device for a semiconductor wafer ion implantation device, comprising: a gas bottle having a chamber for storing solid indium therein; It provides an indium gas supply device comprising a heater that is provided with a plurality of radially on the outer peripheral portion of the gas bottle.

본 발명에 의하면, 가스 보틀 내부의 온도 분포를 균일하게 유지할 수 있을 뿐만 아니라 보다 정밀한 제어가 가능해지므로 온도 안정화에 소요되는 시간을 절감할 수 있어 생산성을 향상시킬 수 있게 된다.According to the present invention, not only can the temperature distribution inside the gas bottle be uniformly maintained, but also more precise control is possible, thereby reducing the time required for temperature stabilization and improving productivity.

웨이퍼, 이온 주입, 인듐, 히터.Wafer, ion implantation, indium, heater.

Description

Indium gas supplier for semiconductor wafer ion implantation device {Indium gas supplier for the ion implanting apparatus for the semi-conductor wafer}

도 1은 종래의 반도체 웨이퍼 이온 주입 장치용 인듐 가스 공급 장치를 개략적으로 도시한 측면도이다.1 is a side view schematically showing a conventional indium gas supply apparatus for a semiconductor wafer ion implantation apparatus.

도 2는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 이온 주입 장치용 인듐 가스 공급 장치의 일 실시예를 도시한 도 1 상당도이다.FIG. 2 is a view corresponding to FIG. 1 showing an embodiment of an indium gas supply device for a semiconductor wafer ion implantation device according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 이온 주입 장치용 인듐 가스 공급 장치의 다른 실시예를 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing another embodiment of an indium gas supply device for a semiconductor wafer ion implantation device according to the present invention.

도 4는 도 3에 도시된 실시예에서 히터만을 분리하여 도시한 사시도이다.4 is a perspective view illustrating only a heater separated from the embodiment shown in FIG.

도 5는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 이온 주입 장치용 인듐 가스 공급 장치의 또 다른 실시예를 도시한 도 4 상당도이다.FIG. 5 is a view corresponding to FIG. 4, showing still another embodiment of an indium gas supply device for a semiconductor wafer ion implantation device according to the present invention. FIG.

<도면 중 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>

100 : 가스 보틀,100: gas bottle,

104 : 스탠드,104: stand,

106 : 배출관,106: discharge pipe,

110 : 히팅 램프,110: heating lamp,

112 : 필라멘트,112: filament,

210 : 제1 보호재,210: first protective material,

212 : 제2 보호재,212 second protective material,

214 : 코일.214: coil.

본 발명은 반도체 웨이퍼 이온 주입 장치용 인듐 가스 공급 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 제조 공정 중 웨이퍼의 표면에 불순물 이온을 주입하는 장치에 사용되는 인듐 가스를 생성하고 공급하기 위한 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an indium gas supply apparatus for a semiconductor wafer ion implantation apparatus, and more particularly, to an apparatus for generating and supplying indium gas used in an apparatus for implanting impurity ions into the surface of a wafer during a semiconductor manufacturing process. .

일반적으로, 반도체 소자를 제조하기 위한 공정 중 이온주입공정은 순수 실리콘(Si) 웨이퍼에 붕소(B), 알루미늄(Al), 인듐(In)과 같은 p형 불순물과 안티몬(Sb), 인(P), 비소(As)와 같은 n형 불순물 등을 플라즈마 이온빔 상태로 만든 후, 반도체 결정 속에 침투시켜 필요한 전도형 및 비저항의 소자를 얻는 공정으로 웨이퍼에 주입되는 불순물의 농도를 용이하게 조절할 수 있다는 점에서 많이 이용되고 있다.In general, the ion implantation process for manufacturing a semiconductor device is a p-type impurities such as boron (B), aluminum (Al), indium (In), antimony (Sb), phosphorus (P) on a pure silicon (Si) wafer N-type impurities such as arsenic (As) and the like can be made into a plasma ion beam, and then penetrated into a semiconductor crystal to obtain a device of required conductivity and resistivity. It is used a lot in.

이러한 이온 주입 공정에 사용되는 이온 주입 장치는 반도체 웨이퍼에 활성 영역을 형성하거나 특정 부위의 전기 전도도를 높이는 등의 목적으로 웨이퍼 외부에서 이온화된 입자를 강제로 가속하여 웨이퍼의 불순물을 삽입시키는 장치를 말한다. 이러한 이온 주입 장치는 크게 나누어서 사용하는 빔 전류의 크기에 따라 고전 류 이온 주입 장치와 중전류 이온주입 장치로 구분된다.The ion implantation apparatus used in the ion implantation process refers to a device for forcibly accelerating ionized particles from outside the wafer to insert impurities in the wafer for the purpose of forming an active region on a semiconductor wafer or increasing electrical conductivity of a specific region. . These ion implantation apparatuses are classified into high current ion implantation apparatuses and medium current ion implantation apparatuses according to the size of the beam current to be divided largely.

도 1은 이러한 종래의 이온 주입 장치에 사용되는 인듐 가스 공급 장치의 일예를 도시한 것이다. 상기 장치는 공정 가스(Process gas)로 사용되는 인듐(Indium)을 이온 주입 장치로 공급하기 위한 것으로서, 공정 가스로 사용되는 인듐은 그 특성상 솔리드 가스(Solid gas)이므로 340 ~ 370℃ 이상으로 가열이 되어야만 기체(vapor) 형태로 변화되어 공정 가스의 역할을 할 수 있게 된다.1 shows an example of an indium gas supply device used in such a conventional ion implantation device. The apparatus is for supplying indium used as a process gas to an ion implantation apparatus. Since indium used as a process gas is a solid gas in nature, it is heated to more than 340 to 370 ° C. It can only be changed to vapor form to act as a process gas.

이때, 가열되어 발생되는 가스의 양은 가열 온도에 따라 달라지므로, 온도의 제어를 통해 가스의 양을 조절하게 되며, 통상적으로는 358 ~ 364℃ 정도로 제어하게 된다. 만일, 가열 온도의 편차가 발생되면 가스의 양이 변하게 되고, 이로 인해 생성되는 빔의 양도 변하게 되므로 수율에 영향을 미치게 된다.At this time, since the amount of gas generated by heating is changed depending on the heating temperature, the amount of gas is controlled by controlling the temperature, and is usually controlled at about 358 to 364 ° C. If a variation in the heating temperature occurs, the amount of gas is changed, and thus the amount of generated beam is also changed, thus affecting the yield.

따라서, 상기 도 1에 도시된 인듐 가스 공급 장치는 내부에 고체상의 인듐을 저장하기 위한 공간(102)을 갖는 가스 보틀(bottle, 100)을 포함하며, 상기 가스 보틀(100)의 저면에는 가스 보틀(100)을 지지하기 위한 스탠드(104)가 위치한다. 한편, 보틀(100)의 상부에는 가열로 인해 발생된 인듐 가스를 외부로 배출하기 위한 배출구(106)가 설치되어 있다.Therefore, the indium gas supply device shown in FIG. 1 includes a gas bottle 100 having a space 102 for storing solid indium therein, and at the bottom of the gas bottle 100, a gas bottle 100 is provided. There is a stand 104 for supporting the 100. On the other hand, the upper portion of the bottle 100 is provided with a discharge port 106 for discharging the indium gas generated by the heating to the outside.

한편, 상기 보틀(100)의 측면에는 보틀을 가열하기 위한 히팅 램프(heating lamp, 110)가 위치한다. 상기 히팅 램프(110)의 내부에는 필라멘트(Filament, 112)가 장착되어 있으며, 상기 필라멘트(112)는 외부 전원(114)과 연결되어 전원인가시에 열전자를 방출하여 가스 보틀(100)을 가열하게 되고, 이로 인해 인듐 가스가 생성되어 상기 배출구(106)를 통해 배출되게 된다. 이러한 과정에서, 상술한 온도 조 건을 달성하기 위해 가스 보틀(100)의 내부온도를 지속적으로 체크하여 기준온도를 초과하는 경우 필라멘트(112)로 인가되는 전류를 낮추고, 재차 가열하는 형태를 통해 온도가 기준 온도에 근접하도록 제어하게 된다.On the other hand, the heating lamp (heating lamp 110) for heating the bottle is located on the side of the bottle (100). The filament 112 is mounted inside the heating lamp 110, and the filament 112 is connected to an external power source 114 to emit hot electrons when the power is applied to heat the gas bottle 100. As a result, indium gas is generated and discharged through the outlet 106. In this process, the internal temperature of the gas bottle 100 is continuously checked to achieve the above-described temperature condition, and when the temperature exceeds the reference temperature, the current applied to the filament 112 is lowered and the temperature is again heated. Is controlled to approach the reference temperature.

그러나, 도시된 바와 같이 히팅 램프(110)가 가스 보틀(100)의 일측에만 위치하기 때문에 보틀 전체에 걸쳐서 균일한 온도를 유지하는 것이 매우 어렵다. 상기 가스 보틀(100)에 있어서, 히팅 램프(110)와 근접하게 위치하는 부분은 상대적으로 그렇지 않은 부분에 비해 보다 많은 열량을 전달받으므로 가스 보틀(100) 전체에 걸쳐서 균일한 온도를 유지하는 것이 매우 어려워지는 것이다.However, as shown, since the heating lamp 110 is located only on one side of the gas bottle 100, it is very difficult to maintain a uniform temperature throughout the bottle. In the gas bottle 100, a portion positioned close to the heating lamp 110 receives more heat than a portion that is not relatively relatively, and thus maintaining a uniform temperature throughout the gas bottle 100. It becomes very difficult.

또한, 히팅 램프(110)가 가스 보틀(100)의 외벽과 분리되어 위치하므로 열전달율이 낮아 효율이 저하될 뿐만 아니라 정확한 온도 제어도 어려운 단점이 있다.In addition, since the heating lamp 110 is located separately from the outer wall of the gas bottle 100, the heat transfer rate is low, so that not only the efficiency is lowered but also accurate temperature control is difficult.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 단점을 극복하기 위해 안출된 것으로서, 가스 보틀 전체에 걸쳐서 균일하게 가열하여 내부 온도 분포를 균일하게 유지할 수 있는 반도체 웨이퍼 이온 주입 장치용 인듐 가스 생성 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 삼고 있다.The present invention has been made to overcome the disadvantages of the prior art as described above, to provide an indium gas generating device for a semiconductor wafer ion implantation device that can be uniformly heated throughout the gas bottle to maintain a uniform internal temperature distribution It's a technical challenge.

또한, 본 발명은 히터가 가스 보틀의 외벽을 직접 가열하여 열전달율을 개선하고 정밀한 온도 제어가 가능한 반도체 웨이퍼 이온 주입 장치용 인듐 가스 생성 장치를 제공하는 것을 또 다른 기술적 과제로 삼고 있다.In addition, another object of the present invention is to provide an indium gas generator for a semiconductor wafer ion implantation apparatus in which a heater directly heats an outer wall of a gas bottle to improve heat transfer rate and precise temperature control.

상기와 같은 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, 내부에 고체상의 인듐을 저장하기 위한 챔버를 갖는 가스 보틀; 상기 가스 보틀의 외주부에 가스 보틀을 둘러싸도록 방사상으로 다수개가 설치되는 히터를 포함하는 것을 특징으로 하는 인듐 가스 공급 장치를 제공한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention provides a gas bottle having a chamber for storing solid indium therein; It provides an indium gas supply device comprising a plurality of heaters radially installed so as to surround the gas bottle in the outer peripheral portion of the gas bottle.

즉, 본 발명에서는 가스 보틀의 일측만이 아닌 가스 보틀의 외주부에 방사상으로 다수개의 히터를 설치함으로써 가스 보틀 전체에 걸쳐서 균일한 가열이 이루어지도록 한 것이다. 여기서, 상기 히터는 내부에 필라멘트가 설치되는 히팅 램프일 수 있다.That is, in the present invention, a plurality of heaters are provided radially on the outer circumference of the gas bottle, not just one side of the gas bottle, so that uniform heating is performed over the entire gas bottle. Here, the heater may be a heating lamp in which the filament is installed.

또한, 본 발명은 내부에 웨이퍼를 수납하기 위한 챔버를 갖는 가스 보틀; 상기 가스 보틀의 외주면을 따라 가스 보틀을 둘러싸는 원통형 형상으로 설치되는 히터를 포함하고, 상기 히터는 상기 가스 보틀의 외주면에 길이방향으로 연장되도록 배치되는 코일을 포함하는 것을 특징으로 하는 인듐 가스 공급 장치를 제공한다.In addition, the present invention is a gas bottle having a chamber for receiving a wafer therein; And a heater installed in a cylindrical shape surrounding the gas bottle along the outer circumferential surface of the gas bottle, wherein the heater includes a coil disposed to extend in the longitudinal direction on the outer circumferential surface of the gas bottle. To provide.

즉, 히터를 가스 보틀의 외주면에 직접 설치함으로써 열손실을 막고, 온도 제어를 보다 용이하게 할 수 있다.That is, by directly installing the heater on the outer circumferential surface of the gas bottle, it is possible to prevent heat loss and to facilitate temperature control.

여기서, 상기 히터는 상기 가스 보틀의 외주부에 나선형으로 감긴 코일을 포함할 수 있다. 또한, 상기 코일은 텅스텐 재질로 이루어지는 것이 좋다.Here, the heater may include a coil wound spirally on the outer peripheral portion of the gas bottle. In addition, the coil is preferably made of a tungsten material.

한편, 상기 코일의 보호를 위해서 보호재를 상기 코일과 가스 보틀의 외주면 사이 및 상기 코일의 외주면에 설치할 수 있다. 상기 보호재는 임의의 형태일 수 있으며, 일예로 상기 보호재는 원통형일 수 있다. 바람직하게는, 상기 보호재는 흑연(Graphite)으로 이루어질 수 있다.Meanwhile, a protective material may be provided between the coil and the outer circumferential surface of the gas bottle and on the outer circumferential surface of the coil to protect the coil. The protective material may be in any form, for example the protective material may be cylindrical. Preferably, the protective material may be made of graphite.

이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 이온 주 입 장치용 인듐 가스 공급 장치의 실시예에 대해서 상세하게 설명하도록 한다. 또한, 이하의 설명에서는 중복되는 구성요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 부여하며 중복되는 설명은 생략하도록 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail an embodiment of the indium gas supply device for a semiconductor wafer ion implantation apparatus according to the present invention. In addition, in the following description, the same reference numerals are given to overlapping components, and the overlapping description will be omitted.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 인듐 가스 공급 장치의 제1 실시예에서 가스 보틀(100)의 외주면에는 두 개의 히팅 램프(110, 110')가 설치되어 있다. 상기 각각의 히팅 램프는 서로 동일한 것으로서 상기 가스 보틀(100)을 중심으로 하여 대칭으로 설치되어 있다. 이로 인해, 상기 가스 보틀(100)의 양쪽에서 가열이 이루어지게 되므로 전체에 걸쳐서 균일한 온도를 갖도록 할 수 있다. 즉, 종래에는 온도 센서에 의해 측정된 온도가 기준 온도가 되도록 가열하는 경우, 히팅 램프와 인접한 지점은 기준 온도를 초과하게 되나, 상기 실시예에서는 양쪽에서 가열이 이루어지기 때문에 이러한 문제를 해결할 수 있다.2, in the first embodiment of the indium gas supply apparatus according to the present invention, two heating lamps 110 and 110 ′ are installed on the outer circumferential surface of the gas bottle 100. The heating lamps are the same as each other and are symmetrically installed around the gas bottle 100. For this reason, since the heating is made at both sides of the gas bottle 100, it is possible to have a uniform temperature throughout. That is, in the related art, when the temperature measured by the temperature sensor is heated to become the reference temperature, the point adjacent to the heating lamp exceeds the reference temperature, but in this embodiment, since the heating is performed at both sides, this problem can be solved. .

또한, 다수의 히팅 램프를 통해 가열이 이루어지므로 단위 시간당 열전달률이 증가되므로 보다 정밀한 온도 제어가 가능해진다. 한편, 도시된 바와 같이, 각각의 히팅 램프(110, 110')들은 분리된 개별 전원 공급 수단(114, 114')을 가지고 있으므로 상호 독립적으로 작동할 수 있다. 따라서, 상기 가스 보틀의 내부에 다수의 온도 센서를 설치한 후, 측정 지점에 따라 온도가 다른 경우에 각각의 히팅 램프를 개별적으로 동작시켜 전체에 걸쳐서 균일한 온도가 되도록 할 수 있는 것이다.In addition, since the heating is performed through a plurality of heating lamps, the heat transfer rate per unit time is increased, thereby enabling more precise temperature control. On the other hand, as shown, each of the heating lamp (110, 110 ') has a separate power supply means (114, 114') can operate independently of each other. Therefore, after installing a plurality of temperature sensors in the gas bottle, it is possible to operate the respective heating lamps individually when the temperature is different depending on the measuring point to be a uniform temperature throughout.

도 2에서는 두 개의 히팅 램프가 설치되어 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 보다 많은 수의 히팅 램프를 설치하는 실시예도 고려해 볼 수 있다. 이 경우, 각각의 히팅 램프들은 상기 가스 보틀을 중심으로 하여 동일 간격을 두고 방사상으로 배치되는 것이 좋다. 또한, 각각의 히팅 램프들은 독립적으로 전원을 인가받을 수 있도록 설치되는 것이 좋다.Although two heating lamps are installed in FIG. 2, an embodiment in which a larger number of heating lamps are installed is not necessarily limited thereto. In this case, the respective heating lamps are preferably arranged radially at equal intervals around the gas bottle. In addition, each heating lamp is preferably installed so that it can be powered independently.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 인듐 가스 공급 장치의 제2 실시예가 도시되어 있다. 여기서, 가스 보틀(200)의 외형은 도 2에 도시된 가스 보틀과 동일한 것을 채용할 수 있으므로 외형에 대한 도시는 생략하도록 한다. 상기 가스 보틀(200)의 내부 공간(202)에 채워지는 인듐 가스는 배출구(206)를 통해서 외부로 배출되며, 가스 보틀(200)의 밑면에는 스탠드(204)가 장착되어 있다.3, a second embodiment of an indium gas supply device according to the present invention is shown. Here, since the outer shape of the gas bottle 200 may employ the same as the gas bottle shown in FIG. 2, illustration of the outer shape is omitted. The indium gas filled in the inner space 202 of the gas bottle 200 is discharged to the outside through the outlet 206, and a stand 204 is mounted on the bottom of the gas bottle 200.

한편, 상기 가스 보틀(200)의 외주면에는 흑연 재질로 이루어지는 제1 보호재(210)가 외주면에 밀착된 상태로 설치되며, 상기 제1 보호재(210)의 외주면에는 텅스텐 재질의 코일(214)이 나선형으로 권취되어 있다. 상기 코일(214)은 도시되지 않은 전원 공급 장치와 연결되어 외부로부터의 전원 인가에 의해 열을 발생하게 된다. 상기 제1 보호재(210)는 고온의 텅스텐 코일(214)로 인해 석영 재질로 이루어지는 가스 보틀(200)의 표면이 손상되는 것을 방지하는 한편, 코일(214)에서 발생된 열을 가스 보틀(200) 외주면에 고르게 확산되도록 하는 역할을 하게 된다.On the other hand, the first protective material 210 made of graphite material is installed on the outer circumferential surface of the gas bottle 200 in close contact with the outer circumferential surface, and the tungsten coil 214 is spirally formed on the outer circumferential surface of the first protective material 210. It is wound up. The coil 214 is connected to a power supply (not shown) to generate heat by applying power from the outside. The first protective member 210 prevents the surface of the gas bottle 200 made of quartz from being damaged by the high temperature tungsten coil 214, and heats generated from the coil 214 to the gas bottle 200. It spreads out evenly on the outer circumference.

상기 제1 보호재(210)의 외부면에는 제2 보호재(212)가 위치한다. 상기 제2 보호재(212)는 상기 제1 보호재(210)와 동일한 흑연 재질로 이루어지며, 상기 코일(214)은 제1 보호재(210)와 제2 보호재(212)의 사이에 위치하게 되므로 외부의 충격으로부터 보호될 뿐만 아니라 산화되는 것도 방지된다.The second protective material 212 is located on the outer surface of the first protective material 210. The second protective material 212 is made of the same graphite material as the first protective material 210, the coil 214 is located between the first protective material 210 and the second protective material 212, so Not only are they protected from impact, they are also prevented from oxidizing.

따라서, 상기 제1 보호재(210) 및 제2 보호재(212)는 상기 가스 보틀의 외주 면 전체를 고르게 덮고, 상기 코일을 외부로 노출시키지 않도록 원통형의 형태를 갖는다. 즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제1 보호재(210)는 내경이 상기 가스 보틀(200)의 외경과 동일한 원통형의 재질을 가지며, 제2 보호재(212) 또한 내부에 상기 제1 보호재(210)가 삽입될 수 있도록 내부가 비어있는 원통형의 형태를 갖게 된다. 여기서, 상기 코일(214)이 상기 제1 보호재와 제2 보호재의 사이에 삽입될 수 있도록 상기 제1 보호재의 외주면과 상기 제2 보호재의 내주면 사이에는 상기 코일의 직경에 해당되는 만큼의 갭을 갖도록 하거나, 상기 코일이 삽입될 수 있는 나선형의 홈이 형성되는 것이 좋다.Accordingly, the first protective member 210 and the second protective member 212 evenly cover the entire outer circumferential surface of the gas bottle and have a cylindrical shape so as not to expose the coil to the outside. That is, as shown in FIG. 4, the first protective member 210 has a cylindrical material whose inner diameter is the same as the outer diameter of the gas bottle 200, and the second protective member 212 also has the first protective material ( 210 may have a hollow cylindrical shape to be inserted therein. Here, the coil 214 has a gap corresponding to the diameter of the coil between the outer peripheral surface of the first protective material and the inner peripheral surface of the second protective material so that the coil 214 can be inserted between the first protective material and the second protective material. Or, it is preferable that a spiral groove is formed in which the coil can be inserted.

한편, 도 4에 도시된 실시예의 경우 연속된 하나의 코일이 권취되어 있으나, 다수의 열선이 상기 가스 보틀의 길이 방향을 따라서 배치되도록 하는 실시예도 고려해 볼 수 있다. 즉, 도 5에 도시된 바와 같이 가스 보틀의 길이방향을 따라서 연장되는 다수의 코일(214')이 상기 제1 보호재(210)의 외주면에 방사상으로 배치되도록 할 수도 있다. 이 경우, 각각의 코일에 동일한 전류를 인가할 수도 있고, 각기 다른 양의 전류를 인가할 수도 있어 가스 보틀 내에서의 온도 분포를 보다 균일하게 유지할 수 있다.Meanwhile, in the case of the embodiment shown in FIG. 4, one continuous coil is wound, but an embodiment in which a plurality of hot wires are arranged along a length direction of the gas bottle may be considered. That is, as shown in FIG. 5, a plurality of coils 214 ′ extending along the longitudinal direction of the gas bottle may be radially disposed on an outer circumferential surface of the first protective member 210. In this case, the same current may be applied to each coil, or different amounts of current may be applied, thereby maintaining the temperature distribution in the gas bottle more uniformly.

상기와 같은 구성을 갖는 본 발명에 의하면, 가스 보틀 내부의 온도 분포를 균일하게 유지할 수 있을 뿐만 아니라 보다 정밀한 제어가 가능해지므로 온도 안정화에 소요되는 시간을 절감할 수 있어 생산성을 향상시킬 수 있게 된다.According to the present invention having the configuration as described above, not only can maintain the temperature distribution inside the gas bottle uniformly, but also more precise control is possible, thereby reducing the time required for temperature stabilization and improving productivity.

또한, 히터가 가스 보틀의 외주면과 직접 접촉하게 되므로, 가열에 소요되는 시간을 단축할 수 있고 열효율도 개선할 수 있다.In addition, since the heater is in direct contact with the outer circumferential surface of the gas bottle, the time required for heating can be shortened and thermal efficiency can be improved.

Claims

A gas bottle having a chamber for storing solid indium therein;

Indium gas supply apparatus comprising a plurality of heaters radially installed so as to surround the gas bottle in the outer peripheral portion of the gas bottle.

The method of claim 1,

The heater is an indium gas supply device, characterized in that the heating lamp is installed filament therein.

A gas bottle having a chamber therein to accommodate the wafer;

A heater is installed in a cylindrical shape surrounding the gas bottle along the outer circumferential surface of the gas bottle,

The heater is an indium gas supply device, characterized in that it comprises a coil disposed to extend in the longitudinal direction on the outer peripheral surface of the gas bottle.

The method of claim 3,

The heater is an indium gas supply device, characterized in that it comprises a coil wound spirally on the outer peripheral portion of the gas bottle.

delete

The method of claim 4, wherein

Indium gas supply apparatus, characterized in that the coil is made of a tungsten material.

The method of claim 4, wherein

A protective material is provided between the coil and the outer circumferential surface of the gas bottle and on the outer circumferential surface of the coil.

The method of claim 7, wherein

Indium gas supply device, characterized in that the protective material is cylindrical.

The method of claim 8,

Indium gas supply apparatus, characterized in that the protective material is made of graphite (Graphite).