KR100623271B1 - 갈륨망간나이트라이드 단결정 나노선의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 갈륨망간나이트라이드(GaMnN) 단결정 나노선의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판상에서 갈륨(Ga)금속과 망간(Mn)금속 등의 금속성분과, 질소(N₂) 기체, 염화수소(HCl) 기체 및 암모니아(NH₃) 기체 등의 기체 성분이 반응하는 할라이드 기상증착법(HVPE)을 수행하되, 상기 기체 성분의 사용량을 특정의 비로 조절하여 망간(Mn)금속의 도핑량을 제어함으로써, 내부결합이 없는 완벽한 단결정의 1차원 구조이고, 케리어인 홀농도와 자화값이 상기 도핑농도 제어에 의해 결정되고, 상온 강자성을 나타내어 특히, 스핀 전달체(Spin transport)로 스핀분극 레이저 발광 다이오드(Spin-Polarized LED), 스핀분극 전계 방출형 트랜지스터 (Spin-Polarized FET) 등과 같은 차세대 스핀트로닉스 분야에 유용하게 사용되는 갈륨망간나이트라이드(GaMnN) 단결정 나노선의 제조방법에 관한 것이다.

갈륨금속, 망간금속, 질소 기체, 염화수소 기체, 암모니아 기체, 갈륨망간나이트라이드 단결정 나노선

Description

갈륨망간나이트라이드 단결정 나노선의 제조방법{Fabrication of controlling Mn doping concentration in GaN single crystal nanowire}

도 l은 본 발명에 따른 Mn 원소가 도핑된 GaMnN 나노선의 성장 개략도를 나타낸 것이다.

도 2는 본 발명의 개량된 할라이드 기상증착법(HVPE)을 나타낸 것으로, (A), (B) 및 (C)는 정면도이고, (A1)과 (C1)은 평면도이다.

[도 1 및 도 2의 주요 부분에 대한 부호의 설명]

10 : 기판 20 : GaMnN 나노선

30 : Ga금속 40 : Mn금속 50 : Ni 촉매층

60 : HCl+N₂ 가스 70 : NH₃+N₂ 가스

도 3은 본 발명에 따른 나노선의 주사전자현미경 사진을 나타낸 것이다((A)는 × 4.5k 배율이고, (B)는 × 20k 배율).

도 4는 본 발명에 따라 Mn원소 도핑농도를 조절한 에너지 분산형 X-선 분광기(EDX) 및 사용된 HCl 기체량에 따른 망간(Mn) 도핑량 변화를 나타낸 그래프이다.

도 5는 본 발명에 따른 GaMnN 단결정 나노선 및 GaN 나노선의 상온 편광(PL) 스펙트럼을 나타낸 것이다.

도 6은 본 발명에 따라 제조된 GaMnN 단결정 나노선의 자화력 측정하여 초전도 양자 간섭소자(SQUID)을 나타낸 것으로, (A)는 8 원자%가 도핑된 GaMnN 나노선의 M-H _^* 곡선이고, (B)는 도핑농도에 따른 M-T^**곡선이며, M-H^* ; 자화-자계 관계 곡선과, M-T^** ; 자화-온도 관계곡선을 나타낸다.

본 발명은 갈륨망간나이트라이드(GaMnN) 단결정 나노선의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판상에서 갈륨(Ga)금속과 망간(Mn)금속 등의 금속성분과, 질소(N₂) 기체, 염화수소(HCl) 기체 및 암모니아(NH₃) 기체 등의 기체 성분이 반응하는 할라이드 기상증착법(HVPE)을 수행하되, 상기 기체 성분의 사용량을 특정의 비로 조절하여 망간(Mn)금속의 도핑량을 제어함으로써, 내부결합이 없는 완벽한 단결정의 1차원 구조이고, 케리어인 홀농도와 자화값이 상기 도핑농도 제어에 의해 결정되고, 상온 강자성을 나타내어 특히, 스핀 전달체(Spin transport)로 스핀분극 레이저 발광 다이오드(Spin-Polarized LED), 스핀분극 전계 방출형 트랜지스터 (Spin-Polarized FET)등과 같은 차세대 스핀트로닉스 분야에 유용하게 사용되는 갈륨망간나이트라이드(GaMnN) 단결정 나노선의 제조방법에 관한 것이다.

오늘날, 눈부신 정보통신 문명의 발전은 실리콘 반도체를 그 저변으로 하고 있다. 그 만큼 반도체는 과학 기술적 측면 뿐만 아니라, 전세계적으로 커다란 시장이 형성되어 있어 산업 경제적으로도 매우 중요한 분야이다. 그러나, 실리콘 반도체의 개발에 있어 원리적 한계에 다다름에 따라 세계는 실리콘 반도체로부터의 종속성에서 벗어나 기술의 다각화를 꾀하면서 차세대 반도체에 관심을 돌리고 있으며, 이러한 상황에서 파생된 주 관심 대상이 바로 빛과 전자를 동시에 제어할 수 있는 화합물 반도체이다.

이러한 화합물 반도체로 대표적으로 갈륨나이트라이드(GaN)는 디렉트(direct band structure)이며, 넓은 띠간격(wide band gap) 에너지(3.45 eV)를 가지고, 광스펙트럼의 청색과 자외선 영역에서 작동할 수 있기 때문에 그 융용성이 뛰어나다. 그러나, 종래의 갈륨나이트라이드 반도체 장치는 직경이 마이크로 미터 이상이며 2차원 구조이기 때문에 점점 미세화되어 가는 전기, 전자 나노소자에 적용하는데 그 한계가 있다. 특히, 청색레이저를 DVD에 사용할 수 있다면 기존의 적색레이저보다 훨씬 고집적으로 정보를 입력할 수 있지만 이를 위해서 나노크기(10억분의 1)의 반도체를 구현하는 것이 필수적이다. 따라서, 갈륨나이트라이드를 나노튜브 또는 와이어로 제조할 필요성이 생겨났으며, 그 이외에도 나노미터 범위의 반도체는 벌크인 경우와 비교할 때 그 물리적, 광학적 및 전자적 특성이 달라지는 것 때문에 나노/분자전자공학, 광학 및 탐침 주사 현미경에 이르기까지 다양한 분야에서의 응용성이 매우 높다.

나노와이어는 1차원적 개념으로서 직경이 나노미터 영역을 가지며 길이가 직 경에 비해 훨씬 큰 수백 나노미터, 마이크로미터 혹은 더 큰 밀리미터 단위를 갖는 선형이 재료이다. 나노와이어의 물성은 그들이 갖는 직경과 길이에 의존한다. 현재 나노 입자에 대한 제조방법과 물성에 대한 연구는 상당히 활성화 되어 있는 것에 비해, 나노와이어에 대한 보편적인 제조방법은 미비한 실정이다. 기존의 대표적인 방법의 예를 들면, 주형을 이용하는 방법, 화학증기증착법, 레이저 어블레이션법 등이 있다.

주형을 이용하는 방법은 수 나노미터에서 수백 나노미터 단위의 공극을 만들고 이 공극을 나노와이어의 틀로 이용하는 것이다. 예컨데, 알루미늄 전극을 산화시켜 표면을 알루미늄 산화물로 만들고, 이 산화물에 전기화학적 에칭으로 다공성 나노 공극들을 만든다. 이것을 금속이온이 들어 있는 용액에 담그고, 전기를 걸어주면 금속이온들이 공극으로 통해 알루미늄 전극위에 쌓이게 되고 결국 상기 공극들은 금속이온으로 채워진다. 그 후, 적당한 방법으로 상기 산화물을 제거시키면 금속 나노와이어만 남게된다. 그러나 이는 실험적이 방법으로서 공정이 너무 복잡하고 시간이 오래 걸리며, 생산된 나노와이어는 저온습식공정으로 인하여 저품질 다결정이라는 것과 대량 생산에 적합하지 않다는 문제점이 있다.

또한, 나노와이어의 직경과 길이가 공극의 크기 및 깊이에 의존하며, 현재의 기술로서는 수나노미터의 직경을 가지며 길이가 긴 나노와이어를 만드는 것은 매우 곤란하다는 단점이 있다.

따라서, 이를 극복하기 위한 방법으로서, 화학증기증착법 및 레이저 어블레이션이 보편적으로 사용되는데, 이러한 방법을 통해 GaN, GaAs, GaP, InAs, InP 등 이 반도체 물질의 나노전선의 합성이 가능해졌다.

화합증기증착법(CVD)은 원하는 물질을 포함하고 있는 기체 상태의 원료가스가 반응기 안으로 주입되면 열이나 플라즈마 등으로부터 에너지를 받게 되어 분해되는데, 이때 원하는 물질이 기판위에 도달하여 나노단위의 튜브 또는 와이어를 형성하게 하는 방법이다. 화학기상증착법은 반응실의 압력에 따라 저압화학기상증착(LPCVD), 상압화학기상증착(APCVD), 고압화학기상증착(HPCVD)으로 나뉘며, 플라즈마를 이용하여 비교적 저온에서도 나노튜브 등을 형성시킬 수 있도록 플라즈마가 유도된 화학기상증착(PECVD)등도 있다. 이를 개략적으로 설명하면 탄소나노튜브의 성장 이전에 전이 금속박막을 형성하는 공정이 따로 필요하며, 사용되는 전이금속은 두 가지 역할을 하는데, 원료 가스를 분해시키는 촉매역할과 나노튜브 또는 나노와이어의 생성 모핵으로서의 역할이다. 실제 나노물질합성에서는 웨이퍼 상에 나노물질이 합성되어 자라게 된다.

한편, 정보저장기술에 있어서 최근 금속계 기반으로 하는 거대자기저항(GMR)이나 투과자기저항(TMR)과 같은 스핀트로닉스 분야에서도 직접 천이형 광대역 III-V족 반도체 재료가 주목을 받고 있다. 이런 III-V족 반도체에는 망간(Mn)과 같은 전이금속을 도핑시키면, 스핀을 전달할 수 있을 뿐만 아니라 스핀을 통제할 수 있기 때문에 연산회로를 위한 반도체 구성이 가능하고 직접 천이형 재료를 사용하므로 P-N 재결합을 통한 발광다이오드(LED) 특성까지 기대할 수 있는 차세대 스핀트로닉스 재료로 주목받고 있다.

이전 연구에서는 3차원 박막 위주의 연구가 진행되었으나, 이러한 3차원 박 막은 저온 분자에픽탁시(MBE)법으로 성장시키기 때문에 도핑된 GaMnN 박막은 내부 결함과 2차 상형성으로 인하여 그 특성이 발현되기 어려웠다. 그러므로, 실질적인 특성을 구현시키기 위해서는 망간(Mn)이 도핑이 되더라도 내부결함이 없는 완벽한 단결정이 필요했으며, 양자효과를 구현할 수 있는 1차원 나노선의 발명이 요구되었다. 또한, 망간(Mn)이 도핑된 1차원 나노선을 성장시킨다 하더라도 전이금속인 망간(Mn)의 도핑 농도조절은 불가능하였다. 이러한, 망간(Mn) 도핑농도는 자화 값에 큰 영향을 미치고 또한 망간(Mn)이 2가 원소이기 때문에 케리어인 홀의 농도에도 큰 상관관계가 있으므로 중요한 인자이다.

이에, 본 발명자들은 상기와 같은 망간(Mn)이 도핑된 GaN 단결정 나노선에 있어서, 망간(Mn)의 도핑농도를 조절하기 위하여 연구 노력하였다. 그 결과, 기판상 및 질소(N₂) 기체하에서, 갈륨(Ga)금속과, 망간(Mn)금속을 염화수소(HCl) 기체와 특정의 온도범위에서 반응하여 갈륨염화물(GaCl_x) 기체와 망간염화물(MnCl_x) 기체를 형성하면서 동시에 상기 갈륨염화물(GaCl_x) 기체와 망간염화물(MnCl_x) 기체가 암모니아(NH₃) 기체와 반응하는 할라이드 기상 에픽탁시(HVPE) 과정의 수행 시, 상기 염화수소(HCl) 기체와 암모니아(NH₃) 기체를 특정의 범위로 조절하면, 도핑되는 망간(Mn) 금속의 농도가 조절된다는 것을 알게 되어 본 발명을 완성하게 되었 다.

따라서, 본 발명은 염화수소(HCl) 기체와 암모니아(NH₃) 기체가 특정범위로 한정된 할라이드 기상 에픽탁시(HVPE) 과정을 수행하여 망간(Mn) 금속의 도핑 농도 조절이 가능한 갈륨망간나이트라이드(GaMnN) 단결정 나노선을 제조하는 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.

본 발명은 질소(N₂) 기류하에서, 갈륨(Ga)금속과 망간(Mn)금속을 600 ∼ 700 ℃ 온도범위에서 염화수소(HCl) 기체와 암모니아(NH₃) 기체로 동시에 반응시키는 갈륨망간나이트라이드(GaMnN) 단결정 나노선의 제조방법에 그 특징이 있다.

이하, 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.

본 발명은 염화수소(HCl) 기체와 암모니아(NH₃) 기체를 특정의 비로 조절한 할라이드 기상 에픽탁시(HVPE) 과정을 수행하여 갈륨망간나이트라이드(GaMnN) 단결정 나노선을 제조하는 방법에 관한 것이다.

차세대 스핀트로닉스 재료로 주목받고 있는 갈륨망간나이트라이드(GaMnN) 단결정 나노선은 갈륨나이트라이드(GaN)에 상기 망간(Mn) 금속이 도핑되는 형태로 구현되며, 내부결합이 없는 완벽한 단결정의 1차원 나노선이 요구된다. 또한, 상기 도핑되는 망간(Mn) 금속은 케리어인 홀과 자화값에 영향을 주는 중요인자로 인식되나, 이를 제어하기 위한 방법은 아직 개발되지 못한 실정이어서, 단결정 나 노선은 갈륨나이트라이드(GaN) 정도에 머물고 있다.

통상적으로 상온에서 홀 농도는 10¹⁸ ㎝^-3이고, 특히 상온에서 강자성 특성을 가지는 경우에 스핀트로닉스 재료에 이용하기 용이하다. 본 발명에 따라 약 8 원자% Mn이 도핑된 나노선은 상온에서 홀 농도는 2 × 10¹⁹ cm^-3이고, 자화값은 6 × 10^-2 emu/g 으로 반도성 강자성체을 가능한 것이다.

이에, 본 발명은 반응가스를 기판위로 흘리면서 열에 의한 분해와 반응을 통해 기판위에 결정을 성장시키는 기상 에피층 성장법의 하나인 할라이드 기상 에픽탁시(HVPE)법을 수행하는 바, 이의 반응식은 다음 반응식 1에 나타내었다.

[반응식 1]

(1-x)Ga(s)+xMn(s)+(3-x)HCl(g) → (1-x)GaCl₃(g)+xMnCl₂(g)+(3-x)/2H₂(g)

(1-x)GaCl₃(g)+xMnCl₂(g)+NH₃(g)+x/2H₂(g) → Ga_{(1- x )}Mn _x N(s)+(3-x)HCl(g)

상기 반응식 1에 나타낸 바와 같이, 갈륨(Ga)금속과 망간(Mn)금속이 염화수소(HCl) 기체와 반응하여 각각의 염화물을 형성하고, 이후에 암모니아(NH₃) 기체와 반응하여 GaMnN 단결정 나노선을 제조한다. 이때, 염화수소(HCl) 기체를 연속적으로 주입할 경우 염화물의 형성이 증가하여 상대적으로 도핑되는 망간의 농도가 감소하게 되므로, 본 발명은 초기 염화수소(HCl) 기체를 적정 범위로 제어하여 망간의 도핑농도를 조절한 것에 특징이 있다.

즉, 본 발명은 질소(N₂) 기체 및 600 ∼ 700 ℃ 온도범위에서, 갈륨(Ga)금속 과 망간(Mn)금속을 염화수소(HCl) 기체와 암모니아(NH₃) 기체와 반응하여 도 1에 나타낸 바와 같이 기판상(10)에 GaMnN 단결정 나노선(11)을 제조한다. 이때, 갈륨(Ga)금속과 망간(Mn)금속을 각각의 염화물로 형성하기 위한 염화수소(HCl) 기체와, 상기 각 금속의 염화물과 반응하여 GaMnN 단결정 나노선을 형성하기 위한 암모니아(NH₃) 기체를 질소기체에 대하여 특정의 비로 조절하여 망간(Mn)금속의 도핑 농도를 조절함으로써, 스핀트로닉스 재료에 응용하기 위하여 최적의 케리어인 홀과 자화값을 가지도록 조절한 것에 기술 구성상에 특징이 있다. 결론적으로, 본 발명은 할라이드 기상 에픽탁시(HVPE)법의 수행 시 사용되는 반응가스를 특정의 비를 유지하도록 조절하여 망간(Mn)을 적절하게 도핑하도록 하는 적합한 반응조건을 유지한 것에 기술 구성상의 특징이 있는 것이다.

본 발명에 따른 갈륨망간나이트라이드(GaMnN) 단결정 나노선을 제조하는 방법을 도 2를 참고하여 보다 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.

도 2의 (A)와 같이, 기판(10)상에 갈륨(Ga)금속(30)과 망간(Mn)금속(40)을, 염화수소(HCl) 기체(60) 반응하여 갈륨염화물(GaCl_x) 기체와 망간염화물(MnCl_x) 기체를 형성한다.

이때, 반응은 질소(N₂) 기체하에서 수행되는데, 이는 캐리어(carrier) 기체 및 희석(dilute)기체로 수행하기 위해 도입된다.

상기 염화수소(HCl) 기체의 투입량에 따라 도핑되는 망간양이 조절되는 바, 이는 제조된 갈륨망간나이트라이드(GaMnN) 단결정 나노선의 케리어인 홀농도와, 자 화값 등의 물성에 중요한 영향을 미치므로 본 발명에서 중요시 되는 변수로 작용한다.

상기 염화수소(HCl) 기체는 반응에 총 투입되는 질소(N₂)기체에 대하여 0.005 ∼ 0.025 부피비 범위로 사용하는 것이 좋으며, 상기 사용량이 0.005 부피비 미만이면 단결정 나노선이 형성되지 않고 다결정 나노선이 성장하고 0.025 부피비를 초과하는 경우에는 단결정 나노선은 성장하나 Mn원소 도핑농도가 약 2% 미만으로 상온강자성 특성이 발현 되지 않는 문제가 발생하므로 상기 범위를 유지하는 것이 바람직하다.

또한, 기판의 온도는 600 ∼ 700 ℃ 온도범위로 유지하며, 상기 온도가 600 ℃ 미만이면 나노선에 Mn원소가 도핑되지 않고 700 ℃를 초과하는 경우에는 나노선의 두께가 굵어져 나노막대가 형성되는 문제가 발생하므로 상기 범위를 유지하는 것이 바람직하다. 통상적으로 갈륨나이트라이드(GaN) 나노선의 제조시에는 500 ∼ 1000 ℃로 등으로 넓은 범위를 유지하나 본 발명의 갈륨망간나이트라이드(GaMnN) 나노선은 상기 600 ∼ 700 ℃의 한정된 특정의 범위내에서 수행하는 것이 바람직하다.

상기 온도 범위에서 30 ∼ 60 분 정도의 성장 시간을 유지하는 것이 좋으며, 온도에 따라 달라지므로 목적으로 하는 나노선에 따라 적절히 선택 사용하는 것이 바람직하다.

기판은 당 분야에서 일반적으로 사용되는 것으로 특별히 한정하지는 않으나, 바람직하기로는 사파이어, 실리콘, 보다 바람직하기로는 사파이어를 사용하는 것이 좋다. 또한, 상기 기판위에 촉매나 템플릿층이 존재해도 무방하다.

또한, 본 발명에서는 사파이어 기판상에, 니켈(Ni)를 스퍼터 장비를 이용하여 증착한 후, 이를 촉매층으로 이용하여 도 2의 (B)와 같은 구조를 형성한다. 이후, 도 2의 (C)와 같이 나노선을 성장시킨 후 상기 촉매는 제거된다. 이때, Ni은 양자점 형태로 증착한다. 상기 촉매층은 당 분야에서 사용되는 것으로 특별히 한정하지는 않으며, 본 발명에서 사용된 Ni은 촉매작용으로 저온에서 용융되며, Ga 금속에 대한 높은 용해도를 가지는 특징이 있어 이를 적의 사용한 것이다.

상기와 같이 각 금속의 염화물을 제조함과 동시에, 제조된 각각의 갈륨염화물(GaCl_x) 기체와 망간염화물(MnCl_x) 기체가, 암모니아(NH₃) 기체와 반응하여 GaMnN 단결정 나노선을 형성한다. 즉, 상기 염화수소(HCl) 기체와 함께 암모니아(NH₃) 기체를 흘려보내어 동시에 두 반응이 수행되는 것이다. 상기에서 제조된 나노선의 두께는 80 ∼ 150 ㎚ 범위이며, 1×10^-3 ∼ 6×10^-2 emu/g 정도의 강자성을 나타낸다. 이는 GaN 나노선이 비자성체인 것에 비해 망간을 도핑하므로서 얻을 수 있는 효과이다.

상기 암모니아(NH₃) 기체는 총 투입되는 질소(N₂)기체에 대하여 0.067 ∼ 0.167 부피비 범위로 사용하며, 사용량이 0.067 부피비 미만이면 Mn 원소가 도핑되지 않고 망간염화물(MnCl_x)가 그대로 GaN 나노선 표면에 존재하고, 0.167 부피비를 초과하는 경우에는 3차원 박막이 형성되는 문제가 발생하므로 상기 범위를 유지하는 것이 바람직하다.

상기한 바와 같이 본 발명에 따라 제조된 GaMnN 단결정 나노선은 도핑되는 망간(Mn)금속의 농도가 최적의 범위로 조절되어 자화값과, 케리어인 홀 농도를 조절할 수 있어 스핀트로닉스 재료에 적합하다.

이하, 본 발명을 실시예에 의거 상세히 설명하면 다음과 같은 바, 본 발명이 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.

실시예

(0001)면의 성장방향을 가지는 사파이어 기판을 BOE(Buffered Oxide Echant)로 세척하여 자연산화층(native oxide)를 제거한 후, 니켈(Ni)을 스퍼터(sputter) 장비를 이용하여 20초간 증착하였다. 이때 니켈(Ni)은 2 nm 크기를 가지는 양자점(quantum dot) 형태로 증착하였다. 상기 니켈(Ni)이 코팅된 사파이어 기판을 수평 튜브(tube)로에 650 ℃ 온도에서 30분간 성장시켜서 GaMnN 단결정 나노선을 합성시킨다. 상기 튜브(tube)로는 1/4 인치(inch)이고, 0.5 인치(inch) 간격으로 Ga금속과 Mn금속을 위치시키고 N₂ 기체의 부피는 총 500 sccm 이고, HCl 기체는 1 sccm 이고, 암모니아(NH₃) 기체 20 sccm이며, 상기 N₂기체 중 200 sccm은 희석기체로 사용되고, 300 sccm은 운반기체로 사용되었다.

상기에서 제조된 GaMnN 단결정 나노선의 형성 유·무를 확인하기 위하여 주사전자현미경을 측정하여 다음 도 3의 4.5k(4,500배) 배율(A)와, 촉매층이 제거된 하나의 나노선 사진을 20k(20,000배) 배율(B)에 나타내었다.

도 4는 투입되는 기체의 양을 조절하여 Mn원소의 도핑 농도를 조절한 에너지 분산형 X선 분광기(EDX)측정한 결과를 나타낸 것으로, 초기 HCl 반응가스를 1 sccm 일 때, 7.9 원자%의 Mn이 GaN에 도핑되었으며, 10 sccm 일 때, 1.5 원자%의 Mn이 GaN에 도핑 되었음을 확인하였다. 즉, 초기 HCl가스의 량이 증가하면 Mn의 도핑농도가 줄어드는 것으로 최종 생성 HCl기체가 증가되기 때문임을 확인할 수 있었다.

도 5는 GaMnN 나노선 및 GaN 나노선에 대한 상온 편광(PL) 특성을 나타낸 것으로, GaMnN 나노선은 3.4 eV의 밴드갭을 가지는 GaN보다 장파장영역인 2.8 eV 영역에서 PL 특성이 나타난 것으로, 이는 Mn원소 도핑에 의해서 밴드구조가 변한 것을 확인할 수 있었다.

도 6은 초전도 양자 간섭소자(SQUID)를 이용하여 자기특성을 측정한 결과로서, 비자성체인 GaN에 Mn을 도핑하여 강자성을 성질을 가지는 것을 확인할 수 있으나, 결과로 미루어 적어도 4 원자% 이상의 Mn이 도핑되었을때 강자성 특성이 나타나는 것을 확인할 수 있었다. 그러므로 Mn을 도핑할 경우, 4 원자% 이상을 도핑하여야 되며 상기 본 제조방법으로는 HCl 1 ∼ 5 sccm 범위내에서 GaMnN 나노선을 성장시켜야 된다. 이로서 GaMnN 나노선은 차세대 스핀소자에 유용하게 응용될 수 있는 소재로 판단된다.

상기에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따라 염화수소(HCl) 기체와 암모니아(NH₃) 기체를 특정의 비로 조절한 할라이드 기상 에픽탁시(HVPE) 과정을 수행하여 갈륨망간나이트라이드(GaMnN) 단결정 나노선을 제조하여, 발광다이오드 등의 차세대 반도체 특히 거대자기저항(GMR)이나 투과자기저항(TMR)과 같은 스핀트로닉스 분야에서 그 유용성이 기대된다.

Claims (5)

1. 질소(N₂) 기류하에서, 갈륨(Ga)금속과 망간(Mn)금속을 600 ∼ 700 ℃ 온도범위에서 염화수소(HCl) 기체와 암모니아(NH₃) 기체로 동시에 반응시키는 것을 특징으로 하는 갈륨망간나이트라이드(GaMnN) 단결정 나노선의 제조방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 염화수소(HCl) 기체는 희석기체인 질소(N₂)에 대하여 0.005 ∼ 0.025 부피비로 주입되는 것을 특징으로 하는 갈륨망간나이트라이드(GaMnN) 단결정 나노선의 제조방법.
3. 제 1 항에 있어서, 상기 암모니아(NH₃) 기체는 질소(N₂)에 대하여 0.067 ∼ 0.167 부피비로 주입되는 것을 특징으로 하는 갈륨망간나이트라이드(GaMnN) 단결정 나노선의 제조방법.
4. 제 1 항에 있어서, 상기 반응은 니켈(Ni) 촉매를 사용하는 것을 특징으로 하는 갈륨망간나이트라이드(GaMnN) 단결정 나노선의 제조방법.
5. 제 1 항에 있어서, 상기 나노선은 두께가 80 ∼ 150 ㎚이고, 상온 강자성인 것을 특징으로 하는 갈륨망간나이트라이드(GaMnN) 단결정 나노선의 제조방법.

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