[go: up one dir, main page]

KR100636038B1 - 가스 공급 장치 및 이를 갖는 막 형성 장치 - Google Patents

가스 공급 장치 및 이를 갖는 막 형성 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100636038B1
KR100636038B1 KR1020050009177A KR20050009177A KR100636038B1 KR 100636038 B1 KR100636038 B1 KR 100636038B1 KR 1020050009177 A KR1020050009177 A KR 1020050009177A KR 20050009177 A KR20050009177 A KR 20050009177A KR 100636038 B1 KR100636038 B1 KR 100636038B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
valve
reaction
gas supply
gas
flow rate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1020050009177A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060088324A (ko
Inventor
황완구
채승기
김명진
백승창
박성욱
백운찬
이현욱
장경호
최성주
김일경
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050009177A priority Critical patent/KR100636038B1/ko
Priority to US11/346,549 priority patent/US20060169201A1/en
Publication of KR20060088324A publication Critical patent/KR20060088324A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100636038B1 publication Critical patent/KR100636038B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4486—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by producing an aerosol and subsequent evaporation of the droplets or particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45574—Nozzles for more than one gas

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

기판 상에 막을 형성하기 위하여 반응 가스를 상기 기판 상으로 공급하기 위한 장치에서, 반응액은 액체 유량 제어기와 온/오프 밸브를 통해 분무기로 공급된다. 상기 분무기에 의해 형성된 에어로졸 미스트는 기화기 내로 분사되며, 기화기 내부에서 기화된다. 상기 온/오프 밸브는 분무기와 결합되어 있으며, 액체 유량 제어기의 밸브 제어부에 의해 동작이 제어된다. 상기 온/오프 밸브는 상기 막을 형성하기 위하여 개방되며, 상기 막을 형성하기 위한 장치의 휴지 기간(downtime) 동안 상기 액체 유량 제어기와 온/오프 밸브 사이의 연결 배관 내에 잔류하는 반응액의 누설을 방지하기 위해 차단된다.

Description

가스 공급 장치 및 이를 갖는 막 형성 장치{Apparatus for supplying a gas and Apparatus for forming a layer having the same}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 액체 유량 제어기와 온/오프 밸브를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 기화기를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 4는 도 2에 도시된 온/오프 밸브와 분무기 사이의 결합 관계의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 막 형성 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 반도체 기판 100 : 가스 공급 장치
102 : 분무기 104 : 액체 유량 제어기
106 : 반응액 공급부 120 : 캐리어 가스 공급부
118, 128 : 연결 배관 126 : 질량 유량 제어기
130 : 온/오프 밸브 132 : 기화기
152 : 단열 부재 156, 158 : 단열 재킷
160 : 하우징 162 : 히터
164, 166, 168 : 열전달 부재 170 : 필터
200 : 막 형성 장치 210, 230 : 가스 공급부
240 : 반응 챔버 250 : 척
260 : 샤워 헤드 270 : 진공 배기부
본 발명은 가스 공급 장치와 이를 갖는 막 형성 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 반도체 기판 상으로 막을 형성하기 위한 반응 가스를 공급하기 위하여 반응액을 기화시키는 가스 공급 장치와 이를 갖는 막 형성 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 장치는 기판으로 사용되는 반도체 웨이퍼에 대한 다수의 공정들을 수행함으로써 제조될 수 있다. 예를 들면, 막 형성 공정은 상기 기판 상에 막을 형성하기 위해 수행되며, 산화 공정은 상기 기판 상에 산화막을 형성하기 위해 또는 상기 기판 상에 형성된 막을 산화시키기 위해 수행되고, 포토리소그래피(photolithography) 공정은 상기 기판 상에 형성된 막을 목적하는 패턴들로 형성하기 위해 수행되고, 평탄화 공정은 상기 기판 상에 형성된 막을 평탄화시키기 위해 수행된다.
상기 기판 상에는 다양한 막들이 화학 기상 증착(chemical vapor deposition; CVD), 물리 기상 증착(physical vapor deposition; PVD), 원자층 증착(atomic layer deposition; ALD) 등을 통하여 형성된다. 예를 들면, 실리콘 산화막은 반도체 장치의 게이트 절연막, 층간 절연막 등으로 사용되며, CVD 공정을 통해 형성될 수 있다. 실리콘 질화막은 마스크 패턴, 게이트 스페이서 등을 형성하기 위하여 사용되며, CVD 공정을 통해 형성될 수 있다. 또한, 반도체 기판 상에는 금속 배선, 전극 등으로 사용되는 금속막, 장벽막으로 사용되는 금속 질화막, 유전막으로 사용되는 금속 산화막 등이 CVD 공정, PVD 공정 또는 ALD 공정을 통해 형성될 수 있다.
상기 CVD 또는 ALD를 이용하여 기판 상에 막을 형성하는 경우, 다양한 반응물들이 사용될 수 있다. 상기 반응물들(reactants)은 일반적으로 가스 상태로 반응 챔버로 공급되며, 기판 표면과 반응하여 상기 기판 상에 막을 형성한다.
한편, 반응물이 상온에서 액체 상태로 있는 경우, 상기 반응물은 가스 공급 시스템을 통해 기체 상태로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 액체 상태의 반응물은 버블러(bubbler) 시스템을 통해 반응 가스로 형성될 수 있다. 구체적으로, 캐리어 가스로 사용되는 불활성 가스가 용기 내의 반응액 내에서 버블링되며, 그 결과로서 반응액의 일부가 기화될 수 있다. 그러나, 상기 버블러 시스템의 경우, 반응 챔버로 공급되는 반응 가스의 양을 정밀하게 제어할 수 없다는 문제점이 있다.
인젝션(injection) 밸브를 포함하는 액체 전달 시스템(liquid delivery system; LDS)의 경우, 반응액을 에어로졸 미스트(aerosol mist) 상태로 형성하고, 상기 에어로졸 미스트를 기화시켜 반응 가스를 얻는다. 이 경우, 상기 반응액의 유 량은 액체 유량 측정기(liquid mass flow meter; LFM)에 의해 측정되며, 상기 반응액의 유량은 상기 측정된 유량에 기초하는 인젝션 밸브(injection valve)의 동작에 의해 조절된다. 그러나, 상기 인젝션 밸브는 상기 에어로졸 미스트를 기화시키기 위한 고온의 히터(heater)와 직접적으로 결합되어 있으므로, 상기 인젝션 밸브의 동작이 불안정해질 수 있으며, 이로 인해 상기 반응액의 안정적인 유량 제어가 어렵다는 단점이 있으며, 인젝션 밸브의 오리피스(orifice) 주위에서의 레지듀(residue) 축적(build-up)은 반응액의 유량 제어를 어렵게 한다.
이와는 다르게, 반응액의 유량을 조절하기 위한 액체 유량 제어기(liquid mass flow controller; LFC or LMFC)와, 상기 반응액을 에어로졸 미스트로 형성하기 위한 분무기(atomizer)와 상기 에어로졸 미스트를 기화시키기 위한 기화기(vaporizer)를 포함하는 액체 전달 시스템의 경우, 막 형성 장치의 휴지 기간(downtime) 동안 상기 액체 유량 제어기와 분무기 사이를 연결하는 연결 배관 내에 잔류하는 반응액이 상기 연결 배관 내에서 고체 상태로 석출될 수 있으며, 상기 석출된 반응물은 후속하는 막 형성 공정에서 반도체 기판을 오염시키는 파티클 소스로 작용할 수 있다. 또한, 상기 잔류하는 반응액은 반도체 기판의 로딩/언로딩 동안에도 상기 분무기 내로 누설될 수 있으며, 막 형성 공정의 초기에 정상적으로 반응 가스를 공급하지 못하는 문제점을 발생시킬 수 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 제1목적은 안정적인 반응액의 유량 제어가 가능하며 오염 발생을 억제할 수 있는 가스 공급 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 제2목적은 상술한 바와 같은 가스 공급 장치를 포함하는 막 형성 장치를 제공하는데 있다.
상기 제1목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 가스 공급 장치는, 반응액을 공급하기 위한 반응액 공급부와, 상기 반응액을 에어로졸 미스트(aerosol mist)로 형성하기 위한 분무기(atomizer)와, 상기 반응액 공급부와 상기 분무기 사이를 연결하는 배관에 설치되어 상기 반응액의 유량을 제어하기 위한 액체 유량 제어기와, 상기 분무기에 인접하여 상기 배관에 설치되며 상기 액체 유량 제어기의 동작과 연동하는 밸브와, 상기 분무기와 결합되며 상기 분무기에 의해 형성된 에어로졸 미스트를 기화시켜 반응 가스를 형성하기 위한 기화기(vaporizer)를 포함할 수 있다.
상기 제2목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따르면, 막 형성 장치는, 기판 상에 막을 형성하기 위하여 상기 기판을 수용하는 반응 챔버와, 상기 반응 챔버 내에서 상기 기판을 지지하기 위한 기판 지지부와, 상기 반응 챔버와 연결되어 상기 막을 형성하기 위한 반응 가스를 공급하기 위한 가스 공급부와, 상기 반응 챔버와 연결되어 상기 반응 챔버의 내부 압력을 조절하고 상기 막을 형성하는 동안 발생된 반응 부산물과 잔여 반응 가스를 제거하기 위한 진공 배기부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 액체 유량 제어기는, 상기 반응액의 유 량을 측정하기 위한 유량 측정부와, 상기 반응액의 유량을 조절하기 위한 컨트롤 밸브와, 상기 유량 측정부에 의해 측정된 유량을 기초로 하여 상기 컨트롤 밸브의 동작을 제어하기 위한 밸브 제어부를 포함할 수 있다. 상기 밸브로는 상기 밸브 제어부와 신호 라인을 통해 연결되어 상기 컨트롤 밸브의 개방과 동시에 개방되며, 상기 컨트롤 밸브의 닫힘과 동시에 닫히는 온/오프 밸브가 사용될 수 있다.
상기 액체 유량 제어기는 제1연결 배관을 통해 상기 반응액 공급부와 연결되며, 상기 밸브는 제2연결 배관을 통해 상기 액체 유량 제어기와 연결된다. 상기 밸브는 상기 분무기에 직접적으로 결합될 수 있으며, 상기 밸브와 상기 분무기 사이에는 단열 부재가 개재될 수 있다.
상기와 같이 액체 유량 제어기와 기화기가 서로 이격되어 있으므로, 안정적인 반응액의 유량 제어가 보장될 수 있으며, 기판 상에 막을 형성한 후 제2연결 배관 내에 잔류하는 반응액은 온/오프 밸브에 의해 누설이 억제될 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 1을 참조하면, 도시된 가스 공급 장치(100)는 압력 강하(pressure drop)를 이용하여 반응액을 에어로졸 미스트 상태로 형성하며, 상기 에어로졸 미스트를 가열하여 반응 가스를 얻는다.
구체적으로, 상기 반응액을 에어로졸 미스트로 형성하기 위한 분무기(102)는 반응액의 유량을 조절하기 위한 액체 유량 제어기(104)와 연결되어 있으며, 상기 액체 유량 제어기(104)는 상기 반응액을 공급하기 위한 반응액 공급부(106)와 연결되어 있다.
반응액 공급부(106)는 상기 반응액을 저장하기 위한 밀폐된 용기(108)와, 상기 용기(108) 내부로 압축 가스를 공급하기 위한 압축 가스 공급부(110)를 포함한다. 압축 가스 공급부(110)와 용기(108)는 제1가스 공급 배관(112) 및 제2가스 공급 배관(114)을 통해 서로 연결되며, 제1가스 공급 배관(112)과 제2가스 공급 배관(114) 사이에는 용기(108) 내부의 압력에 따라 동작되는 압력 제어 밸브(116)가 설치되어 있다. 구체적으로, 압력 제어 밸브(116)는 용기(108) 내부 압력에 따라 개방 정도가 조절되며, 이에 따라 용기(108) 내부의 압력이 일정하게 유지될 수 있다.
제2가스 공급 배관(114)은 용기(108)의 상부 커버를 통해 용기(108) 내부로 연장되며, 제2가스 공급 배관(114)의 단부는 용기(108)의 상부 커버에 인접하여 배치되어 있다. 한편, 상기 용기(108)와 액체 유량 제어기(104)를 연결하는 제1연결 배관(118)은 상기 용기(108)의 상부 커버를 통해 용기(108) 내부로 연장되며, 제1연결 배관(118)의 단부는 용기(108) 내에 수용된 반응액에 침지되도록 용기(108)의 바닥에 인접하게 배치된다.
또한, 분무기(102)에는 캐리어 가스를 공급하기 위한 캐리어 가스 공급부(120)가 제3가스 공급 배관(122) 및 제4가스 공급 배관(124)을 통해 연결되어 있으며, 상기 제3가스 공급 배관(122)과 제4가스 공급 배관(124) 사이에는 캐리어 가스 의 유량을 조절하기 위한 질량 유량 제어기(126, mass flow controller; MFC)가 설치되어 있다.
상기 압축 가스 및 상기 캐리어 가스로는 질소(N2), 아르곤(Ar), 헬륨(He) 등이 사용될 수 있다.
한편, 액체 유량 제어기(104)와 분무기(102) 사이를 연결하기 위한 제2연결 배관(128)에는 액체 유량 제어기(104)와 연동하는 온/오프 밸브(130)가 설치되어 있으며, 상기 액체 유량 제어기(104)에 의해 유량 제어된 반응액은 온/오프 밸브(130)를 통해 분무기(102) 내로 제공된다. 구체적으로, 상기 온/오프 밸브(130)는 제2연결 배관(128)과 분무기(102) 사이에 배치되며, 분무기(102)에 직접적으로 결합될 수 있다.
상기 온/오프 밸브(130)는 액체 유량 제어기(104)의 컨트롤 밸브와 연결되어 있으며, 상기 컨트롤 밸브의 동작과 연동한다. 구체적으로, 상기 온/오프 밸브(130)는 상기 컨트롤 밸브의 개방과 동시에 개방되며, 상기 컨트롤 밸브의 닫힘과 동시에 닫힌다.
분무기(102)는 상기 반응액을 에어로졸 미스트로 형성하며, 상기 에어로졸 미스트를 기화시키기 위한 기화기(132)의 상부에 결합된다. 상기 에어로졸 미스트는 기화기(132)의 내부로 분사되며, 기화기(132)는 에어로졸 미스트를 기화시켜 반응 가스를 생성한다.
상기와 같은 구성을 갖는 가스 공급 장치(100)는 반도체 기판 상에 막을 형 성하기 위한 CVD 장치 또는 ALD 장치에 바람직하게 적용될 수 있다. 구체적으로, 상기 기화기(132)는 제5가스 공급 배관(134)을 통해 상기 막 형성 장치의 반응 챔버와 연결된다.
도 2는 도 1에 도시된 액체 유량 제어기와 온/오프 밸브를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 2를 참조하면, 액체 유량 제어기(104)는 반응액의 유량을 측정하기 위한 유량 측정부(136)와, 상기 유량을 조절하기 위한 컨트롤 밸브(138)와, 상기 유량 측정부(136)에 의해 측정된 유량을 기초로 하여 상기 컨트롤 밸브(138)의 동작을 제어하기 위한 밸브 제어부(140)를 포함한다.
상기 컨트롤 밸브(138)는 제2연결 배관(128)을 통해 온/오프 밸브(130)와 연결되며, 밸브 제어부(140)의 제어 신호에 따라 상기 반응액의 유량을 조절한다. 또한, 밸브 제어부(140)는 신호 라인을 통해 온/오프 밸브(130)와 연결되며, 컨트롤 밸브(138)의 개방과 동시에 온/오프 밸브(130)를 개방시키고, 컨트롤 밸브(138)를 닫음과 동시에 온/오프 밸브(130)를 닫는다. 상기 컨트롤 밸브(138) 및 상기 온/오프 밸브(130)로는 각각 솔레노이드 밸브가 사용될 수 있다. 그러나, 컨트롤 밸브(138) 및 온/오프 밸브(130)의 종류가 본 발명의 범위를 한정하지는 않는다.
상기 유량 측정부(136)는 반응액의 유량을 측정하기 위한 바이패스(bypass)를 포함할 수 있다. 이와는 다르게, 상기 유량 측정부(136)는 반응액의 유량을 나타내는 열적 특성들을 감지하기 위한 센서 어셈블리를 포함할 수 있다. 상기와 같은 유량 측정부의 예들은 미합중국 특허공개 제2002/0073772호 및 제2004/0118200 호에 상세하게 개시되어 있으므로 상세한 생략은 생략한다.
한편, 분무기(102)는 하부가 개방된 실린더 형상을 가지며, 캐리어 가스를 통과시키기 위한 오리피스부(142, orifice portion)와 상기 에어로졸 미스트를 형성하기 위한 내부 공간(144)을 갖는다. 캐리어 가스 공급부(120)는 제3가스 공급 배관(122), 질량 유량 제어기(126) 및 제4가스 공급 배관(124)을 통해 분무기(102)의 상부에 연결되며, 캐리어 가스는 오리피스부(142)를 통해 상기 내부 공간(144)으로 분사된다.
온/오프 밸브(130)의 유출구(146)는 분무기(102)의 측벽을 관통하는 반응액 도입구(148)와 연통되며, 상기 반응액 도입구(148)를 통해 상기 분무기(102)의 내부 공간(144)으로 도입된 반응액은 압력 강하와 상기 분사된 캐리어 가스에 의해 상기 에어로졸 미스트로 형성된다.
온/오프 밸브(130)는 분무기(102)의 측벽 상에 볼트와 같은 체결 부재들(150)을 통해 결합되며, 온/오프 밸브(130)와 분무기(102) 사이에는 고온의 기화기(132)로부터의 열전달을 억제하기 위한 단열 부재(152)가 개재될 수 있다. 또한, 온/오프 밸브(130)와 단열 부재(152) 및 분무기(102) 사이에는 상기 반응액의 누설을 방지하기 위한 밀봉 부재들(154)이 개재된다. 또한, 상기 고온의 기화기(132)로부터 방출되는 복사열을 차단하기 위한 제1단열 재킷(156)이 온/오프 밸브(130)를 감싸도록 구비될 수 있다.
또한, 제2연결 배관(128)의 둘레에는 제2단열 재킷(158)이 설치될 수 있으며, 이에 따라 제2연결 배관(128) 내에 잔류하는 반응액이 기화기(132)로부터 방출 되는 복사열에 의해 보일링되는 것을 억제할 수 있다.
도시된 바에 의하면, 하나의 온/오프 밸브(130)가 분무기(102)의 측벽에 결합되어 있으나, 이와는 다르게 다수의 온/오프 밸브들(130)이 분무기(102)의 측벽에 결합될 수도 있다. 즉, 서로 다른 반응액들을 분무기(102)로 공급하여 분무기(102)와 기화기(132)를 이용하여 다수의 반응 가스들이 혼합된 가스를 형성할 수도 있다.
도 3은 도 1에 도시된 기화기를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 3을 참조하면, 상기 분무기(102)의 하부는 기화기(132)의 상부 패널에 형성된 중앙 홀에 결합되어 있으며, 상기 캐리어 가스와 에어로졸 미스트는 상기 분무기(102)로부터 기화기(132)의 내부로 분사된다.
기화기(132)는 실린더 형상의 하우징(160)과, 상기 하우징(160) 둘레에 배치되어 상기 에어로졸 미스트를 기화시켜 반응 가스를 형성하기 위한 히터(162)와, 상기 하우징(160) 내부에 배치되는 다수의 열전달 부재들(164, 166, 168)과, 상기 반응 가스에 포함된 미스트 입자를 제거하기 위한 필터(170) 등을 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 하우징(160) 내부에는 제1열전달 부재(164), 제2열전달 부재(166) 및 제3열전달 부재(168)가 직렬로 배치되며, 제2열전달 부재(166)와 제3열전달 부재(168) 사이에는 원형 링 형상을 갖는 필터 브래킷(172)이 배치되어 있다. 상기 필터(170)는 상기 필터 브래킷(172)의 중앙 홀에 결합된다.
각각의 열전달 부재들(164, 166, 168 )은 원형 블록 형상을 갖고, 상기 하우징(160)의 내측면에 접하도록 배치되어 있다. 또한, 상기 각각의 열전달 부재들 (164, 166, 168)은 상기 에어로졸 미스트와 상기 반응 가스를 통과시키기 위하여 벌집 형상을 갖는다. 구체적으로, 제1열전달 부재(164)의 중앙 부위에는 상기 분무기(102)에 의해 형성된 분사 스트림을 통과시키기 위한 제1홀이 형성되어 있으며, 상기 제1홀의 주변 부위에는 상기 제1홀의 직경보다 작은 직경을 각각 갖는 다수의 제2홀들이 형성되어 있다. 제2열전달 부재(166)의 중앙 부위에는 제3홀이 형성되어 있으며, 제3홀의 주변 부위에는 상기 제3홀의 직경보다 작은 직경을 각각 갖는 다수의 제4홀들이 형성되어 있다.
분무기(102)에 의해 형성된 에어로졸 미스트는 제1홀을 통해 제1열전달 부재(164)와 제2열전달 부재(166) 사이의 제2공간(176)으로 제공되며, 상기 제2공간(176) 내의 에어로졸 미스트의 일부는 제2홀들을 통해 하우징(160)의 상부 패널과 제1열전달 부재(164) 사이의 제1공간(174)으로 흐르며, 나머지는 제4홀들을 통해 제2열전달 부재(164)와 필터 브래킷(172) 사이의 제3공간(178)으로 흐른다. 상기 에어로졸 미스트는 상기 제2홀들 및 제4홀들을 통해 흐르는 동안 기화되어 반응 가스로 형성된다. 상기 제1공간(174)의 반응 가스는 제1홀, 제2공간(176) 및 제4홀들을 통해 제3공간(178)으로 흐른다.
한편, 상기 제3홀의 내측면 상에는, 도시된 바와 같이, 캡(184)이 장착되며, 상기 캡(184) 내부에 필터(172)의 일부가 수용된다. 구체적으로, 상기 필터(172)는 하부가 개방된 실린더 형상을 가지며, 반응 가스 내에 포함된 이물질 및 미스트 입자를 제거하기 위하여 상기 필터 브래킷(172)의 중앙 홀에 장착된다. 상기 필터(170)의 외경은 상기 캡(184)의 내경보다 작으며, 필터(170)의 상부면은 캡(184)으 로부터 이격되어 배치된다.
상기 제3공간(178)의 반응 가스는 필터(170)를 통해 필터 브래킷(172)과 제3열전달 부재(168) 사이의 제4공간(180)으로 흐르며, 제3열전달 부재(168)에 전체적으로 형성된 다수의 제5홀들을 통해 제3열전달 부재(168)와 하우징(160)의 하부 패널 사이의 제5공간(182)으로 흐른다. 마지막으로, 제5공간(182)의 반응 가스는 하우징(160)의 하부 패널에 연결된 제5가스 공급 배관(134)을 통해 상기 반응 챔버로 공급된다.
도 4는 도 2에 도시된 온/오프 밸브와 분무기 사이의 결합 관계의 다른 예를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 4를 참조하면, 온/오프 밸브(130)와 분무기(102)는 제3연결 배관(190)을 통해 연결될 수도 있다. 구체적으로, 상기 제3연결 배관(190)의 길이는 가능하면 짧은 것이 바람직하다. 이는 온/오프 밸브(130)의 차단 후 제3연결 배관(190) 내에 잔류하는 반응액의 양을 최소화시키기 위함이다. 예를 들면, 상기 제3연결 배관(190)의 길이는 0.5cm 내지 3.0cm 정도인 것이 바람직하다.
온/오프 밸브(130)와 분무기(102)는 볼트와 같은 다수의 체결 부재(192)에 의해 결합될 수 있다. 구체적으로, 온/오프 밸브(130)와 분무기(102) 사이에는 다수의 스페이서들(194)이 배치되며, 상기 체결 부재들(192)은 스페이서들(194)을 통해 분무기(102)의 측벽에 결합될 수 있다. 상기 스페이서들(194)로는 단열 튜브들이 사용될 수 있다. 또한, 상기 제3연결 배관(190)의 둘레에는 상기 기화기(132)로부터의 복사열을 차단하기 위한 제3단열 재킷(196)이 설치될 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 막 형성 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 5를 참조하면, 도시된 막 형성 장치(200)는 제1반응 가스를 공급하기 위한 제1가스 공급부(210)와, 제2반응 가스를 공급하기 위한 제2가스 공급부(230)와, 상기 가스 공급부들(210, 230)과 연결된 반응 챔버(240)와, 상기 반응 챔버(240) 내에서 반도체 기판(10)을 지지하기 위한 척(250)을 포함할 수 있다. 상기 척(250)은 지지부재(252)에 의해 반응 챔버(240)의 하부에 장착되며, 상기 척(250)에는 반도체 기판(10)을 반응 온도로 가열하기 위한 히터(254)가 내장되어 있다.
척(250)의 상부에는 반도체 기판(10) 상으로 상기 반응 가스들을 균일하게 공급하기 위한 샤워 헤드(260)가 배치되어 있으며, 상기 가스 공급부들(210, 230)은 샤워 헤드(260)를 통해 반응 챔버(240)와 연결되어 있다.
반응 챔버(240)의 측벽에는 반도체 기판(10)의 반출입을 위한 게이트 밸브(242)가 설치되어 있고, 반응 챔버(240)의 하부에는 반응 챔버(240) 내부의 압력을 조절하고 공정 수행 도중에 발생된 반응 부산물과 잔여 반응 가스들을 배출하기 위한 진공 배기부(270)가 진공 배관(272)을 통해 연결되어 있다.
제1가스 공급부(210)는 제1반응액을 공급하기 위한 반응액 공급부(212)와, 상기 제1반응액의 유량을 조절하기 위한 액체 유량 제어기(214)와, 액체 유량 제어기(214)와 연동하는 온/오프 밸브(216)와, 캐리어 가스를 공급하기 위한 캐리어 가스 공급부(218)와, 캐리어 가스의 유량을 조절하기 위한 제1질량 유량 제어기(220)와, 상기 제1반응액을 에어로졸 미스트로 형성하기 위한 분무기(222)와, 상기 에어 로졸 미스트를 기화시키기 위한 기화기(224) 등을 포함할 수 있다.
한편, 상기 제1가스 공급부(210)의 구성 요소들에 대한 추가적인 상세 설명은 도 1 내지 도 4를 참조하여 기 설명된 가스 공급 장치(100)의 구성 요소들과 유사하므로 생략한다.
상기 제2반응 가스 공급부(230)는 제6가스 공급 배관(232)을 통해 샤워 헤드(260)와 연결되며, 상기 제6가스 공급 배관(232)에는 상기 제2반응 가스의 유량을 제어하기 위한 질량 제2유량 제어기(234)가 설치될 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나, 상기 제6가스 공급 배관(232)에는 제2반응 가스를 플라즈마 상태로 형성하기 위한 리모트 플라즈마 발생기가 설치될 수도 있다.
예를 들면, 상기 막 형성 장치(200)를 사용하여 반도체 기판(10) 상에 하프늄 산화막을 형성하는 경우, 상기 제1반응 가스로는 TEMAH(Tetrakis Ethyl Methyl Amino Hafnium)가 사용될 수 있으며, 상기 제2반응 가스로는 산화 가스로서 기능할 수 있는 O3, 플라즈마 O2 등이 사용될 수 있다.
다른 예로서, 상기 막 형성 장치(200)를 사용하여 반도체 기판(10) 상에 티타늄 질화막을 형성하는 경우, 상기 제1반응 가스로는 TEMAT(Tetrakis Ethyl Methyl Amino Titanium)가 사용될 수 있으며, 상기 제2반응 가스로는 질화 가스로서 기능할 수 있는 NH3, 플라즈마 N2 등이 사용될 수 있다.
한편, 상기 샤워 헤드(260)는 반응 가스들을 플라즈마 상태로 형성하기 위한 RF(radio frequency) 전원과 연결될 수 있으며, 이 경우 상기 척(250)은 바이어스 전원(bias power source)과 연결될 수 있다.
도시된 바에 의하면, 제1가스 공급부(210)는 매엽식 반응 챔버(240)와 연결되어 있으나, 배치식 반응 챔버와 연결될 수도 있다. 구체적으로, 제1가스 공급부(210)는 보트에 의해 지지된 다수의 반도체 기판들에 대하여 증착 공정을 수행하기 위한 수직형 퍼니스(vertical furnace)와 연결될 수도 있다. 즉, 본 발명은 반응 챔버의 형태에 의해 범위가 제한되지 않으며, 반도체 기판(10) 상에 막을 형성하기 위한 다양한 장치들에 바람직하게 적용될 수 있다.
상기와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 반응액의 유량을 조절하기 위한 액체 유량 제어기와 반응액을 기화시키기 위한 히터가 서로 이격되어 있으므로 상기 액체 유량 제어기의 안정적이 동작이 보장된다. 또한, 상기 막 형성 장치의 휴지 기간 동안 액체 유량 제어기와 분무기 사이의 연결 배관 내에 잔류하는 반응액은 온/오프 밸브에 의해 누설되지 않으므로, 상기 반응액의 누설에 의한 오염을 방지할 수 있으며, 반도체 기판 상에 막을 형성하는 공정에서 반응 가스의 공급 시간을 단축시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (21)

  1. 반응액을 공급하기 위한 반응액 공급부;
    상기 반응액을 에어로졸 미스트(aerosol mist)로 형성하기 위한 분무기(atomizer);
    상기 반응액 공급부와 상기 분무기 사이를 연결하는 배관에 설치되어 상기 반응액의 유량을 제어하기 위하여, 상기 반응액의 유량을 측정하기 위한 유량 측정부와, 상기 반응액의 유량을 조절하기 위한 컨트롤 밸브와, 상기 유량 측정부에 의해 측정된 유량을 기초로 하여 상기 컨트롤 밸브의 동작을 제어하기 위한 밸브 제어부를 포함하는 액체 유량 제어기;
    상기 분무기에 인접하여 상기 배관에 설치되며 상기 액체 유량 제어기의 컨트롤 밸브의 동작과 연동하는 밸브; 및
    상기 분무기에 직접적으로 결합되며 상기 분무기에 의해 형성된 에어로졸 미스트를 기화시켜 반응 가스를 형성하기 위한 기화기(vaporizer)를 포함하는 가스 공급 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 밸브는 상기 밸브 제어부와 신호 라인을 통해 연결되고, 상기 컨트롤 밸브의 개방과 동시에 개방되며, 상기 컨트롤 밸브의 닫힘과 동시에 닫히는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 반응액 공급부는, 상기 반응액을 저장하기 위한 용기와, 상기 배관을 통해 상기 반응액이 배출되도록 상기 용기 내부로 압축 가스를 공급하기 위한 압축 가스 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 배관은 상기 반응액 공급부와 상기 액체 유량 제어기를 연결하는 제1연결 배관과, 상기 액체 유량 조절기와 상기 밸브를 연결하는 제2연결 배관을 포함하며, 상기 밸브는 상기 분무기에 직접 결합되는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 밸브와 상기 분무기 사이에 개재된 단열 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 밸브를 감싸도록 배치된 제1단열 재킷과, 상기 제2연결 배관의 둘레에 배치된 제2단열 재킷을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 배관은 상기 반응액 공급부와 상기 액체 유량 제어기를 연결하는 제1연결 배관과, 상기 액체 유량 조절기와 상기 밸브를 연결하는 제2연결 배관 및 상기 밸브와 상기 분무기를 연결하는 제3연결 배관을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 밸브와 상기 분무기 사이에 배치된 다수의 스페이서들과 상기 밸브를 상기 분무기에 장착하기 위한 다수의 체결 부재들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  10. 제8항에 있어서, 상기 제3연결 배관의 길이는 0.5cm 내지 3.0cm인 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  11. 제8항에 있어서, 상기 제3연결 배관의 둘레에 배치된 단열 재킷을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 분무기와 결합되어 상기 분무기의 내부 공간으로 캐리어 가스를 공급하기 위한 캐리어 가스 공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 분무기로 공급되는 캐리어 가스의 유량을 조절하기 위한 질량 유량 제어기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 분무기는 상기 반응액이 도입되는 내부 공간과 상기 내부 공간으로 상기 캐리어 가스를 분사하기 위한 오리피스부를 갖는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  15. 제1항에 있어서, 상기 기화기는, 실린더 형상을 갖는 하우징과, 상기 하우징의 둘레에 배치되어 상기 에어로졸 미스트를 기화시켜 상기 반응 가스를 형성하기 위한 히터를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 기화기는, 상기 하우징 내부에서 직렬로 배치되어 상기 에어로졸 미스트와 상기 반응 가스를 통과시키기 위한 다수의 열전달 부재들과, 상기 열전달 부재들 사이에 배치되어 상기 반응 가스에 포함된 이물질 및 미스트 입자들을 제거하기 위한 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  17. 제16항에 있어서, 각각의 열전달 부재들은 상기 에어로졸 미스트와 상기 반응 가스를 통과시키기 위하여 벌집 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  18. 제15항에 있어서, 상기 분무기는 상기 기화기의 상부 패널에 형성된 중앙 홀에 결합되어 상기 기화기의 내부로 상기 에어로졸 미스트를 분사하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  19. 기판 상에 막을 형성하기 위하여 상기 기판을 수용하는 반응 챔버;
    상기 반응 챔버 내에서 상기 기판을 지지하기 위한 기판 지지부;
    상기 반응 챔버와 연결되어 상기 막을 형성하기 위한 반응 가스를 공급하는 가스 공급부; 및
    상기 반응 챔버와 연결되어 상기 반응 챔버의 내부 압력을 조절하고 상기 막을 형성하는 동안 발생된 반응 부산물과 잔여 반응 가스를 제거하기 위한 진공 배기부를 포함하며,
    상기 가스 공급부는,
    반응액을 공급하기 위한 반응액 공급부;
    상기 반응액을 에어로졸 미스트(aerosol mist)로 형성하기 위한 분무기(atomizer);
    상기 반응액 공급부와 상기 분무기 사이를 연결하는 배관에 설치되어 상기 반응액의 유량을 제어하기 위하여, 상기 반응액의 유량을 측정하기 위한 유량 측정부와, 상기 반응액의 유량을 조절하기 위한 컨트롤 밸브와, 상기 유량 측정부에 의해 측정된 유량을 기초로 하여 상기 컨트롤 밸브의 동작을 제어하기 위한 밸브 제어부를 포함하는 액체 유량 제어기;
    상기 분무기에 인접하여 상기 배관에 설치되며 상기 액체 유량 제어기의 컨트롤 밸브의 동작과 연동하는 밸브; 및
    상기 분무기에 직접적으로 결합되며 상기 분무기에 의해 형성된 에어로졸 미스트를 기화시켜 상기 반응 가스를 형성하기 위한 기화기(vaporizer)를 포함하는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 밸브는 상기 밸브 제어부와 신호 라인을 통해 연결되며 상기 컨트롤 밸브의 개방과 동시에 개방되고 상기 밸브의 닫힘과 동시에 닫히는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
  21. 제19항에 있어서, 상기 반응 챔버 내부로 제2반응 가스를 공급하기 위한 제2가스 공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 막 형성 장치.
KR1020050009177A 2005-02-01 2005-02-01 가스 공급 장치 및 이를 갖는 막 형성 장치 Expired - Fee Related KR100636038B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050009177A KR100636038B1 (ko) 2005-02-01 2005-02-01 가스 공급 장치 및 이를 갖는 막 형성 장치
US11/346,549 US20060169201A1 (en) 2005-02-01 2006-02-01 Apparatus for supplying gas and apparatus for forming a layer having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050009177A KR100636038B1 (ko) 2005-02-01 2005-02-01 가스 공급 장치 및 이를 갖는 막 형성 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060088324A KR20060088324A (ko) 2006-08-04
KR100636038B1 true KR100636038B1 (ko) 2006-10-18

Family

ID=36755153

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050009177A Expired - Fee Related KR100636038B1 (ko) 2005-02-01 2005-02-01 가스 공급 장치 및 이를 갖는 막 형성 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20060169201A1 (ko)
KR (1) KR100636038B1 (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102124290B1 (ko) 2019-10-07 2020-06-17 김기남 반도체 박막증착을 위한 기화기용 아토마이저
KR102125183B1 (ko) 2019-10-07 2020-06-22 김기남 반도체 박막증착을 위한 기화기
KR20210154113A (ko) * 2018-10-17 2021-12-20 (주)지오엘리먼트 컨트롤 밸브 및 이를 이용한 예비 퍼지가 가능한 기화 시스템
US12247290B2 (en) 2022-07-20 2025-03-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Flow control method using plasma system

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100725098B1 (ko) * 2005-11-17 2007-06-04 삼성전자주식회사 반도체 제조설비의 유량조절기 오동작 감지장치 및 그 방법
KR100806041B1 (ko) * 2006-08-29 2008-02-26 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조방법
KR100953736B1 (ko) 2009-07-27 2010-04-19 주식회사 아토 증착 장치 및 반도체 소자의 제조 방법
DE112011100462T5 (de) * 2010-02-05 2012-11-22 Msp Corp. Feintröpfchen-Zerstäuber für die Flüssigprekursor-Verdampfung
US20110232588A1 (en) * 2010-03-26 2011-09-29 Msp Corporation Integrated system for vapor generation and thin film deposition
DE102011051260A1 (de) * 2011-06-22 2012-12-27 Aixtron Se Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von OLEDs
US10287679B2 (en) 2015-05-11 2019-05-14 Msp Corporation Apparatus and method for vapor generation and film deposition
US9797593B2 (en) * 2015-05-11 2017-10-24 Msp Corporation Apparatus and method for vapor generation and film deposition
US10604841B2 (en) 2016-12-14 2020-03-31 Lam Research Corporation Integrated showerhead with thermal control for delivering radical and precursor gas to a downstream chamber to enable remote plasma film deposition
CN111433902A (zh) 2017-12-08 2020-07-17 朗姆研究公司 向下游室传送自由基和前体气体以实现远程等离子体膜沉积的有改进的孔图案的集成喷头
KR102087253B1 (ko) * 2018-07-20 2020-03-10 김영탁 액상 공정용 소재의 유량제어 시스템 및 이를 이용한 공정 모니터링 시스템
KR102438237B1 (ko) * 2021-01-26 2022-08-30 엠케이피 주식회사 액체 소스 공급 시스템 및 이를 이용한 액체 소스 공급 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010021904A (ko) * 1997-07-14 2001-03-15 래리 디. 맥밀란 화학증착에 의한 박막의 제조방법 및 그 제조장치

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6110531A (en) * 1991-02-25 2000-08-29 Symetrix Corporation Method and apparatus for preparing integrated circuit thin films by chemical vapor deposition
JPH06291040A (ja) * 1992-03-03 1994-10-18 Rintetsuku:Kk 液体気化供給方法と液体気化供給器
US5866795A (en) * 1997-03-17 1999-02-02 Applied Materials, Inc. Liquid flow rate estimation and verification by direct liquid measurement
US6409839B1 (en) * 1997-06-02 2002-06-25 Msp Corporation Method and apparatus for vapor generation and film deposition
US6296711B1 (en) * 1998-04-14 2001-10-02 Cvd Systems, Inc. Film processing system

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010021904A (ko) * 1997-07-14 2001-03-15 래리 디. 맥밀란 화학증착에 의한 박막의 제조방법 및 그 제조장치

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210154113A (ko) * 2018-10-17 2021-12-20 (주)지오엘리먼트 컨트롤 밸브 및 이를 이용한 예비 퍼지가 가능한 기화 시스템
KR102438507B1 (ko) * 2018-10-17 2022-09-02 (주)지오엘리먼트 컨트롤 밸브 및 이를 이용한 예비 퍼지가 가능한 기화 시스템
KR102124290B1 (ko) 2019-10-07 2020-06-17 김기남 반도체 박막증착을 위한 기화기용 아토마이저
KR102125183B1 (ko) 2019-10-07 2020-06-22 김기남 반도체 박막증착을 위한 기화기
US12247290B2 (en) 2022-07-20 2025-03-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Flow control method using plasma system

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060088324A (ko) 2006-08-04
US20060169201A1 (en) 2006-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20060169201A1 (en) Apparatus for supplying gas and apparatus for forming a layer having the same
US6454860B2 (en) Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities
US7094708B2 (en) Method of CVD for forming silicon nitride film on substrate
US7827932B2 (en) Vaporizer and processor
US7175713B2 (en) Apparatus for cyclical deposition of thin films
US8685866B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus
US20030198754A1 (en) Aluminum oxide chamber and process
US20060035470A1 (en) Method for manufaturing semiconductor device and substrate processing system
US8394200B2 (en) Vertical plasma processing apparatus for semiconductor process
KR20090125242A (ko) 반응물 분배 장치 및 전달 방법
US20090061648A1 (en) Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus
JP2014007289A (ja) ガス供給装置及び成膜装置
US10224185B2 (en) Substrate processing apparatus
US7462245B2 (en) Single-wafer-processing type CVD apparatus
JP2011054789A (ja) 基板処理装置
KR100742411B1 (ko) 가스 반응 장치 및 반도체 처리 장치
US20060070575A1 (en) Solution-vaporization type CVD apparatus
JP5004890B2 (ja) 気化器、基板処理装置及び半導体装置の製造方法
KR101175677B1 (ko) 퍼니스형 반도체 설비 및 그 설비를 사용한 기판 처리 방법
KR102817870B1 (ko) 기판 처리 설비
JP2010219421A (ja) 気化器、基板処理装置及び半導体装置の製造方法
KR101155430B1 (ko) 박막 증착 장치 및 그 방법
JP2007227471A (ja) 基板処理装置
KR20070010830A (ko) 가스 공급 장치 및 이를 갖는 박막 형성 설비
KR101066138B1 (ko) 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

E13-X000 Pre-grant limitation requested

St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

Not in force date: 20091013

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20091013

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000