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KR100630727B1 - Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 광특성 테스트 패턴 및 광특성테스트 방법 - Google Patents

Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 광특성 테스트 패턴 및 광특성테스트 방법 Download PDF

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KR100630727B1
KR100630727B1 KR1020040115046A KR20040115046A KR100630727B1 KR 100630727 B1 KR100630727 B1 KR 100630727B1 KR 1020040115046 A KR1020040115046 A KR 1020040115046A KR 20040115046 A KR20040115046 A KR 20040115046A KR 100630727 B1 KR100630727 B1 KR 100630727B1
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South Korea
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image sensor
cmos image
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Abstract

CMOS 이미지 센서의 특성을 테스트하는 데 소요되는 시간을 줄일 수 있게 하는 CMOS 이미지 센서의 광특성 테스트 패턴 및 이를 이용한 테스트 방법이 개시된다. 상기 테스트 패턴을 이용하는 테스트 방법에서는, CMOS 이미지 센서 칩에 광특성을 모니터링하기 위한 테스트 패턴 영역을 설정하고, 정상 크기를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이와 상기 정상 크기에 비례하는 크기를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이들을 상기 테스트 패턴 영역 내에 함께 배치한 후, 상기 테스트 패턴 내에 배치된 화소 어레이들을 이용하여 소정의 단일 조도에서 상기 CMOS 이미지 센서의 광특성을 테스트하는 것을 특징으로 한다.

Description

ＣＭＯＳ 이미지 센서의 광특성 테스트 패턴 및 광특성 테스트 방법{Test pattern and method for testing optical characteristics of CMOS image sensor}
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 CMOS 이미지 센서의 광특성 테스트 패턴을 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 화소 어레이 영역들 내의 단위 화소의 회로를 나타내는 도면이다.
도 3은 상기 단위 화소의 레이아웃을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 CMOS 이미지 센서의 광특성 테스트 패턴을 나타내는 도면이다.
도 5는 도 3에 도시된 단위 화소의 레이아웃에서 A-A'에 대한 단면도를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 제3실시예에 따른 CMOS 이미지 센서의 광특성 테스트 패턴을 나타내는 도면이다.
본 발명은 CMOS 이미지 센서에 관한 것으로, 특히 CMOS 이미지 센서의 광특 성 테스트 패턴 및 광특성 테스트 방법에 관한 것이다.
이미지 센서라 함은 광학 영상(optical image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체 소자로서, 전하 결합 소자(Charge Coupled Device, CCD)와 CMOS 이미지 센서가 있다. CCD는 개개의 MOS 커패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 커패시터에 저장되고 이송되는 소자이다. CMOS 이미지 센서는 제어 회로(Control circuit)와 신호 처리 회로(Signal processing circuit)를 주변 회로로 사용하고, CMOS 기술을 이용하여 화소수 만큼의 MOS 트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력(output)을 검출하는 스위칭 방식의 소자이다.
CCD는 구동 방식이 복잡하고 전력 소모가 많으며 반도체 제조 공정상 마스크 스텝 수가 많아 공정이 복잡한 단점을 지닌다. 그리고, CCD는 신호 처리 회로를 CCD 내에 구현할 수 없어 원-칩(One-Chip)화가 곤란한 단점을 지닌다. 이러한 CCD의 단점을 극복하기 위하여 서브-마이크론(sub-micron) CMOS 제조 기술을 이용한 CMOS 이미지 센서의 개발이 많이 연구되고 있다.
CMOS 이미지 센서는 단위 화소(Unit Pixel) 내에 포토 다이오드와 MOS 트랜지스터를 형성시켜 스위칭 방식으로 차례로 신호를 검출함으로써 이미지를 구현한다. CMOS 이미지 센서는 CMOS 제조 기술을 이용하므로 전력 소모가 적고 CCD 공정에 비해 그 공정이 단순하다. 그리고 CMOS 이미지 센서는 여러개의 신호 처리 회로와 원-칩화가 가능하여 차세대 이미지 센서로 각광을 받고 있다.
CMOS 이미지 센서는 입사되는 빛의 광자(Photon) 량에 따라 포토 다이오드에서 생성되는 전자들의 수에 의해 이미지를 형성하는 소자이다. 따라서 이미지 센서 제품을 출시하기 전에 입사되는 광자 량에 따른 이미지 센서의 특성을 테스트하는 것은 매우 중요한 일이다. 대표적으로 광자 량에 따른 이미지 센서의 특성을 나타내는 요소로는 감도(sensitivity), 양자효율(Quantum Efficiency), 변환 이득(Conversion Gain), S/N 비율(Signal to Noise Ratio), 및 광자 주사 잡음(Photon Shot Noise) 등이 있다.
이러한 특성을 관찰하기 위해서는 외부에서 입사하는 광자 량을 조절하여 조도(Lux)를 변경해 각 조도(Lux)에 따른 이미지 센서의 특성을 매번 모니터링(Monitoring) 해야 한다. 그런데 이와 같이 조도를 변경해 가며 이미지 센서의 특성을 테스트하는 것은 매우 많은 시간을 요구하며 결국 CMOS 이미지 센서의 제품 원가(cost)를 증가시키는 결과를 초래한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 CMOS 이미지 센서의 특성을 테스트하는 데 소요되는 시간을 줄일 수 있게 하는 CMOS 이미지 센서의 광특성 테스트 패턴을 제공하는 데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 CMOS 이미지 센서의 특성을 테스트하는 데 소요되는 시간을 줄일 수 있게 하는 CMOS 이미지 센서의 광특성 테스트 방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일면(Aspect)에 따른 CMOS 이미지 센서의 광특성 테스트 패턴은, 광학적으로 블록킹(Optically Blocking)된 포토 다이 오드들을 포함하는 화소 어레이 영역, 정상 크기를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이 영역, 및 상기 정상 크기에 비례하는 크기를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 복수개의 화소 어레이 영역들을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 일면(Aspect)에 따른 CMOS 이미지 센서의 광특성 테스트 패턴은, 광학적으로 블록킹(Optically Blocking)된 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이 영역, 정상 크기의 개구(open hole)를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이 영역, 및 상기 정상 크기에 비례하는 크기의 개구를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 복수개의 화소 어레이 영역들을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 일면(Aspect)에 따른 CMOS 이미지 센서의 광특성 테스트 패턴은, 광학적으로 블록킹(Optically Blocking)된 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이 영역, 정상 두께 또는 정상 농도의 칼러 필터를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이 영역, 및 상기 정상 두께 또는 상기 정상 농도에 비례하는 두께 또는 농도의 칼러 필터를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 복수개의 화소 어레이 영역들을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일면(Aspect)에 따른 CMOS 이미지 센서의 광특성 테스트 방법은, CMOS 이미지 센서 칩에 광특성을 모니터링하기 위한 테스트 패턴 영역을 설정하는 단계, 정상 크기를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이를 상기 테스트 패턴 영역 내에 배치하는 단계, 상기 정상 크기에 비례하는 크기를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 복수개의 화소 어레이들을 상기 테스트 패턴 영역 내에 배치하는 단계, 및 상기 테스트 패턴 내에 배치된 화소 어레이들을 이용하여, 소정의 단일 조도에서 상기 CMOS 이미지 센서의 광특성을 테스트하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 일면(Aspect)에 따른 CMOS 이미지 센서의 광특성 테스트 방법은, CMOS 이미지 센서 칩에 광특성을 모니터링하기 위한 테스트 패턴 영역을 설정하는 단계, 정상 크기의 개구(open hole)를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이를 상기 테스트 패턴 영역 내에 배치하는 단계, 상기 정상 크기에 비례하는 크기의 개구를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 복수개의 화소 어레이들을 상기 테스트 패턴 영역 내에 배치하는 단계, 및 상기 테스트 패턴 내에 배치된 화소 어레이들을 이용하여, 소정의 단일 조도에서 상기 CMOS 이미지 센서의 광특성을 테스트하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 일면(Aspect)에 따른 CMOS 이미지 센서의 광특성 테스트 방법은, CMOS 이미지 센서 칩에 광특성을 모니터링하기 위한 테스트 패턴 영역을 설정하는 단계, 정상 두께 또는 정상 농도의 칼러 필터를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이를 상기 테스트 패턴 영역 내에 배치하는 단계, 상기 정상 두께 또는 상기 정상 농도에 비례하는 두께 또는 농도의 칼러 필터를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 복수개의 화소 어레이들을 상기 테스트 패턴 영역 내에 배치하는 단계, 및 상기 테스트 패턴 내에 배치된 화소 어레이들을 이용하여, 소정의 단일 조도에서 상기 CMOS 이미지 센서의 광특성을 테스트하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 예시적인 실시예를 설명하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 CMOS 이미지 센서의 광특성 테스트 패턴을 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 광특성 테스트 패턴(10)은, 광학적으로 블록킹(Optically Blocking)된 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이 영역(11), 정상 크기를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이 영역(12), 및 상기 정상 크기에 비례하는 크기를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 복수개의 화소 어레이 영역들(13-15)을 구비한다.
예컨대 화소 어레이 영역(13)은 상기 정상 크기에 0.8배 비례하는 크기를 갖는 포토 다이오드들을 포함할 수 있고, 화소 어레이 영역(14)은 상기 정상 크기에 0.6배 비례하는 크기를 갖는 포토 다이오드들을 포함할 수 있고, 화소 어레이 영역(15)은 상기 정상 크기에 0.4배 비례하는 크기를 갖는 포토 다이오드들을 포함할 수 있다. 여기에서 상기 정상 크기는 실제 CMOS 이미지 센서 칩에 사용되는 포토 다이오드들의 크기를 의미한다.
도 2는 도 1에 도시된 화소 어레이 영역들(11-15) 내의 단위 화소의 회로를 나타내는 도면이고 도 3은 상기 단위 화소의 레이아웃을 나타내는 도면이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 단위 화소(20)는 빛의 광자(photon)을 받아 전자를 생성하는 포토 다이오드(PD), 포토 다이오드(PD)에서 생성된 전자를 플로팅 확산(floating diffusion) 영역(FD)으로 전달하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터(21), 플로팅 확산 영역(FD)의 전위를 원하는 값으로 셋팅하고 전하를 배출하여 플로팅 확산 영역(FD)을 리셋시키기 위한 리셋 트랜지스터(22), 소스 팔로우 버퍼 증폭기(Source Follower Buffer Amplifier) 역할을 하는 드라이브 트랜지스터(23), 및 어드레싱(Addressing)을 할 수 있도록 하는 셀렉트(select) 트랜지스터(24)를 구비한다. 셀렉트(select) 트랜지스터(24)를 통해 출력 전압(Vout)이 출력된다.
여기에서 트랜스퍼 트랜지스터(21)의 게이트에는 전달 제어신호(TG)가 인가되고 리셋 트랜지스터(22)의 게이트에는 리셋 제어신호(RG)가 인가된다. 그리고 드라이브 트랜지스터(23)의 게이트에는 플로팅 확산 영역(FD)이 연결되고 셀렉트 트랜지스터(24)의 게이트에는 선택 제어신호(SEG)가 인가된다.
도 1의 본 발명의 제1실시예에 따른 광특성 테스트 패턴을 이용하여 CMOS 이미지 센서의 광특성을 테스트하는 방법을 좀더 설명하면 다음과 같다. 일반적으로 CMOS 이미지 센서에서는 포토 다이오드(PD)의 크기에 비례하여, 입사되는 빛의 광자(photon)에 의해 광전 변환되는 전자의 수가 결정된다. 즉, 특정 조도에서 생성되는 전자의 수는 포토 다이오드의 크기에 따라 달라지게 된다.
따라서 상기 제1실시예에 따른 광특성 테스트 패턴을 이용하는 테스트 방법에서는, CMOS 이미지 센서 칩에 광특성을 모니터링하기 위한 테스트 패턴 영역(10) 을 설정하고, 정상 크기를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이(12)와 상기 정상 크기에 비례하는 크기를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이들(13,14,15)을 상기 테스트 패턴 영역(10) 내에 함께 배치한 후, 상기 테스트 패턴 내에 배치된 화소 어레이들(12-15)을 이용하여, 소정의 단일 조도에서 상기 CMOS 이미지 센서의 광특성을 테스트한다.
따라서 상기 제1실시예에 따른 광특성 테스트 패턴을 이용하는 테스트 방법에서는, 서로 다른 크기를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이들을 이용하여 이미지 센서의 광특성을 테스트하므로 조도를 변경시키는 것과 동일한 효과를 볼 수 있다. 특히 조도를 변경시키지 않고 단일 조도에서 광특성을 테스트하게 되므로 이미지 센서의 특성을 테스트하는 데 소요되는 시간을 줄일 수 있다.
한편 CMOS 이미지 센서의 대표적인 광특성으로는 감도(sensitivity), 변환이득(conversion gain), S/N 비율(signal to noise ratio), 양자효율(quantum efficiency), 및 광자 주사 잡음(photon shot noise) 등이 있다.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 CMOS 이미지 센서의 광특성 테스트 패턴을 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 광특성 테스트 패턴(40)은, 광학적으로 블록킹(Optically Blocking)된 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이 영역(41), 정상 크기의 개구(open hole)를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이 영역(42), 및 상기 정상 크기에 비례하는 크기의 개구를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 복수개의 화소 어레이 영역들(43-45)을 구비한다.
예컨대 화소 어레이 영역(43)은 상기 정상 크기에 0.8배 비례하는 크기의 개구를 갖는 포토 다이오드들을 포함할 수 있고, 화소 어레이 영역(44)은 상기 정상 크기에 0.6배 비례하는 크기의 개구를 갖는 포토 다이오드들을 포함할 수 있고, 화소 어레이 영역(45)은 상기 정상 크기에 0.4배 비례하는 크기의 개구를 갖는 포토 다이오드들을 포함할 수 있다. 여기에서 상기 정상 크기는 실제 CMOS 이미지 센서 칩에 사용되는 포토 다이오드들의 개구(open hole)의 크기를 의미한다.
도 5는 도 3에 도시된 단위 화소의 레이아웃에서 A-A'에 대한 단면도를 나타내는 도면이다. 여기에서 METAL1 내지 METAL3는 메탈라인들을 나타내고 CF는 칼러필터를 나타내고 ML는 마이크로 렌즈를 나타내며 PL1 및 PL2는 평탄화 층(planarization layer)을 나타낸다. L은 탑(top) 메탈라인들 간의 간격을 나타내며 상술한 빛이 통과하는 포토 다이오드의 개구(open hole)에 해당한다.
제1메탈(METAL1)은 예컨대 도 3에 도시된 출력 전압(Vout) 및 드라이브 트랜지스터(23)와 FD 간의 연결을 위해 사용되고, 제2메탈(METAL2)는 도 3에 도시된 RG 신호, TG 신호, SEL 신호 라우팅을 위해 사용된다. 제3메탈(METAL3)는 전원전압 라우팅 및 광학적 쉴드(optical shield)를 위해 사용된다.
도 4의 본 발명의 제2실시예에 따른 광특성 테스트 패턴을 이용하여 CMOS 이미지 센서의 광특성을 테스트하는 방법을 좀더 설명하면 다음과 같다. CMOS 이미지 센서에서는 포토 다이오드(PD)의 크기 뿐만 아니라 포토 다이오드의 개구(L)의 크기에 비례하여, 입사되는 빛의 광자(photon)에 의해 광전 변환되는 전자의 수가 결정될 수 있다. 즉, 특정 조도에서 생성되는 전자의 수는 포토 다이오드의 개구(L) 의 크기에 따라 달라질 수도 있다.
따라서 상기 제2실시예에 따른 광특성 테스트 패턴을 이용하는 테스트 방법에서는, CMOS 이미지 센서 칩에 광특성을 모니터링하기 위한 테스트 패턴 영역(40)을 설정하고, 정상 크기의 개구(open hole)를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이(42)와 상기 정상 크기에 비례하는 크기의 개구를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이들(43,44,45)을 상기 테스트 패턴 영역(40) 내에 함께 배치한 후, 상기 테스트 패턴 내에 배치된 화소 어레이들(42-45)을 이용하여, 소정의 단일 조도에서 상기 CMOS 이미지 센서의 광특성을 테스트한다.
따라서 상기 제2실시예에 따른 광특성 테스트 패턴을 이용하는 테스트 방법에서는, 서로 다른 크기의 개구(open hole)를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이들을 이용하여 이미지 센서의 광특성을 테스트하므로 조도를 변경시키는 것과 동일한 효과를 볼 수 있다. 특히 조도를 변경시키지 않고 단일 조도에서 광특성을 테스트하게 되므로 이미지 센서의 특성을 테스트하는 데 소요되는 시간을 줄일 수 있다.
도 6은 본 발명의 제3실시예에 따른 CMOS 이미지 센서의 광특성 테스트 패턴을 나타내는 도면이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 제3실시예에 따른 광특성 테스트 패턴(60)은, 광학적으로 블록킹(Optically Blocking)된 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이 영역(61), 정상 두께 또는 정상 농도의 칼러 필터(도 5의 CF)를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이 영역(62), 및 상기 정상 두께 또는 상기 정상 농도 에 비례하는 두께 또는 농도의 칼러 필터를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 복수개의 화소 어레이 영역들(63-65)을 구비한다.
예컨대 화소 어레이 영역(63)은 상기 정상 두께 또는 상기 정상 농도에 0.8배 비례하는 두께 또는 농도의 칼러 필터를 갖는 포토 다이오드들을 포함할 수 있고, 화소 어레이 영역(64)은 상기 정상 두께 또는 상기 정상 농도에 0.6배 비례하는 두께 또는 농도의 칼러 필터를 갖는 포토 다이오드들을 포함할 수 있고, 화소 어레이 영역(65)은 상기 정상 두께 또는 상기 정상 농도에 0.4배 비례하는 두께 또는 농도의 칼러 필터를 갖는 포토 다이오드들을 포함할 수 있다. 여기에서 상기 정상 두께 및 상기 정상 농도는 실제 CMOS 이미지 센서 칩에 사용되는 칼러 필터(CF)의 두께 및 농도를 의미한다.
도 6의 본 발명의 제3실시예에 따른 광특성 테스트 패턴을 이용하여 CMOS 이미지 센서의 광특성을 테스트하는 방법을 좀더 설명하면 다음과 같다. CMOS 이미지 센서에서는 칼러필터(CF)의 두께 또는 농도에 따라 빛의 광자(photon)에 의해 광전 변환되는 전자의 수가 조절될 수도 있다. 즉, 특정 조도에서 생성되는 전자의 수는 칼러필터(CF)의 두께 또는 농도에 따라 달라질 수도 있다.
따라서 상기 제3실시예에 따른 광특성 테스트 패턴을 이용하는 테스트 방법에서는, CMOS 이미지 센서 칩에 광특성을 모니터링하기 위한 테스트 패턴 영역(60)을 설정하고, 정상 두께 또는 정상 농도의 칼러 필터(CF)를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이(62)와 상기 정상 두께 또는 상기 정상 농도에 비례하는 두께 또는 농도의 칼러 필터를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 복수개의 화소 어 레이들(63-65)을 상기 테스트 패턴 영역(60) 내에 함께 배치한 후, 상기 테스트 패턴 내에 배치된 화소 어레이들(62-65)을 이용하여, 소정의 단일 조도에서 상기 CMOS 이미지 센서의 광특성을 테스트한다.
따라서 상기 제3실시예에 따른 광특성 테스트 패턴을 이용하는 테스트 방법에서는, 서로 다른 두께 또는 농도의 칼러 필터를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이들을 이용하여 이미지 센서의 광특성을 테스트하므로 조도를 변경시키는 것과 동일한 효과를 볼 수 있다. 특히 조도를 변경시키지 않고 단일 조도에서 광특성을 테스트하게 되므로 이미지 센서의 특성을 테스트하는 데 소요되는 시간을 줄일 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 광특성 테스트 패턴을 이용하는 테스트 방법에서는, 조도를 변경시키지 않고 단일 조도에서 광특성을 테스트하게 되므로 이미지 센서의 특성을 테스트하는 데 소요되는 시간을 줄일 수 있는 장점이 있다.

Claims (12)

  1. 정상 크기를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이 영역; 및
    상기 정상 크기에 비례하는 크기를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 복수개의 화소 어레이 영역들을 구비하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 광특성 테스트 패턴.
  2. 제1항에 있어서,
    광학적으로 블록킹(Optically Blocking)된 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이 영역을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 광특성 테스트 패턴.
  3. 정상 크기의 개구(open hole)를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이 영역; 및
    상기 정상 크기에 비례하는 크기의 개구를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 복수개의 화소 어레이 영역들을 구비하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 광특성 테스트 패턴.
  4. 제3항에 있어서,
    광학적으로 블록킹(Optically Blocking)된 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이 영역을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 광특성 테스트 패턴.
  5. 정상 두께 또는 정상 농도의 칼러 필터를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이 영역; 및
    상기 정상 두께 또는 상기 정상 농도에 비례하는 두께 또는 농도의 칼러 필터를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 복수개의 화소 어레이 영역들을 구비하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 광특성 테스트 패턴.
  6. 제5항에 있어서,
    광학적으로 블록킹(Optically Blocking)된 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이 영역을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 광특성 테스트 패턴.
  7. CMOS 이미지 센서 칩에 광특성을 모니터링하기 위한 테스트 패턴 영역을 설정하는 단계;
    정상 크기를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이를 상기 테스트 패턴 영역 내에 배치하는 단계;
    상기 정상 크기에 비례하는 크기를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 복수개의 화소 어레이들을 상기 테스트 패턴 영역 내에 배치하는 단계;
    상기 테스트 패턴 내에 배치된 화소 어레이들을 이용하여, 소정의 단일 조도에서 상기 CMOS 이미지 센서의 광특성을 테스트하는 단계를 구비하는 것을 특징으 로 하는 CMOS 이미지 센서의 광특성 테스트 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 CMOS 이미지 센서의 광특성은 감도(sensitivity), 변환이득(conversion gain), S/N 비율(signal to noise ratio), 양자효율(quantum efficiency), 및 광자 주사 잡음(photon shot noise)중 하나인 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 광특성 테스트 방법.
  9. CMOS 이미지 센서 칩에 광특성을 모니터링하기 위한 테스트 패턴 영역을 설정하는 단계;
    정상 크기의 개구(open hole)를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이를 상기 테스트 패턴 영역 내에 배치하는 단계;
    상기 정상 크기에 비례하는 크기의 개구를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 복수개의 화소 어레이들을 상기 테스트 패턴 영역 내에 배치하는 단계;
    상기 테스트 패턴 내에 배치된 화소 어레이들을 이용하여, 소정의 단일 조도에서 상기 CMOS 이미지 센서의 광특성을 테스트하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 광특성 테스트 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 CMOS 이미지 센서의 광특성은 감도(sensitivity), 변환이득(conversion gain), S/N 비율(signal to noise ratio), 양자효율(quantum efficiency), 및 광자 주사 잡음(photon shot noise)중 하나인 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 광특성 테스트 방법.
  11. CMOS 이미지 센서 칩에 광특성을 모니터링하기 위한 테스트 패턴 영역을 설정하는 단계;
    정상 두께 또는 정상 농도의 칼러 필터를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 화소 어레이를 상기 테스트 패턴 영역 내에 배치하는 단계;
    상기 정상 두께 또는 상기 정상 농도에 비례하는 두께 또는 농도의 칼러 필터를 갖는 포토 다이오드들을 포함하는 복수개의 화소 어레이들을 상기 테스트 패턴 영역 내에 배치하는 단계;
    상기 테스트 패턴 내에 배치된 화소 어레이들을 이용하여, 소정의 단일 조도에서 상기 CMOS 이미지 센서의 광특성을 테스트하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 광특성 테스트 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 CMOS 이미지 센서의 광특성은 감도(sensitivity), 변환이득(conversion gain), S/N 비율(signal to noise ratio), 양자효율(quantum efficiency), 및 광자 주사 잡음(photon shot noise)중 하나인 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 광특성 테스트 방법.
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