KR100770586B1 - 발광 다이오드 및 그 형성방법 - Google Patents

Abstract

발광 다이오드 및 그 형성방법이 제공된다. 상기 발광 다이오드는 기판 상의 반사층, 상기 반사층 상의 투명 전극막, 상기 투명 전극막 상의 발광 구조체 및 상기 투명 전극막에 제공되며, 상기 발광 구조체와 상기 반사층을 연결하는 오믹 콘택 패턴을 포함하되, 상기 오믹 콘택 패턴의 하부면은 상기 반사층의 상부면과 접촉하며, 상기 오믹 콘택 패턴의 하부면과 상기 투명 전극막의 하부면은 실질적으로 동일한 평면을 이룬다.

발광 다이오드, 투명 전극막, 오믹 콘택 패턴, 반사층

Description

발광 다이오드 및 그 형성방법{LIGHT-EMITTING DIODE AND METHOD OF FORMING THE SAME}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.

도 3a 내지 3e는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드의 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 4a 내지 4e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드의 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

100: 제 1 기판 110: 반사층

120: 투명 전극막 130: 오믹 콘택 패턴

140: p형층 150: 활성층

160: n형층

본 발명은 반도체 소자 및 그 형성방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 발광 다이오드 및 그 형성방법에 관한 것이다.

발광 다이오드(light-emitting diode:LED)는 순방향 전압이 인가되면 소정 파장의 빛이 방출되는 현상인 전기발광효과(electroluminescence)를 이용한 반도체 소자이다. 발광 다이오드로부터 방출되는 빛의 파장은 발광 반도체의 밴드 갭(band gap: Eg)에 의해 결정된다. 발광(light emission)은 발광 다이오드의 n형 반도체 및 p형 반도체 사이에 개재된 활성층에서 일어난다.

발광 다이오드의 중요한 지수는 외부 양자 효율(external quantum efficiency)이다. 외부 양자 효율은 입력 전력에 대한 광출력으로 정의되며, 내부 효율과 광추출 효율의 곱으로 나타낼 수 있다. 상기 내부 효율은 발광 다이오드 물질의 품질과 층의 구조 및 성분에 의하여 결정될 수 있다. 상기 내부 효율이 높다고 하더라도, 상기 활성층에서 생성된 광자가 모두 밖으로 나오는 것은 아니다. 상기 활성층에서 생성된 광자들은 다양한 방출 각도를 가지므로, 생성된 광자 중 일부만이 발광에 이용되고 있어 광추출 효율이 낮다. 따라서, 원하는 방출 각도를 벗어나는 광자를 외부로 반사시키기 위한 반사층이 필요하다. 상기 반사층과 p형 반도체 사이에 오믹 콘택(ohmic contact)을 형성하면서 높은 투과율을 가지는 추가적인 층이 연구되고 있다. 또한, 상기 추가적인 층은 상기 반사층과의 접합력(adhesion)이 우수해야 한다.

본 발명의 일 목적은 반사층과 접합력이 우수한 투명 전극막을 가지는 발광 다이오드 및 그 형성방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 높은 투과율을 가지는 투명 전극막과 접촉 저항을 개선하는 오믹 콘택 패턴을 가지는 발광 다이오드 및 그 형성방법에 관한 것이다.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드는 기판 상의 반사층, 상기 반사층 상의 투명 전극막, 상기 투명 전극막 상의 발광 구조체 및 상기 투명 전극막에 제공되며, 상기 발광 구조체와 상기 반사층을 연결하는 오믹 콘택 패턴을 포함하되, 상기 오믹 콘택 패턴의 하부면은 상기 반사층의 상부면과 접촉하며, 상기 오믹 콘택 패턴의 하부면과 상기 투명 전극막의 하부면은 실질적으로 동일한 평면을 이룬다.

상기 오믹 콘택 패턴은 베릴륨과 금 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 투명 전극막은 인듐 주석 산화막(Indium Tin Oxide)을 포함할 수 있다. 상기 반사층은 금 또는 은을 포함할 수 있다.

본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드는 기판 상의 반사층, 상기 반사층 상의 투명 전극막, 상기 투명 전극막 상의 피형층, 활성층 및 엔형층을 포함하는 발광 구조체 및 상기 피형층의 하부(lower portion)에 제공되는 오믹 콘택 패턴을 포함하되, 상기 오믹 콘택 패턴의 하부면과 상기 피형층의 하부면은 실질적으로 동일한 평면을 이룬다.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드의 형성방법은 제 1 기판을 준비 하는 것, 상기 제 1 기판 상에 발광 구조체를 형성하는 것, 상기 발광 구조체 상에 오믹 콘택 패턴을 형성하는 것, 상기 발광 구조체 상에 상기 오믹 콘택 패턴의 상부면과 실질적으로 동일한 높이의 상부면을 가지는 투명 전극막을 형성하는 것 그리고 상기 오믹 콘택 패턴과 상기 투명 전극막 상에 반사층을 형성하는 것을 포함한다.

상기 오믹 콘택 패턴을 형성하는 것은 상기 발광 구조체 상에 오믹 금속막을 형성하는 것, 상기 오믹 금속막 상에 포토 레지스트 패턴을 형성하는 것 그리고 상기 포토 레지스트 패턴을 마스크로 식각 공정을 진행하는 것을 포함할 수 있다.

상기 투명 전극막을 형성하는 것은 상기 포토 레지스트 패턴을 덮는 예비 투명 전극막을 형성하는 것 그리고 상기 포토 레지스트 패턴을 제거하는 것을 포함할 수 있다.

상기 포토 레지스트 패턴을 제거하는 것은 상기 포토 레지스트 패턴 상의 상기 예비 투명 전극막을 리프트-오프하여 제거하는 것을 포함할 수 있다.

상기 발광 다이오드의 형성방법은 상기 반사층 상에 제 2 기판을 접합하는 것, 상기 제 1 기판을 제거하여 상기 발광 구조체를 노출하는 것 그리고 상기 발광 구조체 상에 엔형 전극을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.

본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드의 형성방법은 제 1 기판을 준비하는 것, 상기 제 1 기판 상에 엔형층, 활성층 및 피형층을 포함하는 발광 구조체를 형성하는 것, 상기 피형층의 상부(upper portion)에 오믹 콘택 패턴을 형성하는 것, 상기 피형층 및 상기 오믹 콘택 패턴 상에 투명 전극막을 형성하는 것 그리 고 상기 투명 전극막 상에 반사층을 형성하는 것을 포함하되, 상기 오믹 콘택 패턴의 상부면은 상기 피형층의 상부면과 실질적으로 동일한 높이를 가지도록 형성된다.

상기 오믹 콘택 패턴을 형성하는 것은 상기 피형층 상에 상기 오믹 콘택 패턴이 형성될 영역을 노출하는 포토 레지스트 패턴을 형성하는 것, 상기 포토 레지스트 패턴을 덮는 오믹 금속막을 형성하는 것 그리고 상기 포토 레지스트 패턴을 제거하는 것을 포함할 수 있다.

상기 포토 레지스트 패턴을 제거하는 것은 상기 포토 레지스트 패턴 상의 상기 오믹 금속막을 리프트-오프하여 제거하는 것을 포함할 수 있다.

이하, 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 및 그 형성방법을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.

도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 또한, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도 이다.

도 1을 참조하면, 기판(100) 상에 반사층(110)이 제공된다. 상기 기판(100)은 전도성을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(100)은 인(P)이 도핑된 실리콘 기판일 수 있다. 상기 반사층(110)은 발광 다이오드의 파장대의 광자를 반사시키는 데 적합한 금속, 예를 들면 은(Ag) 또는 금(Au)을 포함할 수 있다. 상기 기판(100)과 상기 반사층(110) 사이에 접합 메탈(bonding metal)이 개재될 수 있다. 상기 반사층(110) 상에 투명 전극막(120)이 제공된다. 상기 투명 전극막(120)은 높은 투과율(약 90%)를 가지는 인듐 주석 산화막(Indium Tin Oxide:ITO)을 포함할 수 있다. 상기 투명 전극막(120) 상에 p형층(140)이 제공된다. 상기 p형층(140)은 레드(red) 발광 다이오드에 사용되는 GaP를 포함할 수 있다.

상기 투명 전극막(120)에 상기 p형층(140)과 상기 반사층(110)을 연결하는 오믹 콘택 패턴(130)이 제공된다. 상기 오믹 콘택 패턴(130)은 베릴륨(Be) 또는 금(Au) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 오믹 콘택 패턴(130)은 상기 반사층(110)과 상기 p형층(140)이 직접 접촉하여 저항이 높아지는 것을 방지하는 역할을 한다. 또한, 상기 오믹 콘택 패턴(130)은 상기 투명 전극막(120)의 일함수(work function)가 상기 p형층(140)의 일함수와 차이가 나기 때문에 제공되는 것이다. 상기 오믹 콘택 패턴(130)의 하부면은 상기 반사층(110)의 상부면과 접촉하며, 상기 오믹 콘택 패턴(130)의 하부면은 상기 투명 전극막(120)의 하부면과 실질적으로 동일한 평면을 이룬다. 따라서, 상기 반사층(110)과 상기 투명 전극막(120)의 접합력(adhesion)이 개선될 수 있다.

상기 p형층(140) 상에 활성층(150)이 제공된다. 상기 활성층(150)은 다중양자우물(multi-quantum well:MQW)을 가지는 물질을 포함할 수 있다. 상기 활성층(150) 상에 n형층(160)이 제공된다. 이에 의해, 발광 구조체는 p형층(140), 활성층(150) 및 n형층(160)을 포함할 수 있다. 상기 n형층(160) 상에 n형 전극(170)이 제공된다. n형 전극(170)은 외부 양자 효율을 향상시키는 투명 전극일 수 있다.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.

도 2를 참조하면, 기판(200) 상에 반사층(210)이 제공된다. 상기 기판(200)은 전도성을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(200)은 인(P)이 도핑된 실리콘 기판일 수 있다. 상기 반사층(210)은 발광 다이오드의 파장대의 광자를 반사시키는 데 적합한 금속, 예를 들면 은(Ag) 또는 금(Au)을 포함할 수 있다. 상기 기판(200)과 상기 반사층(210) 사이에 접합 메탈(bonding metal)이 개재될 수 있다. 상기 반사층(210) 상에 투명 전극막(220)이 제공된다. 상기 투명 전극막(220)은 높은 투과율(약 90%)를 가지는 인듐 주석 산화막(Indium Tin Oxide:ITO)을 포함할 수 있다. 상기 투명 전극막(220) 상에 p형층(240)이 제공된다. 상기 p형층(240)은 레드(red) 발광 다이오드에 사용되는 GaP를 포함할 수 있다.

상기 p형층(240)의 하부(lower portion)에 상기 투명 전극막(220)과 접촉하는 오믹 콘택 패턴(230)이 제공된다. 상기 오믹 콘택 패턴(230)은 베릴륨(Be) 또는 금(Au) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 오믹 콘택 패턴(230)은 상기 반사층(210)과 상기 p형층(240)이 직접 연결되면 저항이 높아지는 것을 방지하는 역할을 한다. 또한, 상기 오믹 콘택 패턴(230)은 상기 투명 전극막(220)의 일함수(work function)가 상기 p형층(240)의 일함수와 차이가 나기 때문에 제공되는 것이다. 상기 오믹 콘택 패턴(230)의 하부면은 상기 p형층(240)의 하부면과 실질적으로 동일한 평면을 이룬다. 따라서, 상기 반사층(210)과 상기 투명 전극막(220)의 접합력(adhesion) 및 상기 투명 전극막(220)과 p형층(240)의 접합력이 개선될 수 있다.

상기 p형층(240) 상에 활성층(250)이 제공된다. 상기 활성층(250)은 다중양자우물(multi-quantum well:MQW)을 가지는 물질을 포함할 수 있다. 상기 활성층(250) 상에 n형층(260)이 제공된다. 이에 의해, 발광 구조체는 p형층(240), 활성층(250) 및 n형층(260)을 포함할 수 있다. 상기 n형층(260) 상에 n형 전극(270)이 제공된다. n형 전극(270)은 외부 양자 효율을 향상시키는 투명 전극일 수 있다.

도 3a 내지 3e는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드의 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 3a를 참조하면, 제 1 기판(180) 상에 n형층(160), 활성층(150) 및 p형층(140)이 차례로 성장된다. 상기 제 1 기판(180)은 GaAs를 포함할 수 있다. 상기 활성층(150)은 다중양자우물(multi-quantum well:MQW)을 가지는 물질로 형성될 수 있다. 상기 p형층(140)은 GaP를 포함할 수 있다. 이에 의하여, 발광 구조체는 상기 n형층(160), 활성층(150) 및 p형층(140)을 포함할 수 있다.

도 3b를 참조하면, 상기 p형층(140) 상에 오믹 금속막(130a)이 형성된다. 상기 오믹 금속막(130a)은 베릴륨(Be) 또는 금(Au) 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 상기 오믹 금속막(130a) 상에 포토 레지스트 패턴(135)이 형성된다. 상기 포토 레지스트 패턴(135)은 아래에서 설명된 오믹 콘택 패턴(130)이 형성될 영역에 형성될 수 있다.

도 3c를 참조하면, 상기 포토 레지스트 패턴(135)을 마스크로 식각 공정을 진행하여 오믹 콘택 패턴(130)이 형성된다. 상기 오믹 콘택 패턴(130)은 상기 p형층(140)과 금속층이 직접 접촉하는 것을 방지하는 역할을 한다. 상기 포토 레지스트 패턴(135) 및 상기 p형층(140)을 덮는 예비 투명 전극막(120a)이 형성된다. 상기 예비 투명 전극막(120a)은 인듐 주석 산화막(Indium Tin Oxide:ITO)으로 형성될 수 있다. 상기 예비 투명 전극막(120a)은 스퍼터링(sputtering) 방법으로 형성될 수 있다. 상기 스퍼터링 방법은 측벽 커버리지를 감소시키도록 방향성이 강화된 것일 수 있다. 따라서, 상기 포토 레지스트 패턴(135)의 측벽이 노출되거나 상대적으로 얇은 상기 예비 투명 전극막(120a)이 형성될 수 있다.

도 3d를 참조하면, 상기 포토 레지스트 패턴(135)이 제거되어, 상기 p형층(140) 상에 투명 전극막(120)이 형성된다. 상기 포토 레지스트 패턴(135)을 제거하는 것은 상기 포토 레지스트 패턴(135) 상의 상기 예비 투명 전극막(120a)을 리프트-오프(lift-off)하여 제거하는 것을 포함할 수 있다. 상기 투명 전극막(120)과 상기 오믹 콘택 패턴(130)은 실질적으로 동일한 높이의 상부면을 가질 수 있다.

도 3e를 참조하면, 상기 오믹 콘택 패턴(130)과 상기 투명 전극막(120) 상에 반사층(110)이 형성된다. 상기 반사층(110)은 은(Ag) 또는 금(Au)으로 형성될 수 있다. 상기 투명 전극막(120)과 상기 오믹 콘택 패턴(130)이 실질적으로 동일한 평 면을 이루므로, 상기 투명 전극막(120)과 상기 반사층(110)의 접합력(adhesion)이 향상될 수 있다. 상기 반사층(110) 상에 제 2 기판(100)이 접합된다. 상기 제 2 기판(100)은 실리콘 기판으로 형성될 수 있다. 상기 제 1 기판(180)이 제거되어 상기 발광 구조체가 노출된다. 상기 제 1 기판(180)은 예를 들면, 습식 식각 공정으로 제거될 수 있다. 상기 발광 구조체 상에 엔형 전극이 더 형성될 수 있다.

도 4a 내지 4e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드의 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 4a를 참조하면, 제 1 기판(280) 상에 n형층(260), 활성층(250) 및 예비 p형층(240a)이 차례로 성장된다. 상기 제 1 기판(280)은 GaAs를 포함할 수 있다. 상기 활성층(250)은 다중양자우물(multi-quantum well:MQW)을 가지는 물질로 형성될 수 있다. 상기 예비 p형층(240a)은 GaP를 포함할 수 있다.

도 4b를 참조하면, 상기 예비 p형층(240a) 상에 오믹 콘택 패턴이 형성될 영역을 노출하는 포토 레지스트 패턴(235)이 형성된다. 상기 포토 레지스트 패턴(235)을 마스크로 상기 예비 p형층(240a)에 식각 공정을 진행하여, p형층(240)이 형성된다. 이에 의하여, 발광 구조체는 상기 n형층(260), 활성층(250) 및 p형층(240)을 포함할 수 있다.

도 4c를 참조하면, 상기 포토 레지스트 패턴(235) 및 상기 p형층(240) 상에 오믹 금속막(230a)이 형성된다. 상기 오믹 금속막(230a)은 베릴륨(Be) 또는 금(Au) 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 상기 오믹 금속막(230a)은 스퍼터링 방법으로 형성될 수 있다. 상기 스퍼터링 방법은 측벽 커버리지를 감소시키도록 방향성이 강화 된 것일 수 있다. 따라서, 상기 포토 레지스트 패턴(235)의 측벽이 노출되거나 상대적으로 얇은 상기 오믹 금속막(230a)이 형성될 수 있다. 상기 p형층(240) 상의 오믹 금속막(230a)은 상기 p형층(240)의 상부면과 동일한 높이를 가지는 상부면을 가질 수 있다.

도 4d를 참조하면, 상기 포토 레지스트 패턴(235)을 제거하여 오믹 콘택 패턴(230)이 형성된다. 상기 포토 레지스트 패턴(235)을 제거하는 것은 상기 포토 레지스트 패턴(235) 상의 상기 오믹 금속막(230a)을 리프트-오프(lift-off)하여 제거하는 것을 포함할 수 있다. 상기 p형층(240) 및 상기 오믹 콘택 패턴(230) 상에 투명 전극막(220)이 형성된다. 상기 투명 전극막(220)은 인듐 주석 산화막(Indium Tin Oxide:ITO)으로 형성될 수 있다.

도 4e를 참조하면, 상기 투명 전극막(220) 상에 반사층(210)이 형성된다. 상기 반사층(210)은 은(Ag) 또는 금(Au)으로 형성될 수 있다. 상기 p형층(240)의 상부면과 상기 오믹 콘택 패턴(230)의 상부면이 실질적으로 동일한 평면을 이루므로, 상기 투명 전극막(220)과 상기 반사층(210)의 접합력(adhesion)이 향상될 수 있다. 상기 반사층(210) 상에 제 2 기판(200)이 접합된다. 상기 제 2 기판(200)은 실리콘 기판으로 형성될 수 있다. 상기 제 1 기판(280)이 제거되어 상기 발광 구조체가 노출된다. 상기 제 1 기판(280)은 예를 들면, 습식 식각 공정으로 제거될 수 있다. 상기 발광 구조체 상에 엔형 전극이 더 형성될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 투명 전극막의 상부면과 오믹 콘택 패턴의 상부면이 실질적으로 동일한 평면을 이룬다. 이에 따라, 투명 전극막과 반사층의 접합력이 향상될 수 있다.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, p형층의 상부면과 오믹 콘택 패턴의 상부면이 실질적으로 동일한 평면을 이룬다. 이에 따라, 투명 전극막과 반사층의 접합력이 향상될 수 있다.

Claims (13)

1. 기판 상의 반사층;

   상기 반사층 상의 투명 전극막;

   상기 투명 전극막 상의 발광 구조체; 및

   상기 투명 전극막에 제공되며, 상기 발광 구조체 및 상기 반사층에 직접 접촉하는 오믹 콘택 패턴을 포함하되,

   상기 오믹 콘택 패턴의 하부면은 상기 반사층의 상부면과 접촉하며,

   상기 오믹 콘택 패턴의 하부면과 상기 투명 전극막의 하부면은 동일한 평면을 이루는 발광 다이오드.
2. 청구항 1에 있어서,

   상기 오믹 콘택 패턴은 베릴륨과 금 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광 다이오드.
3. 청구항 1에 있어서,

   상기 투명 전극막은 인듐 주석 산화막(Indium Tin Oxide)을 포함하는 발광 다이오드.
4. 청구항 1에 있어서,

   상기 반사층은 금 또는 은을 포함하는 발광 다이오드.
5. 기판 상의 반사층;

   상기 반사층 상의 투명 전극막;

   상기 투명 전극막 상의 피형층, 활성층 및 엔형층을 포함하는 발광 구조체; 및

   상기 피형층의 하부(lower portion)에 제공되는 오믹 콘택 패턴을 포함하되,

   상기 오믹 콘택 패턴의 하부면과 상기 피형층의 하부면은 동일한 평면을 이루는 발광 다이오드.
6. 제 1 기판을 준비하는 단계;

   상기 제 1 기판 상에 발광 구조체를 형성하는 단계;

   상기 발광 구조체 상에 오믹 콘택 패턴을 형성하는 단계;

   상기 발광 구조체 상에 상기 오믹 콘택 패턴의 상부면과 동일한 높이의 상부면을 가지는 투명 전극막을 형성하는 단계; 그리고

   상기 오믹 콘택 패턴과 상기 투명 전극막 상에 반사층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 형성방법.
7. 청구항 6에 있어서,

   상기 오믹 콘택 패턴을 형성하는 단계는:

   상기 발광 구조체 상에 오믹 금속막을 형성하는 단계;

   상기 오믹 금속막 상에 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 그리고

   상기 포토 레지스트 패턴을 마스크로 식각 공정을 진행하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 형성방법.
8. 청구항 7에 있어서,

   상기 투명 전극막을 형성하는 단계는:

   상기 포토 레지스트 패턴을 덮는 예비 투명 전극막을 형성하는 단계; 그리고

   상기 포토 레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 형성방법.
9. 청구항 8에 있어서,

   상기 포토 레지스트 패턴을 제거하는 단계는:

   상기 포토 레지스트 패턴 상의 상기 예비 투명 전극막을 리프트-오프하여 제거하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 형성방법.
10. 청구항 6에 있어서,

    상기 반사층 상에 제 2 기판을 접합하는 단계;

    상기 제 1 기판을 제거하여 상기 발광 구조체를 노출하는 단계; 그리고

    상기 발광 구조체 상에 엔형 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 다이오드의 형성방법.
11. 제 1 기판을 준비하는 단계;

    상기 제 1 기판 상에 엔형층, 활성층 및 피형층을 포함하는 발광 구조체를 형성하는 단계;

    상기 피형층의 상부(upper portion)에 오믹 콘택 패턴을 형성하는 단계;

    상기 피형층 및 상기 오믹 콘택 패턴 상에 투명 전극막을 형성하는 단계; 그리고

    상기 투명 전극막 상에 반사층을 형성하는 단계를 포함하되,

    상기 오믹 콘택 패턴의 상부면은 상기 피형층의 상부면과 동일한 높이를 가지도록 형성되는 발광 다이오드의 형성방법.
12. 청구항 11에 있어서,

    상기 오믹 콘택 패턴을 형성하는 단계는:

    상기 피형층 상에 상기 오믹 콘택 패턴이 형성될 영역을 노출하는 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계;

    상기 포토 레지스트 패턴을 덮는 오믹 금속막을 형성하는 단계; 그리고

    상기 포토 레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 형성방법.
13. 청구항 12에 있어서,

    상기 포토 레지스트 패턴을 제거하는 단계는:

    상기 포토 레지스트 패턴 상의 상기 오믹 금속막을 리프트-오프하여 제거하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 형성방법.

Images