KR100797520B1 - LCD and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
외관 형상이 좌우 대칭인 액정표시장치가 개시되어 있다. 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 제조하는 과정에서 형성된 게이트 라인을 기판의 일측으로 연장한 후 게이트 라인을 절연시키고, 소오스 전극을 제조하는 과정에서 형성된 데이터 라인을 다시 절연된 게이트 라인의 상부를 통과시켜 기판의 일측으로 연장시킴으로써 게이트 구동 IC 및 데이터 구동 IC가 서로 인접하도록 배치한다. 좌우가 대칭인 액정표시장치의 제작이 가능해짐으로써 정보처리장치에 장착할 때 액정표시장치에 의하여 좌우 편심이 발생하지 않도록 한다.A liquid crystal display device in which the external shape is symmetrical is disclosed. The gate line formed in the process of manufacturing the gate electrode of the thin film transistor is extended to one side of the substrate, and the gate line is insulated, and the data line formed in the process of manufacturing the source electrode passes again through the insulated gate line. By extending to one side, the gate driving IC and the data driving IC are disposed adjacent to each other. Since the liquid crystal display device having the symmetrical left and right can be manufactured, the left and right eccentricity is prevented from occurring by the liquid crystal display device when it is mounted on the information processing device.
액정표시장치, 좌우 편심, 게이트 라인, 절연, 데이터 라인LCD, Left and Right Eccentric, Gate Line, Insulation, Data Line
Description
도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 액정표시장치의 제 1 기판에 채널 패턴을 형성한 것을 도시한 공정도이다.1 is a process diagram illustrating a channel pattern formed on a first substrate of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2는 도 1의 2-2′ 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line 2-2 'of FIG. 1.
도 3은 도 1의 상면에 게이트 절연막을 형성한 후 게이트 전극 및 게이트 라인이 형성된 것을 도시한 공정도이다.3 is a process diagram illustrating that a gate electrode and a gate line are formed after the gate insulating film is formed on the upper surface of FIG. 1.
도 4는 도 3의 4-4′ 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along line 4-4 'of FIG.
도 5는 도 3의 상면에 절연막을 형성한 상태에서 콘택홀들이 형성된 것을 도시한 공정도이다.FIG. 5 is a process diagram illustrating that contact holes are formed in an insulating film formed on an upper surface of FIG. 3.
도 6은 도 5의 6-6′ 단면도이다.6 is a cross-sectional view taken along line 6-6 'of FIG.
도 7은 도 5의 상면에 데이터 라인이 형성된 것을 도시한 공정도이다.FIG. 7 is a flowchart illustrating a data line formed on an upper surface of FIG. 5.
도 8은 도 7의 8-8′ 단면도이다.8 is a cross-sectional view taken along line 8-8 'of FIG.
도 9는 도 7의 드레인 전극에 화소 전극을 형성한 것을 도시한 공정도이다.9 is a flowchart illustrating a pixel electrode formed on the drain electrode of FIG. 7.
도 10은 도 9의 10-10′ 단면도이다.FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line 10-10 'of FIG. 9.
도 11은 본 발명에 의한 액정표시장치의 개념도이다.11 is a conceptual diagram of a liquid crystal display device according to the present invention.
본 발명은 액정표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 좌우 대칭 형상을 갖도록 제작된 액정표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof manufactured to have a symmetrical shape.
일반적으로 정보처리장치에서 처리된 결과 데이터를 사용자가 인식할 수 있도록 하는 표시장치로는 영상으로 결과 데이터를 출력하는 영상 디스플레이 장치, 종이 등과 같은 매체에 결과 데이터를 출력하는 프린터와 같은 매체 출력장치 및 음성 또는 소리로 결과 데이터를 출력하는 음성 디스플레이 장치 등이 있다.In general, a display device for allowing a user to recognize the result data processed by the information processing device includes an image display device for outputting the result data as an image, a media output device such as a printer for outputting the result data to a medium such as paper, and the like. There is a voice display device for outputting the result data by voice or sound.
이들 중 단 시간 내 가장 방대한 데이터를 획득할 수 있도록 하는 영상 디스플레이 장치는 작동 메커니즘에 따라서 아날로그 영상 디스플레이 장치 및 디지털 영상 디스플레이 장치로 나뉘어진다.Video display apparatuses capable of obtaining the largest amount of data in a short time are divided into analog image display apparatuses and digital image display apparatuses according to operating mechanisms.
이때, 아날로그 영상 디스플레이 장치는 CRT 방식 디스플레이 장치(Cathode Ray Tube type display device)가 대표적이다.At this time, the analog video display device is a typical CRT display device (Cathode Ray Tube type display device).
한편, 디지털 영상 디스플레이 장치는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device) 또는 유기 전계발광 디바이스(Organic Electroluminescence device) 등으로 나뉘어진다.On the other hand, the digital image display device is divided into a liquid crystal display (LCD) or an organic electroluminescence device (Organic Electroluminescence device).
이때, 동일한 화면 크기를 갖는 디지털 영상 디스플레이 장치 및 아날로그 영상 디스플레이 장치를 비교하면, 디지털 영상 디스플레이 장치의 부피 및 무게가 아날로그 영상 디스플레이 장치에 비하여 획기적으로 작은 장점을 갖는다.In this case, when comparing the digital image display apparatus and the analog image display apparatus having the same screen size, the volume and weight of the digital image display apparatus are significantly smaller than the analog image display apparatus.
이와 같은 장점을 갖는 디지털 영상 디스플레이 장치들은 매우 미세한 면적 단위로 전계의 인가가 가능한 제 1 기판, 제 1 기판과 대향하며 항상 일정한 전원이 인가 및 RGB 화소가 형성된 제 2 기판을 공통적으로 갖는다.The digital image display apparatuses having such advantages have a first substrate capable of applying an electric field in a very small area unit, and a second substrate facing the first substrate and always applying a constant power supply and an RGB pixel.
구체적으로 이와 같은 디지털 영상 디스플레이 장치들의 제 1 기판 중 실제 디스플레이가 수행되는 유효 디스플레이 영역은 매우 미세한 복수개의 영역으로 분할된다.Specifically, the effective display area in which the actual display is performed among the first substrates of the digital image display apparatuses is divided into a plurality of very fine areas.
이와 같이 복수개로 분할된 각 영역에 서로 다른 전계가 형성되도록 하기 위해서 각 영역에는 반도체 제조 공정에 의한 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)가 형성된다.In order to form a different electric field in each of the plurality of divided regions, thin film transistors are formed in each region by a semiconductor manufacturing process.
한편, 박막 트랜지스터를 구동하기 위해서는 각 박막 트랜지스터에 형성된 게이트 전극에 연결되는 게이트 라인, 소오스 전극에 형성되는 데이터 라인을 필요로 한다.In order to drive thin film transistors, a gate line connected to a gate electrode formed in each thin film transistor and a data line formed in a source electrode are required.
이때, 게이트 라인들은 모두 제 1 방향을 갖고, 데이터 라인들은 제 1 방향과 직교하는 제 2 방향을 갖는다. 이때, 데이터 라인들에는 데이터 신호가 적합한 타이밍에 데이터 라인으로 인가되도록 소오스 구동 IC가 형성되고, 게이트 라인들에는 턴-온 신호가 적합한 타이밍에 게이트 라인으로 인가되도록 게이트 구동 IC가 형성된다.At this time, the gate lines all have a first direction, and the data lines have a second direction orthogonal to the first direction. In this case, a source driving IC is formed in the data lines so that the data signal is applied to the data line at an appropriate timing, and a gate driving IC is formed in the gate lines so that the turn-on signal is applied to the gate line at an appropriate timing.
이때, 게이트 라인과 데이터 라인은 직교함으로 소오스 구동 IC들 및 게이트 구동 IC들 또한 상호 수직인 관계를 갖도록 설치된다. 즉, 이와 같은 구조로써는 절대 외관이 좌우 대칭이 되지 않게 된다.At this time, the gate line and the data line are orthogonal, so that the source driving ICs and the gate driving ICs are also perpendicular to each other. That is, with such a structure, the external appearance is never symmetrical.
그러나, 이와 같이 좌우 대칭이 되지 않는 액정표시장치가 임의의 정보처리 기기에 탑재될 경우, 액정표시장치의 중심이 정보처리장치의 지정된 위치에 셋팅 되지 않아 어셈블리 불량이 빈번하게 발생하는 문제점을 갖는다.However, when a liquid crystal display device which is not symmetrical in this way is mounted on an arbitrary information processing device, the center of the liquid crystal display device is not set at a designated position of the information processing device, which causes a problem of frequent assembly failure.
따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 제 1 목적은 좌우가 대칭인 액정표시장치를 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made in view of the above problems, and a first object of the present invention is to provide a liquid crystal display device having symmetrical left and right.
본 발명의 제 2 목적은 좌우가 대칭인 액정표시장치를 제조하는 방법을 제공함에 있다.It is a second object of the present invention to provide a method of manufacturing a liquid crystal display device having right and left symmetry.
이와 같은 본 발명의 제 1 목적을 달성하기 위한 액정표시장치는 유효 디스플레이 영역, 상기 유효 디스플레이 영역 외곽을 감싸는 제 1 비유효 디스플레이 영역, 제 1 비유효 디스플레이 영역과 인접한 곳에 제 2 비유효 디스플레이 영역이 형성된 제 1 기판, 제 1 기판에 매트릭스 형태로 배열된 채널 패턴을 제작하고, 채널 패턴과 절연되도록 게이트 전극을 형성하면서 게이트 전극에 연결되고 제 2 비유효 디스플레이 영역으로 연장된 게이트 라인, 게이트 라인을 절연시키며 소오스 측 채널 패턴 및 드레인 측 채널 패턴이 노출되도록 제 1 콘택홀들이 형성된 제 1 절연수단, 소오스 측 채널 패턴에 연결되며 제 1 비유효 디스플레이 영역을 경유하여 제 2 비유효 디스플레이 영역으로 연장된 데이터 라인 및 드레인 측 채널 패턴에 연결된 드레인 전극, 제 1 기판에 드레인 전극의 일부가 노출되도록 제 2 콘택홀이 형성된 제 2 절연수단의 제 2 콘택홀을 매개로 형성된 화소 전극, 화소 전극과 대향하는 공통 전극이 형성되며 제 1 기판과 결합되는 제 2 기판 및 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 주입된 액정을 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the first object of the present invention, a liquid crystal display device includes an effective display area, a first invalid display area surrounding an outside of the effective display area, and a second invalid display area adjacent to the first invalid display area. A gate line and a gate line connected to the gate electrode and extending to the second invalid display area are formed by manufacturing a first substrate and a channel pattern arranged in a matrix form on the first substrate, and forming a gate electrode to be insulated from the channel pattern. Insulated and connected to the first insulating means having first contact holes formed thereon so as to expose the source side channel pattern and the drain side channel pattern, the source side channel pattern being extended to the second invalid display area via the first invalid display area; A drain electrode connected to the data line and the drain side channel pattern, the first A second substrate formed with a pixel electrode formed through the second contact hole of the second insulating means in which the second contact hole is formed to expose a portion of the drain electrode, and a common electrode facing the pixel electrode, and coupled to the first substrate And a liquid crystal injected between the first substrate and the second substrate.
또한, 이와 같은 본 발명의 제 2 목적을 달성하기 위한 액정표시장치의 제조 방법은 유효 디스플레이 영역, 유효 디스플레이 영역 외곽을 감싸는 제 1 비유효 디스플레이 영역, 제 1 비유효 디스플레이 영역과 인접한 곳에 제 2 비유효 디스플레이 영역이 형성된 제 1 기판을 제작하는 단계, 제 1 기판에 매트릭스 형태로 배열된 채널 패턴을 제작하고, 채널 패턴과 절연되도록 게이트 전극을 형성하면서 게이트 전극에 연결되고 제 2 비유효 디스플레이 영역으로 연장된 게이트 라인을 제작하는 단계, 게이트 라인을 절연시키며 소오스 측 채널 패턴 및 드레인 측 채널 패턴이 노출되도록 제 1 콘택홀들이 형성된 제 1 절연막을 형성하는 단계, 소오스 측 채널 패턴에 연결되며 제 1 비유효 디스플레이 영역을 경유하여 제 2 비유효 디스플레이 영역으로 연장된 데이터 라인 및 드레인 측 채널 패턴에 연결된 드레인 전극을 형성하는 단계, 제 1 기판에 드레인 전극의 일부가 노출되도록 제 2 콘택홀이 형성된 제 2 절연막을 형성하고, 제 2 콘택홀을 매개로 화소 전극을 형성하는 단계, 화소 전극과 대향하는 공통 전극이 형성되며 제 1 기판과 결합되도록 제 2 기판을 조립하는 단계, 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 액정을 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the manufacturing method of the liquid crystal display device for achieving the second object of the present invention is the effective display area, the first non-effective display area surrounding the effective display area, the second non-effective display area adjacent to the second ratio Manufacturing a first substrate having an effective display area formed thereon, manufacturing a channel pattern arranged in a matrix form on the first substrate, and forming a gate electrode so as to be insulated from the channel pattern, and connected to the gate electrode to a second invalid display area; Fabricating an extended gate line; forming a first insulating film having first contact holes formed to insulate the gate line and exposing the source side channel pattern and the drain side channel pattern; and connected to the source side channel pattern and having a first ratio Extending to the second invalid display area via the effective display area; Forming a drain electrode connected to the data line and the drain-side channel pattern, forming a second insulating layer having a second contact hole to expose a portion of the drain electrode on the first substrate, and forming a pixel electrode through the second contact hole And forming a common electrode facing the pixel electrode and assembling the second substrate to be coupled to the first substrate, and injecting a liquid crystal between the first substrate and the second substrate.
본 발명에 의하면 액정표시장치가 좌우 대칭에 가깝도록 제작하여 액정표시장치가 최종적으로 정보처리장치 등에 조립될 때 발생하는 좌우 편심을 방지할 수 있는 효과를 갖는다.According to the present invention, the liquid crystal display device is manufactured to be close to the left and right symmetry, thereby preventing the left and right eccentricity generated when the liquid crystal display device is finally assembled to the information processing device or the like.
이하, 본 발명의 일실시예에 의한 액정표시장치 및 액정표시장치의 제조 방 법을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a method of manufacturing a liquid crystal display device and a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
먼저, 첨부된 도 1 이하를 참조하여 좌우 대칭인 액정표시장치의 제조 방법을 설명하기로 한다.First, a method of manufacturing a symmetric liquid crystal display device will be described with reference to FIG. 1 and below.
첨부된 도 1에는 액정표시장치의 구성 요소 중 하나인 제 1 기판(10), 제 1 기판(10)에 형성된 채널 패턴(30)이 도시되어 있다.1, the
보다 구체적으로, 제 1 기판(10)은 마치 직육면체 플레이트 형상을 갖는 투명 기판, 예를 들면, 유리 기판이다.More specifically, the
이처럼 직육면체 플레이트 형상을 갖는 제 1 기판(10)은 3 개의 영역으로 나뉘어진다.Thus, the
3 개의 영역은 도 1에 도시된 바와 같이 유효 디스플레이 영역(3), 제 1 비유효 디스플레이 영역(5) 및 제 2 비유효 디스플레이 영역(7)으로 나뉘어 진다.The three regions are divided into an
한편, 이와 같이 정의된 유효 디스플레이 영역(3)의 에지 외측으로는 띠 형상을 갖는 제 1 비유효 디스플레이 영역(5)이 형성된다. 이 제 1 비유효 디스플레이 영역(5)의 밑면으로는 각종 배선 등이 통과된다.On the other hand, outside the edge of the
한편, 제 1 기판(10) 중 유효 디스플레이 영역(3) 및 제 1 비유효 디스플레이 영역(5)을 제외한 나머지 영역이 제 2 비유효 디스플레이 영역(7)이다.On the other hand, the remaining area of the
이와 같이 정의된 제 1 기판(10)의 유효 디스플레이 영역(3)에는 박막 트랜지스터들이 형성된다.Thin film transistors are formed in the
첨부된 도 1 내지 도 8에는 박막 트랜지스터, 데이터 라인 및 게이트 라인이 형성되는 과정이 상세하게 도시되어 있다. 1 to 8 illustrate a process of forming a thin film transistor, a data line, and a gate line in detail.
먼저, 첨부된 도 1 또는 도 2를 참조하면, 유효 디스플레이 영역(3)에는 매트릭스 형태로 복수개의 채널 패턴(30)이 형성된다. 미설명 도면부호 20은 투명 기판으로부터 반도체에 영향을 미치는 이온이 용출되지 못하도록 하는 블록킹층이다.First, referring to FIG. 1 or FIG. 2, a plurality of
이 채널 패턴(30)은 블록킹층(20)의 상면 전면적에 걸쳐 형성된 채널층(미도시)을 패터닝하여 형성된다. 일반적으로 유효 디스플레이 영역(3)에는 해상도에 따라서 무수히 많은 채널 패턴(30)들이 형성되지만, 본 발명에서는 명확한 설명을 위해 일실시예로 3 ×3 개의 채널 패턴(30)이 사용된다. 즉, 본 발명에서는 9 개의 픽셀을 제작하는 과정이 이하에서 설명된다.The
이어서, 도 3 또는 도 4에 도시된 바와 같이 제 1 기판(10)에 채널 패턴(30)이 형성된 상태에서 제 1 기판(10)의 상면에는 도 4에 도시된 바와 같이 게이트 절연막(40)이 전면적에 걸쳐 소정 두께로 도포된다.Subsequently, as shown in FIG. 3 or 4, the
이후, 게이트 절연막(40)의 상면에는 게이트 박막이 형성되고, 패터닝되어 도 3 또는 도 4에 도시된 바와 같이 게이트 전극(50)이 형성된다.Thereafter, a gate thin film is formed on the top surface of the
이때, 게이트 전극(50)을 형성하는 과정에서 게이트 전극(50)에는 게이트 라인(55)이 함께 형성된다.At this time, the
이때, 각 게이트 라인(55)은 일실시예로 매트릭스 형상을 갖는 게이트 전극(50)중 열(row)에 속한 모든 게이트 전극(50)과 연결된다.In this case, each
본 발명에서는 일실시예로 3 ×3 행렬을 갖는 박막 트랜지스터를 필요로 함으로 3 개의 게이트 라인(55)이 형성된다. 이때, 각 게이트 라인(55)은 각 열(row)에 속한 모든 게이트 전극(50)에 공통적으로 연결된 상태에서 제 2 비유효 디스플 레이 영역(7)으로 연장된다. 미설명 도면부호 55a는 게이트 라인의 단부에 형성된 접촉 패드이다.In the present invention, three
이후, 도 5 또는 도 6에 도시된 바와 같이 제 1 기판(10)중 유효 디스플레이 영역(3)의 상면에는 게이트 절연막(60)이 소정 두께로 증착된다.Subsequently, as illustrated in FIG. 5 or 6, the
이때, 게이트 라인(55)중 제 2 비유효 디스플레이 영역(7)에 존재하는 게이트 라인(55)의 단부는 게이트 절연막(60)에 의하여 덮이지 않고 노출된다. 이처럼 게이트 절연막(60)에 의하여 덮이지 않고 노출되는 영역(2a)에는 게이트 IC(미도시)가 형성된다.At this time, an end portion of the
이와 같은 게이트 절연막(60)에는 게이트 전극(50)을 기준으로 채널 패턴(30)의 일측이 노출되도록 제 1 콘택홀(62) 및 게이트 전극(50)을 기준으로 채널 패턴(30)의 타측이 노출되도록 제 2 콘택홀(64)이 형성된다.The other side of the
도 7 또는 도 8에 도시된 바와 같이, 제 1 기판(10)의 상면에는 도전성 소오스/드레인 박막(미도시)이 형성된 상태에서 도 7 또는 도 8에 도시된 바와 같이 소오스/드레인 박막은 패터닝되어 데이터 라인(72), 소오스 전극(미도시) 드레인 전극(74)이 형성된다.As shown in FIG. 7 or 8, the source / drain thin film is patterned as shown in FIG. 7 or 8 while the conductive source / drain thin film (not shown) is formed on the top surface of the
보다 구체적으로 각 행(column)에 속한 제 1, 제 2 콘택홀이 채워진 상태에서 이들이 패터닝되어 제 1 콘택홀(62)에는 소오스 전극이 형성되고, 제 2 콘택홀(64)에는 드레인 전극(74)이 형성된다.More specifically, in the state in which the first and second contact holes belonging to each column are filled, they are patterned to form a source electrode in the
이후, 각 행에 속한 소오스 전극들은 모두 데이터 라인(72)에 의하여 공통적으로 연결되고, 데이터 라인(72)의 단부는 제 2 비유효 디스플레이 영역(7)까지 연 장된다. 이때, 데이터 라인(72)의 단부는 게이트 라인(55)의 단부와 인접한 곳에 형성된다. 미설명 도면부호 72a는 데이터 라인(72)의 단부에 형성된 접속 패드이고, 도면부호 2b는 데이터 IC가 형성될 영역이다.Thereafter, the source electrodes belonging to each row are all connected in common by the
이어서, 도 9 또는 도 10에 도시된 바와 같이 일부를 제외한 제 1 기판(10)의 전면적에 걸쳐 다시 절연막(80)이 형성된다.Subsequently, as shown in FIG. 9 or FIG. 10, the insulating
이때, 절연막(80)이 형성되지 않는 부분은 제 2 비유효 디스플레이 영역(7) 및 드레인 전극(74)의 일부이다.At this time, the portion where the insulating
이후 드레인 전극(74)에 절연막이 형성되지 않은 부분에는 화소 전극(90)이 소정 면적으로 형성된다.Thereafter, the
이후, 제 2 비유효 디스플레이 영역(7)에 노출된 게이트 라인(55)의 단부에는 게이트 IC(미도시)가 연결되고, 데이터 라인(72)의 단부에는 소오스 IC(미도시)가 연결된다.Thereafter, a gate IC (not shown) is connected to an end of the
이로써 제 1 기판(10)의 제 2 비유효 디스플레이 영역(7)에는 게이트 IC 및 소오스 IC가 나란하게 형성됨으로써, 제 1 기판(10)은 외관상 좌우 대칭에 근접한 형상을 갖게 된다.As a result, the gate IC and the source IC are formed side by side in the second
이후, 제 1 기판(10)은 도 11에 도시된 바와 같이 공통 전극 및 RGB 화소가 형성된 제 2 기판(110)과 어셈블리된 상태에서 제 1 기판(10) 및 제 2 기판(110)의 사이에는 액정(120)이 주입되어 액정표시장치(140)가 제작된다.Thereafter, as shown in FIG. 11, the
이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 액정표시장치가 좌우 대칭에 가깝도 록 제작하여 액정표시장치를 최종적으로 정보처리장치 등에 조립할 때 발생하는 좌우 편심을 방지할 수 있는 효과를 갖는다.As described in detail above, the liquid crystal display device is manufactured to be close to the left and right symmetry, thereby preventing the left and right eccentricity generated when the liquid crystal display device is finally assembled to the information processing device or the like.
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Patent Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| KR970048821A (en) * | 1995-12-12 | 1997-07-29 | 구자홍 | TFT-LCD Module |
| KR20000047378A (en) * | 1998-12-08 | 2000-07-25 | 아끼구사 나오유끼 | Matrix type apparatus, method of production thereof, and thermo-compression bonding head |
| JP2001174842A (en) * | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display and electronic equipment |
| KR20020031055A (en) * | 2000-10-20 | 2002-04-26 | 사토 켄이치로 | Lcd and method of manufacturing semiconductor chips for a lcd |
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