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KR100833597B1 - Bonding head and semiconductor chip attaching device having the same - Google Patents

Bonding head and semiconductor chip attaching device having the same Download PDF

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KR100833597B1
KR100833597B1 KR1020070063259A KR20070063259A KR100833597B1 KR 100833597 B1 KR100833597 B1 KR 100833597B1 KR 1020070063259 A KR1020070063259 A KR 1020070063259A KR 20070063259 A KR20070063259 A KR 20070063259A KR 100833597 B1 KR100833597 B1 KR 100833597B1
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KR
South Korea
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semiconductor chip
collet
hole
bonding head
fixing member
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KR1020070063259A
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유승용
고광덕
신재무
김종현
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
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Abstract

본딩 헤드 및 이를 갖는 반도체 칩 어탯치 장치가 개시되어 있다. 본딩 헤드는 반도체 칩을 픽업하며 정전기를 방지하기 위한 절연물질을 포함하고 관통홀을 갖는 콜렛 및 상기 콜렛의 관통홀과 결합 되며 상기 관통홀과 연통 되는 진공홀을 갖는 금속 재질의 샤프트를 포함한다. 반도체 칩을 픽업하는 본딩 헤드 또는 본딩 헤드를 갖는 반도체 칩 다이 어탯치 장치에서 반도체 칩으로 정전기가 인가되는 것을 방지할 뿐만 아니라 본딩 헤드를 고정할 때 표면 손상 및 위치 변경이 발생되는 것을 방지할 수 있다.A bonding head and a semiconductor chip attaching apparatus having the bonding head are disclosed. The bonding head includes a metal shaft having a collet including an insulating material for picking up a semiconductor chip and preventing static electricity and having a through hole, and a vacuum hole coupled to the through hole of the collet and communicating with the through hole. It is possible to prevent static electricity from being applied to the semiconductor chip in the semiconductor chip diaphragm device having the bonding head for picking up the semiconductor chip or the bonding head and to prevent the surface damage and the position change from occurring when fixing the bonding head .

Description

본딩 헤드 및 이를 갖는 반도체 칩 어탯치 장치{BONDING HEAD AND SEMICONDUCTOR CHIP ATTACHING APPARATUS HAVING THE BONDING HEAD}Technical Field [0001] The present invention relates to a bonding head and a semiconductor chip attaching apparatus having the bonding head,

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 본딩 헤드의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a bonding head according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 본딩 헤드의 콜렛의 바닥면을 도시한 평면도이다.2 is a plan view showing a bottom surface of a collet of the bonding head of FIG.

도 3은 도 1의 충격 흡수 부재의 평면도이다.3 is a plan view of the shock absorbing member of Fig.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 본딩 헤드를 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a bonding head according to another embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일실시예에 의한 반도체 칩 다이 어탯치 장치를 도시한 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor chip die attach device according to an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 의한 반도체 칩 어탯치 장치의 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a semiconductor chip etch tool according to another embodiment of the present invention.

본 발명은 본딩 헤드 및 이를 갖는 반도체 칩 어탯치 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a bonding head and a semiconductor chip attaching apparatus having the bonding head.

일반적인 반도체 소자는 순도 높은 실리콘으로 이루어진 실리콘 웨이퍼에 반도체 칩을 제조하는 반도체 칩 제조 공정, 반도체 칩을 전기적으로 검사하는 다이 소팅 공정 및 양품 반도체 칩을 선별하여 패키징하는 패키징 공정 등을 통해 제조된다.A typical semiconductor device is manufactured through a semiconductor chip manufacturing process for manufacturing a semiconductor chip on a silicon wafer of high purity silicon, a die sorting process for electrically inspecting a semiconductor chip, and a packaging process for selectively packaging good semiconductor chips.

패키징 공정은 일반적으로 접속 패드를 갖는 기판상에 반도체 칩 어탯치 장치를 이용하여 본딩 패드를 갖는 반도체 칩을 어탯치하는 공정, 반도체 칩의 본딩 패드 및 기판의 접속 패드를 도전성 와이어로 본딩하는 공정 및 반도체 칩과 도전성 와이어를 에폭시 수지 등으로 몰딩하는 공정을 포함한다.The packaging process generally includes a process of attaching a semiconductor chip having a bonding pad on a substrate having a connection pad using a semiconductor chip attaching device, bonding pads of the semiconductor chip and a connection pad of the substrate with a conductive wire, And a step of molding the semiconductor chip and the conductive wire with an epoxy resin or the like.

종래 반도체 칩 어탯치 장치는 개별화된 반도체 칩을 기판으로 이송하기 위한 이송 헤드, 이송 헤드에 부착된 샤프트 및 샤프트의 하부면에 결합된 콜렛을 포함한다. 샤프트 및 콜렛에는 각각 진공홀이 형성되고, 콜렛은 진공압을 이용하여 반도체 칩을 웨이퍼로부터 픽업하여 기판으로 이송한다.Conventional semiconductor chip attach devices include a transfer head for transferring an individualized semiconductor chip to a substrate, a shaft attached to the transfer head, and a collet coupled to a lower surface of the shaft. The shaft and the collet are each provided with a vacuum hole, and the collet picks up the semiconductor chip from the wafer using the vacuum pressure and transfers it to the substrate.

그러나, 종래의 반도체 칩 어탯치 장치의 샤프트 및 콜렛은 모두 금속으로 제조되고, 이 결과 콜렛이 반도체 칩과 접촉 또는 분리될 때 정전기에 의하여 반도체 칩이 크게 손상될 수 있다.However, the shafts and the collets of the conventional semiconductor chip attach device are all made of metal, and as a result, when the collet is brought into contact with or separated from the semiconductor chip, the semiconductor chip may be seriously damaged by static electricity.

본 발명의 하나의 목적은 정전기에 의한 반도체 칩의 손상을 방지한 본딩 헤드를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a bonding head for preventing damage of a semiconductor chip due to static electricity.

본 발명의 다른 목적은 정전기에 의한 반도체 칩의 손상을 방지한 반도체 칩 어탯치 장치를 제공함에 있다.It is another object of the present invention to provide a semiconductor chip attaching apparatus which prevents damages of a semiconductor chip due to static electricity.

본 발명의 하나의 목적을 구현하기 위한 본딩 헤드는 반도체 칩을 픽업하며 정전기를 방지하기 위한 절연물질을 포함하고 관통홀을 갖는 콜렛 및 상기 콜렛의 관통홀과 결합 되며 상기 관통홀과 연통 되는 진공홀을 갖는 금속 재질의 샤프트를 포함한다.Bonding head for realizing one object of the present invention is a bonding head for picking up a semiconductor chip and including an insulating material for preventing static electricity and including a collet having a through hole and a vacuum hole connected to the through hole of the collet, And a shaft of a metal material.

본딩 헤드의 상기 콜렛은 상기 콜렛의 외주면으로부터 돌출된 돌출부를 포함한다.The collet of the bonding head includes a protrusion that protrudes from the outer circumferential surface of the collet.

본딩 헤드는 상기 콜렛을 덮고 상기 돌출부에 고정되며 상기 관통홀과 연결된 개구를 갖는 충격 흡수 커버를 더 포함한다.The bonding head further includes an impact-absorbing cover which covers the collet and is fixed to the projection and has an opening connected to the through-hole.

본딩 헤드는 상기 반도체 칩이 픽업되는 상기 콜렛의 픽업면에는 상기 관통홀과 연결된 십자형의 진공홈을 갖는다.The bonding head has a cross-shaped vacuum groove connected to the through hole on the pick-up surface of the collet on which the semiconductor chip is picked up.

본딩 헤드의 콜렛의 상기 절연물질은 PEEK(Poly Ether Ether Ketone)를 포함하고, 상기 샤프트는 스테인리스 스틸 계열 금속을 포함한다.The insulating material of the collet of the bonding head comprises PEEK (Poly Ether Ether Ketone), and the shaft comprises a stainless steel-based metal.

본 발명의 하나의 목적을 구현하기 위한 본딩 헤드는 반도체 칩을 픽업하며 정전기를 방지하기 위한 절연물질을 포함하고 관통홀을 갖는 반도체 칩 흡착 부재 및 상기 반도체 칩 흡착 부재의 외측면에 결합 된 금속 재질의 고정 부재를 포함한다.A bonding head for realizing one object of the present invention includes a semiconductor chip absorption member including an insulating material for picking up a semiconductor chip and preventing static electricity and having a through hole and a metal material As shown in Fig.

본딩 헤드의 상기 반도체 칩 흡착 부재 및 상기 고정 부재는 파이프 형상을 갖고, 상기 반도체 칩 흡착 부재의 길이는 상기 고정 부재의 길이보다 길게 형성된다.The semiconductor chip adsorption member and the fixing member of the bonding head have a pipe shape, and the length of the semiconductor chip adsorption member is longer than the length of the fixing member.

본딩 헤드의 상기 반도체 칩 흡착 부재는 상기 반도체 칩 흡착 부재의 외측면으로부터 돌출된 제1 돌출부를 포함하고, 상기 고정 부재는 상기 고정 부재의 외측면으로부터 상기 제1 돌출부를 따라 돌출된 제2 돌출부를 포함한다.Wherein the semiconductor chip adsorption member of the bonding head includes a first protrusion protruding from an outer surface of the semiconductor chip adsorption member, and the fixing member includes a second protrusion protruding from the outer surface of the fixing member along the first protrusion .

본딩 헤드의 상기 반도체 칩 흡착 부재는 PEEK(Poly Ether Ether Ketone)를 포함하고, 상기 고정 부재는 스테인리스 스틸 계열 금속을 포함한다.The semiconductor chip adsorption member of the bonding head includes PEEK (Poly Ether Ether Ketone), and the fixing member includes a stainless steel-based metal.

본 발명의 다른 목적을 구현하기 위한 반도체 칩 어탯치 장치는 반도체 칩을 픽업하며 정전기를 방지하기 위한 절연물질을 포함하고 관통홀을 갖는 콜렛 및 상기 콜렛의 관통홀과 결합되며 상기 관통홀과 연통되는 진공홀을 갖는 금속재질의 샤프트를 포함하는 본딩 헤드, 상기 샤프트의 외측면에 결합 되며 상기 본딩 헤드를 이송하는 이송 유닛 및 상기 진공홀에 진공압을 발생하는 진공 발생기를 포함한다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor chip attaching apparatus for picking up a semiconductor chip and including an insulating material for preventing static electricity and including a collet having a through hole and a through hole communicating with the through hole, A bonding head including a metal shaft having a vacuum hole, a transfer unit coupled to an outer surface of the shaft for transferring the bonding head, and a vacuum generator for generating vacuum pressure in the vacuum hole.

반도체 칩 어탯치 장치는 상기 콜렛의 픽업면에는 상기 관통홀과 연결된 십자형의 진공홈이 형성다.In the semiconductor chip attach device, a cross-shaped vacuum groove is formed on the pick-up surface of the collet, which is connected to the through hole.

반도체 칩 어탯치 장치의 상기 콜렛은 상기 콜렛을 덮는 충격 흡수 커버를 더 포함하고, 상기 충격 흡수 커버는 상기 진공홀과 연통된 흡착홀을 포함한다.The collet of the semiconductor chip attaching device further includes a shock absorbing cover for covering the collet, and the shock absorbing cover includes a suction hole communicated with the vacuum hole.

반도체 칩 어탯치 장치의 상기 콜렛은 PEEK(Poly Ether Ether Ketone)를 포함하고, 상기 샤프트는 스테인리스 스틸 계열 금속을 포함한다.The collet of the semiconductor chip attach device includes a PEEK (Poly Ether Ether Ketone), wherein the shaft comprises a stainless steel-based metal.

본 발명의 다른 목적을 구현하기 위한 반도체 칩 어탯치 장치는 반도체 칩을 픽업하며 정전기를 방지하기 위한 절연물질을 포함하고 관통홀을 갖는 반도체 칩 흡착 부재 및 상기 반도체 칩 흡착 부재의 외측면에 결합 된 금속 재질의 고정 부재를 포함하는 본딩 헤드, 상기 고정 부재의 외측면과 결합 되며 상기 본딩 헤드를 이송하는 이송 유닛 및 상기 관통홀에 진공압을 발생하는 진공 발생기를 포함한다.A semiconductor chip attaching apparatus for realizing another object of the present invention is a semiconductor chip attaching apparatus which picks up a semiconductor chip and includes an insulating material for preventing static electricity and includes a semiconductor chip absorbing member having a through hole, A bonding head including a metallic fixing member, a transfer unit coupled to an outer surface of the fixing member to transfer the bonding head, and a vacuum generator for generating vacuum pressure in the through hole.

반도체 칩 어탯치 장치의 상기 반도체 칩 흡착 부재 및 상기 고정 부재는 파이프 형상을 갖고, 상기 반도체 칩 흡착 부재의 길이는 상기 고정 부재의 길이보다 길게 형성된다.The semiconductor chip adsorption member and the fixing member of the semiconductor chip attachment apparatus have a pipe shape and the length of the semiconductor chip adsorption member is longer than the length of the fixing member.

반도체 칩 어탯치 장치의 상기 반도체 칩 흡착 부재는 상기 반도체 칩 흡착 부재의 외측면으로부터 돌출된 제1 돌출부를 포함하고, 상기 고정 부재는 상기 고정 부재의 외측면으로부터 상기 제1 돌출부를 따라 돌출된 제2 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 어탯치 장치.The semiconductor chip attracting member of the semiconductor chip attaching device includes a first protrusion protruding from an outer surface of the semiconductor chip adsorbing member, and the fixing member is a member protruding from the outer surface of the fixing member along the first protrusion 2 protrusions formed on the semiconductor chip.

반도체 칩 어탯치 장치의 상기 반도체 칩 흡착 부재는 PEEK(Poly Ether Ether Ketone)를 포함하고, 상기 고정 부재는 스테인리스 스틸 계열 금속을 포함한다.The semiconductor chip adsorption member of the semiconductor chip attach device includes a PEEK (Poly Ether Ether Ketone), and the fixing member includes a stainless steel-based metal.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본딩Bonding 헤드 head

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 본딩 헤드의 단면도이다. 도 2는 도 1의 본딩 헤드의 콜렛의 바닥면을 도시한 평면도이다. 도 3은 도 1의 충격 흡수 부재의 평면도이다.1 is a cross-sectional view of a bonding head according to an embodiment of the present invention. 2 is a plan view showing a bottom surface of a collet of the bonding head of FIG. 3 is a plan view of the shock absorbing member of Fig.

도 1을 참조하면, 본딩 헤드(100)는 샤프트(20), 콜렛(30)을 포함한다. 이에 더하여, 본딩 헤드(100)는 충격 흡수 커버(40)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the bonding head 100 includes a shaft 20, a collet 30, and the like. In addition, the bonding head 100 may include a shock absorbing cover 40.

샤프트(20)는 콜렛(30)에 결합되며 콜렛(30)에는 충격 흡수 커버(40)가 결합된다.The shaft 20 is coupled to the collet 30 and the shock absorbing cover 40 is coupled to the collet 30.

샤프트(20)는, 예를 들어, 관통홀(22)을 갖는 파이프 형상으로 형성된다.The shaft 20 is formed in the shape of a pipe having, for example, a through hole 22.

본 실시예에서, 샤프트(20)는 정밀한 가공이 가능하며 외부에서 인가된 충격 및/또는 진동에 의하여 형상이 변형되지 않는 금속 또는 금속 합금을 포함한다. 예를 들어, 샤프트(20)는 스테인리스 스틸을 포함할 수 있다.In this embodiment, the shaft 20 includes a metal or metal alloy which is capable of precise machining and which is not deformed in shape by external impact and / or vibration. For example, the shaft 20 may comprise stainless steel.

샤프트(20)의 형상 변형을 방지하기 위해 샤프트(20)를 금속 또는 금속 합금으로 제작할 경우, 도전체인 샤프트(20)에 의하여 반도체 칩으로 정전기가 인가되어 반도체 칩을 크게 손상시킬 수 있다.When the shaft 20 is made of a metal or a metal alloy in order to prevent the shape of the shaft 20 from being deformed, static electricity may be applied to the semiconductor chip by the shaft 20 as a conductive member to greatly damage the semiconductor chip.

본 실시예에서, 샤프트(20)를 금속 또는 금속 합금으로 제작할 경우, 콜렛(30)은 샤프트(20)의 정전기가 반도체 칩으로 인가되지 못하도록 절연물질을 포함한다. 절연물질로 사용될 수 있는 물질의 예로서는 합성 수지의 하나인 PEEK(Poly Ether Ether Ketone) 등을 들 수 있다. 비록 본 실시예에서는 절연물질로 PEEK가 사용되었지만 콜렛(30)은 이와 다르게 다양한 합성 수지를 포함할 수 있다.In this embodiment, when the shaft 20 is made of a metal or a metal alloy, the collet 30 includes an insulating material so that the static electricity of the shaft 20 can not be applied to the semiconductor chip. Examples of the material that can be used as an insulating material include PEEK (Poly Ether Ether Ketone), which is one of synthetic resins. Although PEEK is used as the insulating material in this embodiment, the collet 30 may alternatively include various synthetic resins.

콜렛(30)은 샤프트(20)와 결합 되는 콜렛 고정홈(32)을 포함한다. 금속을 포함하는 샤프트(20)의 외측면은 콜렛(30)의 콜렛 고정홈(32)에 끼워진다.The collet (30) includes a collet fixing groove (32) which is engaged with the shaft (20). The outer surface of the shaft 20 including the metal is fitted into the collet fixing groove 32 of the collet 30.

샤프트(20)와 결합 되는 콜렛(30)은 반도체 칩을 픽업하기 위해 진공홀(34)을 포함한다. 콜렛(30)의 진공홀(34)은 반도체 칩을 픽업하는 픽업면(36) 및 콜렛 고정홈(32)을 연결한다.The collet 30 associated with the shaft 20 includes a vacuum hole 34 for picking up the semiconductor chip. The vacuum hole 34 of the collet 30 connects the pickup face 36 and the collet fixing groove 32 for picking up the semiconductor chip.

도 2를 참조하면, 진공홀(34)을 갖는 콜렛(30)은 콜렛(30)의 안정적인 업-다운 동작을 수행하기 위하여 돌출부(37)를 포함할 수 있다.2, a collet 30 having a vacuum hole 34 may include a protrusion 37 to perform a stable up-down operation of the collet 30.

콜렛(30)의 돌출부(37)는 콜렛(30)의 외측면으로부터 돌출되며, 돌출부(37) 는, 예를 들어, 사각 플레이트 형상을 갖는다. 이와 다르게, 콜렛(30)의 돌출부(37)는 원판 형상을 가질 수 있다.The protrusion 37 of the collet 30 protrudes from the outer surface of the collet 30 and the protrusion 37 has, for example, a rectangular plate shape. Alternatively, the projecting portion 37 of the collet 30 may have a disk shape.

콜렛(30)이 반도체 칩을 보다 견고하게 흡착할 수 있도록 하기 위해, 콜렛(30)의 픽업면(36)에는, 예를 들어, 십자 형상을 갖는 진공홈(39)이 형성된다. 진공홈(39)은 콜렛(30)의 진공홀(34)과 연통 된다.For example, a cross-shaped vacuum groove 39 is formed on the pick-up surface 36 of the collet 30 so that the collet 30 can attract the semiconductor chip more firmly. The vacuum groove 39 communicates with the vacuum hole 34 of the collet 30.

도 1 및 도 3을 참조하면, 충격 흡수 부재(40)는 콜렛(30)의 픽업면(36)을 덮고 충격 흡수 부재(40)는 콜렛(30)의 돌출부(37)에 고정된다.1 and 3, the shock absorbing member 40 covers the pickup face 36 of the collet 30 and the shock absorbing member 40 is fixed to the projecting portion 37 of the collet 30.

본 실시예에서, 충격 흡수 부재(40)는 반도체 칩을 콜렛(30)이 픽업할 때, 반도체 칩에 가해지는 충격을 분산 및/또는 흡수하여 반도체 칩의 파손을 방지한다.In this embodiment, when the collet 30 picks up the semiconductor chip, the shock absorbing member 40 disperses and / or absorbs the impact applied to the semiconductor chip to prevent breakage of the semiconductor chip.

반도체 칩에 가해지는 충격을 분산 및/또는 흡수하기 위한 충격 흡수 부재(40)는, 예를 들어, 고무와 같은 탄성 물질을 포함할 수 있다. 충격 흡수 부재(40)는 흡착 홀(42)을 더 포함할 수 있다. 충격 흡수 부재(40)의 흡착 홀(42)은 콜렛(30)의 픽업면(36)에 형성된 진공홈(39)마다 적어도 1 개가 형성될 수 있다.The shock absorbing member 40 for dispersing and / or absorbing the impact applied to the semiconductor chip may comprise an elastic material, for example, rubber. The shock absorbing member 40 may further include a suction hole 42. At least one suction hole 42 of the shock absorbing member 40 may be formed for each vacuum groove 39 formed on the pickup surface 36 of the collet 30.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 본딩 헤드를 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a bonding head according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본딩 헤드(100)는 반도체 칩 흡착 부재(50) 및 고정 부재(60)를 포함한다. 이에 더하여, 본딩 헤드(100)는 충격 흡수 부재(70)를 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the bonding head 100 includes a semiconductor chip adsorption member 50 and a fixing member 60. In addition, the bonding head 100 may further include an impact-absorbing member 70.

반도체 칩 흡착 부재(50)는 반도체 칩을 픽업하며, 정전기가 반도체 칩으로 인가되는 것을 방지하기 위하여 절연물질을 포함한다.The semiconductor chip adsorption member 50 picks up the semiconductor chip and includes an insulating material to prevent static electricity from being applied to the semiconductor chip.

반도체 칩을 흡착하여 픽업하기 위한 반도체 칩 흡착 부재(50)는 다양한 형상을 가질 수 있으나, 본 실시예에서 반도체 칩 흡착 부재(50)는, 예를 들어, 관통홀(51)을 갖는 파이프 형상을 갖는다.Although the semiconductor chip adsorption member 50 for picking up the semiconductor chip by suction may have various shapes, the semiconductor chip adsorption member 50 in this embodiment may be formed in a pipe shape having, for example, a through hole 51 .

한편, 정전기가 반도체 칩으로 인가되는 것을 방지하기 위하여 관통홀(51)을 갖는 파이프 형상의 반도체 칩 흡착 부재(50)는 절연 물질로 이루어진다. 반도체 칩 흡착 부재(50)에 포함된 절연 물질로 사용될 수 있는 물질의 예로서는 합성 수지의 하나인 PEEK 등을 들 수 있다. 비록 본 실시예에서 반도체 칩 흡착 부재(50)는, 예를 들어, PEEK를 포함하지만 반도체 칩 흡착 부재(50)는 이와 다르게 다양한 합성 수지를 포함할 수 있다.On the other hand, in order to prevent static electricity from being applied to the semiconductor chip, the pipe-shaped semiconductor chip adsorption member 50 having the through holes 51 is made of an insulating material. An example of a material that can be used as an insulating material included in the semiconductor chip adsorbing member 50 is PEEK, which is one of synthetic resins. Although the semiconductor chip adsorption member 50 in this embodiment includes, for example, PEEK, the semiconductor chip adsorption member 50 may alternatively include various synthetic resins.

반도체 칩 흡착 부재(50)의 외측면에는 제1 돌출부(52)가 배치된다. 제1 돌출부(52)는 반도체 칩 흡착 부재(50)의 외측면으로부터 돌출되며, 제1 돌출부(52)는 사각 플레이트 형상을 갖는다. 본 실시예에서, 제1 돌출부(52)는 반도체 칩 흡착 부재(50)와 일체로 형성될 수 있다.A first projection 52 is disposed on the outer surface of the semiconductor chip adsorption member 50. The first protrusion 52 protrudes from the outer surface of the semiconductor chip adsorbing member 50, and the first protrusion 52 has a rectangular plate shape. In this embodiment, the first projecting portion 52 may be integrally formed with the semiconductor chip adsorbing member 50.

반도체 칩 흡착 부재(50)는 정전기가 반도체 칩으로 인가되는 것을 방지 및 반도체 칩을 픽업하기 위하여 절연물질로 이루어지고 관통홀(51)을 갖는 파이프 형상을 갖는다.The semiconductor chip adsorbing member 50 is formed of an insulating material to prevent static electricity from being applied to the semiconductor chip and to pick up the semiconductor chip, and has a pipe shape having a through hole 51.

반도체 칩 흡착 부재(50)가 PEEK와 같은 절연 물질로 이루어질 경우, 반도체 칩 흡착 부재(50)를 나사 등으로 고정할 때 반도체 칩 흡착 부재(50)의 표면 손상 및 반도체 칩 흡착 부재(50)가 지정된 위치로부터 이탈될 수 있다.When the semiconductor chip adsorbing member 50 is made of an insulating material such as PEEK, when the semiconductor chip adsorbing member 50 is fixed with a screw or the like, surface damage of the semiconductor chip adsorbing member 50 and damage to the semiconductor chip adsorbing member 50 It can be deviated from the designated position.

고정 부재(60)는 반도체 칩 흡착 부재(50)의 표면 손상 및 반도체 칩 흡착 부재(50)가 지정된 위치로부터 이탈되는 것을 방지한다. 본 실시예에서, 고정 부재(60)는 반도체 칩 흡착 부재(50)의 표면 손상 및 반도체 칩 흡착 부재(50)의 위치 이탈을 방지하기 위해 금속으로 이루어진다. 고정 부재(60)로 사용될 수 있는 물질의 예로서는 스테인리스 스틸을 들 수 있다.The fixing member 60 prevents the surface damage of the semiconductor chip adsorption member 50 and the semiconductor chip adsorption member 50 from being displaced from the designated position. In this embodiment, the fixing member 60 is made of metal to prevent surface damage of the semiconductor chip adsorbing member 50 and deviation of the semiconductor chip adsorbing member 50 from the position. An example of a material that can be used as the fixing member 60 is stainless steel.

이를 구현하기 위하여, 고정 부재(60)는, 예를 들어, 파이프 형상을 갖는다. 고정 부재(60)는 파이프 형상 이외에도 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 고정 부재(60)의 길이는 반도체 칩 흡착 부재(50)의 길이보다 짧은 길이를 갖는다.In order to realize this, the fixing member 60 has, for example, a pipe shape. The fixing member 60 may be formed in various shapes other than the pipe shape. In this embodiment, the length of the fixing member 60 is shorter than the length of the semiconductor chip suction member 50.

파이프 형상을 갖는 고정 부재(60)의 내측면은 반도체 칩 흡착 부재(50)의 외측면에 끼워지고, 이로 인해 고정 부재(60)는 반도체 칩 흡착 부재(50)에 견고하게 고정된다.The inner surface of the fixing member 60 having a pipe shape is fitted to the outer surface of the semiconductor chip adsorption member 50 so that the fixing member 60 is firmly fixed to the semiconductor chip adsorption member 50. [

고정 부재(60)는 제2 돌출부(62)를 포함할 수 있다. 제2 돌출부(62)는 반도체 칩 흡착 부재(50)의 제1 돌출부(52)와 마주하도록 고정 부재(60)의 외측면으로부터 돌출된다. 제2 돌출부(62)는 제1 돌출부(52)와 접촉한다.The fixing member 60 may include a second projection 62. The second projection 62 protrudes from the outer surface of the fixing member 60 so as to face the first projection 52 of the semiconductor chip suction member 50. The second projection 62 contacts the first projection 52.

충격 흡수 부재(70)는 반도체 칩 흡착 부재(50) 중 반도체 칩을 픽업하는 부분을 충격 흡수 부재(70)는 반도체 칩 흡착 부재(50)의 제1 돌출부(52)에 고정된다.The shock absorbing member 70 is fixed to the first projecting portion 52 of the semiconductor chip absorbing member 50 while the portion of the semiconductor chip absorbing member 50 at which the semiconductor chip is picked up is fixed.

본 실시예에서, 충격 흡수 부재(70)는 반도체 칩을 반도체 칩 흡착 부재(50)가 픽업할 때, 반도체 칩에 가해지는 충격을 분산 및/또는 흡수하여 반도체 칩의 파손을 방지한다.In this embodiment, the shock absorbing member 70 disperses and / or absorbs the impact applied to the semiconductor chip when the semiconductor chip absorbing member 50 picks up the semiconductor chip, thereby preventing breakage of the semiconductor chip.

반도체 칩에 가해지는 충격을 분산 및/또는 흡수하기 위한 충격 흡수 부재(70)는, 예를 들어, 고무와 같은 탄성 물질을 포함할 수 있다. 충격 흡수 부재(70)는 반도체 칩 흡착 부재(50)의 관통홀(51)과 연통되는 흡착 홀(72)을 더 포함할 수 있다.The shock absorbing member 70 for dispersing and / or absorbing the impact applied to the semiconductor chip may comprise an elastic material such as, for example, rubber. The shock absorbing member 70 may further include a suction hole 72 communicating with the through hole 51 of the semiconductor chip adsorption member 50.

반도체 칩 Semiconductor chip 다이die 어탯치A fetish 장치 Device

도 5는 본 발명의 일실시예에 의한 반도체 칩 다이 어탯치 장치를 도시한 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor chip die attach device according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 반도체 칩 다이 어탯치 장치(200)는 본딩 헤드(100), 이송 유닛(210) 및 진공 발생기(220)를 포함한다.5, the semiconductor chip die attach apparatus 200 includes a bonding head 100, a transfer unit 210, and a vacuum generator 220. [

도 5를 참조하면, 본딩 헤드(100)는 샤프트(20), 콜렛(30) 및 충격 흡수 커버(40)를 포함한다.Referring to FIG. 5, the bonding head 100 includes a shaft 20, a collet 30, and a shock absorbing cover 40.

샤프트(20)는 콜렛(30)에 결합 되며 콜렛(30)에는 충격 흡수 커버(40)가 결합 된다.The shaft 20 is coupled to the collet 30 and the shock absorbing cover 40 is coupled to the collet 30.

샤프트(20)는, 예를 들어, 관통홀(22)을 갖는 파이프 형상으로 형성된다.The shaft 20 is formed in the shape of a pipe having, for example, a through hole 22.

본 실시예에서, 샤프트(20)는 정밀한 가공이 가능하며 외부에서 인가된 충격 및/또는 진동에 의하여 형상이 변형되지 않는 금속 또는 금속 합금을 포함한다. 예를 들어, 샤프트(20)는 스테인리스 스틸을 포함할 수 있다.In this embodiment, the shaft 20 includes a metal or metal alloy which is capable of precise machining and which is not deformed in shape by external impact and / or vibration. For example, the shaft 20 may comprise stainless steel.

샤프트(20)의 형상 변형을 방지하기 위해 샤프트(20)를 금속 또는 금속 합금으로 제작할 경우, 도전체인 샤프트(20)에 의하여 반도체 칩으로 정전기가 인가되 어 반도체 칩을 크게 손상시킬 수 있다.When the shaft 20 is made of a metal or a metal alloy so as to prevent the shape of the shaft 20 from being deformed, static electricity is applied to the semiconductor chip by the shaft 20 as a conductive member, thereby greatly damaging the semiconductor chip.

본 실시예에서, 샤프트(20)를 금속 또는 금속 합금으로 제작할 경우, 콜렛(30)은 샤프트(20)의 정전기가 반도체 칩으로 인가되지 못하도록 절연물질을 포함한다. 절연물질로 사용될 수 있는 물질의 예로서는 합성 수지의 하나인 PEEK(Poly Ether Ether Ketone) 등을 들 수 있다. 비록 본 실시예에서는 절연물질로 PEEK가 사용되었지만 콜렛(30)은 이와 다르게 다양한 합성 수지를 포함할 수 있다.In this embodiment, when the shaft 20 is made of a metal or a metal alloy, the collet 30 includes an insulating material so that the static electricity of the shaft 20 can not be applied to the semiconductor chip. Examples of the material that can be used as an insulating material include PEEK (Poly Ether Ether Ketone), which is one of synthetic resins. Although PEEK is used as the insulating material in this embodiment, the collet 30 may alternatively include various synthetic resins.

콜렛(30)은 샤프트(20)와 결합 되는 콜렛 고정홈(32)을 포함한다. 금속을 포함하는 샤프트(20)의 외측면은 콜렛(30)의 콜렛 고정홈(32)에 끼워진다.The collet (30) includes a collet fixing groove (32) which is engaged with the shaft (20). The outer surface of the shaft 20 including the metal is fitted into the collet fixing groove 32 of the collet 30.

샤프트(20)와 결합 되는 콜렛(30)은 반도체 칩을 픽업하기 위해 진공홀(34)을 포함한다. 콜렛(30)의 진공홀(34)은 반도체 칩을 픽업하는 픽업면(36) 및 콜렛 고정홈(32)을 연결한다.The collet 30 associated with the shaft 20 includes a vacuum hole 34 for picking up the semiconductor chip. The vacuum hole 34 of the collet 30 connects the pickup face 36 and the collet fixing groove 32 for picking up the semiconductor chip.

진공홀(34)을 갖는 콜렛(30)은 콜렛(30)의 안정적인 업-다운 동작을 수행하기 위하여 돌출부(37)를 포함할 수 있다.The collet 30 having the vacuum hole 34 may include the protrusion 37 to perform a stable up-down operation of the collet 30.

콜렛(30)의 돌출부(37)는 콜렛(30)의 외측면으로부터 돌출되며, 돌출부(37)는, 예를 들어, 사각 플레이트 형상을 갖는다. 이와 다르게, 콜렛(30)의 돌출부(37)는 원판 형상을 가질 수 있다.The protrusion 37 of the collet 30 protrudes from the outer surface of the collet 30 and the protrusion 37 has, for example, a rectangular plate shape. Alternatively, the projecting portion 37 of the collet 30 may have a disk shape.

콜렛(30)이 반도체 칩을 보다 견고하게 흡착할 수 있도록 하기 위해, 콜렛(30)의 픽업면(36)에는, 예를 들어, 십자 형상을 갖는 진공홈(39)이 형성된다. 진공홈(39)은 콜렛(30)의 진공홀(34)과 연통 된다.For example, a cross-shaped vacuum groove 39 is formed on the pick-up surface 36 of the collet 30 so that the collet 30 can attract the semiconductor chip more firmly. The vacuum groove 39 communicates with the vacuum hole 34 of the collet 30.

충격 흡수 부재(40)는 콜렛(30)의 픽업면(36)을 덮고 충격 흡수 부재(40)는 콜렛(30)의 돌출부(37)에 고정된다.The shock absorbing member 40 covers the pickup face 36 of the collet 30 and the shock absorbing member 40 is fixed to the projecting portion 37 of the collet 30.

본 실시예에서, 충격 흡수 부재(40)는 반도체 칩을 콜렛(30)이 픽업할 때, 반도체 칩에 가해지는 충격을 분산 및/또는 흡수하여 반도체 칩의 파손을 방지한다.In this embodiment, when the collet 30 picks up the semiconductor chip, the shock absorbing member 40 disperses and / or absorbs the impact applied to the semiconductor chip to prevent breakage of the semiconductor chip.

반도체 칩에 가해지는 충격을 분산 및/또는 흡수하기 위한 충격 흡수 부재(40)는, 예를 들어, 고무와 같은 탄성 물질을 포함할 수 있다. 충격 흡수 부재(40)는 흡착 홀(42)을 더 포함할 수 있다. 충격 흡수 부재(40)의 흡착 홀(42)은 콜렛(30)의 픽업면(36)에 형성된 진공홈(39)마다 적어도 1 개가 형성될 수 있다.The shock absorbing member 40 for dispersing and / or absorbing the impact applied to the semiconductor chip may comprise an elastic material, for example, rubber. The shock absorbing member 40 may further include a suction hole 42. At least one suction hole 42 of the shock absorbing member 40 may be formed for each vacuum groove 39 formed on the pickup surface 36 of the collet 30.

이송 유닛(210)은 본딩 헤드(100)의 샤프트(20)에 결합 된다. 이송 유닛(210)은 진공홀(212)을 갖고, 진공홀(212)은 샤프트(20)의 관통홀(22)과 연결된다. 이송 유닛(210)은 본딩 헤드(100)에 픽업된 반도체 칩을 제1 지점으로부터 제2 지점으로 이송 및 반도체 칩의 높낮이를 조절한다.The transfer unit 210 is coupled to the shaft 20 of the bonding head 100. The transfer unit 210 has a vacuum hole 212 and the vacuum hole 212 is connected to the through hole 22 of the shaft 20. The transfer unit 210 transfers the semiconductor chips picked up in the bonding head 100 from the first point to the second point and adjusts the height of the semiconductor chip.

이송 유닛(210)은 본딩 헤드(100)의 샤프트(20)와 끼워 맞춤 되는 결합홈(211)을 갖는다. 결합홈(211)에는 나사 체결공(214)이 형성되고, 나사 체결공(214)에는 체결 나사(215)가 배치된다. 체결 나사(215)가 체결공(214)에 결합된 후 체결 나사(215)는 샤프트(20)의 표면을 가압하여 고정한다. 본 실시예에서, 본딩 헤드(100)의 샤프트(20)는 스테인리스 스틸과 같은 금속으로 이루어지기 때문에 체결 나사(215)에 의하여 샤프트(20)의 표면이 가압되더라도 샤프트(20)의 표면은 손상되지 않게 된다.The transfer unit 210 has a coupling groove 211 to be fitted to the shaft 20 of the bonding head 100. A screw hole 214 is formed in the coupling groove 211 and a fastening screw 215 is disposed in the screw hole 214. After the fastening screw 215 is coupled to the fastening hole 214, the fastening screw 215 presses and fixes the surface of the shaft 20. Since the shaft 20 of the bonding head 100 is made of a metal such as stainless steel in this embodiment, even if the surface of the shaft 20 is pressed by the tightening screw 215, the surface of the shaft 20 is not damaged .

진공 발생기(230)는 상호 연통된 이송 유닛(210)의 진공홀(212), 샤프트(20)의 관통홀(22) 및 콜렛(30)의 진공홀(32)에 대기압보다 낮은 진공압을 제공하고 진공압에 의하여 콜렛(30)과 접촉되는 반도체 칩은 반도체 칩 어탯치 장치(200)에 의하여 지정된 위치로 이송된다.The vacuum generator 230 provides a vacuum pressure lower than the atmospheric pressure to the vacuum hole 212 of the transfer unit 210, the through hole 22 of the shaft 20 and the vacuum hole 32 of the collet 30 And the semiconductor chip which is in contact with the collet 30 by the vacuum pressure is transferred to a position designated by the semiconductor chip attachatch device 200.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 의한 반도체 칩 어탯치 장치의 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a semiconductor chip etch tool according to another embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 반도체 칩 어탯치 장치(200)는 본딩 헤드(100), 이송 유닛(210) 및 진공 발생기(230)를 포함한다.Referring to FIG. 6, the semiconductor chip attach device 200 includes a bonding head 100, a transfer unit 210, and a vacuum generator 230.

본딩 헤드(100)는, 예를 들어, 반도체 칩 흡착 부재(50) 및 고정 부재(60)를 포함한다. 이에 더하여, 본딩 헤드(100)는 충격 흡수 부재(70)를 더 포함할 수 있다.The bonding head 100 includes, for example, a semiconductor chip adsorption member 50 and a fixing member 60. In addition, the bonding head 100 may further include an impact-absorbing member 70.

반도체 칩 흡착 부재(50)는 반도체 칩을 픽업하며, 정전기가 반도체 칩으로 인가되는 것을 방지하기 위하여 절연물질을 포함한다.The semiconductor chip adsorption member 50 picks up the semiconductor chip and includes an insulating material to prevent static electricity from being applied to the semiconductor chip.

반도체 칩을 흡착하여 픽업하기 위한 반도체 칩 흡착 부재(50)는 다양한 형상을 가질 수 있으나, 본 실시예에서 반도체 칩 흡착 부재(50)는, 예를 들어, 관통홀(51)을 갖는 파이프 형상을 갖는다.Although the semiconductor chip adsorption member 50 for picking up the semiconductor chip by suction may have various shapes, the semiconductor chip adsorption member 50 in this embodiment may be formed in a pipe shape having, for example, a through hole 51 .

한편, 정전기가 반도체 칩으로 인가되는 것을 방지하기 위하여 관통홀(51)을 갖는 파이프 형상의 반도체 칩 흡착 부재(50)는 절연 물질로 이루어진다. 반도체 칩 흡착 부재(50)에 포함된 절연 물질로 사용될 수 있는 물질의 예로서는 합성 수지의 하나인 PEEK 등을 들 수 있다. 비록 본 실시예에서 반도체 칩 흡착 부재(50)는, 예를 들어, PEEK를 포함하지만 반도체 칩 흡착 부재(50)는 이와 다르게 다양한 합성 수지를 포함할 수 있다.On the other hand, in order to prevent static electricity from being applied to the semiconductor chip, the pipe-shaped semiconductor chip adsorption member 50 having the through holes 51 is made of an insulating material. An example of a material that can be used as an insulating material included in the semiconductor chip adsorbing member 50 is PEEK, which is one of synthetic resins. Although the semiconductor chip adsorption member 50 in this embodiment includes, for example, PEEK, the semiconductor chip adsorption member 50 may alternatively include various synthetic resins.

반도체 칩 흡착 부재(50)의 외측면에는 제1 돌출부(52)가 배치된다. 제1 돌출부(52)는 반도체 칩 흡착 부재(50)의 외측면으로부터 돌출되며, 제1 돌출부(52)는 사각 플레이트 형상을 갖는다. 본 실시예에서, 제1 돌출부(52)는 반도체 칩 흡착 부재(50)와 일체로 형성될 수 있다.A first projection 52 is disposed on the outer surface of the semiconductor chip adsorption member 50. The first protrusion 52 protrudes from the outer surface of the semiconductor chip adsorbing member 50, and the first protrusion 52 has a rectangular plate shape. In this embodiment, the first projecting portion 52 may be integrally formed with the semiconductor chip adsorbing member 50.

반도체 칩 흡착 부재(50)는 정전기가 반도체 칩으로 인가되는 것을 방지 및 반도체 칩을 픽업하기 위하여 절연물질로 이루어지고 관통홀(51)을 갖는 파이프 형상을 갖는다.The semiconductor chip adsorbing member 50 is formed of an insulating material to prevent static electricity from being applied to the semiconductor chip and to pick up the semiconductor chip, and has a pipe shape having a through hole 51.

반도체 칩 흡착 부재(50)가 PEEK와 같은 절연 물질로 이루어질 경우, 반도체 칩 흡착 부재(50)를 체결 나사 등으로 고정할 때 반도체 칩 흡착 부재(50)의 표면 손상 및 반도체 칩 흡착 부재(50)가 지정된 위치로부터 이탈될 수 있다.When the semiconductor chip adsorbing member 50 is made of an insulating material such as PEEK, when the semiconductor chip adsorbing member 50 is fixed with a fastening screw or the like, the surface damage of the semiconductor chip adsorbing member 50, Can be deviated from the designated position.

고정 부재(60)는 반도체 칩 흡착 부재(50)의 표면 손상 및 반도체 칩 흡착 부재(50)가 지정된 위치로부터 이탈되는 것을 방지한다. 본 실시예에서, 고정 부재(60)는 반도체 칩 흡착 부재(50)의 표면 손상 및 반도체 칩 흡착 부재(50)의 위치 이탈을 방지하기 위해 금속으로 이루어진다. 고정 부재(60)로 사용될 수 있는 물질의 예로서는 스테인리스 스틸을 들 수 있다.The fixing member 60 prevents the surface damage of the semiconductor chip adsorption member 50 and the semiconductor chip adsorption member 50 from being displaced from the designated position. In this embodiment, the fixing member 60 is made of metal to prevent surface damage of the semiconductor chip adsorbing member 50 and deviation of the semiconductor chip adsorbing member 50 from the position. An example of a material that can be used as the fixing member 60 is stainless steel.

이를 구현하기 위하여, 고정 부재(60)는, 예를 들어, 파이프 형상을 갖는다. 고정 부재(60)는 파이프 형상 이외에도 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 고정 부재(60)의 길이는 반도체 칩 흡착 부재(50)의 길이보다 짧은 길이를 갖는다.In order to realize this, the fixing member 60 has, for example, a pipe shape. The fixing member 60 may be formed in various shapes other than the pipe shape. In this embodiment, the length of the fixing member 60 is shorter than the length of the semiconductor chip suction member 50.

파이프 형상을 갖는 고정 부재(60)의 내측면은 반도체 칩 흡착 부재(50)의 외측면에 끼워지고, 이로 인해 고정 부재(60)는 반도체 칩 흡착 부재(50)에 견고하게 고정된다.The inner surface of the fixing member 60 having a pipe shape is fitted to the outer surface of the semiconductor chip adsorption member 50 so that the fixing member 60 is firmly fixed to the semiconductor chip adsorption member 50. [

고정 부재(60)는 제2 돌출부(62)를 포함할 수 있다. 제2 돌출부(62)는 반도체 칩 흡착 부재(50)의 제1 돌출부(52)와 마주하도록 고정 부재(60)의 외측면으로부터 돌출된다. 제2 돌출부(62)는 제1 돌출부(52)와 접촉한다.The fixing member 60 may include a second projection 62. The second projection 62 protrudes from the outer surface of the fixing member 60 so as to face the first projection 52 of the semiconductor chip suction member 50. The second projection 62 contacts the first projection 52.

충격 흡수 부재(70)는 반도체 칩 흡착 부재(50) 중 반도체 칩을 픽업하는 부분을 충격 흡수 부재(70)는 반도체 칩 흡착 부재(50)의 제1 돌출부(52)에 고정된다.The shock absorbing member 70 is fixed to the first projecting portion 52 of the semiconductor chip absorbing member 50 while the portion of the semiconductor chip absorbing member 50 at which the semiconductor chip is picked up is fixed.

본 실시예에서, 충격 흡수 부재(70)는 반도체 칩을 반도체 칩 흡착 부재(50)가 픽업할 때, 반도체 칩에 가해지는 충격을 분산 및/또는 흡수하여 반도체 칩의 파손을 방지한다.In this embodiment, the shock absorbing member 70 disperses and / or absorbs the impact applied to the semiconductor chip when the semiconductor chip absorbing member 50 picks up the semiconductor chip, thereby preventing breakage of the semiconductor chip.

반도체 칩에 가해지는 충격을 분산 및/또는 흡수하기 위한 충격 흡수 부재(70)는, 예를 들어, 고무와 같은 탄성 물질을 포함할 수 있다. 충격 흡수 부재(70)는 반도체 칩 흡착 부재(50)의 관통홀(51)과 연통되는 흡착 홀(72)을 더 포함할 수 있다.The shock absorbing member 70 for dispersing and / or absorbing the impact applied to the semiconductor chip may comprise an elastic material such as, for example, rubber. The shock absorbing member 70 may further include a suction hole 72 communicating with the through hole 51 of the semiconductor chip adsorption member 50.

이송 유닛(210)은 본딩 헤드(100)의 고정 부재(60)의 외측면에 결합 된다. 이송 유닛(210)은 진공홀(212)을 갖고, 진공홀(212)은 반도체 칩 흡착 부재(50)의 관통홀(52)과 연결된다. 이송 유닛(210)은 본딩 헤드(100)에 픽업된 반도체 칩을 제1 지점으로부터 제2 지점으로 이송 및 반도체 칩의 높낮이를 조절한다.The transfer unit 210 is coupled to the outer surface of the fixing member 60 of the bonding head 100. The transfer unit 210 has a vacuum hole 212 and the vacuum hole 212 is connected to the through hole 52 of the semiconductor chip suction member 50. The transfer unit 210 transfers the semiconductor chips picked up in the bonding head 100 from the first point to the second point and adjusts the height of the semiconductor chip.

이송 유닛(210)은 본딩 헤드(100)의 고정 부재(60)의 외측면과 끼워 맞춤 되는 결합홈(211)을 갖는다. 결합홈(211)에는 나사 체결공(214)이 형성되고, 나사 체결공(214)에는 체결 나사(215)가 배치된다. 체결 나사(215)가 체결공(214)에 결합된 후 체결 나사(215)는 고정 부재(60)의 외측면을 가압하여 고정한다. 본 실시예에서, 본딩 헤드(100)의 고정 부재(60)는 스테인리스 스틸과 같은 금속으로 이루어지기 때문에 체결 나사(215)에 의하여 고정 부재(60)의 표면이 가압 되더라도 고정 부재(60)의 표면 손상을 발생되지 않는다.The transfer unit 210 has a coupling groove 211 to be fitted to the outer surface of the fixing member 60 of the bonding head 100. A screw hole 214 is formed in the coupling groove 211 and a fastening screw 215 is disposed in the screw hole 214. After the fastening screw 215 is coupled to the fastening hole 214, the fastening screw 215 presses and fixes the outer surface of the fastening member 60. Since the fixing member 60 of the bonding head 100 is made of metal such as stainless steel in this embodiment, even if the surface of the fixing member 60 is pressed by the fastening screw 215, No damage occurs.

진공 발생기(230)는 상호 연통된 이송 유닛(210)의 진공홀(212), 반도체 칩 흡착 부재(50)의 관통홀(52)에 진공홀(32)에 대기압보다 낮은 진공압을 제공하고 진공압에 의하여 반도체 칩 흡착 부재(50)와 접촉되는 반도체 칩은 반도체 칩 어탯치 장치(200)에 의하여 지정된 위치로 이송된다.The vacuum generator 230 supplies a vacuum pressure lower than the atmospheric pressure to the vacuum hole 212 of the transfer unit 210 and the vacuum hole 32 in the through hole 52 of the semiconductor chip suction member 50, The semiconductor chip which is in contact with the semiconductor chip adsorbing member 50 by air pressure is transferred to a position designated by the semiconductor chip attaching apparatus 200. [

이상에서 상술한 바에 의하면, 반도체 칩을 픽업하는 본딩 헤드 또는 본딩 헤드를 갖는 반도체 칩 다이 어탯치 장치에서 반도체 칩으로 정전기가 인가되는 것을 방지할 뿐만 아니라 본딩 헤드를 고정할 때 표면 손상 및 위치 변경이 발생되는 것을 방지할 수 있다.As described above, in the semiconductor chip diaphragm device having a bonding head for picking up a semiconductor chip or a bonding head, it is possible to prevent static electricity from being applied to the semiconductor chip, Can be prevented.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이 해할 수 있을 것이다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be the most practical and preferred embodiment, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It is to be understood that the invention may be variously modified and changed without departing from the scope of the invention.

Claims (17)

반도체 칩을 픽업하며 정전기가 상기 반도체 칩으로 인가되는 것을 방지하기 위한 절연물질을 포함하고 관통홀을 갖는 콜렛; 및A collet including an insulating material for picking up a semiconductor chip and preventing static electricity from being applied to the semiconductor chip, the collet having a through hole; And 상기 콜렛의 관통홀과 결합 되며 상기 관통홀과 연통 되는 진공홀을 갖는 금속 재질의 샤프트를 포함하는 본딩 헤드.And a shaft made of a metal material having a vacuum hole coupled to the through hole of the collet and communicating with the through hole. 제1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 콜렛은 상기 콜렛의 외주면으로부터 돌출된 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 본딩 헤드.Wherein the collet includes a protrusion protruding from an outer circumferential surface of the collet. 제2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 콜렛을 덮고 상기 돌출부에 고정되며 상기 관통홀과 연결된 개구를 갖는 충격 흡수 커버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 본딩 헤드.And a shock absorbing cover covering the collet and fixed to the protrusion and having an opening connected to the through hole. 제1항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 반도체 칩이 픽업되는 상기 콜렛의 픽업면에는 상기 관통홀과 연결된 십자형의 진공홈이 형성된 것을 특징으로 하는 본딩 헤드.Wherein a cross-shaped vacuum groove connected to the through hole is formed on a pickup surface of the collet on which the semiconductor chip is picked up. 제1항에 있어서, 상기 콜렛은 PEEK(Poly Ether Ether Ketone)를 포함하고, 상기 샤프트는 스테인리스 스틸 계열 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 본딩 헤드.The bonding head of claim 1, wherein the collet comprises a PEEK (Poly Ether Ether Ketone) and the shaft comprises a stainless steel-based metal. 반도체 칩을 픽업하며 상기 반도체 칩으로 정전기가 인가되는 것을 방지하기 위한 절연물질을 포함하고 관통홀을 갖는 반도체 칩 흡착 부재; 및A semiconductor chip adsorption member including an insulating material for picking up a semiconductor chip and preventing static electricity from being applied to the semiconductor chip and having a through hole; And 상기 반도체 칩 흡착 부재의 외측면에 결합 된 금속 재질의 고정 부재를 포함하는 본딩 헤드.And a fixing member made of a metal and coupled to an outer surface of the semiconductor chip adsorbing member. 제6항에 있어서, 상기 반도체 칩 흡착 부재 및 상기 고정 부재는 파이프 형상을 갖고, 상기 반도체 칩 흡착 부재의 길이는 상기 고정 부재의 길이보다 긴 것을 특징으로 하는 본딩 헤드.7. The bonding head according to claim 6, wherein the semiconductor chip adsorption member and the fixing member have a pipe shape, and the length of the semiconductor chip adsorption member is longer than the length of the fixing member. 제7항에 있어서,8. The method of claim 7, 상기 반도체 칩 흡착 부재는 상기 반도체 칩 흡착 부재의 외측면으로부터 돌출된 제1 돌출부를 포함하고, 상기 고정 부재는 상기 고정 부재의 외측면으로부터 상기 제1 돌출부를 따라 돌출된 제2 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 본딩 헤드.Wherein the semiconductor chip adsorbing member includes a first protrusion protruding from an outer surface of the semiconductor chip adsorbing member and the fixing member includes a second protrusion protruding from the outer surface of the fixing member along the first protrusion Features a bonding head. 제6항에 있어서, 상기 반도체 칩 흡착 부재는 PEEK(Poly Ether Ether Ketone)를 포함하고, 상기 고정 부재는 스테인리스 스틸 계열 금속을 포함하는 것 을 특징으로 하는 본딩 헤드.7. The bonding head according to claim 6, wherein the semiconductor chip adsorption member comprises PEEK (Poly Ether Ether Ketone), and the fixing member includes a stainless steel-based metal. 반도체 칩을 픽업하며 상기 반도체 칩으로 정전기가 인가되는 것을 방지하기 위한 절연물질을 포함하고 관통홀을 갖는 콜렛 및 상기 콜렛의 관통홀과 결합되며 상기 관통홀과 연통되는 진공홀을 갖는 금속재질의 샤프트를 포함하는 본딩 헤드;A collet having an insulating material for picking up a semiconductor chip and preventing static electricity from being applied to the semiconductor chip and having a through hole and a shaft made of a metal material having a vacuum hole connected to the through hole of the collet and communicating with the through hole, A bonding head; 상기 샤프트의 외측면에 결합 되며 상기 본딩 헤드를 이송하는 이송 유닛; 및A transfer unit coupled to an outer surface of the shaft and transferring the bonding head; And 상기 진공홀에 진공압을 발생하는 진공 발생기를 포함하는 반도체 칩 어탯치 장치. And a vacuum generator for generating a vacuum pressure in the vacuum hole. 제 10 항에 있어서, 11. The method of claim 10, 상기 콜렛의 픽업면에는 상기 관통홀과 연결된 십자형의 진공홈이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 칩 어탯치 장치.And a cross-shaped vacuum groove connected to the through hole is formed on a pick-up surface of the collet. 제10항에 있어서, 11. The method of claim 10, 상기 콜렛은 상기 콜렛을 덮는 충격 흡수 커버를 더 포함하고, 상기 충격 흡수 커버는 상기 진공홀과 연통된 흡착홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 어탯치 장치.Wherein the collet further comprises an impact-absorbing cover covering the collet, and the shock-absorbing cover includes an absorption hole communicated with the vacuum hole. 제10항에 있어서, 상기 콜렛은 PEEK(Poly Ether Ether Ketone)를 포함하고, 상기 샤프트는 스테인리스 스틸 계열 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 어탯치 장치.11. The semiconductor chip etch tool of claim 10, wherein the collet comprises a PEEK (Poly Ether Ether Ketone) and the shaft comprises a stainless steel metal. 반도체 칩을 픽업하며 상기 반도체 칩으로 정전기가 인가되는 것을 방지하기 위한 절연물질을 포함하고 관통홀을 갖는 반도체 칩 흡착 부재 및 상기 반도체 칩 흡착 부재의 외측면에 결합 된 금속 재질의 고정 부재를 포함하는 본딩 헤드;A semiconductor chip adsorption member including an insulating material for picking up a semiconductor chip and preventing static electricity from being applied to the semiconductor chip, the semiconductor chip adsorption member having a through hole, and a metal fixing member coupled to an outer surface of the semiconductor chip adsorption member Bonding head; 상기 고정 부재의 외측면과 결합 되며 상기 본딩 헤드를 이송하는 이송 유닛; 및A conveying unit coupled to an outer surface of the fixing member and conveying the bonding head; And 상기 관통홀에 진공압을 발생하는 진공 발생기를 포함하는 반도체 칩 어탯치 장치.And a vacuum generator for generating a vacuum pressure in the through hole. 제14항에 있어서, 상기 반도체 칩 흡착 부재 및 상기 고정 부재는 파이프 형상을 갖고, 상기 반도체 칩 흡착 부재의 길이는 상기 고정 부재의 길이보다 긴 것을 특징으로 하는 반도체 칩 어탯치 장치.15. The semiconductor chip etch tool according to claim 14, wherein the semiconductor chip adsorption member and the fixing member have a pipe shape, and the length of the semiconductor chip adsorption member is longer than the length of the fixing member. 제15항에 있어서,16. The method of claim 15, 상기 반도체 칩 흡착 부재는 상기 반도체 칩 흡착 부재의 외측면으로부터 돌출된 제1 돌출부를 포함하고, 상기 고정 부재는 상기 고정 부재의 외측면으로부터 상기 제1 돌출부를 따라 돌출된 제2 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 어탯치 장치.Wherein the semiconductor chip adsorbing member includes a first protrusion protruding from an outer surface of the semiconductor chip adsorbing member and the fixing member includes a second protrusion protruding from the outer surface of the fixing member along the first protrusion And the semiconductor chip attaching device. 제14항에 있어서, 상기 반도체 칩 흡착 부재는 PEEK(Poly Ether Ether Ketone)를 포함하고, 상기 고정 부재는 스테인리스 스틸 계열 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩 어탯치 장치.15. The semiconductor chip etch tool of claim 14, wherein the semiconductor chip adsorbing member comprises PEEK (Poly Ether Ether Ketone), and the fixing member includes a stainless steel metal.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101570764B1 (en) 2014-02-27 2015-11-20 주식회사 페코텍 Collet for boding semiconductor die
KR20190032158A (en) * 2016-12-28 2019-03-27 옌-추안 린 Connection Nozzle Assembly Structure
KR20190034482A (en) * 2016-12-28 2019-04-02 옌-추안 린 Connection Nozzle Assembly Structure
KR20200119048A (en) * 2019-04-09 2020-10-19 레이저쎌 주식회사 Laser pressure head module of laser reflow equipment
KR102348437B1 (en) * 2021-07-19 2022-01-07 시대테크 주식회사 A pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip with bumpers by using a plurality of micro-holes and method for manufacturing the same
KR20220046970A (en) * 2020-10-08 2022-04-15 에스케이하이닉스 주식회사 Collet Structure and Semiconductor Fabricating Apparatus Including The Same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980027878A (en) * 1996-10-18 1998-07-15 김광호 Bonder head of die bonding device
JPH10209228A (en) 1997-01-22 1998-08-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Work thermocompression bonding equipment
JPH10242174A (en) 1997-02-25 1998-09-11 Nec Corp Bonding head
KR20060057098A (en) * 2004-11-23 2006-05-26 삼성테크윈 주식회사 Bonding head and flip chip bonding device having same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980027878A (en) * 1996-10-18 1998-07-15 김광호 Bonder head of die bonding device
JPH10209228A (en) 1997-01-22 1998-08-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Work thermocompression bonding equipment
JPH10242174A (en) 1997-02-25 1998-09-11 Nec Corp Bonding head
KR20060057098A (en) * 2004-11-23 2006-05-26 삼성테크윈 주식회사 Bonding head and flip chip bonding device having same

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101570764B1 (en) 2014-02-27 2015-11-20 주식회사 페코텍 Collet for boding semiconductor die
KR20190032158A (en) * 2016-12-28 2019-03-27 옌-추안 린 Connection Nozzle Assembly Structure
KR20190034482A (en) * 2016-12-28 2019-04-02 옌-추안 린 Connection Nozzle Assembly Structure
KR102422170B1 (en) * 2016-12-28 2022-07-18 옌-추안 린 Connection Nozzle Assembly Structure
KR102440282B1 (en) * 2016-12-28 2022-09-02 옌-추안 린 Assembly structure to connect suction nozzles
KR20200119048A (en) * 2019-04-09 2020-10-19 레이저쎌 주식회사 Laser pressure head module of laser reflow equipment
KR102174930B1 (en) * 2019-04-09 2020-11-05 레이저쎌 주식회사 Laser pressure head module of laser reflow equipment
KR20220046970A (en) * 2020-10-08 2022-04-15 에스케이하이닉스 주식회사 Collet Structure and Semiconductor Fabricating Apparatus Including The Same
KR102796150B1 (en) 2020-10-08 2025-04-16 에스케이하이닉스 주식회사 Collet Structure and Semiconductor Fabricating Apparatus Including The Same
KR102348437B1 (en) * 2021-07-19 2022-01-07 시대테크 주식회사 A pickup device capable of uniformly sucking a semiconductor chip with bumpers by using a plurality of micro-holes and method for manufacturing the same

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