KR100876153B1 - 비구면 요소를 갖는 투영 노출 렌즈 시스템 - Google Patents
비구면 요소를 갖는 투영 노출 렌즈 시스템 Download PDFInfo
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Abstract
Description
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- 하나의 대물평면;빔을 분리하기 위한 하나의 광학요소;하나의 오목 거울;영상평면;상기 대물 평면과 상기 빔을 분리하기 위한 광학요소 사이에 위치하는 제 1 렌즈 시스템;상기 빔을 분리하기 위한 광학요소와 상기 오목 거울 사이에 위치하며 이중 통과되는 제 2 렌즈 시스템; 및상기 빔을 분리하기 위한 광학요소와 상기 영상평면 사이에 위치하는 제 3 렌즈 시스템을 포함하여 구성되며,상기 제 2 렌즈 시스템이 최대 5개의 렌즈로 구성되고 두 개의 렌즈는 부(negative) 렌즈인 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 2 렌즈 시스템이 두 개의 렌즈로 구성되는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 2 렌즈 시스템이 3개의 렌즈들로 구성되는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
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- 제 4 항에 있어서,상기 제 2 렌즈 시스템의 두 렌즈들의 정점(vertex)사이의 거리가 0.6*오목거울직경 보다 작은 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 5 항에 있어서,상기 세 개의 렌즈는 제 1 렌즈, 제 2 렌즈 그리고 제 3 렌즈로 구성되며, 상기 제 2 렌즈 시스템의 상기 제 1 렌즈와 상기 제 3 렌즈의 정점 사이의 거리가 0.6*오목거울직경 보다 작은 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 4 항에 있어서,상기 두 개의 렌즈들의 각각의 직경이 1.1*개구스톱직경(diameter of aperture stop) 보다 큰 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 5 항에 있어서,상기 3 개의 렌즈들의 각각의 직경이 1.1*개구스톱직경 보다 큰 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 4 항에 있어서,상기 빔을 분리하기 위한 광학 요소와 상기 제 2 렌즈 시스템의 2개의 렌즈 중의 제 1 렌즈 사이의 거리가 1.5*상기 제 1 렌즈직경 보다 큰 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 5 항에 있어서,상기 빔을 분리하기 위한 광학요소와 상기 제 2 렌즈 시스템의 3 개의 렌즈 중의 제 1 렌즈 사이의 거리가 1.5*상기 제 1 렌즈직경 보다 큰 것을 특징으로 하는 투영 노출렌즈 시스템.
- 제 3항에 있어서,상기 빔을 분리하기 위한 광학요소가 빔 스플리터(splitter) 또는 폴딩면(folding surface)를 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 노출렌즈 시스템.
- 제 3 항에 있어서,알엠에스 파면 수차(rms wavefront aberration)가 20 밀리웨이브(miliwave)보다 작은 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 1 렌즈 시스템이 한 개의 렌즈로 구성되는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 16 항에 있어서,상기 제 1 렌즈 시스템의 한 개의 렌즈가 양의 렌즈(positive lens)인 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 17 항에 있어서,상기 제 1 렌즈 시스템의 상기 한 개의 렌즈가 하나의 비구면을 가지는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 14 항에 있어서,상기 빔 폴딩면(folding surface)이 두 개의 폴딩 거울(folding mirror)로 구성되는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 19 항에 있어서,상기 폴딩 거울들이 프리즘의 내부면인 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 20 항에 있어서,상기 프리즘 재질의 굴절 상수가 1.4 보다 큰 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 21 항에 있어서,상기 프리즘 재질의 팽창 계수가 -20℃에서 + 300℃의 온도 범위에서 10-6K-1보다 작은 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 19 항에 있어서,상기 폴딩 거울의 면이 반사 강화 박막으로 코팅된 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 19 항에 있어서,상기 폴딩 거울이 하나의 비구면을 가지는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 2 렌즈 시스템과 상기 오목 거울이 경로가 변경되지 않은(unfolded) 광학축을 따라 배열되는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 25 항에 있어서,폴딩 거울이, 상기 제 1 렌즈 시스템과 상기 제 2 렌즈 시스템의 광학축이 교차하는 영역에 위치하는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 19 항에 있어서, 이중 투과되는 제 2 렌즈 시스템의 렌즈들과 상기 오목거울이, 상기 제 1 렌즈 시스템의 제 1 렌즈와 상기 대물 평면의 거리보다 상기 대물 평면으로부터 더 멀리 떨어지도록 하기 위하여 폴딩각(folding angle)이 90°에서 벗어나는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 3 항에 있어서,중간상(inetrmediate image)이 포함되는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 28 항에 있어서,상기 중간상은 상기 제 3 렌즈 시스템 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 28 항에 있어서,상기 중간상은 상기 빔을 분리하는 광학 요소와 상기 제 3 렌즈 시스템의 제 1 렌즈 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 3 렌즈 시스템이 개구스톱을 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 31 항에 있어서,상기 제 3 렌즈 시스템이 중간상과 상기 개구스톱 사이에 위치된 렌즈들이 없는 긴 드리프트 영역(drift space)을 가지는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 31 항에 있어서,렌즈가 없는 드리프트 영역은 상기 빔을 분리하기 위한 광학요소와 상기 영상 평면 사이 거리의 25%이상인 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 28 항에 있어서,중간상과 상기 제 3 렌즈 시스템 내에서 중간상이 시작되는 영상 평면 사이 거리의 50% 이내에서 최대 4 개의 렌즈가 위치되는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 32 항에 있어서,상기 제 3 렌즈 시스템을 구성하는 렌즈들이 상기 개구스톱과 상기 영상평면 사이에서 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 투영 노출렌즈 시스템.
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- 제 3 항에 있어서,상기 제 2 렌즈 시스템과 오목거울을 포함하는 서브 시스템은 하나의 비구면을 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 노출렌즈 시스템.
- 제 38 항에 있어서,상기 오목거울 다음에 위치하는 상기 제 2 렌즈 시스템의 렌즈가 하나의 비구면을 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 38 항에 있어서,상기 오목거울이 하나의 비구면을 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 39 항에 있어서,상기 오목 거울 다음에 위치하는 상기 제 2 렌즈 시스템의 렌즈가 하나의 비구면을 포함하며, 상기 비구면이 상기 오목거울의 면과 마주하도록 위치되는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 41 항에 있어서,상기 오목 거울이 하나의 비구면을 포함하는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 38 항에 있어서,개구 스톱이 제 3 렌즈 시스템에 위치하며, 하나 이상의 비구면의 조건 h/ø> 1.2가 충족되며, 상기 h는 최대 개구수를 가지고 렌즈면을 통해 투과되어서 대물 평면의 광학축의 교차점으로부터 투영되어지는 것으로 가정하였을 경우에 렌즈 면에서 방출되는 빛의 높이이며, 상기 ø는 제 3 렌즈 군의 개구 격막(diaphragm of aperture)의 반경인 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 3 렌즈 시스템의 렌즈들 중 하나 이상이 비구면인 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 44 항에 있어서,상기 제 3 렌즈 시스템의 하나 이상의 비구면은 개구 평면앞의 위치와 개구 평면 다음의 위치에 각각 위치하는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 44 항에 있어서,상기 영상 평면에 인접하여 위치하는 렌즈 중의 하나의 렌즈면이 비구면인 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 3 항에 있어서,상기 투영 노출 렌즈 시스템의 모든 렌즈들이 동일한 재료로 제조되는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 3 항에 있어서,상기 투영 노출 렌즈 시스템의 모든 렌즈들이 각각 제 1 재료와 제 2 재료 중의 어느 하나로 제조되고, 상기 투영 노출렌즈 시스템의 모든 렌즈들 중 단지 4개 렌즈만이 제 2 재료로 제조되는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 47 항 또는 제 48 항에 있어서,제 47 항에서의 상기 재료 또는 제 48 항에서의 상기 제 1 재료 또는 상기 제 2 재료는 석영유리, LiF, CaF2, BaF2, 플르오르화물 결정 또는 이 물질들의 조합으로 구성되는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 49 항에 있어서,상기 투영 노출 시스템을 투과하여 진행하는 빛의 파장이180 < λ < 250nm 인 경우 석영유리 또는 CaF2가,120 < λ < 180nm 인 경우 CaF2 또는 BaF2가 렌즈의 재료로 사용되는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 3 렌즈 시스템이 하나의 필드 렌즈(feild lens)군과 하나의 중간 보정 렌즈군 및 하나의 초점 렌즈(focussing lens)군으로 구성되는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 51 항에 있어서,상기 제 3 렌즈 시스템이 포함하는 상기 필드 렌즈 군은 양의 굴절력을 가지며, 상기 중간 보정 렌즈 군은 양 또는 음의 굴절력을 자지며, 상기 초점렌즈군은 양의 굴절력을 가지는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 3 항에 있어서,대물측으로부터 음의 렌즈와 양의 렌즈의 순서로 되어있는 하나의 - +의 이중 접합 렌즈(-+ power doublet)가 상기 제 3 렌즈 시스템 내에 배열되는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 삭제
- 제 3 항에 있어서,상기 투영 노출 렌즈 시스템은 중간상을 포함하며 상기 제 3 렌즈 시스템은 한 쌍의 오목-볼록 렌즈(menisci)을 포함하여 구성되며, 상기 중간상 측 오목-볼록 렌즈의 볼록면이 중간상을 향하며, 상기 또 다른 오목-볼록 렌즈의 볼록면은 상기 중간상 측 오목-볼록 렌즈의 볼록면이 향하는 방향과 반대로 향하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 51 항에 있어서,한 쌍의 오목-볼록 렌즈는 상기 중간 보정 렌즈군 내에 위치되는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 51 항에 있어서,하나의 - + 이중 접합 렌즈가 상기 초점 렌즈 군내에 위치되는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 53 항에 있어서,상기 하나의 - + 이중 접합 렌즈가 상기 제 3 렌즈 시스템 내의 개구평면 다음에 위치되는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 3 항에 있어서,종축 색수차가 193nm에서 1pm의 대역폭당 0.015㎛ 보다 작은 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 3 항에 있어서,종축 색수차가 157nm에서 1pm의 대역폭당 0.05㎛ 보다 작은 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 3 항에 있어서,상기 투영 노출 렌즈 시스템은 양측 방향으로 텔레센트릭(telecentric)한 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- UV 레이저 광원;조명 장치;마스크 제어 및 위치 지정 장치;상기 제 3 항 내지 제 5 항, 제 8 항 내지 제 35 항, 제 38 항 내지 제 48 항, 제 51 항 내지 제 53 항, 제 55 항 내지 제 61 항 중 어느 한 항에서 언급된 투영 노출 렌즈 시스템; 및웨이퍼 제어 및 위치 지정 장치를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 투영 노출 장치.
- 제 62 항에 따른 투영 노출 장치를 이용하는 리소그래피에 의한 마이크로 구조 소자 제작방법에 있어서, 마스크(mask)는 웨이퍼 상에 상기 투영 노출 장치에 의해 투영되고 상기 조명 장치에 의해 비춰지는 것을 특징으로 하는 마이크로구조 소자 제작 방법.
- 제 63 항에 있어서,상기 이용은 스텝- 앤드 리피트, 스캐닝 또는 스티칭(step- and repeat, scanning or stitching) 노출 체계(scheme)로 되는 것을 특징으로 하는 마이크로 구조 제작 방법.
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- 제 4 항에 있어서,상기 제 2 렌즈 시스템의 두 렌즈들의 정점(vertex)사이의 거리가 0.5*오목거울직경 보다 작은 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 5 항에 있어서,상기 세 개의 렌즈는 제 1 렌즈, 제 2 렌즈 그리고 제 3 렌즈로 구성되며, 상기 제 2 렌즈 시스템의 상기 제 1 렌즈와 상기 제 3 렌즈의 정점 사이의 거리가 0.5*오목거울직경 보다 작은 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 4 항에 있어서,상기 두 개의 렌즈들의 각각의 직경이 1.2*개구스톱직경(diameter of aperture stop) 보다 큰 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 5 항에 있어서,상기 3 개의 렌즈들의 각각의 직경이 1.2*개구스톱직경 보다 큰 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 4 항에 있어서,상기 빔을 분리하기 위한 광학 요소와 상기 제 2 렌즈 시스템의 2개의 렌즈 중의 제 1 렌즈 사이의 거리가 1.8*상기 제 1 렌즈직경 보다 큰 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 5 항에 있어서,상기 빔을 분리하기 위한 광학요소와 상기 제 2 렌즈 시스템의 3 개의 렌즈 중의 제 1 렌즈 사이의 거리가 1.8*상기 제 1 렌즈직경 보다 큰 것을 특징으로 하는 투영 노출렌즈 시스템.
- 제 3 항에 있어서,알엠에스 파면 수차(rms wavefront aberration)가 10 밀리웨이브(miliwave) 보다 작은 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 48 항에 있어서,상기 제 1 재료 및 상기 제 2 재료는 석영유리, LiF, CaF2, BaF2, 플르오르화물 결정 또는 이 물질들의 조합으로 구성되는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 73 항에 있어서,상기 투영 노출 시스템을 투과하여 진행하는 빛의 파장이180 < λ < 250nm 인 경우 석영유리 및 CaF2가,120 < λ < 180nm 인 경우 CaF2 및 BaF2가 렌즈의 재료로 사용되는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 3 항에 있어서,상기 투영 노출 렌즈 시스템의 모든 렌즈들이 각각 제 1 재료와 제 2 재료 중의 어느 하나로 제조되고, 상기 투영 노출 렌즈 시스템의 모든 렌즈들 중의 단지 3개 렌즈만이 제 2 재료로 제조되는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 75 항에 있어서,상기 제 1 재료 및 상기 제 2 재료는 석영유리, LiF, CaF2, BaF2, 플르오르화물 결정 또는 이 물질들의 조합으로 구성되는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
- 제 76 항에 있어서,상기 투영 노출 시스템을 투과하여 진행하는 빛의 파장이180 < λ < 250nm 인 경우 석영유리 및 CaF2가,120 < λ < 180nm 인 경우 CaF2 및 BaF2가 렌즈의 재료로 사용되는 것을 특징으로 하는 투영 노출 렌즈 시스템.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US17352399P | 1999-12-29 | 1999-12-29 | |
| US60/173,523 | 1999-12-29 | ||
| US22279800P | 2000-08-02 | 2000-08-02 | |
| US60/222,798 | 2000-08-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010062830A KR20010062830A (ko) | 2001-07-07 |
| KR100876153B1 true KR100876153B1 (ko) | 2008-12-29 |
Family
ID=26869245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020000084568A Expired - Fee Related KR100876153B1 (ko) | 1999-12-29 | 2000-12-28 | 비구면 요소를 갖는 투영 노출 렌즈 시스템 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6665126B2 (ko) |
| EP (1) | EP1115019A3 (ko) |
| JP (1) | JP2001221950A (ko) |
| KR (1) | KR100876153B1 (ko) |
| TW (1) | TW528880B (ko) |
Families Citing this family (51)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6157498A (en) | 1996-06-19 | 2000-12-05 | Nikon Corporation | Dual-imaging optical system |
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| US6680803B2 (en) * | 1996-12-21 | 2004-01-20 | Carl-Zeiss Smt Ag | Partial objective in an illuminating systems |
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| US6995930B2 (en) | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
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- 2000-12-19 EP EP00127786A patent/EP1115019A3/en not_active Withdrawn
- 2000-12-27 US US09/751,352 patent/US6665126B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-28 KR KR1020000084568A patent/KR100876153B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2000-12-28 JP JP2000402836A patent/JP2001221950A/ja active Pending
- 2000-12-29 TW TW089128337A patent/TW528880B/zh not_active IP Right Cessation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010062830A (ko) | 2001-07-07 |
| US20020039175A1 (en) | 2002-04-04 |
| JP2001221950A (ja) | 2001-08-17 |
| EP1115019A2 (en) | 2001-07-11 |
| US6665126B2 (en) | 2003-12-16 |
| TW528880B (en) | 2003-04-21 |
| EP1115019A3 (en) | 2004-07-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109 |
|
| AMND | Amendment | ||
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| R17-X000 | Change to representative recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000 |
|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| A201 | Request for examination | ||
| AMND | Amendment | ||
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| AMND | Amendment | ||
| E13-X000 | Pre-grant limitation requested |
St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000 |
|
| E601 | Decision to refuse application | ||
| PE0601 | Decision on rejection of patent |
St.27 status event code: N-2-6-B10-B15-exm-PE0601 |
|
| AMND | Amendment | ||
| E13-X000 | Pre-grant limitation requested |
St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000 |
|
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| PJ0201 | Trial against decision of rejection |
St.27 status event code: A-3-3-V10-V11-apl-PJ0201 |
|
| PB0901 | Examination by re-examination before a trial |
St.27 status event code: A-6-3-E10-E12-rex-PB0901 |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| E13-X000 | Pre-grant limitation requested |
St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| B701 | Decision to grant | ||
| PB0701 | Decision of registration after re-examination before a trial |
St.27 status event code: A-3-4-F10-F13-rex-PB0701 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701 |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002 Fee payment year number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |
St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121206 Year of fee payment: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131205 Year of fee payment: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141211 Year of fee payment: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 7 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
| PC1903 | Unpaid annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903 Not in force date: 20151220 Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE |
|
| PC1903 | Unpaid annual fee |
St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903 Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE Not in force date: 20151220 |