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KR100891649B1 - Semiconductor Package Manufacturing Method - Google Patents

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KR100891649B1
KR100891649B1 KR1020020046799A KR20020046799A KR100891649B1 KR 100891649 B1 KR100891649 B1 KR 100891649B1 KR 1020020046799 A KR1020020046799 A KR 1020020046799A KR 20020046799 A KR20020046799 A KR 20020046799A KR 100891649 B1 KR100891649 B1 KR 100891649B1
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lead
lead frame
semiconductor chip
semiconductor
wafer
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이봉희
이상균
박광석
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삼성테크윈 주식회사
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Abstract

본 발명에 따르면, 반도체 패키지 제조방법이 개시된다. 상기 반도체 패키지 제조방법은 입,출력패드가 형성된 다수의 반도체 칩을 포함하는 웨이퍼를 준비하는 단계와; 상기 반도체 칩에 연결되는 내부리드와, 이 내부리드로부터 내측으로 연장되며 외부 입출력수단에 연결되는 외부리드를 포함하는 웨이퍼 스케일의 리드프레임을 준비하는 단계와; 웨이퍼 전체에 대해서 다수의 반도체 칩과 리드프레임을 본딩하는 단계와; 다수의 반도체 칩과 리드프레임이 본딩된 상태에서 웨이퍼와 리드프레임을 반도체 칩 단위로 분할하여 단일 반도체 칩화하는 단계;를 포함한다. 개시된 반도체 패키지 제조방법에 의하면, 반도체 패키지를 웨이퍼 스케일 방식으로 제조할 수 있게 함으로써 제조공정을 단순화하고 생산성을 증대시켜 제조단가를 줄일 수 있다. 또한, 리드프레임의 구조를 개선함으로써 리드프레임과 본딩되는 반도체 칩의 크기를 반도체 패키지 크기와 대략 동일하게 할 수 있으며, 몰딩 공정시 발생하는 몰드 플래쉬를 용이하게 방지할 수 있다. According to the present invention, a method for manufacturing a semiconductor package is disclosed. The method for manufacturing a semiconductor package includes preparing a wafer including a plurality of semiconductor chips having input and output pads; Preparing a lead scale having a wafer scale including an inner lead connected to the semiconductor chip and an outer lead extending inwardly from the inner lead and connected to an external input / output means; Bonding a plurality of semiconductor chips and leadframes to the entire wafer; And dividing the wafer and the lead frame into semiconductor chip units in a state in which a plurality of semiconductor chips and lead frames are bonded to form a single semiconductor chip. According to the disclosed semiconductor package manufacturing method, the semiconductor package can be manufactured in a wafer scale method, thereby simplifying the manufacturing process and increasing productivity, thereby reducing manufacturing costs. In addition, by improving the structure of the lead frame, the size of the semiconductor chip bonded to the lead frame may be approximately equal to the size of the semiconductor package, and mold flash generated during the molding process may be easily prevented.

Description

반도체 패키지 제조방법{Method of manufacturing semiconductor package}Method of manufacturing semiconductor package

도 1a 내지 도 1c는 종래 웨이퍼의 준비 과정을 나타낸 단면도,1A to 1C are cross-sectional views illustrating a process of preparing a conventional wafer;

도 2a 및 도 2b는 종래 리드프레임의 준비 과정을 나타낸 평면도 및 단면도,2a and 2b is a plan view and a cross-sectional view showing a preparation process of a conventional lead frame,

도 3a 및 도 3b는 종래 웨이퍼와 리드프레임의 본딩 과정을 나타낸 단면도,3A and 3B are cross-sectional views illustrating a bonding process between a conventional wafer and a lead frame;

도 4는 종래 리드프레임을 반도체 칩 단위로 분할하여 단일 반도체 칩화하는 과정을 나타낸 단면도,4 is a cross-sectional view illustrating a process of dividing a conventional lead frame into semiconductor chip units to form a single semiconductor chip;

도 5는 도 1a 내지 도 4의 과정에 의해 제조된 반도체 패키지를 나타낸 단면도,5 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package manufactured by the process of FIGS. 1A to 4;

도 6a 및 도 6b는 본 발명에 따른 웨이퍼의 준비 과정을 나타낸 단면도,6A and 6B are cross-sectional views illustrating a process of preparing a wafer according to the present invention;

도 7a 및 도 7b는 본 발명에 따른 리드프레임의 준비 과정을 나타낸 평면도 및 단면도,7A and 7B are a plan view and a cross-sectional view showing a preparation process of a lead frame according to the present invention;

도 8a 및 도 8b는 본 발명에 따른 웨이퍼와 리드프레임의 본딩 과정을 나타낸 단면도,8A and 8B are cross-sectional views illustrating a bonding process between a wafer and a lead frame according to the present invention;

도 9는 본 발명에 따른 웨이퍼와 리드프레임을 반도체 칩 단위로 분할하여 단일 반도체 칩화하는 과정을 나타낸 단면도,9 is a cross-sectional view illustrating a process of dividing a wafer and a lead frame into semiconductor chip units according to the present invention to form a single semiconductor chip;

도 10은 도 6a 내지 도 9의 과정에 의해 제조된 반도체 패키지를 나타낸 단면도이다. 10 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package manufactured by the process of FIGS. 6A to 9.                 

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 간단한 설명><Brief description of symbols for the main parts of the drawings>

110...웨이퍼 111...반도체 칩110 ... wafer 111 ... semiconductor chip

112...입,출력패드 113...범프112 Input and output pads 113 Bump

120...리드프레임 120a...단위 리드프레임120 ... Leadframe 120a ... Unit Leadframe

121...내부리드 122...외부리드121 Internal lead 122 External lead

123...댐바 124..범프패드123 Dambar 124 Bump Pad

125...랜드 130...몰딩재125 Land 130 Molding material

140...테이프140 ... tape

본 발명은 반도체 패키지 제조방법 및 이를 이용한 반도체 패키지에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 칩 상의 입,출력패드와 리드프레임을 본딩(bonding)시킨 반도체 패키지에 있어서, 반도체 패키지를 웨이퍼 스케일(wafer scale) 방식으로 제조할 수 있게 함으로써 제조공정을 단순화하고 생산성을 증대시켜 제조단가를 줄일 수 있으며, 리드프레임의 구조를 개선함으로써 리드프레임과 본딩되는 반도체 칩의 크기를 반도체 패키지 크기와 대략 동일하게 할 수 있고 몰딩 공정시 발생하는 몰드 플래쉬(mold flash)를 방지할 수 있는 반도체 패키지 제조방법 및 이를 이용한 반도체 패키지에 관한 것이다. The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor package and a semiconductor package using the same, and more particularly, in a semiconductor package in which an input / output pad and a lead frame on a semiconductor chip are bonded, the semiconductor package is a wafer scale. It can be manufactured in a manner that can simplify the manufacturing process and increase productivity, thereby reducing the manufacturing cost, and by improving the structure of the lead frame, the size of the semiconductor chip bonded with the lead frame can be approximately equal to the size of the semiconductor package. The present invention relates to a semiconductor package manufacturing method and a semiconductor package using the same, which can prevent a mold flash generated during a molding process.

일반적으로 반도체 패키지라 함은 각종 전자회로 및 배선이 적층되어 형성된 단일소자 및 직접회로 등의 반도체 칩을 먼지, 습기, 전기적, 기계적 부하 등의 각종 외부환경으로부터 보호하고, 상기 반도체 칩의 전기적 성능을 최적화 극대화하기 위해 리드프레임이나 인쇄회로기판 등을 이용해 외부 메인보드로의 입,출력단자를 형성하며, 봉지수단을 이용하여 몰딩(molding)한 것을 말한다.In general, a semiconductor package is used to protect semiconductor chips such as single devices and integrated circuits formed by stacking various electronic circuits and wirings from various external environments such as dust, moisture, electrical loads, and mechanical loads. In order to maximize the optimization, the input and output terminals to an external main board are formed by using a lead frame or a printed circuit board, and molded using an encapsulation means.

근래에 들어 반도체 칩은 고집적화 및 고성능화 되고, 전자제품이 소형화 및 고기능화됨에 따라 반도체 패키지의 제조에서도 이를 수용하기 위하여 경박단소화 되고 다핀화되고 있는 반면에, 그 제조방법을 단순화하고 생산성을 증대시켜 낮은 제조단가를 이룩하려는 추세에 있다.In recent years, as semiconductor chips have become highly integrated and high-performance, and electronic products have become smaller and more functional, the manufacture of semiconductor packages has become thinner and thinner to accommodate them, while simplifying the manufacturing method and increasing productivity by lowering them. There is a trend to achieve manufacturing costs.

이와 같은 반도체 칩의 구조로서, 리드프레임이나 인쇄회로기판과 같은 외부기판에 반도체 칩을 연결하는 방법에는 와이어 본딩법(wire bonding method), 자동테이프 본딩법(taped automated bonding method), 플립칩 법(flip chip method) 등이 있다. 이 들 중 상기 플립칩 법이란 반도체 칩 표면의 입,출력패드 상에 솔더(solder), 금(Au), 납(Pb) 또는 은(Ag)과 같은 무른 금속으로 만들어진 범프를 형성하고, 와이어를 사용하지 않는 상태에서 상기 범프에 리드프레임이나 인쇄회로기판을 직접 본딩하는 방법을 말한다. 이러한 플립칩 법은 전기접속의 경로(electron pathway)가 짧아 속도와 파워를 향상시킬 수 있고 단위 면적당 패드의 수를 증가시킬 수 있다는 장점이 있기 때문에, 우수한 전기적 특성을 필요로 하는 슈퍼컴퓨터에서 휴대용 전자 제품들까지 넓은 응용분야에 이용되고 있다. As a structure of such a semiconductor chip, a method of connecting a semiconductor chip to an external substrate such as a lead frame or a printed circuit board includes a wire bonding method, a taped automated bonding method, and a flip chip method ( flip chip method). Among these, the flip chip method forms bumps made of soft metals such as solder, gold (Au), lead (Pb), or silver (Ag) on the input and output pads of the semiconductor chip surface, and wires are formed. Refers to a method of directly bonding a lead frame or a printed circuit board to the bump when not in use. This flip chip method has the advantage of shortening of the electric pathway and improving power and speed, and increasing the number of pads per unit area. Products are used in a wide range of applications.

도 1a 내지 도 5는 이러한 플립칩 법에 의한 종래 반도체 패키지의 제조방법을 나타낸 도면들로서, 도 1a 내지 도 1c는 종래 웨이퍼의 준비 과정을 나타낸 단 면도이고, 도 2a는 종래 리드프레임의 준비 과정을 나타낸 평면도이고, 도 2b는 도 2a의 Ⅱ-Ⅱ 선에 따른 단면도이고, 도 3a 및 도 3b는 종래 웨이퍼와 리드프레임의 본딩 과정을 나타낸 단면도이고, 도 4는 종래 웨이퍼와 리드프레임을 반도체 칩 단위로 분할하여 단일 반도체 칩화하는 과정을 나타낸 단면도이고, 도 5는 도 1a 내지 도 4의 과정에 의해 제조된 반도체 패키지를 나타낸 단면도이다.1A to 5 are diagrams illustrating a method of manufacturing a conventional semiconductor package by the flip chip method. FIGS. 1A to 1C are diagrams illustrating a conventional wafer preparation process, and FIG. 2A illustrates a conventional lead frame preparation process. 2B is a cross-sectional view taken along line II-II of FIG. 2A, and FIGS. 3A and 3B are cross-sectional views illustrating a bonding process between a conventional wafer and a lead frame, and FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a process of dividing into a single semiconductor chip, and FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package manufactured by the process of FIGS. 1A to 4.

먼저, 도 1a 내지 도 1c에 도시된 바와 같이, 입,출력패드(12)가 형성된 다수의 반도체 칩(11)을 포함하는 웨이퍼(10)가 제공되면, 상기 입,출력패드(12) 상에 범프(13)를 형성한다. 그리고, 상기 웨이퍼(10)를 반도체 칩(11) 단위로 분할하여 반도체 칩(11) 단위를 갖는 다수의 단위 웨이퍼(10a)를 준비한다.First, as illustrated in FIGS. 1A to 1C, when a wafer 10 including a plurality of semiconductor chips 11 having an input and an output pad 12 is provided, the input and output pads 12 may be provided on the wafer 10. The bump 13 is formed. Then, the wafer 10 is divided into semiconductor chip 11 units to prepare a plurality of unit wafers 10a having semiconductor chip 11 units.

반도체 칩(11) 단위를 갖는 다수의 단위 웨이퍼(10a)가 준비되면, 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 칩(11)과 본딩하기 위한 리드프레임(20)을 준비한다. 상기 리드프레임(20)은 다수의 단위 리드프레임(20a)을 포함하고, 상기 단위 리드프레임(20a)은 댐바(dambar;23)에 의해 서로 연결되어 있다. 상기 각 단위 리드프레임(20a)은 그 상면에 외부 입,출력수단이 연결되는 랜드(land;25)가 형성되어 있는 외부리드(21)와, 이 외부리드(21)로부터 내측으로 연장되고 그 하면에 범프패드(24)가 형성되어 있는 내부리드(22)를 포함한다.When the plurality of unit wafers 10a having the semiconductor chip 11 units are prepared, as shown in FIGS. 2A and 2B, a lead frame 20 for bonding with the semiconductor chip 11 is prepared. The lead frame 20 includes a plurality of unit lead frames 20a, and the unit lead frames 20a are connected to each other by a dambar 23. Each of the unit lead frames 20a has an outer lead 21 having a land 25 connected to an external input / output means on an upper surface thereof, and extends inwardly from the outer lead 21, and a lower surface thereof. And an inner lead 22 having bump pads 24 formed therein.

리드프레임(20)이 준비되면, 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 반도체 칩(11)과 리드프레임(20)을 서로 본딩한다. 여기서, 반도체 칩(11)의 입,출력패드(12)와 리드프레임(20)의 내부리드(22) 하면에 형성된 범프패드(24)는 입,출력패드(12)상에 형성된 범프(13)에 의해 서로 본딩된다. 이때, 상기 리드프레 임(20)의 영역 중에서 반도체 칩(11)이 본딩되는 단위 리드프레임(20a)의 영역에만 몰딩재(30)를 도포한 다음, 반도체 칩(11)과 단위 리드프레임(20a)을 본딩시킨다.When the lead frame 20 is prepared, the semiconductor chip 11 and the lead frame 20 are bonded to each other, as shown in FIGS. 3A and 3B. Here, the bump pad 24 formed on the lower surface of the input / output pad 12 of the semiconductor chip 11 and the inner lead 22 of the lead frame 20 may include the bump 13 formed on the input / output pad 12. Are bonded to each other by In this case, the molding material 30 is applied only to an area of the unit lead frame 20a to which the semiconductor chip 11 is bonded among the areas of the lead frame 20, and then the semiconductor chip 11 and the unit lead frame 20a. Bond).

끝으로, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 다수의 반도체 칩(11)과 리드프레임(20)이 본딩된 상태에서 상기 리드프레임(20)의 댐바(23;도 3b) 부위를 분할함으로써, 도 5에 도시된 바와 같이, 단일 반도체 칩(11)화된 다수의 반도체 패키지를 얻게 된다.Finally, as shown in FIG. 4, by dividing a portion of the dam bar 23 (FIG. 3B) of the lead frame 20 in a state in which the plurality of semiconductor chips 11 and the lead frame 20 are bonded, FIG. As shown in Fig. 5, a plurality of semiconductor packages with a single semiconductor chip 11 are obtained.

그러나, 이러한 반도체 패키지 제조방법은 다음과 같은 문제점을 가진다.However, such a semiconductor package manufacturing method has the following problems.

첫째, 웨이퍼(10)를 반도체 칩(11) 단위로 분할하여 반도체 칩(11) 단위를 갖는 다수의 단위 웨이퍼(10a) 준비한 후, 이러한 단위 웨이퍼(10a)를 리드프레임(20)에 본딩시키기 때문에, 제조공정이 복잡하고 생산성이 저하된다.First, since the wafer 10 is divided into semiconductor chip 11 units to prepare a plurality of unit wafers 10a having the semiconductor chip 11 units, the unit wafer 10a is bonded to the lead frame 20. The manufacturing process is complicated and productivity is lowered.

둘째, 반도체 칩(11)이 본딩되는 단위 리드프레임(20a)의 영역에만 몰딩재(30)를 도포한 후, 반도체 칩(11)과 리드프레임(20)을 서로 본딩시키기 때문에 생산성이 저하된다.Second, after the molding material 30 is applied only to the region of the unit lead frame 20a to which the semiconductor chip 11 is bonded, productivity is reduced because the semiconductor chip 11 and the lead frame 20 are bonded to each other.

셋째, 내부리드(22)의 길이와 피치(pitch)의 제약 때문에 내부리드(22)의 하면에 형성된 범프패드(24)에 본딩되는 반도체 칩(11)의 크기는 반도체 패키지의 크기에 비하여 상대적으로 작게 된다.Third, the size of the semiconductor chip 11 bonded to the bump pad 24 formed on the lower surface of the inner lead 22 due to the limitation of the length and pitch of the inner lead 22 is relatively larger than that of the semiconductor package. Becomes small.

넷째, 몰딩 공정시 몰딩재(30)가 외부로 노출되어지는 외부리드(21)의 일부를 덮어버리는 이른바 "몰드 플래쉬"가 발생할 수 있고, 이를 방지하기 위해서는 리드프레임(20)의 외측 상면에 몰드 플래쉬 방지용 테이프를 부착한 상태에서 몰딩을 하여야 하는데, 도 2b에 도시된 바와 같이, 리드프레임(20)의 내부리드(22)를 지지하는 본딩 도구(50)로 인하여 리드프레임(20)의 상면에 몰드 플래쉬 방지용 테이프를 부착하기 어렵다.Fourth, a so-called "molded flash" may occur that covers a part of the outer lead 21 to which the molding material 30 is exposed to the outside during the molding process, and in order to prevent this, a mold may be formed on the outer upper surface of the lead frame 20. Molding should be performed in a state where a flash prevention tape is attached. As shown in FIG. 2B, the bonding tool 50 supporting the inner lead 22 of the lead frame 20 is attached to the upper surface of the lead frame 20. It is difficult to attach a mold flash prevention tape.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 제조공정을 단순화하고 생산성을 증대시켜 제조단가를 줄이며, 리드프레임의 구조를 개선함으로써 리드프레임과 본딩되는 반도체 칩의 크기를 반도체 패키지 크기와 대략 동일하게 할 수 있고 몰딩공정시 발생하는 몰드 플래쉬를 방지할 수 있는 반도체 패키지 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, which simplifies the manufacturing process, increases the productivity, reduces the manufacturing cost, and improves the structure of the lead frame so that the size of the semiconductor chip bonded to the lead frame is approximately equal to the size of the semiconductor package. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor package which can prevent the mold flash generated during the molding process.

본 발명에 따른 반도체 패키지 제조방법은, 입,출력패드가 형성된 다수의 반도체 칩을 포함하는 웨이퍼를 준비하는 단계와; 상기 반도체 칩에 연결되는 내부리드와, 상기 내부리드로부터 내측으로 연장되며 외부 입출력수단에 연결되는 외부리드를 포함하는 상기 웨이퍼 스케일의 리드프레임을 준비하는 단계와; 상기 웨이퍼 전체에 대해서 상기 다수의 반도체 칩과 상기 리드프레임을 본딩하는 단계와; 상기 다수의 반도체 칩과 상기 리드프레임이 본딩된 상태에서 상기 웨이퍼와 상기 리드프레임을 반도체 칩 단위로 분할하여 단일 반도체 칩화하는 단계;를 포함한다. A semiconductor package manufacturing method according to the present invention includes the steps of preparing a wafer including a plurality of semiconductor chips having input and output pads; Preparing an lead scale of the wafer scale including an inner lead connected to the semiconductor chip and an outer lead extending inwardly from the inner lead and connected to an external input / output means; Bonding the plurality of semiconductor chips and the leadframe to the entire wafer; And dividing the wafer and the lead frame into semiconductor chip units in a state in which the plurality of semiconductor chips and the lead frame are bonded to form a single semiconductor chip.

여기서, 상기 리드프레임은, 상기 반도체 칩에 연결되는 내부리드와 상기 내부리드로부터 내측으로 연장되며 외부 입출력수단에 연결되는 외부리드를 가지는 다수의 단위 레드프레임을 포함하고, 서로 이웃하는 상기 단위 리드프레임의 내부리드들 사이는 서로 연결된 것이 바람직하다. 그리고, 서로 이웃하는 상기 내부리드들 사이의 연결 부위는 하프 에칭된 것이 바람직하다.Here, the lead frame includes a plurality of unit red frames having an inner lead connected to the semiconductor chip and an outer lead extending inward from the inner lead and connected to an external input / output means, and the unit lead frames adjacent to each other. It is preferable that the inner leads of are connected to each other. In addition, the connection sites between the inner leads adjacent to each other are preferably half-etched.

또한, 상기 다수의 반도체 칩과 상기 리드프레임은 상기 반도체 칩의 입,출력패드 상에 형성된 범프에 의해 본딩되는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 내부리드의 하면에는 상기 범프와 본딩되는 범프패드를 형성하고, 상기 외부리드의 상면에는 외부 입,출력수단이 연결되는 랜드를 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 랜드는 상기 내부리드의 상부를 하프 에칭하여 형성되는 것이 바람직하다. 더욱이, 상기 반도체 칩을 몰딩할 때 상기 리드프레임의 상면에는 몰드 플래쉬를 방지하기 위해 테이프를 부착할 수 있다.In addition, the plurality of semiconductor chips and the lead frame may be bonded by bumps formed on input and output pads of the semiconductor chip. Here, it is preferable to form a bump pad bonded to the bump on the lower surface of the inner lead, and to form a land to which the external input and output means are connected on the upper surface of the outer lead. In addition, the land is preferably formed by half etching the upper portion of the inner lead. Furthermore, when molding the semiconductor chip, a tape may be attached to the upper surface of the lead frame to prevent mold flash.

또한, 상기 다수의 반도체 칩은 상기 리드프레임의 전 영역에 몰딩재를 도포한 후, 상기 리드프레임과 동시에 본딩되는 것이 바람직하다. In addition, the plurality of semiconductor chips may be bonded to the lead frame at the same time after the molding material is applied to the entire area of the lead frame.

한편, 상기 반도체 칩과 상기 리드프레임은 와이어로 본딩될 수도 있다.Meanwhile, the semiconductor chip and the lead frame may be bonded by wires.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조방법을 상세히 설명하도록 한다. 여기서, 도 6a 내지 도 10은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지의 제조방법을 나타낸 도면들로서, 도 6a 및 도 6b는 본 발명에 따른 웨이퍼의 준비 과정을 나타낸 단면도이고, 도 7a는 본 발명에 따른 리드프레임의 준비 과정을 나타낸 평면도이고, 도 7b는 도 7a의 Ⅶ-Ⅶ 선에 따른 단면도이고, 도 8a 및 도 8b는 본 발명에 따른 웨이퍼와 리드프레임의 본딩 과정을 나타낸 단면도이고, 도 9는 본 발명에 따른 웨이퍼와 리드프레임을 반도체 칩 단위로 분할하여 단일 반도체 칩화하는 과정을 나타낸 단면도이고, 도 10은 도 6a 내지 도 9의 과정에 의해 제조된 반도체 칩을 나타낸 단면도이다.Hereinafter, a method of manufacturing a semiconductor package according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail. 6A to 10 are views illustrating a method of manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 6A and 6B are cross-sectional views illustrating a process of preparing a wafer according to the present invention, and FIG. FIG. 7B is a cross-sectional view taken along line VII-VII of FIG. 7A, and FIGS. 8A and 8B are cross-sectional views illustrating a bonding process between a wafer and a lead frame according to the present invention, and FIG. 9. FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a process of dividing a wafer and a lead frame into semiconductor chip units to form a single semiconductor chip, and FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor chip manufactured by the process of FIGS. 6A to 9.

먼저, 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 입,출력패드(112)가 형성된 다수 의 반도체 칩(111)을 포함하는 웨이퍼(110)를 준비한다. 그리고, 상기 입,출력패드(112) 상에는 범프(113)를 형성한다. 다만, 여기서 종래와는 달리 상기 웨이퍼(110)를 반도체 칩(111) 단위의 단위 웨이퍼(10a;도1c)로 분할하지 않는다.First, as illustrated in FIGS. 6A and 6B, a wafer 110 including a plurality of semiconductor chips 111 on which input and output pads 112 are formed is prepared. Then, bumps 113 are formed on the input and output pads 112. However, unlike the prior art, the wafer 110 is not divided into a unit wafer 10a (Fig. 1C) in the unit of the semiconductor chip 111.

웨이퍼(110)가 준비되면, 도 7a 및 도 7b에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 칩(111)과 본딩하기 위한 리드프레임(120)을 준비한다. 상기 리드플레임(120)은 다수의 단위 리드프레임(120a)을 포함한다. 상기 단위 리드프레임(120a)은 내부리드(121)와, 이 내부리드(121)로부터 내측으로 연장된 외부리드(122)를 가진다. 그리고, 서로 이웃하는 상기 단위 리드프레임(120a)의 내부리드(121)들 사이는 댐바(123)에 의해 서로 연결되어 있다. 여기서, 상기 내부리드(121)들 사이를 연결하는 댐바(123)는 리드프레임(120)을 반도체 칩(111) 단위로 분할할 때 용이하도록 하기 위해, 도시되지는 않았으나 하프 에칭된 것이 바람직하다. When the wafer 110 is prepared, as shown in FIGS. 7A and 7B, a lead frame 120 for bonding with the semiconductor chip 111 is prepared. The lead frame 120 includes a plurality of unit lead frames 120a. The unit lead frame 120a has an inner lead 121 and an outer lead 122 extending inwardly from the inner lead 121. In addition, the inner leads 121 of the unit lead frames 120a adjacent to each other are connected to each other by a dam bar 123. Here, the dam bar 123 connecting the inner leads 121 is preferably half-etched, although not shown, in order to facilitate splitting the lead frame 120 into semiconductor chip 111 units.

리드프레임(120)이 준비되면, 도 8a 및 도 8b에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(110)에 포함된 반도체 칩(111)과 리드프레임(120)을 서로 본딩한다. 여기서, 상기 다수의 반도체 칩(111)과 리드프레임(120)은 반도체 칩(111)의 입,출력패드(112) 상에 형성된 범프(113)에 의해 본딩될 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나, 상기 반도체 칩(111)과 리드프레임(120)은 와이어에 의해 본딩될 수도 있다. 반도체 칩(111)과 리드프레임(120)의 본딩시 상기 리드프레임(120)의 전영역에 몰딩재(130)를 도포한 후, 상기 다수의 반도체 칩(111)과 리드프레임(120)을 동시에 본딩한다. 그리고, 상기 리드프레임(120)의 상면에 몰드 플래쉬를 방지하기 위한 테이프(140)를 부착한다. 한편, 상기 리드프레임(120)과 반도체 칩(111)이 상기 범 프(113)에 의해 서로 본딩되는 경우, 상기 범프(113)는 상기 리드프레임(120)의 내부리드(121) 하면에 형성된 범프패드(124)와 서로 본딩된다. 그리고, 상기 리드프레임(120)의 외부리드(122) 상면에는 외부 입,출력수단(미도시)이 연결되는 랜드(125)가 형성된다. 상기 랜드(125)는 내부리드(121)의 상부를 하프 에칭(half etching)함으로써, 상기 외부리드(122)의 상면에 형성될 수 있다.When the lead frame 120 is prepared, the semiconductor chip 111 included in the wafer 110 and the lead frame 120 are bonded to each other, as shown in FIGS. 8A and 8B. The plurality of semiconductor chips 111 and the lead frames 120 may be bonded by bumps 113 formed on the input and output pads 112 of the semiconductor chip 111. In addition, although not shown, the semiconductor chip 111 and the lead frame 120 may be bonded by wires. When the semiconductor chip 111 and the lead frame 120 are bonded, the molding material 130 is applied to the entire area of the lead frame 120, and then the plurality of semiconductor chips 111 and the lead frame 120 are simultaneously applied. Bond Then, the tape 140 is attached to the upper surface of the lead frame 120 to prevent the mold flash. On the other hand, when the lead frame 120 and the semiconductor chip 111 are bonded to each other by the bump 113, the bump 113 is a bump formed on the lower surface of the inner lead 121 of the lead frame 120 The pad 124 is bonded to each other. In addition, a land 125 to which an external input and output means (not shown) is connected is formed on an upper surface of the external lead 122 of the lead frame 120. The land 125 may be formed on the upper surface of the outer lead 122 by half etching the upper portion of the inner lead 121.

끝으로, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 칩(111)과 상기 리드프레임(120)이 본딩된 상태에서 상기 웨이퍼(110;도 8b)와 리드프레임(120)을 반도체 칩(111) 단위로 분할하여, 도 10에 도시된 바와 같이, 단일 반도체 칩(111)화된 다수의 반도체 패키지를 얻는다.Finally, as shown in FIG. 9, the wafer 110 (FIG. 8B) and the leadframe 120 are bonded to the semiconductor chip 111 in a state in which the semiconductor chip 111 and the leadframe 120 are bonded to each other. By dividing into, as shown in FIG. 10, a plurality of semiconductor packages into a single semiconductor chip 111 are obtained.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 반도체 패키지 제조방법에 의하면 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.According to the semiconductor package manufacturing method of the present invention as described above, the following effects can be obtained.

첫째, 웨이퍼 스케일 방식으로 반도체 패키지를 제조하므로, 제조공정이 단순하고 생산성이 증대되어 제조단가를 절감할 수 있다.First, since the semiconductor package is manufactured by the wafer scale method, the manufacturing process is simple and the productivity is increased, thereby reducing the manufacturing cost.

둘째, 리드프레임의 전 영역에 몰딩재를 도포한 후, 반도체 칩과 리드프레임을 서로 본딩시키기 때문에 생산성을 향상시킬 수 있다.Second, after the molding material is applied to the entire area of the lead frame, the semiconductor chip and the lead frame are bonded to each other, thereby improving productivity.

셋째, 내부리드의 하면에 형성된 범프패드에 반도체 칩이 본딩되므로, 반도체 칩의 크기가 반도체 패키지의 크기와 대략 동일하다. Third, since the semiconductor chip is bonded to the bump pad formed on the lower surface of the inner lead, the size of the semiconductor chip is approximately equal to the size of the semiconductor package.

넷째, 본 발명에 따른 리드프레임의 구조상 외부리드를 지지하는 본딩 도구가 필요 없으므로 리드프레임의 상면에 몰드 플래쉬 방지용 테이프를 용이하게 부 착할 수 있다. Fourth, since the bonding tool for supporting the external lead in the structure of the lead frame according to the present invention is not necessary, the tape for preventing the mold flash can be easily attached to the upper surface of the lead frame.

본 발명은 첨부된 도면에 도시된 실시예를 참고로 하여 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments illustrated in the accompanying drawings, it is merely an example, and those skilled in the art may realize various modifications and equivalent other embodiments therefrom. I will understand. Therefore, the true scope of protection of the present invention should be defined by the technical spirit of the appended claims.

Claims (9)

입,출력패드가 형성된 다수의 반도체 칩을 포함하는 웨이퍼를 준비하는 단계와;Preparing a wafer including a plurality of semiconductor chips having input and output pads formed thereon; 상기 반도체 칩에 연결되는 내부리드와, 상기 내부리드로부터 내측으로 연장되며 외부 입출력수단에 연결되는 외부리드를 포함하는 상기 웨이퍼 스케일의 리드프레임을 준비하는 단계와; Preparing an lead scale of the wafer scale including an inner lead connected to the semiconductor chip and an outer lead extending inwardly from the inner lead and connected to an external input / output means; 상기 웨이퍼 전체에 대해서 상기 다수의 반도체 칩과 상기 리드프레임을 본딩하는 단계와;Bonding the plurality of semiconductor chips and the leadframe to the entire wafer; 상기 다수의 반도체 칩과 상기 리드프레임이 본딩된 상태에서 상기 웨이퍼와 상기 리드프레임을 반도체 칩 단위로 분할하여 단일 반도체 칩화하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조방법. And dividing the wafer and the lead frame into semiconductor chip units in a state in which the plurality of semiconductor chips and the lead frame are bonded to form a single semiconductor chip. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 리드프레임은, 상기 반도체 칩에 연결되는 내부리드와 상기 내부리드로부터 내측으로 연장되며 외부 입출력수단에 연결되는 외부리드를 가지는 다수의 단위 레드프레임을 포함하고, 서로 이웃하는 상기 단위 리드프레임의 내부리드들 사이는 서로 연결된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조방법. The lead frame includes a plurality of unit red frames having an inner lead connected to the semiconductor chip and an outer lead extending inwardly from the inner lead and connected to an external input / output unit, and adjacent to each other. A method of manufacturing a semiconductor package, wherein the leads are connected to each other. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 서로 이웃하는 상기 내부리드들 사이의 연결 부위는 하프 에칭된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조방법. The connecting portion between the adjacent inner lead is a semiconductor package manufacturing method, characterized in that half-etched. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 다수의 반도체 칩과 상기 리드프레임은 상기 반도체 칩의 입,출력패드 상에 형성된 범프에 의해 본딩되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조방법.And the plurality of semiconductor chips and the lead frame are bonded by bumps formed on input / output pads of the semiconductor chip. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 내부리드의 하면에는 상기 범프와 본딩되는 범프패드를 형성하고, 상기 외부리드의 상면에는 외부 입,출력수단이 연결되는 랜드를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조방법.And a bump pad bonded to the bump on a lower surface of the inner lead, and a land to which an external input / output means is connected to an upper surface of the outer lead. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 랜드는 상기 내부리드의 상부를 하프 에칭하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조방법.The land is a semiconductor package manufacturing method, characterized in that formed by half etching the upper portion of the inner lead. 제6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 반도체 칩을 몰딩할 때 상기 리드프레임의 상면에는 몰드 플래쉬를 방지하기 위해 테이프를 부착하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조방법. And a tape is attached to the upper surface of the lead frame when molding the semiconductor chip to prevent mold flash. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 다수의 반도체 칩은 상기 리드프레임의 전 영역에 몰딩재를 도포한 후, 상기 리드프레임과 동시에 본딩되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조방법.The plurality of semiconductor chips are coated with a molding material over the entire region of the lead frame, the semiconductor package manufacturing method characterized in that the bonding at the same time with the lead frame. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반도체 칩과 상기 리드프레임은 와이어로 본딩되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조방법.The semiconductor chip and the lead frame is a semiconductor package manufacturing method, characterized in that bonded with a wire.
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