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KR100931855B1 - Substrate cleaning device and method - Google Patents

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KR100931855B1
KR100931855B1 KR1020080039249A KR20080039249A KR100931855B1 KR 100931855 B1 KR100931855 B1 KR 100931855B1 KR 1020080039249 A KR1020080039249 A KR 1020080039249A KR 20080039249 A KR20080039249 A KR 20080039249A KR 100931855 B1 KR100931855 B1 KR 100931855B1
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mask
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Abstract

기판 세정 장치는 기판을 지지하는 지지 플레이트, 지지 플레이트 상부에 구비된 흡입부 및 기판을 보호하는 마스크를 포함한다. 마스크는 기판의 상부에 구비되고, 기판을 세정하기 위한 충격파와 함께 발생된 플럼과 잔류빔이 기판에 입사되는 것을 방지한다. 또한, 마스크는 가이드 가스를 배출하고, 가이드 가스는 플럼과 잔류빔에 의해 마스크가 손상되어 발생된 파티클을 흡입부 측으로 유도한다. 이에 따라, 기판 세정 장치는 마스크의 손상에 의한 기판의 재오염을 방지하고, 세정 효율을 향상시킬 수 있다.The substrate cleaning apparatus includes a support plate for supporting the substrate, a suction unit provided on the support plate, and a mask for protecting the substrate. The mask is provided on top of the substrate and prevents the generated plum and residual beam from being incident on the substrate along with the shock wave for cleaning the substrate. In addition, the mask discharges the guide gas, and the guide gas induces particles generated by damaging the mask by the plum and the residual beam toward the suction part. As a result, the substrate cleaning apparatus can prevent recontamination of the substrate due to damage of the mask and improve the cleaning efficiency.

Description

기판 세정 장치 및 그 방법{APPARATUS AND METHOD OF CLEANING SUBSTRATE}Substrate cleaning apparatus and its method {APPARATUS AND METHOD OF CLEANING SUBSTRATE}

본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로, 보다 상세하게는 레이저 충격파를 이용한 기판 세정 장치 및 그 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, to a substrate cleaning apparatus using a laser shock wave and a method thereof.

일반적으로, 반도체 기판의 제조 공정은 박막 증착 공정, 식각 공정 및 세정 공정 등을 거쳐 형성된다. 특히, 세정 공정은 반도체 기판의 제조 공정 중에 발생하는 잔류 물질이나 파티클 등을 제거한다.In general, the manufacturing process of the semiconductor substrate is formed through a thin film deposition process, an etching process and a cleaning process. In particular, the cleaning step removes residual substances, particles, and the like generated during the manufacturing process of the semiconductor substrate.

세정 공정은 습식 세정(wet cleaning)과 건식 세정(dry cleaning)으로 나눌 수 있다. 습식 세정은 약액을 이용하여 기판을 세정하며, 많은 양의 화학 약품을 사용하기 때문에 환경 오염과 느린 작업 속도 및 설비의 거대화 등과 같은 문제점이 있다.The cleaning process can be divided into wet cleaning and dry cleaning. Wet cleaning uses substrates to clean substrates and uses a large amount of chemicals, such as environmental pollution, slow working speed, and large equipment.

한편, 건식 세정은 플라스마나 레이저를 이용하여 기판의 손상 없이 기판을 세정한다. 플라스마를 이용한 건식 세정은 라디칼(radical)을 기판 표면의 오염 물질과 반응시켜 기판을 세정한다. 레이저를 이용한 건식 세정은 레이저 충격파를 기판에 제공하여 기판의 손상 없이 기판 표면의 이물을 제거한다.On the other hand, dry cleaning uses a plasma or a laser to clean the substrate without damaging the substrate. Dry cleaning with plasma cleans the substrate by reacting radicals with contaminants on the substrate surface. Dry cleaning using a laser provides a laser shock wave to the substrate to remove foreign material from the substrate surface without damaging the substrate.

구체적으로, 레이저를 이용한 건식 세정은 레이저 빔을 포커싱하여 기판의 상부에서 충격파를 생성하고, 충격파에 의해 기판상의 이물이 제거된다. 그러나, 이러한 충격파 생성시, 충격파 이외에 플룸(plume)이나 잔류빔(residence beam)도 함께 발생하며, 플룸이나 고온의 잔류빔은 기판의 손상을 유발한다.Specifically, dry cleaning using a laser focuses a laser beam to generate a shock wave at the top of the substrate, and foreign matter on the substrate is removed by the shock wave. However, in generating such a shock wave, a plume or a residual beam is generated together with the shock wave, and the plume or the high temperature residual beam causes damage to the substrate.

이를 방지하기 위해, 플룸과 잔류빔이 기판에 입사되는 것을 방지하는 마스크를 기판의 상부에 배치한다. 그러나, 기판 세정 시, 레이저의 초점과 마스크는 고정된 상태에서 기판만 회전하므로, 플룸과 잔류빔이 마스크의 특정 부분에만 지속적으로 입사된다. 이로 인해, 마스크가 손상되고, 마스크의 파편이 기판에 떨어져 기판의 오염을 유발한다.To prevent this, a mask is placed on top of the substrate to prevent the plume and the residual beam from entering the substrate. However, when cleaning the substrate, only the substrate is rotated while the focus and the mask of the laser are fixed, so that the plume and the residual beam are continuously incident only on a certain portion of the mask. As a result, the mask is damaged and fragments of the mask fall to the substrate, causing contamination of the substrate.

본 발명의 목적은 세정 과정에서 기판이 재오염되는 것을 방지하는 기판 세정 장치를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a substrate cleaning apparatus which prevents the substrate from being recontaminated in the cleaning process.

또한, 본 발명의 목적은 상기한 기판 세정 장치를 이용하여 기판을 세정하는는 방법을 제공하는 것이다.It is also an object of the present invention to provide a method for cleaning a substrate using the substrate cleaning apparatus described above.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 기판 세정 장치는, 회전 가능한 지지 플레이트, 빔 생성부, 렌즈, 흡입부 및 마스크로 이루어진다.According to one aspect of the present invention, a substrate cleaning apparatus includes a rotatable support plate, a beam generator, a lens, a suction unit, and a mask.

지지 플레이트는 기판을 지지하고, 빔 생성부는 상기 기판을 세정하는 충격파를 생성하기 위한 광을 출사한다. 렌즈는 상기 빔 생성부로부터 출사된 상기 광을 기판의 상부에 포커싱한다. 흡입부는 상기 기판의 상부에 구비되고, 상기 기판상의 이물을 흡입하여 외부로 배출한다. 마스크는 상기 기판의 상부에 배치되고, 상면으로부터 떨어지는 파티클을 상기 흡입부측으로 유도하는 가이드 가스를 배출하며, 상기 기판을 보호한다.The support plate supports the substrate, and the beam generator emits light for generating shock waves for cleaning the substrate. The lens focuses the light emitted from the beam generator on an upper portion of the substrate. The suction part is provided above the substrate, and sucks the foreign matter on the substrate and discharges it to the outside. The mask is disposed above the substrate, and discharges a guide gas that guides particles falling from the upper surface to the suction part side, and protects the substrate.

구체적으로, 상기 마스크의 내부에는 상기 가이드 가스를 상기 흡입부 측으로 유도하는 가스 유로가 형성되고, 일측에는 상기 가스 유로와 연결되어 상기 가이드 가스를 배출하는 배출홀이 형성된다.In detail, a gas flow path for guiding the guide gas to the suction part is formed in the mask, and a discharge hole is connected to the gas flow path to discharge the guide gas.

또한, 상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 기판 세 정 방법은 다음과 같다. 먼저, 기판을 지지 플레이트 상에 안착시키고, 상기 기판의 상부에 마스크와 흡입부를 배치시킨다. 상기 기판의 상부에 상기 기판을 세정하는 충격파를 형성하고, 이와 함께, 상기 마스크가 가이드 가스를 배출하여 상기 마스크로부터 발생된 파티클을 상기 흡입부 측으로 유도하며, 상기 흡입부가 상기 기판의 이물과 함께 상기 파티클 흡입하여 외부로 배출한다.In addition, the substrate cleaning method according to one feature for realizing the above object of the present invention is as follows. First, the substrate is placed on a support plate, and a mask and a suction part are disposed on the substrate. A shock wave for cleaning the substrate is formed on the substrate, and together with the mask, a guide gas is discharged to guide particles generated from the mask to the suction part, and the suction part is formed together with the foreign matter of the substrate. Inhale particles and discharge them to the outside.

상술한 본 발명에 따르면, 마스크는 마스크의 손상에 의해 발생된 파티클을 흡입부측으로 유도하는 가이드 가스를 배출한다. 이에 따라, 기판 세정 장치는 마스크의 손상에 의한 기판의 재오염을 방지하며, 세정 효율을 향상시킬 수 있다.According to the present invention described above, the mask discharges guide gas which guides particles generated by damage of the mask to the suction part side. Accordingly, the substrate cleaning apparatus can prevent recontamination of the substrate due to damage to the mask and can improve the cleaning efficiency.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치를 나타낸 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 마스크와 초점과의 위치 관계를 나타낸 평면도이고, 1 is a view showing a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a plan view showing the positional relationship between the mask and the focus shown in Figure 1,

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 기판 세정 장치(300)는 기판을 지지하는 지지 유닛(100)과 상기 기판을 세정하기 위한 충격파(shock wave)(SW)를 제공하는 세정 유닛(200)을 포함할 수 있다.1 and 2, the substrate cleaning apparatus 300 of the present invention includes a support unit 100 for supporting a substrate and a cleaning unit 200 for providing a shock wave (SW) for cleaning the substrate. ) May be included.

구체적으로, 상기 지지 유닛(100)은 지지 플레이트(110), 회전축(120) 및 고정축(130)을 포함할 수 있다. 상기 지지 플레이트(110)는 원판 형상을 갖고, 상면 에 상기 기판이 안착된다. 여기서, 상기 기판의 배면은 상기 지지 플레이트(110)와 마주한다. 또한, 상기 지지 플레이트(110)는 다수의 척킹핀(111)과 다수의 지지핀(113)을 포함할 수 있다. 상기 척킹핀들(111)은 상기 지지 플레이트(110)의 상면에 구비되고, 상기 기판의 단부를 지지하여 상기 기판을 고정한다. 상기 지지핀들(113)은 상기 척킹핀들(111)의 내측에 위치하고, 상기 기판의 하부를 지지한다.In detail, the support unit 100 may include a support plate 110, a rotation shaft 120, and a fixed shaft 130. The support plate 110 has a disk shape, the substrate is mounted on the upper surface. Here, the back surface of the substrate faces the support plate 110. In addition, the support plate 110 may include a plurality of chucking pins 111 and a plurality of support pins 113. The chucking pins 111 are provided on the upper surface of the support plate 110 and support the end of the substrate to fix the substrate. The support pins 113 are positioned inside the chucking pins 111 and support a lower portion of the substrate.

상기 지지 플레이트(110)의 아래에는 상기 회전축(120)과 상기 고정축(130)이 설치된다. 상기 회전축(120)은 상기 지지 플레이트(110)와 결합하고, 외부의 구동장치(미도시)와 연결되어 회전된다. 상기 회전축(120)의 회전력은 상기 지지 플레이트(110)에 전달되고, 상기 지지 플레이트(110)는 상기 회전축(120)과 함께 회전한다. 상기 회전축(120)은 상기 고정축(130)과 결합한다. 상기 고정축(130)은 일단부가 상기 회전축(120)과 결합하고, 상기 회전축(120)을 지지하며, 상기 회전축(120)과 함께 회전하지 않는다.The rotating shaft 120 and the fixed shaft 130 is installed below the support plate 110. The rotation shaft 120 is coupled to the support plate 110, and is connected to the external drive device (not shown) to rotate. The rotational force of the rotation shaft 120 is transmitted to the support plate 110, the support plate 110 rotates together with the rotation shaft 120. The rotating shaft 120 is coupled to the fixed shaft 130. One end of the fixed shaft 130 is coupled to the rotating shaft 120, supports the rotating shaft 120, and does not rotate together with the rotating shaft 120.

한편, 상기 세정 유닛(200)은 상기 지지 플레이트(110)의 상부에 상기 충격파(SW)를 생성하여 상기 기판을 세정한다.Meanwhile, the cleaning unit 200 generates the shock wave SW on the support plate 110 to clean the substrate.

구체적으로, 상기 세정 유닛(200)은 빔 생성부(210), 렌즈(220), 마스크(230), 가스 공급부(240), 공급 라인(250) 및 흡입부(260)를 포함한다. 상기 빔 생성부(210)는 레이저 빔(LB)을 생성하여 상기 렌즈(220)에 제공하고, 상기 렌즈(220)는 상기 레이저 빔(LB)을 상기 지지 플레이트(110)의 상부에 포커싱한다. 이에 따라, 상기 지지 플레이트(110)의 상부에서 상기 충격파(SW)가 생성된다. 상기 충격파(SW)는 상기 렌즈(220)에 의해 상기 레이저 빔(LB)이 집결되는 초 점(focal point)(FP)을 중심으로 사방으로 전파되고, 상기 기판(10)의 표면과 부딪쳐 상기 기판의 이물을 상기 기판으로 분리시킨다. 이에 따라, 상기 기판의 이물이 제거된다.In detail, the cleaning unit 200 includes a beam generation unit 210, a lens 220, a mask 230, a gas supply unit 240, a supply line 250, and a suction unit 260. The beam generator 210 generates and provides a laser beam LB to the lens 220, and the lens 220 focuses the laser beam LB on the support plate 110. Accordingly, the shock wave SW is generated on the support plate 110. The shock wave SW propagates in all directions around a focal point FP where the laser beam LB is collected by the lens 220, and strikes the surface of the substrate 10 to face the substrate. Foreign matters are separated into the substrate. As a result, foreign matter on the substrate is removed.

본 발명의 일례로, 상기 렌즈(220)의 초점(FP)은 상기 지지 플레이트(110)의 상부에 위치하며, 평면상에서 볼 때 상기 지지 플레이트(110)의 중심점에 위치하고, 상기 기판의 세정이 이루어지는 동안 고정된다.In one example of the present invention, the focal point FP of the lens 220 is positioned above the support plate 110, is located at the center point of the support plate 110 when viewed in plan view, and the substrate is cleaned. Is fixed.

한편, 상기 지지 플레이트(110)의 상부에는 상기 마스크(230)가 구비된다. 상기 마스크(230)는 상기 충격파(SW)와 함께 생성되는 잔류빔(residence beam)과 플룸(plume)이 상기 기판에 제공되는 것을 차단한다.On the other hand, the mask 230 is provided on the support plate 110. The mask 230 blocks a residual beam and plume generated together with the shock wave SW from being provided to the substrate.

도 3은 도 1에 도시된 마스크를 나타낸 사시도이며, 도 4는 도 3의 절단선 I-I'에 따른 단면도이다.3 is a perspective view illustrating the mask illustrated in FIG. 1, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 3.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 상기 마스크(230)는 배면이 상기 지지 플레이트(110)의 상면과 마주하고, 상기 지지 플레이트(110)와 인접하게 위치한다. 본 발명의 일례로, 상기 마스크(230)는 막대 형상을 가지며, 상기 초점(FP)의 일측에 위치한다.1 to 3, the mask 230 has a rear surface facing the top surface of the support plate 110 and is positioned adjacent to the support plate 110. In one example of the present invention, the mask 230 has a rod shape and is located at one side of the focal point FP.

상기 충격파(SW)와 함께 발생된 플룸과 잔류빔은 상기 초점(FP)으로부터 상기 지지 플레이트(110) 측으로 진행하며, 상기 마스크(230) 상면에 입사된다. 따라서, 상기 마스크(230)는 상기 플룸과 잔류빔에 의해 상기 지지 플레이트(110) 상의 기판이 손상되는 것을 방지할 수 있다.The plume and the residual beam generated together with the shock wave SW travel from the focal point FP toward the support plate 110 and are incident on the upper surface of the mask 230. Thus, the mask 230 may prevent the substrate on the support plate 110 from being damaged by the plume and the residual beam.

그러나, 이러한 플룸과 잔류빔이 상기 마스크(230)의 특정 영역에 지속적으 로 입사되면, 상기 마스크(230) 또한 손상될 수 있다. 이와 같이, 상기 마스크(230)가 손상될 경우, 상기 마스크(230)의 파편이 상기 지지 플레이트(110) 측으로 떨어질 수 있다.However, if the plume and the residual beam is continuously incident to a specific area of the mask 230, the mask 230 may also be damaged. As such, when the mask 230 is damaged, the fragments of the mask 230 may fall toward the support plate 110.

이를 방지하기 위해, 상기 마스크(230)는 이러한 파편이 상기 마스크(230)의 상측으로 이동하도록 유도하는 가이드 가스를 배출한다.To prevent this, the mask 230 discharges a guide gas that guides such debris to move upward of the mask 230.

구체적으로, 상기 마스크(230)의 내부에는 상기 가이드 가스(GG)가 유입되는 가스 유로(231)가 형성되며, 일 측면에는 상기 가스 유로(231)에 유입된 가이드 가스(GG)를 외부로 배출하는 배출홀(232)이 형성된다.In detail, a gas flow path 231 through which the guide gas GG is introduced is formed in the mask 230, and one side discharges the guide gas GG introduced into the gas flow path 231 to the outside. The discharge hole 232 is formed.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 상기 가스 유로(231)는 상기 마스크(230)의 길이 방향으로 형성되며, 상기 배출홀(232)과 연통된다. 상기 가스 유로(231)는 상기 배출홀(232)과 인접한 부분이 상기 흡입부(260)를 향해 상향 경사진다. 본 발명의 일례로, 상기 가스 유로(231)에 유입되는 가이드 가스(GG)로는 질소 가스가 사용된다. 상기 배출홀(232)은 상기 마스크(230)의 일측 상단부에 형성되며, 상기 마스크(230)의 측면들 중 상기 초점(FP)과 인접한 측면에 형성된다. 이 실시예에 있어서, 상기 배출홀(232)은 상기 마스크(230)의 일 측면에 형성되나, 상면에 형성될 수도 있다.2 to 4, the gas flow path 231 is formed in the longitudinal direction of the mask 230 and communicates with the discharge hole 232. A portion of the gas flow passage 231 adjacent to the discharge hole 232 is inclined upward toward the suction part 260. In one example of the present invention, nitrogen gas is used as the guide gas GG flowing into the gas flow path 231. The discharge hole 232 is formed at an upper end of one side of the mask 230, and is formed at a side of the mask 230 adjacent to the focal point FP. In this embodiment, the discharge hole 232 is formed on one side of the mask 230, but may be formed on the upper surface.

상기 가스 유로(231)에 유입된 가이드 가스(GG)는 상기 가스 유로(231)를 따라 흘러 상기 배출홀(232)을 통해 배출된다. 상기 마스크(230)로부터 배출된 상기 가이드 가스(GG)는 상기 마스크(230)의 상측 방향으로 진행한다. 상기 마스크(230)의 파편 즉, 파티클은 상기 가이드 가스(GG)에 의해 상기 마스크(230)의 상측 방향으로 유도된다. 이에 따라, 상기 마스크(230)는 상기 파티클이 상기 지지 플레이트(110) 상의 기판에 떨어지는 것을 방지하고, 상기 기판의 재오염을 방지할 수 있 다.The guide gas GG introduced into the gas flow path 231 flows along the gas flow path 231 and is discharged through the discharge hole 232. The guide gas GG discharged from the mask 230 travels upwardly of the mask 230. Fragments of the mask 230, that is, particles, are guided upward of the mask 230 by the guide gas GG. Accordingly, the mask 230 may prevent the particles from falling on the substrate on the support plate 110 and prevent recontamination of the substrate.

다시, 도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 마스크(230)는 상기 공급 라인(240)과 연결되고, 상기 공급 라인(240)은 상기 가스 공급부(250)와 연결된다. 상기 가스 공급부(250)는 상기 가이드 가스(GG)를 공급하고, 상기 공급 라인(240)은 상기 가스 공급부(250)로부터 제공된 상기 가이드 가스(GG)를 상기 마스크(230)에 공급한다.1 and 2, the mask 230 is connected to the supply line 240, and the supply line 240 is connected to the gas supply unit 250. The gas supply unit 250 supplies the guide gas GG, and the supply line 240 supplies the guide gas GG provided from the gas supply unit 250 to the mask 230.

한편, 상기 지지 플레이트(110)의 상부에는 상기 흡입부(260)가 설치된다. 상기 흡입부(260)는 상기 마스크(230)의 상부에서 상기 마스크(230)의 배출홀(232)과 인접하게 위치하며, 상기 충격파(SW)에 의해 상기 기판으로부터 분리된 이물을 흡입하여 외부로 배출한다. 상기 흡입부(260)는 상기 마스크(230)로부터 발생된 파티클 또한 흡입하여 외부로 배출한다. 이때, 상기 마스크(230)의 파티클은 상기 가이드 가스(GG)에 의해 상기 흡입부(260) 측으로 유도된다. On the other hand, the suction part 260 is installed on the support plate 110. The suction part 260 is positioned adjacent to the discharge hole 232 of the mask 230 at an upper portion of the mask 230, and sucks foreign matter separated from the substrate by the shock wave SW to the outside. Discharge. The suction unit 260 also sucks particles generated from the mask 230 and discharges them to the outside. In this case, particles of the mask 230 are guided to the suction part 260 by the guide gas GG.

이하, 도면을 참조하여 상기 마스크(230)로부터 발생된 파티클이 상기 흡입부(260) 측으로 유도되는 과정에 대해 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a process of inducing particles generated from the mask 230 to the suction part 260 will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5는 도 1에 도시된 기판 세정 장치에서 기판의 세정 공정을 나타낸 도면이고, 도 6은 도 5에 도시된 흡입부로 파티클이 가이드되는 과정을 나타낸 도면이다.5 is a view illustrating a substrate cleaning process in the substrate cleaning apparatus shown in FIG. 1, and FIG. 6 is a view illustrating a process in which particles are guided to the suction unit illustrated in FIG. 5.

도 5 및 도 6을 참조하면, 먼저, 상기 지지 플레이트(110) 상에 기판(10)을 안착시키고, 상기 회전축(120)을 회전시켜 상기 지지 플레이트(110) 상의 기판(10) 을 회전시킨다.5 and 6, first, the substrate 10 is seated on the support plate 110, and the rotating shaft 120 is rotated to rotate the substrate 10 on the support plate 110.

상기 빔 생성부(210)는 상기 레이저 빔(LB)을 생성하여 상기 렌즈(220)에 제공하고, 상기 렌즈(220)는 상기 레이저 빔(LB)을 상기 기판(10)의 상부에서 포커싱하여 상기 충격파(SW)를 생성한다. 상기 렌즈(220)의 초점(FP)은 상기 기판(10)의 중심점에 위치한다.The beam generator 210 generates the laser beam LB and provides the laser beam LB to the lens 220, and the lens 220 focuses the laser beam LB on the substrate 10. Generates a shock wave (SW). The focal point FP of the lens 220 is positioned at the center point of the substrate 10.

상기 충격파(SW)는 상기 기판(10)의 표면에 부딪혀 상기 기판(10)으로부터 이물을 분리시킨다. 상기 충격파(SW)에 의해 상기 기판(10)이 세정되는 동안, 상기 흡입부(260)는 파티클 형태로 분리된 이물(PC)을 흡입하여 외부로 배출한다.The shock wave (SW) hits the surface of the substrate 10 to separate the foreign material from the substrate (10). While the substrate 10 is cleaned by the shock wave SW, the suction unit 260 sucks and discharges the foreign matter PC separated in a particle form to the outside.

상기 기판(10)의 세정이 이루어지는 동안, 상기 마스크(230)는 상기 플룸과 잔류빔이 상기 기판(10)에 입사되는 것을 차단한다. 구체적으로, 상기 마스크(230)는 상기 기판(10)의 일부 영역을 커버하고, 상기 초점(FP)의 일측에 위치한다. 또한, 상기 마스크(230)는 상기 기판(10)으로부터 이격되어 위치하며, 배면이 상기 기판(10)과 마주한다.During the cleaning of the substrate 10, the mask 230 blocks the plume and the residual beam from entering the substrate 10. Specifically, the mask 230 covers a portion of the substrate 10 and is located at one side of the focal point FP. In addition, the mask 230 is spaced apart from the substrate 10, and a rear surface thereof faces the substrate 10.

상기 기판(10)의 세정이 이루어지는 동안, 상기 가스 공급부(240)는 상기 가이드 가스(GG)를 상기 공급 라인(250)을 통해 상기 마스크(230)에 제공한다. 상기 마스크(230)에 유입된 가이드 가스(GG)는 상기 가스 유로(231)를 따라 흘러 상기 배출홀(232)을 통해 배출된다. 상기 마스크(230)를 경유한 상기 가이드 가스(GG)는 상기 가스 유로(231)와 상기 배출홀(232)에 의해 그 이동 방향이 상기 마스크(230)의 상측 방향으로 유도되므로, 상기 흡입부(260) 측으로 이동한다. 이에 따라, 상기 마스크(230)의 손상에 의해 발생된 파티클(PC)이 상기 가이드 가스(GG)에 의해 상기 흡입부(260) 측으로 이동된다. 상기 흡입부(260)는 상기 마스크(230)의 파티클(PC)을 상기 기판(10)의 이물과 함께 흡입하여 외부로 배출한다.During the cleaning of the substrate 10, the gas supply unit 240 provides the guide gas GG to the mask 230 through the supply line 250. The guide gas GG introduced into the mask 230 flows along the gas flow path 231 and is discharged through the discharge hole 232. Since the movement direction of the guide gas GG via the mask 230 is guided to the upper direction of the mask 230 by the gas flow path 231 and the discharge hole 232, the suction part ( 260) to the side. Accordingly, the particles PC generated by the damage of the mask 230 are moved to the suction part 260 by the guide gas GG. The suction part 260 sucks the particle PC of the mask 230 together with the foreign material of the substrate 10 and discharges it to the outside.

이와 같이, 상기 마스크(230)의 파티클(PC)이 상기 가이드 가스(GG)에 의해 상기 흡입부(260) 측으로 유도되므로, 상기 기판 세정 장치(300)는 상기 마스크(230)로부터 발생된 파티클(PC)이 상기 기판(10)에 떨어지는 것을 방지하고, 상기 기판(10)의 재오염을 방지할 수 있다.As described above, since the particle PC of the mask 230 is guided to the suction part 260 by the guide gas GG, the substrate cleaning apparatus 300 may generate particles generated from the mask 230. PC) can be prevented from falling on the substrate 10, and re-contamination of the substrate 10 can be prevented.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described with reference to the embodiments above, those skilled in the art will understand that the present invention can be variously modified and changed without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. Could be.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 마스크와 초점과의 위치 관계를 나타낸 평면도이다.FIG. 2 is a plan view illustrating a positional relationship between a mask and a focal point illustrated in FIG. 1.

도 3은 도 1에 도시된 마스크를 나타낸 사시도이다.3 is a perspective view illustrating the mask shown in FIG. 1.

도 4는 도 3의 절단선 I-I'에 따른 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 3.

도 5는 도 1에 도시된 기판 세정 장치에서 기판의 세정 공정을 나타낸 도면이다.5 is a view illustrating a substrate cleaning process in the substrate cleaning apparatus of FIG. 1.

도 6은 도 5에 도시된 흡입부로 파티클이 가이드되는 과정을 나타낸 도면이다.6 is a view illustrating a process in which particles are guided to the suction unit illustrated in FIG. 5.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 지지 유닛 200 : 세정 유닛100 support unit 200 cleaning unit

210 : 빔 생성부 210 : 렌즈210: beam generator 210: lens

230 : 마스크 240 : 가스 공급부230: mask 240: gas supply unit

250 : 공급 라인 260 : 흡입부250: supply line 260: suction part

300 : 기판 세정 장치300: substrate cleaning device

Claims (7)

기판을 지지하고, 회전 가능한 지지 플레이트;A support plate supporting the substrate and rotatable; 상기 기판을 세정하는 충격파를 생성하기 위한 광을 출사하는 빔 생성부;A beam generator for emitting light for generating shock waves for cleaning the substrate; 상기 빔 생성부로부터 출사된 상기 광을 기판의 상부에 포커싱하는 렌즈;A lens for focusing the light emitted from the beam generator on an upper portion of the substrate; 상기 기판의 상부에 구비되고, 상기 기판상의 이물을 흡입하여 외부로 배출하는 흡입부; 및A suction part provided at an upper portion of the substrate and sucking foreign substances on the substrate and discharging them to the outside; And 상기 기판의 상부에 배치되고, 상면으로부터 떨어지는 파티클을 상기 흡입부측으로 유도하는 가이드 가스를 배출하며, 상기 기판을 보호하는 마스크를 포함하고,A mask disposed above the substrate and discharging a guide gas for guiding particles falling from an upper surface to the suction part and protecting the substrate; 상기 마스크는 내부에 상기 가이드 가스를 상기 흡입부 측으로 유도하는 가스 유로가 형성되고, 일 측면에는 상기 가스 유로와 연통되어 상기 가이드 가스를 배출하는 배출홀이 형성된 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.The mask has a substrate cleaning apparatus, characterized in that a gas flow path for guiding the guide gas to the suction side is formed therein, and a discharge hole for communicating with the gas flow path to discharge the guide gas therein. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스 유로는 상기 배출홀과 인접한 부분이 상기 흡입부를 향해 상향 경사진 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.The gas flow path cleaning apparatus, characterized in that the portion adjacent to the discharge hole is inclined upward toward the suction portion. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 마스크는 막대 형상을 갖고,The mask has a rod shape, 상기 가스 유로는 상기 마스크의 길이 방향으로 연장되며,The gas flow path extends in the longitudinal direction of the mask, 상기 배출홀은 상기 마스크의 일측 상단부에 형성된 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.The discharge hole is substrate cleaning apparatus, characterized in that formed in the upper end of one side of the mask. 제3항에 있어서, 상기 흡입부는 상기 마스크의 상부에서 상기 배출홀과 인접하게 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.The substrate cleaning apparatus of claim 3, wherein the suction unit is positioned adjacent to the discharge hole at an upper portion of the mask. 기판을 지지하고, 회전 가능한 지지 플레이트;A support plate supporting the substrate and rotatable; 상기 기판을 세정하는 충격파를 생성하기 위한 광을 출사하는 빔 생성부;A beam generator for emitting light for generating shock waves for cleaning the substrate; 상기 빔 생성부로부터 출사된 상기 광을 기판의 상부에 포커싱하는 렌즈;A lens for focusing the light emitted from the beam generator on an upper portion of the substrate; 상기 기판의 상부에 구비되고, 상기 기판상의 이물을 흡입하여 외부로 배출하는 흡입부; 및A suction part provided at an upper portion of the substrate and sucking foreign substances on the substrate and discharging them to the outside; And 상기 기판의 상부에 배치되고, 상면으로부터 떨어지는 파티클을 상기 흡입부측으로 유도하는 가이드 가스를 배출하며, 상기 기판을 보호하는 마스크;A mask disposed on the substrate and discharging a guide gas for inducing particles falling from an upper surface to the suction part and protecting the substrate; 상기 가이드 가스를 제공하는 가스 공급부; 및A gas supply unit providing the guide gas; And 상기 가스 공급부 및 상기 마스크와 연결되고, 상기 가스 공급부로부터 제공된 상기 가이드 가스를 상기 마스크에 공급하는 공급 라인을 더 포함하는 것을 특징을 하는 기판 세정 장치.And a supply line connected to the gas supply unit and the mask and supplying the guide gas provided from the gas supply unit to the mask. 삭제delete 기판을 지지 플레이트 상에 안착시키는 단계;Mounting the substrate on a support plate; 상기 기판의 상부에 마스크와 흡입부를 배치시키는 단계; 및Disposing a mask and a suction unit on the substrate; And 상기 기판의 상부에 상기 기판을 세정하는 충격파를 형성하고, 이와 함께, 상기 마스크가 가이드 가스를 배출하여 상기 마스크로부터 발생된 파티클을 상기 흡입부 측으로 유도하며, 상기 흡입부가 상기 기판의 이물과 함께 상기 파티클을 흡입하여 외부로 배출하는 단계를 포함하고,A shock wave for cleaning the substrate is formed on the substrate, and together with the mask, a guide gas is discharged to guide particles generated from the mask to the suction part, and the suction part is formed together with the foreign matter of the substrate. Inhaling the particles and discharging them to the outside, 상기 가이드 가스는 상기 마스크 내부에 형성된 가스 유로에 의해 상기 흡입부 측으로 유도되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.And the guide gas is guided to the suction part by a gas flow path formed inside the mask.
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