[go: up one dir, main page]

KR100956082B1 - Repair method of photomask - Google Patents

Repair method of photomask Download PDF

Info

Publication number
KR100956082B1
KR100956082B1 KR1020060035696A KR20060035696A KR100956082B1 KR 100956082 B1 KR100956082 B1 KR 100956082B1 KR 1020060035696 A KR1020060035696 A KR 1020060035696A KR 20060035696 A KR20060035696 A KR 20060035696A KR 100956082 B1 KR100956082 B1 KR 100956082B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photoresist
photomask
pattern
repair
material film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020060035696A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20070103847A (en
Inventor
박재우
강갑석
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020060035696A priority Critical patent/KR100956082B1/en
Publication of KR20070103847A publication Critical patent/KR20070103847A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100956082B1 publication Critical patent/KR100956082B1/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72—Repair or correction of mask defects
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/46—Antireflective coatings
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/80—Etching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

본 발명은 포토마스크의 리페어 방법에 관한 것으로, 특히 결함 패턴이 크고, 결함이 발생한 부분이 분산된 경우에, 상기 결함 패턴을 한번에 일괄적으로 제거한 후, 한번에 일괄적으로 새로운 수정 패턴으로 리페어 할 수 있고, 국부적으로 빠진 패턴을 한번에 일괄적으로 삽입할 수 있는 포토마스크의 리페어 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a repair method of a photomask, in particular, in the case where a defect pattern is large and a portion where defects are dispersed, the defect pattern can be removed at once and then repaired at once with a new correction pattern. The present invention relates to a repair method of a photomask in which local missing patterns can be inserted at once.

본 발명의 포토마스크의 리페어 방법을 이루는 구성수단은, 포토마스크의 광투과부와 광차단부 상에 제1 포토레지스트를 형성하는 단계, 추가 패턴이 삽입되는 부분이 노출될 수 있도록 상기 제1 포토레지스트를 노광하고 현상하여 공간부를 형성하는 단계, 상기 공간부와 상기 제1 포토레지스트 상에 리페어물질막을 형성하는 단계, 상기 제1 포토레지스트와 그 상부에 형성된 리페어물질막을 리프트 오프(lift-off)법으로 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.The constituent means constituting the repair method of the photomask of the present invention comprises the steps of forming a first photoresist on the light transmitting part and the light blocking part of the photomask, so that a portion into which an additional pattern is inserted is exposed. Exposing and developing a space to form a space portion, forming a repair material film on the space portion and the first photoresist, and lift-off the repair material film formed on the first photoresist and the upper portion. Characterized in that it comprises a step of removing.

포토마스크, 수정, 리페어 Photomask, crystal, repair

Description

포토마스크의 리페어 방법{a method for repairing photomask}Repair method for photomask {a method for repairing photomask}

도 1은 일반적인 포토 마스크의 개략도이다.1 is a schematic view of a general photo mask.

도 2는 종래의 포토마스크의 리페어 방법을 설명하기 위한 예시도이다.2 is an exemplary view for explaining a conventional repair method of a photomask.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 포토마스크의 리페어 공정을 설명하기 위한 공정도이다.3 is a flowchart illustrating a repair process of a photomask according to a first embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 포토마스크의 리페어 공정을 설명하기 위한 공정도이다.4 is a flowchart illustrating a repair process of a photomask according to a second embodiment of the present invention.

본 발명은 포토마스크의 리페어 방법에 관한 것으로, 특히 결함 패턴이 크고, 결함이 발생한 부분이 분산된 경우에, 상기 결함 패턴을 한번에 일괄적으로 제거한 후, 한번에 일괄적으로 새로운 수정 패턴으로 리페어 할 수 있고, 국부적으로 빠진 패턴을 한번에 일괄적으로 삽입할 수 있는 포토마스크의 리페어 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a repair method of a photomask, in particular, in the case where a defect pattern is large and a portion where defects are dispersed, the defect pattern can be removed at once and then repaired at once with a new correction pattern. The present invention relates to a repair method of a photomask in which local missing patterns can be inserted at once.

도 1은 포토리소그라피(photolithography) 공정으로 패터닝을 할 때 사용되 는 일반적인 포토마스크의 개략도이다.1 is a schematic diagram of a general photomask used when patterning by a photolithography process.

도 1에 도시된 바와 같이, 일반적인 포토마스크는 투명기판(21)과 상기 투명기판(21) 상에 형성되며 광을 완전히 투과시키는 광투과부(21)와 광을 완전히 차단시키는 광차단부(23)를 가진다. 상기와 같은 종래의 일반적인 포토마스크를 이용하여 노광→현상→에칭으로 이루어지는 포토리소그라피 공정을 적용하면 다양한 패턴을 형성할 수 있다.As shown in FIG. 1, a general photomask is formed on the transparent substrate 21 and the transparent substrate 21 and has a light transmitting portion 21 for completely transmitting light and a light blocking portion 23 for completely blocking light. Has Various patterns can be formed by applying a photolithography process including exposure → development → etching using a conventional photomask as described above.

그런데, 상기와 같은 구조로 이루어진 포토마스크는 설계된 대로 정확하게 패터닝되어야 한다. 그러나, 제조 과정 중에 다양한 원인으로 인하여 부정확한 패턴이 형성될 수 있으며, 원하지 않는 결함이 발생할 수 있다. 이 경우에는 상기 부정확한 결함 패턴을 제거하고, 같은 자리에 새로운 수정 패턴을 삽입할 필요가 있다. 또한, 포토마스크의 제조 과정 중에, 다양한 이유로 인하여 설계 상에 나와 있는 패턴이 빠진 상태로 제조되는 경우가 있는데, 이 경우에는 빠진 패턴을 삽입하는 리페어 공정이 필요하다.However, the photomask having the above structure should be patterned exactly as designed. However, inaccurate patterns may be formed due to various causes during the manufacturing process, and unwanted defects may occur. In this case, it is necessary to remove the incorrect defect pattern and insert a new correction pattern in the same place. In addition, during the manufacturing process of the photomask, there are cases in which the pattern shown in the design is manufactured in a missing state for various reasons. In this case, a repair process for inserting the missing pattern is necessary.

상기와 같이, 부정확한 패턴이 형성된 경우에도, 부정확한 패턴을 제거하고, 수정 패턴을 삽입하는 리페어 공정이 수행되어야 하고, 소정 패턴이 빠진 경우에는 상기 빠진 패턴을 삽입하는 리페어 공정이 수행되어야 한다.As described above, even when an incorrect pattern is formed, a repair process of removing the incorrect pattern and inserting a correction pattern should be performed, and if a predetermined pattern is missing, a repair process of inserting the missing pattern should be performed.

도 2는 일반적인 포토마스크의 평면도로서, 결함 패턴을 제거한 후, 수정 패턴을 삽입하거나 또는 빠진 패턴을 삽입하는 방법에 대하여 설명하기 위한 예시도이다.2 is a plan view of a general photomask, and is an exemplary view for explaining a method of inserting a correction pattern or a missing pattern after removing a defect pattern.

도 2에 도시된 바와 같이, 소정의 패턴이 형성되어 있는 포토마스크를 제조 한 후에, 도시된 바와 같이 특정 어레이(array) 패턴(13)이 빠진 경우에는 상기 어레이(array) 패턴(13)을 삽입하는 리페어 공정을 수행해야 한다.As shown in FIG. 2, after fabricating a photomask in which a predetermined pattern is formed, when the specific array pattern 13 is omitted as shown, the array pattern 13 is inserted. The repair process should be performed.

이와 같은 경우에, 종래에는 스퍼터링법에 의하여 각각의 유실 패턴(11)들을 하나씩 형성시키는 공정으로 상기 빠진 어레이(array) 패턴(13)을 삽입하여 리페어를 수행하였다. 그러나, 이와 같은 리페어 방법은 많은 시간이 소요되고, 과정이 복잡하다는 문제점을 안고 있다. 더욱이, 국부적으로 빠진 어레이(array) 패턴(13)들이 너무 많은 경우에는 시간 및 비용 면을 고려할 때, 리페어를 수행한다는 것은 적절하지 못하다는 단점이 있다.In this case, the repair was performed by inserting the missing array pattern 13 in a process of forming each of the missing patterns 11 one by one by sputtering. However, such a repair method takes a lot of time and has a problem that the process is complicated. Moreover, when there are too many locally missing array patterns 13, it is disadvantageous to perform a repair considering the time and cost.

한편, 도 2에 도시된 어레이 패턴(13)이 부정확한 결함 패턴이라고 할 때, 레이져 빔 장치를 이용하여 상기 어레이(array) 패턴(13)을 먼저 제거하는 공정을 수행하여야 한다. 상기 어레이(array) 패턴(13)에는 각각의 결함 패턴(11)이 복수개 포함되어 있고, 상기 레이져 빔 장치를 이용하여 결함을 제거하기 위해서는 상기 각각의 결함 패턴(11)에 대하여 일일이 레이져 빔을 조사하여 제거해야만 한다. 따라서, 결함이 발생한 상기 어레이(array) 패턴(13)을 제거하기 위해서는 필요 이상의 시간이 소요되는 문제점이 발생한다.Meanwhile, when the array pattern 13 illustrated in FIG. 2 is an incorrect defect pattern, a process of first removing the array pattern 13 using a laser beam apparatus should be performed. The array pattern 13 includes a plurality of defect patterns 11, and in order to remove defects by using the laser beam apparatus, laser beams are irradiated to the respective defect patterns 11 one by one. Must be removed. Therefore, a problem occurs that takes longer than necessary to remove the array pattern 13 in which a defect occurs.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 결함 패턴이 크고, 결함이 발생한 부분이 분산된 경우에, 상기 결함 패턴을 한번에 일괄적으로 제거한 후, 한번에 일괄적으로 새로운 수정 패턴으로 리페어 할 수 있고, 국부적으로 빠진 패턴을 한번에 일괄적으로 삽입할 수 있는 포토마스크의 리페어 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.The present invention was devised to solve the above problems of the prior art, and in the case where the defect pattern is large and the portions where the defects are dispersed, the defect patterns are collectively removed at once, and then collectively new modifications are made at once. It is an object of the present invention to provide a repair method of a photomask that can be repaired in a pattern, and that the missing patterns can be collectively inserted at once.

상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위하여 제안된 본 발명인 포토마스크의 리페어 방법을 이루는 구성수단은, 포토마스크의 광투과부와 광차단부 상에 제1 포토레지스트를 형성하는 단계, 추가 패턴이 삽입되는 부분이 노출될 수 있도록 상기 제1 포토레지스트를 노광하고 현상하여 공간부를 형성하는 단계, 상기 공간부와 상기 제1 포토레지스트 상에 리페어물질막을 형성하는 단계, 상기 제1 포토레지스트와 그 상부에 형성된 리페어물질막을 리프트 오프(lift-off)법으로 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 제1 포토레지스트는 노광되지 않는 부분이 현상되는 네거티브(negative) 타입의 포토레지스트인 것이 바람직하다.In order to solve the technical problem as described above, the constituent means of the repair method of the photomask of the present invention includes the steps of forming a first photoresist on the light transmitting part and the light blocking part of the photomask, and an additional pattern is inserted. Exposing and developing the first photoresist so as to be exposed to form a space portion, forming a repair material film on the space portion and the first photoresist, and repairing the first photoresist and the upper portion of the first photoresist. And removing the material film by a lift-off method. Here, the first photoresist is preferably a negative photoresist in which an unexposed portion is developed.

또한, 다른 실시예에 따른 본 발명인 포토마스크의 리페어 방법을 이루는 구성수단은, 포토마스크의 광투과부와 광차단부 상에 리프트오프용 포토레지스트와 제1 포토레지스트를 순차적으로 형성하는 단계, 추가 패턴이 삽입되는 부분이 노출될 수 있도록 상기 제1 포토레지스트를 노광한 후, 상기 노광된 제1 포토레지스트와 그 하부에 존재하는 상기 리프트오프용 포토레지스트를 현상하여 공간부를 형성하는 단계, 상기 공간부와 상기 제1 포토레지스트 상에 리페어물질막을 형성하는 단계, 상기 리프트오프용 포토레지스트, 제1 포토레지스트 및 그 상부에 형성된 리 페어물질막을 리프트 오프(lift-off)법으로 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 제1 포토레지스트는 노광되는 부분이 현상되는 파지티브(positive) 타입이고, 상기 리프트오프용 포토레지스트는 상기 제1 포토레지스트를 현상할 때, 동시에 현상되되, 언더 컷(under cut)이 발생되는 것을 특징으로 한다.In addition, the constituent means constituting the repair method of the photomask according to another embodiment of the present invention comprises the steps of sequentially forming a lift-off photoresist and the first photoresist on the light transmitting portion and the light blocking portion of the photomask, additional pattern Exposing the first photoresist so that the inserted portion can be exposed, and then developing the exposed first photoresist and the lift-off photoresist underneath to form a space part, wherein the space part And forming a repair material film on the first photoresist, and removing the liftoff photoresist, the first photoresist, and the repair material film formed thereon by a lift-off method. Characterized in that made. Here, the first photoresist is a positive type in which the exposed portion is developed, and the lift-off photoresist is developed simultaneously when developing the first photoresist, and under cut It is characterized in that it is generated.

또한, 다른 실시예에 따른 본 발명인 포토마스크의 리페어 방법을 이루는 구성수단은, 포토마스크의 광투과부와 광차단부 상에 제1 포토레지스트를 형성하는 단계, 상기 포토마스크 상에 제거되어야 할 결함 패턴 부분이 노출될 수 있도록 상기 제1 포토레지스트를 노광하고 현상하는 단계, 상기 노출된 결함 패턴을 에칭 공정에 의하여 일괄적으로 제거하여 공간부를 형성하는 단계, 상기 공간부와 상기 제1 포토레지스트 상에 리페어물질막을 형성하는 단계, 상기 제1 포토레지스트와 그 상부에 형성된 리페어물질막을 리프트 오프(lift-off)법으로 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 제1 포토레지스트는 노광되는 부분이 현상되는 파지티브(positive) 타입이거나 노광되지 않는 부분이 현상되는 네거티브(negative) 타입인 것이 바람직하다.In addition, the constituent means constituting the repair method of the photomask according to another embodiment of the present invention, forming a first photoresist on the light transmitting portion and the light blocking portion of the photomask, the defect pattern to be removed on the photomask Exposing and developing the first photoresist to expose a portion, and collectively removing the exposed defect patterns by an etching process to form a space portion, on the space portion and the first photoresist. And forming a repair material film, and removing the repair material film formed on the first photoresist and the upper portion of the first photoresist by a lift-off method. The first photoresist may be a positive type in which the exposed part is developed or a negative type in which the unexposed part is developed.

또한, 상기 제1 포토레지스트를 노광 및 현상하기 전에, 상기 포토마스크의 모서리 부분에 형성된 정렬마크의 위치를 파악하여 레이져 빔의 조사 위치를 보정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, before exposing and developing the first photoresist, the method may further include correcting a laser beam irradiation position by identifying a position of an alignment mark formed at an edge of the photomask.

또한, 상기 리페어물질막은 스퍼터링법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하고, 상기 리페어물질막은 차광물질막 또는 반투과물질막인 것이 바람직하다. 즉, 리페어되는 부분이 광차단부일 때에는 차광물질막을 스퍼터링법에 의하여 형성시키고, 반투과부일 때에는 반투과물질막을 스터터링법에 의하여 형성시킨다.The repair material film may be formed by a sputtering method, and the repair material film may be a light blocking material film or a semi-transmissive material film. That is, the light shielding material film is formed by the sputtering method when the portion to be repaired is the light blocking part, and the semi-transparent material film is formed by the sputtering method when the semi-transmissive part is used.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 상기와 같은 구성수단으로 이루어져 있는 본 발명인 포토마스크의 리페어 방법에 관한 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the repair method of the photomask of the present invention consisting of the above configuration means.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 포토마스크의 리페어 방법을 설명하기 위한 공정도이다. 제1 실시예는 설계 상에 나와 있는 패턴이 국부적으로 빠진 경우에 리페어를 수행하는 공정이다. 이와 같은 본 발명의 제1 실시예에 따른 포토마스크의 리페어 방법을 이용하면, 삽입해야할 추가 패턴(도 3의 단계 S40에서 도면부호 25로 표기됨)을 한번에 일괄적으로 삽입할 수 있다.3 is a flowchart illustrating a repair method of a photomask according to a first embodiment of the present invention. The first embodiment is a process for performing repair when the pattern shown in the design is missing locally. By using the repair method of the photomask according to the first embodiment of the present invention, an additional pattern to be inserted (indicated by reference numeral 25 in step S40 of FIG. 3) may be inserted at once.

먼저, 도 3에 도시된 단계 S10에서와 같이, 포토마스크의 광투과부(21)와 광차단부(23) 상에 제1 포토레지스트(30)를 스핀 코팅 등의 방법에 의하여 형성한다. 상기 제1 실시예에서 사용하는 제1 포토레지스트(30)는 노광되지 않는 부분이 현상되는 네거티브(negative) 타입의 포토레지스트인 것이 바람직하다.First, as in step S10 illustrated in FIG. 3, the first photoresist 30 is formed on the light transmitting portion 21 and the light blocking portion 23 of the photomask by spin coating or the like. The first photoresist 30 used in the first embodiment is preferably a negative photoresist in which an unexposed portion is developed.

그런 다음, 상기 네거티브 타입의 제1 포토레지스트(30) 상에서 레이져 빔을 조사하여 원하는 부분을 노광시켜 드로잉(drawing)을 수행한다. 이와 같은 노광에 의하여 상기 제1 포토레지스트(30)는 노광되는 부분과 노광되지 않는 부분이 나타나는데, 상기 노광이 되지 않는 부분은 현상 공정에 의하여 상기 추가 패턴(단계 S40에서 도면부호 25로 표기됨)이 삽입되어야 할 부분이 노출될 수 있도록 상기 네거티브 타입의 제1 포토레지스트(30)가 제거되어야 할 부분이다. Then, the laser beam is irradiated on the negative type first photoresist 30 to expose a desired portion to perform drawing. As a result of this exposure, the first photoresist 30 is exposed and the portion that is not exposed, and the portion that is not exposed is the additional pattern (denoted by reference numeral 25 in step S40) by a developing process. The negative type first photoresist 30 is to be removed so that the portion to be inserted is exposed.

상기 네거티트 타입의 제1 포토레지스트(30)를 노광한 후에는, 단계 S20에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(30)의 노광되지 않는 부분을 현상하여 소정의 공간부(40)를 형성한다. 상기 네거티브 타입의 제1 포토레지스트(30)의 노광되지 않는 부분은 소정의 현상액에 의하여 현상되되, 단계 S20에 도시된 바와 같이 깊이 방향으로 갈수록 공간이 더 넓어지도록 현상된다.After exposing the negative type first photoresist 30, as shown in step S20, an unexposed portion of the first photoresist 30 is developed to provide a predetermined space portion 40. To form. The unexposed portion of the negative type first photoresist 30 is developed by a predetermined developer, but is developed such that the space becomes wider in the depth direction as shown in step S20.

한편, 상기 제1 포토레지스트(30)를 노광 및 현상하기 전에는, 상기 레이져 빔의 조사 위치를 보정하는 단계를 수행해야 한다. 즉, 추가 패턴(25)이 삽입될 부분을 정확하게 노출할 수 있도록, 상기 제1 포토레지스트(30)의 소정 부분을 정확하게 노광하기 위해서는 상기 레이져 빔의 정렬이 필수적으로 필요하다. 따라서, 노광을 수행하기 전에 포토마스크의 모서리 부분에 형성된 정렬마크의 위치를 파악하여 레이져 빔의 조사위치를 보정 할 필요가 있다.Meanwhile, before exposing and developing the first photoresist 30, the step of correcting the irradiation position of the laser beam should be performed. That is, alignment of the laser beam is essential to accurately expose a predetermined portion of the first photoresist 30 so that the portion to which the additional pattern 25 is to be accurately inserted. Therefore, before performing the exposure, it is necessary to determine the position of the alignment mark formed on the edge portion of the photomask to correct the irradiation position of the laser beam.

상기와 같이 추가 패턴(25)이 삽입될 공간부(40)가 형성되면, 단계 S30에 도시된 바와 같이, 상기 공간부(40)와 상기 제1 포토레지스트(30) 상에 리페어물질막(50)을 형성시킨다. 상기 리페어물질막(50)은 삽입될 추가 패턴(25)을 이루는 구성물질을 스퍼터링법에 의하여 형성시킬 수 있다. 이 때, 상기 공간부(40)는 깊이 방향으로 갈수록 더 넓어지는 형상이기 때문에, 상기 공간부(40)에 형성되는 리페어물질막(50)과 상기 제1 포토레지스트(30) 상에 형성되는 리페어물질막(50)은 서로 연결되지 않는 상태로 형성된다.As described above, when the space part 40 into which the additional pattern 25 is to be inserted is formed, a repair material film 50 is formed on the space part 40 and the first photoresist 30, as shown in step S30. ). The repair material film 50 may form a constituent material constituting the additional pattern 25 to be inserted by sputtering. At this time, since the space portion 40 is wider in the depth direction, the repair material layer 50 formed on the space portion 40 and the repair portion formed on the first photoresist 30 are formed. The material film 50 is formed so as not to be connected to each other.

상기 삽입될 추가 패턴(25)이 조사되는 소정 파장대의 광을 차단하는 광차단부일 경우에는, 차광물질막을 스퍼터링법에 의하여 형성시켜 상기 리페어물질막 (50)을 구성하고, 상기 삽입될 추가 패턴(25)이 조사되는 소정 파장대의 광의 일부만 통과시키는 반투과부일 경우에는, 반투과물질막을 스퍼터링법에 의하여 형성시켜 상기 리페어물질막(50)을 구성한다.When the additional pattern 25 to be inserted is a light blocking unit that blocks light of a predetermined wavelength band, the light shielding material film is formed by a sputtering method to form the repair material film 50, and the additional pattern to be inserted ( In the case of the semi-transmissive portion through which only a part of the light in the predetermined wavelength band 25 is irradiated, the semi-transparent material film is formed by the sputtering method to form the repair material film 50.

그런 다음, 단계 S40에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(30)와 상기 제1 포토레지스트(30) 상부에 형성된 리페어물질막(50)을 리프트 오프(lift-off)법에 의하여 제거한다. 그러면, 상기 공간부(40)에만 상기 리페어물질막(50)이 잔존하게 되는데, 이것이 바로 새로 삽입된 추가 패턴(25)이다.Then, as shown in step S40, the first photoresist 30 and the repair material film 50 formed on the first photoresist 30 are removed by a lift-off method. . Then, the repair material film 50 remains only in the space 40, which is a newly inserted additional pattern 25.

상기 제1 포토레지스트(30)의 상부에 형성되는 리페어물질막(50)은 상기 공간부(40)에 형성되는 리페어물질막(50)과 연결되지 않는 상태에 있기 때문에, 리프트 오프법에 의하여 깨끗하게 완전히 제거될 수 있다.Since the repair material film 50 formed on the first photoresist 30 is not connected to the repair material film 50 formed in the space part 40, the repair material film 50 is cleanly lifted off. Can be removed completely.

이상에서 설명한 공정에 의하면, 국부적으로 빠진 패턴이 있을지라도, 한번에 일괄적으로 새로운 추가 패턴을 원하는 부분에 삽입시킬 수 있다. 따라서, 추가 패턴을 형성시기 위한 시간이 단축되고, 공정이 단순해진다.According to the process described above, even if there are locally missing patterns, new additional patterns can be inserted in a desired portion in one batch at a time. Therefore, the time for forming an additional pattern is shortened and the process is simplified.

다음은 본 발명의 제2 실시예에 따른 포토마스크의 리페어 방법에 대하여 설명한다.Next, a method of repairing a photomask according to a second embodiment of the present invention will be described.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 포토마스크의 리페어 방법을 설명하기 위한 공정도이다. 제2 실시예는 상기에서 설명한 제1 실시예와 동일하게, 설계 상에 나와 있는 패턴이 국부적으로 빠진 경우에 리페어를 수행하는 공정이다. 다만, 리프트 오프법에 의하여 리페어물질막을 깨끗하게 제거할 수 있도록 소정의 공정을 변형한 실시예이다.4 is a flowchart illustrating a repair method of a photomask according to a second embodiment of the present invention. Similar to the first embodiment described above, the second embodiment is a process for performing repair when the pattern shown on the design is locally missing. However, the present invention is an embodiment in which a predetermined process is modified to remove the repair material film by the lift-off method.

이와 같은 본 발명의 제2 실시예에 따른 포토마스크의 리페어 방법을 이용하면, 삽입해야할 추가 패턴(도 4의 단계 S50에서 도면부호 25로 표기됨)을 한번에 일괄적으로 삽입할 수 있다.By using the repair method of the photomask according to the second embodiment of the present invention, an additional pattern to be inserted (indicated by reference numeral 25 in step S50 of FIG. 4) may be inserted at once.

먼저, 도 4에 도시된 단계 S10에서와 같이, 포토마스크의 광투과부(21)와 광차단부(23) 상에 리프트오프용 포토레지스트(35)와 제1 포토레지스트(30)를 스핀 코팅 등의 방법에 의하여 순차적으로 형성한다. 제2 실시예에서 사용하는 제1 포토레지스트(30)는 노광되는 부분이 현상되는 파지티브(positive) 타입의 포토레지스트인 것이 바람직하다. 그리고, 상기 리프트오프용 포토레지스트(35)는 상기 제1 포토레지스트(30)를 현상하는 현상액에 의하여 동시에 현상되되, 언더 컷(under cut)이 발생될 수 있는 포토레지스트인 것이 바람직하다.First, as in step S10 shown in FIG. 4, the spin-off photoresist 35 and the first photoresist 30 are lift-coated on the light transmitting portion 21 and the light blocking portion 23 of the photomask. Formed sequentially by the method of. The first photoresist 30 used in the second embodiment is preferably a positive type photoresist in which the exposed portion is developed. In addition, the lift-off photoresist 35 may be simultaneously developed by a developer for developing the first photoresist 30, and may be a photoresist in which an under cut may occur.

그런 다음, 단계 S20에 도시된 바와 같이, 상기 파지티브 타입의 제1 포토레지스트(30) 상에서 레이져 빔을 조사하여 원하는 부분(31)을 노광시켜 드로잉(drawing)을 수행한다. 이와 같은 노광에 의하여 상기 제1 포토레지스트(30)는 노광되는 부분과 노광되지 않는 부분이 나타나는데, 상기 노광이 되는 부분(31)은 현상 공정에 의하여 상기 추가 패턴(단계 S50에서 도면부호 25로 표기됨)이 삽입되어야 할 부분이 노출될 수 있도록 상기 파지티브 타입의 제1 포토레지스트(30)가 제거되어야 할 부분이다. Then, as shown in step S20, the laser beam is irradiated on the positive type first photoresist 30 to expose the desired portion 31 to perform drawing. Such exposure causes the first photoresist 30 to be exposed and unexposed, and the exposed portion 31 is represented by the additional pattern (25 at step S50) by a developing process. The first photoresist 30 of the positive type is to be removed so that the portion to be inserted is exposed.

상기 파지티브 타입의 제1 포토레지스트(30)를 노광한 후에는, 단계 S30에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(30)의 노광된 부분(31)을 소정의 현상액 으로 현상함과 동시에, 이 현상액에 의하여 동시에 상기 리프트오프용 포토레지스트(35)를 현상함으로써, 소정의 공간부(40)를 형성한다. 상기 리프트오프용 포토레지스트(35)는 상기 제1 포토레지스트(30)의 현상액에 의하여 동시에 현상되되, 단계 S30에 도시된 바와 같이 언더 컷(under cut)이 발생되도록 현상된다.After exposing the positive type first photoresist 30, the exposed portion 31 of the first photoresist 30 is developed with a predetermined developer as shown in step S30. By using this developer, the lift-off photoresist 35 is simultaneously developed to form a predetermined space portion 40. The lift-off photoresist 35 is developed at the same time by the developer of the first photoresist 30, and is developed such that an under cut occurs as shown in step S30.

한편, 상기 제1 포토레지스트(30)를 노광 및 현상하기 전에는, 상기 레이져 빔의 조사 위치를 보정하는 단계를 수행해야 한다. 즉, 추가 패턴(25)이 삽입될 부분을 정확하게 노출할 수 있도록, 상기 제1 포토레지스트(30)의 소정 부분을 정확하게 노광하기 위해서는 상기 레이져 빔의 정렬이 필수적으로 필요하다. 따라서, 노광을 수행하기 전에 포토마스크의 모서리 부분에 형성된 정렬마크의 위치를 파악하여 레이져 빔의 조사위치를 보정 할 필요가 있다.Meanwhile, before exposing and developing the first photoresist 30, the step of correcting the irradiation position of the laser beam should be performed. That is, alignment of the laser beam is essential to accurately expose a predetermined portion of the first photoresist 30 so that the portion to which the additional pattern 25 is to be accurately inserted. Therefore, before performing the exposure, it is necessary to determine the position of the alignment mark formed on the edge portion of the photomask to correct the irradiation position of the laser beam.

상기와 같이 추가 패턴(25)이 삽입될 공간부(40)가 형성되면, 단계 S40에 도시된 바와 같이, 상기 공간부(40)와 상기 제1 포토레지스트(30) 상에 리페어물질막(50)을 형성시킨다. 상기 리페어물질막(50)은 삽입될 추가 패턴(25)을 이루는 구성물질을 스퍼터링법에 의하여 형성시킬 수 있다. 이 때, 상기 공간부(40)는 언더 컷이 발생한 상기 리프트오프용 포토레지스트가 현상되어 형성되기 때문에, 상기 공간부(40)에 형성되는 리페어물질막(50)과 상기 제1 포토레지스트(30) 상에 형성되는 리페어물질막(50)은 서로 연결되지 않는 상태로 형성된다.When the space portion 40 to be inserted into the additional pattern 25 is formed as described above, as shown in step S40, the repair material film 50 on the space portion 40 and the first photoresist 30. ). The repair material film 50 may form a constituent material constituting the additional pattern 25 to be inserted by sputtering. In this case, since the lift-off photoresist in which the undercut has occurred is developed by developing the space part 40, the repair material film 50 and the first photoresist 30 formed in the space part 40 are formed. The repair material film 50 formed on the cavities is formed so as not to be connected to each other.

상기 삽입될 추가 패턴(25)이 조사되는 소정 파장대의 광을 차단하는 광차단부일 경우에는, 차광물질막을 스퍼터링법에 의하여 형성시켜 상기 리페어물질막(50)을 구성하고, 상기 삽입될 추가 패턴(25)이 조사되는 소정 파장대의 광의 일부 만 통과시키는 반투과부일 경우에는, 반투과물질막을 스퍼터링법에 의하여 형성시켜 상기 리페어물질막(50)을 구성한다.When the additional pattern 25 to be inserted is a light blocking unit that blocks light of a predetermined wavelength band, the light shielding material film is formed by a sputtering method to form the repair material film 50, and the additional pattern to be inserted ( In the case of the semi-transmissive portion through which only part of the light of the predetermined wavelength band 25 is irradiated, the semi-transparent material film is formed by the sputtering method to form the repair material film 50.

그런 다음, 단계 S50에 도시된 바와 같이, 상기 리프트오프용 포토레지스트(35), 제1 포토레지스트(30) 및 상기 제1 포토레지스트(30) 상부에 형성된 리페어물질막(50)을 리프트 오프(lift-off)법에 의하여 제거한다. 그러면, 상기 공간부(40)에만 상기 리페어물질막(50)이 잔존하게 되는데, 이것이 바로 새로 삽입된 추가 패턴(25)이다.Next, as shown in step S50, the lift-off photoresist 35, the first photoresist 30, and the repair material film 50 formed on the first photoresist 30 are lifted off ( Remove by lift-off method. Then, the repair material film 50 remains only in the space 40, which is a newly inserted additional pattern 25.

상기 제1 포토레지스트(30)의 상부에 형성되는 리페어물질막(50)은 상기 공간부(40)에 형성되는 리페어물질막(50)과 연결되지 않는 상태에 있기 때문에, 리프트 오프법에 의하여 깨끗하게 완전히 제거될 수 있다.Since the repair material film 50 formed on the first photoresist 30 is not connected to the repair material film 50 formed in the space part 40, the repair material film 50 is cleanly lifted off. Can be removed completely.

이상에서 설명한 공정에 의하면, 국부적으로 빠진 패턴이 있을지라도, 한번에 일괄적으로 새로운 추가 패턴을 원하는 부분에 삽입시킬 수 있다. 따라서, 추가 패턴을 형성시기 위한 시간이 단축되고, 공정이 단순해진다.According to the process described above, even if there are locally missing patterns, new additional patterns can be inserted in a desired portion in one batch at a time. Therefore, the time for forming an additional pattern is shortened and the process is simplified.

다음은, 첨부된 도 5를 참조하여 본 발명의 제3 실시예에 따른 포토마스크의 리페어 방법을 설명한다. 본 발명의 제3 실시예는 제조된 포토마스크의 패턴이 모두 형성되어 있지만, 국부적으로 결함을 안고 있는 결함 패턴이 존재하는 경우의 리페어 방법이다.Next, a repair method of a photomask according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 5. The third embodiment of the present invention is a repair method in the case where all the patterns of the manufactured photomask are formed, but there is a defect pattern having a local defect.

먼저, 도 5에 도시된 단계 S10에서와 같이, 포토마스크의 광투과부(21)와 광차단부(23) 상에 제1 포토레지스트(30)를 스핀 코팅 등의 방법에 의하여 형성한다. 단계 S10에 도시된 바와 같이, 광차단부(23)의 소정 부분에는 결함을 안고 있는 결함 패턴(27)을 포함하고 있다. 상기 제1 포토레지스트(30)는 소정의 현상액에 의하여 노광되는 부분이 현상되는 파지티브 타입이거나, 노광되지 않는 부분이 현상되는 네거티브 타입일 수 있다. 이하에서는, 노광되는 부분이 현상되는 파지티브 타입의 포토레지스트인 경우로 상정하여 설명한다.First, as in step S10 shown in FIG. 5, the first photoresist 30 is formed on the light transmitting portion 21 and the light blocking portion 23 of the photomask by a spin coating method. As shown in step S10, a predetermined portion of the light shield 23 includes a defect pattern 27 containing a defect. The first photoresist 30 may be a positive type in which a portion exposed by a predetermined developer is developed, or a negative type in which a portion not exposed is developed. Hereinafter, the description will be given assuming that the exposed portion is a positive type photoresist developed.

그런 다음, 상기 제1 포토레지스트(30) 상에서 레이져 빔을 조사하여 원하는 부분을 노광시켜 드로잉(drawing)을 수행한다. 상기 노광이 되는 부분은 현상 공정에 의하여 상기 포토마스크 상에서 제거되어야 할 결함 패턴(27) 부분이 노출될 수 있도록 상기 제1 포토레지스트(30)가 제거되어야 할 부분이다. Then, the laser beam is irradiated on the first photoresist 30 to expose a desired portion to perform drawing. The exposed portion is a portion to which the first photoresist 30 is to be removed so that a portion of the defect pattern 27 to be removed on the photomask is exposed by a developing process.

상기 제1 포토레지스트(30)를 노광한 후에는, 단계 S20에 도시된 바와 같이, 상기 노광된 제1 포토레지스트(30) 부분을 현상하여 상기 결함 패턴(27)이 외부로 노출될 수 있도록 한다. After exposing the first photoresist 30, as shown in step S20, the exposed first photoresist 30 is developed to allow the defect pattern 27 to be exposed to the outside. .

한편, 상기 제1 포토레지스트(30)를 노광 및 현상하기 전에는, 상기 레이져 빔의 조사 위치를 보정하는 단계를 수행해야 한다. 즉, 제거되어야 할 결함 패턴(27)이 정확하게 노출될 수 있도록 노광하기 위해서는 상기 레이져 빔의 정렬이 필수적으로 필요하다. 따라서, 노광을 수행하기 전에 포토마스크의 모서리 부분에 형성된 정렬마크의 위치를 파악하여 레이져 빔의 조사위치를 보정 할 필요가 있다.Meanwhile, before exposing and developing the first photoresist 30, the step of correcting the irradiation position of the laser beam should be performed. That is, the alignment of the laser beam is necessary to expose the defect pattern 27 to be removed accurately. Therefore, before performing the exposure, it is necessary to determine the position of the alignment mark formed on the edge portion of the photomask to correct the irradiation position of the laser beam.

상기와 같이, 제1 포토레지스트(30)의 소정 부분을 현상한 후에는, 단계 S30에 도시된 바와 같이, 상기 노출된 결함 패턴(27)을 에칭 공정에 의하여 일괄적으로 제거하여 공간부(45)를 형성한다.As described above, after the predetermined portion of the first photoresist 30 is developed, the exposed defect pattern 27 is collectively removed by an etching process as shown in step S30 to form the space 45. ).

상기와 같이 노출된 결함 패턴(27)을 제거하면, 공간부(45)가 형성되는데, 이 공간부(45)에 새로운 수정 패턴(단계 S50에서 도면부호 25로 표기됨)이 삽입되어 리페어가 이루어진다.When the defect pattern 27 exposed as described above is removed, a space portion 45 is formed, and a new correction pattern (denoted by reference numeral 25 in step S50) is inserted into the space portion 45 to perform repair. .

상기 수정 패턴(25)이 삽입될 공간부(45)가 형성되면, 단계 S50에 도시된 바와 같이, 상기 공간부(45)와 상기 제1 포토레지스트(30) 상에 리페어물질막(50)을 형성시킨다. 상기 리페어물질막(50)은 삽입될 수정 패턴(25)을 이루는 구성물질을 스퍼터링법에 의하여 형성시킬 수 있다.When the space part 45 into which the correction pattern 25 is to be inserted is formed, the repair material film 50 is formed on the space part 45 and the first photoresist 30, as shown in step S50. Form. The repair material film 50 may form a constituent material constituting the correction pattern 25 to be inserted by a sputtering method.

따라서, 상기 삽입될 수정 패턴(25)이 조사되는 소정 파장대의 광을 차단하는 광차단부일 경우에는, 차광물질막을 스퍼터링법에 의하여 형성시켜 상기 리페어물질막(50)을 구성하고, 상기 삽입될 수정 패턴(25)이 조사되는 소정 파장대의 광의 일부만 통과시키는 반투과부일 경우에는, 반투과물질막을 스퍼터링법에 의하여 형성시켜 상기 리페어물질막(50)을 구성한다.Accordingly, when the correction pattern 25 to be inserted is a light blocking portion that blocks light of a predetermined wavelength band, the light shielding material film is formed by a sputtering method to form the repair material film 50 and the correction to be inserted. In the case where the pattern 25 is a transflective portion through which only a part of light in a predetermined wavelength band is irradiated, the transflective material film is formed by sputtering to form the repair material film 50.

그런 다음, 단계 S50에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(30)와 상기 제1 포토레지스트(30) 상부에 형성된 리페어물질막(50)을 리프트 오프(lift-off)법에 의하여 제거한다. 그러면, 상기 공간부(45)에만 상기 리페어물질막(50)이 잔존하게 되는데, 이것이 바로 새로 삽입된 수정 패턴(25)이다.Then, as shown in step S50, the first photoresist 30 and the repair material film 50 formed on the first photoresist 30 are removed by a lift-off method. . Then, the repair material film 50 remains only in the space 45, which is the newly inserted crystal pattern 25.

이상에서 설명한 공정에 의하면, 국부적으로 결함 패턴이 있을지라도, 한번에 일괄적으로 결함 패턴을 제거한 후, 한번에 일괄적으로 새로운 수정 패턴을 원하는 부분에 삽입시킬 수 있다. 따라서, 결함 패턴을 제거하고 수정 패턴을 형성시기 위한 시간이 단축되고, 공정이 단순해진다.According to the process described above, even if there is a locally defective pattern, it is possible to collectively remove the defective pattern at once and then insert a new correction pattern at once in a desired portion. Therefore, the time for removing a defect pattern and forming a correction pattern is shortened, and a process is simplified.

상기와 같은 구성 및 작용 그리고 바람직한 실시예를 가지는 본 발명인 포토마스크의 리페어 방법에 의하면, 결함 패턴이 크고, 결함이 발생한 부분이 분산된 경우에, 상기 결함 패턴을 한번에 일괄적으로 제거한 후, 한번에 일괄적으로 새로운 수정 패턴으로 리페어 할 수 있고, 국부적으로 빠진 패턴을 한번에 일괄적으로 삽입할 수 있으므로, 새로운 패턴을 삽입하거나 결함 패턴을 새로운 패턴으로 리페어 하는 시간이 대폭 감소하는 장점이 있다.According to the repairing method of the photomask of the present invention having the above-described configuration, operation and preferred embodiment, when the defect pattern is large and the portions where the defects are dispersed, the defect patterns are collectively removed at once, and then collectively at once. As a result, a new correction pattern can be repaired, and a missing pattern can be inserted at a time, thereby reducing the time for inserting a new pattern or repairing a defective pattern with a new pattern.

Claims (9)

차광패턴 또는 반투과패턴으로 형성되는 전체패턴의 국부적인 영역을 리페어하는 포토마스크의 리페어 방법에 있어서,In the repair method of the photomask to repair the local region of the entire pattern formed of the light shielding pattern or semi-transmissive pattern, 포토마스크의 광투과부와 광차단부 상에 노광되지 않는 부분이 현상되는 네거티브(negative) 타입의 제1 포토레지스트를 형성하는 단계;Forming a negative type first photoresist in which an unexposed portion is developed on the light transmitting portion and the light blocking portion of the photomask; 추가 패턴이 삽입되는 부분이 노출될 수 있도록 상기 제1 포토레지스트를 노광하고 현상하여 공간부의 하부면이 상부면보다 넓게 형성하는 단계;Exposing and developing the first photoresist to expose a portion into which an additional pattern is to be inserted so that a lower surface of the space portion is wider than an upper surface; 상기 공간부와 상기 제1 포토레지스트 상에 리페어물질막을 형성하는 단계;Forming a repair material film on the space part and the first photoresist; 상기 제1 포토레지스트와 그 상부에 형성된 리페어물질막을 리프트 오프(lift-off)법으로 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 포토마스크의 리페어 방법.And removing the repair material film formed on the first photoresist and the upper part of the first photoresist by a lift-off method. 차광패턴 또는 반투과패턴으로 형성되는 전체패턴의 국부적인 영역을 리페어하는 포토마스크의 리페어 방법에 있어서,In the repair method of the photomask to repair the local region of the entire pattern formed of the light shielding pattern or semi-transmissive pattern, 포토마스크의 광투과부와 광차단부 상에 리프트오프용 포토레지스트와 노광되는 부분이 현상되는 파지티브(positive) 타입의 제1 포토레지스트를 순차적으로 형성하는 단계;Sequentially forming a positive photoresist on which the lift-off photoresist and the exposed portion are developed on the light transmitting portion and the light blocking portion of the photomask; 추가 패턴이 삽입되는 부분이 노출될 수 있도록 상기 제1 포토레지스트를 노광한 후, 상기 노광된 제1 포토레지스트와 그 하부에 존재하는 상기 리프트오프용 포토레지스트를 동시에 현상하여 공간부의 하부면이 상부면보다 넓게 형성되도록 언더컷구조로 형성하는 단계;After exposing the first photoresist to expose a portion into which an additional pattern is to be inserted, the exposed first photoresist and the lift-off photoresist existing under the same are simultaneously developed so that the lower surface of the space portion is Forming an undercut structure to be wider than a surface; 상기 공간부와 상기 제1 포토레지스트 상에 리페어물질막을 형성하는 단계;Forming a repair material film on the space part and the first photoresist; 상기 리프트오프용 포토레지스트, 제1 포토레지스트 및 그 상부에 형성된 리페어물질막을 리프트 오프(lift-off)법으로 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 포토마스크의 리페어 방법.And removing the lift-off photoresist, the first photoresist, and the repair material film formed thereon by a lift-off method. 차광패턴 또는 반투과패턴으로 형성되는 전체패턴의 국부적인 영역을 리페어하는 포토마스크의 리페어 방법에 있어서,In the repair method of the photomask to repair the local region of the entire pattern formed of the light shielding pattern or semi-transmissive pattern, 포토마스크의 광투과부와 광차단부 상에 노광되는 부분이 현상되는 파지티브(positive) 타입의 제1 포토레지스트를 형성하는 단계;Forming a positive type first photoresist on which the exposed portion is developed on the light transmitting portion and the light blocking portion of the photomask; 상기 포토마스크 상에 결함이 발생한 패턴 중 제거되어야 할 패턴의 일부 영역 부분만이 노출될 수 있도록 상기 제1 포토레지스트를 노광하고 현상하는 단계;Exposing and developing the first photoresist such that only a portion of a portion of the pattern to be removed is exposed among the patterns in which the defect has occurred on the photomask; 상기 노출된 결함 패턴의 일부 영역 부위만을 에칭 공정에 의하여 일괄적으로 제거하여 공간부를 형성하는 단계.Removing only a portion of the exposed region of the defective pattern by an etching process to form a space. 상기 공간부와 상기 제1 포토레지스트 상에 리페어물질막을 형성하는 단계;Forming a repair material film on the space part and the first photoresist; 상기 제1 포토레지스트와 그 상부에 형성된 리페어물질막을 리프트 오프(lift-off)법으로 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 포토마스크의 리페어 방법.And removing the repair material film formed on the first photoresist and the upper part of the first photoresist by a lift-off method. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 제1 포토레지스트를 노광 및 현상하기 전에, 상기 포토마스크의 모서리 부분에 형성된 정렬마크의 위치를 파악하여 레이져 빔의 조사 위치를 보정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 리페어 방법.The method of claim 1, further comprising correcting a laser beam irradiation position by identifying a position of an alignment mark formed at an edge of the photomask before exposing and developing the first photoresist. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 리페어물질막은 스퍼터링법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 리페어 방법.The repair material film is a repair method of a photomask, characterized in that formed by the sputtering method. 청구항 5에 있어서,The method according to claim 5, 상기 리페어물질막은 차광물질막 또는 반투과물질막인 것을 특징으로 하는 포토마스크의 리페어 방법.The repair material film may be a light shielding material film or a semi-transmissive material film repair method of a photomask. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020060035696A 2006-04-20 2006-04-20 Repair method of photomask Active KR100956082B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060035696A KR100956082B1 (en) 2006-04-20 2006-04-20 Repair method of photomask

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060035696A KR100956082B1 (en) 2006-04-20 2006-04-20 Repair method of photomask

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070103847A KR20070103847A (en) 2007-10-25
KR100956082B1 true KR100956082B1 (en) 2010-05-07

Family

ID=38818054

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060035696A Active KR100956082B1 (en) 2006-04-20 2006-04-20 Repair method of photomask

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100956082B1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102254646B1 (en) * 2018-07-30 2021-05-21 호야 가부시키가이샤 Method for correcting photomask, method for manufacturing photomask, photomask, and method for manufacturing display device
KR20210123404A (en) * 2019-02-27 2021-10-13 램 리써치 코포레이션 Semiconductor Mask Reshaping Using a Sacrificial Layer
CN115244664A (en) 2020-02-28 2022-10-25 朗姆研究公司 Multilayer Hardmask for Reducing EUV Patterning Defects

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0675362A (en) * 1992-08-28 1994-03-18 Mitsubishi Electric Corp Method for correcting pinhole defect in phase shift mask
JPH0829615A (en) * 1994-07-14 1996-02-02 Sony Corp Correcting method of pattern
KR100361514B1 (en) 2000-02-08 2002-11-21 주식회사 하이닉스반도체 Method of repairing a mask in a semiconductor device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0675362A (en) * 1992-08-28 1994-03-18 Mitsubishi Electric Corp Method for correcting pinhole defect in phase shift mask
JPH0829615A (en) * 1994-07-14 1996-02-02 Sony Corp Correcting method of pattern
KR100361514B1 (en) 2000-02-08 2002-11-21 주식회사 하이닉스반도체 Method of repairing a mask in a semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070103847A (en) 2007-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3556591B2 (en) Defect repair method of gray tone part in gray tone mask
KR100956082B1 (en) Repair method of photomask
KR100762245B1 (en) How to fix pattern defects in the photomask
US6720116B1 (en) Process flow and pellicle type for 157 nm mask making
KR100361514B1 (en) Method of repairing a mask in a semiconductor device
JP2003121989A (en) Method for modifying halftone phase shifting mask
KR100936718B1 (en) Repair method of photomask
US7348106B2 (en) Method for repairing a phase shift mask
US7303841B2 (en) Repair of photolithography masks by sub-wavelength artificial grating technology
JP2882233B2 (en) Method for manufacturing phase shift mask with auxiliary pattern
KR101179000B1 (en) Multilevel gradation photomask and method for repairing same
JPH10274839A (en) Correction mask and method of correcting halftone phase shift mask
KR20040001276A (en) Method for repairing defect on photomask
KR100971958B1 (en) LCD panel production system and production method
JP2009244488A (en) Defect correction method of photomask, photomask, method of manufacturing photomask, and pattern transfer method
KR100889334B1 (en) Overlay Vernier Formation Method for Semiconductor Devices
KR0141156B1 (en) How to repair mask
KR101673590B1 (en) Repair method of Half-tone mask
JPH09258426A (en) Pattern formation method
KR20080076101A (en) How to fix defects in the photomask
KR19990012266A (en) Repair method of photo mask
KR20090104741A (en) Defect correction method of photomask, photomask, manufacturing method thereof, and pattern transfer method
KR200261707Y1 (en) Reticle For Nikon Stepper
KR20100076680A (en) Method for fabricating phase shift mask
JPS63218959A (en) How to modify photomask pattern

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20060420

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20080204

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20060420

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20090622

Patent event code: PE09021S01D

AMND Amendment
N231 Notification of change of applicant
PN2301 Change of applicant

Patent event date: 20091113

Comment text: Notification of Change of Applicant

Patent event code: PN23011R01D

E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20091228

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20090622

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I

J201 Request for trial against refusal decision
PJ0201 Trial against decision of rejection

Patent event date: 20100127

Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal

Patent event code: PJ02012R01D

Patent event date: 20091228

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PJ02011S01I

Appeal kind category: Appeal against decision to decline refusal

Decision date: 20100325

Appeal identifier: 2010101000624

Request date: 20100127

AMND Amendment
PB0901 Examination by re-examination before a trial

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event date: 20100226

Patent event code: PB09011R02I

Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal

Patent event date: 20100127

Patent event code: PB09011R01I

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event date: 20090824

Patent event code: PB09011R02I

B701 Decision to grant
PB0701 Decision of registration after re-examination before a trial

Patent event date: 20100325

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event code: PB07012S01D

Patent event date: 20100309

Comment text: Transfer of Trial File for Re-examination before a Trial

Patent event code: PB07011S01I

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20100427

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20100428

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130306

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20130306

Start annual number: 4

End annual number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140305

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20140305

Start annual number: 5

End annual number: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150305

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20150305

Start annual number: 6

End annual number: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160304

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20160304

Start annual number: 7

End annual number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170307

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20170307

Start annual number: 8

End annual number: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180306

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20180306

Start annual number: 9

End annual number: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190313

Year of fee payment: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20190313

Start annual number: 10

End annual number: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20200316

Start annual number: 11

End annual number: 11

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20210315

Start annual number: 12

End annual number: 12

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20220314

Start annual number: 13

End annual number: 13

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20230313

Start annual number: 14

End annual number: 14

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20240315

Start annual number: 15

End annual number: 15