[go: up one dir, main page]

KR100962361B1 - Thin film solar cell manufacturing deposition equipment - Google Patents

Thin film solar cell manufacturing deposition equipment Download PDF

Info

Publication number
KR100962361B1
KR100962361B1 KR1020080021229A KR20080021229A KR100962361B1 KR 100962361 B1 KR100962361 B1 KR 100962361B1 KR 1020080021229 A KR1020080021229 A KR 1020080021229A KR 20080021229 A KR20080021229 A KR 20080021229A KR 100962361 B1 KR100962361 B1 KR 100962361B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
fixing
solar cell
deposition
film solar
chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1020080021229A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20090095962A (en
Inventor
박승일
허윤성
Original Assignee
주식회사 디엠에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 디엠에스 filed Critical 주식회사 디엠에스
Priority to KR1020080021229A priority Critical patent/KR100962361B1/en
Priority to TW097148886A priority patent/TWI388068B/en
Priority to CN2008101835826A priority patent/CN101525741B/en
Publication of KR20090095962A publication Critical patent/KR20090095962A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100962361B1 publication Critical patent/KR100962361B1/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/30Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

박막형 태양전지를 제조할 때 파티클(Particle)에 의하여 증착 대상물이 오염되는 것을 방지하여 태양전지의 성능 저하를 줄이며, 유지 보수에 소요되는 비용을 감소시킬 수 있는 박막형 태양전지 제조용 증착 장치를 개시한다.Disclosed is a deposition apparatus for manufacturing a thin-film solar cell, which can prevent the deposition object from being contaminated by particles when manufacturing a thin-film solar cell, reduce the performance of the solar cell, and reduce the cost of maintenance.

본 발명의 박막형 태양전지 제조용 증착 장치는, 증착 대상물이 들어가거나 나오는 입구 및 출구를 구비한 쳄버, 쳄버 내부로 가스를 공급하는 가스 공급부, 쳄버 내부에 배치되는 가열부 어셈블리, 쳄버 내부에 배치되는 가이드 레일, 가이드 레일을 따라 미끄럼 이동하는 증착 대상물 고정 트레이, 증착 대상물 고정 트레이를 이송시키는 이송부를 포함한다.The deposition apparatus for manufacturing a thin-film solar cell of the present invention includes a chamber having an inlet and an outlet into and out of a deposition object, a gas supply unit supplying gas into the chamber, a heating unit assembly disposed inside the chamber, and a guide disposed inside the chamber. And a transfer unit for transferring the deposition target fixing tray and the deposition target fixing tray sliding along the rail, the guide rail.

태양전지, 증착, 실리콘, 박막형, 열선, 수직 Solar Cell, Deposition, Silicon, Thin Film, Hot Wire, Vertical

Description

박막형 태양전지 제조용 증착 장치{Evaporation coating device for manufacturing thin film type solar cell}Evaporation coating device for manufacturing thin film type solar cell}

본 발명은 박막형 태양전지를 제조하는데 이용되는 박막 증착 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 박막형 태양전지를 제조할 때 파티클(Particle)로 인하여 발생할 수 있는 오염을 방지하여 태양전지의 성능 저하를 줄이며 유지 보수 비용을 감소시킬 수 있는 박막형 태양전지 제조용 증착 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film deposition apparatus used to manufacture a thin film solar cell, and more particularly, to prevent contamination caused by particles when manufacturing a thin film solar cell, thereby reducing and maintaining performance degradation of the solar cell. The present invention relates to a deposition apparatus for manufacturing a thin-film solar cell capable of reducing maintenance costs.

일반적으로 박막형 태양전지는 원료가스 분해, 실리콘 증착, PN 접합 형성, 그리고 반사 방지막과 전극을 형성하여 제조된다. 원료가스의 분해는 진공 내에 실리콘을 포함한 모노실란 등의 원료 가스를 유입하고, 플라즈마 또는 열선 등의 높은 에너지를 가하여 이루어진다. 통상 200℃ ~ 300℃로 가열된 투명전극(ITO)을 지닌 글라스 기판 위에 원료가스와 붕소를 포함한 가스(B2H6)를 혼입하여 P형 박막을 형성하고, 다음으로 모노실란을 투입하여 실리콘이 증착한 대상물 위에 쌓이도록 한다. 그 다음으로 원료가스와 인을 포함한 가스(Ph3)를 혼입하여 N형 박막을 형성함으로써 박막형 태양전지가 제조된다. 이러한 통상의 박막형 태양 전지 제조 과정 에서 사용되는 박막 증착 장치는 증착 대상물(글라스 기판 등)이 아래쪽에 배치되고 대상물의 위쪽에 가스 공급장치 및 플라즈마 소스 또는 열선 등으로 이루어지는 가열부가 위치되는 수평 배치 구조로 이루어진다. Generally, thin film solar cells are manufactured by source gas decomposition, silicon deposition, PN junction formation, and anti-reflection film and electrode formation. The decomposition of the source gas is performed by introducing a source gas such as monosilane containing silicon into a vacuum and applying high energy such as plasma or hot wire. Normally, a gas mixture containing raw material gas and boron (B 2 H 6 ) is mixed on a glass substrate having a transparent electrode (ITO) heated at 200 ° C. to 300 ° C. to form a P-type thin film, and then monosilane is added to silicon. This deposits on the deposited object. Next, a thin film type solar cell is manufactured by mixing an raw material gas and a gas (Ph 3) containing phosphorus to form an N type thin film. The thin film deposition apparatus used in the manufacturing process of the conventional thin film solar cell has a horizontal arrangement structure in which a deposition object (glass substrate, etc.) is disposed below and a heating part including a gas supply device and a plasma source or a heating wire is positioned above the object. Is done.

이러한 종래의 박막 증착 장치는 증착 과정에서 가스 공급장치 등에 붙어 있던 파티클이 증착 대상물로 떨어져 태양전지의 불량이 발생되거나 또는 성능 및 효율이 떨어질 수 있는 문제점이 있다. Such a conventional thin film deposition apparatus has a problem that a particle attached to a gas supply device, etc. during the deposition process may fall into a deposition target, causing a defect of a solar cell, or deteriorating performance and efficiency.

또한, 상기 열선을 이용하는 경우 일반적으로 상기 열선의 양단이 서로 고정되는 양단 고정형 구조로 이루어져 고온의 발열 과정을 통하여 처짐 등의 변형이 발생되고 이로 인하여 전기적인 특성 및 실리콘이 증착되는 두께를 변화시킬 수 있는 단점을 갖는 한편, 상기 열선을 자주 교체해야 하므로 유지 보수 비용이 증대되는 문제점이 있다.In addition, in the case of using the hot wire, generally, both ends of the hot wire are fixed to each other, so that deformations such as sag are generated through a high temperature heating process, thereby changing electrical characteristics and thickness of silicon deposition. On the other hand, there is a problem that the maintenance cost is increased because the hot wire must be replaced frequently.

따라서, 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 본 발명의 목적은 태양전지를 제작하는 과정에서 증착 대상물로 파티클이 떨어지는 것을 방지하여 제품의 불량을 줄일 수 있는 박막형 태양전지 제조용 증착 장치를 제공하는데 있다.Therefore, the present invention has been proposed to solve the above problems, an object of the present invention is to prevent the falling of particles to the deposition target in the process of manufacturing a solar cell deposition apparatus for manufacturing a thin film type solar cell that can reduce the defect of the product To provide.

또한, 본 발명은 열선의 사용 기간을 늘림으로써 교체 작업을 줄여 유지 보수 비용을 줄일 수 있는 박막형 태양전지 제조용 증착 장치를 제공하는데 있다.In addition, the present invention is to provide a deposition apparatus for manufacturing a thin-film solar cell that can reduce the maintenance work by increasing the service life of the hot wire.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 증착 대상물이 유입되거나 배출되는 입구 및 출구를 구비한 쳄버, 상기 쳄버 내부로 가스를 공급하는 가스 공급부, 상기 쳄버 내부에 배치되는 가열부 어셈블리, 상기 쳄버 내부에 배치되는 가이드 레일, 상기 가이드 레일을 따라 미끄럼 이동하는 증착 대상물 고정 트레이, 상기 증착 대상물 고정 트레이를 이송시키는 이송부를 포함하는 박막형 태양전지 제조용 증착 장치를 제공하다.In order to achieve the above object, the present invention is a chamber having an inlet and an outlet through which the deposition object is introduced or discharged, a gas supply unit for supplying gas into the chamber, a heating unit assembly disposed inside the chamber, Provided is a deposition apparatus for manufacturing a thin-film solar cell comprising a guide rail disposed inside the chamber, a deposition target fixing tray sliding along the guide rail, and a transfer unit for transferring the deposition target fixing tray.

상기 쳄버는 바디, 상기 바디에 일측이 힌지 결합되고 다른 일측에 체결부가 결합되는 커버로 이루어지는 것이 바람직하다.The chamber is preferably made of a body, the cover is hinged to one side of the body and the fastening portion is coupled to the other side.

상기 쳄버에는 상기 가스 공급부를 통하여 내부로 유입되는 가스를 상기 가열부 어셈블리 측으로 확산시키는 가스 확산판이 제공되는 것이 바람직하다.The chamber is preferably provided with a gas diffusion plate for diffusing the gas introduced into the interior through the gas supply to the heating unit assembly side.

상기 가이드 레일은 위와 아래로 일정한 거리가 떨어져 쌍을 이루어 배치되 는 것이 바람직하다.The guide rail is preferably arranged in pairs apart at a certain distance up and down.

상기 증착 대상물 고정 트레이에는 상기 증착 대상물이 수직인 상태로 고정되어 이송되는 것이 바람직하다.It is preferable that the deposition target is fixed and transported in a vertical state to the deposition target fixing tray.

상기 증착 대상물 고정 트레이는 증착 대상물이 끼워지는 홈이 제공되는 것이 바람직하다.The deposition target fixing tray is preferably provided with a groove into which the deposition target is fitted.

상기 가열부 어셈블리는 고정틀, 상기 고정틀에 일정한 간격으로 고정되는 열선들, 상기 열선들의 일단이 상기 고정틀에 고정되는 제1 고정부, 상기 열선들의 타단이 상기 고정틀에 고정되는 제2 고정부, 상기 제2 고정부의 위치를 조절하여 상기 열선들의 장력을 조절하는 장력 조절부를 포함하는 것이 바람직하다.The heating unit assembly may include a fixing frame, hot wires fixed to the fixing frame at regular intervals, a first fixing part to which one end of the heating wires are fixed to the fixing frame, and a second fixing part to which the other ends of the heating wires are fixed to the fixing frame, 2 preferably comprises a tension control unit for adjusting the tension of the hot wires by adjusting the position of the fixing portion.

상기 장력 조절부는 상기 고정틀에 고정되는 지지플레이트, 상기 지지플레이트에 나사 결합되어 상기 제2 고정부를 가압하는 장력조절부재, 상기 고정틀과 상기 제2 고정부 사이에 배치되어 상기 제2 고정부를 상기 장력조절부재 측으로 가압하는 탄성부재를 포함하는 것이 바람직하다.The tension adjusting part is a support plate which is fixed to the fixing frame, a tension adjusting member which is screwed to the support plate to press the second fixing part, disposed between the fixing frame and the second fixing part is the second fixing part It is preferable to include an elastic member for pressing to the tension control member side.

상기 제1 고정부는 상기 고정틀에 결합되는 제1 고정블럭, 상기 제1 고정블럭에 체결부재에 의하여 고정되는 제2 고정블럭, 상기 제1 고정블럭과 제2 고정블럭 사이에 상기 열선들이 배치되고 상기 제1 고정블럭과 상기 제2 고정블럭을 고정하는 체결부재를 포함하는 것이 바람직하다.The first fixing part may include a first fixing block coupled to the fixing frame, a second fixing block fixed to the first fixing block by a fastening member, and the hot wires are disposed between the first fixing block and the second fixing block. It is preferable to include a fastening member for fixing the first fixed block and the second fixed block.

상기 제2 고정부는 상기 고정틀에 제공된 홈에 배치되는 제3 고정블럭, 상기 제3 고정블럭에 체결부재에 의하여 고정되는 제4 고정블럭, 상기 제3 고정블럭과 제4 고정블럭 사이에 상기 열선들이 배치되고 상기 제3 고정블럭과 상기 제3 고정 블럭을 고정하는 체결부재들을 포함하는 것이 바람직하다.The second fixing part may include a third fixing block disposed in a groove provided in the fixing frame, a fourth fixing block fixed to the third fixing block by a fastening member, and the heating wires between the third fixing block and the fourth fixing block. It is preferable to include fastening members disposed and fixing the third fixing block and the third fixing block.

상기 가열부 어셈블리는 열선들이 수직 방향으로 배치된 상태로 상기 쳄버에 고정되는 것이 바람직하다.The heating unit assembly is preferably fixed to the chamber with the heating wires arranged in the vertical direction.

상기 이송부는 상기 쳄버에 결합되는 구동원, 상기 구동원에 의하여 회전하며 상기 증착 대상물 또는 증착 대상물 고정 트레이를 밀어서 상기 가이드 레일을 따라 이동시키는 하나 이상의 트랜스퍼 로드를 구비하는 것이 바람직하다.Preferably, the transfer unit includes a driving source coupled to the chamber, and one or more transfer rods rotated by the driving source to move the deposition target or the deposition target fixing tray along the guide rail.

이와 같은 본 발명은 가열부 어셈블리와 증착 대상물이 수직한 방향으로 서로 마주하여 배치되는 구조를 통하여 가스 공급부 측에서 자유 낙하하는 파티클(particle)에 의하여 증착 대상물이 오염되는 것을 방지하여 제품의 불량을 줄일 수 있는 효과를 가진다.The present invention reduces the defects of the product by preventing contamination of the deposition object by particles falling freely on the gas supply side through a structure in which the heating unit assembly and the deposition object face each other in the vertical direction. Has the effect.

또한, 본 발명은 초기 열선들을 세팅할 때 장력 조절부에 의하여 각각의 열선의 특성에 맞도록 정밀하게 열선들의 장력을 조절하여 최적화시킴으로써 열선들의 수명을 연장하여 유지 보수 비용을 줄일 수 있는 효과가 있다. In addition, the present invention has the effect of reducing the maintenance cost by extending the life of the hot wires by optimizing by adjusting the tension of the hot wires precisely to match the characteristics of each hot wire by the tension control unit when setting the initial hot wires. .

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시 예에 적용될 수 있으며 공정 쳄버가 배치된 위치를 도시한 도면으로, 박막형 태양전지 제조용 증착 장치를 도시하고 있다. 1 is a view showing a position where a process chamber is arranged and applicable to an embodiment of the present invention, and shows a deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell.

박막형 태양전지 제조용 증착 장치는 로딩부(L)와 제1 쳄버(1), 제2 쳄 버(3), 제3 쳄버(5), 그리고 언로딩부(UL)를 포함한다. 로딩부(L)는 증착 대상물을 제1 쳄버(1)의 내부로 공급할 수 있는 것으로 이송용 로봇 등 통상의 장치가 사용될 수 있다. 또한, 언로딩부(UL)는 제3 쳄버(5)에서 처리 공정이 완료된 상태에서 증착 대상물을 인출하기 위한 장치로 이 역시 이송용 로봇 등 통상의 장치가 사용될 수 있다. The deposition apparatus for manufacturing a thin film solar cell includes a loading unit L, a first chamber 1, a second chamber 3, a third chamber 5, and an unloading unit UL. The loading unit L may supply a deposition target to the inside of the first chamber 1, and a conventional apparatus such as a transfer robot may be used. In addition, the unloading unit UL is a device for taking out a deposition object in a state in which the processing process is completed in the third chamber 5, and a conventional device such as a transfer robot may also be used.

또한 박막형 태양전지는 통상 글라스 기판(이하 '증착 대상물' 이라 함)에 P형층과 N형 층이 증착 공정에 의하여 형성된다. 박막형 태양전지에 적용되는 증착 공정은 상술한 제1 쳄버(1), 제2 쳄버(3), 그리고 제3 쳄버(5)들이 순차적으로 증착 대상물이 이동되면서 이루어질 수 있다.In addition, in the thin film solar cell, a P-type layer and an N-type layer are usually formed on a glass substrate (hereinafter referred to as a 'deposition object') by a deposition process. The deposition process applied to the thin film solar cell may be performed by moving the deposition targets to the first chamber 1, the second chamber 3, and the third chamber 5.

도 2는 본 발명의 실시 예를 설명하기 위하여 상술한 쳄버들의 일 예를 도시한 사시도이고, 도 3은 도 2의 주요부를 나타내는 사시도이며, 도 4는 도 3의 주요 부분을 분해한 도면으로, 쳄버(11)를 도시하고 있다. 2 is a perspective view showing an example of the above-described chambers for explaining an embodiment of the present invention, Figure 3 is a perspective view showing the main part of Figure 2, Figure 4 is an exploded view of the main part of Figure 3, The chamber 11 is shown.

본 발명의 실시 예에서의 쳄버(11)는 바디(13)와 커버(15)로 이루어질 수 있다. 바디(13)는 양 측면에 글라스 기판 등의 증착 대상물(W, 도 4에 표시하고 있음)이 수직 상태로 들어가거나 나갈 수 있는 입구(17)와 출구(19)가 제공된다. 또한, 상술한 쳄버(11)는 그 내부에 원료가스 등을 공급하기 위한 가스 공급부(21, 도 2에 도시하고 있음)가 제공된다.The chamber 11 in the embodiment of the present invention may be composed of a body 13 and a cover 15. The body 13 is provided at both sides with an inlet 17 and an outlet 19 through which deposition objects (such as a glass substrate, W (shown in FIG. 4)) can enter or exit in a vertical state. Moreover, the above-mentioned chamber 11 is provided with the gas supply part 21 (shown in FIG. 2) for supplying source gas etc. in the inside.

바디(13)에는 커버(15)의 저면이 힌지 결합된다. 그리고 커버(15)의 위쪽은 상술한 바디(13)에 체결부재(23)로 결합된다. 바디(13)와 커버(15)를 결합하는 체결부재(23)는 통상의 원터치식 클램프 등이 사용될 수 있다. 이와 같이 바디(13)에 커버(15)가 힌지 결합되면서 원터치식의 클램프로 이루어진 체결부재(23)에 의하여 결합 상태가 유지될 수 있는 구조는, 필요한 경우 커버(15)를 쉽게 바디(13)에서 분리하여 유지 보수를 편리하게 할 수 있는 것이다. The bottom surface of the cover 15 is hinged to the body 13. The upper portion of the cover 15 is coupled to the body 13 by the fastening member 23. As the fastening member 23 for coupling the body 13 and the cover 15, a conventional one-touch clamp or the like may be used. As such, when the cover 15 is hinged to the body 13, the structure in which the coupling state 23 can be maintained by the fastening member 23 made of a one-touch clamp, the cover 15 can be easily removed if necessary. It can be easily separated and maintained.

상술한 커버(15)에는 그 내측 부분에 가스 공급부(21)에서 공급되는 원료 가스를 확산시키기 위한 가스 확산판(31)이 결합된다. 가스 확산판(31)에는 다수의 관통된 구멍이 뚫어져 있어 넓은 면으로 가스를 분산시킬 수 있다. The gas diffusion plate 31 for diffusing the source gas supplied from the gas supply part 21 is coupled to the cover 15 described above. The gas diffusion plate 31 has a plurality of perforated holes to disperse the gas in a wide plane.

또한, 커버(15)에는 가스 확산판(31)과 일정한 공간이 띄워지는 위치에 가열부 어셈블리(33)가 결합된다. 그리고 바디(13)에는 증착 대상물(W)이 수직으로 세워진 상태로 미끄럼 이동되어 내부로 유입되거나 또는 외부로 배출되도록 안내하는 가이드 레일(35, 37, 도 5에 도시하고 있음)이 제공된다. 그리고 바디(13)에는 증착 대상물(W)을 이송시키는 이송부(39, 도 8에 도시하고 있음)가 제공된다. In addition, the heating unit assembly 33 is coupled to the cover 15 at a position where the gas diffusion plate 31 and a predetermined space are floated. In addition, the body 13 is provided with guide rails 35 and 37 (shown in FIG. 5) for guiding the deposition object W to slide in a vertically standing state to be introduced into or discharged from the outside. And the body 13 is provided with the conveyance part 39 (shown in FIG. 8) which conveys the deposition object W. As shown in FIG.

상술한 가열부 어셈블리(33)는, 도 6과 도 7에 도시하고 있는 바와 같이, 중앙부에 공간이 제공되고 대략 사각형상으로 이루어지는 고정틀(41), 이 고정틀(41)의 하단에 결합되며 열선(43)의 일단을 고정하는 제1 고정부(45), 열선(43)의 타단을 고정하며 고정틀(41)의 상부에 배치되는 제2 고정부(47), 그리고 제2 고정부(47)의 위치를 가변시켜 열선의 초기 장력을 조절하는 장력 조절부(49, 도 6에 도시하고 있음)를 포함한다.As shown in FIGS. 6 and 7, the heating unit assembly 33 described above has a fixing frame 41 provided with a space at a central portion and formed in a substantially rectangular shape, and is coupled to a lower end of the fixing frame 41 and has a heating wire ( The first fixing part 45 for fixing one end of the 43, the second fixing part 47 disposed on the fixing frame 41 and fixing the other end of the heating wire 43, and the second fixing part 47 And a tension control unit 49 (shown in FIG. 6) for varying the position to adjust the initial tension of the heating wire.

제1 고정부(45)는 제1 고정블럭(51)과 제2 고정블럭(53), 그리고 제1 고정블럭(51)과 제2 고정블럭(53)을 결합하는 체결부재(55)들을 포함한다. 제1 고정블럭(51)은 고정틀(41)의 하단에 제공된 홈(41a, 도7에 도시하고 있음)에 일정한 간 격으로 별도의 나사 또는 볼트 등의 체결부재에 의하여 결합된다. 그리고 제1 고정블럭(51)의 일면에는 제2 고정블럭(53)이 체결부재(55)에 의하여 결합된다. 그리고 열선(43)은 일 끝부분이 상술한 제1 고정블럭(51)과 제2 고정블럭(53) 사이에 끼워지도록 배치하고 나사 또는 볼트 등의 체결부재(55)에 의하여 고정된다. 이러한 열선(43)은 일정한 간격으로 다수개가 배치되는 것이 바람직하다.The first fixing part 45 includes a first fixing block 51 and a second fixing block 53, and fastening members 55 coupling the first fixing block 51 and the second fixing block 53. do. The first fixing block 51 is coupled to the groove 41a provided in the lower end of the fixing frame 41 by a fastening member such as a separate screw or bolt at regular intervals. The second fixing block 53 is coupled to one surface of the first fixing block 51 by the fastening member 55. And the heating wire 43 is disposed so that one end is sandwiched between the first fixing block 51 and the second fixing block 53 described above and is fixed by a fastening member 55 such as a screw or bolt. It is preferable that a plurality of such heating wires 43 are arranged at regular intervals.

제2 고정부(47)는 제3 고정블럭(61)과 제4 고정블럭(63), 그리고 제3 고정블럭(61)과 제4 고정블럭(63)을 결합하는 또 다른 체결부재(65)들을 포함한다. 제3 고정블럭(61)은 고정틀(41)의 상단에 제공된 또 다른 홈(41b)에 일정한 간격으로 배치된다. 그리고 제3 고정블럭(61)의 일면에는 제4 고정블럭(63)이 또 다른 체결부재(65)에 의하여 결합된다. 그리고 열선(43)은 다른 끝 부분이 상술한 제3 고정블럭(61)과 제4 고정블럭(63) 사이에 끼워지도록 배치하고 나사 또는 볼트 등의 체결부재(65)에 의하여 고정된다. 이러한 열선(43)은 일정한 간격으로 다수개가 배치된다. 그리고 이러한 제2 고정부(47)는 장력 조절부(49)에 의하여 그 위치가 가변될 수 있는 상태로 결합된다.The second fixing part 47 is another fastening member 65 for coupling the third fixing block 61 and the fourth fixing block 63 and the third fixing block 61 and the fourth fixing block 63. Include them. The third fixing block 61 is disposed at regular intervals in another groove 41b provided at the upper end of the fixing frame 41. The fourth fixed block 63 is coupled to one surface of the third fixed block 61 by another fastening member 65. And the heating wire 43 is arranged so that the other end is sandwiched between the third fixing block 61 and the fourth fixing block 63 described above and is fixed by a fastening member 65 such as a screw or bolt. A plurality of such heating wires 43 are arranged at regular intervals. In addition, the second fixing part 47 is coupled in a state where the position thereof may be changed by the tension adjusting part 49.

장력 조절부(49)는, 도 6에 도시하고 있는 바와 같이, 고정틀(41)에 체결부재로 결합되는 지지플레이트(71), 지지플레이트(71)에 관통되어 결합되는 다수의 장력조절부재(73), 그리고 제2 고정부(47)를 상술한 장력조절부재(73)측으로 가압하도록 탄성력이 작용하는 탄성부재(75)를 포함한다.As shown in FIG. 6, the tension adjusting unit 49 includes a support plate 71 coupled to the fixing frame 41 as a fastening member, and a plurality of tension adjusting members 73 penetrated through the support plate 71. And an elastic member 75 having an elastic force acting to press the second fixing part 47 toward the tension control member 73.

지지플레이트(71)는 상술한 고정틀(41)에 제공된 홈(41b)의 일부를 막아 제2 고정부(41)들이 홈(41b) 내부에 수납되는 상태를 유지할 수 있도록 고정틀(41)에 나사 또는 볼트 등의 체결부재로 결합된다. 그리고 이 지지플레이트(71)는 다수의 구멍이 일정한 간격으로 제공되어 열선(43)들이 관통된 상태로 고정될 수 있다. 장력조절부재(73)는 상술한 지지플레이트(71)에 일정한 간격으로 결합되어 제2 고정부(47)의 제3 고정블럭(61) 또는 제4 고정블럭(63)에 밀착될 수 있다. 그리고 탄성부재(75)는 압축코일 스프링으로 이루어지는 것이 바람직하며, 제2 고정부(47)가 장력조절부재(73)의 선단에 밀착되도록 고정틀(41)의 홈(41b)에 배치된다.The support plate 71 blocks a part of the groove 41b provided in the fixing frame 41 so that the second fixing parts 41 may be held in the groove 41b so as to maintain a state in which the second fixing parts 41 are received. It is coupled to a fastening member such as a bolt. In addition, the support plate 71 is provided with a plurality of holes at regular intervals, so that the heating wires 43 may be fixed therethrough. The tension adjusting member 73 may be coupled to the support plate 71 at regular intervals and may be in close contact with the third fixing block 61 or the fourth fixing block 63 of the second fixing part 47. And the elastic member 75 is preferably made of a compression coil spring, it is disposed in the groove 41b of the fixing frame 41 so that the second fixing portion 47 is in close contact with the tip of the tension control member 73.

한편, 상술한 바디(13)에는 가이드 레일(35, 37, 도 5와 도 8에 도시하고 있음)들이 배치된다. 가이드 레일(35, 37)은 입구(15)와 출구(17)를 통하여 증착 대상물 고정트레이(91)가 이동될 수 있는 방향으로 배치되는 것이 바람직하다. 또한, 가이드 레일(35, 37)은 상, 하 방향으로 일정한 거리가 띄워져 쌍을 이루어 배치된다. 이러한 가이드 레일(35, 37)은 증착 대상물(W)이 수직으로 배치된 상태로 이동될 수 있도록 배치될 수 도 있고, 수직을 기준으로 일정한 각도로 기울어진 상태로 증착 대상물을 이동시키는 것도 가능하게 그 위치를 다르게 배치하는 것도 가능하다.Meanwhile, the guide rails 35 and 37 (shown in FIGS. 5 and 8) are disposed on the body 13 described above. The guide rails 35 and 37 may be disposed in a direction in which the deposition target fixing tray 91 may be moved through the inlet 15 and the outlet 17. In addition, the guide rails 35 and 37 are spaced apart in a predetermined distance in the up and down directions to form a pair. The guide rails 35 and 37 may be arranged to be moved in a state in which the deposition object W is disposed vertically, or may move the deposition object in a state inclined at a predetermined angle with respect to the vertical. It is also possible to arrange the positions differently.

증착 대상물 고정트레이(91)에는 서로 마주하는 위치에 끼움 홈(91a)이 형성되고, 이 끼움 홈(91a, 도 4에 나타내고 있음)에 증착 대상물(W)이 끼워진다. 이러한 증착 대상물 고정트레이(91)는 증착 대상물(W)이 결합된 상태에서 상술한 가이드 레일(35, 37) 사이에 배치되어 미끄럼 이동될 수 있다.In the deposition target fixing tray 91, fitting grooves 91a are formed at positions facing each other, and the deposition targets W are fitted in the fitting grooves 91a (shown in FIG. 4). The deposition object fixing tray 91 may be disposed between the above-described guide rails 35 and 37 in a state in which the deposition object W is coupled, and may slide.

그리고 바디(13)의 내부에는 상술한 증착 대상물 고정 트레이(91)를 인접한 쳄버로 이동시킬 수 있는 이송부(39)가 제공된다. 이송부(39)는 모터(M1, M2)등의 구동원과 이 구동원에 의하여 회전하는 트랜스퍼 로드(101, 103)를 포함한다. 트랜스퍼 로드(101, 103)는 일부가 밴딩된 구조로 이루어지며, 구동원에 의하여 회전되면서 증착 대상물(W) 또는 증착 대상물 고정트레이(91)의 일측을 밀어 가이드 레일(35, 17)을 따라 이송시킬 수 있다. 본 발명의 실시 예에서 이송부(39)는 구동원에 의하여 회전하는 트랜스퍼 로드(101, 103)로 구성된 예를 도시하여 설명하고 있으나 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 구조로 이루어질 수 있다.And the inside of the body 13 is provided with a transfer portion 39 that can move the above-described deposition target fixing tray 91 to the adjacent chamber. The transfer part 39 includes drive sources such as the motors M1 and M2 and transfer rods 101 and 103 which rotate by the drive sources. The transfer rods 101 and 103 have a structure in which a part is bent, and is rotated by a driving source to push one side of the deposition target W or the deposition target fixing tray 91 to be transferred along the guide rails 35 and 17. Can be. In the exemplary embodiment of the present invention, the transfer part 39 is illustrated and described as an example of the transfer rods 101 and 103 that are rotated by the driving source, but the present invention is not limited thereto.

이와 같이 이루어지는 본 발명의 실시 예에 의하여 증착 대상물이 쳄버 내에서 증착되는 과정을 설명하면 다음과 같다. When the deposition object is deposited in the chamber according to the embodiment of the present invention made as described above are as follows.

우선, 가열부 어셈블리(33)를 이루는 고정틀(41)에 열선(43)들을 세팅한다. 이때 열선(43)은 일단이 제1 고정블럭(51)과 제2 고정블럭(53) 사이에 위치되도록 배치하고 체결부재(55)로 제1 고정블럭(51)과 제2 고정블럭(53)을 결합한다. 그러면 열선(43)은 일단이 제1 고정블럭(51)과 제2 고정블럭(53) 사이에 끼워져 고정되는 것이다. First, the heating wires 43 are set in the fixing frame 41 forming the heating unit assembly 33. In this case, one end of the heating wire 43 is disposed between the first fixed block 51 and the second fixed block 53, and the first fixing block 51 and the second fixed block 53 are fastened by the fastening member 55. To combine. Then, one end of the heating wire 43 is inserted and fixed between the first fixing block 51 and the second fixing block 53.

또한, 열선(43)은 타단이 제3 고정블럭(61)과 제4 고정블럭(63) 사이에 위치되도록 배치하고 또 다른 체결부재(65)로 제3 고정블럭(61)과 제4 고정블럭(63)을 결합한다, 그러면 열선(43)은 타단이 제3 고정블럭(61)과 제4 고정블럭(63) 사이에 끼워져 고정되는 것이다. 따라서 이와 같은 방법은 열선(43)들을 고정틀(41)에 고정한다. In addition, the heating wire 43 is arranged so that the other end is located between the third fixed block 61 and the fourth fixed block 63, and the third fixed block 61 and the fourth fixed block with another fastening member 65. Coupling (63), the other end of the heating wire 43 is sandwiched between the third fixed block 61 and the fourth fixed block 63 is fixed. Therefore, this method fixes the heating wire 43 to the fixing frame (41).

그러나 이와 같이 고정된 열선(43)들은 각각의 장력들이 균일하지 않게 고정된 상태이다. 따라서 작업자는 장력조절부(49)를 이용하여 열선(43)의 각각의 장력 을 조절한다. 즉, 장력조절부재(73)를 회전시키면 지지플레이트(71)를 따라 장력 조절부재(73)가 열선(43)의 길이 방향을 따라 이동한다. 따라서 작업자는 열선(43)의 초기 장력을 용이하게 세팅할 수 있는 것이다. 그리고 탄성부재(75)는 제2 고정부(47)를 항상 장력조절부재(73) 측으로 탄성력이 작용하도록 배치되어 있으므로 장력을 일정한 상태로 유지할 수 있다. However, the fixed heating wires 43 are in a state in which respective tensions are not fixed uniformly. Therefore, the operator adjusts the tension of each of the heating wire 43 by using the tension adjusting unit (49). That is, when the tension adjusting member 73 is rotated, the tension adjusting member 73 moves along the length of the heating wire 43 along the support plate 71. Therefore, the operator can easily set the initial tension of the heating wire 43. And since the elastic member 75 is arranged so that the elastic force is always applied to the tension adjusting member 73 side of the second fixing portion 47 can maintain the tension in a constant state.

이러한 작업은 열선(43)이 반복적으로 가열되면서 팽창 및 수축을 할 때 비교적 열선(43)들의 특성에 적합한 장력을 미리 정밀하게 세팅함으로써 열선(43)들의 수명을 증대시킬 수 있는 것이다. 따라서 열선(43)들의 수명 증가로 인하여 유지 보수에 필요한 비용을 절감시킬 수 있는 것이다. This operation can increase the service life of the heating wires 43 by precisely setting a tension suitable for the characteristics of the heating wires 43 in advance when the heating wire 43 is repeatedly heated and expanded and contracted. Therefore, it is possible to reduce the cost required for maintenance due to the increase in the life of the heating wire (43).

이와 같이 세팅된 가열부 어셈블리(33)는 커버(15)를 바디(13)에서 오픈한 상태에서 커버(15)의 내부에 고정한다. 그리고 커버(15)를 체결부재(23)를 이용하여 바디(13)에 결합시킨다. 이때 가열부 어셈블리(33)의 열선(43)들은 수직인 상태로 배치되는 것이 바람직하다. 즉, 가열부 어셈블리(33)와 증착 대상물(W)이 서로 수직인 상태에서 마주하여 배치되어야 가스 공급부(21) 측에 있던 파티클이 증착 대상물에 떨어지는 것을 방지할 수 있고, 이로 인하여 증착 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.The heating part assembly 33 thus set is fixed to the inside of the cover 15 in a state in which the cover 15 is opened in the body 13. The cover 15 is coupled to the body 13 using the fastening member 23. At this time, the heating wires 43 of the heating unit assembly 33 is preferably disposed in a vertical state. That is, the heating unit assembly 33 and the deposition target W should be disposed to face each other in a state perpendicular to each other to prevent particles on the gas supply unit 21 from falling onto the deposition target, resulting in poor deposition. Can be prevented.

그리고 고정 트레이(91)에 제공된 끼움 홈(91a, 도 4에 도시하고 있으며, 상하측 모두에 있으나 편의상 보이는 하단부에만 부호를 부여 함)에 증착 대상물(W)이 끼워진 상태로 제1 쳄버(1)에 공급한다. 즉, 고정트레이(91)들은 증착 대상물(W)의 상, 하 측 모두에 끼워지는 것이다.In addition, the first chamber 1 in a state in which the deposition target W is fitted into the fitting groove 91a provided in the fixing tray 91 is shown in FIG. To feed. That is, the fixing trays 91 are fitted to both the upper and lower sides of the deposition target W.

증착 대상물(W)이 끼워진 고정 트레이(91)는 로딩부(L)에서 로더에 의하여 입구(15)를 통하여 제1 쳄버(1)로 공급되는 것이다. 이때 고정 트레이(91)는 가이드 레일(35, 37)을 따라 이동되어 중앙 부분에 배치된다. 물론, 증착 대상물(W)은 수직인 상태로 배치되는 것이 바람직하다. 그러나 증착 조건에 따라 증착 대상물(W)은 반드시 수직으로만 배치된 상태를 유지하는 것은 아니며 수직과 가까운 다른 각도로도 배치될 수 있다.The fixed tray 91 into which the deposition object W is fitted is supplied to the first chamber 1 through the inlet 15 by the loader in the loading part L. At this time, the fixing tray 91 is moved along the guide rails 35 and 37 and disposed at the center portion. Of course, the deposition target W is preferably arranged in a vertical state. However, depending on the deposition conditions, the deposition target W is not necessarily disposed only vertically, but may be disposed at another angle close to the vertical.

이러한 상태에서 제1 쳄버(1)의 내부로 원료가스가 공급되면 열선을 이용하여 높은 열에너지를 가함으로써 상기 원료 가스를 분해한다. 이때 상기 원료 가스에 예를 들면 붕소 가스를 포함한 가스를 섞어서 투입함으로써 P형 실리콘 박막이 증착 대상물(W)에 증착된다. In this state, when the source gas is supplied to the inside of the first chamber 1, the source gas is decomposed by applying high thermal energy using a hot wire. At this time, a P-type silicon thin film is deposited on the deposition target W by mixing and injecting a gas containing boron gas into the source gas.

그리고 다음 공정을 진행하기 위하여 제2 쳄버(3)로 증착 대상물 고정트레이(91)를 이송시킨다. 이때 제어유닛(도시생략)에 의하여 모터(M1, M2)를 순차적으로 제어하여 구동시킨다. 그러면 트랜스퍼 로드(101)가 회전하여 증착 대상물 고정트레이(91)에 밀착되면서 증착 대상물 고정트레이(91)를 일측 방향으로 밀어낸다(도 8에 도시하고 있음). 계속해서 또 다른 트랜스퍼 로드(103)가 회전하면서 역시 동일한 방법에 의하여 증착 대상물 고정트레이(91)를 밀어내는 것이다. Then, the deposition target fixing tray 91 is transferred to the second chamber 3 to proceed to the next process. At this time, by controlling the motor (M1, M2) by a control unit (not shown) in order to drive. Then, the transfer rod 101 rotates to closely adhere to the deposition target fixing tray 91 and pushes the deposition target fixing tray 91 in one direction (shown in FIG. 8). Subsequently, while another transfer rod 103 is rotated, the depositing object fixing tray 91 is pushed by the same method.

따라서 증착 대상물 고정트레이(91)는 가이드 레일(35, 37)을 따라 이동되면 인접하여 배치된 제2 쳄버(3)로 이동하는 것이다. 따라서 제2 쳄버(3)에서 이후 공정이 진행되면서 태양전지가 제조될 수 있는 것이다.Accordingly, when the deposition target fixing tray 91 is moved along the guide rails 35 and 37, the deposition target fixing tray 91 moves to the second chamber 3 disposed adjacent thereto. Therefore, the solar cell may be manufactured while the second chamber 3 is subsequently processed.

이러한 본 발명의 실시 예는 가열부 어셈블리(33)에 제공되는 열선(43)들의 장력을 각각 조절하여 최적의 상태로 세팅하는 것이 가능하여 열선(43)들의 수명을 연장시킬 수 있으며 유지 보수 비용을 줄일 수 있다. 또한 본 발명의 실시 예는 가열부 어셈블리(33)와 증착 대상물이 서로 수직으로 배치되어 마주하는 형태로 이루어지므로 원료 가스 공급부 측 또는 가열부 어셈블리 측에서 떨어질 수 있는 파티클이 증착 대상물에 직접 떨어지는 것이 방지되어 제품의 불량을 줄일 수 있다.This embodiment of the present invention can be set to the optimum state by adjusting the tension of the heating wires 43 provided to the heating unit assembly 33, respectively, can extend the life of the heating wires 43 and maintenance costs Can be reduced. In addition, the embodiment of the present invention is formed so that the heating unit assembly 33 and the deposition target is disposed perpendicular to each other to prevent particles falling from the source gas supply side or the heating assembly assembly directly falling on the deposition target. This can reduce product defects.

한편, 상술한 본 발명의 실시 예에서는 직접 언급하지 않았으나 파티클이 증착 대상물에 직접 낙하되지 않도록 하기 위한 다른 구조로서 종래 가스 공급부와 가열부 어셈블리의 수평구조를 반전시킴으로써 기판의 하부에 상기 가스 공급부와 가열부 어셈블리를 배치한다. 이에 따라 기판의 저면에 실리콘 박막이 증착되고 기판 상에 파티클이 낙하되는 종래 폐단이 방지될 수 있다. Meanwhile, although not directly mentioned in the above-described embodiment of the present invention, another structure for preventing particles from directly falling onto the deposition target is to invert the horizontal structure of the conventional gas supply unit and the heating unit assembly, thereby heating the gas supply unit and the lower part of the substrate. Place the subassembly. Accordingly, the conventional closed end of the silicon thin film deposited on the bottom surface of the substrate and the particles fall on the substrate can be prevented.

도 9는 본 발명의 다른 실시 예를 설명하기 위하여 도 6에 대응되는 도면으로 가열부 어셈블리를 도시하고 있다. 본 발명의 다른 실시 예에서의 가열부 어셈블리에 대하여 상술한 실시 예와 동일한 부분은 상술한 실시 예의 설명으로 대치하고 다른 점만을 설명한다. 본 발명의 다른 실시 예는 제1 고정부(45)가 고정틀(41)에 회전축(151)에 의하여 회동 가능하게 결합된다. 즉, 고정틀(41)에 가로 방향(도 9 기준)으로 힌지축(151)이 삽입될 수 있는 홀(41c)이 제공된다. 그리고 제1 고정부(45)에는 이 홀(41c)에 대응되는 위치에 또 다른 홀(도시생략)이 제공된다. 제1 고정부(45)에 제공된 홀은 제1 고정부(45)의 편심된 위치에 제공되는 것이 바람직하다. 제1 고정부(45)는 상술한 힌지축(151)을 중심으로 자중에 의하여 회전할 수 있는 구조로 결합되는 것이 바람직하다. 이러한 제1 고정부(45)의 고정구조는 열 선(43)이 증착 공정 중에 끊어지면, 자중에 의하여 제1 고정부(45)가 가스 공급부(21)측으로는 고정틀(41)의 벽면에 의하여 회전이동이 제한되고 그 반대측으로 회전될 수 있도록 이루어지는 것이 바람직하다. 이러한 구조는 증착 과정 중에 끊어진 열선(43)이 가스 공급부(21) 측에 제공될 수 있는 전기 장치 등에 접촉되어 전기적 합선이 발생할 수 있는 것을 방지하기 위한 것이다.FIG. 9 is a view corresponding to FIG. 6 to illustrate another embodiment of the present invention. The same parts as the above-described embodiment of the heating unit assembly in another embodiment of the present invention will be replaced with the description of the above-described embodiment and only the differences will be described. In another embodiment of the present invention, the first fixing part 45 is rotatably coupled to the fixing frame 41 by the rotation shaft 151. That is, a hole 41c into which the hinge shaft 151 can be inserted in the horizontal frame (see FIG. 9) is provided in the fixing frame 41. The first fixing part 45 is provided with another hole (not shown) at a position corresponding to the hole 41c. The hole provided in the first fixing part 45 is preferably provided in an eccentric position of the first fixing part 45. The first fixing part 45 is preferably coupled to the structure that can rotate by its own weight around the hinge shaft 151 described above. The fixing structure of the first fixing part 45 is that when the heat wire 43 is broken during the deposition process, the first fixing part 45 is caused by the weight of the wall by the wall of the fixing frame 41 toward the gas supply part 21 due to its own weight. It is preferable that the rotational movement is limited and can be rotated to the opposite side. This structure is intended to prevent the electrical short circuit may occur due to the hot wire 43 broken during the deposition process coming into contact with an electric device or the like that may be provided on the gas supply part 21 side.

도 1은 본 발명의 실시 예를 설명하기 위하여 공정 쳄버의 배치위치를 설명하기 위한 도면이다. 1 is a view for explaining an arrangement position of the process chamber in order to explain the embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 실시 예의 전체적인 외관을 도시한 사시도이다.Figure 2 is a perspective view showing the overall appearance of an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 실시 예의 내부 일부를 보여주는 사시도이다.3 is a perspective view showing a part of the interior of the embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 주요 부분을 분해하여 도시한 사시도이다.4 is an exploded perspective view illustrating the main part of FIG. 3.

도 5는 도 2의 Ⅴ-Ⅴ부를 잘라서 본 단면도이다.5 is a cross-sectional view taken along the line VV of FIG. 2.

도 6은 본 발명의 주요부인 가열부 어셈블리를 도시한 사시도이다.6 is a perspective view showing a heating unit assembly which is a main part of the present invention.

도 7은 도 6의 주요부를 분해하여 도시한 분해 사시도이다.FIG. 7 is an exploded perspective view illustrating an exploded view of the main part of FIG. 6.

도 8은 증착 대상물 또는 증착 대상물을 고정하는 고정 트레이를 이송시키는 이송부의 작동 과정을 설명하기 위한 도면이다.8 is a view for explaining the operation of the transfer unit for transporting the deposition object or a fixed tray for fixing the deposition object.

도 9는 도 6에 대응되며 다른 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 9 is a diagram corresponding to FIG. 6 and for explaining another exemplary embodiment.

Claims (12)

증착 대상물이 유입되거나 배출되는 입구 및 출구를 구비한 쳄버;A chamber having an inlet and an outlet through which an object to be deposited is introduced or discharged; 상기 쳄버 내부로 가스를 공급하는 가스 공급부;A gas supply unit supplying gas into the chamber; 상기 쳄버 내부에 배치되며 다수의 열선을 포함하는 가열부 어셈블리;A heating unit assembly disposed inside the chamber and including a plurality of heating wires; 상기 쳄버 내부에 배치되는 가이드 레일;A guide rail disposed inside the chamber; 상기 가이드 레일을 따라 미끄럼 이동하는 증착 대상물 고정 트레이;A deposition target fixing tray sliding along the guide rail; 상기 증착 대상물 고정 트레이를 이송시키는 이송부를 포함하며,It includes a transfer unit for transferring the deposition target fixed tray, 상기 가열부 어셈블리는The heating unit assembly 상기 열선들이 수직 방향으로 배치된 상태로 상기 쳄버에 고정되는 박막형 태양전지 제조용 증착 장치.Deposition apparatus for manufacturing a thin-film solar cell is fixed to the chamber with the hot wires arranged in a vertical direction. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 쳄버는 The chamber is 바디,body, 상기 바디에 일측이 힌지 결합되고 다른 일측에 체결부가 결합되는 커버One side hinged to the body and the cover coupled to the other side coupling 로 이루어지는 박막형 태양전지 제조용 증착 장치.Deposition apparatus for manufacturing a thin-film solar cell consisting of. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 쳄버에는The chamber 상기 가스 공급부를 통하여 내부로 유입되는 가스를 상기 가열부 어셈블리 측으로 확산시키는 가스 확산판이 제공되는 박막형 태양전지 제조용 증착 장치.And a gas diffusion plate for diffusing the gas flowing into the heating unit assembly toward the heating unit assembly. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 가이드 레일은 The guide rail 위와 아래로 일정한 거리가 떨어져 쌍을 이루어 배치되는 박막형 태양전지 제조용 증착 장치.Deposition apparatus for manufacturing thin-film solar cells are arranged in pairs apart from a certain distance up and down. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 증착 대상물 고정 트레이에는The deposition target fixed tray 상기 증착 대상물이 수직인 상태로 고정되어 이송되는 박막형 태양전지 제조용 증착 장치.Deposition apparatus for manufacturing a thin-film solar cell is fixed to the deposition object is transferred in a vertical state. 삭제delete 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 가열부 어셈블리는The heating unit assembly 고정틀;Fixing frame; 상기 고정틀에 일정한 간격으로 고정되는 열선들;Hot wires fixed to the fixing frame at regular intervals; 상기 열선들의 일단이 상기 고정틀에 고정되는 제1 고정부;A first fixing part of which one end of the heating wire is fixed to the fixing frame; 상기 열선들의 타단이 상기 고정틀에 고정되는 제2 고정부;A second fixing part to which the other ends of the heating wires are fixed to the fixing frame; 상기 제2 고정부의 위치를 조절하여 상기 열선들의 장력을 조절하는 장력 조절부;A tension adjusting unit controlling the tension of the heating wires by adjusting the position of the second fixing unit; 를 포함하는 박막형 태양전지 제조용 증착 장치.Deposition apparatus for manufacturing a thin-film solar cell comprising a. 청구항 7에 있어서,The method of claim 7, 상기 장력 조절부는 The tension control unit 상기 고정틀에 고정되는 지지플레이트;A support plate fixed to the fixing frame; 상기 지지플레이트에 나사 결합되어 상기 제2 고정부를 가압하는 장력조절부재;A tension adjusting member screwed to the support plate to press the second fixing part; 상기 고정틀과 상기 제2 고정부 사이에 배치되어 상기 제2 고정부를 상기 장력조절부재 측으로 가압하는 탄성부재;An elastic member disposed between the fixing frame and the second fixing part to press the second fixing part toward the tension adjusting member; 를 포함하는 박막형 태양전지 제조용 증착 장치.Deposition apparatus for manufacturing a thin-film solar cell comprising a. 청구항 7에 있어서,The method of claim 7, 상기 제1 고정부는The first fixing part 상기 고정틀에 결합되는 제1 고정블럭,A first fixing block coupled to the fixing frame; 상기 제1 고정블럭에 체결부재에 의하여 고정되는 제2 고정블럭,A second fixing block fixed to the first fixing block by a fastening member; 상기 제1 고정블럭과 제2 고정블럭 사이에 상기 열선들이 배치되고 상기 제1 고정블럭과 상기 제2 고정블럭을 고정하는 체결부재들,Fastening members arranged between the first fixing block and the second fixing block and fixing the first fixing block and the second fixing block; 을 포함하는 박막형 태양전지 제조용 증착 장치.Deposition apparatus for manufacturing a thin-film solar cell comprising a. 청구항 7에 있어서,The method of claim 7, 상기 제2 고정부는The second fixing part 상기 고정틀에 제공된 홈에 배치되는 제3 고정블럭,A third fixing block disposed in the groove provided in the fixing frame; 상기 제3 고정블럭에 체결부재에 의하여 고정되는 제4 고정블럭,A fourth fixing block fixed to the third fixing block by a fastening member; 상기 제3 고정블럭과 제4 고정블럭 사이에 상기 열선들이 배치되고 상기 제3 고정블럭과 상기 제3 고정블럭을 고정하는 체결부재들,Fastening members arranged between the third fixing block and the fourth fixing block and fixing the third fixing block and the third fixing block; 을 포함하는 박막형 태양전지 제조용 증착 장치.Deposition apparatus for manufacturing a thin-film solar cell comprising a. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 이송부는The transfer unit 하나 이상의 구동원;One or more drive sources; 상기 구동원에 의하여 회전하며 상기 증착 대상물 또는 증착 대상물 고정 트레이를 밀어서 상기 가이드 레일을 따라 이동시키는 하나 이상의 트랜스퍼 로드;One or more transfer rods rotated by the driving source to move the deposition target or the deposition target fixing tray and move along the guide rail; 를 구비한 박막형 태양전지 제조용 증착 장치.Deposition apparatus for manufacturing a thin-film solar cell having a. 청구항 7에 있어서,The method of claim 7, 상기 제1 고정부는 The first fixing part 자중에 의하여 회전할 수 있도록 편심을 가지면서 상기 고정틀에 힌지 축으로 고정되는 박막형 태양전지 제조용 증착 장치.Deposition apparatus for manufacturing a thin-film solar cell is fixed to the hinge shaft while having an eccentric so as to rotate by its own weight.
KR1020080021229A 2008-03-07 2008-03-07 Thin film solar cell manufacturing deposition equipment Expired - Fee Related KR100962361B1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080021229A KR100962361B1 (en) 2008-03-07 2008-03-07 Thin film solar cell manufacturing deposition equipment
TW097148886A TWI388068B (en) 2008-03-07 2008-12-16 Deposition device for manufacturing thin film type solar cells
CN2008101835826A CN101525741B (en) 2008-03-07 2008-12-18 Precipitation equipment for manufacturing thin film type solar battery

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080021229A KR100962361B1 (en) 2008-03-07 2008-03-07 Thin film solar cell manufacturing deposition equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090095962A KR20090095962A (en) 2009-09-10
KR100962361B1 true KR100962361B1 (en) 2010-06-10

Family

ID=41093809

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080021229A Expired - Fee Related KR100962361B1 (en) 2008-03-07 2008-03-07 Thin film solar cell manufacturing deposition equipment

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR100962361B1 (en)
CN (1) CN101525741B (en)
TW (1) TWI388068B (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104164661A (en) * 2013-05-16 2014-11-26 理想能源设备(上海)有限公司 In-line type multicavity laminated parallel processing vacuum equipment and use method thereof
CN110491606B (en) * 2019-08-02 2024-08-06 金杯电工电磁线有限公司 Glass fiber lapped wire baking device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0817738A (en) * 1994-06-24 1996-01-19 Mitsui Toatsu Chem Inc Method for forming crystalline semiconductor thin film
JPH1088320A (en) * 1996-09-10 1998-04-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor thin film manufacturing method
JP2000216090A (en) * 1999-01-27 2000-08-04 Toshiba Corp Method for manufacturing polycrystalline semiconductor element
KR20020096856A (en) * 2001-06-18 2002-12-31 주성엔지니어링(주) manufacturing apparatus and method of thin-film for semiconductor device

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1161820C (en) * 1998-07-31 2004-08-11 佳能株式会社 Semiconductor layer manufacturing method and manufacturing equipment, photovoltaic cell manufacturing method
US6886491B2 (en) * 2001-03-19 2005-05-03 Apex Co. Ltd. Plasma chemical vapor deposition apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0817738A (en) * 1994-06-24 1996-01-19 Mitsui Toatsu Chem Inc Method for forming crystalline semiconductor thin film
JPH1088320A (en) * 1996-09-10 1998-04-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor thin film manufacturing method
JP2000216090A (en) * 1999-01-27 2000-08-04 Toshiba Corp Method for manufacturing polycrystalline semiconductor element
KR20020096856A (en) * 2001-06-18 2002-12-31 주성엔지니어링(주) manufacturing apparatus and method of thin-film for semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
CN101525741B (en) 2011-04-20
KR20090095962A (en) 2009-09-10
CN101525741A (en) 2009-09-09
TWI388068B (en) 2013-03-01
TW200939511A (en) 2009-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI559425B (en) Vertically integrated processing chamber
US5248349A (en) Process for making photovoltaic devices and resultant product
RU2471015C2 (en) Vacuum unit for application of coatings
CN204809242U (en) Base plate handling implement that supplies gas injection ware that uses in processing cavity and include said gas injection ware
US8865259B2 (en) Method and system for inline chemical vapor deposition
WO2012170166A2 (en) Method and system for inline chemical vapor deposition
CN102560377A (en) Vapor deposition process for continuous deposition and treatment of a thin film layer on a substrate
US10119194B2 (en) Indexed gas jet injector for substrate processing system
KR101048297B1 (en) In-Line Substrate Processing System and Process Chamber
KR100962361B1 (en) Thin film solar cell manufacturing deposition equipment
US20130059092A1 (en) Method and apparatus for gas distribution and plasma application in a linear deposition chamber
US20180127875A1 (en) Apparatus for performing selenization and sulfurization process on glass substrate
KR20140038844A (en) Top down linear type evaporation source and downward evaporator for manufacturing the super large size oled thin film
KR20120113970A (en) Substrate processing system and tray therefor
KR101239609B1 (en) Sola cell manufacturing apparatus
KR20130049969A (en) In-line type substrate processing system
KR101075930B1 (en) Diffusion apparatus for manufacturing solar cell
KR20100108896A (en) Evaporation coating device for manufacturing thin film

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

D13-X000 Search requested

St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000

D14-X000 Search report completed

St.27 status event code: A-1-2-D10-D14-srh-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

E13-X000 Pre-grant limitation requested

St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130410

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150529

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160421

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170426

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180504

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

Not in force date: 20190602

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20190602

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000