[go: up one dir, main page]

KR100992776B1 - 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 발광소자 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100992776B1
KR100992776B1 KR1020080113228A KR20080113228A KR100992776B1 KR 100992776 B1 KR100992776 B1 KR 100992776B1 KR 1020080113228 A KR1020080113228 A KR 1020080113228A KR 20080113228 A KR20080113228 A KR 20080113228A KR 100992776 B1 KR100992776 B1 KR 100992776B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
light emitting
conductive
semiconductor layer
conductive semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1020080113228A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100054340A (ko
Inventor
정환희
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020080113228A priority Critical patent/KR100992776B1/ko
Priority to DE202009018431U priority patent/DE202009018431U1/de
Priority to DE202009018476U priority patent/DE202009018476U1/de
Priority to US12/618,490 priority patent/US8022435B2/en
Priority to EP09014207.6A priority patent/EP2187455B1/en
Priority to DE202009018552U priority patent/DE202009018552U1/de
Priority to CN201210249340.9A priority patent/CN102751413B/zh
Priority to CN2009102122962A priority patent/CN101740687B/zh
Publication of KR20100054340A publication Critical patent/KR20100054340A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100992776B1 publication Critical patent/KR100992776B1/ko
Priority to US13/161,172 priority patent/US8415705B2/en
Priority to US13/829,637 priority patent/US8614457B2/en
Priority to US14/084,419 priority patent/US8796726B2/en
Priority to US14/317,514 priority patent/US9029906B2/en
Priority to US14/694,741 priority patent/US9257625B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/814—Bodies having reflecting means, e.g. semiconductor Bragg reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
    • H10H20/82—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/831—Electrodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/018—Bonding of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/84—Coatings, e.g. passivation layers or antireflective coatings

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

실시 예는 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
실시 예에 따른 반도체 발광소자는 전도층; 상기 전도층의 아래에 발광 구조물; 상기 발광 구조물의 상측 둘레에 형성된 보호층; 상기 보호층에서 상기 발광 구조물로 돌출된 돌기를 포함한다.
반도체, 발광소자

Description

반도체 발광소자 및 그 제조방법{Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof}
실시 예는 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체(group Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적, 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD) 등의 발광 소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다. Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체는 통상 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어져 있다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode : LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.
이러한 질화물 반도체 재료를 이용한 LED 혹은 LD는 광을 얻기 위한 발광 소자에 많이 사용되고 있으며, 핸드폰의 키패드 발광부, 전광판, 조명 장치 등 각종 제품의 광원으로 응용되고 있다.
실시 예는 반도체층과 다른 층의 접착력을 강화시켜 줄 수 있도록 한 반도체 발광소자 및 그 제조방법을 제공한다.
실시 예는 제2도전형 반도체층의 외측 표면에 러프니스를 형성시켜 주어, 상기 제2도전형 반도체층과 그 위에 형성되는 다른 층과의 접착력을 강화시켜 줄 수 있도록 한 반도체 발광소자 제조방법을 제공한다.
실시 예에 따른 반도체 발광소자는 전도층; 상기 전도층의 아래에 발광 구조물; 상기 발광 구조물의 상측 둘레에 형성된 보호층; 상기 보호층에서 상기 발광 구조물로 돌출된 돌기를 포함한다.
실시 예에 따른 반도체 발광소자 제조방법은, 제1도전형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층 위에 활성층 및 상기 활성층 위에 제2도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물을 형성하는 단계; 상기 제2도전형 반도체층의 외측 둘레에 돌기 홈을 형성하는 단계; 상기 제2도전형 반도체층의 외측 둘레에 보호층을 형성하는 단계; 상기 제2도전형 반도체층 위의 내측에 전도층을 형성하는 단계를 포함한다.
실시 예는 LED 칩의 측면 박리를 최소화하여, LED 칩의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 설명하면 다음과 같다. 이하, 실시 예를 설명함에 있어서, 각 층의 위 또는 아래는 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 1은 실시 예에 따른 반도체 발광소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 1을 참조하면, 반도체 발광소자(100)는 발광 구조물(135), 보호층(140), 반사 전극층(150) 및 전도성 지지부재(160)를 포함한다.
상기 발광 구조물(135)은 제 1도전형 반도체층(110), 활성층(120), 제 2도전형 반도체층(130)을 포함한다. 또한 상기 발광 구조물(135)은 상기 제 2도전형 반도체층(120) 위에 배치될 수 있는 n형 반도체층 또는 p형 반도체층을 더 포함할 수 있다.
상기 제 1도전형 반도체층(110)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 상기 n형 반도체층은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있고, n형 도펀트(예; Si, Ge, Sn , Se, Te 등)가 도핑된다.
상기 제 1도전형 반도체층(110)의 아래에는 제 1전극(171)이 소정의 패턴으로 형성될 수 있다.
상기 제 1도전형 반도체층(110) 위에는 활성층(120)이 형성되며, 상기 활성층(120)은 단일 또는 다중 양자우물 구조로 형성되는 데, 예컨대, InGaN 우물층/GaN 장벽층을 한 주기로 하여, 단일 또는 다중 양자 우물 구조로 형성될 수 있다. 상기 활성층(120)은 발광 재료에 따라 양자 우물층 및 양자 장벽층의 재료가 달라 질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 활성층(120)의 위 또는/및 아래에는 클래드층이 형성될 수도 있다.
상기 활성층(120) 위에는 제 2도전형 반도체층(130)이 형성되며, 상기 제 2도전형 반도체층(130)은 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 p형 반도체층은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 p형 도펀트는 Mg, Be, Zn 등의 원소계열을 포함한다.
또는 상기 발광 구조물(135)은 상기 제 1도전형 반도체층(110)이 p형 반도체층이고, 상기 제 2도전형 반도체층(130)이 n형 반도체층으로 구현될 수도 있다. 여기서 상기 제2도전형 반도체층(130) 위에 제 3도전형 반도체층이 형성될 수 있으며, 상기 제3도전형 반도층은 제 2도전형 반도체층이 n형 반도체층인 경우 p형 반도체층으로 형성되며, p형 반도체층인 경우 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 즉,상기 발광 구조물(135)은 np 접합, pn 접합, npn 접합, pnp 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2도전형 반도체층(130) 위에는 보호층(140) 및 반사 전극층(150)이 형성된다.
상기 발광 구조물(130)의 외측 둘레는 상기 보호층(140) 아래부터 상기 제1도전형 반도체층(110)까지 제거되어, 틀 형태의 외벽 홈(103)이 형성될 수 있다. 상기 발광 구조물(130)의 외벽 홈(130)은 상기 전도성 지지부재(140)와의 거리를 이격시켜 줄 수 있다.
상기 보호층(140)은 상기 제2도전형 반도체층(130) 위의 상면 외측 둘레에 소정 폭을 갖는 틀 형태로 형성되며, 상기 반사 전극층(150)은 상기 제2도전형 반도체층(130) 위의 상면 내측에 형성된다. 또한 상기 반사 전극층(150)은 상기 보호층(140)의 위에도 연장되어 형성될 수 있다.
상기 보호층(140)은 절연 물질 또는 전도성 물질을 포함할 수 있으며, 예컨대, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 , ITO, IZO, AZO 등을 포함할 수 있다. 또한 상기 보호층(140)은 상기 물질뿐만 아니라, 레이저 광이 투과되는 물질 또는 레이저 광에 파편 발생이 거의 없는 물질(예: ITO, IZO, AZO 등)을 사용할 수 있다.
또한 상기 보호층(140)은 상기 제2도전형 반도체층(130)의 물질과 접착력이 좋은 물질(예:SiO 계열)로 형성될 수 있다.
상기 보호층(140)에는 상기 발광 구조물(135)의 방향(즉, 아래 방향)으로 돌출된 돌기(145)가 형성된다. 상기 돌기(145)는 상기 제2도전형 반도체층(130)에 요철 형태로, 상기 제2도전형 반도체층(130)의 외측 둘레를 따라 폐 루프로 형성되거나, 소정 간격마다 형성될 수 있다. 또한 상기 돌기(145)는 상기 제2도전형 반도체층(130)의 외벽을 기준으로 안쪽으로 1열의 띠 또는 복수 열의 띠 형태로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 폐 루프 또는 띠 형태는 지그 재그 형태, 불규칙한 패턴 등으로 형성될 수 있다.
상기 돌기(145)의 높이(즉, 돌출 정도)는 10nm~300nm로 형성될 수 있으며, 복수열의 돌기(145)는 서로 동일한 높이 또는 서로 다른 높이로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 발광 구조물(130)의 외벽에 가까운 돌기(145)의 높이는 더 높게 하고, 안쪽으로 갈수록 낮게 형성할 수도 있다.
상기 보호층(140)의 돌기(145)는 상기 발광 구조물(135)의 외벽부터 소정 거리 예컨대, 1~5㎛ 거리만큼 이격될 수 있으며, 상기 발광 구조물(135)의 크기에 따라 변경될 수 있다.
상기 보호층(140)은 상기 돌기(145)로 인해 상기 제2도전형 반도체층(130)과의 접촉 면적이 증대될 수 있으며, 상기 돌기(145)는 상기 제2도전형 반도체층(130)의 상면과 평행한 방향으로 상기 보호층(140)으로부터 상기 제2도전형 반도체층(130)이 유동하는 것을 방지할 수 있다.
상기 보호층(140)의 돌기(145)는 상기 제2도전형 반도체층(130)의 상면과 평행한 방향으로 침투하는 습기의 이동을 최대한 지연시키거나 방지할 수 있다.
상기 반사 전극층(150)은 상기 제2도전형 반도체층(130) 위에 형성될 수 있으며, 또는 상기 제2도전형 반도체층(130) 및 상기 보호층(140) 위에 형성될 수 있다. 상기 반사 전극층(150)은 Al, Ag, Pd, Rh, Pt 등 중에서 적어도 하나 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다. 또한 상기 반사 전극층(150)은 오믹 특성을 갖는 반사 전극 재료로 형성될 수 있다.
상기 반사 전극층(150) 위에는 전도성 지지부재(160)가 형성된다. 상기 전도성 지지부재(160)는 베이스 기판으로서, 구리, 금, 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC 등) 등과 같은 물질로 형성될 수 있다. 상기 보호층(140) 및 상기 반사 전극층(150)은 하나의 전도층으로 형성될 수 있으며, 상기 전도성 지지부 재(160)는 상기 전도층의 두께에 따라 형성하지 않을 수도 있다.
도 2 내지 도 10는 실시 예에 따른 반도체 발광소자 제조과정을 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 기판(101) 위에는 제 1도전형 반도체층(110)이 형성되고, 상기 제 1도전형 반도체층(110) 위에는 활성층(120)이 형성되며, 상기 활성층(120) 위에는 제 2도전형 반도체층(130)이 형성된다.
상기 기판(101)은 사파이어 기판(Al203), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, 그리고 GaAs 등으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 이러한 기판(101) 위에는 버퍼층 또는/및 언도프드 반도체층이 형성될 수도 있으며, 박막 성장 후 제거될 수도 있다.
상기 제 1도전형 반도체층(110)은 n형 반도체층으로, 상기 제 2도전형 반도체층(130)은 p형 반도체층으로 구현할 수 있으며, 상기 n형 반도체층은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있고, n형 도펀트(예; Si, Ge, Sn , Se, Te 등)가 도핑된다. 상기 p형 반도체층은 Mg와 같은 p형 도펀트가 도핑되며, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
상기 제1도전형 반도체층(110), 상기 활성층(120), 상기 제2도전형 반도체층(130)의 위 또는/및 아래에는 다른 반도체층이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1도전형 반도체층(110), 상기 활성층(120), 상기 제2도전 형 반도체층(130)은 발광 구조물(135)로 정의될 수 있다. 또한 상기 발광 구조물(135)은 np 접합, pn 접합, npn 접합, pnp 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 3을 참조하면, 칩 단위의 경계 영역인 상기 제2도전형 반도체층(130)의 외측 둘레에는 요철 형태의 러프니스 구조로 돌기 홈(115)이 형성될 수 있다. 상기 돌기 홈(115)는 상기 보호 층(도 1의 140)의 돌기(도 1의 145)에 대응되는 위치, 형상으로 형성된다.
상기 돌기 홈(115)은 상기 제2도전형 반도체층(130)의 해당 영역을 에칭 예컨대, 드라이 에칭 방식으로 에칭하여 형성할 수 있으며, 이러한 형성 방식으로 한정하지는 않는다.
도 4는 도 3의 돌기 홈의 패턴 예를 나타낸 상기 제2도전형 반도체층의 평면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 돌기 홈(115)은 1개의 칩 영역에서 외측 둘레를 따라 띠 형상을 갖고 폐 루프로 형성되거나, 소정 간격을 갖는 여러 개의 띠로 형성될 수 있다. 상기 돌기 홈(115)은 지그 재그 또는 불규칙한 형태로 형성될 수 있으며, 이는 보호층과의 접촉 면적을 최대화하면서 보호층이 다른 방향으로 이동되지 않도록 할 수 있다. 상기 돌기 홈(115)의 깊이는 10nm~300nm로 형성될 수 있으며, 칩 외벽에서 소정 거리 이격된다.
여기서, 상기 돌기 홈(115)의 단면 형상은 반구형상, 반 타원형상, 역 뿔 형상 , 기둥 형상, 사각형이나 마름모 또는 사다리꼴 형상 등의 다각형 형상으로 형 성될 수 있으며, 이러한 형상은 변경할 수 있다. 또한 상기 돌기 홈(115)은 외벽을 기준으로 1열 또는 2열 이상으로 형성될 수 있으며, 서로 동일한 깊이 또는 서로 다른 깊이로 형성될 수 있다.
도 3 및 도 5를 참조하면, 상기 제2도전형 반도체층(130)의 외측 둘레에는 보호층(140)이 형성된다.
상기 보호층(140)은 절연 물질 또는 전도성 물질을 포함할 수 있으며, 예컨대, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 , ITO, IZO, AZO 등을 포함할 수 있다. 또한 상기 보호층(140)은 상기 물질뿐만 아니라, 레이저 광이 투과되는 물질 또는 레이저 광에 파편 발생이 거의 없는 물질로 사용할 수 있다. 또한 상기 보호층(140)은 상기 제2도전형 반도체층(130)의 물질과 접착력이 좋은 물질(예:SiO 계열)로 형성될 수 있다.
상기 제2도전형 반도체층(130)의 돌기 홈(115)에는 상기 보호층(140)의 돌기(145)가 형성된다. 상기 돌기(145)의 형상 및 위치는 상기 돌기 홈(115)에 따라 달라지므로, 그 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
상기 보호층(140)의 돌기(145)는 상기 발광 구조물(135)의 칩 단위의 외벽부터 소정 거리 예컨대, 1~5㎛ 거리만큼 이격될 수 있으며, 상기 발광 구조물(135)의 크기에 따라 변경될 수 있다.
상기 보호층(140)은 상기 돌기(145)로 인해 상기 제2도전형 반도체층(130)과의 접촉 면적이 증대될 수 있으며, 상기 돌기(145)는 상기 제2도전형 반도체층(130)의 상면과 평행한 방향으로의 접착력을 강화시켜 주어, 두 층(130,140)이 서로 유동하는 것을 지지하게 된다.
또한 상기 보호층(140)의 돌기(145)는 상기 제2도전형 반도체층(130)의 상면과 평행한 방향으로 침투하는 습기의 이동을 최대한 지연시키거나 방지할 수 있다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 상기 제2도전형 반도체층(130) 및 상기 보호층(140) 위에는 반사 전극층(150)이 형성되며, 상기 반사 전극층(150) 위에는 전도성 지지부재(160)가 형성된다.
상기 반사 전극층(150)은 Al, Ag, Pd, Rh, Pt 등 중에서 적어도 하나 또는 합금 등으로 형성될 수 있다. 상기 반사 전극층(150) 위에는 전도성 지지부재(160)가 형성되며, 상기 전도성 지지부재(160)는 구리 또는 금 등으로 형성될 수 있으며, 베이스 기판으로 기능하게 된다. 상기 반사 전극층(150)은 상기 보호층(140) 또는 전도성 지지부재(160)과 하나의 층 예컨대, 전도층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 상기 기판(101)을 제거하게 된다. 상기 기판(101)의 제거 방법은 레이저 리프트 오프(LLO : Laser Lift Off) 과정으로 제거하게 된다. 즉, 상기 기판(101)에 일정 영역의 파장을 가지는 레이저를 조사하는 방식(LLO : Laser Lift Off)으로 상기 기판(101)을 분리시켜 준다. 또는 상기 기판(101)과 상기 제 1도전형 반도체층(110) 사이에 다른 반도체층(예: 버퍼층)이 형성된 경우, 습식 식각 액을 이용하여 상기 버퍼층을 제거하여, 상기 기판을 분리할 수도 있다. 상기 기판(101)이 제거된 상기 제 1도전형 반도체층(110)의 표면에 대해 ICP/RIE(Inductively coupled Plasma/Reactive Ion Etching) 방식으로 연마하는 공정을 수행할 수 있다.
이때 상기 보호층(140) 및 그 돌기(145)는 상기 보호층(140)과 상기 제2도전형 반도체층(130) 간에 박리되거나 파편 발생을 최소화할 수 있다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 발광 구조물(135)은 칩과 칩 경계 영역(즉, 채널 영역)에 대해 메사 에칭하여 제거한다. 상기 메사 에칭 영역은 칩 경계 영역(즉, 채널 영역)에서 상기 보호층(140)이 노출되는 정도로 형성할 수 있으며, 이에 한정하지는 않는다. 이때 상기 보호층(140) 및 그 돌기(145)는 메사 에칭 즉, KOH 에칭 공정에서 발생하는 발광 구조물의 측면 박리를 최소화할 수 있다.
이하, 칩 단위로 분리된다. 상기 칩 분리 방식은 레이저로 이용할 수 있다. 이때 상기 발광 구조물(135)의 외측에는 외곽 홈(103)이 칩 둘레에 형성되며, 상기 외곽 홈(103)은 상기 전도성 지지부재(160)과 상기 발광 구조물(135)와의 간격을 더 이격시켜 줄 수 있다.
상기 제1도전형 반도체층(110)의 아래에 제1전극(171)을 소정 패턴으로 형성하게 된다. 여기서, 상기 제1전극(171)의 형성 과정은 상기 메사 에칭 전 또는 메사 에칭 후 또는 칩 분리 후 수행될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기의 실시 예를 설명함에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "directly"와 "indirectly"의 의미를 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
이상에서 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 실시 예에 따른 반도체 발광소자를 나타낸 측 단면도.
도 2 내지 도 10는 실시 예에 따른 반도체 발광소자의 제조과정을 나타낸 도면.

Claims (14)

  1. 복수의 화합물 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
    상기 발광 구조물 아래의 제1영역에 전도층;
    상기 발광 구조물의 아래와 상기 전도층의 외측에 배치된 보호층; 및
    상기 보호층으로부터 상기 발광 구조물의 내부로 돌출된 돌기를 포함하는 반도체 발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 발광 구조물은 상기 전도층의 위에 제2도전형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층 위에 활성층 및 상기 활성층 위에 전극이 연결된 제1도전형 반도체층을 포함하며,
    상기 돌기는 상기 보호층에 일체로 형성되며, 상기 활성층에 접촉되지 않게 상기 제2도전형 반도체층의 두께 미만의 깊이로 돌출되는 반도체 발광소자.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 보호층은 SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 , ITO, IZO, AZO 중 어느 하나를 포함하는 반도체 발광소자.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 보호층으로부터 돌출된 돌기는 상기 발광 구조물 아래의 둘레에 띠 형상으로 적어도 1열로 형성되는 반도체 발광소자.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 보호층으로부터 돌출된 돌기는 상기 발광 구조물 아래의 둘레를 따라 지그 재그 형태 또는 불규칙한 패턴 형태로 형성되는 반도체 발광소자.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 전도층은 반사 전극 물질을 포함하며 상기 보호층의 아래에 연장되며,
    상기 전도층 아래에 형성된 전도성 지지부재를 포함하는 반도체 발광소자.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 보호층은 상기 발광 구조물의 아래에서 상기 발광 구조물의 측면보다 더 외측으로 연장되는 반도체 발광소자.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 보호층으로부터 돌출된 돌기는 상기 보호층에 일체로 형성되며, 그 단면 형상은 반구 형상, 반 타원형상, 다각형 형상, 역 뿔 형상, 기둥 형상 중 어느 한 형상을 포함하는 반도체 발광소자.
  9. 제1도전형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층 위에 활성층 및 상기 활성층 위에 제2도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물을 형성하는 단계;
    상기 제2도전형 반도체층 위의 제1영역의 둘레에 상기 제2도전형 반도체층의 두께 방향으로 홈을 형성하는 단계;
    상기 제2도전형 반도체층 위의 제1영역 둘레와 상기 홈에 보호층을 형성하는 단계; 및
    상기 제2도전형 반도체층 위의 제1영역에 전도층을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 보호층은 상기 전도층의 외측에 배치되는 반도체 발광소자 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제2도전형 반도체층의 제1영역 둘레에에 형성된 홈은 상기 제2도전형 반도체층의 상면부터 상기 활성층의 상면 미만의 깊이로 형성되며,
    상기 보호층의 일부는 상기 제2도전형 반도체층의 제1영역 둘레에 형성된 상기 홈에 배치되는 반도체 발광소자 제조방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 전도층은 반사 전극 물질을 포함하며 상기 보호층의 위에 연장되며,
    상기 전도층 위에 전도성 지지 부재를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 발광 구조물은 상기 제1도전형 반도체층 아래에 배치된 기판 위에 형성되며,
    상기 기판은 상기 전도성 지지부재를 형성한 후 제거하는 반도체 발광소자 제조방법.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 제2도전형 반도체층의 홈은 적어도 1열이 지그 재그 형태의 띠 형상으로 형성되는 반도체 발광소자 제조방법.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 보호층은 절연 물질 또는 전도성 물질을 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
KR1020080113228A 2008-11-14 2008-11-14 반도체 발광소자 및 그 제조방법 Expired - Fee Related KR100992776B1 (ko)

Priority Applications (13)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080113228A KR100992776B1 (ko) 2008-11-14 2008-11-14 반도체 발광소자 및 그 제조방법
DE202009018476U DE202009018476U1 (de) 2008-11-14 2009-11-13 Lichtemittierende Halbleitervorrichtung
US12/618,490 US8022435B2 (en) 2008-11-14 2009-11-13 Semiconductor light emitting device
EP09014207.6A EP2187455B1 (en) 2008-11-14 2009-11-13 Semiconductor light emitting device
DE202009018552U DE202009018552U1 (de) 2008-11-14 2009-11-13 Lichtemittierende Halbleitervorrichtung
DE202009018431U DE202009018431U1 (de) 2008-11-14 2009-11-13 Halbleiter-lichtemmitierende-Vorrichtung
CN201210249340.9A CN102751413B (zh) 2008-11-14 2009-11-16 半导体发光器件
CN2009102122962A CN101740687B (zh) 2008-11-14 2009-11-16 半导体发光器件
US13/161,172 US8415705B2 (en) 2008-11-14 2011-06-15 Semiconductor light emitting device
US13/829,637 US8614457B2 (en) 2008-11-14 2013-03-14 Semiconductor light emitting device
US14/084,419 US8796726B2 (en) 2008-11-14 2013-11-19 Semiconductor light emitting device
US14/317,514 US9029906B2 (en) 2008-11-14 2014-06-27 Semiconductor light emitting device
US14/694,741 US9257625B2 (en) 2008-11-14 2015-04-23 Semiconductor light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080113228A KR100992776B1 (ko) 2008-11-14 2008-11-14 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100054340A KR20100054340A (ko) 2010-05-25
KR100992776B1 true KR100992776B1 (ko) 2010-11-05

Family

ID=41571870

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080113228A Expired - Fee Related KR100992776B1 (ko) 2008-11-14 2008-11-14 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Country Status (5)

Country Link
US (6) US8022435B2 (ko)
EP (1) EP2187455B1 (ko)
KR (1) KR100992776B1 (ko)
CN (2) CN102751413B (ko)
DE (3) DE202009018431U1 (ko)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101449005B1 (ko) * 2007-11-26 2014-10-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100992776B1 (ko) * 2008-11-14 2010-11-05 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101103882B1 (ko) * 2008-11-17 2012-01-12 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP2011119491A (ja) * 2009-12-04 2011-06-16 Showa Denko Kk 半導体発光素子、電子機器および発光装置
KR101020945B1 (ko) 2009-12-21 2011-03-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법
KR101039946B1 (ko) * 2009-12-21 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법
KR101154511B1 (ko) * 2010-10-18 2012-06-13 서울옵토디바이스주식회사 고효율 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR101028277B1 (ko) * 2010-05-25 2011-04-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 라이트 유닛
KR101125025B1 (ko) * 2010-07-23 2012-03-27 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
US8890178B2 (en) * 2010-09-13 2014-11-18 Epistar Corporation Light-emitting element
KR101694175B1 (ko) * 2010-10-29 2017-01-17 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지 및 조명시스템
KR101896659B1 (ko) * 2011-09-02 2018-09-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치
KR101634370B1 (ko) * 2011-12-09 2016-06-28 서울바이오시스 주식회사 고효율 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR101886156B1 (ko) * 2012-08-21 2018-09-11 엘지이노텍 주식회사 발광소자
JP5988782B2 (ja) * 2012-09-04 2016-09-07 パナソニック デバイスＳｕｎｘ竜野株式会社 Ｌｅｄパッケージ及びｌｅｄ発光素子
CN102931314B (zh) * 2012-09-29 2015-02-11 安徽三安光电有限公司 一种防止金属迁移的半导体发光器件
KR102376468B1 (ko) * 2014-12-23 2022-03-21 엘지이노텍 주식회사 적색 발광소자 및 조명장치
CN105098043B (zh) * 2015-07-17 2017-12-22 开发晶照明（厦门）有限公司 发光装置复合基板及具有该发光装置复合基板的led模组
US11152540B2 (en) * 2019-07-29 2021-10-19 Lextar Electronics Corporation Light emitting diode structure and method of manufacturing thereof
US11038088B2 (en) 2019-10-14 2021-06-15 Lextar Electronics Corporation Light emitting diode package

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100452749B1 (ko) 2003-08-12 2004-10-15 에피밸리 주식회사 고밀도 미세 표면격자를 가진 ⅲ-질화물 반도체 발광소자
JP2007251221A (ja) 2003-02-07 2007-09-27 Sanyo Electric Co Ltd 半導体素子およびその製造方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2927158B2 (ja) * 1993-09-29 1999-07-28 サンケン電気株式会社 半導体発光素子
US7547921B2 (en) 2000-08-08 2009-06-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor chip for optoelectronics
US6657237B2 (en) * 2000-12-18 2003-12-02 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. GaN based group III-V nitride semiconductor light-emitting diode and method for fabricating the same
US6900476B2 (en) 2001-11-30 2005-05-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting semiconductor component
EP1471583B1 (en) 2002-01-28 2009-10-07 Nichia Corporation Nitride semiconductor device having support substrate and its manufacturing method
TW578318B (en) * 2002-12-31 2004-03-01 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and method of making the same
US7372077B2 (en) * 2003-02-07 2008-05-13 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device
WO2005004247A1 (en) * 2003-07-03 2005-01-13 Epivalley Co., Ltd. Iii-nitride compound semiconductor light emitting device
KR100580276B1 (ko) 2003-10-18 2006-05-15 에피밸리 주식회사 질화물 반도체 발광소자
TWI244220B (en) 2004-02-20 2005-11-21 Epistar Corp Organic binding light-emitting device with vertical structure
WO2005091388A1 (en) * 2004-03-18 2005-09-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Nitride based led with a p-type injection region
US10941353B2 (en) 2004-04-28 2021-03-09 Hydrocarbon Technology & Innovation, Llc Methods and mixing systems for introducing catalyst precursor into heavy oil feedstock
DE102004021175B4 (de) 2004-04-30 2023-06-29 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterchips für die Optoelektronik und Verfahren zu deren Herstellung
US7228741B2 (en) 2004-09-16 2007-06-12 The Boeing Company Alignment compensator for magnetically attracted inspecting apparatus and method
US20060237735A1 (en) 2005-04-22 2006-10-26 Jean-Yves Naulin High-efficiency light extraction structures and methods for solid-state lighting
JP4359263B2 (ja) * 2005-05-18 2009-11-04 ローム株式会社 半導体発光装置
KR20070012930A (ko) * 2005-07-25 2007-01-30 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100716790B1 (ko) 2005-09-26 2007-05-14 삼성전기주식회사 질화갈륨계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
TW200717843A (en) 2005-10-19 2007-05-01 Epistar Corp Light-emitting element with high-light-extracting-efficiency
JP4947954B2 (ja) * 2005-10-31 2012-06-06 スタンレー電気株式会社 発光素子
US7829909B2 (en) * 2005-11-15 2010-11-09 Verticle, Inc. Light emitting diodes and fabrication methods thereof
US8513878B2 (en) * 2006-09-28 2013-08-20 Fujifilm Corporation Spontaneous emission display, spontaneous emission display manufacturing method, transparent conductive film, electroluminescence device, solar cell transparent electrode, and electronic paper transparent electrode
KR101364167B1 (ko) 2007-02-15 2014-02-18 서울바이오시스 주식회사 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7714339B2 (en) * 2007-05-29 2010-05-11 Neoton Optoelectronics Corp. Light emitting diode
KR100999688B1 (ko) * 2008-10-27 2010-12-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100992776B1 (ko) * 2008-11-14 2010-11-05 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007251221A (ja) 2003-02-07 2007-09-27 Sanyo Electric Co Ltd 半導体素子およびその製造方法
KR100452749B1 (ko) 2003-08-12 2004-10-15 에피밸리 주식회사 고밀도 미세 표면격자를 가진 ⅲ-질화물 반도체 발광소자

Also Published As

Publication number Publication date
CN102751413A (zh) 2012-10-24
US8415705B2 (en) 2013-04-09
EP2187455B1 (en) 2018-03-07
US9257625B2 (en) 2016-02-09
US20130200418A1 (en) 2013-08-08
KR20100054340A (ko) 2010-05-25
US20150228877A1 (en) 2015-08-13
US20140306264A1 (en) 2014-10-16
CN102751413B (zh) 2015-10-28
DE202009018431U1 (de) 2011-12-09
US8796726B2 (en) 2014-08-05
DE202009018476U1 (de) 2011-09-29
US20100123147A1 (en) 2010-05-20
DE202009018552U1 (de) 2012-01-24
US8022435B2 (en) 2011-09-20
EP2187455A1 (en) 2010-05-19
US20140077244A1 (en) 2014-03-20
US20110241065A1 (en) 2011-10-06
US9029906B2 (en) 2015-05-12
CN101740687B (zh) 2012-09-05
CN101740687A (zh) 2010-06-16
US8614457B2 (en) 2013-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100992776B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101103882B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101007099B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100999688B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100946523B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100962899B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101055090B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101064081B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101491139B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101007117B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20100011116A (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20090119596A (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20100020375A (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100962898B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100992749B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100986544B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101014136B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100999695B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100999742B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101199129B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101007092B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100986485B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101305746B1 (ko) 반도체 발광소자
KR101750207B1 (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR20100038339A (ko) 반도체 발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

A302 Request for accelerated examination
PA0302 Request for accelerated examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D17-exm-PA0302

St.27 status event code: A-1-2-D10-D16-exm-PA0302

D13-X000 Search requested

St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000

D14-X000 Search report completed

St.27 status event code: A-1-2-D10-D14-srh-X000

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

J204 Request for invalidation trial [patent]
PJ0204 Invalidation trial for patent

St.27 status event code: A-5-5-V10-V11-apl-PJ0204

J121 Written withdrawal of request for trial
PJ1201 Withdrawal of trial

St.27 status event code: A-5-5-V10-V13-apl-PJ1201

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131007

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141007

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151005

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161006

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171011

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181010

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 9

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 10

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 11

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R14-asn-PN2301

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 12

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 13

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

Not in force date: 20231102

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20231102

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000