KR101009978B1

KR101009978B1 - Field emission display device and manufacturing method thereof

Info

Publication number: KR101009978B1
Application number: KR1020040005966A
Authority: KR
Inventors: 황성연
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 2004-01-30
Filing date: 2004-01-30
Publication date: 2011-01-21
Anticipated expiration: 2024-01-30
Also published as: KR20050077958A

Abstract

본 발명은 신호 왜곡을 억제하여 화면 품질을 향상시키고, 배기 후 내부 공간의 잔류 가스를 포집하여 고진공을 확보할 수 있는 전계 방출 표시장치 및 이의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 전계 방출 표시장치는 제1 및 제2 기판과; 제1 기판 위에서 절연층을 사이에 두고 배치되며, 제1 기판 상에 설정된 유효 전자방출 영역 내에 위치하는 캐소드 전극들 및 게이트 전극들과; 캐소드 전극에 마련되는 전자 방출원과; 유효 전자방출 영역 외곽에 위치하며, 게터층을 구비하는 적어도 하나의 더미 전극과; 제2 기판 위에 형성되는 애노드 전극과; 애노드 전극의 어느 일면에 위치하는 형광막과; 더미 전극을 둘러싸면서 제1, 2 기판의 가장자리에 위치하여 두 기판을 접합시키는 밀봉 부재를 포함한다.The present invention provides a field emission display device and a method of manufacturing the same, which can improve signal quality by suppressing signal distortion and ensure high vacuum by collecting residual gas in an internal space after exhausting. The field emission display of the present invention comprises: first and second substrates; Cathode electrodes and gate electrodes disposed on the first substrate with the insulating layer interposed therebetween and positioned in the effective electron emission region set on the first substrate; An electron emission source provided at the cathode electrode; At least one dummy electrode positioned outside the effective electron emission region and having a getter layer; An anode electrode formed on the second substrate; A fluorescent film located on one surface of the anode electrode; The sealing member may be disposed at edges of the first and second substrates while surrounding the dummy electrode to bond the two substrates together.

전계방출, 표시장치, 캐소드전극, 게이트전극, 애노드전극, 에미터, 더미전극, 유효전자방출영역, 게터Field emission, display device, cathode electrode, gate electrode, anode electrode, emitter, dummy electrode, effective electron emission area, getter

Description

Field emission display and manufacturing method thereof {FIELD EMISSION DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계 방출 표시장치의 부분 분해 사시도이다.1 is a partially exploded perspective view of a field emission display device according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시한 전계 방출 표시장치의 결합 상태 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a coupled state of the field emission display shown in FIG. 1.

도 3과 도 4는 각각 도 1에 도시한 캐소드 전극과 게이트 전극을 도시한 개략도이다.3 and 4 are schematic diagrams showing the cathode electrode and the gate electrode shown in FIG. 1, respectively.

도 5는 도 1에 도시한 게터층의 다른 실시예를 도시한 개략도이다.FIG. 5 is a schematic diagram showing another embodiment of the getter layer shown in FIG. 1. FIG.

도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계 방출 표시장치에서 각 전극별 구동신호의 일례를 나타낸 개략도이다.6 is a schematic diagram illustrating an example of a driving signal for each electrode in the field emission display device according to the first embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 전계 방출 표시장치 중 제1 기판의 부분 평면도이다.7 is a partial plan view of a first substrate of a field emission display according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 전계 방출 표시장치의 부분 분해 사시도이다.8 is a partially exploded perspective view of a field emission display according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 9는 도 8에 도시한 전계 방출 표시장치의 결합 상태 단면도이다.9 is a cross-sectional view illustrating a coupled state of the field emission display shown in FIG. 8.

도 10은 본 발명의 제4 실시예에 따른 전계 방출 표시장치의 부분 단면도이다.10 is a partial cross-sectional view of a field emission display device according to a fourth embodiment of the present invention.

본 발명은 전계 방출 표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전자 방출에 기여하는 전극들 이외에 다양한 기능을 갖는 여분의 전극을 더욱 형성한 전계 방출 표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a field emission display device, and more particularly, to a field emission display device and a method for manufacturing the same, in which an extra electrode having various functions is formed in addition to the electrodes that contribute to electron emission.

통상의 전계 방출 표시장치(FED; field emission display)는 후면 기판 위에 캐소드 전극들과 게이트 전극들이 절연층을 사이에 두고 서로 절연 상태로 배치되고, 캐소드 전극 위에 전자 방출원인 에미터가 위치하며, 전면 기판의 일면에 애노드 전극과 형광막들이 형성된 구성으로 이루어진다.In a typical field emission display (FED), cathode and gate electrodes are insulated from each other with an insulating layer interposed on a rear substrate, and an emitter, which is an electron emission source, is positioned on the front surface of the cathode. An anode electrode and a fluorescent film are formed on one surface of the substrate.

일반적으로 캐소드 전극과 게이트 전극은 서로 수직하게 교차하는 매트릭스 구조를 이루며, 두 전극의 교차 영역을 화소 영역으로 정의할 때, 어느 한 전극에 인가되는 스캔 신호와 다른 한 전극에 인가되는 데이터 신호의 조합으로 각 화소별 에미터의 전자 방출을 제어하게 된다.In general, the cathode electrode and the gate electrode form a matrix structure perpendicularly intersecting with each other, and when a cross region of the two electrodes is defined as a pixel region, a combination of a scan signal applied to one electrode and a data signal applied to the other electrode By controlling the electron emission of the emitter for each pixel.

이 때, 캐소드 전극과 게이트 전극에는 직류와 교류의 특성을 모두 갖춘 정현파가 인가되는데, 정현파는 비교적 높은 전압을 가지며, 표시장치의 화소 수에 따라 차이가 있기는 하지만 대부분의 경우 짧은 온 타임(ON time)의 인가 시간을 갖게 된다.At this time, a sine wave having both DC and AC characteristics is applied to the cathode electrode and the gate electrode. The sine wave has a relatively high voltage, and in most cases, a short on-time (ON) depends on the number of pixels of the display device. time).

따라서 통상의 전계 방출 표시장치에서는 캐소드 전극과 게이트 전극의 내부 저항이나 두 전극 사이에 형성되는 축전전하 용량 등 표시장치의 내부 요인에 의해 구동 파형이 쉽게 왜곡될 수 있다. 특히 스캔 신호가 인가되는 전극의 경우, 일방향을 따라 나란히 배열된 전극열 가운데 스캔 신호가 가장 먼저 인가되는 전극열 부분과, 스캔 신호가 가장 나중에 인가되는 전극열 부분에서 신호 왜곡이 보다 쉽게 일어날 수 있다.Therefore, in a conventional field emission display device, the driving waveform may be easily distorted due to internal factors of the display device, such as internal resistance of the cathode electrode and the gate electrode, or capacitance charge capacitance formed between the two electrodes. In particular, in the case of an electrode to which a scan signal is applied, signal distortion may occur more easily in an electrode string portion where the scan signal is applied first among the electrode strings arranged side by side in one direction, and an electrode string portion where the scan signal is applied last. .

이와 같이 표시장치 구동중 신호 왜곡이 발생하면, 신호 왜곡이 일어난 화소들에서 불필요한 전자 방출이 일어나거나 반대로 전자가 방출되어야 하지만 전자 방출이 일어나지 않는 등 에미터의 정밀한 온/오프 제어가 불가능해지고, 정밀한 화상 표시가 이루어지지 않는 문제가 발생하게 된다.As such, when signal distortion occurs while driving the display device, unnecessary on / off control of emitters may occur in the pixels in which the signal distortion occurs, or, on the contrary, electrons should be emitted, but precise on / off control of the emitter is impossible. There is a problem that no image display is made.

한편, 전계 방출 표시장치를 포함한 대부분의 진공 표시소자는 내부 공간을 배기시켜 진공화한 다음, 게터(getter)를 이용해 내부의 잔류가스를 포집하여 진공도를 높이게 된다. 상기 게터에는 증발형 게터와 비증발형 게터가 있는데, 증발형 게터는 음극선관과 같이 충분한 내부 공간을 갖춘 진공 표시소자에 적합하며, 잔류가스 포집 효율이 우수한 장점이 있다.On the other hand, most of the vacuum display device including the field emission display device to evacuate the internal space to be evacuated, and then to collect the residual gas inside by using a getter to increase the degree of vacuum. The getter includes an evaporative getter and a non-evaporable getter. The getter is suitable for a vacuum display device having a sufficient internal space, such as a cathode ray tube, and has an advantage of excellent residual gas collection efficiency.

그런데 전계 방출 표시장치는 전, 후면 기판의 간격이 1.1mm 이하로 매우 좁기 때문에, 좁은 내부 공간에 일정한 부피를 갖는 게터를 장착하기 어렵고, 협소한 내부 공간과 기판 상의 전극 배치 등으로 인해 증발형 게터를 적용하기 곤란하다. 이로서 전계 방출 표시장치에서는 표시영역 바깥에 비증발형 게터를 설치하여 이를 활성화시킴으로써 배기 후 잔류가스를 제거하게 된다.However, in the field emission display device, since the front and rear substrates have a very narrow gap of 1.1 mm or less, it is difficult to mount a getter having a constant volume in a narrow inner space, and the evaporation getter is possible due to the narrow inner space and the electrode arrangement on the substrate. It is difficult to apply. As a result, in the field emission display device, a non-evaporation getter is installed outside the display area to activate the non-evaporation getter, thereby removing residual gas after exhausting.

그러나 상기한 비증발형 게터는 증발형 게터에 비해 잔류가스 포집 효율이 떨어져 진공도 향상에 어려움이 있으며, 표시소자의 구조와 제조 공정을 복잡하게 하는 단점이 있다.However, the non-evaporable getter has a disadvantage in that residual gas collection efficiency is lower than that of the evaporative getter, thereby improving the degree of vacuum and complicating the structure and manufacturing process of the display device.

특히 카본 나노튜브를 에미터로 사용하는 전계 방출 표시장치에서는 전자 방출시 카본 나노튜브가 산소와 같은 특정 잔류기체와 매우 쉽게 반응하여 에미터의 수명과 에미션 효율을 저하시킨다. 이로서 카본 나노튜브를 사용하는 전계 방출 표시장치는 산소 성분이 있는 기체가 내부 공간에 잔류하지 않도록 배기 후 이를 제거해야 하며, 게터 설정시 이에 대한 세심한 고려가 요구된다.In particular, in field emission displays using carbon nanotubes as emitters, carbon nanotubes react very easily with certain residual gases such as oxygen when emitting electrons, thereby reducing the emitter lifetime and emission efficiency. As a result, the field emission display using carbon nanotubes should be removed after the exhaust so that the oxygen-containing gas does not remain in the internal space.

따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 신호 왜곡을 억제하여 이에 따른 화면 품질 저하를 방지하고, 배기 후 내부 공간의 잔류 가스를 효율적으로 포집하여 고진공을 확보할 수 있는 전계 방출 표시장치 및 이의 제조 방법을 제공하는데 있다.Therefore, the present invention is to solve the above problems, an object of the present invention is to suppress the signal distortion to prevent the deterioration of the screen quality, and to efficiently collect the residual gas in the internal space after exhaust to ensure a high vacuum A field emission display and a method of manufacturing the same are provided.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,According to an aspect of the present invention,

임의의 간격을 두고 대향 배치되는 제1 및 제2 기판과, 제1 기판 위에서 절연층을 사이에 두고 배치되며, 제1 기판 상에 설정된 유효 전자방출 영역 내에 위치하는 캐소드 전극들 및 게이트 전극들과, 캐소드 전극에 마련되는 전자 방출원과, 유효 전자방출 영역 외곽에 위치하며, 게터층을 구비하는 적어도 하나의 더미 전극과, 제2 기판 위에 형성되는 애노드 전극과, 애노드 전극의 어느 일면에 위치하는 형광막과, 더미 전극을 둘러싸면서 제1, 2 기판의 가장자리에 위치하여 두 기판을 접합시키는 밀봉 부재를 포함하는 전계 방출 표시장치를 제공한다. First and second substrates disposed at random intervals, the cathode and gate electrodes disposed on the first substrate with the insulating layer interposed therebetween and positioned in the effective electron emission region set on the first substrate; At least one dummy electrode including a getter layer, an anode electrode formed on the second substrate, and an anode electrode disposed on one surface of the anode electrode; A field emission display device including a fluorescent film and a sealing member positioned at edges of first and second substrates while surrounding a dummy electrode and bonding two substrates is provided.

상기 더미 전극은 캐소드 전극들의 최외곽에서 캐소드 전극과 나란하게 위치하는 제1 더미 전극과, 게이트 전극들의 최외곽에서 게이트 전극과 나란하게 위치하는 제2 더미 전극을 포함하며, 상기 게터층은 제1, 2 더미 전극 중 적어도 한 더미 전극 상에 위치한다.The dummy electrode includes a first dummy electrode positioned side by side with the cathode electrode at the outermost side of the cathode electrodes, and a second dummy electrode positioned side by side with the gate electrode at the outermost side of the gate electrodes, the getter layer being the first And at least one dummy electrode of the two dummy electrodes.

상기 게터층이 비증발형 게터 물질로 이루어질 수 있으며, 이 경우 게터층은 지르코늄과 바나듐 및 철의 합금 물질과, 지르코늄과 알루미늄의 합금 물질 중 어느 하나로 이루어진다.The getter layer may be made of a non-evaporable getter material, in which case the getter layer is made of one of an alloy material of zirconium, vanadium and iron, and an alloy material of zirconium and aluminum.

또한 상기 게터층은 전자방출 물질로 이루어질 수 있으며, 이 경우 게터층은 카본 나노튜브(carbon nanotube;CNT), 그라파이트(graphite), 다이아몬드상 카본(diamond-like carbon;DLC), C₆₀(fulleren) 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어진다.In addition, the getter layer may be made of an electron-emitting material. In this case, the getter layer may include carbon nanotubes (CNT), graphite, diamond-like carbon (DLC), and C ₆₀ (fulleren). Any one or a combination thereof.

상기 캐소드 전극들은 절연층을 사이에 두고 게이트 전극들 위에 형성될 수 있으며, 이 경우 캐소드 전극의 일측 가장자리에 전자 방출원이 위치한다. 또한 더미 전극은 캐소드 전극들의 최외곽에서 캐소드 전극과 나란하게 위치하고, 게이트 전극과의 교차 영역에서 다수의 개구부를 형성하여 절연층을 노출시키며, 전자방출 물질로 이루어진 게터층이 더미 전극의 일측 가장자리와 각 개구부의 일측 가장자리에 위치한다.The cathode electrodes may be formed on the gate electrodes with an insulating layer interposed therebetween, in which case an electron emission source is positioned at one edge of the cathode electrode. In addition, the dummy electrode is positioned in parallel with the cathode electrode at the outermost side of the cathode electrodes, and forms a plurality of openings at an intersection area with the gate electrode to expose the insulating layer, and a getter layer made of an electron-emitting material has one edge and Located at one side edge of each opening.

상기 게이트 전극들은 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극들 위에 형성될 수 있으며, 이 경우 게이트 전극과 캐소드 전극의 교차 영역에서 게이트 전극과 절연 층에 홀들이 형성되고, 이 홀들에 의해 노출된 캐소드 전극 상에 전자 방출원이 위치한다.The gate electrodes may be formed on the cathode electrodes with an insulating layer interposed therebetween, in which case holes are formed in the gate electrode and the insulating layer at an intersection region of the gate electrode and the cathode electrode, and on the cathode electrode exposed by the holes. The electron emission source is located at.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,In addition, the present invention, in order to achieve the above object,

임의의 간격을 두고 대향 배치되는 제1 및 제2 기판과, 제1 기판 상에 형성되며 스캔 신호를 인가받는 제1 전극들과, 절연층을 사이에 두고 제1 전극들과 분리되어 위치하고, 데이터 신호를 인가받는 제2 전극들과, 제1 전극과 제2 전극 중 어느 한 전극에 마련되는 전자 방출원과, 제1 전극들의 최외곽에서 제1 전극과 나란하게 위치하고, 게터층을 구비하는 적어도 하나의 더미 전극과, 제2 기판 위에 형성되는 애노드 전극과, 애노드 전극의 어느 일면에 위치하는 형광막과, 더미 전극을 둘러싸면서 제1, 2 기판의 가장자리에 위치하여 두 기판을 접합시키는 밀봉 부재를 포함하는 전계 방출 표시장치를 제공한다.First and second substrates disposed at random intervals, first electrodes formed on the first substrate and receiving scan signals, and separated from the first electrodes with an insulating layer interposed therebetween; At least a getter layer, the second electrodes receiving a signal, an electron emission source provided at any one of the first electrode and the second electrode, and the getter layer positioned parallel to the first electrode at the outermost side of the first electrodes One dummy electrode, an anode electrode formed on the second substrate, a fluorescent film positioned on one surface of the anode electrode, and a sealing member for joining the two substrates at the edges of the first and second substrates while surrounding the dummy electrode. It provides a field emission display comprising a.

제1 기판 상에 설정된 유효 전자방출 영역 내에 전자 방출부를 형성하고, 제1 기판 상의 유효 전자방출 영역 외곽에 적어도 하나의 더미 전극을 형성하고, 더미 전극 위에 비증발형 게터 물질로 이루어진 게터층을 형성하고, 제2 기판 상에 발광부를 형성하고, 밀봉 부재를 이용하여 제1, 2 기판의 가장자리를 일체로 접합시키고, 제1, 2 기판의 내부 공간을 배기시키고, 더미 전극에 전류를 인가하여 게터층을 활성화함으로써 배기 후 내부 공간의 잔류 가스를 제거하는 단계를 포함하는 전계 방출 표시장치의 제조 방법을 제공한다.Forming an electron emission region in the effective electron emission region set on the first substrate, forming at least one dummy electrode outside the effective electron emission region on the first substrate, and forming a getter layer made of a non-evaporable getter material on the dummy electrode A light emitting part is formed on the second substrate, the edges of the first and second substrates are integrally bonded using a sealing member, the internal spaces of the first and second substrates are exhausted, and a current is applied to the dummy electrode to obtain a getter. A method of manufacturing a field emission display device comprising removing residual gas in an interior space after exhausting by activating the layer.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, In addition, the present invention, in order to achieve the above object,

제1 기판 상에 설정된 유효 전자방출 영역 내에 전자 방출부를 형성하고, 제1 기판 상의 유효 전자방출 영역 외곽에 적어도 하나의 더미 전극을 형성하고, 더미 전극 위에 전자방출 물질로 이루어진 게터층을 형성하고, 제2 기판 상에 발광부를 형성하고, 밀봉 부재를 이용하여 제1, 2 기판의 가장자리를 일체로 접합시키고, 제1, 2 기판의 내부 공간을 배기시키고, 게터층에 전계를 형성하여 게터층으로부터 전자를 방출시킴으로써 게터층의 전자방출 물질과 잔류 가스와의 반응을 통해 잔류 가스를 소모시키는 단계를 포함하는 전계 방출 표시장치의 제조 방법을 제공한다.Forming an electron emission portion in the effective electron emission region set on the first substrate, forming at least one dummy electrode outside the effective electron emission region on the first substrate, and forming a getter layer made of an electron emission material on the dummy electrode, A light emitting part is formed on the second substrate, the edges of the first and second substrates are integrally bonded using a sealing member, the internal spaces of the first and second substrates are exhausted, and an electric field is formed in the getter layer to form an electric field from the getter layer. A method of manufacturing a field emission display device comprising the step of consuming a residual gas by reacting an electron emitting material of a getter layer with a residual gas by emitting electrons.

이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계 방출 표시장치의 부분 분해 사시도이고, 도 2는 도 1의 A 방향에서 바라본 전계 방출 표시장치의 결합 상태 단면도이다.1 is a partially exploded perspective view of a field emission display device according to a first exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the field emission display device viewed from the direction A of FIG. 1.

도면을 참고하면, 전계 방출 표시장치는 임의의 간격을 두고 대향 배치되며 진공 용기를 구성하는 제1 기판(2)과 제2 기판(4)을 포함한다. 제1 기판(2)에는 전계 형성으로 전자를 방출하는 전자 방출부가 제공되고, 제2 기판(4)에는 전자에 의해 가시광을 방출하여 소정의 이미지를 구현하는 발광부가 제공된다.Referring to the drawings, the field emission display device includes a first substrate 2 and a second substrate 4 which are disposed to face each other at arbitrary intervals and constitute a vacuum container. The first substrate 2 is provided with an electron emission unit for emitting electrons by forming an electric field, and the second substrate 4 is provided with a light emission unit for emitting visible light by electrons to implement a predetermined image.

보다 구체적으로, 제1 기판(2) 위에는 게이트 전극(6)들이 일방향(도면의 Y방향)을 따라 라인 패턴으로 형성되고, 게이트 전극(6)들을 덮으면서 제1 기판(2)의 내면 전체에 절연층(8)이 형성된다. 절연층(8) 위에는 캐소드 전극(10)들이 게 이트 전극(6)과 교차하는 방향(도면의 X방향)을 따라 라인 패턴으로 형성되며, 캐소드 전극(10)과 게이트 전극(6)이 교차하는 화소 영역마다 캐소드 전극(10)의 일측 가장자리에 전자 방출원인 에미터(12)가 위치한다.More specifically, on the first substrate 2, the gate electrodes 6 are formed in a line pattern along one direction (the Y direction in the drawing), and cover the gate electrodes 6 on the entire inner surface of the first substrate 2. The insulating layer 8 is formed. On the insulating layer 8, the cathode electrodes 10 are formed in a line pattern along the direction in which the gate electrodes 6 intersect with the gate electrode 6 (the X direction in the drawing), and the cathode electrode 10 and the gate electrode 6 cross each other. An emitter 12, which is an electron emission source, is positioned at one edge of the cathode electrode 10 in each pixel region.

본 실시예에서 에미터(12)는 균일한 두께를 갖는 면 전자원으로서, 바람직하게 카본계 물질, 가령 카본 나노튜브(carbon nanotube;CNT), 그라파이트(graphite), 다이아몬드상 카본(diamond-like carbon;DLC), C₆₀(fulleren) 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어진다.The emitter 12 in this embodiment is a planar electron source having a uniform thickness, preferably a carbon-based material such as carbon nanotubes (CNTs), graphite, diamond-like carbons. ; DLC), C ₆₀ (fulleren), or a combination thereof.

그리고 제1 기판(2) 상에는 게이트 전극(6)의 전계를 절연층(8) 위로 끌어올리는 대향 전극(14)이 위치할 수 있다. 대향 전극(14)은 절연층(8)에 형성된 비아 홀(8a)을 통해 게이트 전극(6)과 접촉하여 이와 전기적으로 연결되며, 캐소드 전극(10)들 사이에서 에미터(12)와 임의의 간격을 두고 위치한다.In addition, the counter electrode 14 may be positioned on the first substrate 2 to raise the electric field of the gate electrode 6 over the insulating layer 8. The opposite electrode 14 is in contact with and electrically connected to the gate electrode 6 via a via hole 8a formed in the insulating layer 8, and between the emitter 12 and any of the cathode electrodes 10. Located at intervals.

상기 제1 기판(2)에 대향하는 제2 기판(4)의 일면에는 애노드 전극(16)이 형성되고, 애노드 전극(16)의 일면에는 적색, 녹색 및 청색의 형광막들(18R, 18G, 18B)이 비엠막(20)을 사이에 두고 위치한다. 애노드 전극(16)은 ITO(indium tin oxide)와 같은 투명 전극으로 구비된다. 한편, 형광막들(18R, 18G, 18B)과 비엠막(20) 표면에는 메탈 백(metal back) 효과에 의해 화면의 휘도를 높이는 금속막(도시하지 않음)이 위치할 수 있으며, 이 경우 투명 전극 없이 금속막을 애노드 전극으로 사용할 수 있다.An anode electrode 16 is formed on one surface of the second substrate 4 facing the first substrate 2, and red, green, and blue fluorescent films 18R, 18G, and one surface of the anode electrode 16 are formed. 18B is positioned with the BM film 20 therebetween. The anode electrode 16 is provided with a transparent electrode such as indium tin oxide (ITO). Meanwhile, on the surfaces of the fluorescent films 18R, 18G, and 18B and the BM film 20, a metal film (not shown) may be disposed to increase the brightness of the screen by a metal back effect, and in this case, transparent A metal film can be used as the anode electrode without the electrode.

상기한 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 사이에는 다수의 스페이서(22)가 배치되 어 두 기판(2, 4)의 간격을 일정하게 유지시킨다. 그리고 사이드 바(24)가 프릿 접합으로 제1, 2 기판(2, 4)의 가장자리에서 두 기판을 고정시키며, 제1, 2 기판(2, 4)과 사이드 바(24)로 이루어진 용기는 도시하지 않은 배기구를 통해 내부가 배기되어 진공 용기를 구성한다.A plurality of spacers 22 are disposed between the first substrate 2 and the second substrate 4 to maintain a constant distance between the two substrates 2 and 4. And a side bar 24 secures the two substrates at the edges of the first and second substrates 2 and 4 by frit bonding, and a container consisting of the first and second substrates 2 and 4 and the side bars 24 is shown. The interior is exhausted through an unexhausted vent to form a vacuum vessel.

도 3과 도 4는 각각 도 1에 도시한 캐소드 전극과 게이트 전극을 도시한 개략도이다. 도면을 참고하면, 본 실시예에서 캐소드 전극들(10)과 게이트 전극들(6)이 서로 직교하는 매트릭스 구조를 이루면서 캐소드 전극(10)에 에미터(12)가 마련되어 전자 방출이 일어나는 영역을 유효 전자방출 영역(26)이라 할 때, 유효 전자방출 영역(26) 외곽에 실제 화상 표시에 기여하지 않는 여분의 전극, 즉 더미 전극(28)이 형성되고, 더미 전극(28) 상에 게터층(30)이 마련된다.3 and 4 are schematic diagrams showing the cathode electrode and the gate electrode shown in FIG. 1, respectively. Referring to the drawings, in this embodiment, the cathode electrode 10 and the gate electrodes 6 form a matrix structure orthogonal to each other, and the emitter 12 is provided on the cathode electrode 10 so that an area where electron emission occurs is effective. In the electron emission region 26, an extra electrode, that is, a dummy electrode 28 that does not contribute to actual image display, is formed outside the effective electron emission region 26, and a getter layer (on the dummy electrode 28 is formed). 30) is provided.

본 실시예에서 더미 전극(28)은 캐소드 전극들(10)의 최외곽에서 캐소드 전극(10)과 나란하게 위치하면서 캐소드 전극(10)과 함께 스캔 신호 인가부(32)에 연결되는 제1 더미 전극(28a)과, 게이트 전극들(6)의 최외곽에서 게이트 전극(6)과 나란하게 위치하면서 데이터 신호 인가부(34)에 연결되는 제2 더미 전극(28b)으로 이루어진다.In the present exemplary embodiment, the dummy electrode 28 is positioned in parallel with the cathode electrode 10 at the outermost side of the cathode electrodes 10 and connected to the scan signal applying unit 32 together with the cathode electrode 10. An electrode 28a and a second dummy electrode 28b positioned parallel to the gate electrode 6 at the outermost side of the gate electrodes 6 and connected to the data signal applying unit 34 are provided.

제1 더미 전극(28a)은 유효 전자방출 영역(26)의 상, 하측 외곽에서 적어도 하나 이상으로 구비되며, 도면에서는 일례로 2개의 제1 더미 전극(28a)이 각각 유효 전자방출 영역(26)의 상, 하측 바깥에 위치하는 구성을 도시하였다. 제2 더미 전극(28b) 또한 유효 전자방출 영역(26)의 좌, 우측 외곽에서 적어도 하나 이상으로 구비되며, 도면에서는 일례로 2개의 제2 더미 전극(28b)이 각각 유효 전자방출 영역(26)의 좌, 우측 바깥에 위치하는 구성을 도시하였다.At least one first dummy electrode 28a is provided on the upper and lower edges of the effective electron emission region 26. In the drawing, for example, two first dummy electrodes 28a may be the effective electron emission region 26. The upper and lower sides of the configuration shown. The second dummy electrode 28b is also provided at least one outside of the left and right edges of the effective electron emission region 26. In the drawing, for example, the two second dummy electrodes 28b are each effective electron emission region 26. The configuration is located outside the left and right of the.

상기 게터층(30)은 제1, 2 더미 전극(28a, 28b) 가운데 표시장치의 내부 공간으로 노출된 제1 더미 전극(28a) 위에 형성된다. 일례로 게터층(30)은 한쌍의 제1 더미 전극(28a)과 그 사이에 위치하는 절연층(8)에 걸쳐 제1 더미 전극(28a) 방향을 따라 형성되거나, 도 5에 도시한 바와 같이 게터층(30')이 제1 더미 전극(28a) 상에서 제1 더미 전극(28a) 방향을 따라 형성될 수 있다. 본 실시예에서 게터층(30, 30')은 비증발형 게터로서, 바람직하게 지르코늄과 알루미늄의 합금 또는 지르코늄과 바나듐 및 철의 합금으로 이루어진다.The getter layer 30 is formed on the first dummy electrode 28a exposed to the internal space of the display device among the first and second dummy electrodes 28a and 28b. For example, the getter layer 30 is formed along the first dummy electrode 28a direction over the pair of first dummy electrodes 28a and the insulating layer 8 positioned therebetween, or as illustrated in FIG. 5. The getter layer 30 ′ may be formed on the first dummy electrode 28a along the direction of the first dummy electrode 28a. In this embodiment, the getter layers 30 and 30 'are non-evaporable getters, and are preferably made of an alloy of zirconium and aluminum or an alloy of zirconium, vanadium and iron.

한편, 더미 전극(28)은 캐소드 전극(10)과 게이트 전극(6) 가운데 어느 한 전극, 바람직하게 스캔 신호가 인가되는 전극들에 대응하여 이 전극들의 최외곽 영역에 선택적으로 구비될 수 있다.On the other hand, the dummy electrode 28 may be selectively provided in the outermost region of the electrodes corresponding to any one of the cathode electrode 10 and the gate electrode 6, preferably the electrodes to which the scan signal is applied.

이와 같이 구성되는 전계 방출 표시장치는, 외부로부터 게이트 전극(6), 캐소드 전극(10) 및 애노드 전극(16)에 소정의 전압을 공급하여 구동하는데, 일례로 캐소드 전극(10)에는 수∼수십 볼트 (-)전압의 스캔 신호가 인가되고, 게이트 전극(6)에는 수∼수십 볼트 (+)전압의 데이터 신호가 인가되며, 애노드 전극(16)에는 수백∼수천 볼트의 (+)전압이 인가된다(도 6 참고).The field emission display device configured as described above is driven by supplying a predetermined voltage to the gate electrode 6, the cathode electrode 10, and the anode electrode 16 from an external source. For example, the cathode electrode 10 has several to several tens of times. A scan signal of a volt (-) voltage is applied, a data signal of several to several tens of volts (+) voltage is applied to the gate electrode 6, and a positive voltage of several hundred to several thousand volts is applied to the anode electrode 16. (See FIG. 6).

이로서 스캔 신호와 데이터 신호가 모두 인가된 화소에 있어서, 캐소드 전극(10)과 게이트 전극(6)의 전압 차에 의해 에미터(12) 주위에 전계가 형성되어 에미터(12)로부터 전자가 방출되며, 방출된 전자들은 애노드 전극(16)에 인가된 고전압에 이끌려 제2 기판(4)으로 향하면서 해당 화소에 대응하는 형광막에 충돌하여 이를 발광시킴으로써 소정의 표시가 이루어진다.As a result, in the pixel to which both the scan signal and the data signal are applied, an electric field is formed around the emitter 12 due to the voltage difference between the cathode electrode 10 and the gate electrode 6 to emit electrons from the emitter 12. The emitted electrons are attracted by the high voltage applied to the anode electrode 16 to the second substrate 4 and collide with the fluorescent film corresponding to the corresponding pixel to emit a predetermined display.

이 때, 캐소드 전극들(10)의 최외곽에 제1 더미 전극(28a)이 위치함에 따라, 도 3에 도시한 화살표 방향을 따라 캐소드 전극들(10)에 1프레임의 스캔 신호를 인가할 때, 유효 전자방출 영역(26)의 상단 바깥에 위치하는 제1 더미 전극(28a)에 가장 먼저 스캔 신호가 인가되고, 유효 전자방출 영역(26)의 하단 바깥에 위치하는 제1 더미 전극(28a)에 가장 늦게 스캔 신호가 인가된다. 이로서 최외곽의 캐소드 전극(10)에서 일어날 수 있는 신호 왜곡이 실제 화상 표시에 기여하지 않는 제1 더미 전극(28a)에서 일어나게 된다.At this time, when the first dummy electrode 28a is positioned at the outermost side of the cathode electrodes 10, when a scan signal of one frame is applied to the cathode electrodes 10 in the arrow direction shown in FIG. 3. The scan signal is first applied to the first dummy electrode 28a positioned outside the upper end of the effective electron emission region 26, and the first dummy electrode 28a positioned outside the lower end of the effective electron emission region 26 is applied. The latest scan signal is applied to. This causes signal distortion that may occur at the outermost cathode electrode 10 to occur at the first dummy electrode 28a which does not contribute to the actual image display.

그 결과, 제1 더미 전극(28a)이 유효 전자방출 영역(26) 내에서의 신호 왜곡을 최소화하여 에미터(12)의 정밀한 온/오프 제어를 가능하게 한다. 상기한 제1 더미 전극(28a)의 기능은 게이트 전극들(6)의 최외곽에 위치하는 제2 더미 전극(28b)에도 동일하게 적용된다.As a result, the first dummy electrode 28a minimizes signal distortion in the effective electron emission region 26 to enable precise on / off control of the emitter 12. The function of the first dummy electrode 28a is equally applied to the second dummy electrode 28b positioned at the outermost side of the gate electrodes 6.

또한 제1 더미 전극(28a)은 그 상부에 게터층(30)을 형성함에 따라, 표시장치의 공간 효율을 높이면서 배기 후 내부 공간에 남아있는 잔류 가스를 효과적으로 포집하여 진공도를 높이는 기능을 갖는다.In addition, as the getter layer 30 is formed on the first dummy electrode 28a, the first dummy electrode 28a has a function of effectively collecting residual gas remaining in the internal space after exhausting and increasing the degree of vacuum while increasing the space efficiency of the display device.

즉, 본 실시예에 의한 전계 방출 표시장치는 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 상에 전술한 구성들을 형성하고, 사이드 바(24)와 프릿(36)을 이용하여 제1, 2 기판(2, 4)의 가장자리를 일체로 접합시키고, 제1, 2 기판(2, 4)의 내부 공간을 배기시킨 다음, 더미 전극(28a)에 소정의 전류를 인가하여 게터층(30)을 활성하는 단계를 통해 제작되며, 게터층(30) 활성화를 통해 배기 후 잔류 가스를 포집하여 내 부 공간을 고진공으로 유지시킨다.That is, the field emission display device according to the present exemplary embodiment forms the above-described components on the first substrate 2 and the second substrate 4, and uses the side bars 24 and the frits 36 to form the first, second, and third structures. The edges of the two substrates 2 and 4 are integrally bonded, the internal spaces of the first and second substrates 2 and 4 are exhausted, and a predetermined current is applied to the dummy electrode 28a to obtain the getter layer 30. It is produced through the step of activating, by collecting the residual gas after exhausting through the getter layer 30 to maintain the internal space at a high vacuum.

이 때, 게터층(30)의 활성화는 더미 전극(28a)에 0.5∼3 mA의 전류를 5분 정도 흐르게 함으로써 가능하며, 게터 물질의 종류와 게터층(30)의 두께 및 제1, 2 기판(2, 4)의 크기와 초기 진공도 등에 따라 더미 전극(28a)에 인가되는 전류값이나 인가 시간 등은 변화될 수 있다.At this time, the getter layer 30 can be activated by flowing a current of 0.5 to 3 mA to the dummy electrode 28a for about 5 minutes, and the type of getter material, the thickness of the getter layer 30, and the first and second substrates. Depending on the size (2, 4) and the initial vacuum degree, the current value or the application time applied to the dummy electrode 28a may be changed.

이와 같이 본 실시예에 의한 전계 방출 표시장치는 협소한 내부 공간을 갖고 있음에도 불구하고 전술한 게터층(30)을 이용해 배기 후 내부 공간에 남아있는 잔류 가스를 포집하여 진공도를 높인다. 이 때, 게터층(30)은 충분한 양의 게터 물질이 표시장치 내부에 위치하도록 적어도 하나의 제1 더미 전극(28a)을 덮으면서 형성되어 잔류 가스 포집 효율을 높이도록 한다.As described above, the field emission display device according to the present embodiment collects the residual gas remaining in the internal space after exhaust using the getter layer 30 to increase the degree of vacuum even though the field emission display device has a narrow internal space. In this case, the getter layer 30 is formed while covering the at least one first dummy electrode 28a so that a sufficient amount of getter material is located inside the display device to increase the residual gas collection efficiency.

한편, 게터층은 전술한 비증발형 게터 물질 이외에 에미터(12)와 동일한 전자방출 물질로 이루어질 수 있다. 이 게터층은 유효 전자방출 영역(26) 내의 에미터(12)를 에이징(aging)하기 전, 게터층이 먼저 에이징되어 게터층을 구성하는 전자방출 물질과 잔류 가스의 반응을 통해 잔류 가스를 사전에 소모하여 제거하게 된다.Meanwhile, the getter layer may be made of the same electron emitting material as the emitter 12 in addition to the non-evaporable getter material described above. The getter layer is formed by first reacting the electron-emitting material constituting the getter layer with the residual gas to preliminary residual gas before aging the emitter 12 in the effective electron emission region 26. Will be consumed and removed.

도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 전계 방출 표시장치 중 제1 기판의 부분 평면도이다. 도면을 참고하면, 게터층(38)은 대향 전극(14)과 마주하는 제1 더미 전극(40)의 일측 가장자리에 위치한다. 바람직하게 제1 더미 전극(40)은 게터층(38)의 개수를 늘이기 위해 캐소드 전극(10)보다 큰 폭으로 형성되고, 게이트 전극(6)과의 교차 영역에서 제1 더미 전극(40)의 일부를 제거하여 절연층(8)을 노출시키는 다수의 개구부(40a)를 형성함과 아울러 각 개구부(40a)의 일측 가장자리에 게터층(38)을 형성한다.7 is a partial plan view of a first substrate of a field emission display according to a second exemplary embodiment of the present invention. Referring to the drawing, the getter layer 38 is positioned at one edge of the first dummy electrode 40 facing the counter electrode 14. Preferably, the first dummy electrode 40 is formed to have a larger width than the cathode electrode 10 in order to increase the number of getter layers 38, and the first dummy electrode 40 may be formed at an intersection area with the gate electrode 6. A part is removed to form a plurality of openings 40a exposing the insulating layer 8 and a getter layer 38 is formed at one edge of each opening 40a.

이로서 제1 더미 전극(40)에 구비된 게터층(38)의 전자방출 물질은 캐소드 전극(10) 라인에 구비된 에미터(12)의 전자방출 물질보다 많은 양으로 형성되어 잔류가스 포집 효율을 높이게 된다.As a result, the electron-emitting material of the getter layer 38 provided in the first dummy electrode 40 is formed in a larger amount than the electron-emitting material of the emitter 12 provided in the cathode electrode 10 line, thereby improving residual gas collection efficiency. Raised.

본 실시예에 의한 전계 방출 표시장치는 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 상에 전술한 구성들을 형성하고, 사이드 바(24)와 프릿(36)을 이용하여 제1, 2 기판(2, 4)의 가장자리를 일체로 접합시키고, 제1, 2 기판(2, 4)의 내부 공간을 배기 후 밀봉시킨 다음, 게터층(38)에 전계를 인가하여 게터층(38)으로부터 전자를 방출시키는 게터층(38) 에이징 단계 및 캐소드 전극(10) 상의 에미터(12)에 전계를 인가하여 에미터(12)로부터 전자를 방출시키는 에미터(12) 에이징 단계를 통해 제작된다.In the field emission display device according to the present exemplary embodiment, the above-described components are formed on the first substrate 2 and the second substrate 4, and the first and second substrates are formed by using the side bars 24 and the frits 36. The edges of (2, 4) are integrally bonded, the internal spaces of the first and second substrates 2, 4 are exhausted and sealed, and then an electric field is applied to the getter layer 38 to form electrons from the getter layer 38. It is produced through the aging step of the getter layer 38 to emit light and the aging step of the emitter 12 to emit electrons from the emitter 12 by applying an electric field to the emitter 12 on the cathode electrode 10.

따라서 본 실시예에 의한 전계 방출 표시장치는 게터층(38) 에이징 단계에서 게터층(38)의 전자방출 물질과 잔류 가스의 반응을 통해 잔류 가스를 소모하여 제거시킴으로써 내부 공간을 고진공으로 유지할 수 있다.Therefore, the field emission display device according to the present exemplary embodiment may maintain the internal space at a high vacuum by consuming and removing residual gas through reaction of the electron-emitting material of the getter layer 38 and the residual gas in the getter layer 38 aging step. .

상기 게터층(38)의 에이징 단계는 제1 더미 전극(40)과 게이트 전극(6)에 소정의 구동 전압을 인가하여 게터층(38)에 전계를 형성하는 과정으로 이루어진다. 보다 구체적으로 게터층(38) 에이징시 제1 더미 전극(40)과 게이트 전극(6)간 전압은 문턱 전압(threshold voltage) 이상에서 시작하여 여러 단계로 나누어 차츰 인가 전압을 증가시키며 진행되고, 최종적으로는 유효 전자방출 영역의 정상 구동 전압보다 30∼50V 이상 높은 전압을 인가하여 에이징한다. 이로서 유효 전자방출 영 역의 에미터(12)에서 전자 방출이 일어날 때 제1 더미 전극(40)에 형성된 게터층(38)으로부터 전자가 방출되지 않도록 한다. 이 때, 애노드 전극(16)에는 아크 방전 등을 고려하여 2kV 이내의 낮은 전압을 인가한다.The aging step of the getter layer 38 is performed by applying a predetermined driving voltage to the first dummy electrode 40 and the gate electrode 6 to form an electric field in the getter layer 38. More specifically, when the getter layer 38 is aged, the voltage between the first dummy electrode 40 and the gate electrode 6 starts at a threshold voltage or more and is divided into several steps to gradually increase the applied voltage. The aging is applied by applying a voltage 30 to 50 V higher than the normal driving voltage of the effective electron emission region. This prevents electrons from being emitted from the getter layer 38 formed on the first dummy electrode 40 when electron emission occurs in the emitter 12 in the effective electron emission region. At this time, a low voltage within 2 kV is applied to the anode electrode 16 in consideration of arc discharge or the like.

이와 같이 게터층(38)을 에미터(12)와 동일한 전자방출 물질, 일례로 카본 나노튜브로 구성하면, 별도의 게터 물질을 이용하지 않고도 에미터(12)의 전자방출 물질, 즉 카본 나노튜브에 직접적인 영향을 주는 유해 기체를 유효 전자방출 영역(26)의 최단거리에서 선택적으로 제거할 수 있다. 따라서 본 실시예에 의한 전계 방출 표시장치는 에미터(12)의 수명을 높이고, 화면의 발광 균일도와 발광 충실도를 향상시키는 장점을 갖는다.Thus, if the getter layer 38 is composed of the same electron-emitting material as the emitter 12, for example carbon nanotubes, the electron-emitting material of the emitter 12, that is, carbon nanotubes without using a separate getter material It is possible to selectively remove the harmful gas that directly affects the shortest distance of the effective electron emission region 26. Therefore, the field emission display device according to the present exemplary embodiment has the advantage of increasing the lifetime of the emitter 12 and improving the uniformity and emission fidelity of the screen.

한편, 상기에서는 절연층(8)을 사이에 두고 게이트 전극(6)이 캐소드 전극(10) 하부에 위치하는 구성에 대해 설명하였으나, 전자 방출부의 구성은 전술한 실시예에 한정되지 않고, 다음과 같이 게이트 전극이 캐소드 전극 상부에 위치하는 구성도 가능하다.Meanwhile, in the above, the structure in which the gate electrode 6 is positioned below the cathode electrode 10 with the insulating layer 8 interposed therebetween has been described. However, the structure of the electron emission unit is not limited to the above-described embodiment. Likewise, the structure in which the gate electrode is located above the cathode electrode is possible.

도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 전계 방출 표시장치의 부분 분해 사시도이고, 도 9는 도 8의 A 방향에서 바라본 전계 방출 표시장치의 결합 상태 단면도이다.FIG. 8 is a partially exploded perspective view of a field emission display device according to a third exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a cross-sectional view of the field emission display device viewed from the direction A of FIG. 8.

도면을 참고하면, 게이트 전극(42)은 절연층(44)을 사이에 두고 캐소드 전극(46) 상부에 위치하고, 캐소드 전극(46)과 게이트 전극(42)이 교차하는 화소 영역에서 게이트 전극(42)과 절연층(44)에 홀(48)들이 형성되며, 이 홀(48)들에 의해 노출된 캐소드 전극(46) 표면으로 전자 방출원인 에미터(50)가 위치한다. Referring to the drawings, the gate electrode 42 is positioned above the cathode electrode 46 with the insulating layer 44 interposed therebetween, and the gate electrode 42 is disposed in the pixel region where the cathode electrode 46 and the gate electrode 42 cross each other. Holes 48 are formed in the insulating layer 44, and the emitter 50, which is an electron emission source, is positioned on the surface of the cathode electrode 46 exposed by the holes 48.

그리고 제1 더미 전극(52a)이 게이트 전극(42)들의 최외곽에서 게이트 전극(42)과 나란하게 위치하며, 그 상부 표면에 비증발형 게터 물질로 이루어진 게터층(54)이 위치한다. 이로서 표시장치 배기 후 제1 더미 전극(52a)에 전류를 인가하여 게터층(54)을 활성화함으로써 잔류 가스를 포집하여 진공도를 향상시킨다. 이 때, 제2 더미 전극(52b)이 캐소드 전극(46)들의 최외곽에서 캐소드 전극(46)과 나란하게 형성될 수 있다.In addition, the first dummy electrode 52a is positioned parallel to the gate electrode 42 at the outermost sides of the gate electrodes 42, and a getter layer 54 made of a non-evaporable getter material is disposed on an upper surface thereof. Thus, after evacuating the display device, a current is applied to the first dummy electrode 52a to activate the getter layer 54 to collect residual gas to improve the degree of vacuum. In this case, the second dummy electrode 52b may be formed to be parallel to the cathode electrode 46 at the outermost side of the cathode electrodes 46.

도 10은 본 발명의 제4 실시예에 따른 전계 방출 표시장치의 부분 단면도로서, 캐소드 전극, 게이트 전극, 에미터 및 제1, 2 더미 전극의 구성은 전술한 제3 실시예와 동일하고, 제2 더미 전극(52b)의 상부 표면에 에미터와 동일한 전자방출 물질로 이루어진 게터층(56)이 구비된다.FIG. 10 is a partial cross-sectional view of a field emission display device according to a fourth embodiment of the present invention, in which the cathode, gate electrode, emitter, and first and second dummy electrodes are the same as in the above-described third embodiment. A getter layer 56 made of the same electron-emitting material as the emitter is provided on the upper surface of the two dummy electrodes 52b.

이로서 표시장치 배기 후 제2 더미 전극(52b)과 게이트 전극(42) 사이에 소정의 구동 전압을 인가하면, 게터층(56)에 전계가 형성되어 이로부터 전자가 방출되고, 게터층(56)의 전자방출 물질, 예를 들어 카본 나노튜브와 표시장치 내부의 잔류 가스가 반응하면서 잔류 가스를 소모하여 에미터에 유해한 잔류 가스를 제거함과 동시에 표시장치 내부를 고진공으로 유지시킨다.As a result, when a predetermined driving voltage is applied between the second dummy electrode 52b and the gate electrode 42 after the display device is exhausted, an electric field is formed in the getter layer 56 to emit electrons from the getter layer 56. The electron-emitting material of, for example, carbon nanotubes and the residual gas in the display device react to consume the residual gas to remove the residual gas harmful to the emitter and maintain the inside of the display device at a high vacuum.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, Of course.

이와 같이 본 실시예에 따르면, 유효 전자방출 영역 외곽에 여분의 전극, 즉 더미 전극을 형성하여 신호 왜곡을 최소화함으로써 구동회로를 보정하거나 구동 방법을 변경하지 않고도 안정된 발광 특성을 얻을 수 있다. 또한 본 실시예에 따르면, 전계 방출 표시장치의 협소한 내부 공간에도 불구하고 전술한 게터층 구성에 의해 효율적으로 게터를 형성하여 에미터에 유해한 특정 기체를 제거하거나 진공도를 높이는 효과를 얻을 수 있다. 따라서 본 발명은 에미터의 수명을 높이고, 화면의 발광 충실도와 발광 균일도를 높이는 효과가 있다. As described above, according to the present exemplary embodiment, an extra electrode, that is, a dummy electrode is formed outside the effective electron emission region to minimize signal distortion, thereby obtaining stable light emission characteristics without correcting the driving circuit or changing the driving method. In addition, according to the present exemplary embodiment, despite the narrow internal space of the field emission display device, the getter layer may be efficiently formed by the above-described getter layer structure to remove specific gases harmful to the emitter or to increase the degree of vacuum. Therefore, the present invention has the effect of increasing the lifetime of the emitter and improving the light emission fidelity and the uniformity of light emission of the screen.

Claims

First and second substrates opposed to each other at arbitrary intervals;

Cathode electrodes and gate electrodes disposed on the first substrate with an insulating layer interposed therebetween and positioned in an effective electron emission region on the first substrate;

An electron emission source provided at the cathode electrode;

At least one dummy electrode positioned outside the effective electron emission region and having a getter layer;

An anode formed on the second substrate;

A fluorescent film positioned on one surface of the anode electrode; And

A sealing member surrounding the dummy electrode and joined to the two substrates at edges of the first and second substrates.

Including,

A first dummy electrode connected to a scan signal applying unit together with the cathode while the dummy electrode is positioned parallel to the cathode electrode at the outermost side of the cathode electrodes, and parallel to the gate electrode at the outermost side of the gate electrodes; And a second dummy electrode connected to the data signal applying unit, wherein the getter layer is disposed on at least one of the first and second dummy electrodes.

delete

The method of claim 1,

And a getter layer comprising a non-evaporable getter material.

The method of claim 3,

And the getter layer is one of an alloy material of zirconium, vanadium and iron, and an alloy material of zirconium and aluminum.

The method of claim 3,

And the getter layer is formed along at least one dummy electrode and an insulating layer in a dummy electrode direction.

The method of claim 1,

And a getter layer comprising an electron-emitting material.

7. The method according to claim 1 or 6,

The electron emission source and the getter layer are made of one or a combination of carbon nanotubes (CNT), graphite, graphite-like carbon (DLC), and C ₆₀ (fulleren). Emission indicator.

The method of claim 6,

The electron emission material of the getter layer provided in the dummy electrode line is formed in an amount larger than the electron emission material of the electron emission source provided in one cathode electrode line.

The method of claim 1,

And the cathode electrodes are formed on the gate electrodes with an insulating layer interposed therebetween, and the electron emission source is located at one edge of the cathode electrode.

The method of claim 6 or 9,

The dummy electrode is positioned parallel to the cathode electrode at the outermost side of the cathode electrodes, and forms a plurality of openings at an intersection area with the gate electrode to expose the insulating layer, and a getter layer made of an electron-emitting material is formed at one edge of the dummy electrode. A field emission display device formed at one edge of each opening.

The method of claim 1,

The gate electrodes are formed on the cathode electrodes with an insulating layer interposed therebetween, and holes are formed in the gate electrode and the insulating layer at an intersection region of the gate electrode and the cathode electrode, and an electron emission source is formed on the cathode electrode exposed by the holes. This is a field emission display.

delete

Forming cathode electrodes and gate electrodes disposed on the first substrate with the insulating layer interposed therebetween and positioned in the effective electron emission region set on the first substrate;

Forming an electron emission source on the cathode electrode;

A first dummy electrode positioned outside the effective electron emission region on the first substrate, the first dummy electrode connected to a scan signal applying unit together with the cathode electrode at the outermost side of the cathode electrodes and parallel to the cathode electrode; Forming a dummy electrode including a second dummy electrode positioned at the outermost side by side with the gate electrode and connected to a data signal applying unit;

Forming a getter layer made of an electron-emitting material on the dummy electrode;

Forming a light emitting portion on the second substrate;

Integrally joining edges of the first and second substrates using a sealing member;

Exhausting internal spaces of the first and second substrates;

Forming an electric field in the getter layer and releasing electrons from the getter layer to consume residual gas through a reaction between the electron-emitting material of the getter layer and the residual gas

Method of manufacturing a field emission display comprising a.

The method of claim 15,

The electron emission unit includes a cathode electrode disposed with an insulating layer interposed therebetween, and an electron emission source positioned on the gate electrode and the cathode electrode,

A voltage is applied between any one of the cathode electrode and the gate electrode and the dummy electrode to apply an electric field to the getter layer,

When the electric field is applied to the getter layer, the voltage value is gradually increased from a voltage equal to or greater than a threshold voltage between any one of the cathode electrode and the gate electrode and the dummy electrode, and finally, an emi positioned in the effective electron emission region. A method of manufacturing a field emission display device that emits electrons by applying a voltage 30 to 50 V higher than the normal driving voltage of the emitter.

The method of claim 15,

When forming the getter layer, formed of any one or a combination of carbon nanotubes (CNT), graphite, diamond-like carbon (DLC), C ₆₀ (fulleren) Method of manufacturing a field emission display.