KR101058156B1 - Heat sink manufacturing method and heat sink manufactured by the method - Google Patents
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Abstract
본 발명은 메모리나 인쇄 회로 기판(printed circuit board) 등에 사용되는 방열판(heat sink)의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 방열판에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 스퍼터링(sputtering) 방식을 이용하여 소정 재질의 박막을 방열판의 표면에 코팅하여 열전도성이 우수하고 산화에 강한 특성을 갖는 방열판의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 방열판이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a heat sink used in a memory, a printed circuit board, and the like, and to a heat sink manufactured by the method. More specifically, a method of manufacturing a heat sink having excellent thermal conductivity and strong oxidation resistance by coating a thin film of a predetermined material on the surface of a heat sink using a sputtering method and a heat sink manufactured by the method.
본 발명에 의하면, 기존의 방열판 제조 시 수반되는 산화막 처리(anodizing) 또는 도장 처리로 인해 야기되는 방열판의 열전도성 저하 문제를 해결할 수 있다. 또한 구리 박막 코팅 처리를 한 표면 위에 스퍼터링 방식을 이용하여 다시 산화티타늄(TiO2) 또는 산화규소(SiO2) 박막 등을 코팅함으로써 대기 중에 산화를 막을 수 있으며 염수 저항성을 높일 수 있다.According to the present invention, it is possible to solve the problem of lowering the thermal conductivity of the heat sink caused by the oxide film treatment (anodizing) or coating process accompanying the conventional heat sink manufacturing. In addition, by using a sputtering method on the surface of the copper thin film coating process, the titanium oxide (TiO 2 ) or silicon oxide (SiO 2 ) thin film is coated again to prevent oxidation in the air and to improve salt water resistance.
Description
본 발명은 메모리나 인쇄 회로 기판(printed circuit board) 등에 사용되는 방열판의 제조방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 스퍼터링(sputtering) 방식을 이용하여 방열판의 표면에 소정 재질의 박막을 코팅함으로써 우수한 열전도 특성 및 내부식 특성을 갖게 한 방열판의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 방열판에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a heat sink for use in a memory, a printed circuit board, and the like. More particularly, the present invention relates to a method of manufacturing a heat sink having excellent thermal conductivity and corrosion resistance by coating a thin film of a predetermined material on the surface of the heat sink using a sputtering method, and a heat sink manufactured by the method.
일반적으로, 전기전자 산업분야에 사용되는 메모리나 인쇄 회로 기판 등은 동작 중에 열을 발생시키고, 이렇게 발생된 열은 장치의 정상적인 동작을 방해하는 요인이 될 수 있으므로 열전도율이 높은 재질로 방열판을 제작하여 인쇄회로기판 등에서 발생하는 열을 공기 중으로 발산시키도록 하고 있다.In general, a memory or a printed circuit board used in the electrical and electronics industry generates heat during operation, and the heat generated as such may interfere with the normal operation of the device, so that a heat sink is made of a material having high thermal conductivity. In order to dissipate heat generated in a printed circuit board and the like into the air.
열전도 특성이 좋은 방열판의 소재로는 가볍고 가공이 용이한 알루미늄이 주로 사용되고 있다.As a material for heat sinks having good thermal conductivity, light aluminum and easy processing are mainly used.
방열판의 소재로 주로 사용되는 알루미늄은 열전도율이 높을 뿐만 아니라 가볍고 가공이 용이한 장점도 갖추고 있으나, 대기 중의 산소와 쉽게 반응하여 산화(즉, 부식)되어 버리는 문제점이 있었다.Aluminum, which is mainly used as a heat sink material, has not only a high thermal conductivity but also a light and easy process, but has a problem in that it easily reacts with oxygen in the air and oxidizes (ie, corrodes).
이러한 문제점을 해결하기 위해 종래에는 방열판의 표면에 산화막 처리(anodizing)를 하거나 도장(2)을 하여 사용하였다. 이와 같이 알루미늄 위에 산화막 또는 도장 처리를 한 종래의 방열판 구조가 도1에 도시되어 있다. In order to solve this problem, conventionally, the surface of the heat sink has been used by anodizing or coating (2). Thus, a conventional heat sink structure in which an oxide film or a coating treatment is applied on aluminum is shown in FIG.
그러나, 도1에 도시된 바와 같은 종래기술에서와 같이 방열판의 표면에 산화막 처리나 도장을 하는 경우, 산화막 및 도장에 쓰이는 안료가 부도체이기 때문에 방열판의 열전도율이 떨어지게 되고, 결과적으로 방열판의 방열 효율을 저하시키게 되는 또 다른 문제점이 발생하게 된다.However, when the oxide film treatment or coating is applied to the surface of the heat sink as in the prior art as shown in FIG. 1, since the pigment used for the oxide film and the coating is a non-conductor, the thermal conductivity of the heat sink is lowered. Another problem arises that results in degradation.
본 발명은 상기한 바와 같은 종래 방열판의 문제점을 해결하여 부식에 강하면서도 열전도율이 우수한 방열판 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 방열판을 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a heat sink manufacturing method and a heat sink produced by the method to solve the problems of the conventional heat sink as described above and excellent in thermal conductivity while being resistant to corrosion.
본 발명에 따른 방열판 제조 방법은, 소정의 금속 재질의 방열판 표면에 스퍼터링법을 이용하여 구리(Cu) 또는 질화알루미늄(AlN)박막을 코팅하는 제1단계를 포함한다.The heat sink manufacturing method according to the present invention includes a first step of coating a copper (Cu) or aluminum nitride (AlN) thin film on the surface of a heat sink of a predetermined metal material by sputtering.
본 발명의 다른 실시예에서는, 상기 제1단계에서 코팅된 구리 박막 위에 다시 스퍼터링법을 이용하여 산화티타늄(TiO2) 또는 산화규소(SiO2) 박막을 코팅하는 제2단계를 더 포함한다.In another embodiment of the present invention , the method further includes a second step of coating the titanium oxide (TiO 2 ) or silicon oxide (SiO 2 ) thin film by sputtering again on the copper thin film coated in the first step.
여기서 상기 질화알루미늄(AlN), 산화티타늄(TiO2) 및 산화규소(SiO2) 박막의 두께는 1000Å이하인 것이 바람직하다.The thickness of the aluminum nitride (AlN), titanium oxide (TiO 2 ) and silicon oxide (SiO 2 ) thin film is preferably 1000 Pa or less.
본 발명에 의하면, 아노다이징(anodizing) 처리 또는 도장 처리로 인하여 열전도율이 낮아지게 되는 기존 방열판의 문제점을 개선하여, 방열판 제조에 아노다이징 또는 도장 처리 대신 스퍼터링 방식에 의한 구리 또는 질화알루미늄 박막 코팅을 적용함으로써 열전도율을 높일 수 있으며, 질화알루미늄, 산화티타늄 또는 산화규소 박막에 의해 대기 중 산화를 방지하는 염수저항성을 높일 수 있다. 또한 스퍼터를 이용함으로써 대량 생산이 가능하여 낮은 비용으로 생산할 수 있는 이점도 있다.According to the present invention, by improving the problem of the existing heat sink that the thermal conductivity is lowered due to anodizing or painting treatment, by applying a copper or aluminum nitride thin film coating by the sputtering method instead of the anodizing or painting treatment in the heat sink manufacturing By increasing the aluminum nitride, titanium oxide or silicon oxide thin film it can increase the salt resistance to prevent oxidation in the atmosphere. In addition, the use of a sputter can be mass-produced, there is an advantage that can be produced at a low cost.
이하, 본 발명의 실시 예에 대한 구성 및 그 작용을 첨부한 도면을 참조하면서 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the configuration and operation of the embodiment of the present invention will be described in detail.
본 발명의 설명에 앞서 본 발명과 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체 적인 기술은 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략하기로 한다.Prior to the description of the present invention, a detailed description of known functions or configurations related to the present invention will be omitted if it is determined that the gist of the present invention may be unnecessarily obscured.
또한, 후술 되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자 및 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서 그러한 정의는 본 명세서 전반에 걸쳐 기재된 내용을 바탕으로 판단되어야 할 것이다.In addition, terms to be described below are terms defined in consideration of functions in the present invention, which may vary according to intentions or customs of users and operators. Therefore, such a definition should be determined based on the contents described throughout the specification.
본 발명에 적용되는 스퍼터링 방식은, 소정의 가스를 진공 상태의 챔버(camber) 내에 주입하고 여기에 전자기적 에너지를 가하여 챔버 내의 가스를 이온화시킴으로써 플라즈마를 생성시킨 후, 상기 플라즈마 내의 입자를 성막하고자 하는 타겟(target) 물질에 충돌시켜 이 충돌에 의해 타겟으로부터 분리된 물질을 기판(substrate)에 코팅(coating)시키는 방법이다.According to the sputtering method applied to the present invention, after a predetermined gas is injected into a chamber in a vacuum state and electromagnetic energy is applied thereto to ionize the gas in the chamber, a plasma is formed to form a particle in the plasma. A method of colliding a target material and coating a material separated from the target by the collision onto a substrate.
일반적으로 스퍼터링(sputtering)에 사용되는 가스로는 아르곤(Ar), 네온(Ne) 등의 불활성 가스(inert gas)를 사용한다. 스퍼터(sputter)시스템은 타겟(target)을 음극(cathod)으로 사용하고, 기판을 양극(anode)으로 사용한다. 챔버 내에 전원을 인가하면 주입된 스퍼터링(sputtering) 가스가 이온화(Ar+)되고, 이 이온들은 음극인 타겟(target)으로 끌려서 타겟(target)과 충돌한다.In general, an inert gas such as argon (Ar) or neon (Ne) is used as a gas used for sputtering. A sputter system uses a target as a cathode and a substrate as an anode. When power is applied to the chamber, the injected sputtering gas is ionized (Ar +), and these ions are attracted to the target, which is the cathode, and collide with the target.
이온들이 타겟과 충돌하면 충돌 전 이온들이 갖고 있던 에너지가 타 겟(target)으로 전달되고, 원자, 분자 등의 타겟 물질 입자가 타겟으로부터 떨어져 챔버 내로 부유하게 되며, 이렇게 타겟으로부터 떨어져 나온 타겟 물질이 기판 위에 박막으로 형성되는 것이다.When the ions collide with the target, the energy of the ions before the collision is transferred to the target, and particles of target material such as atoms and molecules are suspended from the target and suspended in the chamber. It is formed as a thin film on the top.
여기서 인가된 전원이 직류(direct current, DC)일 경우를 직류 스퍼터링법(DC sputtering method)이라 하며, 일반적으로 전도체의 스터퍼링에 사용된다. 절연체와 같은 부도체는 교류 전원을 사용하여 박막을 제조한다. 이때 교류전원은 13.56MHz의 주파수를 가지며 이를 RF(Radio Frequency)라 한다. 이러한 교류 전원을 인가전원으로 사용하는 스퍼터링법을 교류 스퍼터링(RF sputtering)법이라 한다. RF sputtering법은 다른 디지털 회로에 noise의 발생 원인이 될 수 있으므로 시스템적으로 noise filter나 절연체에 의해 차폐 및 접지하여 사용한다. 마그네트론 스퍼터링 (magnetron sputtering)은 발생된 플라즈마를 영구자석에서 발생하는 자속(flux)에 의해 보다 더 높은 밀도로 모은 후 기판에 성막시키는 방법이다. 이렇게 자속으로 플라즈마를 가두어 밀도를 높이면 전체적으로 발생한 플라즈마가 균일하게 되고 결과적으로 균일한 박막을 제조할 수 있게 된다. Here, the case where the applied power is direct current (DC) is called a DC sputtering method and is generally used for stuffing of a conductor. Insulators, such as insulators, use an AC power source to produce thin films. At this time, AC power has a frequency of 13.56MHz and this is called RF (Radio Frequency). The sputtering method using such an AC power source as an applied power source is called an AC sputtering method. RF sputtering method can cause noise in other digital circuits, so it is used by shielding and grounding by noise filter or insulator systematically. Magnetron sputtering is a method in which the generated plasma is collected at a higher density by flux generated in the permanent magnet and then deposited on the substrate. When the plasma is confined by the magnetic flux and the density is increased, the plasma generated as a whole becomes uniform, and as a result, a uniform thin film can be manufactured.
영구자석은 NbFeB계가 주로 사용되며 과거에는 링(ring)형태를 여러 개 합쳐서 제조하였지만 현재는 평판(planner)형태로 제작한다. Magnetron은 target밑에 놓으며 인가된 전원에 따라 RF／DC magnetron sputtering이라 한다.Permanent magnets are mainly used in NbFeB system. In the past, they were manufactured by combining several ring shapes, but now they are manufactured in planer shape. The magnetron is placed under the target and is called RF / DC magnetron sputtering depending on the applied power.
이러한 스퍼터링법을 이용한 박막의 제조기술은 코팅층의 두께를 수십 ㎚까 지 정밀하게 조절할 수 있으며, 간단한 마스크를 사용하여 부분 코팅과정을 매우 용이하게 처리할 수 있다.The manufacturing technology of the thin film using the sputtering method can precisely control the thickness of the coating layer to several tens of nm, it is possible to handle the partial coating process very easily using a simple mask.
도 2는 본 발명에 따른 방열판 외관의 구리 박막 코팅과정을 나타낸 흐름도이다.Figure 2 is a flow chart showing a copper thin film coating process of the heat sink according to the present invention.
도 2에 도시된 바와 같이, 소정의 금속 재질(예를 들어, 알루미늄)의 방열판 표면에 스퍼터링법을 이용하여 구리 또는 질화알루미늄 박막을 코팅(S220)한다. As shown in FIG. 2, a copper or aluminum nitride thin film is coated on the surface of a heat sink of a predetermined metal material (eg, aluminum) by using a sputtering method (S220).
종래의 아노다이징 처리나 도장 처리는 알루미늄 방열판의 열전도율을 떨어 뜨리지만 구리는 알루미늄보다도 열전도율이 뛰어나므로 방열판의 열전도 효율을 절대 저해하지 않는다.Conventional anodizing and painting treatments lower the thermal conductivity of the aluminum heat sink, but copper has a higher thermal conductivity than aluminum, so it does not impede the heat conduction efficiency of the heat sink.
질화 알루미늄 박막은 절연체임에도 열전도율이 뛰어나고 내환경 특성이 우수하다.Although the aluminum nitride thin film is an insulator, it has excellent thermal conductivity and excellent environmental resistance.
구리의 우수한 열전도 특성에 더하여 산화 문제 및 염수 저항성까지 추가로 고려한다면 상기 단계에서 형성된 구리 박막 위에 다시 스퍼터링법을 이용하여 ITO나 SnO2 같은 투명 전도성 산화물을 한 층 더 형성하는 것도 좋다.In addition to the excellent thermal conductivity of copper, oxidation problems and salt water resistance may be further considered, and a further transparent conductive oxide such as ITO or SnO 2 may be further formed on the copper thin film formed in the above step by sputtering.
또는 단순히 TiO2나, SiO2 막을 스퍼터링 코팅해도 그 스퍼터링 막의 두께가 옹스트롱 단위로 얇게 올라가기 때문에 마이크로 단위의 두께를 요하는 아노다이징이나 도장 처리에 비해 열 전도성이 훨씬 뛰어나다.Alternatively, even if the TiO 2 or SiO 2 film is sputtered coated, the thickness of the sputtered film is increased thinly in angstrom units, so the thermal conductivity is much higher than that of anodizing or painting process requiring a micro unit thickness.
바람직하게는 위 투명 전도성 산화물 막이나, 산화티타늄 또는 산화규소 박막의 두께는 1000Å이하가 되게 한다.Preferably the thickness of the transparent conductive oxide film, or the titanium oxide or silicon oxide thin film is to be less than 1000Å.
상기와 같은 과정을 거쳐 표면에 구리 또는 질화알루미늄 박막 및 산화티타늄 또는 산화규소 박막이 코팅된 방열판은 종래의 아노다이징이나 도장처리된 방열판에 비해 열전도율이 높고, 대기 중의 산화를 막을 수 있으며, 염수에 대한 저항성을 갖게 된다. The heat sink coated with the copper or aluminum nitride thin film and the titanium oxide or silicon oxide thin film on the surface through the above process has a higher thermal conductivity than the conventional anodized or coated heat sink, and can prevent oxidation in the air, It becomes resistant.
한편, 산화티타늄 또는 산화규소 등의 박막은 그 두께가 1000Å 이하인 바 종래 마이크로 단위의 아노다이징 처리나 도장 처리에 비해 비교할 수 없을 만큼 얇은 두께로 되어 열전도성 면에서 현저히 유리하게 되고, 결과적으로 방열판 전체의 방열 효과가 증대된다.
도4 및 도5는 본 발명에 따른 제조방법에 의해 제조된 방열판의 단면 구조를 나타내는 그림이다. 도4 및 도5의 단면 구조를 갖는 방열판은 금속 방열판 표면에 형성된 증착층들에 의해 종래의 방열판에 비해 높은 열전도율과 우수한 내환경 특성을 갖는다.On the other hand, a thin film such as titanium oxide or silicon oxide has a thickness of 1000 mm or less, which is incomparably thinner than that of conventional micro anodizing or painting treatment, which is remarkably advantageous in terms of thermal conductivity. The heat dissipation effect is increased.
4 and 5 are cross-sectional views of the heat sink manufactured by the manufacturing method according to the present invention. The heat sink having the cross-sectional structure of FIGS. 4 and 5 has higher thermal conductivity and excellent environmental resistance characteristics than the conventional heat sink by deposition layers formed on the metal heat sink surface.
여기서, 본 발명에 적용되는 구리(Cu)는 원자번호가 29번이고, 원자량은 63.546 인 전이 금속 원소로서 열전도율이 401k로 매우 뛰어나고, 산화티타늄(TiO2)과 산화규소는 열에 안정적인 특성을 갖는다.Herein, the copper (Cu) applied to the present invention is a transition metal element having an atomic number of 29 and an atomic weight of 63.546. The thermal conductivity is very excellent at 401k, and titanium oxide (TiO 2 ) and silicon oxide have thermally stable properties.
질화 알루미늄의 스퍼터링 코팅으로 방열체 표면에 형성되는 박막 또한, 실 험 결과, 내환경 특성이 좋은 것은 물론 절연체이면서도 열전도율이 매우 우수한 특성을 갖는 것이 확인되었다.The thin film formed on the surface of the radiator by sputtering coating of aluminum nitride was also confirmed that the environmental resistance is good as well as the insulator and the thermal conductivity is very excellent.
상술한 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시 예에 대해 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적 기술사상을 유지하는 범위 내에서도 다양한 변형 실시가 가능할 수 있는 바, 동일한 기술적 사상의 토대 위에서 이루어지는 그와 같은 변형은 본 발명 청구범위 기재의 기술적 범위 내에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.As described above, the preferred embodiments of the present invention have been described, but the present invention is not limited to the specific embodiments described above, and those skilled in the art to which the present invention pertains are essential technical features of the present invention. Various modifications may be made within the scope of maintaining the same, and such modifications made on the basis of the same technical spirit should be interpreted as being included in the technical scope of the claims.
도 1은 종래 방열판 외관을 나타낸 제조 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a conventional heat sink.
도 2는 본 발명에 따른 방열판 외관의 박막 코팅과정을 나타낸 제1흐름도이다.Figure 2 is a first flow chart showing a thin film coating process of the heat sink exterior according to the present invention.
도 3은 본 발명에 따른 방열판 외관의 박막 코팅과정을 나타낸 제2흐름도이다.Figure 3 is a second flow chart showing a thin film coating process of the heat sink exterior according to the present invention.
도 4는 본 발명에 따른 제1의 방열판이다.4 is a first heat sink according to the present invention.
도 5는 본 발명에 따른 제2의 방열판이다.5 is a second heat sink according to the present invention.
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| KR100775449B1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-11-12 | 주식회사에스엘디 | Circuit board with heat resistant layer structure |
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