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KR101067822B1 - Light emitting device package and manufacturing method thereof - Google Patents

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KR101067822B1
KR101067822B1 KR1020090021767A KR20090021767A KR101067822B1 KR 101067822 B1 KR101067822 B1 KR 101067822B1 KR 1020090021767 A KR1020090021767 A KR 1020090021767A KR 20090021767 A KR20090021767 A KR 20090021767A KR 101067822 B1 KR101067822 B1 KR 101067822B1
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Abstract

본 발명은 발광소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 본 발명은 발광소자 특히 LED의 방열 성능이 뛰어나고 제품 두께를 줄여 소형화할 수 있는 발광소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 발광소자가 위치하는 방열용의 메탈베이스를 두께방향으로 절반씩 에칭하고 에칭면을 표면처리한 후 접착부재를 채우는 과정을 반복하여 서로 접촉되지 않되 접착부재에 의해 지지되는 두 개의 메탈베이스로 분리한다. 전기도금을 통해 두 개의 메탈베이스 및 접착부재에 도금층을 형성시켜 구성요소들 간의 밀착력을 증대시킨다. 접착부재에 대응하는 도금층 일부를 에칭하여 두 개의 메탈베이스를 전기적으로 절연시킨다. 그런 후 발광소자를 두 개의 메탈베이스에 전기적으로 연결하기 위한 회로 작업을 수행한다. 이러한 공정을 거쳐서 인쇄회로기판을 제조한다. 따라서, 발광소자의 열이 곧바로 메탈베이스를 통해 방열되기 때문에 방열 성능이 뛰어나고 메탈케이스에 발광소자와의 전극 연결을 위해 별도의 전극층과 절연층을 마련할 필요가 없어 제품을 더욱 소형화할 수 있다.The present invention relates to a light emitting device package and a method of manufacturing the same, and more particularly, the present invention relates to a light emitting device package and a method of manufacturing the light emitting device, in particular LED, which can be reduced in size and excellent in heat radiation performance. In the present invention, the metal base for heat dissipation in which the light emitting device is located is etched in half in the thickness direction, and the surface of the etching surface is repeatedly treated to fill the adhesive member, thereby not being in contact with each other, but being supported by the adhesive member. To separate. Electroplating to form a plating layer on the two metal base and the adhesive member to increase the adhesion between the components. A portion of the plating layer corresponding to the adhesive member is etched to electrically insulate the two metal bases. Then, a circuit operation for electrically connecting the light emitting element to the two metal bases is performed. Through such a process, a printed circuit board is manufactured. Therefore, since the heat of the light emitting device is directly radiated through the metal base, the heat dissipation performance is excellent, and it is not necessary to provide a separate electrode layer and an insulating layer for connecting the electrode to the light emitting device in the metal case, thereby further miniaturizing the product.

Description

발광소자 패키지 및 그 제조방법{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THE SAME}LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THE SAME}

본 발명은 발광소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 LED의 방열 성능이 뛰어나고 제품 두께를 줄여 소형화할 수 있는 발광소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device package and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a light emitting device package and a method for manufacturing the same, which are excellent in heat dissipation performance of the LED and can be miniaturized by reducing the product thickness.

일반적으로, 발광소자로는 LED(Light Emitting Diode; 발광 다이오드)를 들 수 있는데, 이는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 자외선의 형태로 변환시켜 신호를 보내고 받는 데 사용되는 소자이다.In general, a light emitting device is a light emitting diode (LED), which is a device used to send and receive signals by converting electrical signals into infrared, visible, or ultraviolet light using the characteristics of compound semiconductors. to be.

LED는 고효율, 고속응답, 장수명, 소형화, 경량, 저소비 전력에 의한 에너지 절감 등의 장점과 함께, 일산화탄소 발생이 전혀 없고 무수은 광원이므로 폐기물 처리가 간편한 친환경 광원 등의 우수한 특징을 가지고 있어 자동차, 휴대단말기, LCD, 풀 컬러-LED 디스플레이 등 많은 분야에 응용되고 있다. 또한 점광원 및 초소형 광소자로 선, 면, 공간 디자인을 자유롭게 할 수 있어서 활용분야가 표시, 신호, 디스플레이, 조명, 바이오, 통신, 휴대전화, LCD, 자동차 산업 등 매우 넓게 지속 성장이 예상되고 있다.LED has the advantages of high efficiency, high-speed response, long life, miniaturization, light weight, low power consumption, energy saving, and carbon dioxide generation and mercury-free light source. It is applied to many fields such as LCD, full color LED display. In addition, the point light source and ultra-small optical devices can freely design lines, planes, and spaces, and thus their fields of application are expected to be sustained in a wide range of fields such as display, signal, display, lighting, bio, telecommunications, mobile phones, LCD, and automotive industries.

LED 패키징 공정의 핵심기술은 방출광을 최적으로 활용하기 위해서 칩 레벨에서부터 구조설계, 광학설계, 열 설계, 패키징 공정기술을 들 수가 있는데, 초소형, 고성능 모듈의 경우 패키징 공정에서 회로, 모듈구조 등 최종 용도의 요건을 고려하는 패키징 기술을 도입하고 있다. LED 패키징 기술의 발전 방향은 응용제품의 종류에 따라 초박형 또는 초소형화(백라이트), 고출력화(조명), 고집적화(디스플레이)의 방향으로 발전하고 있으며 공통적으로 해결해야 하는 기술은 방열구조 설계 및 제작기술이다.Core technologies of the LED packaging process include chip design, structure design, optical design, thermal design, and packaging process technology at the chip level in order to make optimal use of the emitted light. Incorporates packaging technologies that take into account the requirements of the application. The development direction of LED packaging technology is developing in the direction of ultra-thin or ultra-small (backlight), high output (lighting), high integration (display) depending on the type of application products. to be.

LED 칩은 패키징 공정을 거쳐 광소자로 제조되는데, 이 광소자를 이용하여 각종의 LED 백라이트, LED 디스플레이, LED 조명 등이 만들어 지며, 이때 LED 응용제품의 유형에 따라 칩을 패키징하는 원리와 공정기술이 크게 달라진다. 즉, 고출력 LED 광원을 얻기 위한 LED 광소자의 출력이 계속 향상됨에 따라 패키지 및 모듈의 최적 설계조건이 바뀌고 있어서, 응용 제품이 다양하고 표준규격이 없기 때문에 매우 많은 종류의 패키지 형태가 있으나 대표적으로 램프형, SMD(surface mount device), COB(chip on board), BLU(back light unit)가 있다.The LED chip is manufactured as an optical device through a packaging process, and various LED backlights, LED displays, and LED lights are made using the optical device. At this time, the principle and process technology for packaging the chip are largely large depending on the type of LED application product. Different. That is, the optimum design conditions of packages and modules are changing as the output power of LED optical devices for obtaining high power LED light sources continues to improve, and there are many types of packages because they have diverse applications and no standard specifications. , Surface mount device (SMD), chip on board (COB), and back light unit (BLU).

이러한 LED 패키지는 기본적인 다이 본딩 및 와이어 본딩 공정 후에 몰딩 과정을 거쳐 광원모듈로 완성된다.This LED package is completed by a molding process after the basic die bonding and wire bonding process to complete the light source module.

LED 패키지는 높은 출력의 광을 얻기 위해서 전류의 크기를 높일 경우에는 패키지 내의 방열 성능이 좋지 않아 높은 열이 발생하는 문제가 있고, 이와 같이 패키지 내부에 높은 열이 방열되지 않은 채 그대로 존재할 경우 저항이 매우 높아져 광 효율이 저하된다. 발광소자와 방열소자사이에 열 저항체들이 많이 존재하여 발광소자에서 발생하는 열이 쉽게 외부로 전달되지 않는 단점이 있다.In order to obtain high output light, the LED package has a problem of high heat generation due to poor heat dissipation performance in the package. Thus, when high heat remains inside the package without heat dissipation, resistance It becomes very high and light efficiency falls. Since there are many thermal resistors between the light emitting device and the heat radiating device, heat generated in the light emitting device is not easily transferred to the outside.

또한, LED 패키지는 메탈베이스에 전극이 별도로 설치되기 때문에 절연층과 전극층의 설치가 필수적이어서 제품의 두께를 증가시키므로 제조 공정상의 비용이 증가하고 제조 공정이 복잡해지는 단점이 있다.In addition, since the LED package has an electrode installed separately on the metal base, installation of the insulating layer and the electrode layer is essential, thereby increasing the thickness of the product, which increases the manufacturing cost and complicates the manufacturing process.

본 발명의 일측면은 발광소자 패키지의 방열 구조를 변경하여 발광소자에 대한 방열 성능을 향상시키고 제품 두께를 줄여 제품을 소형화하는 발광소자 패키지 및 그 제조방법을 제공한다.One aspect of the present invention provides a light emitting device package and a method of manufacturing the same by changing the heat dissipation structure of the light emitting device package to improve the heat dissipation performance for the light emitting device and to reduce the product thickness.

이를 위해 본 발명의 일실시예에 따른 발광소자 패키지는 발광소자가 마련되는 제1 메탈베이스와, 상기 제1 메탈베이스에 접착부재에 의해 접착된 제2 메탈베이스를 포함하고, 상기 제1 메탈베이스와 상기 제2 메탈베이스는 상기 발광소자의 전극을 전기적으로 연결시키기 위해 극성이 서로 분리되도록 상기 접착부재에 의해 상호 이격되게 설치된 것을 포함하는 것을 특징으로 한다.To this end, the light emitting device package according to the embodiment of the present invention includes a first metal base on which the light emitting device is provided, and a second metal base adhered to the first metal base by an adhesive member. And the second metal base are installed to be spaced apart from each other by the adhesive member so that polarities are separated from each other to electrically connect the electrodes of the light emitting device.

상기 제1 메탈베이스와 상기 제2 메탈베이스 중 적어도 하나는 상기 접착부재와의 경계면이 굴곡진 것을 포함하는 것을 특징으로 한다.At least one of the first metal base and the second metal base may be characterized in that the interface between the adhesive member is curved.

상기 제1 메탈베이스와 상기 제2 메탈베이스 중 적어도 하나는 상기 접착부재와의 경계면에 적어도 하나의 내측 홈이 형성된 것을 포함하는 것을 특징으로 한다.At least one of the first metal base and the second metal base may include at least one inner groove formed on an interface between the adhesive member and the adhesive member.

상기 적어도 하나의 내측 홈은 호 형상 혹은 다각형 형상 중 어느 하나 혹은 그 조합인 것을 포함하는 것을 특징으로 한다.The at least one inner groove is characterized in that it comprises any one or combination of arc shape or polygonal shape.

상기 적어도 하나의 내측 홈은 상기 제1 메탈베이스 혹은 상기 제2 메탈베이스의 두께방향 혹은 길이방향 중 적어도 하나에 형성된 것을 포함하는 것을 특징으로 한다.The at least one inner groove may be formed in at least one of the thickness direction or the longitudinal direction of the first metal base or the second metal base.

또한, 본 발명의 일실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조방법은 발광소자의 열을 방출하기 위한 메탈베이스를 준비하고, 상기 메탈베이스를 에칭하고 그 에칭면에 접착부재를 주입하는 과정을 반복하여 상기 메탈베이스를 두 개의 메탈베이스로 분리시키고, 상기 두 개의 메탈베이스의 양면에 도금층을 형성하고, 상기 두 개의 메탈베이스의 극성이 분리되게 하기 위해 상기 형성된 도금층의 일부를 에칭하여 전극을 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention by preparing a metal base for dissipating heat of the light emitting device, by repeating the process of etching the metal base and injecting an adhesive member on the etching surface Separating the metal base into two metal bases, forming a plating layer on both sides of the two metal bases, and etching a part of the formed plating layer to form an electrode so that the polarities of the two metal bases are separated. It is characterized by including.

상기 메탈베이스를 두 개의 메탈베이스로 분리하기 위해 상기 메탈베이스를 에칭할 때 상기 메탈베이스의 두께방향 혹은 길이방향 중 적어도 하나의 방향으로 곡선 형태의 에칭면을 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 한다.Forming a curved etching surface in at least one of the thickness direction or the longitudinal direction of the metal base when etching the metal base to separate the metal base into two metal base.

상기 메탈베이스의 길이방향으로 형성된 에칭면에 내측으로 형성된 적어도 하나의 다각형 형상 혹은 호 형상의 홈을 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 한다.Forming at least one polygonal or arc-shaped groove formed inward on the etching surface formed in the longitudinal direction of the metal base.

이상에서 설명한 본 발명의 일실시예에 따르면, 본 발명은 발광소자의 열을 방출하기 위한 메탈베이스를 극성이 서로 분리되고 접착부재에 의해 상호 이격되게 배치된 두 개의 메탈베이스로 분리한 후 발광소자의 전극을 각각의 메탈베이스에 전기적으로 연결하여 발광소자 패키지를 구성함으로써 발광소자의 열이 중간매체를 경유하지 않고 곧바로 메탈베이스를 통해 방출되기 때문에 방열 성능이 뛰어나고 메탈케이스에 발광소자와의 전극 연결을 위해 별도의 전극층과 절연층을 마련할 필요가 없어 제품을 더욱 소형화할 수 있다.According to an embodiment of the present invention described above, the present invention after separating the metal base for dissipating heat of the light emitting device into two metal bases are separated from each other and spaced apart from each other by an adhesive member, the light emitting device Is connected to each metal base to form a light emitting device package, so heat of the light emitting device is immediately discharged through the metal base without passing through an intermediate medium, so the heat dissipation is excellent and the electrode is connected to the light emitting device in the metal case. For this reason, it is not necessary to provide a separate electrode layer and an insulating layer, thereby further miniaturizing the product.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면을 나타내고 있다.1 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 발광소자 패키지는 방열용 메탈베이스(10)를 구비한다.As shown in Figure 1, the light emitting device package according to an embodiment of the present invention includes a metal base 10 for heat radiation.

메탈베이스(10)는 방열능력이 높은 열 전도성 금속 예를 들면 구리 또는 알루미늄 등으로 형성된다. 예를 들면 메탈베이스(10)는 동소재로 0.5mm 내지 1.6mm 내외의 두께로 된 동판으로 형성된다.The metal base 10 is formed of a thermally conductive metal having high heat dissipation capability, for example, copper or aluminum. For example, the metal base 10 is formed of a copper plate having a thickness of about 0.5 mm to 1.6 mm.

또한, 메탈베이스(10)는 제1 메탈베이스(10a)와 제2 메탈베이스(10b)로 이루어진다. 제1 메탈베이스(10a)와 제2 메탈베이스(10b)는 절연성 접착부재(20)에 의해 연결되어 있다. 이때, 제1 메탈베이스(10a)의 접착부재(20)와의 경계면과, 제2 메탈베이스(10b)의 접착부재(20)의 경계면은 곡선으로 형성되어 있다. 이는 직선형태의 경계면에 비해 제1 메탈베이스(10a)와 제2 메탈베이스(10b)간의 밀착성을 향상시키기 위함이다.In addition, the metal base 10 includes a first metal base 10a and a second metal base 10b. The first metal base 10a and the second metal base 10b are connected by the insulating adhesive member 20. At this time, the interface between the adhesive member 20 of the first metal base 10a and the interface between the adhesive member 20 of the second metal base 10b are curved. This is to improve the adhesion between the first metal base (10a) and the second metal base (10b) compared to the linear interface.

이 접착부재(20)는 제1 메탈베이스(10a)와 제2 메탈베이스(10b)의 대향 면에 마련된다. 이 접착부재(20)에 의해 제1 메탈베이스(10a)와 제2 메탈베이스(10b)는 수평으로 상호 이격되게 설치되어 있다.The adhesive member 20 is provided on opposing surfaces of the first metal base 10a and the second metal base 10b. The first metal base 10a and the second metal base 10b are horizontally spaced apart from each other by the adhesive member 20.

접착부재(20)는 절연성의 레진이 사용된다. 접착부재(20)는 레진 외에도 전기절연이 가능한 형태의 감압성 접착부재(20)(PSA), 프리 프레그(Pre preg), 열경화성 경화제 등을 사용할 수 있다. 접착부재(20)는 제1 메탈베이스(10a) 및 제2 메탈베이스(10b)에 가열 가압에 의해 부착된다.The adhesive member 20 is made of an insulating resin. The adhesive member 20 may use a pressure-sensitive adhesive member 20 (PSA), a prepreg, a thermosetting curing agent, and the like, in addition to the resin, which may be electrically insulated. The adhesive member 20 is attached to the first metal base 10a and the second metal base 10b by heating and pressing.

제1 메탈베이스(10a), 제2 메탈베이스(10b) 및 접착부재(20)간의 밀착성을 증가시킴과 함께 제1 메탈베이스(10a)와 제2 메탈베이스(10b)의 와이어 본딩성을 높이기 위해 접착부재(20)에 의해 부착된 제1 메탈베이스(10a)와 제2 메탈베이스(10b)의 구조체의 양면을 전기 동 도금한다. 제1 메탈베이스(10a)와 제2 메탈베이스(10b)가 전극 역할을 할 수 있도록 접착부재(20) 위에 길이방향으로 도금층(30)을 일부 에칭하여 제1 메탈베이스(10a)와 제2 메탈베이스(10b)를 전기적으로 절연시킨다.In order to increase the adhesion between the first metal base 10a, the second metal base 10b, and the adhesive member 20, and to increase the wire bonding property of the first metal base 10a and the second metal base 10b. Both surfaces of the structure of the first metal base 10a and the second metal base 10b attached by the adhesive member 20 are electroplated. The first metal base 10a and the second metal are partially etched by etching the plating layer 30 in the longitudinal direction on the adhesive member 20 so that the first metal base 10a and the second metal base 10b serve as electrodes. The base 10b is electrically insulated.

발광소자(40)는 열 전도성 접착제에 의해 제1 메탈베이스(10a)에 부착된다. 발광소자(40)는 칩 실장용 패드에 의해 제1 메탈베이스(10a)에 마련될 수 있다. 칩 실장용 패드는 발광소자(40)를 실장하기 위한 실장영역을 제공하기 위한 것으로서 제1 메탈베이스(10a) 위에 동박으로 패터닝하여 형성하면 된다.The light emitting device 40 is attached to the first metal base 10a by a thermally conductive adhesive. The light emitting device 40 may be provided on the first metal base 10a by a chip mounting pad. The chip mounting pad is to provide a mounting area for mounting the light emitting device 40. The pad for chip mounting may be formed by patterning copper foil on the first metal base 10a.

제1 메탈베이스(10a)의 상부에는 발광소자(40)가 솔더링 접합된다. 발광소자(40)가 제1 메탈베이스(10a)에 직접 접합되기 때문에 발광소자(40)에서 발생된 열을 보다 효과적으로 외부로 방출할 수 있으며, 에폭시 등의 접착층을 형성하여 발광소자(40)를 부착시킨 것에 비해 접착층에서 열전달이 지연되는 것을 방지할 수 있어 방열 성능이 매우 우수하다.The light emitting device 40 is soldered to the upper portion of the first metal base 10a. Since the light emitting device 40 is directly bonded to the first metal base 10a, heat generated from the light emitting device 40 may be more effectively emitted to the outside, and an adhesive layer such as epoxy may be formed to form the light emitting device 40. Compared with the attached film, the heat transfer can be prevented from being delayed in the adhesive layer, so the heat dissipation performance is excellent.

제1 메탈베이스(10a)는 제1 전도성 와이어(50a)를 통해 발광소자(40)의 제1 전극과 연결된다. 제2 메탈베이스(10b)는 제2 전도성 와이어(50b)를 통해 발광소자(40)의 제2 전극과 연결된다. 제1 전도성 와이어(50a)는 제1 메탈베이스(10a)와 발광소자(40)의 제1 전극에 와이어 본딩되고 제2 전도성 와이어(50b)는 제2 메탈베이스(10b)와 발광소자(40)의 제2 전극에 와이어 본딩된다. 발광소자(40)가 제1 메탈베이스(10a)와 제2 메탈베이스(10b)에 직접 전극 연결되기 때문에 발광소자 패키지의 두께를 대폭 줄일 수 있어 소형화할 수 있으며 제조공정이 매우 간단히 할 수 있다. 즉, 기존에는 메탈베이스 상면에 별도의 전극을 형성하기 위해 절연층과 전극층을 순차적으로 형성한 후 에칭 및 표면 처리해야 하지만, 본 발명의 일실시예에서는 제1 메탈베이스(10a)와 제2 메탈베이스(10b) 그 자체가 방열 및 전극 역할을 하기 때문에 기존의 절연층과 전극층을 형성할 필요가 없어 이에 따른 제품의 두께를 줄일 수 있고 제조공정을 단순화할 수 있다.The first metal base 10a is connected to the first electrode of the light emitting device 40 through the first conductive wire 50a. The second metal base 10b is connected to the second electrode of the light emitting device 40 through the second conductive wire 50b. The first conductive wire 50a is wire bonded to the first metal base 10a and the first electrode of the light emitting device 40, and the second conductive wire 50b is the second metal base 10b and the light emitting device 40. Wire-bonded to the second electrode. Since the light emitting device 40 is directly connected to the first metal base 10a and the second metal base 10b, the thickness of the light emitting device package can be greatly reduced, so that the light emitting device 40 can be miniaturized and the manufacturing process can be very simple. That is, conventionally, in order to form a separate electrode on the upper surface of the metal base, the insulating layer and the electrode layer must be sequentially formed and then etched and surface treated, but in one embodiment of the present invention, the first metal base 10a and the second metal. Since the base 10b itself serves as a heat dissipation and an electrode, it is not necessary to form an existing insulating layer and an electrode layer, thereby reducing the thickness of the product and simplifying the manufacturing process.

이와 같이, 발광소자(40)의 열을 외부로 방출시키는 방열용의 메탈베이스를 에칭하여 제1 메탈베이스(10a)와 제2 메탈베이스(10b)로 분리한 후 각각의 에칭면에 접착부재(20)를 주입시켜 제1 메탈베이스(10a)와 제2 메탈베이스(10b)를 연결시킨다. 그리고, 접착부재(20)에 의해 연결된 제1 메탈베이스(10a)와 제2 메탈베이스(10b)의 상면과 하면을 동 도금한 후 접착부재(20) 위의 일부 도금층(30)을 길이방향으로 에칭하여 제1 메탈베이스(10a)와 제2 메탈베이스(10b)를 전기적으로 절연함으로써 발광소자 패키지를 완성한다. 이렇게 완성된 발광소자 패키지는 제1 메탈베이스(10a) 위에 발광소자(40)가 솔더링 접착되고 발광소자(40)의 전극과 제1 메 탈베이스(10a)와 제2 메탈베이스(10b)가 각각 와이어 본딩된 후 발광소자 패키지의 하부 면에 써멀 패드를 개재하여 인쇄회로기판(PCB)에 가열 압착됨으로써 인쇄회로기판에 장착한다.As described above, the heat dissipating metal base for dissipating the heat of the light emitting element 40 to the outside is etched and separated into the first metal base 10a and the second metal base 10b, and then the adhesive member is formed on each etching surface. 20 is injected to connect the first metal base 10a and the second metal base 10b. Then, copper plating the upper and lower surfaces of the first metal base (10a) and the second metal base (10b) connected by the adhesive member 20, the partial plating layer 30 on the adhesive member 20 in the longitudinal direction The light emitting device package is completed by etching to electrically insulate the first metal base 10a and the second metal base 10b. In the light emitting device package thus completed, the light emitting device 40 is soldered and bonded on the first metal base 10a, and the electrode, the first metal base 10a, and the second metal base 10b of the light emitting device 40 are respectively. After the wire is bonded to the printed circuit board by heat pressing the printed circuit board (PCB) through the thermal pad on the lower surface of the light emitting device package.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조공정을 나타내고 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조공정은 메탈베이스(10)를 마련하는 공정(100), 메탈베이스(10)의 상부면을 에칭하는 공정(110), 메탈베이스의 에칭된 상부면에 접착부재(20)를 주입하는 공정(120), 메탈베이스(10)의 상부면에 대응하는 하부면을 에칭하는 공정(130), 메탈베이스의 에칭된 하부면에 접착부재(20)를 주입하는 공정(140), 메탈베이스의 에칭된 상하부면에 접착부재(20)이 주입된 구조체의 양면에 도금층을 형성하는 공정(150), 도금층을 일부 에칭하여 전극을 형성하는 공정(160), 전극 형성 후 표면처리를 하는 공정(170)을 통하여 발광소자 패키지를 제조한다.2 shows a manufacturing process of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 2, the manufacturing process of the light emitting device package according to the exemplary embodiment of the present invention includes preparing a metal base 10, and etching the upper surface of the metal base 10. ), The process of injecting the adhesive member 20 to the etched upper surface of the metal base 120, the process of etching the lower surface corresponding to the upper surface of the metal base 10 (130), the etched lower portion of the metal base Injecting the adhesive member 20 into the surface 140, forming a plating layer on both surfaces of the structure in which the adhesive member 20 is injected into the etched upper and lower surfaces of the metal base 150, and partially etching the plating layer. The light emitting device package is manufactured through a process (160) for forming a light and a process (170) for surface treatment after electrode formation.

이하에서는 상기한 발광소자 패키지의 제조공정을 도 3a 내지 도 3h를 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the manufacturing process of the light emitting device package will be described in detail with reference to FIGS. 3A to 3H.

도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 일실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조공정을 보인 도면이다.3A to 3H are views illustrating a manufacturing process of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.

도 3a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 발광소자 패키지는 발광소자(40)의 열을 외부로 방출하는 메탈베이스(10)를 구비한다. 이 메탈베이스(10)는 구리나 알루미늄 등과 같이 방열 능력이 높은 열 전도성 금속으로 이루어진다.As shown in FIG. 3A, the light emitting device package according to the exemplary embodiment includes a metal base 10 that emits heat from the light emitting device 40 to the outside. The metal base 10 is made of a thermally conductive metal having high heat dissipation capability such as copper or aluminum.

도 3b에 도시된 바와 같이, 메탈베이스(10)의 상부면을 두께방향으로 미리 설정된 두께(일예로, 1/2D, D: 메탈베이스 두께)만큼 에칭한다. 이때, 후술하는 접착부재(20)와의 밀착력을 증가시키기 위해 에칭면은 곡선 형태로 이루어진다. 또한, 밀착력을 보다 증가시키기 위한 방법으로서 메탈베이스(10)의 상부 에칭면을 거침 표면 처리할 수 있다.As shown in FIG. 3B, the upper surface of the metal base 10 is etched by a predetermined thickness (eg, 1 / 2D, D: metal base thickness) in the thickness direction. At this time, in order to increase the adhesion with the adhesive member 20 to be described later the etching surface is made of a curved form. In addition, the surface of the upper etching surface of the metal base 10 can be roughened as a method for further increasing the adhesion.

도 3c에 도시된 바와 같이, 메탈베이스(10)의 상부면을 에칭한 후 메탈베이스(10)의 상부 에칭면에 접착부재(20)를 채운다. 이 접착부재(20)로는 예를 들면, 전기 절연성 레진이 사용된다.As shown in FIG. 3C, after the upper surface of the metal base 10 is etched, the adhesive member 20 is filled in the upper etching surface of the metal base 10. As this adhesive member 20, electrically insulating resin is used, for example.

도 3d에 도시된 바와 같이, 메탈베이스의 상부면을 에칭한 후 메탈베이스의 하부면을 두께방향으로 남은 두께(일예로, 1/2D)만큼 에칭한다. 접착부재(20)와의 밀착력을 증가시키기 위해 에칭면은 위에서와 동일하게 곡선 형태로 이루어진다. 또한, 밀착력을 보다 증가시키기 위한 방법으로서 메탈베이스(10)의 하부 에칭면을 거침 표면 처리할 수 있다. 이상에서와 같은 메탈베이스의 상부면 및 하부면에 대한 에칭을 통해 메탈베이스(10)는 제1 메탈베이스(10a)와 제2 메탈베이스(10b)로 물리적으로 분리된다.As shown in FIG. 3D, after etching the upper surface of the metal base, the lower surface of the metal base is etched by the remaining thickness (eg, 1 / 2D) in the thickness direction. In order to increase the adhesion with the adhesive member 20, the etching surface is formed in the same curved shape as above. In addition, the surface of the lower etching surface of the metal base 10 can be roughened as a method for further increasing the adhesion. As described above, the metal base 10 is physically separated into the first metal base 10a and the second metal base 10b by etching the upper and lower surfaces of the metal base.

도 3e에 도시된 바와 같이, 메탈베이스(10)의 하부면을 에칭한 후 메탈베이스(10)의 하부 에칭면에 메탈베이스(10)의 상부 에칭면에 채워진 동일한 재질의 접착부재(20)를 채운다.As shown in FIG. 3E, the lower surface of the metal base 10 is etched and then the adhesive member 20 of the same material filled in the upper etching surface of the metal base 10 on the lower etching surface of the metal base 10. Fill it.

도 3b 내지 도 3e의 공정을 수행함으로써 메탈베이스(10)가 제1 메탈베이스(10a)와 제2 메탈베이스(10b)로 물리적으로 분리된다. 즉, 접착부재(20)에 의해 제1 메탈베이스(10a)와 제2 메탈베이스(10b)가 상호 이격되어 배치된다.By performing the process of FIGS. 3B to 3E, the metal base 10 is physically separated into the first metal base 10a and the second metal base 10b. That is, the first metal base 10a and the second metal base 10b are spaced apart from each other by the adhesive member 20.

도 3f에 도시된 바와 같이, 메탈베이스(10)를 두께방향으로 절반씩 에칭하고 에칭면을 표면처리한 후 접착부재(20)를 채우는 과정을 반복하여 서로 접촉되지 않되 접착부재(20)에 의해 지지되는 두 개의 메탈베이스로 분리한 후 제1 메탈베이스(10a)와 제2 메탈베이스(10b)가 접착부재(20)에 의해 연결된 구조체의 양면에 전기 동 도금을 수행하여 도금층(30)을 형성한다. 이 도금층(30)은 접착부재(20)와 제1 메탈베이스(10a), 접착부재(20)와 제2 메탈베이스(10b)간의 밀착성을 증가시킨다. 또한, 도금층(30)은 제1 메탈베이스(10a)와 제2 메탈베이스(10b)의 와이어 본딩성을 높인다.As shown in FIG. 3F, the metal base 10 is etched in half in the thickness direction, and the surface of the etching surface is treated, and then the process of filling the adhesive member 20 is repeated to avoid contact with each other, but by the adhesive member 20. After separating into two metal bases that are supported, electroplating is performed on both surfaces of the structure in which the first metal base 10a and the second metal base 10b are connected by the adhesive member 20 to form the plating layer 30. do. The plating layer 30 increases the adhesion between the adhesive member 20 and the first metal base 10a and the adhesive member 20 and the second metal base 10b. In addition, the plating layer 30 increases the wire bonding property of the first metal base 10a and the second metal base 10b.

도 3g에 도시된 바와 같이, 제1 메탈베이스(10a)와 제2 메탈베이스(10b)가 접착부재(20)에 의해 연결된 구조체의 양면에 전기 동 도금을 수행하여 도금층(30)을 형성한 후 제1 메탈베이스(10a)와 제2 메탈베이스(10b)가 전극 역할을 할 수 있게 하기 위하여 극성이 분리되도록 접착부재(20) 위의 길이방향으로 도금층(30)을 일부 에칭하여 제1 메탈베이스(10a)와 제2 메탈베이스(10b)를 전기적으로 절연시킨다. 이때, 도금층(30)을 일부 에칭 하더라도 접착부재(20) 부근은 나머지 도금층(30)과 접해 있기 때문에(G-G1) 밀착성이 높은 상태로 유지된다.As shown in FIG. 3g, after the first metal base 10a and the second metal base 10b are electroplated on both surfaces of the structure connected by the adhesive member 20, the plating layer 30 is formed. In order to allow the first metal base 10a and the second metal base 10b to serve as electrodes, the first metal base is partially etched by etching the plating layer 30 in the longitudinal direction on the adhesive member 20 so that the polarity is separated. 10a and the second metal base 10b are electrically insulated from each other. At this time, even if the plating layer 30 is partially etched, since the vicinity of the adhesive member 20 is in contact with the remaining plating layer 30 (G-G1), the adhesiveness is maintained in a high state.

도 3h에 도시된 바와 같이, 상기한 구조의 발광소자 패키지를 완성한 후 제1 메탈베이스(10a)의 상부면 좀더 구체적으로 그에 대응하는 도금층(30) 상부에 발광소자(40)를 솔더링 접합시킨 후 발광소자(40)의 제1 전극(일예로, 양극)을 제1 메탈베이스(10a) 상의 도금층(30)에 제1 전도성 와이어(50a)를 통해 전기적으로 연결 하고, 발광소자(40)의 제2 전극(일예로, 음극)을 제2 메탈베이스(10b) 상의 도금층(30)에 제2 전도성 와이어(50b)를 통해 전기적으로 연결하여 발광소자 패키지에 발광소자(40)를 설치한다. 이 후 발광소자(40)가 설치된 발광소자 패키지를 써멀 패드를 개재하여 인쇄회로기판에 설치함으로써 제품에 적용된다.As shown in FIG. 3H, after the light emitting device package having the above structure is completed, the upper surface of the first metal base 10a is soldered and bonded to the upper surface of the plating layer 30 corresponding to the upper surface of the first metal base 10a more specifically. The first electrode (for example, the anode) of the light emitting device 40 is electrically connected to the plating layer 30 on the first metal base 10a through the first conductive wire 50a, and the first of the light emitting device 40 The second electrode (eg, the cathode) is electrically connected to the plating layer 30 on the second metal base 10b through the second conductive wire 50b to install the light emitting device 40 in the light emitting device package. Thereafter, the light emitting device package in which the light emitting device 40 is installed is applied to a product by installing the light emitting device package on a printed circuit board through a thermal pad.

상기한 본 발명의 일실시예에 따른 발광소자 패키지에서는 접착부재(20)와의 제1 메탈베이스(10a)의 경계면과 제2 메탈베이스(10b)의 경계면 중 두께방향의 경계면을 곡선으로 형성함으로써 접착부재(20)와의 접착면적을 증가시켜 제1 메탈베이스(10a)와 제2 메탈베이스(10b)간의 지지력을 증가시키고 있다.In the light emitting device package according to the embodiment of the present invention, adhesion is formed by forming a boundary surface in the thickness direction among the boundary surfaces of the first metal base 10a and the boundary surface of the second metal base 10b with the adhesive member 20. The adhesion area with the member 20 is increased to increase the bearing force between the first metal base 10a and the second metal base 10b.

상기한 방식 외에도 제1 메탈베이스(10a)의 경계면과 제2 메탈베이스(10b)의 경계면 중 길이방향의 경계면이 접착부재(20)와의 접착면적이 증가되도록 곡선으로 형성하되, 다양한 개수 및 형상의 경계면 내측으로 형성된 홈을 가질 수 있다. 이 홈은 접착력을 향상시키기 위하여 접착면적이 증가하도록 경계면 내측 내경이 경계면 입구측 내경보다 크게 형성된다.In addition to the above-described method, the boundary surface in the longitudinal direction of the boundary surface of the first metal base 10a and the boundary of the second metal base 10b is formed in a curve such that the adhesion area with the adhesive member 20 is increased, but in various numbers and shapes. It may have a groove formed inside the interface. This groove is formed so that the inner diameter of the interface is larger than the inner diameter of the interface inlet so that the adhesion area is increased to improve the adhesion.

도 4에 도시된 바와 같이, 제1 메탈베이스(10a)와 제2 메탈베이스(10b)에는 길이방향으로 다각형 형상의 홈(11a)(11b)이 각각 형성될 수 있다. 상기한 다각형 형상의 홈(11a)(11b)은 어느 한 쪽에 선택적으로 형성되는 것도 가능하다.As illustrated in FIG. 4, grooves 11a and 11b having a polygonal shape in the longitudinal direction may be formed in the first metal base 10a and the second metal base 10b, respectively. The polygonal grooves 11a and 11b may be selectively formed on either side.

또한, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 메탈베이스(10a)와 제2 메탈베이스(10b)에는 길이방향으로 각각 2개의 다각형 형상의 홈(12a,13a)(12b,13b)이 형성될 수 있다. 상기한 2개의 다각형 형상의 홈(12a,13a)(12b,13b)은 어느 한 쪽에 선택적으로 형성되는 것도 가능하다.In addition, as illustrated in FIG. 5, two polygonal grooves 12a, 13a, 12b, and 13b may be formed in the first metal base 10a and the second metal base 10b in the longitudinal direction, respectively. have. The two polygonal grooves 12a and 13a and 12b and 13b may be selectively formed on either side.

또한, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 메탈베이스(10a)와 제2 메탈베이스(10b)에는 길이방향으로 호 형상의 홈(14a,14b)이 각각 형성될 수 있다. 상기한 호 형상의 홈(14a,14b)은 어느 한 쪽에 선택적으로 형성되는 것도 가능하다.In addition, as illustrated in FIG. 6, arc-shaped grooves 14a and 14b may be formed in the first metal base 10a and the second metal base 10b in the longitudinal direction, respectively. The arc-shaped grooves 14a and 14b may be selectively formed on either side.

또한, 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 메탈베이스(10a)와 제2 메탈베이스(10b)에는 길이방향으로 일정거리 이격된 2개의 호 형상의 홈(15a,16a)(15b,16b)이 각각 형성될 수 있다. 상기한 2개의 호 형상의 홈(15a,16a)(15b,16b)은 어느 한 쪽에 선택적으로 형성되는 것도 가능하다.In addition, as shown in FIG. 7, two arc-shaped grooves 15a, 16a, 15b, and 16b are spaced apart in the longitudinal direction from the first metal base 10a and the second metal base 10b. Each can be formed. The two arc-shaped grooves 15a, 16a, 15b, 16b described above may be selectively formed on either side.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 발광소자 패키지의 개략적인 사시도이다.1 is a schematic perspective view of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조공정을 보인 제어흐름도이다.2 is a control flowchart illustrating a manufacturing process of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 일실시예에 따른 발광소자 패키지의 제조공정을 보인 도면이다.3A to 3H are views illustrating a manufacturing process of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지에서 밀착성 향상을 위한 제1 메탈베이스와 제2 메탈베이스의 구조를 보인 도면이다.4 is a view illustrating a structure of a first metal base and a second metal base for improving adhesion in a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지에서 밀착성 향상을 위한 제1 메탈베이스와 제2 메탈베이스의 다른 구조를 보인 도면이다.5 is a view showing another structure of the first metal base and the second metal base for improving the adhesion in the light emitting device package according to another embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지에서 밀착성 향상을 위한 제1 메탈베이스와 제2 메탈베이스의 구조를 보인 도면이다.FIG. 6 is a view illustrating structures of a first metal base and a second metal base for improving adhesion in a light emitting device package according to another embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지에서 밀착성 향상을 위한 제1 메탈베이스와 제2 메탈베이스의 다른 구조를 보인 도면이다.7 is a view illustrating another structure of the first metal base and the second metal base for improving adhesion in the light emitting device package according to another embodiment of the present invention.

*도면의 주요 기능에 대한 부호의 설명*[Description of the Reference Numerals]

10 : 메탈베이스 10a: 제1 메탈베이스10: metal base 10a: first metal base

10b : 제2 메탈베이스 20 : 접착부재10b: second metal base 20: adhesive member

30 : 도금층 40 : 발광소자30 plating layer 40 light emitting element

50a: 제1 전도성 와이어 50b : 제2 전도성 와이어50a: first conductive wire 50b: second conductive wire

Claims (8)

삭제delete 발광소자가 마련되는 제1 메탈베이스;A first metal base provided with a light emitting element; 상기 제1 메탈베이스에 접착부재에 의해 접착된 제2 메탈베이스를 포함하고,A second metal base adhered to the first metal base by an adhesive member, 상기 제1 메탈베이스와 상기 제2 메탈베이스는 상기 발광소자의 전극을 전기적으로 연결시키기 위해 극성이 서로 분리되도록 상기 접착부재에 의해 상호 이격되게 설치된 것을 포함하고,The first metal base and the second metal base are provided to be spaced apart from each other by the adhesive member so that the polarities are separated from each other to electrically connect the electrodes of the light emitting device, 상기 제1 메탈베이스와 상기 제2 메탈베이스 중 적어도 하나는 상기 접착부재와의 경계면이 굴곡진 것을 포함하는 발광소자 패키지.At least one of the first metal base and the second metal base is a light emitting device package comprising a curved interface between the adhesive member. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제1 메탈베이스와 상기 제2 메탈베이스 중 적어도 하나는 상기 접착부재와의 경계면에 적어도 하나의 내측 홈이 형성된 것을 포함하는 발광소자 패키지.At least one of the first metal base and the second metal base has at least one inner groove formed on the interface between the adhesive member and the light emitting device package. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 적어도 하나의 내측 홈은 호 형상 혹은 다각형 형상 중 어느 하나 혹은 그 조합인 것을 포함하는 발광소자 패키지.The at least one inner groove is a light emitting device package comprising any one or combination of arc shape or polygonal shape. 제4항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 적어도 하나의 내측 홈은 상기 제1 메탈베이스 혹은 상기 제2 메탈베이스의 두께방향 혹은 길이방향 중 적어도 하나에 형성된 것을 포함하는 발광소자 패키지.The at least one inner groove is formed in at least one of the thickness direction or the longitudinal direction of the first metal base or the second metal base. 발광소자의 열을 방출하기 위한 메탈베이스를 준비하고;Preparing a metal base for dissipating heat of the light emitting device; 상기 메탈베이스를 에칭하고 그 에칭면에 접착부재를 주입하는 과정을 반복하여 상기 메탈베이스를 두 개의 메탈베이스로 분리시키고;Etching the metal base and injecting an adhesive member on the etching surface to separate the metal base into two metal bases; 상기 두 개의 메탈베이스의 양면에 도금층을 형성하고;Forming plating layers on both sides of the two metal bases; 상기 두 개의 메탈베이스의 극성이 분리되게 하기 위해 상기 형성된 도금층의 일부를 에칭하여 전극을 형성하는 것을 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.And forming an electrode by etching a portion of the formed plating layer to separate polarities of the two metal bases. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 메탈베이스를 두 개의 메탈베이스로 분리하기 위해 상기 메탈베이스를 에칭할 때 상기 메탈베이스의 두께방향 혹은 길이방향 중 적어도 하나의 방향으로 곡선 형태의 에칭면을 형성하는 것을 포함하는 발광소자 패키지의 제조방법.Manufacturing a light emitting device package comprising forming a curved etching surface in at least one of a thickness direction or a length direction of the metal base when etching the metal base to separate the metal base into two metal bases. Way. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 메탈베이스의 길이방향으로 형성된 에칭면에 내측으로 형성된 적어도 하나의 다각형 형상 혹은 호 형상의 홈을 형성하는 것을 포함하는 발광소자 패키지 의 제조방법.Method of manufacturing a light emitting device package comprising forming at least one polygonal or arc-shaped groove formed inward on the etching surface formed in the longitudinal direction of the metal base.
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