KR101106137B1

KR101106137B1 - Light emitting diode for alternating current having radio wave emitting cell and half wave emitting cell

Info

Publication number: KR101106137B1
Application number: KR1020090090994A
Authority: KR
Inventors: 갈대성; 서원철
Original assignee: 서울옵토디바이스주식회사
Priority date: 2009-09-25
Filing date: 2009-09-25
Publication date: 2012-01-20
Anticipated expiration: 2029-09-25
Also published as: KR20110033477A

Abstract

단일 기판 상에 전기적으로 연결된 복수개의 발광셀들을 갖는 교류용 발광 다이오드가 개시된다. 이 발광 다이오드는, 제1의 한 쌍의 반파 발광셀들, 전파 발광셀 및 제2의 한 쌍의 반파 발광셀들을 포함한다. 상기 전파 발광셀은 상기 제1의 한 쌍의 반파 발광셀들과 상기 제2의 한 쌍의 반파 발광셀들 사이에 위치하여 상기 제1의 한 쌍의 반파 발광셀들 및 제2의 한 쌍의 반파 발광셀들에 전기적으로 연결되고, 상기 제1의 한 쌍의 반파 발광셀들은 서로 애노드 단자 또는 캐소드 단자를 공유한다. 이에 따라, 반파 발광셀에 인가되는 역방향 전압을 감소시킬 수 있으며 발광 면적을 증가시킬 수 있다.Disclosed is a light emitting diode for alternating current having a plurality of light emitting cells electrically connected on a single substrate. The light emitting diode includes a first pair of half-wave light emitting cells, a full-wave light emitting cell and a second pair of half-wave light emitting cells. The full-wave light emitting cell is positioned between the first pair of half-wave light emitting cells and the second pair of half-wave light emitting cells, so that the first pair of half-wave light emitting cells and the second pair of half-wave light emitting cells are disposed. Electrically connected to the half-wave light emitting cells, the first pair of half-wave light emitting cells share an anode terminal or a cathode terminal with each other. Accordingly, the reverse voltage applied to the half-wave light emitting cell can be reduced and the light emitting area can be increased.

발광 다이오드, 반파 발광셀, 전파 발광셀, 애노드, 캐소드 Light Emitting Diode, Half Wave Light Emitting Cell, Light Emitting Cell, Anode, Cathode

Description

AC light emitting diode having full-wave light emitting cell and half-wave light emitting cell {AC LIGHT EMITTING DIODE HAVING FULL-WAVE LIHGT EMITTING CELL AND HALF-WAVE LIGHT EMITTING CELL}

본 발명은 화합물 반도체 발광 다이오드에 관한 것으로, 특히 전파 발광셀 및 반파 발광셀을 갖는 교류용 발광 다이오드에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to compound semiconductor light emitting diodes, and more particularly to an alternating light emitting diode having a full wave light emitting cell and a half wave light emitting cell.

화합물 반도체 발광 다이오드, 예컨대 질화갈륨 계열의 발광 다이오드는 표시소자 및 백라이트로 널리 이용되고 있으며, 기존의 전구 또는 형광등에 비해 소모 전력이 작고 수명이 길어, 백열전구 및 형광등을 대체하여 일반 조명 용도로 그 사용 영역을 넓히고 있다.Compound semiconductor light emitting diodes such as gallium nitride-based light emitting diodes are widely used as display devices and backlights, and consume less power and have longer lifetimes than conventional light bulbs or fluorescent lamps. It is expanding the use area.

발광 다이오드는 교류 전원하에서 전류의 방향에 따라 온/오프를 반복한다. 따라서, 발광 다이오드를 교류 전원에 직접 연결하여 사용할 경우, 발광 다이오드가 연속적으로 빛을 방출하지 못하며, 역방향 전류에 의해 쉽게 파손되는 문제점이 있다.The light emitting diode is repeatedly turned on and off in accordance with the direction of the current under an AC power supply. Accordingly, when the light emitting diode is directly connected to an AC power source, the light emitting diode does not emit light continuously and is easily broken by reverse current.

이러한 발광 다이오드의 문제점을 해결하여, 고전압 교류 전원에 직접 연결하여 사용할 수 있는 발광 다이오드(칩)가 국제공개번호 WO 2004/023568(Al)호에 " 발광 성분들을 갖는 발광소자"(LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING LIGHT-EMITTING ELEMENTS)라는 제목으로 사카이 등(SAKAI et. al.)에 의해 개시된 바 있으며, 다양한 구조의 교류용 발광 다이오드들이 개발되고 있다.In order to solve the problem of the light emitting diode, a light emitting diode (chip) that can be directly connected to a high voltage AC power source is disclosed in International Publication No. WO 2004/023568 (Al) "Light-Emitting Device Having Light-Emitting Components". It has been disclosed by SAKAI et. Al. Under the title of HAVING LIGHT-EMITTING ELEMENTS, and light emitting diodes for various types of AC have been developed.

상기 WO 2004/023568(Al)호에 따르면, LED들이 사파이어 기판과 같은 절연성 기판상에서 금속배선들에 의해 2차원적으로 직렬연결된 LED 어레이들을 형성한다. 이러한 두 개의 LED 어레이들이 상기 기판상에서 역병렬로 연결되어, AC 파워 서플라이에 의해 연속적으로 광을 방출한다.According to WO 2004/023568 (Al), the LEDs form LED arrays two-dimensionally connected in series by metallization on an insulating substrate, such as a sapphire substrate. These two LED arrays are connected in anti-parallel on the substrate, emitting light continuously by an AC power supply.

한편, 상기 WO 2004/023568(Al)호에 개시된 바에 따르면, 교류 전원의 반주기 동안 하나의 어레이가 구동되고, 다음 반주기 동안 다른 어레이가 구동된다. 즉, 교류 전원의 위상이 변하는 동안 발광 다이오드 내의 1/2의 발광셀들이 구동된다. 따라서, 발광셀들의 사용효율이 50%를 넘지 못한다.On the other hand, as disclosed in WO 2004/023568 (Al), one array is driven during the half cycle of an AC power source, and the other array is driven during the next half cycle. That is, half of the light emitting cells in the light emitting diodes are driven while the phase of the AC power source is changed. Therefore, the use efficiency of the light emitting cells does not exceed 50%.

한편, 기판상의 발광셀들을 이용하여 브리지 정류기를 만들고, 브리지 정류기의 두 개의 노드들 사이에 직렬연결된 발광셀들의 어레이를 배치하여 교류 전원하에서 구동되는 발광 다이오드가 대한민국 공개특허공보 제10-2006-1800호에 개시된바 있다. 이에 따르면, 브리지 정류기에 연결된 발광셀들의 어레이가 교류 전원의 위상 변화와 무관하게 전파 발광하여 발광셀들의 사용효율을 높일 수 있다.On the other hand, a light emitting diode driven under an AC power source by making a bridge rectifier using light emitting cells on a substrate and arranging an array of light emitting cells connected in series between two nodes of the bridge rectifier is disclosed in Korean Patent Application Laid-Open No. 10-2006-1800. It is disclosed in the call. According to this, the array of light emitting cells connected to the bridge rectifier propagates and emits light regardless of the phase change of the AC power, thereby increasing the use efficiency of the light emitting cells.

그러나 브리지 정류기에 연결된 발광셀들의 수를 증가시킬 경우, 브리지 정류기 내의 특정 발광셀에 고전압의 역방향 전압이 인가되어 브리지 정류기의 발광셀이 파손되고, 그 결과 발광 다이오드가 파손될 수 있다. 이를 방지하기 위해 브리지 정류기에 연결된 발광셀들의 어레이 내의 발광셀 수를 감소시킬 수 있으나, 이 경우, 고전압 교류 전원하에서 구동되는 발광다이오드를 제공하기 어렵다. 한편, 브리지 정류기를 이루는 발광셀들의 수를 증가시켜 역방향 전압을 감소시킬 수 있으나, 그에 따라 다시 발광셀들의 사용효율이 떨어진다.However, when the number of light emitting cells connected to the bridge rectifier is increased, a high voltage reverse voltage is applied to a specific light emitting cell in the bridge rectifier, and thus, the light emitting cell of the bridge rectifier may be damaged, and as a result, the light emitting diode may be damaged. In order to prevent this, the number of light emitting cells in the array of light emitting cells connected to the bridge rectifier can be reduced, but in this case, it is difficult to provide a light emitting diode driven under a high voltage AC power supply. Meanwhile, the reverse voltage may be decreased by increasing the number of light emitting cells constituting the bridge rectifier. However, the use efficiency of the light emitting cells decreases again.

한편, 고전압 교류용 발광 다이오드의 칩 면적 대비 발광 출력을 향상시키려는 노력 및 신뢰성을 개선하려는 노력이 계속되고 있다. 특히, 사각형의 평면 윤곽을 갖는 칩의 한정된 면적 내에 복수개의 발광셀들을 적절히 배열하여 발광 면적을 증대시키고, 이들을 배선을 이용하여 효과적으로 연결한 발광 다이오드가 요구되고 있다.On the other hand, efforts to improve the light emission output relative to the chip area of the high voltage AC light emitting diodes and efforts to improve the reliability have been continued. In particular, there is a need for a light emitting diode in which a plurality of light emitting cells are appropriately arranged within a limited area of a chip having a rectangular planar outline to increase the light emitting area, and are effectively connected to each other using wiring.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 발광셀에 인가되는 역방향 전압을 최소화하면서 유효 발광 면적을 증가시킬 수 있는 교류용 발광 다이오드를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide an AC light emitting diode capable of increasing an effective light emitting area while minimizing a reverse voltage applied to a light emitting cell.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 단일의 발광셀에 인가되는 역방향 전압을 최소화하도록 발광셀들의 배열 구조를 개선한 교류용 발광 다이오드를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an AC light emitting diode having an improved arrangement of light emitting cells to minimize the reverse voltage applied to a single light emitting cell.

본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 발광셀들에 균일한 순방향 전압이 인가될 수 있는 교류용 발광 다이오드를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an AC light emitting diode in which a uniform forward voltage can be applied to the light emitting cells.

본 발명의 일 태양에 따르면, 단일 기판 상에 전기적으로 연결된 복수개의 발광셀들을 갖는 교류용 발광 다이오드가 제공된다. 이 발광 다이오드는, 제1의 한 쌍의 반파 발광셀들, 전파 발광셀 및 제2의 한 쌍의 반파 발광셀들을 포함한다. 상기 전파 발광셀은 상기 제1의 한 쌍의 반파 발광셀들과 상기 제2의 한 쌍의 반파 발광셀들 사이에 위치하여 상기 제1의 한 쌍의 반파 발광셀들 및 제2의 한 쌍의 반파 발광셀들에 전기적으로 연결되고, 상기 제1의 한 쌍의 반파 발광셀들은 서로 애노드 단자 또는 캐소드 단자를 공유한다.According to one aspect of the invention, there is provided a light emitting diode for alternating current having a plurality of light emitting cells electrically connected on a single substrate. The light emitting diode includes a first pair of half-wave light emitting cells, a full-wave light emitting cell and a second pair of half-wave light emitting cells. The full-wave light emitting cell is positioned between the first pair of half-wave light emitting cells and the second pair of half-wave light emitting cells, so that the first pair of half-wave light emitting cells and the second pair of half-wave light emitting cells are disposed. Electrically connected to the half-wave light emitting cells, the first pair of half-wave light emitting cells share an anode terminal or a cathode terminal with each other.

여기서, 반파 발광셀은 교류 전원의 반주기 동안 순방향 전압이 인가되어 광을 방출하는 발광셀을 의미하고, 전파 발광셀은 교류 전원의 전주기 동안 순방향 전압이 인가되어 광을 방출하는 발광셀을 의미한다. 전파 발광셀들을 채택함으로써 유효 발광 면적이 증가한다. 더욱이, 애노드 단자 또는 캐소드 단자를 공유하는 발광셀들의 쌍을 채택함으로써, 애노드 단자 또는 캐소드 단자 형성 면적을 감소시킬 수 있어 발광 면적을 증가시킬 수 있다.Here, the half-wave light emitting cell refers to a light emitting cell that emits light by applying a forward voltage during the half cycle of the AC power, the radio wave emitting cell means a light emitting cell that emits light by applying a forward voltage during the entire period of the AC power. . By adopting the propagation light emitting cells, the effective light emitting area is increased. Furthermore, by adopting a pair of light emitting cells that share an anode terminal or a cathode terminal, the area for forming the anode terminal or the cathode terminal can be reduced and the light emitting area can be increased.

상기 제1행 내의 한 쌍의 반파 발광셀들, 상기 제2행 내의 전파 발광셀 및 상기 제3행 내의 한 쌍의 반파 발광셀들 각각의 애노드 단자와 캐소드 단자 사이의 거리는 실질적으로 동일할 수 있다. 이에 따라, 각 발광셀들에 인가되는 순방향 전압을 대체로 동일하게 유지할 수 있다. 또한, 상기 제1행 내의 한 쌍의 반파 발광셀들, 상기 전파 발광셀 및 상기 제3행 내의 한 쌍의 반파 발광셀들이 점유하는 면적은 실질적으로 동일할 수 있다.The distance between the anode terminal and the cathode terminal of each of the pair of half-wave light emitting cells in the first row, the propagation light emitting cell in the second row and the pair of half-wave light emitting cells in the third row may be substantially the same. . Accordingly, the forward voltage applied to each of the light emitting cells can be substantially maintained. In addition, the area occupied by the pair of half-wave light emitting cells in the first row, the radio wave emitting cell and the pair of half-wave light emitting cells in the third row may be substantially the same.

상기 제1의 한 쌍의 반파 발광셀들 각각은 애노드 단자와 캐소드 단자를 갖되, 서로 캐소드 단자를 공유하며, 제1행 내에 배열되고, 상기 전파 발광셀은 애노드 단자와 캐소드 단자를 갖고 제2행 내에 배열되고, 상기 제2의 한 쌍의 반파 발광셀들 각각은 애노드 단자와 캐소드 단자를 갖고, 제3행 내에 배열될 수 있다. 또한, 상기 전파 발광셀의 애노드 단자는 상기 제1행 내의 한 쌍의 반파 발광셀들에 의해 공유된 캐소드 단자에 전기적으로 연결되고, 상기 전파 발광셀의 캐소드 단자는 상기 제3행 내의 한 쌍의 반파 발광셀들의 애노드 단자들에 전기적으로 연결된다.Each of the first pair of half-wave light emitting cells has an anode terminal and a cathode terminal, and shares a cathode terminal with each other, and is arranged in a first row, and the radio wave light emitting cell has an anode terminal and a cathode terminal, and has a second row. Each of the second pair of half-wave light emitting cells has an anode terminal and a cathode terminal, and may be arranged in a third row. In addition, an anode terminal of the radio wave emitting cell is electrically connected to a cathode terminal shared by a pair of half wave light emitting cells in the first row, and a cathode terminal of the radio wave emitting cell is a pair of cathodes in the third row. It is electrically connected to the anode terminals of the half-wave light emitting cells.

여기서 "애노드 단자" 및 "캐소드 단자"는 각각 발광셀 내로 전류가 유입 및/또는 유출되는 발광셀의 양측 단자들을 의미한다. 상기 애노드 단자 및 캐소드 단 자는 발광셀 상에 위치한다. 예컨대, 발광셀 상에 형성된 n-전극 패드가 캐소드 단자, p-전극 패드가 애노드 단자가 된다.Here, the "anode terminal" and the "cathode terminal" mean both terminals of the light emitting cell in which current flows into and / or out of the light emitting cell. The anode terminal and the cathode terminal are located on the light emitting cell. For example, an n-electrode pad formed on a light emitting cell becomes a cathode terminal, and a p-electrode pad becomes an anode terminal.

또한, 상기 제3행 내의 한 쌍의 반파 발광셀들은 서로 애노드 단자를 공유할 수 있다. 반파 발광셀들이 애노드 단자를 공유함으로써 애노드 단자 형성을 위한 면적을 감소시킬 수 있으며 따라서 발광 면적을 증가시킬 수 있다.In addition, the pair of half-wave light emitting cells in the third row may share the anode terminal with each other. Since the half-wave light emitting cells share the anode terminal, the area for forming the anode terminal can be reduced and thus the light emitting area can be increased.

몇몇 실시예들에 있어서, 상기 발광 다이오드는, 각각 애노드 단자와 캐소드 단자를 갖고, 상기 제1행 내의 한 쌍의 발광셀들에 인접하여 제1행 내에 배치된 다른 한 쌍의 반파 발광셀들; 애노드 단자와 캐소드 단자를 갖고, 상기 전파 발광셀에 인접하여 제2행 내에 배치된 다른 전파 발광셀; 및 각각 애노드 단자와 캐소드 단자를 갖되, 서로 캐소드 단자를 공유하며, 상기 제3행 내의 한 쌍의 발광셀들에 인접하여 제3행 내에 배치된 다른 한 쌍의 반파 발광셀들을 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 다른 전파 발광셀은 상기 제1행의 다른 한 쌍의 반파 발광셀들과 상기 제3행의 다른 한 쌍의 반파 발광셀들 사이에 위치하고, 상기 다른 전파 발광셀의 애노드 단자는 상기 제3행 내의 다른 한 쌍의 반파 발광셀들에 의해 공유된 캐소드 단자에 전기적으로 연결되고, 상기 다른 전파 발광셀의 캐소드 단자는 상기 제1행 내의 다른 한 쌍의 반파 발광셀들의 애노드 단자들에 전기적으로 연결되고, 상기 제1행 내의 다른 한 쌍의 반파 발광셀들 중 하나의 반파 발광셀의 캐소드 단자는 상기 제1행 내의 한 쌍의 반파 발광셀들 중 하나의 반파 발광셀의 애노드 단자에 전기적으로 연결되고, 상기 제3행 내의 다른 한 쌍의 반파 발광셀들 중 하나의 반파 발광셀의 애노드 단자는 상기 제3행 내의 한 쌍의 반파 발광셀들 중 하나의 반 파 발광셀의 캐소드 단자에 전기적으로 연결된다.In some embodiments, the light emitting diode includes: a pair of other half-wave light emitting cells each having an anode terminal and a cathode terminal and disposed in the first row adjacent to the pair of light emitting cells in the first row; Another light emitting cell having an anode terminal and a cathode terminal and disposed in a second row adjacent to the light emitting cell; And a pair of half-wave light emitting cells each having an anode terminal and a cathode terminal, and sharing a cathode terminal with each other, and adjacent to the pair of light emitting cells in the third row, disposed in the third row. . Here, the other light emitting cell is located between the other pair of half-wave light emitting cells of the first row and the other pair of half-wave light emitting cells of the third row, and the anode terminal of the other light emitting cell is And electrically connected to a cathode terminal shared by another pair of half-wave light emitting cells in three rows, the cathode terminal of the other full-wave light emitting cell being electrically connected to the anode terminals of the other pair of half-wave light emitting cells in the first row. And a cathode terminal of one half wave light emitting cell of the other pair of half wave light emitting cells in the first row is electrically connected to an anode terminal of one half wave light emitting cell of the pair of half wave light emitting cells in the first row. And the anode terminal of one half wave light emitting cell of the other pair of half wave light emitting cells in the third row is a cathode of one half wave light emitting cell of the pair of half wave light emitting cells in the third row. It is electrically connected to the terminal.

상기 제1행 내의 다른 한 쌍의 반파 발광셀들은 애노드 단자를 서로 공유할 수 있다. 애노드 단자를 서로 공유함으로써 애노드 단자 형성에 필요한 면적을 줄일 수 있으며, 따라서 발광 면적을 증가시킬 수 있다.The other pair of half-wave light emitting cells in the first row may share the anode terminal with each other. By sharing the anode terminals with each other, the area required for forming the anode terminals can be reduced, and thus the light emitting area can be increased.

다른 실시예들에 있어서, 상기 발광 다이오드는, 각각 애노드 단자와 캐소드 단자를 갖되, 서로 캐소드 단자를 공유하며, 상기 제1행 내의 한 쌍의 발광셀들에 인접하여 제1행 내에 배치된 다른 한 쌍의 반파 발광셀들; 애노드 단자와 캐소드 단자를 갖고, 상기 전파 발광셀에 인접하여 제2행 내에 배치된 다른 전파 발광셀; 상기 전파 발광셀과 상기 다른 전파 발광셀 사이에 배치된 또 다른 전파 발광셀; 및 각각 애노드 단자와 캐소드 단자를 갖고, 상기 제3행 내의 한 쌍의 발광셀들에 인접하여 제3행 내에 배치된 다른 한 쌍의 반파 발광셀들을 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 다른 전파 발광셀은 상기 제1행의 다른 한 쌍의 반파 발광셀들과 상기 제3행의 다른 한 쌍의 반파 발광셀들 사이에 위치하고, 상기 다른 전파 발광셀의 애노드 단자는 상기 제1행 내의 다른 한 쌍의 반파 발광셀들에 의해 공유된 캐소드 단자에 전기적으로 연결되고, 상기 다른 전파 발광셀의 캐소드 단자는 상기 제3행 내의 다른 한 쌍의 반파 발광셀들의 애노드 단자들에 전기적으로 연결되고, 상기 제1행 내의 한 쌍의 반파 발광셀들 중 하나의 반파 발광셀의 애노드 단자 및 상기 제1행 내의 다른 한 쌍의 반파 발광셀들 중 하나의 반파 발광셀의 애노드 단자는 상기 제2행 내의 또 다른 전파 발광셀의 캐소드 단자에 전기적으로 연결되고, 상기 제3행 내의 한 쌍의 반파 발광셀들 중 하나의 반파 발광셀의 캐소드 단자 및 상기 제3행 내의 다른 한 쌍의 반파 발광셀들 중 하나의 반파 발광셀의 캐소드 단자는 상기 제2행 내의 또 다른 전파 발광셀의 애노드 단자에 전기적으로 연결된다.In other embodiments, the light emitting diodes each have an anode terminal and a cathode terminal, and share a cathode terminal with each other, the other one disposed in a first row adjacent to a pair of light emitting cells in the first row. A pair of half-wave light emitting cells; Another light emitting cell having an anode terminal and a cathode terminal and disposed in a second row adjacent to the light emitting cell; Another radio wave emitting cell disposed between the radio wave emitting cell and the other radio wave emitting cell; And another pair of half-wave light emitting cells each having an anode terminal and a cathode terminal and disposed in the third row adjacent to the pair of light emitting cells in the third row. Here, the other light emitting cell is located between the other pair of half-wave light emitting cells of the first row and the other pair of half-wave light emitting cells of the third row, and the anode terminal of the other light emitting cell is Electrically connected to a cathode terminal shared by another pair of half-wave light emitting cells in one row, the cathode terminal of the other full-wave light emitting cell being electrically connected to the anode terminals of the other pair of half-wave light emitting cells in the third row The anode terminal of one half-wave light emitting cell of the pair of half-wave light emitting cells in the first row and the anode terminal of one half-wave light emitting cell of the other pair of half-wave light emitting cells in the first row A cathode terminal of one half wave light emitting cell of the pair of half wave light emitting cells in the third row and the other terminal in the third row, electrically connected to a cathode terminal of another full wave light emitting cell in the second row The cathode terminal of one half-wave light emitting cell of the pair of half-wave light emitting cells is electrically connected to the anode terminal of another full-wave light emitting cell in the second row.

또한, 상기 제3행 내의 한 쌍의 반파 발광셀들 중 하나의 반파 발광셀과 상기 제3행 내의 다른 한 쌍의 반파 발광셀들 중 하나의 반파 발광셀은 캐소드 단자를 공유할 수 있다. 따라서, 캐소드 단자를 형성하기 위한 면적을 더욱 감소시킬 수 있으며, 그 결과 발광 면적을 더욱 증가시킬 수 있다.In addition, one half-wave light emitting cell of the pair of half-wave light emitting cells in the third row and one half-wave light emitting cell of the other pair of half-wave light emitting cells in the third row may share a cathode terminal. Therefore, the area for forming the cathode terminal can be further reduced, and as a result, the light emitting area can be further increased.

본 발명의 다른 태양에 따르면, 단일 기판 상에 전기적으로 연결된 복수개의 발광셀들을 갖는 교류용 발광 다이오드가 제공된다. 이 발광 다이오드는, 본딩 패드들과, 상기 본딩 패드들 사이에서 서로 전기적으로 결합된 복수개의 기본 유닛들을 포함한다. 상기 기본 유닛들은, 제1의 한 쌍의 반파 발광셀들, 전파 발광셀 및 제2의 한 쌍의 반파 발광셀들을 포함한다. 또한, 상기 전파 발광셀은 상기 제1의 한 쌍의 반파 발광셀들과 상기 제2의 한 쌍의 반파 발광셀들 사이에 위치하여 상기 제1의 한 쌍의 반파 발광셀들 및 제2의 한 쌍의 반파 발광셀들에 전기적으로 연결되고, 상기 제1의 한 쌍의 반파 발광셀들은 서로 애노드 단자 또는 캐소드 단자를 공유한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode for alternating current having a plurality of light emitting cells electrically connected on a single substrate. The light emitting diode includes bonding pads and a plurality of basic units electrically coupled to each other between the bonding pads. The basic units include a first pair of half-wave light emitting cells, a full-wave light emitting cell and a second pair of half-wave light emitting cells. In addition, the full-wave light emitting cell is positioned between the first pair of half-wave light emitting cells and the second pair of half-wave light emitting cells, and the first pair of half-wave light emitting cells and the second one. It is electrically connected to a pair of half-wave light emitting cells, and the first pair of half-wave light emitting cells share an anode terminal or a cathode terminal with each other.

특정 실시예에 있어서, 상기 제1의 한 쌍의 반파 발광셀들 각각은 애노드 단자와 캐소드 단자를 갖되, 서로 캐소드 단자를 공유하고, 상기 전파 발광셀은 애노드 단자와 캐소드 단자를 갖고, 상기 제2의 한 쌍의 반파 발광셀들 각각은 애노드 단자와 캐소드 단자를 갖고, 상기 전파 발광셀의 애노드 단자는 상기 제1의 한 쌍의 반파 발광셀들에 의해 공유된 캐소드 단자에 전기적으로 연결되고, 상기 전파 발광셀의 캐소드 단자는 상기 제2의 한 쌍의 반파 발광셀들의 애노드 단자들에 전기적으로 연결될 수 있다.In a particular embodiment, each of the first pair of half-wave light emitting cells has an anode terminal and a cathode terminal, and shares a cathode terminal with each other, and the radio wave emitting cell has an anode terminal and a cathode terminal, and the second Each of the pair of half-wave light emitting cells of has an anode terminal and a cathode terminal, the anode terminal of the full wave light emitting cell is electrically connected to a cathode terminal shared by the first pair of half-wave light emitting cells, The cathode terminal of the full-wave light emitting cell may be electrically connected to the anode terminals of the second pair of half-wave light emitting cells.

몇몇 실시예들에 있어서, 하나의 기본 유닛에 결합된 다른 하나의 기본 유닛은 상기 하나의 기본 유닛에 180도 회전하여 결합될 수 있다. 또한, 기본 유닛들 사이에 결합된 기본 유닛의 제2의 한 쌍의 반파 발광셀들은 애노드 단자를 공유할 수 있다.In some embodiments, another base unit coupled to one base unit may be coupled to the one base unit by rotating it 180 degrees. In addition, the second pair of half-wave light emitting cells of the base unit coupled between the base units may share an anode terminal.

몇몇 실시예들에 있어서, 복수개의 기본 유닛들이 서로 행을 바꾸어 배열될 수 있다. 또한, 서로 다른 행에 배열된 복수개의 기본 유닛들은 서로 직렬 연결 또는 병렬 연결될 수 있다. 나아가, 서로 다른 행에 배열된 복수개의 기본 유닛들은 거울면 대칭 구조를 이룰 수 있다.In some embodiments, a plurality of basic units may be arranged side by side with each other. In addition, the plurality of basic units arranged in different rows may be connected in series or in parallel with each other. Furthermore, the plurality of basic units arranged in different rows may form a mirror symmetric structure.

한편, 상기 발광 다이오드는 기본 유닛들 사이에 배치된 추가의 전파 발광셀을 더 포함할 수 있으며, 기본 유닛들이 상기 추가의 전파 발광셀을 통해 서로 결합될 수 있다.Meanwhile, the light emitting diode may further include additional radio wave emitting cells disposed between the base units, and the base units may be coupled to each other through the additional radio wave emitting cells.

본 발명에 따르면, 캐소드 전극을 공유하는 발광셀들의 쌍을 채택함으로써 발광 면적을 증가시킬 수 있다. 또한, 반파 발광셀들의 쌍들 사이에 전파 발광셀이 배치된 기본 유닛들을 서로 연결함으로써, 반파 발광셀들에 각각에 인가되는 역방향 전압이 두개의 발광셀들에 인가되는 순방향 전압과 대체로 동일하게 유지할 수 있다. 또한, 특정 구조의 발광셀들의 유닛들을 이용하여 발광셀들을 서로 연결함으로써 단위 면적 내에 발광셀들을 고집적화할 수 있다. 나아가, 발광셀들의 전극간 거리를 균일하게 하여 발광셀들 사이에서 순방향 전압이 대체로 동일하게 하여 발광 다이오드의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, the light emitting area can be increased by adopting a pair of light emitting cells sharing the cathode electrode. In addition, by connecting the base units in which the full-wave light emitting cells are disposed between the pair of half-wave light emitting cells, the reverse voltage applied to each of the half-wave light emitting cells can be maintained to be substantially the same as the forward voltage applied to the two light emitting cells. have. In addition, the light emitting cells may be highly integrated in a unit area by connecting the light emitting cells to each other using units of light emitting cells having a specific structure. Furthermore, the distance between the electrodes of the light emitting cells is uniform, so that the forward voltage is substantially the same between the light emitting cells, thereby improving reliability of the light emitting diode.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following embodiments are provided as examples to ensure that the spirit of the present invention to those skilled in the art will fully convey. Accordingly, the present invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. In the drawings, lengths, thicknesses, and the like of layers and regions may be exaggerated for convenience. Like numbers refer to like elements throughout.

본 발명의 일 태양에 따른 교류용 발광 다이오드는 특정 구조를 갖는 발광셀들의 기본 유닛을 포함한다. 본 발명의 실시예들에 따른 기본 유닛은 반파 발광셀들과 전파 발광셀을 포함하며, 브지지 정류기와 유사한 형태를 갖는다. 복수개의 기본 유닛들이 다양한 형태로 서로 전기적으로 연결되어 교류용 발광 다이오드를 구성할 수 있다.An AC light emitting diode according to an aspect of the present invention includes a basic unit of light emitting cells having a specific structure. The basic unit according to the embodiments of the present invention includes half-wave light emitting cells and full-wave light emitting cells, and has a form similar to a bridged rectifier. A plurality of basic units may be electrically connected to each other in various forms to form an AC light emitting diode.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 교류용 발광 다이오드에 사용될 수 있는 발광셀들의 기본 유닛(1000)을 설명하기 위한 평면도이고, 도 2는 도 1의 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도들이다.FIG. 1 is a plan view illustrating a basic unit 1000 of light emitting cells that may be used in an AC LED according to embodiments of the present disclosure, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the cutting line A-A of FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 기본 유닛(1000)은 기판(21)상에 배치되며, 한 쌍의 반파 발광셀들(100a, 100b), 전파 발광셀들(200) 및 한 쌍의 반파 발광셀들(300)을 포함하며, 상기 발광셀들(100a, 100b, 200, 300)은 배선들(1221, 2231) 에 의해 서로 전기적으로 연결된다.1 and 2, the base unit 1000 is disposed on a substrate 21, and has a pair of half-wave light emitting cells 100a and 100b, a propagation light emitting cell 200, and a pair of half-waves. Light emitting cells 300 are included, and the light emitting cells 100a, 100b, 200, and 300 are electrically connected to each other by wirings 1221 and 2231.

상기 발광셀들은 각각 애노드 단자와 캐소드 단자를 포함한다. 여기서 "애노드 단자" 및 "캐소드 단자"는 각각 발광셀 내로 전류가 유입 및/또는 유출되는 발광셀의 양측 단자들을 의미한다. 이러한 애노드 단자 및 캐소드 단자는 발광셀 상에 위치한다. 예컨대, 상기 캐소드 단자는 발광셀의 n형 반도체층(23) 상에 형성된 전극 패드(120, 320)일 수 있으며, 상기 애노드 단자는 p형 반도체층(27) (또는, 상기 p형 반도체층 상에 투명전극층(29)이 형성된 경우, 상기 투명 전극층) 상에 형성된 전극 패드(110, 310)일 수 있다. 설명의 편의를 위해, 이하에서는 반파 발광셀들(100a, 100b)의 애노드 단자가 p-전극 패드(110)이고, 캐소드 단자가 n-전극 패드(120)이며, 전파 발광셀들(200)의 애노드 단자가 p-전극 패드(210)이고, 캐소드 단자가 n-전극 패드(220)이고, 반파 발광셀들(300)의 애노드 단자가 p-전극 패드(310)이고, 캐소드 단자가 n-전극 패드(320)인 것으로 설명한다. 이하에서 전극 패드들과 배선들을 서로 구분하여 설명하지만, 전극 패드들(110, 120, 210, 220, 310, 320)이 별도로 형성되지 않고 배선들이 직접 전극 패드들의 위치에 형성될 수도 있다.Each of the light emitting cells includes an anode terminal and a cathode terminal. Here, the "anode terminal" and the "cathode terminal" mean both terminals of the light emitting cell in which current flows into and / or out of the light emitting cell, respectively. The anode terminal and the cathode terminal are located on the light emitting cell. For example, the cathode terminal may be electrode pads 120 and 320 formed on the n-type semiconductor layer 23 of the light emitting cell, and the anode terminal may be on the p-type semiconductor layer 27 (or on the p-type semiconductor layer). In the case where the transparent electrode layer 29 is formed, the electrode pads 110 and 310 may be formed on the transparent electrode layer. For convenience of explanation, hereinafter, the anode terminals of the half-wave light emitting cells 100a and 100b are p-electrode pads 110, the cathode terminals are n-electrode pads 120, and the light emitting cells 200 The anode terminal is the p-electrode pad 210, the cathode terminal is the n-electrode pad 220, the anode terminal of the half-wave light emitting cells 300 is the p-electrode pad 310, and the cathode terminal is the n-electrode It will be described as a pad 320. Hereinafter, the electrode pads and the wirings will be described separately from each other, but the electrode pads 110, 120, 210, 220, 310, and 320 may not be separately formed, but the wirings may be directly formed at the positions of the electrode pads.

반파 발광셀들(100a, 100b)은 서로 쌍(100)을 이루며, 캐소드 단자(120)를 서로 공유한다. 이것은 반파 발광셀들(100a, 100b)이 n형 반도체층(23)을 공유하는 것을 의미한다. 상기 발광셀들(100a, 100b)은 서로 대향하도록 배치되며, 또한 서로 대향하는 애노드 단자들(110)을 갖고, 그 중간 위치에 공유된 캐소드 단자(120)를 갖는다. 한편, 반파 발광셀들(300)은 애노드 단자(110) 및 캐소드 단자(120)를 독립적으로 갖는다. 상기 반파 발광셀들(300)은 서로 쌍을 이루어 대향하여 배열되며, 서로 분리되어 있다.The half-wave light emitting cells 100a and 100b form a pair 100 with each other and share the cathode terminal 120 with each other. This means that the half-wave light emitting cells 100a and 100b share the n-type semiconductor layer 23. The light emitting cells 100a and 100b are disposed to face each other, have anode terminals 110 facing each other, and have a cathode terminal 120 shared at an intermediate position thereof. Meanwhile, the half wave light emitting cells 300 independently have an anode terminal 110 and a cathode terminal 120. The half-wave light emitting cells 300 are arranged in pairs to face each other and are separated from each other.

상기 반파 발광셀들(100a, 100b)과 반파 발광셀들(300) 사이에 전파 발광셀(200)이 위치한다. 전파 발광셀(200)은 애노드 단자(210)와 캐소드 단자(220)를 가지며, 애노드 단자(210)가 반파 발광셀들(100a, 100b)에 의해 공유된 캐소드 단자(120)에 배선(1221)을 통해 전기적으로 연결되고, 캐소드 단자(220)가 반파 발광셀들(300)의 애노드 단자들(310)에 배선들(2231)을 통해 전기적으로 연결된다.The full wave light emitting cell 200 is positioned between the half wave light emitting cells 100a and 100b and the half wave light emitting cells 300. The full-wave light emitting cell 200 has an anode terminal 210 and a cathode terminal 220, and the wiring 1221 is connected to the cathode terminal 120 where the anode terminal 210 is shared by the half-wave light emitting cells 100a and 100b. Are electrically connected to each other, and the cathode terminal 220 is electrically connected to the anode terminals 310 of the half-wave light emitting cells 300 through wires 2231.

상기 반파 발광셀들(100a, 100b)은 하나의 행(제1행) 내에 배열되고, 전파 발광셀(200)은 다른 행(제2행) 내에 배열되고, 반파 발광셀들(300)은 또 다른 행(제3행) 내에 배열된다.The half-wave light emitting cells 100a and 100b are arranged in one row (first row), the full-wave light emitting cell 200 is arranged in another row (second row), and the half-wave light emitting cells 300 are also Arranged in another row (third row).

도 2를 참조하면, 반파 발광셀들(100a, 100b)은 하부 반도체층(23), 활성층(25) 및 상부 반도체층(27)을 포함한다. 상기 활성층(25)은 단일 양자웰 구조 또는 다중 양자웰 구조일 수 있으며, 요구되는 발광 파장에 따라 그 물질 및 조성이 선택된다. 예컨대, 상기 활성층은 AlInGaN 계열의 화합물 반도체, 예컨대 InGaN로 형성될 수 있다. 한편, 상기 하부 및 상부 반도체층(23, 27)은 상기 활성층(25)에 비해 밴드갭이 큰 AlInGaN 계열의 화합물 반도체, 예컨대 GaN를 포함한다. 한편, 상기 하부 반도체층(23)과 상기 기판(21) 사이에 버퍼층(도시하지 않음)이 개재될 수 있다.Referring to FIG. 2, the half-wave light emitting cells 100a and 100b include a lower semiconductor layer 23, an active layer 25, and an upper semiconductor layer 27. The active layer 25 may be a single quantum well structure or a multi quantum well structure, and its material and composition are selected according to the emission wavelength required. For example, the active layer may be formed of an AlInGaN-based compound semiconductor, such as InGaN. Meanwhile, the lower and upper semiconductor layers 23 and 27 include AlInGaN-based compound semiconductors, such as GaN, having a larger band gap than the active layer 25. Meanwhile, a buffer layer (not shown) may be interposed between the lower semiconductor layer 23 and the substrate 21.

상기 상부 반도체층(27)은 상기 하부 반도체층(23)의 일부 영역 상부에 위치하며, 상기 활성층(25)은 하부 반도체층(25)과 상부 반도체층(27) 사이에 개재된 다. 상기 하부 반도체층(23)은 n형 반도체층이고, 상기 상부 반도체층(27)은 p형 반도체층일 수 있다. 이때, 상기 상부 반도체층(27) 상에 투명전극층(29)이 위치할 수 있다. 상기 투명전극층(29)은 인디움틴산화막(ITO) 또는 Ni/Au 등의 물질로 형성될 수 있다. 상기 반파 발광셀들(100a, 100b) 상에 애노드 단자들(110)이 각각 위치하며, 반파 발광셀들(100a, 100b)의 중간에 캐소드 단자(120)가 위치한다. The upper semiconductor layer 27 is positioned above a portion of the lower semiconductor layer 23, and the active layer 25 is interposed between the lower semiconductor layer 25 and the upper semiconductor layer 27. The lower semiconductor layer 23 may be an n-type semiconductor layer, and the upper semiconductor layer 27 may be a p-type semiconductor layer. In this case, the transparent electrode layer 29 may be positioned on the upper semiconductor layer 27. The transparent electrode layer 29 may be formed of an indium tin oxide (ITO) material or Ni / Au. Anode terminals 110 are positioned on the half-wave light emitting cells 100a and 100b, respectively, and a cathode terminal 120 is positioned in the middle of the half-wave light emitting cells 100a and 100b.

전파 발광셀(200) 및 반파 발광셀(300)들은 캐소드 단자를 독립적으로 갖는 것을 제외하면 반파 발광셀(100a 또는 100b)과 동일한 구조를 갖는다.The full-wave light emitting cell 200 and the half-wave light emitting cell 300 have the same structure as the half-wave light emitting cell 100a or 100b except for independently having a cathode terminal.

한편, 상기 발광셀들(100a, 100b, 200, 300)의 측벽은 절연층(31)으로 덮힌다. 절연층(31)은 배선들(1221, 2231)로부터 발광셀들을 절연시킨다. 절연층(31)은 투명전극층(29)을 덮을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 절연층(31)은 투명전극층(29)을 노출시키는 개구부를 가질 수도 있다. 상기 절연층(31)은 또한 기판(23)의 노출면을 덮을 수 있다.Meanwhile, sidewalls of the light emitting cells 100a, 100b, 200, and 300 are covered with an insulating layer 31. The insulating layer 31 insulates the light emitting cells from the wirings 1221 and 2231. The insulating layer 31 may cover the transparent electrode layer 29, but is not limited thereto. The insulating layer 31 may have an opening that exposes the transparent electrode layer 29. The insulating layer 31 may also cover the exposed surface of the substrate 23.

여기서 설명된 상기 기본 유닛(1000)은 본 발명의 실시예들에 따른 교류용 발광 다이오드에서 사용될 수 있으며, 복수개의 기본 유닛들이 서로 연결될 수 있다. 상기 기본 유닛은 또한 특정 실시예에 적합하게 변형될 수 있다.The basic unit 1000 described herein may be used in an AC LED according to embodiments of the present invention, and a plurality of basic units may be connected to each other. The base unit may also be modified to suit particular embodiments.

도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 교류용 발광 다이오드에서 상기 기본 유닛의 변형예(2000)를 설명하기 위한 평면도이고, 도 4는 도 3의 절취선 B-B를 따라 취해진 단면도이다.FIG. 3 is a plan view illustrating a modification 2000 of the basic unit in the AC LED according to the exemplary embodiments of the present disclosure, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line B-B of FIG. 3.

도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 기본 유닛의 변형예(2000)는 대체로 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 기본 유닛(1000)과 유사하다. 다만, 도 1의 반파 발광셀 들(300)과 달리 반파 발광셀들(300a, 300b)이 애노드 단자(310)를 공유한다. 반파 발광셀들(300a, 300b)이 애노드 단자(310)를 공유한다는 것은 반파 발광셀들(300a, 300b)이 하부 반도체층(23), 활성층(25), 상부 반도체층(27) 및 투명 전극층(29)을 공유하는 것을 의미한다. 다만, 캐소드 단자들(320)은 서로 독립적으로 대향하여 배치된다.3 and 4, the modification 2000 of the base unit is generally similar to the base unit 1000 described with reference to FIGS. 1 and 2. However, unlike the half-wave light emitting cells 300 of FIG. 1, the half-wave light emitting cells 300a and 300b share the anode terminal 310. The half-wave light emitting cells 300a and 300b share the anode terminal 310, so that the half-wave light emitting cells 300a and 300b have the lower semiconductor layer 23, the active layer 25, the upper semiconductor layer 27, and the transparent electrode layer. Meaning to share 29. However, the cathode terminals 320 are disposed to face each other independently.

애노드 단자(310)를 공유하는 반파 발광셀들(300a, 300b)의 쌍은 특정 조건, 예컨대, 캐소드 단자들(320)이 각각 인접한 반파 발광셀의 애노드 단자들에 전기적으로 연결되는 조건하에서 사용될 수 있다. 이에 대해서는 도 9를 참조하여 뒤에서 상세히 설명된다.The pair of half-wave light emitting cells 300a and 300b sharing the anode terminal 310 may be used under certain conditions, for example, where the cathode terminals 320 are electrically connected to anode terminals of adjacent half-wave light emitting cells, respectively. have. This will be described later in detail with reference to FIG. 9.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 교류용 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이고, 도 6은 도 5의 등가회로도이다. 여기서는 하나의 기본 유닛(1000)을 갖는 교류용 발광 다이오드에 대해 설명한다.FIG. 5 is a plan view illustrating an AC LED according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of FIG. 5. Here, an AC light emitting diode having one basic unit 1000 will be described.

본 실시예에 따른 교류용 발광 다이오드는 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 기본 유닛(1000)의 발광셀들(100a, 100b, 200, 300)을 포함하며, 중복을 피하기 위해 상세한 설명은 생략한다.The AC LED according to the present exemplary embodiment includes the light emitting cells 100a, 100b, 200, and 300 of the basic unit 1000 described with reference to FIGS. 1 and 2, and detailed descriptions thereof will be omitted to avoid duplication. .

한편, 기판(21) 상에 본딩 패드들(50a, 50b)이 위치한다. 본딩 패드들(50a, 50b)은 외부로부터 상기 교류용 발광 다이오드에 교류 전류를 유입하기 위해 본딩 와이어, 범프들이 접속되는 패드들이다.Meanwhile, bonding pads 50a and 50b are positioned on the substrate 21. Bonding pads 50a and 50b are pads to which bonding wires and bumps are connected to induce alternating current to the alternating light emitting diode from the outside.

제1행의 반파 발광셀(100a)의 애노드 단자(110)가 배선(5011)을 통해 본딩 패드(50a)에 전기적으로 연결되고, 제3행의 반파 발광셀들(300) 중 하나의 반파 발 광셀의 캐소드 단자(320)가 본딩 패드(50a)에 전기적으로 연결된다. 또한, 제1행의 반파 발광셀(100b)의 애노드 단자(110)가 배선(5011)을 통해 본딩 패드(50b)에 전기적으로 연결되고, 제3행의 반파 발광셀들(300) 중 다른 하나의 반파 발광셀의 캐소드 단자(320)가 배선(5032)을 통해 본딩 패드(50b)에 전기적으로 연결된다.The anode terminal 110 of the half-wave light emitting cell 100a of the first row is electrically connected to the bonding pad 50a through the wiring 5011, and the half-wave emission of one of the half-wave light emitting cells 300 of the third row. The cathode terminal 320 of the optical cell is electrically connected to the bonding pad 50a. In addition, the anode terminal 110 of the half-wave light emitting cell 100b of the first row is electrically connected to the bonding pad 50b through the wiring 5011, and the other of the half-wave light emitting cells 300 of the third row. The cathode terminal 320 of the half-wave light emitting cell of is electrically connected to the bonding pad 50b through a wire 5052.

본딩 패드 연장선들(50e)이 각각 상기 본딩 패드들(50a, 50b)로부터 연장될 수 있으며, 도시된 바와 같이, 본딩 패드(50a)로부터 연장된 본딩 패드 연장선(50e)이 반파 발광셀(300)의 캐소드 단자(320)에 전기적으로 연결되고, 본딩 패드(50b)로부터 연장된 본딩 패드 연장선(50e)이 반파 발광셀(100b)의 애노드 단자(110)에 연결된 배선(5011)에 연결될 수 있다.Bonding pad extension lines 50e may extend from the bonding pads 50a and 50b, respectively, and as illustrated, the bonding pad extension lines 50e extending from the bonding pad 50a may be half-wave light emitting cells 300. The bonding pad extension line 50e that is electrically connected to the cathode terminal 320 of and that extends from the bonding pad 50b may be connected to the wiring 5011 connected to the anode terminal 110 of the half-wave light emitting cell 100b.

상기 본딩 패드들(50a, 50b) 및 본딩 패드 연장선들(50e)은 하부 반도체층(23) 상에 형성될 수 있으며, 그 결과, 캐소드 전극들(120, 220, 320)과 동일 평면 상에 위치할 수 있다. 또한, 본딩 패드들(50a, 50b), 본딩 패드 연장선들(50e) 및 배선들(5011, 5032, 1221, 2231)은 모두 동일한 공정으로 함께 형성될 수 있다.The bonding pads 50a and 50b and the bonding pad extension lines 50e may be formed on the lower semiconductor layer 23, and as a result, are positioned on the same plane as the cathode electrodes 120, 220, and 320. can do. In addition, the bonding pads 50a and 50b, the bonding pad extension lines 50e, and the wirings 5011, 5032, 1221, and 2231 may all be formed together in the same process.

나아가, 본딩 패드(50b)가 반파 발광셀(300)과 이격되어 형성되고 배선(5032)을 통해 반파 발광셀(300)의 캐소드 단자에 전기적으로 연결될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 본딩 패드(50b)가 반파 발광셀(300)의 캐소드 단자(320) 위치에 형성될 수 있다. 따라서, 캐소드 단자(320)와 본딩 패드(50b)를 별개로 형성할 필요가 없어 발광 면적을 더욱 증가시킬 수 있다.Further, the bonding pad 50b may be formed to be spaced apart from the half-wave light emitting cell 300 and electrically connected to the cathode terminal of the half-wave light emitting cell 300 through the wiring 5032, but is not limited thereto. 50b) may be formed at the location of the cathode terminal 320 of the half-wave light emitting cell 300. Therefore, it is not necessary to separately form the cathode terminal 320 and the bonding pad 50b, thereby further increasing the light emitting area.

또한, 본딩 패드(50b)로부터 연장된 본딩 패드 연장선(50e)이 배선(5011)을 통해 반파 발광셀(100b)의 애노드 단자에 전기적으로 연결되는 것으로 설명했지만, 연장선(50e)이 반파 발광셀(100b)의 애노드 단자(110)에 직접 연결될 수도 있다. 따라서, 반파 발광셀(100b)과 본딩 패드 연장선(50e)을 연결하기 위한 배선(5011)을 형성할 필요가 없으며, 이에 따라 반파 발광셀들(100a, 100b)을 더 크게 형성할 수 있어 발광 면적을 증가시킬 수 있다.In addition, although the bonding pad extension line 50e extending from the bonding pad 50b is electrically connected to the anode terminal of the half-wave light emitting cell 100b through the wiring 5011, the extension line 50e is the half-wave light emitting cell ( It may be directly connected to the anode terminal 110 of 100b). Therefore, it is not necessary to form the wiring 5011 for connecting the half-wave light emitting cell 100b and the bonding pad extension line 50e. Accordingly, the half-wave light emitting cells 100a and 100b can be formed to be larger, thereby emitting a light emitting area. Can be increased.

한편, 반파 발광셀들(100a, 100b)의 애노드 단자(110)와 캐소드 단자(120) 사이의 거리는 전파 발광셀(200)의 애노드 단자(210)와 캐소드 단자(220) 사이의 거리 및 반파 발광셀들(300)의 애노드 단자(310)와 캐소드 단자(320) 사이의 거리와 실질적으로 동일할 수 있다. 애노드 단자와 캐소드 단자 사이의 거리를 균일하게 함으로써 발광셀들(100a, 100b, 200, 300)에 각각 인가되는 순방향 전압을 대체로 균일하게 유지할 수 있다.Meanwhile, the distance between the anode terminal 110 and the cathode terminal 120 of the half-wave light emitting cells 100a and 100b is the distance between the anode terminal 210 and the cathode terminal 220 of the full wave light emitting cell 200 and the half-wave light emission. The distance between the anode terminal 310 and the cathode terminal 320 of the cells 300 may be substantially the same. By making the distance between the anode terminal and the cathode terminal uniform, the forward voltages applied to the light emitting cells 100a, 100b, 200, and 300, respectively, can be maintained substantially uniform.

또한, 반파 발광셀들(100a, 100b, 300)의 발광 면적은 서로 실질적으로 동일할 수 있으며, 전파 발광셀(200)의 발광 면적은 반파 발광셀들의 발광 면적보다 상대적으로 클 수 있다. 예컨대, 전파 발광셀(200)의 발광 면적은 반파 발광셀들(100a, 100b)의 발광 면적의 합 또는 반파 발광셀들(300)의 발광 면적의 합과 실질적으로 동일할 수 있다. 전파 발광셀(200)의 발광 면적이 반파 발광셀들에 비해 상대적으로 크기 때문에, 전파 발광셀(200) 내의 전류 밀도를 상대적으로 낮출 수 있다. 전류 밀도가 낮을 수록 발광셀의 발광 효율이 향상되므로, 전파 발광셀(200)의 발광 효율을 상대적으로 증가시킬 수 있으며, 따라서 발광 다이오드의 전체 발광 효율을 높일 수 있다.In addition, the light emitting areas of the half-wave light emitting cells 100a, 100b, and 300 may be substantially the same, and the light emitting area of the full-wave light emitting cell 200 may be relatively larger than that of the half-wave light emitting cells. For example, the light emitting area of the full-wave light emitting cell 200 may be substantially equal to the sum of the light emitting areas of the half-wave light emitting cells 100a and 100b or the sum of the light emitting areas of the half-wave light emitting cells 300. Since the light emitting area of the propagation light emitting cell 200 is relatively larger than the half wave light emitting cells, the current density in the propagation light emitting cell 200 may be relatively lowered. As the current density is lower, the light emitting efficiency of the light emitting cell is improved, so that the light emitting efficiency of the full-wave light emitting cell 200 can be relatively increased, and thus the overall light emitting efficiency of the light emitting diode can be increased.

도 6을 참조하면, 본딩 패드들(50a, 50b)에 교류 전원이 연결되면, 교류 구 동의 반주기 동안은 본딩 패드(50a)와 본딩 패드(50b) 사이에서 반파 발광셀(100a), 전파 발광셀(200) 및 반파 발광셀들(300) 중 하나(300)에 순방향 전압이 인가되고, 교류 구동의 나머지 반주기 동안은 본딩 패드(50a)와 본딩 패드(50b) 사이에서 반파 발광셀(100b), 전파 발광셀(200) 및 반파 발광셀들(300) 중 다른 하나(300)에 순방향 전압이 인가된다.Referring to FIG. 6, when AC power is connected to the bonding pads 50a and 50b, the half-wave light emitting cell 100a and the radio wave emitting cell are interposed between the bonding pad 50a and the bonding pad 50b during a half cycle of the AC drive. A forward voltage is applied to one of the 200 and half-wave light emitting cells 300, and the half-wave light emitting cell 100b between the bonding pad 50a and the bonding pad 50b for the remaining half period of the AC driving. The forward voltage is applied to the other one of the full-wave light emitting cell 200 and the half-wave light emitting cells 300.

즉, 본 실시예에 따른 교류용 발광 다이오드 동작시, 전파 발광셀(200)은 전주기 동안 동작하며 반파 발광셀들(100a, 100b, 300)은 반주기 동안 동작하게 된다. That is, when the AC light emitting diode operation according to the present embodiment, the full-wave light emitting cell 200 operates for a full cycle and the half-wave light emitting cells 100a, 100b, 300 operate for a half cycle.

한편, 교류 구동의 반주기 동안, 반파 발광셀(100b) 및 반파 발광셀들(300) 중 다른 하나에 역방향 전압이 인가되고, 교류 구동의 나머지 반주기 동안, 반파 발광셀(100a) 및 반파 발광셀들(300) 중 다른 하나에 역방향 전압이 인가된다. 이때, 반파 발광셀들(100a, 100b, 300)에 인가되는 역방향 전압은 각각 반파 발광셀들(100a, 100b, 300) 중 하나와 전파 발광셀(200)에 인가되는 순방향 전압의 합과 대체로 동일하다. 따라서, 반파 발광셀들에 인가되는 역방향 전압이 두개의 발광셀에 인가되는 순방향 전압의 합을 초과하지 않도록 제한할 수 있어 발광 다이오드의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.On the other hand, the reverse voltage is applied to the other of the half-wave light emitting cell 100b and the half-wave light emitting cells 300 during the half cycle of the AC drive, and the half-wave light emitting cell 100a and the half-wave light emitting cells during the other half cycle of the AC drive. The reverse voltage is applied to the other one of the 300. In this case, the reverse voltage applied to the half-wave light emitting cells 100a, 100b, and 300 is substantially the same as the sum of the forward voltages applied to one of the half-wave light emitting cells 100a, 100b, and 300, respectively. Do. Therefore, the reverse voltage applied to the half-wave light emitting cells can be limited so as not to exceed the sum of the forward voltages applied to the two light emitting cells, thereby improving reliability of the light emitting diode.

여기서, 상기 발광셀들(100a, 100b)이 캐소드 단자를 공유하는 것으로 설명했지만, 애노드 단자를 공유할 수도 있다. 이 경우, 캐소드 단자들(120)이 각각 발광셀들(100a, 100b) 상에 위치하여 본딩 패드들(50a, 50b)에 전기적으로 연결되며, 전파 발광셀(200) 및 반파 발광셀들(300)은 서로 방향을 바꾸어 전기적으로 연결된 다.Here, the light emitting cells 100a and 100b have been described as sharing a cathode terminal, but may also share an anode terminal. In this case, the cathode terminals 120 are positioned on the light emitting cells 100a and 100b and electrically connected to the bonding pads 50a and 50b, respectively, and the radio wave emitting cell 200 and the half-wave light emitting cells 300 are provided. Are reversed and electrically connected to each other.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 교류용 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이고, 도 8은 도 7의 등가회로도이다.FIG. 7 is a plan view illustrating an AC LED according to another exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 8 is an equivalent circuit diagram of FIG. 7.

도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 교류용 발광 다이오드는 도 1의 발광셀들의 기본 유닛들 3개, 즉 제1 내지 제3 기본 유닛들(1000a, 1000b, 1000c)가 서로 직렬 연결된 구조를 가지며 양단에 각각 본딩 패드들(50a, 50b)이 접속되어 있다.Referring to FIG. 7, the AC LED according to the present exemplary embodiment has a structure in which three basic units of the light emitting cells of FIG. 1, that is, the first to third basic units 1000a, 1000b, and 1000c are connected to each other in series. Bonding pads 50a and 50b are connected at both ends thereof.

본 실시예에 있어서, 하나의 기본 유닛에 연결되는 다른 기본 유닛은 180도 회전하여 상기 하나의 기본 유닛에 결합된다. 즉, 제2 기본 유닛(1000b)을 사이에 두고 제1 기본 유닛(1000a)과 제3 기본 유닛(1000c)이 양단에 배치되며, 제2 기본 유닛(1000b)은 제1 및 제3의 기본 유닛(1000a, 1000c)에 대해 180도 회전하여 제1 및 제3 기본 유닛(1000a, 1000c)에 결합되어 있다.In the present embodiment, the other base unit connected to one base unit is coupled to the one base unit by rotating 180 degrees. That is, the first base unit 1000a and the third base unit 1000c are disposed at both ends with the second base unit 1000b interposed therebetween, and the second base unit 1000b includes the first and third base units. It is rotated 180 degrees with respect to 1000a and 1000c and is coupled to the first and third basic units 1000a and 1000c.

상술하면, 제1 기본 유닛 및 제3 기본 유닛은 도 1에서 설명한 기본 유닛과 동일한 구조로 배열된 발광셀들(100a, 100b, 200, 300)을 갖는다. 즉, 반파 발광셀들(100a, 100b)은 제1행 내에 배치되며, 전파 발광셀(200)은 제2행 내에 배치되고, 반파 발광셀들(300)은 제3행 내에 배치된다.In detail, the first base unit and the third base unit have light emitting cells 100a, 100b, 200, and 300 arranged in the same structure as the base unit described with reference to FIG. 1. That is, the half-wave light emitting cells 100a and 100b are disposed in the first row, the propagation light emitting cell 200 is disposed in the second row, and the half-wave light emitting cells 300 are disposed in the third row.

이와 달리, 제2 기본 유닛(1000b)은 도 1에서 설명한 기본 유닛에 대해 180도 회전한 구조로 배열된 발광셀들(100a, 100b, 200, 300)을 갖는다. 즉, 상기 제2 기본 유닛에서, 각각 애노드 단자(310)와 캐소드 단자(320)을 갖는 한 쌍의 반파 발광셀들(300)이 제1행 내에 배치되고, 전파 발광셀(200)이 제2행 내에 배치되며, 서로 캐소드 단자를 공유하는 한 쌍의 발광셀들이 제3행 내에 배치된다. 상기 전파 발광셀(200)은 상기 제1행의 한 쌍의 반파 발광셀들(300)과 상기 제3행의 한 쌍의 반파 발광셀들(100a, 100b) 사이에 위치한다. 또한, 상기 전파 발광셀(200)의 애노드 단자(210)는 상기 제3행 내의 한 쌍의 반파 발광셀들(100a, 100b)에 의해 공유된 캐소드 단자(120)에 전기적으로 연결되고, 상기 전파 발광셀(200)의 캐소드 단자(220)는 상기 제1행 내의 한 쌍의 반파 발광셀들(300)의 애노드 단자들(320)에 전기적으로 연결된다.In contrast, the second base unit 1000b has light emitting cells 100a, 100b, 200, and 300 arranged in a structure rotated 180 degrees with respect to the base unit described with reference to FIG. 1. That is, in the second basic unit, a pair of half-wave light emitting cells 300 each having an anode terminal 310 and a cathode terminal 320 are disposed in the first row, and the full-wave light emitting cell 200 is disposed in the second row. A pair of light emitting cells arranged in a row and sharing cathode terminals with each other are arranged in a third row. The radio wave emitting cell 200 is positioned between the pair of half-wave light emitting cells 300 in the first row and the pair of half-wave light emitting cells 100a and 100b in the third row. In addition, the anode terminal 210 of the radio wave emitting cell 200 is electrically connected to the cathode terminal 120 shared by a pair of half-wave light emitting cells 100a and 100b in the third row, and the radio wave The cathode terminal 220 of the light emitting cell 200 is electrically connected to the anode terminals 320 of the pair of half-wave light emitting cells 300 in the first row.

한편, 상기 제2 기본 유닛(1000b)의 한 쌍의 반파 발광셀들(300) 중 하나의 반파 발광셀의 캐소드 단자(320)는 배선(3211)을 통해 상기 제1 기본 유닛(1000a)의 반파 발광셀(100b)의 애노드 단자(110)에 전기적으로 연결되고, 상기 제2 기본 유닛(1000b)의 반파 발광셀(100b)의 애노드 단자(110)는 배선(3211)을 통해 제1 기본 유닛(1000a)의 한 쌍의 반파 발광셀들(300) 중 하나의 반파 발광셀의 캐소드 단자(320)에 전기적으로 연결된다. 또한, 상기 제2 기본 유닛(1000b)의 한 쌍의 반파 발광셀들(300) 중 다른 하나의 반파 발광셀의 캐소드 단자(320)는 배선(3211)을 통해 상기 제3 기본 유닛(1000c)의 반파 발광셀(100a)의 애노드 단자(110)에 전기적으로 연결되고, 상기 제2 기본 유닛(1000b)의 반파 발광셀(100a)의 애노드 단자(110)는 배선(3211)을 통해 제3 기본 유닛(1000c)의 한 쌍의 반파 발광셀들(300) 중 하나의 반파 발광셀의 캐소드 단자(320)에 전기적으로 연결된다.Meanwhile, the cathode terminal 320 of one half-wave light emitting cell of the pair of half-wave light emitting cells 300 of the second basic unit 1000b is half-wave of the first basic unit 1000a through a wiring 3211. It is electrically connected to the anode terminal 110 of the light emitting cell 100b, and the anode terminal 110 of the half-wave light emitting cell 100b of the second basic unit 1000b is connected to the first basic unit through a wiring 3211. It is electrically connected to the cathode terminal 320 of one half-wave light emitting cell of the pair of half-wave light emitting cells 300 of 1000a. In addition, the cathode terminal 320 of the other half-wave light emitting cell of the pair of half-wave light emitting cells 300 of the second base unit 1000b is connected to the third base unit 1000c through a wiring 3211. It is electrically connected to the anode terminal 110 of the half-wave light emitting cell 100a, and the anode terminal 110 of the half-wave light emitting cell 100a of the second basic unit 1000b is connected to the third base unit via a wiring 3211. One of the half-wave light emitting cells 300 of 1000c is electrically connected to the cathode terminal 320 of one half-wave light emitting cell.

본딩 패드(50a)는 도 5를 참조하여 설명한 바와 같이, 제1 기본 유닛(1000a)의 반파 발광셀들(100a, 300)에 전기적으로 연결되며, 본딩 패드(50b)는 제3 기본 유닛(1000c)에 전기적으로 연결된다. 여기서, 본딩 패드(50b)가 제3 기본 유 닛(1000c)의 반파 발광셀(300)의 캐소드 단자(320) 위치에 형성된 것을 도시하였다.As described with reference to FIG. 5, the bonding pad 50a is electrically connected to the half-wave light emitting cells 100a and 300 of the first basic unit 1000a, and the bonding pad 50b is connected to the third basic unit 1000c. Is electrically connected). Here, the bonding pad 50b is formed at the cathode terminal 320 of the half-wave light emitting cell 300 of the third basic unit 1000c.

본 실시예에 있어서, 인접하는 기본 유닛들을 서로 180도 회전하여 결합한 구조를 채택함으로써, 기본 유닛들을 연결하는 배선들(3211)의 크기를 감소시킬 수 있어 배선 형성을 위한 발광 면적의 감소를 완화할 수 있으며, 따라서 발광 면적 감소를 방지할 수 있다.In this embodiment, by adopting a structure in which adjacent basic units are rotated by 180 degrees to each other, the size of the wirings 3211 connecting the basic units can be reduced, so as to mitigate a reduction in the light emitting area for wiring formation. It is possible to prevent the light emitting area from being reduced.

도 8을 참조하면, 본딩 패드들(50a, 50b)에 교류 전원이 연결되면 반파 발광셀들(100a, 100b, 300)은 반주기 동안 구동되고 전파 발광셀들(200)은 전주기 동안 구동된다.Referring to FIG. 8, when AC power is connected to the bonding pads 50a and 50b, the half-wave light emitting cells 100a, 100b and 300 are driven for half a period, and the full-wave light emitting cells 200 are driven for a full cycle.

한편, 교류 전원이 연결되어 구동되는 반주기 동안 일부 반파 발광셀들에는 역방향 전압이 인가된다. 이때, 전파 발광셀들(200) 사이에 위치하는 두개의 반파 발광셀들(100b와 300, 또는 100a와 300)에 인가되는 역방향 전압은 두개의 전파 발광셀들(200)과 두개의 반파 발광셀들(100b와 300, 또는 100a와 300)에 인가되는 역방향 전압의 합과 대체로 유사하다. 따라서, 각 반파 발광셀에 인가되는 역방향 전압은 도 6을 참조하여 설명한 바와 유사하게, 두개의 발광셀에 인가되는 순방향 전압의 합을 초과하지 않도록 제한할 수 있어 발광 다이오드의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Meanwhile, a reverse voltage is applied to some half-wave light emitting cells during a half cycle in which AC power is connected and driven. In this case, the reverse voltages applied to the two half-wave light emitting cells 100b and 300 or 100a and 300 positioned between the two light emitting cells 200 are two full-wave light emitting cells 200 and two half-wave light emitting cells. It is generally similar to the sum of the reverse voltages applied to the fields 100b and 300 or 100a and 300. Accordingly, the reverse voltage applied to each half-wave light emitting cell may be limited not to exceed the sum of the forward voltages applied to the two light emitting cells, as described with reference to FIG. 6, thereby improving reliability of the light emitting diode. .

본 실시예에 있어서, 3개의 기본 유닛들이 본딩 패드들(50a, 50b) 사이에서 서로 결합된 것을 설명했지만, 기본 유닛들의 개수는 특별히 제한되는 것은 아니다.In the present embodiment, it has been described that the three basic units are coupled to each other between the bonding pads 50a and 50b, but the number of the basic units is not particularly limited.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 교류용 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이다.9 is a plan view illustrating an AC light emitting diode according to still another embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 본 실시예에 따른 교류용 발광 다이오드는 도 7을 참조하여 설명한 교류용 발광 다이오드와 대체로 유사하며, 다만, 제1 기본 유닛(1000a)과 제3 기본 유닛(1000c) 사이에 위치하는 제2 기본 유닛(1000b)이 도 3을 참조하여 설명한 변형된 기본 유닛(2000)의 형태를 취하는 점에 차이가 있다.Referring to FIG. 9, the AC light emitting diode according to the present embodiment is generally similar to the AC light emitting diode described with reference to FIG. 7, except that the first base unit 1000a and the third base unit 1000c are disposed. There is a difference in that the second basic unit 1000b positioned takes the form of the modified basic unit 2000 described with reference to FIG. 3.

즉, 제2 기본 유닛(1000b)은 제1 기본 유닛 또는 제3 기본 유닛이 180도 회전된 형태를 취하나, 제2 기본 유닛(1000b)의 반파 발광셀들(300a, 300b)은, 도 3에서 설명한 바와 같이, 애노드 단자(310)를 공유한다.That is, the second basic unit 1000b has a form in which the first basic unit or the third basic unit is rotated 180 degrees, but the half-wave light emitting cells 300a and 300b of the second basic unit 1000b are illustrated in FIG. 3. As described, the anode terminal 310 is shared.

본 실시예의 교류용 발광 다이오드와 같이, 기본 유닛들 사이에 위치하는 기본 유닛의 경우, 반파 발광셀들(300)은 애노드 단자(310)를 서로 공유할 수 있다.In the case of the base unit positioned between the base units, such as the AC LED of the present embodiment, the half-wave light emitting cells 300 may share the anode terminal 310 with each other.

애노드 단자(310)를 공유하는 반파 발광셀들(300a, 300b)을 채택함으로써, 반파 발광셀들(300)을 서로 분리할 필요가 없고 또한 애노드 단자(310)를 형성하기 위한 면적을 감소시킬 수 있으므로 발광 면적을 더욱 증가시킬 수 있다.By adopting the half-wave light emitting cells 300a and 300b sharing the anode terminal 310, the half-wave light emitting cells 300 do not need to be separated from each other and the area for forming the anode terminal 310 can be reduced. Therefore, the light emitting area can be further increased.

도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 교류용 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이고, 도 11은 도 10의 등가회로도이다.FIG. 10 is a plan view illustrating an AC light emitting diode according to still another embodiment, and FIG. 11 is an equivalent circuit diagram of FIG. 10.

도 10 및 도 11을 참조하면, 제1 내지 제3 기본 유닛들(1000a, 1000b, 1000c)이 도 7을 참조하여 설명한 바와 같이 서로 결합된다. 이에 더하여, 제4 내지 제6 기본 유닛들(1000d, 1000e, 1000f)이 행을 바꾸어 서로 결합되어 있다. 행을 달리하는 기본 유닛들의 수는 동일한 것이 바람직하다.10 and 11, the first to third basic units 1000a, 1000b, and 1000c are coupled to each other as described with reference to FIG. 7. In addition, the fourth to sixth basic units 1000d, 1000e, and 1000f are alternately coupled to each other. It is preferable that the number of basic units different rows is the same.

제4 내지 제6 기본 유닛들(1000d, 1000e, 1000f)은 제1 내지 제3 기본 유닛들(1000a, 1000b, 1000c)과 거울면 대칭을 이루도록 배열되어 있으며, 본딩 패드들(50a, 50b)이 각각 제1 기본 유닛(1000a) 및 제4 기본 유닛(1000d)에 접속되어 있다.The fourth to sixth basic units 1000d, 1000e, and 1000f are arranged to have mirror mirror symmetry with the first to third basic units 1000a, 1000b, and 1000c, and the bonding pads 50a and 50b are disposed. The first basic unit 1000a and the fourth basic unit 1000d are respectively connected.

또한, 제3 기본 유닛(1000c)의 반파 발광셀(100b)의 애노드 단자(310)는 제6 기본 유닛(1000f)의 반파 발광셀(300)의 캐소드 단자(320)에 전기적으로 연결되고, 제3 기본 유닛(1000c)의 반파 발광셀(300)의 캐소드 단자(320)는 제6 기본 유닛(1000f)의 반파 발광셀(100b)의 애노드 단자(110)에 전기적으로 연결된다. 여기서, 제3 기본 유닛(1000c)의 반파 발광셀(100b)의 애노드 단자(310)와 제6 기본 유닛(1000f)의 반파 발광셀(300)의 캐소드 단자(320), 그리고 제3 기본 유닛(1000c)의 반파 발광셀(300)의 캐소드 단자(320)와 제6 기본 유닛(1000f)의 반파 발광셀(100b)의 애노드 단자(110)는 다양한 방식으로 배선들을 이용하여 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the anode terminal 310 of the half-wave light emitting cell 100b of the third basic unit 1000c is electrically connected to the cathode terminal 320 of the half-wave light emitting cell 300 of the sixth basic unit 1000f. The cathode terminal 320 of the half-wave light emitting cell 300 of the base unit 1000c is electrically connected to the anode terminal 110 of the half-wave light emitting cell 100b of the sixth base unit 1000f. Here, the anode terminal 310 of the half-wave light emitting cell 100b of the third basic unit 1000c, the cathode terminal 320 of the half-wave light emitting cell 300 of the sixth basic unit 1000f, and the third basic unit ( The cathode terminal 320 of the half-wave light emitting cell 300 of 1000c and the anode terminal 110 of the half-wave light emitting cell 100b of the sixth basic unit 1000f may be electrically connected in various ways.

예컨대, 배선(3211a)이 제3 기본 유닛(1000c)의 반파 발광셀(100b)의 애노드 단자((110)와 제3 기본 유닛(1000c)의 반파 발광셀(300)의 캐소드 단자(320)를 서로 연결하고, 배선(3211c)이 제6 기본 유닛(1000f)의 반파 발광셀(100b)의 애노드 단자(110)와 제6 기본 유닛(1000f)의 반파 발광셀(300)의 캐소드 단자(320)를 서로 연결하고, 배선(3211b)이 제3 기본 유닛(1000c)의 반파 발광셀(300)의 캐소드 단자(320)와 제6 기본 유닛(1000f)의 반파 발광셀(300)의 캐소드 단자(320)을 서로 연결할 수 있다. 이에 따라, 제3 기본 유닛(1000c)의 반파 발광셀들(100b, 300) 및 제6 기본 유닛(1000f)의 반파 발광셀들(100b, 300)이 함께 전기적으로 연결된다.For example, the wiring 3211a connects the anode terminal 110 of the half-wave light emitting cell 100b of the third basic unit 1000c and the cathode terminal 320 of the half-wave light emitting cell 300 of the third basic unit 1000c. The wires 3211c are connected to each other, and the anode terminal 110 of the half-wave light emitting cell 100b of the sixth basic unit 1000f and the cathode terminal 320 of the half-wave light emitting cell 300 of the sixth basic unit 1000f are connected to each other. , The wiring 3211b has a cathode terminal 320 of the half-wave light emitting cell 300 of the third basic unit 1000c and a cathode terminal 320 of the half-wave light emitting cell 300 of the sixth basic unit 1000f. Hence, the half wave light emitting cells 100b and 300 of the third base unit 1000c and the half wave light emitting cells 100b and 300 of the sixth base unit 1000f are electrically connected together. do.

도시된 바와 같이, 배선들(3211a, 3211b)은 전파 발광셀들(200)의 하부 반도체층(23) 상부를 가로지를 수 있으며, 절연층(31)에 의해 전파 발광셀들(200)로부터 절연된다.As shown, the wirings 3211a and 3211b may cross the upper portion of the lower semiconductor layer 23 of the light emitting cells 200 and are insulated from the light emitting cells 200 by the insulating layer 31. do.

본 실시예에 있어서, 배선(3211b)에 의해 연결되는 제3 기본 유닛 및 제6 기본 유닛의 반파 발광셀들(300)은 하부 반도체층(23)을 공유할 수 있으며, 캐소드 단자를 공유할 수 있다. 따라서, 캐소드 단자(320)를 형성하는 경우, 배선(3211b) 형성은 생략될 수 있다.In the present exemplary embodiment, the half-wave light emitting cells 300 of the third base unit and the sixth base unit connected by the wiring 3211b may share the lower semiconductor layer 23, and may share the cathode terminal. have. Therefore, when the cathode terminal 320 is formed, the formation of the wiring 3211b may be omitted.

또한, 본 실시예에 있어서, 제2 기본 유닛(1000b) 및 제5 기본 유닛(1000e) 내의 반파 발광셀들(300)은, 도 9를 참조하여 설명한 바와 같이, 서로 애노드 단자를 공유할 수 있다.In addition, in the present exemplary embodiment, the half-wave light emitting cells 300 in the second base unit 1000b and the fifth base unit 1000e may share anode terminals with each other, as described with reference to FIG. 9. .

도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 교류용 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이고, 도 13은 도 12의 등가회로도이다.12 is a plan view illustrating an AC light emitting diode according to still another embodiment of the present invention, and FIG. 13 is an equivalent circuit diagram of FIG. 12.

도 12 및 도 13을 참조하면, 본 실시예에 따른 교류용 발광 다이오드는 도 10을 참조하여 설명한 교류용 발광 다이오드와 대체로 유사하나, 제4 내지 제6 기본 유닛들(1000d~1000f)이 제1 내지 제3 기본 유닛들(1000a~1000c)과 동일한 구조로 행을 바꾸어 배열된 것에 차이가 있다. 즉, 제1 내지 제3 기본 유닛들(1000a~1000c)이 행을 바꾸어 반복되어 있다.12 and 13, the AC light emitting diode according to the present exemplary embodiment is generally similar to the AC light emitting diode described with reference to FIG. 10, but the fourth to sixth basic units 1000d to 1000f are configured to be the first. There is a difference in that the rows are arranged in the same structure as the third to third basic units 1000a to 1000c. That is, the first to third basic units 1000a to 1000c are repeated in a row.

또한, 도 10을 참조하여 설명한 바와 같이, 배선(3211a)이 제3 기본 유닛(1000c)의 반파 발광셀(100b)의 애노드 단자(110)와 반파 발광셀(300)의 캐소드 단자(320)를 연결하고, 배선(3211c)이 제6 기본 유닛(1000f)의 반파 발광셀(100b)의 애노드 단자(110)와 반파 발광셀(300)의 캐소드 단자(320)를 연결할 수 있다. 배선(3211)이 제3 기본 유닛(1000c)의 반파 발광셀(300)의 캐소드 단자(320)와 제6 기본 유닛(1000f)의 반파 발광셀(100b)의 애노드 단자(110)을 연결한다. 이에 따라, 제3 기본 유닛(1000c)의 반파 발광셀들(100b, 300)과 제6 기본 유닛(1000f)의 반파 발광셀들(100b, 300)이 서로 전기적으로 연결된다.In addition, as described with reference to FIG. 10, the wiring 3211a connects the anode terminal 110 of the half-wave light emitting cell 100b of the third basic unit 1000c and the cathode terminal 320 of the half-wave light emitting cell 300. The wiring 3211c may connect the anode terminal 110 of the half-wave light emitting cell 100b of the sixth basic unit 1000f and the cathode terminal 320 of the half-wave light emitting cell 300. The wiring 3211 connects the cathode terminal 320 of the half-wave light emitting cell 300 of the third basic unit 1000c to the anode terminal 110 of the half-wave light emitting cell 100b of the sixth basic unit 1000f. Accordingly, the half wave light emitting cells 100b and 300 of the third base unit 1000c and the half wave light emitting cells 100b and 300 of the sixth base unit 1000f are electrically connected to each other.

본 실시예에 따르면, 도 10을 참조하여 설명한 것과 유사한 형태의 교류용 발광 다이오드가 제공될 수 있다.According to the present embodiment, an AC light emitting diode having a form similar to that described with reference to FIG. 10 may be provided.

도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 교류용 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이고, 도 15는 도 14의 등가회로도이다.FIG. 14 is a plan view illustrating an AC LED according to still another embodiment, and FIG. 15 is an equivalent circuit diagram of FIG. 14.

도 14 및 도 15를 참조하면, 도 10을 참조하여 설명한 바와 같이, 기본 유닛들(1000a~1000f)이 기판(21) 상에 배열된다. 제1 내지 제3 기본 유닛들과 제4 내지 제6 기본 유닛들은 거울면 대칭 구조를 가질 수 있다.14 and 15, as described with reference to FIG. 10, the basic units 1000a to 1000f are arranged on the substrate 21. The first to third base units and the fourth to sixth base units may have a mirror surface symmetry structure.

한편, 제1 기본 유닛(1000a) 및 제4 기본 유닛(1000d)이 본딩 패드(50a)에 공통으로 접속되고, 제3 기본 유닛(1000c) 및 제6 기본 유닛(1000f)이 본딩 패드(50b)에 공통으로 접속된다.Meanwhile, the first base unit 1000a and the fourth base unit 1000d are commonly connected to the bonding pad 50a, and the third base unit 1000c and the sixth base unit 1000f are bonded to the bonding pad 50b. Is commonly connected to.

즉, 제1 기본 유닛(1000a)의 반파 발광셀(100a)의 애노드 단자(110) 및 반파 발광셀(300)의 캐소드 단자(320)와, 제4 기본 유닛(1000d)의 반파 발광셀(100a)의 애노드 단자(110) 및 반파 발광셀(300)의 캐소드 단자(320)가 공통으로 본딩 패드(50a)에 전기적으로 연결되고, 제3 기본 유닛(1000c)의 반파 발광셀(100b)의 애노드 단자(110) 및 반파 발광셀(300)의 캐소드 단자(320)와, 제6 기본 유닛(1000f)의 반파 발광셀(100b)의 애노드 단자(110) 및 반파 발광셀(300)의 캐소드 단자(320)가 공통으로 본딩 패드(50b)에 전기적으로 연결된다.That is, the anode terminal 110 of the half-wave light emitting cell 100a of the first basic unit 1000a and the cathode terminal 320 of the half-wave light emitting cell 300 and the half-wave light emitting cell 100a of the fourth basic unit 1000d. Anode terminal 110 and cathode terminal 320 of half-wave light emitting cell 300 are electrically connected to bonding pad 50a in common, and anode of half-wave light emitting cell 100b of third basic unit 1000c is commonly used. The cathode terminal 320 of the terminal 110 and the half-wave light emitting cell 300 and the anode terminal 110 of the half-wave light emitting cell 100b of the sixth basic unit 1000f and the cathode terminal of the half-wave light emitting cell 300 ( 320 is commonly connected to the bonding pads 50b.

이에 따라, 제1 내지 제3 기본 유닛들(1000a~1000c)과 제4 내지 제6 기본 유닛들(1000d~1000f)이 본딩 패드들(50a, 50b) 사이에서 병렬 연결된 교류용 발광 다이오드가 제공된다.Accordingly, an AC LED is provided in which the first to third basic units 1000a to 1000c and the fourth to sixth basic units 1000d to 1000f are connected in parallel between the bonding pads 50a and 50b. .

본딩 패드들(50a, 50b)는 각각 하나씩 형성될 수 있으나, 도시된 바와 같이, 2개씩 또는 더 많은 수로 형성될 수도 있다.Each of the bonding pads 50a and 50b may be formed one by one, but may be formed two or more in number, as shown.

본 실시예에 있어서, 제1 내지 제3 기본 유닛들과 제4 내지 제6 기본 유닛들이 서로 거울면 대칭 구조로 배열된 것을 도시하였으나, 도 12를 참조하여 설명한 바와 같이, 제4 내지 제6 기본 유닛들이 제1 내지 제3 기본 유닛들과 동일하게 배열될 수도 있다.In the present exemplary embodiment, the first to third basic units and the fourth to sixth basic units are arranged in a mirror symmetric structure with each other, but as described with reference to FIG. 12, the fourth to sixth basic units are illustrated. The units may be arranged identically to the first to third base units.

본 실시예에 있어서, 제2 기본 유닛(1000b) 및 제5 기본 유닛(1000e) 내의 반파 발광셀들(300)은, 도 9를 참조하여 설명한 바와 같이, 서로 애노드 단자를 공유할 수 있다. In the present exemplary embodiment, the half-wave light emitting cells 300 in the second basic unit 1000b and the fifth basic unit 1000e may share anode terminals with each other, as described with reference to FIG. 9.

또한, 본 실시예에 있어서, 제3 기본 유닛 및 제6 기본 유닛의 반파 발광셀들(300)은 하부 반도체층(23)을 공유할 수 있으며, 캐소드 단자를 공유할 수 있다. 따라서, 캐소드 단자(320)를 형성하는 경우, 제3 기본 유닛과 제6 기본 유닛을 연결하는 배선 형성은 생략될 수 있다. 나아가, 제1 기본 유닛 및 제4 기본 유닛의 반파 발광셀들(300) 또한 하부 반도체층(23)을 공유할 수 있으며, 캐소드 단자를 공유할 수 있다. 따라서, 제1 기본 유닛과 제4 기본 유닛을 연결하는 배선 형성은 생략될 수 있다.In addition, in the present exemplary embodiment, the half-wave light emitting cells 300 of the third base unit and the sixth base unit may share the lower semiconductor layer 23 and may share the cathode terminal. Therefore, when the cathode terminal 320 is formed, wiring formation connecting the third base unit and the sixth base unit may be omitted. Furthermore, the half-wave light emitting cells 300 of the first base unit and the fourth base unit may also share the lower semiconductor layer 23, and may share the cathode terminal. Therefore, wiring formation connecting the first base unit and the fourth base unit can be omitted.

도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 교류용 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이고, 도 17은 도 16의 등가회로도이다. FIG. 16 is a plan view illustrating an AC light emitting diode according to still another embodiment, and FIG. 17 is an equivalent circuit diagram of FIG. 16.

도 16 및 도 17을 참조하면, 제1 내지 제3 기본 유닛들(1000a~1000c)과 제4 내지 제6 기본 유닛들(1000d~1000f)이 행을 바꾸어 배열되어 있다. 앞의 실시예들에 있어서, 제2 기본 유닛이 제1 및 제3 기본 유닛들(1000a, 1000c)에 대해 180도 회전하여 제1 및 제3 기본 유닛들에 결합되는 것으로 설명하였으나, 본 실시예에 있어서, 제2 기본 유닛(1000b)은 제1 내지 제3 기본 유닛들(1000a, 1000c)과 동일한 구조로 제1 및 제3 기본 유닛들에 결합되며, 제5 기본 유닛(1000e)의 경우도 동일하다.16 and 17, the first to third basic units 1000a to 1000c and the fourth to sixth basic units 1000d to 1000f are arranged in a row. In the above embodiments, it has been described that the second base unit is coupled to the first and third base units by rotating 180 degrees with respect to the first and third base units 1000a and 1000c. The second base unit 1000b is coupled to the first and third base units in the same structure as the first to third base units 1000a and 1000c, and also in the case of the fifth base unit 1000e. same.

한편, 각 기본 유닛들 내의 반파 발광셀들(300)은 서로 분리되어 있으며, 인접한 반파 발광셀들(300)은 캐소드 단자(320)를 공유할 수 있다. 따라서, 발광 면적을 증가시킬 수 있다.Meanwhile, the half wave light emitting cells 300 in the respective basic units are separated from each other, and the adjacent half wave light emitting cells 300 may share the cathode terminal 320. Therefore, the light emitting area can be increased.

한편, 인접한 기본 유닛들은 추가의 전파 발광셀(200a)을 통해 결합된다. 즉, 제1 기본 유닛(1000a)의 반파 발광셀(100b)의 애노드 단자(110) 및 제2 기본 유닛(1000b)의 반파 발광셀(100a)의 애노드 단자(110)는 모두 추가의 전파 발광 셀(200a)의 캐소드 단자(220)에 전기적으로 연결되고, 제1 기본 유닛(1000a)의 반파 발광셀(300) 및 제2 기본 유닛(1000b)의 반파 발광셀에 의해 공유된 캐소드 단자(320)가 추가의 전파 발광셀(200a)의 애노드 단자(220)에 전기적으로 연결된다. 제2 기본 유닛(1000b)과 제3 기본 유닛(1000c) 사이에도 추가의 전파 발광셀(200a)이 개재되어 이들 유닛을 결합시키며, 제4 내지 제6 기본 유닛들도 추가의 전파 발광셀들(200)을 통해 서로 결합된다.On the other hand, adjacent basic units are coupled through the additional radio light emitting cell 200a. That is, both of the anode terminal 110 of the half-wave light emitting cell 100b of the first basic unit 1000a and the anode terminal 110 of the half-wave light emitting cell 100a of the second basic unit 1000b are additional radio wave emitting cells. The cathode terminal 320 electrically connected to the cathode terminal 220 of 200a and shared by the half-wave light emitting cell 300 of the first basic unit 1000a and the half-wave light emitting cell of the second basic unit 1000b. Is electrically connected to the anode terminal 220 of the additional propagation light emitting cell 200a. Additional radio light emitting cells 200a are interposed between the second base unit 1000b and the third base unit 1000c to couple these units, and the fourth to sixth base units also include additional radio light emitting cells ( Through each other).

상기 추가의 전파 발광셀들(200a)은 기본 유닛들 내의 전파 발광셀들(200)과 비교하여 캐소드 단자 및 애노드 단자의 위치가 반대로 배치된다. 이에 따라, 기본 유닛들 내의 전파 발광셀들(200)과 추가의 전파 발광셀들(200a)이 서로 교대로 배치된다.The additional propagation light emitting cells 200a are disposed in opposite positions of the cathode terminal and the anode terminal as compared with the propagation light emitting cells 200 in the basic units. Accordingly, the propagation light emitting cells 200 and the additional propagation light emitting cells 200a in the base units are alternately arranged.

한편, 제3 기본 유닛(1000c)과 제6 기본 유닛(1000f)은 도 10을 참조하여 설명한 바와 같이 배선들(3211a~3211c)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.Meanwhile, the third base unit 1000c and the sixth base unit 1000f may be electrically connected to each other through the wirings 3211a to 3111c as described with reference to FIG. 10.

본 실시예에 있어서, 제1 내지 제3 기본 유닛들과 제4 내지 제6 기본 유닛들이 서로 거울면 대칭 구조로 배열된 것을 도시하였지만, 앞서 설명한 바와 같이, 제4 내지 제6 기본 유닛들이 제1 내지 제3 기본 유닛들과 동일하게 배열될 수 있다.In the present exemplary embodiment, although the first to third basic units and the fourth to sixth basic units are arranged in a mirror symmetric structure with each other, as described above, the fourth to sixth basic units may include the first To the same as the third basic units.

본 실시예에 따르면, 추가의 전파 발광셀들(200a)을 이용하여 기본 유닛들을 서로 연결함으로써 제한된 칩 면적 내에서 본딩 패드들(50a, 50b) 사이에서 직렬 연결되는 발광셀들의 수를 증가시킬 수 있다. 따라서, 고전압 교류 전원에서 구동할 수 있는 발광 다이오드가 제공될 수 있다.According to the present embodiment, the number of light emitting cells connected in series between the bonding pads 50a and 50b within a limited chip area can be increased by connecting the base units to each other using the additional propagation light emitting cells 200a. have. Thus, a light emitting diode capable of driving in a high voltage AC power supply can be provided.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 교류용 발광 다이오드에 사용될 수 있는 발광셀들의 기본 유닛을 설명하기 위한 평면도이다.1 is a plan view illustrating a basic unit of light emitting cells that may be used in an AC LED according to embodiments of the present invention.

도 2는 도 1의 절취선 A-A를 따라 취해진 단면도이다.2 is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG.

도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 교류용 발광 다이오드에 사용될 수 있는 발광셀들의 기본 유닛의 변형예를 설명하기 위한 평면도이다.3 is a plan view illustrating a modification of the basic unit of light emitting cells that may be used in an AC light emitting diode according to embodiments of the present disclosure.

도 4는 도 3의 절취선 B-B를 따라 취해진 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along the line B-B of FIG. 3.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 교류용 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이다.5 is a plan view illustrating an AC light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 도 5의 등가회로도이다.6 is an equivalent circuit diagram of FIG. 5.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 교류용 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이다.7 is a plan view illustrating an AC LED according to another embodiment of the present invention.

도 8은 도 7의 등가회로도이다.8 is an equivalent circuit diagram of FIG. 7.

도 9은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 교류용 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이다.9 is a plan view illustrating an AC light emitting diode according to still another embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 교류용 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이다.10 is a plan view illustrating an AC light emitting diode according to still another embodiment of the present invention.

도 11은 도 10의 등가회로도이다.FIG. 11 is an equivalent circuit diagram of FIG. 10.

도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 교류용 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이다.12 is a plan view illustrating an AC light emitting diode according to still another embodiment of the present invention.

도 13은 도 12의 등가회로도이다.FIG. 13 is an equivalent circuit diagram of FIG. 12.

도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 교류용 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이다.14 is a plan view illustrating an AC light emitting diode according to still another embodiment of the present invention.

도 15은 도 14의 등가회로도이다.FIG. 15 is an equivalent circuit diagram of FIG. 14.

도 16는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 교류용 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이다.16 is a plan view illustrating an AC light emitting diode according to still another embodiment of the present invention.

도 17은 도 16의 등가회로도이다.17 is an equivalent circuit diagram of FIG. 16.

Claims

In the light emitting diode for AC having a plurality of light emitting cells electrically connected on a single substrate,

A first pair of half-wave light emitting cells each having an anode terminal and a cathode terminal, sharing a cathode terminal with each other, and arranged in a first row;

Another pair of half-wave light emitting cells each having an anode terminal and a cathode terminal and disposed in the first row adjacent to the first pair of light emitting cells in the first row;

A light emitting cell having an anode terminal and a cathode terminal and arranged in a second row;

Another radio wave emitting cell having an anode terminal and a cathode terminal and disposed in the second row adjacent to the radio wave emitting cell;

A second pair of half-wave light emitting cells each having an anode terminal and a cathode terminal and arranged in a third row;

Each having an anode terminal and a cathode terminal, sharing a cathode terminal with each other, and including another pair of half-wave light emitting cells disposed in the third row adjacent to the second pair of half-wave light emitting cells in the third row; and,

The full-wave light emitting cell is positioned between the first pair of half-wave light emitting cells and the second pair of half-wave light emitting cells, so that the first pair of half-wave light emitting cells and the second pair of half-wave light emitting cells are disposed. Electrically connected to half-wave light emitting cells, wherein an anode terminal of the full-wave light emitting cell is electrically connected to a cathode terminal shared by a first pair of half-wave light emitting cells in the first row; The cathode terminal is electrically connected to the anode terminals of the second pair of half-wave light emitting cells in the third row,

The other full wave light emitting cell is located between the other pair of half wave light emitting cells of the first row and the other pair of half wave light emitting cells of the third row, and the anode terminal of the other full wave light emitting cell is the third row. Is electrically connected to a cathode terminal shared by another pair of half-wave light emitting cells in the cathode, and the cathode terminal of the other full-wave light emitting cell is electrically connected to anode terminals of the other pair of half-wave light emitting cells in the first row. Become,

The cathode terminal of one half wave light emitting cell of the other pair of half wave light emitting cells in the first row is electrically connected to the anode terminal of one half wave light emitting cell of the first pair of half wave light emitting cells in the first row. Connected,

The anode terminal of one half wave light emitting cell of the other pair of half wave light emitting cells in the third row is electrically connected to the cathode terminal of one half wave light emitting cell of the second pair of half wave light emitting cells in the third row. Connected light emitting diode.

The anode terminal of each of the first pair of half-wave light emitting cells in the first row, the propagation light emitting cell in the second row and the second pair of half-wave light emitting cells in the third row; Light emitting diodes with the same distance between the cathode terminals.

delete

The light emitting diode of claim 1, wherein the second pair of half-wave light emitting cells in the third row share an anode terminal with each other.

delete

The light emitting diode of claim 1, wherein the other pair of half-wave light emitting cells in the first row share the anode terminals.

Another pair of half-wave light emitting cells each having an anode terminal and a cathode terminal, sharing a cathode terminal with each other, and disposed in the first row adjacent to the first pair of light emitting cells in the first row;

Another radio wave emitting cell disposed between the radio wave emitting cell and the other radio wave emitting cell;

A second pair of half-wave light emitting cells each having an anode terminal and a cathode terminal and arranged in a third row; And

A pair of other half-wave light emitting cells each having an anode terminal and a cathode terminal, and disposed in the third row adjacent to the second pair of half-wave light emitting cells in the third row,

The other full wave light emitting cell is located between the other pair of half wave light emitting cells of the first row and the other pair of half wave light emitting cells of the third row, and the anode terminal of the other full wave light emitting cell is the first row. Is electrically connected to a cathode terminal shared by another pair of half-wave light emitting cells in the cathode, and the cathode terminal of the other full-wave light emitting cell is electrically connected to anode terminals of the other pair of half-wave light emitting cells in the third row. Become,

The anode terminal of one half-wave light emitting cell of the first pair of half-wave light emitting cells in the first row and the anode terminal of one half-wave light emitting cell of the other pair of half-wave light emitting cells in the first row are Electrically connected to the cathode terminal of another full-wave light emitting cell in two rows;

The cathode terminal of one half-wave light emitting cell of the second pair of half-wave light emitting cells in the third row and the cathode terminal of one half-wave light emitting cell of the other pair of half-wave light emitting cells in the third row are A light emitting diode electrically connected to the anode terminal of another full-wave light emitting cell in two rows.

The method according to claim 7, wherein one half-wave light emitting cell of the second pair of half-wave light emitting cells in the third row and one half-wave light emitting cell of the other pair of half-wave light emitting cells in the third row comprise a cathode terminal. Shared light emitting diode.

Bonding pads; And

A plurality of basic units electrically coupled to each other between the bonding pads, wherein each of the basic units

A first pair of half-wave light emitting cells;

A light emitting cell; And

A second pair of half-wave light emitting cells,

The full-wave light emitting cell is positioned between the first pair of half-wave light emitting cells and the second pair of half-wave light emitting cells, so that the first pair of half-wave light emitting cells and the second pair of half-wave light emitting cells are disposed. Electrically connected to half-wave light emitting cells,

The first pair of half-wave light emitting cells share an anode terminal or a cathode terminal with each other,

In each of the basic units, one of the light emitting cells of the first pair of half-wave light emitting cells, the full-wave light emitting cell, and the second pair of half-wave light emitting cells during the half cycle of the AC driving. Of light emitting cells of the first pair of half-wave light emitting cells, the full-wave light emitting cell, and the second pair of half-wave light emitting cells during the remaining half cycle of the AC drive. The plurality of basic units are electrically coupled to each other so that another light emitting cell operates.

The method according to claim 9,

Each of the first pair of half-wave light emitting cells has an anode terminal and a cathode terminal, and shares a cathode terminal with each other,

The radio wave emitting cell has an anode terminal and a cathode terminal,

Each of the second pair of half-wave light emitting cells has an anode terminal and a cathode terminal,

An anode terminal of the full-wave light emitting cell is electrically connected to a cathode terminal shared by the first pair of half-wave light emitting cells,

And a cathode terminal of the full wave light emitting cell is electrically connected to anode terminals of the second pair of half wave light emitting cells.

The light emitting diode according to claim 10, wherein in two adjacently coupled base units, one base unit is rotated 180 degrees with respect to one base unit.

The light emitting diode of claim 10, wherein the second pair of half-wave light emitting cells share an anode terminal, wherein the second pair of half-wave light emitting cells share an anode terminal.

The light emitting diode of claim 10, wherein a plurality of basic units are arranged in different rows, respectively.

The light emitting diode of claim 13, wherein the plurality of basic units arranged in different rows are connected to each other in series.

The light emitting diode of claim 13, wherein the plurality of basic units arranged in different rows are connected in parallel to each other.

The light emitting diode of claim 13, wherein the plurality of basic units arranged in different rows form a mirror symmetrical structure with respect to a plane crossing between the different rows.

The light emitting diode of claim 10, further comprising additional propagation light emitting cells disposed between the base units, wherein the base units are coupled to each other through the additional propagation light cells.