KR101205242B1

KR101205242B1 - Plasma processing apparatus

Info

Publication number: KR101205242B1
Application number: KR1020100041048A
Authority: KR
Inventors: 이경호
Original assignee: 주식회사 테라세미콘
Priority date: 2010-04-30
Filing date: 2010-04-30
Publication date: 2012-11-27
Anticipated expiration: 2030-04-30
Also published as: KR20110121448A; WO2011136603A3; JP2013529358A; TW201201246A; WO2011136603A2; CN102859665A

Abstract

플라즈마 처리 장치가 개시된다. 본 발명에 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는 절곡된 형태를 가지며 제1 챔버(110)에 플라즈마를 발생시키고, 이와 동시에 제1 챔버(110)의 하부에 제1 챔버(110)와 독립적으로 배치되는 제2 챔버(120)에 플라즈마를 발생시키는 단위 플라즈마 전극(200)을 포함하는 것을 특징으로 한다.A plasma processing apparatus is disclosed. Plasma processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention has a bent shape and generates a plasma in the first chamber 110, and at the same time the first chamber 110 and the lower portion of the first chamber 110 and It characterized in that it comprises a unit plasma electrode 200 for generating a plasma in the second chamber 120 that is disposed independently.

Description

PLASMA PROCESSING APPARATUS

본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 복수개의 플라즈마 전극간의 상호 작용에 의해서 발생되는 전자기장의 상쇄를 최소화할 수 있는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma processing apparatus. More particularly, the present invention relates to a plasma processing apparatus capable of minimizing offset of electromagnetic fields generated by interaction between a plurality of plasma electrodes.

고주파의 에너지에 의해 발생된 플라즈마를 이용하는 공정은 "고주파 플라즈마 방법(RF Plasma Processes)" 또는 "고주파 플라즈마 처리(RF Plasma Processing)"라 불린다.　 이러한 공정은 대규모 집적회로와 같은 반도체 제조 기술에 있어서 플라즈마를 이용한 식각 및 증착 등의 기술에 이용되고 있으며, 특히 액정 표시 장치(LCD; Liquid Crystal Display)와 같은 디스플레이 장치의 제조에 있어서 매우 실용적으로 이용되고 있다.　 또한, 최근 반도체 소자의 미세화 및 웨이퍼의 대구경화가 요구됨에 따라 이러한 플라즈마를 이용한 공정은 더욱 중요한 역할을 차지하게 되었다.Processes using plasma generated by high frequency energy are referred to as " RF Plasma Processes " or " RF Plasma Processing. &Quot; Such a process is used for etching and deposition using plasma in a semiconductor manufacturing technology such as a large scale integrated circuit, and is particularly useful in manufacturing a display device such as a liquid crystal display (LCD). It is becoming. In addition, as the size of semiconductor devices and the size of wafers are increased in recent years, the process using plasma plays an important role.

이러한 플라즈마 공정을 수행함에 있어서, 플라즈마 공정 속도의 향상 및 생산성을 높이기 위해서는 일반적으로 플라즈마의 밀도, 즉 플라즈마 내에 하전된 입자의 밀도를 증가시키는 것이 요구된다.　 플라즈마의 밀도를 높이기 위하여 주로 이용되는 방법은 다수의 플라즈마 전극을 이용하는 것이다. 그러나, 플라즈마 처리 장치의 제조 비용 또는 플라즈마 처리 장치의 면적을 고려하여 볼 때, 이용되는 플라즈마 전극의 개수는 한계가 있을 수 밖에 없다. 따라서, 이용되는 플라즈마 전극의 개수를 최소화하면서 높은 밀도의 플라즈마를 구현할 수 있는 기술이 필요한 실정이다.In performing such a plasma process, it is generally required to increase the density of the plasma, that is, the density of charged particles in the plasma, in order to improve the plasma process speed and increase the productivity. The main method used to increase the density of the plasma is to use a plurality of plasma electrodes. However, considering the manufacturing cost of the plasma processing apparatus or the area of the plasma processing apparatus, the number of plasma electrodes used is limited. Therefore, there is a need for a technology capable of realizing high density plasma while minimizing the number of plasma electrodes used.

한편, 높은 밀도의 플라즈마를 발생시키기 위하여 복수개의 플라즈마 전극을 이용함에 있어서, 전자기장의 상쇄에 관하여 고려할 필요가 있다. 복수개의 플라즈마 전극을 이용하는 경우, 복수개의 전극간에 상호 작용에 의해서 전자기장의 상쇄가 일어날 가능성이 크기 때문이다.On the other hand, when using a plurality of plasma electrodes to generate a high density plasma, it is necessary to consider the offset of the electromagnetic field. This is because when a plurality of plasma electrodes are used, there is a high possibility that an electromagnetic field is canceled out by interaction between the plurality of electrodes.

도 1은 복수개의 플라즈마 전극(50)의 양단에 RF 안테나와 그라운드의 위치를 교대하여 반대로 배치시킨 종래의 플라즈마 처리 장치(2)의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다.FIG. 1 is a diagram schematically showing the configuration of a conventional plasma processing apparatus 2 in which the positions of the RF antenna and the ground are alternately arranged at opposite ends of the plurality of plasma electrodes 50.

도 1을 참조하면, 반응 챔버(30) 내에서 기판(40) 상에 복수개의 플라즈마 전극(50)의 양단에 RF 안테나와 그라운드의 위치가 교대하여 반대로 배치되고 있는 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 1, it can be seen that the positions of the RF antenna and the ground are alternately arranged on both sides of the plurality of plasma electrodes 50 on the substrate 40 in the reaction chamber 30.

이러한 종래의 플라즈마 처리 장치(2)에 따르면, 상대적으로 약한 전자기장을 갖는 특정 영역이 존재하지 않게 되는 장점은 있으나, 특정 플라즈마 전극(50)에 의해 발생되는 전자기장이 인접 플라즈마 전극에 의해 발생되는 전자기장에 의해 상쇄되게 되는 문제점이 있다. 즉, 도 1의 참조번호 A로 표시된 영역에서 전기장의 상쇄가 발생하게 되는 문제점이 있다.According to the conventional plasma processing apparatus 2, there is an advantage that a specific region having a relatively weak electromagnetic field does not exist, but the electromagnetic field generated by the specific plasma electrode 50 is applied to the electromagnetic field generated by the adjacent plasma electrode. There is a problem that is canceled by. That is, there is a problem in that the offset of the electric field occurs in the region indicated by the reference number A of FIG.

전자기장은 플라즈마를 발생시키는 역할을 수행하기 때문에 전자기장의 상쇄는 발생되는 플라즈마의 밀도를 감소시키는 결과를 초래하게 된다. 이에, 높은 밀도의 플라즈마를 발생시키기 위하여 전자기장의 상쇄를 최소화할 수 있는 기술이 요구되고 있다.Since the electromagnetic field plays a role of generating the plasma, the cancellation of the electromagnetic field results in a decrease in the density of the generated plasma. Accordingly, there is a demand for a technique capable of minimizing the offset of the electromagnetic field to generate a high density plasma.

이에 본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 복수개의 플라즈마 전극간의 상호 작용에 의해서 발생되는 전자기장의 상쇄를 최소화할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus capable of minimizing an offset of an electromagnetic field generated by interaction between a plurality of plasma electrodes.

또한, 본 발명은 플라즈마 전극의 개수를 최소화하면서 높은 밀도의 플라즈마를 발생시킬 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.It is also an object of the present invention to provide a plasma processing apparatus capable of generating a high density plasma while minimizing the number of plasma electrodes.

상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치는 절곡된 형태를 가지며 제1 챔버에 플라즈마를 발생시키고, 이와 동시에 상기 제1 챔버의 하부에 상기 제1 챔버와 독립적으로 배치되는 제2 챔버에 플라즈마를 발생시키는 단위 플라즈마 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the plasma processing apparatus according to the embodiment of the present invention has a bent shape and generates a plasma in the first chamber, and at the same time independently of the first chamber in the lower portion of the first chamber It characterized in that it comprises a unit plasma electrode for generating a plasma in the second chamber disposed.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치는 제1 챔버 및 상기 제1 챔버의 하부에 상기 제1 챔버와 독립적으로 배치되는 제2 챔버를 포함하는 단위 챔버 어셈블리; 및 기판 처리를 위한 플라즈마를 발생시키며 상기 단위 챔버 어셈블리에 배치되는 단위 플라즈마 전극을 포함하고, 상기 단위 플라즈마 전극은, 상기 제1 챔버에 배치되는 제1 전극부; 상기 제2 챔버에 배치되는 제2 전극부; 및 상기 제1 전극부와 제2 전극부를 연결하는 절곡부를 포함하며, 상기 제1 전극부는 상기 제1 챔버 내부에 플라즈마를 발생시키고 상기 제2 전극부는 상기 제2 챔버 내부에 플라즈마를 발생시키는 것을 특징으로 한다.In addition, in order to achieve the above object, the plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a unit chamber including a first chamber and a second chamber disposed below the first chamber independently of the first chamber. assembly; And a unit plasma electrode disposed in the unit chamber assembly to generate a plasma for substrate processing, wherein the unit plasma electrode comprises: a first electrode unit disposed in the first chamber; A second electrode part disposed in the second chamber; And a bent part connecting the first electrode part and the second electrode part, wherein the first electrode part generates plasma in the first chamber and the second electrode part generates plasma in the second chamber. It is done.

상기 제1 전극부의 말단은 플라즈마 생성을 위한 전자기장을 발생시키는 RF(Radio Frequency) 신호를 인가하는 RF 안테나와 연결되고, 상기 제2 전극부의 말단은 그라운드와 연결될 수 있다.An end of the first electrode part may be connected to an RF antenna that applies an RF signal to generate an electromagnetic field for plasma generation, and an end of the second electrode part may be connected to ground.

상기 단위 챔버 어셈블리에 상기 단위 플라즈마 전극이 복수개로 배치될 수 있다.A plurality of unit plasma electrodes may be disposed in the unit chamber assembly.

상기 복수개의 단위 플라즈마 전극의 상기 복수개의 제1 전극부는 상기 제1 챔버 내부에 배치된 기판의 단변 방향과 평행하게 일정 간격을 가지면서 배치될 수 있다.The plurality of first electrode portions of the plurality of unit plasma electrodes may be disposed at regular intervals in parallel with a short side direction of a substrate disposed in the first chamber.

상기 복수개의 단위 플라즈마 전극의 상기 복수개의 제2 전극부는 상기 제2 챔버 내부에 배치된 기판의 단변 방향과 평행하게 일정 간격을 가지면서 배치될 수 있다.The plurality of second electrode portions of the plurality of unit plasma electrodes may be disposed at regular intervals in parallel with a short side direction of the substrate disposed in the second chamber.

상기 단위 챔버 어셈블리는 복수개일 수 있다.The unit chamber assembly may be plural.

상기 복수개의 단위 챔버 어셈블리가 수직 일렬로 배치될 수 있다.The plurality of unit chamber assemblies may be arranged in a vertical line.

상기 절곡부는 2개의 절곡점을 포함하고, 상기 단위 플라즈마 전극은 'ㄷ' 자 또는 역 'ㄷ' 자 형태를 가질 수 있다.The bent portion may include two bent points, and the unit plasma electrode may have a 'c' or inverse 'c' shape.

상기 단위 플라즈마 전극은 석영관을 포함하여 구성될 수 있다.The unit plasma electrode may include a quartz tube.

상기 제1 챔버와 상기 제2 챔버 각각은 공정 가스가 공급되는 가스 공급부를 포함할 수 있다.Each of the first chamber and the second chamber may include a gas supply unit to which a process gas is supplied.

상기 제1 챔버와 상기 제2 챔버에 서로 동일한 양의 공정 가스가 공급되도록 제어될 수 있다.The first chamber and the second chamber may be controlled to supply the same amount of process gas to each other.

본 발명에 의하면, 복수개의 플라즈마 전극간의 상호 작용에 의해서 발생되는 전자기장의 상쇄를 최소화할 수 있게 된다.According to the present invention, it is possible to minimize the offset of the electromagnetic field generated by the interaction between the plurality of plasma electrodes.

또한, 본 발명에 의하면, 플라즈마 전극의 개수를 최소화하면서 높은 밀도의 플라즈마를 발생시킬 수 있게 된다.In addition, according to the present invention, it is possible to generate a plasma of high density while minimizing the number of plasma electrodes.

도 1은 종래의 플라즈마 처리 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 단위 플라즈마 전극의 구성만을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 RF 신호가 단위 플라즈마 전극에서 흐르는 모습을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 외부 구성을 나타내는 사시도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수개의 제1 전극부 및 제2 전극부의 배치 상태를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 7은 단위 플라즈마 전극에 연결되는 RF 안테나 주변의 구성을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 구성을 나타내는 도면이다.1 is a diagram schematically showing the configuration of a conventional plasma processing apparatus.
2 is a diagram illustrating a configuration of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a view showing only the configuration of a unit plasma electrode according to an embodiment of the present invention.
4 is a diagram schematically illustrating how an RF signal flows in a unit plasma electrode according to an exemplary embodiment of the present invention.
5 is a perspective view showing an external configuration of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
6 is a diagram schematically illustrating a disposition state of a plurality of first electrode parts and a second electrode part according to an exemplary embodiment of the present invention.
7 is a diagram illustrating a configuration around an RF antenna connected to a unit plasma electrode.
8 is a view showing the configuration of a plasma processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.DETAILED DESCRIPTION The following detailed description of the invention refers to the accompanying drawings that show, by way of illustration, specific embodiments in which the invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different, but need not be mutually exclusive. For example, certain features, structures, and characteristics described herein may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention in connection with an embodiment. It is also to be understood that the position or arrangement of the individual components within each disclosed embodiment may be varied without departing from the spirit and scope of the invention. The following detailed description is, therefore, not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is to be limited only by the appended claims, along with the full scope of equivalents to which such claims are entitled, if properly explained. In the drawings, like reference numerals refer to the same or similar functions throughout the several views, and length and area, thickness, and the like may be exaggerated for convenience.

이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)의 구성을 나타내는 도면이다.2 is a diagram showing the configuration of a plasma processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention.

먼저, 본 발명의 플라즈마 처리 장치(1)로는 전반적인 반도체 공정 분야에서 플라즈마를 이용하는 모든 공정을 수행할 수 있다. 따라서, 이하에서 기판(10)을 플라즈마 처리한다 함은, 기판(10) 상에 반도체층을 형성하는 것뿐만 아니라 기판(10) 상에 형성된 반도체의 표면을 개질하는 것 또는 기판(10) 상에 형성된 반도체층을 식각하는 것 등을 두루 포함하는 의미로 해석될 수 있음을 밝혀둔다.First, the plasma processing apparatus 1 of the present invention may perform all processes using plasma in the overall semiconductor processing field. Therefore, the plasma treatment of the substrate 10 below means not only forming a semiconductor layer on the substrate 10 but also modifying a surface of the semiconductor formed on the substrate 10 or on the substrate 10. It should be understood that the present invention may be interpreted as a meaning including etching the formed semiconductor layer.

또한, 본 발명의 플라즈마 처리 장치(1)에서 처리되는 기판(10)의 재질은 글래스 기판인 것이 바람직하나 이에 한정되지는 아니한다. 따라서, 플라스틱, 폴리머, 실리콘 웨이퍼, 스테인레스 스틸 등 다양한 재질의 기판이 본 발명의 플라즈마 처리 장치(1)에서 처리될 수 있음을 밝혀둔다.In addition, the material of the substrate 10 processed by the plasma processing apparatus 1 of the present invention is preferably a glass substrate, but is not limited thereto. Therefore, it is found that substrates of various materials such as plastic, polymer, silicon wafer, stainless steel, etc. can be processed in the plasma processing apparatus 1 of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는 단위 챔버 어셈블리(100)를 포함하여 구성될 수 있다. 단위 챔버 어셈블리(100)는 기본적으로 제1 챔버(110)와 제1 챔버(110)와 독립적으로 배치되는 제2 챔버(120)로 구성되는 단위체이다. 여기서 제1 챔버(110)가 제2 챔버(120)와 독립적으로 배치된다 함은 제1 챔버(110)와 제2 챔버(120)가 위치적으로 구분되어 서로 다른 플라즈마 처리 공간을 제공한다는 의미로 해석될 수 있다. 즉, 서로 다른 기판(10)이 제1 챔버(110)와 제2 챔버(120)에서 독립적으로 플라즈마 처리될 수 있다. 비록, 도 2에는 제1 챔버(110) 및 제2 챔버(120)에서 한번에 하나의 기판(10)이 플라즈마 처리되는 것으로 도시되어 있으나, 경우에 따라서는 보트(미도시) 등을 이용하여 제1 챔버(110) 및 제2 챔버(120)에서 복수개의 기판을 동시에 플라즈마 처리할 수도 있을 것이다.Referring to FIG. 2, the plasma processing apparatus 1 according to the exemplary embodiment of the present invention may include a unit chamber assembly 100. The unit chamber assembly 100 is basically a unit including a first chamber 110 and a second chamber 120 disposed independently of the first chamber 110. Here, the first chamber 110 is disposed independently of the second chamber 120 means that the first chamber 110 and the second chamber 120 are positioned separately to provide different plasma processing spaces. Can be interpreted. That is, different substrates 10 may be plasma-processed independently in the first chamber 110 and the second chamber 120. Although FIG. 2 illustrates that one substrate 10 is plasma-processed at a time in the first chamber 110 and the second chamber 120, in some cases, the first substrate 10 may be a boat (not shown). The plurality of substrates may be simultaneously plasma treated in the chamber 110 and the second chamber 120.

제1 챔버(110)와 제2 챔버(120)는 각자 공정 챔버의 일반적인 구성요소들을 포함하여 구성됨으로써 기판(10)에 대한 독립적인 플라즈마 처리 공간을 제공할 수 있다. 플라즈마 공정의 신뢰성을 위하여 제1 챔버(110)와 제2 챔버(120)는 대부분의 구성요소들을 공통적으로 포함할 수 있는데, 이하에서는 이렇게 공통적으로 포함될 수 있는 구성요소들에 관하여 설명하도록 한다.Each of the first chamber 110 and the second chamber 120 may include general components of the process chamber to provide an independent plasma processing space for the substrate 10. For the reliability of the plasma process, the first chamber 110 and the second chamber 120 may include most of the components in common. Hereinafter, the components that may be included in this manner will be described.

먼저, 도 2에 도시되지는 않았지만, 제1 챔버(110)와 제2 챔버(120)는 소정의 길이를 가지는 복수개의 구동 롤러 유닛을 포함하여 구성될 수 있다. 복수개의 구동 롤러 유닛은 기판(10)을 지지하면서 인라인 방식으로 이동시키는 기능을 수행할 수 있다. 보다 구체적으로, 복수개의 구동 롤러 유닛은 기판(10)의 하면과 접촉하면서 기판(10)의 진행 방향[즉, 후술하는 언로딩부 방향]으로 회전하여 제1 챔버(110) 및 제2 챔버(120) 내부로 기판(10)을 로딩시키고, 기판(10)이 로딩되면 기판(10)에 대한 플라즈마 처리가 이루어지는 동안 기판(10)을 지지하며, 기판(10)에 대한 플라즈마 처리가 완료되면 기판(10)의 하면과 접촉하면서 기판(10)의 진행 방향으로 회전하여 외부로 기판(10)을 언로딩하는 기능을 수행할 수 있다. 복수개의 구동 롤러 유닛은 설치 위치에 따라 서로 다른 폭으로 형성될 수 있으나 직경은 모두 동일하게 형성되는 것이 바람직하다.First, although not shown in FIG. 2, the first chamber 110 and the second chamber 120 may include a plurality of driving roller units having a predetermined length. The plurality of driving roller units may perform a function of moving in an inline manner while supporting the substrate 10. More specifically, the plurality of driving roller units are rotated in the advancing direction of the substrate 10 (that is, the unloading portion direction described later) while being in contact with the lower surface of the substrate 10 so that the first chamber 110 and the second chamber ( 120, the substrate 10 is loaded into the substrate 10, and when the substrate 10 is loaded, the substrate 10 is supported while the plasma processing is performed on the substrate 10. The substrate 10 may be rotated in the advancing direction of the substrate 10 while contacting the bottom surface of the substrate 10 to unload the substrate 10 to the outside. The plurality of driving roller units may be formed in different widths according to the installation position, but the diameters are preferably all the same.

다음으로, 도 2에 도시되지는 않았지만, 제1 챔버(110)와 제2 챔버(120)의 전면[즉, 도 2에서 단위 플라즈마 전극(200)이 배치되지 아니한 정면]에는 소정의 너비와 높이를 가지는 로딩부(미도시)가 형성될 수 있다. 이러한 로딩부는 개구되어 기판(10)이 로딩되는 통로로서의 역할을 수행할 수 있다. 플라즈마 공정이 수행되는 동안에는 제1 챔버(110) 및 제2 챔버(120)의 밀폐를 위하여 로딩부가 차단될 필요가 있으므로 로딩부에는 상하 방향으로 개폐되는 도어(미도시)가 설치될 수 있다.Next, although not shown in FIG. 2, a predetermined width and height are provided on the front surfaces of the first chamber 110 and the second chamber 120 (that is, the front surface where the unit plasma electrode 200 is not disposed in FIG. 2). A loading unit (not shown) may be formed. The loading portion may be opened to serve as a passage through which the substrate 10 is loaded. Since the loading unit needs to be blocked to seal the first chamber 110 and the second chamber 120 while the plasma process is performed, a door (not shown) may be installed in the loading unit to open and close in the vertical direction.

다음으로, 도 2에 도시되지는 않았지만, 제1 챔버(110)와 제2 챔버(120)의 챔버(110)의 후면[즉, 로딩부가 배치된 면과 마주보는 면]에는 소정의 너비와 높이를 가지는 언로딩부(미도시)가 형성될 수 있다. 이러한 언로딩부는 개구되어 기판(10)이 언로딩되는 통로로서의 역할을 수행할 수 있다. 로딩부와 유사하게, 열처리 공정이 수행되는 동안에는 제1 챔버(110) 및 제2 챔버(120)의 밀폐를 위하여 언로딩부가 차단될 필요가 있으므로 언로딩부에는 상하 방향으로 개폐되는 도어(미도시)가 설치될 수 있다.Next, although not shown in FIG. 2, a predetermined width and height may be provided on the rear surface of the chamber 110 of the first chamber 110 and the second chamber 120 (that is, the surface facing the surface on which the loading unit is disposed). An unloading part (not shown) may be formed. The unloading part may be opened to serve as a passage through which the substrate 10 is unloaded. Similar to the loading part, the door may be opened or closed in the up and down direction in the unloading part because the unloading part needs to be blocked to seal the first chamber 110 and the second chamber 120 during the heat treatment process. ) Can be installed.

다음으로, 도 2에 도시되지는 않았지만, 제1 챔버(110) 및 제2 챔버(120)는 히터(미도시)를 포함하여 구성될 수 있다. 히터는 제1 및 제2 챔버(110, 120)의 내부 또는 외부에 설치되어 플라즈마 공정에 필요한 열을 기판(10)에 공급하는 기능을 수행할 수 있다. 이러한 히터는 석영관 내부에 발열체가 삽입되어 있는 봉 형태의 단위 히터(미도시) 복수개로 구성될 수 있다.Next, although not shown in FIG. 2, the first chamber 110 and the second chamber 120 may include a heater (not shown). The heater may be installed inside or outside the first and second chambers 110 and 120 to supply heat required for the plasma process to the substrate 10. The heater may include a plurality of rod-shaped unit heaters (not shown) in which a heating element is inserted into the quartz tube.

이와 관련하여, 도 2에는 기판(10)이 단독적으로 제1 챔버(110) 또는 제2 챔버(120)에 로딩되어 플라즈마 처리되는 것으로 도시되어 있으나, 바람직하게는 기판 홀더(미도시)에 안착된 상태로 제1 챔버(110) 또는 제2 챔버(120)에 로딩되어 플라즈마 처리될 수 있다. 이는 기판(10)에 대한 플라즈마 처리 과정을 진행함에 있어서 히터로 기판(10)을 가열함에 따라 발생할 수 있는 기판(10)의 변형을 방지하기 위함이다.In this regard, although FIG. 2 illustrates that the substrate 10 is loaded alone into the first chamber 110 or the second chamber 120 to be plasma-processed, it is preferably mounted on a substrate holder (not shown). The plasma may be loaded in the first chamber 110 or the second chamber 120 in a state. This is to prevent deformation of the substrate 10 that may occur when the substrate 10 is heated by a heater in the plasma processing process of the substrate 10.

다음으로, 도 2에 도시되지는 않았지만, 제1 챔버(110) 및 제2 챔버(120)는 공정 가스를 제1 챔버(110) 및 제2 챔버(120) 내부에 공급하는 가스 공급부(미도시)를 포함하여 구성될 수 있다. 이렇게 공급된 가스는 플라즈마로 변환되어 기판(10)의 플라즈마 처리에 관여할 수 있다. 플라즈마 처리 공정의 신뢰성을 위하여[즉, 제1 챔버(110)에 배치되는 기판(10)과 제2 챔버(120)에 배치되는 기판(10)이 서로 동일한 조건에서 플라즈마 처리되도록 하기 위하여], 제1 챔버(110)와 제2 챔버(120)에는 서로 동일한 양의 공정 가스가 공급되도록 제어되는 것이 바람직하다. 이를 위하여, 본 발명의 플라즈마 처리 장치(1)는 제1 및 제2 챔버(110, 120)로 공급되는 공정 가스의 양을 제어하는 제어부(미도시)를 포함하여 구성될 수 있다.Next, although not shown in FIG. 2, the first chamber 110 and the second chamber 120 may supply a gas to the inside of the first chamber 110 and the second chamber 120 (not shown). It may be configured to include). The gas supplied in this way may be converted into plasma to participate in plasma processing of the substrate 10. For reliability of the plasma processing process (ie, the substrate 10 disposed in the first chamber 110 and the substrate 10 disposed in the second chamber 120 are plasma-treated under the same conditions), Preferably, the first chamber 110 and the second chamber 120 are controlled to supply the same amount of process gas. To this end, the plasma processing apparatus 1 of the present invention may include a controller (not shown) that controls the amount of process gas supplied to the first and second chambers 110 and 120.

다음으로, 도 2에 도시되지는 않았지만, 제1 챔버(110) 및 제2 챔버(120)는 냉각부를 포함하여 구성될 수 있다. 냉각부는 플라즈마 공정이 완료된 기판(10)을 냉각하는 기능을 수행할 수 있다. 이를 위하여, 냉각부는 수냉식과 공냉식을 포함한 공지의 여러가지 냉각 수단의 구성 원리를 채용할 수 있을 것이다.Next, although not shown in FIG. 2, the first chamber 110 and the second chamber 120 may include a cooling unit. The cooling unit may perform a function of cooling the substrate 10 on which the plasma process is completed. To this end, the cooling unit may employ the principle of construction of various known cooling means, including water-cooled and air-cooled.

한편, 제1 챔버(110)와 제2 챔버(120)가 독립적으로 배치됨에 있어서, 제1 챔버(110)와 제2 챔버(120)는 좌우로 배치될 수도 있으나, 바람직하게는 도 2에 도시된 바와 같이 상하로 배치될 수 있다. 제1 챔버(110)와 제2 챔버(120) 중에서 어느 챔버가 상부에 위치하는 지는 특별하게 한정되지 아니하나, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제1 챔버(110)가 제2 챔버(120)의 상부에 위치하는 것으로 상정하고 설명한다.Meanwhile, when the first chamber 110 and the second chamber 120 are independently disposed, the first chamber 110 and the second chamber 120 may be disposed left and right, but are preferably shown in FIG. 2. It can be arranged up and down as shown. Which one of the first chamber 110 and the second chamber 120 is located above is not particularly limited, but for the sake of convenience, the first chamber 110 may include the second chamber 120. It is assumed that it is located in the upper part, and it demonstrates.

다음으로, 도 2를 더 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는 단위 플라즈마 전극(200)을 포함하여 구성될 수 있다. 단위 플라즈마 전극(200)은 외부로부터 전원을 인가 받아 플라즈마를 발생시키는 기능을 수행할 수 있다. 본 발명의 단위 플라즈마 전극(200)이 플라즈마를 발생시키는 방식은 특별하게 제한되지 아니하지만, 바람직하게는 유도 결합 방식으로 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 다시 말하여, 본 발명에서 단위 플라즈마 전극(200)은 고주파 전압을 공급하는 RF 전원을 인가 받아 전자기장이 생성되도록 함으로써 챔버(110, 120) 내로 공급된 공정 가스를 플라즈마로 변환시킬 수 있다.Next, referring further to FIG. 2, the plasma processing apparatus 1 according to the exemplary embodiment of the present invention may include a unit plasma electrode 200. The unit plasma electrode 200 may perform a function of generating plasma by receiving power from the outside. The method of generating the plasma by the unit plasma electrode 200 of the present invention is not particularly limited, but preferably, the plasma may be generated by an inductive coupling method. In other words, in the present invention, the unit plasma electrode 200 may convert the process gas supplied into the chambers 110 and 120 into plasma by receiving an RF power supplying a high frequency voltage to generate an electromagnetic field.

상술한 바와 같이, 플라즈마 처리 장치(1)의 제조 비용 또는 플라즈마 처리 장치(1)의 면적을 고려하여 볼 때, 가급적 적은 수의 단위 플라즈마 전극(200)을 이용하면서 단위 플라즈마 전극(200)의 공간 활용을 극대화할 필요가 있다. 이를 위하여, 본 발명에서는 절곡된 형태를 가지는 하나의 단위 플라즈마 전극(200)이 제1 챔버(110)와 제2 챔버(120) 모두에 플라즈마를 발생시키는 것을 구성상의 특징으로 한다.As described above, in consideration of the manufacturing cost of the plasma processing apparatus 1 or the area of the plasma processing apparatus 1, the space of the unit plasma electrode 200 is used while using as few unit plasma electrodes 200 as possible. It is necessary to maximize utilization. To this end, in the present invention, one unit plasma electrode 200 having a bent shape generates a plasma in both the first chamber 110 and the second chamber 120.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 단위 플라즈마 전극(200)의 구성만을 나타내는 도면이다. 이하에서는 도 2과 함께 도 3을 더 참조하여 단위 플라즈마 전극(200)의 형태 및 구성에 관하여 상세하게 살펴보기로 한다.3 is a diagram illustrating only a configuration of a unit plasma electrode 200 according to an exemplary embodiment of the present invention. Hereinafter, the shape and configuration of the unit plasma electrode 200 will be described in detail with reference to FIG. 3 along with FIG. 2.

도 2를 더 참조하면, 하나의 단위 플라즈마 전극(200)이 제1 챔버(110)와 제2 챔버(120) 양쪽 모두에 배치되어 있는 것을 확인할 수 있다. 이를 위하여 본 발명의 단위 플라즈마 전극(200)은 절곡된 형태를 가진다. 보다 구체적으로, 본 발명의 단위 플라즈마 전극(200)은 제1 챔버(110)에 배치되는 제1 전극부(210), 제2 챔버(120)에 배치되는 제2 전극부(220) 및 제1 전극부(210)와 제2 전극부(220)를 상호 연결하는 절곡부(230)를 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 2, it can be seen that one unit plasma electrode 200 is disposed in both the first chamber 110 and the second chamber 120. To this end, the unit plasma electrode 200 of the present invention has a bent shape. More specifically, the unit plasma electrode 200 of the present invention includes a first electrode portion 210 disposed in the first chamber 110, a second electrode portion 220 disposed in the second chamber 120, and a first electrode. It is configured to include a bent portion 230 for interconnecting the electrode portion 210 and the second electrode portion 220.

여기서 절곡부(230)는 일 이상의 절곡점을 가질 수 있으며, 바람직하게는 도 3에 도시되는 바와 같이 두 개의 절곡점을 가질 수 있다.　 절곡점이 두 개인 경우, 도 3에 도시되는 바와 같이, 단위 플라즈마 전극(200)은 'ㄷ' 자 또는 역 'ㄷ' 자 형태를 가질 수 있다.　 이러한 형태로 단위 플라즈마 전극(200)이 구성됨으로써 제1 챔버(110) 및 제2 챔버(120) 양쪽 모두에 단위 플라즈마 전극(200)을 배치하는 것이 용이하게 된다.Here, the bent portion 230 may have one or more bent points, and preferably have two bent points as shown in FIG. 3. In the case of two bending points, as illustrated in FIG. 3, the unit plasma electrode 200 may have a 'c' or inverse 'c' shape. Since the unit plasma electrode 200 is configured in this manner, it is easy to arrange the unit plasma electrode 200 in both the first chamber 110 and the second chamber 120.

도 2를 더 참조하면, 제1 전극부(210)의 말단에는 RF 안테나(300)가 연결되고 제2 전극부(220)의 말단에는 그라운드(400)가 연결되는 것을 확인할 수 있다. 여기서 RF 안테나(300)는 RF 신호를 단위 플라즈마 전극(200)에 인가하는 기능을 수행할 수 있으며, 그라운드(400)는 인가된 RF 신호가 단위 플라즈마 전극(200)을 통하여 흐르도록 하는 기능을 수행할 수 있다.Referring to FIG. 2, it can be seen that the RF antenna 300 is connected to the end of the first electrode unit 210 and the ground 400 is connected to the end of the second electrode unit 220. The RF antenna 300 may perform a function of applying an RF signal to the unit plasma electrode 200, and the ground 400 performs a function of allowing the applied RF signal to flow through the unit plasma electrode 200. can do.

도 2에서는 제1 전극부(210)의 말단에 RF 안테나(300)가 연결되는 것으로 도시되어 있으나, 하나의 단위 플라즈마 전극(200)의 일단에 RF 안테나(300)가 연결되고 타단에 그라운드(400)가 연결된다면 RF 안테나(300)가 어떠한 전극부에 연결되는지는 크게 중요하지 않다. 따라서, 제2 전극부(220)의 말단에 RF 안테나(300)가 연결되고 제1 전극부(210)의 말단에 그라운드(400)가 연결될 수도 있다. 다만, 이하에서는 제1 전극부(210)의 말단에 RF 안테나(300)가 연결되는 것으로 상정하고 설명한다.In FIG. 2, the RF antenna 300 is connected to the end of the first electrode unit 210, but the RF antenna 300 is connected to one end of one unit plasma electrode 200 and the ground 400 is connected to the other end. ), It is not important to which electrode unit the RF antenna 300 is connected. Therefore, the RF antenna 300 may be connected to the end of the second electrode unit 220, and the ground 400 may be connected to the end of the first electrode unit 210. However, hereinafter, it is assumed that the RF antenna 300 is connected to the end of the first electrode unit 210 will be described.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 RF 신호가 단위 플라즈마 전극(200)에서 흐르는 모습을 개략적으로 나타내는 도면이다.4 is a diagram schematically illustrating a state in which an RF signal flows in the unit plasma electrode 200 according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 제1 챔버(110)에 배치되는 제1 전극부(210)에 RF 신호가 인가되며, 제2 챔버(120)에 배치되는 제2 전극부(220)로 RF 신호가 흘러나갈 수 있다. 즉, RF 안테나(300)로부터 인가되는RF 신호는 RF 안테나(300)?제1 전극부(210)?절곡부(230)?제2 전극부(220)?그라운드(400)의 순으로 흐를 수 있다. 이러한 RF 신호의 흐름에 따라, 제1 챔버(110)에서 제1 전극부(210)에 의하여 플라즈마가 발생되고 유지될 수 있으며, 제2 챔버(120)에서 제2 전극부(220)에 의하여 플라즈마가 발생되고 유지될 수 있다.Referring to FIG. 4, an RF signal is applied to the first electrode part 210 disposed in the first chamber 110, and an RF signal flows to the second electrode part 220 disposed in the second chamber 120. I can go out. That is, the RF signal applied from the RF antenna 300 may flow in the order of the RF antenna 300, the first electrode 210, the bend 230, the second electrode 220, and the ground 400. have. As the RF signal flows, plasma may be generated and maintained by the first electrode unit 210 in the first chamber 110, and plasma may be generated by the second electrode unit 220 in the second chamber 120. Can be generated and maintained.

한편, 단위 플라즈마 전극(200)은 중공 형태의 석영관으로 구성될 수 있다. 이러한 석영관은 내열성 등의 물리적인 특성이 우수하므로 단위 플라즈마 전극(200)의 변형을 방지하는데 도움을 줄 수 있다. 석영관 내부에 형성된 중앙 빈 공간에는 RF 신호가 흐르는 소정의 금속선이 배치될 수 있다. 여기서, 소정의 금속선으로는 전도성이 우수한 금속선, 예를 들면 구리선 등이 사용될 수 있다.Meanwhile, the unit plasma electrode 200 may be formed of a hollow quartz tube. Since the quartz tube has excellent physical properties such as heat resistance, it may help to prevent deformation of the unit plasma electrode 200. A predetermined metal wire through which an RF signal flows may be disposed in the central empty space formed inside the quartz tube. Here, as the predetermined metal wire, a metal wire having excellent conductivity, for example, a copper wire, may be used.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)의 외부 구성을 나타내는 사시도이다.5 is a perspective view showing an external configuration of a plasma processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 본 발명의 단위 플라즈마 전극(200)은 하나의 단위 챔버 어셈블리(100)에 복수개로 배치될 수 있다. 즉, 단위 챔버 어셈블리(100)의 제1 챔버(110)에 제1 전극부(210)가 복수개로 배치되고, 단위 챔버 어셈블리(100)의 제2 챔버(120)에 제2 전극부(220)가 복수개로 배치될 수 있다.Referring to FIG. 5, a plurality of unit plasma electrodes 200 may be disposed in one unit chamber assembly 100. That is, a plurality of first electrode parts 210 are disposed in the first chamber 110 of the unit chamber assembly 100, and the second electrode part 220 is disposed in the second chamber 120 of the unit chamber assembly 100. It may be arranged in plurality.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수개의 제1 전극부(210) 및 제2 전극부(220)의 배치 상태를 개략적으로 나타내는 도면이다. 보다 구체적으로, 도 6의 (a)는 제1 챔버(110) 내부에 복수개의 제1 전극부(210)가 배치되는 모습을 개략적으로 나타내는 도면이며, 도 6의 (b)는 제2 챔버(120) 내부에 복수개의 제2 전극부(220)가 배치되는 모습을 개략적으로 나타내는 도면이다.FIG. 6 is a view schematically illustrating an arrangement state of a plurality of first electrode portions 210 and second electrode portions 220 according to an embodiment of the present invention. More specifically, (a) of FIG. 6 is a view schematically showing how a plurality of first electrode portions 210 are disposed in the first chamber 110, and FIG. 6 (b) is a second chamber ( 120 is a diagram schematically illustrating how a plurality of second electrode units 220 are disposed inside.

도 6의 (a)를 참조하면, 복수개의 단위 플라즈마 전극(200)의 복수개의 제1 전극부(210)는 제1 챔버(110) 내부에 배치된 기판(10)의 단변 방향과 평행하게 일정 간격을 가지면서 배치될 수 있다. 이에 따라 제1 챔버(110) 내에서 기판(10)에 대한 플라즈마 처리가 보다 균일하게 이루어질 수 있게 된다.Referring to FIG. 6A, the plurality of first electrode portions 210 of the plurality of unit plasma electrodes 200 are uniformly parallel to the short side direction of the substrate 10 disposed inside the first chamber 110. It can be arranged at intervals. Accordingly, the plasma processing on the substrate 10 may be more uniformly performed in the first chamber 110.

도 6의 (a)를 더 참조하면, 하나의 일정한 방향으로[도 6의 (a)에서는 아래에서 위 방향으로] RF 신호가 인가되는 것을 확인할 수 있다. 만약, 복수개의 제1 전극부(210)에 인가되는 RF 신호의 방향이 서로 반대이면[즉, 임의의 제1 전극부(210)에는 아래에서 위 방향으로 RF 신호가 인가되고 상기 임의의 제1 전극부(210)와 이웃하는 제1 전극부(210)에는 위에서 아래 방향으로 RF 신호가 인가되면] RF 신호의 상쇄를 일으킬 수 있으나, 본 발명에 의하면 복수개의 제1 전극부(210)에 인가되는 RF 신호가 동일한 방향이기 때문에 신호의 감쇄 현상이 나타나지 않게 되어서 전자기장의 세기가 유지될 수 있게 된다.Referring to FIG. 6A further, it can be seen that the RF signal is applied in one constant direction (from bottom to top in FIG. 6A). If the directions of the RF signals applied to the plurality of first electrode parts 210 are opposite to each other (that is, the RF signals are applied to the first electrode parts 210 from the bottom to the top direction and the arbitrary first parts are applied to the first electrode parts 210). When the RF signal is applied to the first electrode part 210 adjacent to the electrode part 210 from the top to the bottom direction], the RF signal may be canceled, but according to the present invention, it is applied to the plurality of first electrode parts 210. Since the RF signals are in the same direction, the signal attenuation does not appear and the strength of the electromagnetic field can be maintained.

한편, 도 6의 (b)를 참조하면, 제1 전극부(210)와 유사하게, 복수개의 단위 플라즈마 전극(200)의 복수개의 제2 전극부(220)는 제2 챔버(120) 내부에 배치된 기판(10)의 단변 방향과 평행하게 일정 간격을 가지면서 배치될 수 있다. 이에 따라 제2 챔버(120) 내에서 기판(10)에 대한 플라즈마 처리가 보다 균일하게 이루어질 수 있게 된다.Meanwhile, referring to FIG. 6B, similarly to the first electrode unit 210, the plurality of second electrode units 220 of the plurality of unit plasma electrodes 200 may be disposed in the second chamber 120. The substrate 10 may be disposed at a predetermined interval in parallel with the short side direction of the substrate 10. Accordingly, the plasma treatment of the substrate 10 may be more uniformly performed in the second chamber 120.

도 6의 (b)를 더 참조하면, 제1 전극부(210)와 유사하게. 하나의 일정한 방향으로[도 6의 (b)에서는 위에서 아래 방향으로] RF 신호가 인가되는 것을 확인할 수 있다. 상술한 바와 같이, 복수개의 제2 전극부(220)에 인가되는 RF 신호는 동일한 방향이기 때문에 신호의 감쇄 현상이 나타나지 않게 되어서 전자기장의 세기가 유지될 수 있게 된다.Referring to FIG. 6B, similarly to the first electrode part 210. It can be seen that the RF signal is applied in one constant direction (from top to bottom in FIG. 6B). As described above, since the RF signals applied to the plurality of second electrode parts 220 are in the same direction, the attenuation of the signal does not appear and the strength of the electromagnetic field can be maintained.

한편, 도 7은 단위 플라즈마 전극(200)에 연결되는 RF 안테나(300) 주변의 구성을 나타내는 도면이다.7 is a diagram illustrating a configuration around the RF antenna 300 connected to the unit plasma electrode 200.

도 7에 도시되는 바와 같이, RF 안테나(300)의 외부에는 RF 안테나(300)를 감싸는 튜브(310)가 형성되어 있으며, 튜브(310)의 외주면에는 절연부(320)가 형성되어 있을 수 있다.　 절연부(320)는 일 예로 플라즈마 처리 장치(1)의 제1 챔버(110)와 접하게 되는데, RF 안테나(300) 고정을 위한 플랜지(330)와 와셔(washer; 340)에 의해 고정될 수 있다.　 튜브(310)는 RF 안테나 실링캡(350) 및 RF 안테나 실링 페룰(ferrule; 360)에 의해 플랜지(330)와 접하게 되며, 이로써 플라즈마 처리 장치(1)의 제1 챔버(110)에 고정될 수 있게 된다.　 RF 안테나 실링캡(350)과 RF 안테나 실링 페룰(360)은 절연 물질로 이루어질 수 있다.　 RF 안테나(300) 및 이를 감싸고 있는 튜브(310)와 제1 챔버(110) 사이의 실링을 위하여 일 이상의 오-링(O-ring; 370)이 더 구비될 수 있다.As shown in FIG. 7, a tube 310 surrounding the RF antenna 300 is formed outside the RF antenna 300, and an insulating portion 320 may be formed on the outer circumferential surface of the tube 310. . For example, the insulation unit 320 may be in contact with the first chamber 110 of the plasma processing apparatus 1, and may be fixed by a flange 330 and a washer 340 for fixing the RF antenna 300. . The tube 310 is brought into contact with the flange 330 by the RF antenna sealing cap 350 and the RF antenna sealing ferrule 360, which may be fixed to the first chamber 110 of the plasma processing apparatus 1. Will be. The RF antenna sealing cap 350 and the RF antenna sealing ferrule 360 may be made of an insulating material. One or more O-rings 370 may be further provided for sealing between the RF antenna 300 and the tube 310 surrounding the RF antenna 300 and the first chamber 110.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1a)의 모습을 나타내는 도면이다.8 is a view showing a state of the plasma processing apparatus 1a according to another embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1a)는 기본적으로 제1 챔버(110a)와 제2 챔버(120a)로 구성되는 단위 챔버 어셈블리(100a)를 복수개로 포함할 수 있다. 도 8에는 플라즈마 처리 장치(1a)에 단위 챔버 어셈블리(100a)가 두 개 포함되는 것으로 도시되어 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 본 발명이 이용되는 목적에 따라 필요한 개수의 단위 챔버 어셈블리(100a)가 플라즈마 처리 장치(1a)에 포함될 수 있을 것이다.Referring to FIG. 8, the plasma processing apparatus 1a according to another embodiment of the present invention basically includes a plurality of unit chamber assemblies 100a including the first chamber 110a and the second chamber 120a. Can be. FIG. 8 illustrates that the plasma processing apparatus 1a includes two unit chamber assemblies 100a, but the present invention is not limited thereto, and the number of unit chamber assemblies 100a required for the purposes of the present invention may be plasma. It may be included in the processing apparatus 1a.

이러한 복수개의 단위 챔버 어셈블리(100a)는 도 8에 도시된 바와 같이 수직 일렬로 배치되는 것이 바람직하다. 이에 따라 제1 챔버(110a)와 제2 챔버(120a)가 번갈아 가면서 수직으로 배치되게 된다. 이를 테면, 플라즈마 처리 장치(1a)가 두 개의 단위 챔버 어셈블리(100a)를 포함하는 경우, 수직으로 제1 챔버(110a)?제2 챔버(120a)?제1 챔버(110a)?제2 챔버(120a)가 배치되게 된다.The plurality of unit chamber assemblies 100a are preferably arranged in a vertical line as shown in FIG. 8. Accordingly, the first chamber 110a and the second chamber 120a are alternately arranged vertically. For example, when the plasma processing apparatus 1a includes two unit chamber assemblies 100a, the first chamber 110a-the second chamber 120a-the first chamber 110a-the second chamber (vertically) 120a) is arranged.

도 8을 더 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)는 네 개의 기판(10)이 동시에 플라즈마 처리되고 있음을 확인할 수 있다. 즉. 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1)를 이용하는 경우 한번에 보다 많은 수의 기판을 처리할 수 있게 되므로 공정의 생산성을 향상시킬 수 있게 된다.Referring to FIG. 8, the plasma processing apparatus 1 according to another exemplary embodiment of the present invention may confirm that four substrates 10 are simultaneously plasma treated. In other words. In the case of using the plasma processing apparatus 1 according to another embodiment of the present invention, it is possible to process more substrates at a time, thereby improving the productivity of the process.

본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치(1a)는 단위 챔버 어셈블리(100a)를 복수개로 포함한다는 것을 제외하고는 위에서 설명된 플라즈마 처리 장치(1a)와 동일한 구성을 가진다. 이를 테면, 절곡된 형태를 가지는 단위 플라즈마 전극(200a)이 하나의 단위 챔버 어셈블리(100a)에 배치된다. 따라서, 위에서 설명된 구성요소들이 플라즈마 처리 장치(1a)에 동일하게 적용될 수 있으며, 따라서 이에 관한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The plasma processing apparatus 1a according to another embodiment of the present invention has the same configuration as the plasma processing apparatus 1a described above, except that the plasma processing apparatus 1a includes a plurality of unit chamber assemblies 100a. For example, a unit plasma electrode 200a having a bent shape is disposed in one unit chamber assembly 100a. Therefore, the above-described components may be equally applied to the plasma processing apparatus 1a, and thus detailed description thereof will be omitted.

본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken in conjunction with the present invention. Variations and changes are possible. Such modifications and variations are intended to fall within the scope of the invention and the appended claims.

1: 플라즈마 처리 장치
10: 기판
100: 단위 챔버 어셈블리
110: 제1 챔버
120: 제2 챔버
200: 단위 플라즈마 전극
210: 제1 전극부
220: 제2 전극부
230: 절곡부
300: RF 안테나
310: 튜브
320: 절연부
330: 플랜지
340: 와셔
350: RF 안테나 실링캡
360: RF 안테나 실링 페룰
370: 오-링
400: 그라운드1: plasma treatment device
10: substrate
100: unit chamber assembly
110: first chamber
120: second chamber
200: unit plasma electrode
210: first electrode portion
220: second electrode portion
230: bend
300: RF antenna
310: tubes
320: insulation
330: flange
340 washer
350: RF antenna sealing cap
360: RF antenna sealing ferrule
370: O-ring
400: ground

Claims

delete

A unit chamber assembly including a first chamber and a second chamber disposed below the first chamber independently of the first chamber; A unit plasma electrode which generates a plasma for substrate processing and is disposed in the unit chamber assembly,
The unit plasma electrode may include: a first electrode part disposed in the first chamber to generate a plasma inside the first chamber; A second electrode part disposed in the second chamber to generate a plasma inside the second chamber; And a bent part connecting the first electrode part and the second electrode part.
And a plurality of unit plasma electrodes are disposed in the unit chamber assembly.

The method of claim 2,
And an end of the first electrode portion is connected to an RF antenna for applying a radio frequency (RF) signal for generating an electromagnetic field for plasma generation, and an end of the second electrode portion is connected to ground.

delete

The method of claim 2,
And the plurality of first electrode portions of the plurality of unit plasma electrodes are disposed at regular intervals in parallel with a short side direction of the substrate disposed in the first chamber.

The method of claim 2,
And the plurality of second electrode portions of the plurality of unit plasma electrodes are disposed at regular intervals in parallel with a short side direction of a substrate disposed in the second chamber.

The method of claim 2,
And a plurality of unit chamber assemblies.

The method of claim 7, wherein
And the plurality of unit chamber assemblies are arranged in a vertical line.

The method of claim 2,
The bent portion includes two bent points, and the unit plasma electrode has a 'c' or inverse 'c' shape.

The method of claim 2,
The unit plasma electrode is configured to include a quartz tube.

The method of claim 2,
And each of the first chamber and the second chamber includes a gas supply unit to which a process gas is supplied.

The method of claim 11,
And controlling the same amount of process gas to be supplied to the first chamber and the second chamber.