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KR101215033B1 - 실리콘 함유 전구체 및 원자 산소를 이용하는 고품질플로우-형 실리콘 이산화물의 화학적 기상 증착 - Google Patents

실리콘 함유 전구체 및 원자 산소를 이용하는 고품질플로우-형 실리콘 이산화물의 화학적 기상 증착 Download PDF

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KR101215033B1
KR101215033B1 KR1020077020861A KR20077020861A KR101215033B1 KR 101215033 B1 KR101215033 B1 KR 101215033B1 KR 1020077020861 A KR1020077020861 A KR 1020077020861A KR 20077020861 A KR20077020861 A KR 20077020861A KR 101215033 B1 KR101215033 B1 KR 101215033B1
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KR
South Korea
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silicon oxide
oxide layer
substrate
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니틴 케이. 잉글
쳉 유안
폴 기
케다르 사프레
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

기판 상에 실리콘 산화물층을 증착하는 방법이 개시된다. 상기 방법들은 증착 챔버에 기판을 제공하는 단계, 증착 챔버 외부에서 원자 산소 전구체를 발생시키는 단계, 및 챔버에 원자 산소 전구체를 주입하는 단계를 포함할 수 있다. 또한 상기 방법들은 증착 챔버에 실리콘 전구체를 주입하는 단계를 포함할 수 있으며, 실리콘 전구체와 원자 산소 전구체는 상기 챔버에서 먼저 혼합된다. 실리콘 전구체와 원자 산소 전구체는 기판 상에 실리콘 산화물층을 형성하도록 반응하며, 증착된 실리콘 산화물층은 어닐링될 수 있다. 또한 기판 상에 실리콘 산화물층을 증착하기 위한 시스템들이 또한 개시된다.

Description

실리콘 함유 전구체 및 원자 산소를 이용하는 고품질 플로우-형 실리콘 이산화물의 화학적 기상 증착{CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF HIGH QUALITY FLOW-LIKE SILICON DIOXIDE USING A SILICON CONTAINING PRECURSOR AND ATOMIC OXYGEN}
본 출원은 "CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF HIGH QUALITY FLOW-LIKE SILICON DIOXIDE USING A SILICON CONTAINING PRECURSOR AND ATOMIC OXYGEN"이란 명칭으로 2006년 5월 30일자로 인글 등에 의해 출원된 미국 가출원번호 60/803,483호의 장점을 청구한다. 또한 본 출원은 "A METHOD FOR DEPOSITING AND CURING LOW-K FILMS FOR GAPFILL AND CONFORMAL FILM APPLICAITONS"이란 명칭으로 2006년 5월 30일자로 문로 등에 의해 출원된 공동-양도된 미국 가출원번호 60/803,489호에 관한 것이다. 또한 본 출원은 "A NOVEL DEPOSITION-PLASMA CURE CYCLE PROCESS TO ENHANCE FILM QUALITY OF SILICON DIOXIDE"란 명칭으로 2006년 5월 30일자로 첸 등에 의해 출원된 미국 가출원번호 60/803,481호에 관한 것이다. 또한, 본 출원은 "PROCESS CHAMBER FOR DIELECTRIC GAPFILL"이란 명칭으로 2006년 5월 30일자로 루보미르스키에 의해 출원된 미국 가출원번호 60/803,499호에 관한 것이다. 우선권 미국 가특허출원 및 관련된 출원들의 전체 내용들은 모든 목적들을 위해서 본 명세서에 참조로 통합된다.
집적회로들 상의 디바이스 밀도 증가가 지속됨에 따라, 디바이스 구조물들 간의 크기 및 거리는 지속적으로 감소한다. 구조물들과 구조물들 간의 트렌치들의 갭들의 폭들이 좁을수록 이들을 형성하는데 있어 높이 대 폭(즉, 종횡비)의 비는 증가된다. 다른 말로, 집적회로 엘리먼트들의 지속적인 소형화로 이러한 엘리먼트들의 수직적 높이 보다는 엘리먼트들 내의 수평 폭 및 이들 엘리먼트들 사이의 수평 폭이 더 빠르게 축소된다.
훨씬 증가하는 종횡비들을 갖는 디바이스 구조물들을 제조하는 능력은 반도체 칩 기판의 동일한 표면적 상에 보다 많은 구조물들(예를 들어, 트랜지스터들, 캐패시터들, 다이오드들 등)이 패킹될 수 있게 하지만, 그것은 제조 문제점들을 또한 발생시킨다. 일단 이러한 문제점들은 충진 프로세스 동안 보이드 또는 시임(seam)을 생성하지 않고 상기 구조물들의 갭들 및 트렌치들을 완전히 충진하기 어렵다는 것이다. 실리콘 산화물과 같은 유전체 물질로의 갭들 및 트렌치들을 충진하는 것은 인접해 있는 디바이스 구조물들을 서로 전기적으로 분리시키는데 필요하다. 갭들이 빈 상태로 남아있게 되면, 너무 많은 전기 노이즈 및 전류 누설이 발생되어 디바이스가 적절히(또는 전혀) 작동하지 않게 된다.
갭의 폭들이 더 컸을 때(그리고 종횡비들이 더 작았을 때), 갭들은 유전체 물질의 신속한 증착으로 비교적 쉽게 충진되었다. 증착 물질은 갭의 측면들 및 바닥부를 덮어 틈 또는 트렌치가 완전히 충진되었을 때까지 상향식으로의 충진이 지속될 것이다. 그러나 종횡비들이 증가함에 따라, 충진 체적부내에 보이드 또는 시임의 방해 없이 깊고 좁은 트렌치를 충진시키는 것이 더욱 어려워졌다.
유전층에서의 보이드들 및 시임들은 반도체 디바이스 제조 동안 그리고 완성된 디바이스들 둘 다에서 문제들의 발생을 야기시킨다. 보이드들 및 시임들은 유전체층에 랜덤하게 형성되며 예측불가능한 크기들, 형상들, 위치들 및 분포 밀도들을 갖는다. 이것은 층의 예측불가능하며 일관성없는 포스트-증착 프로세싱, 이를테면, 심지어 에칭, 연마, 어닐링 등을 초래한다. 또한 완성된 디바이스들에서 보이드들 및 시임들은 디바이스 구조물들의 갭들 및 트렌치들의 유전체 품질들의 변화들을 발생시킨다. 이는 전기적 혼선, 전하 누설 및 심지어 디바이스 엘리먼트들 내에 그리고 디바이스 엘리먼트들 간의 단선으로 인해 불균일하며 열악한 디바이스 성능을 초래할 수 있다.
높은 종횡비 구조물들 상에 유전체 물질들을 증착하는 동안 보이드들 및 시임들의 형성을 최소화시키기 위한 기술들이 개발되었다. 이들은 유전체 물질의 증착률을 늦추는 것을 포함하여서, 유전체 물질이 트렌치의 측벽들 및 바닥부에 대하여 보다 콘포멀(conformal)하게 유지된다. 보다 콘포멀한 증착은 증착된 물질이 트렌치의 상부 또는 중심부에 축적되어 결국 보이드의 상부를 밀봉하는 정도를 감소시킬 수 있다. 그러나 불행히도, 증착률을 늦추는 것은 프로세싱 효율 및 생산률들을 감소시키는 증착 시간의 증가를 의미한다.
보이드 형성을 제어하기 위한 또 다른 기술은 증착된 유전체 물질의 유동성(flowability)을 증가시키는 것이다. 보다 유동성있는 물질은 보이드 또는 시임을 보다 빠르게 충진시킬 수 있고 보이드 또는 시임이 충진 체적부에서의 영구적 결함이되는 것을 방지할 수 있다. 실리콘 산화물 유전체 물질의 유동성 증가는 산화물층을 형성하기 위해 사용되는 전구체들의 혼합물에 수증기 또는 과산화물(예를 들어, H2O2)의 첨가를 종종 포함한다. 수증기는 증착된 막에 보다 많은 Si-OH 결합들을 생성하여, 막에 증가된 유동성을 제공한다. 그러나 불행히도 실리콘 산화물을 증착하는 동안 수분 레벨 증가는 또한 그의 밀도(즉, 증가된 습식 에칭 속도 비(WERR))를 포함하여 증착된 막의 특성들 및 유전체 특성들(즉, 증가된 k-값)에 악영향을 미칠 수 있다.
따라서, 갭들, 트렌치들 및 고종횡비들을 가지는 다른 디바이스 구조물에 보이드가 없으며(voidless), 시임이 없는(seamless) 유전체 막들을 증착할 수 있는 유전체 증착 시스템들 및 프로세스들에 대한 필요성이 남아있다. 또한, 완성된 충진물의 품질에 악영향을 미치지 않는 유동 특성들 및 높은 증착 속도들로 유전체 물질들을 증착할 수 있는 시스템들 및 프로세스들에 대한 필요성이 남아있다. 유전체 막 증착에 대한 이러한 양상들 및 다른 양상들은 본 발명에 의해 다루어진다.
본 발명의 실시예들은 기판 상에 실리콘 산화물층을 증착하는 방법들을 포함한다. 상기 방법들은 증착 챔버에 기판을 제공하는 단계, 증착 챔버 바깥쪽에 원자 산소 전구체를 생성하는 단계, 및 챔버 내로 원자 산소 전구체를 주입하는 단계를 포함할 수 있다. 또한 상기 방법들은 증착 챔버로 실리콘 전구체를 주입하는 단계를 포함할 수 있고, 실리콘 전구체 및 원자 산소 전구체는 챔버에서 먼저 혼합된다. 실리콘 전구체 및 원자 산소 전구체는 기판 상에 실리콘 산화물층을 형성하도록 반응한다. 또한 상기 방법들은 증착된 실리콘 산화물층을 어닐링하는 단계를 포함할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예들은 기판 상에 실리콘 산화물층을 형성하는 방법들을 포함한다. 상기 방법들은 반응 챔버에 실리콘 웨이퍼 기판을 제공하는 단계, 및 고밀도 아르곤 플라즈마에서 분자 산소의 해리로부터 원자 산소 전구체를 발생시키는 단계를 포함할 수 있다. 원자 산소 전구체는 반응 챔버 외부에 있는 원격 플라즈마 발생 챔버에서 생성될 수 있다. 또한 상기 방법들은 반응 챔버에서 실리콘 전구체와 원자 산소 전구체를 혼합하는 단계를 포함할 수 있고, 원자 산소 전구체 및 실리콘 전구체는 반응 챔버에 도달하기 이전에 혼합되지 않는다. 기판 상에 증착된 실리콘 산화물층은 실리콘 전구체와 원자 산소의 반응으로부터의 반응 생성물들을 포함한다.
본 발명의 실시예들은 기판 상에 실리콘 산화물층을 증착하기 위한 시스템들을 추가로 더 포함할 수 있다. 이들 시스템들은 기판을 보유하는 증착 챔버, 및 증착 챔버와 결합된 원격 플라즈마 발생 시스템을 포함할 수 있으며, 플라즈마 발생 시스템은 원자 산소 전구체를 발생시키기 위해 사용된다. 또한 시스템들은 증착 챔버에 실리콘 전구체를 공급하기 위해 사용되는 실리콘 전구체 소스 및 증착 챔버 내로 원자 산소 전구체 및 실리콘 전구체의 흐름들을 유도하기 위해 사용되는 전구체 처리 시스템을 포함할 수 있다. 전구체 처리 시스템은 원자 산소 및 실리콘 전구체들이 증착 챔버에 진입하기 이전에 이들이 혼합되는 것을 방지하도록 구성될 수 있다.
부가적인 실시예들 및 특징들은 하기 설명에서 일부 개시되며 일부는 본 명세서의 고찰에 따라 당업자들에게 명백해 질 것이며 또는 본 발명을 실행에 의해 학습될 수 있다. 본 발명의 특징들 및 장점들은 본 명세서에 개시되는 기구들, 조합들 및 방법들에 의해 구현되고 달성될 수 있다.
본 발명의 특성 및 장점들의 추가적인 이해는 본 명세서 및 동일한 참조부호들은 유사한 컴포넌트들을 지칭하도록 몇 개의 도면들에 걸쳐 사용되는 도면들의 나머지 부분들 참조로 구현될 수 있다. 일부의 경우들에서, 아래첨자는 참조 번호와 관련되며 다수의 유사한 컴포넌트들 중 하나를 나타내기 위해 하이픈이 이어진다. 설명 없이 기존의 아래첨자에 대한 특정 없이 참조 번호에 대한 참조가 이루어질 때, 이는 모든 이러한 다수의 유사한 컴포넌트들을 참조하는 것으로 의도된다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따라 기판들 상에 산화물막들을 형성하는 방법들의 단계들을 나타내는 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 추가 실시예들에 따라 산화물층들을 형성하는 방법들의 단계들을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따라 층들을 증착하고 경화시키기 위해 상이한 챔버들을 사용하는 산화물층들을 형성하는 방법들의 단계들을 나타낸다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따라 비 Si-C 결합 함유 실리콘 전구체들로부터 산화물층들을 형성하는 방법들의 단계들을 나타내는 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따라 Si-C 결합들을 함유하는 실리콘 전구체들로부터 산화물층들을 형성하는 방법들의 단계들을 나타내는 흐름도이다.
도 6A는 본 발명의 실시예들에 따라 실리콘 산화물층들을 형성하는데 이용될 수 있는 기판 프로세싱 시스템의 수직 단면도를 나타낸다.
도 6B는 본 발명의 실시예들에 따라 기판 프로세싱 시스템의 시스템 모니터/제어기 컴포넌트의 간략도이다.
고품질 산화물층 또는 충진물로 이후 경화되는(즉, 어닐링되는) 높은 유동성을 갖는 실리콘 산화물층을 증착하기 위한 시스템들 및 방법들이 개시된다. 초기에 형성된 산화물의 높은 유동성은 그것이 갭들 또는 시임들없이 높은 종횡비 갭들 및 트렌치들(예를 들어, 5:1보다 더 큰 종횡비들)의 충진을 허용한다. 그 다음, 경화 단계는 실리콘 산화물막들에 대한 실제 제한치들에 근접할 수 있는 습식 에칭 속도 비(WERR)(예를 들어, WERR은 약 1.8 내지 약 1.4로 낮아짐)를 가지는 조밀한(dense) 산화물막이 남도록 수분을 배출시킨다. 탄소 함유 실리콘 전구체들로 이루어진 막들에 대해, 높은 초기 유동성 및 높은 포스트(post)-경화 품질을 또한 갖는 낮은-k 산화물막들이 생성될 수 있다.
본 발명의 방법들은 증착/반응 챔버 바깥쪽에서의 반응성 원자 산소의 원격 발생을 포함한다. 원자 산소는 먼저 증착 챔버에서의 실리콘 전구체와 혼합되며, 여기서 이들은 낮은 온도들 및 압력들에서도 빠르게 반응하여 기판 상에 실리콘 산화물을 증착한다. 형성된 산화물은 실리콘에 결합된 수산기 그룹들이 풍부하며, 이는 산화물을 매우 유동성있게 한다. 일단 증착되면, 산화물은 낮은 온도들에서도 빨리 흘러 갭 또는 트렌치 충진 동안 초기에 보이드들 및 시임들을 충진시킬 것이다. 그 다음, 증착 이후, 경화 단계는 Si-OH 그룹들 중 다수를 증착된 막으로부터 배출되는 수증기 및 순수한 실리콘 이산화물로 변환시킨다.
Si-C 결합들에 풍부한 낮은-k 막들이 증착되는 실시예들에서, 경화 프로세스는 Si-C 결합들을 Si-OH 결합들로 가수분해함으로써 탄소를 소거하기 위한 제 1 단계와, 이어서 수산기 그룹들을 소거하고 나머지 수분을 배출시키기 위한 제 2 단계로 분할될 수 있다. 이는 H2O가 Si-C 결합들을 Si-OH 결합들로 가수분해하는 습식 어닐링(예를 들어, 최대 약 950℃의 스팀 어닐링)을 먼저 수행하고, 이어서 Si-OH를 실리콘 산화물로 변환시키기 위한 건식 어닐링(예를 들어, 900℃에서의 건식 N2)를 수행함으로써 이루어질 수 있다. 본 발명의 방법들 및 프로세스들에 대한 실시예들의 추가적인 설명이 이제 논의될 것이다.
예시적인 산화물층 형성 프로세스들
도 1은 본 발명의 실시예들에 따라 기판 상에 산화물층들을 형성하는 방법(100)의 단계들을 포함하는 흐름도를 도시한다. 방법(100)은 증착 챔버(102)에 기판을 제공하는 단계를 포함한다. 기판은 반도체 웨이퍼(예를 들어, 약 300mm 또는 그 미만의 직경을 가지는 실리콘 웨이퍼; 약 100mm, 150mm, 200mm, 300mm, 400mm 등의 직경을 가지는 실리콘 웨이퍼 등)일 수 있으며, 이전 프로세스들에서 형성된 구조물들, 디바이스 컴포넌트들 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판은 높은 높이 대 폭의 종횡비들(예를 들어, 5:1 또는 그 초과, 6:1 또는 그 초과, 7:1 또는 그 초과, 8:1 또는 그 초과, 9:1 또는 그 초과, 10:1 또는 그 초과, 11:1 또는 그 초과, 12:1 또는 그 초과 등의 종횡비)을 가지는 갭들, 트렌치들 등을 포함할 수 있다.
또한 방법(100)은 증착 챔버(104) 바깥 위치에서의 원자 산소 전구체의 원격 발생을 포함한다. 원자 산소는 분자형 산소(O2), 오존(O3), 질소-산소 화합물(예를 들어, NO, NO2, N2O 등), 수소-산소 화합물(예를 들어, H2O, H2O2 등), 탄소-산소 화합물(예를 들어, CO, CO2 등) 및 다른 산소 함유 전구체들 및 전구체들의 조합들과 같은 산소 함유 전구체의 해리에 의해 발생될 수 있다.
원자 산소를 발생시키기 위한 산소 함유 전구체의 해리는 다른 방법들 중에서도 특히 열적 해리, 자외선 광 해리, 및/또는 플라즈마 해리에 의해 수행될 수 있다. 플라즈마 해리는 원격 플라즈마 발생 챔버에서 헬륨, 아르곤, 수소(H2), 크세논, 암모니아(NH3) 등으로부터 플라즈마를 가격하는 단계 및 원자 산소 전구체를 발생시키기 위해 플라즈마에 산소 전구체를 주입하는 단계를 포함할 수 있다.
그 다음, 반응성 원자 산소 플라즈마가 증착 챔버(106)로 주입되고, 여기서 반응성 원자 산소 플라즈마는 챔버(108)로도 또한 주입되는 실리콘 전구체와 먼저 혼합될 수 있다. 반응성이 높은 원자 산소는 적정 온도들(예를 들어, 100℃ 미만의 반응 온도들) 및 압력들(예를 들어, 약 0.1 Torr 내지 약 10 Torr; 0.5 내지 6 Torr의 전체 챔버 압력 등)에서 실리콘 전구체(및 반응 챔버에 존재할 수 있는 다른 증착 전구체들)와 반응하여 실리콘 산화물막(110)을 형성할 것이다. 증착 동안, 웨이퍼는 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 페데스탈에 의해 약 0℃ 내지 약 150℃의 온도로 조절될 수 있다(즉, 가열되거나 냉각될 수 있다).
실리콘 전구체는 탄소를 함유하지 않는 실리콘 화합물 및/또는 유기실란 화합물을 포함할 수 있다. 탄소가 없는 실리콘 전구체들은 다른 것중에서도 특히, 실란(SiH4)을 포함할 수 있다. 유기실란 화합물들은 Si-C 직접 결합을 갖는 화합물들 및/또는 Si-O-C 결합을 갖는 화합물들을 포함할 수 있다. 유기실란 실리콘 전구체들의 예들로는 다른 것 중에서도 특히 디메틸실란, 트리메틸실란, 테트라메틸실란, 디에틸실란, 테트라메틸오르쏘실리케이트(TMOS), 테트라에틸오르쏘실리케이트(TEOS), 옥타메틸트리실록산(OMTS), 옥타메틸시클로테트라실록산(OMCTS), 테트라메틸디메틸디메톡시디실란, 테트라메틸시클로테트라실록산(TOMCATS), 디메틸 디메톡시실란(DMDMOS), 디에톡시메틸실란(DEMS), 메틸트리에톡시실란(MTES), 페닐디메틸실란, 및 페닐실란을 포함할 수 있다.
실리콘 전구체는 증착 챔버로의 그의 주입 이전에 또는 증착 챔버로 주입되는 동안 캐리어 가스와 혼합될 수 있다. 캐리어 가스는 기판 상에 산화물막의 형성을 부당하게 방해하지 않는 비활성 가스일 수 있다. 캐리어 가스들의 예들로는 다른 가스들 중에서도 특히, 헬륨, 네온, 아르곤, 질소(N2) 및 수소(H2)를 포함한다.
방법(100)의 실시예들에서, 원자 산소 및 실리콘 전구체들은 증착 챔버로 주입되기 이전에 혼합되지 않는다. 전구체들은 반응 챔버 부근에 분포된 별도의 공간적으로 분리된 전구체 입구들을 통해 챔버로 진입할 수 있다. 예를 들어, 원자 산소 전구체는 챔버의 상부에서의 그리고 기판 바로 위에 위치된 입구(또는 입구들)로부터 진입할 수 있다. 입구는 기판 증착 표면과 직교 방향으로 산소 전구체의 흐름을 유도한다. 한편, 실리콘 전구체는 증착 챔버의 측면들 부근의 하나 또는 그 초과의 입구들로부터 진입할 수 있다. 입구들은 증착 표면과 대략적으로 평행한 방향으로 실리콘 전구체의 흐름을 유도할 수 있다.
부가적인 실시예들은 멀티-포트 샤워헤드의 별개의 포트들을 통한 원자 산소 및 실리콘 전구체들의 전송을 포함한다. 예를 들어, 기판 위에 위치된 샤워헤드는 전구체들이 증착 챔버에 진입하게 하기 위한 개구부들의 패턴을 포함할 수 있다. 개구부들의 제 1 서브세트는 원자 산소 전구체에 의해 공급되는 반면, 개구부들의 제 2 서브세트는 실리콘 전구체에 의해 공급된다. 개구부의 상이한 세트를 통해 이동하는 전구체들은 증착 챔버내로 배출될 때까지 서로 유체적으로 분리될 수 있다. 전구체 처리 장치의 타입들 및 설계들에 대한 추가적인 세부사항들은 "PROCESS CHAMBER FOR DIELECTRIC GAPFILL"이란 명칭으로 2006년 5월 30일자로 루보미르스키에 의해 출원된 공동양도된 미국 가출원번호 60/803,499호, 및 본 출원과 동일자에 출원된 대리인 도켓 번호 A11162/T72710호를 갖는 후속하는 미국 정식출원에 개시되며, 상기 문헌들 양자는 모든 목적들을 위해서 본 명세서에 참조로 통합된다.
원자 산소 및 실리콘 전구체들이 증착 챔버에서 반응함에 따라, 이들은 기판 증착 표면(112) 상에 실리콘 산화물층을 형성한다. 초기 산화물층은 뛰어난 유동성을 가지며, 증착 표면에 존재하는 구조물에 있는 갭들, 트렌치들, 보이드들, 시임들 등으로 빠르게 이동할 수 있다. 이는 방법(100)이 갭들, 트렌치들, 및 높은 높이 대 폭 종횡비들(예를 들어, 약 5:1, 6:1, 6:1, 8:1, 9:1, 10:1, 11:1, 12:1 또는 그 초과의 AR들)을 가지는 다른 표면 구조물에서 실질적으로 보이드들 및 시임들이 없는 산화물 충진물들을 제공하도록 허용 한다.
특정 이론으로 제한하고자 하는 것은 아니지만, 실리콘 전구체 및 원격적으로 발생된 원자 산소는 실리콘-수산기 그룹(Si-OH) 결합들의 높은 농도를 가지는 실리콘 산화물을 형성하도록 반응하는 것으로 여겨진다. 이러한 결합들은 실리콘 산화물층에 증가된 유동성을 제공하는 것으로 여겨진다. 그러나 Si-OH 결합들은 또한 습식 에칭 속도 비(WERR) 및 증착된 층의 유전 상수를 증가시키며, 이는 증착된 산화물의 품질 및 전기적 절연체로서의 그 효율을 감소시킬 수 있다. 따라서, Si-OH 결합들의 농도는 증착에 이은 실리콘 산화물층(114)의 어닐링(즉, 경화)에 의해 감소된다.
증착된 실리콘 산화물층(114)의 포스트 증착 어닐링은 단일 단계, 또는 다수의 단계들에서 수행될 수 있다. 단일 단계 어닐링은 예를 들어, 실질적으로 건식 분위기(예를 들어, 건식 질소, 헬륨, 아르곤 등)에서 약 300℃ 내지 약 1000℃(예를 들어, 약 600℃ 내지 약 900℃)로 증착된 층을 가열함으로써 수행될 수 있다. 어닐링은 증착된 층으로부터 수분을 제거하며 Si-OH 그룹들을 실리콘 산화물로 변환시킨다. 어닐링된 실리콘 산화물층은 막 품질을 개선시키며(예를 들어, 약 6 내지 약 3 또는 그 미만의 WERR), 유전체로서의 품질들을 개선시킨다(예를 들어, 순수한 실리콘 이산화물에 근사한 또는 동일한 k-값).
다-단계 어닐링들은 2단계 어닐링을 포함할 수 있으며, 먼저 층은 스팀의 존재하에 예를 들어, 최대 약 950℃(예를 들어 650℃)로의 층 가열과 같은 습식 어닐링 스테이지를 겪는다. 이는 건식 어닐링 스테이지로 이어질 수 있으며, 층은 실질적으로 수분이 없는(예를 들어, 건식 N2) 분위기에서 가열된다(예를 들어, 약 900℃). 앞서 언급된 바와 같이, 다-단계 어닐링들은 상당량들의 탄소(예를 들어, 상당한 밀도의 Si-C 결합들)로 실리콘 산화물층을 형성하는 유기실리콘 전구체와 결합하여 사용될 수 있다. 최초의 습식 어닐링은 다수의 Si-C 결합들을 Si-OH 결합들로 교체하는 것을 보조하는 반면, 건식 어닐링은 Si-OH를 실리콘 산화물 결합들로 변환시키며 층으로부터 수분을 배출시킨다.
습식 및 건식 열적 어닐링에 부가하여, 실리콘 산화물층(114)을 어닐링하기 위해 다른 어닐링 기술들이 (단독으로 또는 조합하여) 이용될 수 있다. 이들은 그 중에서도 특히 스팀 어닐링, 플라즈마 어닐링, 자외선 광 어닐링, e-빔 어닐링 및/또는 마이크로파 어닐링을 포함한다.
이제 도 2를 참조로, 본 발명의 추가 실시예들에 따라 산화물층들을 형성하는 방법(200)의 단계들이 도시된다. 방법(200)은 반응 챔버에 기판을 제공하는 단계(202) 및 기판 상에서 예비처리 에칭을 수행하는 단계(204)를 포함한다. 예비처리 에칭은 기판 구조물들을 평탄하게 하고 표면 불순물들을 제거하기 위한 플라즈마 에칭(예를 들어, 아르곤 플라즈마를 이용한 고밀도 플라즈마 에칭)을 포함할 수 있다.
또한 방법은 원격 플라즈마 챔버에서 플라즈마를 발생시키는 단계(206) 및 플라즈마 챔버에 산소 함유 가스(예를 들어, 분자형 산소)를 공급하여(208) 원자 산소 플라즈마를 발생시키는 단계(210)를 포함한다. 방법(200)의 실시예들은 원자 산소 전구체를 발생시키기 이전에 기판 상에서 예비처리 에칭(204)을 위해 원격 플라즈마 챔버에서 발생된 플라즈마를 이용하는 단계를 포함한다. 예비처리 에칭이 완료되면, 산소 함유 가스가 원격 플라즈마 챔버에 주입되어 원자 산소 전구체를 발생시킨다(210). 반응 챔버로의 플라즈마의 흐름은 예비처리 단계와 실리콘 산화물 증착 단계 사이에서 중단될 수 있거나 또는 상기 단계들 사이에서 지속적으로 흐르도록 허용될 수 있다.
기판 상에 산화물층의 증착을 시작하기 위해, 원격으로 발생된 원자 산소 전구체가 반응 챔버로 주입되고(212) 또한 실리콘 전구체(예를 들어, TEOS, OMCATS)가 반응 챔버로 주입된다(214). 반응 챔버에서, 2개의 전구체들이 반응하고(216), 기판 상에 실리콘 산화물층을 형성한다(218). 산화물층은 약 250Å/min 내지 약 2㎛/min 속도로 형성될 수 있다. 방법(200)의 실시예들은 산화물층에 상당량의 탄소(예를 들어, Si-C 및/또는 Si-O-C 결합들)를 부가시키는 탄소 함유 실리콘 전구체를 사용하는 단계를 포함한다. 따라서, 방법(200)에서 2-단계 어닐링은 제 1 어닐링 온도에서 스팀 어닐링의 시작과 더불어 수행되고(220) 이어서 제 2 어닐링 온도에서 건식 어닐링이 수행된다(222). 제 1 어닐링 온도(예를 들어, 약 600℃ 내지 약 950℃)는 제 2 어닐링 온도(예를 들어, 약 900℃ 내지 약 1000℃, 약 950℃ 등) 보다 낮을 수 있다.
도 3은 층을 증착하고 경화시키기 위해 상이한 챔버들을 사용하는 산화물층을 형성하는 방법(300)의 실시예들을 도시한다. 방법(300)은 증착 챔버에 기판을 제공하는 단계(302) 및 챔버에 원자 산소 전구체를 주입하는 단계(304) 및 챔버에 실리콘 전구체를 주입하는 단계(306)를 포함한다. 전구체들은 증착 챔버에서 반응하여 기판 상에 실리콘 산화물층을 형성한다(308).
이 때, 증착 챔버로의 전구체들의 흐름은 중단되고, 기판이 제거된다. 그 다음, 기판이 개별 어닐링 챔버에 제공되며(310), 여기서 실리콘 산화물층의 어닐링이 수행된다(312). 증착 챔버에서 어닐링 챔버로의 기판 이송은 진공 상태에서 그리고/또는 불활성 분위기에서 수행되어 입자들, 산소 및 다른 오염물들이 증착된 층에 접촉하는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 증착 챔버 및 어닐링 챔버는 웨이퍼 기판 상에 반도체 디바이스 구조물들, PMD들, ILD들, 금속배선(metallization) 구조물들, 캡층들 등을 형성하는 더 큰 그룹의 챔버들 중 일부일 수 있다. 하나의 챔버에서 또 다른 챔버로의 웨이퍼 이동은 제어된 분위기에서 자동화된 메커니즘들(예를 들어, 로봇식 암들, 컨베이어 벨트들 등)에 의해 수행된다.
이제 도 4 및 도 5를 참조하면, 실시예들은 탄소 함유 실리콘 전구체를 사용하여 그리고 탄소 함유 실리콘 전구체 없이 실리콘 산화물층들을 형성하는 방법들을 개시한다. 도 4는 비 Si-C 결합 함유 실리콘 전구체로부터 산화물층을 형성하는 방법(400)의 실시예에서의 단계들을 도시한다. 방법(400)은 증착 챔버에 기판을 제공하는 단계(402), 및 챔버에 원자 산소 전구체를 주입하는 단계(404) 및 챔버에 비-탄소 함유 실리콘 전구체를 주입하는 단계(406)를 포함한다. 전구체들은 챔버에서 반응하여 기판 상에 실리콘 산화물층을 형성하며(408) 이어서 어닐링된다. 실리콘 산화물층의 어닐링(410)은 약 800℃ 내지 약 1000℃에서 건식 질소 분위기에서의 단일 단계 어닐링일 수 있다. 실리콘 전구체에 탄소가 사용되지 않기 때문에, 증착된 산화물에서의 탄소 레벨은 낮고, 탄소를 제거하기 위한 스팀 어닐링은 필요하지 않다.
그러나 도 5에 도시된 방법(500)은 기판 상에 증착된 초기 실리콘 산화물층에 상당량의 탄소를 남겨두는 탄소 함유 실리콘 전구체(예를 들어, 유기실란)를 이용한다. 도 4와 유사하게, 도 5에 도시된 방법(500)의 실시예는 증착 챔버에 기판을 제공하는 단계(502), 및 챔버에 원자 산소 전구체를 주입하는 단계(504)를 포함한다. 그러나 주입되는 실리콘 전구체는 탄소-함유 유기실란 전구체이다(506). 원자 산소 및 유기실란 전구체가 반응하여 기판 상에 탄소 함유 실리콘 산화물층을 형성한다(508). 증착에 이어, 2-스테이지 어닐링이 수행되며, 실리콘 산화물층에서 탄소 레벨을 감소시키기 위한 제 1 어닐링이 시작되며(510), 이어서 층에서의 수분 레벨들(즉, H2O 및 Si-OH 레벨들)을 감소시키기 위한 제 2 어닐링이 수행된다(512). 제 1 어닐링은 Si-C 결합들의 적어도 일부를 가수분해하는 스팀 어닐링, 및/또는 보다 큰 유기 분자들을 보다 작은 유기 분자들로 분해하는 플라즈마 에칭, e-빔, 또는 UV 광 어닐링을 포함할 수 있다. 제 2 어닐링은 수분이 제거된 보다 작은 탄소 분자들을 CO, CO2, 포름산 등으로 추가적으로 산화시킬 수 있다. 일부 실시예들에서, 제 1 어닐링은 스팀 어닐링이며 제 2 어닐링은 건식 질소 어닐링이다.
도 1-5에 도시되고 개시된 방법들의 예들은 본 발명에 따라 기판 상에 산화물층을 증착하는데 이용될 수 있는 다수의 실시예들 중 단지 일부라는 것이 인식되어야 한다. 추가 실시예들은 산화물층을 형성하기 위한 추가 단계들, 및 단계들의 상이한 시퀀스들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 1은 실리콘 전구체 보다 이전 단계에 주입된 원자 산소를 도시하지만, 양자의 전구체들이 동시에 주입되거나, 또는 원자 산소 전구체 이전에 실리콘 전구체가 주입되는 것 또한 방법(100)에 의해 고려된다. 본 발명에 따라 이용될 수 있는 방법들의 실시예들 중 일부가 개시되었으며, 기판 프로세싱 시스템들의 실시예들의 설명이 이제 개시된다.
예시적인 기판 프로세싱 시스템
본 발명의 실시예들을 구현할 수 있는 증착 시스템들은 다른 타입들의 시스템들 중에서도 특히 고밀도 플라즈마 화학적 기상 증착(HDP-CVD) 시스템들, 플라즈마 강화 화학적 기상 증착(PECVD) 시스템들, 대기압 이하(sub-atmospheric) 화학적 기상 증착(SACVD) 시스템들, 및 열 화학적 기상 증착 시스템들을 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예들을 구현할 수 있는 CVD 시스템들의 특정한 예들로는 캘리포니아 산타클라라의 Applied Materials, Inc.로부터 입수가능한 CENTURA ULTIMATM HDP-CVD 챔버들/시스템들, 및 PRODUCERTM PECVD 챔버들/시스템들을 포함한다.
본 발명에 따른 실시예들을 이용하기 위해 변형될 수 있는 하나의 적절한 기판 프로세싱 시스템은 공동-양도된 미국 특허 번호 6,387,207호 및 6,830,624호에 도시 및 개시되어 있으며, 상기 문헌들은 모든 목적들을 위해서 본 명세서에 참조로 통합된다. 도 6A는 챔버 벽(15a)과 챔버 리드 어셈블리(15b)를 포함하는 진공 또는 프로세싱 챔버(15)를 갖춘 CVD 시스템(10)의 수직 단면도들이다.
CVD 시스템(10)은 프로세스 챔버(15) 내에 중심설정된 가열된 페데스탈(12) 상에 장착되는 기판(미도시)에 프로세스 가스들을 분사시키기 위한 가스 분배 매니폴드(11)를 포함한다. 가스 분배 매니폴드(11)는 용량성 플라즈마를 형성하는 전극으로 작용하도록 전기적으로 전도성있는 물질로 형성될 수 있다. 프로세싱 동안, 기판(예를 들어, 반도체 웨이퍼)은 페데스탈(12)의 평탄(또는 약간 볼록한) 표면(12a) 상에 위치된다. 페데스탈(12)은 하부 로딩/오프-로딩 위치(도 6A에 도시됨)와 매니폴드(11)에 가깝게 인접하는 상부 프로세싱 위치(도 6A에 점선(14)으로 표시됨) 사이에서 제어가능하게 이동될 수 있다. 센터보드(미도시)는 웨이퍼들의 위치에 대한 정보를 제공하기 위한 센서들을 포함한다.
증착 및 캐리어 가스들은 종래의 평탄한, 원형의 가스 분배 페이스플레이트(13a)의 천공된 홀들(13b)을 통해 챔버(15)로 주입된다. 특히, 증착 프로세스 가스들은 입구 매니폴드(11)를 통하고, 종래의 천공된 블로커 플레이트(42)를 통하며, 그 다음, 가스 분배 페이스플레이트(13a)에 있는 홀들(13b)을 통해 챔버로 흐른다.
매니폴드(11)에 도달하기 이전에, 증착 가스 및 캐리어 가스는 가스 소스들(7)로부터 가스 공급 라인들(8)을 통해 증착 가스 및 캐리어 가스가 조합되는 혼합 시스템(9)으로 주입되고, 그 다음 매니폴드(11)로 전달된다. 일반적으로, 각각의 프로세스 가스에 대한 공급 라인은 (i) 챔버 내로의 프로세스 가스의 흐름을 자동적으로 또는 수동적으로 차단시키는데 이용될 수 있는 몇 개의 안전 차단 밸브들(미도시), 및 (ii) 공급 라인을 통한 가스의 흐름을 측정하는 질량 흐름 제어기들(미도시)을 포함한다. 프로세스에 유독성 가스들이 사용될 때, 종래의 구성들에서는 각각의 가스 공급 라인 상에 몇 개의 안전 차단 밸브들이 위치된다.
CVD 시스템(10)에서 수행되는 증착 프로세스는 열적 프로세스 또는 플라즈마-강화 프로세스 둘 중 하나일 수 있다. 플라즈마-강화 프로세스에서, RF 전력 공급기(44)는 가스 분배 페이스플레이트(13a)와 페데스탈(12) 사이에 전기 전력을 인가하여, 페이스플레이트(13a)와 페데스탈(12) 사이의 실린더형 영역 내에 플라즈마를 형성하도록 프로세스 가스 혼합물을 여기시킨다. (이 영역을 본 명세서에서는 "반응 영역"이라 지칭할 것이다.) 플라즈마의 성분들은 페데스탈(12) 상에서 지지되는 반도체 웨이퍼의 표면 상에 원하는 막을 증착하도록 반응한다. RF 전력 공급기(44)는 진공 챔버(15)내에 주입된 반응성 종들의 분해를 강화시키기 위해 전형적으로 13.56MHz의 높은 RF 주파수(RF1)에서 그리고 360KHz의 낮은 RF 주파수(RF2)에서 전력을 공급하는 혼합 주파수 RF 전력 공급기이다. 열적 프로세스에서, RF 전력 공급기(44)는 이용되지 않을 것이며, 프로세스 가스 혼합물은 반응을 위한 열 에너지를 제공하기 위해 저항성으로 가열되는, 페데스탈(12) 상에서 지지되는 반도체 웨이퍼의 표면상에 원하는 막들을 증착하도록 열적으로 반응한다.
플라즈마-강화 증착 프로세스 동안, 플라즈마는 배기 통로(23) 및 차단 밸브(24)를 둘러싸는 챔버 바디의 벽들(15a)을 포함하여 전체 프로세스 챔버(10)를 가열한다. 플라즈마가 턴온되지 않을 때 또는 열적 증착 프로세싱 동안, 상승된 온도로 챔버를 유지하기 위해 프로세스 챔버(15)의 벽들(15a)을 통해 뜨거운 액체가 순환된다. 챔버 벽들(15a)의 나머지 통로들은 도시되지 않는다. 챔버 벽들(15a)을 가열하기 위해 사용되는 유체들은 전형적인 유체 타입들, 즉, 물-기반 에틸렌 글리콜 또는 오일-기반 열 전달 유체들을 포함한다. 이러한 가열("가열 교환기"에 의한 가열로 지칭됨)은 바람직하지 않은 반응 생성물들의 응축을 유익하게 감소시키거나 제거하며, 프로세스 가스들의 휘발성 생성물들 및 이들이 냉각 진공 통로들의 벽들 상에 응축되어 가스가 흐르지 않는 기간들 동안 프로세싱 챔버로 다시 이동하는 경우 프로세스를 오염시킬 수 있는 다른 오염물들의 제거를 개선시킨다.
반응 부산물들을 포함하여 층에 증착되지 않는 가스 혼합물의 나머지는 진공 펌프(미도시)에 의해 챔버(15)로부터 배기된다. 특히, 가스들은 반응 영역을 둘러싸는 환형의, 슬롯-형상 오리피스(16)를 통해 환형 배기 플레넘(17)으로 배기된다. 환형 슬롯(16) 및 플레넘(17)은 챔버의 실린더형 측벽(15a)의 상부(벽 상의 상부 유전체 라이닝(19)을 포함함) 및 원형 챔버 리드(20)의 하부 사이의 갭에 의해 한정된다. 슬롯 오리피스(16) 및 플레넘(17)의 360도 원형 대칭 및 균일성은 웨이퍼 상에 균일한 막을 증착하기 위해 웨이퍼 상의 프로세스 가스들의 균일한 흐름을 달성하는데 있어 중요하다.
배기 플레넘(17)으로부터, 가스들이 배기 플레넘(17)의 측방 연장부(21) 아래로 흘러, 하향-연장 가스 통로(23)를 통해 뷰잉 포트(미도시)를 지나고, 진공 차단 밸브(24)(진공 차단 밸브의 몸체는 하부 챔버 벽(15a)과 통합됨)를 지나, 포어라인(미도시)를 통해 외부 진공 펌프(미도시)와 연결된 배기 출구(25)로 흐른다.
페데스탈(12)(바람직하게, 알루미늄, 세라믹 또는 이들의 조합물)의 웨이퍼 지지 플랫터(platter)는 평행한 동심 원형 형태로 2개의 전체 권선들(turns)을 형성되도록 구성된 내장형 단일-루프 내장 히터 엘리먼트를 사용하여 저항적으로 가열된다. 히터 엘리먼트의 외부 부분은 지지 플랫터의 둘레 부근으로 연장(run)되며, 내부 부분은 더 작은 반경을 가지는 동심원의 경로를 따라 연장된다. 히터 엘리먼트에 대한 와이어링은 페데스탈(12)의 스템(stem)을 통과한다.
통상적으로, 챔버 라이닝들, 가스 입구 매니폴드 페이스플레이트, 및 다양한 다른 반응기 하드웨어 중 임의의 것 또는 모두는 알루미늄, 양극산화된 알루미늄, 또는 세라믹과 같은 물질로 형성된다. 이러한 CVD 장치의 예는 자오(Zhao) 등에 의해 발행된 "CVD 프로세싱 챔버"란 명칭의 공동-양도된 미국 특허 번호 5,558,717호에 개시되어 있으며, 상기 문헌은 그 전체 내용이 본 명세서에 참조로 통합된다.
리프트 메커니즘 및 모터(32)(도 6A)는 웨이퍼들이 챔버(10)의 측면에 있는 삽입/제거 개구부(26)를 통해 로봇 블레이드(미도시)에 의해 챔버(15)의 바디 안팎으로 이송됨에 따라, 히터 페데스탈 어셈블리(12) 및 그 웨이퍼 리프트 핀들(12b)을 상승 및 하강시킨다. 모터(32)는 프로세싱 위치(14)와 하부 웨이퍼-로딩 위치 사이에서 페데스탈(12)을 상승 및 하강시킨다. 모터, 공급 라인들(8)과 연결된 흐름 제어기들 또는 밸브들, 가스 전달 시스템, 트로틀 밸브, RF 전력 공급기(44), 및 챔버와 기판 가열 시스템들은 단지 일부만이 도시된 제어 라인(36)을 통한 시스템 제어기에 의해 모두 제어된다. 제어기(34)는 제어기(34)의 제어하에 적절한 모터들에 의해 이동되는 서셉터 및 트로틀 밸브와 같은 이동식 기계적 어셈블리들의 위치를 결정하기 위해 광학 센서들로부터의 피드백에 의존한다.
예시적인 실시예에서, 시스템 제어기는 하드 디스크 드라이브(메모리(38)), 플로피 디스크 드라이브 및 프로세서(37)를 포함한다. 프로세서는 단일-보드 컴퓨터(SBC), 아날로그 및 디지털 입/출력 보드들, 인터페이스 보드들 및 스텝퍼 모터 제어기 보드들을 포함한다. CVD 시스템(10)의 다양한 부분들은 보드, 카드 케이지, 및 접속기 치수들 및 타입들을 한정하는 베르사 모듈러 유럽피언(VME) 표준을 따른다. 또한 VME 표준은 또한 16-비트 데이터 버스 및 24-비트 어드레스 버스를 갖는 것으로서 버스 구조물을 한정한다.
시스템 제어기(34)는 CVD 머신의 활동들 모두를 제어한다. 시스템 제어기는 메모리(38)와 같은 컴퓨터-판독가능 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램인 시스템 제어 소프트웨어를 실행시킨다. 바람직하게, 메모리(38)는 하드 디스크 드라이브이지만, 메모리(38)는 또한 다른 종류들의 메모리일 수 있다. 컴퓨터 프로그램은 타이밍, 가스들의 혼합물, 챔버 압력, 챔버 온도, RF 전력 레벨들, 서셉터 위치, 및 특정 프로세스의 다른 파라미터들을 기술하는 명령들의 세트들을 포함한다. 예를 들어, 플로피 디스크 또는 다른 또 다른 적절한 드라이브를 포함하는 다른 메모리 디바이스들 상에 저장된 다른 컴퓨터 프로그램들이 또한 제어기(34)를 작동시키는데 이용될 수 있다.
기판 상에 막을 증착하기 위한 프로세스 또는 챔버(15)의 세정을 위한 프로세스는 제어기(34)에 의해 실행되는 컴퓨터 프로그램 물건을 사용하여 구현될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 코드는 예를 들어, 68000 어셈블리 언어, C, C++, 파스칼, 포트란 또는 다른 것들과 같은, 임의의 종래의 컴퓨터 판독가능 프로그래밍 언어로 작성될 수 있다. 적절한 프로그램 코드는 종래의 텍스트 편집기를 이용하여 단일 파일 또는 다수의 파일들에 기입되며 컴퓨터의 메모리 시스템과 같은 컴퓨터 이용가능 매체에 저장 또는 구현된다. 기입된 코드 텍스트가 하이 레벨 언어인 경우, 코드가 컴파일되고, 그 다음, 결과적인 컴파일러 코드는 예비컴파일된 Microsoft Windows
Figure 112012066734553-pct00001
라이브러리 루틴들의 객체 코드와 링크된다. 링크되고 컴파일된 객체 코드를 실행시키기 위해, 시스템 사용자는 객체 코드를 인보크(invoke)하여 컴퓨터 시스템이 메모리의 내의 코드를 로딩하게 한다. 그 다음, CPU는 프로그램에서 식별된 업무들을 수행하기 위해 코드를 판독하여 실행시킨다.
사용자와 제어기(34)간의 인터페이스는 하나 또는 그 초과의 챔버들을 포함할 수 있는 기판 프로세싱 시스템 내의 시스템 모니터 및 CVD 시스템(10)의 간략도인 도 6B에 도시된 CRT 모니터(50a) 및 광 펜(light pen)(50b)을 경유한다. 2개의 모니터들(50a)이 사용되는 바람직한 실시예에서, 하나의 모니터는 작업자들을 위해 청정실 벽에 장착되며 다른 하나의 모니터는 서비스 기술자들을 위해 벽 뒤에 장착된다. 모니터들(50a)은 동일한 정보를 동시에 디스플레이하지만, 단지 하나의 광 펜(50b)만이 인에이블된다. 광 펜(50b)의 끝에 있는 광 센서는 CRT 디스플레이에 의해 방출되는 광을 검출한다. 특정 스크린 또는 기능을 선택하기 위해, 작업자는 디스플레이 스크린의 지정된 영역을 터치하고 펜(50b) 상에 있는 버튼을 누른다. 터치된 영역은 그 하이라이트된 색상이 변경되거나 또는 새로운 메뉴 또는 스크린이 디스플레이되어, 광 펜과 디스플레이 스크린 간의 통신을 확인한다. 사용자가 제어기(34)와 통신하는 것을 허용하기 위해, 키보드, 마우스 또는 다른 포인팅 또는 통신 디바이스와 같은 다른 디바이스들이 광 펜(50b) 대신 또는 광 펜(50b)에 부가되어 사용될 수 있다.
도 6A는 가스 분배 페이스플레이트(13a) 및 가스 분배 매니폴드(11)를 포함하는 프로세스 챔버(15)의 리드 어셈블리(15b)상에 장착된 원격 플라즈마 발생기(60)를 도시한다. 장착 어댑터(64)는 도 6A에서 가장 잘 보여지는 바와 같이, 리드 어셈블리(15b) 상에 원격 플라즈마 발생기(60)를 장착한다. 전형적으로 어댑터(64)는 금속으로 이루어진다. 혼합 디바이스(70)는 가스 분배 매니폴드(11)의 업스트림측에 결합된다(도 6A). 혼합 디바이스(70)는 프로세스 가스들의 혼합을 위한 혼합 블록의 슬롯(74) 안쪽에 배치된 혼합 삽입물(72)을 포함한다. 세라믹 절연체(66)는 장착 어댑터(64)와 혼합 디바이스(70) 사이에 배치된다(도 6A). 세라믹 절연체(66)는 Al2O3(99% 순도), Teflon
Figure 112012066734553-pct00002
등과 같은 세라믹 물질로 이루어질 수 있다. 설치시에, 혼합 디바이스(70)와 세라믹 절연체(66)는 리드 어셈블리(15b)의 일부를 형성할 수 있다. 절연체(66)는 혼합 디바이스(70) 및 가스 분배 매니폴드(11)로부터의 금속 어댑터(64)를 분리하여 하기에 보다 상세히 논의되는 바와 같이 리드 어셈블리(15b)에서의 제 2 차 플라즈마 형성 가능성을 최소화시킨다. 3-웨이 밸브(77)는 원격 플라즈마 발생기(60)를 통해 또는 직접적으로 프로세스 챔버(15)로의 프로세스 가스들의 흐름을 제어한다.
원격 플라즈마 발생기(60)는 바람직하게는, 고비용 및 시간 소모적인 변형들 없이도 리드 어셈블리(15b) 상에 편리하게 장착될 수 있고 기존의 챔버상에 쉽게 개조될 수 있는 간결한(compact) 자체-내장형 유니트이다. 하나의 적절한 유니트는 워번 매스의 Applied Science and Technology, Inc.로부터 입수가능한 ASTRON
Figure 112012066734553-pct00003
발생기이다. ASTRON
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발생기는 프로세스 가스를 해리시키기 위해 로우-필드(low-field) 토로이달 플라즈마를 이용한다. 일례에서, 플라즈마는 NF3와 같은 불소-함유 가스 및 아르곤과 같은 캐리어 가스를 포함하는 프로세스 가스를 해리시켜 프로세스 챔버(15)의 막 증착물들을 세정하기 위해 이용되는 프리 불소(free fluorine)를 발생시킨다.
몇 가지 실시예들이 개시되지만, 당업자들은 다양한 변형들, 대안적 구성들 및 등가물들이 본 발명의 사상을 벗어나지 않고 이용될 수 있다는 것을 인식할 것이다. 부가적으로, 다수의 잘 알려져 있는 프로세스들 및 엘리먼트들은 본 발명을 불필요하게 모호하게 하는 것을 방지하기 위해 설명되지 않았다. 따라서, 상기 설명은 본 발명의 범주를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다.
값들의 범위가 제공되는 경우, 각각의 개재(intervening) 값은 문맥상 명백하게 달리 기술되지 않는 한 하한치 단위의 1/10 까지, 상기 범위의 상한치와 하한치 사이에 특정하게 개시된다는 것이 이해된다. 서술된 범위 내의 개재 값 또는 임의의 서술된 값과, 그 서술된 범위 내의 개재 값 또는 임의의 다른 서술된 값 사이에 각각의 보다 작은 범위가 포함된다. 이러한 보다 작은 범위들의 상한치 및 하한치는 상기 범위에서 독립적으로 포함되거나 배제될 수 있으며, 상한치 및 하한치 중 하나 또는 둘 다가 상기 보다 작은 범위들에 포함되거나, 이들 모두가 상기 보다 작은 범위들에 포함되지 않는 각각의 범위는 본 발명 내에 또한 포함되며, 서술된 범위 내의 임의의 배제된 제한치는 구체적으로 배제된다. 서술된 범위가 제한치들 중 하나 또는 둘 다를 포함하는 경우, 이들 포함된 제한치들 중 하나 또는 둘 다를 배제하는 범위들이 또한 포함된다.
본 명세서 및 첨부되는 청구항들에서 이용되는 것처럼, 단수 형태들("a", "an", 및 "the")는 문맥상 명백하게 달리 기술되지 않는 한 복수형 대상을 포함한다. 따라서, 예를 들어, "프로세스(a process)"에 대한 참조는 복수의 이러한 프로세스들을 포함하며 "전구체(the precursor)"에 대한 참조는 하나 또는 그 초과의 전구체들 및 당업자들에게 알려져 있는 전구체들의 등가물들 등에 대한 참조를 포함한다.
또한, 용어 "포함하다(comprise)", "포함하는(comprising)", "가지는(including)" 및 "갖는다(includes)"는 본 명세서 및 하기 청구항들에서 사용될 때 서술된 특징들, 정수들, 컴포넌트들 또는 단계들의 존재를 특정하는 것으로 의도되지만, 이들은 하나 또는 그 초과의 다른 특징들, 정수들, 컴포넌트들, 단계들, 동작들 또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것은 아니다.

Claims (31)

  1. 기판 상에 실리콘 산화물층을 증착하는 방법으로서,
    증착 챔버에 기판을 제공하는 단계;
    상기 증착 챔버 외부에서 원자 산소를 발생시키고, 상기 챔버에 상기 원자 산소를 주입하는 단계;
    상기 증착 챔버에 실리콘 전구체를 주입하는 단계 ? 상기 실리콘 전구체와 상기 원자 산소는 상기 챔버에서 먼저 혼합됨 ? ;
    상기 기판 상에 상기 실리콘 산화물층을 형성하기 위해 상기 실리콘 전구체와 상기 원자 산소를 반응시키는 단계 ? 상기 실리콘 산화물층이 형성될 때 상기 기판은 0℃ 내지 150℃의 온도에서 유지되고, 증착 이후 상기 실리콘 산화물층은 초기에 유동 가능함(initially flowable) ? ; 및
    상기 증착된 실리콘 산화물층을 어닐링하는 단계
    를 포함하는, 실리콘 산화물층 증착 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 300mm 또는 그 미만의 직경을 가지는 실리콘 웨이퍼를 포함하는, 실리콘 산화물층 증착 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판의 표면 상에 다수의 구조물들이 형성되며, 상기 구조물들은 7:1 또는 그 초과의 높이 대 폭 종횡비들을 가지는 갭들 및 트렌치들을 포함하는, 실리콘 산화물층 증착 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    아르곤을 포함하는 가스 혼합물로부터 플라즈마를 형성하는 단계; 및
    상기 플라즈마에 산소 전구체를 주입하는 단계
    에 의해 상기 원자 산소가 형성되며, 상기 산소 전구체는 상기 원자 산소를 형성하도록 해리되는, 실리콘 산화물층 증착 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 산소 전구체는 분자형 산소, 오존, 수증기(H2O), 및 이산화질소로 이루어진 그룹에서 선택되는, 실리콘 산화물층 증착 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    광해리(photodissociation) 챔버에 산소 전구체를 주입하는 단계; 및
    상기 산소 전구체를 자외선 광에 노출시키는 단계
    에 의해 상기 원자 산소가 형성되며, 상기 자외선 광은 상기 원자 산소를 형성하기 위해 상기 산소 전구체를 해리시키는, 실리콘 산화물층 증착 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 산소 전구체는 분자형 산소, 오존 및 이산화질소로 이루어진 그룹에서 선택되는, 실리콘 산화물층 증착 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 실리콘 전구체는 실란, 디메틸실란, 트리메틸실란, 테트라메틸실란, 디에틸실란, 테트라메틸오르쏘실리케이트(TMOS), 테트라에틸오르쏘실리케이트(TEOS), 옥타메틸트리실록산(OMTS), 옥타메틸시클로테트라실록산(OMCTS), 테트라메틸디메틸디메톡시디실란, 테트라메틸시클로테트라실록산(TOMCATS), 디메틸 디메톡시실란(DMDMOS), 디에톡시메틸실란(DEMS), 메틸트리에톡시실란(MTES), 페닐디메틸실란, 및 페닐실란으로 이루어진 그룹에서 선택되는, 실리콘 산화물층 증착 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 실리콘 전구체는 헬륨을 포함하는 캐리어 가스와 혼합되는, 실리콘 산화물층 증착 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 증착 챔버는 상기 기판을 지지하는 웨이퍼 페데스탈을 포함하며, 상기 기판 온도는 상기 웨이퍼 페데스탈에 의해 조절되는, 실리콘 산화물층 증착 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 증착 챔버는 상기 실리콘 산화물층이 형성될 때 0.1 Torr 내지 10 Torr의 압력을 갖는, 실리콘 산화물층 증착 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 실리콘 산화물층은 250Å/min 내지 2㎛/min의 속도로 형성되는, 실리콘 산화물층 증착 방법.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 증착된 실리콘 산화물을 어닐링하는 단계는 열적 어닐링, 스팀 어닐링, 플라즈마 어닐링, 자외선 광 어닐링, e-빔 어닐링, 또는 마이크로파 어닐링을 포함하는, 실리콘 산화물층 증착 방법.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 증착된 실리콘 산화물층을 어닐링하는 단계는,
    스팀의 존재하에 제 1 어닐링 온도로 상기 기판을 가열하는 단계; 및
    건식 질소에서 제 2 어닐링 온도로 상기 기판을 가열하는 단계
    를 포함하는, 실리콘 산화물층 증착 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 어닐링 온도는 최대 950℃이고, 상기 제 2 어닐링 온도는 900℃인, 실리콘 산화물층 증착 방법.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 방법은, 상기 증착 챔버로 상기 원자 산소 전구체 또는 실리콘 전구체를 주입하기 이전에 예비처리 플라즈마에 상기 기판을 노출시키는 단계를 포함하는, 실리콘 산화물층 증착 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 예비처리 플라즈마는 아르곤, 헬륨, 수소(H2), 크세논, 또는 암모니아를 포함하는 고밀도 플라즈마인, 실리콘 산화물층 증착 방법.
  18. 제 1 항에 있어서,
    상기 증착 챔버는 고밀도 플라즈마 화학적 기상 증착(HDPCVD) 시스템의 일부인, 실리콘 산화물층 증착 방법.
  19. 기판 상에 실리콘 산화물층을 형성하는 방법으로서,
    반응 챔버에 실리콘 웨이퍼 기판을 제공하는 단계;
    고밀도 아르곤 플라즈마에서 분자형 산소의 해리로부터 원자 산소를 발생시키는 단계 ? 상기 원자 산소는 상기 반응 챔버 외부에 있는 원격 플라즈마 발생 챔버에서 발생됨 ? ;
    상기 반응 챔버에서 실리콘 전구체와 상기 원자 산소를 혼합하는 단계 ? 상기 원자 산소와 상기 실리콘 전구체는 상기 반응 챔버에 도달하기 이전에 혼합되지 않음 ? ; 및
    상기 기판 상에 상기 실리콘 산화물층을 증착하는 단계 ? 상기 실리콘 산화물층은 상기 실리콘 전구체와 상기 원자 산소의 반응으로부터의 반응 생성물들을 포함하고, 상기 실리콘 산화물층이 증착될 때 상기 기판은 0℃ 내지 150℃의 온도에서 유지되고, 증착 이후 상기 실리콘 산화물층은 초기에 유동 가능함 ?
    를 포함하는, 실리콘 산화물층 형성 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 방법은 상기 증착된 실리콘 산화물층을 어닐링하는 단계를 더 포함하는, 실리콘 산화물층 형성 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 증착된 실리콘 산화물을 어닐링하는 단계는 열적 어닐링, 스팀 어닐링, 플라즈마 어닐링, 자외선 광 어닐링, e-빔 어닐링, 또는 마이크로파 어닐링을 포함하는, 실리콘 산화물층 형성 방법.
  22. 제 19 항에 있어서,
    상기 실리콘 전구체는 실란, 디메틸실란, 트리메틸실란, 테트라메틸실란, 디에틸실란, 테트라메틸오르쏘실리케이트(TMOS), 테트라에틸오르쏘실리케이트(TEOS), 페닐디메틸실란, 및 페닐실란으로 이루어진 그룹에서 선택되는, 실리콘 산화물층 형성 방법.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160011151A (ko) * 2014-07-16 2016-01-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 유동성 증착에 의한 저-k 유전체 갭필
WO2019032457A1 (en) * 2017-08-08 2019-02-14 Applied Materials, Inc. METHODS AND APPARATUSES FOR DEPOSITING LOW DIELECTRIC CONSTANT FILMS
WO2021050308A1 (en) * 2019-09-12 2021-03-18 Applied Materials, Inc. Repulsion mesh and deposition methods
WO2021055918A1 (en) * 2019-09-20 2021-03-25 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for depositing dielectric material
KR20250109310A (ko) 2024-01-10 2025-07-17 에스케이트리켐 주식회사 저 유전율 실리콘 함유 박막 형성용 전구체 및 이를 이용한 저 유전율 실리콘 함유 박막 형성 방법.
KR20250122057A (ko) 2024-02-06 2025-08-13 에스케이트리켐 주식회사 저 유전율 실리콘 함유 박막 형성용 전구체 및 이를 이용한 저 유전율 실리콘 함유 박막 형성 방법.

Families Citing this family (642)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7902080B2 (en) 2006-05-30 2011-03-08 Applied Materials, Inc. Deposition-plasma cure cycle process to enhance film quality of silicon dioxide
US7790634B2 (en) 2006-05-30 2010-09-07 Applied Materials, Inc Method for depositing and curing low-k films for gapfill and conformal film applications
US7825038B2 (en) 2006-05-30 2010-11-02 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition of high quality flow-like silicon dioxide using a silicon containing precursor and atomic oxygen
US8232176B2 (en) 2006-06-22 2012-07-31 Applied Materials, Inc. Dielectric deposition and etch back processes for bottom up gapfill
KR100922989B1 (ko) * 2007-04-25 2009-10-22 주식회사 하이닉스반도체 플래시 메모리 소자 및 그것의 제조방법
US7745352B2 (en) 2007-08-27 2010-06-29 Applied Materials, Inc. Curing methods for silicon dioxide thin films deposited from alkoxysilane precursor with harp II process
US7943531B2 (en) 2007-10-22 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Methods for forming a silicon oxide layer over a substrate
US7541297B2 (en) * 2007-10-22 2009-06-02 Applied Materials, Inc. Method and system for improving dielectric film quality for void free gap fill
US7867923B2 (en) 2007-10-22 2011-01-11 Applied Materials, Inc. High quality silicon oxide films by remote plasma CVD from disilane precursors
US7803722B2 (en) 2007-10-22 2010-09-28 Applied Materials, Inc Methods for forming a dielectric layer within trenches
US8883650B2 (en) * 2008-01-24 2014-11-11 United Microelectronics Corp. Method of removing oxides
US8187948B2 (en) * 2008-02-18 2012-05-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Hybrid gap-fill approach for STI formation
US8357435B2 (en) 2008-05-09 2013-01-22 Applied Materials, Inc. Flowable dielectric equipment and processes
US20100081293A1 (en) * 2008-10-01 2010-04-01 Applied Materials, Inc. Methods for forming silicon nitride based film or silicon carbon based film
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US8765233B2 (en) * 2008-12-09 2014-07-01 Asm Japan K.K. Method for forming low-carbon CVD film for filling trenches
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US9545360B2 (en) 2009-05-13 2017-01-17 Sio2 Medical Products, Inc. Saccharide protective coating for pharmaceutical package
NZ596239A (en) 2009-05-13 2014-07-25 Sio2 Medical Products Inc Pecvd coating using an organosilicon precursor
US7985188B2 (en) 2009-05-13 2011-07-26 Cv Holdings Llc Vessel, coating, inspection and processing apparatus
US9458536B2 (en) 2009-07-02 2016-10-04 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles
US8511281B2 (en) * 2009-07-10 2013-08-20 Tula Technology, Inc. Skip fire engine control
US8980382B2 (en) 2009-12-02 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Oxygen-doping for non-carbon radical-component CVD films
US8741788B2 (en) 2009-08-06 2014-06-03 Applied Materials, Inc. Formation of silicon oxide using non-carbon flowable CVD processes
US7935643B2 (en) * 2009-08-06 2011-05-03 Applied Materials, Inc. Stress management for tensile films
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US7989365B2 (en) 2009-08-18 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Remote plasma source seasoning
US8528224B2 (en) * 2009-11-12 2013-09-10 Novellus Systems, Inc. Systems and methods for at least partially converting films to silicon oxide and/or improving film quality using ultraviolet curing in steam and densification of films using UV curing in ammonia
US8449942B2 (en) 2009-11-12 2013-05-28 Applied Materials, Inc. Methods of curing non-carbon flowable CVD films
US20110151677A1 (en) * 2009-12-21 2011-06-23 Applied Materials, Inc. Wet oxidation process performed on a dielectric material formed from a flowable cvd process
JP2013516763A (ja) 2009-12-30 2013-05-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド フレキシブルな窒素／水素比を使用して生成されるラジカルを用いる誘電体膜成長
US20110159213A1 (en) * 2009-12-30 2011-06-30 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition improvements through radical-component modification
US8329262B2 (en) 2010-01-05 2012-12-11 Applied Materials, Inc. Dielectric film formation using inert gas excitation
JP2013517616A (ja) 2010-01-06 2013-05-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 酸化物ライナを使用する流動可能な誘電体
US8304351B2 (en) 2010-01-07 2012-11-06 Applied Materials, Inc. In-situ ozone cure for radical-component CVD
US8563445B2 (en) 2010-03-05 2013-10-22 Applied Materials, Inc. Conformal layers by radical-component CVD
US8236708B2 (en) 2010-03-09 2012-08-07 Applied Materials, Inc. Reduced pattern loading using bis(diethylamino)silane (C8H22N2Si) as silicon precursor
US7994019B1 (en) 2010-04-01 2011-08-09 Applied Materials, Inc. Silicon-ozone CVD with reduced pattern loading using incubation period deposition
US8476142B2 (en) 2010-04-12 2013-07-02 Applied Materials, Inc. Preferential dielectric gapfill
US11624115B2 (en) 2010-05-12 2023-04-11 Sio2 Medical Products, Inc. Syringe with PECVD lubrication
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US8524004B2 (en) 2010-06-16 2013-09-03 Applied Materials, Inc. Loadlock batch ozone cure
US8318584B2 (en) 2010-07-30 2012-11-27 Applied Materials, Inc. Oxide-rich liner layer for flowable CVD gapfill
US9285168B2 (en) 2010-10-05 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Module for ozone cure and post-cure moisture treatment
US8664127B2 (en) 2010-10-15 2014-03-04 Applied Materials, Inc. Two silicon-containing precursors for gapfill enhancing dielectric liner
US9878101B2 (en) 2010-11-12 2018-01-30 Sio2 Medical Products, Inc. Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods
US20120177846A1 (en) * 2011-01-07 2012-07-12 Applied Materials, Inc. Radical steam cvd
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8450191B2 (en) 2011-01-24 2013-05-28 Applied Materials, Inc. Polysilicon films by HDP-CVD
US8716154B2 (en) 2011-03-04 2014-05-06 Applied Materials, Inc. Reduced pattern loading using silicon oxide multi-layers
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9272095B2 (en) 2011-04-01 2016-03-01 Sio2 Medical Products, Inc. Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods
US8445078B2 (en) * 2011-04-20 2013-05-21 Applied Materials, Inc. Low temperature silicon oxide conversion
US8466073B2 (en) 2011-06-03 2013-06-18 Applied Materials, Inc. Capping layer for reduced outgassing
US9006116B2 (en) 2011-06-03 2015-04-14 Hitachi Kokusai Electric Inc. Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing method and substrate processing apparatus
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US9404178B2 (en) 2011-07-15 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Surface treatment and deposition for reduced outgassing
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
CN102320732A (zh) * 2011-08-25 2012-01-18 长飞光纤光缆有限公司 一种制备光纤预制棒的方法
US8617989B2 (en) 2011-09-26 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Liner property improvement
US8551891B2 (en) 2011-10-04 2013-10-08 Applied Materials, Inc. Remote plasma burn-in
US8808563B2 (en) 2011-10-07 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US11116695B2 (en) 2011-11-11 2021-09-14 Sio2 Medical Products, Inc. Blood sample collection tube
US10189603B2 (en) 2011-11-11 2019-01-29 Sio2 Medical Products, Inc. Passivation, pH protective or lubricity coating for pharmaceutical package, coating process and apparatus
US8905109B2 (en) * 2011-12-12 2014-12-09 Asm Technology Singapore Pte. Ltd. Apparatus for bonding substrates to each other
KR101840846B1 (ko) * 2012-02-15 2018-03-21 삼성전자주식회사 관통전극을 갖는 반도체 소자 및 그 제조방법
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
GB201209693D0 (en) * 2012-05-31 2012-07-18 Dow Corning Silicon wafer coated with a passivation layer
US12334332B2 (en) 2012-06-12 2025-06-17 Lam Research Corporation Remote plasma based deposition of silicon carbide films using silicon-containing and carbon-containing precursors
US20180347035A1 (en) 2012-06-12 2018-12-06 Lam Research Corporation Conformal deposition of silicon carbide films using heterogeneous precursor interaction
US9234276B2 (en) 2013-05-31 2016-01-12 Novellus Systems, Inc. Method to obtain SiC class of films of desired composition and film properties
US10832904B2 (en) 2012-06-12 2020-11-10 Lam Research Corporation Remote plasma based deposition of oxygen doped silicon carbide films
US10325773B2 (en) 2012-06-12 2019-06-18 Novellus Systems, Inc. Conformal deposition of silicon carbide films
US20150297800A1 (en) 2012-07-03 2015-10-22 Sio2 Medical Products, Inc. SiOx BARRIER FOR PHARMACEUTICAL PACKAGE AND COATING PROCESS
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US8889566B2 (en) 2012-09-11 2014-11-18 Applied Materials, Inc. Low cost flowable dielectric films
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9034770B2 (en) 2012-09-17 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Differential silicon oxide etch
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9390937B2 (en) 2012-09-20 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Silicon-carbon-nitride selective etch
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
JP6509734B2 (ja) 2012-11-01 2019-05-08 エスアイオーツー・メディカル・プロダクツ・インコーポレイテッド 皮膜検査方法
US9903782B2 (en) 2012-11-16 2018-02-27 Sio2 Medical Products, Inc. Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics
US8969212B2 (en) 2012-11-20 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Dry-etch selectivity
US8980763B2 (en) 2012-11-30 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective tungsten removal
KR102211950B1 (ko) 2012-11-30 2021-02-04 에스아이오2 메디컬 프로덕츠, 인크. 의료용 주사기 카트리지 등의 pecvd 증착 균일성 제어
US9764093B2 (en) 2012-11-30 2017-09-19 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition
US9111877B2 (en) 2012-12-18 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Non-local plasma oxide etch
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
TWI616923B (zh) * 2012-12-31 2018-03-01 Fei公司 使用帶電粒子束引發沈積填充一孔之方法、填充一高縱橫比孔之方法、帶電粒子束系統
US9018108B2 (en) 2013-01-25 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Low shrinkage dielectric films
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
EP2961858B1 (en) 2013-03-01 2022-09-07 Si02 Medical Products, Inc. Coated syringe.
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9937099B2 (en) 2013-03-11 2018-04-10 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate
KR102211788B1 (ko) 2013-03-11 2021-02-04 에스아이오2 메디컬 프로덕츠, 인크. 코팅된 패키징
US20140272684A1 (en) 2013-03-12 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet lithography mask blank manufacturing system and method of operation therefor
US9417515B2 (en) 2013-03-14 2016-08-16 Applied Materials, Inc. Ultra-smooth layer ultraviolet lithography mirrors and blanks, and manufacturing and lithography systems therefor
US9632411B2 (en) 2013-03-14 2017-04-25 Applied Materials, Inc. Vapor deposition deposited photoresist, and manufacturing and lithography systems therefor
US9354508B2 (en) 2013-03-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Planarized extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor
US9612521B2 (en) 2013-03-12 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Amorphous layer extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US9863042B2 (en) 2013-03-15 2018-01-09 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD lubricity vessel coating, coating process and apparatus providing different power levels in two phases
US20140302690A1 (en) * 2013-04-04 2014-10-09 Applied Materials, Inc. Chemical linkers to impart improved mechanical strength to flowable films
US10297442B2 (en) * 2013-05-31 2019-05-21 Lam Research Corporation Remote plasma based deposition of graded or multi-layered silicon carbide film
US9117657B2 (en) * 2013-06-07 2015-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for filling recesses using pre-treatment with hydrocarbon-containing gas
US20160247675A1 (en) * 2013-06-18 2016-08-25 Wonik Ips Co., Ltd. Method for manufacturing thin film
US20160247676A1 (en) * 2013-06-18 2016-08-25 Wonik Ips Co., Ltd. Method for manufacturing thin film
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US9287095B2 (en) 2013-12-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor system assemblies and methods of operation
KR102279659B1 (ko) * 2013-12-22 2021-07-19 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 자외선 리소그래피를 위한 유리 세라믹 및 그의 제조 방법
US9786542B2 (en) * 2014-01-13 2017-10-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Mechanisms for forming semiconductor device having isolation structure
US9287134B2 (en) 2014-01-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Titanium oxide etch
WO2015112324A1 (en) 2014-01-24 2015-07-30 Applied Materials, Inc. Deposition of silicon and oxygen-containing films without an oxidizer
US9396989B2 (en) 2014-01-27 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Air gaps between copper lines
US9293568B2 (en) 2014-01-27 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Method of fin patterning
US9385028B2 (en) 2014-02-03 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Air gap process
US9362111B2 (en) 2014-02-18 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Hermetic CVD-cap with improved step coverage in high aspect ratio structures
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US9673092B2 (en) * 2014-03-06 2017-06-06 Asm Ip Holding B.V. Film forming apparatus, and method of manufacturing semiconductor device
US9299575B2 (en) 2014-03-17 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Gas-phase tungsten etch
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9299538B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
EP3693493A1 (en) 2014-03-28 2020-08-12 SiO2 Medical Products, Inc. Antistatic coatings for plastic vessels
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9406523B2 (en) 2014-06-19 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Highly selective doped oxide removal method
US9378969B2 (en) 2014-06-19 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Low temperature gas-phase carbon removal
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9378978B2 (en) 2014-07-31 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Integrated oxide recess and floating gate fin trimming
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9355856B2 (en) 2014-09-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. V trench dry etch
US9368364B2 (en) 2014-09-24 2016-06-14 Applied Materials, Inc. Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9502258B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Anisotropic gap etch
US9343272B1 (en) 2015-01-08 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Self-aligned process
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9373522B1 (en) 2015-01-22 2016-06-21 Applied Mateials, Inc. Titanium nitride removal
US9449846B2 (en) 2015-01-28 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Vertical gate separation
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US20160314964A1 (en) 2015-04-21 2016-10-27 Lam Research Corporation Gap fill using carbon-based films
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US9871100B2 (en) * 2015-07-29 2018-01-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Trench structure of semiconductor device having uneven nitrogen distribution liner
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
JP2018523538A (ja) 2015-08-18 2018-08-23 エスアイオーツー・メディカル・プロダクツ・インコーポレイテッド 低酸素透過速度を有する薬剤包装及び他の包装
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
WO2018052476A1 (en) 2016-09-14 2018-03-22 Applied Materials, Inc. Steam oxidation initiation for high aspect ratio conformal radical oxidation
US9847221B1 (en) * 2016-09-29 2017-12-19 Lam Research Corporation Low temperature formation of high quality silicon oxide films in semiconductor device manufacturing
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10002787B2 (en) 2016-11-23 2018-06-19 Lam Research Corporation Staircase encapsulation in 3D NAND fabrication
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10224224B2 (en) 2017-03-10 2019-03-05 Micromaterials, LLC High pressure wafer processing systems and related methods
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
JP7176860B6 (ja) 2017-05-17 2022-12-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 前駆体の流れを改善する半導体処理チャンバ
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US10622214B2 (en) 2017-05-25 2020-04-14 Applied Materials, Inc. Tungsten defluorination by high pressure treatment
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
KR102574914B1 (ko) 2017-06-02 2023-09-04 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 보론 카바이드 하드마스크의 건식 스트리핑
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10276411B2 (en) 2017-08-18 2019-04-30 Applied Materials, Inc. High pressure and high temperature anneal chamber
CN111095513B (zh) 2017-08-18 2023-10-31 应用材料公司 高压高温退火腔室
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US20190069496A1 (en) 2017-09-07 2019-03-07 Joseph Wofford Robotic irrigation system and devices
JP7274461B2 (ja) 2017-09-12 2023-05-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 保護バリア層を使用して半導体構造を製造する装置および方法
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
CN109534683B (zh) * 2017-09-21 2021-12-31 航天科工惯性技术有限公司 消除石英玻璃亚表面层缺陷的方法
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10643867B2 (en) 2017-11-03 2020-05-05 Applied Materials, Inc. Annealing system and method
US10872762B2 (en) * 2017-11-08 2020-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods of forming silicon oxide layer and semiconductor structure
JP7112490B2 (ja) 2017-11-11 2022-08-03 マイクロマテリアルズ エルエルシー 高圧処理チャンバのためのガス供給システム
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
CN111373519B (zh) 2017-11-16 2021-11-23 应用材料公司 高压蒸气退火处理设备
CN111432920A (zh) 2017-11-17 2020-07-17 应用材料公司 用于高压处理系统的冷凝器系统
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
JP7299898B2 (ja) 2018-01-24 2023-06-28 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 高圧アニールを用いたシーム修復
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
KR102702244B1 (ko) 2018-03-09 2024-09-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 금속 함유 재료들을 위한 고압 어닐링 프로세스
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10714331B2 (en) 2018-04-04 2020-07-14 Applied Materials, Inc. Method to fabricate thermally stable low K-FinFET spacer
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
CN108455870B (zh) * 2018-04-17 2021-06-08 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 石英以及增加石英抗激光损伤性能的方法
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US10950429B2 (en) 2018-05-08 2021-03-16 Applied Materials, Inc. Methods of forming amorphous carbon hard mask layers and hard mask layers formed therefrom
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10704141B2 (en) 2018-06-01 2020-07-07 Applied Materials, Inc. In-situ CVD and ALD coating of chamber to control metal contamination
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
EP3807446A4 (en) 2018-06-15 2022-03-30 Versum Materials US, LLC SILOXA COMPOSITIONS AND METHODS OF USE OF THE COMPOSITIONS FOR DEPOSITION OF SILICON-CONTAINING COATINGS
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
KR102854019B1 (ko) 2018-06-27 2025-09-02 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10840087B2 (en) 2018-07-20 2020-11-17 Lam Research Corporation Remote plasma based deposition of boron nitride, boron carbide, and boron carbonitride films
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US10748783B2 (en) 2018-07-25 2020-08-18 Applied Materials, Inc. Gas delivery module
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10675581B2 (en) 2018-08-06 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Gas abatement apparatus
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN108892395A (zh) * 2018-09-11 2018-11-27 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种熔石英元件修复方法及熔石英元件
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
JP2020053469A (ja) * 2018-09-25 2020-04-02 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN113195786A (zh) 2018-10-19 2021-07-30 朗姆研究公司 用于间隙填充的远程氢等离子体暴露以及掺杂或未掺杂硅碳化物沉积
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
CN112640065B (zh) 2018-10-30 2024-10-01 应用材料公司 用于蚀刻用于半导体应用的结构的方法
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
SG11202103763QA (en) 2018-11-16 2021-05-28 Applied Materials Inc Film deposition using enhanced diffusion process
US11211243B2 (en) * 2018-11-21 2021-12-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of filling gaps with carbon and nitrogen doped film
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
WO2020117462A1 (en) 2018-12-07 2020-06-11 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
JP7603377B2 (ja) 2019-02-20 2024-12-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
US11289326B2 (en) 2019-05-07 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Method for reforming amorphous carbon polymer film
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200141931A (ko) 2019-06-10 2020-12-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI851767B (zh) 2019-07-29 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
CN112342526A (zh) 2019-08-09 2021-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 包括冷却装置的加热器组件及其使用方法
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN120432376A (zh) 2019-11-29 2025-08-05 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP7636892B2 (ja) 2020-01-06 2025-02-27 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20210103953A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
KR20210103956A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
US11901222B2 (en) 2020-02-17 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Multi-step process for flowable gap-fill film
CN113410160A (zh) 2020-02-28 2021-09-17 Asm Ip私人控股有限公司 专用于零件清洁的系统
KR20210113043A (ko) 2020-03-04 2021-09-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210130646A (ko) 2020-04-21 2021-11-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 방법
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TWI884193B (zh) 2020-04-24 2025-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
JP2021172585A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー バナジウム化合物を安定化するための方法および装置
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
EP4168604A4 (en) 2020-07-24 2025-08-27 Versum Mat Us Llc CYCLOSILOXANES AND FILMS MADE WITH THEM
US12322591B2 (en) 2020-07-27 2025-06-03 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition process
KR20220021863A (ko) 2020-08-14 2022-02-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202228863A (zh) 2020-08-25 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
TWI874701B (zh) 2020-08-26 2025-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
TW202217045A (zh) 2020-09-10 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202232565A (zh) 2020-10-15 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 製造半導體裝置之方法及使用乙太網路控制自動化技術之基板處理裝置
CN112342531A (zh) * 2020-10-19 2021-02-09 绍兴同芯成集成电路有限公司 一种利用低频射频电浆制备ild绝缘层的晶圆制造工艺
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
CN115868005A (zh) * 2021-03-30 2023-03-28 朗姆研究公司 衬底处理中的原位膜退火
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
CN115497866A (zh) * 2021-06-18 2022-12-20 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种升举顶针组件及等离子体反应装置
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover
CN115537765B (zh) * 2022-09-27 2024-07-12 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司 等离子体化学气相沉积装置和小尺寸沟槽填充方法

Family Cites Families (172)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4147571A (en) 1977-07-11 1979-04-03 Hewlett-Packard Company Method for vapor epitaxial deposition of III/V materials utilizing organometallic compounds and a halogen or halide in a hot wall system
FR2598520B1 (fr) 1986-01-21 1994-01-28 Seiko Epson Corp Pellicule protectrice minerale
US4816098A (en) 1987-07-16 1989-03-28 Texas Instruments Incorporated Apparatus for transferring workpieces
US4818326A (en) 1987-07-16 1989-04-04 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus
US4931354A (en) 1987-11-02 1990-06-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer printed circuit board
JPH03257182A (ja) 1990-03-07 1991-11-15 Hitachi Ltd 表面加工装置
US5016332A (en) 1990-04-13 1991-05-21 Branson International Plasma Corporation Plasma reactor and process with wafer temperature control
US5436172A (en) 1991-05-20 1995-07-25 Texas Instruments Incorporated Real-time multi-zone semiconductor wafer temperature and process uniformity control system
US5426076A (en) 1991-07-16 1995-06-20 Intel Corporation Dielectric deposition and cleaning process for improved gap filling and device planarization
US5393708A (en) 1992-10-08 1995-02-28 Industrial Technology Research Institute Inter-metal-dielectric planarization process
US5587014A (en) 1993-12-22 1996-12-24 Sumitomo Chemical Company, Limited Method for manufacturing group III-V compound semiconductor crystals
US5679152A (en) 1994-01-27 1997-10-21 Advanced Technology Materials, Inc. Method of making a single crystals Ga*N article
US5576071A (en) 1994-11-08 1996-11-19 Micron Technology, Inc. Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organic precursor compounds
US5558717A (en) 1994-11-30 1996-09-24 Applied Materials CVD Processing chamber
US5786263A (en) 1995-04-04 1998-07-28 Motorola, Inc. Method for forming a trench isolation structure in an integrated circuit
JPH09237785A (ja) 1995-12-28 1997-09-09 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
US6070551A (en) 1996-05-13 2000-06-06 Applied Materials, Inc. Deposition chamber and method for depositing low dielectric constant films
US5827783A (en) 1996-08-23 1998-10-27 Mosel Vitelic, Inc. Stacked capacitor having improved charge storage capacity
US5873781A (en) 1996-11-14 1999-02-23 Bally Gaming International, Inc. Gaming machine having truly random results
US6090723A (en) 1997-02-10 2000-07-18 Micron Technology, Inc. Conditioning of dielectric materials
FR2759362B1 (fr) 1997-02-10 1999-03-12 Saint Gobain Vitrage Substrat transparent muni d'au moins une couche mince a base de nitrure ou d'oxynitrure de silicium et son procede d'obtention
US5937308A (en) 1997-03-26 1999-08-10 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor trench isolation structure formed substantially within a single chamber
US5937323A (en) * 1997-06-03 1999-08-10 Applied Materials, Inc. Sequencing of the recipe steps for the optimal low-k HDP-CVD processing
AUPO748097A0 (en) * 1997-06-20 1997-07-17 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Alkene borates
US6207587B1 (en) 1997-06-24 2001-03-27 Micron Technology, Inc. Method for forming a dielectric
US6024044A (en) 1997-10-09 2000-02-15 Applied Komatsu Technology, Inc. Dual frequency excitation of plasma for film deposition
US5936279A (en) * 1997-10-20 1999-08-10 United Microelectronics Corp. Method of fabricating self-align contact window with silicon nitride side wall
US6087243A (en) 1997-10-21 2000-07-11 Advanced Micro Devices, Inc. Method of forming trench isolation with high integrity, ultra thin gate oxide
US6009830A (en) 1997-11-21 2000-01-04 Applied Materials Inc. Independent gas feeds in a plasma reactor
KR100253079B1 (ko) 1997-12-01 2000-04-15 윤종용 반도체 장치의 트렌치 격리 형성 방법
US6068884A (en) 1998-04-28 2000-05-30 Silcon Valley Group Thermal Systems, Llc Method of making low κ dielectric inorganic/organic hybrid films
US6509283B1 (en) * 1998-05-13 2003-01-21 National Semiconductor Corporation Thermal oxidation method utilizing atomic oxygen to reduce dangling bonds in silicon dioxide grown on silicon
US6146970A (en) 1998-05-26 2000-11-14 Motorola Inc. Capped shallow trench isolation and method of formation
US6187682B1 (en) * 1998-05-26 2001-02-13 Motorola Inc. Inert plasma gas surface cleaning process performed insitu with physical vapor deposition (PVD) of a layer of material
US6302964B1 (en) 1998-06-16 2001-10-16 Applied Materials, Inc. One-piece dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system
US6014979A (en) * 1998-06-22 2000-01-18 Applied Materials, Inc. Localizing cleaning plasma for semiconductor processing
US6406677B1 (en) 1998-07-22 2002-06-18 Eltron Research, Inc. Methods for low and ambient temperature preparation of precursors of compounds of group III metals and group V elements
US6197658B1 (en) 1998-10-30 2001-03-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Sub-atmospheric pressure thermal chemical vapor deposition (SACVD) trench isolation method with attenuated surface sensitivity
US6245690B1 (en) 1998-11-04 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Method of improving moisture resistance of low dielectric constant films
US6583063B1 (en) * 1998-12-03 2003-06-24 Applied Materials, Inc. Plasma etching of silicon using fluorinated gas mixtures
US6469283B1 (en) * 1999-03-04 2002-10-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing thermal gradients within a substrate support
US6290774B1 (en) 1999-05-07 2001-09-18 Cbl Technology, Inc. Sequential hydride vapor phase epitaxy
US6180490B1 (en) 1999-05-25 2001-01-30 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method of filling shallow trenches
US6204201B1 (en) * 1999-06-11 2001-03-20 Electron Vision Corporation Method of processing films prior to chemical vapor deposition using electron beam processing
US6524931B1 (en) 1999-07-20 2003-02-25 Motorola, Inc. Method for forming a trench isolation structure in an integrated circuit
US6383954B1 (en) 1999-07-27 2002-05-07 Applied Materials, Inc. Process gas distribution for forming stable fluorine-doped silicate glass and other films
JP2001144325A (ja) 1999-11-12 2001-05-25 Sony Corp 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の製造方法および半導体素子の製造方法
FI118804B (fi) 1999-12-03 2008-03-31 Asm Int Menetelmä oksidikalvojen kasvattamiseksi
US6348420B1 (en) 1999-12-23 2002-02-19 Asm America, Inc. Situ dielectric stacks
US6440860B1 (en) * 2000-01-18 2002-08-27 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing methods of transferring patterns from patterned photoresists to materials, and structures comprising silicon nitride
US6541367B1 (en) 2000-01-18 2003-04-01 Applied Materials, Inc. Very low dielectric constant plasma-enhanced CVD films
US6461980B1 (en) 2000-01-28 2002-10-08 Applied Materials, Inc. Apparatus and process for controlling the temperature of a substrate in a plasma reactor chamber
NL1014274C2 (nl) * 2000-02-03 2001-08-16 Tele Atlas Bv Stelsel voor het beveiligen van op een datadrager aanwezige data.
EP1124252A2 (en) 2000-02-10 2001-08-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and process for processing substrates
EP1130633A1 (en) 2000-02-29 2001-09-05 STMicroelectronics S.r.l. A method of depositing silicon oxynitride polimer layers
US7419903B2 (en) 2000-03-07 2008-09-02 Asm International N.V. Thin films
US6558755B2 (en) 2000-03-20 2003-05-06 Dow Corning Corporation Plasma curing process for porous silica thin film
DE10196026B4 (de) 2000-04-04 2011-02-10 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Überzugs-Zusammensetzung, dünner Film, zur Verwendung des dünnen Films und Verfahren zur Herstellung eines dünnen porösen Kieselsäure-Films
US6630413B2 (en) 2000-04-28 2003-10-07 Asm Japan K.K. CVD syntheses of silicon nitride materials
US6387207B1 (en) 2000-04-28 2002-05-14 Applied Materials, Inc. Integration of remote plasma generator with semiconductor processing chamber
US6559026B1 (en) * 2000-05-25 2003-05-06 Applied Materials, Inc Trench fill with HDP-CVD process including coupled high power density plasma deposition
JP4371543B2 (ja) 2000-06-29 2009-11-25 日本電気株式会社 リモートプラズマｃｖｄ装置及び膜形成方法
US7183177B2 (en) * 2000-08-11 2007-02-27 Applied Materials, Inc. Silicon-on-insulator wafer transfer method using surface activation plasma immersion ion implantation for wafer-to-wafer adhesion enhancement
US6614181B1 (en) 2000-08-23 2003-09-02 Applied Materials, Inc. UV radiation source for densification of CVD carbon-doped silicon oxide films
US6566278B1 (en) 2000-08-24 2003-05-20 Applied Materials Inc. Method for densification of CVD carbon-doped silicon oxide films through UV irradiation
JP4232330B2 (ja) 2000-09-22 2009-03-04 東京エレクトロン株式会社 励起ガス形成装置、処理装置及び処理方法
JP3712356B2 (ja) * 2000-10-23 2005-11-02 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 成膜方法および半導体装置の製造方法
US20020060322A1 (en) 2000-11-20 2002-05-23 Hiroshi Tanabe Thin film transistor having high mobility and high on-current and method for manufacturing the same
US6576564B2 (en) * 2000-12-07 2003-06-10 Micron Technology, Inc. Photo-assisted remote plasma apparatus and method
DE10063688A1 (de) * 2000-12-20 2002-07-18 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung zur Ansteuerung einer programmierbaren Verbindung
US20020081817A1 (en) 2000-12-22 2002-06-27 Jayendra Bhakta Void reduction and increased throughput in trench fill processes
US6660662B2 (en) 2001-01-26 2003-12-09 Applied Materials, Inc. Method of reducing plasma charge damage for plasma processes
US6447651B1 (en) 2001-03-07 2002-09-10 Applied Materials, Inc. High-permeability magnetic shield for improved process uniformity in nonmagnetized plasma process chambers
EP1373595A1 (en) 2001-03-23 2004-01-02 Dow Corning Corporation Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films
US6596576B2 (en) 2001-04-10 2003-07-22 Applied Materials, Inc. Limiting hydrogen ion diffusion using multiple layers of SiO2 and Si3N4
US6528332B2 (en) 2001-04-27 2003-03-04 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for reducing polymer build up during plasma etch of an intermetal dielectric
US6780499B2 (en) 2001-05-03 2004-08-24 International Business Machines Corporation Ordered two-phase dielectric film, and semiconductor device containing the same
US6596653B2 (en) 2001-05-11 2003-07-22 Applied Materials, Inc. Hydrogen assisted undoped silicon oxide deposition process for HDP-CVD
US6716770B2 (en) 2001-05-23 2004-04-06 Air Products And Chemicals, Inc. Low dielectric constant material and method of processing by CVD
KR100421046B1 (ko) 2001-07-13 2004-03-04 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조방법
US6548416B2 (en) 2001-07-24 2003-04-15 Axcelis Technolgoies, Inc. Plasma ashing process
US6596654B1 (en) 2001-08-24 2003-07-22 Novellus Systems, Inc. Gap fill for high aspect ratio structures
US20030064154A1 (en) 2001-08-06 2003-04-03 Laxman Ravi K. Low-K dielectric thin films and chemical vapor deposition method of making same
US6756085B2 (en) 2001-09-14 2004-06-29 Axcelis Technologies, Inc. Ultraviolet curing processes for advanced low-k materials
US6872323B1 (en) * 2001-11-01 2005-03-29 Novellus Systems, Inc. In situ plasma process to remove fluorine residues from the interior surfaces of a CVD reactor
US6770521B2 (en) 2001-11-30 2004-08-03 Texas Instruments Incorporated Method of making multiple work function gates by implanting metals with metallic alloying additives
US6794290B1 (en) 2001-12-03 2004-09-21 Novellus Systems, Inc. Method of chemical modification of structure topography
JP3891267B2 (ja) 2001-12-25 2007-03-14 キヤノンアネルバ株式会社 シリコン酸化膜作製方法
US20030124873A1 (en) 2001-12-28 2003-07-03 Guangcai Xing Method of annealing an oxide film
WO2003065424A2 (en) 2002-01-25 2003-08-07 Applied Materials, Inc. Apparatus for cyclical deposition of thin films
US6998014B2 (en) * 2002-01-26 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for plasma assisted deposition
US6911391B2 (en) 2002-01-26 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Integration of titanium and titanium nitride layers
TW536775B (en) 2002-04-18 2003-06-11 Nanya Technology Corp Manufacturing method of shallow trench isolation structure
WO2003090268A1 (en) 2002-04-19 2003-10-30 Tokyo Electron Limited Method of treating substrate and process for producing semiconductor device
US6936551B2 (en) 2002-05-08 2005-08-30 Applied Materials Inc. Methods and apparatus for E-beam treatment used to fabricate integrated circuit devices
US7307273B2 (en) 2002-06-07 2007-12-11 Amberwave Systems Corporation Control of strain in device layers by selective relaxation
TWI283899B (en) 2002-07-09 2007-07-11 Applied Materials Inc Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control
US6900881B2 (en) 2002-07-11 2005-05-31 Molecular Imprints, Inc. Step and repeat imprint lithography systems
US7456116B2 (en) * 2002-09-19 2008-11-25 Applied Materials, Inc. Gap-fill depositions in the formation of silicon containing dielectric materials
US7335609B2 (en) * 2004-08-27 2008-02-26 Applied Materials, Inc. Gap-fill depositions introducing hydroxyl-containing precursors in the formation of silicon containing dielectric materials
JP4358492B2 (ja) * 2002-09-25 2009-11-04 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 熱化学気相成長法によるシリコン窒化物膜またはシリコンオキシ窒化物膜の製造方法
US6828211B2 (en) 2002-10-01 2004-12-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Shallow trench filled with two or more dielectrics for isolation and coupling or for stress control
US6833322B2 (en) 2002-10-17 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Apparatuses and methods for depositing an oxide film
US7080528B2 (en) 2002-10-23 2006-07-25 Applied Materials, Inc. Method of forming a phosphorus doped optical core using a PECVD process
US6900067B2 (en) 2002-12-11 2005-05-31 Lumileds Lighting U.S., Llc Growth of III-nitride films on mismatched substrates without conventional low temperature nucleation layers
US6923189B2 (en) * 2003-01-16 2005-08-02 Applied Materials, Inc. Cleaning of CVD chambers using remote source with cxfyoz based chemistry
US6808748B2 (en) 2003-01-23 2004-10-26 Applied Materials, Inc. Hydrogen assisted HDP-CVD deposition process for aggressive gap-fill technology
US7205248B2 (en) 2003-02-04 2007-04-17 Micron Technology, Inc. Method of eliminating residual carbon from flowable oxide fill
US6884685B2 (en) 2003-02-14 2005-04-26 Freescale Semiconductors, Inc. Radical oxidation and/or nitridation during metal oxide layer deposition process
US7084076B2 (en) 2003-02-27 2006-08-01 Samsung Electronics, Co., Ltd. Method for forming silicon dioxide film using siloxane
US7098149B2 (en) 2003-03-04 2006-08-29 Air Products And Chemicals, Inc. Mechanical enhancement of dense and porous organosilicate materials by UV exposure
US7429540B2 (en) 2003-03-07 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Silicon oxynitride gate dielectric formation using multiple annealing steps
US6867086B1 (en) 2003-03-13 2005-03-15 Novellus Systems, Inc. Multi-step deposition and etch back gap fill process
JP2004283065A (ja) 2003-03-20 2004-10-14 Ushio Inc 化学走性機能制御膜の製造方法および人工材料並びに人工材料の製造方法
US7176144B1 (en) * 2003-03-31 2007-02-13 Novellus Systems, Inc. Plasma detemplating and silanol capping of porous dielectric films
JP3976703B2 (ja) 2003-04-30 2007-09-19 エルピーダメモリ株式会社 半導体装置の製造方法
US6830624B2 (en) 2003-05-02 2004-12-14 Applied Materials, Inc. Blocker plate by-pass for remote plasma clean
US6958112B2 (en) * 2003-05-27 2005-10-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems for high-aspect-ratio gapfill using atomic-oxygen generation
US7399388B2 (en) 2003-07-25 2008-07-15 Applied Materials, Inc. Sequential gas flow oxide deposition technique
US7192891B2 (en) 2003-08-01 2007-03-20 Samsung Electronics, Co., Ltd. Method for forming a silicon oxide layer using spin-on glass
US6818517B1 (en) 2003-08-29 2004-11-16 Asm International N.V. Methods of depositing two or more layers on a substrate in situ
US7361991B2 (en) 2003-09-19 2008-04-22 International Business Machines Corporation Closed air gap interconnect structure
JP4285184B2 (ja) 2003-10-14 2009-06-24 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP2007528640A (ja) 2003-12-17 2007-10-11 セドラエウス インコーポレーテッド ランダムベースの意志決定プロセスを使用する方法
US7030468B2 (en) 2004-01-16 2006-04-18 International Business Machines Corporation Low k and ultra low k SiCOH dielectric films and methods to form the same
US7067438B2 (en) 2004-02-19 2006-06-27 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition method of forming an oxide comprising layer on a substrate
US7524735B1 (en) 2004-03-25 2009-04-28 Novellus Systems, Inc Flowable film dielectric gap fill process
US7115508B2 (en) 2004-04-02 2006-10-03 Applied-Materials, Inc. Oxide-like seasoning for dielectric low k films
US7109114B2 (en) 2004-05-07 2006-09-19 Applied Materials, Inc. HDP-CVD seasoning process for high power HDP-CVD gapfil to improve particle performance
WO2005121397A2 (en) 2004-06-04 2005-12-22 Applied Microstructures, Inc. Controlled vapor deposition of multilayered coatings adhered by an oxide layer
US7297608B1 (en) 2004-06-22 2007-11-20 Novellus Systems, Inc. Method for controlling properties of conformal silica nanolaminates formed by rapid vapor deposition
US7129187B2 (en) 2004-07-14 2006-10-31 Tokyo Electron Limited Low-temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon-nitrogen-containing films
US7642171B2 (en) * 2004-08-04 2010-01-05 Applied Materials, Inc. Multi-step anneal of thin films for film densification and improved gap-fill
US7294574B2 (en) * 2004-08-09 2007-11-13 Applied Materials, Inc. Sputter deposition and etching of metallization seed layer for overhang and sidewall improvement
US7629270B2 (en) 2004-08-27 2009-12-08 Asm America, Inc. Remote plasma activated nitridation
US20060046506A1 (en) * 2004-09-01 2006-03-02 Tokyo Electron Limited Soft de-chucking sequence
KR100550351B1 (ko) 2004-09-07 2006-02-08 삼성전자주식회사 반도체 장치의 막 형성방법 및 이를 수행하기 위한 반도체장치의 막 형성 장치
US7148155B1 (en) 2004-10-26 2006-12-12 Novellus Systems, Inc. Sequential deposition/anneal film densification method
KR100782369B1 (ko) 2004-11-11 2007-12-07 삼성전자주식회사 반도체 제조장치
US8193096B2 (en) * 2004-12-13 2012-06-05 Novellus Systems, Inc. High dose implantation strip (HDIS) in H2 base chemistry
US20060162661A1 (en) 2005-01-22 2006-07-27 Applied Materials, Inc. Mixing energized and non-energized gases for silicon nitride deposition
US20060228903A1 (en) 2005-03-30 2006-10-12 Mcswiney Michael L Precursors for the deposition of carbon-doped silicon nitride or silicon oxynitride films
US7972441B2 (en) 2005-04-05 2011-07-05 Applied Materials, Inc. Thermal oxidation of silicon using ozone
US7651955B2 (en) 2005-06-21 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Method for forming silicon-containing materials during a photoexcitation deposition process
JP4860953B2 (ja) 2005-07-08 2012-01-25 富士通株式会社 シリカ系被膜形成用材料、シリカ系被膜及びその製造方法、多層配線及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法
KR20080028963A (ko) * 2005-07-08 2008-04-02 에비자 테크놀로지, 인크. 실리콘 함유 필름의 증착 방법
US7427570B2 (en) 2005-09-01 2008-09-23 Micron Technology, Inc. Porous organosilicate layers, and vapor deposition systems and methods for preparing same
US7901743B2 (en) 2005-09-30 2011-03-08 Tokyo Electron Limited Plasma-assisted vapor phase treatment of low dielectric constant films using a batch processing system
US7498270B2 (en) 2005-09-30 2009-03-03 Tokyo Electron Limited Method of forming a silicon oxynitride film with tensile stress
JP5154009B2 (ja) 2005-10-21 2013-02-27 株式会社ジャパンディスプレイイースト 有機シロキサン系絶縁膜の製造方法、及び、この製造方法で製造した有機シロキサン系絶縁膜を層間絶縁として用いた液晶表示装置の製造方法
TWI332532B (en) 2005-11-04 2010-11-01 Applied Materials Inc Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition
US7972954B2 (en) 2006-01-24 2011-07-05 Infineon Technologies Ag Porous silicon dielectric
US7435661B2 (en) 2006-01-27 2008-10-14 Atmel Corporation Polish stop and sealing layer for manufacture of semiconductor devices with deep trench isolation
JP4984558B2 (ja) 2006-02-08 2012-07-25 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
US7601651B2 (en) 2006-03-31 2009-10-13 Applied Materials, Inc. Method to improve the step coverage and pattern loading for dielectric films
US7524750B2 (en) * 2006-04-17 2009-04-28 Applied Materials, Inc. Integrated process modulation (IPM) a novel solution for gapfill with HDP-CVD
US7498273B2 (en) 2006-05-30 2009-03-03 Applied Materials, Inc. Formation of high quality dielectric films of silicon dioxide for STI: usage of different siloxane-based precursors for harp II—remote plasma enhanced deposition processes
US7825038B2 (en) 2006-05-30 2010-11-02 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition of high quality flow-like silicon dioxide using a silicon containing precursor and atomic oxygen
US7902080B2 (en) * 2006-05-30 2011-03-08 Applied Materials, Inc. Deposition-plasma cure cycle process to enhance film quality of silicon dioxide
US7629273B2 (en) 2006-09-19 2009-12-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for modulating stresses of a contact etch stop layer
US7737050B2 (en) * 2006-10-30 2010-06-15 International Business Machines Corporation Method of fabricating a nitrided silicon oxide gate dielectric layer
US20080102223A1 (en) 2006-11-01 2008-05-01 Sigurd Wagner Hybrid layers for use in coatings on electronic devices or other articles
KR100866143B1 (ko) * 2007-08-03 2008-10-31 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 소자분리막 형성방법
US7745352B2 (en) 2007-08-27 2010-06-29 Applied Materials, Inc. Curing methods for silicon dioxide thin films deposited from alkoxysilane precursor with harp II process
US7867923B2 (en) * 2007-10-22 2011-01-11 Applied Materials, Inc. High quality silicon oxide films by remote plasma CVD from disilane precursors
US7541297B2 (en) 2007-10-22 2009-06-02 Applied Materials, Inc. Method and system for improving dielectric film quality for void free gap fill
US7803722B2 (en) * 2007-10-22 2010-09-28 Applied Materials, Inc Methods for forming a dielectric layer within trenches
US7943531B2 (en) * 2007-10-22 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Methods for forming a silicon oxide layer over a substrate
US7935643B2 (en) * 2009-08-06 2011-05-03 Applied Materials, Inc. Stress management for tensile films
US8741788B2 (en) * 2009-08-06 2014-06-03 Applied Materials, Inc. Formation of silicon oxide using non-carbon flowable CVD processes
US7989365B2 (en) * 2009-08-18 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Remote plasma source seasoning
US8449942B2 (en) * 2009-11-12 2013-05-28 Applied Materials, Inc. Methods of curing non-carbon flowable CVD films

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160011151A (ko) * 2014-07-16 2016-01-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 유동성 증착에 의한 저-k 유전체 갭필
KR102454422B1 (ko) * 2014-07-16 2022-10-14 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 유동성 증착에 의한 저-k 유전체 갭필
WO2019032457A1 (en) * 2017-08-08 2019-02-14 Applied Materials, Inc. METHODS AND APPARATUSES FOR DEPOSITING LOW DIELECTRIC CONSTANT FILMS
US11990332B2 (en) 2017-08-08 2024-05-21 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for deposition of low-k films
WO2021050308A1 (en) * 2019-09-12 2021-03-18 Applied Materials, Inc. Repulsion mesh and deposition methods
WO2021055918A1 (en) * 2019-09-20 2021-03-25 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for depositing dielectric material
KR20250109310A (ko) 2024-01-10 2025-07-17 에스케이트리켐 주식회사 저 유전율 실리콘 함유 박막 형성용 전구체 및 이를 이용한 저 유전율 실리콘 함유 박막 형성 방법.
KR20250122057A (ko) 2024-02-06 2025-08-13 에스케이트리켐 주식회사 저 유전율 실리콘 함유 박막 형성용 전구체 및 이를 이용한 저 유전율 실리콘 함유 박막 형성 방법.

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090036068A (ko) 2009-04-13
TWI399453B (zh) 2013-06-21
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