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KR101219861B1 - Solar cell and manufacturing method of the same - Google Patents

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KR101219861B1
KR101219861B1 KR1020110006986A KR20110006986A KR101219861B1 KR 101219861 B1 KR101219861 B1 KR 101219861B1 KR 1020110006986 A KR1020110006986 A KR 1020110006986A KR 20110006986 A KR20110006986 A KR 20110006986A KR 101219861 B1 KR101219861 B1 KR 101219861B1
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성명석
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Abstract

본 발명에 따른 태양전지는 기판과, 상기 기판 상에 형성되어 다수의 패턴을포함하는 라인 패턴이 형성된 이면 전극층과, 상기 이면 전극층 상에 형성된 광 흡수층과, 상기 광 흡수층 상에 형성된 투명 전극층을 포함한다.
상기와 같은 발명은 저 전력을 가지는 레이저를 조사하여 라인 패턴을 형성함으로써, 이면 전극층에 발생되는 버 또는 들뜸 현상을 방지할 수 있는 효과가 있다.The solar cell according to the present invention includes a substrate, a back electrode layer having a line pattern formed on the substrate and including a plurality of patterns, a light absorbing layer formed on the back electrode layer, and a transparent electrode layer formed on the light absorbing layer. do.
The invention as described above has the effect of preventing the burr or lifting phenomenon generated in the back electrode layer by forming a line pattern by irradiating a laser having a low power.

Description

태양전지 및 그의 제조방법{SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

실시예는 태양전지 및 그의 제조방법에 관한 것이다.The embodiment relates to a solar cell and a method of manufacturing the same.

일반적으로, 태양전지는 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 역할을 하며, 이러한 태양전지는 최근 에너지의 수요가 증가함에 따라 상업적으로 널리 이용되고 있다.In general, solar cells serve to convert solar energy into electrical energy, and these solar cells are widely used commercially as the demand for energy increases.

종래 태양전지는 기판 상에 몰리브덴(Mo) 재질의 이면 전극층, 광 흡수층, 투명 전극층이 순차적으로 적층되어 형성되며, 다수의 패터닝 작업이 수행된다. 이 중 이면 전극층을 패터닝하는 작업은 주로 레이저에 의해 이루어진다.Conventional solar cells are formed by sequentially stacking a molybdenum (Mo) back electrode layer, a light absorbing layer, and a transparent electrode layer on a substrate, and a plurality of patterning operations are performed. Among these, the patterning of the back electrode layer is mainly performed by a laser.

하지만, 레이저를 사용하여 패터닝 작업을 수행할 경우, 레이저의 높은 파워로 인해 이면 전극층이 과도하게 용융되어 가공면에 버(Burr)가 발생되거나 용융될 때의 열로 인해 이면 전극층의 들뜸 현상이 일어난다.However, when the patterning operation is performed using a laser, the back electrode layer is excessively melted due to the high power of the laser, so that burrs are generated or melted on the processed surface.

이러한 상황에서 이면 전극층 상에 광 흡수층을 형성시키면 누설 전류가 발생되는 등의 문제가 발생되어 태양전지의 불량을 야기시킨다.In this situation, when the light absorbing layer is formed on the back electrode layer, problems such as leakage current are generated, which causes a failure of the solar cell.

실시예는 이면 전극층에 버 또는 들뜸 현상이 일어나는 것을 방지하기 위한 태양전지 및 그의 제조방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Embodiments provide a solar cell and a method of manufacturing the same for preventing burrs or lifting from occurring on the back electrode layer.

일 실시예에 따른 태양전지는 기판과, 상기 기판 상에 형성되어 다수의 패턴을 포함하는 라인 패턴이 중첩되어 형성된 이면 전극층과, 상기 이면 전극층 상에 형성된 광 흡수층과, 상기 광 흡수층 상에 형성된 투명 전극층을 포함한다.A solar cell according to an embodiment includes a back electrode layer formed by overlapping a substrate, a line pattern formed on the substrate and including a plurality of patterns, a light absorbing layer formed on the back electrode layer, and a transparent formed on the light absorbing layer. An electrode layer.

또한, 일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 기판을 마련하는 단계와, 상기 기판 상에 이면 전극층을 증착하는 단계와, 상기 이면 전극층 상에 레이저를 조사하여 제1 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1 패턴 상에 레이저를 조사하여 제2 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1 패턴 및 제2 패턴이 형성된 이면 전극층 상에 광 흡수층과 투명 전극층을 순차적으로 증착하는 단계를 포함한다.In addition, the method of manufacturing a solar cell according to an embodiment includes preparing a substrate, depositing a back electrode layer on the substrate, irradiating a laser on the back electrode layer, and forming a first pattern; Irradiating a laser onto the first pattern to form a second pattern, and sequentially depositing a light absorbing layer and a transparent electrode layer on the back electrode layer on which the first pattern and the second pattern are formed.

실시예에 따른 태양전지는 저 전력을 가지는 레이저를 조사하여 라인 패턴을 형성함으로써, 이면 전극층에 발생되는 버 또는 들뜸 현상을 방지할 수 있는 효과가 있다.According to the solar cell according to the embodiment, by irradiating a laser having a low power to form a line pattern, it is possible to prevent the burr or lifting phenomenon generated in the back electrode layer.

도 1은 본 발명에 따른 태양전지를 나타낸 개략 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 이면 전극층에 라인 패턴이 형성된 모습을 나타낸 평면도.
도 3은 본 발명에 따른 이면 전극층에 라인 패턴이 형성된 모습을 나타낸 단면도. 및
도 4 내지 도 8은 본 발명에 따른 태양전지의 제조공정을 나타낸 단면도.1 is a schematic cross-sectional view showing a solar cell according to the present invention.
Figure 2 is a plan view showing a state in which a line pattern is formed on the back electrode layer according to the present invention.
3 is a cross-sectional view showing a state in which a line pattern is formed on the back electrode layer according to the present invention. And
4 to 8 are cross-sectional views showing a manufacturing process of a solar cell according to the present invention.

실시 예의 설명에 있어서, 각 패널, 배선, 전지, 장치, 면 또는 패턴 등이 각 패턴, 배선, 전지, 면 또는 패턴 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
In the description of the embodiments, each panel, wiring, battery, device, surface, or pattern is formed on or under the "on" of each pattern, wiring, battery, surface, or pattern. In the case described, "on" and "under" include both those that are formed "directly" or "indirectly" through other components. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.

도 1은 본 발명에 따른 태양전지를 나타낸 개략 단면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 이면 전극층에 라인 패턴이 형성된 모습을 나타낸 평면도이고, 도 3은 본 발명에 따른 이면 전극층에 라인 패턴이 형성된 모습을 나타낸 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing a solar cell according to the present invention, Figure 2 is a plan view showing a state in which a line pattern is formed on the back electrode layer according to the present invention, Figure 3 is a state in which a line pattern is formed on the back electrode layer according to the present invention Is a cross-sectional view.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 태양전지는 기판(100)과, 상기 기판(100) 상에 라인 패턴(P1)이 형성된 이면 전극층(200)과, 상기 이면 전극층(200) 상에 순차적으로 형성된 광 흡수층(300), 제1버퍼층(400), 제2버퍼층(500) 및 투명 전극층(600)을 포함한다.Referring to FIG. 1, a solar cell according to the present invention may be sequentially formed on a substrate 100, a back electrode layer 200 having a line pattern P1 formed on the substrate 100, and a back electrode layer 200. The light absorbing layer 300, the first buffer layer 400, the second buffer layer 500, and the transparent electrode layer 600 are formed.

기판(100)은 플레이트 형상으로 형성되며, 투명한 유리로 형성될 수 있다. 이러한 기판(100)은 리지드(Rigid)하거나 플렉서블(Flexible)할 수 있으며, 유리 기판 이외에 플라스틱 또는 금속 재질의 기판이 사용될 수 있다. 또한, 기판(100)으로 나트륨 성분이 포함된 소다 라임 글래스(Soda Lime Glass) 기판이 사용될 수 있다.The substrate 100 may be formed in a plate shape and may be formed of transparent glass. The substrate 100 may be rigid or flexible, and a substrate made of plastic or metal may be used in addition to the glass substrate. In addition, a soda lime glass substrate including a sodium component may be used as the substrate 100.

기판(100) 상에는 이면 전극층(200)이 형성된다. 이면 전극층(200)은 n형 전극 기능의 역할을 하며, 이면 전극층(200)은 도전층으로서 몰리브덴(Mo)을 사용하여 형성될 수 있다.The back electrode layer 200 is formed on the substrate 100. The back electrode layer 200 functions as an n-type electrode, and the back electrode layer 200 may be formed using molybdenum (Mo) as a conductive layer.

이면 전극층(200)은 몰리브덴 외에 다양한 전도성 재질을 사용하여 형성할 수 있으며, 동종 또는 이종 금속을 이용하여 두 개 이상의 층을 이루도록 형성될 수도 있다. 여기서, 이면 전극층(200)은 스퍼터링법에 의해 일정 두께 예컨대, 0.2 내지 1.2㎛의 두께를 가지도록 증착될 수 있으며, 스퍼터링법 이외에도 CVD, E-Beam을 사용하여 증착을 수행할 수도 있다.The back electrode layer 200 may be formed using various conductive materials in addition to molybdenum, and may be formed to form two or more layers using the same or different metals. Here, the back electrode layer 200 may be deposited to have a predetermined thickness, for example, 0.2 to 1.2 μm by the sputtering method. In addition to the sputtering method, the back electrode layer 200 may be deposited using CVD or E-Beam.

이면 전극층(200) 상에는 이면 전극층(200)을 스트립 형태로 분할하도록 본 발명에 따른 제1 라인패턴(P1)이 형성되어 있으며, 제1 라인패턴(P1)은 다수의 패턴을 포함하여 형성된다. 다수의 홈 패턴은 레이저(Laser) 스크라이빙 법에 의해 형성될 수 있으며, 상기와 같은 다수의 홈 패턴에 의해 이면 전극층(200)의 내측면은 단턱부가 형성될 수 있다.The first line pattern P1 according to the present invention is formed on the back electrode layer 200 to divide the back electrode layer 200 into strips, and the first line pattern P1 includes a plurality of patterns. A plurality of groove patterns may be formed by a laser scribing method, and a stepped portion may be formed on the inner surface of the back electrode layer 200 by the plurality of groove patterns as described above.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 제1 라인패턴(P1)은 다수의 패제1 패턴(P1a)과, 상기 제1 패턴(P1a)의 내측에 형성된 제2 패턴(P1b)을 포함한다.As shown in FIG. 2 and FIG. 3, the first line pattern P1 according to the present invention includes a plurality of first patterns P1a and a second pattern P1b formed inside the first pattern P1a. It includes.

제1 패턴(P1a)은 이면 전극층(200) 상에 일 방향으로 길게 형성되며, 제1측부(222)와, 제1 측부(222)로부터 내측으로 연장 형성되어 제1 패턴(P1a)의 바닥면을 이루는 연결부(224)로 이루어진다.The first pattern P1a is formed long in one direction on the back electrode layer 200, and extends inwardly from the first side portion 222 and the first side portion 222 to form the bottom surface of the first pattern P1a. Consists of a connecting portion 224 to form.

제1 패턴(P1a)은 일정 폭(L1) 예컨대, 40 내지 80㎛ 로 형성될 수 있으며, 제1 패턴(P1a)의 높이(h1)는 이면 전극층(200)의 두께의 50%인 0.1 내지 0.6㎛의 두께로 형성될 수 있다.The first pattern P1a may be formed to have a predetermined width L1, for example, 40 to 80 μm, and the height h1 of the first pattern P1a is 0.1 to 0.6, which is 50% of the thickness of the back electrode layer 200. It may be formed to a thickness of μm.

이를 위해 레이저의 파워는 2 내지 3W 로 사용될 수 있으며, 이러한 레이저 파워는 일반적인 패턴 형성용 파워인 6 내지 9W 보다 낮은 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 레이저 파워를 종래 패턴 형성용 파워의 30% 정도로 사용할 수 있다. 이로 인해 제1 패턴(P1a)의 제1 측부(222)는 곡면을 이루도록 형성될 수 있다.To this end, the power of the laser can be used to 2 to 3W, it is preferable that the laser power is lower than 6 to 9W, which is a general pattern forming power. More preferably, the laser power can be used at about 30% of the conventional pattern forming power. Therefore, the first side portion 222 of the first pattern P1a may be formed to form a curved surface.

제2 패턴(P1b)은 제1 패턴(P1a)의 내측에 형성되며, 제1 패턴(P1a)의 바닥부인 연결부(224)의 내측으로부터 하부로 절곡 형성된 제2 측부(226)를 포함한다.The second pattern P1b is formed inside the first pattern P1a and includes a second side portion 226 bent downward from the inside of the connection portion 224, which is the bottom of the first pattern P1a.

제2 패턴(P1b)은 제1 패턴(P1a)과 동일 중심을 가지도록 형성될 수 있으며, 제2 패턴(P1b)의 폭(L2)은 제1 패턴 폭(L1)의 50% 내지 90% 예컨대, 30㎛ 내지 40㎛으로 형성될 수 있다. 물론, 제2 패턴(P1b)은 제1 패턴(P1a)의 중심과 다를 수 있다.The second pattern P1b may be formed to have the same center as the first pattern P1a, and the width L2 of the second pattern P1b may be, for example, 50% to 90% of the first pattern width L1. , 30 μm to 40 μm. Of course, the second pattern P1b may be different from the center of the first pattern P1a.

또한, 제2 패턴(P1b)의 높이(h2)는 제1 패턴(P1a)의 높이(h1)와 동일한 높이로 형성될 수 있으며, 이로 인해 제2 패턴(P1b)은 이면 전극층(200)의 상부면을 외부로 노출시킬 수 있다. 여기서, 제2 패턴(P1b)을 형성시키기 위한 레이저의 파워는 제1 패턴(P1a)을 형성시키는 레이저 파워와 동일한 것이 바람직하다. 이로 인해 제2 측부(226)는 제1 측부(222)와 같이 곡면을 이루도록 형성될 수 있다.In addition, the height h2 of the second pattern P1b may be formed at the same height as the height h1 of the first pattern P1a, and thus, the second pattern P1b may be formed on the upper surface of the back electrode layer 200. The surface can be exposed to the outside. Here, the power of the laser for forming the second pattern P1b is preferably the same as the laser power for forming the first pattern P1a. Therefore, the second side portion 226 may be formed to form a curved surface like the first side portion 222.

상기와 같이, 본 발명에 따른 제1 라인패턴(P1)은 저 전력을 가지는 레이저를 조사하여 형성하였기 때문에 종래 과도한 용융에 의한 버(Burr) 발생 및 열로 인해 이면 전극층(200)의 들뜸 현상을 방지할 수 있다.As described above, since the first line pattern P1 according to the present invention is formed by irradiating a laser having a low power, the back electrode layer 200 may be prevented from being lifted due to burr generation and heat caused by conventional excessive melting. can do.

상기에서는 본 발명에 따른 제1 라인패턴(P1)을 제1 패턴(P1a)과 제2 패턴(P1b)으로 형성하였지만, 이에 한정되지 않고, 3개 이상의 패턴으로 이루도록 형성할 수도 있음은 물론이다. In the above, the first line pattern P1 according to the present invention is formed of the first pattern P1a and the second pattern P1b. However, the present invention is not limited thereto and may be formed in three or more patterns.

3개 이상의 패턴으로 이루어질 경우, 패턴을 형성하기 위한 레이저의 파워는 서로 다를 수 있으며, 최상위의 패턴의 높이는 이면 전극층의 두께의 30%에 대응되도록 형성될 수 있다. When three or more patterns are formed, the power of the laser to form the pattern may be different from each other, and the height of the uppermost pattern may be formed to correspond to 30% of the thickness of the back electrode layer.

도 1로 돌아가서, 본 발명에 따른 제1라인 패턴(P1)이 형성된 이면 전극층(200) 상에는 태양광을 흡수하는 역할을 하는 광 흡수층(300)이 형성된다.1, the light absorbing layer 300, which absorbs sunlight, is formed on the back electrode layer 200 on which the first line pattern P1 according to the present invention is formed.

광 흡수층(300)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족계 화합물을 포함하며, 예컨대 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다. 여기서, 광 흡수층(300)의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1eV 내지 1.8eV일 수 있다.The light absorbing layer 300 includes an I-III-VI-based compound, for example, a copper-indium-gallium-selenide-based (Cu (In, Ga) Se 2 ; CIGS-based) crystal structure, copper-indium-selenide-based Or a copper-gallium-selenide-based crystal structure. Here, the energy band gap of the light absorbing layer 300 may be about 1 eV to 1.8 eV.

광 흡수층(300)의 상부에는 제1버퍼층(400)이 직접 접촉되어 형성되며, 광 흡수층(300)과 이후 설명될 투명 전극층(600)과의 에너지 갭 차이를 완화시켜 주는 역할을 한다. The first buffer layer 400 is formed in direct contact with the upper portion of the light absorbing layer 300, and serves to alleviate the energy gap difference between the light absorbing layer 300 and the transparent electrode layer 600 which will be described later.

이를 위해 제1버퍼층(400)은 황화 카드뮴(CdS)을 포함하는 물질로 형성될 수 있으며, 에너지 밴드갭은 이면 전극층(200)과 투명 전극층(600)의 중간 정도의 크기인 약 1.9eV 내지 약 2.3eV일 수 있다. To this end, the first buffer layer 400 may be formed of a material including cadmium sulfide (CdS), and the energy band gap may be about 1.9 eV to about a middle size between the back electrode layer 200 and the transparent electrode layer 600. May be 2.3 eV.

제1버퍼층(400)의 상부에는 광투과율과 전기전도성이 높은 산화아연(ZnO)인 제2버퍼층(500)이 형성되며, 제2버퍼층(500)은 고저항을 가지도록 형성되어 투명 전극층(600)과의 절연 및 충격 데미지(Damege)를 방지할 수 있는 효과가 있다.A second buffer layer 500 of zinc oxide (ZnO) having high light transmittance and high electrical conductivity is formed on the first buffer layer 400, and the second buffer layer 500 is formed to have high resistance to the transparent electrode layer 600. Insulation from and) and impact damage (Damege) can be prevented.

제2버퍼층(500) 상에는 제2버퍼층(500), 제1버퍼층(400) 및 광 흡수층(300)을 걸쳐 스트립 형태로 분할하도록 제2 라인패턴(P2)이 형성되며, 제2 라인패턴(P2)은 본 발명에 따른 제1 라인패턴(P1)과 일정 간격을 가지도록 형성될 수 있다. On the second buffer layer 500, a second line pattern P2 is formed to divide the second buffer layer 500, the first buffer layer 400, and the light absorbing layer 300 into strips, and a second line pattern P2. ) May be formed to have a predetermined distance from the first line pattern P1 according to the present invention.

투명 전극층(600)은 p형 전극 기능을 수행하는 투명한 형태의 도전성 재질로서, 알루미늄이 도핑된 산화 아연인 AZO(ZnO:Al) 재질의 물질이 사용될 수 있다. 물론, 투명 전극층의 재질은 이에 한정되지 않으며, 광투과율과 전기전도성이 높은 물질인 산화아연(ZnO), 산화주석(SnO2), 산화인듐주석(ITO) 등으로 형성될 수 있다. 또한, 투명 전극층(600)의 두께는 대략 1.0㎛로 형성될 수 있다.The transparent electrode layer 600 is a transparent conductive material that performs a p-type electrode function, and a material of AZO (ZnO: Al) material, which is zinc oxide doped with aluminum, may be used. Of course, the material of the transparent electrode layer is not limited thereto, and may be formed of zinc oxide (ZnO), tin oxide (SnO 2 ), indium tin oxide (ITO), or the like, which are materials having high light transmittance and high electrical conductivity. In addition, the thickness of the transparent electrode layer 600 may be formed to approximately 1.0㎛.

투명 전극층(600) 상에는 투명 전극층(600), 제2버퍼층(500), 제1버퍼층(400) 및 광 흡수층(300)에 걸쳐 스트립 형태로 분할하도록 제3 라인패턴(P3)이 형성되며, 제3 라인패턴(P3)은 제2 라인패턴(P2)과 일정 간격을 가지도록 형성될 수 있다.The third line pattern P3 is formed on the transparent electrode layer 600 so as to be divided into strips over the transparent electrode layer 600, the second buffer layer 500, the first buffer layer 400, and the light absorbing layer 300. The third line pattern P3 may be formed to have a predetermined distance from the second line pattern P2.

도면에서는 제1 라인패턴(P1)의 폭을 제2 라인패턴(P2)과 제3 라인패턴(P3)의 폭보다 넓게 형성되도록 도시되었으나, 이는 본 발명에 따른 제1 라인패턴(P1)을 설명하기 위해서이며, 제1 라인패턴(P2), 제2 라인패턴(P2) 및 제3 라인패턴(P3)의 폭은 서로 대응되는 크기의 폭을 가지는 것이 바람직하다.In the drawing, the width of the first line pattern P1 is illustrated to be wider than the widths of the second line pattern P2 and the third line pattern P3. However, this is a description of the first line pattern P1 according to the present invention. For this purpose, the widths of the first line pattern P2, the second line pattern P2, and the third line pattern P3 preferably have widths corresponding to each other.

투명 전극층(600)이 형성된 이후에는 소정 간격으로 이격되도록 투명 전극층(600) 상에 금속선(미도시)을 형성하고 이를 이면 전극층(200)과 연결시켜 태양전지를 완성한다. 여기서, 금속선은 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au) 등과 같은 반사율이 높은 금속을 사용하는 것이 바람직하다.
After the transparent electrode layer 600 is formed, a metal line (not shown) is formed on the transparent electrode layer 600 to be spaced at a predetermined interval, and connected to the back electrode layer 200 to complete the solar cell. Here, it is preferable to use a metal having high reflectance such as aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), or the like.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명에 따른 태양전지의 제조방법을 살펴본다. 도 4 내지 도 8은 본 발명에 따른 태양전지의 제조 공정을 나타낸 단면도이다.Hereinafter, a method of manufacturing a solar cell according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. 4 to 8 are cross-sectional views showing the manufacturing process of the solar cell according to the present invention.

도 4에 도시된 바와 같이, 투명한 유리 기판(100)이 마련되면, 기판(100)의 일면에 몰리브덴층(이하 'Mo층'이라 칭함, 200)을 증착하는 단계를 수행한다. 이때, Mo층(200)은 스퍼터링 법에 의해 일정 두께 예컨대, 0.7㎛로 증착될 수 있다.As shown in FIG. 4, when a transparent glass substrate 100 is provided, a step of depositing a molybdenum layer (hereinafter referred to as a 'Mo layer' 200) on one surface of the substrate 100 is performed. In this case, the Mo layer 200 may be deposited to a predetermined thickness, for example, 0.7㎛ by the sputtering method.

이어서, 도 5에 도시된 바와 같이, 일정 파워 예컨대, 2.5W의 레이저(L)를 Mo층(200)의 상부에 일정 시간 조사하여 제1 패턴(P1a)을 형성한다. 이로 인해, 제1 패턴(P1a)의 내측면은 곡선을 가지도록 형성되며, 60㎛의 폭, 0.35㎛의 높이로 형성될 수 있다. 여기서, 제1 패턴(P1a)의 폭은 레이저(L)의 조사 영역에 따라 결정될 수 있다.Subsequently, as shown in FIG. 5, the laser L having a constant power, for example, 2.5 W, is irradiated over the Mo layer 200 for a predetermined time to form the first pattern P1a. Therefore, the inner surface of the first pattern P1a may be formed to have a curve, and may be formed to have a width of 60 μm and a height of 0.35 μm. Here, the width of the first pattern P1a may be determined according to the irradiation area of the laser L.

이어서, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 패턴(P1a) 상에 위와 동일한 파워를 가지는 레이저(L)를 조사하여 제2 패턴(P1b)을 형성한다. 여기서, 레이저의 조사 영역은 제1 패턴(P1a)을 형성한 영역의 50%로 설정할 수 있다. 이로 인해 제2 패턴(P1b)은 30㎛의 폭을 가지도록 형성될 수 있다. Subsequently, as shown in FIG. 6, the second pattern P1b is formed by irradiating the laser L having the same power as above on the first pattern P1a. Herein, the laser irradiation area may be set to 50% of the area where the first pattern P1a is formed. As a result, the second pattern P1b may be formed to have a width of 30 μm.

이어서, 도 7에 도시된 바와 같이, 패터닝 공정을 마친 Mo층(200) 상에 광 흡수층 예컨대, CIGS층(300)을 동시증착법으로 증착을 수행하고, CIGS층(300) 상에 n형 제1버퍼층인 황하 카드뮴(CdS)층(400)과 제2버퍼층인 ZnO층(500)을 각각 화학 용액 성장법(Chemical Bath Deposition; CBD)과 스퍼터링 법에 의해 증착을 수행한다.Subsequently, as shown in FIG. 7, a light absorption layer, for example, CIGS layer 300, is deposited on the Mo layer 200 after the patterning process by co-deposition, and the n-type first layer is formed on the CIGS layer 300. The cadmium sulfide (CdS) layer 400 as a buffer layer and the ZnO layer 500 as a second buffer layer are deposited by chemical bath deposition (CBD) and sputtering, respectively.

상기와 같이, 증착된 ZnO층(500), CdS층(400), CIGS층(300)의 일부를 패터닝 공정에 의해 형성된 제1 라인패턴(P1)과 일정 간격을 두어 스트립 형태로 분할하도록 스크라이빙 법에 의한 패터닝 공정을 수행하여 제2 라인패턴(P2)을 형성한다.As described above, a portion of the deposited ZnO layer 500, the CdS layer 400, and the CIGS layer 300 are divided into strips at a predetermined interval from the first line pattern P1 formed by the patterning process. The patterning process by the ice method is performed to form the second line pattern P2.

이어서, 도 8에 도시된 바와 같이, ZnO층(500) 상에 투명 전극층인 AZO층(600)을 스퍼터링 법으로 증착을 수행한다. AZO층(600)의 증착을 마치면 증착된 AZO층(600), ZnO층(500), CdS층(400), CIGS층(300)의 일부를 패터닝 공정에 의해 형성된 제2 라인패턴(P2)과 일정 간격을 두어 스트립 형태로 분할하도록 스크라이빙 법에 의한 패터닝 공정을 수행한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 8, the AZO layer 600, which is a transparent electrode layer, is deposited on the ZnO layer 500 by sputtering. After the deposition of the AZO layer 600, a portion of the deposited AZO layer 600, the ZnO layer 500, the CdS layer 400, and the CIGS layer 300 is formed by a patterning process and a second line pattern P2. The patterning process by the scribing method is performed to divide into strips at regular intervals.

상기와 같이 패터닝 공정을 마치면 AZO층(600), ZnO층(500), CdS층(400), CIGS층(300)에 제3 라인패턴(P3)이 형성되어 고효율 태양전지의 제조가 완료된다.When the patterning process is completed as described above, the third line pattern P3 is formed on the AZO layer 600, the ZnO layer 500, the CdS layer 400, and the CIGS layer 300 to complete the manufacture of the high efficiency solar cell.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100: 기판 200: 이면 전극층
300: 광 흡수층 400: 제1버퍼층
500: 제2버퍼층 600: 투명 전극층
P1a: 제1 패턴 P1b: 제2 패턴100 substrate 200 back electrode layer
300: light absorbing layer 400: first buffer layer
500: second buffer layer 600: transparent electrode layer
P1a: first pattern P1b: second pattern

Claims (13)

기판;
상기 기판 상에 형성되고, 제1 패턴과, 상기 제1 패턴의 내측에 형성된 제2 패턴을 포함하는 라인 패턴이 형성된 이면 전극층;
상기 이면 전극층 상에 형성된 광 흡수층; 및
상기 광 흡수층 상에 형성된 투명 전극층;
을 포함하는 태양전지.Board;
A back electrode layer formed on the substrate and having a line pattern including a first pattern and a second pattern formed inside the first pattern;
A light absorbing layer formed on the back electrode layer; And
A transparent electrode layer formed on the light absorbing layer;
Solar cell comprising a. 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 제2 패턴의 폭은 제1 패턴의 폭의 50% 내지 90%인 태양전지.The method according to claim 1,
The width of the second pattern is a solar cell of 50% to 90% of the width of the first pattern. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 패턴은 이면 전극층의 10% 내지 60%의 깊이로 형성되는 태양전지.The method according to claim 1,
The first pattern is a solar cell formed to a depth of 10% to 60% of the back electrode layer. 청구항 1에 있어서,
상기 제2 패턴의 중심은 제1 패턴과 동일한 중심을 가지도록 형성되는 태양전지.The method according to claim 1,
The center of the second pattern is a solar cell formed to have the same center as the first pattern. 청구항 1에 있어서,
상기 제2 패턴은 기판의 상부면이 노출되도록 형성되는 태양전지.The method according to claim 1,
The second pattern is a solar cell formed to expose the top surface of the substrate. 기판;
상기 기판 상에 라인 패턴이 형성된 이면 전극층;
상기 이면 전극층 상에 형성된 광 흡수층; 및
상기 광 흡수층 상에 형성된 투명 전극층;
을 포함하고,
상기 라인 패턴이 형성된 이면 전극층의 내측면에는 단턱부가 형성되고,
상기 단턱부는 서로 대향하는 제1 측부와, 상기 제1 측부로부터 내측을 향해 연장 형성되는 연결부와, 상기 연결부로부터 하부로 절곡 형성된 제2 측부를 포함하는 태양전지.Board;
A back electrode layer having a line pattern formed on the substrate;
A light absorbing layer formed on the back electrode layer; And
A transparent electrode layer formed on the light absorbing layer;
Including,
A stepped portion is formed on an inner side surface of the back electrode layer on which the line pattern is formed.
The stepped part includes a first side facing each other, a connection part extending from the first side toward the inside, and a second side part bent downward from the connection part. 삭제delete 청구항 7에 있어서,
상기 제1 측부 및 제2 측부는 곡면을 이루는 태양전지.The method of claim 7,
The first side and the second side is a solar cell forming a curved surface. 청구항 9에 있어서,
상기 제2 측부 사이의 폭은 제1 측부 사이의 폭의 50% 내지 90%로 형성되는 태양전지.The method according to claim 9,
The width between the second side is a solar cell is formed of 50% to 90% of the width between the first side. 기판을 마련하는 단계;
상기 기판 상에 이면 전극층을 증착하는 단계;
상기 이면 전극층 상에 레이저를 조사하여 일 방향으로 길게 형성되며, 제1측부와, 제1측부로부터 내측으로 연장 형성되어 제1 패턴의 바닥면을 이루는 연결부로 이루어지는 제1 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 패턴 상에 레이저를 조사하여 제1 패턴의 내측에 형성되며, 제1 패턴의 바닥부인 연결부의 내측으로부터 하부로 절곡 형성된 제2 측부를 포함하는 제2 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 제1 패턴 및 제2 패턴이 형성된 이면 전극층 상에 광 흡수층과 투명 전극층을 순차적으로 증착하는 단계;
를 포함하고,
상기 제1 패턴 및 제2 패턴에 조사되는 레이저의 전력은 2 내지 5W 인 태양전지 제조방법.Providing a substrate;
Depositing a back electrode layer on the substrate;
Irradiating a laser on the back electrode layer to form a first pattern, the first pattern comprising a first side portion and a connection portion extending inwardly from the first side portion to form a bottom surface of the first pattern; Irradiating a laser onto the first pattern to form a second pattern formed on an inner side of the first pattern and including a second side portion bent downward from the inside of the connection portion, which is a bottom portion of the first pattern; And
Sequentially depositing a light absorbing layer and a transparent electrode layer on the back electrode layer on which the first pattern and the second pattern are formed;
Including,
The power of the laser irradiated to the first pattern and the second pattern is a solar cell manufacturing method. 삭제delete 청구항 11에 있어서,
상기 제2 패턴에 조사되는 레이저의 조사 영역은 제1 패턴에 조사되는 레이저 영역의 50% 내지 90%인 태양전지 제조방법.The method of claim 11,
The irradiation area of the laser irradiated to the second pattern is a solar cell manufacturing method of 50% to 90% of the laser area irradiated to the first pattern.
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