KR101232996B1 - Sawing apparatus of single cystral the same - Google Patents
Sawing apparatus of single cystral the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR101232996B1 KR101232996B1 KR1020110017791A KR20110017791A KR101232996B1 KR 101232996 B1 KR101232996 B1 KR 101232996B1 KR 1020110017791 A KR1020110017791 A KR 1020110017791A KR 20110017791 A KR20110017791 A KR 20110017791A KR 101232996 B1 KR101232996 B1 KR 101232996B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- slurry
- ingot
- slurry supply
- cutting device
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 88
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 11
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 16
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/007—Use, recovery or regeneration of abrasive mediums
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
- B28D5/045—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with wires or closed-loop blades
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Abstract
본 발명의 단결정 잉곳 절단장치는 잉곳이 장착되는 장착부와, 상기 장착부의 하부에 마련된 와이어 쏘와, 상기 장착부의 일측에 형성된 슬러리 공급부를 포함한다.
상기와 같은 발명은 잉곳을 향해 슬러리를 직접 공급하는 슬러리 공급부를 구비함으로써, 절단 중 발생되는 잉곳의 열변형을 방지하여 고품질의 웨이퍼를 제조할 수 있다.The single crystal ingot cutting device of the present invention includes a mounting portion on which the ingot is mounted, a wire saw provided under the mounting portion, and a slurry supply portion formed on one side of the mounting portion.
The invention as described above is provided with a slurry supply unit for supplying the slurry directly toward the ingot, it is possible to prevent the thermal deformation of the ingot generated during cutting to produce a high-quality wafer.
Description
본 발명은 단결정 잉곳 절단장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼의 품질을 향상시키기 위한 단결정 잉곳 절단장치에 관한 것이다.The present invention relates to a single crystal ingot cutting device, and more particularly to a single crystal ingot cutting device for improving the quality of the wafer.
일반적으로, 실리콘 등의 웨이퍼(Wafer)는 단결정 실리콘 잉곳(Ingot)을 얇은 두께로 절단(Slice)하여 제조하며, 이러한 잉곳은 단결정 잉곳 절단장치에 의해 절단된다.In general, a wafer such as silicon is manufactured by slicing a single crystal silicon ingot to a thin thickness, and the ingot is cut by a single crystal ingot cutting device.
종래 단결정 잉곳 절단장치는 잉곳을 고속 회전하는 와이어 쏘(Wire Saw)에 하강시켜 절단 작업을 수행하며, 와이어 쏘에는 잉곳 절단 및 윤활 작용을 하는 슬러리(Abrasive+oil)가 공급된다.The conventional single crystal ingot cutting device performs a cutting operation by lowering the ingot to a wire saw rotating at a high speed, and the wire saw is supplied with a slurry (Abrasive + oil) for ingot cutting and lubrication.
하지만, 와이어 쏘에서 잉곳의 절단이 시작되면 잉곳과 와이어 쏘의 절단열에 의해 잉곳의 열팽창이 발생되고, 이로 인해 잉곳이 절단되어 형성된 웨이퍼 절단면에 휨(Warpage) 현상이 발생된다. 이러한 웨이퍼의 휨 현상은 웨이퍼의 품질 악화 및 불량을 발생시킨다.However, when the cutting of the ingot is started in the wire saw thermal expansion of the ingot is generated by the cutting heat of the ingot and the wire saw, thereby causing a warpage phenomenon on the wafer cut surface formed by cutting the ingot. Such warpage of the wafer causes wafer quality deterioration and defects.
본 발명은 웨이퍼 절단면의 휨 현상을 방지하기 위한 단결정 잉곳 절단장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a single crystal ingot cutting device for preventing warpage of the wafer cut surface.
본 발명에 따른 단결정 잉곳 절단장치는 잉곳이 장착되는 장착부와, 상기 장착부의 하부에 마련된 와이어 쏘와, 상기 장착부의 일측에 형성된 슬러리 공급부를 포함한다.The single crystal ingot cutting device according to the present invention includes a mounting portion on which the ingot is mounted, a wire saw provided under the mounting portion, and a slurry supply portion formed at one side of the mounting portion.
상기 슬러리 공급부는 장착부의 일측에 결합되는 분사 유닛과, 상기 분사 유닛으로 슬러리를 공급하는 슬러리 공급배관을 포함할 수 있다.The slurry supply unit may include a spray unit coupled to one side of the mounting unit, and a slurry supply pipe supplying a slurry to the spray unit.
상기 분사 유닛의 내부에는 공급되는 슬러리의 경로를 변경시키는 슬러리 커튼을 포함할 수 있다.The injection unit may include a slurry curtain for changing the path of the slurry supplied.
상기 분사 유닛은 스테인레스 스틸로 형성될 수 있다.The spray unit may be formed of stainless steel.
상기 슬러리 공급배관은 플렉시블한 수지 계열로 형성될 수 있다.The slurry supply pipe may be formed of a flexible resin series.
상기 와이어 쏘의 일측에는 와이어 쏘를 고속 회전시키는 가이드 롤러를 포함할 수 있다.One side of the wire saw may include a guide roller for rotating the wire saw at high speed.
상기 가이드 롤러의 상부에는 슬러리 공급유닛이 더 구비될 수 있다.The slurry supply unit may be further provided at the upper portion of the guide roller.
본 발명은 잉곳을 향해 슬러리를 직접 공급하는 슬러리 공급부를 구비함으로써, 절단 중 발생되는 잉곳의 열변형을 방지하여 고품질의 웨이퍼를 제조할 수 있다.The present invention provides a high-quality wafer by preventing the thermal deformation of the ingot generated during cutting by providing a slurry supply unit for supplying the slurry directly toward the ingot.
또한, 본 발명은 슬러리 공급부 내부에 슬러리 커튼을 형성함으로써, 잉곳에 균일한 슬러리를 공급할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of supplying a uniform slurry to the ingot by forming a slurry curtain inside the slurry supply unit.
도 1은 본 발명에 따른 단결정 잉곳 절단장치를 나타낸 정면도.
도 2는 본 발명에 따른 단결정 잉곳 절단장치에 구비된 슬러리 공급부를 나타낸 단면도.
도 3 및 도 4는 도 2의 변형예를 나타낸 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 슬러리 공급부로부터 잉곳에 공급되는 슬러리의 이동 경로를 나타낸 도면.
도 6은 본 발명에 따른 웨이퍼 절단면의 변형 정도를 나타낸 그래프.1 is a front view showing a single crystal ingot cutting device according to the present invention.
2 is a cross-sectional view showing a slurry supply unit provided in the single crystal ingot cutting device according to the present invention.
3 and 4 are cross-sectional views showing a modification of FIG.
5 is a view showing a movement path of the slurry supplied to the ingot from the slurry supply unit according to the present invention.
6 is a graph showing the degree of deformation of the wafer cut surface according to the present invention.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명에 따른 단결정 잉곳 절단장치를 나타낸 정면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 단결정 잉곳 절단장치에 구비된 슬러리 공급부를 나타낸 단면도이고, 도 3 및 도 4는 도 2의 변형예를 나타낸 단면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 슬러리 공급부로부터 잉곳에 공급되는 슬러리의 이동 경로를 나타낸 도면이고, 도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 절단면의 변형 정도를 나타낸 그래프이다.1 is a front view showing a single crystal ingot cutting device according to the present invention, Figure 2 is a cross-sectional view showing a slurry supply unit provided in the single crystal ingot cutting device according to the present invention, Figure 3 and Figure 4 shows a modification of Figure 2 4 is a cross-sectional view illustrating a movement path of a slurry supplied to an ingot from a slurry supply unit according to the present invention, and FIG. 5 is a graph illustrating a deformation degree of a wafer cut surface according to the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 단결정 잉곳 절단장치는 잉곳(I)이 장착되는 장착부(100)와, 상기 장착부(100)의 하부에 마련된 와이어 쏘(200)와, 상기 와이어 쏘(200)에 슬러리를 공급하는 슬러리 공급유닛(400) 및 상기 장착부(100)의 일측에 형성되어 잉곳(I)에 슬러리를 직접 분사하는 슬러리 공급부(500)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a single crystal ingot cutting device according to the present invention includes a
장착부(100)는 잉곳(I)의 상부에 구비되며, 잉곳(I)의 상부를 고정한 상태에서 상하부로 이동될 수 있다. 이를 위해 장착부(100)의 일측에는 장착부(100)를 이동시키기 위한 별도의 구동부(미도시)가 더 구비될 수 있다.
장착부(100)의 하부에는 와이어 쏘(200)가 마련된다. 와이어 쏘(200)의 양측에는 와이어 쏘(200)가 감겨지도록 대향 배치된 가이드 롤러(300)가 구비될 수 있으며, 와이어 쏘(200)는 가이드 롤러(300)에 의해 고속으로 왕복 주행된다. 여기서, 가이드 롤러(300) 중 어느 하나는 와이어 쏘(200)를 회전시키는 구동 롤러일 수 있다.The
이로부터 와이어 쏘(200)는 원통형 형상의 잉곳(I)을 얇은 두께로 절단시켜 다수의 웨이퍼를 제조할 수 있다.From this, the wire saw 200 may cut a plurality of wafers by cutting the cylindrical ingot I to a thin thickness.
가이드 롤러(300)의 상부에는 슬러리 공급유닛(400)이 더 구비될 수 있다. 슬러리 공급유닛(400)은 가이드 롤러(300)의 상부에 고속 주행하는 와이어 쏘(200)에 슬러리를 공급하며, 공급된 슬러리에 의해 잉곳(I)의 절단이 수행될 수 있다. The
한편, 장착부(100)에는 본 발명에 따른 슬러리 공급부(500)가 마련될 수 있다. 슬러리 공급부(500)는 장착부(100)에 장착된 잉곳(I)에 슬러리를 직접 분사하는 역할을 하며, 이러한 슬러리 공급부(500)는 분사 유닛(520)과, 상기 분사 유닛(520)에 슬러리를 공급하는 슬러리 공급배관(540)과, 슬러리가 저장된 슬러리 저장유닛(560)을 포함한다.On the other hand, the
분사 유닛(520)은 장착부(100)의 양측에 그 측면이 설치될 수 있으며, 장착부(100)의 어느 일측에 설치되어도 무방하다. 여기서, 분사 유닛(520)은 스테인레스 스틸(SUS) 재질로 형성될 수 있다.The
분사 유닛(520)에 연결된 슬러리 공급배관(540)은 플렉시블한 수지 계열로 형성되며, 길이 방향으로 늘어날 수 있도록 표면이 주름져 형성될 수 있다. 이로부터 장착부(100)와 함께 분사 유닛(520)이 이동하더라도 안정적으로 슬러리를 분사 유닛(520)에 공급할 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 분사 유닛(520)은 몸체(522)와, 상기 몸체(522)의 일측에 형성된 노즐(524)을 포함하며, 몸체(522)의 내측에는 슬러리 커튼(526)이 더 형성될 수 있다. As shown in FIG. 2, the
몸체(522)는 단면이 'ㄴ'자 형상으로 형성될 수 있으며, 몸체(522)의 일측에는 몸체(522)에 공급된 슬러리를 분사할 수 있도록 노즐(524)이 형성될 수 있다.The
또한, 몸체(522)의 내부에는 슬러리 커튼(526)이 더 구비될 수 있으며, 슬러리 커튼(526)은 몸체(522)의 내부에 공급되는 슬러리의 경로를 변경시켜 균일한 슬러리를 노즐(524)로 공급할 수 있다.In addition, the
이러한 슬러리 커튼(526)은 몸체(522)로 공급되는 슬러리를 상부를 향하도록 상부를 향해 바(bar) 형상으로 형성될 수 있으며, 그 형상은 변경되어도 무방하다.The
상기에서는 슬러리 커튼(526)을 하나의 바 형상으로 형성하였지만, 이에 한정되지 않고, 다음과 같이 구성할 수 있다.Although the
도 3에 도시된 바와 같이, 몸체(522)의 내부에는 몸체(522) 내부에 공급되는 슬러리의 경로를 변경하기 위한 다수의 슬러리 커튼(526)이 구비되어 있으며, 이러한 슬러리 커튼(526)은 제1 슬러리커튼 내지 제3 슬러리커튼(526a, 526b, 526c)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 3, the interior of the
제1 슬러리커튼(526a) 및 제3 슬러리커튼(526c)은 상부를 향해 돌출 형성되며, 제2 슬러리커튼(526b)은 제1 슬러리커튼(526a)과 제3 슬러리커튼(526c) 사이에 구비되어 몸체(522)의 내부에서 하부를 향해 형성될 수 있다. The
이로부터 제1 슬러리커튼 내지 제3 슬러리커튼(526a, 526b, 526c)은 몸체(522)의 내부로 공급되는 슬러리의 경로를 더욱 길어지도록 하며, 이로부터 더욱 균일한 슬러리를 노즐(524)에 공급할 수 있다.From this, the first to third
또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 분사 유닛(520) 몸체(522)의 내부에는 슬러리 커튼(526)으로부터 공급된 슬러리를 노즐로 원활하게 공급시키기 위한 지지대(528)가 더 포함될 수 있다.In addition, as illustrated in FIG. 4, the
상기 지지대(528)는 노즐(524)이 형성된 몸체(522)의 일면으로부터 수평면을 이루도록 형성될 수 있으며, 지지대(528)의 타단은 절곡되어 몸체(522) 내부의 상부 일측에 연장 형성될 수 있다.The
이러한 지지대(528)는 경사져 형성된 몸체(522)의 하부면과 수평을 이루도록 형성될 수 있으며, 필요에 따라 다양한 각도로 변경할 수 있다. 또한, 지지대(528)는 몸체(522) 내부에서 고정 또는 이동이 가능하도록 장착될 수 있다.The
상기와 같은 지지대(528)는 몸체(522) 내부 공간을 필요에 따라 조절함으로서, 노즐을 향해 슬러리를 원활히 공급시킬 수 있는 효과가 있다.The
도 5에 도시된 바와 같이, 잉곳(I)의 절단 공정이 시작되면 장착부(100)의 일측에 설치된 슬러리 공급부(500)에는 슬러리가 공급되고, 슬러리 공급부(500)에 공급된 슬러리는 몸체 내에 형성된 슬러리 커튼(526)에 의해 상부로 경로가 변경되고, 변경된 슬러리는 슬러리 커튼(526)의 상부를 통해 다시 하부로 경로가 변경된다. As shown in FIG. 5, when the cutting process of the ingot I is started, the slurry is supplied to the
상기와 같이, 슬러리의 경로가 변경되어 균일해진 슬러리는 몸체의 일측에 형성된 노즐(524)을 통해 잉곳(I)의 표면에 분사될 수 있다. 여기서, 슬러리 공급부(500)에는 슬러리가 상부로 이동시킬 수 있도록 일정 압력을 제공하는 펌프(미도시)가 더 구비될 수도 있다.As described above, the slurry is uniformized by changing the path of the slurry may be injected to the surface of the ingot (I) through the
상기와 같이, 잉곳(I)의 표면에 슬러리가 직접 분사되는 동안 장착부(100)는 하강하게 되고, 고속 회전하고 있는 와이어 쏘에 의해 얇은 두께로 절단되어 다수의 웨이퍼를 얻게된다. 여기서, 잉곳(I)의 표면에 직접 분사되는 슬러리는 잉곳(I)의 절단이 수행되는 동안 절단된 잉곳(I)의 표면에 열변형이 일어나는 것을 방지할 수 있다.As described above, while the slurry is directly injected onto the surface of the ingot I, the
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 슬러리 공급부가 장착된 단결정 잉곳 절단장치로부터 절단된 웨이퍼 절단면의 휨 현상을 측정해 본 결과, 본 발명에 따른 웨이퍼의 절단면의 휨 정도(A)는 종래 웨이퍼 절단면의 휨 정도(B)에 비해 작은 것을 알 수 있다. As shown in FIG. 6, as a result of measuring the warpage of the wafer cut surface cut from the single crystal ingot cutting device equipped with the slurry supply unit according to the present invention, the warpage degree (A) of the cut surface of the wafer according to the present invention is conventionally determined. It turns out that it is small compared with the bending degree B of a wafer cut surface.
이로부터 본 발명은 웨이퍼의 절단면의 형상 변화를 최소화할 수 있으며, 이는 웨이퍼의 품질 향상 및 불량을 방지할 수 있는 효과가 있다.From this, the present invention can minimize the change in the shape of the cutting surface of the wafer, which has the effect of preventing the improvement of quality and defect of the wafer.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.
100: 장착부 200: 와이어 쏘
300: 가이드 롤러 400: 슬러리 공급유닛
520: 분사유닛 522: 몸체
524: 노즐 526: 슬러리 커튼
540: 슬러리 공급배관 I: 잉곳100: mounting portion 200: wire saw
300: guide roller 400: slurry supply unit
520: injection unit 522: body
524: nozzle 526: slurry curtain
540: slurry supply piping I: ingot
Claims (6)
상기 장착부의 하부에 마련된 와이어 쏘; 및
상기 장착부의 일측에 형성된 슬러리 공급부;를 포함하고,
상기 슬러리 공급부는, 상기 장착부의 일측에 결합되는 분사 유닛과, 상기 분사 유닛으로 슬러리를 공급하는 슬러리 공급배관을 포함하고,
상기 분사 유닛은, 몸체와, 상기 몸체의 일측에 형성되는 노즐을 포함하고,
상기 분사 유닛의 몸체 내부에는, 상부 또는 하부를 향하도록 형성된 바 형상의 슬러리 커튼이 적어도 하나 이상 구비되는 단결정 잉곳 절단장치. A mounting portion on which the ingot is mounted;
A wire saw provided below the mounting portion; And
And a slurry supply part formed at one side of the mounting part.
The slurry supply unit includes a spray unit coupled to one side of the mounting unit, and a slurry supply pipe for supplying a slurry to the spray unit,
The injection unit includes a body and a nozzle formed on one side of the body,
Single crystal ingot cutting device is provided in the body of the injection unit, at least one or more bar-shaped slurry curtain formed to face the top or bottom.
상기 몸체의 내부에는, 상기 노즐이 형성된 몸체의 일면으로부터 수평면을 이루도록 형성된 지지대가 더 포함하는 단결정 잉곳 절단장치.The method according to claim 1,
The inside of the body, the single crystal ingot cutting device further comprises a support formed to form a horizontal plane from one surface of the body the nozzle is formed.
상기 와이어 쏘의 일측에는 와이어 쏘를 고속 회전시키는 가이드 롤러를 포함하는 단결정 잉곳 절단장치.The method according to claim 1,
Single side ingot cutting device comprising a guide roller for rotating the wire saw at high speed on one side of the saw.
상기 가이드 롤러의 상부에는 슬러리 공급유닛이 더 구비되는 단결정 잉곳 절단장치.The method according to claim 5,
Single crystal ingot cutting device is further provided with a slurry supply unit on the upper portion of the guide roller.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110017791A KR101232996B1 (en) | 2011-02-28 | 2011-02-28 | Sawing apparatus of single cystral the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110017791A KR101232996B1 (en) | 2011-02-28 | 2011-02-28 | Sawing apparatus of single cystral the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120098084A KR20120098084A (en) | 2012-09-05 |
| KR101232996B1 true KR101232996B1 (en) | 2013-02-13 |
Family
ID=47109197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110017791A Active KR101232996B1 (en) | 2011-02-28 | 2011-02-28 | Sawing apparatus of single cystral the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101232996B1 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112372862A (en) * | 2020-11-12 | 2021-02-19 | 上海新昇半导体科技有限公司 | Crystal bar workpiece plate and crystal bar cutting method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11277395A (en) * | 1998-03-31 | 1999-10-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Wire saw device and method for cutting work |
| JP2004195555A (en) * | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | Slurry nozzle for wire saw |
| JP2008073816A (en) | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Cutting method |
-
2011
- 2011-02-28 KR KR1020110017791A patent/KR101232996B1/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11277395A (en) * | 1998-03-31 | 1999-10-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Wire saw device and method for cutting work |
| JP2004195555A (en) * | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | Slurry nozzle for wire saw |
| JP2008073816A (en) | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Cutting method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20120098084A (en) | 2012-09-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9073235B2 (en) | Method for cutting workpiece with wire saw | |
| KR101496391B1 (en) | Apparatus and method for simultaneously slicing a multiplicity of slices from a workpiece | |
| CN101678563B (en) | Cutting method and wire saw device | |
| KR101402721B1 (en) | Cutting Method | |
| JP5370006B2 (en) | Wire saw equipment | |
| KR101880518B1 (en) | Silicon wafer manufacturing method | |
| KR20090055003A (en) | Cutting method | |
| KR20090121307A (en) | Cutting method and wire saw device | |
| US20140318522A1 (en) | Method for slicing workpiece | |
| KR20110043544A (en) | Method for cutting work | |
| TW201228791A (en) | Method for cooling a workpiece made of semiconductor material during wire sawing | |
| JP6589744B2 (en) | Work cutting method | |
| KR101232996B1 (en) | Sawing apparatus of single cystral the same | |
| US8752537B2 (en) | Sawing apparatus of single crystal ingot | |
| KR20210126002A (en) | Workpiece cutting method and work piece cutting device | |
| JP2016107365A (en) | Multi-wire electric discharge machining device | |
| JP2016074068A (en) | Slicing method | |
| KR101353869B1 (en) | Method for cooling material with mobile cooling apparatus | |
| WO2019130806A1 (en) | Wire saw device and wafer manufacturing method | |
| JP2016135529A (en) | Method for cutting work-piece | |
| KR101275923B1 (en) | Sawing apparatus of single cystral the same | |
| JP6345044B2 (en) | Wire electrical discharge machine | |
| JP2016101611A (en) | Manufacturing method of substrate | |
| KR20130074711A (en) | Apparatus of ingot slicing and method of ingot slicing | |
| KR101229971B1 (en) | Method for cutting ingot |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20110228 |
|
| PA0201 | Request for examination | ||
| PG1501 | Laying open of application | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20120911 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20130201 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20130206 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20130206 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151223 Year of fee payment: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20151223 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161227 Year of fee payment: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20161227 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171222 Year of fee payment: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20171222 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181226 Year of fee payment: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20181226 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20201222 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20211229 Start annual number: 10 End annual number: 10 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20231227 Start annual number: 12 End annual number: 12 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20241219 Start annual number: 13 End annual number: 13 |