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KR101330258B1 - Semiconductor chip testing apparatus - Google Patents

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KR101330258B1
KR101330258B1 KR1020120013956A KR20120013956A KR101330258B1 KR 101330258 B1 KR101330258 B1 KR 101330258B1 KR 1020120013956 A KR1020120013956 A KR 1020120013956A KR 20120013956 A KR20120013956 A KR 20120013956A KR 101330258 B1 KR101330258 B1 KR 101330258B1
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light
camera
semiconductor device
cameras
image
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임쌍근
이상윤
주병권
이태용
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(주) 인텍플러스
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Abstract

고성능의 카메라를 사용하지 않으면서도 반도체소자의 불량유무 검사의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 한 반도체소자 검사장치가 개시된다. 이를 위한 반도체소자 검사장치는 대상물을 향하여 빛을 조사하는 광원과, 대상물에서 반사되어 입사된 빛을 적어도 두 개 이상의 광경로로 변환하는 광경로 변환부와, 상기 두 개 이상의 광경로로 변환된 빛을 영상데이터로 변환하는 2 개 이상의카메라들과, 카메라들로부터 촬영된 각각의 영상들을 하나의 영상으로 통합하는 이미지 처리부를 포함한다.Disclosed is a semiconductor device inspection apparatus capable of improving the reliability of a defect inspection of a semiconductor device without using a high performance camera. The semiconductor device inspection apparatus for this purpose is a light source for irradiating light toward the object, a light path conversion unit for converting the light reflected from the object into at least two or more optical paths, and the light converted to the two or more optical paths It includes two or more cameras for converting the image data to an image data, and an image processing unit for integrating each image taken from the cameras into a single image.

Description

반도체소자 검사장치{Semiconductor chip testing apparatus}Semiconductor chip testing apparatus

본 발명은 반도체소자 검사장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 제조된 반도체 소자의 불량유무를 검출하는데 사용되는 반도체소자 검사장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device inspection device, and more particularly, to a semiconductor device inspection device used to detect the presence or absence of defects of the manufactured semiconductor device.

일반적으로, 반도체 소자들은 일련의 공정을 통하여 제조된 후 출하 전에 반드시 정밀 검사를 거치게 된다. 그런데, 이들 반도체 소자들은 여타의 부품들보다 고도의 정밀성을 요구하므로 패키지 내부적인 요소뿐만 아니라 그 외형에 있어 조금의 결함이라도 발생하면 성능에 치명적인 영향을 끼치게 된다.In general, semiconductor devices are manufactured through a series of processes and must be thoroughly inspected before shipment. However, these semiconductor devices require a higher degree of precision than other components, so that any defect in not only the internal components of the package but also the appearance thereof may have a fatal effect on performance.

이러한 반도체 소자의 외형적 결함 검사, 예를 들면 PCB 기판에서 칩을 붙이는 부분의 납(solder paste) 형상, 표면 실장기술(surface mount technology)에서의 BGA(ball grid array) 형태의 납 형상 또는 리드의 결함 유무 검사는 매우 중요한 공정 중의 하나이다.Examination of external defects of such semiconductor devices, for example, solder paste shape of a chip attaching part on a PCB substrate, and lead shape or lead of a ball grid array (BGA) type in surface mount technology Defect inspection is one of the very important processes.

한국공개특허 10-2008-0088946 (공개일 2008.10.06)에는 입체 형상 검사 장치가 기술되어 있다.Korean Patent Publication No. 10-2008-0088946 (published 2008.10.06) describes a three-dimensional shape inspection device.

상기와 같은 종래의 반도체소자 검사장치는 광원과 카메라를 포함하는 것이 일반적이다. 광원은 검사 대상물로 빛을 조사한다. 대상물에서 반사된 빛은 카메라에 입사된다. 카메라는 입사된 빛을 영상데이터로 변환하여 획득된 영상데이터를 분석하여 반도체소자를 검사한다. 여기서, 고속으로 영상을 촬영하는 카메라를 사용하게 되면 검사 신뢰성을 향상시킬 수 있으나, 반도체소자 검사장치의 제조비용이 증가하는 문제점이 있다.The conventional semiconductor device inspection apparatus as described above generally includes a light source and a camera. The light source irradiates light onto the inspection object. Light reflected from the object is incident on the camera. The camera inspects the semiconductor device by analyzing the image data obtained by converting the incident light into image data. Here, the use of a camera for taking an image at a high speed can improve the inspection reliability, but there is a problem that the manufacturing cost of the semiconductor device inspection apparatus increases.

본 발명은 고성능의 카메라를 사용하지 않으면서도 반도체소자의 불량유무 검사의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 한 반도체소자 검사장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor device inspection apparatus capable of improving the reliability of a defect inspection of a semiconductor device without using a high performance camera.

상기의 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체소자 검사장치는 대상물을 향하여 빛을 조사하는 광원과, 대상물에서 반사되어 입사된 빛을 적어도 두 개 이상의 광경로로 변환하는 광경로 변환부와, 상기 두 개 이상의 광경로로 변환된 빛을 영상데이터로 변환하는 2 개 이상의카메라들과, 카메라들로부터 촬영된 각각의 영상들을 하나의 영상으로 통합하는 이미지 처리부를 포함한다. The semiconductor device inspection apparatus according to the present invention for achieving the above object is a light source for irradiating light toward the object, and a light path conversion unit for converting the light reflected from the object incident to at least two or more optical paths, and At least two cameras for converting light converted into two or more optical paths into image data, and an image processing unit for integrating each image taken from the cameras into a single image.

본 발명에 따른 반도체소자 검사장치는 고성능(상대적으로 고속)의 카메라를 사용하지 않으면서도 고성능의 카메라를 사용하여 촬영한 것과 동일한 영상을 얻을 수 있다. 즉, 본 발명의 반도체소자 검사장치(100)는 저성능(상대적으로 저속)의 카메라를 사용하면서도 반도체소자의 불량유무 검사의 신뢰성을 향상시킬 수 있도록 할 수 있다.The semiconductor device inspection apparatus according to the present invention can obtain the same image as that taken by using a high performance camera without using a high performance (relatively high speed) camera. That is, the semiconductor device inspecting apparatus 100 of the present invention can improve the reliability of the inspection of defects of semiconductor devices while using a camera of low performance (relatively low speed).

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체소자 검사장치를 개략적으로 도시한 구성도.
도 2는, 도 1에 도시된 반도체소자 검사장치에서 제1카메라와 제2카메라 각각의 동작신호를 도시한 그래프.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체소자 검사장치를 개략적으로 도시한 구성도.1 is a configuration diagram schematically showing a semiconductor device inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a graph showing operation signals of the first camera and the second camera in the semiconductor device inspection apparatus shown in FIG. 1.
Figure 3 is a schematic diagram showing a semiconductor device inspection apparatus according to another embodiment of the present invention.

본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 여기서 동일한 구성에 대해서는 동일부호를 사용하며, 반복되는 설명, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.The present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings. The same reference numerals are used for the same components, and repeated descriptions and detailed descriptions of well-known functions and configurations that may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention will be omitted. Embodiments of the present invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shapes and sizes of the elements in the drawings and the like can be exaggerated for clarity.

도 1을 참조하면, 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 반도체소자 검사장치(100)는 광원(110)과, 광경로 변환부(120)와, 2개 이상의 카메라(130, 140)들과, 미도시된 이미지 처리부를 포함한다.Referring to FIG. 1, the semiconductor device inspecting apparatus 100 according to an exemplary embodiment of the present invention may include a light source 110, an optical path converting unit 120, two or more cameras 130 and 140, It includes an image processor not shown.

광원(110)은 대상물을 향하여 빛을 조사한다. 광원(110)은 테스트할 대상물의 불량유무 테스트가 바람직하게 이루어질 수 있도록, 대상물을 밝게 하기 위한 것이다. 광원(110)의 일예로 레이저 다이오드일 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다. The light source 110 irradiates light toward the object. The light source 110 is to brighten the object so that a test for the presence or absence of the object to be tested may be preferably performed. An example of the light source 110 may be a laser diode, but is not limited thereto.

광경로 변환부(120)는 대상물에서 반사되어 입사된 빛을 적어도 두 개 이상의 광경로로 변환한다. 이를 위한 광경로 변환부(120)의 상세한 구조는 후술하기로 한다.The light path converting unit 120 converts the light reflected from the object and incident to at least two light paths. A detailed structure of the optical path converting unit 120 will be described later.

2 개 이상의 카메라(130, 140)들은 상기 두 개 이상의 광경로로 변환된 빛을 영상데이터로 변환한다. 그리고, 카메라(130, 140)들은 모두 동일한 촬영속도로 영상을 촬영하는 것이 바람직하다. 이유인 즉, 카메라(130, 140)들로부터 촬영된 각각의 영상들이 후술할 이미지 처리부에서 용이하게 통합할 수 있게 하기 위함이다.Two or more cameras 130 and 140 convert the light converted into the two or more optical paths into image data. The cameras 130 and 140 preferably take images at the same shooting speed. That is, it is for the respective images captured from the cameras 130 and 140 to be easily integrated in the image processing unit to be described later.

이미지 처리부는 카메라(130, 140)들로부터 촬영된 각각의 영상들을 하나의 영상으로 통합한다. 그리고, 이미지 처리부에서는 통합된 영상을 분석하여 반도체소자의 불량유무를 검출할 수 있다.The image processor integrates each image captured by the cameras 130 and 140 into one image. In addition, the image processor may detect whether the semiconductor device is defective by analyzing the integrated image.

상기와 같은 구조로 이루어진 반도체소자 검사장치(100)는 고성능(상대적으로 고속)의 카메라를 사용하지 않으면서도 고성능의 카메라를 사용하여 촬영한 것과 동일한 영상을 얻을 수 있다. 즉, 본 발명의 반도체소자 검사장치(100)는 저성능(상대적으로 저속)의 카메라(130, 140)를 사용하면서도 반도체소자의 불량유무 검사의 신뢰성을 향상시킬 수 있도록 할 수 있다.The semiconductor device inspecting apparatus 100 having the above structure can obtain the same image as the one captured using the high performance camera without using the high performance (relatively high speed) camera. That is, the semiconductor device inspection apparatus 100 of the present invention can improve the reliability of the inspection of defects in the semiconductor device while using the cameras 130 and 140 of low performance (relatively low speed).

이를 위한 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 반도체소자 검사장치(100)의 구조의 일예를 상세하게 설명하면, 반도체소자 검사장치(100)는 2개의 카메라(130, 140)를 포함할 수 있다. 설명의 편의를 위해 2 개의 카메라(130, 140)들은 제1카메라(130)와 제2카메라(140)인 것으로 한정하여 설명한다.To describe an example of the structure of the semiconductor device inspection apparatus 100 according to an embodiment of the present invention in detail for this purpose, the semiconductor device inspection device 100 may include two cameras (130, 140). For convenience of description, the two cameras 130 and 140 will be described as being the first camera 130 and the second camera 140.

그리고, 광경로 변환부(120)는 몸체부(121)와, 렌즈(122)와, 반사미러(123)와, 미도시된 중공부를 포함할 수 있다. The light path converter 120 may include a body 121, a lens 122, a reflection mirror 123, and a hollow part not shown.

몸체부(121)는 특정 길이로 형성되어 일단은 외부의 빛이 입사되도록 개구되게 형성되고, 타단에는 상기 제1카메라(130)가 배치된다. 몸체부(121)는 전술한 제1카메라(130)와, 제2카메라(140)와, 렌즈(122)와, 반사미러(123)의 위치를 제한하고, 외부의 접촉으로부터 제1카메라(130)와, 제2카메라(140)와, 렌즈(122)와, 반사미러(123)를 보호하는 역할을 한다.The body 121 is formed to have a specific length so that one end of the body 121 is opened so that external light is incident, and the first camera 130 is disposed at the other end. The body part 121 limits the positions of the first camera 130, the second camera 140, the lens 122, and the reflection mirror 123 described above, and the first camera 130 from external contact. ), The second camera 140, the lens 122, and the reflective mirror 123.

렌즈(122)는 상기 몸체부(121)의 내부에서 외부의 빛이 입사되는 부분에 인접하게 배치된다. 렌즈(122)는 입사되는 빛이 후술할 반사미러(123)에 정확하게 입사되게 하여 카메라(130, 140)들 각각에 선명한 영상이 입사되게 한다.The lens 122 is disposed adjacent to a portion to which external light is incident inside the body 121. The lens 122 allows the incident light to be accurately incident on the reflective mirror 123 which will be described later, so that a clear image is incident on each of the cameras 130 and 140.

반사미러(123)는 상기 몸체부(121)의 내부의 특정 위치에 45°각도로 배치된다. 반사미러(123)는 대상물에서 반사된 빛을 2개의 광경로로 변환한다. 반사미러(123)는 입사된 빛의 일부는 투과되게 하고, 나머지 빛은 반사시킨다. 이러한 반사미러(123)에 의하여 동일한 영상이 제1카메라(130)와 제2카메라(140)에서 촬영될 수 있다.The reflective mirror 123 is disposed at a 45 ° angle at a specific position inside the body 121. The reflection mirror 123 converts the light reflected from the object into two light paths. The reflection mirror 123 allows some of the incident light to pass through and reflects the remaining light. The same image may be captured by the first and second cameras 130 and 140 by the reflection mirror 123.

중공부는 상기 몸체부(121)에서 상기 반사미러(123)가 위치한 부분에 상기 제2카메라(140)가 결합될 수 있도록 특정 크기로 개구되게 형성된다.The hollow part is formed to be opened to a specific size so that the second camera 140 can be coupled to a portion where the reflective mirror 123 is located in the body 121.

상기와 같은 구조로 이루어진 본 발명의 다른 일실시예에 따른 반도체소자 검사장치(100)에서는 몸체부(121)에 입사된 빛이 반사미러(123)를 지나면서 제1카메라(130)와 제2카메라(140) 각각으로 광경로가 변경된다. 그리고, 제1카메라(130)와 제2카메라(140)는 일정한 위상차이 두고 영상이 촬영될 수 있다. 이러한 영상들은 이미지 처리부에서 통합된다. In the semiconductor device inspection apparatus 100 according to another embodiment of the present invention having the above structure, the light incident on the body portion 121 passes through the reflective mirror 123 while the first camera 130 and the second The light path is changed by each of the cameras 140. In addition, the first camera 130 and the second camera 140 may be photographed with a predetermined phase difference. These images are integrated in the image processor.

이에 따라, 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체소자 검사장치(100)는 고속으로 동작되는 카메라, 예를 들어 5KHz로 동작되는 카메라를 마련하지 않아도, 상대적으로 속도가 느린, 예를 들어 2.5KHz로 동작되는 제1카메라(130)와 제2카메라(140)를 사용하여 각각 촬영된 영상을 통합하여 5KHz로 동작되는 카메라(130, 140)와 동일한 영상을 얻을 수 있다. Accordingly, as shown in FIG. 2, the semiconductor device inspection apparatus 100 according to the present invention is relatively slow even without providing a camera operated at a high speed, for example, 5 KHz. For example, the same image as that of the cameras 130 and 140 operated at 5 KHz may be obtained by integrating the images photographed using the first camera 130 and the second camera 140 operated at 2.5 KHz.

한편, 도 3을 참조하여 본 발명의 다른 일실시예에 따른 반도체소자 검사장치(200)의 구조의 일예를 상세하게 설명하면, 반도체소자 검사장치(200)는 2개 이상 즉, N(양의 정수)개 카메라(250)들로 이루어질 수 있다.Meanwhile, referring to FIG. 3, an example of the structure of the semiconductor device inspecting apparatus 200 according to another exemplary embodiment of the present invention will be described in detail. Integer) cameras 250.

이를 위한, 광경로 변환부(120)는 복수개의 제1몸체부(230)들과, 제2몸체부(240)와, 렌즈(122)와, 반사미러(123)와, 미도시된 중공부를 포함할 수 있다.To this end, the optical path converting unit 120 includes a plurality of first body parts 230, a second body part 240, a lens 122, a reflection mirror 123, and a hollow part not shown. It may include.

제1몸체부(230)들은 특정 길이로 형성되고 양단이 개구되어 서로의 단부가 연통되도록 형성된다.The first body parts 230 are formed to have a specific length and open at both ends to communicate with each other.

제2몸체부(240)는 상기 제1몸체부(230)들 중에서 외부의 빛이 입사되는 부분의 가장 반대측에 위치한 하나의 제1몸체부(230)에 연통되도록 형성되고, 자유단에 카메라(250b)가 결합된다. 즉, 복수개의 제1몸체부(230)들이 나란하게 결합되고, 제1몸체부(230)들 중에서 가장 마지막에 배치된 제1몸체부(230b)에 제2몸체부(240)가 결합된다. 더욱 상세하게, 본 발명의 다른 일실시예에 따른 반도체소자 검사장치(200)가 N개의 카메라(250)들을 포함하는 경우, N-1개의 제1몸체부(230a, 230b)들이 순차적으로 결합되고, N-1번째 제1몸체부(230b)에 제2몸체부(240)가 결합된다.The second body part 240 is formed to communicate with one first body part 230 positioned at the most opposite side of the first body part 230 from which external light is incident, and has a camera at a free end. 250b) is combined. That is, the plurality of first body parts 230 are coupled side by side, and the second body part 240 is coupled to the first body part 230b disposed last of the first body parts 230. More specifically, when the semiconductor device inspection apparatus 200 according to another embodiment of the present invention includes N cameras 250, the N-1 first body parts 230a and 230b are sequentially coupled to each other. The second body part 240 is coupled to the N-1 th first body part 230b.

렌즈(122)는 상기 제1몸체부(230)들 중에서 외부의 빛이 입사되는 첫번째 제1몸체부(230a)의 내부에 배치된다.The lens 122 is disposed inside the first first body part 230a to which external light is incident from among the first body parts 230.

반사미러(123)는 상기 제1몸체부(230)들 및 제2몸체부(240)의 내부의 특정 위치에 45°각도로 배치된다. 즉, 반사미러(123)는 제1몸체부(230)들과 제2몸체부(240) 각각에 한 개씩 배치된다. 반사미러(123)와 렌즈(122)는 상술하였으므로 상세한 설명은 생략한다.The reflective mirror 123 is disposed at a 45 ° angle at a specific position inside the first body parts 230 and the second body part 240. That is, one reflective mirror 123 is disposed in each of the first body parts 230 and the second body part 240. Since the reflective mirror 123 and the lens 122 have been described above, a detailed description thereof will be omitted.

중공부는 상기 제1몸체부(230)들 및 제2몸체부(240)에서 상기 반사미러(123)가 위치한 부분에 카메라(250a)가 결합될 수 있도록 특정 크기로 개구되게 형성된다.The hollow part is formed to be opened to a specific size so that the camera 250a can be coupled to a portion where the reflective mirror 123 is located in the first body parts 230 and the second body part 240.

상기와 같은 구조로 이루어진 본 발명의 다른 일실시예에 따른 반도체소자 검사장치(200)에서는 첫번째 제1몸체부(230a)에 입사된 빛이 복수개의 반사미러(123)를 지나면서 광경로가 변경되어 카메라(250)들 각각으로 입사된다. 그리고, 이미지 처리부는 카메라(250)들에서 획득된 각각이 영상들을 통합하고, 통합된 영상을 분석하여 반도체소자의 불량유무를 검출하게 된다.In the semiconductor device inspection apparatus 200 according to another embodiment of the present invention having the above structure, the light path is changed while the light incident on the first first body portion 230a passes through the plurality of reflection mirrors 123. To be incident on each of the cameras 250. In addition, the image processor integrates the images acquired by the cameras 250 and analyzes the integrated image to detect the defect of the semiconductor device.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications, substitutions and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention as disclosed in the accompanying claims. will be. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention and the accompanying drawings are not intended to limit the technical spirit of the present invention but to describe the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by the embodiments and the accompanying drawings. . The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

100, 200: 반도체소자 검사장치
110: 광원 111: 집광렌즈
120: 광경로 변환부 121: 몸체부
122: 렌즈 123: 반사미러
130: 제1카메라 140: 제2카메라
230: 제1몸체부 240: 제2몸체부
250: 카메라100, 200: semiconductor device inspection device
110: light source 111: condenser lens
120: light path conversion unit 121: body portion
122: lens 123: reflecting mirror
130: first camera 140: second camera
230: first body portion 240: second body portion
250: camera

Claims (4)

대상물을 향하여 빛을 조사하는 광원;
대상물에서 반사되어 입사된 빛을 두 개의 광경로들로 변환하는 광경로 변환부;
상기 두 개의 광경로들로 변환된 빛을 각각 영상데이터로 변환하며, 각각 동일한 촬영속도로 영상을 촬영하는 제1,2 카메라; 및
상기 제1,2 카메라로부터 촬영된 각각의 영상들을 하나의 영상으로 통합하는 이미지 처리부;를 포함하며,
상기 광경로 변환부는:
일단은 외부의 빛이 입사되도록 개구되게 형성되고, 타단에는 상기 제1카메라가 배치된 몸체부;
상기 몸체부의 내부에서 외부의 빛이 입사되는 부분에 인접하게 배치된 렌즈;
상기 몸체부의 내부에서 상기 렌즈를 거쳐 입사된 빛의 일부를 투과시켜 상기 제1카메라로 촬영되게 하고 나머지 빛을 반사시키도록 45°각도로 배치된 반사미러;
상기 몸체부에서 상기 반사미러가 위치한 부분에 형성되고 상기 제2카메라가 결합되어 상기 반사미러로부터 반사되는 빛을 촬영하도록 개구된 중공부;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 검사장치.A light source for irradiating light toward the object;
An optical path converting unit converting the incident light reflected from the object into two optical paths;
First and second cameras converting the light converted into the two optical paths into image data, respectively, and photographing the image at the same photographing speed; And
And an image processor for integrating each of the images photographed from the first and second cameras into a single image.
The optical path converting unit:
One end is formed to be opened so that the external light is incident, the other end is the body portion in which the first camera is disposed;
A lens disposed in the body portion adjacent to a portion to which external light is incident;
A reflection mirror disposed at a 45 ° angle to transmit a portion of the light incident through the lens to the first camera and reflect the remaining light in the body part;
A hollow part formed at a portion of the body portion in which the reflective mirror is located and opened to photograph the light reflected from the reflective mirror by coupling the second camera;
Semiconductor device inspection apparatus comprising a. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH06281700A (en) * 1993-03-26 1994-10-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor device failure analysis method and failure analysis apparatus

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